International Journal of Industrial Electronics and Electrical Engineering, ISSN: 2347-6982 Volume 3, numéro 3, mars 2015

MEMRISTORMODELING À L'AIDE D'ÉLÉMENT FINI ET

SIMULATION À BASE D'ÉPICES
1PRASAD SOMAN, 2REENA SONKUSARE

1Maîtrise en génie électronique et des télécommunications, Institut de technologie Sardar Patel Andheri, Mumbai
2Professeur associé, Institut de technologie Sardar Patel Andheri, Mumbai

Courriel: prasadman89@gmail.com , reena.kumbhare@spit.ac.in

Abstrait- Memristor est un nouveau dispositif qui agit comme quatrième élément de circuit fondamental envisagé par le professeur Chua en 1971.
Les dispositifs Memristor ont un grand intérêt dans la recherche allant de la mémoire et de la logique aux systèmes neuromorphiques en raison de
ses nombreux avantages: non-volatilité, bonne évolutivité, compatibilité avec Technologie CMOS. Nous étudions les modèles en cours de memristor
et les comparons avec des spéci fi cations de dispositifs connus. Dans le processus de modélisation Memristor utilisant des éléments fi nis, il existe
une première approche innovante qui consiste à implémenter le modèle de base de celui-ci à l'aide de l'outil de modélisation et de simulation de
dispositifs Comsol multiphysics 4.4. La modélisation et la simulation réussies de Memristor conduiront en outre à l'utilisation pour SPICE
Conception de circuits.

Mots clés- Comsol multiphysique 4.4, SPICE, Memristor

JE. INTRODUCTION
Dans
2008, Williams et al., Chez Hewlett Packard,
a annoncé le premier appareil à memristor fabriqué.
Cependant, une résistance avec mémoire n'est pas une
nouveauté. Si l'on prend l'exemple de la mémoire non
volatile, elle remonte à 1960 lorsque Bernard Widrow a
introduit un nouvel élément de circuit nommé le mémistor.
La raison du choix du nom de memistor est exactement la
même que celle du memristor, une résistance avec mémoire.
Le mémistor a trois bornes et sa résistance est contrôlée par
l'intégrale de temps d'un signal de courant de commande.
Cela signifie que la résistance du mémistor est contrôlée par
la charge. Widrow a conçu le mémistor comme un élément
de mémoire électrolytique pour former une structure de
base pour une architecture de circuit neuronal appelée
ADALINE (Adaptive Linear Neuron), qui a été introduite par
lui et son étudiant de troisième cycle, Marcian Edward «Ted»
Hoff. cependant, le mémistor n'est pas exactement ce que les
chercheurs recherchaient à l'échelle nanométrique. Il s'agit
simplement d'un appareil à trois bornes (transistor) contrôlé
par la charge. De plus, un nano-dispositif à deux terminaux
peut être fabriqué sans alignement à l'échelle nanométrique,
ce qui est un avantage par rapport aux nano-dispositifs à
trois terminaux. En outre; les
les mémoires électrochimiques ne pouvaient pas répondre à
l'exigence de la tendance émergente des circuits intégrés à
semi-conducteurs.
Les memristors sont des éléments passifs à deux ports avec
une résistance variable (également appelée memristance).
Les changements dans la mémoire dépendent de l'historique
du dispositif (par exemple, la mémoire peut dépendre de la
charge totale passée à travers le dispositif ou, en variante, de
l'intégrale dans le temps de la tension appliquée entre les
ports du dispositif). Pour utiliser les outils EDA pour des
simulations de circuits à base de memristor, un modèle de
memristor spécifique est nécessaire. Plusieurs
memristor des modèles ont été proposés.
interface graphique complémentaire Le programme MATLAB est également
disponible en, utile pour le travail initial avec ces
modèles de memristor. après une longue durée Le
memristor a été réalisé en tant que dispositif
physique en 2008 par l'équipe de recherche HP Labs
dirigée par RSWilliums. Le memristor HP est constitué
d'un mince fi lm bipolaire TiO2 Cette découverte a
suscité un grand intérêt pour les memristors. Les
memristors sont considérés comme l'une des futures
alternatives possibles à la technologie CMOS actuelle.
La technologie basée sur Memristor offre une bien
meilleure évolutivité, une utilisation plus élevée
lorsqu'elle est utilisée comme mémoire et une
consommation d'énergie globale plus faible.
Le domaine de recherche sur la technologie de la mémoire a capturé
un grand intérêt dans l'utilisation des memristors en raison de sa
haute densité et de sa faible consommation d'énergie.Pour répondre à
la demande croissante actuelle de vitesse du processeur et de son
intégrité, la technologie actuelle basée sur les cmos est confrontée à
de nombreux défis.Basé sur la feuille de route technologique
internationale pour les semi-conducteurs (ITRS), il est prévu que d'ici
2019, les cellules de mémoire dynamique à accès aléatoire (DRAM) 16
nm demi-pas fourniront une capacité d'environ 46 Go / cm2, en
supposant une efficacité de surface de 100%. Fait intéressant, les
memristors promettent
capacité extrêmement élevée de plus de 110 Go / cm2 et 460 Go / cm2
pour les dispositifs demi-pas de 10 nm et 5 nm, respectivement, ce qui
est une grande réussite sur la cellule DRAM. Même la mémoire
statique à accès aléatoire saturant également avec ses limitations
physiques d'utilisation d'une petite zone pour une grande demande de
capacité de mémoire.En outre, les progrès dans l'utilisation d'autres
technologies de mémoire émergentes (telles que eDRAM, mRAM et
PCRAM) sont contrecarrés par leurs problèmes pratiques tels que

