Crs 1

Cours d lectronique analogique
ESIL Filire Matriaux

Licence de Physique et Applications
Prof. Franois ARNAUD d AVITAYA
CRMCN 13288 MARSEILLE cedex 9
Tl : 04 91 17 28 08, Fax: 04 91 41 89 16
Email :davitaya@crmcn.univ-mrs.fr
http://www.crmcn.univ-mrs.fr/electro
11/09/01
11/09/01
CONTENU (1)
Rappels de gnralits
Rsistance et Loi d Ohm
Conduction d un mtal
Lois de Kirchhoff
Loi des mailles
Loi des nuds
Sources de tensions et de courant
Parfaites
Relles
Rsistance de source, de charge
Adaptation de rsistance
(dimpdance)
Principe de SUPERPOSITION
Thorme de THEVENIN
11/09/01
Thorme de NORTON
Les trois composants passifs
fondamentaux
Rsistance
Inductance (self)
Capacit
Un composant trs utilis :

le transformateur
Signaux priodiques
Rgime sinusodal et rponse
frquencielle
Diagrammes de BODE
Un exemple: le circuit RLC
ou circuit oscillant
Rgime transitoire et permanent
et rponse temporelle
Analyse de FOURIER
3
CONTENU (2)
Le Dipole
Le quadripole en dynamique
Dfinition
Rgime statique et courbe
caractristique
Notion de rsistance
diffrentielle
Dipoles rsistance
diffrentielle ngative
Rgime dynamique
Exemple de la capacit et de la
self
Le Quadripole
Dfinition
Le quadripole en statique
Caractristiques
Point de polarisation d un
quadripole
11/09/01
Cas des signaux de faible

amplitude et de basse frquence
Notation matricielle
Association de quadripoles
Srie
Parallle
Srie-parallle
Parallle-srie
Cascade
Cas des signaux de haute

frquence
Le quadripole en rgime
sinusodal
Utilisation du quadripole
Superposition du signal la
polarisation
Extraction du signal trait
4
CONTENU (3)
Grandeurs caractristiques d un
quadripole en fonction des
paramtres hybrides
Notion d impdance
caractristique (ou itrative)
Bande passante
Notion de trou
La conduction dans un SC
intrinsque
Dopage des semiconducteurs
Les Semiconducteurs
Rappels
De l atome la molcule et au
cristal
Notion de structure de bande
Diffrence entre un mtal et un
isolant
Statistique de FERMI-DIRAC
Qu appelle-t-on semiconducteur
(SC)?
Dure de vie des porteurs

Longueur de diffusion des porteurs
La jonction PN
Conduction lectrique dans les

semiconducteurs
11/09/01
Le semiconducteur extrinsque ?
Dopage de type n
Dopage de type p
Conductivit d un semiconducteur
extrinsque
La jonction PN l quilibre
La jonction PN polarise
Polarisation directe
Polarisation indirecte
Tension de rupture
5
CONTENU (4)
Capacits de la jonction PN
Les approximations de la diode

Utilisation des diodes
Redressement
Mono-alternance
Bi-alternance
Filtrage
Autres applications
Les rseaux de caractristiques du

transistor bipolaire
Le transistor idal !
Principe de l amplification par
transistor
Quelques recommandations
Le transistor en dynamique - schma

quivalent
Signaux de faible amplitude et de faible
frquence
Comportement haute frquence schma de giacoletto
Le transistor bipolaire
Dfinition
Le transistor bipolaire lquilibre
Le transistor bipolaire polaris
Principe du fonctionnement
Les reprsentations du transistor
Les limites du transistor bipolaire

Le bilan de puissance - quelques
grandeurs caractristiques
Problmes lis la puissance ( la
temprature)
Stabilisation du transistor
11/09/01
CONTENU (5)
Les trois montages amplificateurs
Les bilans de puissance des

diffrentes classes
fondamentaux
Montage metteur commun
Montage base commune
Montage collecteur commun
Raction, contre-raction
La contre-raction (CR) comme
moyen de stabilisation
Les classes damplification
Classe A
Petits signaux
Forts signaux
Un exemple de montage de
puissance en classe A : le
montage Darlington
Classe B (AB)
Le montage push-pull
Notion de miroir lectronique
Ce que lon gagne

Ce que lon perd
Ce qui est ncessaire
Les diffrents modes de CR
Srie
Parallle
Srie-parallle
Parallle-srie
Un montage utile: l amplificateur

diffrentiel
Classe C
Montage de base et quations

Amliorations
Amplificateur accord
11/09/01
CONTENU (6)
Lamplificateur oprationnel
Quest-ce que cest ?

