Cours 9.

R egimes du transistor MOS

Par Dimitri galayko Unit e denseignement Elec-info pour master ACSI a ` lUPMC Octobre-d ecembre 2005
Dans ce document le transistor MOS est trait e comme un composant electronique. On consid` ere que le lecteur poss` ede des connaissances sur la structure et le principe de fonctionnement du transistor MOS.

R esum e des caract eristiques statiques dun transistor MOS

Un transistor MOS avec canal n (nMOS) en mode denrichissement est repr esent e sur un sch ema electrique par un des symboles de la gure 1. Le premier symbole d esigne un transistor accessible par quatre points (drain, source, grille et substrat (bulk )). Le transistor MOS est une structure sym etrique vis-` a-vis du drain et de la source : son symbole lest egalement. Le deuxi` eme symbole d esigne un transistor MOS dans lequel la source est raccord ee au substrat a ` lint erieur du composant. Le substrat et la source sont donc indisponibles en tant que terminaux ind ependants. Par cons equent, cette structure nest pas sym etrique ; une ` eche est dessin ee au niveau de la source. Elle d esigne le sens r eel du courant dans le canal. L equation d ecrivant le fonctionnement dun transistor MOS en r egime statique s ecrit de la mani` ere suivante :

2
D G a) B S b) G S D

Fig. 1 Symboles de transistor nMOS a ` enrichissement : a) Transistor MOS accessible par ces quatre terminaux, b) Transistor MOS dont la source est raccord ee au substrat (bulk).

W UDS UDS , n Cox (UGS Uth ) ID = f (UGS , UDS ) = L 2

0,

UGS Uth UDS < UGS Uth UGS > Uth UDS UGS Uth UGS > Uth

. (1)

W n Cox (UGS Uth )2 L 2

Un transistor peut etre repr esent e comme un quadrip ole dont les terminaux dentr ee sont la grille et la source, les terminaux de sortie sont la source et le drain (gure 2). Ainsi, a ` lentr ee nous avons la tension grille-source UGS et le courant IG , en sortie, la tension drain-source UDS et le courant de drain ID . I2 = I D I1 = I G U1 = UGS

U2 = UDS

Fig. 2 Transistor en tant quun quadrip ole. En r egime statique le courant de grille est nul, car la grille est electriquement isol ee du canal : IG = 0.
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(2)
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3 Ainsi, la premi` ere grandeur dentr ee du transistor est naturellement la tension grille-source UGS . Dans la mesure o` u en r egime statique le courant de la grille est nul, lentr ee du transistor repr esente une charge id eale pour une source g en erant la tension dentr ee. Cest un tr` es grand avantage pour une entr ee en tension, car quelle que soit la r esistance interne de la source dentr ee, la tension a ` lentr ee du transistor est toujours egale a ` la tension maximale que cette source est capable de fournir, i.e. a ` sa tension de circuit ouvert (cf. gure 3). IG = 0

RS uin G en erateur Fig. 3 Circuit dentr ee du transistor : quelque soit la r esistance interne de la source dentr ee, la tension sur la grille est toujours egale a ` la tension circuit ouvert de cette source. On consid` ere que la grandeur de sortie du transistor est le courant de drain. Dapr` es la formule (1), le courant de drain d epend des tensions UGS et UDS . Ainsi on peut dire que la tension drain-source est une deuxi` eme grandeur dentr ee du transistor, i.e. un deuxi` eme argument qui d enit la grandeur de sortie. Pourquoi on ne choisirait pas la tension drain-source comme la grandeur de sortie et le courant ID comme la deuxi` eme grandeur dentr ee ? Une des raisons a ` cela est labsence dunicit e entre le courant de drain ID et la tension UDS : en r egime de saturation, les caract eristiques courant-tension (ID (UDS )) id eales sont des droites parall` eles a ` laxe des tension, ainsi, il est impossible de d enir UDS sachant ID . Ainsi, en prenant le courant ID et la tension UGS comme les grandeurs dentr ee, il ne serait pas possible de d enir la grandeur de sortie UDS pour un transistor en r egime de saturation. En utilisant les valeurs num eriques ci-dessous : = 10, Uth = 1V , n = 580cm2 /V s, Cox = 1.75f F/m2 , W L a ` la gure 4 nous achons un graphique tridimensionnel repr esentant la
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UG = uin RS

