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Diode :
La diode est un semi-conducteur. La fonction d'une diode est de laisser passer le
courant dans un sens, on dit qu'elle est dans le sens passant (schéma sens
passant), tandis que si elle l’empêche de passer on dit qu’elle est dans le
sens bloquant (schéma sens bloquant) Elle peut être comparée à un interrupteur :
fermé - sens passant - ou ouvert - sens bloquant. Elle est utilisée pour les
commutations de commandes, petites protections, limitation, démodulation,
redressements,..
La jonction d’une diode désigne une zone où le dopage varie brusquement. Lorsque la
région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous
diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi
une zone de déplétion, où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle.
La jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. Si on dope une partie d'un
semi-conducteur intrinsèque avec des atomes à 5 électrons
périphériques (le semi-conducteur devient extrinsèque de type N) et l'autre avec
des atomes à 3 électrons périphériques (extrinsèque de type P), on crée une
jonction, qui est la limite de séparation entre les deux parties (schéma 1).
Une diode ne laisse donc passer le courant électrique que si la tension à ses
bornes dépasse la tension de seuil propre à celle-ci. La tension de seuil est la
tension minimale
pour que la diode laisser passer le courant (+- 0.7 V). Au delà de la tension de
seuil, le courant ne dépend pratiquement que de la résistance totale du circuit, et
la tension aux bornes de la diode reste autour de 0,6V - 0,7V.
Le courant inverse est très faible (de l'ordre du nanoampère). Il augmente très
fortement au delà d'une certaine tension inverse, appelée tension de claquage. La
tension de claquage détruit la diode dans la plupart des cas. (schéma 2)
Température :
Pour Vd positif, la diode a pour tension de seuil un coefficient négatif égal à -
2mV/K. Si la température augmente, alors la tension de seuil diminue. Pour Vd
négatif, le courant peut très vite croitre en fonction de la température.
Dans le silicium, le courant double tous les 10°C.
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Loi d’OHM :
- Courant électrique en Ampère
- Différence de potentiel ou tension en Volt
- Résistance en Ohm
=> U = R * I
Quand la tension augmente, le courant augmente également, la résistance est
constante.
Loi de joules :
L'énergie calorifique E dégagée par un conducteur électrique de résistance R
traversé par un courant d'intensité I pendant un temps est donnée :
- Puissance en Watts
- Courant électrique en Ampère
- Différence de potentiel ou tension en Volt
- Résistance en Ohm
=> P = R * I^2 = U^2 / R
Parallèle :
Calcul du R équivalent si les résistances sont différentes ===> R1 * R2 / R1 + R2
Calcul du R équivalent si les résistances sont égales ===> R / n
+ (schéma serie et //)
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Role des éléments :
(+ schéma de montage)
- La diode : elle permet au courant de ne pouvoir circuler que dans un seul sens.
Matériel utilisé :
- Alimentation : EP-613
- Multimètre : Unit-T (référence UT39C)
- diode : modéle