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V.

Semiconducteurs l'quilibre

Matriaux semiconducteurs
Semiconducteurs intrinsques
Semiconducteurs extrinsques

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Matriaux semiconducteurs
Rsistivit

ln

Mtaux
< 10-4 cm
Isolants
> 1010 cm
Semiconducteurs 10-4 < < 1010 cm

SC pur

Grande influence :
- de la prparation des chantillons
- des perturbations extrieurs
SC impur
1/T

Quels sont les matriaux qui


prsentent ces comportements ?

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Groupe
1A
1
1,008

GAZ
RARES
2
4,003

He

1s1

1 Hydrogne
3
6,939 4

1s2

2A
9,012

Li

Be

1s 22s1

1s 22s 2

numro atomique
4

19

9,012

Be
structure lectronique

Lithium
Beryllium
2 11
23,00 12
24,31

symbole

1s22s 2

nom

artificiel

4A
12,01 7

5A
14,01 8

6A
15,99 9

7A
Hlium
18,99 10
20,18

Ne

1s 22s 22p1

1s 22s 22p2

1s 22s22p3

1s22s 22p4

1s22s22p5

1s22s22p6

Bore
Carbone
Azote
Oxygne
Fluor
Non
13
26,98 14
28,09 15
30,97 16
32,06 17
36,45 18
39,95

Na

Mg

Al

Si

Cl

Ar

(Ne)3s1

(Ne)3s2

(Ne)3s 23p1

(Ne)3s23p2

(Ne)3s23p3

(Ne)3s 23p4

(Ne)3s23p5

(Ne)3s23p6

Sodium
Magnsium
39,10 20
40,08 21

3B
44,96 22

4B
47,90 23

5B
50,94 24

6B
52,00 25

7B
/------------------------8------------------------\
54,94 26
55,85 27
58,93 28
58,71 29

1B
63,55 30

2B
Aluminium
Silicium
Phosphore
Soufre
Chlore
Argon
65,38 31
69,72 32
72,59 33
74,92 34
78,96 35
79,91 36
83,80

Ca

Sc

Ti

Cr

Mn

Fe

Co

Ni

Cu

Zn

Ga

Ge

As

Se

Br

Kr

(Ar)4s1

(Ar)4s2

(Ar)3d14s 2

(Ar)3d24s 2

(Ar)3d34s 2

(Ar)3d54s 1

(Ar)3d54s2

(Ar)3d64s2

(Ar)3d74s 2

(Ar)3d84s2

(Ar)3d104s 1

(Ar)3d104s 2

(Ar)3d104s 24p1

(Ar)3d104s 24p2

(Ar)3d104s24p3

(Ar)3d104s 24p4

(Ar)3d104s 24p5

(Ar)3d104s24p6

Fer
Cobalt
Nickel
Cuivre
Zinc
Gallium
Germanium
Arsenic
Slnium
Brome
Krypton
101,1 45
102,9 46
106,4 47
107,9 48
112,4 49
114,8 50
118,7 51
121,8 52
127,6 53
126,9 54
131,3

Rb

Sr

Zr

Nb

Mo

Tc

Ru

Rh

Pd

Ag

Cd

In

Sn

Sb

Te

Xe

(Kr)5s1

(Kr)5s2

(Kr)4d15s2

(Kr)4d25s 2

(Kr)4d45s 1

(Kr)4d55s 1

(Kr)4d55s 2

(Kr)4d75s 1

(Kr)4d85s 1

(Kr)4d105s 0

(Kr)4d105s 1

(Kr)4d105s 2

(Kr)4d105s25p1

(Kr)4d105s25p2

(Kr)4d105s 25p3

(Kr)4d105s 25p4

(Kr)4d105s 25p5

(Kr)4d105s 25p6

Rubidium
Strontium
Yttrium
Zirconium
Niobium
Molybdne Techntium Ruthnium
Rhodium
Palladium
Argent
Cadmium
Indium
tain
Antimoine
Tellure
Iode
Xnon
55
132,9 56
137,3 57
198,9 72
178,5 73
180,9 74
183,9 75
186,2 76
190,2 77
192,2 78
195,1 79
197,0 80
200,6 81
204,4 82
207,2 83
209,0 84
210 85
210 86
222