Lamplificateur oprationnel idal
Lamplificateur oprationnel rel
Les diffrents montages
Avec contre-raction
Avec raction positive
Les transistors effet de champ

(FET)
Le FET jonction
Grille court-circuite
Grille polarise
Le point de polarisation d un
FET jonction
Le MOSFET ( Metal Oxide

Semi-conductor FET- FET
grille isole)
Les
deux
fonctionnement
rgimes
de
La dpltion
L enrichissement
Le FET grille isole et rgime

d enrichissement seul
Canal n
Canal p
11/09/01
Fonctionnement du FET
CONTENU (7)
Polarisation des FET
FET jonction
Polarisation automatique
Polarisation par source de
courant
MOSFET
FET grille isole et enrichissement seul
Diode Schockley
Structure du composant
Caractristiques
Equivalent transistor
Thyristor
La suite logique de la diode
Schockley
Amplification des FET

Montage source commune
Montage drain commun
Montage grille commune
11/09/01
Rappels de gnralits
Rsistance et Loi d Ohm
La rsistance est, avec la capacit et la self, l un des trois lments passifs clefs
de l lectronique. La rsistance est constitue d un matriau conducteur dont
on fait varier la section et la longueur de telle manire l adapter la valeur
dsire.
E
METAL
r
r
F =eE
+ Vcc
Cependant il y a des chocs avec les ions du rseau ce qui se traduit par un
chauffement (effet Joule).
La vitesse des lectrons, v, est alors donne par:
o est la mobilit .
r r
V =E
11/09/01
10
Rsistance et Loi d Ohm (suite)

S
cm3.
Soit un matriau possdant n charges par

Considrons un cylindre de longueur v et de base S
Le nombre de charges N qui traversent la surface S par unit de temps est donn par:
N = Svn = SEn
Le courant qui circule est donc gal :
I = Ne = SEne
(o e est la charge de l'lectron = 1.6 10-19C
I = SEne= SE
o = en est la conductivit
Comme
E=
= Vcc
l
en posant =
(l, longueur du cylindre de mtal), il vient :
1 = S.
R l
La rsistivit est donne par : =

11/09/01
et donc :
I=SVcc =Vcc
l R
Loi d Ohm
R = l
S
11

L lment Rsistance
Se prsente, l exception de modles de puissance, sous la forme d un

cylindre pourvu de connexions ses deux extrmits et sur lequel on peut
voir gnralement 4 (parfois 5) zones colores comme sur la figure
suivante
C B A
Pour la tolrance :
Tolrance
Couleur ARGENT: 10%

Couleur OR:
5%
Valeur
Chaque couleur est associe un chiffre. La table suivante donne les

correspondances couleur-chiffre
Noir
Marron
Rouge
Orange
Jaune
0
1
2
3
4
11/09/01
Vert
Bleu
Violet
Gris
Blanc
5
6
7
8
9
La lecture de la valeur se fait de la manire

C
suivante:
Valeur = AB.10
Ainsi dans l exemple ci dessus, la valeur est:

1
47.10 = 470
12

L lment Rsistance (suite)
Toutes les valeurs nexistent pas. Les valeurs normalises sont les suivantes:
2,7
6,8
1,2
3,3
8,2
1,5
3,9
10
1,8
4,7
2,2
5,6
Bien sr il suffit de multiplier par la puissance de dix approprie pour trouver

lensemble des rsistances normalises existantes.
11/09/01
13
Lois de Kirchhoff
Loi des mailles tensions = 0
maille
r
r
d
C Edl = dt S BdS
Justification physique
Edl =0
C
6
5
4
S
1
(Tension = diffrence de potentiel [ddp])
E = gradV
2
Edl = Edl + Edl +...+ Edl
=V2V1+V3V2+...+V1V7=0
tensions = 0
maille
11/09/01
14
Lois de Kirchhoff
Loi des mailles (suite)
Dans un circuit uniquement constitu de rsistances et de gnrateurs de tension,
la loi des mailles devient:
V2
R1
R2
V1
ddpgnrateurs= RnI
n=1
Circuit
R3
11/09/01
V3
15
Lois de Kirchhoff
Loi des nuds
courants=0
Sferme
Conservation de la charge
Volume enferm par la surface S
Q : charge l intrieur de ce
(J densit de courant travers S)
volume
dQ 0
dt
Si on considre de petites variations de courant
dQ + JdS=0
dt S
JdS=0
S
courants=0
Sferme
11/09/01
16
Gnrateurs de tension et de courant

Reprsentation des gnrateurs
Gnrateur de tension
Caractristique
idale
La tension est indpendante du courant dbit donc la rsistance interne

est nulle
Rext
VR =VSource
ext
Dmonstration
Rint
Rext
VSource
Gnrateur de courant
Rint +Rext
Si Rint <<Rext alors VRext = VSource

Si on veut VRext = VSource I, il faut Rint=0
U
Caractristique
idale
Le courant est indpendant de la tension applique

I
11/09/01
17

En rsum:
Un gnrateur de tension idal a une rsistance interne nulle
Par un raisonnement identique on peut dmontrer quun gnrateur de courant
idale doit avoir une impdance interne infinie.
Une source de tension relle aura une rsistance interne faible mais non nulle
Une source de courant relle aura une rsistance interne grande mais non infinie
Cest cette rsistance interne que lon dsignera par la suite sous le terme de
Rsistance de source
De mme, le rcepteur branch sur la source est essentiellement caractris
par sa rsistance interne. On dit alors que l on charge le gnrateur (la
source) par le rcepteur. Par extension tout rcepteur sera assimil sa
rsistance interne et sera dsign par le terme de Rsistance de charge.
11/09/01
18

Adaptation d impdance
I=
V0
R S + R Ch
R Ch .V02
P = R Ch .I =
(R S + R Ch )2
RS
RCh
P
V02 .(RS + RCh ) 2 2.R Ch V02 .(R S + RCh )
=
R Ch
(R S + R Ch )4
V0
V02 .(RS + RCh ).(R S R Ch )

P
=
4
R Ch
(R S + RCh )
La puissance P est donc maximum si:
C est dire si:

11/09/01
R Ch = R S
P
=0
R Ch
19
Principe de superposition
Soit un circuit renfermant un certain nombre de gnrateurs (continus ou
alternatifs de mme frquence ou de frquences diffrentes).
Le courant qui traverse une branche quelconque du circuit est la somme des
courants fournis par chacun des gnrateurs pris isolment, les autres
gnrateurs n'tant prsents dans le circuit que par leurs rsistance
(impdance) interne.
V2
R1
R2
V1
I1
R2
V1
R3
11/09/01
V3
R3
R1
I2
R1
I3
V2
R2
R3
R1
R2
R3
20
V3
Thorme de Thvenin
Considrons un circuit comportant plusieurs gnrateurs la mme frquence et
divers lments passifs (rsistances, condensateurs, inductances).
Ce circuit complexe peut tre remplac par un circuit ne comportant qu'un seul
gnrateur de tension et une seule impdance en srie avec ce gnrateur.
Cette impdance est appele impdance de Thvenin et le gnrateur de tension
gnrateur de Thvenin (on parlera aussi de tension de Thvenin).
Le calcul de la tension de Thvenin fait souvent appel au thorme de superposition.
Le calcul de la rsistance de Thvenin se fait en annulant les sources.
Si les gnrateurs sont idaux:
Annuler un gnrateur de tension revient le remplacer par un court circuit
Annuler un gnrateur de courant revient la remplacer par un circuit ouvert
11/09/01
21
Thorme de Thvenin (suite)

