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ETML Systmes logiques combinatoires : 4
Page 18 04 COMBIN_04 / 10 J UILLET 2006
De mme toute expression logique est ralisable en ne recourant qu des portes NOR.
1
1
1
1
1
1
4.12 Simplification des circuits logiques
4.12.1 Forme canonique
Cest la forme sous laquelle nous allons exprimer les quations simplifier. Voici quelques
exemples:
C B A ABC+
D AB C B AC + + +
H G EF D A D C B A + + + +
Il est noter, que dans la forme canonique, le signe de complmentation (barre) ne peut pas
surmonter plus dune variable dun terme. On ne peut pas avoir par exemple:
BCD
D AC
4.12.2 Simplification algbrique
Ces simplifications sont faites en utilisant les thormes de De Morgan et de Boole.
ETML Systmes logiques combinatoires : 4
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4.12.2.1 Exemple
Simplifier le circuit suivant:
1
& &
1
1
1
&
C B A
x
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4.12.2.2 Exemple
Simplifier lexpression C B A C AB ABC z + + =
4.12.2.3 Exemple
Simplifier lexpression D D) B B)(A A ( z + + + =
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4.12.2.4 Exemple
Simplifier lexpression C B A D C B A ) D B A ( C A z + + =
4.13 Conception de circuits logiques combinatoires
Cette conception peut se faire de la manire suivante:
1. Construire la table de vrit selon la donne du problme.
2. Ecrire lexpression Boolenne relative la Tdv.
3. Simplifier lquation.
4. Simulation
5. Raliser le schma de lquation simplifie.
6. Mise en service et dpannage.
4.13.1 Construction de la Tdv
Il sagit de traduire une donne de problme ou un cahier des charges dun client en une Tdv. On
prendra donc soin danalyser toutes les possibilits des variables dentres. Cest certainement le
point le plus important de la conception. Une Tdv ne peut tre correcte que si les donnes sont
parfaitement comprises.
4.13.2 Ecriture de lexpression Boolenne
Cette criture peut se faire sous deux formes:
1. Somme de produits.
2. Produit de sommes.
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4.13.2.1 Somme de produits ou forme minterme
Toutes les lignes de la Tdv comportant un 1 la sortie sont additionnes logiquement pour
donner lexpression Boolenne.
C B A
C B A
C B A Y
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
y = C B A +A B C
4.13.2.2 Produit de sommes ou forme maxterme
Toutes les lignes de la Tdv comportant un 0 la sortie sont multiplies logiquement. Pour
ces lignes, toutes les variables dentre sont inverses et additionnes logiquement.
A +B +C
C B A + +
C B A Y
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 1
y =(A +B +C) ( C B A + + )
Pour cet exemple, lexpression sous la forme minterme est plus longue et donc moins
avantageuse. Chaque cas doit tre analys afin de choisir la meilleure forme.
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4.13.3 Simplification de lquation
Cette simplification peut se faire de manire algbrique, en utilisant les thormes de Boole et de
De Morgan.
Lquation C B A C B A C B A C B A y + + + = peut par exemple tre simplifie de la manire
suivante:
Le terme A B C comporte deux variables communes avec chacun des autres termes. Lalgbre de
Boole nous autorise ajouter deux autres termes A B C et de mettre en facteur:
C B A C B A C B A C B A C B A C B A y + + + + + =
C) C ( B A B) B ( C A A) A ( C B y + + + + + =
y =B C +A C +A B
y =C (B +A) +A B
Le chapitre suivant nous montrera une autre mthode pour la simplification de ces quations.
4.13.4 Schma de lquation simplifie
Il sagit de convertir lquation obtenue en un schma ralisable. Par exemple pour lquation
obtenue au chapitre 4.13.3 :
y =B C +A C +A B
Le schma comporte 3 portes ET 2 entres et une porte OU 3 entres.
1
&
&
&
C B A
y
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Dans la srie TTL, les portes NON-ET sont les plus rpandues. Pour cette raison nous allons
transformer le schma obtenu ci-dessus de manire nutiliser que des portes NAND. Nous
utiliserons le thorme de De Morgan pour cette transformation:
1
&
&
&
C B A
y
Les 3 AND 2 entres sont transformes en NAND en ajoutant un cercle aux sorties.
Pour rtablir lgalit logique, il faut ajouter un cercle dinversion aux entres de la porte OR.
La porte OR ayant ces entres inverses nest autre quune des reprsentations dune porte
NAND deux entres. Sur le schma dfinitif, on laissera de prfrence cette reprsentation qui
illustre bien la forme originelle dune somme de produit.
4.13.5 Mise en service et dpannage
Il ne reste plus qu raliser le cblage pratique, pour ce faire on indique sur le schma les
numros des bornes de chaques portes utilises:
5
&
&
&
C B A
y
D1a
D1b
D1c
&
D1d
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
1
D2a
13
1
2
12
1
D2b
3
4 6
1
D2c
9
10
11
8 D1 =74LS00
D2 =74LS10
Alimentation D1 D2:
V
CC
pin 14
GND pin 7
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4.14 Tables de Karnaugh
Lalgbre de Boole est la base de la simplification de tous les circuits logiques. Une des
mthodes de simplification les plus simples mettre en oeuvre est la mthode des tables ou
diagrammes de Karnaugh. Cest une mthode de simplification graphique fonde sur
lapplication de lalgbre de Boole. Elle comporte les tapes suivantes:
1. Dduire un minterme de la Tdv.
2. Reporter les " 1 " sur la table de Karnaugh.
3. Faire des boucles de groupes adjacents de 2, 4, 8, 2
X
" 1 " sur la table de Karnaugh.
4. Eliminer la ou les variables qui apparaissent avec leur complment lintrieur dune
boucle et garder les variables restantes.
5. Additionner logiquement les groupes qui restent pour former le minterme simplifi.
4.14.1 Exemple pour deux entres
B A S
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
A
B
B
A
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4.14.2 Exemple pour trois entres
C B A S
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 0
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 1 1
A B
C
C
A B
AB
A B
Ou
C
A
B
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4.14.3 Exemple pour quatre entres
D C B A S
0 0 0 0 0
0 0 0 1 1
0 0 1 0 0
0 0 1 1 1
0 1 0 0 0
0 1 0 1 1
0 1 1 0 1
0 1 1 1 1
1 0 0 0 0
1 0 0 1 1
1 0 1 0 0
1 0 1 1 1
1 1 0 0 0
1 1 0 1 1
1 1 1 0 0
1 1 1 1 1
A B
A B
AB
A B
Ou
C
A
B
CD CD CD CD
D
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4.14.4 Quelques bouclages particuliers
S =............................ S =............................
1 1
1 1
1
1
1
1
1
1 1
1
1
1
A A
A A
B B
B B
C C
C C
D
D D
S =............................
S =............................
4.14.5 Etats indtermins
Si dans une Tdv, une ligne correspond un cas indtermin, la sortie peut prendre la valeur " 0 "
ou " 1 ". On utilisera dans les tables de Karnaugh un " X " ou " " qui pourra tre pris soit pour
un " 1 " soit pour un " 0 ".
Par exemple si A est le fin-de-course droite de la table dune fraiseuse et B le fin-de-course
gauche, toutes les lignes de la Tdv o A =B =1 auront leur sortie un tat indtermin.
4.14.6 Tables de Karnaugh maxtermes
1. Dduire un maxterme de la Tdv (Attention la forme inverse).
2. Reporter les " 1 " sur la table de Karnaugh maxtermes.
3. Faire des boucles de groupes adjacents de 2, 4, 8, 2
X
" 1 " sur la table de Karnaugh.
4. Eliminer la ou les variables qui apparaissent avec leur complment lintrieur dune
boucle et garder les variables restantes.
5. Multiplier logiquement les groupes qui restent pour former le maxterme simplifi.
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4.14.6.1 Exemple
D C B A S
0 0 0 0 0
0 0 0 1 0
0 0 1 0 0
0 0 1 1 1
0 1 0 0 1
0 1 0 1 1
0 1 1 0 1
0 1 1 1 1
1 0 0 0 0
1 0 0 1 1
1 0 1 0 0
1 0 1 1 1
1 1 0 0 1
1 1 0 1 1
1 1 1 0 1
1 1 1 1 1
A B +
A B +
A B +
A B +
Ou
C
A
B
C D + C D + C D + C D +
D
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4.15 Exercices
4.15.1 Exercice sur la fonction AND
4.15.1.1 Complter le diagramme des temps Y1
4.15.1.2 Complter le diagramme des temps Y2 si lentre A est court-circuite la masse.
4.15.1.3 Complter le diagramme des temps Y3 si lentre A est court-circuite au V
CC
.
Y
C
B
A
&
Y2
Y1
C
A
B
Y3
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04 COMBIN_04/ 10 J UILLET 2006 Page 31
4.15.2 Exercice sur la fonction OR
4.15.2.1 Complter le diagramme des temps Y1
4.15.2.2 Complter le diagramme des temps Y2 si lentre A est court-circuite la masse.
4.15.2.3 Complter le diagramme des temps Y3 si lentre A est court-circuite au V
CC
.