4 valeur du courant de drain en fonction des deux tensions du transistor. Tous les graphiques et les applications num eriques qui seront pr esent es dans ce document sont fait pour un transistor nMOS avec ces param` etres. Courant ID en fonction des tensions UGS et UDS ID , A 5 4 3 2 1 0 0 2 4 UGS , V 6 10 0 5

20 15 10 UDS , V

Fig. 4 Courant du drain en fonction des tensions UGS et UDS Dhabitude, on caract erise un transistor MOS par deux graphiques bidimensionnels, qui sont les coupes orthogonales de la surface pr esent ee gure 4. Le premier graphique repr esente la relation entre le courant du drain et la tension grille-source a ` tension drain-source constante telle que UDS > UGS Uth , i.e. en r egime de saturation. Visualisant la relation entre la grandeur de sortie et la grandeur dentr ee, ce graphique est la caract eristique de transmission ou de transfert statique du transistor : ID = f1 (UGS )
UDS =const,UDS >UGS Uth

(3)

La gure 5 pr esente le graphique de la fonction de transmission du transistor avec les param` etres donn es ci-dessus. On pourrait egalement repr esenter la caract eristique de transmissioin du transistor en r egime lin eaire, mais en pratique on sint eresse le plus souvent a ` la relation entre le courant de saturation et la tension grille-source correspondante. Le deuxi` eme graphique repr esente la relation entre le courant de drain et la tension drain-source pour une tension grille-source constante cest la caract eristique de sortie du transistor :
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ID = f2 (UDS )
UGS =const

(4)

Pour r ealiser limportance de ce deuxi` eme graphique, il faut comprendre quun transistor MOS est un dip ole non-lin eaire dont la caract eristique couranttension est command ee par une tension. Le dip ole est form e par le canal, et cest la tension grille-source qui xe sa caract eristique courant-tension. Ainsi, la caract eristique de sortie du transistor est la caract eristique courant-tension du dip ole que le transistor repr esente en sortie, i.e. entre le drain et la source. Dhabitude on visualise une famille des graphiques caract eristiques courant-tension du dip ole drain-source pour di erentes tensions UGS (gure 5).
Caractristique de transmission dun transistor en rgime de saturation 2
2 Famille des caractristiques de sortie dun transistor UGS=7 V

1.5

1.5 UGS=6 V

ID, A

ID, A

UGS=5 V UGS=4 V UGS=3 V UGS=2 V 0 5 10 UDS, V 15 20

0.5

0.5

UGS, V

Fig. 5 Caract eristique de transmission et caract eristique de sortie dun transistor MOS.

Transistor en r egime petit signal

Dans le r egime petit signal un el ement non-lin eaire fonctionne en permanence en un seul r egime en exploitant des zones de ses caract eristiques
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6 assimilable a ` des droites. Nous etudions le comportement petit signal dun transistor en deux r egimes : r egime lin eaire et r egime satur e. Avant, nous pr esentons quelques g en eralit es sur lanalyse des quadrip oles non-lin eaires en r egime petit signal.

