Licence Profesionnelle Instrumentation Optique et Visualisation

Dtecteurs Optiques et Introduction aux systmes optroniques

Julien LAURA T Laboratoire Kastler-Brossel laurat@spectro.jussieu.fr

Table des matires

A-La dtection: au coeur du systme optronique ...................................... Page4

B-Les diffrents types de dtecteurs ........................................................... Page5

1-Dtecteurs thermiques ............................................................................................................ Page5 2-Dtecteurs photoniques .......................................................................................................... Page6

C-Paramtres de signal d'une photodiode ............................................... Page10

1- Le diple "Photodiode": un rseau de caractristiques .......................................................... Page13 2-Courant d'obscurit .............................................................................................................. Page14 3-Deux modes de fonctionnement ............................................................................................ Page14 4-Dtection de trs faibles flux ................................................................................................. Page15 5-L'utilisation en mode photoconducteur .................................................................................. Page16 6-Comportement dynamique:bande passante ............................................................................ Page18

D-Bruits de photodtection ........................................................................ Page19

1-Qu'est-ce que le bruit? .........................................................................................................Page19 2-Comment caractriser le bruit? ............................................................................................. Page20 3-Les diffrentes sources de bruit ............................................................................................. Page21 4-De la NEP la dtectivit spcifique ..................................................................................... Page21 6-NEP dtecteur et NEP systme ............................................................................................ Page23

E-Dtecteurs IR: une introduction aux systmes optroniques ............... Page23

1-Dtecteurs BLIP et Dtectivit spcifique .............................................................................. Page23 2-Signal IR et Temprature quivalente de bruit ........................................................................ Page25 3-La conception d'un systme optronique IR: TD-cours ........................................................... Page25

Annexe: Quelques rfrences bibliographiques et sites internet ........... Page28

Optique

Dtec teur

Elec tronique Filtrage

(spec tral ou spatial)

Sources: Objet et Fond

Dtection

Tra itement Exploita tion

Figure 1-Une chane optronique. Le bloc de dtection qui englobe optique, filtrage spectral ou spatial, dtecteur et lectronique de proximit (convertisseur courant-tension, gain...) est au coeur du systme et requiert la plus grande attention. Une dtection doit tre adapte la scne observe et la nature de l'information extraire.

A-La dtection: au coeur du systme optronique

Emise par un corps, rflchie par une surface, rtrodiffuse ou encore module diverses frquences, la lumire vhicule de l'information. Pour l'exploiter plus facilement, les photons doivent tre convertis en signaux lectriques: la lumire est ainsi "dtecte". La premire partie de ce cours est consacre l'tude des processus physiques l'oeuvre dans cette conversion. Diffrents types de dtecteurs optolectroniques utilisent ces processus: on distinguera les dtecteurs thermiques et les dtecteurs photoniques. La dtection est au coeur de la conception d'un systme (Figure 1). A l'interface Optique-Traitement lectronique, c'est elle qui permet d'exploiter de manire optimale le signal optique provenant de la scne observe. Une dtection mal pense ou mal optimise se traduit par une perte dfinitive d'information. Aucun traitement -aussi performant soit-il- ne permettra de retrouver de l'information si cette dernire n'a pas t dtecte. Par exemple, si l'objectif est de rechercher la prsence d'un corps mettant dans l'infrarouge lointain (vision nocturne, dtection de tumeurs en imagerie mdicale,...), le dtecteur doit tre adapt ce domaine de longueur d'onde spcifique. Si l'information est porte par une modulation rapide de la lumire, la bande passante devra tre suffisamment large pour ne pas perdre ce signal. La seconde partie de ce polycopi se concentre sur les photodiodes et prsente leurs modes de fonctionnement et mise en oeuvre pratique. Cette section doit vous permettre de lire une notice commerciale et d'en extraire les caractristiques principales d'une photodiode afin de rpondre l'application souhaite. Mme si les choix prcdents ont t convenablement raliss, un signal peut s'avrer difficile exploiter en raison du bruit de dtection. Ce bruit est une limite au bon fonctionnement du systme. Un signal faible "noy" dans le bruit ne pourra tre extrait et l'information sera donc dfinitivement perdue. Imaginons galement un systme qui met une alarme lorsqu'un niveau de signal prdfini est atteint: le bruit peut provoquer de fausses alertes en s'ajoutant un signal plus faible que le niveau requis. Il est donc ncessaire de le quantifier et d'en connatre l'origine. Aprs avoir prsent la notion de densit spectrale de bruit, la troisime partie du cours dcrit les sources de bruit et explique comment dfinir et caractriser les "paramtres de bruit" d'un dtecteur afin de pouvoir les comparer entre eux. Une dernire partie s'intresse au cas particulier des dtecteurs travaillant dans l'infrarouge moyen et lointain (3-30m). En effet, l'environnement temprature ambiante met dans cette gamme de longueur d'onde (mission corps noir) et devient la source principale de bruit. De plus, les systmes travaillant dans l'infrarouge ont connu un trs fort dveloppement dans le domaine de la dfense, du spatial, de l'industrie ou encore du mdical. Cette partie sera l'occasion de prsenter les grandes lignes 2- Un LIDAR (LIght Detection And Ranging) permet de de la conception d'un systme optronique infrarouge Figure localiser en temps rel les formations nuageuses et les tranes en partant d'un cahier des charges. Si le terme d'avions situs plusieurs kilomtres. Un lidar est un systme "OptoElectronique" dsigne des composants tels que dit actif: un faisceau laser est mis et la rtro-diffusion de ce est dtecte et analyse. Les lidars sont galement utiliss dtecteurs, fibres, modulateurs ou amplificateurs de faisceau pour dtecter et analyser les polluants atmosphriques. lumire, le terme "Optronique" -longtemps rserv aux militaires et qui a diffus dans le domaine civil partir des annes 90- a plutt une signification "systme". Un systme optronique associe optique, optolectronique, lectronique, informatique, visualisation... Derrire ce mot se cache l'ide d'une architecture, d'une chane aux multiples composants dpendant les uns des
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autres. Des exemples typiques de produits optroniques sont le lidar (radar optique-Figure 2), la camra vido (Figure 3) ou le lecteur CD.

Figure 3- Une camra vido est un produit optronique typique, multidisciplinaire.

B-Les diffrents types de dtecteurs

Un dtecteur convertit un rayonnement optique en signaux lectriques plus faciles exploiter. La conversion photon-lectron peut tre indirecte: l'absorption de lumire se traduit par une lvation de temprature d'un matriau absorbant qui est ensuite convertie en signal lectrique. Les dtecteurs thermiques fonctionnent sur ce principe. Par contre, les dtecteurs photoniques (ou quantiques) mettent en jeu une cration directe de charges lectriques. 1-Dtecteurs thermiques Trois types sont couramment utiliss: thermopiles, bolomtres et dtecteurs pyrolectriques. Les deux premiers ont un temps de rponse de quelques ms alors que les pyrolectriques peuvent atteindre quelques centaines de s: ils sont donc dans l'ensemble relativement lents. Cependant, une caractristique avantageuse est que les variations spectrales du facteur de rponse ne dpent que du facteur d'absorption du revtement absorbant qui, pour certains, varie peu sur une grande plage de longueur d'onde (la suie d'or a par exemple un facteur d'absorption proche de 1 depuis l'ultraviolet jusqu' l'infrarouge moyen). Ces dtecteurs seront donc utiliss lorsque le temps de rponse n'est pas un paramtre critique et qu'une rponse uniforme sur une grande plage de frquence est ncessaire. Leur longvit et leur robustesse en font de bons candidats pour des applications spatiales par exemple. Une thermopile est constitue d'une srie de thermocouples connects en srie. Un thermocouple est form de deux conducteurs diffrents souds en V (Figure 4). Une couche absorbante dpose sur les jonctions "chaudes" convertit le rayonnement incident en chaleur. Les points de jonctions "chauds" sont isols thermiquement des points de jonction "froids" (module Peltier par exemple). Une tension proportionnelle au flux est alors gnre par effet thermolectrique (effet Seebek). Ce dtecteur ne ncessite pas de tension de polarisation extrieure.