Y
C
B
A
>=1
Y2
Y1
C
A
B
Y3
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Page 32 04 COMBIN_04 / 10 J UILLET 2006
4.15.3 Exercice sur la fonction NAND
4.15.3.1 Complter le diagramme des temps Y1
4.15.3.2 Complter le diagramme des temps Y2 si lentre A est court-circuite la masse.
4.15.3.3 Complter le diagramme des temps Y3 si lentre A est court-circuite au V
CC
.
4.15.3.4 Complter le diagramme des temps Y4 si A et C sont court-circuites au V
CC
.
4.15.3.5 Complter le diagramme des temps Y5 si A et C sont court-circuites au GND.
Y
C
B
A
&
Y2
Y1
C
A
B
Y3
Y4
Y5
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04 COMBIN_04/ 10 J UILLET 2006 Page 33
4.15.4 Exercice sur la fonction NOR
4.15.4.1 Complter le diagramme des temps Y1
4.15.4.2 Complter le diagramme des temps Y2 si lentre A est court-circuite la masse.
4.15.4.3 Complter le diagramme des temps Y3 si lentre A est court-circuite au V
CC
.
4.15.4.4 Complter le diagramme des temps Y4 si A et C sont court-circuites au V
CC
.
4.15.4.5 Complter le diagramme des temps Y5 si A et C sont court-circuites au GND.
Y
C
B
A
>=1
Y2
Y1
C
A
B
Y3
Y4
Y5
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4.15.5 Exercice sur les fonctions XOR et XNOR
4.15.5.1 Complter le diagramme des temps
=1
A
B
S
4.15.5.2 Remplir la Tdv et trouver lapplication propose.
&
=1
=1
Y
A1
A0
B1
B0
{
{
Nombre binaire
Nombre binaire
A1 A0 B1 B0 Y
0 0 0 0 .......
0 0 0 1 .......
0 0 1 0 .......
0 0 1 1 .......
0 1 0 0 .......
0 1 0 1 .......
0 1 1 0 .......
0 1 1 1 .......
1 0 0 0 .......
1 0 0 1 .......
1 0 1 0 .......
1 0 1 1 .......
1 1 0 0 .......
1 1 0 1 .......
1 1 1 0 .......
1 1 1 1 .......
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4.15.5.3 Remplir la Tdv et trouver lapplication propose.
=1
=1
D2
D1
D0
P
D2 D1 D0 P
0 0 0 .......
0 0 1 .......
0 1 0 .......
0 1 1 .......
1 0 0 .......
1 0 1 .......
1 1 0 .......
1 1 1 .......
4.15.5.4 Complter le diagramme des temps
=1
A
B
S
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4.15.5.5 Remplir la Tdv et trouver lapplication propose.
=1
=1
=1
P
D2
D1
D0
E
P D2 D1 D0 E
0 0 0 0 .......
0 0 0 1 .......
0 0 1 0 .......
0 0 1 1 .......
0 1 0 0 .......
0 1 0 1 .......
0 1 1 0 .......
0 1 1 1 .......
1 0 0 0 .......
1 0 0 1 .......
1 0 1 0 .......
1 0 1 1 .......
1 1 0 0 .......
1 1 0 1 .......
1 1 1 0 .......
1 1 1 1 .......
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04 COMBIN_04/ 10 J UILLET 2006 Page 37
4.15.6 Exercices de mise sous forme algbrique
4.15.6.1 Donner lquation du circuit
1
1
>=1 1
&
Y
A
B
C
4.15.6.2 Donner lquation du circuit
1
1
1
&
&
&
>=1
Y
A B C D
4.15.7 Exercices dvaluation des sorties ses circuits logiques
A partir de lquation trouve dans lexercice 4.15.6.2 valuer la sortie du circuit si
A =1, B =0, C =1 et D =1.
ETML Systmes logiques combinatoires : 4
Page 38 04 COMBIN_04 / 10 J UILLET 2006
4.15.8 Exercices de dtermination dun niveau de sortie daprs un diagramme
Dterminer le niveau de la sortie du circuit suivant si A =0, B =0, C =1, D =1.
&
>=1
>=1
>=1
1
1
1
Y
A B C D
4.15.9 Exercices de construction de circuits partir dexpressions boolennes
Construire les circuits
a) D) (C B A Y + =
b) D C B ) E D C B (A Y + + + =
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04 COMBIN_04/ 10 J UILLET 2006 Page 39
4.15.10 Exercices de simplification algbrique
4.15.10.1 Simplifier les expressions
a) ) P N ( P) M ( N) (M Y + + + =
b) D C B C AB C B A Y + + =
c) C B A Y =
d) C B A Y + =
e) CD AB Y =
f) D ) C (B A Y + =
g) N) M ( ) N (M Y + + =
h) D C AB Y =
4.15.11 Exercices de transformation de circuit en portes NAND et NOR
4.15.11.1 Construire les circuits puis les transformer en utilisant que des portes NAND
a) X =BC +AC +AB
b) Y =A +BCD
c) QR P Z + =
d) AB B A S + =
e) B A B A P + =
f) AB B A Q + =
g) DE C AB U + + =
h) D BC A V + + =
4.15.11.2 Construire les circuits puis les transformer en utilisant que des portes NOR
a) D) (C B) (A X + + =
b) E) (D C B) (A Y + + =
c) D C) (B A Z + =
ETML Systmes logiques combinatoires : 4
Page 40 04 COMBIN_04 / 10 J UILLET 2006
4.15.12 Exercices de simplification par Karnaugh
4.15.12.1 Simplifier les expressions en utilisant les diagrammes de Karnaugh
a) C B A C B A C B A C B A C B A X + + + + =
b) D C A D C B A C B A D C A D) (C Y + + + + + =
c) D C B A D C B A D C B A D C B A D C B A D C B A Z + + + + + =
4.15.12.2 Donner les quations simplifies par Karnaugh relatives aux Tdv
a) Table mintermes
D C B A X
0 0 0 0 1
0 0 0 1 0
0 0 1 0 1
0 0 1 1 0
0 1 0 0 1
0 1 0 1 0
0 1 1 0 1
0 1 1 1 0
1 0 0 0 0
1 0 0 1 0
1 0 1 0 0
1 0 1 1 0
1 1 0 0 0
1 1 0 1 0
1 1 1 0 0
1 1 1 1 1
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b) Table mintermes
D C B A Y Z
0 0 0 0 1 1
0 0 0 1 0 0
0 0 1 0 0 0
0 0 1 1 0 0
0 1 0 0 1 1
0 1 0 1 1 0
0 1 1 0 0 0
0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 0
1 0 0 1 0 1
1 0 1 0 0 0
1 0 1 1 0 0
1 1 0 0 1 1
1 1 0 1 1 0
1 1 1 0 0 1
1 1 1 1 0 0
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c) Table maxtermes
D C B A Y Z
0 0 0 0 1 1
0 0 0 1 1 0
0 0 1 0 0 1
0 0 1 1 1 1
0 1 0 0 1 1
0 1 0 1 1 0
0 1 1 0 1 1
0 1 1 1 0 1
1 0 0 0 1 0
1 0 0 1 1 1
1 0 1 0 1 1
1 0 1 1 0 0
1 1 0 0 1 1
1 1 0 1 1 0
1 1 1 0 1 1
1 1 1 1 1 0
ETML Systmes logiques combinatoires : 4
04 COMBIN_04/ 10 J UILLET 2006 Page 43
4.15.13 Exercices de conception
a) Concevoir un circuit logique dont la sortie est au niveau haut seulement quand au moins
deux des trois entres A, B et C sont au niveau bas.
b) Un nombre binaire de 4 bits est not A
3
A
2
A
1
A
0
o A
3
, A
2
, A
1
et A
0
reprsentent chacun
des bits, A
0
tant le LSB. Concevoir un circuit logique qui donne une sortie haute quand
le nombre binaire est suprieur 0010 et infrieur 1000.
c) Trois cellules photolectriques sont claires par trois rayons lumineux (Une par rayon).
Elles sont ltat haut lorsquelles sont claires et ltat bas dans le noir. Ces rayons
clignotent de manire squentielle. Concevoir un circuit logique qui produit un signal haut
quand les trois rayons sont allums ou teints en mme temps.
d) Quatre grandes cuves dans une usine de fabrication de produits chimiques contiennent
diffrents liquides chauffs. Des capteurs de niveau servent dceler le dpassement dun
niveau prtabli dans les cuves A et B. Des capteurs thermomtriques surveillent la
temprature des cuves C et D pour quelles ne descendent pas sous une valeur de
consigne. Supposer que les capteurs de niveau sont " 0 " quand le niveau est correct et
" 1 " quand il est trop haut. Supposer que les capteurs thermomtriques sont " 0 " quand
la temprature est acceptable et " 1 " quand elle est trop basse. Concevoir un circuit
logique qui sonne lalarme quand se produisent en mme temps un niveau trop haut dans
A ou B et une temprature trop basse dans C ou D.
e) Ce schma illustre un circuit dalarme dune automobile qui dtecte diverses situations
non souhaitables. Les trois contacts donnent respectivement ltat de la porte du
conducteur, de lallumage et des phares. Concevoir un circuit logique ayant ces trois
contacts comme entres et comme sortie une alarme un si:
Les phares sont allums et lallumage est coup.