R
+
-
A
I
E
B
Calcul de la tension de Thvenin

VR = RI
VTh = E + RI
Circuit quivalent de Thvenin:
A
+
-
RTh
VTh = E+ RI
B
Pour avoir RTh on annule

les sources:
B
RTh = R
11/09/01
22
Thorme de NORTON
On considre le circuit de Thvenin dbitant dans une rsistance

(impdance) RC (ZC).
+
-
RTh
VTh
A
Rc
B
Thorme: Le gnrateur de Thvenin (qui est un gnrateur de tension) peut tre

remplac par un gnrateur de courant condition de brancher l'impdance de
Thvenin en parallle sur la charge.
V Th
Dmonstration:Calculons le courant qui circule dans (1)
I=
R Th + R C
Mettons en court circuit les points A et B
IN =
V Th
R Th
I=
I N.R TH
R Th + R C
IN.RTh.RC
VAB = RC.I =
(RTh +RC)
In
=
Vth/Rth
RTh
Rc
B
RTh et RC sont donc bien en parallle.

11/09/01
23
Exemple dutilisation des

thormes prcdents
Soit le circuit suivant
A
R1
V2
V1
R2
R4
R3
11/09/01
24
Exemple (suite)
Le thorme de superposition permet la simplification suivante:
R1
I2
I
V1
R2
V1
I=
R 2.(R 3+R 4)
R1+
R 2+R 3+R 4
I1 =
Rc
R4
R3
I = I 1+I 2
I'=
I1
11/09/01
R1
I'
V2
R2
(R 4+R 3).I 1 = R 2.I 2

R 2.I
R 2+R 3+R 4
V2
R1.R2 +R3+R4
R1+R2
R4
R3
Rc
B
Superposition ----> Tension de Thvenin : VTh=R4(I1+I)

25
Exemple (suite)
R1
Rsistance de Thvenin
V1
R1.R2
R1+R2
R1
R4
R3
R2
R4( R1.R2 +R3)

R1+R2
RTh =
R4+( R1.R2 +R3)
R1+R2
R4
B
RTh
VTh
In
RTh
Rc
11/09/01
R2
R3
NORTON
V2
IN = VTh
RTh
Rc
26

fondamentaux
La rsistance
Loi dOhm: u(t)=R.i(t) (u(t) en Volt, R en Ohms - -, i(t) en Ampres).
Puissance: p(t)=u(t).i(t)=R.i2(t)
Variation de la rsistance dun conducteur avec la temprature (en K):
R=R0(1+(TT0))
R0 : Rsistance la temprature T0
: coefficient thermique (en K-1)
La self
B
V
11/09/01
Si V = v(t) variable dans le temps, B, le

champ dinduction magntique lest aussi
Self-induction
27
Les trois composants passifs fondamentaux

La self (suite)
Le flux dinduction magntique est donn par:
(t)=B(t)dS
S
Ici, S est la surface sous-tendue par le conducteur et dS un lment de cette

surface
Le coefficient de self-induction, en HENRY, est donn par:
L(t)=
(t)
i(t)
I(t) est le courant gnrant le champ dinduction magntique, B(t) et par consquent le flux
dinduction magntique (t).
Caractristique courant-tension dune self, L

La caractristique courant-tension dune self (constante) est donne par:
u(t)=L.
11/09/01
di(t)
dt
28

La self (suite)
Energie accumule
Elle vaut:
E(t)= 1 L.i2(t)
2
Symbole de la self
Calcul dune self bobine (solnode)
N2S
L=
l
11/09/01
l : longueur en mtres du solnode

S : section en mtres carrs
N : nombre de spires de la self bobine
: permittivit du milieu en VsA-1m-1
29

fondamentaux
La Capacit (condensateur)
Egalit des charges positives et ngatives
+
-
+
+ + + -
Q
C=
=
V
Q : charge positive stocke exprime en