Les bolomtres utilisent la variation de rsistivit d'un matriau (Oxydes de Ni, Mn, Co...) induite par la variation de sa temprature conscutive l'absorption du rayonnement. Une polarisation extrieure est ncessaire pour mettre en vidence cette variation. De nombreuses applications militaires et astronomiques pour l' IR lointain utilisent des bolomtres cryogniques (dtecteurs en Germanium dop au Ga et maintenus 4K) en raison d'une trs grande sensibilit et d'une trs bonne reproductibilit. Un dtecteur pyrolectrique est constitu d'un cristal isolant dont la maille ne prsente pas de centre de symtrie. De tels cristaux (LiNbO3, cristaux ferrolectriques) possdent la proprit de se
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Figure 4 - Principe de l'effet thermolectrique. 2 conducteurs diffrents sont souds. Une diffrence de temprature (flamme ou par l'intermdiaire d'une matriau absorbant pour dtecter un faisceau) engendre une ddp mesurable. (Doc Perkin-Elmer)

polariser spontanment. Deux lectrodes permettent de mesurer cette diffrence de potentiel. Cependant, temprature constante, la distribution de charge interne est neutralise par les lectrons libres et les potentiels de surface de telle sorte qu'aucune ddp ne peut tre mesure. Par contre un changement de temprature se traduit par une tension transitoire qui elle peut tre dtecte. Leur emploi ncessite donc une modulation de la lumire. Figure 5- Les dtecteurs pyrolectriques Ces dtecteurs peuvent tre utiliss pour mesurer par exemple l'nergie sont utiliss par exemple dans les d'une impulsion lumineuse de quelques s quelques centaines de s systmes infrarouges passifs de dtection maximum ou encore dtecter une intrusion (Figure 5). d'intrusion.

2-Dtecteurs photoniques Les dtecteurs quantiques convertissent directement les photons incidents en lectrons. Ces lectrons peuvent alors tre soit jects (effet photomissif) soit librs au sein du matriau photosensible (matriaux semiconducteurs). Effet photomissif: le photomultiplicateur Le photomultiplicateur (PM) est bas sur deux phnomnes physiques mis en oeuvre successivement: l'effet photomissif et la gnration d'lectrons secondaires par bombardement lectronique. Un PM est constitu d'un tube vide contenant une photocathode, une succession de dynodes et enfin une anode. Un photon incident sur la photocathode engendre -si son nergie est suprieure une valeur seuil dpendant du matriau- l'jection d'un lectron. Cet lectron pourrait tre collect directement: c'est le principe des diodes photomissives mais le signal de dtection est faible. Le principe du PM permet d'accrotre le nombre d'lectrons rcuprs par photon incident (Figure 6). Une haute tension (~100 200V) impose entre la photocathode et la premire dynode dirige et acclre l'lectron primaire vers cette seconde surface. L'nergie de l'lectron est suffisante pour engendrer usuellement jusqu' une dizaine d'lectrons secondaires. A nouveau acclrs, ces lectrons secondaires frappent une seconde dynode. Le phnomne se rpte en cascade jusqu' la dernire dynode et les lectrons sont finalement collects sur l'anode. Une dizaine de dynodes permet d'atteindre des gains de l'ordre Figure 6- Principe d'un photomultiplicateur du million: la sensibilit d'un PM est exceptionnellement leve. Un PM est irrversiblement endommag par des flux lumineux aussi faibles que ceux obtenus lors de l'clairement de la photocathode par la lumire d'un ciel nocturne toil sans lune. Le photon incident doit avoir une nergie suprieure un seuil fix par la nature de la cathode ou de la substance dpose sur cette dernire. L'existence d'une valeur minimale pour l'nergie signifie qu'il existe une longueur d'onde maximale au-del de laquelle les photons ne sont plus dtects. Les cathodes photomissives disponibles couramment sur le march (Figure 7) sont sensibles dans l'ultraviolet, le Figure 7- PM commercial visible et l'infrarouge proche.
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Dtecteurs semi-conducteurs Semi-Conducteurs Un semi-conducteur intrinsque (Silicium, Germanium) est un solide cristallis liaisons de covalence, de structure ordonne et priodique. Trs faible basse temprature, la conductivit augmente avec elle. C'est une diffrence essentielle avec les mtaux qui eux sont conducteurs ds le zro absolu. Pour amliorer cette conductivit, des impurets peuvent tre introduites dans le rseau cristallin. Cette opration est appele "dopage" et donne des semiconducteurs dits extrinsques. Un dopage de type N (impurets donnatrices) augmente la densit de charges ngatives alors qu'un dopage de type P (impurets acceptrices) augmente la densit de charges positives.
Energie

Bande de conduc tion

Eg

Bande de valence

La structure cristalline d'un semi-conducteur implique que les niveaux d'nergie que peuvent occuper les lectrons se rpartissent en bandes. Une bande interdite de largeur Eg (nergie de gap) spare ainsi deux bandes dites de conduction et de valence. La valeur de Eg dpend de la nature du matriau.
Energie

Un photon permet un lectron de la bande de valence de passer dans la bande conduction (laissant une place vacante appele trou). Cette transition ne se produit que si l'nergie du photon est suprieure l'nergie de gap, donc si sa longueur d'onde est infrieure une valeur de coupure (l'nergie d'un photon est inversement proportionnelle sa longueur d'onde).

Bande de c onduc tion

E> Eg

Eg

Bande de valence

Photorsistances Les photorsistances (ou LDR: Light Dependant Resistor) sont constitues d'un matriau semi-conducteur gnralement dpos en serpentin sur une plaquette de cramique (Figure 8). Ce sont des rsistances qui ont la proprit de varier en fonction de l'intensit lumineuse reue. En l'absence de lumire incidente, la conductivit du matriau est trs faible: la "rsistance d'obscurit" peut atteindre plusieurs M. Sous l'effet d'un clairement, des lectrons sont librs dans le semi-conducteur augmentant ainsi la densit de charge libre et donc la conduction (cf Figure 8- Photorsistance. Le semiencadr). La rsistance diminue lorsque le flux augmente. Il est important conducteur est dpos en serpentin. de noter que cette variation n'est pas linaire avec le flux. L'nergie des photons incidents doit tre suprieure l'nergie de gap du semi-conducteur (cf encadr prcdent): la longueur d'onde incidente doit donc tre infrieure une valeur limite. Cette valeur est impose par la nature du matriau. Le sulfure de cadmium CdS couvre la plage visible avec un maximum 600nm. Sa rponse est trs proche de celle de l'oeil humain. Avec le slniure de cadmium CdSe, le maximum est dplac vers 750nm. Le PbS permet de travailler dans le proche infrarouge et certains semiconducteurs permettent d'accder aux longueurs d'onde suprieure 5m. La bande passante est

gnralement modeste, au mieux de quelques centaines de kHz. Les photorsistances sont souvent employes dans des montages permettant de dtecter des seuils d'clairement: allumage de l'clairage public (encadr ci-dessous), flash automatique des appareils photos, surveillance de flamme dans les installations de chauffage, dtection d'intrusion...

