5385 A 5 Eb 71215

UNIVERSIT DE RENNES I
LABORATOIRE ART
FRE CNRS N 2272 - ANTENNES RADAR TELECOMMUNICATIONS
Bt. 22, Campus de Beaulieu, 35042 RENNES Cedex, FRANCE
Tlphone : (33) 2 99 28 62 31 - Tlcopie : (33) 2 99 28 16 59
E-mail : Christian.Brousseau@univ-rennes1.fr
INTRODUCTION AUX
RADIOCOMMUNICATIONS
MATRISE E.E.A.
UNIVERSIT DE RENNES I
FVRIER2001
C. BROUSSEAU
TABLE DES MATIRES
TABLE DES MATIRES............................................................................................................1

CHAPITRE I : PRSENTATION GNRALE.......................................................................3
I.1 ) INTRODUCTION..........................................................................................................3
I.1.2 ) Caractristiques particulires des radiocommunications............................................3
I.1.3 ) gammes de frquences utilisables.................................................................................4
I.1.4 ) Aspect des diffrents types de propagation...................................................................4
I.1.6 ) Exemples de chanes compltes....................................................................................6
I.2 ) NOTIONS GNRALES ..............................................................................................11

I.2.1 ) Niveau en dBm............................................................................................................11
I.2.4 ) Linarit dun amplificateur.......................................................................................11
I.2.5 ) Intermodulation..........................................................................................................11
CHAPITRE II :
LE BRUIT EN RADIOFRQUENCE.....................................................14
II.1 ) INTRODUCTION ......................................................................................................14

II.2 ) BRUIT THERMIQUE DANS UNE RSISTANCE .............................................................14
II.3 ) PUISSANCE DE BRUIT .............................................................................................14
II.4 ) DENSIT SPECTRALE DE BRUIT ...............................................................................16
II.5 ) TEMPRATURE DE BRUIT D UN QUADRIPLE .........................................................16
II.5.1 ) Dfinition...................................................................................................................16
II.5.2 ) Temprature de bruit dun quadriple passif............................................................17
II.5.3 ) Application au cas dune antenne de rception........................................................17
II.6 ) BRUIT DANS UN SYSTME ......................................................................................19

II.6.1 ) Temprature quivalente de bruit.............................................................................19
II.6.2 ) Facteur de bruit.........................................................................................................20
II.7 ) SENSIBILIT DUN SYSTME DE RCEPTION ............................................................21

CHAPITRE III : LES SYSTMES RF.....................................................................................22
III.1 ) RCEPTEURS SUPERHETERODYNES ET HOMODYNES ..............................................22
III.1.1 ) Principe de lopration............................................................................................22
III.1.2 ) Rcepteur superhtrodyne plusieurs changements de frquence........................22
III.1.3 ) Rcepteur superhtrodyne avec prselecteur.........................................................23
Introduction aux Radiocommunications
Matrise E.E.A - Universit de Rennes 1
2
III.1.4 ) Rcepteurs homodynes.............................................................................................24
III.2 ) OSCILLATEURS LOCAUX .......................................................................................24

III.2.1 ) Oscillateurs classiques .......................................................................................24
III.2.2 ) Oscillateurs boucle de verrouillage de phase.......................................................24
III.2.3 ) Oscillateurs boucle de verrouillage de phase et mlangeur.................................25
III.2.4 ) Les synthtiseurs analogiques de frquence............................................................25
III.2.5 ) Les synthtiseurs numriques de frquence.............................................................26
CHAPITRE IV : COMPOSANTS ELECTRONIQUES EN RF............................................27

IV.1 ) I NTRODUCTION .....................................................................................................27
IV.1.1 ) Problmes gnraux.................................................................................................27
IV.1.2 ) Les cbles.................................................................................................................28
IV.2 ) C OMPOSANTS PASSIFS ..........................................................................................31

IV.2.1 ) Condensateurs..........................................................................................................31
IV.2.2 ) Inductances..............................................................................................................35
IV.2.3 ) Rsistances...............................................................................................................39
IV.3 ) C OMPOSANTS ACTIFS ...........................................................................................40

IV.3.1 ) Position du problme...............................................................................................40
IV.3.2 ) Transistor bipolaire en hautes frquences...............................................................40
IV.3.2 ) Transistor effet de champ......................................................................................44
IV.4 ) C OMPOSANTS SPECIAUX .......................................................................................46

IV.4.1 ) Introduction..............................................................................................................46
IV.4.2 ) Diviseurs de puissance.............................................................................................46
IV.4.3 ) Mlangeurs...............................................................................................................47
IV.4.4 ) Commutateurs lectroniques....................................................................................48
IV.4.5 ) Dphaseurs...............................................................................................................48

CHAPITRE I : PRSENTATION GNRALE
I.1 ) INTRODUCTION
I.1.2 ) Caractristiques particulires des radiocommunications
Un systme radiocommunications
est un dispositif qui utilise comme support de

transmission, le milieu atmosphrique. On va distinguer suivant les applications, diffr
structures :
!
mission - rception radio et tlvision,
transmission par faisceaux hertziens,
radar,
radiotlphone,
radiolocalisation.
La puissance du signal reue est en espace libre donne par lexpression :
Prere
2
...
GGP
4.. d
avec Pe, la puissance dmission en Watts,

Ge, Gr, le gain des antennes lmission et la rception,
, la longueur donde, en m,
d, la distance metteur - rcepteur, en m.

I.1.3 ) gammes de frquences utilisables

On peut classer ces diffrentes gammes de frquences du point de vue de la
propagation (figure 1) :
!
ELF (Extremely Low Frequencies) : f < 10 kHz,
VLF (Very Low Frequencies) : 10 kHz < f < 30 kHz,
LF (Low Frequencies) : 30 kHz < f < 500 kHz,
MF (Medium Frequencies) : 500 kHz < f < 2 MHz,
HF (High Frequencies) : 2 MHz < f < 30 MHz,
VHF (Very High Frequencies) : 30 MHz < f < 300 MHz,
UHF (Ultra High Frequencies) : 300 MHz < f < 3 GHz.
I.1.4 ) Aspect des diffrents types de propagation

On peut distinguer diffrents types de propagation (figure 2) :
!
onde de surface ,
onde directe,
onde indirecte rflchie par le sol,
onde ionosphrique,
onde troposphrique.
300 km
Onde
ionosphrique
Ionosphre
Onde indirecte
90 km
Onde directe
Troposphre
Onde de sol
Terre
Figure 1 : Aspects des diffrents types de propagation sol - sol.