La porte est ouverte et le contact dallumage est mis.
+5 V
Alarme
Circuit
Logique
Porte
Allumage
Phares
+5 V
+5 V
Ouvert
Ferm
ON
OFF
ON
OFF
ETML Systmes logiques combinatoires : 4
Page 44 04 COMBIN_04 / 10 J UILLET 2006
4.15.14 Exercices de conception: Un encodeur priorit.
Un encodeur est utilis avec un microprocesseur. Il comporte 3 entres et 2 sorties.
Les entres sont INT
1
, INT
2
, INT
3
; elles sont appeles signaux dinterruption et sont utilises
pour grer un vnement spcial (une alarme par exemple). Les deux sorties sont C
0
et C
1
, elles
indiquent la valeur de linterruption 1.
Par exemple si INT
1
est "1" et tous les autres "0" alors C
1
=0 et C
0
=1.
Si plusieurs signaux dinterruption sont "1" les sorties indiquent la valeur du signal qui a la
plus grande priorit. Lordre des priorits est INT
3
puis INT
2
et enfin INT
1
.
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 1
5. LES BASCULES
Faisant suite notre tude de la logique combinatoire, nous abordons maintenant la logique
SEQUENTIELLE.
5.1 La logique squentielle
Souvenons-nous qu'en logique combinatoire, nous avions la situation suivante :
A chaque tat des variables d'entre correspond un seul tat des variables de sortie et
inversement.
La situation est diffrente avec les circuits squentiels :
A un tat des variables d'entre peut correspondre plusieurs tats diffrents des variables
de sortie parce que le circuit se souvient de ses tats prcdents.
Les circuits squentiels complexes sont constitus de circuits squentiels lmentaires et
de circuits combinatoires. Parmi les principaux, citons :
Les fonctions mmoires
Les fonctions de comptage
La fonction mmoire lmentaire est ralise par les BASCULES.
Schma-bloc d'un circuit combinatoire
Sorties Entres
Logique
combinatoire
Schma-bloc d'un circuit squentiel
Sorties mmorises
Sorties mmorises
Entres
Mmoire
Logique
combinatoire
5.2 Les bascules
Les bascules, aussi appeles "flip-flop" sont les lments de base des systmes squentiels. Elles
sont capables de MEMORISER une information logique donne sous forme d'IMPULSION.
Une bascule a deux sorties dont l'une est l'inverse de l'autre. Elles se notent Q et Q.
Q est appele sortie normale
Q est appele sortie inverse
On dit que la bascule est "1" (niveau HAUT) si Q =1 et Q =0
On dit que la bascule est "0" (niveau BAS) si Q =0 et Q =1
La bascule comprend une ou plusieurs entres. Ces dernires dterminent le passage en
sortie d'un tat un autre (basculement).
ETML Les bascules : 5
Page 2 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
Lorsqu'une impulsion modifie l'tat de la sortie, la sortie reste dans cet tat aprs
l'impulsion : c'est la mmoire de la bascule.
La bascule n'a que deux tats de sortie :
Q =0 et Q =1
Q =1 et Q =0
Les tats Q =1 et Q =1 ou Q =0 et Q =0 ne peuvent exister dans un fonctionnement
normal.
Entres
Q
Q
Sortie normale
Sortie inverse
5.3 La bascule RS
R signifie RESET ou Remise Zro (RAZ)
S signifie SET ou Remise un (RAU)
5.3.1 Schmas portes NAND
&
S
R
Q
Q
S
R
Q
Q
&
5.3.2 Symbole gnral
S Q
Q
S
R
R
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 3
5.3.3 TdV
R S
Q
Q
0 0 ..... .....
0 1 ..... .....
1 0 ..... .....
1 1 ..... .....
5.3.4 Fonctionnement
On a au dpart S =1 et R =1 Q =0, Q =1
Si on donne une impulsion S =0, le systme bascule et Q =1, Q =0, cet tat reste
mmoris aprs l'impulsion de commande.
Une nouvelle impulsion 0 sur S ne changera rien.
Une impulsion 0 sur R fait basculer les sorties et Q =0, Q =1.
Une nouvelle impulsion 0 sur R ne change rien.
Si on applique simultanment 0 sur S et R , les sorties Q et Q sont un mais ne
mmorisent pas cet tat instable; la premire impulsion qui disparat laisse la priorit
l'autre. Si elles disparaissent en mme temps, c'est le hasard et le temps de commutation
des composants qui vont dterminer Q et Q. R =S =0 est INTERDIT.
5.3.5 Application : l'interrupteur sans rebondissement
&
&
Q
Q
Ce systme donne en sortie une commutation franche. De plus, avec les deux sorties Q et Q, on
dispose d'une sortie qui recopie la position de l'interrupteur et d'une sortie qui recopie l'inverse
de la position de l'interrupteur.
ETML Les bascules : 5
Page 4 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
5.3.6 Diagramme des temps ou chronogramme
Il permet de connatre tout instant l'tat des sorties en fonction des tats d'entres
S Q
Q
S
R
R
1
0
1
0
1
0
1
0
S
R
Q
Q
5.3.7 Le signal d'horloge
Les bascules que nous venons d'tudier sont dites asynchrones, c'est--dire :
Les sorties peuvent changer d'tat tout moment quand une ou plusieurs entres
changent et sans aucune autre dpendance.
Dans un systme synchrone, un signal supplmentaire appel signal d'horloge (en anglais
CLOCK ou CLOCK PULSE) et not CLK va imposer le moment exact ou la sortie change
d'tat.
Le signal d'horloge est une suite d'impulsions carres ou rectangulaires
1
0
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 5
Le moment o la sortie change d'tat s'appelle TRANSITION
La transition peut se faire pendant que le signal d'horloge est gal 1 mais le plus
souvent :
Quand le signal d'horloge passe de 0 1, on parle alors de front montant (positive
edge)
Quand le signal d'horloge passe de 1 0, on parle alors de front descendant (negative
edge)
Nous trouverons sur les schmas les symboles suivants sur l'entre d'horloge :
LATCH
C1
Le signal de sortie peut changer d'tat en fonction des modifications des
signaux d'entre pendant que l'impulsion d'horloge vaut 1. On parlera alors
de bascule transparente (LATCH).
LATCH
C1
Mme situation que prcdemment mais pendant que l'impulsion d'horloge
vaut 0.
CLK
C1
La bascule est active seulement pendant le front montant de l'horloge
(POSITIVE EDGE TRIGGERED) (Entre dynamique)
CLK
C1
La bascule est active seulement pendant le front descendant de l'horloge
(NEGATIVE EDGE TRIGGERED) (Entre dynamique)
Il est noter que la majorit des systmes numriques existants sont synchrones. On parlera
alors de systmes SEQUENTIELS par opposition aux systmes combinatoires dj tudis.
ETML Les bascules : 5
Page 6 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
5.4 La bascule RS synchronise
5.4.1 Schma portes NAND
&
&
&
&
Q
Q
S
R
LATCH
5.4.2 Fonctionnement
La sortie ne peut changer d'tat que si on a une impulsion S =1 ou R =1 pendant
que LATCH =1. S =R =1 interdit pendant que LATCH =1.
5.4.3 Symboles gnraux
1S
C1
1R
S
R
LATCH
Q
Q
Correspond au schma ci-dessus.
1S
C1
1R
S
R
LATCH
Q
Q
Bascule transparente pour LATCH =0
1S
C1
1R
S
R
CLK
Q
Q
Transition pour front positif d'horloge.
1S
C1
1R
S
R
CLK
Q
Q
Transition pour front ngatif d'horloge.
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 7
5.5 La bascule D
5.5.1 Schma portes NAND
&
&
&
&
1
D
LATCH
Q
Q
La version reprsente ci-dessus est une bascule D transparente (D LATCH).
5.5.2 Symboles gnraux
1D
C1
D
LATCH
Q
Q
Bascule D transparente. (D LATCH)
1D
C1
D
CLK
Q
Q
Bascule D avec transition sur front positif
5.5.3 TdV de la bascule D
D Q
Q
0 ..... .....
1 ..... .....
L'entre est recopie la sortie Q en synchronisation avec l'horloge
5.5.4 Fonctionnement de la bascule D
Le fonctionnement est identique la bascule RS synchronise mais dans ce cas, il n'y a pas le
dsavantage de l'tat interdit R = S = 1. Cette bascule est couramment utilise dans les
compteurs et les registres dcalage ou pour saisir des donnes passagres.
Une impulsion sur CLK mmorise sur Q l'information se trouvant sur D.
ETML Les bascules : 5
Page 8 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
5.6 La bascule J K
5.6.1 Symboles de la bascule JK
1J
C1
1K
J
K
LATCH
Q
Q
1J
C1
1K
J
K
CLK
Q
Q
Bascule J K transparente Bascule J K dclenche par front descendant
5.6.2 Equation de la bascule JK
La sortie de cette bascule peut tre obtenue en utilisant l'quation suivant.
Q K Q J Q + =
+
Nous dsignons par Q l'tat de la sortie avant la transition et par Q
+
l'tat de la sortie aprs la
transition.
Nous pouvons remplir la TdV de la J K en utilisant cette quation.
5.6.3 TdV de la bascule JK
J K Q
+
1) 0 0 .....
