lectricit photovoltaque

Filires et march
par

Jean-Claude MULLER
Membre du Programme interdisciplinaire nergie du CNRS
Institut dlectronique du solide et des systmes InESS (UMR 7163, CNRS-ULP)

1.
1.1

Matriaux et filires technologiques ..................................................

La filire silicium..........................................................................................
1.1.1 Matire premire de silicium.............................................................
1.1.2 Silicium monocristallin ......................................................................
1.1.3 Silicium polycristallin gros grains, nomm silicium
multicristallin ......................................................................................
1.1.4 Silicium en ruban autosupport ........................................................
Silicium en couches minces........................................................................
1.2.1 Silicium nanocristallin et amorphe ...................................................
1.2.2 Mariage de lamorphe et du cristallin ...............................................
Autres matriaux en couches minces mergeants...................................
1.3.1 Matriaux base de tellurure de cadmium......................................
1.3.2 Matriaux base de slniure de cuivre indium (CIS)....................
Apparition de nouveaux matriaux et concepts .......................................
1.4.1 Cellules multi-spectrales ....................................................................
1.4.2 Composs organiques .......................................................................
1.4.3 Apparition de nouveaux concepts ....................................................

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3
4
4
4
5
5
5
5
5
6
6
6

6
7

2.3

March du photovoltaque.....................................................................
Les diffrents types de march photovoltaque ........................................
Installations cumules : forte prdominance de la production
dlectricit connecte au rseau ...............................................................
Adaptation du produit au march ..............................................................

7
8

3.

Perspectives davenir du photovoltaque ..........................................

Rfrences bibliographiques .........................................................................

1.2

1.3

1.4

2.
2.1
2.2

vant la fin de la premire moiti de ce sicle, la conversion directe de la

lumire du soleil en lectricit grce au photovoltaque (PV) devrait franchir
le seuil qui le rendra comptitif par rapport aux autres sources de production
dlectricit.
Dans le dossier [BE 8 578], les principes de la conversion photovoltaque ont
t donns. Ils incluent des notions relatives lnergie transmise par le soleil,
des lments de physique des semi-conducteurs, les mcanismes de conduction
de charges lectriques, les caractristiques lectriques fondamentales du dispositif photovoltaque et son usage en tant que gnrateur de courant. En
conclusion, une application pratique donne une valuation rapide du dimensionnement dune installation photovoltaque.
Dans les pages suivantes, on sintresse aux diffrentes filires dlaboration
du dispositif photovoltaque. En effet, il reste des verrous technologiques lever
relatifs la fabrication des cellules solaires, qui sont trop gourmandes en nergie et qui ont des rpercussions sur lenvironnement : si la cellule photovoltaque produit de llectricit sans aucun rejet dans latmosphre, beaucoup de
procds actuels de fabrication sont proches de ceux de la microlectronique et
mettent en jeu trop doprations qui ncessitent lusage de produits chimiques

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BE 8 579 1

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

et de gaz extrmement toxiques. La dernire partie est consacre des

exemples dapplications du photovoltaque en sites isols ou connects des
rseaux, ainsi qu lvolution du march et des prix du kilowattheure photovoltaque lhorizon 2040.

c-Si

Silicium microcristallin

a-Si

Silicium amorphe

CIS

Chalcognures

Cz

Tirage Czochralski

EMC

Croissance lectromagntique

FZ

Tirage par zone flottante

HIT

Htrostructure

mc-Si

Silicium multicristallin

MWc

Mgawatt crte, puissance mesure midi

pc-Si

Silicium polycristallin

p-i-n

Structure zone intrinsque

pm-Si

Silicium polymorphe

Rendement (%)

(0)

Abrviations

40

Nouv Mat

35

Films minces Si

30
25
20

Si cristallin

15
CIS

10

Organique

a-Si

p-n

Structure jonction plane

RCC

Structure contacts arrires

Sc-Si

Silicium monocristallin

1. Matriaux et filires
technologiques
Nous avons reprsent sur la figure 1 les volutions des rendements
de conversion des meilleures cellules de laboratoire pour les diffrentes filires dlaboration de dispositifs photovoltaques. La plus
ancienne est la filire du silicium cristallin (Sc-Si), avec des premires
cellules ralises par Bel Lab. (USA) en 1954, en mme temps que la
ralisation des premires diodes et transistors. Elle reste toujours la
voie la plus avance sur le plan technologique et industriel. Pour les cellules base de plaquettes en silicium cristallin, les rendements en laboratoire sont de 24,7 % et on atteint les limites thoriques du silicium.
Pour les rendements sur de grandes surfaces, lavenir passe par une
rduction drastique des cots et une constante augmentation des rendements industriels au-del des 16 17 % actuels.