Coulomb
V : ddp aux bornes du systme
La capacit C est
exprime en Farad (F)
Caractristique courant-tension de la capacit
dQ(t) dCV(t) dV(t)

i(t)=
=
=C
dt
dt
dt
11/09/01
soit :
T
1
v(t)= i(t)dt
C0
30

La capacit (suite)
Energie accumule
Elle vaut
E(t)=1.C.v2(t)
2
Symbole de la capacit
Calcul dun condensateur plan
S surface des plaques en m2

d distance entre plaque en m
constante dilectrique en AsV-1m-1
d
11/09/01
C=.S
d
31
Le transformateur
Symbole
V2(t)
n2 spires
V1(t)
n1 spires
Relation entre entre et sortie
V2(t)=V1(t).n2
n1
11/09/01
32
Le transformateur
Puissances et adaptation dimpdance
Rentre ?
VE
VS
Puissance en sortie
Rcharge
Puissance en entre
2
2
V
V
S
E
PSortie=
=
RCharge RCharge( n1 )2
n2
2
V
PEntre= E
Rentre
PEntre = PSortie
Rentre=( n1 )2.Rsortie
n2
11/09/01
33
Signaux priodiques
Gnralits
Signal priodique
v(t)
Tension
crte crte
T
Frquence :
f=
=1
T
t
Composante continue
Valeur moyenne :
Vmoyen = 1 v(t)dt
TT
Cest la composante continue
Tension efficace :
11/09/01
Vefficace =
1 . v2(t)dt
T T
34
Signal sinusodal
Dans le cas d un signal sinusodal la tension peut sexprimer de manire
gnrale par :
V0 : amplitude du signal sinusodal
v(t)= v0.sin(t+)
Frquence :
f=
2
Tension crte crte :
vcc=2.v0
Valeur moyenne :
vmoy =0
Valeur efficace :
Vefficace= v0
2
11/09/01
35
Signal sinusodal
i(t)
Reprsentations
Reprsentation de Fresnel
u(t)
t
Si v(t)=v0sin(t) alors de manire gnrale i(t)=i0.sin(t+)
v(t)
i(t)
i(t) est en
phase avec
v(t)
11/09/01
i(t)
i(t) est en
avance de /2
sur v(t)
v(t)
i(t) est en
retard de /2
sur v(t)
v(t)
i(t)
36
Signal sinusodal
Notation complexe
v(t) = v0ej (t+)
v(t)=v0.cos(t+)
v(t) = vcomplexee jt
La loi dOhm peut se gnraliser sous la forme
: v(t) = Z.i(t)
o Z est appele limpdance complexe

Si i(t) =i0ejt on peut calculer limpdance complexe des trois lments
fondamentaux que sont la rsistance, la self et la capacit, soit :
Rsistance
v(t)=R.i(t)
11/09/01
Self
Capacit
di(t)
v(t)=L.
= jL.i0ejt
dt
v(t)= 1 i(t)dt= 1 i 0ejt

C
jC
v(t)= jL.i(t)
v(t)= 1 .i(t)
jC
37
Rponse frquentielle
Considrons un circuit compos de rsistances, selfs et capacit (nous traiterons
plus loin le cas gnral des quadripoles).
Ventre
Circuit
Vsortie
Ce circuit est attaqu par un signal sinusodal dentre, ventre(t)= vinsin(t).

On obtient alors en sortie un signal vsortie(t) = voutsin(t+) .
On peut donc tudier la rponse du circuit, cest dire tudier la transformation, par le circuit, du signal dentre
Soit en amplitude
Soit en phase (diagramme de BODE)
11/09/01
38
Rponse frquentielle
On dfinit ainsi :
G=
=
Gain du systme :
Signalsortie
Signalentre
Les signaux dentre et de sortie peuvent tre des tensions, des courants ou des
puissances
Dans ce dernier cas on utilise gnralement le dcibel (dB) dont la dfinition est:
G=10.Log( Psortie )
Pentre
Comme :
2
Vsortie
Psortie=
Rsortie
Gain en puissance
2
Ventre
Pentre=
Rentre
et que
Alors si Rsortie = Rentre on peut dfinir un quivalent pour les tensions et

le gain devient alors:
Vsortie
G(dB)=20.Log(
11/09/01
Ventre
39
Rponse frquentielle (suite)

