Thèse Diode MOS PDF

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UNIVERSITE JOSEPH-FOURIER
-GRENOBLE I-

THESE
Pour obtenir
LE GRADE DE DOCTEUR

Ecole Doctorale Electronique, Electrotechnique, Automatique, Tlcommunications,
Signal

Spcialit : Micro et Nano Electronique

Par

Rabia BENABDERRAHMANE

Titre :

Etude des mcanismes de transport dans les diodes tunnels de type MIS
associant ferromagntiques et silicium

Directeur de thse : Ahmad BSIESY
Soutenue le 13 novembre 2009 devant le jury compos de
JURY

M. Rn Louis Inglebert, Professeur UJF, Prsident
M. Didier Goguenheim, Professeur ISEN Toulon, Rapporteur
M. Raouf Bennaceur, Professeur Facult des sciences Tunis, Rapporteur
M. Mehdi Kanoun, Dr. Ingnieur ALTIS Semiconductor, Examinateur
M. Ahmad Bsiesy, Professeur UJF, Examinateur

Thse prpare au laboratoire SPINTEC
(UMR 8191, CEA/CNRS/INPG/UJF)

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Remerciements

En premier lieu, je tiens remercier chaleureusement Alain Schuhl, directeur du SPINTEC,
pour mavoir donn la possibilit d'effectuer cette thse au sein de son quipe.
Merci M. Didier Goguenheim (ISEN de Toulon) et M. Raouf Bennaceur (Univ. Des
sciences Tunis) davoir accept dtre rapporteur de mon travail.
Merci M. Rn Louis Inglebert pour mavoir fait lhonneur de prsider le jury de ma
soutenance.
Un grand merci Ahmad Bsiesy, mon directeur de thse pour la confiance quil ma donne
depuis mon stage de fin dtude. Je le remercie pour sa mthode de diriger ces travaux de
thse, sa disponibilit, son srieux.
Je remercie galement Mehdi Kanoun de mavoir aid durant mon stage et ma premire anne
de thse. Jai bien profit de ses connaissances dans le domaine des semi-conducteurs.
Je noublie pas de remercier galement Claire Baraduc, Nicolas Bruyant, Herv Achard ..
Finalement un grand merci ma famille : mon mari, mes parents ..

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Sommaire

Introduction gnrale................................................................................................................ 14
Chapitre 1 : Llectronique du spin.......................................................................................... 17
I. Llectronique du spin : .................................................................................................... 18
1. Phnomne de magntorsistance : .............................................................................. 18
2. La jonction tunnel magntique : ................................................................................... 18
II. Quelques exemples dapplications de la spintronique dans lindustrie:.......................... 19
1. Les ttes de lecture : .................................................................................................... 19
2. Les mmoires MRAM (Mmoire magntique accs alatoire) : .............................. 20
2.1. Avantages des MRAMs: ....................................................................................... 20
2.2. Principe de fonctionnement dune MRAMs: ........................................................ 21
III. La spintronique dans les dispositifs semi-conducteurs : ............................................. 22
1. Linjection du spin dans les semi-conducteurs : .......................................................... 22
1.1. Les sources des lectrons polariss en spin :......................................................... 22
1.1.1. Les mtaux ferromagntiques : ...................................................................... 22
1.1.2. Les semi-conducteurs magntiques dilus : ................................................... 23
1.2. Les problmes lis linjection de spin dans les semi-conducteurs : ................... 24
2. Le transport du spin dans les semi-conducteurs :......................................................... 26
2.1. Les mcanismes de relaxation des spins : ............................................................. 26
2.2. La manipulation du spin dans les semi-conducteurs :........................................... 26
3. La collection du spin : .................................................................................................. 28
3.1. La dtection optique de la polarisation du spin :................................................... 28
3.2. La dtection lectrique de la polarisation du spin : ............................................... 28
3.2.1. Mesure par vanne de spin :............................................................................. 28
3.2.2. Mesures dites "non locales" : ......................................................................... 29
4. La spintronique dans le silicium : ................................................................................ 29
4.1. Motivations pour lutilisation du silicium :........................................................... 29
4.2. Exemples dtudes de linjection de spin dans le silicium :.................................. 30
4.2.1. Transistor diffusion de spin : ....................................................................... 30
4.2.2. Mise en vidence de magntorsistance dans les structures verticales.......... 32
4.2.3. Mise en vidence de l'injection de spin par des mesures non locales ............ 33
5. Conclusion:................................................................................................................... 35
IV. Dispositif de test utilis dans ltude de linjection du spin dans le silicium: .............. 35
1. Introduction : ................................................................................................................ 35
2. Le dispositif test : ......................................................................................................... 36
2.1. Description et principe de fonctionnement: ......................................................... 36
3. Les diffrents dispositifs tests : .................................................................................... 38
4. Choix des barrires tunnels utilises : .......................................................................... 41
4.1. Principales proprits lectriques de SiO
2
:........................................................... 41
4.2. Principales proprits dAl
2
O
3
: ............................................................................. 41
5. Etude des proprits magntiques des lectrodes : ..................................................... 42
6. Problmes lis la prsence d'une lectrode magntique: ........................................... 44
6.1. La diffusion des atomes magntiques : contamination du substrat:...................... 44
6.2. La diffusion des atomes magntiques : contamination de la barrire: .................. 45
Rfrence:............................................................................................................................. 47
Chapitre 2 : Etude des proprits lectriques de la structure mtal ferromagntique/ isolant/
silicium..................................................................................................................................... 50
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I. Introduction la thorie des condensateurs MOS : .......................................................... 51
1. Condensateur parfait: ................................................................................................... 51
2. Structure MOS relle:................................................................................................... 55
2.1. Les diffrentes charges dans loxyde : .................................................................. 55
2.1.1. La charge fixe :............................................................................................... 55
2.1.2. La charge pige : .......................................................................................... 56
2.1.3. La charge mobile ionique :............................................................................. 56
2.1.4. La charge pige des tats dinterface :.......................................................... 56
2.2. Caractristiques et classification des dfauts : ..................................................... 57
II. Proprits des tats dinterface : ...................................................................................... 58
1. Introduction : ................................................................................................................ 58
2. Les diffrents types dtats dinterface : ...................................................................... 59
3. Densit des tats dinterface :....................................................................................... 60
4. Distribution nergtique :............................................................................................. 60
5.1. Probabilit doccupation dun pige : ................................................................... 61
5.2. Charge et capacit des tats dinterface en rgime statique : ................................ 62
5.3. Charge et capacit des tats dinterface en rgime permanent : ........................... 64
6. Dtermination des tats dinterface :............................................................................ 65
6.1. A partir des caractristiques C(Vg): ...................................................................... 65
6.1.1. Leffet de Stretching sur la C(Vg) due aux tats dinterface: ................. 65
6.1.2. La contribution capacitive des tats dinterface : .......................................... 66
6.1.3. Mthode de la capacit haute frquence: ....................................................... 67
6.1.4. Mthode de la capacit basse frquence: ....................................................... 69
6.1.5. Mthode de la capacit basse frquence Haute frquence: ......................... 69
6.2. Mthode de la conductance: .................................................................................. 70
6.2.1. Introduction : .................................................................................................. 70
6.2.2. Technique de mesure G-:............................................................................. 71
6.2.3. Fluctuations du potentiel de surface :............................................................. 74
III. Caractrisation lectrique des structures MOS avec grille ferromagntique: ............... 75
1. Etude des tats dinterface dans une structure MOS grille ferromagntique : ......... 75
2. Etude des dfauts lectriques la surface du silicium dans une structure MOS grille
ferromagntique: .............................................................................................................. 78
3. Etude de leffet de la grille ferromagntique sur la dure de vie des porteurs dans le
silicium: ............................................................................................................................ 79
3.1. La technique C(t) :................................................................................................. 79
3.2. Rsultats et discussion :......................................................................................... 82
4. Conclusion:................................................................................................................... 85
IV. Caractrisation de linterface oxyde/silicium dans les structures oxyde ultra mince: 85
1. Rsultats obtenus sur les structures MOS avec oxyde de silicium: ............................ 86
1.1. Caractristiques C(Vg) en fonction de la frquence : Etude des tats dinterface 86
1.2. Effet de recuit : ...................................................................................................... 86
1. 3. Effet de la temprature de mesure sur la densit dtats dinterface :.................. 88
1.5. Conclusion :........................................................................................................... 90
2. Etude des structures MOS grille ferromagntique et avec oxyde daluminium:...... 90
2.1. Etude des tats dinterface : .................................................................................. 90
2.2. Effet de recuit sur les caractristiques C(Vg):....................................................... 91
2.3. Effet de lpaisseur d'oxyde sur la densit de dfauts d'interface : ....................... 94
2.5. Conclusion :........................................................................................................... 94
3. Etude de la section efficace de capture des tats d'interface par la mthode G- : .... 95
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3.1. Dtermination de la densit des tats d'interface et comparaison avec la mthode
C(V)
hf-lf
: ....................................................................................................................... 95
3.2. Dtermination de la section efficace de capture :.................................................. 96
V. Conclusion :..................................................................................................................... 97
Rfrence:............................................................................................................................. 99
Chapitre 3 : Etude des mcanismes du transport dans la structure Mtal ferromagntique/
isolant/silicium....................................................................................................................... 103
I. Les diffrents mcanismes de conduction travers les oxydes :.................................... 104
1. La conduction limite par les lectrodes : .................................................................. 104
1.1. Lmission thermoonique : ................................................................................ 104
1.2. Le mcanisme tunnel direct: ............................................................................. 104
1.3. Le mcanisme Fowler-Nordheim :...................................................................... 105
2. La conduction limite par le volume de lisolant :..................................................... 106
2.1. Le mcanisme Poole-Frenkel(PF) :..................................................................... 107
2.2. Le mcanisme de transport par Saut ou Hopping : ....................................... 107
2.3. Le mcanisme tunnel assist par les piges : ...................................................... 108
II. Etude des mcanismes de conduction dans un oxyde mince avec une grille
ferromagntique: ................................................................................................................ 109
1. Les caractristiques courant-tension : ........................................................................ 109
2. Dtermination du type de mcanisme du transport :.................................................. 110
2.1. Cas de la structure MIS grille daluminium: ................................................... 110
2.2. Cas de la structure MIS grille de NiFe : ........................................................... 111
3. Conclusion :................................................................................................................ 113
III. Etude des mcanismes de transport travers les oxydes ultra minces :...................... 113
1. Introduction : .............................................................................................................. 113
2. Limitations du modle classique de la structure MOS :............................................. 114
3. Equation de Schrdinger : .......................................................................................... 116
3.1. Rsolution de lquation de Schrdinger dans un potentiel indpendant du temps :
.................................................................................................................................... 116
3.2. Rsolution de lquation de Schrdinger pour des systmes nergie potentielle
constante :................................................................................................................... 117
3.3. Equation de Schrdinger une dimension :........................................................ 117
3.4. Conclusion :......................................................................................................... 118
4. Approximation WKB: ................................................................................................ 118
5. Approximation de la masse effective : ....................................................................... 120
6. Etude du confinement des porteurs linterface oxyde/silicium : ............................ 121
6.1. Equation de Poisson : .......................................................................................... 121
6.2. Rsolution de lquation couple Poisson-Schrdinger :.................................... 123
6.3. Les approximations pour la rsolution des quations couples Poisson-
Schrdinger : .............................................................................................................. 124
6.3.1. La mthode variationnelle :.......................................................................... 124
6.3.2. Approximation du potentiel triangulaire : .................................................... 125
7. Modlisation du courant tunnel direct:....................................................................... 126
7.1. Mthode de la transparence :............................................................................... 126
7.1.1. Transparence tunnel : ................................................................................... 126
7.1.1.1. La mthode des matrices de transfert :.................................................. 127
7.1.1.2. La mthode semi-classique WKB : ....................................................... 128
7.1.2.. Frquence dimpact : ................................................................................... 130
7.1.3. Expression du courant tunnel : ..................................................................... 133
7.1.3.1. Courant 2D : .......................................................................................... 133
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7.1.3.2. Courant 3D : .......................................................................................... 134
8. Mise en quation du modle Tunnel direct : .............................................................. 135
8.1. Simulation Poisson-Schrdinger des caractristiques capacit-tension, C(V) : . 135
8.2. Modle tunnel direct : ......................................................................................... 137
8.2.1. Injection depuis le substrat :......................................................................... 137
8.2.1.1. Lexpression de la charge disponible pour le transport tunnel:............. 138
8.2.1.2. Lexpression de la transparence de la barrire : .................................... 138
8.2.1.3. Expression de la frquence dimpact: ................................................... 140
8.2.2. Injection dlectrons depuis le mtal :.......................................................... 141
8.2.3. Rsultats exprimentaux : transport travers une barrire de SiO
2
:............ 143
8.2.3.1. Injection dlectrons depuis le substrat : ............................................... 143
8.2.3.2. Injection depuis le mtal : ..................................................................... 145
8.2.4. Rsultats exprimentaux : transport travers la structure double barrire
Al
2
O
3
/ SiO
2
:............................................................................................................ 147
8.2.4.1. Injection dlectrons depuis le substrat : ............................................... 147
9. Le mcanisme de conduction tunnel assist par piges (TAT): ................................. 149
9.1. Etat de lart : ........................................................................................................ 149
9.2. Mise en quation du modle : ............................................................................. 153
9.2.1. La transparence tunnel : ............................................................................... 153
9.2.2. Calcul du courant : ....................................................................................... 155
9.2.2.1. La transparence de la barrire : ............................................................. 155
9.2.2.2. 1
er
cas : piges de mme nature :........................................................... 157
9.2.2.3. 2
me
cas : piges de nature diffrente :................................................... 157
9.2.2.3.1. Profil spatial des piges :.................................................................... 157
9.2.2.3.2. Profil nergtique dans les piges : ................................................ 158
9.3. Expression thorique du courant tunnel assist par piges: ................................ 159
9.4. Comparaison modle TAT- rsultats exprimentaux de la structure
FM/SiO2/Silicium : .................................................................................................... 160
VI. Conclusion : ................................................................................................................. 161
Conclusion gnrale ............................................................................................................... 167
Publications ............................................................................................................................ 169

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Liste des figures

Figure 1 : (a) Empilement des couches magntiques (fer) et non magntiques (chrome)
(b) Le rapport de rsistance en fonction du champ magntique ..................................... 18
Figure 2 : (a) la structure de la jonction tunnel magntique et les rsistances quivalentes
(b) la TMR dune jonction tunnel en fonction du champ appliqu.................................. 19
Figure 3 : Progression de la densit de stockage sur disque dur ...................................... 20
Figure 4: Dispositif dune mmoire MRAM.................................................................... 21
(Assemble de plusieurs cellules mmoires) ................................................................... 21
Figure 5 : Structures de bandes dun ferromagntique fort et faible [Montaigne
thse_1999] ...................................................................................................................... 23
Figure 6 : Structure pour linjection de spin depuis un contact de fer dans le GaAs [Zhu
2001]................................................................................................................................. 23
Figure 7 : Schma de la structure des bandes utilis pour injecter des spins dans le GaAs
partir du BeMgZnSe [Fiederling 1999] ......................................................................... 24
Figure 8 : La polarisation en spin du courant en fonction de la position linterface
ferromagntique/semi-conducteur avec ou sans rsistance dinterface [Fert 2001] ........ 25
Figure 9 : Structure de bandes linterface Fe/AlGaAs dune jonction Schottky Fe/GaAs
[Hanbicki 2003]................................................................................................................ 25
Figure 10 : Schma du transistor propos par Datta et Das [Datta 1990] utilisant leffet
Rashba .............................................................................................................................. 27
Figure 11 : Schma expliquant le principe de la manipulation du spin dans le semi-
conducteur par OHE [Motsnyi 2002]............................................................................... 28
Figure 12 : Schma des bandes dune structure ferromagntique/semi-
conducteur/ferromagntique dans une configuration vanne de spin................................ 29
Figure 13 : Exemple de structures illustrant le principe de la mesure non locale............ 29
Figure 14 : (a) Schma simplifi de transistor (b) Schma du transistor fabriqu........... 30
Figure 15 : le courant du collecteur en fonction du champ magntique pour un transistor
de type-p........................................................................................................................... 31
Figure 16 : Caractristique I-V pour un transistor type-p compare un modle de
transport par saut (hopping) et Fowler Nordheim............................................................ 31
Figure 17 : le courant dinjecteur en fonction du champ magntique pour un transistor
type-p (a) dans la gamme de linjection "Hopping" (b) dans la gamme de linjection
Fowler-Nordheim............................................................................................................. 32
Figure 18 : (a) Le dispositif utilis pour linjection et la collection du spin (b) la variation
du courant collect en fonction du champ magntique appliqu dans le plan ................. 33
Figure 19 : Schma du dispositif utilis pour mettre en vidence linjection du spin dans
le silicium par des mesures non locales [Vant Erve 2007] ............................................. 34
Figure 20: (a) Evolution du potentiel de l'lectrode 2 en fonction du champ magntique
10K (b) Effet Hanle 5K: Evolution du potentiel de l'lectrode 2 en fonction du champ
appliqu ............................................................................................................................ 35
Figure 21 :(a)Schma de principe du dispositif test (b) diagramme des bandes de la
diode FMIS injectrice (c) diagramme des bandes de la diode FMIS collectrice ............. 36
Figure 22 : Schma complet du dispositif test ................................................................. 37
Figure 23 : (a) Schma technologique du dispositif test (b) Image du dispositif avec les
lignes mtalliques pour les contacts ................................................................................. 37
Figure 24 : Dispositif test de la diode FMIS en "fond de tranche" ................................ 39
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Figure 25 : (a) Layout des capacits (b) Layout des diodes............................................. 40
Figure 26: (a) Structure des diodes pleine planque (b) Banc de caractrisation lectrique
.......................................................................................................................................... 40
Figure 27 : Diagramme des bandes du systme Si-SiO
2
[Williams 1965]....................... 41
Figure 28 : Diagramme des bandes du systme Al
2
O
3
/Si ................................................ 42
Figure 29 : Simulation de champ coercitif en fonction de la largeur dune lectrode
magntique dune longueur de 1.5m [Bruyant thse_2008] .......................................... 43
Figure 30 : Simulation des champs coercitifs de deux plots en fonction de la distance qui
les spare [Bruyant thse_2008]....................................................................................... 44
Figure 31 : Effet des dfauts sur les mcanismes du transport linjection .................... 45
Figure 32 : Effet des tats dinterface sur la polarisation du spin la collection............. 46
silicium..................................................................................................................................... 50
Figure 1: (a) Circuit quivalent de la capacit MOS (b) Diagramme de bandes dune
structure MOS parfaite (avant contact) ............................................................................ 51
Figure 2: Diagramme de bandes dune structure MOS parfaite en condition dapplication
dune polarisation positive ............................................................................................... 52
Figure 3: Les rgimes de fonctionnement d'une capacit MOS (a) Accumulation.......... 54
(b) Bandes plates (c) Dpltion (d) Inversion .................................................................. 54
Figure 4: Caractristique C(Vg) de la capacit MOS (a) basse frquence (b) haute
frquence(c) en condition de dpltion profonde............................................................. 54
Figure 5 : Les diffrents types des charges dans loxyde................................................. 55
Figure 6: Les tats d'interface donneurs(a) et accepteurs(b) ............................................ 56
Figure 7: Caractristique C(V) haute frquence............................................................... 57
(a) sans tats d'interface.................................................................................................... 57
(b) avec tats d'interface................................................................................................... 57
Figure 8 : le diagramme de bande pour une capacit type p (a) sans application dune
polarisation, (b) polarisation ngative, (c) polarisation positive. La partie hachure
dsigne les tats dinterface remplies. .............................................................................. 59
Figure 10 : Spectre de la densit des tats dinterface en fonction de lnergie dans la
bande interdite de silicium (a )(111)Si/SiO
2
(b)(100)Si/SiO
2
[Schroder2005]................. 61
Figure 11: Spectre de la densit des tats dinterface en fonction de lnergie dans la
bande interdite de silicium en interface avec le SiO
2
mesure par mthode capacitive
quasi statique. [Autran1993] ............................................................................................ 61
Figure12 : La distribution des tats dinterface mesure par DLTS en courant sur un
oxyde SiO
2
non recuit [Johnson1983].............................................................................. 61
Figure 13 : Diagramme de bandes linterface oxyde/Si ................................................ 62
Figure 14 : Schma quivalent de la capacit MOS relle............................................... 65
Figure 15 : La caractristique C
hf
(
s
) thorique (a) en comparaison avec C
hf
(Vg) pour
une structure MOS avec Dit=10
12
cm
-2
eV
-1
(b) [Nicollian1982].................................... 68
Figure 16 : la courbe ) (Vg
s
en prsence et en absence dtats dinterface
[Nicollian1982] ................................................................................................................ 68
Figure 17 : Schma quivalent dune structure MOS prenant en compte........................ 71
(1) la capacit et la conductance mesures (2) la rsistance srie (3) la conductance
tunnel (4) la conductance et la capacit des tats dinterface [Vogel 2000] .................. 71
Figure 18 : (a) Git/ en fonction de la frquence pour diffrentes tensions Vg appliques
[Hung 1987] (b) Dtermination de la section efficace d'un pige.................................... 74
Figure 19-a: Caractristiques C(Vg) haute frquence et basse frquence ....................... 76
pour une structure grille de NiFe. Epaisseur doxyde de silicium de 7nm. Substrat de
silicium : type p, dopage Na=1.28 10
16
cm
-3
. Surface=1. 10
-8
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Figure 19-b: Caractristiques C(Vg) haute frquence et basse frquence ....................... 76
pour une structure grille dAl. Epaisseur doxyde de silicium de 7nm. Substrat de
silicium : type p, dopage Na= 6.28 10
15
cm
-3
. Surface=1.10
-8
m
2
.................................... 76
Figure 20: Densit dtats dinterface (Dit) en fonction de lnergie dans le gap du
silicium pour les deux structures MOS grilles ferromagntique (NiFe) ou aluminium77
Figure 21: Profils de dopage dans le silicium pour deux structures MOS avec grille
ferromagntique ou grille aluminium(a). Zoom sur le profil prs de la surface du
silicium(b). Lorigine des abscisses correspond linterface Si /SiO
2
............................ 79
Figure 22: Caractristique C(Vg) reprsentant leffet dpltion profonde ou rgime
dinversion hors quilibre................................................................................................. 80
Figure 23 : (a) Relaxation de la zone de dpltion due la gnration de pairs lectron-
trou (b) Les diffrents mcanismes de gnration des porteurs [Tan2000] ..................... 81
Figure 24 : (a)Principe de la mthode de Zerbst (b) Exemple de trac de Zerbst pour un
ensemble dchantillons prsentant diffrentes dures de vie [Tan2000]........................ 82
Figure 25: Caractristique C(Vg) (a) de la structure grille Al avec une surface S=1.104

6
e
2
m (b) de la structure grille NiFe avec une surface S= 0.39
-6
10
2
m ..................... 83
Figure 26: (a) Caractristique C(t) pour les deux structures grille Al et NiFe (b) Trac
de Zerbst pour les deux structures grille Al et NiFe...................................................... 84
Figure 27 : Caractristiques C(Vg) mesures sur une structure NiFe/SiO
2
(2.5nm)/n-Si
diffrentes frquences. Surface=2400m
2
....................................................................... 86
Figure 28 : Caractristiques C(Vg) de deux structures NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si recuite et
non recuite mesures deux frquences (1Mhz et 1kHz)............................................... 87
Figure 29 : Spectre Dit(E) pour les deux structures NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si recuite et non
recuite mesurs par C(V)
hf-lf
............................................................................................. 88
Figure 30: Caractristiques C(Vg) des structures NiFe/SiO2 (4 nm))/p-Si avec recuit la
frquence 800 kHz et diffrentes tempratures ............................................................. 89
Figure 31 : Evolution de la densit des tats dinterface Dit en fonction de la temprature
pour une structure NiFe/SiO2 (4 nm))/p-Si avec recuit forming gas .............................. 89
Figure 32 : Caractristiques C(Vg) mesures avec une structure NiFe/Al
2
O
3

(3.1nm)/SiO
2
(0.7nm)/n-Si non recuite et diffrentes frquences .................................. 90
Figure 33 : Caractristiques C(Vg) des structures NiFe/ Al
2
O
3
(4nm)/n-Si diffrents
recuits mesures haute frquence 1Mhz....................................................................... 91
Figure 34 : Spectre Dit(E) pour les structures NiFe/ Al
2
O
3
(4nm)/ n-Si mesur par la
mthode C(V)
hf-lf
.............................................................................................................. 92
Figure 35: Caractristiques C(Vg) de deux structures NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/p-Si recuite sous
densification et non recuite deux frquences 1Mhz et 1kHz........................................ 93
Figure 36 : Spectres Dit(E) de deux structures NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/p-Si recuite sous
densification et non recuite mesurs par la mthode C(V)
hf-lf
....................................... 93
Figure 37 : spectres Dit(E) pour les structures NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si non recuites avec
paisseurs 3nm et 4 nm mesurs par la mthode C(V)
hf-lf
............................................... 94
Figure 38: G()/ en fonction de la pulsation pour diffrentes tensions appliques sur la
grille. Structure MOS avec grille NiFe et oxyde de silicium (4 nm) ............................... 95
Figure 39 : la densit des tats dinterface dtermine par les deux mthodes G- et
C(V)
hf-lf
pour la structure de la figure 38.......................................................................... 96
Figure 40-a: Dtermination de la section efficace pour la structure
NiFe/Al
2
O
3
(1.26nm)/SiO
2
(0.7nm)/p-Si ........................................................................... 97
Figure 40-b: Dtermination de la section efficace d'un pige pour la structure
NiFe/SiO
2
(3.5nm)/p-Si..................................................................................................... 97
Chapitre 3 : Etude des mcanismes du transport dans la structure Mtal ferromagntique/
isolant/silicium....................................................................................................................... 103
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Figure 1 : Injection dun lectron partir dune lectrode mtallique vers la bande de
conduction de lisolant par mission thermoonique..................................................... 104
Figure 2: Injection dun lectron partir dune lectrode mtallique par effet tunnel
direct travers une barrire isolante .............................................................................. 105
Figure 3: Injection dun lectron partir dune lectrode mtallique par le mcanisme de
conduction Fowler-Nordheim........................................................................................ 106
Figure 4 : (a) Injection par mcanisme de conduction Poole-Frenkel (b) le paramtre
Poole-Frenkel
PF
en fonction de la distance moyenne entre les piges ....................... 107
Figure 5: Injection par mcanisme de conduction de type Hopping ........................ 108
Figure 6 : Conduction dans une couche disolant par mcanisme tunnel assist par un
pige (TAT).................................................................................................................... 108
Figure 7: Mcanisme de Transport via les tats dinterfaces ......................................... 109
Figure 8 : Caractristiques J-Vg pour les structures grille Al (Substrat de silicium : type
p, Na= 6.28 10
15
cm
-3
) ou NiFe (Substrat de silicium : type p, Na=1.28 10
16
cm
-3
)..... 110
Figure 9 : Analyse de la caractristique courant-tension pour une structure MIS grille
daluminium (a)Trac Fowler-Nordheim ln (J/F
ox
2
) en fonction de 1/ F
ox
(b)
Modlisation des rsultats exprimentaux en utilisant un modle de Fowler-Nordheim
........................................................................................................................................ 111
Figure 10: Le trac Fowler-Nordheim ln (J/F
ox
2
ox
pour la structure
MIS grille NiFe............................................................................................................ 111
Figure 11 : (a) les caractristiques I-V en fonction de la temprature pour la structure
NiFe/SiO
2
(7nm)/p-Si (b) Trac Poole-Frenkel pour la caractristique T ambiante (300
K).................................................................................................................................... 112
Figure 12: Comparaison entre rsultat exprimental et modle Poole-Frenkel pour une
structure MIS grille de NiFe........................................................................................ 113
Figure 13 : Diagramme de bandes d'nergie faisant apparatre le puits de potentiel
linterface oxyde/substrat dans le rgime dinversion (a) ou daccumulation (b)......... 114
Figure 14 : quantification de lnergie linterface semi-conducteur/ oxyde dans une
structure MOS ................................................................................................................ 115
Figure 15 : Distribution de la densit de porteurs dans le puits de potentiel. Comparaison
entre approches classiques et quantiques [Clerc thse 2001]......................................... 115
Figure 16 : Classification des lectrons et des trous ...................................................... 121
Figure 17 : (a) Schma dune barrire tunnel dnergie potentielle constante par morceau
[Ando 1987] (b) Schma illustrant les rflexions des ondes sur une discontinuit de
potentiel .......................................................................................................................... 127
Figure 18 : Injection dun lectron travers une barrire trapzodale et triangulaire dans
une structure MOS ......................................................................................................... 129
Figure 19 : Comparaison entre la caractristique densit du courant de grille en fonction
du champ lectrique mesure (points pleins) pour une structure p+ poly silicium/SiO2/n-
Si et le modle tunnel direct avec la correction (ligne continue), et sans correction
Register (pointill) [Register 1999]................................................................................ 130
Figure 20 : Diagramme des bandes illustrant les interfrences des ondes linterface
oxyde/Si [Garros thse 2004]......................................................................................... 132
Figure 21 : (a) Injection depuis un continuum dnergie (b) Injection depuis un puits de
potentiel .......................................................................................................................... 133
Figure22 : (a) Diagramme de bandes dune structure MOS utilis dans le simulateur
C(V) (b) : Schma de principe utilis par le simulateur C(V)....................................... 136
Figure 23 : simulation quantique des courbes CV NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si mesures 800
kHz et 1kHz.................................................................................................................... 137
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Figure 24 : Diagramme des bandes (a) dune structure MIS une seule barrire (b) dune
structure MIS double barrire dans le cas de transport dlectrons du substrat vers le
mtal ............................................................................................................................... 139
Figure 25 : Diagramme des bandes dune structure bicouche NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si
illustrant les diffrents mcanismes de conduction........................................................ 140
structure MIS double barrire pour linjection dlectrons du mtal vers le semi-
conducteur ...................................................................................................................... 143
Figure 27 : Les caractristiques I(V) en fonction de la temprature (80K-300K) pour la
structure NiFe/SiO
2
(4nm)/n-Si...................................................................................... 144
Figure 28 : Courbes C(V) 1MHz et 1kHz compares avec la thorie pour la structure
NiFe/SiO
2
(4nm)/n-Si..................................................................................................... 144
Figure 29 : Champ lectrique dans loxyde SiO
2
en fonction de la polarisation de la grille
........................................................................................................................................ 144
Figure 30 : les concentrations des lectrons longitudinaux sur les trois premiers niveaux
dnergie dans le puits quantique. Nl0 :fondamental, Nl1et Nl2 : les deux niveaux
excits............................................................................................................................. 144
Figure 31 : Caractristique courant-tension pour une structure NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si et
comparaison avec le modle tunnel direct. Les paramtres utiliss dans le modle sont :
2
SiO
m =0.5me,
2
SiO
=3.15eV........................................................................................... 145
Figure 32 : Les caractristiques courant-tension en fonction de la temprature (100K-
300K) pour la structure NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si .............................................................. 146
Figure 33 : Caractristiques C(V) 1MHz et 1kHz et comparaison avec une C(V)
thorique pour la structure NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si ......................................................... 146
Figure 34 : Caractristique courant-tension de la structure NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si ,
comparaison avec le modle tunnel direct. Paramtres du modle :
2
SiO
m =0.5me,
2
SiO
=3.15eV.................................................................................................................. 146
Figure 35 : Caractristiques C(V) 1MHz et 1kHz pour une structure
NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si compares avec une C(V) thoriques......................................... 147
Figure 36 : le champ lectrique en fonction de la polarisation de la grille travers les
deux barrires : SiO
2
et Al
2
O
3
........................................................................................ 147
Figure 37-a : Les caractristiques I(V) en fonction de la temprature (80K-300K) pour la
structure NiFe/ Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si .................................................................................... 148
Figure 37-b : Trac Fowler-Nordheim pour la structure NiFe/ Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si ......... 148
Figure 38 : Caractristique courant-tension de la structure NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si
T=80K. Comparaison avec le modle tunnel direct. Les paramtres du modle sont :
3 2
O Al
m =0.23me,
3 2
O Al
=2.4eV.......................................................................................... 148
Figure 39 : (a) Diagramme de bandes dune structure MNOS avec des lectrons pigs
en condition de bandes plates [Lundstrom1972](b) Diagramme de bandes dune structure
MNOS pour linjection des lectrons pigs ( les lectrons quittent les piges par effet
tunnel)[Svensson1973]................................................................................................... 149
Figure 40 :(a) Diagramme des bandes dune structure Al/SiOxNy/Si (R0 est la
probabilit Fowler-Nordheim, R1 et R2 les probabilits TAT) (b) Trac densit du
courant en fonction du champ lectrique B1 :
t
=2.55eV,Nt=2.2510
19
cm
-
3
,B2 :
t
=2.53eV ,Nt=6.10
19
cm
-3
,B3 :
t
=2.5eV,Nt=1.10
20
cm
-3
................................... 150
Figure 41 : Trac de Pourcentage de diffrence entre le modle simplifi de Fleischer et
al et modle non simplifi de Cheng et al (a) en fonction de lnergie du pige (b) en
fonction de champ lectrique [Fleischer1992] ............................................................... 151
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Figure 42 : Schma de diagramme de bande pour une structure Al/SiO2/Si (a)
B t
> (b)
B t
< ........................................................................................................... 152
Figure 43 : Schma de diagramme de bandes propos pour le modle TAT (a) rgime de
bandes plates (b) TAT lastique (la perte en nergie E
loss
est nulle) (c) TAT inlastique
(la perte en nergie E
loss
est suppos constante)............................................................. 152
Figure 44 : (a) Schma illustrant le passage des lectrons par les mcanismes TD ou
TAT (b) Schma illustrant le mcanisme de transport travers une structure MIS en
prsence dun pige........................................................................................................ 154
Figure45 : Schma illustrant les diffrents mcanismes dinjection travers la barrire en
prsence dun dfaut....................................................................................................... 156
Figure 46 : Un exemple dune distribution gaussienne prsentant le profil spatial des
piges dans loxyde. Les paramtres de cette gaussienne sont :
nm T x
ox
178 . 2 . 6 . 0
0
= = , nm x 1 . 0
0
= ,
1 16
max
10 . 5

= m N
t
............................................... 158
Figure 47: Caractristiques thoriques de la densit du courant TAT en fonction de la
polarisation Vg. Etude de leffet de la distribution spatiale des piges
0
x sur le courant.
........................................................................................................................................ 159
Figure 48 : Caractristiques thoriques de la densit du courant TAT en fonction de la
polarisation Vg. Etude de leffet de Xt sur le courant pour Xt>0.5Tox......................... 160
polarisation Vg. Etude de leffet de N
tmax
. ..................................................................... 160
2
(4nm)/p-Si.
Comparaison avec caractristique thorique tire du modle TAT et calcule avec les
paramtres : x
t
=0.46T
ox
,E
c
(oxide)-E
t
=3eV.................................................................. 161

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Liste des tableaux

Tableau 1 : Comparaison des performances des diverses mmoires RAM..................... 21
Tableau 2: Description des diffrentes plaquettes testes base doxyde de silicium... 38
Tableau 3: Description des diffrentes plaquettes testes base dalumine................... 39
Tableau 4 : Proprits des matriaux SiO
2
, Al
2
O
3
, HfO
2
[Manchanda 2000] [Chang
thse_2003] ...................................................................................................................... 42
silicium..................................................................................................................................... 50
Tableau 1 : Valeurs caractristiques extraites pour les deux structures grille
ferromagntique et grille daluminium.......................................................................... 83
Tableau 2 : Valeurs de la dure de vie des porteurs et de la vitesse de gnration extraites
pour les deux structures grille ferromagntique et grille daluminium...................... 85
Tableau 3 : Rsultats des mesures de la densit des tats dinterface pour les structures
MOS oxyde de silicium recuites et non recuites ........................................................... 88
Tableau 4: Synthse des rsultats lectriques relatifs la structure MOS grille
ferromagntique avec oxyde d'aluminium....................................................................... 92

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Introduction gnrale

Le dveloppement et le progrs de la microlectronique ont permis de faciliter la vie
quotidienne en crant des nouvelles technologies dans tous les domaines. Ce dveloppement est
accompagn dune miniaturisation de diffrents composants. Cette rduction des dimensions
caractristiques entraine une dgradation des composants (augmentation du courant de fuite
etc.) et la perte de certaines fonctionnalits des applications. Parmi les solutions proposes, on
note le remplacement de loxyde du silicium par les oxydes High-K mais aussi lutilisation des
composants hybrides afin dassurer dautres nouvelles fonctionnalits.
En effet, la dcouverte des caractristiques intressantes de certains matriaux
magntiques a orient la recherche vers un nouveau concept : la spintronique. La spintronique ou
llectronique de spin se base sur lexploitation de deux attributs de llectron, sa charge et son
spin jusque l nglig par llectronique conventionnelle. Ce domaine a permis de dvelopper
plusieurs applications allant des disques durs des ordinateurs aux mmoires magntiques accs
alatoire (MRAM) en passant par des composants plus futuristes actuellement dvelopps en
laboratoire comme le transistor de spin, la spin-LED ou la logique magntique reprogrammable.
La spintronique pourrait bien entrainer la prochaine rvolution de la microlectronique.
Lmergence de la spintronique nest pas limite aux seules proprits intressantes des
matriaux magntiques mais a progress vers les systmes hybrides magntiques/semi-
conducteurs [Wolf 2001]. Lide est de pouvoir mettre au point un composant spintronique o
lon peut moduler la charge, la manire de llectronique conventionnelle, mais galement le
spin. Seul un composant base de semi-conducteur permettra cette modulation. Or, il nexiste
pas lheure actuelle de semi-conducteur ferromagntique temprature ambiante. Do lide
dutiliser un mtal ferromagntique pour injecter des spins dans un semi-conducteur non
magntique.
Les efforts se sont orients vers les semi-conducteurs gap direct comme les semi-
conducteurs III-V tel que le GaAs vu la facilit de manipuler optiquement les spins [Motsnyi
2002]. Plusieurs tudes ont montr quune injection efficace des spins depuis un matriau
magntique vers un semi-conducteur doit tre ralise travers une barrire tunnel [Motsnyi
2002] insre entre les deux couches de matriaux. On sest vite rendu compte des dfis
scientifiques que cette injection de spin reprsente dans ces composants hybrides. De nombreuses
tudes fondamentales ont t conduites dans lobjectif de comprendre les mcanismes qui
rgissent cette injection. Par ailleurs, tant donne limportance du silicium dans lindustrie
lectronique, plusieurs quipes sintressent actuellement la spintronique sur silicium dont notre
laboratoire.
Mais vu le gap indirect du silicium, il est difficile dinjecter et analyser optiquement les
spins. Donc il est ncessaire de pouvoir injecter et collecter lectriquement les porteurs polariss
en spin dans le silicium. Afin dinjecter efficacement les spins et les conserver durant le transport
depuis le mtal ferromagntique vers le silicium, dans le silicium et vers le collecteur, une tude
approfondie des proprits de transport travers la barrire tunnel et des proprits lectriques de
la diode ferromagntique/isolant/silicium (FMIS) est ncessaire. Cest le but principal de ce
travail de thse.
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Le chapitre I dcrit lvolution de llectronique du spin qui reprsente le contexte gnral
de ce travail de thse. Dans ce chapitre, on dcrit les diffrents aspects de la spintronique dans les
semi-conducteurs et plus particulirement dans le silicium. On y traite les mcanismes
dinjection, de conservation de spin dans le silicium et la collection de spins. Le dispositif de test
utilis dans notre tude pour analyser les mcanismes de transport a t aussi dcrit.