2.1

Analyse petit signal des quadrip oles non-lin eaires

Dans le cours pr ec edent nous avons etudi e lapplication de lapproche petit signal aux dip oles non-lin eaires. Le transistor est un quadrip ole nonlin eaire : il peut egalement etre analys e en r egime petit signal. Du cours 3 nous savons quun quadrip ole poss` ede quatre grandeurs externes (courants et tensions dentr ee et de sortie). En cas g en eral, seulement deux de ces grandeurs sont ind ependantes : on peut les appeler variables ind ependantes ou arguments. Les arguments d enissent, dune mani` ere unique, les deux autres grandeurs. Un quadrip ole est donc d ecrit par deux fonction de deux variables. Notez, que les arguments dun quadrip ole ne sont pas n ecessairement ses propres grandeurs dentr ee (m eme si cela para terait logique) par exemple, la tension dentr ee et le courant de sortie peuvent d ependre de la tension de sortie et du courant dentr ee (ces deux derniers sont donc, les arguments du quadrip ole). Le choix des arguments du quadrip ole est souvent dict e par la sp ecicit e du quadrip ole et par le contexte dutilisation de celui-ci. Dans le cas dun quadrip ole lin eaire ces fonctions sont lin eaires (cf. le cours 3) ; elles sont non-lin eaires dans le cas dun quadrip ole non-lin eaire, tels quun transistor MOS. Pour analyser les quadrip oles lin eaires, on utilise les m eme m ethodes que celles que lon a introduites pour analyser les dip oles non-lin eaires. La seule di erence est que, alors que les caract eristiques des dip oles sont des fonctions non-lin eaires dune seule variable (caract eristique courant-tension), les quadrip oles non-lin eaires sont d ecrites par des fonction non-lin eaires de deux variables. Un exemple est donn e par la fonction d enissant le courant ID du transistor qui fait d ependre le courant de sortie de la tension de sortie et de la tension dentr ee. Ici nous r esumons bri` evement les bases th eoriques de lanalyse petit signal dun transistor MOS repr esent e par un quadrip ole non-lin eaire. Lorsquune grandeur d epend de plusieurs arguments dune mani` ere nonlin eaire, lanalyse petit signal seectue dans lhypoth` ese que les arguments et la grandeur de sortie s ecartent peu du point de fonctionnement, i.e. pr esentent de faibles variation autour des valeurs de polarisation (valeurs DC). On sint eresse aux variations de la grandeur de sortie, pour cela on

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7 cherche son di erentiel. Le di erentiel dune fonction de deux variables sexprime comme : f (x, y ) f (x, y ) dx + dy x y

df (x, y ) =

(5)

Ainsi, si lon approxime les di erentiels par de faibles incr ements ( (f (x, y ), x et y ), et sachant que df (x, y ) f (x, y ) = x dx nous avons : df (x, y ) dx df (x, y ) dy

,
y =const

(6)

f (x, y )

x +
y =const

y.
x=const

(7)

Dans le cas du transistor, les faibles variations du courant de sortie sexpriment comme : dID dUGS dID dUDS

ID = f1 (UGS , UDS )

UGS +
UDS =const

UDS . (8)
UGS =const

On se souvient que les composantes petit signal sont d esign ees par des lettres minuscules et les grandeurs exprimant le point de fonctionnement par des lettres majuscules. On r e ecrit (8) : dID dUGS dID dUDS

iD

uGS +
UDS =const

uDS .
UGS =const

(9)

Les deux d eriv ees sont calcul ees pour les valeurs DC des tensions, i.e. dans lexpression (9) il sagit des constantes qui sont les param` etres petit signal. Il est facile de comprendre leur sens physique. Le param` etre dID dUGS

gm =

(10)
UDS =const

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8 sappelle transconductance petit signal . Lorsque la tension drain-source est constante, la composante petit signal de cette tension est nulle, i.e. uDS = 0 : ainsi, de l equation (9), la transconductance petit signal est egale au rapport entre la composante petit signal du courant de sortie iD et celle de la tension dentr ee uGS , lorsque la tension de sortie est constante. De m eme, le param` etre dID dUDS

gDS =

(11)
UGS =const

sappelle conductance de sortie en r egime de petit signal . Lorsque la tension grille-source est constante, sa composante petit signal est nulle, i.e. uGS = 0 : ainsi, de l equation (9), la conductance de sortie en r egime de petit signal est egale au rapport entre la composante petit signal du courant de sortie iD et celle de la tension drain-source uDS , lorsque la tension grillesource est constante. On parle plus souvent de la r esistance de sortie en r egime de petit signal, qui est linverse de la conductance : dUDS dID

1 rDS = gm =

(12)
UGS =const

Lutilit e et lusage de ces param` etres d ependent du contexte dapplication, comme nous le montrerons dans les paragraphes suivants.

