Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04)

Mr. K. Louzazna.
Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

10 avril 2021

Document destiné aux étudiants du Master M1 (Physique des Matériaux)

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 1 / 18
 Sommaire

1 Section no.1

*/ Concept du niveau Fermi et du potentiel chimique.

*/ Contacts Métal/Métal (M/M).

*/ Contacts Métal/Semiconducteur (M/S) :

- Contacts Shottkey.

- Contacts Ohmiques.

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 2 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Concept du niveau Fermi et du potentiel chimique :

Par définition, à la température du zéro aboslu (T = 0K ), le niveau de

Fermi d’un mimieu matériel va constituer la frontière séparant la région
des états électroniques occupés correspondants à des énergies
électroniques Eα,~k ≤ EF de la région des états électroniques non-occupés
(vides) associés à des énergies Eα,~k > EF .

Pour le cas des matériaux métalliques, leur propriétés électrique et

thermique sont essentiellement portées par leurs électrons de conduction.
La grandeur de la densité de ces électrons de conduction est dérite par
l’expression intégrale suivante :
+∞
Z
ñ = fn (E ) .gC (E ) dE
EC

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 3 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

gC (E ) représentant la grandeur de la densité des états (Density Of States,
DOS) propre à la bande de conduction CB du matériau métallique. Pour le
cas d’un gaz d’électrons tridimensionnel (3D), cette densité des états est
donnée par :
p
gC (E ) = AC . E − EC avec E ≥ EC
et
 elec + 32
1 2mn
AC = +2
2π ~2
fn (E ) la fonction de distribution des électrons de conduction sur les
différents niveaux d’énergie (E ≥ EC ) de la bande CB du matériau
métallique à l’état d’équilibre et correspondant à la fonction de
Fermi-Dirac suivante :
1
fn (E ) = (E −EF )
avec E ≥ EC
1+e KB .T

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 4 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

A la température du zéro aboslu (T = 0K ), tous les niveaux d’énergies

(E ≤ EF ) sont occupés et tous les niveaux d’énergies (E > EF ) sont
non-occupés (vides). Les fonctions de distribution correspondantes sont :

+1 si E ≤ EF
fn (E ) =
0 si E > EF

Après décomposition de l’intégration précédente en deux (02) intervalles

d’énergies distinctes :
E
RF +∞
R
ñ(0K ) = (+1) .g (E ) dE + 0.g (E ) dE
EC EF
E
RF
= g (E ) dE
EC

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 5 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Après substitution :
ZEF   h
+ 12 2 3 EF
i
ñ(0K ) = AC . (E − EC ) dE = AC . . (E − EC )+ 2
3 EC
EC

  h  
2 + 23
i 2 3
ñ(0K ) = AC . . (EF − EC ) − 0 = AC . . (EF − EC )+ 2
3 3
   elec + 32
1 2 2mn . (EF − EC )
ñ(0K ) = +2 . .
2π 3 ~+2
 elec + 23
1 2mn . (EF − EC )
ñ(0K ) = +2 .
3π ~+2
 +2 
~ +2

+ 32
EF = E C + . 3π .ñ [J] ou [eV ]
2mnelec
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 6 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Ainsi, le niveau de Fermi des matériaux métalliques qui est localisé
en-dessus du minima EC de la bande de conduction CB va couper cette
bande CB à la température du zéro aboslu (T = 0K ) en deux régions
distinctes : une région inférieure constituée des états électroniques occupés
par tous les électrons de conduction du matériau métallique et une région
supérieure comportant des états électroniques non-occupés (vides).

Dans la région des températures (T > 0K ), sur la abse d’une susbtitution

du niveau de Fermi EF du matériau métallique par la grandeur du
potentiel chimique µ(T ) constituant une fonction dépendeant de la
température thermodynamique (T ) :
+∞
Z
ñ(T ) = fn (E ) .g (E ) dE
EC

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 7 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

A partir d’une application du résultat de calcul du modèle de Sommerferld

basé sur le développement de l’expression intégrale précédente sous la
forme :
+∞ Rµ 
fn (E ) .g (E ) dE = g (E ) dE + 16 (πKB .T )+2 . dgdE (E ) 
R

0 0  E =µ 
7 +4 d 3 g (E )  31 +6 d 5 g (E ) 
+ 360 (πKB .T ) . dE 3  + + 15120 (πKB .T ) . dE 5 
E =µ
 E =µ 
7
+10 d 9 g (E ) 
127
+ 604800 (πKB .T )+8 . d dEg (E ) 
7  + + 73
3221440 (πK B .T ) . dE 9 
E =µ E =µ
+ ....
avec :
1
fn (E ) = (E −µ)
et µ = µ(T )
+
1+e KB .T

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 8 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

En poant : z = E − EC et µ0 = µ − EC , la densité des électrons de
conduction résultante d’une application d’un développement de
Sommerfeld au seond-ordre :
0
+∞
Z Zµ 
1 +2 dg (z) 

ñ(T ) = fn (z) .g (z) dz = g (z) dz + (πKB .T ) .
6 dz z=µ0
0 0
1
1
avec : fn (z) = z−µ0 et g (z) = AC .z + 2
+
1+e KB .T

Après substitution :
0
Zµ
1 1 d h +1 i
n(T ) = AC . z + 2 dz + (πKB .T )+2 .AC . z 2
6 dz z=µ0
0

2 h + 3 iµ0 1
   h
+2 1 1
i
ñ(T ) = AC . + z 2 + (πKB .T ) .AC . + . z−2
3 0 6 2 z=µ0

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 9 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

 
2
+ 3 1
− 1
ñ(T ) = AC . . µ0 2 + (πKB .T )+2 .AC . µ0 2
3 12
Sur la base d’une égalisation des deux (02) densités des électrons :