Commande automatique d'un clairage On souhaite contrler automatiquement un clairage public. L'clairage doit s'allumer le soir lorsque la lumire ambiante devient faible et s'teindre le matin lorsque le jour s'est lev. Le problme consiste donc dtecter des seuils d'clairement. Une photorsistance est bien adapte ce type de cahier des charges. L'obscurit correspond une rsistance grande alors qu'un clairement plus important s'accompagne d'une diminution de la rsistance. Une solution peut tre de commander directement un relais l'aide d'une photorsistance. Un relais est constitu d'une bobine qui lorsqu'elle est sous tension attire une armature ferromagntique qui dplace des contacts permettant ainsi de fermer un circuit adjacent. On peut par exemple utiliser un Vcc relais ayant un courant d'enclenchement Ie: au dessus de cette valeur, le circuit adjacent se ferme et l'clairage s'allume. Sachant que la bobine a pour rsistance Rb, il est possible de calculer la valeur de la photorsistance enclenchant le relais. Une rsistance variable en srie avec la photorsitance permet d'ajuster le seuil d'allumage. La Rp diode place en parallle de la bobine est une prcaution permettant de s'affranchir du courant de rupture de la bobine. Vcc L'intensit dans la bobine est : i = R + R b p La valeur de la photorsistance enclenchant le relais est donc:
R= Vcc Rb Ie

Photodiodes Une photodiode est une diode jonction qui produit un courant fonction de l'clairement reu. Elle est constitue d'un semiconducteur dop P d'un ct et N de l'autre (jonction dit PN). La figure 10 donne le diagramme d'nergie des lectrons dans une telle configuration. Les photons incidents d'nergie suprieure l'nergie de gap sont absorbs et induisent le passage d'un lectron dans la bande de conduction, laissant un trou dans la bande de valence. Dans la zone N Figure 9- Photodiode ou la zone P, zones o l'nergie est constante, les lectrons produits restent "quasiimmobiles" (en ralit, ils diffusent crant un courant dit de diffusion) . Par contre, comme un champ lectrique lev rgne dans la zone intermdiaire, les lectrons produits dans cette zone migrent vers la zone N. Il apparat alors un photocourant mesurable. La zone P est gnralement mince pour permettre au plus grand nombre de photons d'atteindre la zone active. Ce schma est parfois amlior par l'ajout entre les deux zones d'une couche non-dope (Intrinsque): on parle de photodiodes PIN. Ces photodiodes sont plus rapides et moins bruyantes.
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Figure 10- Jonction PN polarise. Le graphe donne le diagramme d'nergie des lectrons dans cette jonction. Un photon incident dans la zone intermdiaire engendre une paire lectron-trou l'origine du photocourant (courant inverse). (Graphe P. May-Dunod)

Matriau et rponse spectrale Nous avons dj vu plusieurs reprises que dans le cas des matriaux semiconducteurs l'nergie de gap -et donc la nature du matriau- impose une valeur limite aux longueurs d'onde pouvant tre dtectes. Cette valeur limite se calcule facilement partir de l'nergie de gap:

E > E g ( m) <

1,24 E g (eV )

Chaque photon incident de longueur d'onde plus faible donne naissance un lectron avec une probabilit . Cette probabilit appele efficacit quantique est plus petite que 1 car des photons sont parfois absorbs sans donner d'lectrons. Considrons un flux nergtique Fe parvenant sur la surface du dtecteur. Le flux de photons Fp est alors le rapport du flux nergtique par l'nergie d'un photon. Cette dernire est relie la longueur d'onde du photon: E = h. Le flux Fp s'exprime donc:
Fe = Fe h hc Chaque photon donne naissance un lectron au rendement quantique prs. Un flux nergtique Fe cre donc en sortie du dtecteur un photocourant: Fp =

i =

hc

Fe = R ( ) Fe

R() est appel facteur de rponse spectral en courant S ensibilit (A/W) ou "sensibilit" de la photodiode. Il se mesure en A/W. Cette grandeur augmente linairement avec jusqu' la longueur d'onde de coupure du matriau (Figure 11). Notons que cette rponse est fondamentalement diffrente de celle d'un dtecteur thermique pour lequel le facteur de rponse tait constant sur une large plage de longueur d'onde.

Figure 11- Allure thorique de la sensibilit d'une photodiode. c est la longeur d'onde de coupure. 9

La rponse relle diffre de l'allure thorique car le rendement quantique n'est pas constant sur toute la plage de longueur d'onde et la coupure est moins franche. Le graphe suivant prsente le facteur de rponse spectral rel de diffrents semiconducteurs couramment employs.

Figure 12 - Rponse spectrale de divers matriaux

Conditionnement d'une photodiode La surface sensible est dpose sur un "plot" qui sert de cathode et conditionne dans un botier hermtique standardis (TO-5,TO-8, TO-18, cramique...) Trois connexions sortent du botier (Figures 13-14). L'une correspond la masse (connecte au botier), les deux autres la cathode et l'anode. L'anode est visible sur le dessus du botier: une jonction est apparente entre la partie suprieure de la surface sensible et un plot adjacent (Figure 14). La surface sensible est protge par une fentre traite antireflet la longueur d'onde de travail afin d'viter les rflexions de Fresnel sur l'interface air-verre qui engendreraient des pertes non ngligeables. Dans Figure 14- Photodiode deux quadrants certaines rares applications o l'on cherche rduire le plus possible les pertes de dtection (en recherche principalement), il peut tre utile de retirer cette protection ("dcapsulage"). La photodiode devient trs fragile et sa dure de vie est rduite. Cette solution est vivement dconseille Figure 13- Schma constructeur pour toutes applications courantes. du "package" et du cblage

C-Paramtres de signal d'une photodiode

Cette partie prsente les diffrents modes de fonctionnement et mise en oeuvre pratique d'une photodiode. La notice ("data-sheet") qui sert d'exemple est celle d'une srie de photodiodes PIN en InGaAs (domaine proche infrarouge-4 modles) du fabricant Hamamatsu. Vous n'aurez probablement jamais l'occasion d'utiliser exactement cette srie! Cependant, la plupart des documentations commerciales se ressemblent et prsentent de manire similaire les mmes donnes aux valeurs numriques prs. L'objectif est de mettre en vidence les caractristiques cls, de comprendre leurs volutions qualitatives selon les diffrents paramtres physiques intervenant et leurs consquences pratiques sur les montages de dtection. Pour chaque paramtre voqu, l'information est extraite du data-sheet et prsente.
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PHOTODIODE

InGaAs PIN photodiode

G8376 series
Standard type
InGaAs PIN photodiodes are NIR (near infrared) detectors that feature high-speed response and low noise. Various active area sizes are provided to meet wide applications.

Features
Low noise, low dark current Low terminal capacitance 3-pin TO-18 package

Applications
NIR (near infrared) photometry Optical communication

I Specifications / Absolute maximum ratings

Active area (mm) 0.04 0.08 0.3 0.5 Reverse voltage VR (V) Absolute maximum ratings Operating Storage temperature temperature Topr Tstg (C) (C)

Type No.

Window material

Package

G8376-01 G8376-02 G8376-03 G8376-05

B orosilicate glass with anti-reflective coating (optimized for 1.55 m peak)

TO-18

20

-40 to +85

-55 to +125

I Electrical and optical characteristics (Typ. Ta=25 C, unless otherwise noted)

Spectral response range Peak sensitivity wavelength p (m) 1.55 T er minal Cut-off Shunt frequency capacitance NEP resistance D fc Ct Rsh =p = p VR=2 V VR=5 V VR=10 mV f=1 MHz RL=50 -3 dB 1.3 m =p Typ. Max. (c m Hz 1/2 / W) (W/Hz1/2) (MHz) (pF) (A/W) (A/W) (nA) (nA) (M) 0.06 0.3 3000 0.5 10000 2 10-15 0.08 0.4 2000 1 8000 2 10-15 0.9 0.95 5 1012 400 * 5 1000 0.3 1.5 4 10-15 200 * 12 300 0.5 2.5 8 10-15 Photo sensitivity S Dark current ID VR=5 V

Type No.

