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Introduction I- Gnralit sur les mmoires

A- Dfinition B- Rles des mmoires C- Organisation dune mmoire D- Caractristiques technique dune mmoire

II- Diffrents types de mmoire

A- Les mmoires vives

a- Fonctionnement de la mmoire vive b- Formats de barrettes de mmoire vive d- Autres types de mmoire RAM
B- Les mmoires mortes C- Les mmoires flash D- La mmoire cache E-Autres types de mmoire

III- Notion de hirarchie mmoire Conclusion Bibliographie

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Introduction Un ordinateur a deux caractristiques essentielles qui sont la vitesse laquelle il peut traiter un grand nombre d'informations et la capacit de mmoriser ces informations. La mmoire est un composant de base de l'ordinateur, sans lequel tout fonctionnement devient impossible. Son rle est de stocker les donnes avant et pendant leur traitement par le processeur. Ces donnes sont d'apparence binaire et mmorises sous forme d'impulsions lectriques (une impulsion est gale 1, aucune impulsion est gale 0). Plusieurs types de mmoires sont utiliss, diffrentiables par leur technologie (DRAM, SRAM, ...), leur forme (SIMM, DIMM, ...) ou leur fonctionnement (RAM, ROM,). I- Gnralit sur les mmoires A- Dfinition On appelle mmoire tout composant lectronique capable de stocker temporairement ou long terme des donnes. Une mmoire est aussi un circuit semi-conducteur permettant denregistrer, de conserver et de restituer des informations (instructions et variables). Cest cette capacit de mmorisation qui explique la polyvalence des systmes numriques et leur adaptabilit de nombreuses situations. Les informations peuvent tre crites ou lues. Il y a criture lorsqu'on enregistre des informations en mmoire, lecture lorsqu'on rcupre des informations prcdemment enregistres. B- Rles des mmoires On distingue gnralement deux grandes catgories de mmoires : -la mmoire centrale (appele galement mmoire interne) permettant de mmoriser temporairement les donnes lors de l'excution des programmes. Elle est ralise l'aide de micro-conducteurs, c'est--dire des circuits lectroniques spcialiss rapides. La mmoire centrale correspond ce que l'on appelle la mmoire vive.

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La mmoire de masse (appele galement mmoire physique ou mmoire externe) permettant de stocker des informations long terme, y compris lors de l'arrt de l'ordinateur. La mmoire de masse correspond aux dispositifs de stockage magntiques, tels que le disque dur, aux dispositifs de stockage optique, correspondant par exemple aux CDROM ou aux DVD-ROM, ainsi qu'aux mmoires mortes.
C-

Organisation dune mmoire

Une mmoire peut tre reprsente comme une armoire de rangement constitue de diffrents tiroirs. Chaque tiroir reprsente alors une case mmoire qui peut contenir un seul lment : des donnes. Le nombre de cases mmoires pouvant tre trs lev, il est alors ncessaire de pouvoir les identifier par un numro. Ce numro est appel adresse. Chaque donne devient alors accessible grce son adresse.

Avec une adresse de n bits il est possible de rfrencer au plus 2n cases mmoire. Chaque case est remplie par un mot de donnes (sa longueur m est toujours une puissance de 2). Le nombre de fils dadresses dun botier mmoire dfinit donc le nombre de cases mmoire que comprend le botier. Le nombre de fils de donnes dfinit la taille des donnes que lon peut sauvegarder dans chaque case mmoire. En plus du bus dadresses et du bus de donnes, un botier mmoire comprend une entre de commande qui permet de dfinir le type daction que lon effectue avec la mmoire (lecture/criture) et une entre de slection qui permet de mettre les entres/sorties du botier en haute impdance.

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A- Caractristiques technique dune mmoire Les principales caractristiques d'une mmoire sont les suivantes : - La capacit : cest le nombre total de bits que contient la mmoire. Elle sexprime aussi souvent en octet. - Le format des donnes : cest le nombre de bits que lon peut mmoriser par case mmoire. On dit aussi que cest la largeur du mot mmorisable. - Le temps daccs : cest le temps qui s'coule entre l'instant o a t lance une opration de lecture/criture en mmoire et l'instant o la premire information est disponible sur le bus de donnes. - Le temps de cycle : il reprsente l'intervalle minimum qui doit sparer deux demandes successives de lecture ou d'criture. - Le dbit : cest le nombre maximum d'informations lues ou crites par seconde. - Volatilit : elle caractrise la permanence des informations dans la mmoire. L'information stocke est volatile si elle risque d'tre altre par un dfaut d'alimentation lectrique et non volatile dans le cas contraire. Ainsi, la mmoire idale possde une grande capacit avec des temps d'accs et temps de cycle trs restreints, un dbit lev et est non volatile. Nanmoins les mmoires rapides sont galement les plus onreuses. C'est la raison pour laquelle des mmoires utilisant diffrentes technologiques sont utilises dans un ordinateur, interfaces les unes avec les autres et organises de faon hirarchique.

