5

Le transistor
en commutation

Objectifs
dapprentissage :
But :

But de latelier

quipement
requis :

1 5, et 9
Utiliser le transistor bipolaire
dans des applications de commande

Dans cet atelier, vous ferez ltude du transistor dans des applications
de commutation.
Vous aurez tablir les caractristiques de fonctionnement optimales
dun circuit de commande dun relais en utilisant des transistors NPN
et PNP et vous raliserez ce circuit dans une application simple
appele interface .
Vous ferez aussi la vrification dun circuit de dtection tel quon en
retrouve dans les aronefs.

Multimtre numrique
Source dalimentation
Plaquette de montage
Circuit numro 0010
Relais 12 VCC

1 x Rsistance: 100 , W
1 x Rsistance: 180 , W
1 x Rsistance: 220 , W
1 x Rsistance: 1 k, W
1 x Transistor 2N3904
1 x Transistor 2N3906
Circuit intgr 74LS00

5-1

Laboratoire 5

5.0

Prparation individuelle.

Prparation
individuelle :

1re semaine :
Rvisez la section 4-5 de votre manuel. Rvisez aussi vos notes de
cours sur la conception de circuits de commutation transistors
bipolaires.
Lisez le texte du laboratoire 5, sections 5.1 et 5.2 afin de prendre
connaissance lavance des manipulations effectuer.
Effectuez le calcul de la rsistance RB la section 5.1 (Conception,
pages 5-3 et page 5-4).
Recherchez sur lInternet la fiche technique du circuit 74LS00
fabriqu par la compagnie Texas Instruments (TI). Assurez-vous
davoir en mains une copie de cette fiche technique lors de la
priode de laboratoire.

5.0

Initiales du professeur :

2e semaine :
Rvisez la section 4-8 de votre manuel.
Lisez le texte du laboratoire 5, section 5.3 afin de prendre
connaissance lavance des manipulations effectuer.

5-2

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

5.1

Commande dun relais

Conception

En supposant une valeur de CC gale 20, calculez la valeur de la

rsistance RB permettant le fonctionnement du transistor en saturation
lorsque la tension de commande est 12 V. Demandez votre professeur de
vous fournir une rsistance RB de la valeur calcule.

IC=Vcc/Rc =12v/160=75 mA
CC = Ic / Ib ,donc Ib= 0.075/20= 3.75 mA
Rb=Vbb-700mV/Ib=12-700mV/3.75 mA=3.0k

Manipulations

Montez le circuit de la page prcdente. Soyez trs attentifs

raccorder la diode en respectant la polarit indique.
laide du multimtre, mesurez les tensions VB et VC lorsque la
tension de commande (VBB) vaut 12 V puis lorsquelle vaut 0V.
VBB = 12 V

VBB = 0 V

VB =

865mV

VB =

0V

VC =

144mV

VC =

12V

5-3

Laboratoire 5

5-4

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

Explicati
ons

partir des mesures effectues, calculez lintensit des courants IB

et IC lorsque la tension de commande (VBB) vaut 12 V puis
lorsquelle vaut 0V.
VBB = 12 V

VBB = 0 V

IB =

3.71mA

IB =

0A

IC =

74mA

IC =

0A

Pourquoi faut-il placer une diode en polarisation inverse en parallle avec la

bobine du relais?
.
Pour limiter leffet de champ de la bobine et viter ainsi de produire de
ltincelle

Lorsque les mesures sont compltes, demandez votre professeur de

confirmer votre travail.
Initiales du professeur :

5.1.1

Conception

En supposant une valeur de CC gale 20, calculez la valeur de la

rsistance RB permettant le fonctionnement du transistor en saturation
lorsque la tension de commande nest que 1 V. Demandez votre
professeur de vous fournir une rsistance RB de la valeur calcule.
IC sat =VCC/Rc =12/160=75 mA
Ib=Ic sat /Bcc= .075/20=3.75 mA
VRB = VEN- VBE =1-0.7=0.3V
RB= VRB/IB=0.3/3.75mA=80

5-5

Laboratoire 5

Manipulations

Remplacez la rsistance RB.

laide du multimtre, mesurez les tensions VB et VC lorsque la
tension de commande (VBB) vaut 1 V puis lorsquelle vaut 0V.
VBB = 1 V

Observations

VBB = 0 V

VB =

727mV

VB =

VC =

140mV

VC =

12V

partir des mesures effectues, calculez lintensit des courants IB

et IC lorsque la tension de commande (VBB) vaut 1 V puis
lorsquelle vaut 0V.
VBB = 1 V

VBB = 0 V

IB =

3.4mA

IB =

IC =

74mA

IC =

Comparez la valeur du courant IC dans les deux cas tudis et commentez.