(m) G8376-01 G8376-02 G8376-03 G8376-05 * VR=5 V 0.9 to 1.7

InGaAs PIN photodiode

I Spectral response
1 (Typ. Ta=25 C)

G8376 series
(Typ. Ta=25 C)

I Photo sensitivity temperature characteristic

2 (Typ. Ta=25 C)

I Dark current vs. reverse voltage

10 nA

TEMPERATURE COEFFICIENT (%/C)

PHOTO SENSITIVITY (A/W)

1 nA

G8376-03

G8376-05

DARK CURRENT

G8376-02 100 pA G8376-01 10 pA

0.5

0 0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

-1 0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

1 pA 0.01

0.1

10

100

WAVELENGTH (m)
KIRDB0002EB

WAVELENGTH (m)
KIRDB0042EA

REVERSE VOLTAGE (V)

KIRDB0249EA

I Terminal capacitance vs. reverse voltage

1 nF (Typ. Ta=25 C, f=1 MHz)

I Shunt resistance vs. ambient temperature

100 G (Typ. VR=10 mV)

G8376-01 G8376-02
10 G G8376-05 G8376-03 10 pF

TERMINAL CAPACITANCE

SHUNT RESISTANCE

100 pF

1 G

100 M

G8376-03 G8376-05

G8376-02 1 pF G8376-01 100 fF 0.01

10 M

0.1

10

100

1 M -40

-20

20

40

60

80

100

REVERSE VOLTAGE (V)

KIRDB0250EA

AMBIENT TEMPERATURE (C)

KIRDB0251EA

I Dimensional outline (unit: mm)

5.4 0.2 4.7 0.1 WINDOW 3.0 0.1

2.6 0.2

0.45 LEAD 2.5 0.2

CASE
KIRDA0150EB

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13 MIN.

PHOTOSENSITIVE SURFACE

3.7 0.2

Cat. No. KIRD1051E03 Feb. 2002 DN

1- Le diple "Photodiode": un rseau de caractristiques Un diple lectrique (rsistance, diode,...) se caractrise par une courbe donnant l'intensit I qui le traverse en fonction de la tension V ses bornes. La particularit d'une photodiode est que sa caractristique courant/tension dpend du flux lumineux qu'elle reoit (Figure 15). Notez les conventions de signe choisies.

V I

Diode classique

V Flux
Figure 15- Rseau de caractristiques d'une photodiode

En l'absence d'clairement, la caractristique est celle d'une diode jonction classique (trac noir). Lorsque le flux augmente, la caractristique conserve la mme forme mais se I translate verticalement, vers les intensits ngatives. Le flux incident est donc I l'origine d'un courant inverse (ngatif-cf figure 10) prenant des valeurs d'autant I plus grandes que le flux augmente et qui s'ajoute au courant d'une diode classique. V Il est ainsi possible dans un premier temps de modliser la photodiode partir d'une diode classique en ajoutant en parallle une source de courant. Cette dernire produit un courant Iph augmentant linairement avec le flux et qui a pour effet de translater verticalement la caractristique: c'est le photocourant Figure 16-Schma quivalent not Iph et vrifiant Iph=R o R est la sensibilit de la photodiode en A/W (cf partie prcdente). On a donc: I = Id-Iph o Id est le courant d'une diode classique.
d ph

La sensibilit R est voque plusieurs reprises dans la notice. La colonne "Spectral response range" donne la plage de longueur d'onde o la photodiode peut dtecter un flux incident. Mais attention! La sensibilit n'est pas homogne sur toute cette plage. La colonne "Photosensitivity" en donne deux valeurs des longueurs d'onde spcifiques dont, en particulier, celle qui correspond la valeur maximale (obtenue p:"Peak sensitivity wavelength"). Le graphe "Spectral response" est plus gnral et donne la rponse spectrale en fonction de la longueur d'onde.

13

2-Courant d'obscurit
I

En l'absence de lumire, la caractristique est celle d'une diode jonction classique. Cela signifie donc que mme sans flux incident il existe un courant inverse Io. Ce courant est appel "courant d'obscurit".

Courant d obscurit

Io

V
Figure 17- Caractristique dans l'obscurit

Ce courant est d'autant plus grand que la tension inverse ("Reverse Voltage") applique est leve. Il s'annule pour une tension nulle. Le graphe "Dark current vs. reverse voltage" donne la valeur de ce courant en fonction de la tension inverse. Les deux valeurs (typique et maxi) donnes dans la colonne "Dark current" correspondent donc une valeur du courant d'obscurit pour une tension de polarisation donne (VR=5V dans cette notice).

Il est galement trs important de noter que le constructeur a pris soin d'indiquer que les caractristiques donnes en colonne ou dans certains graphes (le prcdent par exemple) correspondent une temprature typique de 25C. La plupart des paramtres sont en effet trs sensibles la temprature. Le courant d'obscurit peut doubler tous les 10C. 3-Deux modes de fonctionnement D'aprs les conventions choisies pour l'orientation de I et V (convention rcepteur), si le produit I*V est positif, le diple reoit de l'nergie et fonctionne donc en rcepteur. Si le produit est ngatif alors le diple fournit de l'nergie: il se comporte comme un gnrateur.

I
Sans intert Courbes c onfondues

V
Figure 18- Les diffrents quadrants de fonctionnement d'une photodiode. Le quadrant "rcepteur" est le domaine des opticiens. 14

Quadrant Rc epteur Mode Photoconduc teur

Quadrant Gnrateur Mode Photovoltaque

Le quadrant gnrateur est appel domaine photovoltaque. Ce mode de fonctionnement est exploit pour raliser des "photopiles" aux applications diverses. La plus connue est bien sr l'installation de panneaux solaires sur une maison pour fournir une partie de l'nergie domestique. Les satellites sont galement quips de grands bras tlescopiques recouverts de cellules photovoltaques afin de leur assurer leur autonomie nergtique. Une autre application concerne la protection des structures en mtal contre la corrosion. Une petite tension applique sur une structure en mtal l'empche de s'oxyder ou de se rouiller. Des photopiles permettent de fournir cette tension et de protger ainsi dans des lieux loigns lignes ferroviaires, rservoirs ou canalisations... Un travail important est men pour amliorer le rendement des photopiles et en faire peut tre demain une source d'nergie renouvelable largement employe. Le mode photoconducteur est celui des "opticiens". Dans ce quadrant, les caractristiques sont trs bien spares les unes des autres et permettent des mesures quantitatives de flux. Ce mode de fonctionnement est tudi dans la suite du cours. 4-Dtection de trs faibles flux L'utilisation d'une photodiode dans le mode photoconducteur ncessite d'appliquer une tension inverse ("polarisation"). Comme nous l'avons vu prcdemment, une telle polarisation se traduit par un courant d'obscurit qui augmente avec elle. Ce courant est bien sr nfaste la mesure prcise d'un trs faible flux puisqu'il s'ajoute au photocourant. De plus, il fluctue beaucoup avec la temprature et il est donc trs difficile contrler. La solution est alors d'utiliser la photodiode en court-circuit: la tension ses bornes est toujours nulle et il n'y a donc pas de courant d'obscurit. Ce fonctionnement est la limite du mode photovoltaque et du mode photoconducteur. Mme pour des valeurs trs faibles du flux incident, le courant lui est proportionnel. La figure 19 permet de visualiser les diffrents points de fonctionnement en fonction du flux. Comment exploiter ce courant de court-circuit? Un simple montage convertisseur Courant-Tension AO (figure 20) permet de visualiser une tension image de ce courant. La photodiode est bien en courtcircuit car l'entre - de l'AO est une masse virtuelle.

I
I
_ +

V
Sans lum ire Points de fonctionnem ent avec flux inc ident

Vs

Figure 19- Fonctionnement en court-circuit pour les trs faibles flux. V est toujours nul.

Figure 20- Convertisseur courant-tension. La photodiode est en court-circuit.

I V

Rshunt

Pour aller plus avant dans la description de ce mode, il faut ajouter au schma quivalent d'une photodiode une rsistance parallle de court-circuit dite "Shunt Rsistance Rsh" gnralement de grande valeur et qui dpend de la fabrication de la diode. Cette rsistance serait infinie pour une photodiode idale. Plus cette rsistance est grande, plus la photodiode sera sensible aux faibles signaux. C'est donc le paramtre important lors du choix d'une photodiode pour travailler dans ce rgime.
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Figure 21- Une photodiode prsente en parallle une rsistance de grande valeur dite shunt resistance

Cette rsistance dpend trs fortement de la temprature. Le data-sheet donne donc en colonne cette rsistance pour une temprature typique de 25C et prsente ensuite un graphe donnant sa dpendance avec la temprature. Il n'est pas utile de connatre la rsistance pour diverses tensions de polarisations car c'est un paramtre important uniquement dans ce mode de fonctionnement (court-circuit).