2) 0 1 .....
3) 1 0 .....
4) 1 1 .....
Nous constatons :
Ligne 1): Il n'y a pas de changement, la sortie reste stable
Ligne 2) et 3): La sortie Q aprs transition copie l'tat de J
Ligne 4): chaque transition, Q est invers, la bascule fonctionne en diviseur par 2.
Dans ce mode, on parle de bascule bistable.
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 9
5.6.4 Universalit de la bascule JK
La bascule J K peut tre considre comme la bascule universelle. Les entres J et K remplissent
les mmes fonctions que les entres R et S de la bascule RS, la mise de J et K "1" ne pose par
contre aucun problme.
Le schma suivant nous montre le cblage de la bascule J K fonctionnant comme une bascule D.
1J
C1
1K
D
CLK
Q
Q
Le schma ci-dessous nous montre l'utilisation de la bascule J K en bascule bistable.
1J
C1
1K
V
CC
CLK
Q
Q
T
Q
Q
5.6.5 La remise 0 et la remise 1 (CLEAR et PRESET)
Certaines bascules sont quipes d'entres pour la remise 0 ou 1 ou les deux. Ces entres sont
asynchrones. Elles sont alors prioritaires sur les autres entres dont l'horloge et agissent
immdiatement.
1J
C1
1K
CLK
Q
Q R
CLR
K
J
S
C1
1D
CLK
Q
Q R
CLR
D
PRE
Bascule J K avec clear Bascule D avec clear et Preset
ETML Les bascules : 5
Page 10 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
5.7 Exercices
S
R
S
R
Q
Q
5.7.1 Exercice sur la bascule RS
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q.
5.7.1.1
1
0
1
0
1
0
1
0
S
R
Q
Q
5.7.1.2
1
0
1
0
1
0
1
0
Q
Q
S
R
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 11
5.7.2 Exercice sur la bascule RS synchronise
1S
C1
1R
S
R
LATCH
Q
Q
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q.
5.7.2.1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
S
R
Q
Q
LATCH
5.7.2.2
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
S
R
Q
Q
LATCH
ETML Les bascules : 5
Page 12 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q.
1S
C1
1R
S
R
CLK
Q
Q
5.7.2.3
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
S
R
Q
Q
CLK
5.7.2.4
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
S
R
Q
Q
CLK
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 13
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q.
1S
C1
1R
S
R
CLK
Q
Q
5.7.2.5
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
S
R
Q
Q
CLK
5.7.2.6
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
S
R
Q
Q
CLK
ETML Les bascules : 5
Page 14 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
1D
C1
D
CLK
Q
Q
5.7.3 Exercice sur la bascule D
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q.
5.7.3.1
1
0
1
0
1
0
1
0
D
Q
Q
CLK
5.7.3.2
1
0
1
0
1
0
1
0
D
Q
Q
CLK
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 15
1D
C1
D
LATCH
Q
Q
5.7.4 Exercice sur la bascule D transparente
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q.
5.7.4.1
1
0
1
0
1
0
1
0
D
Q
Q
LATCH
5.7.4.2
1
0
1
0
1
0
1
0
D
Q
Q
LATCH
ETML Les bascules : 5
Page 16 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
1D
C1
D
CLK
Q
Q
5.7.5 Exercice sur la bascule D
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q.
5.7.5.1
1
0
1
0
1
0
1
0
D
Q
Q
CLK
5.7.5.2
1
0
1
0
1
0
1
0
D
Q
Q
CLK
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 17
1D
C1
D
CLK
Q
Q
5.7.6 Exercice sur la bascule D
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q.
5.7.6.1
1
0
1
0
1
0
1
0
D
Q
Q
CLK
5.7.6.2
1
0
1
0
1
0
1
0
D
Q
Q
CLK
ETML Les bascules : 5
Page 18 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
1J
C1
1K
J
K
CLK
Q
Q
5.7.7 Exercice sur la bascule JK
Dessiner le chronogramme de la sortie Q.
5.7.7.1
1
0
1
0
1
0
1
0
J
K
Q
CLK
5.7.7.2
1
0
1
0
1
0
1
0
J
K
Q
CLK
ETML Les bascules : 5
05 BASCULE_04/ 10 J UILLET 2006 Page 19
5.7.8 Exercice sur la bascule JK avec CLR et PRE
1J
C1
1K
CLK
Q
Q R
CLR
K
J
S
PRE
Dessiner le chronogramme de la sortie Q.
5.7.8.1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
J
K
Q
CLK
1
0
PRE
CLR
5.7.8.2
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
J
K
Q
CLK
1
0
PRE
CLR
ETML Les bascules : 5
Page 20 05 BASCULE_04 / 10 J UILLET 2006
5.7.9 Application des bascules: discriminateur de sens
Capteur S1
Capteur S2
Noir =1
Blanc =0
Diagramme temporel pour une rotation droite
1
0
1
0
S1
S2
Diagramme temporel pour une rotation gauche
1
0
1
0
S1
S2
Raliser un montage dons la sortie est 1 pour une rotation droite et 0 pour une rotation
gauche. (Ce montage peut tre ralis en utilisant une seule bascule tudie au chapitre 5.
ETML Les compteurs : 6
06 COMPTEUR_04/ 10 J UILLET 2006 Page 1
6. LES COMPTEURS
6.1 Introduction
Les compteurs sont des circuits lectroniques numriques importants. Ce sont des circuits
logiques squentiels et sont construits en utilisant des bascules. Les caractristiques principales
des compteurs numriques sont les suivantes:
Capacit maximum de comptage
Comptage direct ou dcomptage
Fonctionnement synchrone ou asynchrone
Fonctionnement permanent ou arrt automatique
6.2 Compteur propagation
Les compteurs numriques ne comptent quen binaire ou en code binaire. Par exemple un
compteur 0 15 en dcimal a la squence suivante en binaire:
0000-0001-0010-0011-0100-0101-0110-0111-1000-1001-1010-1011-1100-1101-1110-1111-
0000- ...
Un tel compteur est appel modulo 16. Le modulo dun compteur est sa capacit, on utilise
parfois labrviation mod (Un compteur mod 16).
6.2.1 Schma dun compteur modulo 16 bascules JK
1J
C1
1K
1
1
CLK
Q
D
Q
1J
C1
1K
1
1
Q
C
Q
1J
C1
1K
1
1
Q
B
Q
1J
C1
1K
1
1
Q
A
Q
6.2.2 Chronogramme
CLK
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
ETML Les compteurs : 6
Page 2 06 COMPTEUR_04 / 10 J UILLET 2006
6.2.3 Fonctionnement
Les quatre bascules J K sont montes en mode .......................... et leurs sorties sont appliques
aux entres d'horloge du flip-flop suivant. Le dclenchement des bascules se propage dans le
compteur, pour cette raison on parle de compteur propagation.
Il s'coule un certain temps entre le front descendant de l'horloge et le dclenchement des flip-
flops suivants, c'est donc un type de compteur asynchrone, dans la mesure o toutes les bascules
ne dclenchent pas exactement en accord avec les impulsions d'horloge.
Notons encore, que chaque cellule divise la frquence de son entre par deux.
6.2.4 Exercice sur le compteur asynchrone
Complter le chronogramme et donner la squence du compteur ci-dessous.
1J
C1
1K
1
1
CLK
Q
D
Q
1J
C1
1K
1
1
Q
C
Q
1J
C1
1K
1
1
Q
B
Q
1J
C1
1K
1
1
Q
A
Q
CLK
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
6.2.5 Exercice sur le compteur asynchrone
Complter le chronogramme et donner la squence du compteur ci-dessous.
1J
C1
1K
1
1
CLK
Q
D
Q
1J
C1
1K
1
1
Q
C
Q
1J
C1
1K
1
1
Q
B
Q
1J
C1
1K
1
1
Q
A
Q
&
CLR CLR CLR CLR
ETML Les compteurs : 6
06 COMPTEUR_04/ 10 J UILLET 2006 Page 3
CLK
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
6.3 Compteurs parallles
Comme il a t mentionn, l'inconvnient prsent par le compteur propagation asynchrone est
le dlai qui existe au cours des basculements successifs. Ce dlai peut tre supprim en montant
les flip-flops de manire ce que toutes les entres d'horloge soient relies entre elles et au
signal d'horloge. De cette manire le fonctionnement de ce type de compteur est synchrone.
6.3.1 Schma dun compteur modulo ........... bascules JK
J
C1
K
Q Q J
C1
K
Q J
C1
K
&
CLK
1
1
Q
A
Q
B
Q
C
6.3.2 Chronogramme
CLK
Q
A
Q
B
Q
C
ETML Les compteurs : 6
Page 4 06 COMPTEUR_04 / 10 J UILLET 2006
6.4 Conception de compteurs synchrones
La conception de compteurs synchrones peut tre faite en utilisant des bascules J K. L'exemple
suivant illustre une mthode de recherche du circuit partir d'un cycle donn.
6.4.1 Cycle du compteur
La premire tape consiste poser le cycle que l'on dsire obtenir, par exemple:
1 3
5 7
6.4.2 Tdv du compteur
A partir de l'quation du flip-flop J K, il est possible de trouver les tats de J et de K en fonction
de Q et Q
+
(tat futur).
