ENJEUX ET DFIS DE L'INTGRATION 3D EN LECTRONIQUE DE PUISSANCE

AVEC L'AIMABLE CONCOURS DE : B. ALLARD (AMPERE), S. AZZOPARDI (IMS), J.C. CREBIER (G2ELAB), Z. KHATIR (INRETS), E. LABOUR (SATIE), T. LEBEY (LAPLACE), J.L. SANCHEZ (LAAS)

F. FOREST

INTGRATION DE PUISSANCE PLAN

LMENTS SUR L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE Principes Problmatiques Applications Parallle -EN / EP L'INTGRATION DE PUISSANCE Dfinition Les enjeux et les dfis Le prsent et les volutions autour du Si Le prsent et les volutions autour des passifs Intgration et architectures CONCLUSION

LMENTS SUR L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE : PRINCIPE 1

VDC

Fdec

Rglage Conversion et contrle de l'nergie lectrique Par commutation et filtrage non dissipatif

Commutation a dures modules

Filtrage

- Forts rendements (80 98%) - Matrise quasi-totale de la transformation et du contrle - Puissance volumique - Commutations polluantes Aux plans lectrique et lectromagntique 1kHz < Fdec < 5MHz - Forte empreinte du filtrage

i transistor

A B

v transistor

"PORTE" LMENTAIRE DE CONVERSION : "PARENT" AVEC LA -LECTRONIQUE

LMENTS SUR L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE : PRINCIPE 2

Fdec >>
SOURCE d'nergie fixe non rgule origine DC ou AC

Fs >> Fco
TENSION DE SORTIE

Fco
COURANT DE SORTIE

PUISSANCE
CONSIGNE

SIGNAL
FONCTION ASSURE : Transformation de la forme de l'nergie lectrique dlivre par une source lectrique fixe AC ou DC et contrle des paramtres de la forme modifie et/ou Amplification de puissance haut rendement et "large bande passante" prlevant son nergie sur une source lectrique fixe AC ou DC destination de rcepteurs passifs ou d'autres sources d'nergie lectrique

LMENTS SUR L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE : PROBLMATIQUE

80C-150C
CONNECTIQUE CONTRLE COMMANDE

SEMICONDUCTEURS PUISSANCE

FILTRES

SEMICONDUCTEURS

FILTRES

REFROIDISSEMENT

CONTRLE COMMANDE
PROBLMES "DIVERS ET VARIS" - Gestion d'nergie, donc tensions et courants levs : impact tous les niveaux, matriaux, composants, connectique, packaging, Fiabilit, Scurit. - Pertes, semi-conducteurs (conduction commutation), composants magntiques (pertes fer et Joule), condensateurs (dilectriques, Joule) 99% de rendement 100kW correspond 1kW de pertes - "Duret des commutations", qques kV/s, qques kA/s, "arrosage" lectromagntique large spectre sur l'environnement, ventuellement auto-perturbation, importance du cblage - Connectique trs sensible, composantes parasites (condensateurs et inductances) gnrant une multiplicit de chemins de perturbations - Filtrage : il peut reprsenter jusqu' 60-70% du volume, grande difficult d'liminer les composantes harmoniques > 1MHz (chemins parasites)

LMENTS SUR L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE : APPLICATION 1

Qques cm

oltage

egulator

odule

1V -100A (100W) 500 kHz MOSFET 30V 25A 5m

5 mm

DYNAMIQUE DE RACTION PAR RAPPORT AUX BRUTALES VARIATIONS DE CHARGE (100A/s)

DU PETIT

LMENTS SUR L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE : APPLICATION 2

"DRIVE" de puissance

AU TRS GRAND

IGBT 3300V-1200A
20 cm

2.5 m

ALSTOM

PARALLLE -LECTRONIQUE - LECTRONIQUE DE PUISSANCE 1 COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEURS (ACTIFS)

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CELLULE MOS 1V - HORIZONTALE - EPAISSEUR OXYDE, 1nm - LONGUEUR CANAL 65nm - PAISSEUR TOTALE qques 100 nm (qques 108 CELLULES / cm) DANS 1cm - 108 FONCTIONS "TRANSISTOR" - PLUSIEURS CENTAINES DE CONNEXIONS EXT. - FRQUENCE, qques100 MHz qques GHz

IGBT 600V "TRENCH" - VERTICAL, MULTI-CELLULAIRE - EPAISSEUR OXYDE, 100 nm - LONGUEUR CANAL qques m - PAISSEUR TOTALE 100 m (qques 106 CELLULES / cm) DANS 1cm - 1 FONCTION TRANSISTOR - 3 ENSEMBLES DE CONNEXIONS EXT. - BOTIER HAUTE TENSION - FRQUENCE, 10kHz 1MHz