Figure 2 : Dnomination des bandes de frquence.

I.1.6 ) Exemples de chanes compltes
Sur les figures des pages suivantes sont reprsentes les schmas fonctionnels d
!
metteur de radiodiffusion classique (figure 3, figure 4),
rcepteur de radiodiffusion classique amplification directe (figure 5),
rcepteur superhtrodyne (figure 6),
metteur rcepteur radio (figure 3),
liaison bilatrale par faisceau hertzien (figure 7),
radar (figure 11, figure 12).
Enfin, la figure 8 montre comment est dfinit lellipsode de Fresnel relativemen

liaison donne.

Figure 3 : Schma de principe dun

metteur - rcepteur radiophoniqu
classique .

Figure 4 : Schma de principe dun metteur de radiodiffusion classique
Figure 5 : Schma de principe dun rcepteur de radiodiffusion amplificatio
Figure 6 : Schma de principe dun rcepteur superhtrodyne classiqu
Figure 7 : Principe de ralisation dune liaison bilatrale par faisceau hertz

Figure 8 : Exemple de trac du profil dune liaison radiolectrique vue directe. Lelli
par MA + MB = AB + l/2 a t trac. Aucun obstacle ne pntre dans lellipsode : la
calcule en espace libre.
DD.
L er
(On rappelle que
. ).
DD
er
Figure 9 : Courbe de rponse en frquence dun rcepteur de radiodiffusion
Figure 10 : Dfinition de la frquence image.

10
Figure 11 : Schma fonctionnel du radar.
Figure 12 : Frquences radar et dnomination code des bandes.

11
I.2 ) NOTIONS GNRALES

I.2.1 ) Niveau en dBm
. Lexpression
Les impdances sont supposes gales
50
dun niveau de puissance peut
sexprimer en dB.W ou en dB.mW (dB par rapport au mW) quon note dBm.
P (W) P (dBW) = 10 10
. log
(P)
P (W) P (dBm) = 10 10
. log
( P ) + 30 dB
Un amplificateur est dit linaire quand le signal de sortie varie linairement ave
dentre.
I.2.4 ) Linarit dun amplificateur
Deux effets non - linaires peuvent se produire :
!
la saturation
lintermodulation.
Ps
Point de compression
1 dB
1 dB
Saturation
Dynamique de
fonctionnement
Zone de linarit
Niveau de bruit
Pe
Figure 13 : Courbe de linarit dun amplificateur.

Ceci nous permet de dfinir :
!
la zone de linarit, donc

Pe
min etPe
max,
la dynamique de fonctionnement (exprime en dB),
le point de compression 1 dB (caractrisant

Pe
max).
Exprime en dBm, la puissance maximale de sortie est dfinie 1 dB de compre

pour lequel le gain est infrieur de 1 dB lextrapolation linaire de sa valeur en faibl
I.2.5 ) Intermodulation
Pour un circuit dont la rponse est non-linaire, le signal de sortie y(t) peut sexp
fonction de son entre x(t) sous la forme dune srie de Taylor :

yt
axt
.
12
axt
. 2
3
...
axt
3.

12
Figure 14 : Valeurs du Return Loss en fonction du ROS.
Figure 15 : Table de conversion des dcibels en Volts et Watts.

13
Le coefficient1 reprsentent
a
le gain linaire du circuit et les coefficients
a
2, a3, ..., les
distorsions.
Supposons que lon applique maintenant lentre, un signal compos de deux s

frquence
f f2. Les composantes non-linaires du systme vont donc gnres des sinu
1 et
parasites que lon appelle intermodulation. Il va notamment y avoir apparition de s
frquences1 (f f2) et (f2 f1), appeles intermodulation dordre 2, et de frquences
(2.f
1 - f 2) et
(2.f2 - f1), appeles intermodulation dordre 3.
Si lon trace le spectre des raies gnres par lintermodulation, on saperoit qu

frquences les plus proches des frquences dutilisation, donc les plus gnantes, sont
lintermodulation dordre 3.
Ainsi, pour juger de la qualit dun systme large bande et grande dynamique, o
points dinterception dordre 2 et 3 (ICP2, ICP3), qui sont lextrapolation de la rponse
en fondamentale et en intermodulation dordre 2 et 3 (Figure 16).
Figure 16 : Reprsentation des courbes de gain et dintermodulation en fonction de

14
CHAPITRE II : LE BRUIT EN
RADIOFRQUENCE
II.1 ) INTRODUCTION
Le problme du bruit se pose ds quil sagit de traiter des signaux de faibles am

problmes vont intervenir dans de nombreux systmes et en particulier dans les ensem
rception.
Le bruit est imputable :
!
la nature discontinue de la matire,
lagitation molculaire,
les imperfections de toute nature (couplages, ...).
II.2 ) BRUIT THERMIQUE DANS UNE RSISTANCE
Les lois de la thermodynamique montrent qu toute rsistance R correspond un

lectromotrice (fem) de bruit exprime en volts par la relation de Nyquist :
4. . . .
ekTRf
eff
10-23
avec : k, la constante de Boltzmann
(1.37
J/d),
T, la temprature absolue de la rsistance en d Kelvin,
,en
R, la rsistance
f, la bande de frquence dans laquelle on considre le bruit, en Hz.
II.3 ) PUISSANCE DE BRUIT
Supposons tout dabord une source dbitant dans une charge non bruyante :
15
R sans bruit
Figure 17 : Schma dune source de bruit db

dans une charge non bruyante .
R
(T)
eb
On a :
Re
'. b
'
RR
U'
R' e2b
R+R' . R'
P
R' =
La puissance dans R va donc tre :

PR'
R'.e2
b
R R' 2
f
4.k.T.R.
PR' =R'.
R +R' 2
si R = R, on a :PkT
.. f
Nous allons maintenant gnraliser en supposant une charge bruyante , soit
R sans bruit
R
(T)
R sans bruit
On a donc 222
:bTeeb e'b avec
!
!
2
4 kTR
: e'..'.'.
eff
2
bT
e
RR
'2
donc on trouve :
Figure 18 : Schma dune source de bruit db

dans une charge bruyante .
e'b
eb
soit :i2b
R
(T)
PbbR ' =Ri'. 2 4.k.f.
R.T+R'.T'
.R'
RR'
2
si R = R et T =#TfPb ' = 2.k.T. # Pb ' indpendant de R.

