Université Sultan Moulay Slimane

FST Béni Mellal

Département de physique

Sommaire

Chapitre I : La Jonction PN : Diode classique – Diode Zener

Chapitre II : Diode Schottky – Contact Ohmique

Chapitre III : Capacité MOS(N) – MOS(P)

Chapitre IV : Photodiodes PN, PIN – Cellule solaire

Chapitre V : Photoémetteur : Led(s), Laser

Chapitre VI : Les câbles à fibre optique – Liaison optique

Université Sultan Moulay Slimane
FST Béni Mellal
Département de physique

Introduction

Ce cours est adressé aux étudiants de Master et Filière d’Ingénieur, domaine

Matériaux pour l’Electronique, l’Optoélectronique et les Télécommunications, il traite

dans un 1er temps les dispositifs électroniques à base de semi-conducteurs comme les

structures PN, MS et MOS et dans le second volet, les câbles à fibre optique, la liaison

de transmission optique , les émetteurs de lumière (Led(s), Laser) et les récepteurs

photoniques (photodiodes PN, PIN, MS, phototransistors…).

Chapitre I- La jonction PN – La jonction Zener

Une jonction PN est réalisée par la juxtaposition de deux régions de types différents soit du même
semi-conducteur, soit de deux semi-conducteurs différents, figure 1.

Si(P) Si(N) GaAs(P) GaAs(N) GaInP(N) GaAs(P)

Jonction PN en silicium Jonction PN en GaAs Hétéro-jonction GaInP/ GaAs

Dans le modèle unidimensionnel, la distribution des impuretés dans une jonction sera étudiée
uniquement selon un axe Ox.
Nous distinguons 2 sortes de jonctions, figure 1 :

xj

Plan de jonction

Fig 1 : Profil de dopage dans une jonction PN.

 - Une jonction abrupte où le passage de la région N à la région P se fait d’une façon brutale
dans le plan xj, le passage de la région P à la région N s'effectue sur une épaisseur infiniment
fine.
- Une jonction graduelle (ou progressive) où le passage de la région N à la région P se fait
d’une manière graduelle, un cas intéressant de ce type de jonction, est la jonction graduelle
linéaire (J.G.L).

Dans le cas d’une jonction abrupte, on peut parler de plan de jonction, plan où le semi-conducteur
change de type.

I. Jonction abrupte à l’équilibre thermodynamique :

Avant la réalisation de la jonction, les deux matériaux P et N étaient quasi-neutres électriquement,
figure 2 :

P N

Fig 2 : Modèle représentant la neutralité électrique dans les matériaux Sc(P) et Sc(N)

Quand on réalise la jonction PN, les trous majoritaires dans la région P diffusent dans la région N où
ils sont minoritaires et les électrons majoritaires dans la région N diffusent dans la région P : c’est un
régime transitoire. Les trous et les électrons diffusés de part et d’autre de la jonction laissent derrière
eux des charges fixes non compensées : des charges côté P et des charges  côté N, ce qui
donne naissance à une zone de charge d’espace (ZCE), figure 3

P ZCE N

Fig 3 : Jonction PN : Formation de la ZCE.

La zone ZCE est dépourvu de porteurs libres (hypothèse de Schokley)*, elle est constituée d’ions

donneurs  et accepteurs non compensés. Ces ions créent donc un champ électrique Ei qui va
s’opposer à la diffusion de porteurs libres majoritaires de part et d’autre de la jonction, donc au
courant des majoritaires IM orienté de P vers N. Par contre ce champ favorise le passage de porteurs
minoritaires (charges minoritaires très proche de la jonction) à travers la ZCE, donnant lieu à un
courant de minoritaires Im orienté de N vers P, figure 4.
L’équilibre de la jonction qui se traduit par un courant des minoritaires Im égale et opposé au
courant des majoritaires IM (IM=Im) est atteint par l’établissement d’une barrière de potentiel
constante Vd au niveau de la zone de charge d’espace ZCE, figure 5.

v IM

-xp 0 xn x
Im
P ZCE N

Fig 4 : Jonction PN en régime transitoire.

Vd IM

Im
P ZCE N

Fig 5 : Jonction PN en régime d’équilibre

*Hypothèses de SHOCKLEY :
 La densité des charges mobiles dans la ZCE est négligeable devant la densité des charges fixes. On admet
qu'il n'y a pas de charges mobiles dans la ZCE. C'est l'hypothèse de la zone totalement désertée de porteurs
majoritaires.
 La ZCE s'étend : de - xp à 0 du côté "P" et de 0 à xn du côté "N"
W = xp + xn : épaisseur de la ZCE en m
 Aux plans x = -xp et x = xn le semi-conducteur passe brutalement de l'état neutre à l'état déserté.
I.1 Caractéristiques de la ZCE :
a/ Charge d’Espace : Essayons maintenant de déterminer la densité de charge électrique existant
dans le domaine [-xP, xN].
La zone chargée négativement s’étend du point x=0 à x=-xp du côté P et la zone chargée
positivement s’étend du point x=0 à x=xN du côté N.
La densité de charge totale en un point x est donnée par :
 ( x)  e p( x)  n( x)  N D ( x)  N A ( x)

si nous considérons que les concentrations de dopage ND et NA sont uniformes dans tout le volume
des semi-conducteurs N respectivement P, nous aurons :
Pour x<-xP et x>xN : (x) =0.
Pour –xPx<0 : (x) = - eNA.
Pour 0<xxN : (x) =eND.

Le tracé de la densité de charge (x) est donné par la figure 6 :

(x)

eND

-xP
xN
x
-eNA

Fig 6 : densité de charge volumique

b/ Potentiel et champ électrique dans la ZCE :

La résolution de l’équation de Poisson dans l’espace x de la jonction donne le potentiel V(x) et le
champ E(x) dans la ZCE, nous avons :
 
V   0 ou div E 
 
- Dans le domaine [-xP, 0], nous avons :
  2V  e.N A e.N A
(x x p )
2
V  0    0  V ( x)   VP
 x  2
2

et par suite un champ électrique E(x) donné par : E ( x)  

e.N A
(x x p )
2
 - Dans le domaine [0, xN], nous avons :
  2V e.N D  e.N D
( x  xN )
2
V  0    0  V ( x)   Vn
 x  2
2

( x  xn )
e.N D
et par suite un champ électrique E(x) donné par : E ( x) 
2
La figure 7 montre l’évolution du potentiel V(x) et du champ E(x) dans la jonction PN.

V(x) Vn

Vd=Vn-Vp
Vp
x
-xP xN

E(x)

x
-xP xN

Emax

Fig 7 : Potentiel et champ électrique dans une jonction PN.

 Le champ E(x) est une grandeur continue dans toute la jonction PN, donc pour x=0, nous
avons : Ep(0) =En(0)  NA .xp = ND .xn. (i)
Relation qui montre que la zone de charge d’espace (ZCE) s’étend plus du côté le moins dopé de la
jonction. Si ND > NA  xN<xP
Si NA > ND  xP<xN
 eN D  eN A
 En x=0, le champ E est maximum : E ( x  0)  E max   xN  .x P  E max
 
Emax dépend fortement du dopage des couches P et N, il est de l’ordre de qq Kv/cm.

c- Potentiel de diffusion : Vd A la formation de la jonction P, il s’établit une barrière de potentiel

entre la région N et la région P de hauteur Vd, figure 7, Vd est appelée potentiel (ou tension) de
diffusion de la jonction PN : Vd=Vn-Vp ; c’est une tension de nature électrostatique.
 Pour un dopage intermédiaire [1016, 1018 cm-3], la tension de diffusion Vd prend les valeurs suivantes
à la température ambiante T=300K° pour le Si, Ge et le GaAs.

Matériau (sc) Si Ge GaAs

Vd (Volt) 0,7 0,35 1,15

d- Calcul de la largeur de la ZCE : w

Le champ électrique E(x) dérive du potentiel V(x) dans la structure PN, au niveau de la ZCE nous
aurons donc :
xn
Vd    E ( x)  dx 
e
2

N A x 2p  N D x n2 . 
 xp
En tenant compte de l’équation (i) la profondeur de la ZCE est donnée par :

2  1 1 
w   Vd en m
e  D
N N A 

e- Diagramme d’énergie dans une jonction PN :

Les concentrations de porteurs de charges côté N de la jonction sont données par :
E cn  E F E cp  E F
n n  N c  exp  et n p  N c  exp 
KT KT
De même, nous avons :
KT N N
E cn  eV n et Ecp  eV p , ce qui donne Vn  V p  Vd   log A 2 D
e ni

Vd
E Ecp

E
Ecn
EF -xp Ecn EF
xN
Evp Eg
P

Evn
w N
x

Fig 8 : Diagramme d’énergie dans une jonction PN à l’équilibre thermodynamique

I.2 Densité de porteurs de charges aux limites de la ZCE :
ni2
- Dans la région N, nous avons nn  N D et p n 
ND

ni2
- Dans la région P, nous avons p p  N A et n p 
NA
Et en tenant compte de l’expression de Vd, nous aurons :

eV d eV
p n  p p  exp  et n p  n n  exp  d ;
KT KT

Conséquence, toute variation du potentiel Vd entraîne une variation des densités de porteurs
minoritaires aux limites de la ZCE.

II. Jonction PN polarisée

P ZCE N
II.1 Polarisation directe : Va>0

Va

Fig 9. Jonction polarisée

Les parties P et N sont des conducteurs, donc la quasi-totalité de la tension Va se trouve appliquée
au niveau de la zone de charge d’espace (ZCE). Sur les figures 10 a, b, nous avons représenté le
diagramme de potentiel ainsi que le diagramme d’énergie :

V(x)
VN
va

Vd=VN-VP
Vd’
VP
x

Fig 11a : Diagramme de potentiel dans une jonction PN polarisée.

 V d’

E
-eVa
E’ eVd’= e( Vd - Va)

-xp’ xN’
- eVa Eg
P

W’ N
x
w
Va

Fig 11b : Diagramme d’énergie dans une jonction PN polarisée.