6
87

Cs

Ba

La*

Hf

Ta

Re

Os

Ir

Pt

Au

Hg

(Xe)6s1

(Xe)6s2

(Xe)5d16s 2

(Xe)4f145d26s 2

(Xe)4f145d36s 2

(Xe)4f145d46s 2

(Xe)4f145d56s 2

(Xe)4f145d66s 2

(Xe)4f145d76s 2

(Xe)4f145d106s 0

(Xe)4f145d106s1

(Xe)4f145d106s 2

Tantale

Tungstne

Rhnium

Osmium

Iridium

Platine

Or

Mercure

Csium
Barium
Lanthane
223 88
226 89
227

Fr
7

solide
liquide
gaz

Beryllium

Calcium
Scandium
Titane
Vanadium
Chrome
Maganse
4 Potassium
37
85,47 38
87,62 39
88,91 40
91,22 41
92,91 42
95,94 43
98,91 44

3A
10,81 6

masse atomique

Tl

Pb

Bi

Po

At

Rn

(Xe)4f145d106s 26p1 (Xe)4f145d106s 26p2 (Xe)4f145d106s 26p3 (Xe)4f145d106s 26p4 (Xe)4f145d106s 26p5 (Xe)4f145d106s 26p6

Thalium

Plomb

Bismuth

Polonium

Astate

Radon

Ra Ac**

(Rn)7s1

(Rn)7s2

(Rn)6d17s 2

Francium

Radium

Actinium

* 58

Lanthanides

Actinides

140,9 60

144,24 61

Ce

Pr

Nd

(Xe)4f25d06s 2

(Xe)4f35d06s 2

(Xe)4f45d06s 2

**

140,1 59

90

145 62

150,35 63

Pm Sm
(Xe)4f55d06s2

(Xe)4f65d06s 2

152,0 64

157,3 65

158,9 66

162,5 67

164,9 68

167,3 69

168,9 70

173,0 71

175,0

Eu

Gd

Tb

Dy

Ho

Er

Tm

Yb

Lu

(Xe)4f75d06s2

(Xe)4f75d16s2

(Xe)4f95d06s 2

(Xe)4f105d06s 2

(Xe)4f115d06s 2

(Xe)4f125d06s 2

(Xe)4f135d06s 2

(Xe)4f145d06s 2

(Xe)4f145d16s 2

Crium
Prasodyme Nodyme Promthium Samarium
Europium
Gadolinium
Terbium
Dysprosium Holmium
Erbium
Thulium
Ytterbium
Luttium
232,0 91
231 92
238,0 93
237,1 94
244 95
243 96
247 97
247 98
251 99
254 100
257 101
256 102
254 103
257

Th

Pa

Np

Pu

Bk

Cf

(Rn)5f06d27s 2

(Rn)5f26d17s 2

(Rn)5f36d17s 2

(Rn)5f56d07s2

(Rn)5f66d07s 2

(Rn)5f76d07s2

Am Cm
(Rn)5f76d17s2

(Rn)5f76d27s 2

(Rn)5f96d17s 2

Thorium

Protactinium

Uranium

Neptunium

Plutonium

Amricium

Curium

Berklium

Californium

Es
Einsteinium

Fm Md
Fermium

Mendlviuml

No (Lw)
Noblium

Laurencium

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Matriaux semiconducteurs :

Colonne IV : Si, Ge, C,


III - V
: GaAs, InSb
II - VI : CdTe,

Structure lectronique :
Si : (Ne)3s23p2 : 4 lectrons de valence
Ge : (Ar)3d104s24p2 : 4 lectrons de valence
Ga : (Ar)3d104s24p1 : 3 lectrons de valence
As : (Ar)3d104s24p3 : 5 lectrons de valence

En moyenne
4 lectrons
de valence

Etc.