R
R
si R = R et T =#0fPb ' = k.T.
si R << R
# ncssit dune bonne adaptation dimpdance

# fPb ' =4.k.T'.
R

16
II.4 ) DENSIT SPECTRALE DE BRUIT
La densit spectrale de bruit ou puissance moyenne de bruit, est dfinie partir

P
eb
f
(en Watts/ Hertz)
Pour la modlisation, on considre en gnral trois sortes de bruits :

!
le bruit blanc,
le bruit gaussien,
la bruit poissonien.
II.5 ) TEMPRATURE DE BRUIT DUN QUADRIPLE

II.5.1 ) Dfinition
La temprature quivalente de
bruit
dispositif
T
(amplificateur, rcepteur, ...) est ga
a dun
celle dune rsistance qui, place lentre, reproduirait la mme puissance de bruit d
sortie du systme. Supposons que lon a :
avec :
Rs
R
(Te)
Re
=R
eR
R bruyante
Re non bruyante
G.Pe
Figure 19 : Schma quivalent dun quadriple.

La puissance de bruit disponible lentre est :
..
PkTf
ee
Si le quadriple gnre un bruit N, on a :
...
PGkTfN
se
... a f , T a tant la temprature additionnelle de bruit ramen par le
avec : NGkT
quadriple,
G , le gain du quadriple,
Te, la temprature dentre,
Soit :
PsaeGkTTf
..
Tout se passe comme si la rsistance R tait laa +

temprature
Te.
T
17
On schmatise ceci par la convention suivante :

Ta
Ts
Te
Figure 20 : Quadriple modlis par ses tempratures quivalentes de bru

II.5.2 ) Temprature de bruit dun quadriple passif
Un tel quadriple peut reprsenter un cble, par exemple, de gain infrieur 1.
On suppose que le systme (quadriple passif) est constitu de plusieurs rsistan

la temprature
Lorsque
T lattnuateur est
e etTconstituent donc autant de sources de
e. bruit
ferm lentre et la sortie sur son impdance caractristique
,
la
puissance
R
disponible en sortie
0
est toujours la mme. On modlise donc le quadriple sous la forme de la Figure 21.
Ta
R0
R0
Ts
G=1 /A
Te
Ps = k.T
s.f.R0
avec sT= Te
Pe = k.T
e.f.R0
Figure 21 : Tempratures quivalentes de bruit dun quadriple passif.

1
Do : .
TTTT
A ease
Soit :
1 ..
TaeeAT
1 G
T
G
II.5.3 ) Application au cas dune antenne de rception
Considrons maintenant une antenne et les cbles coaxiaux qui y sont raccords
peuvent tre considrs comme des attnuateurs. On a le schma quivalent :
Ta
G=1 /A
Tr
Tant
Figure 22 : Systme de rception modlis par ses tempratures quivalente

18
La temprature quivalente de bruit lentre du rcepteur, sera :

T
A1
Tr ant
.Te
A
A
Tous les paramtres sont connus, ant

sauf
quiTest la temprature de bruit capte par
lantenne.
Le schma quivalent dune antenne de rception peut-tre reprsent par le sc

suivant :
Xa
R0
Rr
Xa, la ractance du circuit dantenne,

R0, la rsistance du circuit dantenne (pertes),
Rr, la rsistance de rayonnement.
v=h
eff . E
Figure 23 : Schma quivalent dune antenne de rception.
R0 est la rsistance qui caractrise les pertes de lantenne et gnre un bruit de

que les rsistances ohmiques.
r est laRrsistance qui connecte en srie dissiperait la mme
que celle rayonne par lantenne.
La temprature quivalente dantenne est alors donne par :
Tant
TRTR
.. 0
eRr
RR
0
Pour une antenne, la temprature quivalente se rsume :

Tant TR
Origines de
T ordres de grandeur :
R et
Plusieurs sources de bruit sont possibles (Figure 24):
Tatm., la temprature de bruit atmosphrique (due aux clairs, orages

perturbations mtorologiques, ...). Elle diminue avec la frquence e
cours de la journe. Son minimum est midi.

19
!
Thum., la temprature associe aux activits humaines. Elle dpend de la

dimplantation de lantenne (zone industrielle ou rurale).
Tc., la temprature de bruit cosmique, dans laquelle on distingue le brui

le bruit galactique. Ce bruit est videmment fonction de la direction de
de lantenne.
On crit :
Tratmhumc
TTT
F0 (en dB au dessus de
k.T
0.f)
T0 (K)
Frquence (MHz)
Figure 24 : Valeur moyenne du bruit reu par une antenne omnidirectionnelle prs
II.6 ) BRUIT DANS UN SYSTME

II.6.1 ) Temprature quivalente de bruit
Supposons que lon ait plusieurs tages en cascade. Soit :
Ta2
Ta1
Ti
G2
Ts
G1
Figure 25 : Modlisation dun systme partir de ses tempratures quivalent

20
2211
..
On a : TGTGTT
saai
Soit : TT
aa
Ta2
G1
En gnralisant un systme constitu de N lments, on obtient la temprature

scrit avec la Formule de Friis pour les tempratures quivalentes de bruit :
Taa
T1
Taa2
G1
T3
GG
....
12
... +
TaN
GGG
...
12
N1
Ta
Ti
Ts
Figure 26 : Quadriple modlis par ses tempratures quivalentes de bru

II.6.2 ) Facteur de bruit
Le facteur de bruit est dfini partir de la relation suivante :
F
Puissance totale de bruit en sortie

K)est T (290
Puissance totale de bruit en sortie lorsque l'entre
e
Une autre dfinition est quivalente :

F
Rapport signal bruit en entre

pour Te = Tambiant
Rapport signal bruit en sortie
On a donc :
F
ae
4.....
kTfGTT
4.....
kTfGT
e
Soit :
F11
Ta
Te
FT .
ou encore aeT

21
Pour un quadriple passif (ex. :attnuateur rsistif, cbles, ...), on aura :

F A
(application aux cbles)
Si on gnralise cette relation un systme de N tages, on obtient la relation d

les facteurs de bruit :
F2 111F3
F4
G1
GG
...
GGG
12
123
FF1
+ ...
II.7 ) SENSIBILIT DUN SYSTME DE RCEPTION
On appelle R, le rapport de la puissance utile sur la puissance de bruit lentre

de rception. La puissance utile sexprime sous la forme (quation de la propagation)
Prere
2
...
GGP
16. 22.d
(si on nglige les pertes dorigines diverses)
En supposant que le rcepteur est adapt et que la rsistance dentre soit non b
suffit pour cela que le point de la chane o est appliqu cette relation ne soit pas p
lantenne ; Il faut en effet que dans la formule de Friis, on puisse considrer que le gai
on se place nintervient quasiment plus danseqle
), la
calcul
puissance
de T de bruit scrit :
PkTf
beq ..
On aura donc :
P
R r
Pb
2...
GGP
ere
22
dkTf
16.....
eq
A partir de cette relation, on peut dterminer les zones couvertes par une missi
puissance donne pour quen rception, on aitr/Pun
rapport P
b souhait.

