Sources et dtecteurs e pour les liaisons par bre optique

1 Introduction

Nous avons vu dans le chapitre prcdent que les bres optiques permettent de transmettre e e de linformation sous forme de signaux lumineux. Nous allons nous tourner maintenant vers les sources lumineuses les plus adaptes pour injecter ces signaux dans une bre, et vers les e dtecteurs ncessaires en bout de bre pour les recevoir. e e Les caractristiques de la source et du dtecteur, associes ` celles de la bre, permettent de e e e a dterminer les conditions de transmission dinformation (dbit, distance de transmission). e e

Notions sur les semi-conducteurs. Diodes.

Il sav`re que les sources et dtecteurs les plus appropris pour une liaison par bre ope e e tique sont essentiellement des diodes fabriques en matriau semi-conducteur. Cette partie e e introduit les notions ncessaires ` la comprhension de leur fonctionnement. e a e 2.1 Dnition dun semi-conducteur e

Comme son nom lindique, un semi-conducteur est un matriau qui conduit moins bien e llectricit quun conducteur (mtal), mais mieux quun isolant. Alors que la conduction e e e des mtaux est largement indpendante de la temprature, celle des semi-conducteurs en e e e dpend. On rend compte de ces dirences en tudiant les niveaux dnergie accessibles aux e e e e lectrons du matriau. e e Dans un cristal, les niveaux dnergie sont tr`s ressers et forment des bandes continues. La e e e derni`re bande occupe (celle de plus haute nergie) sappelle la bande de valence. La bande e e e immdiatement au-dessus de la bande de valence est la bande de conduction. Il faut quil y e ait des lectrons dans la bande de conduction pour que le matriau conduise llectricit. e e e e Dans un mtal, les deux bandes de valence et de conduction se chevauchent. Il y a donc e toujours des lectrons dans la bande de conduction. e Dans un isolant, les bandes de valence et de conduction sont spares par une large bande e e interdite appele gap. Le gap entre le haut de la bande de valence et le bas de la bande e de conduction est gnralement suprieur ` 6 eV. Il faut apporter beaucoup dnergie pour e e e a e faire passer un lectron de la bande de valence ` la bande de conduction. Il y a donc peu e a dlectrons de conduction et le matriau conduit tr`s mal llectricit. e e e e e Dans un semi-conducteur, il y a aussi un gap entre les bandes de valence et de conduction, mais il est plus faible que pour un isolant, de lordre de Eg 1 eV. Il est alors possible de faire passer un lectron de la bande de valence ` celle de conduction en apportant un e a peu dnergie, par exemple celle dun photon optique. Lapport dnergie thermique permet e e aussi de faire varier sensiblement le nombre dlectrons dans la bande de conduction. e Le silicium Si, le germanium Ge, larsniure de gallium AsGa sont des semi-conducteurs. e 2.2 Electrons et trous

Lorsquon fait passer un lectron de la bande de valence ` celle de conduction, on cre un e a e lectron de conduction. On cre aussi un trou dans la bande de valence : celui-ci peut e e se dplacer dans le matriau et se comporte une charge positive libre (porteur de charge e e positif). Labsorption dune nergie suprieure ` Eg cre donc une paire lectron-trou. e e a e e Un lectron et un trou peuvent se recombiner (llectron retourne dans la bande de valence) e e
1

en cdant de lnergie. Cette nergie peut tre libre sous forme de chaleur, mais aussi sous e e e e ee forme de lumi`re dans certains semi-conducteurs dits directs o` il sav`re que cette forme e u e de cession dnergie est majoritaire. On parle alors dlectro-luminescence. e e Si et Ge sont des semi-conducteurs indirects et nmettent pas de lumi`re. AsGa met e e e dans la premi`re fentre infrarouge (vers 900 nm). En ajoutant de laluminium Al et/ou du e e phosphore P on obtient des diodes mettant dans le visible. Des composs de As, Ga, P et e e indium In permettent dmettre dans la deuxi`me et troisi`me fentre. e e e e Les valeurs de longueur donde mises dpendent de Eg : plus Eg est grande, plus lnergie e e e du photon mis est grande et plus la longueur donde est courte. On a = hc/Eg 1, 24/Eg e o` est en microm`tres et Eg en eV. u e 2.3 Dopages N et P. Jonction P-N.