0
1940

1960

1980

2000

2020

2040

2060
Annes

Figure 1 volution des rendements des diffrentes filires de

cellules photovoltaques : base de silicium cristallin, de couches
minces (silicium amorphe, polycristallin et chalcognures),
de matriaux organiques et nouveaux concepts [1]

Ruban de Si
0,9 %
a Si
a Si sur c Si
3,4 %
4%
CdTe
CIS
0,5 % 0,4 %

Multi : mc Si
61,8 %

c Si sur c Si
1,8 %
Mono
c Si
26,9 %

Figure 2 Illustration de la prpondrance des matriaux base

de silicium cristallin dans la production de cellules. Source AIE [2]

Les cellules du futur, base de matriaux nano-structurs, restent

au niveau du concept, et une recherche fondamentale de base est
encore ncessaire.

Les couches minces base de silicium amorphe (a-Si) et de cuivre-indium-slnium (CIS) ont commenc tre tudies dans les
annes 1970, avec une industrialisation trop rapide et dcevante
pour la premire, et une progression du rendement de conversion
plus prometteuse pour la seconde. Pour ces filires, les rendements
industriels stagnent autour des 10 %. Lobjectif majeur reste laugmentation des rendements de conversion pour le silicium (amorphe, polymorphe, micro- et poly-cristallin) ainsi que pour les
matriaux composs base de chalcognures (CIGS).

Comme prs de 95 % des cellules sont base de silicium cristallin

(figure 2), nous donnons au lecteur un minimum de connaissance
de ce matriau et de ses procds de fabrication.

Les filires base de films minces de silicium polycristallin et

base de matriaux organiques sont encore au stade du laboratoire
et peinent obtenir des rendements la hauteur des esprances
(courbes dvolution escomptes pour les performances en trait
plein ou pointill sur la figure 1). En effet, pour les cellules base de
matriaux organiques, le rendement de conversion est de 3,5 % en
dbut de vie.

Le silicium est lun des lments les plus abondants sur terre, parfaitement stable et non toxique. lavenir dautres matriaux
contribueront lenrichissement de la gamme des produits PV disponibles et stimuleront ce march trs prometteur. Aujourdhui ils
sont au stade prindustriel, au niveau de la recherche ou mme de
la validation des concepts. Nous prsenterons brivement ces nouveaux matriaux.

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1.1 La filire silicium

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1.1.1 Matire premire de silicium

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

1.1.3 Silicium polycristallin gros grains, nomm

silicium multicristallin

la base de toute lindustrie lectronique moderne, le silicium est

obtenu par rduction de la silice dans un four lectrique arc plus
de 200 C. On obtient ainsi un matriau dit mtallurgique , dont la
puret est denviron 98 %. Ce produit est purifi par chlorination
300 C, ce qui donne du silicium sous forme gazeuse (trichlorosilane
ou silane). Aprs pyrolyse et rduction par de lhydrogne
1 100 C, le matriau obtenu est sous la forme dune poudre de
haute puret ; les traces dimpurets rsiduelles sont infrieures au
ppm. Il sert alors de produit de dpart pour la croissance de lingots,
qui sont utiliss dans les industries de la microlectronique et photovoltaque. Cette matire premire cote de plus en plus chre en
raison de la forte augmentation de la demande. De ce fait de grands
groupes chimiques se proccupent de dvelopper un matriau de
qualit solaire avec des techniques de purification simplifies [3].