Pourquoi une rsistance leve est-elle le meilleur choix? Esquissons une explication, les paramtres de bruit tant traits plus longuement dans la partie suivante. Le courant d'obscurit est nul et ne gnre donc pas de bruit. De plus, le flux tant faible, le bruit qu'il induit l'est galement. Dans ce rgime de faible flux, le bruit de dtection est donc principalement d au bruit thermique dans la rsistance de court-circuit. Ce bruit tant inversement proportionnel la rsistance, plus la rsistance est grande moins le bruit est important. Pour des flux plus importants, le fonctionnement en court-circuit n'est pas adapt. La saturation de la photodiode se produit rapidement et le courant n'est donc plus linaire avec le flux. De plus, ce montage est lent. Cette dernire caractristique sera explique par la suite. 5-L'utilisation en mode photoconducteur Comportement statique L'utilisation d'une photodiode dans le mode photoconducteur ncessite d'appliquer une polarisation, une tension inverse. Un montage typique est de placer en srie de la photodiode polarise une rsistance (dite rsistance de charge) qui convertit le courant en tension.
V E I

VS

Figure 22- Montage typique avec polarisation et rsistance de charge.

La tension Vs (=-RI) est directement proportionelle au photocourant gnr par la photodiode. Pour trouver les points de fonctionnement (I,V) du montage, il faut superposer au rseau de caractristique de la photodiode la "droite de charge". Cette dernire est obtenue en crivant la loi des mailles:
E = Vs V = RI V I = V +E R

Les points de fonctionnement sont donns par les intersections de la droite de charge avec les caractristiques de la photodiode. On constate sur le schma suivant (Figure 23) que, tant que le flux n'est pas trop grand, les points de fonctionnement sont bien distincts pour des flux diffrents. Le courant varie linairement avec le flux: une mesure quantitative est donc possible. Par contre, pour des flux plus importants,
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les points de fonctionnement se rapprochent jusqu' se confondre. Ce phnomne est appel "saturation". Le courant n'est plus linaire avec le flux et tend vers une valeur limite. Une mesure dans ce rgime conduirait des valeurs totalement errones.
V I I VS
Saturation

-E

V
Domaine linaire
-E/R

Flux
Saturation

Figure 23- Mode photoconducteur. Un phnomne de saturation se produit aux forts flux

Les deux paramtres libres que sont la rsistance de charge et la tension de polarisation ont des effets trs importants sur ce comportement et ne doivent donc pas tre choisis au hasard. ~~ Augmenter la rsistance peut tre intressant puisque pour un photocourant donn la tension de sortie sera d'autant plus grande que la rsistance de charge sera grande (cela revient augmenter le gain). Un flux faible sera ainsi plus facile dtecter. Cependant, augmenter R acclre le phnomne de saturation: la plage o le courant est linaire avec le flux est rduite. Le schma ci-contre illustre l'influence de la valeur de la rsistance sur la saturation. R impose la pente de la droite de charge: plus R est grand, plus la pente est petite. Les points de fonctionnement se confondent ainsi d'autant plus vite que R est grand.
I

-E

V
-E/R

Flux

Figure 24- Augmenter R acclre la saturation.

~~ De la mme manire, la tension de polarisation de la photodiode influe sur le phnomne de saturation. Plus la polarisation est grande, plus la saturation est retarde. Le schma ci-dessous illustre cette dpendance. Les droites de charge sont parallles (mme valeur de R, donc mme pente) mais l'abscisse l'origine est diffrente. Attention! La tension de polarisation ne peut pas tre indfiniment augmenter. Le data-sheet prcise la valeur maximale appliquer (20V dans l'exemple choisi)
I VS
Saturation

-E1

-E2

-E3

Flux
Figure 25- Augmenter la polarisation retarde la saturation.

L'tude de la photodiode a port jusqu' prsent sur son comportement statique, c'est--dire flux constant. Comment ragit-elle une modulation de la lumire?
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6-Comportement dynamique: bande passante L'information dtecter peut tre porte par une modulation de la lumire. Les rseaux Tlecom reposent par exemple sur des modulations trs rapides (plusieurs GHz). Quels paramtres influent sur le temps de rponse (ou bande passante si l'on se place dans le domaine frquentiel) d'une photodiode? Pour rpondre cette question, il faut ajouter au schma quivalent d'une photodiode une capacit parasite Ct entre ses bornes. Le schma quivalent avec une rsistance de charge est alors le suivant:

Ct

Rsh

Figure 26- Schma quivalent avec rsistance de charge, rsistance parallle et capacit parasite

La rsistance de court-circuit, gnralement trs grande devant la rsistance de charge, peut tre nglige. Le circuit est donc quivalent un filtre passe-bas du premier ordre de frquence de coupure:

Fc =

2 RCt

Pour une photodiode donne, la rsistance de charge impose la bande passante. Les constructeurs indiquent gnralement les valeurs de bande passante pour une rsistance de charge de 50. Une grande rsistance (grand gain) va l'encontre de la rapidit de la photodiode. Deux paramtres interviennent sur la valeur de la capacit parasite. ~~ La dimension de la surface active: plus la surface est petite, plus la capacit est petite et donc la photodiode rapide. Une grande surface active est donc contradictoire avec une grande bande passante. Le data-sheet donne la valeur de la capacit ("Terminal Capacitance") et la valeur de la frquence de coupure ("Cut-off frequency"). Vous pouvez constater la dpendance avec la taille de la surface active.

~~ La tension de polarisation: augmenter la tension de polarisation a pour effet de diminuer la capacit parasite. Cette dernire est donc maximale en absence de polarisation. C'est pour cela qu'il a t dit plus haut que le montage de la photodiode en court circuit a pour dfaut d'tre lent. Le graphe "Terminal capacitance vs. reverse voltage" donne la capacit parasite en fonction de la polarisation applique la photodiode.
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Malheuresement, la bande passante du montage de dtection n'est pas uniquement limite par cette capacit parasite. D'autres capacits parasites s'ajoutent (en parallle): BNC, cablges divers, pattes de diples... S'il est relativement simple de raliser des montages permettant de travailler quelques centaines de MHz , le domaine du GHz est beaucoup plus difficile atteindre (et il n'est pas question d'utiliser des AO dont la bande passante est gnralement faible si le gain est important). A ces frquences, les circuits doivent tre extrmement compacts: par exemple, deux pattes de rsistance forment une capacit parasite qui peut empcher d'atteindre le GHz. Il est donc ncessaire d'employer d'autres techniques de cblages: cblage compact, rsistance CMS (pas de pattes), pattes de la photodiode raccourcies le plus possible,.... Malgr toutes ces prcautions, il est difficile d'atteindre exprimentalement le GHz. Ces difficults sont bien sr lies la manire de raliser le cblage. Les techniques " la main" dont on dispose au quotidien conduisent ces limitations. Des techniques plus modernes de micro-lectronique permettent de travailler plusieurs GHz.

D-Bruits de photodtection
1-Qu'est ce que le bruit? Envoyons sur un dtecteur un faisceau lumineux dont la valeur moyenne reste constante au cours du temps. La tension image mesure par exemple aux bornes d'une rsistance est visualise l'oscilloscope. C'est une droite horizontale. Cependant, une observation plus attentive rvle de lgres fluctuations autour de cette valeur moyenne: en augmentant le calibre de l'oscilloscope, ces fluctuations deviennent trs visibles.

Calibre

Figure 27- En augmentant le calibre, le bruit de dtection apparat clairement.