A partir d’une barrière de potentiel Vd’= Vs ( la tension de seuil), les é majoritaires dans N transitent
facilement vers la partie P et les trous majoritaires dans P transitent facilement dans N ; conséquence,
nous aurons un courant de diffusion Id des é et des + :
I d  I de  I dp

Id est appelé courant direct de la jonction PN.

a.1 – Calcul de la densité de porteurs minoritaires aux limites de la ZCE :

Pour une jonction à l’équilibre nous avons vu que :
eV d eV
p n  p p exp  et n p  n n exp  d ,
KT KT
De même pour une jonction polarisée, nous aurons :
eV d ' eV '
p n '  p p exp  et n p '  n n exp  d , où Vd’ = Vd – Va ceci donne :
KT KT
eV a eV
p n '  p n exp et n p '  n p exp a
KT KT
C/C L’application d’une tension directe Va (Va >0) augmente la densité de porteurs minoritaires aux
limites de la ZCE : nous avons alors une injection de porteurs minoritaires par l’application du
potentiel Va.

a.2 Répartition des porteurs libres dans la jonction PN :

Dans la partie N (xxn), l’équation de continuité appliquée aux porteurs minoritaires s’écrit :

p n ' 1 J p ( x) p n ' p n dp n '

  où J p ( x)  ep n '  p   eD p  .
t e x p dx

p n ' d 2 p n ' p n ' p n

Dans cette zone nous avons   0   Dp 
t dx 2 p

Nous avons un régime permanent indépendant du temps (Va=cte)  :

p n ' d 2 p n ' p n ' p n

0   0 . La solution générale de cette équation s’écrit :
t dx 2 D p p

x x
p n ' p n  A exp   B exp
Lp Lp

Les constantes A et B sont déterminées par les conditions aux limites de la jonction PN.
Dans l’approximation de la jonction épaisse ( xL  xn et x' L
 x p ), figure 12, nous aurons la

solutions suivante :
x  xn
qVa 
p n ' ( x)  p n  p n (exp  1) e L p dans la partie N de la jonction.
KT
De même la concentration de minoritaires dans la partie P de la jonction sera donnée par :
x x p
qVa
n p ' ( x)  n p  n p (exp  1) e L p
KT
P ZCE N

-x’L -xp xn xL
x

Fig 12 : Jonction de deux couches épaisses.

La figure 13 illustre l’évolution des fonctions log n et log p : log des concentrations de porteurs
minoritaires dans la jonction PN polarisée en direct.
Fig 13 : Répartition des porteurs minoritaires dans la jonction polarisée

a.3 Calcul du courant direct Id :

Les expressions des composantes I diff sont données par :

dn' p Dn  n p  qVa  x  x p
I diff (é )  S  J diff (é )  S  qDn  S q exp  1 e Ln dans N
dx Ln  KT 
dp'n D p  pn  qVa   x  xn
I diff ()  S  J diff ()  S  qD p  S q 1
KT  e
exp Lp dans P
dx Lp 
Sur la figure 14, nous avons représenté la répartition des différentes composantes du courant direct I d
dans l’espace de la jonction PN polarisée :

Courant
direct

Id Id Id

Idt
Ide

X
-x’p j x’n

ZCE

Fig 14…Courant de diffusion dans une jonction polarisée en direct.

Pour l’étude des propriétés électriques de la jonction, on compte seulement les composantes du
courant traversant la ZCE.
Le courant direct qui traverse alors la jonction sous la polarisation Va est donnée par :
 Dn  n p D p  p n 
 exp a  1
qV
I d  I diff (é )  I diff ()  S  q 
 L Lp  KT 

 n 

 qV   Dn  n p D p  p n   Dp 
I d  I s  exp a  1 (mA) avec I s  S  q    S  q  ni2  Dn  .
 KT   L Lp  L N Lp  N D 
 n   n A 
Is est le courant de saturation de la jonction.

Remarque : Le calcul de la capacité dynamique de la diode (cd) sera vu en travaux dirigés.

II.2. Polarisation inverse : Va<0
b1 Courant traversant la ZCE :
L’expression de courant établit ci- dessus restera valable :

 qV 
I d  I s  exp a  1
 KT 
la polarisation est négative, Va<0 , ce qui donne : I d  I i   I s (nA) ,

le courant inverse I i n’est que le courant de saturation de la diode en valeur absolue, il est donc
quasi-indépendant de la tension de polarisation Va.

b2 Claquage de la jonction PN :
Si on continue à augmenter la tension de polarisation inverse Va jusqu’à une certaine valeur Vc:
appelée tension de claquage (ou breakdown voltage), le courant inverse croît très brusquement :
c’est le phénomène de claquage inverse, figure 15.
Fig 15 : Claquage inverse de la jonction PN

Ce claquage peut être destructif si on ne limite pas l’augmentation du courant inverse par un élément
extérieur, tel qu’une résistance par exemple.
Deux explications sont possibles à ce phénomène de claquage inverse :

- Le champ électrique intense dans la ZCE arrive à casser des liaisons de valence, libérant ainsi
des paires (è - 0) qui vont automatiquement participer à la conduction électrique, augmentant
ainsi fortement le courant I i : C’est ce qu’on appelle l’effet Zener (ou effet tunnel), figure 16.

- L’é (e1) issu de la région P et accéléré par la tension de polarisation forte, rentre en collision
avec un autre é engagé dans une liaison de valence, ce dernier quitte sa liaison , créant ainsi une
paire (è2 - 0) de plus, l’é (e2) rentre en collision avec un autre é engagé dans une liaison de
valence (e3), ce dernier à son tours quitte sa liaison , créant ainsi une nouvelle paire (è3 - 0), ainsi
on aura une multiplication (ou une avalanche) des porteurs minoritaires, donc une forte
croissance du courant I i .
 Transfert de l’é d’un état de la
bande Bv à un autre de la bande
Bc de même énergie

Fig 16 : Passage par effet tunnel (Figure référence : Bernard BOITTIAUX )

C-Application : La jonction Zener

Chapitre II : Diode Schottky (MS) – Le contact Ohmique

La structure M-Sc est une jonction entre un métal et un semi-conducteur. Cette jonction est obtenue
en déposant une couche métallique sur un barreau semi-conducteur, figure 1.

Métal (Al, Au…)

Semi-conducteur

Contact arrière
Fig 1 : Contact M/Sc

1. Diagramme énergétique de la structure M-Sc :

Quand on réalise la jonction entre métal - semi-conducteur, il y’a apparition d’une ZCE plus au
moins étendue côté semi-conducteur, figure 2.

M Sc
ZCE

Plan de
jonction
Fig 2.

Comment explique-t-on l’apparition de cette zone de charge d’espace ?

2. Travail de sortie – Affinité électronique :

Les composants électroniques sont en général formés de la juxtaposition de matériaux différents,
comme les hétéro-jonctions PN, les transistors MOS…Ce sont les zones de contact (ou de jonction)
qui définissent le fonctionnement électrique du composant.
Le passage des porteurs de charges d’un matériau à l’autre constituant le composant est limité par
deux grandeurs importants qui sont : le travail de sortie e et l’affinité électronique e. Prenons un
composant électronique formé de deux matériaux : un métal et un semi-conducteur, avant jonction,
figure 3.
- L’électron superficiel e1 a un potentiel V1,
- L’électron superficiel e2 a un potentiel V2.

e1 e2

M Sc
Fig 3

Quand on réalise la jonction des 2 matériaux, une d.d.p s’établit au niveau de la jonction,
Figure 4.
Potentiel
V1

eb V2
e v v
b 1 2

Fig 4.

Avant que l’é e1 transite dans le sc, on doit lui fournir un minimum d’énergie pour qu’il quitte sa
structure métallique. De même pour l’électron e2, il a besoin d’une fraction d’énergie pour quitter le
sc et passer dans le métal.
 On appelle travail de sortie du métal em : l’énergie qu’il faut fournir à un électron superficiel du
métal (é d’énergie E=EFm) pour l’amener au niveau du vide Env (Env=énergie d’un électron extrait du
métal sans vitesse initiale), figure 5. Le tableau suivant donne le travail de sortie des métaux les plus
utilisés dans la réalisation de composants Métal/Sc :
Métal Al Au Pt Ag
em (ev) 4,3 4,8 5,3 4,3
 NV Env
E(eV)

em (ev) = Env - EFm

em
Métal
EFm

Fig 5. Travail de sortie d’un métal

 On appelle affinité électronique es: l’énergie qu’il faut fournir à un électron superficiel du sc (é
se trouvant au bas de la bande de conduction Bc) pour l’amener au niveau du vide Env, figure 6. Le
tableau ci dessous donne l’affinité électronique de semiconducteurs utilisés comme diodes Schottky.

Sc Si GaAs CdTe InP

es (ev) 4,05 4,07 4,28 4,38

E(eV) NV Env

e(eV) = Env - Ec

e
Semi-conducteur

Ec

EF

Ev

Fig 6. Affinité électronique d’un semi-conducteur.

De même nous pouvons définir le travail de sortie du semi-conducteur : es = E0-EFs.

L’entité es est moins représentative que l’affinité électronique pour un sc, car il est fonction du
dopage.
3. Réalisation du contact M/Sc :
Réalisons maintenant le contact entre ces deux matériaux (Métal et Sc), nous prenons comme niveau
de référence l’énergie de l’électron dans le vide, E0.
3. 1. Cas où em> es - Contact Schottky
On prend un métal de travail de sortie em supérieure à celui du sc es : et on réalise la jonction
métal/sc ; il y’a échange d’électrons et plus précisément passage d’électron du sc vers le métal
jusqu’à établissement d’un état d’équilibre thermodynamique. En effet quand les é quittent le sc pour
le métal, ils laissent derrière eux une densité de donneurs ionisés non compensés, une zone de charge
d’espace positive se forme alors dans la zone de contact côté sc. Ces ions non compensés établissent
un champ électrique qui va s’opposer (ou freiner) la diffusion d’électrons du sc vers le métal : c’est
le régime d’équilibre, figure 8.
A l’équilibre on a un seul système thermodynamique M-SC caractérisé alors par un seul niveau de
Fermi : il’ ya alignement des niveaux EFm et EFs ; (EFm=EFs=EF).
Conséquence, la jonction M-sc fait apparaître deux barrières de potentiel :

- Une barrière vue par les électrons du sc eVd

donnée par : eVb= em- es en (eV),

- Une barrière vue par les électrons du métal

donnée par : eb = em- es en (eV).