Par des procds physico-chimiques, il est possible de remplacer certains atomes du matriau e e e semi-conducteur par dautres atomes (impurets), qui poss`dent soit plus soit moins dlectrons e e e que les atomes originaux. Si les impurets ont plus dlectrons que les atomes du semi-conducteur, il y a un exc`s e e e dlectrons et certains se trouvent dans la bande de conduction. On a alors des porteurs de e charge majoritaires qui sont ngatifs : on parle de dopage N. e Au contraire, si les impurets ont moins dlectrons que les atomes du semi-conducteur, il y e e a un exc`s de trous. Les porteurs de charge majoritaires sont alors positifs et on parle de e dopage P. Il se passe des choses intressantes lorsquon met en contact un semi-conducteur dop N avec e e un autre dop P. On forme alors une jonction P-N (une diode). Au abords de la jonction, e les paires lectron-trou se recombinent et crent ainsi une zone isolante (zone de charge e e despace) sans charge lectrique. La jonction poss`de alors une capacit (isolant entre deux e e e conducteurs=condensateur). Appliquons une tension aux bornes de cette jonction : Si le ple positif du gnrateur est en N et le ple ngatif en P, les porteurs de charge o e e o e de chaque semi-conducteur sont attirs par llectrode attache ` ce semi-conducteur. e e e a La zone isolante slargit et aucun courant ne peut passer. On dit que la jonction est e polarise en inverse. Le fait dempcher le passage du courant dans un sens fait que la e e jonction P-N est une diode. Lors de la polarisation en inverse, si un photon optique cre une paire lectron-trou, les e e deux sont spars et dirigs vers leur lectrode respective. Il y a alors un courant qui e e e e passe. La mesure de ce courant renseigne sur lintensit lumineuse. On a ralis alors e e e une photodiode. Si on inverse les ples du gnrateur, la diode est polarise en direct. Les lectrons de o e e e e N traversent la zone de charge despace et P pour aller vers llectrode qui les attire. e De mme, les trous vont dans lautre sens. Il y a donc un courant global. Beaucoup e de paires lectron-trou se rencontrent et peuvent se recombiner. On peut alors avoir e mission de lumi`re. On a ralis une diode lectro-luminescente (DEL ou LED en e e e e e anglais).

3
3.1

Sources dun syst`me ` bre optique e a

Choix de la source

On peut noter neuf crit`res pour une source dont la lumi`re doit tre injecte dans une bre e e e e optique :
2

1. petite surface missive e 2. source directive (diagramme de rayonnement compatible avec louverture numrique de e la bre) 3. longueur donde adapte aux fentres de transmission de la bre e e 4. faible largeur spectrale pour limiter la dispersion chromatique 5. puissance leve (il y a une forte attnuation ` linjection et au transport sur grande e e e a distance) 6. temps de monte faible (passage rapide dune intensit faible ` une intensit leve) e e a ee e 7. tre facilement modulable e 8. tre able (longueur donde et puissance qui varient tr`s peu dans le temps) e e 9. tre conomique e e 3.2
3.2.1

La DEL
Emission spontane. Electroluminescence dune jonction P-N. e

On a vu dans la section prcdente quune jonction P-N polarise en direct permet lmission e e e e de lumi`re au sein de la jonction par recombinaisons de paires lectron-trou. Cette mission e e e de lumi`re est lanalogue de lmission spontane pour un atome. On appelle ecacit e e e e quantique interne i le pourcentage de recombinaisons qui donnent lieu ` lmission dun a e photon. Le nombre de photons produits par unit de temps est proportionnel au nombre dlectrons e e qui traversent la jonction, cest ` dire I/e o` I est lintensit lectrique qui traverse la diode a u ee : Nphotons = i I/e. Les photons mis ont une nergie E = h Eg , et la puissance lumineuse mise ` lintrieur e e e a e de la jonction est Pi = i Eg I/e. Comme on a aussi Pi = i Plectrique = i U I o` U est la tension aux bornes de la diode, u e on en dduit U = Eg /e qui est en lectronique la tension seuil de la diode. On voit que la e e tension aux bornes de la diode est xe, et quil faut piloter la diode en courant pour ajuster e la puissance lumineuse.
3.2.2 Caractristiques dune DEL e