PARALLLE -LECTRONIQUE - LECTRONIQUE DE PUISSANCE 2 STRUCTURES, FONCTIONS

NERGIE LECTRIQUE INFORMATION, SIGNAL

SYSTMES INFORMATION, SIGNAL -ELECTRONIQUES

= Gigaflops/Watt ? CHALEUR - Cellule de base fige - Contraintes lectriques figes - Problmatique de conception dans l'agencement des millions de cellules, essentiellement "Silicium" - Trs grande complexit fonctionnelle - Outils de conception aboutis (conception/simulation/production)

Pe

ELECTRONIQUE NERGIE LECTRIQUE DE PUISSANCE

Pe-Ps = Ps/Pe CHALEUR

Ps

- Cellule de base trs variable - Contraintes lectriques variables - Problmatique de conception dans l'agencement de la cellule, de nature hybride et multi-physique - Faible complexit fonctionnelle - Outils de conception disperss (prototypages ncessaires)

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L'INTGRATION DE PUISSANCE, QU'EST CE QUE C'EST ?

CONNECTIQUE COMPOSANT MAGNTIQUE

CONDENSATEURS Si PUISSANCE Si COMMANDE

A B C C A

MUTUALISATION DES FONCTIONS (EX : CONNECTIQUE) CO-FABRICATION

MOSFET

DRIVER

B
DRIVER MOSFET

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LES ENJEUX DE L'INTGRATION DE PUISSANCE

PRESSION
PLUS COMPACTE, PLUS EFFICACE (RENDEMENT) PLUS PROPRE (CEM) INTGRATION NOUVEAUX MATRIAUX ET COMPOSANTS ARCHITECTURES

CONCEPTION ET FABRICATION PLUS STANDARDISES PLUS "FONCTIONNELLE" PLUS MODULAIRE PLUS FIABLE DANS CONTEXTES PLUS DIFFICILES

+ MAGNTIQUE

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RSUM DES PRINCIPAUX DFIS DE L'INTGRATION

MODLES, MTHODES DE CONCEPTION MULTI-PHYSIQUES 3D CONCEPTION D'ARCHITECTURES ET DE SOUS-FONCTIONS NOUVELLES ET/OU SPCIFIQUES EN 3D

GESTION THERMIQUE 3D

CEM 3D

ASSEMBLAGES ET CONNECTIQUES 3D

HAUTE TEMPRATURE COMPATIBILIT D'ASSEMBLAGE PROCDS DE CO-FABRICATION 3D FIABILIT ASPECTS VOQUS

MATRIAUX PLUS PERFORMANTS

CUR DE LA PRSENTATION

ASPECTS NON ABORDS ICI MAIS NANMOINS ESSENTIELS

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INTGRATION DES COMPOSANTS ACTIFS 1 MATRIAUX-ASSEMBLAGES : le prsent et ses problmes

AlSiC

OPTIONS DOUBLEFACE BUMPS OU BONDINGS PUCE BRASURE

CUIVRE CERAM. CUIVRE DIRECT COPPER BONDING

BRASURE SEMELLE

125C-200C

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INTGRATION DES COMPOSANTS ACTIFS 2 MATRIAUX-ASSEMBLAGES : le prsent et ses problmes

VIELLISSEMENT DES ASSEMBLAGES

INRETS

VIELLISSEMENT DE LA CONNECTIQUE ET DES MTALLISATIONS

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INTGRATION DES COMPOSANTS ACTIFS 3 GESTION THERMIQUE

SOURCE DE CHALEUR (175C puis 300-400C ?) RPARTITEUR
Densits de courant nominales mnent qques 100W/cm

Matriaux trs forte conductivit thermique Caloducs

TRANSPORT T = RTH P

Boucles fluidiques Caloducs : Boucles diphasiques -capillaires

Boucles diphasiques pulses -jets

Profils ailette ventils ou non ventils Echangeurs fluides-air CHANGEUR CONFIGURATIONS VARIABLES SUR LA LIAISON SOURCE DE CHALEUR / CHANGEUR

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INTGRATION HYBRIDE DES COMPOSANTS ACTIFS 4 GESTION THERMIQUE : Exemples d'tudes

G2ELAB, LAAS, ALSTOM, CEA

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INTGRATION HYBRIDE DES COMPOSANTS ACTIFS 5 GESTION THERMIQUE : Projections

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INTGRATION DES COMPOSANTS ACTIFS 6 ASSEMBLAGES ET GESTION THERMIQUE : Exemples d'tudes

SEMIKRON
Dielectric Metallization

Ceramic

CHIP

CHIP

Dielectric Layer

Cu

Ceramic

CHIP

ALSTOM (PEARL) CPES

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INTGRATION COMPOSANTS ACTIFS 7 NOUVEAUX COMPOSANTS

COMPOSANTS "DOUBLE- FACE"

