Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
transistorJFETv1 1 0
transistorJFETv1 1 0
Le transistor JFET
(Junction Field Effect Transistor)
Fabrice Sincère ; version 1.1.0
http://perso.orange.fr/fabrice.sincere
1
Sommaire
2
1- Transistor JFET à canal N et à canal P
la grille (g)
le drain (d)
la source (s)
3
Il existe deux types de transistors JFET :
• à canal N
• à canal P
4
2- Caractéristiques électriques du transistor JFET à canal N
R
d
E
g s
Eg
vGS iS
Fig. 1 Fig. 2 8
2-5- Zone de blocage
Fig. 1 :
La tension VGS règle le courant qui circule dans le transistor (I D).
• Pour VGS < V GS off , on peut considérer que le courant ID est nul
(< 10 nA) : le transistor est bloqué (off).
9
2-6 – Zone ohmique
Reprenons la figure 2 :
charge
VGS = - R ID
d La résistance R permet de régler le
g s courant.
iG = 0 R
Pour R = 0 Ω :
VGS = 0 V, I = ID = ID SS.
12
• Exercice
ID
BF245C
13
1) Calculer la valeur de la résistance R.
14
• Correction
1) D’après la figure 1 :
ID = 10 mA => VGS = -1,6 V => R = -VGS / ID = 160 Ω (1/4 W)
2) D’après la figure 2
VDS > 4 V => Vcc > 4 + 1,6 + 2,0 = 7,6 V (environ)
15
• Complément : résultats expérimentaux
Source de courant JFET
12
10
ID (Vcc)
8 ID (V DS)
I D (mA)
0
0 5 10 15 20 25
volts
R
d
E
g s
Eg
17
Pour un JFET à canal P en fonctionnement normal :
18
4- Applications
Fig. 3
19
Le transistor est utilisé dans la zone ohmique.
20
• Courbe expérimentale V DS (ID) à V GS = constante
1) Interrupteur ouvert :
V GS ≤ V GS off
Le transistor est bloqué (I D = 0).
ou :
2) Interrupteur fermé :
V GS = 0 V
Le transistor fonctionne dans la zone ohmique, et se comporte
comme une résistance (R DS on).
23
• Considérons le transistor J108 (JFET canal N, spécialement conçu
pour les applications de commutation) :
R DS on = 8 Ω (pour V GS = 0 V)
I D SS = 80 mA
V GS off = -10 V
0V
-12 V
Remarque :
En interrupteur fermé, le courant est limité à 80 mA : c’est peu.
Pour travailler avec des courants beaucoup plus importants, il faut
utiliser des transistors MOSFET de puissance. 24
4-3- Amplificateur de tension
• Définition de la transconductance g fs
D’après la figure 4 :
g fs = 6 mA/V (ou 6 mS) pour I D = I D SS = 17 mA
26
• Amplificateur de tension
Schéma de principe :
iD
R=
4,7 kΩ
BF245C d E=
15 V
g s
uS
uE
27
• Oscillogramme
Application numérique :
v GS = -3,0 V (en valeur moyenne) ⇒ i D = 5,5 mA (figure 1)
⇒ g fs = 3,7 mS (figure 4).
31
- Certains amplificateurs opérationnels ont un étage d’entrée à
transistors JFET (par exemple le TL071) :
32
Bibliographie
33