Vb est la barrière de potentiel apparue dans la

ZCE côté semi-conducteur appelée barrière de
Schottky.

Fig 7 : Diode Schottky. (Figure référence :

Bernard BOITTIAUX )

c/c : Un contact entre un métal et un semi-

conducteur tels que em> es fait apparaître une ZCE côté semi-conducteur, caractérisé par le
potentiel de barrière Vb. Dans ces conditions, on parlera d'une barrière métal-semi-conducteur ou
encore d'une diode SCHOTTKY.
3. 2. Cas où em< es - Le contact Ohmique :
Prenons une structure M-s caractérisée par un travail de sortie du sc supérieure à celui du métal : et
réalisons le contact entre ces deux matériaux ; il y’aura écoulement des é du métal vers le sc jusqu’à
établissement d’un équilibre thermodynamique (le potentiel chimique des é du sc égalise celui des é
dans le métal). Une zone d’accumulation se forme alors au niveau du contact côté semi-conducteur,
figure 9.

Fig 8 : Le contact Ohmique. Figure référence : Bernard BOITTIAUX

Si on polarise cette structure, toute la tension de polarisation se trouve appliquée au volume du sc, la
zone de contact a une résistance quasiment nulle ( les é transitent du métal au sc ou du sc au métal
sans rencontrer aucune résistance ).

On modélise ce contact M-Sc par une simple résistance R=Rc (résistance de la zone de contact).
Nous aurons donc sous polarisation V :
V  Rm  Rc  Rsc   I  Rsc  I avec R sc = résistance de volume du sc.

La loi de courant I(v) de la structure M-Sc (où em< es ) est représenté par la figure 9.
 I

0 V

Fig 9. Le contact Ohmique

3.3 Diode Schottky polarisée :

Nous étudions seulement le cas de la polarisation direct Va>0, Figure 11.
ZCE

++
M ++ Sc (N)
++
Va

Fig 10

La figure 12 donne le diagramme de bandes d’énergie dans la diode Schottky polarisée en direct : le
nouveau potentiel de diffusion Vd’=Vd-Va.
Nous relevons une diminution de la barrière de potentiel Ebs (Ebs’= Ebs-eVa), conséquence, les
électrons du sc vont facilement transiter dans le métal : il y a établissement d’un courant d’électrons
du métal vers le sc, courant de Schottky.

 eV 
I sch  I s  exp  a 
 KT 
 Energie
Vd’=Vd-Va.
Env
Env
-qVa

em
es

Ec
-qVa

EF

Ev

Fig 11 : Diagramme d’énergie dans un contact Schottky.

.
3.4 Caractéristiques I(V) d’une diode Schottky et d’une diode PN normale de même surface :
Ce paragraphe sera bien développé en travaux pratiques

- Pour les faibles courants directs, le seuil est pratiquement inexistant, ce qui qualifie ces
composants comme des diodes rapides ou diodes redresseurs de faibles signaux.
- Pour les forts courants directs, la puissance dissipée par la diode est beaucoup plus faible
pour les diodes Schottky que pour les diodes classiques PN, d’où leur intérêt en tant que bons
redresseurs de forts courants.

La diode Schottky trouve une forte application dans les dispositifs de commutation utilisant les
transistors bipolaires, comme par exemple la réduction du temps de désaturation d’un transistor
bipolaire dans un circuit de commutation.

Conclusion :
La jonction M-Sc avec em> es constitue une diode Schottky (ou contact redresseur),
La jonction M-Sc avec em< es constitue une simple résistance (ou contact Ohmique).
 Chapitre III : La structure M.I.S (Métal. Isolant. Semi-conducteur)
1. Réalisation d’une MIS :
En technologie Silicium, nous utilisons deux types d’isolants :
l’oxyde de silicium SiO2 ou le nitrure de silicium Si3N4*, telles que les structures suivantes :
Al/ SiO2/Si(N), Al/ SiO2/Si(P), Al/ Si3N4/Si(P)
Au/ SiO2/Si(N) ou Au/ SiO2/Si(N)
Le procédé de réalisation d’une MIS est composé de 3 étapes :
- Une étape d’oxydation où on fait croître une couche d’oxyde SiO2 par CVD (ou par plasma)
sur la surface du wafer silicium (N) ou (P).
- Une étape de métallisation de grille par évaporation sous vide de l’aluminium,
- Et une dernière étape qui consiste à métalliser la face arrière du plaquette Si(N) ou Si(P).
Ces trois étapes sont schématisées en annexe de ce chapitre.

2. Structure MIS idéal à l’équilibre thermodynamique :

Pour faciliter l’étude électrique de la structure MIS (MIS réelle), nous posons trois hypothèses :
- La couche d’oxyde isole parfaitement le sc de la grille métallique (pas de charges libres dans
l’isolant),
- Les travaux de sortie du métal et du sc sont identiques : em= es Le dopage du semi-
conducteur est tel que les travaux de sortie du métal et du semi-conducteur sont identiques*.
- Absence de charge à l’interface isolant/sc.
La figure 1, donne le diagramme d’énergie d’une structure MIS idéale à l’équilibre
thermodynamique ; nous prenons la structure : Al/ SiO2/Si(N).
Env ei Env
E

em es es

Ec
EF EF

Ev

ei xp
Fig 1 . Diagramme d’énergie d’une structure MIS idéal
Les bandes d’énergie côté isolant plus semi-conducteur sont plates, on est en régime de bandes plates

3. Structure MIS idéal polarisée :

Appliquons une tension VG sur la grille métallique, le potentiel de référence étant celui du semi-
conducteur :
a- VG>0 : régime d’accumulation :
 Densité de charge :
Quand on applique une tension VG entre le métal et le sc , il apparaît un champ électrique dans
l’isolant (i) et un champ électrique à l’interface isolant/sc (s) liés par l’équation

suivante :  i  i   s  s , équation exprimant la continuité du vecteur déplacement D à l’interface
isolant/sc. La figure 2, illustre le diagramme d’énergie de la structure polarisée.

s
i
Env
-eVG
Env ei

es es
em

Ec
EF EF
Eg

Ev
0 volt
VG

Zone
d’accumulation

Fig 2. Diagramme d’énergie en régime d’accumulation.

- Sous l’action du champ électrique s , les é du sc (les porteurs majoritaires) ont tendance à venir
s’accumuler près de l’interface, entraînant une courbure vers le bas des niveaux EC et Ev : c’est le
régime d’accumulation.

- Sur la grille métallique, il apparaît une charge positive par unité de surface : Qm > 0.

- Les é attirés vers l'interface isolant-semiconducteur forment une charge négative par unité de
surface :

Qs = - Qm < 0.
La structure MIS est alors équivalente à une capacité qui a pour diélectrique, la couche isolante SiO 2.
La figure 3 donne la répartition des charges dans une MIS en régime d’accumulation.

M I S

Qm

x
Qs

Fig 3. Densité de charge

 Potentiel de surface Vs :
La tension de polarisation VG appliquée sur la grille métallique se répartit entre l’isolant et le semi-
conducteur : VG=Vi + Vs
- Vi = tension maintenue par l’isolant, V(x)
- Vs = tension à l’interface isolant/sc ou potentiel de surface.
M I S

VG
 Potentiel et Champ électrique :

Vs
Vi
0 x

ei
Le champ (x) est obtenu par la dérivation du potentiel V(x) :

dV( x )
( x )   .
dx

(x)

ii=ss avec i < s

i i = 3,45 10-11 F/m. pour SiO2

=cte Fig 5 : Champ électrique

s

 Capacité de la structure MIS en régime d’accumulation :

 0 i
C acc  C i   ( pF / cm 2 ) ; Cacc est indépendante de l’excitation VG.
ei

b- VG<0 : régime de désertion :

Examinons maintenant l’effet d’une polarisation négative de la grille métallique :

Les é libres du sc sont repoussés loin de l’interface isolant/sc , créant ainsi une zone de charge
d’espace ZCE déserte en é (porteurs majoritaires) et contenant une charge fixe de donneurs non
compensées, figure 6.

 Densité de charge ( x ) :
L’application d’une tension de grille négative fait apparaître deux charges opposées :
- Une charge par unité de surface Qm> 0 au niveau de la grille métallique,
- et une charge opposée Qs   Qm > 0 au voisinage de l’interface isolant/sc , figure 7.
 i
Env s
-eVG
ei Env

es es
em

EF  Ec
-eVG  
EF

Ev
0 volt
VG

Zone
de désertion

Fig 6 Diagramme d’énergie de la structure MIS en régime de désertion :

(x)

M I S

Qs = eNd.xd
xd = profondeur de la ZCE
Qs

Qm

Fig 7. Densité de charge

 Potentiel et champ électrique en régime de désertion :

Les figures 8a, b donnent les distributions du potentiel V(x) et du champ E(x) :
 V(x)

M I S

0
x
Vs

VG ei

(x)
ii=ss avec i < s
M I S
i = 3,45 10-11 F/m. pour SiO2

s x

i

Fig 8a, b Potentiel et Champ électrique en régime de désertion.

 Capacité de la structure MIS en régime de désertion :

Dans ce régime on doit tenir compte de la capacité de la ZCE formé au voisinage de l’interface
isolant/sc, CZCE :

C i  C ZCE
La capacité totale de la structure : C total  C des  .
C i  C ZCE

0 i 0 s
avec C i  et C ZCE  .
ei x d (VG )

Notons bien la dépendance de la capacité Cdes avec la tension de grille VG.