1.1.2 Silicium monocristallin

Il est possible davoir des monocristaux par la mthode Czochralski (note Cz), qui consiste tirer un cristal parfaitement cristallin de 30 cm de diamtre, long de plus de 1 m, partir dun germe
plong dans un bac de silicium fondu. Cependant, en partant de 1 kg
de minerai de silice, on nobtient pas plus de 100 g de silicium
monocristallin pour une dpense nergtique considrable, de
lordre du MWh. Le reste est perdu dans les diffrentes phases de
purification. De plus, la moiti du cristal part en poussire au cours
de la dcoupe en tranches de 300 m dpaisseur. Le silicium ainsi
obtenu est de type p, cest--dire dop avec du bore, par apport de
poudre. La concentration est comprise entre 1016 et 1017 atomes cm3,
de faon prsenter une rsistivit de lordre de 0,1 1 cm. Ce
choix rsulte dun compromis entre une rsistivit la plus faible possible et un dopage modr afin dviter la dgradation de la
longueur de diffusion des porteurs photognrs.
Par la suite, on cre une barrire de potentiel ncessaire la collecte des charges, cest--dire la structure mettrice des cellules
photovoltaques. Cette tape nest pas dtaille dans le cadre de
cette prsentation (figure 6 du dossier [BE 8 578]).
Il existe une seconde mthode : on chauffe jusqu la fusion une
zone que lon dplace le long dun lingot. On rcupre le silicium,
ainsi purifi, et que lon nomme FZ.
Avec les matriaux Cz et FZ, dits de la micro-lectronique, il est
possible dobtenir un rendement de conversion record en
laboratoire : 24,7 % (Universit de New South Walles, Australie [4]),
soit suprieur de huit points ceux de lindustrie.

Dans un polycristal, les monocristaux sont spars les uns des

autres par des zones perturbes, les joints de grains. Chaque cristal
de plus petite dimension na pas la mme orientation que son voisin. On privilgie les techniques de croissance qui assurent la formation dune structure colonnaire avec de gros cristaux (dnomm
silicium multicristallin, mc-Si) afin de limiter les effets nfastes des
joints de grains. Cette technique par solidification directionnelle a
t initie par Wacker ds 1975 [5].
Une variante de cette technologie de croissance, le procd Polix
[6] de Photowatt, est reprsente sur les figures 4 et 5. Des blocs de
plus de 250 kg sont ainsi obtenus par refroidissement contrl du
silicium en fusion dans un moule de nature approprie (souvent en
quartz). Cette mthode est plus rapide et moins coteuse en nergie
quune croissance dun lingot Cz ou FZ (24 48 h contre quelques
semaines pour ces derniers).
Afin de diminuer le bilan nergtique de la croissance de lingots
de silicium, de nouveaux matriaux produits par coule continue en
creuset lectromagntique sont en cours dindustrialisation au
Japon et en France [7].
Cependant le matriau multicristallin est dune part contraint et
disloqu, et dautre part contamin par des impurets rsiduelles de
la matire premire de silicium. Cette dernire est en partie
constitue par des rebuts de lindustrie de la microlectronique,
cest--dire de silicium monocristallin Cz ou FZ.
Les rendements de conversion industriels, qui taient de lordre
de 8 10 % avant 1980, sont actuellement de 16 17 % pour de grandes plaquettes de 12,5 12,5 ou 15 15 cm2. Ces progrs sexpliquent par lamlioration constante de la qualit des matriaux et par
laccroissement des connaissances de neutralisation des dfauts et
des impurets rsiduelles [8].
Actuellement, on sait parfaitement passiver les effets nfastes de la
plupart des dfauts cristallographiques. Par exemple, le dpt par
plasma dune couche de 70 nm de SiN (H) assure une diminution des
pertes par rflexion (effet anti-reflet), et neutralise galement des
dfauts de surface et de volume par lhydrogne. Les atomes dhydrogne se fixent sur les liaisons pendantes (ou brises) du silicium.
On peut galement dbarrasser partiellement les plaquettes de
silicium de leurs impurets mtalliques rsiduelles lors dun traitement thermique haute temprature : par un effet de migration, les
impurets se dplacent vers des sites situs en dehors des zones
actives, o elles sont piges. Ce phnomne est plus connu sous
sa dnomination anglaise : getter [9].