Diagrammes de Bode
6 dB par octave
1er ordre
12 dB par octave
2nd ordre
Phase en degrs
Exemple: circuit RLC
Gain en dB
Ce sont les diagrammes qui montrent la variation du gain en dB et du

dphasage en fonction du Log de la pulsation
11/09/01
40
Ve= 1 Ve
VS = ZC Ve= 1
j+1
R+ZC
RjC+1
Le circuit RC
Passe-bas
G=
1
j+1
Amplitude :
G=
1
22+1
Dphasage :
tg=
Im(G)
=
Re(G)
11/09/01
=R.C
=arctg( )
41

Le circuit RC (suite)
VS= R Ve= jRC Ve= j Ve

R+ZC jRC+1 j+1
Passe-haut
G=
j
j +1
Amplitude :
G=
22+1
Dphasage :
tg=
Im(G) 1
=
Re(G)
11/09/01
=arctg( 1 )= arctg( )
2
42

Le circuit RLC srie:
On applique ce dipole une tension e = eo cos t.
= 0 ---> I = 0
L'impdance du dipole est donne par :
Z = R + jL + 1 = R + j (L - 1 )
jC
C
Elle est minimum si :
(Lw - 1 )=0
Cw
Si < o
Si > o
Si = o
=0= 1
LC
la partie capacitive l'emporte

la partie inductive l'emporte
le circuit se comporte comme une simple rsistance R
11/09/01
43

Le circuit RLC srie:
Le module du courant, est donn par :
i=
eo
R2+(L 1 )2
C
il est donc maximum quand = o

C'est le phnomne de rsonance.
o est appele pulsation de rsonance.
eo
=
i
A la rsonance =
R
Un filtre est caractris par la valeur de la frquence laquelle il transmet "un
maximum", o, mais aussi par sa largeur (bande passante). Par dfinition on choisit
de mesurer la largeur lorsque l'amplitude est gale
maximum
11/09/01
1/
2 fois l'intensit du
(Gain = -3dB).
44

On a donc :
soit :
e0 =
e0
R 2 R2+(L 1 )2
C
R2=(L 1 )2
C
L 1 =R
C
LC2RC1=0
LC2+RC1=0
dont on ne considre que les racines positives :
1= RC+
2LC
on a aussi :
2= RC+
2LC
12= R et 12 = R
L
0 L0
On pose gnralement
11/09/01
Q= L0
R
et Q est appel cofficient de surtension.
45

Circuit RLC (suite)
Afin de comprendre le terme Q analysons quelle est la tension aux bornes du
condensateur. On a
v=
v=ZCi= i
jC et donc :
e0
C R2+(L 1 )2
C
La tension aux bornes de la capacit sera maximum quand

sera minimum, donc que :
C R2+(L 1 )2
C
d (C. R2+(L 1 )2
d
C
R2C
On trouve que cette condition est ralise si : LC =1
2L
2
Expression qui devient .

11/09/01
46

Circuit RLC (suite)
expression qui devient, si on remplace
2 =1 1
LCmax
2Q2
1
par o et L0 par Q
R
LC
si Q >>1 alors : max = 1 =0
LC
A la rsonance la tension aux