- Calcul du potentiel de surface Vs et du champ électrique de surface s : (TD)

- Evolution de Cdes avec la tension de grille (TD)

c- Tension de grille fortement négative : régime d’inversion

Le diagramme d’énergie de la structure en régime d’inversion est représenté sur la figure 9

i
Env
s

-eVG ei

Env

em

es es
EF

-eVG
  Ec
 
 EF
EFi

Fig. 9
Ev
VG << 0
Zone
0V
de désertion

Fine zone d’inversion

On repousse d’avantage les é du sc de l’interface, ce qui accentue la courbure vers le haut des
niveaux d’énergie Ec et Ev. Nous remarquons qu’au voisinage de l’interface isolant/sc(N), le niveau
Ev devient plus proche du niveau de Fermi (EF) que le niveau Ec : nous réalisons donc une fine
couche type P prés de l’interface , c’est le régime d’inversion.

La couche d'inversion est séparée par une zone désertée de la région neutre du semi-conducteur,
figure 9.
 Charge développée dans la structure :
Dans ce régime, la charge totale engendrée dans le sc s’écrit :
QT  Qinv  QZCE avec QZCE  eN d  x ZCE

Par effet capacitif QT est équilibrée par une charge négative Qm localisée sur la grille métallique,
figure 10.

(x)

M I S

Qinv

QZCE

xZCE x
xinv
Qm (xinv + xZCE)  xZCE

Fig 10. Distribution de charge en régime d’inversion

 Potentiel et champ électrique en régime en forte inversion :

En continuant à augmenter le potentiel de grille VG, on atteint le point (ou le régime) de forte
inversion, la densité des porteurs positives (trous) ramenés prés de l’interface isolant/sc devient égale
à la densité des électrons du sc en l’occurrence Nd. En effet nous avons :
E Fi  E F  int erface E F  E Fi volume
p  ni  exp et n  ni  exp
KT KT
En égalisant ces deux concentrations, nous aurons :
p  n  E Fi  E F  int erface  E F  E Fi volume (I)
L’identité (I) nous donne donc un potentiel de surface :
 2E Fi  E F  int erface 2 KT N
Vs  Vsin v    ln d
e e ni

Vs  Vsin v est Le potentiel à l'interface en régime de forte inversion .

En régime d'inversion, tout accroissement de la charge sur l'électrode métallique est équilibré par
deux phénomènes différents :

- Un accroissement de la charge de la couche d'inversion ( Qinv ),

- Un accroissement de la charge d'espace due à la zone désertée (QZCE )

Remarque : Bien que le potentiel de surface augmente légèrement lorsque la tension appliquée sur
la structure dépasse la tension de forte inversion, on peut supposer sans trop d'erreur que le potentiel
de surface conserve la valeur : Vs  Vsin v et que la profondeur de la ZCE reste égale à xM.

La figure 11, donne l’évolution des fonctions V(x) et (x) dans la structure MIS en régime de forte inversion.

V(x)

M I S

0
x
Vsinv

VG xM

ei

(x)

M I S

s

xM

i

Fig 11 Potentiel et champ électrique en régime de forte inversion

 Capacité de la structure :

C i  C ZCE
En forte inversion La capacité totale de la structure est donnée par : C total  C des  .
C i  C ZCE

0 i 0 s
avec Ci  et C ZCE  .
ei x M (Vsin v )
La caractéristique C(V) de la structure est donnée par la figure 12.

Fig 12 : Capacité C(V) de la structure MIS pour un Sc(P) et un un Sc(N) .

Chapitre IV : Photodiodes PN, PIN – Phototransistors – Cellule solaire
I. Les photodiodes PN, PIN
A- Photodiodes PN
I.1 Structure d’une photodiode PN
Une photodiode est une jonction PN fonctionnant en polarisation inverse. La figure 1 montre la
structure de ce composant optoélectronique.
Contact
h

n+

ZCE

Fig 1 Schéma technologique Contact

I.2 Photoconductivité dans une photodiode

La génération de porteurs de charge par l’absorption des photons h se fait dans les zones : n+, p et la
ZCE. Les trous générés dans la zone n+ diffusent vers l’entrée de la ZCE et seront collectés par le
champ interne Ei dans la zone P. De même, les é générés dans la zone p diffusent vers l’entrée de la
ZCE et seront collectés par le champ interne Ei dans la zone N. Pour les paires (é,0) crées dans la
ZCE, ils seront dissociés par le champ interne Ei et regagnent à leur tour les zones p et n+ où ils sont
majoritaires, augmentant ainsi le courant inverse Ii qui traverse le composant sous la polarisation va,
figure 2, figure 3.

I m(A)

Fig 2 Photoconductivité dans une photodiode

I.3 Caractéristiques I(V)

E0

I0

E1
Fig 3 caractérisation I(V)
E2
I = Is exp(qva kT – 1) – Iph # Ii - Iph en (mA)

Ii V(Volt)

Iph I2

Domaine d’utilisation
I1

A noter que la majeure partie des porteurs générés dans les zones n+, p seront recombinés et par suite
leur contribution dans le photocourant (Iph) reste minime devant le flux important de porteurs générés
dans la ZCE

I.4 Diagramme d’énergie

La figure 4 montre le diagramme d’énergie de ce composant optique sous une polarisation va ainsi
que le symbole représentatif du composant :
h
E(eV)
Ec é Ei
p
è
è
é Ecn
EF -xp EF
Xn Ecn
Evp 0 0 Eg
P 0

va 0 0 Ev Symbole
w N n
I x

Fig 4 Diagramme d’énergie

Remarques :
- L’éclairement E ou le flux lumineux reçu par la photodiode par unité de surface est défini par
E(lux) = Φ/S , E(lux) est mesuré par un luxmètre.
- Le courant photoélectrique Iph est proportionnel à l’éclairement E : Iph = k.E
I.5 Temps de réponse :
La figure 5 montre le montage électrique qui nous permet de relever le temps de réponse d’une
photodiode Le montage consiste à envoyer un flux lumineux en créneau sur une photodiode polarisée
afin de déterminer le temps de réponse de cette dernière. En visualisant la tension Vs sur un
oscillogramme, nous pouvons relever directement le temps de réponse de la cellule et déduire
ensuite la capacité de jonction de la photodiode (Cjph).
Vpol

E()

Rc Vs

Fig 5 Montage de mesure du temps de réponse d’une photodiode

I.6 Sensibilité spectrale :

La sensibilité spectrale de la photodiode dépend de la longueur d’onde , figure 6, ceci d’une part et
d’autre part de la valeur du gap du matériau de construction du composant.
Une photodiode au silicium (Si) comme exemple présente une sensibilité forte dans le proche
infrarouge [800 – 900nm]

S()
(µA/µ
W)

900 ( nm)

Fig 6 Sensibilité S()

Applications :
B- Photodiodes PIN
I.1- Structure :
Pour détecter les faibles éclairements et diminuer le temps de réponse de la photodiode PN, on
introduit entre les zones n+ et p une couche intrinsèque I, le composant que nous formons alors
porte le nom de photodiode PIN. Sur la figure 11, nous avons représenté la structure de la
photodiode, figure 7.
Contact
h

n+
I
p

Contact

Fig 7 Structure d’une photodiode PIN

Dans ce système (composant), nous considérons deux jonctions : la jonction P+I et la jonction N+I.
La zone I est alors soumise à une double injection : des trous injectés en x = 0 par la zone P+ et
d’électrons injectés en x = w par la zone N+ ; ces porteurs vont ensuite diffusés dans la zone I et s’y
recombinent. La région intrinsèque I d’épaisseur wI reste quasi neutre :
I(x)  0 x dans [0, wI ]
n(x)  p(x) x dans [0, wI ]
I.2- Densité de charge (x)

Fig 8. Densité de charge dans une cellule PIN

I.3- Potentiel et champ électrique

V(x)

Fig 9. Potentiel et champ électrique. E(x)

x
I.4- Diagramme d’énergie

Fig 10 Diagramme d’énergie dans une cellule PIN

Le champ électrique interne important qui existe dans toute la zone intrinsèque I sous une
polarisation inverse suffisante facilite la transition rapide des photoporteurs générés surtout dans la
zone intrinsèque I. Ce type de photodiodes sont très sensibles surtout aux faibles éclairements et
enregistrent des temps de réponse de l’ordre de 10 ns. A noter que les signaux optiques de haute
fréquence sont généralement détectés par les photodiodes PIN à la sortie de la fibre optique.

I.5- Caractéristiques électriques d'une photodiode :

La figure 11 illustre le schéma équivalent d'une photodiode : ce composant optoélectronique est

schématisé par : une source de courant Iph (courant de photoporteurs générés) en parallèle avec la
capacité de jonction Cj (qui tient compte des deux ZCE N+/I et I/P) et une résistance de shunt Rj
d'une valeur élevée qui décrit la fuite de courant (par recombinaison d’une très faible fraction de
porteurs générés (è,0)), le tout est en série avec une résistance Rs qui modélise les zones de contact
Métal/N+ et P/Métal ainsi que les zones quasi-neutres P et N+.

Fig 11 Circuit équivalent d’une photodiode PIN

a-Temps de réponse :
Le fait d’introduire une couche intrinsèque I entre les zones P et N a diminué la capacité de jonction
cj, ce qui réduit le temps de réponse de la photodiode et permet à ce composant de détecter les
fluctuations rapides d’un signal optique à la sortie de la fibre optique.
b.- Application :
Déterminer le temps de réponse d’une photodiode PIN insérée dans un détecteur de résistance de
charge Rc et de capacité Cc à la sortie d’une fibre optique.

Fibre optique Cc
Rc

Récepteur

III Photodiode Schottky

h
Ei

eb Ec (eV)

EF (eV) Sc
ZCE
Métal
Vp

Fig 12 Diagramme d’énergie

Dans une photodiode Schottky, le flux lumineux qui traverse le métal de contact (transparent au
rayonnement dans le domaine du proche ultra violet) est absorbé dans la ZCE côté semiconducteur,
figure 12. Les porteurs libres ainsi créés sont rapidement balayés par le champ électrique interne (Ei)
de la jonction. A ce flux de porteurs crées par absorption, nous devons rajouter le flux d’é issus du
métal qui acquièrent de l’énergie et transitent vers le semiconducteur par le champ électrique interne
Ei de la jonction à travers la barrière eb, augmentant ainsi le courant inverse de la jonction polarisée
en inverse par le potentiel Vp. Ce type de photodiode est très sensible dans l’UV et le bleu
contrairement aux photodiodes pin (à base de silicium) utilisées habituellement dans les systèmes de
communication par fibre optique, qui présentent une forte sensibilité dans le proche infrarouge.