Larchitecture de la cellule la plus performante au monde est

reprsente sur la figure 3.
Spires radiofrquences
(chauffage)
Pyramides
inverses

Doigts

Creuset en quartz
Isolation

Double
couche
antireflets

Bain
de silicium
Isolation
thermique
amovible

n+

Silicium de type p

Lingot
solidifi

Support graphite

p+
p+

p+
Contact
arrire

Oxyde

Oxyde mince
(20 nm)

Figure 3 Structure de la cellule de laboratoire la plus performante.

Source Photovoltaics Special Research Center UNSW [4]

1re tape : fusion

2e tape : cristallisation

Figure 4 Principe de croissance par solidification directionnelle

du type Polix [6] dvelopp par Photowatt S.A. FR

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Lingot cristallis 20 kg

20 cm

Dcoupe des briques

Dcoupe des plaquettes (sciage fil)

,5
12

cm

160 cm

Fabrication des cellules

Assemblage des modules

12,5 cm

~ 80 cm

12,5 cm

Toutefois, le sciage de ces grands blocs reste une opration onreuse, car elle conduit une perte non ngligeable de matire. Llaboration du silicium volue vers des plaquettes ultra-minces
(actuellement aux alentours de 200 m chez Photowatt). La limitation mcanique des plaques due leur manipulation se situe environ 100 120 m. Lalternative consiste gnrer des gomtries
diffrentes ne ncessitant aucune opration de dcoupe.

1.1.4 Silicium en ruban autosupport

Les techniques de production de silicium en rubans autosupports ont t trs sduisantes sur le plan technologique. La plus connue est base sur leffet de la capilarit entre deux lvres de
carbone. Initi aux USA par Mobil-Tyco dans les annes 1975 [10], ce
procd est actuellement le seul tre produit industriellement, en
Allemagne par RWE Schott Solar. Dautres mthodes utilisent des
techniques de croissance de ruban sur un film ou une maille de
carbone.
Ces rubans ont connu de nombreux dveloppements au niveau
de la recherche et, pour certains dentre eux, jusqu la conception
de chanes de production pr-industrielles. Un exemple de croissance de silicium en ruban est donn sur la figure 6.
Cependant, la vitesse de croissance linaire est lente, gnralement de quelques cm/min quelques dizaines de cm/min. Elle est
impose par les critres de solidification qui dterminent la taille des
grains et la puret du matriau par la sgrgation des impurets.

Ruban de silicium
solidifi

Lvres
en carbone

Bain de silicium
fondu

Creuset
en graphite

Figure 6 Procd EFG de tirage de rubans de silicium par capillarit

travers un gabarit de carbone [10] permettant lobtention de tubes
octogonaux de silicium (avec un gabarit de forme octogonale).
(Source RWE Schott Solar)

BE 8 579 4

Figure 5 Principales tapes de fabrication

du matriau, de la cellule et du module
de la St Photowatt. S.A. FR

1.2 Silicium en couches minces

La technologie en couches minces de silicium cristallin dpos sur
un support consiste apposer une couche mince de silicium polycristallin, de 10 40 m dpaisseur, sur divers substrats de silicium
mtallurgique peu purifi, quartz, cramique ou mtal. Les rendements de conversion sont du mme ordre que ceux dune cellule sur
un matriau massif, moyennant un confinement optique et un
champ arrire rpulsif pour les porteurs minoritaires. Du fait de la
plus faible distance parcourue par les photons, on se contente dune
puret moindre pour le matriau de base. Toutefois, le point dterminant pour le dveloppement de cette mthode est le cot de la
matire premire de silicium.