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Structure cristallographique :

Structure diamant
Si,Ge,C

Structure Zincblende
GaAs, InSb

Structure cfc
4 plus proches voisins (ppv) avec une
coordination ttradrique
Quelques II-VI : structure wurtzite, NaCl
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Si, cfc, a = 5,431
Atomes en (0;0;0)
et
(; ;)
Si : 4 lectrons de valence
8 lectrons / maille
Hybridation sp3
Les 4 lectrons de chaque Si forment
des liaisons covalentes avec les 4 ppv
Distance entre ppv : 2,33
4 lectrons de valence + structure cfc avec motif
Semiconducteur, Pourquoi ?
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Rponse : Structure de bande
kz

1re Zone de Brillouin


d'une structure cfc
L

kx

ky
K

Point : Centre de zone


Point X : Bord de zone dans la direction 100
et quivalentes
Point L : Bord de zone dans la direction 111
et quivalentes
Point K : Bord de zone dans la direction 110
et quivalentes
Direction : Direction 100 et quivalentes
Direction : Direction 111 et quivalentes
Direction : Direction 110 et quivalentes
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Structure de bandes de Ge, Si et GaAs

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Ingnierie du gap : Alliages ternaires - quarternaires
Alliages de type AlxGa1-xAs

Variation du gap en , X et
en L pour un alliage
AlxGa1-xAs en fonction de x

Autres substitutions possibles

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Composs III-V : paramtre de maille en fonction du gap
et de la longueur d'onde correspondante.

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
lectrons et Trous : Structure de bandes
Semiconducteur : 2 bandes spares par un gap
Bande de Valence (BV)
<=>
Bande de Conduction (BC)
Ordre de grandeur :
T=0K:

Si :
GaAs :

Eg = 1,12 eV
Eg = 1,42 eV

BV pleine, BC vide
g(E), f(E)

T=0K
EV EF EC
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
A T > 0 K, le taux d'occupation des tats est donn par la
distribution de Fermi-Dirac:
1
f E
E EF
Attention : Jargon !
1 exp
kBT
EF = !!!
Quelques lectrons passent de la BV la BC,
Ils sont thermiquement activs
g(E), f(E)
T>0K
EV EF EC
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Pour les proprits de transport :
Quelques lectrons dans la BC
Quelques trous dans la BV
Les lectrons
Les trous

:
:

Leur nombre est trs infrieur


au nombre d'tats disponibles

en bas de la BC
en haut de la BV

Il faut connatre les masses effectives en bas de la BC


en haut de la BV
g(E), f(E)
T>0K
EV EF EC
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Masse effective dans la BC : Matriau gap direct (ex. GaAs)
Le minimum est situ en
2E
2 est isotrope (ne dpend pas de la direction)
k
2 2
k
Dveloppement de E(k) autour de E EC
*
2 mC
, i.e. une loi de style lectrons libres caractriss
par une masse effective isotrope mC*
Surface E - EC = const.
Sphre centre en
2 mC*
de rayon
E EC
k
2

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Masse effective dans la BC : Matriau gap indirect (ex. Si, Ge)
Le minimum n'est pas situ en
Pour Si : 0,85 X
Pour Ge : en L sur le bord de zone
Pour Si : 6 minima (6 * (100))
Pour Ge : 8 minima (8 * (111))
La masse effective n'est pas isotrope
Relation de dispersion :
2 2
E EC
k
* i
i1,2,3 2 mi
En principe 3 masses effectives mi*
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux

(100)

Si

En ralit : pour des raisons de symtrie :


Pour Si : 1 masse longitudinale ml* suivant (100)
1 masse transverse mt* suivant deux directions
Pour Ge : 1 masse longitudinale ml* suivant (111)
1 masse transverse mt* suivant deux directions
Les surfaces E - EC = const. : ellipsodes de rotation

(111)

Ge
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Masse effective dans la BV :
Le maximum est situ en
3 bandes se trouvent prs du maximum
La bande spin-orbite (SO) quelques
dizaines de meV en dessous de EV (ngligeable)

E
hh

lh

SO

2 bandes confondues en mais avec des courbures diffrentes


Une bande de trous lourds : mhh*
Une bande de trous lgers : mlh*
Les masses effectives sont presque isotropes

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Densit d'tats et masse effective de densit
d'tats
3
1 2
Un lectron occupe un volume de
dans l'espace des k
2 L
(Conditions aux limites priodiques)
BC pour un matriau gap direct :

2 2
k
La relation de dispersion s'crit : E EC
*
2 mC

Dans une sphre de rayon k on peut placer N lectrons avec :