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Les mmoires les plus rapides sont situes en faible quantit proximit du processeur et les mmoires de masse, moins rapides, servent stocker les informations de manire permanente. Exemple : Chronogramme dun cycle de lecture

Remarque : Les mmoires utilises pour raliser la mmoire principale dun systme microprocesseur sont des mmoires semi-conducteur. On a vu que dans ce type de mmoire, on accde directement n'importe quelle information dont on connat l'adresse et que le temps mis pour obtenir cette information ne dpend pas de l'adresse. On dira que l'accs une telle mmoire est alatoire ou direct. A l'inverse, pour accder une information sur bande magntique, il faut drouler la bande en reprant tous les enregistrements jusqu' ce que l'on trouve celui que l'on dsire. On dit alors que l'accs l'information est squentiel. Le temps d'accs est variable selon la position de l'information recherche. L'accs peut encore tre semisquentiel : combinaison des accs direct et squentiel. Pour un disque magntique par exemple l'accs la piste est direct, puis l'accs au secteur est squentiel. II- Diffrents types de mmoire A- Les mmoires vives La mmoire vive, gnralement appele RAM (Random Access Memory, traduisez mmoire accs alatoire), est la mmoire principale

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du systme, c'est--dire qu'il s'agit d'un espace permettant de stocker de manire temporaire des donnes lors de l'excution d'un programme. Elle doit avoir un temps de cycle trs court pour ne pas ralentir le microprocesseur. Les mmoires vives sont en gnral volatiles : elles perdent leurs informations en cas de coupure d'alimentation. Certaines d'entre elles, ayant une faible consommation, peuvent tre rendues non volatiles par l'adjonction d'une batterie. Il existe deux grandes familles de mmoires RAM: - Les RAM statiques - Les RAM dynamiques 1- Les RAM statiques Les mmoires statiques ou SRAM (Static Random Access Memory), onreuses et encombrant ont l'immense avantage de pouvoir stocker des valeurs pendant une longue priode sans devoir tre rafrachies. Cela permet des temps d'accs trs court (820ns). Les SRAM sont notamment utilises pour les mmoires cache du processeur. Le bit mmoire d'une RAM statique est compos d'une bascule. Chaque bascule contient entre 4 et 6 transistors.

2- Les RAM dynamiques Les mmoires dynamiques ou DRAM (Dynamic Random Access Module), A l'inverse de la mmoire SRAM, doivent tre rafraichies plusieurs fois par secondes, ce qui en augmente le temps d'accs (5080ns). Par contre leur cot est nettement infrieur et leur encombrement faible. Par exemple il est facile de placer 64 Mo sur une barrette DIMM (13/3cm). Elles sont principalement utilises pour la mmoire centrale de l'ordinateur. Dans les RAM dynamiques, l'information est mmorise sous la forme d'une charge lectrique stocke dans un condensateur (capacit grille substrat d'un transistor MOS).

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En gnral les mmoires dynamiques, qui offrent une plus grande densit d'information et un cot par bit plus faible, sont utilises pour la mmoire centrale, alors que les mmoires statiques, plus rapides, sont utilises lorsque le facteur vitesse est critique, notamment pour des mmoires de petite taille comme les caches et les registres. Voici un historique de quelques DRAM qui ont ou sont utilises dans les PC : La DRAM FPM (Fast Page Mode, 1987): Elle permet d'accder plus rapidement des donnes en introduisant la notion de page mmoire. (33 50 Mhz)

La DRAM EDO (Extended Data Out, 1995): Les composants de cette mmoire permettent de conserver plus longtemps l'information, on peut donc ainsi espacer les cycles de rafrachissement. Elle apporte aussi la possibilit danticiper sur le prochain cycle mmoire. (33 50 Mhz) La DRAM BEDO (Bursted EDO): On n'adresse plus chaque unit de mmoire individuellement lorsqu'il faut y lire ou y crire des donnes. On se contente de transmettre l'adresse de dpart du processus de lecture/criture et la longueur du bloc de donnes ( Burst). Ce procd permet de gagner beaucoup de temps, notamment avec les grands paquets de donnes tels qu'on en manipule avec les applications modernes. (66 Mhz)

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La Synchronous DRAM (SDRAM, 1997) : La mmoire SDRAM a pour particularit de se synchroniser sur une horloge. Les mmoires FPM, EDO taient des mmoires asynchrones et elles induisaient des temps d'attentes lors de la synchronisation. Elle se compose en interne de deux bancs de mmoire et des donnes peuvent tre lues alternativement sur l'un puis sur l'autre de ces bancs grce un procd d'entrelacement spcial. Le protocole d'attente devient donc tout fait inutile. Cela lui permet de supporter des frquences plus leves quavant (100 Mhz).

La DDR-I ou DDR-SDRAM (Double Data Rate Synchronous DRAM, 2000) : La DDR-SDRAM permet de recevoir ou d'envoyer des donnes lors du front montant et du front descendant de lhorloge. (133 200 MHz)

3- Fonctionnement de la mmoire vive La mmoire vive est constitue de centaines de milliers de petits condensateurs emmagasinant des charges. Lorsqu'il est charg, l'tat logique du condensateur est gal 1, dans le cas contraire il est 0, ce qui signifie que chaque condensateur reprsente un bit de la mmoire. Etant donn que les condensateurs se dchargent, il faut constamment les recharger (le terme exact est rafrachir, en anglais refresh) un intervalle de temps rgulier appel cycle de rafrachissement. Les mmoires DRAM ncessitent par exemple des cycles de rafrachissement d'environ 15 nanosecondes (ns). Chaque

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condensateur est coupl un transistor (de type MOS) permettant de rcuprer ou de modifier l'tat du condensateur. Ces transistors sont rangs sous forme de tableau (matrice), c'est--dire que l'on accde une case mmoire (aussi appele point mmoire) par une ligne et une colonne.

Chaque point mmoire est donc caractris par une adresse, correspondant un numro de ligne (en anglais row) et un numro de colonne (en anglais column). Or cet accs n'est pas instantan et s'effectue pendant un dlai appel temps de latence. Par consquent l'accs une donne en mmoire dure un temps gal au temps de cycle auquel il faut ajouter le temps de latence. Ainsi, pour une mmoire de type DRAM, le temps d'accs est de 60 nanosecondes (35ns de dlai de cycle et 25 ns de temps de latence). Sur un ordinateur, le temps de cycle correspond l'inverse de la frquence de l'horloge, par exemple pour un ordinateur cadenc 200 MHz, le temps de cycle est de 5 ns (1/ (200*106)). Par consquent un ordinateur ayant une frquence leve et utilisant des mmoires dont le temps d'accs est beaucoup plus long que le temps de cycle du processeur doit effectuer des cycles d'attente (en anglais wait state) pour accder la mmoire. Dans le cas d'un ordinateur cadenc 200 MHz utilisant des mmoires de types DRAM (dont le temps d'accs est de 60ns), il y a 11 cycles d'attente pour un cycle de transfert. Les performances de l'ordinateur sont d'autant diminues qu'il y a de cycles d'attentes, il est donc conseill d'utiliser des mmoires plus rapides.