Application : Chercher l’évolution de la sensibilité spectrale S() de la photodiode Schottky

AlxGa1-x(N) en fonction du taux atomique x.
IV- Le phototransistor
Un phototransistor est un transistor bipolaire dont la base est sensible au rayonnement
lumineux : c’est le courant photoélectrique qui constitue le courant de commande (ou courant
de base). La figure 13 montre une coupe transversale de la structure de ce composant ainsi
que les symboles représentatifs.
B
+
E +

isolation
N+
P
C
Contacts
N

N+

-
-

Fig 13 Structure et schémas d’un phototransistor

Le courant produit par le phototransistor ICph sous un éclairement précis est donné par
l’équation :
ICph = .Iph + ICE0  .Iph

Le courant de la base qui résulte de l’éclairement est multiplié par le facteur  du

transistor : (100    1000), ce qui explique la forte sensibilité de ce composant aux
faibles éclairements d’une part, et d’autres part le fort courant fournit par ce
photorécepteur, comparativement à une photodiode classique PN.

Sur la figure 14, nous avons représenté les caractéristiques de sortie IC(VCE) pour
différents éclairements.
Ic (mA)

100 lx

50 lx
30 lx

10 lx
VCE(V
0 lx )

Fig 14 Caractéristiques I(V)

 Remarques :
- Le phototransistor a une sensibilité élevée aux faibles éclairements.
- Le phototransistor fournit un courant à sa sortie qui n’est pas parfaitement proportionnel à
l’intensité de l’éclairement absorbée : problème de non linéarité.
- Le phototransistor a un temps de réponse un peu élevé ce qui limite son utilisation dans les
applications qui demandent la haute fréquence.
- Dans certaines applications où on demande des niveaux de courants élevés, on préfère
utiliser le photo-Darlington, car il permet d’avoir un gain beaucoup plus important que celui
du phototransistor.
Applications :

1- Générateur de tension variable

2- Phototransistor en émetteur commun

3- Détection d'un signal

V Cellule solaire :

Contrairement aux photodiodes, ces cellules fonctionnent sans polarisation extérieure. La figure 15
montre la structure d’une cellule solaire.
Contact
Fenêtre pour la réception de la
lumière

Couche antireflet pour augmenter

n+
l’absorption des photons
ZCE
po
p

Contact
t
Fig 15 Structure d’une cellule solaire

1- Principe de fonctionnement :
Les porteurs de charges (é, 0) générés par l’absorption des photons dans la zone ZCE seront séparés
par le champ électrique interne de la jonction et y diffusent dans les zones p et n+ où ils sont
majoritaires. Ensuite, ils seront collectés au niveau des contacts métalliques qui assurent la liaison
électrique avec le circuit extérieur donnant lieu à un courant photoélectrique Iph qui en parcourant
une charge R (batterie, moteur, résistance…), fait apparaître une différence de potentiel V entre les
deux faces de la cellule comme c’est indiqué sur la figure 16.

h I

I
R V
+
n Id
Iph
R V
ZCE Id

Iph

Fig 16 Fonctionnement d’une cellule solaire

2- Caractéristique I(V)
La cellule solaire éclairée se comporte comme un générateur de courant (ou de puissance) qui
débite un courant I dans une charge R, elle fonctionne donc dans le domaine des puissances
négatives en représentation I(V), figure 17.
 I(mA)

E0

I0
E1

E2

Ii V(V
)olt)
Iph I2

I1

Domaine de fonctionnement
Domaine des puissances négatives

Fig 17 Caractérisation I(V).

3- Schéma électrique équivalent Rs I

Iph
V
Rp

Fig 18 Schéma équivalent d’une cellule solaire

- Le générateur (Iph) modélise le courant photoélectrique produit sous éclairement

- La diode modélise le composant en obscurité
- Rs : résistance série du composant, c’est la somme des résistances des zones de contact plus
la résistance de la zone intrinsèque.
- Rp : résistance parallèle qui modélise les courants parasites traversant la cellule dûs aux
porteurs photo-générés puis recombinés

4- Courant fourni par la cellule :

I = Iph - Is exp[q(V+ RsI)/ kT – 1] – (V+ RsI)/Rp

- Vue la très faible valeur de Rs, ou peut négliger la chute de tension à ses bornes (RsI) devant
la tension de sortie V, et l’équation de courant devient alors :
I = Iph - Is exp[qV/ kT – 1] – V/Rp

Le schéma représentatif de la cellule est alors représenté

par la figure 19.
 I

V
Rp
Iph Fig 19 Schéma équivalent simplifié

- Comme on peut ne pas tenir compte du faible courant traversant la très forte résistance Rp, on
travaille avec l’équation de courant suivante :
I = Iph - Is exp[qV/ kT – 1]

Le schéma représentatif de la cellule est alors représenté par la figure 20.

I

Iph
Fig. 25 Schéma équivalent simplifié
V

J
(mA/cm2
)

4
0

V
Jobs 0,5 Vco

Fig 26 Caractéristique I(V) d’une cellule solaire au silicium

Jph
Icc
Pmax

5. Paramètres d’une cellule solaire :

La cellule peut être caractérisée par trois paramètres :
- Le courant de court –circuit ICC,
- La tension en circuit ouvert VCO,
- Le facteur de forme FF, définit par le rapport de la puissance utile fournie par la cellule sur le
produit ICC.VCO. Pour les cellules de bonne performance : 0,75≤ FF <1.
- Le rendement optique η : rapport entre l’énergie électrique fournie et la puissance lumineuse
incidente.

 = Pmax/Pinc = FF. ICC.VCO/ Pinc

En général, le rendement d’une cellule unique ne dépasse pas 15 – 16%, c’est pour cela on
associe des batteries de cellules pour arriver à une puissance électrique convenable.
Actuellement les cellules très consommées en grande quantité dans le marché du
photovoltaïque sont à base de silicium (Si) vue leur bas prix par comparaison aux cellules à
base des matériaux tels que : GaAs, CdTe, CIGS,…
 Chapitre V- Les diodes Emetteurs
Partie I - Diodes DEL
La diode DEL (ou LED) est une jonction de deux matériaux semiconducteurs bien choisie qui sous une
polarisation électrique directe émet de la lumière visible ou infrarouge, figure 1. L’émission de lumière est
dûe à la recombinaison radiative des porteurs injectés de part et d’autre de la jonction.

Emissivity

Fig 1 Emissivité des diodes LED(‘s)

- Ces différents spectres montrent que la lumière émise par une diode Led est non monochromatique.
- L’Arseniure de Gallium fournira une émission interbande sur  = 0,9 µm , domaine du proche
infrarouge, en conséquence les Leds à base de GaAs ne serviront pas dans les dispositifs d’affichage
mais seront intégrés dans l’étage émetteur dans une ligne de transmission par fibre optique, ou dans
les optocoupleurs.
Encapsulation transparente
a- Structure et présentation en plastique
Jonction pn
Al +
SiO2
P (1,6 V, 10 mA)

n
n+

-
- +
Al
Fig 2 Structure d’une diode Led. Fig 3 Présentation d’une diode Led

La figure 2 montre la structure technologique d’une diode électroluminescente à jonction pn. La couche n + est
insérée pour faciliter tout simplement le contact électrique arrière qui doit être ohmique. Dans le marché des
composants la diode Led est généralement présentée avec deux électrodes (ou deux contacts) de hauteurs
différentes, figure 3. La variation de l’indice du matériau transparent d’encapsulation, par rapport à ceux du
semiconducteur et du milieu extérieure (l’air) :
- permet d’éviter les réflexions internes des photons émis par la jonction,
- prévoit la réflexion totale du rayonnement qui quitte l’encapsulation.

b- Diagramme d’énergie :
La figure 4.montre le diagramme d’énergie de ce composant optoélectronique, les porteurs de charge
électrons et trous injectés respectivement par le potentiel de polarisation direct va dans les zones P et
N se recombinent dans ces deux zones et restituent l’énergie électrique absorbée à partir du générateur
va, sous forme de lumière.

Fig 4 Diagramme d’énergie d’une diode LED.

Il faut noter que la photoémission observée dans les matériaux semi-conducteurs (Si, GaAs, GaxAsyPz…)
ne résulte pas seulement de la transition radiative entre les niveaux EC et EV, comme c’est montré sur la
figure 3, mais d’autres transitions possibles sont illustrées par la figure 5, doivent être prises en compte
dans le calcul de la photo-émissivité de ces matériaux.

Ec

Ev

Fig 5 Transitions radiatives dans un semiconducteur

Application 1:
Soit p la durée de vie des trous dans la zone N et n la durée de vie des électrons dans la zone P
Calculer le nombre de photon crées dans les zones P et N de largeurs respectives [-xl, -xp] et [xn, xl].
c- Rendement interne d’une diode LED
Le rendement interne du convertisseur électro-optique Led s’exprime par :
i = (nombre de photons crées) / (nombre de porteurs injectés par polarisation)
i = Ur / (Ur + Unr)

Ur = B0 . (np – ni2)

Unr = NRCnCp (np –ni2) / Cn(n+ni) +Cp(p+pi)

NR = concentration des centres de recombinaison non radiatifs (cm-3),

Cn, Cp coefficients de capture de ces centres respectivement pour les électrons et les tous (cm3s-1).

Si nous prenons Cn = Cp = C, nous aurons un rendement i qui prend l’expression suivante :

Application 2 :

- Indiquer la zone la plus émissive d’une diode Led non symétrique n+p.