4 3
k
3
k
3
N 3
L
3
32
1 2

2 L

2mC*
2

N
1
ou n 3 2
L
3

E EC

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Si E augmente de dE il y aura dn lectrons/unit de volume de plus
La densit d'tat est

dn
1
g E
2
dE 2

*
2mdC
2

E EC

mdC* : masse effective de densit d'tat = mC*


BC pour un matriau gap indirect
Pour un minimum :

2 2
E EC
k
* i
i1,2,3 2 mi

La surface E - EC = const. : ellipsode avec les trois axes :


2 mi*
ki
E EC
2

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Le volume de l'ellipsode :

4
4
V ( E ) k1 k 2 k3 3 8 m1*m2*m3*
3
3

E E
1

Dans ce volume, on peut placer N lectrons avec :


n

N (E)

V (E)
4 3

V (E)
1 2

2 L

La densit d'tats pour un ellipsode est :


dn E
1

gE
2 3 8m1*m2*m3*
dE
2

1
2

1
EC 2

Avec M ellipsodes dans la 1re Zone de Brillouin,


la densit d'tats totale est :
M
g E 2 3 8m1*m2*m3*
2

1
2

1
EC 2

M : Multiplicit
(Multivalley)
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
Dfinition : Masse effective de densit d'tats
M
g E 2 3 8m1*m2*m3*
2

En consquence :
Exemples

1
2

*
mdC

1 !
EC 2

*
1 2 mdC
22 2

3
2

1
EC 2

1
M2m1*m2*m3* 3

1 masse longitudinale ml*


2 masses transverses mt*
6 ellipsodes : M = 6
*
mdC

Si

1
2
M2ml*mt* 3

ml* = 0,98 m0 mt* =0,19 m0


*
mdC
1,08 m0
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
1 masse longitudinale ml*
2 masses transverses mt*
8 demi - ellipsodes : M = 8/2 = 4
*
mdC

Ge

1
2
M2ml*mt* 3

ml* = 1,64 m0 mt* = 0,082 m0


*
mdC
0,56 m0

Remarque : Les masse effectives sont gnralement donnes


en units de la masse de l'lectron libre
m0 = 9,1093897 10-31 kg

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
BV - Combinaisons des trous lourds et des trous lgers
La densit d'tat est la somme des densits des 2 bandes :
3
*
* 3
1

2
m
2
m
1
hh 2
lh 2
g E ghh E glh E 2
2 EV E 2
2
2

1
! 1 2m * 3
dV 2
Dfinition de la masse

2
E

E
2
V
2 2
effective de densit d'tats

*
*
mdV
mhh

mlh*

2
3

Pour le Si : mhh* = 0,49 m0; mlh* = 0,16 m0


mdV* = 0,55 m0
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Matriaux
En rsum :

BC gap direct
BC gap indirect

BV

Masse effective
1
2
*
2 En
m 2
k
mC* m*
mt*
ml*
*
mhh
mlh*

isotrope

M minima

trous lourds
trous lgers

Masse effective
de densit d'tats
*
mdC
mC*

*
mdC

1
2
M2ml*mt* 3

*
*
mdV
mhh

mlh*

2
3

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


Semiconducteurs intrinsques

Dfinitions :
n = n(T) : Nombre des lectrons
dans la bande de conduction
temprature T
p = p(T) : Nombre des trous
dans la bande de valence
temprature T

EC
EV=0

Eg
k

EC :

nergie minimale de la BC (indpendante du nombre de minima)

EV :

nergie maximale de la BV

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


Concentration des porteurs : lectrons dans la BC

Avec la notion de la densit d'tats :

1
n T g E f E dE 2
2
E
C

*
2mdC
2

Changement de variable : x
*
1 2mdC
n T 2
2 2
EF EC
avec
kBT

3
2

3
2

1
EC 2 dE

EC 1 exp E EF
kT
B
EE
kBT

EC

Eg

EV=0

3
2

1
x 2 dx

kBT
1 exp x
0

F1 2

Intgrale de Fermi - Dirac


Pas de solution analytique mais 2 cas limites
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


EC EF
1
L'approximation de Boltzmann :
kBT
Signification : EF est beaucoup plus petit que EC et se situe
E EF
l'intrieur du gap
1
On a : x
kBT
F1 2