Le chapitre II dcrit les caractristiques lectriques des briques de base du dispositif test
propos destines tre utilises pour linjection de spins dans le silicium. Ces briques de base
sont des diodes mtal ferromagntique/isolant/silicium. Une tude approfondie de la
caractrisation de ces structures sera prsente, en particulier ltude de linterface oxyde/silicium
qui a un rle fondamental dans la conservation de spin. Une tude de leffet de la grille
ferromagntique sur les proprits lectriques de ces structures sera dcrite. Des rsultats sur des
structures oxyde de silicium ou oxyde dalumine ultra mince avec diffrents recuits et
diffrentes paisseurs vont tre prsents.

Le chapitre III dcrit une tude dtaille des mcanismes de transport travers lisolant
dans les structures mtal ferromagntique/isolant/silicium. Cette tude est primordiale pour la
comprhension de linjection de spin dans le silicium. Par exemple, des piges dans loxyde
peuvent conduire la perte de la polarisation des spins. Les rsultats exprimentaux seront
modliss en tenant compte de leffet de ces piges sur le processus de transport.

Le travail de thse a t ralis dans le cadre dun projet europen (Embedded Magnetic
Components) au laboratoire de SPINtronique et TEChnologie des Composants Grenoble.

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Rfrence :

[Motsnyi 2002]: V. F. Motsnyi, J. De Boeck, J. Das, W. Van Roy, G. Borghs, E. Goovaerts, V. I.
Safarov, Electrical spin injection in a ferromagnet/semiconductor heterostructure, Appl.
Phys. Lett, Vol. (81), 2002, pp. 265-267

[Wolf 2001]: S.A. Wolf, D.D. Awschalom, R.A. Buhrman, J.M. Daughton, S. von-Molnar, M.L.
Roukes, A.Y. Chtchelkanova, D.M. Treger, Spintronics: A spin-Based Electronics Vision for
the future, Science, Vol. (294), 2001, pp.1488-1495

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Chapitre 1 : Llectronique du spin

Depuis 1957, le march des semi-conducteurs na cess dvoluer. La diminution de la taille des
transistors a permis de mettre un plus grand nombre de transistors sur une mme surface tout en
amliorant leurs performances. Mais cette miniaturisation a entrain les technologies CMOS vers
leurs limites.
Dans ce cadre, paralllement aux progrs de la technologie CMOS, dautres technologies,
dautres voies de recherche et dautres matriaux se sont dvelopps.
Parmi ces voies, on trouve llectronique de spin.
En effet, Les connaissances des proprits de llectron a permis de penser un autre degr de
libert qui va permettre de dpasser les limites technologiques et de concevoir dautres
applications. Ce degr de libert est le spin de llectron. Le spin est une proprit d'une
particule qui pourrait tre dcrite comme la rotation de cette particule sur elle-mme. Cest
lquivalent quantique du moment cintique en physique classique. Le moment cintique
quantique est le responsable du moment magntique que porte une particule possdant un spin.
Une particule possdant un spin peut tre vue comme un minuscule aimant.
Lexploitation de cette proprit supplmentaire de llectron entre dans le cadre de
llectronique de spin ou la spintronique, discipline en plein dveloppement depuis les annes 80.
Ce domaine de recherche se base essentiellement sur les proprits des matriaux magntiques.
Lassociation, au sein dune structure unique, des matriaux magntiques dune part et des
matriaux semi-conducteurs, isolants ou supra conducteurs dautre part a permis la dcouverte de
plusieurs phnomnes et lmergence de nouvelles applications.

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I. Llectronique du spin :

1. Phnomne de magntorsistance :

La premire manifestation dun effet caractristique de spintronique a t la Magntorsistance
gante (Giant Magneto-Resistance, ou GMR), dcouverte en 1988 Orsay par lquipe dAlbert
Fert. Dans des structures artificielles alternant un mtal magntique et un mtal non magntique,
un changement de rsistance important est observ lorsque, sous leffet dun champ magntique
extrieur, les aimantations macroscopiques des couches magntiques successives basculent dun
tat antiparallle un tat parallle align. Les amplitudes observes sont dun, ou de deux ordres
de grandeurs suprieures aux valeurs usuelles observes dans des mtaux simples.
La magntorsistance est la variation de rsistance lectrique sous leffet dun champ magntique
appliqu.
On distingue deux types de magntorsistances :

- Magntorsistance Anisotrope : MRA
La rsistivit dpend de lorientation du champ extrieur appliqu qui dfinit la direction de
laimantation par rapport la direction de courant lectrique qui traverse lchantillon.

- Magntorsistance Gante : MRG
Dans certaines structures magntiques, on peut obtenir une diminution (Gante) de la rsistance
sous champ appliqu. Cette proprit est mise en vidence dans les structures multicouches
ferromagntique/mtallique non magntique /ferromagntique.
La figure 1-a prsente un empilement des couches magntiques (le fer) et non magntiques (le
chrome). Lapplication dun champ magntique permet daligner les aimantations des couches
magntiques. La mesure du rapport de rsistance (le rapport de la rsistance mesure sous
champ/la rsistance mesure sous champ nul) de cette structure met en vidence la
magntorsistance (figure 1-b).

Figure 1 : (a) Empilement des couches magntiques (fer) et non magntiques (chrome) (b) Le
rapport de rsistance en fonction du champ magntique

2. La jonction tunnel magntique :

Parmi les phnomnes trs intressants dans la spintronique est la magntorsistance tunnel. Elle
est mesure dans des structure de type ferromagntique/isolant /ferromagntique o le courant
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sera fonction de deux orientations de deux aimantations dune couche fixe et une couche libre.
Ces jonctions se basent sur le transport tunnel dpendant du spin do son nom.
Les deux couches ferromagntiques prsentent deux champs coercitifs diffrents pour pouvoir
changer leurs aimantations sparment par diffrents champs. Les lectrons polariss franchissent
la barrire depuis la premire couche jusqu la deuxime et selon lorientation des aimantations
un type des lectrons polariss sera prfrentiellement injects. En effet, le courant est trait
comme deux canaux indpendants, de spin up et spin down (figure 2-a). Si les deux couches ont
la mme aimantation alors le courant dlectrons est fort, dans le cas contraire il est faible. Cela
conduit au changement de la rsistance de la jonction en fonction de la configuration
magntique : cest la magntorsistance tunnel. La figure 2-b prsente un exemple.

Figure 2 : (a) la structure de la jonction tunnel magntique et les rsistances quivalentes (b)
la TMR dune jonction tunnel en fonction du champ appliqu

Ce phnomne de magntorsistance tunnel est la base des mmoires magntiques MRAM
(partie III.2.).

II. Quelques exemples dapplications de la spintronique dans lindustrie:

1. Les ttes de lecture :

Les ttes de lecture sur les disques durs sont parmi les premires applications de la spintronique.
Leur principe se base sur la magntorsistance et sont en ralit des dtecteurs ultra-sensibles de
champ magntique. Linformation dtecter est quant elle stocke sur les disques durs sous
forme des domaines magntiques dans une couche mince magntique. Quand laimantation
change au passage dun domaine un autre, une fuite de champ magntique proximit de la
surface aura lieu agissant sur la tte de lecture qui voit sa magntorsistance modifie. Cela
permet de lire linformation.
Les avantages de ces dispositifs sont :
- La rduction de la taille des ttes de lecture
- La grande densit dinformations sur les disques
-
Lintroduction des ttes magntorsistives a permis davoir une progression de capacits de
stockage denviron 60% (figure 3).

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Figure 3 : Progression de la densit de stockage sur disque dur

2. Les mmoires MRAM (Mmoire magntique accs alatoire) :

Les mmoires MRAM sont des mmoires bases sur le phnomne de la magntorsistance
dune structure en multicouches magntiques et plus prcisment sur la magntorsistance tunnel
(TMR). La TMR est obtenue sur une structure en multicouches comprenant deux couches
ferromagntiques spares par un dilectrique (couramment :
3 2
O Al ) dpaisseur tunnel (0.6-
2nm). La rsistance tunnel de cette structure est dtermine par lorientation relative des
aimantations de deux lectrodes ferromagntiques, ce qui permet davoir une binarit exploitable
dans les applications de type mmoire.

2.1. Avantages des MRAMs:

La MRAM rassemble potentiellement tous les avantages des diffrents types de mmoires
actuels :
- Haute densit : les mmoires DRAM sont certes denses, mais volatiles (l'information est
perdue si le courant coup).
- Rapidit : les mmoires SRAM sont rapides, mais peu denses et galement volatiles.
- Non volatilit : les mmoires Flash sont non volatiles mais gourmandes en nergie et
lentes en criture.

En effet, le temps dcriture et deffacement est de lordre de 10ns pour la MRAM et de 1ms pour
la Flash.
Certaines applications ncessitent lutilisation de plusieurs types de mmoires, do une
complication technologique et une augmentation de cots. La MRAM pourrait se prsenter
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comme une mmoire universelle comme le montre le tableau comparatif ci-aprs [Bernard-
Granger thse_2004] :

Tableau 1 : Comparaison des performances des diverses mmoires RAM

Signalons enfin que la socit Freescale a rcemment (juin 2006) [Freescale 2006] commercialis
une carte mmoire MRAM de 4 Mbit et quune start-up issue de notre laboratoire (SPINTEC)
vient dtre lance Grenoble (Crocus Technology) dans ce domaine pour dvelopper une
nouvelle technologie MRAM base sur une criture assiste thermiquement.

2.2. Principe de fonctionnement dune MRAMs:

On reprsente ci-aprs le schma dune architecture matricielle de points mmoires de type
MRAM [Bernard-Granger thse_2004] :

Figure 4: Dispositif dune mmoire MRAM
(Assemble de plusieurs cellules mmoires)

Chaque point mmoire est constitu dune jonction tunnel magntique. Laimantation dune des
couches magntiques dite couche dure de la jonction peut tre considre bloque. Cela veut
dire que son champ coercitif (champ ncessaire pour faire basculer son aimantation) est
relativement lev. En revanche, laimantation de la 2
me
couche dite douce peut basculer
sous leffet dun champ magntique relativement faible (faible champ coercitif). Ce
comportement dissymtrique est obtenu en utilisant des couches de natures diffrentes que nous
ne dtaillerons pas ici.
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Les deux tats possibles de chaque point mmoire correspondent donc lorientation parallle ou
antiparallle de laimantation des deux couches magntiques c'est--dire deux niveaux diffrents
de la rsistance de la jonction tunnel. Le plan des jonctions est insr entre un rseau de lignes
conductrices infrieures et un rseau de lignes conductrices suprieures.
Pour crire un point mmoire donn, on envoie simultanment une impulsion de courant
extrmement brve dans la ligne infrieure et la ligne suprieure qui se croisent sur le point
mmoire considr. La superposition des champs magntiques gnrs par les courants
circulants dans les deux lignes permet de faire commuter laimantation de la couche douce de la
jonction considre dans une direction vers la direction oppose suivant son axe de facile
daimantation. Par contre, les autres lments mmoires le long des lignes adresses ne
ressentent le champ que dune ligne seulement ce qui nest pas suffisant pour faire commuter
leurs aimantations.
Pour la lecture, on fait passer un courant lectrique de la ligne infrieure la ligne suprieure
correspondant au point mmoire que lon veut adresser. La rsistance mesure entre les deux
lignes donne alors directement ltat magntique de la jonction.

III. La spintronique dans les dispositifs semi-conducteurs :

Pendant ces dernires annes, la spintronique sest largement dveloppe en particulier dans les
domaines de lenregistrement magntique et des mmoires magntiques intgres. De nombreux
chercheurs voient dans lextension de la spintronique au domaine des semi-conducteurs un
potentiel de dveloppement encore plus prometteur. En effet, Lexploitation du spin de llectron
dans des structures hybrides mtal/semi-conducteur ouvre un champ dapplication totalement
nouveau qui va de llectronique de spin au traitement quantique de linformation, et ce grce aux
techniques prouves de la microlectronique sur semi-conducteurs. La spintronique dans les
semi-conducteurs a plusieurs intrts : une longueur de cohrence de spin plus leve par rapport
aux mtaux et en plus un seul composant pourrait combiner la dtection dinformation (stockage
dans une mmoire MRAM), le traitement de cette information (par manipulation des spins) et la
transmission (information magntique vers optique).
Dans les dispositifs Spintroniques Semi-conducteurs, deux conditions doivent tre ralises :
une dure de vie de spin leve et une injection efficace de spins.
Trois tapes trs importantes raliser dans les dispositifs semi-conducteurs :

- pouvoir injecter des lectrons polariss en spin
- pouvoir assurer le transport dlectrons dans les semi-conducteurs
- pouvoir collecter ou dtecter ces lectrons polariss

1. Linjection du spin dans les semi-conducteurs :

1.1. Les sources des lectrons polariss en spin :

1.1.1. Les mtaux ferromagntiques :

Lasymtrie de la structure des bandes des mtaux ferromagntiques entraine des populations des
lectrons de spin up et down dans les mtaux qui ne sont pas gales et donc le courant issu de ces
mtaux sera polaris en spin. A lchelle microscopique, un mtal ferromagntique possde un
moment magntique spontan mme en absence dun champ magntique appliqu.Selon le
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dcalage et la position de niveau du fermi E
F
, la bande d peut tre totalement remplie (les
matriaux ferromagntiques forts comme le nickel ou le cobalt) ou partiellement remplie
(matriaux ferromagntiques faibles comme le fer) comme le montre la figure 5.

Figure 5 : Structures de bandes dun ferromagntique fort et faible [Montaigne thse_1999]

Ces mtaux sont appels mtaux de transition. Parmi lesquels, on cite le fer, le nickel, le cobalt et
leurs alliages. Zhu et al ont utilis le fer comme injecteur du spin dans du GaAs (figure 6) [Zhu
2001]. Dautres groupes ont utilis le CoFe [Motsnyi 2002], le Ni [Alvarado 1992], le cobalt.

Figure 6 : Structure pour linjection de spin depuis un contact de fer dans le GaAs [Zhu 2001]

1.1.2. Les semi-conducteurs magntiques dilus :

Les semi-conducteurs magntiques dilus II-VI ou III-V permettent dintroduire dans une couche
des porteurs libres fortement coupls par des interactions dchange avec des spins localiss. Par
exemple, dans les alliages II-VI (CdMnTe, ZnMnTe), les atomes de manganse sont
lectriquement neutres et introduisent seulement des spins localiss. Les porteurs sont
gnralement introduits optiquement ou par dopage. Dans les alliages III-V InMnAs et GaMnAs,
l'incorporation du manganse introduit la fois des spins localiss et des trous dans la bande de
valence. La prsence de porteurs libres et de spins localiss permet dinduire un couplage
ferromagntique longue porte par lintermdiaire des porteurs.
Dautres matriaux se sont dvelopps comme les semi-conducteurs magntiques grand gap
GaMnN, ZnCoO, semi-conducteurs IV-IV GeMn ou II-VI ZnCrTe.
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La figure 7 prsente le dispositif utilis par Fiederling dans lequel le semi-conducteur magntique
le BeMnZnSe est utilis pour injecter des lectrons polariss en spin dans du GaAs [Fiederling
1999].

Figure 7 : Schma de la structure des bandes utilis pour injecter des spins dans le GaAs
partir du BeMgZnSe [Fiederling 1999]

Avec ces semi-conducteurs magntiques, plusieurs tudes ont t faites pour montrer linjection
du spin dans un semi-conducteur non magntique. Mais linconvnient de ces matriaux est
quils ne sont ferromagntiques qu basses tempratures T
Curie
< 200 K.
Pour cela, les recherches se sont diriges vers dautres matriaux fonctionnels temprature
ambiante et qui peuvent fournir des porteurs polariss en spin : ce sont les mtaux
ferromagntiques.

1.2. Les problmes lis linjection de spin dans les semi-conducteurs :

Les premires tentatives dinjection du spin depuis un mtal ferromagntique vers des semi-
conducteurs en utilisant un contact ohmique ferromagntique/ semi-conducteur nont pas abouti
des rsultats concluants. En effet, le signal de magntorsistance (signe dune injection efficace
de spin) reste de quelques % et il est attribu dautres effets que linjection de spin [Monzon
1997]. Cette absence dinjection de spin a t attribue la grande diffrence de conductivit
entre le ferromagntique et le semi-conducteur qui rduit considrablement lefficacit de
linjection du spin.
Parmi les solutions proposes ce problme, on cite :

- lutilisation des semi-conducteurs magntiques comme injecteur des spins pour
sapprocher de la conductivit des semi-conducteurs [Ohno 1999] [Fiederling 1999]. Cette
solution nest pas pratique vu que ces matriaux sont ferromagntiques seulement basse
temprature.

- Avoir une barrire Schottky ou une barrire tunnel isolante entre le mtal
ferromagntique et le semi-conducteur [Rashba 2000] [Fert 2001]. Ces barrires introduisent une
rsistance dinterface dpendante du spin. La figure 8 montre que sans cette interface la
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polarisation du courant dans le semi-conducteur sannule. Cette solution a t adopte par
plusieurs groupes.

Figure 8 : La polarisation en spin du courant en fonction de la position linterface
ferromagntique/semi-conducteur avec ou sans rsistance dinterface [Fert 2001]

La barrire Schottky donne une barrire tunnel naturelle entre le mtal et un semi-conducteur
fortement dop.
Hambicki a utilis une barrire Schottky Fe/AlGaAs afin dinjecter des spins dans le GaAs
[Hanbicki 2003]. Au dbut, linjection tait minimale cause de la prsence dune rgion de
dpltion dans le semi-conducteur. La solution tait dintroduire une couche mince fortement
dop dans lhtrostructure (figure 9). Cette couche permet de diminuer cette zone de dpltion
ce qui autorise alors le passage du courant par effet tunnel.

Figure 9 : Structure de bandes linterface Fe/AlGaAs dune jonction Schottky Fe/GaAs
[Hanbicki 2003]

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2. Le transport du spin dans les semi-conducteurs :

2.1. Les mcanismes de relaxation des spins :

Nous venons de discuter des problmatiques lies linjection de spin dans des semi-conducteurs
non magntiques. Bien que cette injection soit un aspect fondamental dans les structures hybrides
ferromagntique/semi-conducteur, la russite dun composant spintronique hybride ncessite
galement le contrle de la conservation de spin durant son sjour dans le semi-conducteur. En
effet, il ya plusieurs phnomnes qui aboutissent la perte de lorientation du spin des lectrons
dans les semi-conducteurs. En gnral, ces mcanismes provoquent une interaction spin-orbite
qui gnre un champ magntique effectif qui aboutit la modification de lorientation de spin.
Linteraction spin-orbite est un effet qui se produit lorsquune particule possdant un spin non nul
se dplace dans un espace o rgne un champ lectrique.
Parmi ces mcanismes, on cite :

- Le mcanisme Elliot-Yafet :

Ce mcanisme a pour origine le potentiel de perturbation d aux impurets ionises (introduit par
Elliot) ou aux vibrations du rseau les phonons (introduit par Yafet). Linteraction spin orbite
produite conduit des retournements simultans de lorientation du spin.

- Le mcanisme DYakonov-Perel :

Il a pour origine le champ lectrique cristallin non nul. Ce mcanisme existe dans les cristaux
sans centre dinversion comme les semi-conducteurs III-V (exemple : le GaAs). Le silicium qui
est centro-symtrique a un champ cristallin nul et donc ce mcanisme ny existe pas. Le champ
cristallin donne naissance un champ magntique effectif qui agit sur le spin qui se met
prcesser une frquence donne.

- Le mcanisme Bir, Aronov et Pikus :

Il a pour origine linteraction dchange entre le spin des lectrons de la bande de conduction et le
moment cintique des trous. Ce mcanisme conduit une prcession du spin des lectrons autour
dun axe instantan.

2.2. La manipulation du spin dans les semi-conducteurs :

Un des intrts pour la spintronique dans les semi-conducteurs est la possibilit de manipulation
des spins. Cette manipulation est obtenue grce un effet de couplage spin-orbite entre le spin
des porteurs (lectron ou trou) et un champ magntique. Ce champ peut tre extrieur ou effectif
c'est dire gnr par le mouvement de porteurs de charge dans une zone o rgne un champ
lectrique local au sein du semi-conducteur. Parmi les effets qui permettent la manipulation du
spin utiliss dans la littrature on peut citer :

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- Effet Rashba :

Cest un cas particulier du couplage spin-orbite. Il est important dans les systmes
bidimensionnels (gaz d'lectrons 2D) o il existe un champ lectrique uniforme et
perpendiculaire au plan de dplacement des lectrons.
Cet effet est utilis dans le concept de SpinFET ou transistor rotation de spin propos par Datta
and Das en 1990 [Datta 1990] (figure 10). Ce transistor qui a une architecture voisine d'un
transistor effet de champ possde une source, un drain et un canal contrlable par une tension
de grille. La source et le drain sont des contacts slectifs en spin : ce sont des lectrodes
ferromagntiques capables dinjecter et de collecter une orientation donne de spin. L'amplitude
du couplage de Rashba est fonction du champ lectrique perpendiculaire et dpend donc de la
tension Vg applique sur la grille.

Figure 10 : Schma du transistor propos par Datta et Das [Datta 1990] utilisant leffet
Rashba
- L'utilisation d'un champ magntique extrieur :

Linteraction avec un champ magntique extrieur aboutit la modification de lorientation du
spin. Ce moyen de manipulation de spin est trs utile pour des tudes fondamentales de l'injection
de spin dans les semi-conducteurs. Par exemple, il fut employ par Motsnyi et al. pour tudier la
polarisation en spin dans le GaAs au moyen de l'effet Hanle oblique. Les spins prcessent autour
du champ appliqu jusqu saligner le long de ce champ [Motsnyi 2002] dans une structure de
type FM/I/Sc (figure 11). La figure 11 montre la manipulation de lorientation de spins injects
dans le GaAs par llectrode ferromagntique. Le champ appliqu cre une composante de spin
Sz perpendiculaire la surface. Les rgles de slection qui rgissent la recombinaison radiative
lectrons-trous en fonction de spin de llectron aboutissent une polarisation de la lumire
mise, circulaire gauche ou circulaire droite suivant lorientation majoritaire de spin (spin up ou
spin down). Ainsi, ltude de la polarisation de la lumire permet de quantifier la polarisation en
spin du courant inject dans llectrode.

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Figure 11 : Schma expliquant le principe de la manipulation du spin dans le semi-conducteur
par OHE [Motsnyi 2002]

3. La collection du spin :

3.1. La dtection optique de la polarisation du spin :

Comme nous venons de le voir, la dtection de spin peut tre effectue par dtection optique.
Cette dtection optique s'affranchit du problme de collection de spin, plus dlicate mettre en
uvre comme nous verrons plus loin. C'est pourquoi l'tude des spins dans les semi-conducteurs
s'est concentre sur les semi-conducteurs III-V, et surtout le GaAs. En effet, ces semi-
conducteurs ont une bande interdite directe. Cette proprit permet de dtecter la polarisation du
spin par la mesure de la polarisation circulaire de la luminescence mise par le substrat comme
nous venons de le voir dans le paragraphe prcdent.
Cette polarisation est fonction de la composante de spin de llectron perpendiculaire la surface.
Dans le cas o laimantation de linjecteur est dans le plan, les spins nont pas une composante
hors du plan et donc aucune polarisation circulaire ne peut tre obtenue dans la direction
perpendiculaire la surface. Do lutilit de manipuler les spins dans le mtal ferromagntique
ou dans le semi-conducteur.
Ramener laimantation de linjecteur hors du plan ncessite un fort champ magntique (>1.4T).
En revanche, lutilisation de lapproche OHE dj mentionne permet de manipuler les spins
dans le semi-conducteur par lapplication dun champ oblique moyen modr (<0.6T sous un
angle de 45) [Motsnyi 2002].

3.2. La dtection lectrique de la polarisation du spin :

La dtection optique est trs intressante afin de dmontrer linjection du spin mais nest pas
adapte ds lors que l'on cherche raliser des dispositifs spintroniques intgrables dans un
processus CMOS par exemple. Pour cela, une dtection lectrique est indispensable. Il y a
plusieurs voies possibles de dtection lectrique du spin :

3.2.1. Mesure par vanne de spin :

La mesure vanne de spin concerne les structures deux couches magntiques spares par une
couche non magntique. Elle consiste mesurer la variation de la rsistance de la structure en
fonction du champ magntique appliqu lorsque les aimantations de deux couches passent dun
tat parallle un tat antiparallle (figure 12).
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Figure 12 : Schma des bandes dune structure ferromagntique/semi-
conducteur/ferromagntique dans une configuration vanne de spin

3.2.2. Mesures dites "non locales" :

La mthode de mesure non locale est introduite par Johnson et Silsbee [Johnson 1985] et
approfondie par Jedema [Jedema 2001] pour des systmes mtalliques. Elle est utilise aussi dans le
cas des dispositifs semi-conducteurs : GaAs et silicium [Vant Erve 2007].
Elle consiste injecter les lectrons polariss partir d'une lectrode ferromagntique. Ces lectrons se
propagent dans le semi-conducteur par un mcanisme de drive-diffusion. La polarisation en spin est
attnue par les mcanismes de diffusion de spin. Cela cre une accumulation de spin et donc une
diffrence de potentiel chimique entre les spins up et les spins down mesure entre une deuxime
lectrode magntique et une lectrode non magntique (figure 13). La d.d.p mesure est dpendante de
laimantation de llectrode et la polarisation en spin.

Figure 13 : Exemple de structures illustrant le principe de la mesure non locale

4. La spintronique dans le silicium :

4.1. Motivations pour lutilisation du silicium :

Le silicium prsente plusieurs avantages par rapport dautres semi-conducteurs comme par
exemple le GaAs, motivant son tude pour la spintronique:

- La technologie Si reprsente plus de 90 % du march du semi-conducteur ce qui
faciliterait la dissmination dventuels dispositifs spintroniques base de silicium.

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- le rapport la mobilit des trous/ la mobilit des lectrons dans le silicium est suprieur
celui de larsniure de gallium. En effet, la grande diffrence de la mobilit entre les trous et les
lectrons dans le GaAs rend difficile la fabrication de transistors effet de champ-canal P de
rapidit comparable aux transistors FET canal-N, alors que pour le silicium il ny a aucun
problme.
- Vu le faible couplage spin-orbite dans le silicium, la dure de vie du spin dans le silicium
est leve mme temprature ambiante compar au cas de GaAs. A 85K, la dure de vie de
spin dans le silicium est de 200 ns [Huang 2007] alors que dans le GaAs elle est de 40ns 30K
[Furis 2006]. Ceci donne une longueur de cohrence de spin dans le silicium de quelques microns
mme temprature ambiante.

4.2. Exemples dtudes de linjection de spin dans le silicium :

4.2.1. Transistor diffusion de spin :

Dennis et al ont tudi linjection de spin dans le silicium travers un transistor appel transistor
diffusion de spin [Dennis thse_2004] [Dennis 2002]. Ce transistor est bas sur linjection de
spin partir d'un contact ferromagntique (metteur) travers une barrire tunnel. Les lectrons
polariss diffusent dans la base jusquau collecteur ferromagntique (figure 14). La structure est
une structure verticale ralise dans un substrat SOI (Silicon-On-Insulator) avec une couche de
silicium actif de type p ou n faiblement dop de 10
14
10
15
cm
-3
. Comme le montre la figure 14,
le collecteur est larrire du substrat. La barrire tunnel utilise dans ce dispositif est le Si
3
N
4
.
Dans le cas dune injection et collection efficace de spin, ce dispositif prsente un gain en courant
du collecteur dpendant du champ magntique comme le montre la figure 15 [Dennis 2002].

Figure 14 : (a) Schma simplifi de transistor (b) Schma du transistor fabriqu

Dennis et al ont obtenu une polarisation de spin de 2.5% pour le silicium dop p et de 10% pour
le silicium dop n temprature ambiante.
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Figure 15 : le courant du collecteur en fonction du champ magntique pour un transistor de
type-p [Dennis 2002]
Dennis et al ont montr aussi quune injection tunnel et plus prcisment linjection Fowler-
Nordheim est fondamentale pour une injection efficace travers une barrire tunnel [Dennis
2006]. La conduction travers leur barrire tunnel utilise (le Si
3
N
4
) est de type Hopping
(incluant les dfauts dans la barrire) basses tensions et de type Fowler-Nordheim (conduction
de type balistique) hautes tensions comme le montre la figure 16.

Figure 16 : Caractristique I-V pour un transistor type-p compare un modle de transport
par saut (hopping) et Fowler Nordheim [Dennis 2006]

Dans la gamme des hautes tensions, avec un mcanisme Fowler-Nordheim, le courant inject est
dpendant du champ magntique (figure 17-b) appliqu temprature ambiante dans le plan de
la couche magntique perpendiculairement la direction du courant alors dans le cas dun
mcanisme incluant les dfauts, aucune dpendance nest observe (figure 17-a).
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Figure 17 : le courant dinjecteur en fonction du champ magntique pour un transistor type-p
(a) dans la gamme de linjection "Hopping" (b) dans la gamme de linjection Fowler-
Nordheim

Dans le cas dune orientation parallle des aimantations de linjecteur et du collecteur, la
variation du courant dinjecteur (pour une tension de 1V dans le rgime Fowler-Nordheim) est
plus large que dans le cas antiparallle. Cette variation est de 4.1% 0.5% dans du Si type-p et
de 12% 5% dans du Si type-n. Ce rsultat trs important confirme quune conduction via des
dfauts entraine la dgradation de polarisation en spin.

4.2.2. Mise en vidence de magntorsistance dans les structures verticales :

La figure 18-a prsente le dispositif conu par Appelbaum et al pour l'tude de l'injection et la
collection de spins dans le silicium [Appelbaum 2007]. Ce dispositif est bas sur linjection et la
collection balistiques des porteurs chauds.
En effet, des porteurs chauds non polariss sont injects partir d'une lectrode d'aluminium
travers une barrire tunnel dAl
2
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3
vers une couche ferromagntique (CoFe) (tape 1). La couche
ferromagntique (CoFe) filtre partiellement les spins en fonction de la direction de son
aimantation. Ainsi, les lectrons qui passent dans la couche de silicium non dop de 10m de
largeur travers le contact Schottky ont le spin parallle laimantation de la couche de CoFe
(tape 3). Aprs un transport vertical travers la couche non dop de silicium (tape 4), les spins
sont filtrs par une deuxime lectrode ferromagntique (NiFe). Le courant dans la couche de
silicium (tape 5) est dpendant des aimantations relatives aux deux couches ferromagntiques :
dans le cas parallle le courant est plus grand que dans le cas antiparallle comme le montre la
figure 18-b. On mesure une variation du courant collect de 2% 85K lorsque les aimantations
passent dun tat parallle un tat antiparallle.
Le choix de ce dispositif est justifi par :
- la premire couche non dope de silicium est choisie car elle a une densit faible d'
impurets conduisant une bande de conduction linaire vitant les puits potentiels.

- Les mesures sont faites 85K : la couche de silicium non dop est compltement gele
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donc il ny a pas dlectrons gnrs thermiquement ou via les impurets. Les seuls lectrons
prsents sont les lectrons polariss en spin injects.

- La couche de cuivre est insre entre la couche NiFe et la couche n-Si pour avoir une
barrire basse et pouvoir injecter les lectrons travers la barrire NiFe/n-Si.

- lanisotropie de forme est utilise afin davoir deux champs coercitifs diffrents pour
les deux couches CoFe et NiFe.

Figure 18 : (a) Le dispositif utilis pour linjection et la collection du spin (b) la variation du
courant collect en fonction du champ magntique appliqu dans le plan

Ce dispositif dmontre une injection des lectrons polariss en spin dans le silicium mais il
convient de remarquer que d'une part ce signal de MR n'est observable qu' basse temprature
que d'autre part il s'agit de porteurs chauds et non des porteurs thermaliss.

4.2.3. Mise en vidence de l'injection de spin par des mesures non locales :

La figure 19 prsente un dispositif horizontal pour injecter et collecter des lectrons polariss en
spin [Vant Erve 2007]. Les lectrons sont injects et collects partir des contacts mtal
ferromagntique (Fe)/barrire tunnel (Al
2
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3
) dans du silicium dop n. Ces contacts
ferromagntiques (nots 2 et 3 dans la figure 19) sont des tailles diffrentes, 100*24 m
2
et
100*6 m
2
respectivement, permettant davoir une anisotropie de forme et donc deux champs
coercitifs diffrents (l'aimantation de la couche 2 peut tre renverse des champs plus faibles).

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Figure 19 : Schma du dispositif utilis pour mettre en vidence linjection du spin dans le
silicium par des mesures non locales [Vant Erve 2007]

La dtection des lectrons polariss en spin est obtenue de la manire suivante: les lectrons
polariss sont injects dans le silicium partir du contact 3 produisant un courant qui se propage
par un mcanisme de drive et de diffusion sous lapplication dune tension entre les contacts 3 et
4 et par un mcanisme diffusif gauche du contact 3. Ce courant net de spin produit une
polarisation nette de spin et une diffrence de potentiel lectrochimique dpendante de spin sous
le contact ferromagntique 2. Cette diffrence est dtecte comme un voltage entre le contact
magntique 2 et le contact 1. En effet, l'effet d'accumulation de spin induit un potentiel de
l'lectrode 2 qui sera dpendant de lorientation de laimantation.
La figure 20-a prsente une mesure de la tension entre le contact 2 et 1 10K avec un courant de
100A inject dans le contact 3. Le champ magntique est appliqu le long de laxe y de la
couche de Fe. Pour une orientation parallle de deux contacts 2 et 3, la tension non locale est
minimum et pour une orientation antiparallle, la tension est maximale (pic). La figure 20-b
prsente des mesures deffet Hanle ralises 5K dans les mmes conditions de polarisation que
la mesure non locale prcdente. Ces mesures sont fonction du champ magntique
perpendiculaire la surface Bz pour des valeurs de champ dans le plan By pour lesquelles on a
des orientations daimantation du contact 2 (collecteur) et 3 (injecteur) parallles et
antiparallles. Dans la courbe 1, les aimantations de deux contacts sont dans la mme direction et
le signal non local est minimum pour Bz=0. Quand Bz augmente, les lectrons dans le silicium
prcessent pendant leur transit jusquau collecteur ; le signal non local augmente.
Quand By augmente, laimantation du contact 2 commence sinverser, le signal Hanle diminue
pour By=25Oe et son signe sinverse pour By=50Oe quand le contact 2 voit son aimantation
sinverser. Les contacts 2 et 3 sont largement antiparallles pour By=75Oe, le signal non local est
maximum pour Bz=0 et diminue quand Bz augmente.

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Figure 20: (a) Evolution du potentiel de l'lectrode 2 en fonction du champ magntique 10K
(b) Effet Hanle 5K: Evolution du potentiel de l'lectrode 2 en fonction du champ appliqu
[Vant Erve 2007]

5. Conclusion:

La spintronique dans les semi-conducteurs a progress en suivant plusieurs tapes :

- linjection des lectrons partir des semi-conducteurs magntiques basse temprature
linjection depuis des mtaux de transition temprature ambiante.
- linjection depuis un contact ohmique linjection travers une barrire Schottky ou
tunnel dans les semi-conducteurs III-V suivie d'une dtection optique des lectrons
polariss.
- l'injection des lectrons chauds polariss en spins dans le silicium et leur dtection
lectrique via la magntorsistance.

IV. Dispositif de test utilis dans ltude de linjection du spin dans le silicium:

1. Introduction :

Depuis quelques annes, notre quipe travaillait sur un dispositif test pour l'tude d'injection de
spin dans le silicium [Viatchleslav 2004] baptis MEMIS pour MEmoire Magntique Intgre sur
Silicium. Ce dispositif est bas sur:

- Une injection lectrique des lectrons polariss en spin partir des mtaux de transition
travers une barrire tunnel.
- Un transport dans le silicium vers une autre lectrode magntique.
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- Une collection lectrique depuis le silicium par llectrode magntique travers une
barrire tunnel.

Le dispositif test ainsi que ses diffrentes variantes en termes de barrires tunnel comme loxyde
de silicium et lalumine sont dcrits ci-dessous.

2. Le dispositif test :

2.1. Description et principe de fonctionnement:

Comme le montre la figure 21-a, le dispositif test comprend un injecteur dlectrons polariss en
spin, un canal en silicium permettant la propagation des lectrons polariss en spin vers le
collecteur, une lectrode magntique slective en spin. Le collecteur et linjecteur sont donc des
jonctions tunnel type mtal ferromagntique/Isolant/Si (FMIS) [Viatchleslav 2004].
Ce dispositif prfigure une mmoire MRAM intgre directement sur silicium : les deux tats du
point mmoire du dispositif MEMIS sont dfinis par lorientation relative des aimantations des
deux lectrodes magntiques. L'information binaire peut tre crite sur la cellule mmoire avec
un champ magntique gnr par le passage de courant travers une ligne conductrice (figure 21-
a), ou bien grce un champ magntique extrieur. La barrire tunnel doit permettre dinjecter et
de collecter les lectrons par un mcanisme tunnel direct, mcanisme balistique garantissant la
conservation du spin comme reprsent schmatiquement par la figure 21-b et 21-c.