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4- Formats de barrettes de mmoire vive Il existe de nombreux types de mmoires vives. Celles-ci se prsentent toutes sous la forme de barrettes de mmoire enfichables sur la carte-mre. Les premires mmoires se prsentaient sous la forme de puces appeles DIP (Dual Inline Package). Dsormais les mmoires se trouvent gnralement sous la forme de barrettes, c'est--dire des cartes enfichables dans des connecteurs prvus cet effet. On distingue habituellement trois types de barrettes de RAM :

les barrettes au format SIMM (Single Inline Memory Module) : il s'agit de circuits imprims dont une des faces possde des puces de mmoire. Il existe deux types de barrettes SIMM, selon le nombre de connecteurs : - les barrettes SIMM 30 connecteurs (dont les dimensions sont (89x13mm) sont des mmoires 8 bits qui quipaient les premires gnrations de PC (286, 386).

- les barrettes SIMM 72 connecteurs (dont les dimensions sont 108x25mm) sont des mmoires capables de grer 32 bits de donnes simultanment. Ces mmoires quipent des PC allant du 386DX aux premiers Pentium. Sur ces derniers le processeur travaille avec un bus de donnes d'une largeur de 64 bits, c'est la raison pour laquelle il faut absolument quiper ces ordinateurs de deux barrettes SIMM. Il n'est pas possible d'installer des barrettes 30 broches sur des emplacements 72 connecteurs dans la mesure o un dtrompeur (encoche au centre des connecteurs) en empche l'enfichage.

les barrettes au format DIMM (Dual Inline Memory Module) sont des mmoires 64 bits, ce qui explique pourquoi il n'est pas ncessaire de les apparier. Les barrettes DIMM possdent des puces de mmoire de part et d'autre du circuit imprim et ont galement 84 connecteurs de chaque

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ct, ce qui les dote d'un total de 168 broches. En plus de leurs dimensions plus grandes que les barrettes SIMM (130x25mm) ces barrettes possdent un second dtrompeur pour viter la confusion.

Il peut tre intressant de noter que les connecteurs DIMM ont t amliors afin de faciliter leur insertion grce des leviers situs de part et d'autre du connecteur. Il existe en outre des modules de plus petite taille, appels SO DIMM (Small Outline DIMM), destins aux ordinateurs portables. Les barrettes SO DIMM comportent uniquement 144 broches pour les mmoires 64 bits et 77 pour les mmoires 32 bits.

les barrettes au format RIMM (Rambus Inline Memory Module, appeles galement RD-RAM ou DRD-RAM) sont des mmoires 64 bits dveloppe par la socit Rambus. Elles possdent 184 broches. Ces barrettes possdent deux encoches de reprage (dtrompeurs), vitant tout risque de confusion avec les modules prcdents. Compte tenu de leur vitesse de transfert leve, les barrettes RIMM possdent un film thermique charg d'amliorer la dissipation de la chaleur. Comme dans le cas des DIMM, il existe des modules de plus petite taille, appels SO RIMM (Small Outline RIMM), destins aux ordinateurs portables. Les barrettes SO RIMM comportent uniquement 160 broches. 5- Autres types de mmoire RAM a) DRAM PM La DRAM (Dynamic RAM, RAM dynamique) est le type de mmoire le plus rpandu au dbut du millnaire. Il s'agit d'une mmoire dont les transistors sont rangs dans une matrice selon des lignes et des colonnes. Un transistor, coupl un condensateur donne l'information d'un bit. 1 octet comprenant 8 bits, une barrette de mmoire DRAM de 256 Mo contiendra donc 256 * 2^10 * 2^10 = 256 * 1024 * 1024 = 268 435 456 octets = 268 435 456 * 8 = 2 147 483 648 bits = 2 147 483 648 transistors. Une barrette de 256 Mo possde ainsi en ralit une capacit de 268 435 456 octets, soit 268 Mo ! Ce sont des mmoires dont le temps d'accs est de 60 ns.

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D'autre part, les accs mmoire se font gnralement sur des donnes ranges conscutivement en mmoire. Ainsi le mode d'accs en rafale (burst mode) permet d'accder aux trois donnes conscutives la premire sans temps de latence supplmentaire. Dans ce mode en rafale, le temps d'accs la premire donne est gal au temps de cycle auquel il faut ajouter le temps de latence, et le temps d'accs aux trois autres donnes est uniquement gal aux temps de cycle, on note donc sous la forme X-Y-Y-Y les quatre temps d'accs, par exemple la notation 5-3-3-3 indique une mmoire pour laquelle 5 cycles d'horloge sont ncessaires pour accder la premire donne et 3 pour les suivantes. b) DRAM FPM Pour acclrer les accs la DRAM, il existe une technique, appele pagination consistant accder des donnes situes sur une mme colonne en modifiant uniquement l'adresse de la ligne, ce qui permet d'viter la rptition du numro de colonne entre la lecture de chacune des lignes. On parle alors de DRAM FPM (Fast Page Mode). La FPM permet d'obtenir des temps d'accs de l'ordre de 70 80 nanosecondes pour une frquence de fonctionnement pouvant aller de 25 33 Mhz. c) DRAM EDO Parfois galement appel "hyper-page") est apparue en 1995. La technique utilise avec ce type de mmoire consiste adresser la colonne suivante pendant la lecture des donnes d'une colonne. Cela cre un chevauchement des accs permettant de gagner du temps sur chaque cycle. Le temps d'accs la mmoire EDO est donc d'environ 50 60 nanosecondes pour une frquence de fonctionnement allant de 33 66 Mhz. Ainsi, la RAM EDO, lorsqu'elle est utilise en mode rafale permet d'obtenir des cycles de la forme 5-2-2-2, soit un gain de 4 cycles sur l'accs 4 donnes. Dans la mesure o la mmoire EDO n'acceptait pas des frquences suprieures 66 Mhz, elle a disparu au bnfice de la SDRAM. d) SDRAM