1
x 2 dx

1 exp x exp x

EF EC
exp
kBT

1
x 2 dx

1
e x x 2 dx

EF EC
exp
kBT 2

On obtient pour la concentration des lectrons :


EF EC
n NC exp
kBT

*
mdC
kBT

avec NC 2
2
2

3
2

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


EF EC
n NC exp
kBT

*
mdC
kBT

avec NC 2
2
2

NC : densit d'tats effective de la BC


En remplaant les constantes :
*

m
25
dC

3
2

3
2

3
2

T
3
NC 2,5 10
m

300
m
0
Exemples numriques :
Si :

NC = 2,8 1025 m-3

Ge :

NC = 1,04 1025 m-3

GaAs : NC = 4,7 1023 m-3


Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


Interprtation de l'approximation de Boltzmann :
La statistique de Fermi - Dirac est remplace par la statistique
de Maxwell - Boltzmann
EF E
1
f E
exp
E EF
kBT
1 exp
kBT
Il y a tellement peu d'lectrons (<< 1025) par rapport la densit
d'tats (~ 1030), que le principe de Pauli ne se manifeste plus
Boltzmann
Fermi
EV EF EC
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


Approximation des lectrons libres :

EF EC

1
kBT

EF se situe l'intrieur de la BC :
Semiconducteur dgnr !
1
x 2 dx

Intgrale de Fermi - Dirac

2 2
F1 2

1 exp x 3
0

EF EC

1/2

1
n 2
3

3
2
2 2
EF EC
3 n
*
2 mdC
Mme rsultat que pour
les lectrons libres de masse mdC*

ou

*
2mdC
2

10

0.1

EF

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


Concentration des porteurs : trous dans la BV

Avec la notion de la densit d'tats :


EV

1
p T g E 1 f E dE 2
2

*
2mdV
2

3
E
2 V

EV E
3 kBT

Changement de variable : x
*
1 2mdV
p T 2
2 2
EV EF
avec
kBT

3
2

EV E

1
2 dE

EF E

exp
kBT

EC
EV=0

Eg
k

1
x 2 dx

kBT
1 exp x
0

F1 2

Intgrale de Fermi Dirac


Pas de solution analytique mais 2 cas limites
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


EF EV
1
L'approximation de Boltzmann :
kBT
Signification : EF est beaucoup plus grand que EV et se situe
l'intrieur du gap
EV EF
F1 2 exp
kBT 2
On obtient pour la concentration des trous :
*
mdV
kBT
EV EF

avec NV 2
p NV exp
2
kBT
2

3
2

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


EV EF
p NV exp
kBT

*
mdV
kBT

avec NV 2
2
2

NV : densit d'tats effective de la BV


En remplaant les constantes :
*

m
25
dV

3
2

3
2

3
2

T
3
NV 2,5 10
m

300
m
0
Exemples numriques :
Si :

NV = 1,04 1025 m-3

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


EV EF

1
kBT

Approximation des lectrons libres :

EF se situe l'intrieur de la BV :
Semiconducteur dgnr !
F1 2
ou

1
x 2 dx

3
2 2

1 exp x 3

1
p 2
3

*
2mdV
2

EV EF

3
2
2 2
EV EF
3

p
*
2 mdV

Mme rsultat que pour les "trous" libres de masse m dV*


Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


Position du niveau de Fermi
Chaque lectron de la BC vient de la BV en laissant un trou
n=p
1.2

1.2

1.2

0.8

0.8

0.8

0.6

0.6

0.6

0.4

0.4

0.4

0.2

0.2

0.2

0
-1.5 -1 -0.5 0

0.5

1.5

2.5

0
-1.5 -1 -0.5 0

0.5

1.5

2.5

0
-1.5 -1 -0.5 0

0.5

1.5

2.5

EF se situe vers le milieu du gap


L'approximation de Boltzmann s'applique
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


EF EC
n NC exp
kBT

EV EF
p NV exp
kBT

*
EC EV kBT NV EC EV 3kBT mdV
EF

ln

ln *
2
2
NC
2
4
mdC

Concentration des porteurs intrinsques :


Le produit
Eg ! 2
EV EC
np NCNv exp
NCNv exp
ni
kBT
kBT
ne dpend que de T, mais pas de EF
On appelle : concentration de porteurs intrinsque
Eg
n i NCNv exp
2 kBT
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsques


n i NCNv exp

Eg
2 kBT

Pour un SC intrinsque : n = p = ni
T = 300 K : pour Si : ni = 1,45 1016 m-3
pour GaAS : ni = 1,79 1012 m-3
Effet de compensation :
Pour une temprature donne :
n2i =np = const.
Si n augmente, p doit diminuer et vice versa !

