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Seance #5
Seance #5
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conducteurs. Il doit permettre de savoir « Dimensionner
de comprendre les limitations inhérentes à ce dimensionnement.
Il est nécessaire de connaître en détail le principe de fonctionnement (interne) des composants comme la diode
et le transistor pour apprécier leurs caractéristiques électriques.
Les différents états possibles sont figurés par des droites horizontales
positionnées par rapport à un axe gradué. Le niveau « 0 » en énergie se situe
nnement
définie par :
c
E h*v h*
Fig. 5.2 : I
Nombres quantiques et classification périodique des éléments
La classification des éléments nécessite, afin de pouvoir différentier l
quatre nombres:
Le nombre quantique principal n => 1, 2, 3, ; il définit la couche du tableau de Mendeleïev (K, L, M,
N,
Le nombre quantique orbital (secondaire) -1 ; il définit la sous couche
33
Les conducteurs et les semi-conducteurs
l, m) caractérisent les états quantiques. Ces derniers peuvent comporter deux électrons de spin antiparallèle.
Exemple:
Hydrogène Z=1 (1 électron) n=1, l=0, m=0 Couche incomplète 1s1
Hélium Z=2 (2 électrons) n=1, l= 0, m=0 Couche complète 1s2
Bore Z=5 (5 électrons) n=2, l=0, 1, m= -1, 0, 1 Couche externe incomplète 1s2, 2s2, 2p1
Silicium Z=14 (14 electrons) n=3, l=0, 1, 2, m= -2, -1, 0,1,2 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p2
N atomes (N
très grand) suffisamment éloignés de ma
PAULI
22 3
correspondre maintenant N niveaux p cm (ce
34
Les conducteurs et les semi-conducteurs
La figure suivante illustre schématiquement la multiplication des niveaux à partir de deux niveaux uniques 2s
35
Les conducteurs et les semi-conducteurs
ni
créant ainsi un courant électrique.
de valence une énergie supérieure à la largeur de la bande interdite pour les faire passer dans un état excité
(les places possibles se situant dans la bande de conduction). Ils pourront alors, comme dans le cas du métal,
participer à des phénomènes de conduction.
-dessous duquel le matériau se comporte comme un isolant. Ce seuil
correspond au « Gap »:
EG EC EV : Suivant sa valeur, le matériau pourra être Isolant ou semi-conducteur.
celle assurant la cohésion du cristal. De ce fait, il y aura destruction du matériau avant que de pouvoir générer
des électrons libres.
36
Les conducteurs et les semi-conducteurs
E
n n0 exp
kT
1
n n0 *
La statistique de FERMI-DIRAC pour les particules de spin demi- E
entier 1 exp
kT
1
n n0 *
La statistique de BOSE-EINSTEIN pour les particules de spin entier E
(photons, phonons). exp 1
kT
Le cas qui nous intéresse correspond à celui des électrons et suit donc la statistique de FERMI-DIRAC. La
f(E). Elle est donnée par la
formule :
1
f n (E)
E EF
1 exp
kT
Cette expression fait apparaître un niveau énergétique E F qui correspond à une probabilité de présence égale
1 1
à : f n ( EF )
2 2
Ce niveau correspond, au zéro absolu, à la séparation entre les
niveaux vides et les niveaux pleins. On parle parfois «
» ou de « taux moyen de remplissage ».
Si on trace la fonction correspondante, on obtient:
Pour une température égale à 0°K
Pour une température T1 Fig. 5.8 : statistique de FERMI-DIRAC
Pour T2 > TI
1
On pourra remarquer que, quelle que soit la température: f n ( EF )
2
Dans le cas de matériaux semi-conducteurs, on peut assurer que le niveau de FERMI se trouve dans la bande
interdite. En effet, au zéro degré absolu, la bande de valence est pleine et la bande de conduction vide :
En considérant que le niveau de FERMI est situé au milieu de la bande
f n (EC ) = 0
interdite, ce que nous justifierons plus loin, on peut calculer la probabilité de EV EF EC
f n (EV ) = 1
Exemple du Silicium:
5,35 10-36 à 80 °K
EG = 1,12 eV
f n ( EC ) 3,92 10-10 à 300 °K
k = 8,619 10 5 eV/°k
5,36 10-7 à 450 °K
Ces probabilités de présence sont donc très faibles et varient énormément en fonction de la température.