Dans les 2 cas ou VBB(tension de commande) est gal 12volt ou 1 v
(suprieur a 700 mV) , le transistor est fonctionnel , et on a un courant IC
max (saturation) , Dans le cas ou Vbb =0 le transistor est non fonctionnel
, il est en blocage (Ic=0)

5.1.2

5-6

Lorsque les mesures sont compltes, demandez votre professeur de

confirmer votre travail.
Initiales du professeur :

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

5.2

Interface
Analyse

Si on voulait commander le relais laide dune porte logique, le circuit

ci-dessous ne pourrait pas fonctionner. Expliquez pourquoi.
Le courant de sortie la porte 3 est trs faible. En plus
Il n y a pas assez de voltage dans la sortie (3) du 74LS00 en thorie entre
3.5-5V pour que le relais de 12 v enclenche et faire fonctionner le circuit.

Ce circuit ne peut pas fonctionner. Pourquoi ?

Recherche

Avec votre professeur, recherchez les caractristiques suivantes du circuit

intgr 74LS00 dans la fiche technique que vous avez tlcharge sur
lInternet :
Min
Tension de sortie, niveau haut

VOH :

Tension de sortie, niveau bas

VOL :

Courant de sortie, niveau haut

IOH:

2.7V

Typ

Max

3.4V
.35V

0.5V
-0.4mA

5-7

Laboratoire 5

Courant de sortie, niveau bas

Analyse

IOL :

8mA

Observez le circuit ci-dessous. Compte-tenu des caractristiques du circuit

intgr 74LS00, ce circuit peut-il fonctionner adquatement? Justifiez
votre rponse.
Il n y a pas assez damprage dans la sortie (3) (porte logique) du 74LS00
pour que le relais enclenche.
(Rb=80, Ib max = 0.4 mA(IOH) donc Vb =80*0.4mA= 32mV, cest
insuffisant (inferieur a 700mV) pour faire fonctionner le transistor et de se
fait le relais.

5-8

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

5-9

Laboratoire 5

Analyse

Observez le circuit ci-dessous. Compte-tenu des caractristiques du circuit

intgr 74LS00, on a ajout un tage supplmentaire compos par le
transistor 2N3906 et par le diviseur de tension trois rsistances.

Manipulations

5-10

Le circuit 74LS00 est command par un interrupteur. Lorsque

linterrupteur est ouvert, la tension dentre est au niveau haut
(env. 5 V) et la tension de sortie est au niveau bas (env. 0 V).
Lorsque linterrupteur est ferm, la tension dentre est au niveau
bas (env. 0 V) et la tension de sortie est au niveau haut (env. 5 V).
Lorsque le circuit 74LS00 prsente sa sortie un niveau bas, le
transistor Q1 est satur. La tension lmetteur de Q1 est alors trs
faible, ce qui entrane que la tension de la base de Q2 est aussi trop
faible : Q2 est alors bloqu. Aucun courant ne circule dans le
collecteur de Q2 et le relais reste au repos.
Lorsque le circuit 74LS00 prsente sa sortie un niveau haut, le
transistor Q2 est bloqu. La tension lmetteur de Q1 est alors
dtermine par le diviseur de tension trois rsistances. La tension
de la base de Q2 est alors assez grande pour que Q2 soit satur. Le
courant circule au travers la bobine du relais et dans le collecteur
de Q2 et le relais est alors actif.

Montez le circuit ci-dessus. Soyez trs attentifs raccorder la

diode en respectant la polarit indique.

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

Manipulations

laide du multimtre, mesurez les tensions VBQ1, VEQ1, VBQ2 et

VCQ2 lorsque le niveau de sortie du circuit 74LS00 est bas et
lorsquil est haut.