22
CHAPITRE III : LES SYSTMES RF
III.1 ) RCEPTEURS SUPERHETERODYNES ET HOMODYNES

III.1.1 ) Principe de lopration
Le circuit de base dun rcepteur superhtrodyne est le suivant :
S(t)
Filtre FI
Dtection
OL
Figure 27: Structure de base dun rcepteur superhtrodyne.
Linconvnient de cette structure est quelle ne permet pas davoir accs linfor
phase du signal reu. Pour cela, il est ncessaire daugmenter la complexit du sys
obtient alors la structure prsente la figure 18.
Linconvnient de cette dernire structure est de ncessiter un ddoublement du

do une augmentation importante du cot. Une alternative cela est la transforme d
III.1.2 ) Rcepteur superhtrodyne plusieurs changements de frquen
Dans un rcepteur superhtrodyne, pour isoler linformation qui nous intresse

changements de frquence sont parfois ncessaires. Leur nombre est fonction de :
!
!
!
la frquence incidente,
la frquence de la dernire FI,
la qualit des filtres utiliss et des bandes passantes requises.
23
i.t)
a.cos(
S(t)
SsIF(t)
SeIF(t)
G.SsIF(t)
Filtre FI
:2
SsAIF t
OL.t)
2.cos(
Diviseur de
puissance
OL
:2
-/2
OL.t)
2.sin(
SsAIF t
Filtre FI
Figure 28 : Structure dun rcepteur superhtrodyne avec sorties en quadrat

On obtient dans le cas o on ne prend quune seule voie, le schma suivant :
Si(t)
Filtre FI
1
Filtre FI
2
G1
OL1
G2
OL2
Figure 29 : Structure de base dun rcepteur superhtrodyne double changem

Cette structure en plus de sa forte slectivit, possde lavantage dliminer les
aux frquences images.
III.1.3 ) Rcepteur superhtrodyne avec prselecteur
Dans un rcepteur, la puissance de bruit est proportionnelle la bande de frque

Si on peut rduire cette bande, on rduit par la mme le bruit et ainsi on amliore le r
bruit. Ceci conduit donc des schmas dentre de rcepteurs qui ont la structure sui
Si(t)
Filtre
accordable
Filtre FI
Ampli RF
OL2
Contrle (manuel
ou numrique)
Figure 30: Structure dun rcepteur superhtrodyne avec prselecteur d

24
III.1.4 ) Rcepteurs homodynes
Un rcepteur homodyne peut tre considr comme un cas particulier dun rce
superhtrodyne. Ce type de rcepteur a aussi un oscillateur local qui permet dabaiss
du signal incident. La grande diffrence avec les cas prcdents est que dans un rcep
homodyne, la frquence de loscillateur local est drive de la frquence incidente.
i
Si(t)
:2
OL + 2.
i
OL
Filtre FI
M1
OL
i
A
RF
OL +i
M2
OL
OL
Figure 31 : Structure de base dun rcepteur homodyne.
Ce type de rcepteur est utilis pour vrifier lexistence dun signal lentre du
ne permet pas deffectuer des mesures de frquence.
III.2 ) OSCILLATEURS LOCAUX

III.2.1 ) Oscillateurs classiques
Les oscillateurs peuvent tre de diffrents types, la fois analogiques et numriq

souvent raliss partir de structures contre-raction dans lesquelles la condition d
pas respecte (cf. cours dlectronique de Matrise EEA).
Ils peuvent tre construits autour de rsonateurs lectromcaniques tels que des
thermostats ou non, pilots par une horloge atomique, utiliss un diple actif tels qu
Tunnel ou une diode Gunn....
III.2.2 ) Oscillateurs boucle de verrouillage de phase
La structure de ce type doscillateur est la suivante :

25
fO = N .Rf
Ampli
fR
cos()
Filtre
M . Of
V.C.O.
cos(R.t)
Multiplicateur
de frquence
(continu)
:N
cos(R.t +)
Diviseur de
frquence
Figure 32 : Structure dun oscillateur utilisant une boucle verrouillage de p

III.2.3 ) Oscillateurs boucle de verrouillage de phase et mlangeur
Dtecteur
de phase
Ampli
fR
Filtre
fO
V.C.O.
(continu)
f0 - fm
N
fm
Filtre
:N
fd = f0 - fm
Figure 33 : Structure dun oscillateur utilisant une boucle verrouillage de phase

La frquence de sortie
f :
0 scrit
ffNf
0 mR .
III.2.4 ) Les synthtiseurs analogiques de frquence
Oscillateur
stable
Gnrateur
dharmoniques
fx
F1
F2
Matrice de
Commutation fy
:N
fy
N
Fn
fx
fy
; f
N x
fy
Filtre passebande
Commande
externe
(bus IEEE, ...)
ff x
fy
N
Figure 34 : Structure de base dun synthtiseur analogique de frquence.

26
III.2.5 ) Les synthtiseurs numriques de frquence
Les progrs rcents en matire de convertisseur numrique/analogique (CNA), o

de concevoir de nouvelles formes de synthse de frquence, notamment, la synthse n
directe ou DDS (Direct Digital Synthesis dans la littrature anglo-saxonne). La figure c
prsente le schma de principe :
donnes
Registre dincrment
F
de phase
sur N bits
Additionneur
Verrou
mot binaire
ROM
(signal sinusodal) CNA
(adresses)
f
f0
F
.f
2N ck
fck
2
fck
Figure 35 : Principe de la synthse numrique directe.