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Semiconducteurs extrinsques
Pour le Si : ni = 1,45 1016 m-3
Il y a ~ 5 1028 atomes/m3
Impossible !!!

Pour avoir un SC intrinsque,


il faut une purification du
cristal > 10-12

Il y a des impurets et des dfauts

Supposition : La densit de dfauts et d'impurets dans le SC


est suffisamment faible pour ne pas modifier la structure de
bandes du SC pur, mais ils donnent lieu des niveaux d'nergie
discrets.
Matriau parfait : SC intrinsque
Matriau avec impurets : SC extrinsque
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Les niveaux extrinsques se situent dans le gap :

niveaux voisins des limites de bandes (shallow levels)

niveaux profonds proche du milieu du gap (deep levels)

niveaux donneurs

niveaux accepteurs
Les niveaux profonds seront trait ultrieurement !

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Donneurs : (Dopage de type n)
Si : 4 ppv
On remplace un atome de Si par un atome pentavalent :
As : 5 lectrons 4 lectrons sont pris dans les liaisons
Le 5me lectron gravite autour l'ion de As+
Schmatiquement :
Si
Si
Si

C'est l'quivalent d'un atome d'H

- - Si - - Si
- - As+ - - Si
- - Si - - Si

As+

Milieu dilectrique
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


1 e2
Le potentiel d'interaction s'crit : V
4 0 r
La solution de l'quation de Schrdinger pour ce genre de
systmes est connue !
e 4me*
nergie de liaison : Ed
2 4 0 2
"Rayon" de l'orbite :
Comparaison :

4 0 2
rB
me*e2

=1

me* = m0Ed = -13,6 eV

Si

= 12

me* = 0,4 m0

rB = 0,53

Ed = -0,04 eV

rB = 13
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Chaque atome d'As ajoute un niveau d'impuret Ed
en-dessous de EC (Concentration ND)
E

T=0K

EC
ED
EV

BDC

Ed

BDV

Quelques nergies de liaison


EC-ED (meV)

As

Sb

Si
Ge

45
12

49
13

39
10
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Accepteurs : (Dopage de type p)
Si : 4 ppv
On remplace un atome de Si par un atome trivalent :
B : 3 lectrons

3 lectrons sont pris dans les liaisons


dans la 4me liaison il y a une place libre

Schmatiquement :
C'est l'quivalent d'un atome d'H invers
Si - + Si - Si - - B- - Si - - Si - -

Si
Si
-

+
B-

Si
Milieu dilectrique
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Le calcul se fait de la mme manire que pour les donneurs
Chaque atome d'Al ajoute un niveau d'impuret E A
Au-dessus de EV (Concentration NA)

T=0K

E
EC
EA
EV

BDC

BDV

Quelques nergies de liaison


EA (meV)

Al

Ga

Si
Ge

45
11

57
10

65
10
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Compensation :
SC avec ND Donneurs et NA Accepteurs
T=0K

E
EC
ED
EA
EV

BDC

Ed

BDV

Si ND > NA

==>

SC type n

Si NA > ND

==>

SC type p

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Occupation des niveaux d'impurets T > 0 K
L'occupation des niveaux d'impurets suit la statistique de
Fermi - Dirac, mais il faut tenir compte de :
-

les diffrents tats de charge

les diffrents tats de spin

et les combinaisons possibles entre eux

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Donneurs :

Concentration ND = ND0 + ND+

BDC

EC
ED

tat
neutre

tat
ionis

EV

Ed

BDV

Le nombre de niveaux de
donneurs neutres :
1
0
ND ND
ED EF
1

1 exp
gD
kBT

gD : facteur de dgnrescence (pour des donneurs monovalents


et deux tats de spin possible, gD = 2)
Nous cherchons ND+ parce que cela correspond au nombre
d'lectrons qui sont passs dans la BC
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Nombre de donneurs ioniss :
ND