Lmission de lumi`re au sein de la jonction est e e isotrope. Il faut cependant que la lumi`re puisse arriver ` lextrieur : elle ne pas tre e a e e absorbe dans la jonction (coecient de transmission T1 ) et tre transmise par le dioptre de e e sortie ce qui ncessite davoir une incidence infrieure ` celle de rexion totale (n1 = 3, 5 e e a e dans un semi-conducteur et n = 1 dans lair donc iL = 16, 6 , ce qui est faible. Pour une mission isotrope, il y a T2 = 2% de chances dtre dans la bonne direction) puis de ne pas e e tre rchi sur le dioptre (coecient de transmission T3 0, 7). e e e Le rendement optique est opt = T1 T2 T3 , et le rendement externe est ext = i opt qui donne le pourcentage de photons qui sortent de la DEL par rapport au nombre de recombinaisons en son sein. Le rendement optique est de lordre de 5 103 . Comme la puissance interne Pi peut-tre de e lordre de 100 mW, la puissance mise par une DEL est de lordre de 0,5 mW. e
Rendement optique et rendement externe

Le diagramme de rayonnement suit une loi de Lambert : P () = P0 cos o` la direction = 0 est celle de laxe de la DEL. u Ce nest pas une mission tr`s directive. On emploie les DEL pour injecter une bre multie e mode dassez grande ouverture numrique, ou alors on emploie un lentille pour focaliser la e lumi`re. e
Diagramme de rayonnement

Sous laction de la temprature, la variation dnergie des photons mis e e e autour de Eg est E 3kT o` k = 1, 38 1023 J/K est la constante de Boltzmann. A u temprature ambiante, T 300 K et E 0, 07 eV. e On a alors une largeur spectrale telle que / = E/Eg 0, 07 car Eg 1 eV. Si = 600 nm, = 40 nm. La largeur spectrale dune DEL est donc de quelques dizaines de nm.
Largeur spectrale Temps de monte e

Le temps de monte dune DEL est assez long, de lordre de 10 ns. e Cest celle dune diode.

Caractristique courant-tension e

Il sagit dune droite passant par lorigine, avec une pente de lordre de 10 mW/A, jusqu` quelques mW, valeur limite par lchauement a e e de la diode.
Caractristique puissance lumineuse-courant e Applications Avec des bres optiques, les DEL sont employes pour les transmissions de e courte distance et pour les signaux analogiques.

3.3
3.3.1

La diode laser
Gnralits e e e

Une diode laser consiste en un milieu actif au milieu dune jonction P-N. Elle met une e longueur donde voisine de = hc/Eg , mais qui dpend de la temprature. e e On a dj` vu que lmission spontane de lumi`re est associe ` la recombinaison dune ea e e e e a paire lectron-trou. Labsorption est la cration dune paire lectron-trou par absorption de e e e lnergie dun photon, et lmission stimule est lmission dun photon lors dune recombie e e e naison lectron-trou en prsence dun autre photon incident : les deux photons sont alors e e identiques. Comme pour un laser, lmission stimule permet damplier londe incidente si il y a invere e sion de population. Linversion de population consiste ` obtenir davantage dlectrons de a e conduction que dlectrons de valence. Cela peut se faire lorsque lintensit qui traverse la e e diode est assez forte, cest ` dire lorsquil y a assez dlectrons de conduction. Le pompage a e est donc assur par lapplication dun courant extrieur, dont la valeur doit tre suprieure e e e e a ` une valeur seuil Iseuil pour raliser linversion de population. e La cavit est ralise en clivant les parois du milieu actif. Comme son indice est denviron e e e 3,5, le coecient de rexion des dioptres semiconducteur/air est R = (3, 51)2 /(3, 5+1)2 = e 0, 31. Ce nest pas tr`s lev, mais il y a un gain tr`s fort dans les diodes laser qui permet e e e e de compenser les pertes et damorer les oscillations laser. c
3.3.2 Modes longitudinaux