27
CHAPITRE IV : COMPOSANTS ELECTRONIQUES

EN RF
IV.1 ) INTRODUCTION
IV.1.1 ) Problmes gnraux
IV.1.1.1 ) Cas dun fil en lair
Typiquement, un fil en lair est quivalent une antenne. Par exemple, pour
frquence de 100 MHz, soit une longueur donde de 3 m, un fil de quelques centimtre
une antenne et peut donc rayonner ou capter de lnergie.
IV.1.1.2 ) Cas des alimentations
En gnral, un systme de rgulation et de filtrage peut tre trs efficace en bas

mais les lments qui le constituent peuvent devenir inoprants en RF (problme de fr
coupure des lments). Un signal gnr en aval peut ainsi retraverser lalimentat
propager sur le secteur. Le cas inverse est aussi possible (rgulation amont et/ou aval)
IV.1.1.3 ) Blindages - Cage de Faraday
Diffrents types de blindages peuvent tre utiliss. On trouve soit des murets
treillis. On dfinit lefficacit dun blindage par la relation :
E
SdB
20.log10 I
ET
RAB

28
Exemples : Pour un blindage dpaisseur 1 mm et une frquence de 1 MHz, on

G
R
A
S
r
Cuivre
1 1 108.2 131.4 239.6
Aluminium 0.61 1 106 102.6 208.6
Fernormale 0.044 54 77.3 202.5 279.8
Or
0.7 1 106.6 109.9 216.5
Argent 1.06 1 108.5 135.3 243.8
Tableau 1 : Caractristiques de diffrents mtaux pour le blindage.
IV.1.2 ) Les cbles
IV.1.2.1 ) Paramtres primaires
Le cble est suppos uniforme. Ceci signifie que ses caractristiques locales son
en chaque point du circuit. Pour un tronon lmentaire dun cble de longueur dz, on
certain nombre de paramtres :
L.dz
V(z); I(z)
R.dz
G.dz
C.dz V(z+dz); I(z+dz)
dz
Figure 36 : Modlisation dun tronon lmentaire dun cble de longueur

Les lments de ce schma sont appels paramtres primaires et sont :
!
la rsistance linique R,
linductance linique L,
la capacit linique C,
la perditance linique G.
20 C
Rsistivit
(en
n m)
Cuivre lectrolytique
17.5
Aluminium 27.8 +4.0
Bronze (lignes ariennes)
20 ... 55
Conducteurs
Dilectriques
r
Permittivit relative
Papier (sec)
2 ... 2.5
Polythylne (PE)
Polystyrne (PS)
2.3
2.5
Coefficient de temprature
-1)
(en C
+3.9
+2.0
Facteur de pertes- tan
-3 800 Hz
3.10
-3 1 MHz
30.10
-4 f
2.10
-4 f
2.10
Tableau 2 : Caractristiques de quelques matriaux utiliss pour les ligne

29
IV.1.2.2 ) Paramtres secondaires
Lintrt pratique des paramtres primaires est limit pour lutilisateur de cbles
On leur prfre des paramtres secondaires qui sont :
!
.exp.
,
Limpdance caractristique,
ZAj
cc
j. .
Lexposant linique de propagation,
IV.1.2.3 ) Relation entre les paramtres primaires et secondaires

La thorie des lignes montre que :
Zc
et

RjL
'..'

GjC
'..'

RjLGjC
'..'.'..'
IV.1.2.4 ) Proprits lectriques des cbles coaxiaux (paires coaxiales)

Dans le cas dune structure cylindrique concentrique (figure 29), le calcul de Zc
Zc
de
L'
C'
d
1
.
. 0 r .ln e
2 0. r di
di
Figure 37 : Structure dun cble coaxial.
Figure 38 : Affaiblissement linique dans un c

coaxial en fonction de ses caractristiques gom

30
Figure 39 : Structure des diffrents types disolation utiliss dans les paires c
Type
Avis du CCITT
di
de
de/di 3,65
2,6/9,5
G 623
2,6 mm
9,5 mm
1,2/4,4 0,7/2,9
G 622
G 621
1,2 mm
0,7 mm
4,4 mm
2,9 mm
3,67
4,14
ballon
PE
Type disolation usuel
rondelles PE
PE expans
bambou
r
1,1
1,1
1,1
Impdance caractristique

1 75 1
normalise 1 MHz 75 1 75
Tableau 3 : Caractristiques de quelques paires coaxiales normalises.
Figure 40 : Affaiblissement linique de quelques paires coaxiales normalis

31
IV.2 ) COMPOSANTS PASSIFS

IV.2.1 ) Condensateurs
IV.2.1.1 ) Rappel du principe
Diffrentes formes de condensateurs existent :
condensateurs en feuilles condensateurs
:
en cylindre condensateurs
:
bifilaires :
2.r
2.a
0.r
2.R
types
Limites en frquence (en MHz)
r
Papier imprgn
1
4.5
4
Mica 10
5.4 - 6.9
Cramique (silicate de Mg)
104
5.5 - 7
3
Cramique (oxyde de titane)
5.10
70 80
3 7.10
3
Cramique (titanates)
103 10
Verre (au plomb)
104 6.5
Verre (borosilicate)
104 4
Quartz >
104 3.8
4 2.3
Polythylne 10
4 2.3
Polystyrne 10
42
Tflon 10
Tableau 4 : Limites en frquence des diffrents types de condensateurs.

IV.2.1.2 ) Schma quivalent
Le schma quivalent dun condensateur est le suivant :
Ls
Rs
Rp
Figure 41 : Schma quivalent dun condensateur.
En gnral,
R trs grande et on a :
p est
ZRL
2
ss
2
1

.
C
1
2

32
Dans la reprsentation de Fresnel, on obtient :
Rs.I
Ls..I
I
C
Figure 42 : reprsentation de Fresnel de la rponse dun condensateur.
Dans les figures suivantes, nous donnons quelques courbes caractristiques qua
fonctionnement des condensateurs.
Figure 43 : Variation de limpdance dun condensateur en fonction de la fr
Figure 44 : Variation de la rsistance disolement en fonction de la tempra

33
Figure 45 : Gamme de
frquence demploi des
principaux dilectriques.
b ) Variation de la capacit en fonction de la

a ) Evolution de la rsistance disolement
temprature.
en fonction de la temprature.
c ) Evolution de la tangente de langle dde) Evolution

pertes en de la tangente de langle de per
fonction de la temprature.
fonction de la frquence
Figure 46 : Courbes caractristiques des condensateurs au polypropyln