1.2.1 Silicium nanocristallin et amorphe

Depuis les annes 1970 (figure 1), des recherches intensives ont
t entreprises pour utiliser du silicium non cristallis, cest--dire
ltat amorphe, dont les liaisons pendantes sont satures par hydrognation. Ce matriau prsente trois avantages majeurs :
un fort coefficient dabsorption, qui autorise de trs faibles
paisseurs de lordre du micron et qui diminue ainsi le risque de
pnurie de silicium ;
une faible consommation nergtique durant le cycle de production avec un temps de retour nergtique infrieur un an ;
une aptitude tre dpos en grandes surfaces unitaires, de
lordre du mtre carr, dun seul tenant.
Par contre, ses deux points faibles sont le rendement de conversion et la dgradation sous lumire (instabilit dite de StaeblerWronski). Ils sont de mieux en mieux surmonts par des artifices
technologiques tel que la superposition de deux structures p-i-n en
tandem , ou de trois couches actives trs minces. On rduit ainsi
la dgradation sous lumire de 30 % prs de 10 %.
La structure la plus simple dune cellule en silicium amorphe
(figure 7) se compose dune zone dope datomes de bore, intrinsque et dope datomes de phosphore (p-i-n). Chaque lment
peut tre directement connect en srie sans besoin de liaisons
externes.
Comme les rendements industriels stagnent depuis des annes
sous la barre des 10 %, cette filire voit ses parts de march diminuer. De ce fait, elle soriente davantage vers les petits systmes
dits grand public .

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Silicium amorphe
Lumire

Verre
Conducteur
transparent

LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

Grille Ni / Al
MgF2 (0,1 m)
ZnO (0,5 m)
CdS (30 nm)
Cu (In,Ga) Se2 (2 m)
Mo (0,5 m)

Couche p
Couche i

+
Verre

Figure 9 Vue en coupe dune cellule base de CuInSe [12]

Couche n

Mtal

1.3.1 Matriaux base de tellurure de cadmium

Connection des lments
Lumire

Verre
SnO2
a-Si
Al
Encapsulant
Figure 7 Cellule base de silicium amorphe structure p-i-n, et vue
en coupe dun module (Source Solems)

Jusqu une date rcente, il tait admis que la filire base de sulfure de cadmium et de tellure de cadmium (CdS-CdTe) reprsentait
lune des approches les plus prometteuses pour le photovoltaque
terrestre. La valeur 1,45 eV de la bande dnergie interdite du CdTe
est idalement adapte au spectre solaire. En outre, son trs grand
coefficient dabsorption (figure 5 de larticle [BE 8 578]) fait que la
quasi totalit du spectre est absorbe sur une profondeur de 2 m,
autorisant ainsi lutilisation de matriaux relativement impurs, dont
la longueur de diffusion des porteurs minoritaires ne dpasse pas
quelques m. Les rsultats de rendement de conversion sont trs
encourageants : plus de 10 % sur une grande surface. Cependant,
les problmes denvironnement associs lutilisation du cadmium
freinent les tentatives de dveloppement de cette filire.

1.3.2 Matriaux base de slniure de cuivre

indium (CIS)

lectrode

~10 nm

TCO
p type a-Si : H
i type a-Si : H

~200 m
n-type c-Si : H
~20 nm
i type a-Si : H
n type a-Si : H
TCO
lectrode
Figure 8 Htro-structures base de a-Si/silicium cristallin
(structure HIT de Sanyo) [11]

1.2.2 Mariage de lamorphe et du cristallin

Lavenir des couches de silicium amorphe passera, probablement,
par un mariage avec le silicium cristallin. En effet, les htro-structures
base de a-Si/silicium cristallin (structure HIT de Sanyo [15], figure 8)
ont des rendements de laboratoire de plus de 21 % et de 16 % en production industrielle. Elles devancent actuellement les dispositifs
base de silicium amorphe simple structure p-i-n (figure 2).

1.3 Autres matriaux en couches minces

mergeants
Les recherches intensives entreprises depuis de nombreuses
annes sur dautres matriaux que ceux base de silicium aboutissent peu peu au stade de lindustrialisation.

Avec un coefficient dabsorption 100 1 000 fois plus fort que

celui du silicium cristallin (dans la gamme de 1.1 2.6 eV), le dislniure de cuivre et dindium (CIS) est un matriau trs prometteur. Ce
compos de type I-III-VI, de structure chalcopyrite, a un rendement
thorique de lhtrojonction (n)CdS-(p)CuInSe2 qui se situe autour
de 25 %. Les cellules base de composs chalcopyrites quaternaires
du type Cu(Ga,In)(Se,S)2 ont rcemment atteint des rendements de
conversion record de 18,8 % en laboratoire.
Malgr les difficults connues pour matriser cette filire grande
chelle, un rendement de 12,8 % a t obtenu sur le plan industriel
(figure 9).

