Vous êtes sur la page 1sur 6

Revue des Energies Renouvelables ICRESD-07 Tlemcen (2007) 145 150

Rponses spectrales et des caractristiques I - V des cellules solaires au silicium


N. Benaouda *, R. Aiouaz et M. Abersi
1 1 2 2

Dpartement dInstrumentation, Institut dElectronique, Universit des Sciences et de la technologie Houari Boumdiene, Alger, Algrie

Laboratoire de Thermique, Centre de Dveloppement des Energies Renouvelables B.P. 62, Route de lObservatoire, Bouzarah, Alger, Algrie 2

Rsum - Les cellules solaires, grce la mise en oeuvre de leffet photovoltaque, convertissent le rayonnement solaire en nergie lectrique. La caractrisation finale de la cellule solaire est le souci de notre contribution. Ltude des caractristiques dune cellule solaire au silicium a pour objectifs ce qui suit: La mise au point d'une mthode de calcul de la rponse spectrale et la mise en place d'un logiciel permettant de calculer les composantes spectrales du rayonnement solaire et les Etude de l'effet de la variation des diffrentes caractristiques des cellules solaires au silicium; paramtres physiques et mtorologiques sur une cellule solaire au silicium; Application, analyse et interprtation des rsultats. Mots cls: Cellule, Rponse Spectrale, Silicium, Rayonnement, Solaire.

1. REPONSE SPECTRALE
La rponse spectrale est la valeur du courant de court-circuit J sc de la cellule par unit de flux monochromatique incident. J ( ) R s ( ) = sc (1) Pg ( )

O R ( ) est le coefficient de rflexion du silicium Le photo courant collect chaque longueur donde relative au nombre de photons incidents sur la surface cette mme longueur donde dtermine la rponse spectrale du dispositif.

global, exprim en W/m2 et J sc ( ) dsigne le courant de court-circuit, exprim en A/cm2. La rponse spectrale interne est la valeur du courant de court-circuit de la cellule, par unit de flux monochromatique traversant la surface de la cellule. J sc ( ) R s int ( ) = (2) Pg ( ) (1 R ( ) )

o R s ( ) est la rponse spectrale, exprime en A/W; Pg ( ) lclairement monochromatique

2. RENDEMENT QUANTIQUE
Le rendement quantique est le rapport du nombre de porteurs de charges traversant le circuit extrieur au nombre de porteurs incidents.

Rq ( ) =

O R q ( ) est le rendement quantique en lectrons/photons; et J sc ( ) est le courant de courtcircuit ( V = 0 ). J sc ( ) est donn par la relation suivante: J sc ( ) = J n ( ) + J p ( ) + J t ( ) (4)

J sc ( ) h c Pg ( ) R q ( )

(3)

n_benaouda@yahoo.fr ou n_benaouda@cder.dz

145

146

N. Benaouda et al.

Les expressions de J p ( ) , J n ( ) et J t ( ) sont donnes en Annexe. La jonction n+p comme gnrateur photovoltaque: La caractristique courant tension de la jonction n+p claire permet un fonctionnement en gnrateur de puissance lectrique. Nous tudions ci-aprs les conditions de production de puissance lectrique et son optimisation. Tous les paramtres examins prcdemment qui rgissent le transport des charges dans le systme interviennent alors et leurs influences respectives dterminent les compromis atteindre. La notion du rendement nergtique prend ici une place prpondrante. Les facteurs limitatifs seront mis en vidence et rpartis entre facteurs intrinsques, lis la structure nergtique mme du systme. Et facteur extrinsque associ aux caractristiques du matriau employ.

3. GRANDEURS CARACTERISTIQUES DU RENDEMENT


Le gnrateur comporte deux rgions particulires de fonctionnement. Le court circuit: V = 0 , le courant dlivr vaut I cc = I ph dtermine en rsolvant lquation I ( V ) = 0 . Le circuit ouvert: I = 0 , la jonction se polarise une tension Voc dont la valeur peut tre

4. POINT DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL, FACTEUR DE REMPLISSAGE, RENDEMENT DE CONVERSION


Sous un clairement et une temprature T , une cellule photovoltaque est caractrise non seulement par une tension Voc ou un courant I cc , mais une caractristique courant tension complte, le point de fonctionnement tant fix par le courant demand par la charge. Lextraction de puissance sera maximale lorsque limpdance sera telle que le produit I . V

soit maximum, soit pour le point de fonctionnement Pm ( I m , Vm

On dfinit les notations suivantes sur les courbes: Vo = V Vn avec Vn = 0,555 V : tension vide a = 25 C ; I o = I I cc avec I cc = 1,3 A : courant de court-circuit; Surface utile dun lment Se = 44,2 cm 2 .