ND

EF ED

1 gD exp
kBT

ND ND0

Ln ND+
ND

ii)

i)

T2

T1 < T2

T1

ED

EF

Deux comportement limites :


EF ED
1
i)
kBT
ED EF
ND

ND
exp
gD
kBT
ii)

EF ED
1
kBT
ND ND
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Accepteurs :

Nombre d'accepteurs ioniss NA= Nombre de trous dans la BV

BDC

EC
EA
EV

NA

tat
neutre

tat
ionis

BDV

Ln NA-

NA
EA EF

1 gA exp
kBT

gA : facteur de dgnrescence
(accepteurs monovalents, 2 tats
de spin et deux bandes : gA = 4)

NA
T2

T 1 < T2

T1

EA

EF
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


quation de neutralit lectrique : (ENE)
(Dtermination de la position du niveau de Fermi)
Bilan du nombre total des lectrons dans un semiconducteur dop :
On a :
N atomes du SC

==>

4N lectrons

ND atomes donneurs

==>

5ND lectrons

NA atomes accepteurs

==>

3NA lectrons

Au total :

4N + 5ND +3NA lectrons

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


4N 5ND 3NA
4N p
BV

3 NA NA

5ND ND

Accepteurs Accepteurs
neutres
ioniss

Donneurs
neutres

4NA

4ND

Donneurs
BC
ioniss

4N 3NA 5ND p NA ND n
p ND n NA
Remarque : les calculs de n et p du paragraphe prcdent restent
valables, c'est la position du niveau de Fermi
qui change.
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Rsolution de l'quation de neutralit lectrique :
p ND n NA

On a :

ND

Avec :
EF ED

1 gD exp
kBT
Solution analytique
NA

NA
rigoureusement
EA EF

1 gA exp
impossible !
kBT
Si Boltzmann s'applique
mais on peut regarder
EF EC
n NC exp
ce qui se passe dans
kBT
des cas particuliers
EV EF
p NV exp
kBT
ND

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques

1er exemple SC type n, i.e. NA = 0 : p ND n

1er cas : ND + = ND i.e. EF << ED


p ND n
pn ni2

Ionisation complte des donneurs

n2 nND ni2 0

ND ND2 4ni2
n
2ND
2 possibilits :
i)

ND >> ni

EF EC !
n NC exp
ND
kBT

n = ND ;

ni2
p
n

ND
EF EC kBT ln
NC
Tous les lectrons de la BC proviennent des donneurs
Rgime de saturation
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


ii)

ND << ni

n = p = ni

Comme pour un SC intrinsque


Eg
EC EV kBT NV
n i NCNv exp
EF

ln
2 kBT
2
2
NC
Rgime intrinsque
Temprature limite :
La transition entre les deux rgimes aura lieu pour T i dfinit par :
ND NCNv exp

Eg

2 kBTi
Attention : solution pas simple car NC, NV sont
donns en fonction de T
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


2me cas : ND + =/ ND i.e. EF ~ ED
Temprature limite par rapport au rgime prcdent :
NC
EF = E D
EC ED kBTg ln
ND
L'quation de neutralit lectrique s'crit :
ND

n ND
EF ED

1 gD exp
Si T << Tg, i.e. EF-ED >> kBT
kBT
EF EC
ED EF
ND

NC exp
exp
gD
kBT
kBT
ED EC kBT
ND
EF

ln
2
2
gDNC

NCND
EC ED
n
exp
gD
2kBT

Rgime du gel

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


En rsum :

Ln n

extrinsque

intrinsque

EC
ED

~Eg
saturation

gel

EF(T)

EFi

Ln ND

~(EC-ED)
EV
1/Ti

1/Tg

1/T

Tg

Ti

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


2me exemple SC type p, i.e. ND = 0 :

p n NA

On retrouve les mmes rgimes que pour un SC type n


-

Rgime intrinsque
EC EV kBT NV
EF

ln
2
2
NC

2 kBT

Rgime de saturation
NV
EF EV kBT ln
NA

p n n i NCNv exp

Eg

Rgime de gel
EV EA kBT gANV
EF

ln
2
2
NA

p = NA ;

ni2
n
p

NV NA
EA EV
p
exp
gA
2kBT
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


En rsum :
extrinsque

intrinsque
Ln p

E
EC

~Eg
saturation

gel

EFi

Ln NA

~(EA-EV)
1/Ti

1/Tg

1/T

EF(T)
EA
EV
Tg

Ti

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Technique de solution de l'quation de neutralit lectrique :
solution graphique semiquantitative qui permet de voir quelles
sont les approximations qu'on peut faire
ND