Figure 21 :(a)Schma de principe du dispositif test (b) diagramme des bandes de la diode
FMIS injectrice (c) diagramme des bandes de la diode FMIS collectrice

La figure suivante donne le schma technologique dtaill du dispositif MEMIS complet dont
nous disposons pour ltude de linjection de spin dans le silicium. Il comporte linjecteur et le
collecteur qui sont deux diodes respectivement sur un substrat p et un caisson n. Ce choix est
justifi par le fait de pouvoir avoir deux diodes polarises en direct. Pour linjection, on injecte
depuis le mtal ferromagntique pour des tensions ngatives (diode p-type avec Vg<0). Pour
collecter les lectrons, la diode n est polarise en direct : les lectrons passent depuis le substrat
vers le mtal.
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Le dispositif comporte aussi deux contacts ohmiques n
++
et p
++
quon appelle drain et base
permettant de rgler sparment le courant dinjection et de collection de spin. La squence
technologique d'laboration de ce dispositif test est dcrite en dtail dans la thse de Christophe
Duluard [Duluard thse_2007].

Figure 22 : Schma complet du dispositif test

La figure 23-a prsente le dessin de masque du dispositif. La figure 23-b donne une image
optique en vue de dessus du dispositif test. Dans cette image, on distingue les deux lectrodes
injecteur et collecteur qui ont des rapports d'aspects (W*L) diffrentes ainsi que les deux
contacts ohmiques.

Figure 23 : (a) Schma technologique du dispositif test (b) Image du dispositif avec les lignes
mtalliques pour les contacts

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3. Les diffrents dispositifs tests :

Rappelons que l'objectif de cette thse est l'tude des mcanismes de transport dans des structures
servant l'injection de spin dans le silicium. Cette tude s'est droule dans le cadre d'un projet
de recherche plus large sur le concept de mmoires MRAM intgres sur silicium. Notre tude a
t mene sur des lots de plaquettes de silicium comportant un ensemble dchantillons avec
oxyde de silicium et alumine. Loxyde de silicium est obtenu par oxydation thermique de silicium
sous oxygne 800C. La barrire dalumine est une bicouche dalumine et de silice. La couche
de silice est obtenue par oxydation chimique dans de l'ozone servant viter la mise en contact
de lalumine et du silicium dans le but dviter la diffusion de laluminium. Lalumine est
obtenue par dpt de couches atomiques (ALD) en alternant le dpt dune monocouche
daluminium et son oxydation. La monocouche d'aluminium est ralise par dcomposition de
trimthylaluminium 300C dans un racteur Pulsar TM 2000 dASM microchimestry. Une
oxydation aqueuse transforme cette couche en alumine.
Dans ce lot, on trouve des variantes dchantillons diffrentes paisseurs et dont certains ont
subi des recuits post-dpt:
- Le recuit forming gas : ce recuit est appliqu en fin de ralisation des dispositifs. Ce
recuit est fait typiquement 450C pendant 30mn sous N
2
/H
2
. Il permet de gurir les dfauts
dinterface (lectriquement actifs) du silicium en saturant les liaisons pendantes par de
lhydrogne.
- Le recuit de densification : ce recuit est appliqu 700C sous O
2
pendant 15mn. Le
rsultat attendu est une plus grande compacit de la couche qui est susceptible de limiter la
diffusion des lments mtalliques et aussi de rduire la quantit de charges fixes prsentes dans
ce type doxyde non recuit.

Les tableaux 2 et 3 rsument les diffrents chantillons tests avec loxyde de silicium et
lalumine respectivement :

Plaquette n Epaisseur de loxyde Type de recuit
1 3 nm Non recuit
2 2.5 nm Non recuit
3 4 nm Non recuit
4 3 nm Recuit Forming Gaz
5 2.5 nm Recuit Forming Gaz
6 4 nm Recuit Forming Gaz

Tableau 2: Description des diffrentes plaquettes testes avec une barrire doxyde de silicium

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Plaquette n Epaisseur de loxyde Type de recuit
1 2 nm Non recuit
2 2 nm Recuit de densification
3 3 nm Non recuit
4 3 nm Recuit de densification+ Recuit
Forming gas
5 4 nm Non recuit
6 4 nm Recuit de densification
7 4 nm Recuit de densification+ Recuit
Forming gas
8 4 nm Recuit Forming gas

Tableau 3: Description des diffrentes plaquettes testes avec une barrire dalumine

Ce lot comporte des cellules mmoires compltes (figure 24) qui sont destines ltude de la
magntorsistance sous leffet dun champ magntique, des diodes et des transistors destins
des tudes lectriques.
En effet, comme dj mentionn, linjecteur et le collecteur sont des diodes FMIS. Donc, afin
dtudier leurs proprits, les diodes simples ont t caractrises :

- Les diodes en fond de tranche : Le mtal ferromagntique est le permalloy (NiFe) avec
une paisseur variant de 10 25 nm dpos par pulvrisation. Loxyde tunnel est ralis en fond
de tranche (figure 24). La reprise de contact sur ces chantillons se fait en face avant travers un
empilement TaN/Cu/Al.

Figure 24 : Dispositif test de la diode FMIS en "fond de tranche"

Les diodes FMIS dont les surfaces variant de 2 12 m
2
sont destines des mesures courant-
tension. Dautres structures, les capacits FMIS, ayant des surfaces plus grandes (400 m
2
, 1200
m
2
, 2400 m
2
) sont destines aux mesures capacit-tension et conductance-tension. Ces
capacits ont des diffrents primtres afin dtudier linfluence des effets de bord. La figure 25
prsente le lay-out (dessin de masque) de ces diffrentes structures.

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Figure 25 : (a) Layout des capacits (b) Layout des diodes

- Les diodes pleine plaque : sont des simples diodes de type MIS illustres par la
figure 26-a. Ces structures appartiennent un lot dchantillons qui ne comprend que des diodes
simples ralises sur des plaquettes de silicium qui ont un diamtre de 100mm et un dopage de
type P (Bore). Un oxyde thermique de 7 nm est ralis en pleine plaque. Une couche de 50 nm
dpaisseur dun mtal ferromagntique (le NiFe) est ralise par pulvrisation cathodique
(PVD). Le mtal ferromagntique (FM) est couvert dune couche daluminium afin dviter
loxydation naturelle du mtal. Des diodes avec des grilles daluminium (Al/
2
SiO /Si) sont
utilises comme rfrence afin dobserver les effets induits par le mtal ferromagntique. La
surface des diffrentes diodes varie entre 10*10
2
m et 17.88
2
mm . Afin deffectuer les mesures,
lchantillon est fix sur un support conducteur grce la laque dargent. Les contacts sont pris
directement sur la grille en face avant dune part et sur le support conducteur en face arrire
dautre part (figure 26-b). L'objectif de cette tude comparative entre les diodes MIS grille
ferromagntique et grille daluminium est de voir les effets induits par lintroduction de mtal
ferromagntique en processus CMOS et donc leffet des mtaux 3d sur les caractristiques
lectriques de ces structures.

Figure 26: (a) Structure des diodes pleine plaque (b) Banc de caractrisation lectrique

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4. Choix des barrires tunnels utilises :

Dans notre tude, nous nous sommes intresss deux types d'oxyde utiliser comme barrire
tunnel; l'oxyde de silicium et l'oxyde d'aluminium. Le choix de SiO
2
est justifi par son utilisation
en technologie CMOS. Le choix dAl
2
O
3
est justifi par ses applications en spintronique.

4.1. Principales proprits lectriques de SiO
2
:

La figure 27 prsente le premier diagramme de bandes du systme Si-SiO
2
obtenu par Williams
partir des mesures de photomission [Williams 1965].

Figure 27 : Diagramme des bandes du systme Si-SiO
2
[Williams 1965]

La largeur de la bande interdite de loxyde de silicium est denviron 9 eV. Cette valeur est
relativement importante, ce qui donne un caractre isolant au SiO
2
.
La hauteur de barrire pour les lectrons est de 3.15eV alors que pour les trous elle est de
4.75eV. Loxyde de silicium a une rsistivit de lordre de 10
15
10
16
.cm ce qui confirme le
caractre isolant de cet oxyde. La mobilit des lectrons dans le SiO
2
thermique la temprature
ambiante est de 10 20 cm
2
.V
-1
.s
-1
et la mobilit des trous est de lordre de 10
-5
cm
2
.V
-1
.s
-1
. Le
SiO
2
a une constante dilectrique de 3.9
0
, avec
0
la permittivit du vide, relativement faible par
rapport aux oxydes High-k. Dans le SiO
2
, diffrents types de dfauts peuvent exister : les dfauts
intrinsques qui sont lis larrangement des atomes de silicium et doxygne entre eux, et les
dfauts extrinsques qui sont dus la prsence d'atomes trangers dans loxyde pouvant tre
introduits au cours d'un processus technologique.

4.2. Principales proprits dAl
2
O
3
:

Lvolution progressive de la microlectronique depuis quelques annes saccompagnait dune
diminution de lpaisseur de loxyde (loxyde de grille dans le cas des transistors), ce qui
entrainait des problmes d'ordre physique ou technologiques. Dautres oxydes ont t proposs et
plus particulirement les oxydes forte constante dilectrique, les High-k . En effet, grce
ces plus grandes constantes dilectriques, on peut garder une paisseur doxyde fixe tout en
augmentant la capacit de couplage grille-canal du transistor [Kingon 2000].
Pour remplacer le SiO
2
, les oxydes High-k doivent satisfaire certains critres en terme de valeur
de la permittivit, structure de bande, discontinuit des bandes pour le transport des charges,
stabilit thermodynamique, qualit de l'interface avec le Si, morphologie, compatibilit avec
llectrode de grille et avec le procd technologique, fiabilit...etc.
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Le tableau suivant donne une comparaison avec le SiO
2
des caractristiques des deux oxydes
High-k les plus connus lAl
2
O
3
et le HfO
2
:

Constante
dilectrique
Bande
interdite (eV)
Discontinuit
bande de
conduction
(eV)
Stabilit
thermique
par rapport
au silicium
SiO2 3,9 9 3,15 >1050C
Al2O3 ~10 8,8 2,8 ~1000C
HfO2 ~20 6 1,5 ~950C

Tableau 4 : Proprits des matriaux SiO
2
, Al
2
O
3
, HfO
2
[Manchanda 2000] [Chang
thse_2003]

Lalumine avec ses proprits est un oxyde trs intressant. En plus de son utilisation en
microlectronique, lAl
2
O
3
est trs utilis dans le domaine de la spintronique. En effet, les
premiers rsultats exprimentaux de magntorsistance tunnel temprature ambiante ont t
obtenus avec lalumine [Moodera 1995] [Miyasaki 1995].
La figure 28 prsente la structure des bandes du systme Al
2
O
3
/Si :

Figure 28 : Diagramme des bandes du systme Al
2
O
3
/Si

5. Etude des proprits magntiques des lectrodes :

L'utilisation de la magntorsistance dans la mise en vidence de l'injection de spins dans le
silicium grce des dispositifs test comme celui de la figure 22 suppose l'utilisation d'lectrodes
magntiques avec des proprits bien contrles. Les lectrodes doivent tre mono-domaines
l'tat rmanent. D'autre part, l'utilisation d'un champ magntique extrieur comme moyen de
manipulation des aimantations des lectrodes pour passer d'une configuration parallle anti-
parallle suppose que les deux lectrodes aient des champs coercitifs diffrents. Enfin, le
couplage magntique des deux lectrodes entre elles ne doit pas modifier de faon significative
leurs champs coercitifs respectifs. Ces trois proprits ont t tudies par N.Bruyant [Bruyant
thse_2008] et nous rsumons ci-aprs les conclusions de ces tudes.
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- Electrodes mono domaines :

Llectrode mon-domaine permet davoir une polarisation uniforme de tous les lectrons et par la
suite une polarisation en spin maximale. Lutilisation des lectrodes de taille rduite permet
davoir cette condition. Des simulations rapportes dans la thse de Nicolas bruyant faites sur
une lectrode de longueur 1.5 m avec des diffrentes largeurs ont montr que pour des largeurs
infrieures 500nm, llectrode est mono-domaine.

- Champs de retournement de deux lectrodes diffrents :

Les simulations prcdentes ont montr aussi que le champ coercitif (champ de retournement)
varie comme l'inverse de la largeur de llectrode (figure 29). Donc en choisissant bien les
dimensions des deux lectrodes utilises dans le dispositif test, on obtient deux champs coercitifs
diffrents. Cela permet davoir grce un champ magntique extrieur, les deux aimantations des
lectrodes dans un tat parallle ou antiparallle. Lanisotropie de forme permet donc davoir
cette diffrence de champ de retournement de deux lectrodes magntiques.

Figure 29 : Simulation de champ coercitif en fonction de la largeur dune lectrode
magntique dune longueur de 1.5m [Bruyant thse_2008]

- Couplage dipolaire entre les lectrodes :

Des simulations micro magntiques ont t effectues sur deux lectrodes de largeur de 100 nm
et 200 nm. Ces deux lectrodes sont espaces d'une distance variant entre 10 nm et 900 nm. La
figure 30 montre le champ coercitif calcul en fonction de lespacement pour des lectrodes
isoles, pour des lectrodes en interaction. Ces simulations montrent que pour des distances
despacement suprieures 50 nm linteraction peut tre nglige.
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Figure 30 : Simulation des champs coercitifs de deux plots en fonction de la distance qui les
spare [Bruyant thse_2008]

6. Problmes lis la prsence d'une lectrode magntique:

Une lectrode magntique intgre sur silicium peut modifier les proprits lectriques du
substrat mais galement les mcanismes de transport travers la barrire tunnel. Ces problmes
sont lis la diffusion des atomes magntiques.

6.1. La diffusion des atomes magntiques : contamination du substrat:

Dans sa thse, Duluard a tudi la contamination de loxyde et de silicium dans des structures
mtal ferromagntique/isolant/silicium [Duluard thse_2007].
Cette tude est motive par la dmonstration dans la littrature de leffet nfaste des mtaux 3d
sur linjection du spin. La contamination par ces mtaux induit des dfauts dans le silicium qui
entrainent la diminution de la dure de vie des porteurs polariss en spin, ainsi que des dfauts
dans loxyde qui entrainent la perte des spins [Jansen 1998] [Jansen2000].
Il existe diffrents outils danalyse pour tudier la diffusion des mtaux ferromagntiques. Parmi
ces mthodes, on peut citer :

- La TOF-SIMS :

Le TOF-SIMS (Time Of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy) est un analyseur temps du
vol. Cette mthode est base sur la mesure du temps du vol des ions secondaires entre
lchantillon et le dtecteur. Cette tude est utilise sur le silicium aprs la gravure du mtal
ferromagntique et de loxyde.

- La PCD :

Bigot a tudi linfluence de diffrents contaminants Fer, Nickel, Cobalt sur la dure de vie des
porteurs par la mthode PCD (Microwave Photoconductance Decay). Cette mthode permet de
remonter la dure de vie des porteurs dans le volume du silicium [Duluard thse_2007]. Il a t
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montr que la dure de vie diminue trs fortement en prsence du fer comme contaminant (elle
passe de quelques 100 s sans contamination quelques s avec une contamination initiale en
surface de 10
12
at. /cm
2
). Il a t observ aussi que linfluence dautres contaminants cobalt et
nickel est plus faible que dans le cas du fer (la dure de vie de porteurs minoritaires passe de
quelques 100s sans contamination 50s avec une contamination initiale en surface de 10
13
at.
/cm
2
).

- La mthode C(t) :

La mthode C(t) permet aussi de dterminer la dure de vie des porteurs minoritaires en surface
du silicium. Cette technique a t employe dans notre tude o on a pu dmontrer leffet sur la
dure de vie des porteurs, de la diffusion des mtaux ferromagntiques et plus prcisment le
Nickel et le Fer dans le silicium par la comparaison entre les deux structures mtal
ferromagntique/SiO
2
/Si et Al/SiO
2
/Si. Cette mthode sera dcrite en dtail dans le chapitre II.

6.2. La diffusion des atomes magntiques : contamination de la barrire:

Comme expliqu prcdemment, linjection des lectrons polariss en spin se fait partir du
mtal ferromagntique vers la bande de conduction du silicium dop p. Afin de conserver le spin
lors du passage des lectrons travers la barrire tunnel, une injection de type tunnel direct est
ncessaire. Or, la prsence des dfauts dans la barrire peut modifier les mcanismes de transport.
En effet, des mcanismes du transport via les dfauts peuvent exister. Ces mcanismes peuvent
entrainer la perte de lorientation du spin des lectrons (figure 31).

Figure 31 : Effet des dfauts sur les mcanismes du transport linjection

En effet, il a t montr que la prsence des impurets et des dfauts localiss dans la barrire
dune jonction tunnel (jonction Ni/NiO/Co) introduit des canaux assists par les impurets
conduisant mme linversion du signe de la magntorsistance tunnel TMR [Tsymbal 2003].
Cela confirme bien leffet nfaste des dfauts dans la barrire sur la polarisation du spin.
Les mcanismes du transport travers la barrire tunnel seront tudis en dtail dans le chapitre
III.
A la collection, les lectrons polariss en spin passent depuis le substrat du silicium vers le mtal
ferromagntique. Ces lectrons peuvent tre pigs linterface barrire silicium/isolant par les
tats dinterface (figure 32) pendant une dure qui peut excder la dure de vie du spin, ce qui
entraine la dpolarisation du spin.
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Figure 32 : Effet des tats dinterface sur la polarisation du spin la collection

De plus, les dfauts linterface sont connus pour avoir un rle nfaste sur la polarisation du
spin, la TMR [Schuhl 2005]. En effet, la prsence des impurets cre des canaux de conduction
additionnels.
La caractrisation de linterface barrire tunnel/silicium sera tudie dans le chapitre II.

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Chapitre 2 : Etude des proprits
lectriques de la structure
mtal ferromagntique/isolant/silicium

On a vu dans le chapitre I quune condition ncessaire linjection de spins dans le silicium
partir dune source dlectrons polariss (une lectrode ferromagntique) est la maitrise des
mcanismes de transport linterface ferromagntique/silicium. En effet, les diodes tunnel
ferromagntique/isolant/silicium qui peuvent tre utilises comme injecteurs et collecteurs
dlectrons polariss en spin doivent permettre un transport balistique dlectrons sans faire
intervenir les dfauts ni dans la barrire tunnel ni linterface entre celle-ci et le silicium. De
plus, la proximit de llectrode ferromagntique et du silicium ne doit pas introduire des dfauts
qui peuvent risquer dentrainer une forte dgradation de la dure de vie dlectrons polariss en
spin.
Dans ce chapitre, une tude approfondie de la caractrisation de ces structures sera prsente,
notamment de linterface isolant/silicium vu son rle fondamental dans le transport dlectrons
entre le ferromagntique et le silicium. Dans la premire partie, une description thorique de ces
structures ainsi que les diffrentes mthodes de caractrisation seront donnes. Par la suite, les
rsultats exprimentaux obtenus sur des structures oxyde de silicium mince ddies ltude de
leffet de la grille ferromagntique seront prsents. Les rsultats sur des structures oxyde de
silicium ou oxyde daluminium ultra mince vont tre dtaills en troisime partie. Lobjectif est
dtudier les caractristiques de transport en fonction de la nature de la barrire (silice ou
alumine) et en fonction de diffrents traitements de ces dernires, comme par exemple le recuit.

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I. Introduction la thorie des condensateurs MOS :

Ltude que nous avons mene est base sur lanalyse des caractristiques lectriques des
structures FM/I/S assimilables une structure MOS (Mtal/Oxyde/Semi-conducteur).
Dans cette partie, on dcrit la thorie de la structure MOS qui permet danalyser et de
comprendre les diffrents rsultats obtenus. Pour des raisons de simplification, nous
commencerons par tudier un condensateur MOS parfait.

1. Condensateur parfait:

Un condensateur MOS parfait est un condensateur dont loxyde ne prsente aucune charge
lectrique et linterface ne prsente aucun pige [Mathieu1998]. Son circuit quivalent se rduit
deux capacits en srie ; la capacit de loxyde Cox et de la capacit du semi-conducteur Cs
(figure1-a). La figure 1-b prsente le diagramme de bande dune structure MOS parfaite avant
contact :

Figure 1: (a) Circuit quivalent de la capacit MOS (b) Diagramme de bandes dune structure
MOS parfaite (avant contact)

Les deux niveaux de fermi dans le mtal et dans le semi-conducteur salignent lors de la mise en
contact de deux matriaux. Il apparat alors une courbure de bande dnergie la surface du semi-
conducteur qui reflte une diffrence entre la surface et le volume du semi-conducteur. Cette
diffrence de potentiel est note (x). Il apparat galement une diffrence de potentiel dans
loxyde, note V
ox
. La zone de courbure de bande la surface du semi-conducteur contient une
charge despace stendant sur une distance appele profondeur ou largeur de zone de charge
despace. Lapplication dune polarisation sur la grille entraine une modification de la diffrence
de potentiel dans loxyde et de la courbure des bandes dans le semi-conducteur. Ajoutons que le
potentiel de surface du semi-conducteur (par rapport son volume) est not
s
(figure 2).
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Figure 2: Diagramme de bandes dune structure MOS parfaite en condition dapplication
dune polarisation positive

On dfinit la tension des bandes plates
fb
V prsente dans la figure 1-b par la diffrence entre les
potentiels de sortie du mtal et du semi-conducteur :
s m ms
= =
fb
V dans le cas dune
structure parfaite. Lapplication de cette tension
fb
V permet davoir la condition des bandes plates
prsente dans la figure 1-b.
Le niveau de fermi dans le volume du semi-conducteur est dfini par rapport Ei, le niveau
intrinsque, par le potentiel de Fermi
f
suivant lexpression :

f i f
q E E . = (1)
Dans le cas o lapproximation de Boltzmann est valable et pour des dopages (semi-conducteur
type p) Na modrs,
f
est donne par lexpression suivante:
) ln( .
i
a
f
n
N
q
kT
=
(2)
Lapplication dune diffrence de potentiel extrieure (Vg) entraine une modification de la charge
de la zone de charge despace, et donc de la capacit du semi-conducteur. La capacit de la
structure est donc fonction de la polarisation applique et elle est dcrite par la caractristique
C(Vg).
La caractristique C(Vg) de la capacit MOS prsente trois rgimes en plus du rgime des bandes
plates. Ces rgimes sont : laccumulation, la dpltion et linversion.
Une brve description des rgimes de polarisation est donne dans le cas dun substrat de type P.
Un raisonnement analogue peut tre men dans le cas dun substrat de type N :

- Laccumulation (figure 3(a)):
Lapplication dune tension ngative (Vg<
fb
V ) entraine la courbure des bandes dnergie vers le
haut. Les porteurs majoritaires (les trous) sont attirs vers la grille et saccumulent linterface
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oxyde/Semi-conducteur, do le terme accumulation. La capacit mesure se rduit celle de
loxyde tant donn que celle du semi-conducteur devient trs grande.

- les bandes plates (figure 3(b) :

Aucune charge napparat et les bandes restent horizontales. Ce rgime est dit bandes plates .
Pour tre dans ce rgime, il faut appliquer une tension V
fb
quon appelle tension des bandes
plates.

- La dpltion (figure 3(c)) :
Pour Vg>
fb
V , les porteurs majoritaires (les trous) sont repousss de linterface vers le volume.
Les bandes se courbent vers le bas et une zone ngative de charge despace (ZCE) due la
prsence des atomes dopants ioniss et non compenss, se forme prs de linterface ce qui
introduit une capacit Cs en srie avec la capacit doxyde.

- Linversion (figure 3(d)) :
Pour Vg>>
fb
V , les bandes se courbent de plus en plus vers le bas. Les porteurs minoritaires (les
lectrons) sont attirs vers linterface. Le rgime dinversion est tabli lorsque la densit des
lectrons linterface dpasse celle de trous en surface (inversion faible) puis celle de trous dans
le volume (forte inversion).
La valeur de la capacit dans ce dernier rgime dpend de la frquence de mesure:

- Haute frquence (f >kHz): la charge ngative attribue aux lectrons
(porteurs minoritaires dans substrat P) ne peut pas suivre les variations de la tension Vg. La
capacit totale correspond lassociation en srie de la capacit doxyde et celle du substrat qui
correspond la largeur maximum de la zone de charge despace.

- Basse frquence (f~Hz): les lectrons de la couche dinversion qui sapparente une
couche mtallique suivent le signal. La capacit totale correspond celle de loxyde.

Un autre rgime peut apparatre dans la caractristique C(Vg) : la dpltion profonde. Ce rgime
est un rgime hors quilibre.
En effet, en condition dinversion, la charge de la ZCE est due celle des ions fixes et la couche
dinversion. En dpltion profonde, la couche dinversion (les lectrons) na pas le temps de se
former et la ZCE stend au del de la largeur maximale de la zone de dpltion qui correspond
au seuil de lapparition de la couche dinversion: la capacit totale dcroit avec la tension.

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Figure 3: Les rgimes de fonctionnement d'une capacit MOS (a) Accumulation
(b) Bandes plates (c) Dpltion (d) Inversion

La figure 4 reprsente lallure de la caractristique C(Vg) pour les diffrentes conditions de
mesure : basse frquence (a), haute frquence (b) et en condition de dpltion (dsertion)
profonde (c).V
T
est la tension de seuil dapparition de linversion.

Figure 4: Caractristique C(Vg) de la capacit MOS (a) basse frquence (b) haute
frquence(c) en condition de dpltion profonde
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2. Structure MOS relle:

Dans le cas rel, la structure MOS peut contenir diffrents types de charges soit dans loxyde soit
linterface [Kanoun thse_2004]. Ces charges peuvent tre soit des charges fixes, des charges
mobiles localises dans loxyde ou des charges dinterface localises linterface oxyde/semi-
conducteur.
Ces diffrents types de charges influencent la structure MOS et induisent des modifications de la
caractristique C(Vg) par rapport au cas prcdent.

2.1. Les diffrentes charges dans loxyde :

On distingue quatre types de charges [Deal1980]: la charge fixe, la charge pige, la charge
mobile ionique et la charge des tats dinterface (figure 5).

Na
+

K
+

METAL
SiO
2

Si
+ + + + + + + +
+
+ + +
- - -
Charges mobiles
Charges piges
dans loxyde
Charges fixes
Charges piges
linterface

Figure 5 : Les diffrents types des charges dans loxyde

2.1.1. La charge fixe :

La charge fixe est une charge localise trs prs des interfaces oxyde/semi-conducteur et
oxyde/grille. Cette charge est attribue un excs de silicium dans loxyde qui persiste la fin du
processus doxydation [Klau1989]. La prsence dune charge fixe linterface oxyde/semi-
conducteur induit la surface du semi-conducteur une charge image oppose qui modifie le
potentiel de surface du semi-conducteur, la tension de seuil et la tension des bandes plates du
dispositif. La prsence des charges fixes fait translater la courbe C(Vg) selon laxe des tensions
dune valeur :

=
ox
t
0 ox
f
fb1
dx x (x)
V (3)
O
f
prsente la densit volumique de charges fixes dans loxyde et x leurs positions par rapport
linterface. On constate partir de cette quation, que dans le cas o les charges fixes sont
positives, la courbe est dcale vers les tensions ngatives et dans le cas o les charges fixes sont
ngatives elle est dcale vers les tensions positives.
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2.1.2. La charge pige :

Dans ce cas, la charge, positive ou ngative, est pige par les piges du volume de loxyde. On
peut diminuer la densit de ces charges par dpigeage par lapplication dun stress thermique ou
dun champ lectrique.

2.1.3. La charge mobile ionique :

Les charges mobiles sont dues la contamination de loxyde par des impurets ioniques (mtaux
alcalins : K
+
, Li
+
, Na
+
) introduites lors du processus de fabrication de loxyde. Elles sont
nommes mobiles car elles peuvent migrer dune interface une autre sous leffet dun champ
lectrique ou sous leffet de la temprature.

2.1.4. La charge pige des tats dinterface :

Cette charge est pige par les dfauts linterface oxyde/semi-conducteur (tats dinterface).Ces
tats dinterface ont un rle trs important dans le fonctionnement des dispositifs vu leur
proximit avec le semi-conducteur. Selon la polarisation applique, la nature des tats dinterface
et leur position nergtique (par rapport au niveau du fermi de semi-conducteur), la charge qui
correspond ces tats peut tre positive ou ngative.
En effet, Il existe deux types dtats dinterface : les tats donneurs et les tats accepteurs. Ces
deux types dtats peuvent exister simultanment dans la mme structure. Un tat donneur est
neutre lorsquil a captur un lectron et positif lorsquil est vide alors quun tat accepteur est
charg ngativement lorsquil a captur un lectron et devient neutre lorsquil a perdu son
lectron. La figure 6 reprsente schmatiquement la charge porte par des tats donneurs (a) ou
accepteurs(b). Le niveau de Fermi en surface E
Fs
dfinit le niveau des piges vides ou remplis
dlectrons :

Figure 6: Les tats d'interface donneurs(a) et accepteurs(b)

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1
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Ces tats dinterface entrainent galement la modification de la tension de bandes plates
fb
V . Ce
dcalage de
fb
V est donn par :
it
Q =
ox
ox
fb2
t
V (4)
O Q
it
est la charge pige linterface. En prsence de ces charges, la pente de la courbe C(Vg)
en rgime de dpltion est modifie. En effet, loccupation des tats dinterfaces varie avec le
potentiel de surface, et par la suite la courbe C(Vg) sera dplace dune valeur qui dpend de la
tension applique (variation du potentiel de surface). La figure 7 montre leffet des tats
dinterface sur la caractristique C(Vg) :

Figure 7: Caractristique C(V) haute frquence
(a) sans tats d'interface
(b) avec tats d'interface

2.2. Caractristiques et classification des dfauts :

Dans la structure MOS, les dfauts introduisent des niveaux dnergie pouvant se situer
lintrieur de la bande interdite de loxyde [Ball89]. On distingue deux types des dfauts :

- Dfauts peu profonds : dans le cas o le porteur est faiblement li au dfaut, le niveau dnergie
associ Et est proche de la bande de conduction Ec dans le cas dun lectron (ou de la bande de
valence Ev dans le cas dun trou). Il sagit dun dfaut peu profond .

- Dfauts profonds : dans le cas o le porteur est fortement li au dfaut, le niveau Et est situ
loin dEc et de Ev mais proche du milieu de la bande interdite. Il sagit dun dfaut profond .

Dans loxyde, les dfauts sont assimilables des puits du potentiel. Ils sont aptes capter des
porteurs et peuvent tre classs en deux types :
- les piges :
Lorsque le dfaut capture un porteur de la bande de conduction (ou de valence) et le rmet
ensuite vers cette mme bande, il est appel un pige. Un pige peut tre accepteur (charg
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ngativement sil est occup par un lectron et neutre sil est vide) ou donneur (neutre sil est
occup par un lectron et charg positivement sil est vide).

- les centres de recombinaison :
Lorsque le dfaut change des porteurs avec les bandes de conduction et de valence, il est
considr comme un centre de recombinaison.

Laptitude dun dfaut capturer un porteur est dcrite par sa section efficace de capture. Elle
dcrit la surface perpendiculaire au flux des porteurs dans laquelle le dfaut peut capturer un
porteur. Elle sexprime donc en unit de surface (en gnral en cm
2
). Les dfauts peuvent tre
aussi classs selon leurs sections efficaces de capture : par exemple dans le cas de la capture dun
lectron, si le dfaut est initialement charg positivement, alors il est attractif coulombien et sa
section efficace de capture est grande (10
-14
cm
2
< 10
-12
cm
2
). Sil est charg ngativement, il
est rpulsif coulombien et sa section de capture est petite (10
-22
cm
2
< 10
-18
cm
2
). Enfin si le
pige est neutre, il peut capturer aussi bien un lectron quun trou, sa section de capture est
moyenne (10
-18
cm
2
< < 10
-14
cm
2
).

II. Proprits des tats dinterface :

Comme dj mentionn, les tats dinterface jouent un rle trs important dans le fonctionnement
des dispositifs lectroniques. Dans notre tude, en plus du rle que peuvent jouer ces piges sur
les mcanismes du transport de porteurs dans la structure FM/I/Si, la capture des lectrons
polariss en spin par les tats dinterface risque dinduire la perte de la polarisation en spin de ces
lectrons si la dure de capture excde la dure de vie de spin. Cest pourquoi une grande partie
de ce chapitre sera consacre ltude des tats dinterface dans les structures MOS avec grille
ferromagntique.

1. Introduction :

Les tats dinterface sont des dfauts localiss linterface oxyde/semi-conducteur. Chaque
dfaut peut occuper un ou plusieurs niveaux nergtiques dans la bande interdite du semi-
conducteur. Ces dfauts peuvent changer des charges avec le semi-conducteur. En particulier, ils
interagissent avec la bande de conduction par la capture ou lmission des lectrons et avec la
bande de valence par la capture ou lmission des trous. En effet, le processus de capture ou
mission se fait lorsque ces tats dinterface changent doccupation.
Le changement dans loccupation des tats dinterface est produit par les changements de la
polarisation applique. La figure 8 montre ces effets dans le cas dune structure MOS avec un
substrat p. Dans la figure 8-a, aucune polarisation nest applique : la courbure de bandes est due
la prsence des tats dinterface chargs et aux autres contributions la tension des bandes
plates. Les tats dinterface au dessous de niveau de fermi sont pleins et ceux au dessus sont
vides. En appliquant une polarisation ngative, le bord de la bande de valence la surface se
dplace vers le niveau de fermi. Les tats dinterface se vident par la capture des porteurs
majoritaires (les trous dans ce cas) jusqu ce que lquilibre stablisse. Dans le cas o la
polarisation est positive, le bord de la bande de conduction la surface se dplace vers le niveau
de fermi et les tats dinterface se remplissent par lmission des porteurs majoritaires jusqu
lquilibre.
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Figure 8 : le diagramme de bande pour une capacit type p (a) sans application dune
polarisation, (b) polarisation ngative, (c) polarisation positive. La partie hachure dsigne les
tats dinterface remplies.
2. Les diffrents types dtats dinterface :

La mise en contact de deux matriaux, le semi-conducteur et loxyde, entraine la cration des
dfauts linterface gnralement en un nombre plus grand que les dfauts dans loxyde.
Dans la littrature, plusieurs auteurs ont identifis dans le SiO
2
des tats dinterface qui sont des
liaisons pendantes nommes centres Pb [Poindexter81], [Gerardi86], [Fleetwood96].En effet,
loxydation thermique de silicium conduit la prsence naturelle des dfauts linterface
SiO
2
/Si. Ils sont identifis par rsonance paramagntique lectronique (RPE). Lapparition de ces
centres Pb dpend de lorientation cristalline de la surface de silicium [Poindexter1981]. En effet,
linterface SiO
2
/ Si (111), la technique RPE a rvl un seul type de dfaut, appel centre Pb,
associ des atomes de silicium Si
3
Si [Caplan1979] [Brower1983] [Van Gorp1992]
[Stesmans1993]. Par contre, linterface SiO
2
/ Si (100), la RPE a diffrenci deux types de
dfauts nomms Pb
0
et Pb
1
[Poindexter1981]. Comme les centres Pb, les centres Pb
0
sont
identifis comme des liaisons pendantes Si
3
Si alors que les centres Pb
1
sont identifis comme
des liaisons Si
2
OSi (voir figure 9-a). Ce type de dfaut peut tre donneur ou accepteur situ
respectivement dans la moiti basse et haute de la bande interdite [Uren96]. La figure 9-b rsume
les liaisons chimiques les plus probables linterface Si/SiO
2
[Saku1981].
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Figure 9 : (a) Les centres Pb linterface Si/SiO
2
[Poindexter1981] (b) Liaisons chimique
linterface Si/SiO
2
[Saku1981] (1) surface libre Si (2) interface parfaite (3) liaison Si3Si
pendante (4) liaison Si-Si faible (5) liaison Si-O faible (6) impuret linterface

3. Densit des tats dinterface :

Les tats dinterface peuvent tre estims en mesurant leurs densits notes Dit ou Nss. Cette
densit dcrit le nombre de dfauts linterface lectriquement actifs par unit de surface et
dnergie (eV
-1
cm
-2
). La densit dtats dinterface indique souvent la qualit de la technologie
utilise. En effet, pour une surface de bonne qualit, les valeurs de Dit extraites sont denviron
quelques 10
9
-10
10
eV
-1
cm
-2
[White 1972] [Autran1993] alors que pour des interfaces de mauvaise
qualit on arrive jusqu quelques 10
13
eV
-1
cm
-2
[Kanoun 2007] [Poindexter 1984].

4. Distribution nergtique :

Vu le grand nombre des liaisons distordues et pendantes linterface, les tats dinterface
introduisent un continuum de niveaux dnergie dans la bande interdite du semi-conducteur
[Sakurai 1981]. Dans la littrature, plusieurs auteurs ont obtenu un profil nergtique en forme de
U [kanoun 2007] [Schroder 2005] [White 1972] (figure 10). Ils ont montr que la densit dtats
dinterface obtenue varie assez rapidement de part et dautre du centre de la bande interdite ce qui
donne un profil en forme de U. En calculant les niveaux dnergie associs aux diffrentes
liaisons chimiques possibles, Sakurai et al. ont montr que la forme en U du profil Dit(E), peut
sexpliquer par une distribution des longueurs et des angles des liaisons faibles Si-Si et Si-O
[Saku81].
Par contre, Autran et al ont montr des profils en nergie plus plats [Autran1993]. La figure 11
montre un profil obtenu par mthode capacitive quasi statique. Aggarwal et al ont obtenu aussi
par la mthode capacitive un profil en nergie plus plat [Aggarwal1984].
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Figure 10 : Spectre de la densit des tats
dinterface en fonction de lnergie dans la
bande interdite de silicium (a )(111)Si/SiO
2
(b)(100)Si/SiO
2
[Schroder2005]
Figure 11: Spectre de la densit des tats
dinterface en fonction de lnergie dans la
bande interdite de silicium en interface avec le
SiO
2
mesure par mthode capacitive quasi
statique. [Autran1993]

Le spectre Dit(E) peut prsenter des pics de part et dautre du milieu de la bande interdite
[Poindexter1984] [Johnson1983]. La figure 12 donne lexemple dun spectre Dit(E) pour un
substrat type p et type n o on observe un pic. Ces pics sont attribus aux centres Pb [Nish1971].