Sortie 74LS00 = bas

5.2

Sortie 74LS00 = haut

VBQ1 =

169mV

VBQ1 =

4.33V

VEQ1 =

916mV

VEQ1 =

2.63V

VBQ2 =

322mV

VBQ2 =

876mV

VCQ2 =

12V

VCQ2 =

257mV

Lorsque les mesures sont compltes, demandez votre professeur de

confirmer votre travail.
Initiales du professeur :

5-11

Laboratoire 5

Conception du
circuit

Avec laide de votre professeur, vous allez revoir les tapes de la conception du circuit.
Une fois que la topologie du circuit est dcide il faut trouver la valeur des rsistances
qui composent le diviseur de tension.
Nous savons que lorsque le circuit intgr 74LS00 prsente un niveau haut sa sortie, le
transistor Q1 est bloqu et le transistor Q2 est satur. Dans cette condition, le circuit peut
tre simplifi de la manire suivante :

La tension dalimentation du rseau de rsistances est 5 V de sorte que la tension du

circuit simplifi (VTh) doit ncessairement tre infrieure 5 V. Choisissons une tension
de 1 V puisque nous avons dj calcul cette condition :

VTh = 1 V
RTh = 80
Dans cette condition :

VTh =1V

RTh =80
1 V

VTh =5
5

R12 =5

RTh =

R3 =

80

80

100

400

On a donc :

R3 = 100

5-12

et

R12 = 400

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

Daprs la fiche technique, lorsque le circuit 74LS00 prsente sa sortie un niveau haut,
la tension peut tre aussi faible que 2,7 V (VOH min : cas le plus dfavorable). Nous
devons nous assurer que le circuit pourra fonctionner dans cette condition.
Lorsque le circuit 74LS00 prsente un niveau haut de 2,7 V sa sortie, Q1 doit tre
bloqu. La tension VBE doit tre peu prs nulle de sorte que la tension de lmetteur de
Q1 doit aussi tre denviron 2,7 V :

Pour que VTh reste gal 1 V, il faut que :

VTh =

, V

, V

1V

R2 =170
On choisira une rsistance de _180 ._.
Alors R1 vaudra :

R1 =400 180 = 220

On a donc :

R1 = 220

R2 = 180

R3 = 100

5-13

Laboratoire 5

Il faut vrifier que ces valeurs de rsistances permettent aussi un fonctionnement

adquat lorsque le circuit 74LS00 prsente un niveau bas sa sortie.
Daprs la fiche technique, lorsque le circuit 74LS00 prsente sa sortie un niveau bas,
la tension peut tre aussi leve que 0,5 V (VOL max : cas le plus dfavorable). Le
transistor Q1 doit alors tre satur. La tension VBE serait environ 0,7 V de sorte que la
tension de lmetteur de Q1 serait gale 0,5 V + 0,7 V = 1,2 V.

La tension VTh serait alors :

VTh =

, V

, V

0,43 V

Ce qui serait assez faible pour que Q2 reste bloqu.

Les valeurs trouves sont donc acceptables car elles garantissent la fiabilit du circuit
(fiabilit : fonctionnement adquat mme dans des conditions dfavorables).

5-14

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

5.3

Circuit de dtection

Schma du circuit 0010 :

5-15

Laboratoire 5

Schmas dimplantation :
Ct composants

Ct cuivre

5-16

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

Explications

Un circuit semblable (seules les valeurs des rsistances ont t changes)

est expliqu partir de la page 221 de votre manuel.
Les interrupteurs magntiques de la zone 1 sont normalement ferms et
nouvre que lors dune intrusion.
Sil y a dtection dans la zone 1, linterrupteur magntique souvre lors
dune intrusion (ouverture dune porte ou fentre) , la tension est coup a
la base de Q1 ,Le transistor Q1 sera donc en blocage, le transistor Q2 sera
en saturation , polariser par la tension de 12 v du VCC et le courant la
base qui traverse R3 et R4 vers Q2, le courant au collecteur (Ic sat )qui
traverse la bobine dclenche le relais ou alarme.
Dans la situation inverse, il y a pas de dtection, Q1 est satur alors que
Q2 est en blocage donc le relais ne reoit pas de courant (IC=0) donc il ne
marchera pas .