COMPOSANTS DE PUISSANCE SiC Champ de rupture SiC > 7 fois Si

HAUTE TENSION

DIODES, JFETs, MOSFETs, BIPOLAIRES

D'aprs Jun Wang et Al

TJMax 600C
HAUTE TEMPRATURE
Dmonstrateur "Ampre"

CREE, TOYOTA-TOSHIBA, SICED (SIEMENS) AMPERE, ISL, ERLANGEN, BOLOGNE, CNM BARCELONE

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ARCHITECTURES ET INTGRATION : exemple

PORTE OUVERTE PAR LE DVELOPPEMENT DE L'INTGRATION : SYSTMES GRAND NOMBRE DE CELLULES (k > 5)

ASSEMBLAGE HYBRIDE CLASSIQUE = 1 CELLULE

FRAGMENTATION DES CELLULES DIRECTEMENT SUR LES PUCES OU PAR ASSEMBLAGE HYBRIDE

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BILAN SUR L'INTGRATION DES COMPOSANTS ACTIFS

BEAUCOUP D'ACTIVITS : LES COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS SONT DES ACTEURS MAJEURS ET CONSTITUENT LA PARTIE CONSIDRE COMME "NOBLE" DE L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE, ON EST ENCORE TRS LOIN DE L'INTGRATION COMPLTE "MIXTE". LES EFFORTS PORTENT ESSENTIELLEMENT SUR L'AMLIORATION DE LA GESTION THERMIQUE, LA CONNECTIQUE, LA FIABILIT DES ASSEMBLAGES, LA MONTE EN TEMPRATURE, L'INTGRATION FONCTIONNELLE, MAIS SURTOUT DANS UNE OPTIQUE "SEMICONDUCTEUR ET SON ENVIRONNEMENT"

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INTGRATION DES COMPOSANTS PASSIFS 1 CONDENSATEURS : petits rappels

C = S/e Wc = CV/2

S e,

MATRIAUX DILECTRIQUES : fort , bonne rigidit dilectrique, faible tg (pertes dilectriques) Films polymres, cramiques Rfrence : Titanate de baryum r = qques 1000, E=qques 10kV/mm, tg=10-4

ELECTRODES : Qualit du report Fortes contraintes en courant (effet de peau)

"Facteur de mrite" = x Emax/tg NCESSIT DE MULTI-COUCHES POUR OBTENIR DE FORTES VALEURS

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INTGRATION DES COMPOSANTS PASSIFS 2 LES CONDENSATEURS : tour d'horizon

Besoins gnraux : quelques nF qques 100F, qques 10V jusqu' qques 1000V

r = 3 7, qques 0.01J/cm3
< 0.5F/cm3 pour 400V

80C-100C

r = 7 10, 1J/cm3
Forte rsistance srie

Condensateurs film (Bob ou Empil)

Condensateurs Chimiques (Bob)

qques 0.01J/cm3
150C-200C

r = 1000 4000

Qques F/cm 10-4J/cm ( BT)

r = 3 7

Condensateurs cramiques (Empil)

TENDANCE INTGRATION HYBRIDE

Condensateurs Si (Doc. LAAS)

TENDANCE INTGRATION SUR Si

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INTGRATION DES COMPOSANTS PASSIFS 3 COMPOSANTS MAGNTIQUES

CONDUCTEURS : Fortes contraintes en courant HAC j iAC RAC >> RDC

Effet de peau Couches planes dans le bon axe, Fils de Litz

"Facteur de mrite Magntique ": Bmax/pertes MATRIAUX MAGNTIQUES r de 100 qques 1000, forte induction saturation, faibles pertes AC, Poudres de fer, nanocristallins, Ferrites (cramiques) Standard : Ferrites Mn, Zn, r = qques 1000, Bsat=0.3 0.4, Pertes = qques 100mW/cm3 ISOLANTS LECTRIQUES : Bonne rigidit dilectrique, grande rsistivit, faible maillage, couches planes sparatrices

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INTGRATION DES COMPOSANTS PASSIFS 4 LES COMPOSANTS MAGNTIQUES : tour d'horizon

Bsat = 0.8T Fortes pertes Inductances Bsat = 1T Faibles pertes Inductances Saturables Transformateurs
100C-200C

Besoins gnraux : inductances qques 100nH qques mH, transformateurs

Tores poudres de fer

Tores Nanocristallins

Bsat = 0.3T Faibles pertes Inductances Transformateurs Circuits magntiques "ferrite"

TENDANCE INTGRATION HYBRIDE

Inductances sur Si air ou NiFe (Doc LAAS / G2ELAB)