37
Les conducteurs et les semi-conducteurs
Le calcul précédent amène à une conclusion très intéressante; on peut remarquer que, quelle que soit la
E EF
température, le terme exp est toujours très grand devant 1. On peut donc simplifier la fonction
kT
probabilité de présence qui devient
1 E EF
f n (E) f n (E) exp
E EF kT
1 exp
kT
La statistique de FERMI-DIRAC se ramène donc dans ce cas, à la statistique de BOLTZMANN. Ce sera vrai
pour les Semi- ue.
5.1.4-
matériaux présentant une structure de bandes telle que celle des semi-
conducteurs : alternance de bandes permises et interdites.
Si nous nous plaçons dans la bande de conduction, nous pouvons écrire, autour
Fig. 5.14 :
dn
n( E ) * f n ( E ) n(E)
dE
conduction.
n dn n( E ) *f n ( E )dE
EC
EC
Ce calcul fait appel à des notions de mécanique quantique et pourra être détaillé mais nous nous limitons au
:
2 3 E EF
n 3
*(2 mkT ) 2 exp( C )
h kT
On peut remarquer que cette expression fait apparaître deux termes:
EC EF
exp( ) EC : fn(EC)
kT
2 3 EC .
N 3
*(2 mkT ) 2
h
C
possédant N états possibles.
Ces relations sont toutefois des relations approchées mais qui sont bien suffisantes pour décrire le
comportement des dispositifs à semi-
leur masse au repos (m0 = 9,1 10 28 g), mais leur masse en mouvement appelée « masse effective ». Cette
dans la bande.
Les valeurs moyennes couramment admises sont:
mc = 1,05 m0 pour les électrons,
mv = 0,62 m0 pour les trous.
Dans la majorité des cas et sauf indication contraire, nous prendrons m c = mv = m0. On en déduit une densité
40
Les conducteurs et les semi-conducteurs
2 3 E EF
n3
*(2 mkT ) 2 exp( C )
h kT
2 3 E EV
p 3
*(2 mkT ) 2 exp( F )
h kT
Le produit de ces deux densités possède une propriété très intéressante. On peut en effet remarquer
constante la loi
.
2
Ce terme est appelé: Densité Intrinsèque
2 3 EC EV E 2
n*p 3
*(2 mkT ) 2 *exp( ) N 2 *exp( G ) et noté ni avec : n * p ni
h kT kT
Compte tenu des valeurs des masses effectives, ce décalage vaut à température ambiante, dans le cas du
Silicium: 1,04 10-2 eV ce qui est négligeable.
EG
n*p ni 2 N 2 *exp( )
kT
Dans cette expression, T apparaît de manière explicite dans le terme exponentiel mais aussi dans le terme
N2).
4
N2 6
* (2 mk )3 * T 3
h
EG
ni 2 C te *T 3 *exp( )
La sensibilité à la température se met en évidence en calculant la variation kT
1 ni 2
relative
ni 2 T
1 ni 2 3 EG
intrinsèque : 2 ( )
ni T T kT 2
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Les conducteurs et les semi-conducteurs
On peut donc calculer cette variation relative autour de la température ambiante pour les principaux éléments
précités. On obtient :
Germanium (Ge) 9,63% /°K
1 ni 2
Silicium (Si) 15,4% /°K
ni 2 T
Arséniure de Gallium (As Ga) 19,04% /°K
On constate donc une grande sensibilité par rapport à la température.