34
Plage de frquences
Type de
Angle
Utilisations
limites
Constante
Tolrances
condensateur
de
Utilisations
Min.
Max.
pertes dilectrique
Profess. Grand standard
Public
0.01
Industriel
20 %
Condensateurs
filtres,
facteur
cc 1
kHz
4.5
10 %
au papier
0.03
de puissance
Dcouplage
miniature,
0.03
Papier
liaison BF
cc 100
MHz
4
20
%
mtallis
antiparasite,
0.05
plus coteux
Tous usages,
2
accord des
5%
Plastique cc
10GHz
0.0005
circuits,
trs
1%
3
intressants.
6.5
Accord des
circuits RF,
Mica
1 kHz 10 GHz 0.0005
1%
7
lignes retard.
Remplace le
mica dans
4
toutes les
Verre
1 kHz 10 GHz
0.001
1%
applications
6.5
RF.
Circuits RF de
5.4
puissance,
Cramique
5%
100 Hz 10 GHz
0.001
accord et
(Groupe I)
1%
20
drive RF
500
Cramique
Dcouplage
1 kHz 200 MHz 0.01
20 %
(Groupe II)
RF
15 000
- 10 %
dcouplage,
Electrolytique
filtrage, liaison
cc
10 kHz
0.1
9
laluminium
+ 50 %
transistors.
Dcouplage,
Electrolytique
cc 1
MHz 0.05 26
20 % filtrage, circuits
au tantale
transistoriss.
Tableau 5 : Rsum des principales caractristiques des diffrents types de co

35
IV.2.2 ) Inductances
IV.2.2.1 ) Les inductances darrt
Ces inductances sont ralises partir de btonnets 6 trous dans lesquels pass
1.5, 2.51.5,
cuivre tam de 0.6 mm de diamtre. Elles peuvent comprendre
ou 23 spires. La
figure 39 prsente une vue dune inductance darrt.
Ces inductances sont principalement utilises dans le dcouplage des alimentati

(figure 40) afin dviter que des parasites haute - frquence ne se transmettent dun co
lautre par lintermdiaire de leurs alimentations communes.
Il faut donc choisir les inductances de telle faon que leur impdance soit la plus
possible la frquence de travail du systme.
Figure 47 : Vue dune inductance darrt (dimensions en mm).

Alimentation
Gnrale
Circuit 1
Inductance
darrt
Circuit 2
Capacit de
dcouplage
Figure 48 : Exemple de filtrage des alimentations avec des inductances da

Les caractristiques lectriques de ses inductances sont les suivantes :
Appellation
commerciale
Zmax
(k)
bob. 1.5 spires - 3B0.35 + 20%

Bob. 1.5 spires - 4B1
0.45 + 20%
Bob. 2.5 spires - 3B0.75 + 20%
Bob. 2.5 spires - 4B1
0.85 + 20%
Bob. 2 1.5 spires - 3B0.9 + 20%
1.00 + 20%
Bob. 2 1.5 spires - 4B1
Bob. 3 spires - 3B 0.9 + 20%
fZ
max
(MHz)
120
250
50
180
50
110
50
Diminution dimpdance
dans la gamme (MHz)dB
10-300
80-300
10-220, 30-100
50-300, 80-220
10-220, 30-100
50-300, 80-220
50-300, 80-220
7
3
7, 3
6, 3
7, 3
7, 3
10, 7
Tableau 6 : Caractristiques lectriques des inductances darrt.

36
Figure 49 : Influence du courant continu su

lamortissement en fonction de la frquenc
pour une bobine 1.5 spires - 4B1.

pour une bobine 2.5 spires - 3B.

pour une bobine 2.5 spires - 4B1.
Figure 52 : Variation de limpdance et de l

rsistance damortissement en fonction de la f
pour les types :
a = Bob. 2.5 spires - 4B1,
b = Bob. 2.5 spires - 3B,
c = Bob. 1.5 spires - 4B1.
Figure 53 : Amortissement obtenu dans un ci

LR compos dune inductance et dune capa
cramique disque :
a = Bob. 1.5 spires - 4B1 (C = 1500 pF),
b = Bob. 2.5 spires - 3B (C = 1500 pF),
c = Bob. 2.5 spires - 3B (C = 550 pF),
d = Bob. 1.5 spires - 4B1 (C = 550 pF).

37
IV.2.2.2 ) Les bobinages pour les circuits RF

Diffrents supports de bobinages peuvent tre utiliss :
!
!
!
lair,
des matriaux magntiques mtalliques,
des matriaux magntiques non mtalliques.
Dans les figures suivantes, nous prsentons quelques courbes servant caractr
inductances ralises partir de bobines montes sur des supports mtalliques.
Figure 54 : Nombre maximum de spires pouvant tre plac dans un pot rectangulaire
diamtre extrieur du fil plein ou divis utilis, avec des carcasses un ou deux
pot,
Figure 55 : Courbes Iso.Q pour un
11, Al
FP=18
250 nH.
38
Figure 56 : Abaque donnant le nombre de spires placer dans un pot dAl dt

pour obtenir une valeur dinductance donne.
Figure 57 : Variation de
/ tan
i en fonction de la frquence.
39
IV.2.3 ) Rsistances
Le schma quivalent dune rsistance est le suivant :
R
Ls
C
Figure 58 : Schma quivalent dune rsistance.
Dans les figures qui suivent, nous prsentons leffet de la frquence sur des rsis
couche de carbone.
Figure 59 : Variation de limpdance dune rsistance couche de carbone, donne en
Figure 60 : Variation de la phase apporte par une rsistance couche de carbone, d

frquence.
40
IV.3 ) COMPOSANTS ACTIFS

IV.3.1 ) Position du problme
En basses frquences, on modlise le transistor bipolaire partir dun schma si

une bonne approximation. Il nen est plus de mme en hautes frquences, cause :
!
des lments ractifs,
des phnomnes de propagation.
Suivant les domaines dapplication, on utilise les composants actifs suivants :

!
le transistor bipolaire NPN au silicium,
le transistor effet de champ au silicium ou larsniure de gallium,
les circuits intgrs hybrides et les circuits intgrs monolithiques.
IV.3.2 ) Transistor bipolaire en hautes frquences

IV.3.2.1 ) Modle dEarly
La figure 51 reprsente un transistor NPN en technologie double diffusion (ou d

implantation), dans lequel on a positionn les lments naturels.
BE
N++
P+
re
m
WE = 0.15
Ce
2.rbb
2.rbb
m
WB = 0.15
B
Cbc
~
.ie
rbc
WC = 1.2m
N
N++
Figure 61 : Reprsentation dun transistor NPN avec ses lments naturel