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La SDRAM (Synchronous DRAM, traduisez RAM synchrone), apparue en 1997, permet une lecture des donnes synchronise avec le bus de la carte-mre, contrairement aux mmoires EDO et FPM (qualifies d'asynchrones) possdant leur propre horloge. La SDRAM permet donc de s'affranchir des temps d'attente dus la synchronisation avec la carte-mre. Celle-ci permet d'obtenir un cycle en mode rafale de la forme 5-1-1-1, c'est--dire un gain de 3 cycles par rapport la RAM EDO. De cette faon la SDRAM est capable de fonctionner avec une cadence allant jusqu' 150 Mhz, lui permettant d'obtenir des temps d'accs d'environ 10 ns. e) DR-SDRAM La DR-SDRAM (Direct Rambus DRAM ou encore RDRAM) est un type de mmoire permettant de transfrer les donnes sur un bus de 16 bits de largeur une cadence de 800Mhz, ce qui lui confre une bande passante de 1,6 Go/s. Comme la SDRAM, ce type de mmoire est synchronis avec l'horloge du bus pour amliorer les changes de donnes. En contrepartie, la mmoire RAMBUS est une technologie propritaire, ce qui signifie que toute entreprise dsirant construire des barrettes de RAM selon cette technologie doit reverser des droits (royalties) aux socits RAMBUS et Intel. f) DDR-SDRAM La DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM) est une mmoire base sur la technologie SDRAM, permettant de doubler le taux de transfert de la SDRAM frquence gale. La lecture ou l'criture de donnes en mmoire est ralis sur la base d'une horloge. Les mmoires DRAM standard utilisent une mthode appele SDR (Single Data Rate) consistant lire ou crire une donne chaque front montant.

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La DDR permet de doubler la frquence des lectures/critures, avec une horloge cadence la mme frquence, en envoyant les donnes chaque front montant, ainsi qu' chaque front descendant.

Les mmoires DDR possdent gnralement une appellation commerciale du type PCXXXX o XXXX reprsente le dbit en Mo/s. g) DDR2-SDRAM La mmoire DDR2 (ou DDR-II) permet d'atteindre des dbits deux fois plus levs que la DDR frquence externe gale. On parle de QDR (Quadruple Data Rate ou quad-pumped) pour dsigner la mthode de lecture et d'criture utilise. La mmoire DDR2 utilise en effet deux canaux spars pour la lecture et pour l'criture, si bien qu'elle est capable d'envoyer ou de recevoir deux fois plus de donnes que la DDR.

La DDR2 possde galement un plus grand nombre de connecteurs que la DDR classique (240 pour la DDR2 contre 184 pour la DDR).

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h) DDR3-SDRAM Le DDR3 SDRAM amliore les performances par rapport au DDR2, mais surtout diminue la consommation lectrique. En effet, celle-ci est de 40 % infrieure, en particulier grce une baisse du voltage utilis, une finesse de gravure accrue. Si le dbit thorique de ces barrettes peut dpasser les 10 Go/s, les temps de latence sont rests dans les mmes ordres de grandeur que ceux des DDR2. Les barrettes DDR3 ont 240 connecteurs comme les DDR2 mais ne sont absolument pas compatibles (des dtrompeurs empchent linsertion). Tableau rcapitulatif Le tableau ci-dessous donne la correspondance entre la frquence de la carte-mre (FSB), celle de la mmoire (RAM) et son dbit : Mmoire DDR200 DDR266 DDR333 DDR400 DDR433 DDR466 DDR500 DDR533 DDR538 Appellatio Frquence n E/S PC1600 PC2100 PC2700 PC3200 PC3500 PC3700 PC4000 PC4200 PC4300 200 MHz 266 MHz 333 MHz 400 MHz 433 MHz 466 MHz 500 MHz 533 MHz 538 MHz Frquence mmoire 100 MHz 133 MHz 166 MHz 200 MHz 217 MHz 233 MHz 250 MHz 266 MHz 269 MHz Dbit 1,6 Go/s 2,1 Go/s 2,7 Go/s 3,2 Go/s 3,5 Go/s 3,7 Go/s 4 Go/s 4,2 Go/s 4,3 Go/s

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DDR550

PC4400

550 MHz 400 MHz 533 MHz 667 MHz 675 MHz 800 MHz

275 MHz 100 MHz 133 MHz 167 MHz 172,5 MHz 200 MHz

4,4 Go/s 3,2 Go/s 4,3 Go/s 5,3 Go/s 5,4 Go/s 6,4 Go/s

DDR2-400 PC2-3200 DDR2-533 PC2-4300 DDR2-667 PC2-5300 DDR2-675 PC2-5400 DDR2-800 PC2-6400

DDR21066 DDR21100 DDR21200

PC2-8500 PC2-8800 PC2-9600

533 MHz 560 MHz 600 MHz 400 MHz 533 MHz

266 MHz 280 MHz 300 MHz 100 MHz 133 MHz 166 MHz 200 MHz

8,5 Go/s 8,8 Go/s 9,6 Go/s 6,4 Go/s 8,5 Go/s 10,7 Go/ s 12,8 Go/ s

DDR3-800 PC3-6400 DDR31066 DDR31333 DDR31600 PC3-8500

PC3-10600 666 MHz PC3-12800 800 MHz

A- Les mmoires mortes (ROM) Pour certaines applications, il est ncessaire de pouvoir conserver des informations de faon permanente mme lorsque l'alimentation lectrique est interrompue. On utilise alors des mmoires mortes ou mmoires lecture seule (ROM : Read Only Memory). Ces mmoires, contrairement aux RAM, ne peuvent tre que lue (non volatiles).