Figure12 : La distribution des tats dinterface mesure par DLTS en courant sur un oxyde
SiO
2
non recuit [Johnson1983]
5. Probabilit doccupation dun pige, charge et capacit des tats dinterface en rgime
statique et permanent:
5.1. Probabilit doccupation dun pige :

Parmi les proprits des tats dinterface qui permettent de comprendre leur fonctionnement est
leur probabilit doccupation [Garros 2004]. Considrons un tat dinterface situ lnergie Et.
La figure 13 prsente le diagramme de bandes linterface oxyde/Si. On dfinit lnergie de la
bande de conduction Ec, lnergie de la bande de valence Ev, le niveau de fermi E
F
, le niveau
intrinsque Ei, lnergie du pige la surface par les termes E
cs
, E
vs
, E
Fs
, E
is
, E
ts
respectivement.

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1
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Figure 13 : Diagramme de bandes linterface oxyde/Si

En dfinissant lorigine dnergie par 0 E
is
= , la probabilit doccupation dun pige dnergie E
ts

par un lectron en rgime statique obit une distribution Fermi-Dirac et scrit sous la forme :
)) E E ( exp( 1
1
) E ( f
Fs ts
ts 0
+
= (5)
O
kT
1
=
Etant donn que tous les piges situs au dessous du niveau de Fermi E
Fs
sont remplis et ceux
situs au-dessus de E
Fs
sont vides, la probabilit doccupation est approxime par :

1 ) E ( f
ts 0
= si
Fs ts
E E <
0 ) E ( f
ts 0
= si
Fs ts
E E > (6)

5.2. Charge et capacit des tats dinterface en rgime statique :

Soient Dit
d
(E
ts
) et Dit
a
(E
ts
) les densits dtats dinterface respectivement pour les tats donneurs
et accepteurs. Les charges Q
it
d
des tats donneurs et Q
it
a
des tats accepteurs en fonction de
potentiel de surface
s
sont calcules en intgrant la distribution Dit(E
ts
) respectivement pour les
tats donneurs et les tats accepteurs du niveau de la bande de valence en surface E
vs
au niveau de
la bande de conduction en surface E
cs
. Elles sont donnes par les quations suivantes :
+ =
cs
vs
E
E
ts ts
d
ts s
d
it
dE E Dit E f q Q ) ( )) ( 1 ( ) (
0
(7)

=
cs
vs
E
E
ts ts
a
ts s
a
it
dE E Dit E f q Q ) ( ) ( ) (
0
(8)
En remplaant f
0
par son expression simplifie, on obtient :

+ = + =
2 /
) (
) ( ) ( ) (
g
f s
cs
Fs
E
q
ts ts
d
E
E
ts ts
d
s
d
it
dE E Dit q dE E Dit q Q

(9)
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2
0
1
0
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= =
) (
2 /
) ( ) ( ) (
f s
g
Fs
Vs
q
E
ts ts
a
E
E
ts ts
a
s
a
it

(10)
En utilisant la relation :
s f is i i F is F Fs
q q E E E E E E E + = + = =

La charge totale Q
it
est donc la somme de deux charges Q
it
d
et Q
it
a
:

) ( Q ) ( Q ) ( Q
s
a
it s
d
it s it
+ = (11)

=
) (
2 /
2 /
) (
) ( ) ( ) (
f s
g
g
f s
q
E
ts ts
a
E
q
ts ts
d
s it

(12)

La capacit des tats dinterface est dfinie par [Nicollian 1982] :
s
s it
s
d
) ( dQ
) ( Cit
= (13)
Cette capacit prsentant les tats dinterface vient sajouter en parallle avec la capacit Cs dans
le schma quivalent de la figure 1. En prsence de Cit, la capacit totale de la structure MOS
scrit :
) ( ) (
1 1
) (
1
s s SC ox
Cit C C Vg C +
+ = (14)
Avec Vg la tension applique qui scrit en fonction du potentiel de surface, de la diffrence des
potentiels de sortie du mtal et du semi-conducteur (
SC M
), des charges dans loxyde (Q
eq
),
linterface (Q
it
) et dans la zone de charge despace ( ) (
s SC
Q ):
ox
s it eq s SC
SC M s
C
Q Q Q
Vg
) ( ) (

+ +
+ = (15)
Q
eq
, la charge quivalente dans loxyde vue de linterface Si/SiO
2
, est donn par la relation
suivante :
=
ox
T
eq
dx x n q Q
0
). (
avec n(x) la densit de charges dans loxyde.
Q
sc
est obtenue par lapplication de la loi de Gauss dans le semi-conducteur et donne par la
relation :
0
. ) (
=
(
= =
x
s s s s sc
dx
d
E Q

avec E
s
le champ lectrique rgnant linterface Si/SiO
2
.
En posant
s
=0 dans lexpression de Vg, la tension des bandes plates scrit sous la forme:
ox
s it eq
SC M fb
C
Q Q
V
) 0 ( = +
=

(16)
Do Vg peut scrire en fonction de V
fb
:
ox
s it s s SC
fb s
C
Q Qit Q
V Vg
) 0 ( ) ( ) ( = +
+ =

(17)
t
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0
0
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1
0
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En rgime statique, le transfert de charges entre les piges et les bandes du silicium seffectue en
quilibre thermodynamique. Cela correspond une mesure trs basse frquence de la
caractristique C(Vg).

5.3. Charge et capacit des tats dinterface en rgime permanent :

En rgime permanent alternatif (AC), pour calculer la probabilit doccupation des tats
dinterface dpendante de temps, le modle SRH (Schockley-Read-Hall) est utilis
[Schockley52]. Cette probabilit est dcrite par une quation dynamique du premier ordre :

) 1 .( ) ( . . . ) ( ). 1 .(
) , (
f e t p f c f e t n f c
dt
t E df
p s p n s n
ts
+ = (18)
Avec n
s
(t), p
s
(t) les densits des lectrons et de trous linterface oxyde/silicium et c
n
, e
n
, c
p
, e
p

les coefficients de capture et mission respectivement pour les lectrons et les trous. Masson et al
ont rsolu cette quation pour une capacit MOS avec un dilectrique HfSi
x
O
y
/HfO
2
sur silicium
[Masson2002].
La charge des tats donneurs et des tats accepteurs en rgime permanent sont donnes par les
expressions suivantes :
+ =
cs
vs
E
E
ts ts
d
ts s
d
it
dE E Dit E f q t Q ) ( )) ( 1 ( )) ( ( (19)
=
cs
vs
E
E
ts ts
a
ts s
a
it
dE E Dit E f q t Q ) ( ) ( )) ( ( (23)
La charge totale est donc :

)) ( ( )) ( ( )) ( ( t Q t Q t Q
s
a
it s
d
it s it
+ = (24)

La capacit des tats dinterfaces lorsque le rgime stationnaire est tablie est donne par :
s
s it
s
d
dQ
Cit
) (
) ( = (25)
En rgime permanent ou alternatif, la capacit C
it
dpend de la frquence du petit signal AC de
mesure qui se superpose la polarisation continue Vg. Pour les hautes frquences, les tats
dinterface nont pas le temps de rpondre : la capacit Cit tend vers 0 alors que pour les basses
frquences la capacit Cit est plus grande. En tenant compte de cette capacit Cit, le schma
quivalent de la capacit MOS sera celui de la figure 14 :
t
e
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0
0
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,

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0
1
0
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Figure 14 : Schma quivalent de la capacit MOS relle
La capacit Cit et par la suite la densit des tats dinterface peuvent tre calcules par diffrentes
techniques dtailles dans la partie qui suit.

6. Dtermination des tats dinterface :

6.1. A partir des caractristiques C(Vg):

Pour les mthodes capacitives danalyse de la densit dtats dinterface, deux approches sont
souvent adoptes [Nicollian1982] :

- la comparaison entre la capacit mesure haute frquence et la capacit thorique :
mthode de TERMAN ou encore la comparaison entre la capacit basse frquence et la
capacit thorique : mthode de BERGLUND.
- la comparaison entre la capacit mesure haute frquence et la capacit mesure basse
frquence : mthode de Castagn et Vapaille.

Les mesures capacitives permettent de mettre en vidence la prsence des tats dinterface par :

- La dformation (stretchout) de la courbe C(Vg) selon la tension Vg applique sur la capacit
- La contribution capacitive des tats dinterface dans la capacit totale

6.1.1. Leffet de Stretching sur la C(Vg) due aux tats dinterface:

Loccupation des tats dinterface varie avec la tension Vg applique ce qui dforme la courbe
C(Vg) [Nicollian 1982]. Afin dtudier de prs cette dformation, nous comparons la courbure
des bandes de deux capacits avec et sans tats dinterface lorsque la charge de grille change
dune quantit dQg.
Commenons par la capacit sans tats dinterface : la neutralit lectrique globale de la structure
exige que le changement dans la charge de grille soit quilibr par un changement de charge la
surface de silicium dQ
s
. Ainsi, lquation de neutralit lectrique scrit :

dQg+dQ
s
=0 (26)

Par consquent, la modification de la courbure de bande permet dassurer cet quilibre.
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0
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Dans le cas de la structure avec des tats dinterface, la charge de ces tats varie avec Vg. Donc,
un changement dQg entraine aussi un changement de la charge de ces tats, dQ
it
.
Lquation de neutralit devient alors :

dQg+dQ
it
+dQs=0 (27)

Vu que les tats dinterface ajoutent une charge additionnelle, le changement dans dQ
s
sera plus
faible. Donc, le changement dans la courbure de bandes est plus faible dans le cas de la capacit
avec des tats dinterface. Par consquent, dans ce cas pour amener la capacit de laccumulation
vers linversion, une plus large gamme de variation de la charge de grille est ncessaire. Or, la
charge de grille est lie la tension de grille Vg par la relation dQg= C. dVg, donc une plus large
amplitude de Vg est ncessaire dans le cas de la capacit avec les tats dinterface. Cest la raison
pour la quelle, la courbe C(Vg) se trouve tire le long de laxe de polarisation Vg dans le cas
dune structure MOS avec tats dinterface. Cet effet est communment appel stretching . On
peut tudier qualitativement le stretching par la loi de Gauss :

) ( ) ( ) .(
s s s it s ox
Q Q Vg C = (28)
Pour une variation infinitsimale dVg, lquation (28) donne une variation
s
d selon lquation
(29):

[ ]
s s s s ox ox
d C Cit C dVg C ) ( ) ( . + + = (29)
Avec
s
s it
s
d
dQ
Cit
) (
) ( = et
s
s
s s
d
dQ
C
= ) ( sont respectivement la capacit des tats

dinterface et la capacit de semi-conducteur par unit de surface.
A partir de lquation (29), nous observons quune variation dVg entraine une variation de la
courbure de bande plus faible quand Cit nest pas nulle (prsence dtats dinterface). Donc,
lquation (29) traduit bien de faon qualitative le stretching de la courbe C(Vg).

6.1.2. La contribution capacitive des tats dinterface :

Comme nous lavons dj voqu dans le paragraphe prcdent, dans une capacit MOS idale,
le principe de la neutralit lectrique fait que la variation de la charge de la grille dQg est
compense par une variation de la charge dans le semi-conducteur dQ
s
. Lquation de la
neutralit est donne par lquation (26).
Dans le cas o la structure prsente des tats dinterface, nous devons prendre en considration le
changement de la charge dQ
it
. La neutralit lectrique est alors donne par lquation (27).
La valeur de la capacit totale dune structure MOS est donne par lquation (30):

dVg
dQg
C = (30)
En rgime statique (basse frquence), o les tats dinterface ont le temps de suivre la
variation de Vg, la charge totale par unit de surface est donne par :

Qg = -(Q
s
+Q
it
) (31)
t
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0
0
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0
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Nous avons vu que la capacit des tats dinterface est dfinie par :
s
s it
s
d
dQ
Cit
) (
) ( = (32)
A basse frquence, la capacit correspondante
lf
C , scrit en fonction de la capacit doxyde, la
capacit des tats dinterface et la capacit du semi-conducteur et laide de lquation (29):
dVg. .
dQg
C
lf
s
s
d
d

=
) .(
C
ox
Cit C
C Cit C
s
s ox
+
+ +
= (33)

Lquation (33) correspond au schma lectrique quivalent de la figure (14) et justifie donc
lutilisation de ce schma dans le cas dune structure MOS avec tats dinterface en rgime
statique.

6.1.3. Mthode de la capacit haute frquence:

Terman a dvelopp la mthode haute frquence pour dterminer la capacit des tats dinterface
[Nicollian1982]. Dans cette mthode, la capacit est mesure hautes frquences en fonction de
la polarisation Vg de la grille. A ces frquences, la charge des tats dinterface ne peut pas suivre
le signal alternatif. La caractristique capacit-tension (C(Vg)) ainsi obtenue est compare une
caractristique thorique dune structure sans tats dinterface.
En effet, bien que la charge des tats dinterface ne puisse pas suivre la composante alternative
(AC) de Vg dans les mesures des capacits hautes frquences, cette charge suit les variations de
Vg lorsque la capacit de la structure MOS est varie de laccumulation vers linversion. Ces
tats najoutent aucune capacit mais entrainent la dformation de la courbe C(Vg) (effet
stretching). En effet, comme la charge pige Q
it
varie avec le potentiel de surface
s
, la
caractristique C(Vg) sera plus ou moins translate en fonction de la polarisation Vg.
Pour les mesures hautes frquences, la capacit quivalente de la structure est donne par :

ox s
ox s
hf
C C
C C
C
+
=
.
(34)
Cette expression correspond la capacit quivalente du schma de la figure 1. Ce circuit ne
contient pas explicitement des informations sur les tats dinterface. Cependant, Cs varie avec le
potentiel de surface
s
qui est lui-mme fonction de la charge des Dit. Donc la capacit C
hf

mesure est la mme que la capacit dune structure parfaite pour
s
donn. Connaissant
s

correspondant une valeur C
hf
de la C(Vg) parfaite nous permet davoir la tension Vg qui
correspond la mme valeur C
hf
de la courbe C(Vg) relle comme le montre La figure 15 :
t
e
l
-
0
0
5
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4
3
9
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,

v
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s
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1
0
68

Figure 15 : La caractristique C
hf
(
s
) thorique
(a) en comparaison avec C
hf
(Vg) pour une
structure MOS avec Dit=10
12
cm
-2
eV
-1
(b)
[Nicollian1982]
Figure 16 : la courbe ) (Vg
s
en prsence et
en absence dtats dinterface
[Nicollian1982]
Cela permet de tracer ) (Vg
s
pour la structure relle (avec les tats dinterface). Ainsi, la
relation ) (Vg
s
contient toutes les informations sur ces tats pour les mesures capacitives haute
frquence. La figure 16 montre pour le mme exemple que les tats dinterface entrainent un
tirement (stretching) de la courbe ) (Vg
s
le long de laxe Vg. Ltirement (stretching) mesur
par
dVg
d
s
permet de dterminer la densit des tats dinterface Dit.

dVg
d
s
est dtermin par une drivation numrique ou graphique de la relation ) (Vg

s
. La
capacit des tats dinterface ) (
s it
C est alors dtermine partir de lquation (35) qui dcoule
de lquation (29):

) ( 1 . ) (
1
s s
s
ox s
C
dVg
d
C Cit

(
(
|
|
\
|
=
(35)

Une fois Cit dtermine partir de cette quation, la densit des tats dinterface Dit est calcule
partir de la relation :

) ( . ) (
s s
Dit q Cit = (36)

O q est la charge de llectron.

t
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1
0
69
6.1.4. Mthode de la capacit basse frquence:

La mthode basse frquence a t dveloppe et utilise pour la premire fois par Berglund
[Nicollian1982]. La capacit est mesure en fonction de la polarisation Vg de la grille une basse
frquence fixe, ce qui fait que les tats dinterface rpondent immdiatement au signal AC et
ajoutent une capacit Cit la capacit mesure tout en dformant la courbe C(Vg) comme dans
le cas prcdent.
La capacit basse frquence C
lf
est donne par lexpression :
C
lf
) .(
C
ox
Cit C
C Cit C
s
s ox
+
+ +
= (37)

Do lexpression de Cit dans la relation (38) :

s
ox lf
C
C C
Cit
|
|
\
|
=
1
1 1
(38)
C
ox
est mesur exprimentalement en condition daccumulation forte alors que ) (
s s
C est
calcule laide de son expression thorique [Nicollian1982]. La connaissance de la relation
entre le potentiel de surface
s
et la tension applique Vg est trs importante pour ltude des
structures MOS. Cette relation ) (Vg
s
peut tre dtermine exprimentalement partir de la
courbe C(Vg) basse frquence. Cette mthode a t utilise pour la premire fois par Berglund. A
partir de lquation (35), nous obtenons :
dVg
C Cit C
C
Vg
Vg s ox
ox
s s

+ +
+ =
0
0
(39)
O Vg
0
correspond une tension initiale correspondant
0
s
. Utilisant lquation (37),
lquation (39) devient :
dVg
C Cit C
C Cit
Vg
Vg s ox
s
s s

(
(
+ +
+
+ =
0
0
1 dVg
C
C
Vg
Vg ox
lf
s

(
+ =
0
0
1 (40)
Lintgration de lquation (40) se fait donc sur la capacit basse frquence. La valeur Vg
0
est
arbitraire et donc
0
s
correspondant est inconnu. Pour minimiser lincertitude sur
0
s
, Vg
0
peut
tre choisie en accumulation ou inversion o
s
varie peu en fonction de Vg.

6.1.5. Mthode de la capacit basse frquence Haute frquence:

Castagn et Vapaille ont t les premiers utiliser la combinaison des mesures capacitives hautes
et basses frquences pour accder aux valeurs de Dit [Nicollian1982]. Cette mthode permet de
dterminer la capacit C
s
mesure du semi-conducteur.
En effet, haute frquence, la capacit est donne par lquation (34).
A basse frquence, la capacit est donne par lquation (37).

A partir de lquation (34) on dtermine lexpression de la capacit C
s
. Ceci donne lquation
(41):
t
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1
1 1
|
|
\
|
=
ox hf
s
C C
C (41)

En remplaant C
s
par son expression dans lquation (37) qui correspond la mesure de capacit
basse frquence, on obtient :

s
ox lf
C
C C
Cit
|
|
\
|
=
1
1 1
1
1
1 1 1 1
|
|
\
|

|
|
\
|
=
ox hf ox lf
C C C C
(42)

Lexpression de Cit montre que la capacit des tats dinterface peut tre directement extraite
exprimentalement partir des mesures C(V) haute frquence et basse frquence.
En posant
hf lf
C C C = , la densit des tats dinterface Dit est donne par :

1 1
1 1
1 . 1 . 1
1
1
1

|
|
\
|
|
|
\
| +
=
(
(
(
(
(
|
|
|
|
|
\
|

|
|
|
|
|
\
|
= =
ox
hf
ox
hf
ox
hf
ox
hf
ox
C
C
C
C C
q
C
C
C
C
C
C
C q
Cit
Dit
(43)

Cette mthode est connue sous le nom la mthode C(V)
hf-lf
. Vu la simplicit relative de sa mise
en uvre, cest cette mthode que nous avons utilise dans lanalyse de nos rsultats
exprimentaux exposs dans la suite de ce chapitre.

6.2. Mthode de la conductance:

6.2.1. Introduction :

La mthode de la conductance est propose par Nicollian et Goetzberger en 1967 [Nicollian1982]
[Werner1986] [Hung1987]. Dans la suite et pour simplifier, nous appelons cette mthode la G-
. La G- est la mthode la plus complte pour caractriser les tats dinterface : elle permet de
mesurer la densit des tats dinterface (Dit), la section efficace de capture des porteurs
majoritaires par les tats dinterface et elle donne aussi des informations sur les fluctuations du
potentiel de surface. La technique G- est base sur la mesure de la conductance parallle
quivalente Git dune structure MOS en fonction de la frquence et de la tension Vg applique
la grille. La conductance qui reprsente les pertes dues la capture et lmission des porteurs par
les piges dinterface, est une mesure de la densit des tats dinterface Dit.
Selon la frquence du signal, ces pertes sont plus au moins importantes. En effet, trs basses
frquences, les changes des porteurs entre les piges et les bandes de silicium seffectuent
lquilibre thermodynamique vu que les tats dinterface rpondent rapidement ce petit signal.
Par voie de consquence, on ne constate aucune perte nergtique et la conductance mesure est
donc faible. A hautes frquences, les tats dinterface, nayant pas le temps de suivre le signal,
nchangent pas de porteurs avec les bandes, ce qui limite les pertes et donc la conductance est l
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1
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71
encore faible. Donc, les pertes sont plutt constates pour des frquences intermdiaires (de
quelques Hertz ~1Mhz). La technique de mesure G- et le principe de dtermination des
proprits des tats dinterface sont dcrits dans le paragraphe suivant.

6.2.2. Technique de mesure G-:

La figure 17(4) prsente le schma quivalent de la structure MOS en prenant en compte la
conductance Git et la capacit Cit associes aux tats dinterface. Ce schma est tabli par
Nicollian [Nicollian 1982] en tenant compte des fuites statiques travers loxyde Gt
(conductance tunnel) et la rsistance srie Rs associe au substrat et aux contacts.

Figure 17 : Schma quivalent dune structure MOS prenant en compte
(1) la capacit et la conductance mesures (2) la rsistance srie (3) la conductance tunnel (4)
la conductance et la capacit des tats dinterface [Vogel 2000]

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Afin de dterminer la densit des tats dinterface Dit(E), il faut dterminer leur conductance
Git(E) et ceci partir de la conductance Gm et la capacit Cm mesures par le capacimtre
(figure 17(1)). En effet, on peut transformer limpdance mesure selon le processus dans la
figure 17 [Vogel2000]. En introduisant la rsistance srie Rs, on peut remplacer le schma
quivalent (1) par le schma quivalent (2) tout en dfinissant Cc et Gc comme tant la capacit
et la conductance corriges par rapport Rs. Limpdance mesure peut scrire sous la forme :
jCc Gc
R
jCm Gm
s
+
+
= +
1
1

Avec la pulsation.
A partir de cette galit, on dtermine les expressions de Cm et Gm en fonction de Cc, Gc et Rs.
Cm et Gm sont donnes par les quations (44) et (45) :

2 2 2 2
. . ) 1 . ( Rs Cc w Rs Gc
Cc
Cm
+ +
= (44)
2 2 2 2
2 2 2
. . ) 1 . (
. . ) 1 . .(
Rs Cc w Rs Gc
Rs Cc w Rs Gc Gc
Gm
+ +
+ +
= (45)

On peut extraire aussi les expressions de Cc et Gc donnes par les quations (46) et (47) :
2 2 2 2
. . ) . 1 ( Rs Cm w Rs Gm
Cm
Cc
+
= (46)
1 .
. . .
2
=
Rs Gm
Gm Rs Cc Cm w
Gc (47)
En introduisant la conductance tunnel Gt, on peut passer de schma quivalent (2) au schma (3)
avec Gac la conductance corrige par rapport Gt. Gac est donne par lquation (48) :
Gt
Rs Gm
Gm Rs Cc Cm w
Gt Gc G
ac

= =
1 .
. . .
2
(48)
La conductance statique Gt est donne par une simple drivation dune caractristique Ig(Vg) de
la structure MOS.
Afin de dterminer Rs, la structure MOS est polarise en accumulation car son effet sur
ladmittance mesure une frquence donne est remarquable en accumulation [Nicollian1982].
Le circuit quivalent de la structure en accumulation se rduit la mise en srie de la capacit de
l'oxyde C
ox
et Rs. La rsistance srie est donc la partie relle de l'impdance msure (figure
17(1)) en accumulation. Elle est donne par l'quation (49) [Nicollian1982] :
2 2 2
.
ma ma
ma
C w G
G
Rs
+
= (49)
O Gma et Cma prsentent respectivement la conductance et la capacit mesures en
accumulation.
Le passage du schma (3) au schma (4) fait apparatre Git la conductance des tats dinterface.
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La conductance Git peut donc tre obtenue exprimentalement partir de la capacit mesure Cm
et la conductance mesure Gm aprs correction de la rsistance srie et de la conductance tunnel.
Elle est donne par la relation [Nicollian1982] :
2 2 2
) .(
. .
Cc Cox Gc
G Cox Git
ac
+
=

La conductance Git introduite dans la figure 17-d contient toutes les informations ncessaires
pour dfinir les tats dinterface. Un pige linterface est caractris par sa position nergtique
et sa constante de temps de capture. A une frquence donne caractristique dun pige, les
changes de porteurs avec ce pige sont maximum ce qui veut dire que Git/w prsente un
maximum et donc un pic en frquence. Dautre part, le niveau dnergie (de pige) sond de la
bande interdite dpend de la position du niveau de Fermi et donc de Vg. En consquence, pour
une valeur de frquence fixe, la variation de Vg fait quun pige donn va rpondre au signal et
donc Git prsente aussi un pic en Vg. Lamplitude du pic donne alors la densit des tats
dinterface alors que la tension Vg donne la position nergtique des piges. Dans la mthode de
la conductance, on se place dans le rgime de dpltion, ce qui ne permet de caractriser que la
moiti infrieure de la bande interdite pour un semi-conducteur type p et la moiti suprieure
pour un type n. La conductance en dpltion associe un continuum en nergie dtats
dinterface sexprime par la relation (50) [Nicollian1982] :

(50)

O est la constante du temps du pige dfini par :

1
. exp . . .

(
\
|
=
kT
q
N
s dop th
(51)
avec
th
: vitesse thermique des porteurs (
7
10 cm/s), N
dop
le dopage et la section efficace du
pige .

En traant (Git/) en fonction de la frquence pour chaque polarisation Vg en dpltion (figure
18-a), on dtermine le spectre de Dit en fonction de Vg partir de lquation 50. La relation s
(Vg) permet alors de retracer Dit en fonction de s et par la suite en fonction de lnergie dans
le gap. Comme nous lavons dj mentionn, les piges sont caractriss par une constante de
temps de capture. A partir de cette constante du temps, nous pouvons extraire la section efficace
de capture qui dcrit laptitude du pige capturer des porteurs. A partir de lquation 51, nous
pouvons dterminer partir du trac en log de la courbe (
s
) (figure 18-b) [Nicollian 1965].

( )

) ) ( ln(1
2
(E) Dit q
Git
2
=
t
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Figure 18 : (a) Git/ en fonction de la frquence pour diffrentes tensions Vg appliques
[Hung 1987] (b) Dtermination de la section efficace d'un pige

6.2.3. Fluctuations du potentiel de surface :

Dans le cas dune mauvaise uniformit de la barrire isolante ou dans le cas o il existe des
charges localises linterface, la valeur du potentiel de surface est imprcise [Nicollian 1982].
En effet, une distribution spatiale alatoire ou non uniforme des charges dinterface localises
conduit une distribution spatiale de potentiel de surface le long du plan de linterface
oxyde/silicium. Gnralement, et afin de tenir compte de cette non-uniformit le potentiel est
dcrit par une distribution gaussienne de valeur moyenne
s
et de variance
s
2
:
|
|
\
|
=
2
2
2
2
) (
exp .
2
1
) (
s
s s
s
s
P
(52)
) (
s
P reprsente la probabilit pour que le potentiel de surface soit
s
.
Daprs Nicollian [Nicollian 1982], la valeur moyenne de
Git
est donne par la relation (53) :
s s
d P
Dit
q
Git

). ( ). . 1 ln( .
2
2 2
+ =
+

(53)
O la constante de temps est dfini par : ) exp( .
.
1
, ,
s
D A p n
N C
= (54)
Dans la relation (54), C
n
et C
p
reprsentent les coefficients de probabilit de capture des lectrons
et trous respectivement, N
A
et N
D
les dopages correspondants du substrat. Remplaons ) (
s
P et
par leurs expressions et notons . w = et
s s
= , lquation (53) devient aprs
simplification :
t
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d
qN
w
Git
s
s
ss
)) 2 exp( . 1 ln( ). exp( ).
2
exp(
. 2 . 2
2
2
2
2
+ =

(55)
Comme dans la partie prcdente, lquation (55) est drive afin de dterminer la valeur de
pour laquelle
Git
est maximale, et dterminer ainsi la densit des tats dinterface.

III. Caractrisation lectrique des structures MOS avec grille ferromagntique:

Dans le premier chapitre de ce manuscrit, nous avons vu que linjection de spins dans le silicium
partir dun ferromagntique ncessite lemploi dune structure MOS avec un oxyde tunnel.
Cependant, afin dtudier leffet de la grille ferromagntique sur les caractristiques de ces
structures, ce qui na jamais t tudi auparavant, nous avons commenc par tudier ce type de
structures mais avec un oxyde mince (~7nm dpaisseur). Trois caractristiques lectriques de la
structure MOS grille ferromagntique ont ainsi t tudies ; les tats dinterface (Dit), les
dfauts induits la surface du silicium et lvaluation des dures de vie de porteurs minoritaires
dans le silicium. Pour cela, on a compar deux structures, lune avec grille ferromagntique
(NiFe/SiO
2
(7 nm)/Si) et lautre avec grille en aluminium (Al/SiO
2
(7nm)/Si).

1. Etude des tats dinterface dans une structure MOS grille ferromagntique :

Afin de dterminer la densit des tats dinterface, des mesures C(Vg) haute frquence (1MHz)
et basse frquence (mesure quasi statique) ont t effectues sur des structures MOS avec grille
ferromagntique ou grille aluminium. Nous avons donc appliqu la technique haute frquence-
basse frquence (C(V)
hf-lf
) propose par Castagn et Vapaille. Les figures 19-a et 19-b prsentent
respectivement les caractristiques C(Vg) haute et basse frquence pour les deux structures
grille de NiFe et dAl:

t
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2
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-4 -3 -2 -1 0 1 2 3
1,0x10
-11
2,0x10
-11
3,0x10
-11
4,0x10
-11
5,0x10
-11

C
(
F
)
Vg(V)
C-V HF 1MHz
C-V BF Qusi statique

Figure 19-a: Caractristiques C(Vg) haute frquence et basse frquence
pour une structure grille de NiFe. Epaisseur doxyde de silicium de 7nm. Substrat de
silicium : type p, dopage Na=1.28 10
16
cm
-3
. Surface=1. 10
-8
m
2
.

-6 -4 -2 0 2 4
0,0
1,0x10
-11
2,0x10
-11
3,0x10
-11
4,0x10
-11
5,0x10
-11
6,0x10
-11

C
(
F
)
Vg(V)
C-V HF 1 MHz
C-V BF Quasi statique

Figure 19-b: Caractristiques C(Vg) haute frquence et basse frquence
pour une structure grille dAl. Epaisseur doxyde de silicium de 7nm. Substrat de silicium :
type p, dopage Na= 6.28 10
15
cm
-3
. Surface=1.10
-8
m
2
.

Dans le cas de la structure grille NiFe, on observe une dformation des caractristiques C(Vg)
que ce soit haute frquence ou basse frquence. Par contre, ce phnomne na pas t observ
sur les structures avec la grille dAl. On peut remarquer galement un dcalage entre la C(Vg)
haute frquence et celle basse frquence, uniquement dans le cas de NiFe. La figure 19-a
montre aussi un dcalage vertical plus marqu dans le cas du NiFe, ce qui montre la prsence
dune densit plus importante des tats dinterface qui parviennent suivre le signal AC. Leffet
t
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77
de ces tats dinterface est dajouter une capacit Cit qui sera dautant plus grande que leur
densit est plus leve. Lextraction de la densit des tats dinterface, Dit, a bien confirm ces
observations. La figure 20 prsente la variation de Dit en fonction de lnergie E dans le gap de
silicium pour les deux structures. Nous remarquons bien que la densit des tats dinterface dans
le cas de la grille ferromagntique est nettement plus importante que dans le cas dune grille
daluminium. En effet, il y a par exemple un ordre de grandeur de diffrence entre les deux
spectres Dit prs des deux bandes dnergie. On obtient ainsi une densit dtats de lordre de
10
12
eV
-1
cm
-2
qui est beaucoup plus importante que celle attendue pour une interface Si/SiO
2

ralise avec des procds qui sont ltat de lart de la technologie CMOS. En effet, on sattend
dans ce cas une valeur de Dit de lordre de
2 1 10
. 10

cm eV [White 1972] [Autran1993] tant
donn que les structures tudies sont ralises dans une filire technologique de pointe. Or, dans
le cas de la structure grille NiFe, on a environ deux ordres de grandeur de plus en Dit, ce qui
traduit la prsence dune trs grande densit des dfauts qui sont trs probablement lis la
prsence dune grille NiFe.

Figure 20: Densit dtats dinterface (Dit) en fonction de lnergie dans le gap du silicium
pour les deux structures MOS grilles ferromagntique (NiFe) ou aluminium

La variation de la densit des tats dinterface dans le cas de laluminium prsente un maximum
local environ Ev+0.4eV correspondant lnergie des centres
b
P attribus aux liaisons
pendantes [Gerardi1986]. Un autre maximum est observ environ Ev+0.6eV. Pour le cas de la
structure grille NiFe, on observe deux maximums. Le premier est bien clair et localis proche
de la bande de conduction une nergie Ec-0.3eV. Ce maximum peut tre attribu la diffusion
des atomes du Nickel ou/et Fer. Le second est plus tal et localis proche de la bande de valence
et stendant sur une nergie de 0.4eV. En effet, ce maximum peut tre attribu la prsence de
plusieurs pics rapprochs originaires probablement de la diffusion des atomes magntiques.

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1
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78
2. Etude des dfauts lectriques la surface du silicium dans une structure MOS grille
ferromagntique:

Un autre rsultat peut tre extrait des caractristiques C(Vg). Il sagit de lvolution du profil de
dopage la surface du silicium qui est troitement li aux dfauts lectroniques qui peuvent tre
gnrs par la prsence dune grille ferromagntique. Cest pourquoi, cette tude du profil de
dopage prsente un grand intrt pour notre travail. Rappelons que dans le rgime de dpltion, la
capacit de la structure MOS est donne par :

2
si 0
2 2
. . . .
2
1 1
S N q
V Vg
C C
dop
fb
ox
+ = (56)

La drive de cette quation par rapport Vg donne lexpression du dopage :
(
(
=
Vg
C
S
q
N
dop
2
si 0
) (
. . .
2
(57)
Par ailleurs, lexpression de la capacit de la zone de charge despace Csc en rgime de dpltion
est donne par :
si 0
.
1 1
.
1 W
C C
S
C
ox sc
=
|
|
\
|
= (58)
Do,
|
|
\
|
=
ox
C C
S W
1 1
. . .
si 0
la largeur de la zone de charge despace (59)
Nous voyons donc que W est fonction de la tension applique. Etant donn que W est fonction de
Vg et que lexpression de N
dop
fait intervenir Vg, il ya une relation entre N
dop
et W comme le
montre les relations suivantes :

) (
) (
) (
W h N
Vg g W
Vg f N
dop
dop
=
)
`
=
=

En conclusion, ltude de la capacit en rgime de dpltion fournit un moyen dtudier le profil
de dopage de la surface du silicium.
La figure 21-a prsente une comparaison entre les profils de dopage des deux structures MOS
avec grille ferromagntique ou grille en aluminium. Ces profils ne montrent pas de diffrences
marques. Toutefois, en dilatant lchelle prs de la rgion de linterface (surface du substrat),
nous observons un pic de dopage 1nm de profondeur dans le cas dune grille ferromagntique
(NiFe) (figure 21-b). Ce pic suggre, l encore, la prsence dimpurets supplmentaires qui
peuvent rsulter de la diffusion du Ni et/ou du Fe partir de la grille. Rappelons que le substrat
de silicium et la couche doxyde (SiO
2
) sont au dpart identiques pour les deux structures. La
diffrence observe dans le profil de dopage est bel est bien lie la nature de la grille.
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

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s
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n

1

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8

D
e
c

2
0
1
0
79

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
10
18
10
19
Grille NiFe
Grille Al
D
e
n
s
i
t

a
p
p
a
r
e
n
t
e

(
m
-
3
)
Profondeur dans le silicium (nm)
(a) (b)
Figure 21: Profils de dopage dans le silicium pour deux structures MOS avec grille
ferromagntique ou grille aluminium(a). Zoom sur le profil prs de la surface du silicium(b).
Lorigine des abscisses correspond linterface Si /SiO
2

3. Etude de leffet de la grille ferromagntique sur la dure de vie des porteurs dans le
silicium:

Ltude de la dure de vie des porteurs est un moyen intressant pour connatre limpact de la
grille ferromagntique sur les caractristiques lectriques du silicium dans une structure MOS
grille ferromagntique. Comme prcdemment, ltude est base sur la comparaison des
structures MOS avec grille ferromagntique ou avec aluminium. Il existe plusieurs moyens pour
mesurer la dure de vie de porteurs dans le silicium. Une tude antrieure effectue dans notre
laboratoire a mis en uvre une mesure de la dure de vie de porteurs minoritaires par analyse de
la dcroissance de photoconduction (PCD : PhotoConduction Decay) [Duluard thse_2007].
Cette tude a permis de mettre en vidence une diminution de la dure de vie de porteurs
majoritaires dans le cas dune grille ferromagntique. Cependant, cette mesure donne une dure
de vie moyenne sur tout le volume du substrat et suppose de retirer la grille ferromagntique,
do une certaine difficult lie la prparation du substrat. Dans la prsente tude, nous avons
opt pour une technique danalyse pouvant dune part fournir une mesure de la dure de vie la
surface du silicium, c'est--dire l o la contamination risque dtre maximum. Dautre part,
comme nous le verrons par la suite, cette technique ne ncessite pas de prparation particulire de
lchantillon de test. Nous avons utilis la technique C(t) (tude de lvolution de la capacit en
fonction du temps) dcrite ci-dessous.