2.2

Mod` ele petit signal dun transistor MOS en r egime de saturation

Nous commen cons par etudier le r egime de saturation, car cest le r egime utilis e par la plupart des circuits lin eaires. L equation (1) se simplie : W n Cox (UGS Uth )2 . L 2

ID = f1 (UGS , UDS ) =

(13)

La transconductance est donn ee par lexpression suivante : dID dUGS W n Cox (UGS Uth ) = L W n Cox ID . L

gm =

=
UDS =const

(14)

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9 Ainsi, la transconductance petit signal augmente lorsque la tension grillesource augmente. Ceci peut se voir sur le graphique de la caract eristique de transmission (gure 5) : la pente de la caract eristique augmente avec UGS . Dapr` es la formule (13) la conductance de sortie du transistor est nulle, car le courant ID ne d epend pas de la tension UDS . Ainsi, la r esistance de sortie est innie. En r ealit e, les droites ID (UDS ) en r egime de saturation achent une faible pente (gure 6) : puisque la longueur du canal est l eg` erement modul ee par la variation de la tension UDS , le courant de drain pr esente un l eger accroissement lorsque la tension UDS augmente. Ce ph enom` ene sappelle eet dEarly : an de le prendre en compte, lexpression pour le courant ID UDS UGS + Uth , o` u UX est la tension (13) est compl et ee par le facteur 1 UX dEarly (param` etre intrins` eque du transistor) : ID = W n Cox UDS UGS + Uth (UGS Uth )2 (1 ). L 2 UX (15)

Notez que puisque la pente due a ` leet dEarly est positive, la tension dEarly UX dans l equation (15) est n egative et est de lordre de plusieurs dixaines de volt.
Famille des caractristiques de sortie dun transistor 2 UGS=7 V

1.5 UGS=6 V
ID, A

UGS=5 V UGS=4 V UGS=3 V UGS=2 V 0 5 10 UDS, V 15 20

0.5

Fig. 6 Prise en compte de leet dEarly : la caract eristique de sortie du transistor ache une l eg` ere pente en r egime de saturation. La valeur du courant au d ebut de la zone de saturation, i.e. lorsque UDS = UGS Uth , sappelle courant de saturation , IDsat :
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10

W n Cox (UGS Uth )2 , L 2 ainsi, lexpression pour ID s ecrit comme : IDsat = ID = IDsat (1 UDS UGS + Uth ). UX

(16)

(17)

La r esistance de sortie petit signal en r egime de saturation, d esign ee habituellement par le symbole ro (comme output ) est donn ee par : ro = ( dID dUGS )1 =
UDS =const

UX |UX | = IDsat IDsat

(18)

Et, puisque en r egime de saturation ID IDsat , on peut dire que : ro = |UX | ID (19)

Ainsi, en r egime de saturation, le dip ole drain-source est mod elis e par une source de courant en parall` ele avec la r esistance ro . Cette source g en` ere un courant dintensit e contr ol ee par la tension grille-source ; la transconductance de cette source contr ol ee est gm (gure 7).
G

ig = 0

uGS

gm uGS

ro

Fig. 7 Mod` ele petit signal dun transistor MOS en r egime de saturation. La transconductance du transistor en r egime de saturation, gm , est le param` etre le plus important du transistor MOS : etant un param` etre de transmission, cest elle qui d etermine le gain dun amplicateur lin eaire r ealis ea ` base du transistor.
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11

2.3

Mod` ele petit signal en r egime lin eaire

Le transistor se trouve en r egime lin eaire sous les conditions suivantes : UDS < UGS Uth et UGS > Uth . (20)

En r egime lin eaire la relation entre les tensions du transistor et le courant de drain se simplient : ID = f1 (UGS , UDS ) = W UDS UDS . n Cox UGS Uth L 2 (21)

Dans ce r egime, cest la r esistance de sortie qui est le param` etre le plus important : rsortie = ( dID dUDS )1 =
UGS =const W L

1 1 . n Cox UGS Uth UDS

(22)

Ainsi, en r egime lin eaire, la r esistance de sortie, i.e. la pente de la caract eristique de sortie, d epend des deux tensions de contr ole du transistor on peut le constater egalement en observant le graphique de cette caract eristique (gure 5). Cependant, cest lorsque la tension UDS est faible devant UGS Uth que le comportement du transistor est particuli` erement int eressant. On remarque que dans cette zone les caract eristiques de sortie di` erent peu des droites traversant lorigine, a ` pente positive. Elles d ecrivent donc une r esistance lin eaire. En eet, dans ce cas, l equation (22) se transforme en : rsortie = rDSon = 1 1 . n Cox UGS Uth (23)

W L

Ainsi, le rapport entre la tension et le courant de sortie ne d epend que de la tension UGS : il sagit dune r esistance contr ol ee par la tension grillesource. Dans ce contexte, la r esistance de sortie du transistor sappelle rDSon , pour souligner le fait que cest la r esistance on du commutateur r ealis ea ` partir de ce transistor.