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Linscription en mmoire des donnes reste possible mais est appele programmation. Suivant le type de ROM, la mthode de programmation changera. Ce type de mmoire permet notamment de conserver les donnes ncessaires au dmarrage de l'ordinateur. En effet, ces informations ne peuvent tre stockes sur le disque dur tant donn que les paramtres du disque (essentiels son initialisation) font partie de ces donnes vitales l'amorage. Diffrentes mmoires de type ROM contiennent des donnes indispensables au dmarrage, c'est--dire :

Le BIOS: programme permettant de piloter les interfaces d'entre-sortie principales du systme, d'o le nom de BIOS ROM donn parfois la puce de mmoire morte de la carte-mre qui l'hberge. Le chargeur d'amorce: un programme permettant de charger le systme d'exploitation en mmoire (vive) et de le lancer. Celui-ci cherche gnralement le systme d'exploitation sur le lecteur de disquette, puis sur le disque dur, ce qui permet de pouvoir lancer le systme d'exploitation partir d'une disquette systme en cas de dysfonctionnement du systme install sur le disque dur. Le Setup CMOS, c'est l'cran disponible l'allumage de l'ordinateur permettant de modifier les paramtres du systme (souvent appel BIOS tort...). Le Power-On Self Test (POST), programme excut automatiquement l'amorage du systme permettant de faire un test du systme (c'est pour cela par exemple que vous voyez le systme "compter" la RAM au dmarrage). Etant donn que les ROM sont beaucoup plus lentes que les mmoires de types RAM (une ROM a un temps d'accs de l'ordre de 150 ns tandis qu'une mmoire de type SDRAM a un temps d'accs d'environ 10 ns), les instructions contenues dans la ROM sont parfois copies en RAM au dmarrage, on parle alors de shadowing (en franais cela pourrait se traduire par ombrage, mais on parle gnralement de mmoire fantme). 1-Les types de ROM Les ROM ont petit petit volu de mmoires mortes figes des mmoires programmables, puis reprogrammables. a) LA ROM

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Elle est programme par le fabricant et son contenu ne peut plus tre ni modifi, ni effac par l'utilisateur. - Structure : cette mmoire est compose d'une matrice dont la programmation seffectue en reliant les lignes aux colonnes par des diodes. L'adresse permet de slectionner une ligne de la matrice et les donnes sont alors reues sur les colonnes (le nombre de colonnes fixant la taille des mots mmoire).

Programmation : L'utilisateur doit fournir au constructeur un masque indiquant les emplacements des diodes dans matrice. Avantages : - Densit leve - Non volatile - Mmoire rapide Inconvnients : - criture impossible - Modification impossible (toute erreur est fatale). - Dlai de fabrication (3 6 semaines). - Obligation de grandes quantits en raison du cot lev qu'entrane la production du masque et le processus de fabrication. b) La PROM

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Cest une ROM qui peut tre programme une seule fois par l'utilisateur (Programmable ROM). La programmation est ralise partir dun programmateur spcifique. Structure : Les liaisons diodes de la ROM sont remplaces par des fusibles pouvant tre dtruits ou des jonctions pouvant tre court-circuites. Programmation : Les PROM fusible sont livrs avec toutes les lignes connectes aux colonnes (0 en chaque point mmoire). Le processus de programmation consiste donc programmer les emplacements des 1 En gnrant des impulsions de courants par lintermdiaire du programmateur ; les fusibles situs aux points mmoires slectionns se retrouvant donc dtruits. Le principe est identique dans les PROM jonctions sauf que les lignes et les colonnes sont dconnectes (1 en chaque point mmoire). Le processus de programmation consiste donc programmer les emplacements des 0 en gnrant des impulsions de courants par lintermdiaire du programmateur ; les jonctions situes aux points mmoires slectionns se retrouvant court-circuites par effet davalanche. Avantages : - Idem ROM - Claquage en quelques minutes - Cot relativement faible Inconvnients : - Modification impossible (toute erreur est fatale). c) LEPROM ou UV-EPROM Pour faciliter la mise au point d'un programme ou tout simplement permettre une erreur de programmation, il est intressant de pouvoir reprogrammer une PROM. La technique de claquage utilise dans celles-ci ne le permet videmment pas. L'EPROM (Erasable Programmable ROM) est une PROM qui peut tre efface. Structure : Dans une EPROM, le point mmoire est ralis partir dun transistor FAMOS (Floating gate Avalanche injection Metal Oxyde Silicium). Ce transistor MOS a t introduit par Intel en 1971 et a la particularit de

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possder une grille

flottante.