3.1. La technique C(t) :

Lune des mthodes permettant de remonter la dure de vie de porteurs minoritaires est la
mthode de ZERBST [Schroder1971] base sur la mesure de la capacit en fonction du temps. La
technique C(t) est base sur la mesure de lvolution de la valeur de la capacit dune structure
MOS au cours du temps lors de la transition dun tat hors quilibre qui est la dpltion profonde
un tat dquilibre correspondant au rgime dinversion (figure 22) [Heiman1967].

t
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0
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0
1
0
80

Figure 22: Caractristique C(Vg) reprsentant leffet dpltion profonde ou rgime
dinversion hors quilibre

La figure 22 reprsente une caractristique C(Vg) faisant apparatre le rgime de dpltion
profonde (figure 22 (c)). Le mcanisme qui assure la transition de la dpltion profonde
linversion (courbe (c) vers courbe (b)) est la gnration des pairs lectron-trou (e-, h+) qui
contribuent ltablissement de la zone dinversion (figure 23-a). La dynamique de cette
transition est directement lie aux diffrents mcanismes qui sont responsables de la gnration
des porteurs. En effet, la gnration de pairs (e-, h+) peut se faire par cinq mcanismes diffrents
qui sont [Tan2000] reprsents schmatiquement sur la figure 23-b. Ces mcanismes sont :

1- Gnration des porteurs dans le volume de la ZCE (zone de charges despace) caractrise
par la dure de vie de gnration
g

2- Gnration latrale la surface de la ZCE caractrise par la vitesse de gnration
surfacique
g
S
3- Gnration sous la grille la surface de la ZCE caractrise par la vitesse de gnration
surfacique g S
'

4- Gnration quasi neutre du volume caractrise par la longueur de diffusion de porteurs
minoritaires
n
L
5- Gnration en surface arrire caractrise par la vitesse de gnration
c
S
t
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0
0
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4
4
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9
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,

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1
0
81

Figure 23 : (a) Relaxation de la zone de dpltion due la gnration de pairs lectron-trou
(b) Les diffrents mcanismes de gnration des porteurs [Tan2000]

Le taux de gnration des charges par unit de surface (G) est la somme de ces diffrentes
contributions :
(60)

Tan et al. a montr que lexpression de G est donne par la relation (61) :

(61)

O
S
A = r . . 2 la surface latrale de la ZCE (dans le cas dune grille circulaire de rayon r). Par
ailleurs,
G
A =
2
.r reprsente la surface de la grille.
La mesure C(t) est une extraction des proprits de la zone de charge despace (ZCE). En effet,
les deux derniers termes de lexpression (61) peuvent tre ngligs temprature ambiante car
ils reprsentent la gnration des porteurs dans le volume du substrat. En ne considrant que les
deux premiers termes, lexpression du courant dans la zone de charge despace
scr
I sera donne
par :

(62)

Avec
eff g,
la dure de vie effective des porteurs:

(63)

O la dure de vie de gnration surfacique latrale.

) 5 ( ) 4 ( ) 3 ( ) 2 ( ) 1 ( G G G G G G + + + + =
'
2
'
.
. .
. .
. . .
. .
n A
n i
g i
G
S g i
g
i
L N
D n q
S n q
A
A S n q
W n q
G + + + =
eff g
G i
s g i
g
G i
scr
A W n q
A S n q
A W n q
I
,
. . .
. . .
. . .

= + =
1
,
1 1

|
|
\
|
+ =
s g
eff g

g
s
S
r
. 2
=
t
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0
0
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4
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0
1
0
82
Les deux grandeurs dterminer sont donc
g
et
g
S .Cest la mthode de Zerbst [Schroder1971]
qui permet de le faire. Cette mthode consiste appliquer une impulsion de tension sur la grille
de la capacit MOS. Cette impulsion de tension permet un basculement rapide du rgime
daccumulation vers le rgime de dpltion profonde. Ceci met la ZCE dans un tat hors
quilibre thermodynamique. La structure retrouve lquilibre (linversion) au bout dun certain
temps T grce la gnration des porteurs minoritaires. La figure 24-a illustre lvolution de la
capacit en fonction du temps qui accompagne lapplication dun crneau de tension. On observe
que la capacit de la structure volue dune valeur initiale t = t
1
, celle de la capacit en
dpltion profonde, une valeur finale Cf t=t
2
, celle de la capacit en inversion (rgime
dquilibre). Les donnes obtenues lors de la mesure C (t) peuvent tre converties en trac de
Zerbst. Dans ses travaux, Zerbst a dmontr que la drive par rapport au temps du carr de
linverse de la capacit est donne par [Schroder1971]:

(64)

o
A
N reprsente le dopage du substrat. Il est donc vident que si nous
traons
|
|
\
|
=
|
\
|
1
C
Cf
dt
C
C
d
2
ox
f , appel trac de Zerbst, nous pouvons remonter
eff g,
ainsi
qu
g
S respectivement partir de la pente et de lordonne lorigine de la partie linaire du
trac de Zerbst (voir figure 24-b).

Figure 24 : (a)Principe de la mthode de Zerbst (b) Exemple de trac de Zerbst pour un
ensemble dchantillons prsentant diffrentes dures de vie [Tan2000]

3.2. Rsultats et discussion :

Les figures 25-a et 25b montrent les courbes C(Vg) de deux structures mesures grille
daluminium et de NiFe respectivement. La courbe relative la structure grille NiFe prsente
A ox si
g i ox
A eff g,
ox i
2
ox
.N .t
.S .n 2.
1
C
Cf
.Cf .N
.C 2.n
dt
C
C
d
+
|
|
\
|
=
|
\
|
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1
0
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une dformation non observe pour lautre structure. Comme dj indiqu, cette dformation est
probablement lie la prsence des dfauts dinterface dans la structure grille NiFe.

Figure 25: Caractristique C(Vg) (a) de la structure grille Al avec une surface S=1.104
-6
10
2
m (b) de la structure grille NiFe avec une surface S= 0.39
-6
10
2
m

Grce aux mesures C(Vg), on a pu extraire les valeurs caractristiques des deux structures : le
dopage, lpaisseur de loxyde et la tension des bandes plates. Ces valeurs sont reportes dans le
tableau 1 :

Epaisseur doxyde
extraite (nm)
dopage (cm
-3
) Tension des bandes
plates (V)
Al/SiO2/p-Si 6.83
6.28
15
10
-0.94
NiFe/SiO2/p-Si 6.51 1.28 10
16
-1.7

Tableau 1 : Valeurs caractristiques extraites pour les deux structures grille ferromagntique
et grille daluminium

A partir de ces valeurs extraites, nous pouvons remarquer que la tension de bandes plates dans le
cas dune grille ferromagntique est dcale vers les tensions ngatives. Cela montre la prsence
dune quantit plus importante de charges (positives) dans le volume de
2
SiO dans le cas de la
structure grille NiFe. Dans la figure 26-a, on compare les caractristiques C(t) pour les deux
structures grille aluminium et grille NiFe respectivement. On remarque dans les deux cas une
monte exponentielle de la capacit qui sexplique par la gnration de porteurs minoritaires
suivie dune saturation qui marque ltablissement de lquilibre (le rgime dinversion). Cette
saturation est tablie plus rapidement pour le cas grille NiFe que pour le cas de laluminium. En
effet, dans ce dernier cas lquilibre est tabli au bout de 2.6 secondes alors que pour le NiFe
lquilibre est tabli au bout de 2 secondes.
t
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0
0
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2
0
1
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0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1,2x10
-10
1,4x10
-10
1,6x10
-10
1,8x10
-10
2,0x10
-10
2,2x10
-10
NiFe/SiO
2
/Si
Al/SiO
2
/Si C
(
F
)
t (s)

(a)
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
NiFe/I/Si
-
d
(
(
C
o
x
/
C
)
2
.
1
0
-
3
)
/
d
t
(Cf/C)-1
Al/I/Si

(b)
Figure 26: (a) Caractristique C(t) pour les deux structures grille Al et NiFe (b) Trac de
Zerbst pour les deux structures grille Al et NiFe

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0
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1
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Afin de remonter aux valeurs de
eff g,
et
g
S , nous avons effectu le trac de Zerbst (figure 26-b).
Les valeurs extraites sont reportes dans le tableau 2 :

eff g,

S
g

Al/SiO
2
/p-Si 0.24sec 2.05m/sec
NiFe/SiO
2
/p-Si 0.14sec 3.7m/sec

Tableau 2 : Valeurs de la dure de vie de gnration des porteurs et de la vitesse de gnration
extraites pour les deux structures grille ferromagntique et grille daluminium

Notons que la dure de vie de gnration des porteurs est plus faible dans le cas de la structure
grille NiFe et la vitesse de gnration est plus grande. Les valeurs de
g,eff
et S
g
peuvent tre
attribues la gnration favorise des porteurs augmente par la prsence des tats dinterface et
des dfauts dans le substrat. Ces observations suggrent fortement leffet de la diffusion du nickel
et /ou du fer vers linterface Si/SiO
2
et dans le silicium.

4. Conclusion:

En comparant les rsultats entre la structure grille NiFe et la structure grille daluminium, il
semble bien que les mtaux 3d contaminent loxyde comme le montre le dcalage de la tension
des bandes plates
fb
V , ainsi que le silicium comme le suggre la diminution des dures de vie des
porteurs. On remarque aussi que la vitesse de gnration surfacique
g
S dans le cas de NiFe est
plus grande que celui de laluminium, ce qui est cohrent avec le fait que
eff g,
(NiFe) <
eff g,
(Al).
Ceci peut tre attribu dune part aux tats dinterface, plus importants dans le cas du NiFe que
dans le cas daluminium, et dautre part aux centres de recombinaison dans le volume du substrat
qui contribuent la gnration des porteurs et donc ltablissement de lquilibre plus rapide. A
la lumire de ces rsultats, on constate quune amlioration des caractristiques de ces structures
(diminution des dfauts par recuit, utilisation dautres barrires tunnels plus rsistifs la diffusion
des mtaux ferromagntiques etc.) est ncessaire.

IV. Caractrisation de linterface oxyde/silicium dans les structures oxyde ultra mince:

Ltude des proprits lectriques des structures MOS grille ferromagntique dtaille dans la
partie prcdente de ce chapitre montre lexistence de dfauts lectriques dans loxyde,
linterface oxyde/silicium ainsi qu la surface du substrat. Outre les consquences quils peuvent
avoir sur les caractristiques lectriques, il est trs probable que ces dfauts aient des effets
nfastes sur la polarisation en spin des lectrons transitant du ferromagntique vers le silicium.
Cest pourquoi, il est important dtudier les moyens de remdier ces dfauts soit en effectuant
des recuits pour les gurir, soit au cas o le recuit ne suffit pas, procder un changement de
couche isolante. Cest lobjet de cette partie de ltude consacre aux oxydes ultra minces avec
une grille ferromagntique.

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1. Rsultats obtenus sur les structures MOS avec oxyde de silicium:

1.1. Caractristiques C(Vg) en fonction de la frquence : Etude des tats dinterface

La figure 27 prsente des caractristiques C(Vg) dune structure avec grille ferromagntique et
oxyde de silicium dune paisseur de 2.5 nm pour des frquences allant de 1kHz 1 MHz. Les
courbes C(Vg) prsentent un paulement en rgime de dpltion dont lamplitude augmente au
fur et mesure de la diminution de la frquence de mesure. Cet paulement nest autre que la
rponse capacitive des tats dinterface. Leur contribution capacitive la capacit totale
augmente avec la diminution de la frquence de mesure vu que les tats dinterface suivent de
plus en plus efficacement le signal AC avec la diminution de la frquence [Ouisse1993]. Le
schma quivalent basse frquence est celui de la figure 14.
-1 0 1
0,0
1,0x10
-11
2,0x10
-11
3,0x10
-11

C
a
p
a
c
i
t
(
F
)
Vg(V)
1MHz
800 kHz
500 kHz
100 kHz
10 kHz
1 kHz
f

Figure 27 : Caractristiques C(Vg) mesures sur une structure NiFe/SiO
2
(2.5nm)/n-Si
diffrentes frquences. Surface=2400m
2

Les caractristiques des tats dinterface (densit, section efficace de capture, nature, position
nergtique) peuvent tre values soit par modlisation de la rponse de ces tats en fonction
de la frquence (figure 27) [Masson2002], soit par des mesures de conductance ou par des
mesures capacitives comme nous lavons expliqu prcdemment.
La concentration des dfauts linterface oxyde/silicium peut tre modifie en procdant des
recuits en temprature et en atmosphre dhydrogne. Utilisant lamplitude de lpaulement
observ dans les caractristiques C(Vg) comme indicateur de la qualit de linterface, nous avons
soumis la structure des recuits et analys les consquences sur les caractristiques C(Vg).

1.2. Effet de recuit :

Certaines structures oxyde SiO
2
ont subi un recuit sous Forming gas , mlange dhydrogne
et dazote une temprature de 450 pour une dure typique de lordre de 30 mn. La figure 28
reprsente les caractristiques C(Vg) obtenues haute frquence (1 MHz) et basse frquence (1
kHz) pour deux structures MOS grilles ferromagntiques, lune recuite sous forming gas et
t
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1
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lautre sans recuit. Les caractristiques ont t modlises en utilisant un simulateur des C(Vg)
qui consiste reconstituer la courbe C(Vg) partir des quations de base de la structure MOS et
partir du calcul de la charge stocke dans le semi-conducteur, en rsolvant les quations couples
Poisson-Schrdinger. Cette modlisation tient compte aussi de la prsence des tats dinterface.
Lpaisseur doxyde extraite partir des modlisations C(Vg) est de 3.5 nm pour la structure
recuite et 3.6 nm pour la structure non recuite. Rappelons que lpaisseur physique de la couche
doxyde est de 4 nm. Les courbes C(Vg) prsentent une dformation plus marque en rgime de
dpltion basse frquence (1 kHz), signe de la rponse des tats dinterface. La structure non
recuite prsente des dformations et des dispersions en frquence plus marques que dans le cas
de la structure recuite. Cela veut dire que dans le cas non recuit, il y a plus dtats dinterface qui
rpondent au signal et qui contribuent la capacit. Le recuit a donc permis damliorer
linterface et de remdier en partie aux dfauts. Nous avons pu vrifier ces observations de faon
plus quantitative grce la dtermination de la densit des tats dinterface par la mthode
C(V)
hf-lf
. La figure 29 montre le spectre de Dit en fonction de lnergie dans le gap de silicium.
On remarque que lchantillon recuit prsente une densit de dfauts plus faible. Mais le recuit
na pas un effet trs marqu du fait que la diminution de la densit des tats dinterface aprs
recuit nest que dun facteur 3 environ.

-2 -1 0 1 2
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
1MHz recuit N
2
/H
2
1kHz recuit N
2
/H
2
Modlisation
1kHz sans recuit
1 MHz sans recuit
Modlisation
C
(
F
/
m
)
V
g
(V)

Figure 28 : Caractristiques C(Vg) de deux structures NiFe/SiO
2
recuite mesures deux frquences (1Mhz et 1kHz)
t
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0
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0
88
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
10
11
10
12
10
13
Recuit N
2
/H
2
Sans recuit
E(eV)
D
i
t
(
e
V
-
1
*
c
m
-
2
)

Ev Ec

Figure 29 : Spectre Dit(E) pour les deux structures NiFe/SiO
2
recuite mesurs par C(V)
hf-lf

Le tableau 3 donne une synthse des rsultats obtenus pour les structures MOS avec grille
ferromagntique avec 4 nm doxyde SiO
2
pour deux types de dopage du substrat. On constate que
dans les deux cas, le recuit sous forming gas entraine une diminution de la densit des tats
dinterface. Cette dernire reste toutefois leve par rapport ce qui est attendu pour une
interface silicium/ SiO
2
.

Structure non
recuite type-p
Structure
recuite type-p
Structure non
recuit type-n
Structure recuit
type-n
Dit (eV
-1
.cm
-2
) 2.86 10
12
9.83 10
11
1.79 10
12
4.93 10
11

Tableau 3 : Rsultats des mesures de la densit des tats dinterface pour les structures MOS
oxyde de silicium recuites et non recuites

1. 3. Effet de la temprature de mesure sur la densit dtats dinterface :

Comme dj mentionn, linjection des lectrons polariss en spin doit tre assure par un
mcanisme de transport balistique dlectrons ne faisant pas intervenir les dfauts ni dans la
barrire tunnel ni linterface entre celle-ci et le silicium. En particulier, les lectrons peuvent
tre pigs linterface silicium/isolant par les tats dinterface actifs pendant une dure qui peut
excder la dure de vie du spin ce qui entraine une forte dgradation de la dure de vie
dlectrons polariss en spin. Pour cela, une diminution de leffet des tats dinterface actifs
favorise laugmentation du signal polaris en spin. Des mesures ralises en fonction de la
temprature montrent que la densit des tats dinterface actifs diminue. La figure 30 montre les
caractristiques C(Vg) pour une structure MOS grille ferromagntique avec 4nm doxyde SiO
2

ayant subi un recuit sous forming gas. Ces mesures capacitives sont faites diffrentes
tempratures allant de 300K 90K une frquence 800 kHz. On remarque quen diminuant la
t
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0
0
5
4
4
3
9
1
,

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n

1

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D
e
c

2
0
1
0
89
temprature, leffet de stretching disparat progressivement : signe dune diminution de la
contribution des tats dinterface. En effet, basses tempratures les tats dinterface sont gels
et donc le comportement de ces tats diminue car le pigeage et le dpigeage des porteurs par
ces tats sont activs thermiquement.
-2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
0,0
5,0x10
-12
1,0x10
-11
1,5x10
-11
2,0x10
-11
2,5x10
-11
300k 280k 260k
240k 220k 200k
180k 160k 140k
120k 100k 90k
Vg(V)

C
(
F
)
f=800Khz
T

Figure 30: Caractristiques C(Vg) des structures NiFe/SiO2 (4 nm))/p-Si avec recuit la
frquence 800 kHz et diffrentes tempratures

La mesure de la densit des tats dinterface confirme bien quen diminuant la temprature, la
densit de dfauts actifs diminue (figure 31).
140k 180k 200k 220k 300k
7,0x10
11
7,2x10
11
7,4x10
11
7,6x10
11
7,8x10
11

D
i
t
(
e
V
-
1
.
c
m
-
2
)
Temprature(K)

Figure 31 : Evolution de la densit des tats dinterface Dit en fonction de la temprature pour
une structure NiFe/SiO2 (4 nm))/p-Si avec recuit forming gas

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
90
1.5. Conclusion :

Les structures MOS avec grille ferromagntique et oxyde de silicium ultra mince prsentent des
densits des tats dinterface de lordre de 10
11
-10
12
cm
-2
eV
-1
. Ces densits sont plus importantes
que dans le cas des structures MOS grille non ferromagntiques [White 1972] et elles semblent
tre lies la diffusion des atomes ferromagntiques travers la barrire doxyde. Ces dfauts
risquent de compromettre linjection de spins dans le silicium, do la ncessit dutiliser une
autre barrire.

2. Etude des structures MOS grille ferromagntique et avec oxyde daluminium:

Dans les composants spintroniques actuels bass sur leffet tunnel dpendant du spin, deux types
doxyde sont utiliss, lalumine et loxyde de magnsium. Des performances record en termes
damplitude de magntorsistance tunnel ont t obtenues avec loxyde de magnsium [Parkin
2004]. Il aurait t ainsi naturel que nous nous intressions ce type de barrire si sa technologie
tait maitrise sur silicium. Or, ce nest pas le cas. Cest pourquoi, notre choix est all pour
loxyde daluminium dpos par ALD (Atomic Layer Deposition) (le procd de dpt de
loxyde daluminium est dcrit dans la partie IV.3 du premier chapitre) et tudi en technologie
silicium comme oxyde de grille haute permittivit dilectrique.

2.1. Etude des tats dinterface :

La figure 32 prsente une caractristique C(Vg) dune structure MOS grille ferromagntique
avec 4nm doxyde daluminium. A partir de la modlisation C(Vg), des paisseurs de 3.1 nm
dAl
2
O
3
et 0.7 nm de SiO
2
ont t extraites.
Cette courbe prsente une dispersion marque en rgime de dpltion suggrant une grande
densit des tats dinterface.
-3 -2 -1 0 1 2
1,0x10
-11
2,0x10
-11
3,0x10
-11
4,0x10
-11

C
a
p
a
c
i
t
(
F
)
Vg(V)
800 kHz
100 kHz
10 kHz
1 kHz
f

Figure 32 : Caractristiques C(Vg) mesures avec une structure NiFe/Al
2
O
3

(3.1nm)/SiO
2
(0.7nm)/n-Si non recuite et diffrentes frquences

t
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0
5
4
4
3
9
1
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n

1

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D
e
c

2
0
1
0
91
Dans les structures oxyde daluminium, les tats dinterface peuvent tre diminus aussi en
amliorant linterface par diffrents types de recuits. Leffet du recuit est tudi dans le
paragraphe suivant.

2.2. Effet de recuit sur les caractristiques C(Vg):

Afin dtudier leffet du recuit sur linterface Al
2
O
3
/Si, des structures MOS avec une paisseur
de 4 nm dAl
2
O
3
ont t utilises et dont les paisseurs extraites par modlisation sont reports
dans le tableau 4. La figure 33 montre les C(Vg) mesures hautes frquence (1 MHz) pour les
quatre structures qui ont subi diffrents recuits : recuit de densification, recuit forming gas ou
lensemble des deux recuits. Le recuit de densification est appliqu 700C sous O2 pendant
15mn alors que le recuit forming gas est appliqu sous mlange dhydrogne et dazote une
temprature de 450 pour une dure typique de lordre de 30 mn. Ces recuits ont d tre effectus
avant le dpt de la grille afin d'viter la contamination du four de recuit par les lments
ferromagntiques contrairement au processus MOS standard o le recuit intervient en fin de
processus de fabrication.
Les courbes C(Vg) montrent que la tension des bandes plates (V
fb
) est dcale vers les tensions
positives pour les chantillons recuits (voir tableau 4). Cela indique que les proprits lectriques
sont largement amliores sous leffet de diffrents recuits. La valeur de V
fb
la plus positive est
observe avec lchantillon qui a subi un recuit de densification. Cet chantillon a subi un recuit
de densification seulement, ce qui montre que c'est ce recuit qui permet la plus importante
amlioration de linterface. Cette conclusion est conforte par la valeur de la densit des tats
dinterface dtermine par la mthode C(V)
hf-lf
. La figure 34 montre les spectres de Dit en
fonction de lnergie dans le gap de silicium. On remarque que tous les recuits ont entrain une
amlioration de linterface en comparaison avec lchantillon non recuit et que lchantillon avec
le recuit de densification prsente la densit de dfauts la plus faible.
-1 0 1 2
0,000
0,005
0,010
0,015
Sans recuit 1MHz
Recuit sous N
2
/H
2
1MHz
Recuit de densification+Recuit
sous N
2
/H
2
1MHz
Recuit de densisfication
1MHz

C
a
p
a
c
i
t
(
F
/
m
2
)
Vg(V)

Figure 33 : Caractristiques C(Vg) des structures NiFe/ Al
2
O
3
(4nm)/n-Si diffrents recuits
mesures haute frquence 1Mhz

t
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0
5
4
4
3
9
1
,

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1

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8

D
e
c

2
0
1
0
92
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
2,0x10
12
4,0x10
12
6,0x10
12
8,0x10
12
1,0x10
13
1,2x10
13
Sans recuit recuit sous N2H2
Recuit de densifiaction+ recuit sous N2H2
Recuit de densification

E(eV)
D
i
t
(
e
V
-
1
.
c
m
-
2
)

Ev
Ec

Figure 34 : Spectre Dit(E) pour les structures NiFe/ Al
2
O
3
(4nm)/ n-Si mesur par la mthode
C(V)
hf-lf

Structure non
recuite
Structure recuite
sous forming gas
Structure recuite
sous forming
gas+ recuit de
densification
Structure avec
recuit de
densification
Epaisseur
extraite par
simulation
0.7 SiO
2

3.1 Al
2
O
3

0.7 SiO
2

3.1 Al
2
O
3

0.6 SiO
2

2.9 Al
2
O
3

0.7 SiO
2

2.9 Al
2
O
3

Dit(eV-1.cm-2) 9.62 10
12
5.46 10
12
3.58 10
12
2.64 10
12

V
fb
(V) - 0.31 - 0.088 1.3 1.43
Tableau 4: Synthse des rsultats lectriques relatifs la structure MOS grille
ferromagntique avec oxyde d'aluminium

On remarque que le recuit sous forming gas (N
2
/H
2
) permet de diminuer la densit des tats
dinterface dun rapport de 1.8 et le recuit de densification dun rapport de 3.6.
Leffet du recuit de densification est surtout observ sur des chantillons plus faible paisseur
physique, de 2 nm dalumine (figure 35). La figure 35 prsente les caractristiques C(Vg) pour
une structure recuite sous densification dpaisseurs extraites 0.7 nm de SiO
2
et 1.26 nm dAl
2
O
3

et une structure non recuite paisseurs extraites 0.7 nm de SiO
2
et 1.67 nm dAl
2
O
3
. Comme on
peut le remarquer, la courbe C(Vg) basse frquence pour la structure non recuite prsente
d'importantes dformations qui disparaissent pour la structure recuite. De plus, la dispersion en
frquence est assez marque mais diminue fortement pour la structure recuite, ce qui traduit une
diminution de la densit des tats dinterface. En effet, la mesure quantitative montre que leur
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

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D
e
c

2
0
1
0
93
densit diminue de 5.51 10
13
2.29 10
12
eV
-1
.cm
-2
aprs recuit. De plus, le spectre des dfauts
sloigne de la bande de valence ce qui rend difficile la capture des dfauts (figure 36).

-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3
0,004
0,008
0,012
0,016
0,020
Recuit 1 MHz
1kHz
Sans recuit 1 MHz
1 kHz
C
(
F
/
m
)
Vg(V)

Figure 35: Caractristiques C(Vg) de deux structures NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/p-Si recuite sous
densification et non recuite deux frquences 1Mhz et 1kHz

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
10
11
10
12
10
13
10
14
E(eV)
D
i
t
(
e
V
*
c
m
-
2
)
Ec Ev
Recuit de densification
Sans recuit

Figure 36 : Spectres Dit(E) de deux structures NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/p-Si recuite sous densification
et non recuite mesurs par la mthode C(V)
hf-lf

t
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0
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4
3
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c

2
0
1
0
94
2.3. Effet de lpaisseur d'oxyde sur la densit de dfauts d'interface :

L'tude de la densit des dfauts que nous venons de prsenter tend montrer que ces dfauts
sont lis la prsence d'une grille ferromagntique, et donc une diffusion des atomes
magntiques travers la barrire d'oxyde. Cette diffusion a trs probablement lieu lors du dpt
de la grille ferromagntique, ralis dans notre cas par pulvrisation cathodique. En effet, nous
avons constat que le traitement thermique n'entrainait pas d'augmentation de la densit des
dfauts. Dans ces conditions, on s'attend ce que l'paisseur de la couche d'oxyde joue un rle
sur la diffusion des atomes partir de la grille ferromagntique.
L'effet de l'paisseur de la couche d'oxyde a t tudi en analysant la densit des tats d'interface
par la technique C(V)
hf-lf
pour deux paisseurs d'oxyde de 3 nm (paisseurs extraites sont de 2.75
nm dAl
2
O
3
et 0.7 nm de SiO
2
) et 4 nm (paisseurs extraites sont de 3.1 nm dAl
2
O
3
et 0.7 nm de
SiO
2
). Ces structures n'ont subi aucun recuit. La figure 37 prsente les spectres de densit d'tats
d'interface obtenus. Elle montre qu'en augmentant l'paisseur de l'oxyde, il y a une diminution de
la densit des tats d'interface.
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
1x10
13
2x10
13
3x10
13
4x10
13
5x10
13
Ec
Ev

NiFe/Al
2
O
3
(3 nm)/n-Si
NiFe/Al
2
O
3
(4 nm)/n-Si
D
i
t
(
e
V
-
1
.
c
m
-
2
)
E(eV)

Figure 37 : spectres Dit(E) pour les structures NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si non recuites avec
paisseurs 3nm et 4 nm mesurs par la mthode C(V)
hf-lf

2.5. Conclusion :

Les structures base dalumine prsentent des densits des tats dinterface proches de celles
reportes dans la littrature. En effet, Y. Chang a trouv des densits des tats dinterface variant
de 3.10
11
10
12
cm
-2
eV
-1
pour des structures MOS grille mtallique avec une double barrire
Al
2
O
3
/SiO
2
[Chang 2003]. Ce rsultat montre que la grille ferromagntique n'introduit pas des
dfauts supplmentaires l'interface silicium/isolant. Ceci suggre que l'oxyde d'aluminium,
contrairement l'oxyde de silicium, se comporte comme barrire contre la diffusion des atomes
magntiques de la grille.

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3. Etude de la section efficace de capture des tats d'interface par la mthode G- :

Outre l'tude de leur densit, la section efficace de capture des piges d'interface reprsente une
donne fondamentale pouvant renseigner sur la nature de ces piges et leur efficacit de capture
de porteurs. Dans ce domaine, c'est la mthode G- qui permet d'accder ce type d'information,
inaccessible par la mthode C(V)
hf-lf
. C'est pourquoi, nous avons appliqu cette mthode sur des
structures MOS grille ferromagntique avec les deux types d'oxyde, SiO
2
et Al
2
O
3
.

3.1. Dtermination de la densit des tats d'interface et comparaison avec la mthode
C(V)
hf-lf
:

La densit des tats dinterface est dtermine pour une structure oxyde de silicium dpaisseur
physique 4nm recuit sous forming gas. Rappelons que ltude de la fonction G()/ en fonction
de permet davoir une srie de spectres donnant les valeurs de Dit pour une polarisation Vg
donne, ce qui permet de tracer le spectre de Dit en fonction de Vg. La connaissance de
lexpression
s
(Vg) permet de retracer Dit en fonction de
s
, autrement dit en fonction de
lnergie dans le gap de silicium. La figure 38 prsente les spectres G()/ en fonction de pour
diffrentes valeurs de Vg. On remarque bien que ces courbes prsentent des maximums des
pulsations diffrentes.
La figure 39 donne les Dit pour la mme structure obtenues par la mthode G- et par C(V)
hf-lf
.
On remarque quil ny a pas de diffrence significative entre les deux densits et que les deux
spectres prsentent un maximum la mme nergie E= Ev+0.3 eV.
Ce rsultat montre que les deux techniques mettent en vidence les mmes tats d'interface.

Figure 38: G()/ en fonction de la pulsation pour diffrentes tensions appliques sur la
grille. Structure MOS avec grille NiFe et oxyde de silicium (4 nm)
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3
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2
0
1
0
96
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
1E11
1E12
1E13
Ec
D
i
t
(
e
V
-
1
*
c
m
-
2
)
E(eV)
C(V)
hf-lf
G-
Ev

Figure 39 : la densit des tats dinterface dtermine par les deux mthodes G- et C(V)
hf-lf

pour la structure de la figure 38

3.2. Dtermination de la section efficace de capture :

La section efficace de capture des tats dinterface est extraite partir du trac de temps de
capture en fonction du potentiel de sortie (
s
) (quation 41). Les figures 40-a et 40-b
prsentent les tracs (
s
) pour un chantillon NiFe/Al
2
O
3
(1.26nm)/SiO
2
(0.7nm)/p-Si avec
recuit densification et un chantillon NiFe/SiO
2
(3.5nm)/p-Si recuit sous Forming Gas
respectivement. La pente de la courbe donne une section efficace de capture de 10
-18
cm
2
pour
lchantillon oxyde alumine et une section de 10
-15
cm
2
pour lchantillon oxyde de silicium.
Les valeurs de la section efficace de capture obtenue montrent que ces dfauts sont du type
coulombien rpulsif dans lchantillon oxyde alumine et des centres Pb dans les chantillons
oxyde de silicium. On remarque aussi que les centres colombiens ont une section plus faible que
les centres Pb donc ils sont moins aptes capturer des porteurs.

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2
0
1
0
97
0,05 0,10 0,15 0,20
1E-5
1E-4
1E-3
(
s
)
s
= 1*10
-18
cm
2

Figure 40-a: Dtermination de la section efficace pour la structure
NiFe/Al
2
O
3
(1.26nm)/SiO
2
(0.7nm)/p-Si
0,05 0,10 0,15 0,20
1E-6
1E-5
1E-4
(
s
)
s
= 1*10
-15
cm
2

Figure 40-b: Dtermination de la section efficace d'un pige pour la structure
NiFe/SiO
2
(3.5nm)/p-Si

V. Conclusion :

Dans ce chapitre, on a tudi les proprits lectriques de la structure mtal
ferromagntique/isolant/silicium. Plus prcisment, les dfauts linterface, dans loxyde et dans
le silicium ont t caractriss par le biais des mthodes capacitives et de conductance.
Ltude et la caractrisation des chantillons 7 nm de SiO
2
a permis de constater que la
grille ferromagntique favorise la prsence des dfauts linterface, dans loxyde et dans le
substrat. Ces dfauts jouent un rle dterminant pour linjection de spin dans le silicium en
provoquant la capture des lectrons polariss en spin et en influenant les mcanismes de
transport (conduction via les dfauts) comme nous allons le montrer dans le chapitre suivant. Les
dfauts dans le substrat influencent aussi le transport dans le substrat en se comportant comme
des centres de recombinaison, ce qui risque de diminuer la dure de vie des porteurs.
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98
De mme, une caractrisation des dfauts et plus particulirement les tats dinterface a
t faite sur des structures SiO
2
ultra mince et des structures double barrire Al
2
O
3
/SiO
2
.Ces
tudes ont montr que le recuit amliore linterface en rduisant la densit des dfauts. Les
diffrents recuits (recuit forming gas et recuit de densification) appliqus ont permis de rduire la
densit des tats dinterface. Le recuit forming gas appliqu sur les chantillons oxyde de
silicium na pas un effet trs remarquable alors que le recuit de densification appliqu sur les
chantillons oxyde alumine a des effets trs marqus sur lamlioration de linterface qui
surpassent les effets du recuit forming gas. Leffet de la temprature de mesure sur la densit des
tats dinterface actifs a t tudi. Nous avons montr qu'en diminuant la temprature, cette
densit diminue. Ce rsultat montre limportance dtudier le transport dpendant de spin dans
le silicium basses tempratures.
En conclusion, on a constat aussi que les structures SiO
2
prsentent une densit des
tats dinterface bien plus leve (denviron deux ordres de grandeur) que la densit usuelle en
technologie CMOS. En revanche, les structures double barrire Al
2
O
3
/SiO
2
prsentent des
densits proches de celles rapportes dans la littrature avec des grilles non ferromagntiques.
Cela suggre que la barrire alumine est une barrire efficace contre la diffusion des mtaux
ferromagntiques, ce qui en fait un candidat intressant pour les applications spintroniques sur
silicium.

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99
Rfrence:

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Chapitre 3 : Etude des mcanismes du
transport dans la structure
Mtal ferromagntique/isolant/silicium

Dans le chapitre prcdent, nous avons tudi les proprits lectriques de l'interface dilectrique
tunnel-silicium dans les structures MIS avec grille ferromagntique. En particulier, nous avons
mesur la densit de dfauts d'interface et dans le silicium pour deux types de dilectrique,
l'oxyde de silicium et l'oxyde d'aluminium. Les rsultats exprimentaux ont montr que seul dans
le cas de l'oxyde d'aluminium la qualit de l'interface n'est pas affecte par la prsence de grille
ferromagntique.
Dans ce chapitre, nous allons tudier les mcanismes de transport dans ces structures. La
dmarche consiste relier ces mcanismes aux proprits lectriques des interfaces tudies
prcdemment, dans l'objectif de dterminer les conditions de transport balistique d'lectrons
entre le ferromagntique et le silicium.

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I. Les diffrents mcanismes de conduction travers les oxydes :

Dans cette premire partie, nous allons dcrire les diffrents mcanismes de conduction travers
une couche d'oxyde. Les mcanismes de conduction peuvent tre classs en deux groupes :

- Les mcanismes de conduction limite par les lectrodes : le tunnel direct, le Fowler-
Nordheim, lmission thermoonique

- Les mcanismes de conduction limite par le volume de loxyde : le Poole Frenkel, le
Hopping, le tunnel assist par les piges

1. La conduction limite par les lectrodes :

La conduction est limite par les lectrodes lorsque celles-ci ne constituent pas une source
illimite de porteurs. La densit de courant dpend de la densit des porteurs disponibles
linjection. Parmi ces mcanismes de conduction, nous citons :

1.1. Lmission thermoonique :

Grce lactivation thermique, llectron passe au dessus de la barrire d'nergie l'interface
avec la couche isolante. En effet, llectron passe de la bande de conduction de llectrode
injectrice, la bande de conduction de lisolant (figure 1). Ce mcanisme nest possible que si les
porteurs ont une nergie cintique trs leve.

Figure 1 : Injection dun lectron partir dune lectrode mtallique vers la bande de
conduction de lisolant par mission thermoonique

1.2. Le mcanisme tunnel direct:

Leffet tunnel est un concept quantique, impossible modliser en mcanique classique.
En effet, si on considre deux lectrodes spares par une barrire isolante, les lectrons ont une
probabilit non nulle de passer dune lectrode une autre. Du point de vue classique, il ne
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devrait passer aucun courant lors de lapplication dune diffrence de potentiel mais du point de
vue quantique, les lectrons parviennent passer par effet tunnel, ce qui donne un courant non
nul. Toutefois, ce type de transport nest possible que pour des paisseurs doxyde trs faibles
(typiquement nm 4 ). Lorsque la chute de tension dans l'oxyde, Vox est plus faible que la hauteur
de barrire,
B
, les lectrons voient une barrire trapzodale (dans un diagramme de bande
dnergie) et pntrent directement dans la deuxime lectrode : le transport est de type tunnel
direct (DT) (figure 2):

Figure 2: Injection dun lectron partir dune lectrode mtallique par effet tunnel direct
travers une barrire isolante

Le courant tunnel est peu sensible la temprature mais dpend fortement de lpaisseur
doxyde
ox
T et du champ lectrique appliqu [Leroux 2004].

1.3. Le mcanisme Fowler-Nordheim :

Il existe un autre mcanisme de transport par effet tunnel obtenu lorsque les bandes de
conduction et de valence de loxyde sont suffisamment inclines par laction dune polarisation
applique la structure. La largeur effective de la barrire est alors diminue et un transport par
effet tunnel peut avoir lieu. En effet, lorsque V
ox
est suprieur la hauteur de barrire
B
, les
lectrons au niveau de Fermi de llectrode injectrice voient une barrire dnergie de forme
triangulaire : ils dbouchent alors dans la bande de conduction de loxyde avant de se thermaliser
vers la bande de conduction de lautre lectrode. Il sagit dans ce cas dun mcanisme tunnel de
type Fowler-Nordheim (FN) (Figure 3).