bornes de la capacit est trs
suprieure
la
tension
applique au circuit.
= e0L0 =Qe0
RC0 R
Dans ce cas on a : v = e0
Si = 0 alors : vself = jL0e
et vself = L0e0 =Qe0
vself =Zself .i= jL
e
R+ j(L 1 )
C
11/09/01
47
Rponse temporelle
On peut distinguer diffrent rgimes de fonctionnement dun circuit.
Il y a :
Le rgime permanent qui correspond au fonctionnement du circuit longtemps aprs que les signaux ont t appliqus ce mme circuit. Ce que lon
a tudi avant correspond justement ce rgime permanent.
Le rgime transitoire qui correspond ce qui se passe autour du temps t0
cest dire linstant o les signaux sont appliqus au circuit et ce jusqu
ce que lon ait atteint le rgime permanent. Etudier ce rgime transitoire
revient rsoudre mathmatiquement des quations ou des systmes
dquations diffrentielles dordre 1 ou suprieur.
Cette rsolution est grandement facilite par lutilisation du calcul oprationnel dont la
Transforme de Laplace est un lment essentiel
11/09/01
48
TRANSFORMATION DE LAPLACE
(Rgime transitoire)
f(t)=0
si
t0
f(t)0
si
t>0
A une fonction f(t) telle que :
on fait correspondre une fonction F(p) o p est une variable complexe. Cette fonction
F(p) est appele la transforme de Laplace de la fonction f(t) et est note :
F(p)=Lf(t)
ou encore f(t)]F(p)
Cette fonction F(p) est dfinie comme :
F(p)=eptf(t)dt
0
11/09/01
49
Proprits
1.
2.
Si
f(t) = f1(t) + f2(t)
alors
F(p) = F1(p) + F2(p)
La transforme de Laplace F(p) de f(t) (drive de f(t)) est gale :
F(p) = pF(p) f(0)

F(p) = pF(p)
De mme
F(p) = p2F(p) pf(0) f(0)
Si f(0) = 0 et f(0) = 0 alors F(p) = p2F(p)
Si
f(0) = 0 alors
Plus gnralement, si f(t) et toutes ses drives jusqu lordre n sannulent

pour t = 0 alors :
dnf(t)
nF(p)
]
p
dtn
11/09/01
50
Proprits (suite)
Dmonstration de F(p) = pF(p)-f(0)
Soit la fonction f(t). Sa transforme de Laplace est donc par dfinition:
F'(p)= eptf'(t)dt
0
En utilisant la mthode dintgration par parties on obtient:

pt
e .f'(t)dt=[e .f(t)]0 pe .f(t)dt=f(0)+p e .f(t)dt
pt
pt
pt
f'(t) ] p.F(p)
C.Q.F.D
F(p)
Par dfinition transforme de
Laplace de f(t)
11/09/01
51
Proprits (suite)
t
f(s)ds
3. Considrons lintgrale
(f(s)ds=0 pour t=0)

0
Alors
f(s)ds ]
0
F(p)
p
Et plus gnralement :
t
F (p )
f
(
s
)
ds
]
a
p
f(s)ds
0
Dmonstration
f(t) ] F(p)
f(s)ds ] (p)
0
Et donc :
11/09/01
f(t)= d f(s)ds ] p(p)

dt 0
p(p)=F(p)
52
Proprits (suite)
Thorme du retard
Considrons une fonction f(t) telle que :
f(t) = 0 pour tout t < 0
f(t-a)
f(t)
Alors :
Lf(ta) = eapLf(t)
t
Dmonstration :
Par dfinition :
Lf(ta)=f(ta)eptdt
Posons :
z = t-a avec a>0
Ce qui donne :
af(z)e
11/09/01
dz+f(z)ep(a+z)dz
p(a+ z)
= 0 car f(z)=0 pour z

0
=e f(z)epzdz=eapLf(t)
0
ap
dz= f(z)e
p(a+ z)
Le thorme du retard est trs utile pour trouver les

transformes de Laplace des fonctions priodiques
53
Original f(t)
Transforme F(p)
1
p
1
p2
tn
n!
pn+1
1
t
n entier
Original f(t)
Transforme F(p)
sin t
p2+2
rel
eit
1
pi
rel
e-atcos t
p+a
(p+a)2+2
rel
e-atsin t
(p+a)2+2
rel
e-at
1
p+a
a rel ou
complexe
f(at)
1F(p)
a a
te-at
1
(p+a)2
a rel ou
complexe
f(t-a)
eapF(p)
tne-at
n!
(p+a)n+1
a rel ou
complexe
e-at f(t)
F(p+a)
cos t
p
p2+2
rel
11/09/01
54
EXEMPLES
1. Transforme de Laplace dun chelon
h(t) = - g(t )
La fonction chelon f(t) est gale :
f(t) = g(t) g(t- )
En se reportant la table des