Programmation : La programmation consiste piger des charges dans la grille flottante. Pour cela, il faut tout dabord appliquer une trs forte tension entre Grille et Source. Si lon applique ensuite une tension entre D et S, le canal devient conducteur. Mais comme la tension Grille-Source est trs importante, les lectrons sont dvis du canal vers la grille flottante et capturs par celle-ci. Cette charge se maintient une dizaine d'annes en condition normale. Lexposition dune vingtaine de minutes un rayonnement ultraviolet permet dannuler la charge stocke dans la grille flottante. Cet effacement est reproductible plus dun millier de fois. Les botiers des EPROM se caractrise donc par la prsence dune petite fentre transparente en quartz qui assure le passage des UV. Afin dviter toute perte accidentelle de linformation, il faut obturer la fentre deffacement lors de lutilisation. Avantage : - Reprogrammable et non Volatile Inconvnients : - Impossible de slectionner une seule cellule effacer - Impossible deffacer la mmoire in-situ. - lcriture est beaucoup plus lente que sur une RAM.
a)

LEEPROM

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Les EEPROM (Electrically Erasable Read Only Memory) sont aussi des PROM effaables, mais contrairement aux EPROM, celles-ci peuvent tre effaces par un simple courant lectrique, c'est--dire qu'elles peuvent tre effaces mme lorsqu'elles sont en position dans l'ordinateur. Structure : Dans une EEPROM, le point mmoire est ralis partir dun transistor SAMOS reprenant le mme principe que le FAMOS sauf que lpaisseur entre les deux grilles est beaucoup plus faible. Programmation : Une forte tension lectrique applique entre grille et source conduit la programmation de la mmoire. Une forte tension inverse provoquera la libration des lectrons et donc leffacement de la mmoire. Avantage: - Comportement d'une RAM non Volatile. - Programmation et effacement mot par mot possible. Inconvnients : - Trs lente pour une utilisation en RAM. - Cot de ralisation: Il existe une variante de ces mmoires appele mmoires flash (galement ROM Flash ou Flash EPROM). Contrairement aux EEPROM classiques, utilisant 2 3 transistors par bit mmoriser, la Flash EPROM utilise un seul transistor. D'autre part l'EEPROM peut-tre crite et lue mot par mot, alors que la Flash ne peut tre effac que par pages (la taille des pages tant en constante diminution). Enfin la densit de la mmoire Flash est plus importante, ce qui permet la ralisation de puces contenant plusieurs centaines de Mgaoctets. Des EEPROM sont ainsi prfrentiellement utilises pour la mmorisation de donnes de configuration et la mmoire Flash pour du code programmable (programmes informatiques). On qualifie de flashage l'action consistant reprogrammer une EEPROM. A- Les mmoires flash La mmoire flash est une mmoire semi-conducteurs, non volatile et rinscriptible, c'est--dire une mmoire possdant les caractristiques d'une mmoire vive mais dont les donnes ne se volatilisent pas lors d'une mise hors tension. Ainsi la mmoire flash stocke les bits de donnes dans des cellules de mmoire, mais les donnes sont conserves en mmoire lorsque l'alimentation lectrique est coupe.

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En raison de sa vitesse leve, de sa durabilit et de sa faible consommation, la mmoire flash est idale pour de nombreuses applications - comme les appareils photos numriques, les tlphones cellulaires, les imprimantes, les assistants personnels (PDA), les ordinateurs portables, ou les dispositifs de lecture ou d'enregistrement sonore tels que les baladeurs mp3. De plus ce type de mmoire ne possde pas d'lments mcaniques, ce qui leur confre une grande rsistance aux chocs. A- La mmoire cache Dans un ordinateur rcent, le processeur est gnralement le plus rapide. Il peut ainsi traiter une quantit d'information extrmement consquente par seconde et donc rpondre dans un dlai trs court toute demande. Cette situation serait idyllique s'il tait approvisionn suffisamment rapidement en donnes, ce qui n'est malheureusement pas le cas. En effet, les mmoires de masse, tel qu'un disque dur, sont beaucoup trop lentes pour garantir un dbit suffisant. La mmoire vive permet d'amliorer les temps d'accs mais reste bien en de des possibilits du processeur. La mmoire cache permet de corriger grandement ce problme. Compose de mmoire SRAM donc trs rapide, elle diminue les temps d'attente du processeur. Malheureusement, son cot extrmement lev en empche l'usage comme mmoire vive. En effet, la quantit requise placerait un PC un prix inabordable. Elle est donc utilise en petites quantits sur la carte mre de manire apporter des gains de vitesses seulement o cela est vraiment ncessaire. Il convient de ne pas confondre la mmoire cache physique (L1 ou L2) avec les autres sortes de caches. Une mmoire de masse peuttre vendue avec une mmoire cache intgre. Ainsi de plus en plus de disques durs sont vendus avec de petites mmoires caches intgres, qui ont pour effet d'en acclrer le dbit. Dans certains cas, on parle de cache disque, tels que smartdrive (fourni avec le Dos). Il ne s'agit ici que d'une fonction logicielle qui permet d'augmenter le dbit d'un disque (dur ou CD). Le procd est simple, une partie de la mmoire vive est utilise comme tampon pour les critures sur ledit disque. Si cela permet effectivement d'en augmenter un peu les performances, c'est au dtriment de la mmoire utilisable. 1- Fonctionnement

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La mmoire vive fonctionne gnralement la frquence de la carte mre, qui, depuis le 486DX2, est infrieure celle du processeur. Sa lenteur ainsi que la diffrence de frquence oblige ce dernier patienter sur la mmoire vive. Ainsi de nombreux cycles sont perdus sans raison valable. La mmoire cache Level 2 vient donc se placer entre ces deux lments. Plus rapide que la mmoire vive, elle offre des temps de rponse acceptables pour le processeur. Le but est que le processeur n'ait jamais demander une donne directement la mmoire vive, il doit pouvoir la trouver dans la mmoire cache. Pour qu'un tel systme fonctionne, il est vident que la mmoire cache doit tre alimente en donnes par la mmoire vive avant que le processeur ne formule une demande. Le cache fonctionne donc par anticipation technique jamais totalement parfaite. Grce un algorithme complexe, il va dposer dans le cache les donnes que le CPU devrait demander aux prochains cycles. Et cela s'avre juste la plupart du temps, le pourcentage de russite tend le prouver. Lorsque les valeurs rsultantes sont retournes par le processeur, le circuit inverse est utilis. Les valeurs sont crites dans la mmoire cache, puis lorsque les ressources sont faiblement occupes, dans la mmoire vive. Le cache Level 1 est situ dans le processeur. A l'instar du cache Level 2, il sert aussi de mmoire tampon entre un lment lent et un plus rapide. A- Autres types de mmoire
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MMC - Multimdia Card

La mmoire Multimedia Card (note MMC) est un type de carte mmoire cr conjointement par SanDisk et Siemens en novembre 1997. Son architecture est base sur une combinaison de mmoire morte (ROM) pour les applications en lecture seule et de mmoire flash pour les besoins en lecture/criture. La mmoire MMC possde de trs petites dimensions (24.0mm x 32.0mm x 1.4mm), quivalentes celles d'un timbre poste, et pse peine 2.2 grammes.