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Figure 3: Injection dun lectron partir dune lectrode mtallique par le mcanisme de
conduction Fowler-Nordheim

Le mcanisme de transport Fowler-Nordheim(FN) donne une expression de la densit de courant
en fonction du champ lectrique dans loxyde F
ox
qui scrit selon la relation (1)[Lenzlinger
1969]:
( )
|
|
\
|
ox
ox ox FN
F
B
F A F J exp . .
2
(1)
Les expressions des paramtres A et B sont fonctions de la hauteur de la barrire
B
et de la masse
effective des lectrons ou des trous dans loxyde
ox
m . Il est dusage de reprsenter le trac de
) ln(
2
ox
FN
F
J
en fonction de
ox
F
1
afin de vrifier si le mcanisme de transport correspond un
mcanisme de type FN. En effet, La dpendance linaire en
ox
F
1
de ) ln(
2
ox
FN
F
J
est vidente
daprs la relation (1). Par ailleurs, ce trac permet de remonter
B
et
ox
m .

2. La conduction limite par le volume de lisolant :

Le courant de conduction est dit limit par le volume de lisolant sil est assist par deux
phnomnes :
- Le processus de remplissage dun pige par un porteur inject de llectrode.
- Le processus de vidage par transport assist par ce pige.

En effet, les porteurs peuvent passer dun pige un autre grce aux mcanismes de pigeage et
dpigeage par les dfauts qui gnrent des niveaux dnergie permis dans la bande interdite de
loxyde. Dans ce type de conduction, les lectrodes se comportent comme une source illimite de
porteurs. Parmi ces mcanismes, nous trouvons le mcanisme Poole-Frenkel et le mcanisme de
transport par saut, le Hopping . Ces mcanismes sont prsents dans les paragraphes suivants.

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2.1. Le mcanisme Poole-Frenkel(PF) :

Llectron se sert des dfauts dans loxyde comme tape de relais pour le traverser en passant
dun pige un autre par activation thermique comme lillustre la figure 4. Ce processus,
ncessitant moins dnergie que lmission thermoonique, est donc plus probable. La densit du
courant PF est donne, aprs simplification, par lexpression (2) [Kanoun thse_2004] :
( )
|
|
\
|
=
T k
F B
F A F J
ox PF
ox PF ox PF
.
.
exp . . (2)
Avec
. . .
0 r PF
PF
q
B = (3)
PF
A est une constante qui dpend de la densit des piges par unit de surface et elle est
proportionnelle )
.
exp(
T k
t
avec
t
le profondeur du pige [Houssa 1999].
PF
est un paramtre
qui peut tre extrait de la partie linaire de la courbe ) ln(
ox
PF
F
J
en fonction de
ox
F . Ce
paramtre donne une estimation de la distance moyenne entre les piges (d) partir de labaque
prsent sur la figure 4-b [DeSalvo 1999]. Ce mcanisme, assist par phonons, est activ
thermiquement et donc trs sensible la temprature.

Figure 4 : (a) Injection par mcanisme de conduction Poole-Frenkel (b) le paramtre Poole-
Frenkel
PF
en fonction de la distance moyenne entre les piges

2.2. Le mcanisme de transport par Saut ou Hopping :

Le mcanisme Hopping est similaire au mcanisme Poole-Frenkel, mais le passage dun site
(dfaut dans lisolant) un autre seffectue par effet tunnel et non pas par mission
thermoonique (figure 5). Lpaisseur de la barrire dnergie franchir chaque saut tant
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moins importante que dans le mcanisme de tunnel direct, ce mcanisme de transport est
prdominant.

Figure 5: Injection par mcanisme de conduction de type Hopping

Lexpression de la densit de courant dans ce cas est donne par la relation (4) [Kanoun
thse_2004] :
( )
|
|
|
|
\
|
=
T k
F
d
F A F J
ox
ox H ox H
.
.
2
exp . . (4)
o
H
A est une constante et d la distance moyenne sparant deux piges. La partie linaire de la
courbe ) ln(
ox
H
F
J
en fonction de
ox
F permet destimer la distance d entre les piges.

2.3. Le mcanisme tunnel assist par les piges :

La prsence des dfauts dans loxyde peut conduire un mcanisme de conduction de type
tunnel assist par piges que nous appelons TAT pour Trap Assisted Tunneling. Un exemple de
ce mcanisme est schmatis sur la figure 6. Il sagit de deux processus tunnel, le premier de la
bande de conduction vers un pige dans le volume de loxyde, le deuxime du pige vers la
bande de conduction du mtal. Ce mcanisme peut impliquer un ou plusieurs piges comme dans
le cas du mcanisme Hopping .

Figure 6 : Conduction dans une couche disolant par mcanisme tunnel assist par un pige
(TAT)

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Ltude de transport dans les couches doxydes ultra-minces fait apparatre dautres mcanismes
de conduction tunnel assist par des dfauts. Ces dfauts peuvent tre linterface entre le semi-
conducteur et loxyde et permettre ainsi lmission des lectrons de la bande de valence vers la
bande de conduction comme dans lexemple de la figure (7) [Ghetti 2000].

Figure 7: Mcanisme de Transport via les tats dinterface

Dans la suite, nous allons nous concentrer sur les trois mcanismes tunnel direct, Fowler-
Nordheim et tunnel assist par piges, tant donn que ces derniers se sont rvls trs importants
pour notre tude.

II. Etude des mcanismes de conduction dans un oxyde mince avec une grille
ferromagntique:

Ltude des mcanismes de transport dans les oxydes ultra-minces (1 2 nm), dits oxydes
tunnels, avec grille ferromagntique est lobjectif principal de notre tude. Toutefois, la
combinaison grille ferromagntique et oxyde ultra-mince risque daugmenter les difficults
danalyse des mcanismes de transport. Cest pourquoi, nous avons choisi de procder en deux
tapes et dtudier dabord les mcanismes du transport travers un oxyde mince avec grille
ferromagntique. Il sagit des structures de diodes MIS pleine plaque avec une grille en
permalloy (NiFe). Dans un souci de comparaison avec des structures plus classiques, nous avons
galement ralis des diodes avec grille en aluminium.

1. Les caractristiques courant-tension :

La figure 8 prsente la variation de la densit du courant de grille en fonction de la tension Vg
applique sur la grille (NiFe ou Al) pour les deux structures grille en aluminium ou en NiFe
ralise temprature ambiante. A partir de ce graphe, on constate que :
- Dans le cas de la grille de NiFe, le courant reste faible pour les tensions Volts Vg 2 . Au-
del de Volts Vg 2 , nous observons une augmentation du courant.
- Dans le cas de la grille daluminium, pour des tensions Volts Vg 4 , la densit de courant
ne varie que peu et demeure la limite de la rsolution du notre banc de tests lectriques.
Pour des tensions Volts 4 Vg ou -4Volts Vg > < , on observe une augmentation brutale de
la densit de courant.
- La densit de courant est plus forte dans le cas de NiFe et ceci sur toute la gamme de
tension applique.
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- La caractristique du courant dans le cas de NiFe est diffrente de celle de lAl, ce qui
montre que le mcanisme dinjection nest pas le mme pour les deux structures.

-6 -4 -2 0 2 4 6
1E-10
1E-9
1E-8
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1E-6
NiFe/SiO
2
/Si
Al/SiO
2
/Si
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J
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(
A
/
c
m
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2
)
V
g
(V)

Figure 8 : Caractristiques J-Vg pour les structures grille Al (Substrat de silicium : type p,
Na= 6.28 10
15
cm
-3
) ou NiFe (Substrat de silicium : type p, Na=1.28 10
16
cm
-3
)

2. Dtermination du type de mcanisme du transport :

2.1. Cas de la structure MIS grille daluminium:

Laugmentation rapide de la densit de courant observe dans le cas de la structure grille
daluminium laisse entendre un mcanisme de conduction de type Fowler-Nordheim. Afin de
vrifier cette hypothse, un trac Fowler Nordheim, cest--dire ln (J/F
ox
2
ox
,
a t fait.
La figure 9-a montre bien que le trac donne une droite, ce qui indique un mcanisme FN. Par
ailleurs, la caractristique courant-tension a t modlise par un modle Fowler-Nordheim en
rgime daccumulation (rgime de polarisation directe) et dinversion (rgime de polarisation
inverse) du silicium.
Les paramtres dajustement du modle sont : eV Si
B
05 . 3 ) ( = , eV Al
B
1 . 3 ) ( = ,
e ox
m m 4 . 0 =
avec
e
m la masse de llectron, ) (Si
B
la hauteur de la barrire dnergie du cot du substrat,
) ( Al
B
la hauteur de la barrire dnergie du cot de la grille . La figure 9-b montre un bon
accord entre le modle Fowler-Nordheim et le rsultat exprimental que ce soit en rgime
daccumulation ou dinversion.

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111
1,0x10
-9
1,2x10
-9
1,4x10
-9
1,6x10
-9
1,8x10
-9
-52
-51
-50
-49
-48
-47
-46
-45
-44
TracFN
l
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(
J
n
/
F
2 o
x
)
1/F
ox
(V
-1
.m)

-6 -4 -2 0 2 4 6
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1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
I
J
I
(
A
/
c
m
-
2
)
J-Vg exprimentale
Fowler-Nordheim modle
V
g
(V)
Figure 9 : Analyse de la caractristique courant-tension pour une structure MIS grille
daluminium (a)Trac Fowler-Nordheim ln (J/F
ox
2
ox
(b) Modlisation des
rsultats exprimentaux en utilisant un modle de Fowler-Nordheim

2.2. Cas de la structure MIS grille de NiFe :

Comme dj mentionn, les allures des caractristiques courant-tension des deux structures sont
diffrentes. On sattend donc des mcanismes de transport diffrents et plus prcisment,
avoir un mcanisme diffrent du Fowler-Nordheim dans le cas de la structure grille NiFe. En
effet, et comme le montre la figure 10, le trac FN (ln (J/F
ox
2
ox
) ne donne pas
une dpendance linaire sur une longue gamme de tension (-2V -4V), ce qui confirme quil ne
sagit pas dun mcanisme de type FN.

Figure 10: Le trac Fowler-Nordheim ln (J/F
ox
2
ox
pour la structure MIS
grille NiFe
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
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n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
112
La prsence de la couche ferromagntique peut engendrer des piges dans loxyde par la
diffusion des atomes magntiques [Duluard thse_2007]. Ces piges peuvent jouer le rle des
relais dans le processus de conduction travers loxyde. Il est donc raisonnable de penser quun
mcanisme de transport via les dfauts dans loxyde puisse exister tel que le Hopping et le poole-
Frenkel. Or, une mesure hautes tempratures que nous avons effectue a mis en vidence une
dpendance du courant en temprature. Ceci indique clairement lexistence dun mcanisme
activ thermiquement et probablement assist par piges (figure 11-a). Une possibilit est le
mcanisme Poole-Frenkel (PF). Le trac PF, ( ) ln(
ox
H
F
J
en fonction de
ox
F ), donne bel et bien
une caractristique linaire indiquant un mcanisme PF travers loxyde (figure 11-b) [Kanoun
2007].
0 1 2 3 4
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
I
J
I
(
A
/
c
m
-
2
)
V
G
(V)
300 K
350 K
400 K
450 K

1,8x10
4
2,0x10
4
2,2x10
4
2,4x10
4
-29
-28
-27
-26
-25
-24
L
n
(
J
/
F
o
x
)
(F
ox
)
1/2
(V/m)
1/2
PF plot
Figure 11 : (a) les caractristiques I-V en fonction de la temprature pour la structure
NiFe/SiO
2
(7nm)/p-Si (b) Trac Poole-Frenkel pour la caractristique T ambiante (300 K)

La figure 12 montre une comparaison entre rsultats exprimentaux et modle PF pour une
structure MIS grille ferromagntique en rgime daccumulation et dinversion. Nous
remarquons un trs bon accord avec le modle Poole Frenkel aussi bien en accumulation quen
inversion. Daprs le modle, la valeur extraite de
PF
est de 2, ce qui correspond une distance
moyenne de 2 nm entre deux piges successifs (cf. abaque de la figure 4-a). Etant donn que
lpaisseur doxyde est de 7 nm, ce rsultat montre que les lectrons rencontrent environ 3 piges
en traversant loxyde.
t
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0
5
4
4
3
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1
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c

2
0
1
0
113
-6 -4 -2 0 2 4 6
1E-10
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
I
J
I
(
A
/
c
m
-
2
)
J-Vg exprimentale
Modle Poole-Frenkel

V
g
(V)

Figure 12: Comparaison entre rsultat exprimental et modle Poole-Frenkel pour une
structure MIS grille de NiFe

3. Conclusion :

A travers cette tude comparative, il a t montr que le mcanisme de conduction dans les
structures grille daluminium est de type Fowler-Nordheim, qui est un cas particulier du tunnel
direct alors que pour les structures grille NiFe, le mcanisme de transport implique des piges
dans loxyde. Les piges prsents dans loxyde qui sont probablement lis la diffusion des
atomes ferromagntiques partir de la grille, peuvent contribuer la perte de la polarisation en
spin des lectrons injects.
Leffort de recherche devra donc sorienter vers la rduction de dfauts dans loxyde do les
amliorations proposes prcdemment. Lutilisation des oxydes minces est trs importante afin
daugmenter la probabilit du passage des lectrons par effet tunnel direct : cest lobjectif de la
partie suivante de ce chapitre.

III. Etude des mcanismes de transport travers les oxydes ultra minces :

1. Introduction :

Depuis longtemps, la mcanique classique tait une approche trs utile pour dcrire les systmes.
Elle permet de dcrire la trajectoire dun corps en mouvement dont les conditions initiales et les
forces appliques sont connues. Elle sappuie sur la notion de corpuscule.
Depuis la dcouverte des capacits et des transistors MOS et lvolution de la microlectronique,
plusieurs problmes sont apparus dus la miniaturisation des composants lectroniques [Yang
1999] [Momose 1996]. Ces problmes sont dus des phnomnes quantiques.
Parmi ces phnomnes qui nous intressent directement dans notre travail nous trouvons :
Les effets quantiques lis au confinement des porteurs dans un puits de potentiel linterface
semi-conducteur/oxyde
la conduction par effet tunnel travers les oxydes de grille ultra-minces

Ces deux effets vont tre exposs par la suite dans le cadre de la modlisation de leffet tunnel
travers loxyde dans une structure MOS (mtal/oxyde/substrat).
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114
2. Limitations du modle classique de la structure MOS :

Lors de lapplication dune tension sur la grille, un champ lectrique stablit dans la structure
MOS. Selon le signe et l'amplitude de la tension applique, un rgime de polarisation de la
surface du semi-conducteur s'tablit. En effet, les porteurs sont soit attirs vers linterface soit
repousss loin de celle-ci. Par exemple, dans le cas dun substrat p, dans le rgime
daccumulation, les porteurs majoritaires (les trous) sont accumuls linterface alors que dans le
rgime dinversion, les trous sont repousss et les lectrons sont attirs linterface. Cet effet est
connu sous le nom de leffet de champ.
La rgion linterface oxyde/substrat peut contenir une grande densit de porteurs libres localiss
dans un puits de potentiel trs troit. Cet effet est lorigine du fonctionnement des composants
semi-conducteurs. Afin de bien calculer les densits des porteurs linterface dans le puits de
potentiel et dterminer les diffrents mcanismes de transport travers loxyde, leffet de champ
doit tre bien modlis.
Les porteurs confins dans une couche daccumulation ou dinversion se comportent comme un
gaz deux dimensions plutt que comme un gaz trois dimensions (approche classique). Ils sont
libres dans le plan de la structure et leurs nergies sont quantifies dans la direction
perpendiculaire la structure. La profondeur de puits de potentiel varie avec la polarisation
applique mais nvolue plus quand le semi-conducteur devient dgnr. Par consquent,
lnergie de confinement de porteurs est trs diffrente dans une couche daccumulation ou
dinversion comme le montre la figure 13.

Figure 13 : Diagramme de bandes d'nergie faisant apparatre le puits de potentiel
linterface oxyde/substrat dans le rgime dinversion (a) ou daccumulation (b)

Une consquence de la quantification de lnergie est la modification de la densit dtats
dnergie de porteurs dans le puits de potentiel et la dpendance de cette densit de la polarisation
lectrique applique. La figure 14 illustre cet effet o nous voyons apparatre des niveaux discrets
d'nergie dans le puits de potentiel l'interface semi-conducteur/isolant.
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115

Figure 14 : quantification de lnergie linterface semi-conducteur/ oxyde dans une structure
MOS

La description classique de cette structure consiste considrer que tous les donneurs et les
accepteurs sont ioniss et que les porteurs libres obissent la statistique de Boltzmann.
Cependant, en rgime daccumulation et basse temprature, les impurets majoritaires sont en
partie neutralises par les porteurs ce qui annule la premire hypothse. De plus, la deuxime
hypothse nest pas valable en accumulation et en inversion car le semi-conducteur est dgnr
[Mathieu1998]. Cela veut dire que ltude des charges dans le puits de potentiel doit passer par
une tude quantique et donc par la rsolution de lquation de Schrdinger [Magnus 1988].
Clerc a test la validit de lapproximation classique dans un puits de dpltion dune structure
NMOS [Clerc thse 2001]. Il a choisi une structure en dpltion car un puits de potentiel, en
dpltion, varie beaucoup plus lentement dans lespace quun puits dinversion forte ou
daccumulation ce qui est une condition favorable pour lapplication dune approche classique.
On remarque daprs la figure15 que dans lapproche classique les porteurs sont localiss loin du
fonds de puits.

Figure 15 : Distribution de la densit de porteurs dans le puits de potentiel. Comparaison entre
approches classiques et quantiques [Clerc thse 2001]

Ces rsultats importants ont bien montr que lapproche classique nest pas valable dans des puits
en rgime de dpltion et fortiori en rgime daccumulation ou dinversion. Un traitement
t
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0
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1
0
116
quantique est donc ncessaire pour tenir compte du confinement des porteurs dans les puits de
potentiel.

3. Equation de Schrdinger :

Un traitement quantique du problme de porteurs de charge dans un puits de potentiel ncessite la
rsolution de lquation de Schrdinger qui permet de dterminer la fonction donde de porteurs.
Cette quation dcrit l'volution dans le temps d'un systme quantique et remplit ainsi le mme
rle que la relation fondamentale de la dynamique en mcanique classique.

La forme gnrale de lquation de Schrdinger est donne par la relation 5:
[ ]
H
t
j =
h .
(5)
O H est loprateur hamiltonien,
: la fonction donde, j : le nombre complexe et

2
h
= h
avec
h la constante de Planck. H est dcrit par lquation suivante qui prend en compte loprateur
vitesse (V) et lnergie potentielle (U) du systme :

[ ] [ ] ) , ( .
2
1
2
t r U V m H
r
+ =
(6)
En posant loprateur Laplacien, loprateur Hamiltonien peut scrire sous la forme :
[ ] ). , (
2
2
t r U
m
H
r h
+ = (7)

3.1. Rsolution de lquation de Schrdinger dans un potentiel indpendant du temps :

La majorit des systmes physiques a une nergie potentielle indpendante du temps. Ils sont
dfinis comme des systmes stationnaires. Dans un systme stationnaire, lHamiltonien scrit :
[ ] ). (
2
2
r U
m
H
r h
+ = (8)
Soit E une valeur propre de H, lquation (8) scrit :

[ ] . E H = (9)

Si on suppose que la fonction donde peut tre compose de deux fonctions variables spars,
elle aura la forme suivante :

) ( ). ( ) , ( t B r A t r
r r
= (10)

Et donc lquation aux valeurs propres de H sera :

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
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1

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8

D
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c

2
0
1
0
117

A E A r U A
m
. ). (
2
2
= +
r h
(11)

Partant de lquation de Schrdinger (5), la fonction B(t)scrit sous la forme:

|
\
|
h
iEt
t B exp ) ( (12)
Les tats propres de lHamiltonien, indpendant du temps et appels tats stationnaires, sont de
la forme suivante:
|
\
|
=
h
r r iEt
r A t r exp ). ( ) , ( (13)

3.2. Rsolution de lquation de Schrdinger pour des systmes nergie potentielle
constante :

Les systmes nergie potentielle constante ne sont soumis aucune interaction. Parmi les
exemples de ce type de systmes, on trouve les particules libres. Les solutions de lquation de
Schrdinger indpendante du temps sont de la forme suivante:

) . exp( . ) . exp( . ) ( r k i b r k i a r A
r
r
r
r
r
+ = (14)
O k
r
est le vecteur donde donn par lquation suivante :
) ( 2 .
1 2
0
V E m k = =
h
r
(15)

Avec E lnergie totale, V
0
lnergie potentielle et la longueur donde associe. Les systmes
nergie potentielle constante ne peuvent pas voluer dans un espace infini car les solutions
prsentes ci-dessus ne sont pas de carrs sommables, ce qui contredit le formalisme quantique
[Clerc thse 2001]. Donc, par exemple, une particule nergie potentielle constante est confine
dans un volume restreint. En effet, cest le cas dun lectron libre dans un mtal : cet lectron
nest soumis aucune interaction et contraint rester dans le volume du matriau. Les tats dune
telle particule enferme dans un volume sont appels tats lis entrainant une quantification de
lnergie.

3.3. Equation de Schrdinger une dimension :

Pour la modlisation du courant que nous aurons traiter par la suite, les approches quantiques
utilises sont limites des systmes confins une dimension (1D). Nous utilisons donc
lquation de Schrdinger 1D.
Soient x, y, z les trois dimensions. Lorsque la dimension x tend vers linfini, lquation de
Schrdinger (11) devient :

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

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r
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1

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8

D
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c

2
0
1
0
118
0 ). (
2
0
2
2
=
E V
m
dx
d
h
(16)
Avec V
0
la valeur de lnergie potentielle U(x) linfini telle que
0
) ( lim V x U
x
=

Les solutions de cette quation dpendent du signe de (E-V
0
) :

- Si (E-V
0
) <0
La rsolution de lquation aboutit des ondes vanescentes de la forme :

) exp( . ) exp( . kx B kx A + = (17)
Le vecteur donde est donn par lexpression : ) ( 2 .
1
0
E V m
h

- Si (E-V
0
) >0
La solution est de type ondes planes de la forme :

) exp( . ) exp( . ikx B ikx A + = (18)
Le vecteur donde est donn par lexpression : ) ( 2 .
1
0
V E m
h

Dans le premier cas de figure, lnergie cintique E
c
=E-U=E-V
0
est ngative et correspond donc
des vitesses complexes. Ce cas est impossible en mcanique classique. Il sagit dune proprit
de la mcanique quantique.

3.4. Conclusion :

On distingue deux types de solutions de lquation de Schrdinger :

- Les tats libres : se trouvent dans un quasi-continuum dnergie. Les fonctions sont des ondes
planes linfini.

- Les tats lis : leurs fonctions donde sont localises dans lespace, elles occupent un nombre
fini de niveaux dnergie et admettent des dveloppements asymptotiques en exponentielles
dcroissantes.

4. Approximation WKB:

Le passage de la mcanique quantique la mcanique classique se fait dune faon analogue au
passage de loptique ondulatoire loptique gomtrique [clerc2001thse]. Cela veut dire qu
partir de lquation de Schrdinger, les quations de la mcanique classique peuvent tre
retrouves.
Afin de remonter ces quations, une approximation dite semi-classique ou WKB (Wentzel-
Kramers-Brillouin) est utilise. Cette approximation donne des solutions approches aux
quations de la mcanique quantique et donc des solutions pour les quations de la mcanique
classique.
Pour rsoudre lquation de Schrdinger dans le cadre de lapproximation WKB, on se considre
dans le cas 1D, dans un potentiel constant. Lquation de Schrdinger a pour solution des ondes
planes dexpression :
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
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1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
119
(
=
h
x p
i A x
.
exp . ) ( (19)
Avec p la quantit de mouvement donne par :
) ( 2 V E m p = (20)
E tant lnergie totale et V lnergie potentielle.
Dans le cas o le potentiel varie lentement, on peut adopter des solutions approches de la
forme :
(
=
h
) (
exp ) (
x S
i x (21)
O S reprsente laction qui est une grandeur caractristique de la mcanique classique.
En introduisant cette fonction donde dans lquation de Schrdinger stationnaire une
dimension, on obtient :
0
2 2
1
2
2
2
=
+ |
\
|
x
S
m
i
E V
x
S
m
h
(22)
Afin de faciliter la rsolution de cette quation, S(x) sera dveloppe en puissance de h :
..... ) (
2
) ( ) ( ) (
2
2
1 0
+ + + = x S x S x S x S
h
h (23)
En ngligeant les termes en
3
h et en rsolvant lquation de Schrdinger, trois sries dquations
sont obtenues :

0
0 2
0 ) (
2
1
2
0 2
2
1
2
0
2
1 0
2
2
0
=
|
|
\
|
|
\
|
|
\
|
+ |
\
|
=
|
|
\
|
|
\
|
|
\
|
= |
\
|
dx
S d
i
dx
dS
dx
dS
dx
dS
dx
S d
i
dx
dS
dx
dS
x p
dx
dS
(24)

Dont les solutions sont :
+ |
\
|
=
+ =
+ =
x
x
cte du u
dx
dV
u p
m
dx
dV
x p
m
S
cte x p
i
S
cte du u p S
0
2
5
2
2
1
0
0
) (
)) ( (
1
4 ) ( 2
)) ( ln(
2
) (
(25)
La forme gnrale des fonctions donde dans lapproximation WKB (en retenant que les deux
premiers termes du dveloppement de S(x)) est donne par :

|
|
\
|
+
|
|
\
|
=

x x
du u p
i
x p
B
du u p
i
x p
A
x
0 0
) ( exp
) (
) ( exp
) (
) (
h h
(26)

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
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r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
120
Avec ) ) ( ( 2 ) ( x V E m x p =
On remarque que la fonction donde est la somme de deux ondes se propageant dans deux sens
opposs.
Lapproximation WKB peut conduire donc des solutions approches condition quelle soit
valide.
En effet, pour obtenir la solution, on na retenu que les deux premiers termes. Donc les autres
termes sont considrs ngligeables devant les deux premiers et en particulier le troisime terme
est ngligeable devant le deuxime :
1 2
2
S S <<
h
(27)
Et en remplaant S
1
et S
2
par leurs expressions on obtient la condition suivante :

[ ]
1
) ( 2
. .
2
3
<<
V E m
dx
dV
m h
(28)

Soit la longueur donde de londe WKB, dfinie par :
[ ]2
1
) ( 2
) (
) (
V E m
h
x p
h
x
= = (29)
Lquation (28) devient en termes de longueur donde :
1 <<
dx
d
(30)
Cette condition signifie que les variations de la longueur donde doivent rester ngligeables
devant la longueur donde elle-mme pour que lapproximation WKB soit applicable.

5. Approximation de la masse effective :

Dans un semi-conducteur, les porteurs sont soumis laction de plusieurs potentiels lectriques.
Parmi ces derniers, on trouve le potentiel cristallin associ aux ions du cristal. Afin de simplifier
le traitement de lvolution des porteurs au sein du semi-conducteur, une approximation dite
lapproximation des masses effectives est souvent utilise. En effet, selon cette approximation un
porteur de masse m
0
va se comporter dans le potentiel cristallin comme une particule quasi-libre
de masse effective m
e
.
La masse effective contient donc linertie additionnelle que donne le potentiel cristallin
llectron et prend ainsi en compte leffet de ce potentiel cristallin. Elle scrit sous la forme
donne par lquation (31) dans le cas de bandes paraboliques dans lespace de phase
[Mathieu1998] :
2 2
2
/ dk E d
m
e
h
= (31)
Dans ce cas, la masse effective est inversement proportionnelle la drive seconde de la relation
E(k), dite relation de dispersion .
Si on considre le cas de silicium, on saperoit que les porteurs, trous et lectrons, sont classs
en diffrentes familles selon leurs masses effectives. En effet, pour un gaz dlectrons 2D
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
121
correspondant un confinement selon la direction (Ox) (la direction [100]), les lectrons de la
bande de conduction sont classs en deux familles :
- La famille1 : les lectrons sont dits des lectrons transverses avec une masse effective m
t

selon (Ox) et par consquence la masse de densit dtats est donne par
l t dl
m m m . 4
*
= . Ces
lectrons occupent 4 valles de la zone de Brillouin.
- La famille 2 : les lectrons sont dits longitudinaux. Ils ont une masse effective m
l
et une
masse de densit dtats
t dt
m m 2
*
= . Ils occupent 2 valles de la zone de Brillouin.
Pour les trous aussi, on distingue deux familles :
- La famille 1 : correspond aux trous lourds ayant une masse effective m
hh
et une masse de
densit dtats gale la masse effective.
- La famille 2 : correspond aux trous lgers ayant une masse effective m
lh
et une masse de
densit dtats gale la masse effective.
Dans la rsolution de lquation de Schrdinger, cette classification est prise en compte (figure
16).

Figure 16 : Classification des lectrons et des trous

6. Etude du confinement des porteurs linterface oxyde/silicium :

Comme nous lavons dj voqu, lapproche classique et lapproximation WKB ne permettent
pas de mettre en vidence leffet de confinement sur la densit de porteurs par exemple dans le
puits de potentiel qui se forme linterface entre le silicium et un oxyde. Pour cela une rsolution
de lquation couple Poisson-Schrdinger est ncessaire. Afin de modliser cet effet de
confinement des porteurs la surface du semi-conducteur dans les structures MOS, nous
considrons que lnergie potentielle ne varie que dans la direction (Ox), perpendiculaire
linterface.

6.1. Equation de Poisson :

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
122
Dans lapproche classique, la concentration des porteurs dans le semi-conducteur est relie au
potentiel par lquation du Poisson :

) (
2
2
x
dx
V d
= (32)

Avec
r
.
0
= la constante dilectrique du milieu (
0
la constante dilectrique du vide,
r
la
constante dilectrique relative du milieu) et la densit volumique de charges dans le silicium
donne par lexpression :

( ) ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( x Na x Nd x n x p q x
+
+ = (33)

+
Nd (x)et
Na (x) sont respectivement les concentrations des dopants ioniss donneurs et

accepteurs labscisse x, p(x) la concentration de trous labscisse x, n(x) la concentration des
lectrons labscisse x.
Cette quation peut tre simplifie selon le type du substrat et la polarisation applique, et donc
selon le rgime de polarisation de la capacit. Ces rgimes sont (cas dun substrat p) :

- Laccumulation :
Puisque ce sont les trous (les porteurs majoritaires) qui saccumulent la surface, tous les termes
sont ngligs devant p(x) et la concentration de charge se rduit :

) ( . ) ( x p q x (33-a)

- La dpltion :
Cest la concentration des dopants de type accepteurs qui domine et lquation se rduit :

) ( . ) ( x Na q x

(33-b)

- Linversion :
La concentration des porteurs minoritaires augmente dans la zone dinversion et la concentration
de charge la surface du semi-conducteur est :

( ) ) ( ) ( . ) ( x Na x n q x

+ (33-c)

Lexpression de la concentration de charge dfinie la surface du semi-conducteur est bien
fonction du champ puisque cest ce dernier qui dfinit le rgime de la polarisation de la structure
MOS. Afin de rsoudre lquation du Poisson, il faut bien dfinir les conditions aux limites.
Gnralement, on considre que :
s
x V x V = + = ) ( ) 0 ( (34)
Avec
s
le potentiel de surface et lorigine de laxe tant la surface du silicium.

Dans le modle quantique, le potentiel de surface est obtenu en rsolvant lquation de Poisson
comme dans le cas classique.
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
123

6.2. Rsolution de lquation couple Poisson-Schrdinger :

Considrons un mouvement libre des lectrons dans les directions (Oy) et (Oz) : dans le plan de
linterface oxyde-Semi-conducteur dans une structure MOS. Dans ce cas, la fonction donde peut
tre crite comme suit :
)) . . ( exp(
1
). ( ) ( z k y k i x r
z y
+
=
r
(35)
Avec
1
un facteur de normalisation
Lquation de Schrdinger se rduit donc :
) ( ) ( ) (
2
2
2 2
x x x V
dx
d
m
x
=
|
|
\
|
+
h
(36)
tant la contribution du mouvement dans la direction (Ox) lnergie totale. En effet, lnergie
totale peut scrire sous la forme :
+
|
|
\
|
+ =
z
z
y
y
m
k
m
k
E
2
2
2
2
h
(37)
Dans le puits de potentiel, les tats sont lis et lnergie est quantifie en des nergies
n
.
Soient
n
les fonctions donde dans la direction x, solutions de lquation (36). La rsolution de
lquation (36) ncessite la connaissance de potentiel V(x) qui est une solution de lquation du
Poisson (32). Quant au potentiel V(x), il est dtermin partir de lquation de Poisson qui
ncessite aussi les expressions explicites des concentrations de charges dtermines partir des
fonctions donde, solutions de lquation de Schrdinger. Ceci souligne la ncessit demployer
une approche auto-cohrente afin de rsoudre le systme coupl Poisson- Schrdinger.
La rsolution de lquation de Schrdinger dans les conditions dfinies prcdemment permet de
donner les expressions p(x) et n(x) [Clerc thse 2001] :
( )
( )
( )
( )
2
2
*
2
2
*
) ( exp 1 ln . ) ( exp 1 ln . ) (

|
|
\
|
(
(
+
+ +
|
|
\
|
(
+
+ =
j
T
j
F
T
j
dt
i
L
i
F
L
i dl
x
kT
E
kT
m
x
kT
E
kT
m
x n
h h

(38)
( )
( )
( )
( )
2
2
*
2
2
*
) ( exp 1 ln . ) ( exp 1 ln . ) (

|
|
\
|
(
(
+
+ +
|
|
\
|
(
+
+ =
j
HH
j
F
HH
j
hh
i
LH
i
F
LH
i lh
x
kT
E
kT
m
x
kT
E
kT
m
x p
h h

(39)
Avec les expressions de n (x) et p (x), le potentiel V est dtermin partir de lquation de
Poisson. Connaissant V, lquation de Schrdinger est rsolue de nouveau.
t
e
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-
0
0
5
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4
3
9
1
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1

-

8

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c

2
0
1
0
124

6.3. Les approximations pour la rsolution des quations couples Poisson-Schrdinger :

Pour rsoudre les quations couples Poisson-Schrdinger, diffrentes approximations sont
utilises ce qui permet denvisager des modles compacts pour la caractrisation ou la simulation
des dispositifs (par exemple la modlisation des mcanismes de conduction travers les
oxydes).
6.3.1. La mthode variationnelle :

La mthode variationnelle est une mthode trs prcise [Ando1982] [Stern 1972] [Baccarani
1983] [Matthieu 1998]. Elle est utilise surtout pour modliser le rgime dinversion dans les
structures MOS. En effet, dans cette mthode, un seul niveau dnergie est pris en compte, ce
qui est suffisant pour modliser leffet de champ et le confinement des porteurs en inversion
forte. Pour rsoudre lquation de Schrdinger, cette mthode consiste approcher la forme
exacte dune fonction donde dun tat li donn par une expression analytique simple.
Une expression analytique simple de la fonction donde normalise du niveau fondamental est
donne par [Clerc 2001] :
)
2
x b -
( exp x
2
b
) x (
3
b
= (40)
O b est homogne linverse dune longueur. Cette fonction donde satisfait lquation
suivante :
b b
) b ( E H (41)
O H est lHamiltonien du systme.
Cette mthode consiste chercher la valeur de b qui rend la fonction
b
correspondante proche
dun tat propre de lHamiltonien H. Il est montr que ceci est vrifi par un extremum de la
fonction E(b) dfinie par:
dx (x) ] [ H ) x ( H ) b ( E
b
*
b b b
= =
(42)
La dtermination de cet extremum permet de dterminer la fonction donde et lnergie
correspondante dune manire approche.
Lnergie potentielle est solution de lquation de Poisson. Dans le cas des lectrons, lquation
de Poisson est donne par:
(
+ =
x b - 2
3 2
2
2
e x
2
b
) (b n N
q
dx
V d
s a
(43)
O n
s
(b) reprsente la charge stocke sur le niveau fondamental. Cette charge vrifie lexpression
suivante :
(
+
+ =
kT
E b E
b n
F
s
) (
exp 1 ln kT

m
) (
2
d
h
(44)
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
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n

1

-

8

D
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c

2
0
1
0
125
En intgrant lquation (43), on trouve :
b
1
) (
b
1
W
e 3
) (
2 2
b n
e
Na b V
s b b

+ = (45)
O W reprsente la longueur de la zone de dpltion, suppose longue devant la longueur de la
couche dinversion forte. Soit T loprateur nergie cintique. On a alors:
=
m 8
b
T
2 2
b b
h
(46)
La valeur de b qui minimise la fonction E(b) est donne par:
3
1
s
2
* 2
3
n
W

e 12
(
\
|
+ = Na
m
b
h
(47)
Cette valeur est dtermine en ngligeant les variations de n
s
avec b.
En introduisant cette expression de b dans lquation (40), on dtermine lexpression de la
fonction donde quon injecte son tour dans lquation (42).
Lnergie scrit donc :
*
2 2
m 8
b 3
) b ( E
h
= (48)
Pour un potentiel de surface donn, les relations (42), (47) et (48) constituent un systme
dquations auto-consistantes, de solution n
s
, E et b.
Plus de dtails sont dcrits par Mathieu [Mathieu1998].