2.4

Transistor en tant quun amplicateur de signal

Un des principaux int er ets dun transistor est la possibilit e de contr oler, par une tension, la caract eristique de son dip ole de sortie. Le plus remarquable est que le contr ole n ecessite lapplication dune tension (UGS ) sans
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12 quun courant soit d ebit e. Autrement dit, la puissance d ebit ee de la source de tension UGS , i.e. la puissance, l energie de contr ole, est nulle. En revanche, la variation des param` etres de sortie du transistor qui r esulte de ce contr ole, fait varier l energie associ ee au dip ole de sortie du transistor. Etudions deux exemples. En r egime lin eaire, le transistor est une r esistance contr ol ee par la tension UGS . En mettant une r esistance R en s erie avec le canal du transistor et en appliquant une tension continue UDD (gure 8a), on obtient un pont diviseur dans lequel une des r esistances est contr ol ee par une tension (gure 8b). Par cons equent, la tension ou le courant de sortie evolue selon une loi d enie par la loi de variation de la tension UGS . Le courant de sortie traverse la r esistance R : cette r esistance dissipe donc une puissance variable une puissance de signal. Ainsi, a ` partir dune source de tension continue (source dalimentation ne repr esentant aucun signal), en appliquant une commande a ` (th eoriquement) energie nulle, un transistor produit un signal dont la puissance est d enie par les param` etres du circuit (la valeur de la r esistance, la tension dalimentation, les param` etres du transistor...). Cette puissance est sup erieure a ` la puissance du signal dentr ee. Ce circuit r ealise une amplication de puissance dun signal. Notez quune amplication de puissance nest pas en contradiction avec la loi de conservation de l energie. En eet, le signal de sortie nest rien dautre quune modulation du ux d energie fourni par la source dalimentation. Ce principe est a ` la base de toute amplication de signal. Si lon suppose que dans le m eme circuit le transistor se trouve en r egime de saturation, nous sommes en pr esence dune source de courant command ee par une tension : cette source xe le courant de la r esistance (gure 8c). Puisque ce courant est contr ol e par la tension UGS , si celle-ci varie, le courant et donc la puissance de sortie varient. Quel r egime va-t-on utiliser pour lamplication ? Le r egime lin eaire est d esavantageux pour plusieurs raisons. Premi` erement, il est evident que le gain petit signal d epend de la tension dalimentation UDD , ce qui nest pas le cas du r egime satur e (pour sen assurer, il sut de d eriver Uout par Uin dans les deux cas). Deuxi` emement, en r egime lin eaire la plage des tensions de sortie autoris ees est beaucoup plus etroite. Pour le comprendre il sut de consid erer les caract eristiques de sortie de la gure 5 en se souvenant quen r egime lin eaire la tension UDS doit etre proche du z ero. Le r egime de saturation na pas ces d efauts : le gain est ind ependant (en premi` ere approximation) de la tension dalimentation et la tension et le courant de sortie peuvent varier dans une plage relativement large. Pour cette raison,

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13

UDD R Uout ID Uin Uin

a) b)

UDD R Uout = ID RDSon

RDSon (Uin ) UDD RDSon (Uin ) + R

UDD R Uout = UDD RID (Uin ) ID Uin ID (Uin )

c)

Fig. 8 Transistor en tant quun amplicateur : a) sch ema complet, b) mod` ele en r egime lin eaire, c) mod` ele en r egime de saturation.