- Calculer le rendement interne i. d’une diode Led n+p, si on considère que les recombinaisons

radiatives et non radiatives se font respectivement avec des temps moyens r et nr.

d- Rendement lumineux externe

Parmi les problèmes technologiques à qui se confrontent le fabricant des convertisseurs Leds, avant la mise de
ce type de composant dans le marché :
- Tous les photons crées dans le dispositif puissent le quitter et être émis, figure 6.
- Tous les photons émis sont contenus (concentrés) dans une direction convenable
Pour être cheminer dans une fibre optique par exemple, figure 7.
- Un rendement lumineux externe acceptable.
 Le rendement lumineux externe de la diode Led exprime le rapport entre la puissance lumineuse
émise et la puissance électrique consommée sous polarisation direct Vp.

e = Popt / Pel

Al
SiO2
p

n
Vp

Fig 6 : Réflexions internes dans le dispositif pn

fibre
optique
Connecteur
SC, ST, MTRJ
Led
émetteur du signal optique
p
ZCE
n

embase
en plastique ou métal
Vis de fixation
Sur plaque
côté plaque

Fig 7 : Jonction d’une Led avec un câble à fibre optique

d-Rendement lumineux externe

Parmi les limites technologiques à qui se confrontent le fabricant des convertisseurs Leds, avant la mise de ce
type de composant dans le marché :
- Une grande partie des photons crées dans le dispositif ne sont pas émis, figure 6.
- Les photons émis doivent être contenus (concentrés) dans une direction convenable, pour être
cheminer dans une fibre optique par exemple, figure 7.
- Un faible rendement lumineux externe.
Le rendement lumineux externe de la diode Led exprime le rapport entre la puissance lumineuse
émise et la puissance électrique consommée sous polarisation direct Vp.
 e = Popt / Pel (voir série 3 pour le calcul de e)

Al
SiO2
p

n
Vp

Fig 6
fibre
optique
Connecteur
SC, ST, MTRJ

Led
émetteur du signal optique
p
Faisceau optique ZCE
n
Fig 7

Embase
en plastique ou métal
Vis de fixation
Sur plaque

Côté plaque

Application : Luminescence d’un Led n+p

1/ Tracer le diagramme d’énergie d’une Led n+p polarisée par un potentiel Va. + -
2/ Donner l’expression des courants d’injections Jn(-xp), Jp(xn).et du courant total J.
On donne : les constantes Dn, Dp, Ln, Lp, Na, Nd, ni.
3/ En déduire l’expression des taux d’injection n, p respectivement dans les zones p et N.
4/ Sachant que nous avons Dn/µn = Dp/µp = KT/q :
- Exprimer le rapport n/p en fonction des mobilités µn et µp et des concentrations de dopage Nd et Na.
- A partir du rapport des coefficients d’injection , préciser la zone la plus émissive du composant.
On donne les durées de vie moyenne r et nr, relatives aux recombinaisons radiative et non radiative.
Vous prenez r = nr.

5/ Le rendement optique de la cellule n p (opt) s’exprime par :
+


 opt = nombre de photons émis / nombre de photons crées

La(ou les) direction des rayons lumineux émis par une Led est limitée par l’indice de réfraction (n sc) du
matériau semiconducteur constituant ce composant, ceci d’une part et d’autre part, les photons crées dans la
Led ne sont pas tous émis à l’extérieur, figure 2.
- Calculer l’angle limite (l) pour lequel on aura une émission à l’extérieur de la Led.
Seul les photons contenus dans l’angle solide l limité par l’angle limite  = l seront émis à l’extérieur de la
led.
- Etablir l’expression de l’angle solide l.
A noter que l’émission lumineuse de la led si elle est isotrope (s’effectuant dans toutes les directions), on aura
l = 0 = 4 st, mais pratiquement cette émission est limité dans un angle solide l < 0.
Le rendement optique opt peut être représenté par : opt = (l /0).T
T = facteur de transmission de la cellule, T = 4nsc / (nsc + 1)2
- Montrer que le rendement optique opt peut s’exprimer par : opt = 1/nsc(nsc +1)2
e- Autres modèles de diodes Leds

- LED bicolores : Verte et rouge, (dans le même boîtier). Le changement de couleur s’effectuant par

inversion des polarités des deux pattes.

- LED Tricolores : Verte, rouge et orangée, (dans le même boîtier). Le changement de couleur est

fonction de l’alimentation des trois pattes.

- LED multicolores ou " arc en ciel " : Elles comportent 4 anodes et 2 cathodes alimentant 4 diodes.

- LED clignotantes : Branchées comme une simple LED elles clignotent à une très faible fréquence.

- LED infra rouges ou photo émettrices : Placées dans nos télécommandes..

- LED haute luminosité : Leur corps translucide éclaire fortement.

Partie II - Diodes Laser

1-Photoluminescence dans un matériau semiconducteur

a-Absorption
Quand on éclaire un matériau semiconducteur par un faisceau h d’énergie supérieure (ou égale) à l’énergie
de gap Eg du matériau, l’é de valence se libère de sa liaison atomique par absorption d’un photon h et passe
dans une bande supérieure (ou bande de conduction), il devient libre. Chaque absorption d’1 photon génère 2
porteurs de charge : 1trou dans la bande Bv et 1 é dans la bande Bc,.figure 8.
 Bc
h

h

Bv

Fig 8: Absorption d’un photon

b- Emission spontanée
L’électron excité perd son énergie (après coupure de l’éclairement) et regagne spontanément la bande
inférieure Bv, en restituant la fraction d’énergie h absorbée, figure 9.
Bc

h

h

Bv

Fig 9: Emission spontanée

c- Emission Stimulée

Un photon incident provoque (ou induit) la recombinaison radiative d’une paire (é, o), le photon émis a

rigoureusement la même fréquence, la même phase et la même direction de propagation que le photon incident,
Bc
figure 10.

h
h

h

Bv

Fig 10 : Emission stimulée

Il est alors possible de multiplier (ou d’amplifier) le nombre de photons émis pour produire une lumière

cohérente de forte énergie, lumière produite par une diode Laser.

2-Principe de fonctionnement d’une diode laser :

Une diode Laser est une jonction entre deux matériaux semi-conducteurs en général dégénérés de même

énergie de gap ou d’énergies de gap différentes (hétérojonction) qui produit un faisceau Laser par émission

stimulée des électrons injectés dans la zone ZCE de la jonction par un fort courant de polarisation.
 a-Diagramme d’énergie :
E Ecp

Eg
EF
Ecn eVp Ecn
EF
Evp
Eg Ecn
P
Evn
N
ZCE
x
Vp

Ecn EF
Ecn
eVp Ecn
h
EF
EF Evn
P N
Vp ZCE
x

Fig 11 Inversion de population dans la zone ZCE

b- Principe de fonctionnement
Grace au potentiel de polarisation Vp, on injecte une forte concentration de porteurs de charges (é, o) dans la
zone de charge d’espace ZCE, ces porteurs se recombinent d’une manière radiative, ce qui produit un faisceau
d’énergie h qui sera amplifié par des réflexions successives sur les faces clivées de la jonction, donnant par
la suite un faisceau laser, qui sort par l’autre bout du dispositif, figure 12.

Vp

P
Faisceau laser
N
Face externe
opaque
0V

Fig 12 Laser homo-jonction

Fin
 Chapitre VI- Les câbles à fibre optique

1. Introduction
Pourquoi la fibre optique – Transmission optique d’une information

Fibre optique Fibre optique Fibre optique Fibre optique Récepteur

Emetteur optique Récepteur optique
optique

Emetteurs Optiques

Diodes Lasers - LED(s) Photodiode PN, PIN –Phototransistors…

. Amplification
. Réception du signal transmis

Signaux (ou informations) à transmettre

Transmission d’un signal par câble à fibres optiques

Une fibre optique est un fil en verre (ou en plastique) très fin (diamètre de quelques µm à une
centaine de µm) qui nous permet de faire circuler de la lumière transportant un grand débit
d’informations (données informatiques, sons, images, téléphone, visioconférence…) qui peut
atteindre les Tbit/s. La fibre optique constitue actuellement l’élément clef dans les
télécommunications optiques à grandes distances et dans la fabrication des capteurs très
sensibles comme les capteurs de température, de pression…Ses propriétés sont aussi exploitées
d’une manière très large en médecine (en chirurgie, en endoscopie pour éclairer l’intérieur du corps
et transmettre les images jusqu’au médecin), en aéronautique et en éclairage (espaces publics ou
domestiques). Cette forte utilisation de la fibre optique est favorisée par le grand développement que
connaît l’industrie des composants optoélectroniques : les sources lasers, les leds, les photodiodes,
les phototransistors, les photodarlingtons,…
 2. Constitution et Principe de transmission

La fibre optique est constituée d’un cœur cylindrique de silice dopée, entouré par une gaine optique
en silice dont l’indice de réfraction est plus faible que celui du cœur et le tout est protégé par un
revêtement en plastique, figure 1.

Silice dopée

Fig 1 : Constitution d’une fibre optique

Un rayon lumineux entrant dans la fibre optique avec un angle adéquat est guidé en subissant de
multiples réflexions totales internes à l’interface entre le cœur et la gaine, figure 2.

ng

nc
ng
Rayon lumineux entrant
dans la fibre

Fig 2 : Principe de la transmission de la lumière dans une fibre optique.

Remarques :
- Possibilité qu’un rayon lumineux parcourt la fibre par son axe sans subir de réflexions.
- Toutes les réflexions subites par le rayon lumineux entrant dans la fibre se font avec le même
angle au niveau du dioptre ng/nc,

3.Technologie de la fibre optique

Dans presque tous les procédés d’élaboration de la fibre optique, on élabore d’abord une préforme
vitreuse constituée d’un cœur et d’une gaine, figure 3, ensuite on étire les fibres (de la taille d’un
cheveu) par le procédé de fibrage, après on protège la fibre par un revêtement en plastique contre
toutes influences externes (mécaniques, électrique, optiques…).
La fabrication de la préforme se fait par dépôt de verre en phase vapeur suivant plusieurs techniques,
telles que OVD, VAD, MCVD et la PCVD.
 Fig 3 : Préforme en verre de silice

Pour la technique MCVD (Modified Chemical vapour Deposition), figure 4, un tube de substrat en
verre quartzeux est mis en rotation autour de son axe longitudinal alors que la source chaude se
déplace le long du tube et chauffe une zone étroite. Les gaz précurseurs de la réaction d’oxydation
sont introduis à l’intérieure du tube et de fines couches dopées de verre se déposent sur la paroi
interne du tube.