transformes de Laplace, il vient:
11/09/01
t<0
g(t) = A
Donc :
Lf(t) = F(p) = L{g(t) g(t- )}
= G(p) e- pG(p)
g(t) = 0
f(t) = 0
f(t) = A
F(t) = 0
t<0
0<t<
t>
t
-A
h(t) = 0 t<
h(t) = -A t>
Lf(t)=F(p)= A Aep= A(1ep)

p p
p
55
2. Transforme de Laplace dun signal rectangulaire
f(t)
h(t) = g(t-)
F(t) = g(t) g(t- )

-A
g(t)
2 t
-A
h(t)
F(p)=G(p)epG(p)= A(1ep)(1ep)= A(1ep)2

p
p
11/09/01
2 t
56
2. Transforme de Laplace dun signal rectangulaire priodique de priode T=2
g2(t) = g1(t-T)
g3(t) = g2(t-T) = g1(t-2T)
..
..
..
f(t)
Et soit G(p) la transforme de

Laplace de
la fonction g1(t) : G(p) = Lg1(t)
-A
2T t
11/09/01
-A
Progression
gomtrique
On a donc : F(p) = G(p)[1 + e-pT + e-2pT + e-3pT +]
F(p)=G(p) 1pT
1e
g2(t)
g1(t)
avec
G(p)= A(1e
p
Tp
2 2
57
Application de la transforme de Laplace au circuit oscillant
Soit un circuit RLC srie. A l'instant t = 0 appliquons au circuit une tension continue V.
On a i(0) = 0. L'volution du courant rpond alors l'quation :
di(t) 1 t
V=Ri(t)+L
+ i(t)dt
dt C0
Appliquons la transformation de Laplace cette quation. On obtient alors:
V =Ri(p)+Lpi(p)+ 1 i(p)
p
Cp
i(p)=
V
Lp2+Rp+ 1
C
Cherchons les racines p1 et p2 du dnominateur
=R 4L
C
2
11/09/01
>0
2 racines relles ngatives
<0
2 racines imaginaires conjugues
=0
1 racine double relle ngative
R=0
2 racines imaginaires pures
58
Application de la transforme de Laplace au circuit oscillant
Dans le cas gnral (2 racines p1 et p2) on pourra mettre i(p) sous la forme:
i(p)=
V
= A + B =i1(p)+i2(p)
(pp1)(pp2) (pp1) (pp2)
A= V
p1p2
B= V
p1p2
En prenant la transforme de Laplace inverse L-1 on obtient :
L1[i1(p)+i2(p)]=i1(t)+i2(t)=i(t)=Aep t +Bep t
1
Si > 0 p1 et p2 rels ngatifs
11/09/01
Amortissement
59
Application de la transforme de Laplace au circuit oscillant (suite)
Si < 0 p1 et p2 imaginaires conjugus

Oscillations amorties
p1 = - a + i
p2 = - a i
i(t) = e-at(Aeit + Be-it )
11/09/01
60
Application de la transforme de Laplace au circuit oscillant (suite)
Si = 0 1racine double relle ngative p0
Amortissement critique
Si R = 0
V
(pp1)2
i(t)=tep t
0
i(p)= A + B
pi p+i
p1 = i
p2 = i
Oscillations non amorties
11/09/01
i(p)=
i(t) = Aeit + Be-it
61
Original f(t)
Transforme F(p)
1
p
1
p2
tn
n!
pn+1
1
t
n entier
Original f(t)
Transforme F(p)
sin t
p2+2
rel
eit
1
pi
rel
e-atcos t
p+a
(p+a)2+2
rel
e-atsin t
(p+a)2+2
rel
e-at
1
p+a
a rel ou
complexe
f(at)
1F(p)
a a
te-at
1
(p+a)2
a rel ou
complexe
f(t-a)
eapF(p)
tne-at
n!
(p+a)n+1
a rel ou
complexe
e-at f(t)
F(p+a)
cos t
p
p2+2
rel
11/09/01
62

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