Q K Q J Q + =
+
Q Q
+
J K
0 0 ..... .....
0 1 ..... .....
1 0 ..... .....
1 1 ..... .....
De ce tableau, il est maintenant possible de remplir la Tdv du compteur:
Q
C
Q
B
Q
A
Q
C
+
Q
B
+
Q
A
+
J
C
K
C
J
B
K
B
J
A
K
A
0 0 1 0 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 1 1 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 1 1 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 1 0 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... .....
Toutes les autres lignes sont des tats indtermins. Il est maintenant possible de trouver aprs
simplification les quations des entres J et K des bascules J K.
ETML Les compteurs : 6
06 COMPTEUR_04/ 10 J UILLET 2006 Page 5
6.4.3 Simplification des entres J et K
Pour lexemple ci-dessus, nous trouvons:
J
A
=.......... J
B
=.......... J
C
=..........
K
A
=.......... K
B
=.......... K
C
=..........
6.4.4 Schma logique du compteur 1 - 3 - 5 - 7
6.4.5 Contrle des tats indtermins
Il reste maintenant une dernire tape dans la conception de notre compteur, consistant vrifier
les tats indtermins. Cette tape est importante, le compteur pouvant sengager dans une
boucle indsirable, ne rpondant pas au cahier des charges. Pour notre exemple nous pourrions
avoir un cycle " parasite " 2 - 4 -2 - ...
Nous allons remplir la Tdv complte de notre compteur:
Q
C
Q
B
Q
A
Q
C
+
Q
B
+
Q
A
+
J
C
K
C
J
B
K
B
J
A
K
A
0 0 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
ETML Les compteurs : 6
Page 6 06 COMPTEUR_04 / 10 J UILLET 2006
Marche suivre:
a) Remplir J et K selon les quations trouves ( 6.4.3 )
b) Remplir Q
+
en utilisant lquation de la J K ( 6.4.2 )
c) Extraire le cycle complet du compteur, par exemple sous la forme utilise dans 6.4.1.:
Cette solution n'est pas unique et nous allons supposer que les quations trouves sont:
J
A
=0 J
B
=1 J
C
=Q
B
K
A
=0 K
B
=1 K
C
=Q
B
6.4.6 Schma logique du compteur 1 - 3 - 5 - 7
ETML Les compteurs : 6
06 COMPTEUR_04/ 10 J UILLET 2006 Page 7
6.4.7 Contrle des tats indtermins
Q
C
Q
B
Q
A
Q
C
+
Q
B
+
Q
A
+
J
C
K
C
J
B
K
B
J
A
K
A
0 0 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
Cycle complet du compteur:
ETML Les compteurs : 6
Page 8 06 COMPTEUR_04 / 10 J UILLET 2006
6.4.8 Exercice sur les compteurs parallles utilisant des bascules JK
Raliser un compteur dont le cycle est 1 - 2 - 3 - 1 - ... si S =0 et le cycle
1 - 3 - 2 - 1 - ... si S =1. (S est une entre donnant le sens du compteur)
6.4.9 Exercice sur les compteurs parallles utilisant des bascules D
Raliser un compteur dont le cycle est 1 - 2 - 3 - 1 ...
ETML Logique programmable : 7
07 PLD_04/ 10 J UILLET 2006 Page 1
7. Logique programmable
7.1 Introduction
Circuits Logiques Programmables =Programmable Logic Devices =PLD
L'apparition de circuits logiques programmables a considrablement boulevers la conception
des systmes numriques lectroniques. Grce cette technique, il est maintenant possible de
rsoudre un problme numrique avec un minimum de circuits intgrs et un maximum de
flexibilit. La personnalisation d'une application est maintenant possible sans pour autant
redvelopper la partie matrielle, donc moindre frais.
Historiquement, les premiers circuits logiques programmables ont t au dbut des annes 60, les
matrices diodes avec leurs fusibles. L'utilisation de PLDs s'est de plus en plus rpandue ces dix
dernires annes et aujourd'hui (2006) il est rare de ne pas rencontrer de tel circuit sur un
nouveau dveloppement numrique.
Afin de bien pouvoir comparer les diffrentes techniques, nous allons rsoudre le mme
problme en utilisant tout d'abord les circuits numriques traditionnels puis en utilisant un PLD.
La mme approche sera faite pour un systme combinatoire et pour un systme squentiel.
7.2 Concept de base
1
Un circuit de logique programmable (PLD) est un circuit intgr qui peut tre programm afin
d'excuter des fonctions logiques spcifiques. La plupart des PLDs sont constitus de deux
rseaux de portes logiques, un rseau AND suivi d'un rseau OR. Les quations des fonctions
programmes sont crites sous la forme minterme ou somme de produits. (Voir cours
d'lectronique numrique - Systmes logiques combinatoires).
1
Extrait d'Electronique Industrielle Fernand Domin ETML
ETML Logique programmable: 7
Page 2 07 PLD_04 / 10 J UILLET 2006
7.3 Convention de notation
1
La structure des PLDs tant trs diffrente de celle des portes TTL ordinaires, de nouvelles
notations logiques ont t dveloppes.
Exemple: C B A S =
S A B C =
A
B
C
Reprsentation standard
S A B C =
A B C
X X X
Reprsentation pour PLD
La porte AND est appele une ligne de
produits.
Les lignes verticales sont les entres du
PLD.
Les "X" reprsentent des fusibles.
Les fusibles relient les entres du PLD
aux entres de la porte AND
Lors de la programmation d'un PLD un fusible indsirable est ouvert et le "X" disparat.
Exemple: B A S =
S A B =
A B C
X X
Fusible non-programm
(Intact)
Fusible program
(Ouvert)
1
Extrait d' Electronique Industrielle Fernand Domin ETML
ETML Logique programmable : 7
07 PLD_04/ 10 J UILLET 2006 Page 3
7.4 Les diffrents types de PLDs
Nous pouvons citer trois types de base de PLDs:
7.4.1 PROM: Programmable Read Only Memories.
2
Ce sont des PLDs en lecture seule, qui peuvent servir stocker des programmes fixes ou tre
utilises pour des applications logiques. Dans ce cas, le rseau AND est fixe et le rseau OR est
programmable.
A B
Fusible OR
Hard AND
F
1
F
2
F
3
F
4
AB
AB
AB
AB
Sur cet exemple les sorties ont pour quations:
F
1
=...........................................................................................................
F
2
=...........................................................................................................
F
3
=...........................................................................................................
F
4
=...........................................................................................................
2
Extrait de Programmable Logic Devices Databook and Design Guide National Semiconductor
ETML Logique programmable: 7
Page 4 07 PLD_04 / 10 J UILLET 2006
7.4.2 PLA: Programmable Logic Array.
3
Les deux rseaux AND et OR sont programmable.
A B
Fusible OR
Fusible AND
F
1
F
2
F
3
F
4
A
AB
B
AB
Sur cet exemple les sorties ont pour quations:
F
1
=...........................................................................................................
F
2
=...........................................................................................................
F
3
=...........................................................................................................
F
4
=...........................................................................................................
3
Extrait de Programmable Logic Devices Databook and Design Guide National Semiconductor
ETML Logique programmable : 7
07 PLD_04/ 10 J UILLET 2006 Page 5
7.4.3 PAL: Programmable Array Logic.
4
Le rseau AND est programmable et le rseau OR est fixe.
A B
Hard OR
Fusible AND
F
1
F
2
F
3
F
4
A
AB
A
B
AB
AB
Sur cet exemple les sorties ont pour quations:
F
1
=...........................................................................................................
F
2
=...........................................................................................................
F
3
=...........................................................................................................
F
4
=...........................................................................................................
4
Extrait de Programmable Logic Devices Databook and Design Guide National Semiconductor
ETML Logique programmable: 7
Page 6 07 PLD_04 / 10 J UILLET 2006
7.5 Explication de la marche suivre
7.5.1 Exemple
Pour illustrer les procdures suivre pour la programmation d'un PLD, prenons un exemple
simple. Ralisons un circuit deux entres et quatre sorties dont les quations sont:
?
A
B
F A 1 =
F AB 2 =
F A B 3 = +
F AB AB 4 = +
7.5.2 Choix du PLD
Il faut maintenant choisir un PLD permettant de raliser notre problme. Il faut donc qu'il ait au
moins 2 entres et 4 sorties. Prenons par exemple de notre stock un PAL de la marque AMD:
5
PAL CE 16 V 8 H - 25
Type de la famille
Technologie:
CMOS Eletrically
Erasable
Nombre d'entres
Type des sorties
V =Versatile
(Bidirectionnelles)
Nombre de flip-flops
Puissance
H =Half Power
(90 mA)
Vitesse
-25 =25 ns t
PD
Ce PLD comporte donc 16 entres dont 8 peuvent tre utilises en sortie ou entre-sortie.
5
Voir PAL Device Data Book and Design Guide AMD
ETML Logique programmable : 7
07 PLD_04/ 10 J UILLET 2006 Page 7
7.5.3 Compilation
Il s'agit maintenant de dterminer les fusibles "griller". Ce travail pourrait tre fait la main
mais serrait considrable. C'est pourquoi il existe plusieurs programmes capables de gnrer une
liste de fusibles "griller" partir de:
Equations boolennes
Table de vrit
Graphes d'tat
Logigrammes
VHDL
...