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14 cest le r egime de saturation que lon utilise le plus souvent pour amplier un signal. Dans la plupart des cas on cherche a ` avoir une amplication lin eaire, telle que le signal dentr ee est proportionnelle au signal de sortie. En revanche, lorsquun transistor est utilis e en tant quun commutateur, cest le r egime lin eaire qui est exploit e. En eet, si UGS est elev ee, la r esistance rDSon est faible : un transistor peut etre apparent ea ` un court-circuit, i.e. a ` un interrupteur ferm e. Pour ouvrir linterrupteur, il sut dappliquer une tension UGS inf erieure a ` la tension de seuil, Uth . Ce sont ces deux r egimes quexploitent tous les circuits num eriques.

Etude dun etage ` a source commune

On parle dun etage a ` source commune lorsque la source du transistor est raccord ee au potentiel de r ef erence. De m eme, il existe des montages avec drain commun et avec grille commune. Un tel etage est g en eralement compos e dun transistor et dune charge. La charge est raccord ee entre le drain et la borne positive de la source dalimentation (si le transistor est a ` canal de type p, cest la borne n egative). La charge est g en eralement un dip ole non-lin eaire, mais elle peut etre une simple r esistance. Dans ce paragraphe nous pr esentons une approche pour analyser qualitativement un etage a ` source commune.

3.1

Etage ` a source commune avec une charge r esistive : caract eristique de transmission statique

Soit un etage a ` source commune pr esent e gure 8a. On consid` ere que la grandeur de sortie est la tension de drain UD (dans ce cas, la tension UD est egale a ` la tension UDS vu que la source est raccord ee a ` la masse). On cherche alors a ` etablir une relation entre la tension de sortie UD et la tension dentr ee UG (UGS ). Exprimons la loi des mailles pour la maille de sortie (source dalimentation UDD , la r esistance R, le canal du transistor) : UDD = ID (UD , UG )R + UD . (24)

On peut r esoudre cette equation analytiquement sur intervalles (de r egime lin eaire et de saturation), puisque les equations d ecrivant le transistor sont relativement simples. N eanmoins, il est plus simple et plus instructif de r esoudre cette equation graphiquement.
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15 Pour cela utilisons la m ethode graphique qui a et e pr esent ee dans le cours 8, Tra cons les caract eristiques courant-tension des deux dip oles (gure 9), avec les conventions pour les courants et les tensions telles que I1 = I 2 , U1 = U 2 . Uout R U1 ID Uin U2 UDD

I2 I1

IG = 0

RS uin G en erateur Fig. 9 Repr esentation de la sortie de l etage par deux dip oles raccord es en parall` ele et en s erie. La caract eristique courant-tension du dip ole de sortie du transistor varie selon la tension UGS , ainsi, il convient de tracer une famille de caract eristiques (gure 10). La caract eristique courant-tension du dip ole charge R source dalimenDimitri galayko UPMC, Master ACSI UE Elec-info, M1

UG = uin RS

16

Caractristique de transmission dun transistor en rgime de saturation 2

2

Famille des caractristiques de sortie dun transistor UGS=7 V

1.5

1.5

6 5 4 3 2 1
15

UGS=6 V

ID, A

ID, A

4 3 1
0 1 2

UGS=5 V UGS=4 V UGS=3 V UGS=2 V 20

0.5

0.5

2
3 4 UGS, V 5 6 7 8
0 0 5 10 UDS, V

20

15

Zone I Transistor bloqu e 2 Zone II 3 Transistor satur e

R egime damplication 4 lin eaire

UDS, V

10

5
0 0 2 4

Transistor en r egime lin eaire 6 Zone III

8 10 12

6 UGS, V

Fig. 10 M ethode graphique pour le calcul de la caract eristique de transmission de l etage a ` source commune avec une charge r esistive.