Fig 4 Technique MCVD

Photo référence : http://www.fsg.ulaval.ca/opus/physique534/optique/fibre07.shtml

D’autres techniques comme OVD, VAD, PCVD,… seront présentées par les étudiants dans les
séances expos.

4. Types de fibres optiques

 Mode de propagation : le mode de propagation exprime en quelque sorte le chemin optique
possible suivi par la lumière au cours de sa propagation dans la fibre, figure 5. Selon le type
de la fibre optique, la lumière se propage en un seul (ou plusieurs) modes.
Ces modes de propagation ne sont que les solutions particulières de l’équation d’onde décrivant
la propagation de la lumière dans la fibre :

ng
M1 M3 M2
nc
ng

Fig 5. Propagation de la lumière selon 3 modes.

Dans le mode M3, la lumière met plus de temps à traverser la fibre que dans les modes M 2 et M1.
En effet, toute signal libre s(r,t) traversant un milieu d’indice n (une fibre optique) est
décomposable en plusieurs ondes électromagnétiques planes (ou modes de propagation),
solution de l’équation d’onde :
1  2 S (r , t )
S (r , t )  2 . 0
V t 2
Remarque : Faire un schéma montrant un nombre fini de modes de couleur différente (m
spécifique). A noter que les différents modes possibles ont la même fréquence f du signal
présent à l’entrée de la fibre.
Dans le marché des télécommunications optiques, nous rencontrons deux familles de
fibres selon les dimensions du cœur et la variation relative des indices du cœur nc et de la
gaine optique ng le long de la fibre :
- Les fibres mono mode dans lesquelles la lumière suit un seul mode de propagation, c’est le
mode en ligne droite, figure 6.

ng
10 µm

ng

Fig 6 Fibre Mono mode

- Le cœur de ce type de fibres a une taille en général qui ne dépasse pas 50µm.
Vue la faible épaisseur de ce type de fibres, seul la lumière laser est utilisée comme source
d’impulsions optiques.
- La portée maximale de ce type de fibres peut atteindre 100 km avec un affaiblissement de
0,5dB/km. Ce type de fibre est très utilisé dans les liaisons intercontinentales.

- Les fibres multi modes où la transmission de la lumière s’effectue selon différents modes
dans le cœur de la fibre. Dans cette famille des multi modes, nous distinguons deux sous
catégories :
- La fibre à saut d’indice, figure 7a,7b.
Dans cette fibre, on a une variation abrupte entre l’indice de réfraction du cœur et celui
de la gaine optique, en conséquence les rayons lumineux se propagent dans la fibre par
réflexion totale interne en dent de scie. r

ng

M1 M3 M2 n
nc
ng

Fig 7 Fibre Multi modes à saut d’indice

A noter que ce type de fibres possède un cœur très large (entre 100 et 300µm) et leur
portée maximale est d’environ 2 km avec un affaiblissement de 10 dB/km selon la
technologie de fabrication.de la fibre. Ce type de fibre est très utilisé dans les liaisons
internes ou réseaux locales.
- La fibre à gradient d’indice, figure 8.
Dans cette fibre, on a une variation progressive (ou graduelle) entre l’indice de
réfraction du cœur et celui de la gaine optique, en conséquence les rayons lumineux se
propagent dans la fibre en suivant des chemins optiques presque elliptiques. C’est la
variation d’indice (n(r)) dans le cœur de la fibre qui définit la forme du chemin optique
suivi par les modes se propageant dans la fibre.

Fig 8 Fibre Multi modes à gradient d’indice

 Le diamètre de cœur de ce type de fibres a une taille intermédiaire (entre 50 et 100µm), et leur
portée maximale atteint 2 km avec un affaiblissement de 10 dB/km. Ce type de fibre est très
utilisé pour la transmission de données informatiques (réseau LAN,…).

L’indice de réfraction nc(r) décroit progressivement d’une valeur nc = ncmax (pour r = 0) à la

valeur n = ng (pour r = a) indice de la gaine protectrice. Le cœur de la fibre est formé par des
couches successives à indice de réfraction de plus en plus grand, figure 9. En traversant ces
couches, les rayons lumineux subissent plusieurs réflexions qui les ramènent vers l’axe de la
fibre.
r

ng
a

nc(r)
n
0
Couches du cœur ng ncmax

ng
Fig 9
Fig 10 Indice à profil parabolique
La réfraction par les couches successives du cœur fait ramener la lumière transmise vers l’axe de la fibre
La figure 10 montre la variation de l’indice d’une fibre optique à gradient d’indice représenté par la
fonction parabolique :
nc(r) = n1 – (n1 – n2)(r2/a2) tel que : n1 = ncmax et n2 = ng

Applications :

- Variation linéaire de l’indice de cœur nc(r).

- Variation progressive de l’indice de cœur nc(r) en r3, r4...

5. Vitesse de groupe

C’est la vitesse avec laquelle l’énergie lumineuse se propage le long de la fibre, figure 11.

v
 Cœur de la fibre
nc

Fig 11 Vitesse de groupe

 Vg = v.cos telle que v = c/nc
Expression qui tient compte des différents modes (), se propageant dans la fibre :

La vitesse de groupe (ou de propagation du mode N) est alors donnée par :

VgN = (c/nc).cosN :

 = /2 – i 0    max max = /2 – ilim.

Chaque mode a une vitesse de propagation qui lui est propre. Les modes de vibration parcourent la
fibre à des vitesses différentes.

- Vgmax = c/nc  Vitesse du mode le plus rapide

- Vgmin = (c/nc).cosmax  Vitesse du mode le plus long.

Remarque : La vitesse Vg peut encore s’exprimer par la relation Vg = c/ng

où ng est l’indice de réfraction de groupe définie au chapitre 1 par :
ng() = n() - dn/d

6. Propriétés d’une fibre optique

6.1 Condition de guidage dans une fibre

La lumière entrant dans la fibre ne sera guidée le long de ce support, que si l’incidence i est

supérieure à l’angle limite i = ilim donné par ilim = arcsin(ng/nc), figure 12.

La condition sur l’angle d’incidence i : i > arcsin (ng/nc) ou condition de guidage d’un signal

lumineux dans la fibre est nécessaire mais non suffisante.

Si la lumière incidente forme un angle i tel que : i  arcsin(ng/nc), la lumière est réfracté dans la gaine
optique de la fibre et ne sera donc pas transmise, figure 13.

ng

i nc

0
ng

Fig 12 Guidage d’un signal lumineux

6.2 Ouverture numérique d’une fibre optique : (ON).

La loi de Descartes appliquée au signal lumineux faisant un angle 0 avec l’axe de la fibre donne :

n0.sin 0 = nc.sin  = nc.cos i = nc.1 – sin2i

Seules les impulsions lumineuses d’incidences (0) contenues dans le cône d’acceptance définie par
l’angle limite 0lim seront guidées dans la fibre, figure 13, en effet :
A l’entrée de la fibre, l’incidence limite  = 0lim correspond aux incidences internes i = ilim au niveau
du dioptre gaine/cœur, ceci donne :

n0.sin 0lim = nc.sin max = nc.cos ilim = nc.1 – sin2ilim

n0 = 1 et sin 0lim = nc.1 – sin2ilim = nc.1 – (ng/nc)2
sin 0lim =  n2c – n2g

Par définition, l’ouverture numérique (ON) de la fibre optique n’est que le sinus de l’angle
d’acceptante limite 0lim :
(ON) = sin0lim.=  n2c – n2g

ng

i

0
0lim
nc ng

Fig 13 Angle d’acceptance limite

Remarque : Pour une fibre à gradient d’indice, l’ouverture numérique (ON) change dans le cœur de
la fibre : elle est maximale sur l’axe de la fibre et nulle au niveau du dioptre gaine/cœur.
ON(r) = sin0lim (r)=  n2c(r)– n2g

Plusieurs réfractions correspondant à plusieurs angles limites selon la position r dans le cœur de la
fibre.

Dans le marché des fibres optiques, les producteurs fournissent un paramètre important appelé
différence relative d’indice  donné par :

 = (n2c –n2g)/2n2c

ce qui donne une expression générale de l’ouverture : (ON) comme : (ON) = nc.2
Remarques :
- La connaissance de l’écart relatif , nous permet de calculer automatiquement l’ouverture ON et
d’enduire alors l’angle d’acceptance limite 0lim de la fibre.

- L’ouverture numérique (ON) détermine aussi la puissance lumineuse qu’on peut injecter dans la
fibre, en conséquence, plus l’écart entre l’indice du cœur et celui de la gaine est grand, plus
l’ouverture numérique est grande et plus la puissance injectée dans la fibre est importante.
En conséquence, on peut injecter plus de puissance dans les fibres multi-modes à saut d’indice que
par rapport aux autres types de fibres mais cet avantage est limité par les pertes considérables dans ce
genre de fibres.

Application :
On a produit des fibres optiques à gradient d’indice n(r) définie par l’évolution :

n(r) = ncmax√1-2(r/a)
1- Montrer qu’on peut obtenir une autre évolution de l’indice n(r) de la forme :
n(r) = ncmax – (ncmax - ng)(r/a) si nous prenons :
- ng  ncmax
- Une variation relative d’indice <<1
2- Calculer l’ouverture numérique (ON) dans cette famille de fibres
Pour r= a/2 et  = 1

5.3 Atténuation du signal

La lumière transmise dans la fibre optique subit toujours une atténuation (ou affaiblissement), figure
14, causée essentiellement par les pertes d’énergie au niveau de l’interface gaine/cœur et par
l’absorption due aux impuretés (Fe, Cu, Co, Ni, OH-…) présents dans le verre silice constituant le
cœur de la fibre. Ces pertes d’énergie doivent être minimisées sur des grandes distances pour pouvoir
récupérer toutes les impulsions à la sortie de la fibre.