Le bruit peut ainsi se dfinir comme une fluctuation imprvisible se superposant au signal utile. L'information extraire sera d'autant plus difficile dchiffrer que ces variations alatoires ne seront pas ngligeables devant le signal utile. Sans outil de traitement, ce bruit rend impossible la dtection d'un signal plus petit que les fluctuations. L'image que l'on peut en donner est celle d'une conversation dans un environnement bruyant. Le message peut ne plus tre compris si le bruit ambiant l'emporte. 2-Comment caractriser le bruit? La valeur moyenne du bruit n'est pas un bon critre pour le caractriser: le bruit tant une fluctuation alatoire, sa valeur moyenne est nulle. Il faut donc trouver un autre critre. Reprenons l'exemple prcdent: un flux constant sur un dtecteur. Du fait du bruit sur la tension , la mesure de cette dernire deux instants distincts donne deux valeurs lgrement diffrentes. Un critre pertinent serait donc une grandeur qui permettrait d'estimer l'amplitude de l'erreur commise lors de la mesure d'un signal. On donnerait alors le rsultat sous la forme d'une valeur moyenne plus ou moins une certaine erreur. Cette grandeur est appele Ecart-Type. Mathmatiquement, l'cart-type d'un bruit est la racine carre de sa variance, c'est--dire de la moyenne de son carr. En traitement du signal, cette grandeur sera souvent dnomme "valeur efficace de bruit". La variance d'une tension de bruit (ou "puissance de bruit") s'crit: . v2 = V 2
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Le graphe ci-dessous est la simulation informatique du bruit de dtection d'un faisceau laser. La distribution de bruit est gaussienne: la probabilit de trouver une valeur proche de la valeur moyenne est plus grande que de trouver une valeur trs loigne et la dcroissance de cette probabilit est gaussienne. L'cart type correspond la largeur mi-hauteur de cette gaussienne. Pour une telle distribution, la probabilit lors d'une mesure de se trouver plus de 3 carts-types de la valeur moyenne est infrieure 3/1000. L'cart-type est donc bien un critre pertinent pour quantifier l'erreur commise.

Proba bilit

Quel est l'effet d'un filtre passe-bas sur le signal prcdent? Un filtre passe-bas a pour effet de couper les hautes frquences. Une partie du bruit est ainsi limin et l'cart-type est alors plus faible: l'erreur commise lors d'une mesure sera moins importante. Les bruits de dtection sont gnralement des bruits "blancs": chaque frquence apporte une contribution quivalente (ce qui justifie l'appellation "blanc" par analogie avec la lumire blanche). Le spectre d'un bruit blanc est "plat". Selon la bande passante de l'lectronique place la suite du dtecteur, le bruit mesur ne sera donc pas le mme. Cette notion est fondamentale: parler de bruit de dtecteur sans parler de bande passante d'analyse n'a pas de sens. C'est pour cela que dans les documentations techniques le bruit d'un dtecteur est donn non pas par un cart-type mais par sa "densit spectrale" ou encore plus gnralement par la racine carre de sa densit spectrale. Cette dernire s'exprime en unit toujours surprenante au premier abord: le V/Hz ou A/Hz. La valeur efficace de bruit peut s'en dduire en multipliant ce paramtre par la racine carre de la bande passante ( un facteur multiplicatif prs selon l'ordre du filtre). Pour un mme dtecteur, une bande passante d'analyse 100 fois plus grande se traduit par un cart-type 10 fois plus grand.
1= 1nV/Hz* BP

Figure 28- Bruit gaussien. L'cart-type fournit une mesure du bruit appele valeur efficace du bruit.

1nV/Hz

BP

100.BP

2= 1nV/Hz* 100BP 2= 10 1

Figure 29- "Parler de bruit sans parler de bande passante d'analyse n'a pas de sens."

3-Les diffrentes sources de bruit Trois sources de bruit peuvent tre principalement distingues. ~~ Bruit de scintillation (ou Flicker noise): Ce bruit est li aux fluctuations lentes des porteurs de charges dans une photodiode. Ce bruit d'origine technologique se manifeste principalement aux basses frquences et dcrot rapidement (pas du tout un bruit blanc!!). C'est pour cela qu'il est souvent appel bruit en 1/f. Ce bruit ne sera pas pris en compte dans la suite de l'expos car il est souvent ngligeable au-del de quelques kHz.

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~~ Bruit thermique (ou Johnson): L'agitation thermique des porteurs de charge dans une rsistance R gnre un courant de bruit de densit spectrale uniforme (bruit blanc)
4kT (A/Hz) o k est la constante de Boltzmann et T la R temprature d'utilisation (en Kelvins). Dans un circuit de bande passante f, l'cart-type du courant de bruit rsultant s'crit Si =
i = 4kTf R

T em prature T

R sans bruit

4kTf . A 300K, une rsistance de 1M dans un circuit R d'1MHz de bande passante engendre une tension de bruit d'carttype gal 130V. La rsistance de charge ainsi que la rsistance de shunt seront donc sources de bruit thermique. Dans le visible ou le proche infrarouge, le bruit thermique l'emporte sur les autres sources

i =

Figure 30- Une rsistance la temprature T est quivalente une rsistance sans bruit laquelle on ajoute une source de courant de valeur efficace .

Distribution alatoire des lectrons

~~ Bruit de grenaille (ou Shot noise): Ce bruit a pour origine le caractre discret des porteurs de charges dans un circuit. Une image simple en terme de corpuscules permet de comprendre l'origine de ces fluctuations. On peut se reprsenter le courant form non d'lectrons rgulirement rpartis mais plutt d'lectrons alatoirement rpartis, se propageant de manire indpendante. Les variations alatoires de courant que l'on observe sont donc dues la dispersion temporelle des lectrons. Le bruit de grenaille est le bruit que ferait un jet de grain de sable frappant alatoirement une paroi. Tout courant lectrique de valeur moyenne I s'accompagne ainsi de fluctuations

dont la densit spectrale est uniforme (bruit blanc) et s'crit Si = 2eI . Tous les courants mis en jeu dans un systme de dtection seront sources de bruit: courant d'obscurit, courant de signal (celui que l'on veut dtecter) ou courant de fond (sujet de la dernire partie pour les dtecteurs IR lointains et que l'on ne prend pas en compte ici).
Figure 31- Distribution alatoire des lectrons

4-De la NEP la dtectivit spcifique Imaginons que nous ayons construit une lectronique de dtection et que nous souhaitions comparer deux photodiodes entre elles afin de dterminer laquelle permet de dtecter au mieux des signaux faibles. On recherche donc la photodiode qui prsente le moins de bruit propre, indpendamment du circuit lectronique ou du flux incident. Que sont ces bruits de fond engendrs par le dtecteur? On peut citer principalement le bruit thermique dans la rsistance de shunt et le bruit de grenaille du courant d'obscurit. D'autres bruits plus faibles lis la technologie du dtecteur s'y ajoutent. En l'absence de flux incident, la photodiode est donc l'origine d'un courant de bruit qui lui est propre et de densit spectrale Sb (en A/ Hz). Cette grandeur est peu parlante. Imaginons maintenant qu'un flux faible soit envoy sur la photodiode. Quel est le flux minimal dtectable, c'est--dire quel flux engendre un courant de signal qui serait du mme ordre de grandeur que les fluctuations engendres en propre par la photodiode? Ce flux minimal est appel NEP: "Noise Equivalent Power" (ou FEB pour flux quivalent au bruit). Il est dfini comme tant le flux donnant un signal juste gal la valeur efficace de bruit (gal au produit de la racine de Sb par la racine de la bande passante). Il dpend de la longueur d'onde puisque la sensibilit de la photodiode en dpend. Le courant du signal ainsi dfini s'crit:
I = R ( ) NEP ( ) o R() est la sensibilit en A/W.
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La NEP (en W) sera donc dfinie par:

S b f R ( )

I ( ) = S b f NEP ( ) =

Cette grandeur dpend de la bande passante du montage. Pour obtenir une caractristique propre la photodiode et donc indpendante du circuit lectronique que vous choisissez, les constructeurs fournissent gnralement une NEP ramene l'unit de racine de bande passante (comme pour les bruits). Elle s'exprime donc en W/Hz et s'crit:
Sb R ( )

Le data-sheet donn en exemple fournit la NEP pour la longueur d'onde "pic". Il faut noter que cette caractristique est estime une temprature typique de 25C. Les fluctuations tant principalement dues au bruit thermique, cette information est bien sr capitale. Prenons un exemple. Si la photodiode n1 est associe un circuit de bande passante 1MHz, le flux quivalent au bruit propre de la photodiode s'crit: 2 10 15 10 6 2 pW . Cette valeur est trs faible.