ND
Diagramme de Schockley :
EF ED

1 gD exp
kBT
On considre EF comme variable,
N
A
NA
T comme paramtre et on trace
EA EF
les 4 fonctions dans un mme

1 gA exp
kBT
diagramme semi-log
EF EC
n NC exp
kBT

EV EF
p NV exp
kBT

Ensuite on construit les fonctions


p+ND+ et n+NA- et on trouve leur
intersection.

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsques


Exemple : SC type n
1,E+25

Matriau
GaAs
Gap d'nergie
1,42 eV
-3
NC (300K)
4,70E+23 m
-3
NV (300K)
7,00E+24 m
Temprature

1,E+24

1,E+23
1,E+22

300 K

1,E+21

EC -ED
gD

1,E+20

-3
1,00E+17 m

L'ENE :
p ND n

p+ND+

1,E+19

0,05 meV
p (m -3)

Donneurs
ND

1,E+18
1,E+17

EF

1,E+16
1,E+15

1,E+14
1,E+13
1,E+12
1,E+11
1,E+10
0

0,5

1
EF (eV)

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Rsume
Un semiconducteur est caractris par un gap dans sa structure de bandes entre les
tats occups T = 0K (Bandes de Valence) et les tats vides (Bande de conduction).
le gap peut tre direct (GaAs) ou indirect (Si).
A T > 0K, quelques lectrons peuvent tre activ thermiquement dans la BdC
partir de la BdV en y laissant des trous.
La masse effective de densit d'tats est la moyenne pondre des composantes du
tenseur de masse effective calcul partir de la structure de bandes, pour dcrire
la rpartition des porteurs dans les bandes.
Dans l'approximation de Boltzmann :
Pour un SC non dgnr, la concentration des lectrons dans la BdC est :
3
2

m* kBT
EF EC
avec NC 2 dC 2
n NC exp
2
kBT

Pour un SC non dgnr, la concentration des trous dans la BdV est :


E EF
p NV exp V
kBT

avec

m* kBT
NV 2 dV 2
2

3
2

Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Rsume
La condition de neutralit lectrique s'crit : n = p et le niveau de Fermi se situe :
*
EC EV kBT NV EC EV 3kBT mdV
EF

ln

ln *
2
2
NC
2
4
mdC
La concentration de porteur intrinsque est donn par :
Eg ! 2
EV EC
np NCNv exp
NCNv exp
ni
kBT
kBT

n i NCNv exp

Eg
2 kBT

Semiconducteurs extrinsques :
Dopage type n : ajout de niveau donneurs proche du minimum de la BdC
Dopage type p : ajout de niveau accepteurs proche du maximum de la BdV
Nombre de donneurs ioniss :
ND
ND
E ED

1 gD exp F
kBT

Nombre d'accepteurs ioniss :


NA
NA
E EF

1 gA exp A
k
T

La position du niveau de Fermi est fix par la condition de neutralit lectrique :


p ND n NA
Physique du Solide

V. Semiconducteurs : Rsume
Exemples de solutions particulires :

extrinsque

type n
ND >> NA

gel
EC ED kBTg ln

NC
ND

saturation
ND NCNv exp

Eg
2 kBTi

intrinsque

type p
NA >> ND

NCND
EC ED
n
exp
gD
2kBT

EF

EF

ED EC kBT
N

ln D
2
2
gDNC

ni2
n ND p
n
N
EF EC kBT ln D
NC
n p ni

NVNA
EA EV
exp
gA
2kBT

EV EA kBT gANV

ln
2
2
NA
p NA

ni2
n
p

EF EV kBT ln

EF

n i NCNv exp

NV
NA

EC EV kBT NV

ln
2
2
NC
Eg
2 kBT
Physique du Solide