Au terme de cette compilation, un fichier contenant les informations ncessaires la
programmation du PLD est gnr. Il peut tre de type "J EDEC" et portant l'extension .J ED.
7.5.4 Programmation
Il s'agit maintenant d'utiliser le fichier contenant les fusibles griller pour programmer notre
PLD. Cette opration peut tre faite sur un programmeur universel, command par un logiciel. Il
faudra alors choisir le bon type du PLD, charger le fichier "J EDEC" et programmer le PLD.
7.5.5 Applications
La conception d'un circuit lectronique numrique combinatoire ou squentiel ne se fait
aujourd'hui qu' l'aide de logique programmable. Le prix du dveloppement et du hardware,
l'conomie de volume ainsi que la facilit de mise en application sont les principaux avantages
de cette technique. De mme une conception particulire peut tre trs simplement modifie pour
un autre client, et cela uniquement par une nouvelle programmation et sans aucune modification
du hardware.
ETML Le circuit intgr 555 : 8
08 555_04/ 10 J UILLET 2006 Page 1
8. LE CIRCUIT INTEGRE 555
Appel MINUTERIE ou TIMER, ce circuit intgr est trs polyvalent. Ses deux
fonctionnements de base sont:
Multivibrateur monostable
Multivibrateur astable
Lorigine du nom " 555 " vient du diviseur interne de tension, constitu de trois rsistances de
5 k. Ce diviseur permet de dfinir deux seuils, 1/3 V
CC
et 2/3 V
CC
.
8.1 Brochage
Control Voltage
Masse / Ground - 1
Enclenchement / Trigger - 2
Sortie / Output - 3
Rinitialisation / Reset - 4
8 - Vcc
7 - Dcharge / Discharge
6 - Seuil / Threshold
5 - Tension de commande
La tension d'alimentation Vcc peut tre comprise entre 4,5 et 18 V
8.2 Schma bloc
Preset
Q
Q R
S
-
-
+
+
>2/3 V
CC
<1/3 V
CC
5k
5k
5k
V
CC
Control voltage
Discharge
Trigger
Treshold
V
CC
Output
Reset
GND
ETML Le circuit intgr 555 : 8
08 555_04/ 10 J UILLET 2006 Page 3
8.4.2 Fonctionnement
Au repos borne 3 =0 V
bornes 6 et 7 =0 V
borne 2 =V
CC
Ds que l'on envoie une impulsion <1/3 Vcc sur 2, la sortie 3 passe 1. Le condensateur C se
charge travers R car le transistor Q est bloqu. Au moment o U
C
atteint 2/3 Vcc, la sortie 3
revient 0, le transistor Q conduit et le condensateur est dcharg, on se retrouve l'tat de
repos. La dure d'impulsion se calcule par
t =1,1 R C
avec
t en [s]
R en []
C en [F]
Remarque: Dans tous les cas, la dure de l'impulsion Trigger sur borne 2 devra tre plus courte
que l'impulsion de sortie.
8.4.3 Diagramme des temps. (pour Vcc = 5 V)
2/3 V
CC
Threshold (6)
Discharche (7)
V
CC
Output (3)
1/3 V
CC
V
CC
Trigger (2)
t
t
t
ETML Le circuit intgr 555 : 8
Page 2 08 555_04 / 10 J UILLET 2006
8.3 Description des bornes du circuit
1 - GND =masse. Cette patte doit tre relie la masse de lalimentation.
2 - TRIGGER =enclenchement. Cette entre sert lenclenchement du circuit, elle
provoque un tat de sortie haut. Le niveau de repos de lentre TRIGGER doit tre haut.
Lenclenchement a lieu si la tension descend au-dessous de 1/3 V
CC
(1/2 V
ref
si une
tension est applique la broche 5).
La dure de la temporisation ne peut tre infrieure la dure de limpulsion
denclenchement.
3 - OUTPUT =sortie. Cette sortie peut dlivrer ou absorber un courant de 200 mA.
4 - RESET =remise zro. Cette entre permet de remettre zro la sortie et provoque
la mise en conduction du transistor de dcharge, ce qui revient mettre la broche 7 la
masse.
Si cette entre RESET nest pas utilise, on la connectera au V
CC
afin dviter des
remises zro intempestives du 555 par des parasites.
5 - CONTROL VOLTAGE =tension de rfrence. Cette entre permet de modifier les
seuils 1/3 V
CC
et 2/3 V
C
C. Les seuils deviennent V
ref
et V
ref
.
Si cette entre nest pas utilise, on placera un condensateur entre cette broche et la
masse (10 nF). Il aura pour effet de stabiliser la tension interne de rfrence.
6 - THRESHOLD =seuil. Entre du comparateur 2/3 V
CC
. Lorsque la tension de cette
entre dpasse 2/3 V
CC
(V
ref
si une tension est applique la broche 5) la sortie est
remise zro et la broche 7 est mise la masse.
7 - DISCHARGE =dcharge. En fin de temporisation ou aprs une impulsion de RESET,
la sortie passe ltat bas et un transistor interne NPN, metteur la masse, devient
conducteur. Cette broche 7 est utilise pour la dcharge du condensateur externe de
temporisation.
8 - +V
CC
=Alimentation du circuit entre +4,5 et 18 V.
8.4 Le fonctionnement en monostable
Lapplication du 555 en monostable (ou temporisateur) est lorigine de la conception du
circuit. Elle permet des temporisations dune dure de 1 s 1 h.
8.4.1 Schma
V
CC
8
1
5
6
2
7
3
4
R
C
555
10nF
ETML Le circuit intgr 555 : 8
Page 4 08 555_04 / 10 J UILLET 2006
8.4.4 Exemple dapplication comme monostable
Le 555 peut dtecter, sil est branch comme sur cet exemple, une impulsion manquante dans un
train dimpulsions de frquence fixe et connue. La sortie est ltat haut tant que la tension de la
capacit ne dpasse pas les 2/3 V
CC
. Chaque impulsion dentre dcharge le condensateur et
enclenche la temporisation (t =1.1 R C). Il suffit quune impulsion soit absente du train pour
que le condensateur se charge et que la sortie passe momentanment ltat bas, annonant ainsi
lerreur. Une erreur se produira galement si la frquence devient trop basse. On peut ainsi
dtecter par exemple une vitesse de rotation dun moteur trop lente.
V
CC
8
1
5
6
2
7
3
4
R
C 555
10nF
Entre
2/3 V
CC
Threshold (6)
Discharche (7)
V
CC
Output (3)
1/3 V
CC
V
CC
Trigger (2)
t
t
t
Sur cet exemple, si R =1 k et C =100 nF et que le train dimpulsions soit gnr par un
capteur donnant 1000 impulsions par tour, quel doit tre la vitesse minimum du moteur pour que
le circuit ne donne pas derreur?
ETML Le circuit intgr 555 : 8
08 555_04/ 10 J UILLET 2006 Page 5
8.5 Le fonctionnement en astable
8.5.1 Schma
V
CC
8
1
5
6
2
7 3
4
C
555
R
A
R
B
8.5.2 Fonctionnement
Ds qu'il est mis sous tension, ce systme gnre des signaux rectangulaires. Supposons
la sortie 3 au niveau 1 donc le transistor Q
1
est bloqu. Le condensateur se charge
travers R
A
+R
B
.
Quand U
C
atteint 2/3 V
CC
, la sortie 3 passe 0 V, le transistor Q
1
est conducteur.
Le condensateur se dcharge travers R
B
Quand U
C
descend en dessous de 1/3 V
CC
, la bascule RS est remise 0 par l'entre 2 et la
sortie repasse 1. C se recharge travers R
A
+R
B
et le cycle recommence
Remarque: le condensateur se charge travers R
A
+R
B
mais se dcharge seulement travers R
B
.
Donc, pour une priode, la sortie restera plus longtemps 1 qu' 0. On produit un signal
rectangulaire.
ETML Le circuit intgr 555 : 8
Page 6 08 555_04 / 10 J UILLET 2006
Nous appellerons le temps o la sortie est gale 1 "t
ch
" pour temps de charge et le temps o la
sortie est gale 0 "t
dech
" pour temps de dcharge. Ainsi on obtient:
t
ch
=0,7 (R
A
+R
B
) C
t
dech
=0,7 R
B
C
et la priode T =t
ch
+t
dech
=0,7 (R
A
+2 R
B
) C
ce qui donne la frquence f
T R R C
A B
= =
+
1 143
2
.
( )
avec t en [s]
C en [F]
R en []
T en [s]
f en [Hz]
Attention: la frquence maximum laquelle le 555 peut fonctionner en astable est 200 kHz
Nous pouvons exprimer le rapport cyclique ou le facteur de forme du signal de sortie par:
D
t
T
ch
= 100
ou
D
R R
R R
A B
A B
=
+
+
2
100
avec
D en [%]
t
ch
et T en [s]
R
A
et R
B
en []
ETML Les Mmoires : 9
09 MEMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006 Page 1
9 LES MMOIRES
9.1 Terminologie des mmoires
Bit : Binary digit, cest lunit logique ; il peut prendre la valeur 1 ou 0.