Comme lamplication a lieu dans une cavit rsonnante, la dtermination des modes lone e e gitudinaux se fait comme pour un laser classique. Lintervalle spectral libre est donn e par = c/(2nL) o` L est la longueur de la cavit, de lordre de 300 m. On trouve u e 1, 4 1011 Hz. En longueur donde, lintervalle spectral libre est = 2 /(2nL) 0, 3
4

nm pour 800 nm. La courbe de gain est dallure gaussienne, dune largeur ` mi-hauteur de lordre de 2 nm et a contient donc une dizaine de modes. Dans certaines diodes laser dites DFB (Distributed FeedBack), on int`gre un rseau de e e Bragg dans la cavit. Son rle est de slectionner une seule longueur donde. On obtient e o e alors une diode laser monomode, dont la lumi`re aura une faible dispersion chromatique lors e de la propagation dans une bre optique (intressant pour la propagation en bre monomode e avec un haut dbit). e
3.3.3 Caractristiques e

La puissance lumineuse mise est quasi-nulle e pour I < Iseuil , et dpend linairement de I pour I > Iseuil . Lordre de grandeur de Iseuil est e e la dizaine de mW, mais sa valeur augmente lorsque la temprature augmente. La pente de e la droite est en revanche indpendante de T . e On peut asservir la diode en puissance , en temprature ou en intensit. A I constante, e e la diode va schauer et la puissance mise diminuera. A P constante sans rguler T , e e e comme la diode va schauer, I devra augmenter et on risque dendommager la diode. Si e on maintient la temprature de la diode constante et quon lasservit en puissance, on obtient e une puissance stable dans le temps.
Caractristique puissance lumineuse-intensit e e

La zone active au milieu de la jonction P-N sappelle aussi le ruban. Sa face de sortie est rectangulaire. A cause de la diraction, la divergence du faisceau est plus grande dans la direction troite du ruban que dans la direction large. Les e ordres de grandeur sont une divergence denviron 10 parall`lement au ruban et denviron e 30 perpendiculairement au ruban, mais a peut varier beaucoup dune diode laser a une c ` autre. Dans une direction donne (par exemple parall`le au ruban), la rpartition dintensit e e e e est gaussienne. Mais lallure du faisceau en sortie de diode est elliptique et non pas circulaire.
Diagramme de rayonnement Temps de monte e

Le temps de monte est infrieur ` 0,2 ns. e e a

La longueur donde mise augmente avec e la temprature. Une variation typique est de lordre de 0,15 nm/ C. La longueur donde est e donc ajustable avec la temprature (avantage), mais il faut faire attention ` maintenir la e a temprature constante lors de lemploi dune diode laser pour envoyer un signal par bre e optique (inconvnient). e
Dpendance de la longueur donde en fonction de T e Applications

Les diodes laser multimodes sont employes avec des bres optiques monomodes e a ` une longueur donde de 1300 nm. Les diodes laser monomode sont employes avec des bres optiques monomodes a une e ` longueur donde de 1550 nm. Cette fentre est troite et ncessite des sources de faible e e e largeur spectrale.