41
le schma quivalent aux paramtres naturels est celui de la figure 54, appel co
schma dEarly.
~
.ie
ib
rbb
rbc
B
re
Ce
ic
Cbc
ie
E
Figure 62 : Schma quivalent dEarly du transistor bipolaire.
IV.3.2.2 ) Modle de Giacoletto
Le schma quivalent dEarly possde une structure en T qui nest pas trs facile
, cesten
Pour remdier cela, nous transformons cette structure
le schma quivalent de
Giacoletto prsent la figure 53.
rbc
B
rbb
Cbc
ib
vbe
Vbe
rb'e
.re
gm0.Vbe
Cbe =
1/(t.re)
VCE
E
Figure 63 : Schma quivalent de Giacoletto du transistor bipolaire.
Le modle de Giacoletto comportant la capacit inter-lectrodes

C pas des
bc ne permet
calculs faciles. On utilise pour cela une variante qui est le modle de Giacoletto modifi
simplifier le montage, on utilise le thorme de Miller.
IV.3.2.4 ) Modle de Giacoletto modifi
A partir du modle de Giacoletto dfini dans les paragraphes prcdents, on util

transformation de Miller qui permet de dplacer
C
par exemple dans le cas du
bc pour obtenir,
montage metteur commun, le schma de Giacoletto modifi :

42
rbb
.re
= h11e
Ru
Cbe
Cbc.(1-G)
G 1
gm0.Vbe Cbc.
Figure 64 : Schma de Giacoletto modifi du transistor bipolaire, montage met

IV.3.2.6 ) Influence de la frquence
iiII
Nous tudions lvolution du gain en courant

en fonction de la
cbCB
frquence. Afin de ne pas alourdir le calcul inutilement, nous allons partir du modle d
modifi dans lequel la sortie a t mise en court-circuit afin dviter de diminuer la fr
coupure naturelle du transistor. Le schma devient alors :
BB'
rbb
ic
rbe
vbe
Cbe
Cbc
gm0.Vbe
Figure 65 : Schma de Giacoletto modifi - Etude en fonction de la frquen

Lexpression de
obtenue est de la forme :
gr
.
mbe
0
'
be''' be
1jrCC
...
=
bc
1+j.
-20 dB/dc.
f
f
fT
0 en fonction
Figure 66 : Variation du module
de
de la frquence pour un transistor bipola
43
IV.3.2.7 ) Facteur de bruit dun transistor bipolaire

Le facteur de bruit est plus gnralement dfinie en dB sous la forme :
1 Pno
FdB 10.log10
.
G Pni
En partant du schma quivalent dEarly du transistor en petits signaux, lexpre

facteur est donne par Nielsen sous la forme :
rbb'
F
1
Rg
rrR
re
22
....
Rg
ebbg
2
'
0 Rrge
0
.. 11
f2
f2
avec gR, la rsistance du gnrateur dentre.
Cette expression est applicable aux montages metteur commun et collecteur co

Dans le cas du montage base commune, lexpression devient :
rbb'
F
1
Rg
re
22
....
Rg
rR
bb'
0 Rrge
0
.. 11
f2
f2
Le facteur de bruit dun transistor va donc avoir la rponse en frquence suivant

F
-3 dB/oct.
+6 dB/oct.
Fmin
fb
fh
Figure 67 : Evolution du facteur de bruit dun transistor en fonction de la fr
La frquence de coupure bbasse

va dpendre
f
du transistor. Dans le cadre dune tude
radiofrquences, on considrerab.que
Le facteur
f>f
de bruit est minimum dans une plage o i
varie pas en fonction de la frquence, soit :
rbb'
Fmin
1
Rg
rrR
re
22
....
Rg
ebbg
2
'
0 Rrge
Enfin, la frquence de coupure

haute
dfini
f pourh)F(f
= 2. min
F , do :
h est
ffh
22...Rrrr
Rrr
gbbee
gbbe
'
2
'
1
0
fh est donc proportionnelle

f fT et pour des valeurs de rsistances donnes, on
. Or
donc intrt choisir
trs
f
suprieure
la frquence de travail.
T
44
IV.3.2 ) Transistor effet de champ

IV.3.2.1 ) Rappel sur les modles (basses frquences)
Ces transistors sont essentiellement utiliss dans une gamme de frquence infr
1 GHz, sous la forme de JFET. Leur symbolisme est le suivant :
VDS > 0
S
VGS < 0
Figure 68 : Reprsentation dun JFET canal N.
ID
IDSS
VGS = VDS + VP
(VP < 0)
(I)
(II)
ID
VGS = 0
IDSS
gm
VGS = VP
-V P
VGS
VP
VDS
Figure 69 : Caractristique de sortie dun

transistor
Figure
70 : caractristique dentre dun tran
JFET canal N.
JFET canal N.
En ne ngligeant aucun de ses paramtres, le JFET a le schma quivalent suiva

gGD
G
VGS
gGS
D
gm.VGS
gDS
VDS
Figure 71 : Schma quivalent dun transistor JFET.

Dans des conditions dutilisation normale , le schma quivalent se rsume
G
VGS
D
gm.VGS
VDS
Figure 72 : Schma quivalent simplifi dun transistor JFET.

45
IV.3.2.2 ) Modles en RF
Soit :
En RF, on va avoir en plus, les capacits parasites et les rsistances daccs qui
RA
CGD
RA
CDS
CGS
RA
Figure 73 : Reprsentation dun JFET canal N en RF.

Le schma quivalent devient alors :
CGD
G
RA
gGD
CGS
gGS
RA
gm.VGS
gDS
CDS
VGS
VDS
RA
S
Figure 74 : Schma quivalent dun transistor JFET en RF.
En faisant lanalogie la modlisation par les paramtres Y, on obtient le schma

suivant :
G
VGS
Y11
D
Y12.VDS
Y22
VDS
Y21.VGS
S
Figure 75 : Modlisation dun transistor JFET avec les paramtres Y.

46
V = 0V).
Exemple : Transistor FET 2N4416
(VV ;GS
DS = 15
(les paramtres Y sont reprsents sous la forme y = g + j . b)
mA/V
b11s
y11
101
mA/V
y12
101
g11s
100
100
10-1
10-1
-b12s
-g12s
100 400 f (MHz)
mA/V
y21
-b21s
101
200
mA/V
400 f (MHz)
y22
101
5
100
g21s
b22s
g22s
100
10-1
10-1
400
800 f (MHz)
100
400 f (MHz)
Figure 76 : Courbes de rponse en frquence des paramtres y du transistor FE
IV.4 ) COMPOSANTS SPECIAUX

IV.4.1 ) Introduction
Les montages lectroniques en radiofrquence utilisent un certain nombre de ci

ou actifs (composants passifs + diodes). L'objectif de ce paragraphe est d'en faire une
succincte. La plupart des exemples sont tirs de documentations Mini-Circuits, Anaren
IV.4.2 ) Diviseurs de puissance
En RF, des problmes dadaptation dimpdances, empchent dutiliser un simpl

coaxial pour raliser une jonction. On utilise pour cela un diviseur de puissance dont l
suivant :
A
S
50
50
100
25
50
B
Transformateur
dimpdance
Figure 77 : Schma de principe dun diviseur de puissance.