Atténuation

Entrée de la fibre Sortie de la fibre

Fig 14.Atténuation d’un signal

Les professionnelles de télécommunication optique expriment, l’atténuation du signal dans une fibre
de longueur L par le coefficient  en dB/km.  est donné par :

().L = 10.log (P0/ PL).

où P0 et PL sont respectivement les puissances à l’entrée et à la sortie d’une fibre de longueur L.

 est encore appelé coefficient d’affaiblissement du signal.

L’atténuation de la lumière dans la fibre optique dépend fortement de la longueur d’onde , comme
montre la figure 15, elle est maximale dans le domaine des courtes longueurs l’onde (domaine du
proche uv du visible), diminue progressivement dans le domaine IR et présente des minimums autour
des longueurs d’onde  = 1, 30 m et  = 1, 55 m .

Conséquence, la transmission optique du signal sur les câbles à fibres monomodes (en silice) utilise
couramment les fenêtres optiques autour des longueurs  = 1, 30 m et  = 1, 55 m pour récupérer
les signaux avec le minimum de pertes.

Fig 15 Atténuation dans une fibre de silice

Remarque : Pour les fibres optiques multimodes, les opérateurs de télécommunication optiques
utilisent la fenêtre [850 - 1300nm]

Remarques :

- Pour minimiser cet effet négatif de l’affaiblissement du signal au cours de sa transmission

sur les grandes distances (supérieures en général à 500 km) on doit réamplifier le signal
d’une manière périodique le long de la fibre optique.
- Au cours du calcul des paramètres d’une ligne de transmission optique, on doit tenir
compte des pertes d’énergie lumineuses au niveau de toutes les connexions entre fibres
constituant la ligne (soudures, épissures…) et entre fibres et modules électroniques
constituant la ligne.
 Application :

- La puissance mesurée au bout d’une longueur L = 1km est de 10% de la puissance

présente à l’entrée de la fibre. Calculer le coefficient d’affaiblissement .

- La puissance mesurée au bout d’une longueur L = 1km est de 50% de la puissance

présente à l’entrée de la fibre. Calculer le coefficient d’affaiblissement .

5.4 Dispersion intermodale (ou entre modes)

La dispersion du signal dans la fibre optique constitue le second effet limitant la capacité de
transmission des signaux par ce genre de câbles, en effet l’impulsion lumineuse d’entrée se répartit
automatiquement en différentes impulsions de modes dans la fibre optique, figure16. Ces impulsions
correspondent aux incidences i telles que : ilim  i </2

Impulsion lumineuse
à l’entrée de la fibre

Impulsion ()

Fig 16 Impulsion d’une source lumineuse (led)

Chaque impulsion de lumière est faite d’un nombre fini de longueurs d’onde, qui se propagent de
façon différente dans la fibre. Comme les vitesses de ces impulsions sont différentes, elles arriveront
à des instants différents à la sortie de la fibre et reconstituent donc l’impulsion d’entrée sur une durée
beaucoup plus grande, ce qui entraine un élargissement temporel de l’impulsion à la sortie de la
fibre, figures 17 - 18.
S(t) Sortie de la fibre
S(t) Entrée de la fibre

te

t(ns)
t(ns) te + t
Fibre

Fig 17 Dispersion d’un signal analogique le long d’une fibre optique

 Signal à l’entrée
de la fibre

Signal dans la fibre

Signal à la sortie
de la fibre

Fig 18. Dispersion d’un signal numérique le long d’une fibre optique.

Remarques :
- La dispersion modale limitera donc largement le débit de transmission de la fibre mesuré
en Gbit/s.

- La dispersion intermodale calculée dans les fibres à saut d’indice est beaucoup plus
grande que celle relevée sur les fibres à gradient d’indice, ce qui limite leur utilisation
dans les grandes distantes, car on risque de perdre totalement l’information transmise.

Application :

1. Calculer la dispersion modale entre le mode fondamental M0 et le mode le plus élevé ML

dans une fibre de longueur L à saut d’indice pour :

n = nc – ng = 0,02, n = 0,08 et n = 0,2.

nc = 1,48 L = 1km, L = 100km.

2. Calculer la dispersion modale dans une fibre monomode

6 Dispersion chromatique

Quand on envoie un signal de largeur spatiale , figure 16, c'est-à-dire un paquet d’ondes autour de
 = p (signal émis par une led) dans la fibre optique, le paquet (ou le groupe d’onde) se propage
avec une vitesse de groupe vg= c/ng et il y aura élargissement spectrale des différentes impulsions
du paquet car certaines vont plus vite que d’autres, vue qu’elles n’ont pas toutes, la même longueur
d’onde .

La dispersion chromatique du matériau constituant la fibre exprime les variations du temps de

propagation de groupe (tg) en fonction de la longueur d’onde , elle est définie par le coefficient
M() comme suit :

M() = -(1/L).dtg/d en (ps/nm.km)

M() = (/c).d2n/d2

Remarque : La connaissance de la dispersion chromatique M() dans une fibre, ainsi que les
niveaux d’atténuation du signal nous permet de choisir les fenêtres de transmission  optimales

Applications :

1. Calculer le coefficient de dispersion M() pour une fibre optique de longueur L = 100 km
recevant des impulsions lumineuses d’une diode laser de largeur spectrale  = 0.5 nm.
L’écart Tch = 50ps.

2. Calculer le coefficient de dispersion M() pour une fibre optique de longueur L = 100 km
recevant des impulsions lumineuses d’une diode led de largeur spectrale  = 50 nm. L’écart
Tch = 50ns.

3. Déterminer la dispersion totale T du signal dans les fibres suivants :

Fibre multimode à saut d’indice - Fibre multimode à gradient d’indice –

Fibre monomode.

7. Bande passante d’une fibre

a- Signal Analogique
Comme nous avons signalé, l'impulsion lumineuse émanée d’une diode led comme exemple, s'étale
dans la fibre à cause de la dispersion. Afin de récupérer le signal à la sortie de la fibre avec le
maximum de ses caractéristiques, il faut maintenir donc sa période T largement supérieure à
l’étalement T :
T > T et T = 1/F (F = fréquence d’émission des impulsions), T = Tch + /tm

la fréquence F ne doit pas dépasser alors une certaine fréquence limite F = Flim = 1/T.
Pratiquement, la fibre n’atteindra pas la fréquence Flim, elle coupera le signal à une fréquence Fc
inférieure à Flim et se comporte comme un filtre passe-bas de bande passante comprise entre 0(Hz)
et une fréquence de coupure Fc donnée par :
PFc = PM/2 avec

PM = la puissance maximale transmise par la fibre et P Fc = la puissance transmise à la fréquence Fc.

Pour F = Fc, nous aurons une chute de puissance de 3 dB. c à d de la quantité 10 log PFc/ PM.
En conséquence, la bande passante est limité par la fréquence F = Fc, pour laquelle, nous aurons une
perte de puissance transmise de l’ordre de -3dB. : c’est la bande de fréquences dans laquelle les
signaux sont correctement reçus.

La connaissance de la variation de la puissance transmise P en fonction de la fréquence, nous permet

de connaître facilement la valeur de la fréquence de coupure Fc et donc la bande passante du fibre.

Plusieurs applications ont montré que la bande passante Fb du fibre est inversement proportionnelle
à la dispersion totale du signal :
Fb = k/T avec 0,4  k  0,5

b- Signal numérique :

Pour la transmission des signaux numériques, les professionnels de la fibre optiques utilisent la
notion de débit d’informations transmis par le câble à fibre optique en équivalence à sa bande
passante. En effet la dispersion (chromatique plus modale) va contraindre la transmission du signal
numérique à cause du recouvrement des impulsions successives, comme indiqué sur la figure 18. Ce
qui impose un espacement dans le temps suffisamment limite pour éviter le recouvrement de ces
impulsions et par suite récupérer l’ensemble de l’information transmise. Cette contrainte va donc
largement réduire la capacité de transmission du câble à fibre optique ou débit de transmission
évalué en Gbit/s

Application :
Calcul de la bande passante normalisée d’une fibre optique ?
8. Raccordement entre fibres optiques
Dans l'établissement d'une liaison de transmission par fibre optique (entre stations, entre
villes,…) on est contraint de relier plusieurs fibres entre elles pour couvrir la distance
demandée, ceci d’une part et d’autre part, raccorder la fibre aux circuits émetteur et
récepteur d’informations.
On distingue 3 méthodes de raccordement des fibres optiques :

 Jointage
Une technique qui consiste à souder deux fibres entre-elles, bout à bout, par fusion des
matériaux constituants en utilisant des fusionneuses automatiques. (affaiblissement évalué à
0.15dB maxi.)
 Epissurage
Dans cette méthode on assemble bout à bout deux fibres, et on colle le tout par l'application
d'une colle spéciale de même indice optique que les fibres à raccorder. (affaiblissement de
0,3dB maxi.)
 Connexion amovible
Consiste à utiliser deux pièces mécaniques qui s'emboîtent ou se vissent pour amener les
deux fibres côte à côte.

Les connecteurs les plus utilisés sont : Les connecteurs ST, SC, LC, FC et FDDI.

Chaque connecteur contribue à l'affaiblissement de la liaison, en général de 0.15 à 0.3dB. Ces

pertes sont surtout liées aux défauts de positionnement :

Ecart radial entre les deux fibres

Ecart axial entre deux fibres

Ecart angulaire entre deux fibres

Références :
- Physique des composants électroniques A. Vapaille, R. Castagné
- Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques H. Mathieu
- Cours d’électronique. Les composants semi-conducteurs Bernard BOITTIAUX
- Câbles à fibres optiques G.M.Mahlke, P.Gössing
- Capteurs à fibres optiques P.Ferdinand
- Les Fibres optiques -Notions Fondamentales- J.M.Mur
- Transmission sur fibre optique http://igm.univ-mlv.fr