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17 tation UDD est une droite a ` pente n egative, qui croise les axes aux points correspondant au r egime de court-circuit (U2 = 0, I2 = I2max = UDD /R) et de circuit ouvert (U2 = U2max = UDD , I2 = 0). Dans la mesure o` u les tensions et les courants des deux dip oles sont les m emes, cette droite d enit le lieu des poins correspondant aux etats possibles du transistor. On lappelle droite de charge . Pour un UGS donn ee, l etat du transistor est donn e par le point dintersection entre la caract eristique correspondant du transistor et la droite de charge. Pour les tensions dentr ee inf erieures a ` Uth le courant de sortie est nul, la tension sur la r esistance est nulle, ainsi, la tension dentr ee est egale a ` la tension dalimentation (zone I de la caract eristique de sortie). Lorsque la tension dentr ee franchit la tension de seuil (1 V dans notre cas), un faible courant appara t en sortie. Ce courant g en` ere une tension sur la r esistance, ce qui fait baisser la tension de sortie. Au d ebut cette baisse nest pas susante pour que le transistor quitte le r egime de saturation (points 1-4, zone 2). Cependant, a ` partir dune certaine valeur du courant de sortie la tension UDS devient plus petite que la tension UGS Uth : le transistor entre en r egime lin eaire (points 5 et 6, zone III). En augmentant davantage la tension dentr ee, on nobserve pas d evolution substantielle de la tension de sortie : celle-la tend vers z ero dune mani` ere asymptotique. Le gain en tension de cet etage est egal au rapport entre une faible variation de la tension dentr ee sur la variation r esultante de la tension en sortie (le gain dun amplicateur est presque toujours un param` etre petit signal, autrement dit, un gain dynamique ou di erentiel). Le gain est donn e par la pente de la tangente de la caract eristique de transmission statique. On voit que le gain est maximal en r egime de saturation dans la zone II. Cest donc cette zone qui est utilis ee pour r ealiser des amplicateurs lin eaires. Il est tr` es important de ne pas confondre une amplication lin eaire et le r egime lin eaire dun transistor : il sagit de deux notions d esignant deux ph enom` enes compl` etement di erents. Dapr` es la caract eristique de transmission de l etage, cest lorsque le transistor fonctionne en r egime de saturation que lon obtient une amplication lin eaire.

3.2

Etage ` a source commune avec une charge r esistive : r egime dynamique

Si lon applique une tension sinuso dale a ` lentr ee de l etage, on nobtient pas une sinuso de en sortie. En eet, dapr` es la caract eristique dentr ee-sortie statique, cest uniquement lorsque la tension dentr ee franchit la tension de seuil que la tension de sortie devient di erente de UDD et r eagit a ` la variation
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18 de la tension dentr ee (gure 11). Ainsi, non seulement la forme du signal est distordue, mais en plus, lamplicateur fonctionne dans la zone I, o` u le gain est faible.
Etage damplification nonpolaris en rgime sinusodale 16 14 12 10
UDS, V

Uout = UDS

8 6 4

Uth

2 0 2 0 0.5 1

Uin = UGS

1.5 temps, s

2.5

Fig. 11 Amplicateur avec une tension dentr ee sinuso dale sans polarisation. On observe un r egime non-lin eaire. Lamplicateur fonctionne en zone I.

Pour proter de la zone II, il est n ecessaire que la tension dentr ee reste dans la plage correspondant a ` cette zone. Pour ramener le transistor dans la zone II, on superpose a ` la tension sinuso dale uin une tension continue Uin0 , de sorte a ` ce que au repos, i.e. lorsque le signal uin est nul, le transistor se trouve au milieu de la zone II (gure 12a). Ainsi on d enit le point de travail au milieu de la zone II. Dapr` es le graphique de la caract eristique de transmission, cest a ` peu pr` es le point (4,5 V, 8,7 V). Lexcursion de la tension sinuso dale doit etre telle que le transistor ne sorte pas de la zone II, i.e. son amplitude doit etre au maximum egale a ` la moiti e de l etendue de la zone, i.e. a ` peu pr` es 1,2 V. En r ealisant un circuit avec ces param` etres, nous obtenons un fonctionnement pr esent e gure 13. On voit que la tension de sortie retrace d` element une sinuso de, avec, n eanmoins, de l eg` eres distorsions. Celles-ci sont dues a ` la non-lin earit e r esiduelle de la zone II (o` u la caract eristique est proche mais pas identique a ` une droite). On remarque que lamplitude de la tension de sortie est 4 fois plus grande que lamplitude de la sinuso de dentr ee. Ainsi, le gain en tension de cet amplicateur vaut 4.
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19

UDD R Uout ID iD R uout

Uin0

uin

uin

b)

a)

R uout iD

uin

gm uin

ro

c)

Fig. 12 Etage a ` source commune en r egime dynamique : a) sch ema de l etage, b) toutes les sources continues ind ependantes sont annul ees (premi` ere etape de la synth` ese du sch ema petit signal), c) les el ements non-lin eaires sont remplac es par leurs mod` eles equivalents petit signal.