Dtecteurs dans les syt`mes ` bre optique e e a

Nous avons dj` vu quune jonction P-N polarise en inverse tait une photodiode, capable ea e e de dtecter de la lumi`re de longueur donde < c = hc/Eg . Dans cette partie, deux e e ralisations pratiques de photodiodes seront tudies : les photodiodes PIN et les photodiodes e e e a ` avalanche (PDA).
5

4.1

Choix du dtecteur e

Le dtecteur doit satisfaire ` six crit`res : e a e 1. rponse spectrale adapte e e 2. bonne sensibilit (A/W) e 3. rapide 4. peu sensible aux param`tres extrieurs e e 5. peu encombrant 6. bon rapport performances/prix Les dtecteurs thermiques sont trop lents pour les applications tlcom. Dautres dtecteurs e ee e ont de trop grandes dimensions (photomultiplicateur, par exemple). Les photodiodes PIN et ` avalanche correspondent bien au cahier des charges. a 4.2 Photodiode PIN

Une photodiode PIN est une jonction P-N au milieu de laquelle on a plac un semi-conducteur e intrins`que I, cest ` dire tr`s pur et non dop. Lintrt de lintrins`que est de permettre e a e e ee e la formation de paires lectron-trou sans quil y ait recombinaison de llectron ou du trou e e avec un autre porteur de charge avant darriver dans la zone N ou P. Un courant a donc le temps de se propager. Lintrins`que permet aussi de diminuer la capacit de la jonction, et e e donc de diminuer son temps de rponse. e
4.2.1 Cration de paires lectron-trou e e

Une paire lectron-trou peut tre cre par un photon incident sil poss`de une nergie e e ee e e suprieure ` Eg , cest ` dire une longueur donde < hc/Eg . Ce photon est alors absorb. e a a e Soit le coecient dabsorption du matriau. La puissance lumineuse atteignant la proe fondeur x est P (x) = P0 ex o` P0 est la puissance incidente. est une fonction de . u Le matriau peut absorber presque tout le rayonnement incident si sa profondeur est assez e grande. Cependant, une trop grande profondeur peut aussi occasioner de la gne (voir plus e loin). On choisit lpaisseur en fonction de ` la longueur donde pour laquelle on optimise e a la photodiode. La jonction PIN tant polarise en inverse, les lectrons sont collects dans N et les trous e e e e dans P.
4.2.2 Rendement quantique

Le rendement quantique est = nombre dlectrons collects e e nombre de photons incidents

Sur la photodiode se trouve un traitement anti-reet pour diminuer le coecient de rexion e R ` la longueur donde doptimisation. La puissance lumineuse absorbe est Pa = (1R)(1 a e ex )P0 . On a alors (1 R)(1 ex ) en ngligeant les lectrons produits qui ne sont e e pas collects. e

4.2.3

Sensibilit e

Les lectrons et les trous qui sont collects crent un courant dintensit I dans la diode. La e e e e sensibilit de la photodiode est S = I/P0 en A/W. e On a I = Ne e o` Ne est le nombre dlectrons collects par seconde et e la charge lectrique u e e e dun lectron, et aussi P0 = Nphot hc/ o` Nphot est le nombre de photons incidents par e u seconde. On trouve alors Ne e e S= = Nphot hc hc
4.2.4 Temps de rponse e

Le temps de rponse dune photodiode dpend de deux param`tres : sa capacit C (temps de e e e e rponse associ RC o` R est la rsistance de charge, le constructeur le donne gnralement e e u e e e pour R = 50), et le temps de transit tt que met un lectron pour aller de lendroit o` il est e u produit ` la zone de collection. a La capacit C augmente avec la surface de la diode et diminue avec lpaisseur de la zone I. e e Par contre tt augmente avec lpaisseur de la zone I. Il faut donc une photodiode de petite e surface (pas trop pour quelle puisse capter un signal), et de longueur optimise (absorption, e C, tt ).
4.2.5 Courant dobscurit I0 e

Mme en labsence de lumi`re, un courant traverse la photodiode. On lappelle courant e e dobscurit (dark current en anglais). Son origine est double : il y a un courant de fuite e lorsquon polarise la diode en inverse, et il y a aussi un courant dorigine thermique (une paire lectron-trou peut tre cre sous leet de la temprature). Ce courant est gnralement e e ee e e e faible, mais empche la mesure de faibles puissances lumineuses. e
4.2.6 Bruit