Fig. 1: Caractristiques normalises I o ( Vo

paramtres

par la puissance dclairement T = 25 C On appelle facteur de forme FF , le rapport de I m Vm , valeur maximale de la puissance extraite, au produit I cc Voc . FF = I m Vm I cc Voc (5)

ICRESD2007: Rponses spectrales et des caractristiques I V des cellules solaires 147 On appelle rendement de conversion de la cellule, le rapport de la puissance lectrique maximale la puissance du rayonnement incident sur la surface S de la cellule. I Vm RC = m (6) PS

5. METHODE DE CALCUL
La rponse spectrale et le rendement quantique dune cellule solaire au silicium sont calcules partir des quations (1) et (2), en utilisant les paramtres du dispositif lists dans la table 1. Vu la complexit des quations, nous avons dvelopp un logiciel qui calcul les courants J p ( ) , rendement quantique R q ( ) , puis le courant I cc et la tension Voc une caractristique courant tension et enfin la puissance maximale, le facteur de forme et le rendement de conversion. Pour une longueur donde , le courant total traversant la cellule est la somme de toutes ces composantes de courant. La caractristique finale courant tension de la cellule est le rsultat de lintgration sur tout le spectre solaire.
J n ( ) , J t ( ) J sc ( ) pour chaque longueur donde, la rponse spectrale R s ( ) , et le

J tot =
J tot

[Jn ( ) + Jp ( ) + J t ( ) ] d = [Jn ( ) + Jp ( ) + J t ( ) ]

(7)

Pour ce faire, nous avons divis le courant total en N intervalles N=122 de pas variable et par intgration numrique (mthode de gauss d'ordre 4), nous avons calcul le courant total traversant la cellule. Le modle que nous utiliserons prend en compte les aspects suivants: - les courants de diffusion et de conduction, - les phnomnes de gnration et de recombinaison dans les diverses rgions, - la variation des dures de vie avec le dopage. Les donnes utilises dans la simulation des rponses spectrales des cellules solaires sont: - la longueur donde en m, 0.3 1.2 , - le coefficient d'absorption ( ) , - lclairement solaire spectral Pg ( ) et cette composante est estime par le programme spectral.
Tableau 1: Paramtres du matriau (silicium)

Concentration intrinsque, n i Mobilit des lectrons, n Mobilit des trous, p Dopage dan lmetteur, N d Dopage dans la base, N a Champ lectrique interne, E

1.5 1010 cm 3 1450 cm 2 . V 1 .S 1 500 cm 2 . V 1 .S 1 1 1018 cm 3 1 1014 cm 3 750 V . cm 1

6. INTERPRETATION DES COURBES


Lvolution spectrale du courant total traversant la cellule solaire calcul par le programme Spectral, reprsente en figures ci-aprs en fonction de la masse dair AM, pour diffrentes valeurs de W (paisseur deau condensable). On remarque que le spectre du courant varie beaucoup plus avec quavec W .

148

N. Benaouda et al.

Fig. 2: Distribution spectrale du courant traversant la cellule (AM 1.25)

Fig. 3: Distribution spectrale du courant traversant la cellule (AM 4.17)

Fig. 4: Distribution spectrale du courant traversant la cellule (AM 1.67)

Fig. 5: Caractristique I V mesure et estime (AM 1.67)

Fig. 6: Caractristique I V mesure et estime (AM 1.25)

Fig. 7: Caractristique I V mesure et estime (AM 4.27)

ICRESD2007: Rponses spectrales et des caractristiques I V des cellules solaires 149

7. INTERET DE LA REPONSE SPECTRALE


La rponse spectrale (ou le rendement quantique), aux courtes longueurs donde ( lev), apporte des informations sur les zones du semi-conducteur proche de la surface claire. Les informations concernant le volume peuvent tres obtenues partir de la rponse aux grandes longueurs donde ( faible). La rponse spectrale est l'une des mthodes de caractrisation utilise pour la dtermination des paramtres du dispositif durant ltape recherche et dveloppement et durant la production des cellules solaires.