6.3.2. Approximation du potentiel triangulaire :

La mthode du potentiel triangulaire est utilise pour modliser le rgime daccumulation. Cette
mthode consiste considrer une fonction linaire de la forme x F ) ( q x V = pour dcrire le puits
de potentiel avec F le champ lectrique [Mathieu 1998] [Stern 1972].
Si le puits est considr infiniment profond, lquation de Schrdinger admet des solutions
analytiques sous forme de fonctions dAiry [Mathieu1998], dont les nergies sont donnes par :
3 / 2
3 / 1
*
2
n
)
4
3
n (
2
F e 3

m 2
E |
\
|
+
|
|
\
|
=
h
(49)
Dans lapproximation de la masse effective, on tient compte des lectrons transverses et
longitudinaux. Donc, il existe deux quations distinctes et par la suite deux sries distinctes de
sous bandes dnergie, E0, E1, E3et E0, E2, E3.. :
3 / 2
3 / 1
*
2
)
4
3
(
2
F e 3

m 2
|
\
|
+
|
|
\
|
= n E
l
n
h
(50)
3 / 2
3 / 1
*
t
2
'
)
4
3
(
2
F e 3

m 2
|
\
|
+
|
|
\
|
= n E n
h
(51)

Cette mthode permet de prendre en compte plusieurs niveaux do son utilit pour la
modlisation de la couche daccumulation [Yang 1999]. Cette mthode se montre efficace pour
dcrire le comportement des lectrons dans le substrat en comparaison avec les solutions directes
des quations couples Poisson-Schrdinger [Mueller1997] [Hareland1996].
t
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0
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4
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c

2
0
1
0
126

7. Modlisation du courant tunnel direct:

Afin de modliser le courant tunnel dans les structures MOS, plusieurs mthodes ont t
dveloppes dans la littrature:

- Une premire mthode : dite la mthode de Bardeen [Bardeen 1961]. Cette mthode est une
application de la thorie des perturbations au cas particulier des problmes deffet tunnel. Elle est
base sur la dtermination de lextension des fonctions donde dans lisolant. Cette mthode est
considre comme la plus rigoureuse.

- Une deuxime mthode : base sur le calcul des valeurs des rsonances en nergie du
coefficient de rflexion dune onde plane incidente sur la barrire. Cest une mthode gnrale
dont un exemple dutilisation est la modlisation des diodes p-n effet tunnel.

- Une troisime mthode : base sur les concepts de transparence de la barrire tunnel et de
frquence dimpact des porteurs contre cette mme barrire. Cest la mthode la plus simple
dvelopper.
Clerc a montr que ces trois mthodes donnent des rsultats sensiblement quivalents [Clerc
thse 2001]. Dans notre modlisation, cest la troisime mthode qui a t adopte comme
expliqu dans la suite du manuscrit.

7.1. Mthode de la transparence :

Cette mthode se base sur la notion de la transparence de la barrire isolante. Elle permet le
calcul du nombre des porteurs qui peuvent franchir la barrire en rsolvant le systme des
quations coupl Poisson-Schrdinger. Ces porteurs franchissent la barrire par effet tunnel.
Selon cette mthode, le courant tunnel peut tre reprsent par lquation suivante :

n n n tunnel
f T Q J . . = (52)
n
T est la transparence au niveau dnergie n,
n
f est la frquence dimpact des lectrons contre la
barrire et Qn la charge disponible pour passer par effet tunnel. En effet, la transparence prsente
la pntration des fonctions donde des lectrons dans loxyde. Elle peut tre dfinie aussi comme
la probabilit de transmission qui est la probabilit de passage dun lectron dnergie E dune
lectrode une autre travers lisolant. La frquence dimpact est une notion qui dcrit le flux
moyen dlectrons arrivant sur la barrire. Les diffrentes mthodes permettant dexpliciter ces
deux paramtres sont dtailles dans les paragraphes suivants.

7.1.1. Transparence tunnel :

Plus prcisment, la transparence tunnel est dfinie comme le rapport du courant transmis sur le
courant incident associ aux ondes transmises et incidentes [Clerc thse 2001]. Elle dpend des
caractristiques de la barrire et peut tre value suivant diffrentes mthodes :

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
127

7.1.1.1. La mthode des matrices de transfert :

La mthode des matrices du transfert est une mthode numrique prcise et simple dcrite par
Ando [Ando1987]. Cette mthode est base sur la mesure de coefficients de transmission et de
rflexion. La transparence est calcule pour un oxyde suppos discrtis par morceau de
potentiel constant V
i
(voir figure 17-a).

Figure 17 : (a) Schma dune barrire tunnel dnergie potentielle constante par morceau
[Ando 1987] (b) Schma illustrant les rflexions des ondes sur une discontinuit de potentiel

Pour chaque zone nergie potentielle constante, la solution de lquation de Schrdinger est la
somme de deux ondes planes :

) exp( ) exp( x ik B x ik A
i i i i i
+ = (53)

O k
i
est le vecteur donde dexpression :
) ( . 2
1
i i i
V E m k =
h
(54)
i dsigne chaque zone nergie potentielle constante.
Il est clair que cette fonction donde est la somme de deux ondes se propageant dans deux
directions opposes. A chaque passage dune zone i une autre zone i+1, les fonctions donde
peuvent tre lies entre elles et donc leurs amplitudes sont relies par des matrices quon appelle
les matrices du transfert selon lquation suivante :
|
|
\
|
=
|
|
\
|
+
+
1
1
i
i
i
i
i
B
A
M
B
A
et donc on aura
|
|
\
|
=
|
|
\
|
n
n
B
A
M
B
A
.
0
0
(55)
Avec
=
=
1
0
n
i
i
M M
La transparence est dfinie par le rapport courant transmis J
t
sur courant incident J
i
:
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
128
i
t
J
J
T = (56)
Avec
2 .
n
n
n
t
A
m
k
J
h
= et
2
0
0
0
.
A
m
k
J
i
h
=
La transparence est donc donne par lexpression suivante :
2
0
2
0
0
. .
A
A
k
k
m
m
T
n
n
n
= (57)
Or, B
n
=0 (pas donde rflchie dans le milieu 2), donc partir de (55), on a :
n
A M A .
11 0
= . Avec M
11
est le premier lment de la matrice M. Finalement, la transparence sera
donne par :
2
11
0
0
1
. .
M
k
k
m
m
T
n
n
= (58)

7.1.1.2. La mthode semi-classique WKB :

La mthode WKB permet davoir une solution approche de lquation de Schrdinger. Elle peut
tre utilise pour calculer la transparence dune barrire tunnel dune forme quelconque afin
dobtenir des expressions analytiques simples dans le cas o elle est valable. Nous nous
contentons ici de donner les rsultats du traitement par cette mthode du problme de transport
travers une barrire isolante. Nous avons vu que lapproximation WKB suppose que le potentiel
varie lentement. On suppose donc dans ce qui suit que cette condition est vrifie. Dans le cas
dune barrire dpaisseur Tox, la transparence selon la mthode WKB scrit sous la forme
suivante :
) ). ( 2 exp( ) ). (
2
exp( ) (
0 0

= =
ox ox
T T
dx x k dx x p E T
h
(59)
O p(x) est la quantit du mouvement de llectron et k(x) le vecteur donde. La connaissance de
la relation de dispersion k(E) permet de calculer la transparence. La relation de dispersion est de
deux types :
- parabolique une seule bande :

Dans ce cas, lnergie E de llectron est la somme de lnergie potentielle et cintique.
ox p ox ox p c p
V x p x E V m x E x E x E E ). ( .
2
1
) ( . .
2
1
) ( ) ( ) (
2
+ = + = + = (60)
Llectron ayant une vitesse V
ox
et une masse effective m
ox
.

Do )) ( .( . 2 ) ( x E E m x p
p ox
= (61)

h h
)) ( .( . 2
) (
) (
x E E m
x p
x k
p ox

= = ou
h
) .( . 2
) (
p ox
E E m
E k

= (62)

- type Franz symtrique deux bandes

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
129
Dans ce cas, k(E) est donn par lexpression :
) 1 ).( ( 2 .
1
) (
ox
c
c ox
Eg
E E
E E m E k

=
h
(63)
O Eg
ox
est la largeur de la bande interdite de loxyde.

Lexpression de la transparence dpend de la forme de la barrire (figure 18) :
- Dans le cas o la barrire est trapzodale, le mcanisme tunnel est un tunnel direct
(figure 18) alors lexpression de la transparence dans le cas o la relation de dispersion est
parabolique une seule bande devient :
( ) ( ) [ ]
|
|
\
|
=
2 / 3 2 / 3
.
3
2 4
exp E V E
V
T qm
T
B B
ox
ox TD
WKB

h
(64)
V tant le potentiel appliqu,
B
la hauteur de la barrire.
- Dans le cas dune barrire triangulaire, leffet tunnel est de type Fowler-Nordheim
(figure 18) :

( )
|
|
\
|
=
2 / 3
.
3
2 4
exp E
V
T qm
T
B
ox ox FN
WKB

h
(65)

Figure 18 : Injection dun lectron travers une barrire trapzodale et triangulaire dans une
structure MOS

- Correction Register:

Comme nous lavons dj mentionn, la transparence obtenue par la mthode WKB nest
applicable que lorsque lnergie potentielle varie lentement. Donc, dans une barrire discontinue,
rencontre dans la structure MOS, cette mthode nest pas applicable. Mais vu la simplicit du
rsultat obtenu par la mthode WKB, cette approximation peut tre applique dans des cas non
valables condition dajouter un prfacteur introduit par Register afin de corriger lexpression de
la transparence.
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
130
Cette correction est attribue aux discontinuits de lnergie potentielles aux deux extrmits de
la barrire tunnel (x=0 et x=T
ox
) et aux rflexions sur les interfaces quelles gnrent
[Register1999]. La transparence corrige est :

) ( . ) ( E T C E T
WKB
= (66)

Avec
)) ( ) ( (
) ( ). ( 4
.
)) ( ) ( (
) ( ). ( 4
2 2 2 2
ox ox ox ox ox Si
ox ox ox ox ox Si
ox Si
ox Si
T qF E v T qF E v
T qF E v T qF E v
E v E v
E v E v
C
+ + +
+ +
+
= (67)

ox
v ,
Si
v sont respectivement les vitesses des porteurs dans loxyde et dans le silicium.
Si
Si
m
E
v
2
= ,
ox
ox
m
E
v
) ( 2
=

, avec la hauteur de la barrire , E lnergie de llectron .
La figure 19 montre une comparaison entre la caractristique densit du courant en fonction du
champ lectrique exprimental et le modle tunnel direct avec ou sans correction Register. On
observe bien que le modle avec correction est en bon accord avec la courbe exprimentale, ce
qui montre bien la ncessit dappliquer cette correction la transparence WKB.

Figure 19 : Comparaison entre la caractristique densit du courant de grille en fonction du
champ lectrique mesure (points pleins) pour une structure p+ poly silicium/SiO2/n-Si et le
modle tunnel direct avec la correction (ligne continue), et sans correction Register (pointill)
[Register 1999]

7.1.2.. Frquence dimpact :

La frquence dimpact est une notion semi-classique qui dcrit le flux moyen dlectrons arrivant
sur la barrire. Elle dpend du milieu incident. Dans une structure nergie potentielle
quelconque, les fonctions donde relles sont dcomposes en deux ondes complexes dans les
deux sens opposs afin dextraire une expression gnrale de la frquence dimpact [clerc thse
2001] :
) ( ) ( x P x P
n n n
+ = (68)
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
131
Avec
n
fonction donde relle, P
n
(x) la fonction donde complexe dans le sens des x croissant et
) (x P
n
la fonction donde complexe dans le sens contraire.
La frquence dimpact sexprime en fonction de P en x=0 selon lexpression :

)
) 0 (
) 0 ( Im(
dx
dP
P
m
F
n
n imp
h
= (69)

Les expressions P et P peuvent tre obtenues en utilisant la transforme de Fourier de
n
. En
effet :
[ ] dx ikx k TF x
n n
) exp( . ) (
2
1
) (
+

=
(70)
Ce qui veut dire :
[ ] [ ] dx ikx k TF dx ikx k TF x
n n n
) exp( . ) (
2
1
) exp( . ) (
2
1
) (
0
0

+

+ =
(71)
Aprs changement de variables, on obtient :
[ ] [ ] dx ikx k TF dx ikx k TF x
n n n
) exp( . ) (
2
1
) exp( . ) (
2
1
) (
0 0

+ +
+ =
(72)
Donc P est donne par :
[ ] dx ikx k TF P
n
) exp( . ) (
2
1
0
+
=
(73)
Cette expression est trs gnrale. Diffrentes visions ont t employes pour donner une
expression facile employer dans le calcul du courant :

- La mthode variationnelle [Mathieu 1998]:

Daprs la mthode variationnelle, la fonction donde a pour expression :
)
2
x b -
( exp
2
) (
3
x
b
x = (74)
En partant des quations (69) et (73), on extrait une expression de la frquence dimpact de la
forme:
m
b
f
. 4
.
2
0
h
= (75)
Ou encore en fonction de lnergie du niveau fondamental :
|
\
|
=
h
E
f
2
.
3
2
0
(76)

- La mthode des interfrences des ondes linterface :

La fonction donde incidente arrivant sur la barrire donne naissance une onde transmise et
une onde rflchie. Londe transmise met en vidence leffet tunnel quon va tudier en dtail par
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
132
la suite. Dans le puits de potentiel linterface, des interfrences entre londe rflchie et londe
incidente donnent naissance une onde stationnaire [Rana 1996] [Register 1999] comme le
montre la figure 20. Llectron ayant la fonction donde
lie
occupe un tat li dnergie
quantifie
i
j x
E
,
dans le substrat.
) ( ) ( ) ( x x x
r in lie
+ = (77)

Figure 20 : Diagramme des bandes illustrant les interfrences des ondes linterface oxyde/Si
[Garros thse 2004]
Daprs les conditions dinterfrence, le vecteur donde
2
= k est quantifi selon lquation
suivante :
=
0
,
). (
j i
c
x
i dx x k Ou
0
2
,
*
,
.
)) ( ( 2
j i
c
x
c
i
j x x
i dx
x E E m
h
(78)
Avec i lindice dinterfrence, E
c
(x) lnergie potentielle, le point tournant x
c
i, j
est tel que E
c
(x
c
i, j

)=
i
j x
E
,
.
Le temps moyen ncessaire un lectron pour faire un aller retour entre les deux parois du puits
en x=0 et x
c
i, j
est donn par lexpression :
=
0
,
,
) (
2
j i
c
x
j i
AR
x v
dx
(79)
Avec ) (x v la vitesse du groupe de llectron donne par :
*
,
)) ( ( 2
) (
x
c
i
j x
m
x E E
x v

= (80)
La frquence dimpact est le flux des lectrons sur la barrire. Elle scrit comme linverse de ce
temps :
1
0
,
,
) (
2
(
(
j i
c
x
j i
imp
x v
dx
F (81)

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
133

7.1.3. Expression du courant tunnel :

Selon le type du semi-conducteur et selon la polarisation applique sur la grille dune structure
MOS, les lectrons susceptibles de traverser la couche isolante par effet tunnel peuvent :

- Soit occuper des tats dnergie appartenant un continuum dtats :
le courant dans ce cas est assur par un flux dlectrons dit 3D. Cest par exemple le cas des
lectrons dans la grille mtallique de la structure MOS. On assiste dans ce cas une injection
dlectrons du mtal vers le semi-conducteur (figure 21(a)).

- Soit occuper des tats lis. Ce cas correspond aux lectrons confins dans un puits de
potentiel (figure 21(b)). Dans ce cas, le courant rsultant de ces lectrons est appel courant 2D.
Cependant, les tats lectroniques non confins dans le semi-conducteur peuvent galement
participer au courant tunnel. Cest pourquoi, le courant total est la somme dun courant 2D (
deux dimensions) assur par les lectrons confins et dun courant 3D ( trois dimensions) assur
par les lectrons dont les nergies sont suprieures Ec appartenant un continuum
dnergie[Bowen97], [Ghetti 2000]. Un exemple est donn par la figure 21(b) dans le cas de la
capacit MOS substrat p o linjection implique des lectrons dans la couche dinversion de la
surface du semi-conducteur.

Figure 21 : (a) Injection depuis un continuum dnergie (b) Injection depuis un puits de
potentiel

Nous allons par la suite dtailler les expressions de ces deux courants.

7.1.3.1. Courant 2D :

Le courant 2D correspond au flux des lectrons confins dans le puits de potentiel ayant une
nergie quantifie selon laxe (Ox) perpendiculaire au plan de linterface. Comme nous lavons
dj indiqu, les lectrons dans le silicium sont repartis en deux familles distinctes j suivant leurs
masses effectives longitudinales ou transverses. Le courant 2D tient compte de la contribution de
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
134
tous les lectrons appartenant une bande dnergie i et une famille de masse effective j. Il scrit
sous la forme [Yang 1999], [Mudanai 2000] :
=
j i
i
j
i
j
D
n
q J
2
(82)
O
i
j
n est le nombre dlectrons qui occupent la sous bande i et la famille j,
i
j
est leur dure de
vie tunnel.
i
j
correspond au produit de flux dlectrons sur la barrire (ou frquence dimpact F
imp
) par la
probabilit de transition ou transparence T de cette barrire [Garros thse2004] :
) ( ). (
1
, , j i
x
j i
x imp i
j
E T E F =
(83)
Donc le courant 2D scrit en fonction de la charge prsente dans le puits du potentiel, la
frquence dimpact et la transparence de la barrire tunnel selon la relation (84) :

=
j i
j i
x
j i
x imp
i
j D
E T E F n q J ) ( ). ( .
, ,
2
(84)

7.1.3.2. Courant 3D :

Afin de dterminer le courant 3D, on doit calculer les flux des lectrons de llectrode 1 vers
llectrode 2 (J
3D
1->2
) et les flux des lectrons de llectrode 2 vers llectrode 1(J
3D
2->1
). Soit E
lnergie totale des lectrons. Elle peut scrire sous la forme dune somme dune composante
perpendiculaire linterface (E
x
) et une composante parallle (E
//
):
//
E E E
x
+ = avec
//
2
//
2
//
2
.
m
k
E
h
= (85)
En intgrant le flux des lectrons qui passent par effet tunnel de llectrode 1 vers llectrode 2
sur tous les tats dnergie disponibles (
x
E ,
//
E ), le courant J
3D
1->2
est donne par lquation
suivante [chang84] :

( )

+ + =
>
x x x x D
dE dE E E f E E T E E f
h
mq
J
// // 1 // // 2 3
2 1
3
) ( ) , ( ) ( 1
4
(86)
O
1
f et
2
f sont les fonctions de rpartition fermi-Dirac dans llectrode 1 et 2 respectivement, et
T la transparence de loxyde.
De mme, on obtient le courant J
3D
2->1
:

( )

+ + =
>
x x x x D
dE dE E E f E E T E E f
h
mq
J
// // 2 // // 1 3
1 2
3
) ( ) , ( ) ( 1
4
(87)
Donc le courant total sera donn par la diffrence entre les deux flux :

( )

+ + = =

// // 2 // 1 3
1 2
3
2 1
3
) ( ) ( ) (
4
dE E E f E E f dE E T
h
mq
J J J
x x x x D D
(88)
En supposant que T ne dpend que de E
x
[chang84] et en intgrant
1
f et
2
f , le courant total est
donn par lquation :
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
135
dEx
kT
E E
kT
E E
E T
h
kTqm
J
c
E
x F
x F
x
|
|
|
|
\
|
|
\
|
+
|
\
|
+
=
2
1
3
exp 1
exp 1
ln ) (
4
(89)

8. Mise en quation du modle Tunnel direct :

Lapplication des modles de transport tunnel que nous venons de dcrire ncessite de connatre
un certain nombre de grandeurs lectriques de la structure MOS. Ainsi, nous dvons disposer
principalement du potentiel de surface du semi-conducteur, de lpaisseur de loxyde, du champ
lectrique dans loxyde et la tension des bandes plates. Cest lanalyse de la caractristique C(V)
de la structure correspondante qui permet davoir accs ces grandeurs. Nous commenons donc
par appliquer cette analyse une caractristique C(V) dune structure FM/I/S.

8.1. Simulation Poisson-Schrdinger des caractristiques capacit-tension, C(V) :

Le simulateur des caractristiques C(V) utilis consiste reconstituer cette caractristique partir
des quations de base de la capacit et partir de la rsolution des quations couples Poisson-
Schrdinger. Llaboration de la courbe C(V) dune structure MOS repose sur le calcul de la
charge stocke dans le semi-conducteur en fonction de la polarisation applique la grille. Cette
charge est obtenue en rsolvant lquation de Schrdinger. En effet, la capacit peut scrire (en
absence des tats dinterface) :

ox s
ox
s
ox s
T
Q C Q C C C
+
= +
= + =
1 1 1 1
(90)
La connaissance de la charge Q dans le semi-conducteur en fonction du potentiel de surface et du
dopage permet la dtermination de la capacit. En prsence des tats dinterface, il suffit
dintroduire la capacit des tats dinterface C
it
qui est fonction de la densit de ces tats (voir
chapitre II) dans lquation (90). En modifiant la distribution en nergie des tats dinterface
(densit, position du maximum), on peut simuler une courbe C(V) basse frquence.
La figure 22(a) prsente une structure MOS quon peut simuler avec trois couches dilectriques
de diffrentes paisseurs. Ces couches prsentent des charges fixes Q reprsentes par leurs
barycentres x.
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
136

Figure22 : (a) Diagramme de bandes dune structure MOS utilis dans le simulateur C(V)
(b) : Schma de principe utilis par le simulateur C(V)

La figure 22-b dcrit les diffrentes tapes effectues par le simulateur afin de simuler la courbe
C(V) et dextraire les diffrents paramtres. Dans le cas de la structure Mtal/oxyde/Substrat, les
paramtres de simulation pour la recomposition de la courbe C(V) sont : le dopage du substrat,
lpaisseur doxyde, la constante dilectrique, la charge fixe dans loxyde et sa position, le profil
des tats dinterface donneurs et accepteurs dans le gap du substrat, le travail de sortie du mtal et
du substrat. A partir de cette simulation C(V), on peut extraire le potentiel de surface
s
, la
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
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s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
137
tension des bandes plates, lpaisseur de loxyde, le champ lectrique dans loxyde, la valeur de
la capacit thorique C
ms
, la capacit des tats dinterface Cit, la charge des tats dinterface. Ces
diffrents paramtres servent la modlisation du courant tunnel. La figure 23 donne un exemple
dune simulation C(V) pour une structure NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si. La courbe C(V) est simule
avec une paisseur 3.38 nm et un dopage de 10
15
cm
-3
en tenant compte des tats dinterface. Si
on calcule lpaisseur avec une expression classique partir de la valeur de la capacit Cox en
accumulation, on trouve une valeur de 3.94 nm, valeur diffrente de celle obtenue par la
simulation ce qui montre limportance de tenir compte des effets quantiques. Une valeur de la
tension de bande plate de -0.4V est galement extraite.
-4 -2 0 2 4
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010
Thorie
1kHz
1MHz

Tox=3,38nm
C
(
F
/
m
2
)
Vg(V)

Figure 23 : simulation quantique des courbes CV NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si mesures 1 MHz et
1kHz

En conclusion, cest cette mthodologie danalyse qui a t employe pour extraire les
paramtres ncessaires la modlisation tunnel.

8.2. Modle tunnel direct :

Dans le modle tunnel direct dvelopp dans ce travail, il a t tenu compte de deux cas de la
forme de la barrire de potentiel pour appliquer le modle adapt. En effet, pour une barrire
trapzodale, le modle tunnel direct a t appliqu et pour une barrire triangulaire cest le
modle Fowler-Nordheim qui a t appliqu.

8.2.1. Injection depuis le substrat :

Pour linjection de porteurs depuis le substrat et tant donn que lintrt en spintronique se
limite aux lectrons, on va se limiter au rgime daccumulation et donc aux structures substrat
de type n. Vu que les lectrons occupent de prfrence les niveaux dnergie plus bas, cest
lexpression du courant par le courant 2D qui doit tre utilise (voir figure 21-b). Cette
expression est donne par lquation (84) obtenue par la mthode de transparence et qui est
fonction de la frquence dimpact, de la transparence de la barrire et de la charge disponible
pour le transport tunnel. Ces trois composantes seront dcrites dans les paragraphes suivants.

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
138
8.2.1.1. Lexpression de la charge disponible pour le transport tunnel:

La concentration des lectrons est obtenue par une relation gnrale en fonction de la densit
dtats 2D, g
2D
(E) et la fonction de fermi f(E) [Mathieu1998]. Elle sexprime dans le cas gnral
sous la forme :
=
E
D
dE E g E f n ' ). ' ( ). ' (
2
(91)
Avec
2 2
.
) (
h
m
E g
D
= (92)
et
) exp( 1
1
) (
kT
E E
E f
F
+
= (93)
Ce qui donne une concentration en fonction de lnergie des lectrons :

|
|
\
|
|
|
\
|
+ =
kT
E E
q m
kT
n
F
exp 1 ln . . .
2
h
(94)
Les nergies des lectrons sont donnes par lapproximation du potentiel triangulaire puisque le
puits de potentiel en accumulation peut tre approxim par une droite. Les nergies sont donnes
par les fonctions dAiry (quation 49)

8.2.1.2. Lexpression de la transparence de la barrire :

Pour dterminer lexpression de la transparence, nous avons adopt lapproximation WKB vu sa
simplicit en tenant compte de deux cas de figures selon la forme de la barrire : la barrire
trapzodale et la barrire triangulaire. Lexpression de la transparence est donne par lquation
59. Pour notre tude, nous avons deux types de structures comme dj mentionn : les structures
une seule couche de barrire le SiO
2
(figure 24-a) et les structures double couche de barrire
Al
2
O
3
/SiO
2
(figure 24-b).

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
139

structure MIS double barrire dans le cas de transport dlectrons du substrat vers le mtal

Pour les structures une seule couche de barrire, la transparence est fonction de lpaisseur de
loxyde T
ox
et du champ dans loxyde F
ox
dtermins par lanalyse de la caractristique C(V)
ainsi que de la masse effective et de la hauteur de la barrire de loxyde. Elle est donne par les
quations (95) pour une barrire trapzodale et lquation (96) pour une barrire triangulaire :
|
|
\
|
=
dx E x F q m T
ox
T
ox SiO SiO TD
0
) ( . 2
2
exp
2 2
h
Si ( )( )
ox ox SiO
T F q E E
2
. 0 p (95)
|
|
\
|
=
dx E x F q m T
b
ox SiO SiO FN
1
2 2
0
) ( . 2
2
exp
h
Si ( )( )
ox SiO SiO
T F q E E
2 2
. 0 f (96)
Avec b
1
labscisse x pour lequel on a une barrire triangulaire :
ox
SiO
F q
E
b
=
2
1

(97)
Pour les structures double barrire, la transparence est fonction des paisseurs de deux couches
doxydes, de deux champs dans les deux oxydes (La couche Al
2
O
3
a une paisseur T
ox2
et un
champ doxyde F
ox2
alors que la couche SiO
2
a une paisseur T
ox1
et un champ doxyde F
ox1
)
dtermins aussi par les analyses des C(V) dune structure double barrire, des masses
effectives dans les deux oxydes, des hauteurs des barrires. En effet, la transparence totale sera le
produit de deux transparences de deux couches doxyde qui dpendent de la forme des barrires
triangulaire ou trapzodale comme le montre la figure 25. Lalgorithme utilis dans ce cas est
donn par lexpression suivante :
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
140

(98)
Les expressions de la transparence Tunnel direct TTD1 et la transparence Fowler-Nordheim
TFN1 travers la premire couche SiO
2
sont les mmes que dans la premire structure (quations
(95) et (96)). Quant celles de la deuxime couche Al
2
O
3
, elles sont donnes par les quations
suivantes :
[ ]
(
(
+
2 1
1
3 2 3 2
) ( . . . . . 2 .
2
exp ) , ( 2
1 2 1 1
Tox T
T
ox ox ox ox
ox
ox
O Al O Al
dx E T x F q T F q m V E TTD
h
(99)

[ ]
(
(
2
1
3 2 3 2
) ( . . . . . 2 .
2
exp ) , ( 2
1 2 1 1
b
T
ox ox ox ox
OX
O Al O Al
dx E T x F q T F q m V E TFN
h
(100)
Le point b
2
est labscisse x pour lequel on a une barrire triangulaire dans la deuxime couche.

Figure 25 : Diagramme des bandes dune structure bicouche NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si illustrant
les diffrents mcanismes de conduction

Comme dj expliqu, la transparence de la barrire est corrige par un facteur C pour tenir
compte des rflexions sur la barrire.

8.2.1.3. Expression de la frquence dimpact:

En accumulation, on peut approximer le puits du potentiel par un puits triangulaire. Lnergie
potentielle aura donc la forme : Ep(x)= q.F
Si
.x o F
Si
est le champ lectrique dans le silicium.
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
141
En introduisant cette expression dans les quations (80) et (81), la frquence dimpact est donne
par lexpression [Zhao 2004] :
|
|
\
|
=
2
.
.
4
.
,
*
,
,
j i i Si
j i
E m F q
F
Avec E
i,j
le niveau dnergie dans le puits de potentiel, m
*
la masse effective dans le silicium.

Une fois tous les lments du modle sont dfinis, on simule la courbe exprimentale en variant
les diffrents paramtres suivants :
- les hauteurs des barrires :
2
SiO
et
3 2
O Al
(voir figure 24(b))
- les masses effectives de llectron dans les oxydes :
2
SiO
m et
3 2
O Al
m

8.2.2. Injection dlectrons depuis le mtal :

Pour linjection dlectrons depuis le mtal, on considre une structure MOS avec un substrat p.
Les lectrons occupent un continuum dnergie. Le courant tunnel est donc de type 3D, donn
par lquation (89). Dans ce cas, E
F1
est le niveau de fermi dans le mtal et E
F2
est celui du semi-
conducteur. Le courant est intgr sur la hauteur de la barrire entre le mtal et loxyde
(figure 26).
Il scrit sous la forme :
dE
kT
T F q E F E
kT
E F E
E T
h
kTqm
J
B
Fm
E ox ox Fsc
Fm
|
|
|
|
|
|
\
|
|
|
\
| +
+
|
|
\
|
+
=
. . ( ) , (
exp 1
) (
exp 1
ln ) (
4
3
(101)

Avec T la transparence calcule selon lapproximation WKB et tenant compte de la correction
Register.
Dans le cas des structures un seul oxyde SiO
2
(figure 26-a), les transparences tunnel direct et
Fowler-Nordheim sont donnes respectivement par :
( )
|
|
\
|
=
dx E x F q m T
ox
t
ox SiO SiO TD
0
2 2
. 2
2
exp
h
Si ( )( )
ox ox SiO
T F q E E
2
. 0 p (102)
( )
|
|
\
|
=
dx E x F q m T
b
ox SiO SiO FN
1
2 2
0
. 2
2
exp
h
Si ( )( )
ox SiO SiO
T F q E E
2 2
. 0 f (103)
Dans le cas des structures double barrire Al
2
O
3
/SiO
2
(figure 26-b), la transparence comme
dans le cas de linjection depuis le substrat est le produit des transparences de deux barrires. La
couche Al
2
O
3
a une paisseur T
ox2
ox2
alors que la couche SiO
2
a une
paisseur T
ox1
ox1
. La transparence dpend de la forme des barrires.
Lalgorithme utilis pour la calculer est le suivant :
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
142

Nous trouvons ici les mmes dfinitions de diffrentes transparences.
Les transparences de la barrire Al
2
O
3
sont donnes par :

( )
|
|
\
|
=
dx E x F q m TTD
ox
T
ox O Al O Al
2
2 3 2 3 2
0
. 2
2
exp 2
h
(105)
( )
|
|
\
|
=
dx E x F q m TFN
b
ox O Al O Al
2
2 3 2 3 2
0
. 2
2
exp 2
h
(106)
Le point b
2
est labscisse x pour lequel la barrire Al
2
O
3
est triangulaire.

Les transparences de loxyde SiO
2
sont donnes par :

(
(
+
2 1
2
2
2
) ( . . . . . 2 .
2
exp ) , ( 1
2 1 2 2
Tox T
T
ox ox ox ox
ox
ox
SiO
SiO
dx E T x F q T F q m V E TTD
h
(107)
(
(
1
2
2
2
) ( . . . . . 2 .
2
exp ) , ( 1
2 1 2 2
b
T
ox ox ox ox
ox
SiO
SiO
dx E T x F q T F q m V E TFN
h
(108)
Avec b
1
labscisse pour lequel la barrire SiO
2
est triangulaire.
L aussi, les diffrents paramtres dajustement du modle sont :
- les hauteurs des barrires :
2
SiO
et
3 2
O Al

- les masses effectives de llectron dans les oxydes :
2
SiO
m et
3 2
O Al
m
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
143

structure MIS double barrire pour linjection dlectrons du mtal vers le semi-conducteur

8.2.3. Rsultats exprimentaux : transport travers une barrire de SiO
2
:

8.2.3.1. Injection dlectrons depuis le substrat :

Afin dtudier les mcanismes de transport travers une barrire de SiO
2,
un chantillon NiFe/
SiO
2
/n-Si avec une paisseur physique de 4 nm recuit sous forming gas a t utilis. Des
caractristiques I(V) basses tempratures et temprature ambiante (80K 300K) ont t
effectues.
La figure (27) montre que la densit du courant ne dpend pas de la temprature, signe frquent
dun mcanisme tunnel. Afin de vrifier sil sagit dun tunnel direct, nous avons compar ces
rsultats au modle tunnel dvelopp prcdemment.
Une courbe C(V) a t simule afin de dterminer les diffrents paramtres ncessaires pour la
modlisation, savoir le champ dans loxyde (figure 29), le potentiel de surface
s
etc... La
figure 28 reprsente les deux courbes C(V) 1kHz et 1 MHz avec la courbe thorique 1KHz.
Lajustement des rsultats exprimentaux par la courbe thorique permet de donner une paisseur
de SiO
2
de 3.35 nm, un dopage de 3.10
16
cm
-3
et une valeur de la tension des bandes plates V
fb
de
0.2V.

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
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n

1

-

8

D
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c

2
0
1
0
144
0 1 2 3 4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
T
J
(
A
/
m
)
V
g
(V)

-2 -1 0 1 2
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010
Exprience 1MHz
Exprience 1kHz
Thorie

C
(
F
/
m
2
)
Vg(V)

Figure 27 : Les caractristiques I(V) en
fonction de la temprature (80K-300K) pour
la structure NiFe/SiO
2
(4nm)/n-Si
Figure 28 : Courbes C(V) 1MHz et 1kHz
compares avec la thorie pour la structure
NiFe/SiO
2
(4nm)/n-Si

Les concentrations des lectrons la surface du semi-conducteur ont galement t calcules. La
figure 30 donne un exemple des concentrations sur les trois premiers niveaux dnergie en
fonction de la tension de grille, Vg. On constate que la concentration des porteurs sur le niveau
fondamental est plus grande que sur les deux autres niveaux, ce qui confirme que les lectrons
occupent majoritairement les niveaux de plus basses nergies.
-15 -10 -5 0 5 10 15
-3x10
9
-2x10
9
-1x10
9
0
1x10
9
2x10
9
3x10
9

F
o
x
(
V
/
m
)
Vg(V)

0 2 4 6 8 10 12
0
1x10
17
2x10
17
3x10
17
4x10
17
5x10
17

N
l
(
m
-
2
)
Vg(V)
Nl0
Nl1
Nl2

Figure 29 : Champ lectrique dans loxyde SiO
2

en fonction de la polarisation de la grille

Figure 30 : les concentrations des lectrons
longitudinaux sur les trois premiers niveaux
dnergie dans le puits quantique.
Nl0 :fondamental, Nl1et Nl2 : les deux
niveaux excits.

La figure 31 donne une comparaison entre la courbe J-V exprimentale et le modle tunnel
dvelopp. Le modle tunnel utilise une barrire doxyde
ox
= 3.15 eV [Ghetti 2001] et une
masse effective des lectrons dans loxyde, m
ox
= 0.5m
e
[Ghetti 2001]. La comparaison entre
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
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1
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145
rsultats exprimentaux et modle montre que le mcanisme de conduction ne peut pas tre du
type tunnel direct. En effet, le modle donne des densits de courant largement infrieures
celles observes en pratique.

0 1 2 3 4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
J
(
A
/
m
)
V
g
(V)
Thorie
Exprience

Figure 31 : Caractristique courant-tension pour une structure NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si et
comparaison avec le modle tunnel direct. Les paramtres utiliss dans le modle sont :
2
SiO
m =0.5me,
2
SiO
=3.15eV

Par ailleurs, des mesures supplmentaires hautes tempratures ont t effectues et qui ont
montr galement que le courant ne dpend pas de la temprature, ce qui confirme le fait que la
conduction nest pas assiste par un mcanisme thermoonique mettant en jeu des piges.

8.2.3.2. Injection depuis le mtal :

Lanalyse des caractristiques de transport lors de linjection des lectrons du mtal vers le semi-
conducteur a donn des rsultats similaires ceux du paragraphe prcdent. Des mesures du
courant en fonction de la temprature (100K-300K) ont t ralises sur un chantillon NiFe/
SiO
2
/p-Si recuit sous forming gas. Loxyde a une paisseur physique de 4 nm. On remarque quil
ny a pas de dpendance en temprature (figure 32) : signe dun mcanisme de conduction de
type tunnel. Lajustement des courbes C(V) par une caractristique C(V) thorique (figure 33) a
permis dextraire les paramtres ncessaires tel que lpaisseur doxyde (3.38 nm), le dopage
(1.10
15
cm
-3
), la tension des bandes plates (-0.46 V), le champ dans loxyde etc.

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146
-4 -3 -2 -1 0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1

J
(
A
/
m
2
)
Vg(V)
T(300K->100K)

-2 0 2
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010 1MHz
1kHz
Thorie

C
(
F
/
m
2
)
Vg(V)

Figure 32 : Les caractristiques courant-
tension en fonction de la temprature (100K-
300K) pour la structure NiFe/SiO
2
(4nm)/p-Si
Figure 33 : Caractristiques C(V) 1MHz et
1kHz et comparaison avec une C(V)
thorique pour la structure NiFe/SiO
2

(4nm)/p-Si

La figure 34 donne une comparaison entre les caractristiques courant-tension exprimentale et
thorique (modle tunnel direct). Tout comme les rsultats du paragraphe prcdent, on constate
que le mcanisme du transport ne peut pas tre expliqu par un modle de type tunnel direct.
-5 -4 -3 -2 -1 0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
J
(
A
/
m
2
)
V
g
(V)
Thorie (modle tunnel)
Exprience

2
(4nm)/p-Si ,
comparaison avec le modle tunnel direct. Paramtres du modle :
2
SiO
m =0.5me,
2
SiO
=3.15eV

En conclusion, lanalyse du mcanisme de transport travers loxyde fait apparatre un processus
de type tunnel mais avec des amplitudes de courants nettement suprieurs celles prvues par un
modle tunnel prenant en compte la transparence de la barrire. Tout se passe comme sil
sagissait dune transparence augmente. On pourrait alors penser un processus de transport
tunnel qui met en jeu des dfauts dans le volume de loxyde sur lesquels les lectrons transitent.
Il est clair que dans ces conditions la transparence effective de la barrire sera nettement plus
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importante. Ce mcanisme de transport tunnel assist par piges sera dvelopp dans la suite du
manuscrit.