Pour un mme clairement de la photodiode, le courant produit uctue. Ce bruit a diverses e e origines. On peut modliser les uctuations quadratiques moyennes du courant par i2 = e 2eIB.P. o` B.P. est la bande-passante de la photodiode. u
4.2.7 Caractristiques de quelques photodiodes e

Elle permet de dtecter des longueurs donde dans le visible et dans e linfrarouge jusqu` c = 1000 nm. On peut donc capter des signaux dans la premi`re a e fentre de travail. e Sa sensibilit maximale est de 0,6 A/W et son courant dobscurit est infrieur ` 5 nA. e e e a Elle est galement peu coteuse et ses performances sont tr`s bonnes. e u e
Photodiode au Si

Elle permet de dtecter des longueurs donde dans linfrarouge jusqu` e a 1600 nm. On peut travailler dans la deuxi`me et troisi`me fentre avec un tel capteur. e e e Sa sensibilit maximale est de 0,7 A/W mais son courant dobscurit est lev : 500 nA. e e e e Pour cette raison, on a tendance a lui prfrer les photodiodes au GaInAs, plus performantes, ee qui dtectent jusqu` 1700 nm avec une sensibilit maximale de 0,8 A/W et surtout un e a e courant dobscurit infrieur ` 5 nA. e e a
Photodiode au Ge

4.3

Photodiode ` avalanche (PDA) a

Si on veut capter des signaux tr`s faibles avec une photodiode PIN, il faut ajouter derri`re e e un amplicateur lectronique, qui est source de bruit et rduit le rapport signal sur bruit e e
7

S/N (Signal/Noise en anglais). Pour amliorer le rapport signal sur bruit, la PDA utilise un e pramplicateur intgr. e e e Le principe est le suivant : on applique une forte tension inverse ` une jonction P-N, de sorte a que les atomes du semi-conducteur soient au seuil dionisation. (Remarque : Si la tension inverse tait lg`rement plus forte, les atomes seraient ioniss et des lectrons circuleraient e e e e e librement malgr la tension inverse: cest leet Zener ` la base des diodes Zener. Si on ne e a prend pas de prcautions particuli`res, ce courant dtruit la diode par eet Joule.) Lorsque e e e une paire lectron-trou est cre par absorption dun photon, les deux porteurs de charge e ee sont fortement acclrs vers leur zone de collection respective. Au passage, ils entrent en ee e collision avec des atomes en leur cdant un peu dnergie, ce qui sut ` les ioniser et une e e a nouvelle paire lectron-trou est cre. Ces deux paires peuvent en crer dautres et il y a un e ee e eet davalanche. Au nal, un seul photon peut avoir cr un courant dtectable. On note ee e M le nombre moyen de paires lectron-trou engendres par une seule paire initiale. e e Ces photodiodes permettent donc de mesurer de tr`s faibles signaux lumineux, ce qui est e intressant car les signaux en bout dune longue bre optique sont peu intenses. e En pratique, la partie P de la jonction P-N est constitue dun empilement de couches dopes e e P avec direntes concentrations dimpurets. e e La longueur donde de coupure, le sensibilit et le courant dobscurit sont les mmes pour e e e une PDA que pour une photodiode PIN.
4.3.1 Gain

Le gain M dune PDA dpend du matriau, de la tension inverse et parfois de la temprature. e e e Il faut donc parfois stabiliser une PDA en temprature. e M 100 pour une PDA au Si avec une tension inverse de 200 V. Pour une PDA au Ge, M 10 pour une tension inverse de 25 V. Et pour une PDA au GaInAs, M 20 pour une tension inverse de 150 V. Lintensit ` travers une PDA est M fois celui ` travers une photodiode identique ` faible ea a a tension inverse.
4.3.2 Courant dobscurit e

I0 = M It + If o` It est le courant thermique, lui aussi ampli. Le courant de fuite If nest u e pas ampli. e
4.3.3 Bruit