Cellule mmoire : Cellule lectrique qui stocke un seul bit.
Exemple : bascule, condensateur , point aimantable sur bande ou disque
magntique.
Mot mmoire : Groupe de bits correspondant une instruction ou une donne.
Par exemple un registre form de 8 bascules peut tre considr comme un mot
mmoire de 8 bits. La longueur des mots schelonne habituellement de 4 128
bits selon le type de microprocesseur.
Octet ( byte ) : Mot de 8 bits. Cest la longueur de mot la plus usuelle.
Capacit : Quantit de bits que la mmoire peut mmoriser.
Exemple1 : une mmoire de 4 Mbytes mmorise 4 10
6
8 =32 10
6
bits.
Exemple2 : une mmoire de 4096 mots de 14 bits mmorise 57344bits.
Adresse : Nombre permettant de localiser physiquement un mot en mmoire.
Adresse Contenu de la mmoire
0 0 Mot 0
0 1 Mot 1
1 0 Mot 2
1 1 Mot 3
etc... etc...
Temps daccs : Dure pour faire une opration de lecture, ce temps est dsign pat t
ACC.
9.2 Fonctionnement dune mmoire lectronique:
Les mmoires sont des circuits intgrs de forte densit dintgration capables de stocker de
linformation sous forme binaire. Elles sont ralises en technologie bipolaire ou CMOS (voir les
16.3 16.7) .
Il y a, en ce qui concerne leur organisation, deux grandes familles : les mmoires accs parallle
ou sriel. Dans les mmoires srielles il existe plusieurs protocoles de communication, les plus
rpandus tant I
2
C-Bus, SPI-Bus, Microwire-Bus.
Vcc
Gnd
Clk
Serial Data&Adr
In/Out
Chip Enable
Vcc
Gnd
Mmoire srielle (I
2
C-Bus)
Bus dAdresses Bus de Donnes
CS
R/W OE
Mmoire parallle
ETML Les Mmoires : 9
09 MEMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006 Page 2
Mmoire parallle Mmoire srielle
Avantages Grande capacit.
Trs rapide.
Encombrement trs rduit ; ncessite
peu de signaux de commande ; bonne
immunit aux parasites
Inconvnients Encombrement ; ncessite beaucoup de
signaux de commande
Trs lente
9.2.1 Architecture des mmoires
Bus de donnes
E E E
E
E
E E
E
Slection de Colonne
A2
A3
Colonne 0
Colonne 1
Colonne 3
Colonne 2
OE CS
Tampon de
sortie
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
Registre 0
Registre 4
Registre 5
Registre 1
Slection de Range
A0
A1
Range 0
Range 1
Range 2
Range 3
Decodeur
1 : 4
Decodeur
1 : 4
Cette architecture est prsente aussi bien dans une mmoire parallle que dans le cur dune
mmoire srielle.
9.2.2 Signaux de commande des mmoires parallles
Cycle de lecture
/CS
Adresse
/OE
R/W
Donnes Dout
t
CSA
Cycle dcriture
/CS
Adresse
/OE
R/W
Donnes Din
t
CW
ETML Les Mmoires : 9
09 MEMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006 Page 3
9.2.3 Signaux de commande des mmoires srielles ( protocole I
2
C-Bus)
R/W =0 : Ecriture R/W =1 : Lecture
Cycle de lecture ou dcriture
SCL
SDA MSB
Start Stop
R/W ACK
SCL =Serial clock
SDA =Serial Data In/Out
9.3 Mmoires vives : RAM
RAM = Random Access Memory , c--d. mmoire accs alatoire. Cette appelation qui parat
dsute aujourdhui rappelle que les RAM furent les premires mmoires accs alatoire contrairement
aux bandes magntiques par exemple qui ont un accs purement squentiel.
Les RAM sont des mmoires vives dans lesquelles on peut lire ou crire des donnes.Elles servent au
stockage temporaire dinformations numriques.
Leur conteneu peut changer continuellement mesure de lexcution du programme. Elles doivent donc
tre rapides pour ne pas ralentir le fonctionnement de lordinateur.
Ce sont des mmoires dites volatiles car elles perdent leur contenu aussitt que lon coupe leur tension
dalimentation. Il arrive assez frquement que lon utilise une pile ou une batterie pour viter de perdre
leur contenu la mise hors tension. Cest le cas par exemple pour la mmoire de lhorloge interne des
ordinateurs personnels.
On rencontre deux grandes familles de RAM : les RAM statiques appeles SRAM et les RAM
dynamiques appeles DRAM.
9.3.1 SRAM
Les SRAM sont des mmoires qui conservent leur information indfiniment aussi longtemps
quelles sont alimentes.
Elles peuvent tre fabriques en technologie bipolaire ou MOS, quoique la majorit se trouve en
technologie MOS.
Les bipolaires sont plus rapides mais consomment plus et sont de moins grande capacit surfaces
de silicium gales.
Dans le cadre de ce cours nous tudierons les RAM en technologie NMOS et CMOS
Dans cette technologie Q1 Q6 sont des transistors NMOS ( tous les transistors sont des MOS
canal-N). On a donc Q3 et Q4 monts en rsistances ce qui entrane une consommation en courant
relativement importante.
ETML Les Mmoires : 9
09 MEMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006 Page 4
SRAM en technologie NMOS
Les oprations de lecture et criture se font en ouvrant Q5 et Q6 par la ligne de mot (Word Line).
Lors de lcriture on vient forcer la gate de Q2 travers Q5 respectivement celle de Q1 travers
Q6.
Lutilisation de la technologie CMOS (Complementary MOS) permet de supprimer le principal
dfaut de cette cellule SRAM, savoir sa consommation en courant.
Les tensions sont stables aussi longtemps que lalimentation est prsente.
Montage amlior :
SRAM en technologie CMOS
Dans cette technologie Q1 et Q2 sont des transistors NMOS ; Q3 et Q4 sont des PMOS.
Q1 et Q4 conduisent alors que Q2 et Q3 sont bloqus ou inversment. On na donc aucune
consommation de courant statique.
CMOS = Complementary Metal Oxyde Semiconducteur , on utilise donc la fois des
transistors MOS canal-N et des MOS canal-P.
Les SRAM sont les mmoires les plus rapides que lon trouve sue le march.
Vcc
Gnd
Ligne de mot
Ligne de
Donne /D
Ligne de
Donne D
Q1 Q2
Q3
Q4
Q5 Q6
Vcc
Gnd
Ligne de mot
Ligne de
Donne /D
Ligne de
Donne D
Q1 Q2
Q3
Q4
Q5 Q6
N N
P P
ETML Les Mmoires : 9
09 MEMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006 Page 5
9.3.2 DRAM
Les mmoires vives dynamiques (dynamic RAM) sont fabriques en technologie MOS ; elles ont une
grande capacit, une faible consommation et une assez grande vitesse ( mais plus lentes que les SRAM).
Contrairement aux SRAM qui conservent leurs donnes dans des bascules, les DRAM stockent les
informations binaires ( 0 ou 1) dans des condensateurs MOS trs petits ( quelques pF). Ces minuscules
condensateurs se dchargent dans le temps et ncessitent dtre priodiquement rechargs. On parle alors
du rafrachissement des DRAM. Cette opration est ncessaire toutes les 5 50 ms selon le type ( le plus
long tant le mieux). Ceci est un dsavantage, car il faudra une circuiterie supplmentaire par rapport la
SRAM . Pour les DRAM de petite capacit (<64kbytes), le contrleur de mmoire dynamique, qui
renferme llectronique de rafrachissement, se trouve intgre sur la mme puce; de lextrieur ces RAM
dynamiques sutilisent comme des RAM statiques. Pour les DRAM de grande capacit, le contrleur de
mmoire dynamique sera externe, rendant ces mmoires un peu plus difficiles mettre en uvre.
Lavantage des DRAM provient de la simplicit de la structure de leurs cellules. Les DRAM occupent
environ 4 fois moins de surface que les DRAM ( donc 4 fois moins chres capacit gales ou 4 fois plus
de capacit surface gale). Paralllement elles consomment 2 6 fois moins que les SRAM capacits
gales.
Ces mmoires se retrouvent partout o lon a besoin de grande capacit de stockage et de faible
consommation.
Une cellule DRAM est est constitue de deux lments : un transistor MOS et un condensateur.
criture : S
1
& S
2
sont
ferms
Ligne de mot
Ligne de
Donne
Q
1
Cs
Donne Out
S
1
C
d
S
2
S
4
-
+
V
REF
=V
DD
/2
S
3
Donne In
Reprsentation symbolique dune DRAM
Lecture : S
2
& S
3
& S
4
ferms
Sur la figure ci-contre, on a une mmoire DRAM de
Ligne de mot 0
Ligne de Donne In/Out
M
0
Cs
M
1
Cs
M
2
Cs
M
3
Cs
Matrice de
Cellules
Ligne de mot 1
Y1
Y0
A0
A1
-
+
V
P
=V
DD
/2
-
+
V
P
=V
DD
/2
4bits.
