Anne 2013/2014

PROJET PROFESSIONNEL PERSONNEL

ELEVE:
ZHAN Danny DIALLO Ynouss

GROUPE:
A1 a

COMPTE-RENDU TP 8 TRANSISTOR NPN EN COLLECTEUR COMMUN

IUT BORDEAUX 1 Dpartement GEii 1re anne

SOMMAIRE
Introduction ...................................................................................... page 3

I. ETUDE DU FONCTIONNEMENT STATIQUE ............................................... page 4 II. ETUDE DU FONCTIONNEMENT AUX PETITES VARIATIONS .............. page 6 1) Gain en tension, linarit et distorsion .................................................................. page 6 2) Mesure de la rsistance de sortie RS en fonction de Rg ........................................ page 6 3) Mesure de la rsistance dentre Re vue par le gnrateur dexcitation ............... page 7

Conclusion ........................................................................................ page 8 Annexe.....page 9 -11

ZHAN Danny et DIALLO Ynouss Groupe A1 a 2

IUT BORDEAUX 1 Dpartement GEii 1re anne

Introduction
Objectif du TP : Ce montage appel aussi metteur suiveur constitue un amplificateur de puissance ayant un gain en tension infrieur lunit. Il est caractris par une rsistance dentre leve et une rsistance de sortie faible. Le schma du montage amplificateur transistor NPN mont en collecteur commun est donn en figure 1.

Le collecteur du transistor est reli la tension dalimentation VCC. La polarisation du transistor est assure par la rsistance R variable pour ajuster le point de fonctionnement. La tension sinusodale dexitation Ve est applique entre vase et masse par lintermdiaire du pratiquement nulle dans le domaine des frquences de travail. La tension entre base et masse est compose dune tension continue VBM laquelle sajoute la tension sinusodale Ve. La tension entre metteur et masse est constitue par la tension continue VEM laquelle sajoute la tension variable de sortie Vs. Cette tension de sortie est disponiblevia le condensateur de liaison CL2 dont limpdance est elle aussi ngligeable devant les autres lments. La maquette (prsente en TP 07) dont le schma est conforme au montage prcdent utilise un transistor NPN de type 2N2219A dont les caractristiques moyennes 25C sont donnes en annexe. Alimenter le montage sous une tension continue VCC = + 15V en prenant garde aux polarits. Ne pas oublier de relier le collecteur de T1 la tension dalimentation VCC.

I. ETUDE DU FONCTIONNEMENT STATIQUE

Pour cette partie, nous avons ajust la rsistance variable R qui assure la polarisation en courant du transistor, de manire obtenir un courant de repose de collecteur IC repos de 3mA.

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1) Mesure des tensions VEM0, VBM0 et VCE0.

Schma de mesures VEM0 3,66V VBM0 4,26V VCE0 11,27V

2) La droite de charge statique dans le rseau des caractristiques de sortie du transistor et le point de repos.
Voir Annexe

II. ETUDE DU FONCTIONNEMENT AUX PETITES VARIATIONS

Pour cette partie, nous avons appliqu lentre du montage, une tension sinusodale Ve damplitude crte crte variable et de frquence 1kHz.

1) Gain en tension, linarit et distorsion.

Les mesures seront effectues dans les 2 cas suivant : Sortie ouverte (Ru infini) Sortie charge avec Ru = 10 Pour cet exercice, nous avons vari lamplitude de la tension Ve puis, dtermin Vemax qui provoque la distorsion de la tension de sortie Vs. Et nous avons aussi compar la phase de Vs par rapport Ve : Vemax = 3,80V et Vs = 3,90V La phase entre Vs et Ve est de 0 ce qui revient dire quelles sont en phase.

a) Tableau des tensions Ve et Vs :

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Ve Vs

1 1,02

2 2,04

3 3,06

3,8 3,9

5 5,1

La valeur du gain vide AV0 est : AV0 = Vs/Ve = 1,02 1

b) Tableau des rsultats Av thorique et pratique pour les deux valeurs de Ru :

Ru = 10 Ru = + Av Thorique 0.46 1 Av Pratique 0.53 1.02

c) Voir annexe

2) Mesure de la rsistance de sortie Rs en fonction de Rg.

Nous avons vari artificiellement la rsistance Rg du gnrateur dattaque en disposant une rsistance AOIP (x1000) entre la sortie du gnrateur et lentre du montage. valeur de la rsistance de sortie du montage dans le domaine de fonctionnement, sous forme dun tableau : Rs() 15 21 24 31 35 45 55 Rg(k) 1 2 3 4 5 8 10

a) Nous avons vari la rsistance Rg de 0 10k(x1000) pour quon puisse trouver la

b) Voir annexe c) Voir annexe

3) Mesure de la rsistance dentre Re vue par le gnrateur dexcitation.

Re Pratique Ru = 10 Ru = + 1,426 k 2,616 k Re Thorique 1,25 k 2,50 k

On remarque que les valeurs sont sensiblement les mmes. CONLUSION

Lors de ce TP, nous avons pu voir le transistor en mode collecteur commun, cette configuration nous a permis de voir que le transistor a une rsistance dentre trs grande compare la rsistance de sorti. Il nous a aussi permis de voir que les droites de charge statique et dynamique sont les mmes pour tous les transistors, cest--dire que la mthode de calcul ne change pas peu importe la configuration du transistor. De plus lon a aussi appris que la tension Vbe nest en fait, que la tension seuil dune diode et que le gain dun transistor not Beta est toujours grand, ce qui nous permet de faire des approximations thorique. ZHAN Danny et DIALLO Ynouss IUT BORDEAUX 1 Groupe A1 a Dpartement GEii 1re anne 2

ANNEXE Question I.2. et II.1.c. :

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Question II.1.a. :

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Question II.2.a. et II.2.b. :

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