EG 4 4 E
ni 2 N 2 *exp( ) avec N 2 6
*(2 mk )3 * T 3 soit ni 2 6
*(2 mk )3 * T 3 *exp( G )
kT h h kT
La dérivation de cette équation donne:
ni 2 4 E EG 4 E
3 6 *(2 mk )3 * T 2 *exp( G ) 2 6
*(2 mk )3 T 3 *exp( G )
T h kT kT h kT
2
On peut dans cette équation mettre ni en facteur.
ni 2 4 E 3 EG
3 6 *(2 mk )3 * T 3 *exp( G )
T h kT T kT 2
n 2 1 ni 2 3 EG
Il suffit donc de diviser les deux termes par i pour obtenir : 2 ( )
ni T T kT 2
Application numérique : Autour de la température ambiante : T=300 °K, k = 8,619 10-5 eV/°K
EG Variation/°Kelvin
Germanium: 0,67 eV 9,63%
Silicium: 1,12 eV 15,43%
Arséniure de Gallium: 1,4 eV 19,04%
( x, t ) Ae( kx t)
dans lequel: =2 est la pulsation, k=2 / est le vecteur d'onde.
h
par : E h
2
m 2 p2
Pour une particule libre, son énergie est purement cinétique et vaut : E v On en déduit la vitesse:
2 2m
p dE 1
v ;o écrire : x* k
m dp 2
donc, si k est constant, k 0
42
Les conducteurs et les semi-conducteurs
( x, t ) f (k )ei ( kx ( k )t )
dk
dans laquelle f(k) est représentée ci-contre
(figure 5.15).
La position de la particule correspond au
*
maximum de la fonction défini par :
d ( kx ( k )t ) d
0, soit x 0 = t Fig. 5.15 :
dk dk Fig. 5.16 :
vaut :
dx 0 d d E 1 dE dE dE 1 dE
v or E = soit v comme v il s'en suit: soit dp = *dk
dt dk dk dk dp dp dk
En intégrant cette relation on obtient : p dk k Cette relation est connue sous le nom de Relation de
De Broglie.
p d k k k2
v soit d * dk kdk
m dk m m m 2m
2
k2
Comme E on obtient : E .
2m
2
k2
Pour les élections de la bande conduction on a : E EC
2m
de
2 * n( x ) 2 * n( y ) 2 * n( z )
kx ky kz
L( x) L( y ) L( z )
avec n( x), n( y ) et n( z ) nombres entiers positifs, négatifs ou nul
2
n( x ) 2 n( y ) 2 n( z ) 2
alors : E (n( x), n( y ), n( z )) EC
2m L ( x ) 2 L( y )2 L( z )2
43
Les conducteurs et les semi-conducteurs
proportionnel au volume.
La figure 5.17 suivante montre une représentation des sites possible
pour les électrons en fonction des valeurs de k. On a noté avec des
couleurs différentes les sites possibles correspondant à des plans
définis par des valeurs de ky constantes.
L( x) L( y ) L( z ) V
N (k ) * * Il est donc proportionnel au
2 2 2 8 3 Fig. 5.17 :
volume.
2* N ( k ) 1
nk
V 4 3
E et
dn
E+dE n( E ) *f n ( E )
dE
La dualité énergie n(E )dE n(k )dV (k )
Le volume é
sphère de rayon k.
Fig. 5.18 :
4 3
V (k ) k d'ou dV ( k ) 4 k 2 dk n(k )* dV (k )
3
1 2 k 2 dk 2mE
3
4 k dk 2
or k 2 2
4
1 3
(2 E ) 2 m 2 dE
n( E ) * dE 2 3
en reportant dans n dn n( E )*f n ( E ) dE il vient:
EC EC
1 3
1 (2 E ) 2 m 2 dE
n *
EC 1 exp(
E EF 2 3
)
kT
écrire :
E EF E EF
1 exp( ) exp( )
kT kT
1 3 3 1 3 3
2 2 m 2 (kT ) 2
EC EF 1 2 2 m 2 (kT ) 2
EC EF 1
n exp( ) (u ) exp( u )du
2
exp( )
2 3
kT EC 2 3
kT 2
dans le réseau afin de conférer au matériau des propriétés particulières. Les impuretés néfastes proviennent
Nous avons vu dans ce qui précède que la densité intrinsèque des porteurs vaut, pour le silicium : ni = 1,6 1010
cm-3. Pour que les impuretés puissent être considérées comme négligeables dans ce
7
ou 108 cm-3. On peut comparer ce chiffre avec le nombre
3
. Celui-ci se calcule aisément à partir de la connaissance
du système de cristallisation du silicium.