Dtectivit spcifique D* Les constructeurs ont introduit une grandeur plus commerciale pour caractriser leurs dtecteurs. La dtectivit est dfinie comme l'inverse de la NEP: ce paramtre est donc d'autant plus grand que la NEP est petite. Cependant, la dtectivit dpend gnralement de la racine carre de la surface du dtecteur (en particulier pour les dtecteurs dans l'IR lointain qui seront traits dans la dernire partie). Par souci de normalisation et de comparaison quitable, une dernire grandeur est gnralement utilise: la dtectivit spcifique D*. Elle s'exprime en cm.Hz/W (ou Jones). D* est donc la dtectivit pour une surface de 1 cm dans un circuit de bande passante 1Hz. D * ( ) = A f NEP ( )

o A est l'aire de la surface en cm et f la bande passante. La connaissance de la dtectivit spcifique, de la surface de la photodiode et de la bande passante du montage permettent donc de remonter facilement la NEP: NEP( ) = A f D * ( )

6-NEP dtecteur et NEP systme Les paramtres voqus dans les paragraphes prcdents ont permis de choisir une photodiode indpendamment d'un circuit. Vous pouvez consulter ainsi plusieurs data-sheets et comparer les performances de diverses photodiodes entre elles. Cependant, une fois le dtecteur choisi et mis en place, votre systme
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de dtection prsente un bruit dans l'obscurit qui n'est pas uniquement celui de la photodiode. Les bruits dans les circuits lectroniques associs sont souvent prpondrants. Par exemple, une rsistance de charge induit un bruit thermique d'autant plus important que cette rsistance est petite. Un amplificateur oprationnel apporte lui aussi une contribution importante. Raliser un montage complet trs bas bruit est un exercice trs difficile. Etant donn que ce sont les performances finales du systme qui importent, on introduit une NEP systme de manire quivalente la NEP dtecteur. La NEP systme est dfinie comme le flux minimal qui engendre en sortie du systme un signal gal la valeur efficace du bruit dans l'obscurit. La NEP systme est ncessairement moins bonne que la NEP dtecteur. La NEP systme donne la rsolution ultime du montage, la plus petite variation de flux que vous serez en mesure de dceler. Il est facile exprimentalement d'avoir une ide de la NEP du systme ralis. C'est grosso-modo le flux pour lequel vous pouvez commencer distinguer l'oscilloscope une diffrence entre la tension dlivre par le systme dans l'obscurit et celle fournie par le systme clair.

E-Dtecteurs IR: une introduction aux systmes optroniques

Le domaine de l'infrarouge moyen et lointain (3-30m) prsente de nombreuses spcificits. En particulier, ces longueurs d'onde, le signal utile peut souvent se rsumer un contraste de temprature et le rayonnement thermique ambiant devient la source principale de bruit. Cette partie revient dans un premier temps sur la notion de dtectivit applique au cas des dtecteurs idaux dits "BLIP". Une dernire notion similaire mais spcifique au domaine IR est introduite: la temprature quivalente de bruit. Les systmes IR ont connu depuis les annes 90 un trs fort dveloppement et sont sans nul doute appels dans les annes venir connatre une diversification et une diffusion toujours plus importantes. La fin de ce cours prsente les grandes lignes de la conception d'un systme optronique travers un TD-cours. L'objectif n'est pas de Figure 32- Luminance spectrique d'un corps noir raliser une tude trs dtaille d'un systme mais plutt de comprendre qu'un systme fiable repose sur une architecture multidisciplinaire. 1-Dtecteurs BLIP et Dtectivit spcifique Parmi les sources de bruit prsentes dans la partie prcdente, l'une d'entre elle n'a pas t prise en compte: le courant de fond. Dans le visible ou le proche infrarouge la contribution de ce courant est trs faible temprature ambiante. Par contre, dans l'infrarouge compris entre 3 et 30m, l'mission corps noir du fond environnant est trs importante et devient la source principale de bruit. A 300K, le rayonnement thermique est centr autour de 10m (Figure 32). Il n'y a pas d'obscurit pour les dtecteurs fonctionnant dans cette gamme de longueur d'onde! La monture elle-mme est source de parasites (elle est donc gnralement refroidie)! Les dtecteurs pour lesquelles la source principale de bruit est le bruit d'environnement sont dnomms BLIP: "Background Limited Infrared Photodetector". Si l'on note IF le courant de fond, la densit spectrale de bruit s'crit:
S = 2eI F

La NEP prend alors la forme suivante:

NEP ( ) = 2eI F f R ( )

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Comment calculer le courant IF? Ce calcul se mne en deux tapes (cf cours de photomtrie): ~~ Si l'on note EP l'clairement photonique (nombre de photons par lment de surface) du dtecteur du l'environnement et prenant en compte tous les photons jusqu' la longueur d'onde de coupure du dtecteur, le courant s'crit:

I F = eEP A o A est la surface du dtecteur et le rendement quantique.

~~ Pour un systme observant une scne de luminance photonique LP sous un cne de demi-angle au sommet , l'clairement photonique est donn par: EP = LP sin( ) 2 La dtectivit, inverse de la NEP, peut donc finalement s'crire sous la forme:
1 D ( ) = hc sin( ) 2LP