ñ(0K ) = ñ(T ) avec µ0 = µ − EC

   
2 3 2 3
AC . . (EF − EC )+ 2 = AC . . (µ − EC )+ 2
3 3
1 1
+ (πKB .T )+2 .AC . (µ − EC )− 2
12
   
2 3 2 3 1 1
. (EF − EC )+ 2 = . (µ − EC )+ 2 + (πKB .T )+2 . (µ − EC )− 2
3 3 12
3 3 1 1
(EF − EC )+ 2 = (µ − EC )+ 2 + (πKB .T )+2 . (µ − EC )− 2
8
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 10 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Par un choix du minima de bande CB comme origine des énergies
(EC = 0) :
!
+ 32 + 23 1 +2 − 12 1
(EF ) = µ + (πKB .T ) .µ ←× 3
8 (EF )+ 2
L’équation régissant la variation de la grandeur potentiel chimique µ(T ) en
fonction de l’énergie de Fermi EF du matériau métallique est donnée par :
 + 3  − 1
π +2 KB .T +2
 
µ 2 µ 2
1= + . .
EE 8 EF EF

AInsi, à la température du zéro absolu (T = 0K ), la grandeur du potentiel

chimique est égale à l’énergie de Fermi du matériau métallique :

T = 0K → µ(T = 0K ) = EF
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 11 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

*/ Contacts Métal/Métal (M/M) :

Par définition, un contact Métal/Métal (M/M) va constituer une jonction

de deux (02) métaux différents résultant de leur juxtaposition. En
pratique, dans les compsants électroniques et les circuits intégrés contacts
à l’échelle atomique sont réalisés par des technique de dépôts atomiques
physiques (Phyical Vapor Deposition, PVD) ou par l’intermédiaire de
vapeurs chimiques (Chemical Vapor Deposition, CVD).

D’un point de vue phénoménologique, les deux (02) métaux (M1 , M2 ) vont
manifester avant leur contact deux (02) niveaux de Fermi respectifs EF 1 et
EF 2 (< EF 1 ) de valeurs différentes. Le contact des deux (02) va générer
une passage (circulation) des électrons de la bande de conduction (CB) du
métal de niveau de Fermi supérieur (EF 1 ) vers le métal de niveau de Fermi
inférieur (EF 2 ).
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 12 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Du point de vue l’énergie, l’état d’équilibre du contact (M1 /M2 ) est
atteint avec l’égalisation de leurs niveaux de Fermi repectifs de manière à
arréter (bloquer) tout passage (circulation) d’électrons de conduction á
travers leur jonction, voir Figure ci-dessous :
EF0 2 = EF0 1
après substitution des deux niveaux de Fermi par leurs expressions
respectives :
~+2
3
+2 0 + 2 ~+2
+ 3
EF0 1 = elec
. 3π .ñ1 et E 0
F2 = elec
. 3π +2 .ñ20 2
2mn 2mn
Pour le cas d’un contact (M1 /M2 ) à l’équilibre et pour des électrons de
condcution manifestants des masses différentes à l’intérieur des deux
métaux (mn1elec 6= melec ) :
n2
 elec + 23
~+2
3
+2 0 + 2 ~+2
3
+2 0 + 2 0 mn1
elec
. 3π .ñ1 = elec
. 3π .ñ2 → ñ2 = elec
.ñ10
2mn1 2mn2 mn2
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 13 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 14 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

En posant ñ10 = ñ1 − δñ et ñ20 = ñ2 + δñ :

 2
elec + 3

mn1
ñ1 − δñ = elec
.(ñ2 + δñ)
mn2
 
 elec + 23
1 mn1
→ δñ = . ñ1 − elec
.ñ2 
2 mn2
E
 elec + 32 ZEF 2

ZF 1
1 mn1
δñ = gC 1 (E ) dE − elec
. gC 2 (E ) dE 
2 mn2
Ec1 Ec2

Après substitution des deux (02) densités des états prorpes aux bandes
(CB1 et CB2) des deux (02) métaux par leurs définitons conventionnelles :

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 15 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

ZEF 1 ZEF 2
 
 elec + 23
1 1 m 1
δñ = AC 1 . (E − Ec1 )+ 2 dE − n1
elec
.AC 2 . (E − Ec2 )+ 2 dE 
2 mn2
Ec1 Ec2

 
 elec
+ 23
1 2h 3 EF 1
i mn1 2h 3 EF 2
i
= AC 1 . (E − Ec1 )+ 2 − elec
.AC 2 . (E − Ec2 )+ 2 
2 3 Ec1 mn2 3 Ec2

  2
elec + 3
1h 3
i mn1 1h + 32
i
= AC 1 . (EF 1 − Ec1 )+ 2 − 0 − elec
.AC2 . (E F2 − E c2 ) − 0
3 mn2 3
 elec + 32
1 3 mn1 1 3
→ δñ = AC 1 . (EF 1 − Ec1 )+ 2 − elec
.AC 2 . (EF 2 − Ec2 )+ 2
3 mn2 3
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 16 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

En première approximation, les électrons de conduction sont supposés

conserver les mêmes masses lors de leur passage (circulation) du premier
métal (M1) vers le second métal (M2) mn2 elec = melec → A
n1 C 1 = AC 2 :
h i
1 + 32 + 32
δñ = AC 1 . 3 (EF 1 − Ec1 ) − (EF 2 − Ec2 )
"  3  3#
Ec1 + 2 Ec2 + 2
 
1 + 32 + 32
→ δñ = AC 1 . EF 1 . 1 − − EF 2 . 1 −
3 EF 1 EF 2
avec
 elec
+ 23
1 2mn1
AC 1 = +2 .
2π ~+2

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 17 / 18
 Section no.1

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 04) 10 avril 2021 18 / 18