8. EFFETS DE VARIATION DES SPECTRES SOLAIRES


8.1 Distribution spectrale du courant traversant la cellule La distribution spectrale du courant est sensible la variation des spectres solaires. Elle dcrot proportionnellement lclairement du rayonnement incident . Une bonne concordance entre les valeurs mesures et estimes permet de montrer que le modle de R. Bird est adquat pour estimer les composantes directe, diffuse et globale de lclairement solaire, (Fig. 2, 3 et 4). 8.2 Influence de lclairement sur la caractristique courant tension de la cellule

La caractristique I V donne la figure 5 est obtenue pour lclairement de (627 W/m2; AM 1.67) et une temprature de 18.6 C. Lclairement va modifier cette caractristique, non dans sa forme gnrale, mais pour les valeurs I cc , Voc et le produit de courbes I m . Vm . La figure 9 prsente le rseau de courbes obtenue pour divers clairements des instants quelconque de la journe et avec des tats hygromtriques diffrentes. On prcise que I cc dcrot proportionnellement , et une lgre diminution de la tension de circuit-ouvert Voc lorsque diminue.

Fig. 8: Distribution spectrale du courant traversant la cellule

Fig. 9: Influence de lclairement sur la caractristique courant - tension de la cellule

Tableau 2: Caractristiques I V des cellules solaires au silicium estimes et mesures pour diffrents spectres solaires Estime Mesure Unit 25.52 28.17 mA/cm2 AM1.67 J cc
Voc FF Re nd Ftot

0.444 75.88 15.78 542.11

0.444 76.19 16.09 593

V % % W/m2

150 AM1.25
J cc Voc FF Re nd Ftot

N. Benaouda et al.

38.01 0.4521 77.04 16.32 812.04 19.35 0.431 74.87 15.87 396.46

37.12 0.451 76.97 16.48 783 18.71 0.433 74.72 15.97 379

mA/cm2 V % % W/m2 mA/cm2 V % % W/m2

AM4.17

J cc Voc FF Re nd Ftot

9. CONCLUSION
Ltude, la simulation et loptimisation des rponses spectrales des cellules photovoltaques ncessitent la connaissance des paramtres physiques et lectriques de la structure tudie. Nous avons prsent un modle analytique approfondi qui fait intervenir la vitesse de recombinaison en surface ( S ), les dures de vie des porteurs minoritaires, la profondeur de la jonction ( X j ) et la largeur de la cellule ( W ). Les densits de courant dans chacune des rgions de la cellule ont t calcules en fonction de la longueur donde , ce qui nous a permis de dduire les expressions de la rponse spectrale, du rendement quantique et des caractristiques I V de la structure considre. Les diffrentes expressions ont fait lobjet dun programme de simulation. Nous avons expos la mthode de calcule et ltude de linfluence de la cellule solaire au silicium aux variation mtorologique, physique et technologique en vue doptimiser ces paramtres et par consquent augmenter le rendement de conversion. Par ce travail, nous pensons avoir apporter une contribution ltude des rponses spectrales et les caractristiques photovoltaques de la cellule solaire au silicium.

REFERENCES
[1] H.J. Hovel, Semiconductors and Semimetals, Solar Cells, Vol. 11, pp. 08 72, 1975. [2] M. Orgeret, Les Piles Solaires, Edition Masson, pp. 25 - 90, 1985. [3] A. Laugier et J. Roger, Les Photopiles, Edition Technique et Documentation, pp.79 - 110, 1980. [4] C. Hu and R.M. White, From Basics to Advanced Systems, Solar Cells, Mc Graw-Hill, 1982. [5] S. Ashok, Photovoltaque Measurements, Solar Cells, Vol. 14, pp. 61 81, 1985. [6] J.S. Hartman and M.A. Lind, Spectral Response Measurements for Solar Cells, Solar Cells, Vol. 7, pp. 147 157, 1982 1983. [7] R.E. Bird, A Simple Solar Spectral Model for Direct-Normal and Diffuse Horizontal Irradiance, Solar Energy, Vol. 32, N4, pp. 461 471, 1984. [8] M.P. Thekaekara, Solar Radiation Measurement, Technique and Instrumentation, Solar Energy, Vol. 18, pp. 309 325, 1976. [9] F.J.K. Ideriah, A Model for Calculating Direct and Diffuse Solar Radiation, Solar Energy, Vol. 26, pp. 447 452, 1981. [10] J.P. Nougier, Mthode de Calcul Numrique, Edition Masson, 3me , pp. 137 - 141, 1991.