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Il existe deux types de cartes MMC possdant des voltages diffrents : Les cartes MMC 3.3V, possdant une encoche gauche Les cartes MMC 5V, possdant une encoche droite 1- Secure Digital La mmoire Secure Digital (note SD ou SD Card) est un type de mmoire cr par Matsushita Electronic, SanDisk et Toshiba en janvier 2000. La mmoire Secure Digital est une mmoire spcifiquement dveloppe pour rpondre aux exigences de scurit nouvellement apparues dans les domaines des dispositifs lectroniques audio et vido. Elle inclut ainsi un mcanisme de protection du droit d'auteur qui rpond au standard SDMI (Secure Digital Music Initiative). L'architecture des cartes SD est base sur des circuits de mmoire flash (EEPROM) de type NAND. La mmoire Secure Digital possde de trs petites dimensions (24.0mm x 32.0mm x 2.1mm), quivalentes celles d'un timbre poste, et pse peine 2 grammes.

Laccs aux donnes est ralis par lintermdiaire dun connecteur latral possdant 9 broches, permettant datteindre un taux de transfert maximal de 10 Mo/s pour la norme 1.01, et de 22,5 Mo/s pour la norme 1.1. Le temps daccs la mmoire SD est denviron 25 s pour le premier accs et de cycles de 50 ns pour les suivants. 2- Smart Media La mmoire Smart Media est un type de carte mmoire cr par Toshiba et Samsung. Son architecture est base sur des circuits de mmoire flash (EEPROM) de type NAND. La mmoire Smart Media

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possde de trs petites dimensions (45.0mm x 37.0mm x 0.76mm), quivalentes celles d'un timbre poste, et pse peine 2 grammes. Il existe deux types de cartes Smart Media possdant des voltages diffrents :

Les cartes Smart Media 3.3V possdent une encoche droite

Les cartes Smart Media 5V possdent une encoche gauche

L'accs aux donnes est ralis par l'intermdiaire d'une puce possdant 22 broches. Quelle que soit la capacit de la carte Smart media, les dimensions et l'emplacement de la puce sont les mmes. Le temps d'accs la mmoire est d'environ 25s pour le premier accs et de cycles de 50 ns pour les suivants. 1- Compatibilit Il existe des adaptateurs permettant d'insrer une carte Smart Media dans un emplacement PCMCIA, afin de permettre le transfert des donnes directement d'une carte Smart Media vers un ordinateur portable. Ce format nest plus fabriqu et est dsormais remplac par le SD ou le xD. 2- Memory stick La mmoire Memory Stick (note MS ou MS Card) est un type de carte mmoire cr conjointement par Sony et SanDisk en janvier 2000. L'architecture des cartes Memory Stick est base sur des circuits de mmoire flash (EEPROM) de type NAND. La mmoire Memory stick possde de petites dimensions (21.5mm x 50.0mm x 2.8mm), quivalentes celles d'une petite bote d'allumettes, et pse peine 4 grammes.

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L'accs aux donnes est ralis par l'intermdiaire d'un connecteur latral possdant 10 broches, permettant d'atteindre un taux de transfert de 14.4 Mb/s et jusqu' 19.6 Mb/s en pointe. Il existe deux types de cartes Memory Stick, la mmoire Memory Stick dite normale et la mmoire Magic Gate permettant la protection des fichiers protgs par droit dauteur. Ce format a t remplac par le Memory Stick Duo de dimensions plus petites (31 x 20 x 1,6 mm). XD Picture card La mmoire xD Picture (pour EXtreme Digital) est un type de carte mmoire cr par Fuji et Olympus en aot 2002. L'architecture des cartes XD est base sur des circuits de mmoire flash (EEPROM) de type NAND. La mmoire XD picture card possde de trs petites dimensions (20.0mm x 25.0mm x 1.7mm), plus petites que celles d'un timbre poste, et pse peine 2 grammes. L'accs aux donnes est ralise par l'intermdiaire d'un connecteur latral possdant 18 broches, permettant d'atteindre un taux de transfert de 1.3 Mb/s et potentiellement jusqu 3 MB/s en criture et d'environ 5 Mb/s en lecture.
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Les cartes XD Picture sont prvues pour atteindre, terme, une capacit de 8 Go. 4- Les mmoires de correction d'erreurs Certaines mmoires possdent des mcanismes permettant de pallier les erreurs afin de garantir l'intgrit des donnes qu'elles contiennent. Ce type de mmoire est gnralement utilis sur des systmes travaillant sur des donnes critiques, c'est la raison pour laquelle on trouve ce type de mmoire dans les serveurs. a) Bit de parit Les barrettes avec bit de parit permettent de s'assurer que les donnes contenues dans la mmoire sont bien celles que l'on dsire. Pour ce faire, un des bits de chaque octet stock en mmoire sert conserver la somme des bits de donnes.