Modélisation Memristor utilisant Finite E Simulation basée sur l'élément et les épices

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comme compatibilité avec CMOS, leur temps d'accès lent, forme de TiO2 [6]. Leur modèle de base avait deux électrodes
et leur évolutivité limitée Étude globale et approfondie de une en platine à chaque extrémité de l'appareil. La surface du fil
la mémoire à base de memristor (modélisation, espace de platine inférieur a été oxydée pour former une couche
de conception, logique de lecture / périphérie) est extrêmement mince de dioxyde de platine, qui est
manquant. De nombreux défis techniques doivent être hautement conductrice. Sur cette couche, ils ont déposé une
surmontés avant d'utiliser pleinement les memristors. couche de 2 à 3 nm de métal Ti et la couche finale était
L'un des défis majeurs est de concevoir un circuit de l'électrode supérieure en platine. Après des années
lecture pour l'état de la mémoire. Ce problème survient d'expériences, ils se sont finalement rendu compte que ce
parce que le processus de lecture interfère avec l'état du qu'ils possédaient était un memristor, car leur caractéristique
memristor. De plus, la modélisation mathématique d'un iv est similaire à celle proposée par Chua.
memristor n'aborde pas la stabilité de son état résistif
lors du processus de lecture. De plus, la modélisation des
memristors est entravée par l'absence de données
expérimentales pour des structures de memristors
réelles. Les dispositifs Memristive peuvent être utilisés
pour des applications telles que la mémoire, les systèmes
neuromorphiques, les circuits analogiques et la
conception logique, Différentes caractéristiques sont
importantes pour l'utilisation efficace des dispositifs
memristives dans chacune de ces applications, et un
modèle physique approprié et convivial d'un dispositif
memristive est donc obligatoire.
Fig. 2. modèle de memristor