47
Dans ce type de montage, le problme rside dans la ralisation de transformate

bande de frquence. Pour augmenter la bande passante de ces composants, on rajoute
telle que :
50
S
S
50
100
C
50
B
Figure 78 : Schma de principe dun diviseur de puissance large bande de f

Dans le cas dun diviseur de puissance par 2, lattnuation entre lentre et une
de 3 dB.
Le fonctionnement de ce composant est bilatral, cest--dire quil peut tre utili

# 2 sorties), soit en sommateur (2 entres
# 1 sorties). Cest de plus un
diviseur (1 entres
sommateur/diviseur vectoriel, cest--dire quil permet la somme de signaux complexe
Dans les figures que nous venons de prsenter, le diviseur possdait 1 entres - 2
existe aussi des diviseurs de puissance N entres. Le rapport de puissances entre les
lentre est alors de :
Ps 1
PN
e
Soit en tension :
Vs
1
Ve
N
IV.4.3 ) Mlangeurs
En RF, on utilise des mlangeurs quilibrs. Leur bande passante est comprise
approximativement entre 5 MHz et 2 GHz.
Leur schma de principe est le suivant :
RF
OL
IF
Figure 79 : Schma de principe dun mlangeur quilibr.
48
IV.4.4 ) Commutateurs lectroniques
En RF, les commutateurs lectroniques sont btis autour de diodes pin que l
ou non suivant ltat dsir du commutateur.
Le schma de principe est le suivant :
a) Cas dun commutateur SPST (Single Port - Single Terminal).
D4
D3
D1 D2
b) Cas dun commutateur DPST (Double Port - Single Terminal).

Figure 80 : Structure de base dun commutateur lectronique diodes.
Les bornes sont repres comme suit :
!
, , commandes du commutateur,
, , entres du commutateur.
, sortie du commutateur.
IV.4.5 ) Dphaseurs
Les dphaseurs sont de type quatre quadrants et sont btis autour de la structur
Ve
. t)
a . cos(
(a)
Diviseur (0)
de
puissance
(b)
(90)
G1
Vs
G2
Figure 81 : Principe dun dphaseur quatre quadrants.
Un autre problme rside dans la ralisation dun dphasage de 90 la sortie d

puissance.
49
Une solution consiste en lutilisation dun cble de longueur prdfinie :

Cble
coaxial
Ve
. t)
a . cos(
Diviseur (0)
de
puissance
(b)
(0)
cos
( t - )
(90) G1
Vs
cos
( t)
G2
Figure 82 : Principe dun dphaseur quatre quadrants faible bande passa


5385 A 5 Eb 71215

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UNIVERSIT DE RENNES I

TABLE DES MATIRES

TABLE DES MATIRES............................................................................................................1

I.2 ) NOTIONS GNRALES ..............................................................................................11

II.1 ) INTRODUCTION ......................................................................................................14

II.6 ) BRUIT DANS UN SYSTME ......................................................................................19

II.7 ) SENSIBILIT DUN SYSTME DE RCEPTION ............................................................21

III.2 ) OSCILLATEURS LOCAUX .......................................................................................24

CHAPITRE IV : COMPOSANTS ELECTRONIQUES EN RF............................................27

IV.2 ) C OMPOSANTS PASSIFS ..........................................................................................31

IV.3 ) C OMPOSANTS ACTIFS ...........................................................................................40

IV.4 ) C OMPOSANTS SPECIAUX .......................................................................................46

Introduction aux Radiocommunications

CHAPITRE I : PRSENTATION GNRALE

est un dispositif qui utilise comme support de

mission - rception radio et tlvision,

transmission par faisceaux hertziens,

La puissance du signal reue est en espace libre donne par lexpression :

avec Pe, la puissance dmission en Watts,

Introduction aux Radiocommunications

I.1.3 ) gammes de frquences utilisables

ELF (Extremely Low Frequencies) : f < 10 kHz,

VLF (Very Low Frequencies) : 10 kHz < f < 30 kHz,

LF (Low Frequencies) : 30 kHz < f < 500 kHz,

MF (Medium Frequencies) : 500 kHz < f < 2 MHz,

HF (High Frequencies) : 2 MHz < f < 30 MHz,

VHF (Very High Frequencies) : 30 MHz < f < 300 MHz,

UHF (Ultra High Frequencies) : 300 MHz < f < 3 GHz.

I.1.4 ) Aspect des diffrents types de propagation

onde indirecte rflchie par le sol,

Figure 1 : Aspects des diffrents types de propagation sol - sol.

Introduction aux Radiocommunications

Figure 2 : Dnomination des bandes de frquence.

Introduction aux Radiocommunications

I.1.6 ) Exemples de chanes compltes

metteur de radiodiffusion classique (figure 3, figure 4),

rcepteur de radiodiffusion classique amplification directe (figure 5),

rcepteur superhtrodyne (figure 6),

metteur rcepteur radio (figure 3),

liaison bilatrale par faisceau hertzien (figure 7),

radar (figure 11, figure 12).

Enfin, la figure 8 montre comment est dfinit lellipsode de Fresnel relativemen

Introduction aux Radiocommunications

Figure 3 : Schma de principe dun

Introduction aux Radiocommunications

Figure 4 : Schma de principe dun metteur de radiodiffusion classique

Figure 5 : Schma de principe dun rcepteur de radiodiffusion amplificatio

Figure 6 : Schma de principe dun rcepteur superhtrodyne classiqu

Figure 7 : Principe de ralisation dune liaison bilatrale par faisceau hertz

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Figure 9 : Courbe de rponse en frquence dun rcepteur de radiodiffusion

Figure 10 : Dfinition de la frquence image.

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Figure 11 : Schma fonctionnel du radar.

Figure 12 : Frquences radar et dnomination code des bandes.

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I.2 ) NOTIONS GNRALES

Figure 13 : Courbe de linarit dun amplificateur.

la zone de linarit, donc

la dynamique de fonctionnement (exprime en dB),

le point de compression 1 dB (caractrisant

Exprime en dBm, la puissance maximale de sortie est dfinie 1 dB de compre

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