8.2.4. Rsultats exprimentaux : transport travers la structure double barrire Al
2
O
3
/
SiO
2
:

8.2.4.1. Injection dlectrons depuis le substrat :

Une structure NiFe/ Al
2
O
3
/ SiO
2
/n-Si ayant subi un recuit de densification a t analys.
Lalumine a pour paisseur physique de 2 nm. La figure 35 qui donne une comparaison entre
caractristique C(V) exprimentale et thorique, a permis dextraire une paisseur de 1.9 nm
dAl
2
O
3
et 0.7 nm de SiO
2
, tension des bandes plates de 1 V a galement t extraite ainsi que les
valeurs des champs lectriques dans les deux oxydes donns par la figure 36.

-1 0 1 2
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1kHz
1MHz
Thorie

C
/
C
o
x
Vg(V)

-6 -4 -2 0 2 4 6
-3x10
9
-2x10
9
-1x10
9
0
1x10
9
2x10
9

F
o
x
(
V
/
m
)
Vg(V)
SiO
2
Al
2
O
3

Figure 35 : Caractristiques C(V) 1MHz et
1kHz pour une structure NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/n-
Si compares avec une C(V) thoriques

Figure 36 : le champ lectrique en fonction de
la polarisation de la grille travers les deux
barrires : SiO
2
et Al
2
O
3

Des caractristiques courant-tension ont t ralises basses tempratures et temprature
ambiante (80K 300K). La figure 37-a ne montre pas de dpendance en temprature ce qui est le
signe dun mcanisme tunnel. De plus, on constate qu partir de |Vg|=2.5V, il y a un changement
de rgime de conduction. Il sagit vraisemblablement dun mcanisme de conduction de type
Fowler-Nordheim : les lectrons de la bande de conduction de silicium sont injects dans la
bande de conduction de loxyde. Afin de vrifier cette hypothse, on a trac ln (J/F
ox
2
) en
fonction de 1/ F
ox
avec F
ox
le champ lectrique dans loxyde et J la densit du courant. Cest le
trac Fowler-Nordheim. Comme le montre la figure 37-b, le trac donne une droite, ce qui
indique un mcanisme Fowler-Nordheim (FN). Ce mcanisme de conduction, qui est un cas
particulier de mcanisme tunnel direct hautes tensions, montre que le transport travers loxyde
daluminium ne met pas en jeu des dfauts dans loxyde. Une modlisation complte mettant en
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uvre un modle tunnel direct basses tensions et un modle Fowler-Nordheim a t ralise. La
figure 38 prsente la caractristique courant-tension exprimentale ainsi que la caractristique
thorique. Le modle tunnel est obtenu avec une masse effective
3 2
O Al
m =0.23me [Groner2002] et
une hauteur de barrire
3 2
O Al
=2.4eV. Nous constatons que le modle permet de rendre compte
des rsultats exprimentaux sur prs de cinq ordres de grandeurs pour le courant. On observe
toutefois quaux trs basses tensions, le modle scarte de lexprience. Cet cart qui ne
concerne que de trs faibles densits de courant peut tre d un mcanisme de transport mettant
en jeu des tats dinterface [Ghetti 2000] non pris en compte par notre modle.

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
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5
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6
J
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(
A
/
m
2
)
V
g
(V)
T

7,0x10
-10
1,4x10
-9
2,1x10
-9
-32
-30
-28
FN plot
L
n
(
J
/
F
2 o
x
)
1/F
ox
(V
-1
.m)

Figure 37-a : Les caractristiques I(V) en
fonction de la temprature (80K-300K) pour
la structure NiFe/ Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si
Figure 37-b : Trac Fowler-Nordheim pour la
structure NiFe/ Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si

0 1 2 3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
Thorie
Exprience
J
(
A
/
m
2
)
V
g
(V)

Figure 38 : Caractristique courant-tension de la structure NiFe/Al
2
O
3
/SiO
2
/n-Si T=80K.
Comparaison avec le modle tunnel direct. Les paramtres du modle sont :
3 2
O Al
m =0.23me,
3 2
O Al
=2.4eV

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En conclusion, ltude des mcanismes de transport dans les structures MIS grille
ferromagntique montre que la barrire dalumine conduit un transport de type tunnel direct
alors que le transport travers la barrire de silice fait intervenir des dfauts dans le volume de
cette barrire. Une modlisation du transport doit venir tayer le cas de la barrire doxyde. Cest
lobjet du prochain paragraphe.

9. Le mcanisme de conduction tunnel assist par piges (TAT):

9.1. Etat de lart :

Dans cette partie, on prsente la modlisation du courant tunnel assist par pige dans la barrire
SiO
2
. La conduction est assure par des porteurs issus de la bande de conduction des lectrodes et
assiste par les piges situs dans la bande interdite de loxyde. Ces dfauts servent de relais la
conduction. Lundstrom [Lundstrom 1972] et Svensson [Svensson 1973] ont propos en 1972 et
en 1973 un modle de conduction partir dlectrodes mtalliques assiste par des transitions
tunnel via les piges situs dans loxyde. Ils ont utilis une structure MNOS (mtal-nitrure-
oxyde- semi-conducteur) dans laquelle les porteurs sont injects et stocks dans les piges dans le
nitrure. Ces porteurs pigs quittent les piges par effet tunnel comme le montre la figure (39).
Figure 39 : (a) Diagramme de bandes dune structure MNOS avec des lectrons pigs en
condition de bandes plates [Lundstrom1972](b) Diagramme de bandes dune structure MNOS
pour linjection des lectrons pigs ( les lectrons quittent les piges par effet
tunnel)[Svensson1973]

En fait, les mcanismes dinjection proposs auparavant dans la littrature taient linjection
Fowler-Nordheim travers loxyde, la conduction par effet Poole Frenkel travers le nitrure et la
conduction tunnel direct vers les tats dinterface. Mais Svensson et Lundstrom ont montr que
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linjection assiste par des piges dans loxyde et dans le nitrure est trs importante dans les
systmes MNOS. Elle est particulirement importante pour les faibles paisseurs doxyde ce qui
conduit un courant trs important. Le modle quils ont dvelopp concerne un mcanisme
Tunnel Assist par Piges ou Trap Assisted Tunneling (TAT) [Svensson1973]
[Lundstrom1972].
Suzuki et al. ont propos aussi un modle TAT pour expliquer laugmentation du courant dans les
oxydes nitrurs [Suzuki 1986]. Cheng et al. ont repris le modle de Svensson en considrant une
diode MIS Al/SiO
x
N
y
/Si. Ils ont constat que le mcanisme Fowler Nordheim ne justifie pas les
densits du courant mesures sur leurs chantillons avec loxyde fortement nitrur. Suivant les
travaux de Svensson et Lundstrom, ils ont justifi le courant constat par le mcanisme tunnel
assist par les piges dans loxyde. Ces piges sont crs dans les oxydes les plus nitrurs et
donc peuvent tre lis laugmentation de nitrogne dans loxyde. Leur modle et les courants
exprimentaux sont en assez bon accord comme le montre la figure (40). A partir de cet accord,
ils ont extrait une densit des piges entre 1.2.10
19
et 7.2.10
20
cm
-3
et un niveau dnergie des
dfauts entre 2.46 et 2.56 eV [Cheng1988].

Figure 40 :(a) Diagramme des bandes dune structure Al/SiOxNy/Si (R0 est la probabilit
Fowler-Nordheim, R1 et R2 les probabilits TAT) (b) Trac densit du courant en fonction du
champ lectrique B1 :
t
=2.55eV,Nt=2.2510
19
cm
-3
,B2 :
t
=2.53eV ,Nt=6.10
19
cm
-3
,B3 :
t
=2.5eV,Nt=1.10
20
cm
-3

Fleischer et al [Fleischer1992] ont propos un modle simplifi dans lequel ils nont pas eu
besoin de faire des calculs numriques des intgrales dans lexpression du courant tunnel assist
par piges donne par Cheng et al [Cheng1988]. Avec les approximations faites, ils ont obtenu
une expression plus simple avec moins de 2% dcart compar au modle de Cheng (figure 41).
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Figure 41 : Trac de Pourcentage de diffrence entre le modle simplifi de Fleischer et al et
modle non simplifi de Cheng et al (a) en fonction de lnergie du pige (b) en fonction de
champ lectrique [Fleischer1992]

A travers leur modle simplifi, ils ont pu dterminer directement les paramtres caractristiques
des piges : la densit des piges et leurs nergies [Fleischer 1993]. Les modles TAT
dvelopps par Cheng et Fleischer sont bass sur le passage tunnel des lectrons travers une
barrire triangulaire [Cheng1988] [Fleischer1992] [Fleischer 1993]. Ces modles ne dcrivent
donc quune partie de la caractristique I(V) c'est--dire pour les champs lectriques denviron 6-
8 MV/cm. Alors Houng et al ont propos en 1999 un modle tunnel assist par piges gnralis
(GTAT) [Houng 1999]. Dans ce modle, une barrire trapzodale est considre au lieu de la
barrire triangulaire considre par Cheng et Fleischer. En effet, ils ont suivi le modle de Cheng
mais en considrant aussi les contributions au courant faibles champs lectriques travers la
barrire trapzodale.
La figure (42) prsente le diagramme dnergie des bandes considr dans le modle GTAT.
Deux cas se prsentent :
- lorsque
B t
> (figue 42-a) : les piges existent des nivaux peu profonds. Quand le
potentiel appliqu est suffisamment fort, les lectrons passent soit par effet tunnel
Fowler-Nordheim travers une barrire triangulaire (processus A) soit par effet tunnel
direct travers une barrire trapzodale (processus B).

- lorsque
B t
< (figure 42-b) : les piges existent des nivaux profonds. Les lectrons
rencontrent aussi soit une barrire triangulaire (processus A) soit une barrire trapzodale
(processus B).
t
tant la profondeur nergtique du pige depuis la bande de conduction de loxyde et
B
la
hauteur de la barrire de llectrode injectrice.
t
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Figure 42 : Schma de diagramme de bande pour une structure Al/SiO2/Si (a)
B t
> (b)
B t
<

Ce modle gnralis prend donc en compte tous les cas possibles du mcanisme tunnel assist
par les piges. Tous les modles prcdents sont des modles lastiques donc ne prennent pas en
considration les pertes dnergie lors du passage tunnel travers les piges. En effet, lors dune
transition lastique, la charge pige est instantanment rmise avec son nergie dincidence
(donc sans perte). Alors que, lors dune transition inlastique, la charge est instantanment
thermalise dans le pige puis rmise avec lnergie qui correspond celle du fond du pige. La
figure 43 illustre les diagrammes de bande proposs par Chang et al pour leur model TAT
gnralis qui tient compte des pertes en nergie [Chang 2001]. Plusieurs auteurs se sont
intresss aussi au modle TAT inlastique comme Takagi [Takagi1999], Rosembaum et
Register [Rosenbaum1997], Sakakibara [Sakakibara1997], Endoh [Endoh1999].

Figure 43 : Schma de diagramme de bandes propos pour le modle TAT (a) rgime de
bandes plates (b) TAT lastique (la perte en nergie E
loss
est nulle) (c) TAT inlastique (la perte
en nergie E
loss
est suppos constante)

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En effet la prise en compte de la perte dnergie consiste modifier quelques paramtres dans le
modle lastique comme la transparence afin de tenir compte de la perte dnergie de la charge
considre lors de la thermalisation de celle-ci sur le pige. Dans notre travail, on a adopt le
modle lastique.

9.2. Mise en quation du modle :

Afin de modliser le mcanisme tunnel assist par piges, les diffrents paramtres utiliss dans
le modle tunnel direct doivent tre rcrites en tenant compte de la prsence de dfauts dans
loxyde. En effet, on peut assimiler le TAT comme un mcanisme tunnel direct en deux tapes
qui passent par un pige. Ce modle dcrit les structures une seule couche de barrire. Il est
adapt au cas de la barrire de SiO
2
.

9.2.1. La transparence tunnel :

La prsence du dfaut dans loxyde va modifier la transparence de la barrire. Les charges qui
passent travers le dfaut sont concernes par le mcanisme TAT. En effet, les charges peuvent
passer soit par TAT travers les piges soit par autre mcanisme comme le tunnel direct (voir
figure 44-a). Soit N
t
le nombre des piges dans loxyde. Soit le paramtre correspondant la
proportion de surface influence par les piges donn par lexpression suivante :
S
N
t

.
= (109)
Avec la section du capture dun pige et S la surface totale.
Le mcanisme TAT seffectue en deux tapes (figure 44-b):
- tape 1 : injection des porteurs de llectrode mettrice vers le pige

- tape 2 : injection des porteurs partir du pige vers l'lectrode rceptrice
Ces tapes seffectuent soit par un mcanisme tunnel direct soit par un mcanisme Fowler-
Nordheim suivant les valeurs des diffrents paramtres comme la section efficace de pige, la
distribution nergtique des piges, la position du pige dans loxyde, lnergie de llectron, la
forme de la barrire etc...

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Figure 44 : (a) Schma illustrant le passage des lectrons par les mcanismes TD ou TAT (b)
Schma illustrant le mcanisme de transport travers une structure MIS en prsence dun
pige

Afin de modliser le mcanisme TAT, on dfinit les grandeurs ncessaires suivantes :

- T
1
, T
2
: les transparences tunnel de la barrire pour linjection depuis la 1
re
lectrode vers
le pige et du pige vers la 2
me
lectrode.
- f : la probabilit doccupation dun pige par un lectron
- N
t
: le nombre des piges
- f
1
: la probabilit doccupation du niveau dnergie E dans llectrode mettrice
- f
2
: la probabilit doccupation dun niveau dnergie E dans llectrode rceptrice

Le nombre des piges occups est donn par f.N
t
et les piges non occups est (1-f.N
t
). Soient
1

et
2
les probabilits de transition des charges entrantes et sortantes travers les piges
respectivement. Elles sont dfinies par :

) 1 (
1 1 1
f T f = (110) ) 1 (
2 2 2
f fT = (111)

En considrant que llectrode mettrice est un rservoir de charges disponibles pour tre
injectes et que llectrode rceptrice est un rservoir dtats non occups, on aura :

Et (112)

Donc les probabilits de transition deviennent :

) 1 (
1 1
f T (113)
2 2
fT (114)
La diffrence des probabilits des transitions dfinit la variation doccupation dun pige en
fonction de temps :
fT f T
t
f
=
) 1 (
1 2 1
(115)
Si on suppose quil ny a pas de gnration de piges durant les mesures et que le TAT est de
type lastique, on peut crire en rgime stationnaire :
1
1
f 0
2
f
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
155
2 1
1
2 1
0 ) 1 ( 0
T T
T
f
fT f T
t
f
+
=
= =
(116)
Daprs ce rsultat, on peut dire que les probabilits des transitions sont gales et donc la
probabilit totale en rgime stationnaire est donne par :

2 1
2 1
2 1
T T
T T
+
= = = (117)

9.2.2. Calcul du courant :

Dans loxyde, le pige est considr comme un continuum de niveaux dnergie sur toute la
hauteur du puits de potentiel quinduit ce pige et sur une surface correspondant sa section de
capture. Ce pige est dfini par diffrents paramtres influenant directement le courant tunnel
assist par piges. Ces paramtres sont: la section efficace de capture
t
, la profondeur
nergtique
t
, la localisation spatiale dans un plan de loxyde not
t
X . Les piges existant dans
la mme couche doxyde peuvent tre ou pas de mme nature ou pas. En effet, les piges qui ne
sont pas de la mme nature nont ni la mme profondeur nergtique ni la mme localisation
spatiale dans loxyde.

9.2.2.1. La transparence de la barrire :

Le calcul du courant total travers la barrire en prsence dun dfaut va tenir compte du
mcanisme TAT et du mcanisme tunnel direct (cf. figure (44)). Pour cela, la transparence de la
barrire sera gnralise pour tous les cas des figures en fonction de la forme de la barrire vue
par les porteurs injects, de lnergie et de la localisation spatiale du pige, de lnergie des
porteurs (figure 45), Plusieurs cas des figures doivent tre envisags (cf. figure (45)) :

1) Pour
B t ox B
E x F q < . .
La barrire est triangulaire, linjection est de type Fowler Nordheim, do T= T
FN
(118)
2) Pour
t ox B ox ox B
x F q E T F q . . . . <
Linjection est assure via un pige, les porteurs voient une barrire trapzodale durant ltape 1
(tunnel direct) de linjection suivie par une barrire triangulaire (Fowler Nordheim). Dans ce cas
la transparence est donne par :
2 1
2 1
.
FN TD
FN TD
TAT
T T
T T
T
+
= (119)
3) Pour
ox ox B t
T F q E . . <
Linjection est assure via un pige, les porteurs voient une barrire trapzodale durant ltape 1
(tunnel direct) de linjection suivie par une deuxime barrire trapzodale (tunnel direct). La
transparence sera donne par :
2 1
2 1
.
TD TD
TD TD
TAT
T T
T T
T
+
= (120)
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
156
4) Pour
t
E < 0
La barrire est trapzodale, linjection est assure par un mcanisme tunnel direct et nous aurons
donc :
T= T
TD
(121)

Figure45 : Schma illustrant les diffrents mcanismes dinjection travers la barrire en
prsence dun dfaut

Les transparences sont calcules dans le cadre de lapproximation WKB (similaires celles
donnes dans le modle tunnel direct) dcrivant les deux tapes du passage travers loxyde en
passant par le pige qui se trouve une distance X
t
de linterface. Dans le cas o llectron ne
passe pas par le dfaut, on aura les mmes expressions de transparence du modle tunnel direct
(les quations 125 et 126).
( ) ( )
|
|
\
|

t
X
b ox t TD
dx E qFx m X F E T
0
1
2
2
exp ) , , (
h
(122)
( ) ( )
|
|
\
|

OX
t
T
X
b ox t TD
dx E qFx m X F E T 2
2
exp ) , , (
2
h
(123)
( ) ( )
|
|
\
|

b
X
b ox FN
t
dx E qFx m F E T 2
2
exp ) , (
2
h
(124)
( ) ( )
|
|
\
|

b
b ox FN
dx E qFx m F E T
0
2
2
exp ) , (
h
(125)
( ) ( )
|
|
\
|

ox
T
b ox TD
dx E qFx m F E T
0
2
2
exp ) , (
h
(126)
Avec b labscisse partir duquel on a une injection Fowler-Nordheim. La grandeur b est donne
par lexpression :
F q
E
b
B
.
=

avec F le champ lectrique dans loxyde, E lnergie de llectron,
B
la hauteur de la
barrire.
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
157
9.2.2.2. 1
er
cas : piges de mme nature :

Commenons par le cas le plus simple : tous les piges ont la mme section de capture, la mme
profondeur nergtique et sont localiss sur le mme plan dans loxyde. Par analogie avec
lexpression de la densit du courant tunnel donne par lquation (89), la densit du courant
tunnel assist par un seul pige scrit de la mme faon mais en remplaant la transparence
tunnel par la transparente
gen
T prsente prcdemment.

(127)

Soit N
t
le nombre total des piges qui existent dans loxyde de surface S. le facteur
t t
N .
reprsente donc la surface quivalente au mcanisme assist par piges. Le courant TAT sera
donc donn par :
dEx
kT
E E
kT
E E
E T N
h
kTqm
N J I
c
E
x F
x F
x gen t t t t TAT

|
|
|
|
\
|
|
\
|
+
|
\
|
+
= =
2
1
3
exp 1
exp 1
ln ) ( .
4
. .
(128)
Afin de calculer la densit totale du courant, on doit prendre compte le courant assist par piges
et le courant tunnel direct. Cela revient dfinir
S
N
t t

.
= comme la proportion de surface
mettant en jeu les piges. Le courant total
tot
J aura donc lexpression suivante :
TD TAT
tot
tot
J J
S
I
J ). 1 ( . + = = (129)

9.2.2.3. 2
me
cas : piges de nature diffrente :

Ce cas de figure peut correspondre aux piges qui ne sont pas rpartis uniformment dans
loxyde et qui ont une distribution non uniforme des niveaux nergtiques dans les puits de
potentiel associs. Il est donc ncessaire dintroduire un profil spatial de piges dans loxyde et
une rpartition nergtique de niveaux dnergie dans le puits de potentiel. Le calcul du courant
suit le mme raisonnement que le premier cas mais en introduisant de nouveaux paramtres.

9.2.2.3.1. Profil spatial des piges :

Soit fct
t0
(x) la fonction donnant le profil de dfauts en fonction de la profondeur dans loxyde, x.
Elle sexprime en m
-1
. Cette densit correspond au nombre de dfauts prsents entre les deux
plans dabscisses x et x+dx de sorte que :
=
ox
T
t t
dx x fct N
0
0
) ( (130)
dEx
kT
E E
kT
E E
E T
h
kTqm
J
c
E x F
x F
x gen
|
|
|
|
|
\
|
|
\
|
+
|
\
|
+
=
2
1
3
exp 1
exp 1
ln ) (
4
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
158
En tenant compte de ce profil et donc en remplaant N
t
par son expression dans lquation (128),
le courant TAT sera :
dx dE
kT
E E
kT
E E
x E T x fct
h
kTqm
I
c
ox
E x F
x F
x gen t
T
t TAT

|
|
|
|
|
\
|
|
\
|
+
|
\
|
+
=
2
1
0
0
3
exp 1
exp 1
ln ) , ( ). ( .
4
(131)
La densit du courant total est toujours donne par la mme expression (129) mais dans ce cas le
paramtre devient :
= =
ox
T
t
t t t
dx x fct
S S
N
0
0
) ( .
.
(132)
Dans notre modle, nous considrons une distribution spatiale des piges de type gaussien:
)
) (
exp( . ) (
4
0
4
0
max 0
x
x x
N x fct
t t
= (133)
O
max t
N est la valeur maximale en m
-1
, x
0
est labscisse du maximum et
0
x est la largeur de la
distribution
e
N
t max
.x
0
reprsente la position spatiale du pige, note dhabitude X
t
. La figure
(46) prsente un exemple dune distribution avec nm T x
ox
178 . 2 . 6 . 0
0
= = , nm x 1 . 0
0
= ,
1 16
max
10 . 5

= m N
t
:
0,0 1,0n 2,0n 3,0n 4,0n
0
1x10
16
2x10
16
3x10
16
4x10
16
5x10
16

f
c
t
t
0
(
x
)
x(m)

Figure 46 : Un exemple dune distribution gaussienne prsentant le profil spatial des piges
dans loxyde. Les paramtres de cette gaussienne sont :
nm T x
ox
178 . 2 . 6 . 0
0
= = , nm x 1 . 0
0
= ,
1 16
max
10 . 5

= m N
t

9.2.2.3.2. Profil nergtique dans les piges :

On considre que les piges ont une distribution nergtique non uniforme. Soit fct
E
(E) la
fonction de densit de probabilit de transmission des charges en fonction de lnergie. Elle
exprime la probabilit quun porteur dnergie E passe par un pige qui forme un puits de
potentiel. Lexpression du courant est donc modifie et scrit sous la forme :

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
159
dx dE
kT
E E
kT
E E
x E T E fct x fct
h
kTqm
I
c
ox
E x F
x F
x gen E t
T
t TAT

|
|
|
|
|
\
|
|
\
|
+
|
\
|
+
=
2
1
0
0
3
exp 1
exp 1
ln ) , ( ). ( ). ( .
4
(134)

9.3. Expression thorique du courant tunnel assist par piges:

Ce paragraphe a pour objectif de montrer linfluence des diffrents paramtres du mcanisme
TAT sur lexpression finale du courant. Ces paramtres sont la position de piges dans loxyde,
X
t
, leur distribution spatiale,
0
x , leur densit maximale N
tmax
ainsi que leur position nergtique.

- Effet de
0
x :
La figure (47) prsente la densit du courant en fonction de la tension Vg applique la grille
pour diffrentes valeurs de
0
x . Le profil spatial des piges est centr dans loxyde autour de la
valeur X
t
=0.5Tox. Comme on peut le constater, laugmentation de
0
x conduit une
augmentation du courant. Ce rsultat peut tre expliqu par le fait que laugmentation du
paramtre
0
x de la gaussienne correspond laugmentation du nombre total des piges ce qui
augmente le courant assist par ces mmes piges.
0 1 2 3
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
10
2
10
4
10
6

J
T
A
T
(
A
/
m
2
)
Vg(V)
x
0
=0.3nm
x
0
=0.2nm
x
0
=0.1nm
x
0
=0.5nm
x
0
=0.4nm

Figure 47: Caractristiques thoriques de la densit du courant TAT en fonction de la
polarisation Vg. Etude de leffet de la distribution spatiale des piges
0
x sur le courant.

- Effet de X
t
:

La figure (48) prsente leffet de la position du pige X
t
sur le courant. Soit le point de dpart de
comparaison la position initiale X
t
=0.5Tox. On remarque quen augmentant X
t
, le courant
diminue. En effet, en augmentant X
t
, on loigne progressivement les piges de llectrode
mettrice, et la transparence de ltape 1 du processus (injection des porteurs de llectrode
mettrice pige) devient limitante do une diminution du courant.
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
160
0 1 2 3
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
10
2
10
4
Vg(V)
J
T
A
T
(
A
/
m
2
)

0.6Tox
0.5Tox
0.7Tox
0.55Tox

polarisation Vg. Etude de leffet de Xt sur le courant pour Xt>0.5Tox

- Effet de N
tmax
:

La figure (49) montre leffet de la densit maximum des piges N
tmax
sur le courant TAT. En
augmentant N
tmax
, le courant augmente. En effet, laugmentation de N
tmax
signifie laugmentation
du nombre total des piges ce qui conduit laugmentation du courant assist par ces piges.

0 1 2 3
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
10
2
10
4

J
T
A
T
(
A
/
m
2
)
Vg(V)
N
tmax
=15.10
14
cm
-1
N
tmax
=13.10
14
cm
-1
N
tmax
=10.10
14
cm
-1
N
tmax
=7.10
14
cm
-1
N
tmax
=6.10
14
cm
-1
N
tmax
=5.10
14
cm
-1

polarisation Vg. Etude de leffet de N
tmax
.

9.4. Comparaison modle TAT- rsultats exprimentaux de la structure FM/SiO2/Silicium :

Comme nous lavons dj mentionn, les courant-tension (I-V) des structures barrires tunnel
en SiO
2
ne peuvent pas tre modlises par un mcanisme tunnel direct. En effet, les
caractristiques exprimentales donnent des densits de courant nettement plus grandes que celles
prvues par le modle tunnel direct (cf. figure (31)). Cest la raison pour laquelle un modle de
type TAT a t envisag. En effet, la transparence dans le modle TAT est plus grande que celle
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
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s
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o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
161
du mcanisme tunnel direct, ce qui peut expliquer les densits de courant leves observes
exprimentalement.
La figure (50) prsente une comparaison entre une caractristique courant-tension exprimentale
dune structure NiFe/SiO
2
(4nm)/Si et une caractristique thorique tire du modle TAT. Cette
dernire a t calcule avec les paramtres suivants : x
t
=0.46T
ox
(position spatiale du pige) et E
c

(oxide)-E
t
=3eV (la position nergtique du pige par rapport la bande de conduction de
loxyde). Nous constatons un trs bon accord entre caractristiques thorique et exprimentale.

0 1 2 3 4
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Caractristique

exprimentale
Caractristique modle TAT
J
(
A
/
m
)
V
g
(V)

2
(4nm)/p-Si.
Comparaison avec caractristique thorique tire du modle TAT et calcule avec les
paramtres : x
t
=0.46T
ox
,E
c
(oxide)-E
t
=3eV

En conclusion, ce rsultat montre que le transport travers la barrire tunnel SiO
2
est de type
tunnel assist par piges dans loxyde. Ce rsultat concerne linjection dlectrons du silicium
vers le mtal ferromagntique. Nous avons montr que dans le cas du transport mtal
ferromagntique vers le silicium, le modle permet galement de rendre compte des rsultats
exprimentaux.

VI. Conclusion :

Lobjet de ce chapitre tait ltude des mcanismes de transport travers les oxydes minces
(~7nm) et ultra minces (~4nm) dans les structures ferromagntique/isolant/semi-conducteur. A
travers ce chapitre, nous avons compar les rsultats obtenus pour deux oxydes : le SiO
2
et
lAl
2
O
3
. A travers ltude de la conduction travers loxyde de silicium mince, on a pu montrer
que la grille joue un rle important. En effet, avec la grille en aluminium le mcanisme de
transport est le Fowler-Nordheim alors quavec la grille ferromagntique un mcanisme via les
dfauts dans loxyde (le Poole Frenkel) a t obtenu. Cela montre que les mtaux
ferromagntiques entranent des dfauts dans loxyde qui servent comme des relais pour la
conduction. Lexistence de dfauts dans le volume de loxyde de silicium dans les structures
grilles ferromagntiques et le rle de ces dfauts dans les mcanismes de transport travers
loxyde se sont galement manifests dans le cas des oxydes de silicium ultra minces. Nous
t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

8

D
e
c

2
0
1
0
162
avons montr que le transport dans ces structures passe par un mcanisme tunnel assist par
piges dans loxyde. En revanche, dans le cas des barrires tunnels en alumine, lanalyse des
proprits de transport a mis en vidence un mcanisme de type tunnel direct. Ce rsultat suggre
labsence des dfauts au sein de loxyde daluminium. Ce dernier semble se comporter comme
barrire la diffusion datomes ferromagntiques provenant de la grille.

t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

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1

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8

D
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c

2
0
1
0
163
Rfrence:

[Ando1982]: T. Ando, A. B. Fowler and F. Stern, Electronic properties of two-dimensional
systems, Rev. Modern Phys, Vol (54), 1982, pp. 437-621

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Oxide MOSFETs, IEEE Trans. Elec. Dev, Vol (10), 1983, pp.1295-1304

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2
O
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t
e
l
-
0
0
5
4
4
3
9
1
,

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n

1

-

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D
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c

2
0
1
0
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Conclusion gnrale

Le cadre gnral de ce travail de thse tait ltude de linjection de spins dans les semi-
conducteurs et en particulier dans le silicium, partir dune source dlectrons polariss (une
lectrode ferromagntique). Les mcanismes de transport de porteurs (de charges et de spins)
dans les structures ferromagntiques/ semi-conducteurs jouent un rle dterminant pour la
conservation de spin au passage des interfaces. Ce travail a t concentr sur ltude des
mcanismes de transport travers les structures ferromagntique/isolant/silicium. Ces structures
tudies peuvent tre utilises comme injecteurs et collecteurs dlectrons polariss en spin.

La premire partie de notre tude a t consacre une caractrisation approfondie des
structures ferromagntique/isolant/silicium, notamment de linterface isolant/silicium vu son rle
fondamental dans le transport dlectrons entre le ferromagntique et le silicium.
La caractrisation des structures avec des oxydes de silicium trs minces (7 nm dpaisseur) a
permis de constater que la prsence de la grille ferromagntique entraine la gnration des
dfauts linterface, dans loxyde et dans le substrat. Ces dfauts risquent dentraver linjection
de spin dans le silicium, en provoquant la capture des lectrons polariss en spin et en influenant
les mcanismes de transport (conduction via les dfauts). De plus, les dfauts gnrs dans le
substrat influencent aussi le transport en se comportant comme des centres de recombinaison, ce
qui diminue la dure de vie des porteurs. De mme, des tudes sur des structures barrires SiO
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ultra minces (2-4 nm) et des structures double barrire Al
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ont t ralises. Ces tudes
ont montr la prsence de concentrations importantes dtats dinterface. Dans le cas des
barrires SiO
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, un traitement thermique a certes permis de rduire la concentration des dfauts,
mais sans toutefois retrouver les niveaux de performances des structures ltat de lart de la
technologie MOS. En effet, malgr ce traitement ces structures prsentent des densits dtats
dinterface denviron deux ordres de grandeur plus leves que ce que permet la technologie
CMOS avec grilles non-magntiques. En revanche, les structures double barrire Al
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prsentent des densits proches de celles rapportes dans la littrature pour les grilles non-
magntiques. Ces rsultats laissent supposer que, contrairement la couche de silice, la couche
dalumine se comporte en barrire efficace contre la diffusion des mtaux ferromagntiques en
provenance de la grille.

Dans la deuxime partie de ce travail, nous avons tudi les mcanismes de transport
dans les structures ferromagntique/isolant/silicium avec les deux types de barrires, la silice et
lalumine. Les rsultats exprimentaux ont t confronts aux modles physiques dont certains
ont t dvelopps au cours de ce travail. Ltude de la conduction travers loxyde de silicium
mince a mis en vidence limpact de la grille magntique. En effet, avec une grille en aluminium
le mcanisme de transport est de type Fowler-Nordheim alors quavec une grille
ferromagntique, un mcanisme faisant intervenir des dfauts dans loxyde (le Poole Frenkel) a
t mis en vidence. Cela montre que la grille ferromagntique entraine la gnration de dfauts
dans loxyde qui servent de relais au processus de transport. De mme, des mesures de transport
travers des oxydes de silicium ultra-minces ont montr que le mcanisme de transport nest pas
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de type tunnel direct mais plutt de type tunnel assist par piges. Dans le cas de lalumine, la
modlisation du mcanisme de transport a montr que la conduction est de tunnel direct. Cela
confirme les rsultats obtenus sans la premire partie de ce travail sur leffet barrire de diffusion
de la couche dalumine.
En rsum, ces rsultats sur les proprits lectriques compares entre structures
ferromagntique/isolant/silicium avec barrire de silice et dalumine montrent que seule
lutilisation de lalumine peut tre envisage dans des dispositifs spintroniques base de
silicium.

La prochaine tape consiste utiliser ces structures comportant des barrires en alumine
pour des mesures de transport dpendant de spin dans le silicium. De telles structures ont dores
et dj t testes temprature ambiante dans notre laboratoire. Les analyses en termes de
magntorsistance nont pour linstant pas donn de rsultats concluants. Des mesures basse
temprature se rvlent ncessaires. En effet, Le problme de collection de spin et le rle quy
jouent les dfauts dinterface semble encore dterminant malgr la qualit des interfaces des
structures avec barrire dalumine.

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Publications

Journaux:

R.Benabderrahmane, M. Kanoun, N. Bruyant, C. Baraduc, H. Achard, A. Bsiesy,Al2O3
tunnel barrier as a good candidate for coherent spin injection into silicon, submitted to
Journal Semiconductor Science and Technology
M.Kanoun, R.Benabderrahmane, C. Duluard, A. Bsiesy, C. Baraduc, N. Bruyant, H. Achard,
Electrical Study of Ferromagnet Metal Gate MOS Diode: Towards a Magnetic Memory Cell
Integrated on Silicon, Appl. Phys. Lett., 90, 192508 (2007)

Confrences internationales:

R.Benabderrahmane, M. Kanoun, N. Bruyant, C. Baraduc, H. Achard, A. Bsiesy, Electrical
study of NiFe/Al
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/Si Tunnel diodes for magnetic memories, ICM 08, Sharjah-Emirats, 14-
17 December 2008 (Oral presentation)

R.Benabderrahmane, M. Kanoun, N. Bruyant, C. Baraduc, H. Achard, A. Bsiesy, Electrical
study of NiFe/Al
2
O
3
/Si Tunnel diodes for spintronic devices on silicon, Transalpnano 2008,
Lyon-France, 27-29 October 2008 (Oral presentation)

N. Bruyant, R.Benabderrahmane, M.Kanoun, C. Baraduc, H.achard, A.Bsiesy, Physical
and electrical study of Permalloy/Al2O3/Si diodes for spin injection into silicon, Intermag
2008, Madrid Spain, 04-08 May 2008 (poster session)

R.Benabderrahmane, M.Kanoun N. Bruyant , C. Baraduc, H. Achard, A. Bsiesy, Al2O3
Tunnel Barrier as a Good Candidate for Coherent Spin Injection into Silicon , MRS Full
Meeting, Boston 2007(Oral presentation)

N. Bruyant, M.Kanoun, R.Benabderrahmane, B. Pang, C. Baraduc, H. Achard, A. Bsiesy,
Characterization of SiO2 and Al2O3 Tunnel Barriers for Spin Injection from Ferromagnet
Electrode into Silicon, MRS Full Meeting, Boston 2007(Oral presentation)

Electrical study of ferromagnet-oxide-semiconductor diode for a magnetic memory device
integrated on silicon, MRS Spring Meeting, San Francisco 2007 (Oral presentation)

Confrences nationales:

R.Benabderrahmane, M. Kanoun, N. Bruyant, C. Baraduc, H. Achard, A. Bsiesy,Spin
injection into silicon: Towards silicon-based spintronic devices, Colloque Louis Nel, La
Grande Motte-France, 30 september-03 October 2008 (Poster session)

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R.Benabderrahmane, M. Kanoun, N. Bruyant, C. Baraduc, H. Achard, A. Bsiesy,
Caractrisation lectrique des diodes NiFe/SiO2/Si et NiFe/Al2O3/Si pour linjection de
spin dans le silicium, JNRDM 2008, Bordeaux France, 14-16 May 2008 (Oral presentation)

B.Pang, R.Benabderrahmane, N. Bruyant, M.Kanoun, H. Achard, C. Baraduc, A. Bsiesy,
Injecting spin into Silicon, Colloque Louis Nel 2007, Lyon France, (Poster session)

A. Filipe, Etude lectrique des structures MOS grille ferromagntiques : vers un nouveau
dispositif MRAM intgr sur silicium, GDR SESAM 2006, Palaiseau France, (oral
presentation)
Ecoles dt :

European School on Magnetism ESM : New magnetic materials and their functions 9-18
september 2007 , Cluj-Napoca Romania
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= ) ( sont respectivement la capacit des tats

permet de dterminer la densit des tats dinterface Dit.

est dtermin par une drivation numrique ou graphique de la relation ) (Vg

: la fonction donde, j : le nombre complexe et

Na (x) sont respectivement les concentrations des dopants ioniss donneurs et

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