chua.section III décrit le modèle SPICE produit par HP lab en

2008. la section IV donne une approche comparative de
différents modèles mathématiques la section V décrit la
méthodologie de la modélisation par éléments fi nis
(FEM) et pimenter simulation et résultat
obtenu.section VI concluent le papier.
II. ÉLÉMENT DE CIRCUIT
FONDAMENTAL FORTH
En 1971, Luan Chua a postulé un modèle hypothétique qui peut
s'asseoir avec la résistance, le condensateur et l'inductance comme
quatrième élément de circuit fondamental qui relie le fl ux magnétique
et la charge électrique de la même manière que les trois autres
éléments comme le montre la fi g. (1) Chua a montré le memristor
caractéristiques par pincements dans la boucle d'hystérésis. il a
également été montré que le memristor ne peut pas être dérivé par
une équation. La caractérisation d'un système de memristor nécessite
au moins deux équations indiquées dans les équations (1), (2). Après la
découverte du memristor par chua, le laboratoire HP a inventé le
memristor comme modèle d'appareil physique en 2008 dans le
Ils ont observé que sous la couche moléculaire, au lieu du
dioxyde de platine, il n'y avait que du platine pur. Au-dessus
de la couche moléculaire au lieu de titane, ils ont trouvé une
couche inattendue et inhabituelle de dioxyde de titane qui
était déficient en oxigène qui est appelée couche dopée.La
formation de deux oxydes de titane entraîne la modulation
de la couche de jonction sur l'application de la figure de
potentiel externe (3 ) montre les caractéristiques IV du
memristor observées par le laboratoire HP.
III. MODÈLE ÉPICÉ DU MEMRISTOR
Après avoir caractérisé les memristors, BIOLEK a formé un
modèle SPICE en utilisant la modélisation mathématique.

Fig. 3. Caractéristiques I – V du Memristor

Modélisation Memristor à l'aide de la simulation par éléments finis et épices

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Conséquence de processus de matériaux complexes, la est appelé comme Etat variable de les
largeur w de la région dopée est modulée en fonction de memristor.augmenter (diminuer) la taille de la région
la quantité de charge électrique traversant le memristor. dopée réduit (augmente) la résistance totale du film
Avec le courant électrique passant dans une direction mince en appliquant une tension positive à la région
donnée, la frontière entre les deux régions se déplace dopée. ainsi le memristor peut être allumé (low
dans la même direction. La résistance totale du R) ou OFF (R élevé) en fonction de la direction du
memristor, RMEM, est une somme des résistances des courant qui le traverse Le système de rappel peut être
régions dopées et non dopées décrit par

L'équation (7) dé fi nit la caractéristique I – V du dispositif.

L'équation (8) décrit l'équation d'état (équation de dérive)
qui modélise la vitesse de dérive des charges en supposant
un champ électrique uniforme appliqué au dispositif. Il
existe de nombreux modèles de memristor qui satisfont les
deux équations ci-dessus, qui comprend le modèle linéaire
, modèle de dérive ionique non linéaire, modèle de memristor
adaptatif à seuil d'équipe, modèle de barrière tunnel de Simmons
[3] L'ensemble de la comparaison des modèles matamatiques est
résumée dans le tableau I – V caractéristiques du memristor
proposé par les modèles ci-dessus est analysé à l'aide de matlab

où u est la mobilité du dopant. Dans les appareils à l'échelle 7.0. avec des équations de modélisation mathématique

nanométrique, de petites tensions peuvent produire d'énormes proposées par strukov, williams.

champs électriques, qui peuvent en second lieu produire des

non-linéarités dans le transport ionique. Ces non-linéarités se TABLEAU I
manifestent particulièrement au niveau des bords des films COMPARAISON DES MODÈLES MEMRISTOR
minces, où la vitesse de la frontière entre les régions dopées
et non dopées diminue progressivement jusqu'à zéro. Ce
phénomène, appelé dérive non linéaire du dopant, peut être
modélisé par la fonction dite de fenêtre f (x) sur le côté droit
de l'équation (3) Le papier propose la fonction de fenêtre
sous la forme suivante:

où p est un entier positif. La forme de la fonction

(4) garantit la vitesse nulle de la coordonnée x lorsque
approche de l'une ou l'autre des frontières. De plus, les
les différences entre les modèles à dérive linéaire et
non linéaire disparaissent lorsque p augmente. le
Modèle SPICE du memristor, constitué sur la base des
des équations d'état et des équations modélisant le est conçu de
effets de frontière.Le modèle SPICE du memristor les
manière à permettre une modi fi cation aisée des effets. Une telle
relations non linéaires décrivant les données
modi fi cation peut se faire lorsque le fabricant est impliqué.
pertinentes aux limites sont spéci fi ées par le
Aujourd'hui, de nombreuses institutions sont impliquées. Ce
dans la recherche sur les caractéristiques de base du memristor.
modèle a déclenché l'invention de plusieurs applications linéaires
et des modèles non linéaires qui ont focalisé le memrister V. MÉTHODOLOGIE
dans de larges domaines de recherche.
Sa méthodologie fonctionne sur les principes de base de
IV. MODÈLES MATHÉMATIQUES DE HP Memristor Design. En tant que memristor HP, ce
MEMRISTOR modèle de memristor est également basé sur la
fabrication de la conception du dispositif memristor. La
L'état du memristor est défini par sa résistance totale mémoire de l'appareil dépend du modèle mathématique
qui dépend à son tour de la largeur w donc 'w' suivant:

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Fig. 5. Dopping conce ntration dans le dispositif memristor

B. Instanciation du modèle
le memristor est d'abord modélisé à l'aide de l'outil de simulation
orcad en utilisant le modèle de sous-circuit présenté dans. la
modélisation du memristor est ensuite démarrée avec comsol
multiphysique4: 4. La partie modélisation du Memristor consiste
à simuler sur Comsol Multiphysics disponible. Dans cette
direction, le travail a commencé à partir des bases de la
modélisation du Memristor Device. L'avancement des travaux par
étapes est donné comme suit:
1) Pour une meilleure simulation de la région de dopage, de
l'isolation et des porteurs de charge dans un dispositif semi-
conducteur, nous avons utilisé le module semi-conducteur du
Comsol Multyphysics 4.4
2) Il a été utilisé le modèle d'appareil de base avec
l'autre est non dopé. Un tel processus de dopage se traduit
deux électrodes Pt et au milieu il y a les deux régions
par deux résistances différentes: l'une est une résistance
dopées et non dopées TiO2.
élevée (non dopée) et l'autre est une résistance faible
3) Dans la zone dopée du TiO2 est dopé avec des lacunes
(dopée). Par conséquent, HP a intentionnellement établi un
d'oxygène qui sont des ions chargés positivement.
dispositif qui est illustré sur la figure 2. La variable d'état
4) Géométrie Sélection de l'appareil pour la modélisation
interne, w, est également la longueur variable de la région
d'appareils 3D. Dans lequel le D = 10 nm; w = 3 nm. où, comme
dopée. En gros, lorsque w tend vers 0, nous avons un canal
pour le vrac non dopé, est conçu avec des dimensions largeur = 7
non conducteur et lorsque w tend vers D, nous avons un
nm, profondeur = 3 nm et hauteur = 4 nm. Pour les blocs dopés,
canal conducteur.
les dimensions sont (3,3,4) nm et pour l'électrode Pt, elles sont
(1,3,4) nm.
A. Simulation FEM
La simulation FEM de l'appareil a été réalisée à l'aide du
C. Simulation SPICE
module semi-conducteur de COMSOL Muliphysics. La
Le processus initial de conception du dispositif consistait à
conception actuelle du memristor 2D. Les premiers résultats
simuler et à comprendre le comportement du dispositif sur la
de la conception du memristor montrent le comportement
base de la modélisation et de la simulation d'éléments fi nis.
non linéaire de la conception du dispositif en utilisant, par
Après la modélisation par éléments finis, l'appareil peut
exemple, avec l'incrément de la tension à l'une des bornes du
également être simulé en utilisant le code d'épice sur la
dispositif, la résistance du dispositif n'augmente pas
même condition de stimuli qui a été appliquée dans la
continuellement. Dans l'ensemble de la simulation, sa
modélisation par éléments finis. Il utilise certains des
résistance est parfois activée et désactivée. Comme nous
modèles mathématiques de base éprouvés pour simuler son
l'avons vu, il existe deux types de région dopée et non dopée.
comportement dans le code SPICE. La mémoire du dispositif
Le dopage a été fait en utilisant des lacunes d'oxigène.
est dé fi nie en utilisant le modèle mathématique indiqué
dans l'équation (3) Où Ron = 100 ohm, Roff = 16 kohm et X =
w / D, De plus la tension du memristor est dé fi nie en
utilisant les modèles dé fi nis suivants comme donné dans
l'équation ( 4) À partir du modèle HP Sur la base du modèle
HP Spice, nous pouvons simuler son comportement
transitoire pour différentes fonctions de l'appareil.