Le gain M est une valeur moyenne du nombre m de paires lectron-trou engendres par une e e 2 2 paire initiale. La valeur moyenne m est alors suprieure ` M et scrit approximativement e a e m2 = M 2+x avec x 1. Les uctuations dintensit ont une valeur quadratique moyenne e proportionnelle ` m2 car lintensit varie proportionnellement ` m. a e a On a alors i2 = 2eIS M 2+x avec IS lintensit ` faible tension inverse. ea Pour une PDA au Ge, on a la pire situation x = 1. On lui prf`re donc ici aussi une PDA ee au GaInAs avec x = 0, 7. Pour une PDA au Si, x = 0, 5, ce qui est bon. Inconvnient dune e PDA au Si : la forte tension inverse. On la rserve donc ` des besoins spciques. e a e
4.3.4 Temps de rponse e

Le temps de rponse dune PDA est le double de celui dune PIN quivalente (il faut le temps e e que les avalanches se fassent, malgr la plus grande vitesse des porteurs de charge). e

5
5.1

Liaison par bre optique

Cahier des charges On veut transmettre un signal analogique ou numrique e Le dbit dinformation ` transmettre est dtermin par la bande-passante B.P. en Hz e a e e pour lanalogique et le dbit Br en bits/s pour le numrique. e e La qualit de linformation ` larrive est caractrise par le rapport signal sur bruit e a e e e S/N pour lanalogique et le taux derreur sur les bits (TEB) pour le numrique. e Longueur de liaison, en prsence ou non de rpteurs (amplication du signal et remise e e e en forme). Le prix.

5.2

Bilan de bande passante

Le bilan de bande passante permet de sassurer que le syst`me de tlcommunication est e ee capable de transporter la quantit dinformation requise. e
5.2.1 Temps de monte requis e

On appelle Ts le temps de monte requis pour la liaison par bre optique. e Pour un signal analogique, Ts = 0, 35/B.P.. Pour un signal numrique : e B.P. = Br en codage RZ (le signal est remis ` 0 avant denvoyer chaque bit) : Ts = a 0, 35/Br . B.P. = Br /2 en codage NRZ (le signal est laiss tel quel avant denvoyer le bit suivant) e : Ts = 0, 70/Br . A noter que le codage RZ permet denvoyer des impulsions de largeur constante, ce qui est avantageux quand il y a de la dispersion. Ce codage est privilgi pour le haut dbit. e e e
5.2.2 Temps de monte de la source Tso e

Pour une DEL, Tso est de lordre de quelques dizaines de ns. Pour une diode laser, il est au plus de lordre de la ns et descend ` quelques dizaines de ps. a Le temps de monte dune source est indiqu par le fabriquant. e e
5.2.3 Temps de monte de la bre Tf o e

Tf o est le dlai d aux dispersions modale et chromatique. e u On le mesure soit ` partir de llargissement dune impulsion gaussienne, soit en disant que a e cest le temps mis pour passer de 10% ` 90% de la puissance en sortie si on applique un a chelon ` lentre de la bre. e a e Le temps de monte augmente proportionellement ` la longueur de la bre, tout comme la e a bande passante dcro comme linverse de cette longueur. e t

5.2.4

Temps de monte du dtecteur Tdo e e

Le temps de rponse du dtecteur dpend de deux eets : leet capacitif qui donne une e e e dure td1 = 2, 2RC o` R est la rsistance de charge (gnralement 50 ) et C la capacit de e u e e e e 2 2 la photodiode; et le temps de transit tt . On a Tdo = td1 + tt . Cette dure est comprise entre 0,1 ns et 10 ns pour une photodiode PIN, et entre 0,2 ns et e 5 ns pour une PDA.
5.2.5 Temps de monte total TT e

2 2 TT = Tso + Tf o + T do2 On doit avoir TT Ts . Si TT Ts , on augmente TT en augmentant R, donc Tdo : cette opration permet de diminuer le bruit. e

5.3

Bilan nergtique e e

En plus de pouvoir transporter la quantit dinformation requise, le syst`me doit aussi pere e mettre dassurer la qualit du transfert de linformation. La qualit est directement lie e e e au rapport signal sur bruit S/N (syst`me analogique) ou au taux derreur sur les bits TEB e (syst`me numrique). e e Le param`tre fondamental est le seuil de dtection, cest ` dire le ux nergtique minimal e e a e e qui doit arriver sur le dtecteur pour que le signal de sortie ait le S/N ou le TEB requis. e Les pertes dnergie proviennent de lattnuation dans la bre optique, des connexions et e e des divers couplages.
5.3.1 Seuil de dtection P0m e