1.4 Apparition de nouveaux matriaux

et concepts
Les films minces sont des outsiders srieux, capables en principe
de pulvriser les performances combines de rendement et de
cot du Si cristallin massif. Leur dveloppement passe par un travail
de recherche relativement long avant denvisager une industrialisation substantielle, probablement vers la fin du premier quart du
21e sicle.
On notera que les cellules de trs haut rendement (silicium, composs III-V) ainsi que les systmes concentration restent des sujets
intressants, mais ils noffrent pas de dbouchs substantiels en
Europe. Quant aux cellules exotiques , elles ont un intrt du point
de vue de la recherche fondamentale, mais les plus sduisantes
dentre elles, les piles lectrochimiques base de TiO2 et de colorants
(dite cellule de Grtzel [13]), ont peu de chance de dboucher
grande chelle tant quelles comporteront un lectrolyte liquide et
prsenteront certaines instabilits. Enfin, les cellules base de matriaux organiques ne concerneront que des applications dans le
domaine de dispositifs bas cot jetables ou usage phmre, tant
que leur dure de vie restera sous la barre des 1 000 heures.

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2. March du photovoltaque

1.4.1 Cellules multi-spectrales

Un empilement infini de cellules, chacune tant adapte une
longueur donde, donnerait un rendement limite de 86,8 %, et un
empilement de trois cellules offrirait dj un rendement maximum
de 63,8 % [14]. La ralit est tout autre : les meilleurs rsultats exprimentaux sont de 36,9 % avec une structure triple du type InGaP/
GaAs/Ge [15].

1.4.2 Composs organiques

La production dnergie lectrique utilisant des matriaux organiques semi-conducteurs reste un dfi technologique majeur, en
terme de rendement et de stabilit : les cellules sont stables sur
500 heures seulement. Si ces problmes sont rsolus, le cot de
production de ces produits serait faible, et leur mise en forme relativement facile. Les enjeux conomiques sont vidents et lutilisation
de ce type de matriaux pour la prparation de dispositifs photovoltaques plastiques est un thme de recherche en plein essor.
Nanmoins, lefficacit de ces systmes pour la conversion de
lnergie lumineuse en nergie lectrique reste pour le moment
modeste. Longtemps dtenu par lUniversit de Linz en Autriche
[16], le record de rendement est de 3,5 % avec une stabilit ne
dpassant pas 500 heures (figure 10). Il a t rcemment port
5 % et 5,7 % par dautres quipes de recherches, sans prcision sur
la stabilit.

1.4.3 Apparition de nouveaux concepts

De nouvelles voies exploratoires sont engages : elles portent sur
lintgration de nanocristallites (minraux ou organiques) dans diffrentes couches fonctionnalises pour convertir par luminescence
les photons UV (trop nergtiques et peu efficaces pour la conversion photovoltaque) en photons ayant une longueur donde dans le
domaine du spectre visible [17].

Aprs avoir gagn le march des applications professionnelles en

sites isols et des services aux populations rurales des pays en
dveloppement, llectricit solaire a lespoir de saffirmer comme
source complmentaire des sources dnergie lectrique classiques
partout dans le monde, avant le milieu de ce sicle. Elle contribuera
alors dune faon non ngligeable la matrise de leffet de serre
(accords de Kyoto signs en 1997).
La production industrielle annuelle mondiale de modules photovoltaques (figure 11) est en croissance quasi-exponentielle : environ 35 % de croissance en moyenne du march par an durant les
huit dernires annes, avec un record de 66 % en 2004. Elle a atteint
1 638 MWc en 2005 [2]. Cest 20 fois plus de modules quil y a
15 ans, et les prvisions lhorizon 2010 donnent une multiplication
par cinq de la production.
Malgr limmense chemin parcouru, llectricit solaire na pas
encore franchi le seuil lui permettant dtre comptitive par rapport
aux autres sources de production dlectricit. Leffort apporter
doit amliorer dun facteur trois aussi bien le cot du watt install
que le cot du kilowattheure produit.
En 25 ans, le prix de revient du watt photovoltaque a considrablement baiss : suprieur 100 francs par watt en 1975, il est
aujourdhui tomb aux environs de 2 par watt pour les modules
PV. Le prix de vente du module photovoltaque est de 2,6 par watt
en 2005, est en baisse constante de 10 15 centimes deuro par watt
et par an. Le cot dun systme install de lordre de 3 kW (cest-dire denvirons 30 m2 voir [BE 8 578]) connect un rseau est de 5
6 par watt et de 8 10 par watt pour un systme en site isol
avec stockage par batteries.