Simulation transitoire de l'appareil

Xmemrist aa 0 memristor Ron = 100 Roff = 16K
Rinit = 11K
D = 10N uv = 10F p = 10

La concentration de dopant est donnée comme, où la partie

Vtest aa 0 SIN (0 1.2V 1 0 0 0)
. tran 1m 1s UIC
rouge foncé indique la concentration maximale de dopant.

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. tracer tran V (aa) I (Vtest)

. noeud de liste d'options post = 2 ingold = 2 runlvl = 0
. finir

la fi gure (6) montre le flux de courant dans le dispositif

memristor qui n'augmente pas ou ne diminue pas
continuellement avec le temps, elle montre le comportement
marche et arrêt du dispositif memristor sur sa largeur. la fi gure
(8) montre un changement de tension dans le dispositif
memristor qui n'est pas continuellement

Fig. 8. Hystérésis du dispositif Memristor utilisant la simulation transitoire

CONCLUSION

Le modèle SPICE du memristor, constitué à partir d'équations

d'état et d'équations issues de la modélisation de l'appareil.
L'impact que le memristor peut avoir sur la technologie
existante est colossal. Cet article présente l'étude détaillée
des memristors sur la base de la modélisation par éléments fi
nis. La modélisation du memristor en utilisant la
multiphysique comsol comme outil de simulation et de
Fig. 6. comportement actuel du modèle de memristor
modélisation est devenue une nouvelle approche.
Memristors a certainement montré beaucoup de promesses
augmente ou diminue avec le temps, il montre le
et a également le potentiel d'être un autre jalon dans la voie
comportement marche et arrêt du dispositif memristor sur sa
de l'évolution de la technologie pour le mieux.
largeur. L'une des propriétés les plus importantes attachées à

LES RÉFÉRENCES

[1] LOChua, «Memristor: L'élément de circuit manquant», IEEE Trans.

Théorie des circuits, vol. CT-18, n ° 5, p. 507-519, septembre
1971

[2] http://webee.technion.ac.il/ people / skva / memristor.htm

[3] Baker Mohammad, membre IEEE, Dirar Homouz et Hazem El-

gabra Transaction IEEE «Robust Hybrid Memristor-CMOS
Memory Modeling and Design» sur le système VLSI (Very Large
Scale Integrated Integrated) Vol. 54, non. 12, décembre 2007.

[4] Y. Ho, GM Huang et P. L, «Mémoire à memristor non volatile:

Fig. 7. Comportement en tension du modèle de memristor caractéristiques de l'appareil et implications de conception» IEEE Int.
Conf. Conception assistée par ordinateur, novembre 2009, pp. 485–
la conception du dispositif memristive, le dispositif memristive 490.

doit montrer le tracé d'hystérésis pour sa relation courant- [5] Zdenek biolek, Dalibor Biolek, viera Biolkova, Journal of
tension. L'hystérésis peut être dé fi nie pour son comportement RadioEnnginnering 'SPICE Model of Memristors', Vol.18, No.2,
de mémoire dans lequel sa résistance «ON» passe légèrement à JUIN 2009 pp.210-214.

la résistance «OFF» et lorsque l'appareil s'allume, il démarre à [6] DBStrukov, GSSnider, DR Stevert et RS
partir de son dernier état de charge conservé. Sur la base de son Williums, 'The missing memristor found'nature Vol.453, pp.
80-83, mai 2008
comportement d'hystérésis, cet appareil peut être utilisé pour la
plupart des opérations analogiques. La figure suivante (9) montre [7] O. Kaveheei, A. Iqbal, YS Kim, K. Eshranghian, SF Al-Sarawi et D.
son graphique d'hystérésis. Abbott, «The Fourth Element: Characteristics, Modeling, and
Electromagnetic Theory of the Memristor» (arXiv:
1002.3210v1) , 17 févr.2010.

   

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