Le seuil de dtection est une puissance lumineuse. Il est dusage de lexprimer non pas en e W mais en dBm : P (dBm) = 10 log(P (mW )). Dans la suite de cette partie, les puissances seront en dBm. Selon lutilisation du signal rcupr, S/N peut varier de 20 dB ` 70 dB (syst`me analogique). e ee a e Pour un syst`me numrique, on choisit souvent TEB=109 . e e Le seuil de dtection dpend bien sr de TEB ou S/N, mais aussi de la bande passante ou e e u du dbit, de la puissance moyenne de la source et du photodtecteur utilis. e e e
5.3.2 Puissance mise par la source Ps e

La puissance mise est module avec la modulation m : P = Pmoy (1 + e e m sin(t)). La puissance de la source ` prendre en compte est la puissance ecace ou a puissance nergtique moyenne module Ps = (Pmax Pmoy )/ 2 = mPmax /((m + 1) 2). e e e Exemple : une DEL met Pmax = 1, 1 mW avec une modulation m = 0, 7. Calculer la e puissance nergtique moyenne module quelle met, en mW puis en dBm. Rponse : 0,32 e e e e e mW; -5 dBm.
Signal analogique

Si le signal est mis avec un rapport cyclique 0,5 (gale probabilit dtats e e e e haut et bas), alors Ps = 0, 5Pmax .
Signal numrique e 5.3.3 Bilan de puissance

On note globalement DT les pertes par couplage ou connexion de bres. On note A les pertes par attnuation dans la bre. e Compte-tenu de la puissance de la source et des pertes, on prend une marge de scurit M e e
10

pour dterminer la puissance minimale en bout de bre. Il faut que le seuil de dtection soit e e lg`rement infrieur ` cette puissance minimale : e e e a P0m Ps M (DT + A) o` toutes les puissances sont en dBm et les pertes en dB. u On peut en faire une reprsentation graphique sur un graphe puissance en dBm-distance e parcourue. Voir la gure 1.

Figure 1: Variation de la puissance en dBm le long dun syst`me ` bres optiques. e a

5.3.4

Exemple

On choisit pour source une diode laser de longueur donde = 850 nm, de puissance maximale Pmax = 5 mW. La bre est ` gradient dindice, douverture numrique 0,2. Cela correspond ` une perte de a e a puissance ` linjection de 11 dBm. Sa longueur est 1,2 km. Son attnuation est ` dterminer. a e a e Le dtecteur est une PDA, de capacit C=100 pF. e e On cherche ` transmettre un signal vido ` 110 Mbits/s, avec un TEB=109 . En saidant a e a de la gure 2, on peut en dduire le seuil de dtection. En prenant une marge de 5 dBm, e e quelle doit tre lattnuation maximale de la bre optique en dB/km ? e e Avec la gure 2, on trouve un seuil de dtection P0m = 50, 5 dBm. e Puissance de la source Ps = 0, 5 5 mW=2,5 mW= 4 dBm. Il ny a pas de connecteurs et les pertes ` linjection sont 11 dBm. Avec une marge de 5 a dBm, on trouve 50, 5 4 5 11 A A 38, 5 dB Pour une bre de 1,2 km, il faut une attnuation infrieure ` 38,5/1,2=32 dB/km. e e a Remarques : Si on prend une bre ayant une attnuation de 9 dB/km, on peut augmenter la distance e jusqu` 4 km. a Si on avait une photodiode PIN, le seuil de dtection serait mont ` -28 dBm. Il faudrait e ea alors utiliser une bre ayant une attnuation linique infrieure ` 13 dB/km. e e e a
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Figure 2: Seuil de dtection en fonction du dbit et du dtecteur. e e e

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