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20

Etage damplification polaris en rgime sinusodale 16 14 12

Uout = UDS

UDS, V

UDS0

10 8 6

UGS0 Uth

4 2 0 0 0.5

Uin = UGS
1 1.5 temps, s 2 2.5 3

Fig. 13 Amplicateur avec une tension dentr ee sinuso dale polaris e pour fonctionner en zone lin eaire (r egime de saturation du transistor). On observe une amplication de la tension dentr ee. La forme donde est l eg` erement distordue, ce qui est d ua ` une faible non-lin earit e de la zone II. Comment pourrait-on calculer ce gain sans passer par la repr esentation graphique ? Pour cela, il est n ecessaire dutiliser le sch ema petit signal du transistor. Pour obtenir le sch ema equivalent petit signal dun circuit donn e, les d emarches a ` suivre sont les suivantes. 1) On eteint toutes les sources continues ind ependantes (gure 13b). 2) On remplace tous les el ements non-lin eaires par leurs sch emas equivalents petit signal (gure 13c). Les param` etres du sch ema equivalent petit signal sont calcul es au point de fonctionnement d eni pr ec edemment ; Il est facile de voir que la tension petit signal de sortie vaut : uout = R||ro gm Uin , i.e. le gain en tension GU vaut GU = R||ro gm . (26) (25)

G en eralement, ro , la r esistance de sortie du transistor en r egime de saturation, est de lordre de dizaine ou de centaines de kiloohms. Puisque R=10 ,
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21 R||ro R : dans ce cas on peut n egliger ro et consid erer que le transistor se comporte comme une source de courant id eal. n Cox (UGS Uth ), et la composante DC de la Sachant que gm = W L tension dentr ee UGS = 4, 5V on a gm 0.351 . Puisque R=10 , le gain en tension vaut approximativement 3,5. Cette valeur est proche de celle que lon a estim ee a ` partir des graphiques. Il faut garder a ` lesprit que ce calcul est approximatif, puisquil est bas e sur la mod elisation lin eaire dun el ement qui est, en r ealit e, non-lin eaire. Ce calcul est dautant plus pr ecis que lamplitude du signal dentr ee est faible. Pour calculer analytiquement le point de fonctionnement et lamplitude maximale de la tension dentr ee, il faut d eterminer la plage des tensions dentr ee pour lesquelles le transistor reste en r egime de saturation. On sait que le transistor se trouve dans la zone de saturation a ` partir de UGS = Uth : cest la fronti` ere entre le r egime bloqu e et le r egime de saturation. Ainsi, la valeur minimale de la tension dentr ee est donn ee par UGSmin = Uth , 1 V dans notre cas. Pour calculer la tension dentr ee pour laquelle le transistor quitte la zone de saturation et se retrouve dans la zone lin eaire, i.e. la valeur maximale de la tension dentr ee, il faut utiliser l equation (24) et la condition limite entre la zone lin eaire et la zone de saturation, UDS = UGS Uth . Il faut donc r esoudre le syst` eme : UDD = ID (UD , UG )R + UD . UD = UG Uth

(27)

Pour lexpression de ID on peut utiliser nimporte quelle formule celle du r egime lin eaire ou du r egime satur e, vu que lon sint eresse a ` la fronti` ere entre les zones et que la fonction ID (UGS , UDS ) est continue. La tension UGS obtenue donne la valeur maximale de la tension dentr ee (UGSmax ). Connaissant ces deux tensions, nous pouvons donner la tension dentr ee correspondant au point de fonctionnement (au milieu entre les valeurs extr emes) et lamplitude maximale de la tension dentr ee (la moiti e de la longueur de cet intervalle). Nous laissons au lecteur le soin de r esoudre le syst` eme (27), de trouver ces deux param` etres et de les comparer avec les informations analogues tir ees de la courbe Uout (Uin ).

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