TENDANCE INTGRATION SUR Si

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INTGRATION DES COMPOSANTS PASSIFS 5 DISPOSITIFS PASSIFS HYBRIDES : une piste forte de mutualisation

Condensateurs cramiques (Empil) CONDENSATEURS CONDUCTEURS + DILECTRIQUES CRAMIQUES

Circuits ferrite planar et conducteurs "plan" COMPOSANTS MAGNTIQUES CONDUCTEURS + ISOLANTS + MAGNTIQUES CRAMIQUES

TECHNO COMPATIBLES

DISPOSITIFS PASSIFS HYBRIDES (EX : FILTRES HYBRIDES)

CO-FRITTAGE

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INTGRATION HYBRIDE DES COMPOSANTS PASSIFS 6 DISPOSITIFS PASSIFS HYBRIDES : Exemples d'tudes structurelles

ANR 3DPHI

CPES

28

INTGRATION HYBRIDE DES COMPOSANTS PASSIFS 7 DISPOSITIFS PASSIFS HYBRIDES : Co-frittage LTCC
LTCC : LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC 900C

Coulage en bande

Poinonnage

Remplissage

Mtallisation

Laminage

Cofrittage

- Nouvelles chelles (isolant pour tensions, conducteur pour courants) la connectique de puissance 3D est un problme majeur - Extension des capacits d'association de matriaux + nouveaux matriaux pour l'instant surtout conducteur+dilectrique, la ralisation d'un composant magntique 3D est un problme majeur - Le drainage thermique impose probablement l'intgration de fluidique

PROBLMATIQUE D'EXTENSION L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE

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INTGRATION HYBRIDE DES COMPOSANTS PASSIFS 8 DISPOSITIFS PASSIFS HYBRIDES : Co-frittage SPS

SPARK PLASMA SINTERING FRITTAGE "FLASH"

Electrode Graphite die Powder Pressure Vacuum chamber Punch DC current

800C

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BILAN : VOIES D'INTGRATION

TENDANCE SUR Si

TENDANCE CRAMIQUE SANS Si (SC)

MATRIAUX CRAMIQUES MASSIFS : - BONNES PERFORMANCES DANS LES COMPOSANTS DISCRETS - CO-FABRICATION SANS Si (FRITTAGE HT) - MATRIAUX DURS, USINAGE TRS DIFFICILE

DCOUPE + PUZZLE ?

AUTRES OPTIONS : LTCC, SRIGRAPHIE, JETS D'ENCRES - PLUS ADAPTE LA CO-FABRICATION (sans Si) - MATRIAUX ET PROCDS DVELOPPER

DOC. LAAS

INTEGRATION HYBRIDE DES FONCTIONS SANS Si + REPORT, MOYENNE TENSION, MOYENNE PUISSANCE qques W-qques kW

INTEGRATION DES FONCTIONS SUR COUCHES Si + EMPILEMENT, BASSE TENSION, FAIBLE PUISSANCE qques 10mW-1W

31

BILAN SUR L'INTGRATION DES COMPOSANTS PASSIFS

TRS EN RETARD SUR L'INTGRATION HYBRIDE DU Si SITUATION DIFFICILEMENT COMPRHENSIBLE EN REGARD DE LA PROPORTION DES PASSIFS DANS CERTAINES APPLICATIONS (JUSQU' 70% DU VOLUME) MATRIAUX ET PROCDS AU CUR DU PROBLME MAIS NE PAS OUBLIER LES CONTRAINTES DE CONCEPTION DE "BONS" COMPOSANTS PASSIFS PREMIRE TENDANCE PROBABLE : INTGRATION DES FONCTIONS PASSIVES AUTOUR D'UNE LOGIQUE "CRAMIQUE" PUIS ASSOCIATION "ASTUCIEUSE" LA PARTIE ACTIVE. LA RECHERCHE ACADMIQUE PEUT TRE AUX AVANTS POSTES SI VRITABLES ACTIONS INTERDISCIPLINAIRES

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CONCLUSION SUR LES DFIS DE L'INTGRATION DE PUISSANCE 3D

MATRIAUX, PROCDS COMPO. ACTIFS ET ENVIRONNEMENT NOUVEAUX COMPOSANTS ACTIFS

HAUTE TEMPRATURE

CEM 3D

ASSEMBLAGE, CO-FABRICATION 3D

GESTION THERMIQUE 3D

MATRIAUX, PROCDS, COMPOSANTS, ASSEMBLAGES, FIAB.

CONTEXTE MULTI-PHYSIQUE

ARCHITECTURES ET SOUS-FONCTIONS

CONCEPTION, CARACTRISATION, TESTS

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DE GROS EFFORTS DE STRUCTURATION ET DE MUTUALISATION NATIONALES

LAB