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Le bit de parit vaut 1 lorsque la somme des bits de donnes est impaire et 0 dans le cas contraire. De cette faon les barrettes avec bit de parit permettent de vrifier l'intgrit des donnes mais ne permettent pas de corriger les erreurs. De plus pour 9 Mo de mmoire, seulement 8 serviront stocker des donnes, dans la mesure o le dernier mgaoctet conservera les bits de parit. b) Barrettes ECC Les barrettes de mmoire ECC (Error Correction Coding) sont des mmoires possdant plusieurs bits ddis la correction d'erreur (on les appelle ainsi bits de contrle). Ces barrettes, utilises principalement dans les serveurs, permettent de dtecter les erreurs et de les corriger. c) Dual Channel Certains contrleurs mmoire proposent un double canal (en anglais Dual Channel) pour la mmoire. Il s'agit d'exploiter les modules de mmoire par paire afin de cumuler la bande passante et ainsi exploiter au maximum les capacits du systme. Il est essentiel, lors de l'utilisation du Dual Channel, d'utiliser des barrettes identiques par paire (frquence, capacit et prfrentiellement de mme marque). 1- Synchronisation (timings) Il n'est pas rare de voir des notations du type 3-2-2-2 ou 2-3-3-2 pour dcrire le paramtrage de la mmoire vive. Cette suite de quatre chiffres dcrit la synchronisation de la mmoire (en anglais timing), c'est--dire la succession de cycles d'horloge ncessaires pour accder une donne stocke en mmoire vive. Ces quatre chiffres correspondent gnralement, dans l'ordre, aux valeurs suivantes :

CAS delay ou CAS latency (CAS signifiant Column Address Strobe) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge s'coulant entre l'envoi de la commande de lecture et l'arrive effective de la donne. Autrement dit, il s'agit du temps d'accs une colonne. RAS Precharge Time (not TRP, RAS signifiant Row Address Strobe) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge entre deux

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instructions RAS, c'est--dire entre deux accs une ligne. Opration. RAS to CAS delay (not parfois TRCD) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge correspondant au temps d'accs d'une ligne une colonne. RAS active time (not parfois TRAS) : il s'agit du nombre de cycles d'horloge correspondant au temps d'accs une ligne. Les cartes mmoires sont quipes d'un dispositif appel SPD (Serial Presence Detect), permettant au BIOS de connatre les valeurs nominales de rglage dfinies par le fabricant. Il s'agit d'une EEPROM dont les donnes seront charges par le BIOS si l'utilisateur choisi le rglage auto . III- Notion de hirarchie mmoire Une mmoire idale serait une mmoire de grande capacit, capable de stocker un maximum dinformations et possdant un temps daccs trs faible afin de pouvoir travailler rapidement sur ces informations. Mais il se trouve que les mmoires de grande capacit sont souvent trs lente et que les mmoires rapides sont trs chres. Et pourtant, la vitesse daccs la mmoire conditionne dans une large mesure les performances dun systme. En effet, cest l que se trouve le goulot dtranglement entre un microprocesseur capable de traiter des informations trs rapidement et une mmoire beaucoup plus lente (ex : processeur actuel 3Ghz et mmoire 400MHz). Or, on na jamais besoin de toutes les informations au mme moment. Afin dobtenir le meilleur compromis cot-performance, on dfinie donc une hirarchie mmoire. On utilise des mmoires de faible capacit mais trs rapide pour stocker les informations dont le microprocesseur se sert le plus et on utilise des mmoires de capacit importante mais beaucoup plus lente pour stocker les informations dont le microprocesseur se sert le moins. Ainsi, plus on sloigne du microprocesseur et plus la capacit et le temps daccs des mmoires vont augmenter.

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- Les registres sont les lments de mmoire les plus rapides. Ils sont situs au niveau du processeur et servent au stockage des oprandes et des rsultats intermdiaires. - La mmoire cache est une mmoire rapide de faible capacit destine acclrer laccs la mmoire centrale en stockant les donnes les plus utilises. - La mmoire principale est lorgane principal de rangement des informations. Elle contient les programmes (instructions et donnes) et est plus lente que les deux mmoires prcdentes. - La mmoire dappui sert de mmoire intermdiaire entre la mmoire centrale et les mmoires de masse. Elle joue le mme rle que la mmoire cache. - La mmoire de masse est une mmoire priphrique de grande capacit utilise pour le stockage permanent ou la sauvegarde des informations. Elle utilise pour cela des supports magntiques (disque dur, ZIP) ou optiques (CDROM, DVDROM). Les registres sont les lments de mmoire les plus rapides. Ils sont situs au niveau du processeur et servent au stockage des oprandes et des rsultats intermdiaires. - La mmoire cache est une mmoire rapide de faible capacit destine acclrer laccs la mmoire centrale en stockant les donnes les plus utilises. - La mmoire principale est lorgane principal de rangement des informations. Elle contient les programmes (instructions et donnes) et est plus lente que les deux mmoires prcdentes. - La mmoire dappui sert de mmoire intermdiaire entre la mmoire centrale et les mmoires de masse. Elle joue le mme rle que la mmoire cache.

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- La mmoire de masse est une mmoire priphrique de grande capacit utilise pour le stockage permanent ou la sauvegarde des informations. Elle utilise pour cela des supports magntiques (disque dur, ZIP) ou optiques (CDROM, DVDROM). Conclusion Une mmoire est un dispositif capable d'enregistrer des informations, de conserver ces informations aussi longtemps que ncessaire ou que possible, et de les restituer la demande. Il existe deux types de mmoire dans le systme informatique qui sont classes en deux groupes: la mmoire centrale qui est trs rapide, physiquement peu encombrante mais coteuse, c'est la mmoire de travail de l'ordinateur ; la mmoire de masse ou mmoire auxiliaire, qui est plus lente, assez encombrante physiquement, mais meilleur march, c'est la mmoire de sauvegarde des informations.

Bibliographie Architecture des ordinateurs (Note de cours de T. Dumartin, Paris, France). Cours dArchitecture des Systmes Informatiques et Maintenance des Ordinateurs. http://www.africacomputing http://www.commentamarche.net http://www.google.com http://www.wikipedia.com