Cycle de lecture du bit 0 :
1.Ligne de mot 0 (Vdd+Vt) M
0
& M
1
conduisent
2.On ferme les switches
A0
&
A1
: Rgneration de
tous les bits sur la ligne de mot 0
V
S
=0V si la valeur binaire tait 0
V
S
=Vdd si la valeur binaire tait 1
3.On ouvre les switches
A0
&
A1
Les datas de M
0
& M
1
ont t rgnrs
4.On ferme le switch
Y0
Bit 0 disponible sur ligne
de donne
5.On ouvre switch
Y0
6.Ligne de mot 0 0 V M
0
& M
1
sont bloqus
ETML Les Mmoires : 9
09 MEMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006 Page 6
Cycle dcriture du bit 0 :
Ligne de mot 0 (Vdd+Vt) M
0
& M
1
conduisent
2.On ferme les switches
A0
&
A1
: Rgneration de tous les bits sur la ligne de mot 0
V
S
=0V si la valeur binaire tait 0
V
S
=Vdd si la valeur binaire tait 1
3. On ferme le switch
Y0
on va crire le bit 0 la valeur dsire
4. Ligne de mot 0 0 V M
0
& M
1
bloqus
9.3.3 Tableau dutilisation des RAM
RAM statiques : SRAM RAM dynamiques : DRAM
Oscilloscopes mmoires numriques
Analyseurs logiques
Instruments dacquisitions de donnes
Mmoires de cartes video
Mmoires principale de travail des ordinateurs
personnels, des stations de travail, des
terminaux informatiques, des serveurs.
9.3.4 Tableau dutilisation des RAM dans les ordinateurs
Technologie
de RAM
Application dans les
ordinateurs
Temps daccs Nb. de
ports
Caractristiques
Static RAM
(SRAM)
Mmoire cache Rapide 1 RAM charge en permanence ; plus
chre que la DRAM
DRAM Mmoire principale,
mmoire vido bon march
Lente 1 Constamant recharge
FPM (Fast Page
Mode) DRAM
Mmoire principale,
mmoire vido bon march
Lente 1 Type de RAM trs rpandu
EDO (Extended
Data Out)
DRAM
Mmoire principale,
mmoire vido bon march
20% plus rapide
que FPM DRAM
1 Lectures simultanes (une peut
commencer alors que la prcdente
se termine. Trs courament utilise.
EDRAM
(Enhanced
DRAM)
Mmoire cache 15 ns pour SRAM
35 ns pour DRAM
1 Contient 256 bytes de DRAM dans
une SRAM plus grande
NVRAM
(Nonvolatile
RAM)
Mmoires de tlphones,
configuration de modems
Rapide 1 RAM alimente par batterie
Enhanced
Synchronous
DRAM
(ESDRAM)
Mmoire principale Rapide
(>100MHz)
2 --
Direct Rambus
DRAM
(DRDRAM)
Mmoire principale 800MHz (quipe
dun bus de 16
bits)
1 --
RAMDAC Carte vido Rapide 1
VRAM (Video
RAM)
Mmoire vido trs chre 2 fois plus rapide
que DRAM
2 Double port : une nouvelle image
peut tre stocke en RAM pendant
que la prcdente est envoye
lcran
ETML Les Mmoires : 9
09 MEMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006 Page 7
9.4 Mmoire mortes : ROM (Read Only Memory)
Il sagit de mmoires semi-conducteurs qui gardent en permanence des donnes ou dont les
donnes sont trs rarement modifies. En utilisation normale, les donnes inscrites dans une
mmoire morte sont inaltrables, elles peuvent seulement tre lues (read only). Dans certains types
de mmoires mortes les donnes sont introduites durant le procd de fabrication (MROM :
Masquable ROM). Dans le cas dautres mmoires mortes, les donnes peuvent tre introduites
lectriquement. On donne le nom de programmation ou de grillage au processus dintroduction
des donnes dans une mmoire morte.
Certaines mmoires mortes ne peuvent jamais avoir dautres donnes que celles qui ont t
programmes ; dautres peuvent tre effaces et reprogrammes aussi souvent quon le dsire.
Les mmoires mortes sont destines stocker des donnes et des informations qui ne doivent pas
changer durant le fonctionnement dun systme. La principale utilisation est le stockage des
programmes dans les micro-ordinateurs. Toutes les mmoires mortes sont rmanentes, cest--dire
quelles gardent leurs donnes lorsquelles ne sont plus sous tension.
Lorsquon accde en lecture une mmoire morte, il existe un temps daccs (ou retard), entre le
moment o on applique une adresse aux entres de la mmoire et le moment o il apparat une
donne sur les sorties. Ce temps daccs est une mesure de la vitesse de fonctionnement de la
mmoire morte.
9.5 Mmoires PROM (Programmable ROM)
Les fabricants ont dvelopp des ROM programmables laide de liaisons fusibles. La structure
liaisons fusibles dune PROM est constitue de cellules mmoires dont les connexions sont ouvertes
ou fermes pour reprsenter un 1 ou un 0. Chacune de ces connexions est un petit fil fusible mis l
par le fabricant. Lutilisateur peut choisir de griller nimporte laquelle de ces liaisons fusibles pour
enregistrer en mmoire les donnes voulues. On fait donc fondre les petites connexions en
appliquant au dispositif une tension bien prcise qui produit lintensit ncessaire pour faire fondre
la petite connexion qui souvre alors comme lorsquun fusible grille. Ds que le filament est fondu,
il est impossible de revenir en arrire.
Afin de programmer les PROM, il existe des programmateurs dans lesquels il est possible de
charger le code partir dun ordinateur par exemple, et ensuite le programmateur se charge de faire
griller les liaisons.
Figure 11-11 TOCCI p.633
ETML Les Mmoires : 9
09 MEMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006 Page 8
9.6 Mmoire EPROM ( EPROM : Erasable PROM )
Une EPROM peut tre programme par un utilisateur, mais il est possible de leffacer et de la
reprogrammer aussi souvent quon le dsire. La programmation dune EPROM fait intervenir des
niveaux de tension spciaux (10 25V) sur des entres prcise de la puce pendant une dure
dtermine (50 ns). Pour faire revenir la mmoire dans son tat initial, on expose la fentre
transparente du circuit intgr une lumire ultra violette (UV). Cette action remet toutes les
cellules 1. Il sera donc nouveau possible de la programmer.
La programmation peut durer quelques minutes et leffacement demande une exposition aux UV de
15 30 minutes.
9.7 Mmoire EEPROM ( E
2
PROM : Electrically Erasable PROM )
Une EEPROM est une EPROM qui a la facult de pouvoir tre efface lectriquement.
Avantage de lEEPROM par rapport lEPROM :
Effaable lectriquement directement sur le circuit (tension de 21V produite partir du 5V).
Reprogrammation de mots individuellement.
Effaage rapide (10 ms contre 30 minutes !)
Programmation rapide (impulsion de 10 ms contre 50 ms)
9.8 Applications des mmoires mortes
Les diffrentes mmoires mortes (ROM, PROM, EPROM, EEPROM) se trouvent dans diverse
applications :
Stockage de programme pour micro-ordinateur : microprogramme, firmware, BIOS.
Mmoire damorage pour micro-ordinateur : petit programme stock en ROM qui charge le
systme dexploitation en RAM partir dun disque.
Tables de donnes : tables trigonomtriques ou tables de conversion de codes. Donnes qui ne
changent jamais au cours de lapplication.
Gnrateur de caractres.
Gnrateur de fonctions : permet de gnrer des formes dondes partir de valeurs
pralablement stockes et dun convertisseur digital-analogique.
A noter que les microcontroleurs actuels contiennent presque toujours une partie de mmoire
EEPROM directement sur la mme puce de silicium, ainsi que de la RAM.
ETML Les Mmoires : 9
09 M Page 9
Mmoire FLASH
Les mmoires FLASH rassemblent les avantages des mmoires ROM, des RAM ainsi que des
disques durs.
Basse
consommation
Rinscriptible
Non volatile
ROM RAM
FLASH
HDD
9.8.1 Technologie
Les mmoires Flash existent en diffrents types darchitecture. Selon cette architecture, elles sont
accessibles de manire squentielle ou alatoire, elles ncessitent une tension de programmation
plus leve que la tension dutilisation, elles sont plus ou moins rapides.
Le but de ce qui suit est de comprendre le principe de fonctionnement dune cellule seule.
La programmation de la cellule consiste piger des lectrons
dans la gate flottante en appliquant une tension positive sur la
gate flottante et 0V sur le substrat (injection dlectrons par le
ple ngatif).
Leffacement de la cellule consiste liminer les lectrons dans
la gate flottante en appliquant une tension positive sur le substrat
Substrat
Gate de contrle
n n
p
Drain
Source
Gate flottante
Nud daccumulation
Ground
Vpp
p
Programmation
EMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006
Vpp
Ground
p
Effacement
ETML Les Mmoires : 9
09 MEMOIRES_04/ 10 J UILLET 2006 Page 10
et 0V sur la gate flottante (extraction dlectrons par le ple ngatif).
9.9 Equipement de stockage grosse capacit
CD-ROM ( 760 MBytes, Disques durs ( jusqu 15 Gbytes), disquettes (jusqu 100 Mbytes)
9.10 Pour mmoire !
On peut citer la bande magntique, les mmoires torres