1/ 2

1 A f

La dpendance de la dtectivit avec la racine carre de la surface sensible apparait dsormais explicitement. Ceci justifie la notion de dtectivit spcifique D* introduite rapidement dans la partie prcdente. Le dtecteur BLIP est un cas idal de dtecteur puisque le bruit d'environnement est le bruit minimal auquel tout dtecteur est ncessairement soumis, de manire plus ou moins importante selon la longueur d'onde de travail (que l'on nglige dans le visible ou dans l'IR proche). La dtectivit spcifique BLIP donne donc une valeur maximale de la dtectivit spcifique que peut 2 steradians field of view atteindre un dtecteur. Toute dtectivit sera 295K B ackground T emperature ncessairement infrieure la valeur BLIP. La figure ci-contre donne D* pour diffrents matriaux usuels. En pointill figure le cas idal BLIP calcul la longueur d'onde pic. Deux informations indispensables sont prcises sur ce graphe: "2 steradians field of view-295K background temperature". L'ouverture du cne de rception et la temprature de fond sont bien sr deux paramtres cls. Un cne plus petit permet d'augmenter la dtectivit (diminuer le bruit) puisque la surface sensible voit alors moins de fond (ce paramtre sera un paramtre de conception trs important). Quant la temprature, elle fixe la valeur de la luminance photonique. Il est intressant de noter que les dtecteurs pyrolectriques, les thermopiles ou les bolomtres ont une Figure 33- Dtectivit spectrale spcifique de dtecteurs dtectivit spcifique gnralement beaucoup IR. Les indications "field of view" et "background plus faible que les photodiodes usuelles. temperature" sont indispensables.
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2-Signal IR et Temprature quivalente de bruit Un systme IR a souvent pour fonction de dtecter sur un fond Fond de temprature temprature uniforme (la mer par exemple) la prsence d'un objet ou de uniforme dtecter des variations de temprature d'un objet lui-mme (contrle de process industriel, imagerie thermique...). Le signal utile peut se rsumer Zone de contraste thermique un contraste ou une variation de temprature. Cette notion est fondamentale pour comprendre le fonctionnement des systmes IR: ces Figure 34- Le signal utile rsulte longueurs d'onde, une diffrence de flux est quivalente une diffrence d'un contraste thermique de temprature. Il est donc intressant de pouvoir quantifier la plus petite diffrence de temprature que le systme est capable de dtecter. Cette grandeur est appele Temprature Equivalente de Bruit (ou NETD pour "Noise Equivalent Temperature Difference"). La NEP systme quantifie le plus petit FLUX dtectable. A partir de la NEP, on peut remonter la NETD partir des caractristiques de rception et de la pente de la luminance. Un exemple de calcul est pouss plus avant dans le TD. 3-La conception d'un systme optronique IR:TD-cours L'exemple choisi est la ralisation d'un quipement infrarouge pour la dtection de naufrag en mer partir d'un hlicoptre. Comment se conoit un projet, de cette ide succincte jusqu'aux premiers essais grandeur nature? Mme si chaque projet a bien sr ses spcificits, le cheminement est quant lui semblable. Aprs avoir dfini (ou que le client ait fourni) un cahier des charges aussi prcis que possible, une architecture est propose. Il faut ensuite modliser les performances potentielles avant de procder aux premiers essais. Ce TD reprend ces principales tapes ( l'exception de la dernire!) et investit quelques notions importantes tudies tout au long de ce polycopi et du cours de photomtrie. La confrence de Laurent Mazuray (Systmes Optroniques Spatiaux - Astrium - Toulouse) viendra complter ce TD en dtaillant la dmarche industrielle de conception d'un systme et la coordination des diffrents partenaires mis en jeu. Cahier des Charges Il sert dfinir les missions et les contraintes du systme. Il est important qu'il soit le plus dtaill et le plus prcis possible. Dans le cas de notre projet, de nombreuses questions sont se poser: la dtection se fait elle de jour ou de nuit, questions sur l'hlicoptre,etc...? Dtailler les diffrentes informations ncessaires la ralisation d'un cahier des charges prcis dans le cadre de ce projet. Architecture et Bloc-Diagramme Une fois le cahier des charges proprement dfini, une ou plusieurs architectures peuvent tre proposes. Cette tape permet de choisir un principe de fonctionnement susceptible de rpondre au cahier des charges (systme actif ou passif, bande spectrale de dtection,...) et d'en faire ressortir les caractristiques essentielles. En particulier, l'accent sera mis sur les sous-systmes et les paramtres extrieurs influant leur fonctionnement. Un bloc-diagramme mettant en vidence les diffrents composants (letronique, optique, mcanique, environnementale,...) et relations entre eux traduit de manire synthtique l'ensemble de ces donnes. La mission du systme est de dtecter un homme la mer. Sur quel principe physique peut s'appuyer cet quipement? Quelle bande spectrale est la mieux adapte ce systme? Choissisez-vous un systme actif ou passif? Donner un nom ce systme qui rsume l'ensemble de ces choix (mission, principe physique, bande spectrale, actif ou passif).
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De la scne observe jusqu'au traitement final (qui peut tre ralis par un oprateur), la chane est constitue de nombreux lements. Quels sont dans le cadre de notre projet ces diffrents lments? Une question est reste en suspens. Comment observer efficacement la scne? Pouvez vous proposer une technique opto-mcanique efficace? Cette technique est un bloc supplmentaire ajouter la question prcdente. Dessiner le bloc-diagramme. Une fois les blocs identifis, il est possible de prciser pour chacun d'entre eux les spcifications techniques qui seront importantes de dfinir ultrieurement(bande passante, distance focale, ouverture, conditions de travail...). Ajouter au diagramme prcdent les spcifications techniques prendre en compte. A cette tape, un nonc plus technique du TD vous sera fourni. Dfinition Technique et Etudes des Performances Potentielles L'architecture tant dsormais clairement dfinie, l'tape suivante consiste optimiser les spcifications techniques et valuer (ou simuler) les performances potentielles du systme. Quelle focale choisir pour la partie optique, cette focale devant tre adapte la scne observe et au dtecteur choisi? Comment adapter la bande passante de l'lectronique? Partie Optique: Choix d'une focale adapte afin de maximiser le signal La taille de la surface sensible est fixe (seul dtecteur disponible sur le march par exemple). Quelle focale choisir pour le systme optique? Quels paramtres guident ce choix? On pourra considrer que la surface typique occupe par le naufrag est de 1x1m. Partie Electronique: Choix d'une BP adapte pour limiter le bruit Quelle est la vitesse de balayage angulaire de la bande de mer analyse chaque ligne? Quelle est la forme temporelle du signal? Combien de temps le systme "voit"-t-il le naufrag? En dduire la bande passante lectronique adapte au signal. Performances potentielles: de la NEP la NETD Rappeler la signification physique du flux quivalent au bruit. Quel est le flux quivalent au bruit (FEB ou NEP) du sytme (on ne prend en compte que le bruit de dtection)? Quelle relation photomtrique relie un flux et une tendue gomtrique dans le cas d'une luminance uniforme? Calculer l'tendue gomtrique dfinie par le dtecteur et l'optique du systme. Sachant que la drive partielle de la luminance dans cette bande spectrale est L/T=0,6 W.m-2.sr-1.K-1, dduire de la NEP la valeur de la NETD.

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Vers une tude plus approfondie du systme D'autres sous-ensembles du systme seraient tudier en dtail. L'laboration de la partie automatise de dtection ncessiterait par exemple un travail important de traitement du signal et d'informatique. Des questions fondamentales n'ont pas encore t souleves. La rflexion de la tuyre de l'hlicoptre (source chaude) sur la mer pourrait tre une source rdhibitoire de fausses alarmes. Il faudrait alors abandonner l'architecture prcdente et choisir un systme actif: un laser claire la scne et la dtection peut se faire dans une bande spectrale trs troite, ce qui permet de rejeter cette source de fausses alarmes. Ce TD-cours avait pour objectif de vous convaincre de la multidisciplinarit qu'exige la conception d'un systme optronique (mcanique, opto-mcanique, lectronique, optolectronique, informatique, optique physiologique...) tout en soulignant l'importance du bloc de dtection et de son optimisation. Ce bloc est une position charnire du systme et ncessite une attention toute particulire qui dcidera des performances ultimes du systme.

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Quelques rfrences bibliographiques "Bases de radiomtrie optique" (J.L. Meyzonnette, T. Lpine, Cpadus Edition ): un ouvrage issu du cours de radiomtrie qui est enseign l'Ecole Suprieure d'Optique. "Rayonnements optiques" (F. Desvignes, Masson): dcrit les phnomnes lis la propagation des signaux optiques et aux proprits radiomtriques des matriaux, des milieux, des sources et des rcepteurs. "Optolectronique industrielle: conception et applications" (P. May, Dunod): fait le point des connaissances ncessaires pour aborder l'optolectronique. Dtecteurs divers, convertisseurs, photocoupleurs, fibres, cristaux liquides, CCD... De nombreux montages pratiques. Le montage "Commande automatique d'un clairage" prsent dans ce polycopi est extrait de cet ouvrage. "Acquisition et Visualisation des images" (A. Marion, Eyrolles): traite des notions thoriques et des aspects fondamentaux du traitement d'image. Formation des images, capteurs d'image, colorimtrie, aspects neurophysiologiques de la vision...

Quelques sites internet de distributeurs opto-lectroniques usa.hamamatsu.com/hcpdf/catsandguides/ Compound_semiconductor.pdf: une notice trs complte sur les composants semiconducteurs. usa.hamamatsu.com/detectors.htm :Photodiodes , CCDs , MOS Linear Image Sensors, Photo ICs... www.sel.sony.com/semi/pdctguid.html: CCD Area Sensor ICs,CCD Linear Sensor ICs... www.mellesgriot.com www.optonlaser.com www.newfocus.com Quelques sites prsentant des systmes optroniques www.riegl.co.at/lasertape/f_fg21lr.htm : Tlmtre laser longue porte lmdx.lmd.polytechnique.fr/~Lidar/LVT/lvt.html: Lidar atmosphrique du laboratoire de mtorologie dynamique de l'X http://www.ineris.fr/connaitre/domaines/chroniques/lidar/lidar1.htm: Lidar d'analyse de qualit de l'air http://wwwrc.obs-azur.fr/cerga/laser/laslune/instrum.htm: L'instrumentation de la station de tlmtrie Laser-Lune http://perso.wanadoo.fr/csom/rla500.htm: Contrleur de linarit pour systme robotis http://www.ssco.asso.fr/symposiums/1996/applications_militaires.htm: Les applications militaires des lasers http://www.onera.fr/cahierdelabo/lexique/fr/camera_infrarouge.htm: Contrle non destructif par thermographie (ONERA)
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