Conception
avance

Une rsistance de 1 M est place entre la base des transistors Q1, Q3 et

Q5 et le commun. Aucune explication nest donne dans le manuel sur
limportance de cette rsistance. Mais en relisant les pages 21 24 et les
pages 185 et 186 de votre manuel, pouvez-vous expliquer le rle de cette
rsistance ?
Si (Ib = 0), on s'aperoit que le courant circulant dans le collecteur n'est
pas nul, d des porteurs minoritaires qui passent de la base dans le
collecteur. Ce courant est nomm ICEO
En place une rsistance la base on limite le courant de fuite dans le
transistor (Collecteur, metteur), laccumulation dnergie dans (E, C) est
nuisible pour la stabilit du circuit pour ce faire en place une rsistance de
valeur importante entre le commun et la base qui va consommer le surplus
de courant.

5-17

Laboratoire 5

5-18

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

Manipulations

5.3

Vrifiez le fonctionnement du circuit.

Lorsque la vrification est effectue, appelez votre professeur afin
de lui en faire la dmonstration. Vous aurez rpondre quelques
questions de comprhension du circuit.
Initiales du professeur :

5-19

Laboratoire 5

5-20

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

5-21

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Laboratoire 5

corrig

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

Conception du
circuit

laide de votre professeur, vous allez revoir les tapes de la conception du circuit.
Une fois que la topologie du circuit est dcide il faut trouver la valeur des rsistances
qui composent le diviseur de tension.
Nous savons que lorsque le circuit intgr 74LS00 prsente un niveau haut sa sortie, le
transistor Q1 est bloqu et le transistor Q2 est satur. Dans cette condition, le circuit peut
tre simplifi de la manire suivante :

La tension dalimentation du rseau de rsistances est 5 V de sorte que la tension du

circuit simplifi (VTh) doit ncessairement tre infrieure 5 V. Choisissons une tension
de 1 V puisque nous avons dj calcul cette condition :

VTh = 1 V
RTh = 80
Dans cette condition :

1V
5
5

1V
5

80

400
400
400
400

80

400
80

80
80

100

On a donc :

R3 = 100

et

R12 = 400

corrig

Laboratoire 5

Daprs la fiche technique, lorsque le circuit 74LS00 prsente sa sortie un niveau haut,
la tension peut tre aussi faible que 2,7 V (VOH min : cas le plus dfavorable). Nous
devons nous assurer que le circuit pourra fonctionner dans cette condition.
Lorsque le circuit 74LS00 prsente un niveau haut de 2,7 V sa sortie, Q1 doit tre
bloqu. La tension VBE doit tre peu prs nulle de sorte que la tension de lmetteur de
Q1 doit aussi tre denviron 2,7 V :

Pour que VTh reste gal 1 V, il faut que :

2,7 V

2,7 V

100
100

1V

170
On choisira une rsistance de 180 .
Alors R1 vaudra :

R1 = 400 180 = 220

On a donc :

R1 = 220

corrig

R2 = 180

R3 = 100

280-215-EM, Circuits daronefs semi-conducteurs I

Le transistor bipolaire

Il faut vrifier que ces valeurs de rsistances permettent aussi un fonctionnement

adquat lorsque le circuit 74LS00 prsente un niveau bas sa sortie.
Daprs la fiche technique, lorsque le circuit 74LS00 prsente sa sortie un niveau bas,
la tension peut tre aussi leve que 0,5 V (VOL max : cas le plus dfavorable). Le
transistor Q1 doit alors tre satur. La tension VBE serait environ 0,7 V de sorte que la
tension de lmetteur de Q1 serait gale 0,5 V + 0,7 V = 1,2 V.

La tension VTh serait alors :

1,2 V

1,2 V
180

100
100

0,43 V

Ce qui serait assez faible pour que Q2 reste bloqu.

Les valeurs trouves sont donc acceptables car elles garantissent la fiabilit du circuit
(fiabilit : fonctionnement adquat mme dans des conditions dfavorables).

corrig