1 400
MWc
1 200
1 000

ITO :
couche d'oxyde
d'indium - tain

80

h (400 nm)

60

Drivs du fullerne C60

C12H25O

Me

C12H25O

Figure 10 Vue en coupe dune cellule souple base de matriaux

organiques (Source Universit de Linz, Autriche [16])

BE 8 579 6

2004

2002

2000

1998

0
Contact
sur l'lectrode
d'aluminium

N
Source : Universit de Linz,
Autriche

20

1996

Contact
sur
ITO

40

1994

Al

1992

Substrat de verre

Annes
Reste du monde

Japon

USA

Total

Europe

Figure 11 volution du march mondial du photovoltaque

avec une priode de faible puis de forte croissance (en 2004,
la production a atteint 1 260 MWc avec un taux record de croissance
de 66 % et en 2005, 1 638 MWc, en hausse moyenne de 30 35 %
par an depuis 8 ans) [2]

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LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

2.1 Les diffrents types de march

photovoltaque
La technologie du photovoltaque ne sest dveloppe que trs
lentement par la conqute progressive de niches de marchs dans
les pays dvelopps, travers des applications professionnelles
(bornes tlphoniques dappels durgence, tldtection, alarme,
balisage et surtout relais de tlcommunication). Les profits raliss
sur les premires niches ont permis de dvelopper, au fur et
mesure, des marchs plus vastes.
Avec la croissance davant les annes 1998 (figure 11), il aurait
fallu attendre 25 ans pour que la production mondiale annuelle
atteigne 5 000 MW/an, soit lquivalent de 0,005 % de la consommation mondiale dnergie primaire prvue pour cette poque. Autrement dit, la conversion photovoltaque de lnergie solaire serait
reste un gadget ou, au mieux, une source nergtique pour les
sites isols.

Stations de pompage

Dispensaire

Figure 13 Exemples dapplications pionnires en site isol

du photovoltaque

Des actions politiques denvergure taient donc ncessaires et

attendues. Elles sont venues de lAllemagne, puis du Japon et plus
rcemment de lUnion Europenne travers des programmes
volontaristes qui ont dynamis la recherche et lindustrie photovoltaque. On assiste actuellement de nombreuses exprimentations
de systmes intgrs larchitecture et une diffusion massive
dinstallations prives connectes au rseau (programme du NEDO)
comme le programme de 100 000 toits PV en Allemagne et de
70 000 toits PV connects au rseau au Japon.
Les applications du photovoltaque couvrent tous les types de
demandes nergtiques.
Les premiers marchs pour les pays dvelopps sont les sites isols, comme lalimentation en lectricit des relais de communications, des balises, des dispositifs de scurit et autres systmes par
le biais dun stockage sur batteries (figure 12). Ils reprsentent
actuellement prs de 20 % des parts du march du PV.

Figure 14 Exemple de toits photovoltaques connects au rseau

dans une banlieue dAmsterdam pour une production dcentralise
dlectricit

Les besoins des pays en voie de dveloppement ne reprsentent

que 15 % du march et ils concernent le pompage de leau, lclairage, la rfrigration, ... (figure 13). Soutenus par des programmes
daide de la Banque Mondiale, des ONG..., ils font galement partie
des applications pionnires.
Depuis une dizaine dannes, on assiste lmergence dun nouveau march pour les pays dvelopps : la production dcentralise
dlectricit. Elle est devenue en quelques annes le secteur prpondrant, avec 60 % des parts du march, essentiellement sous forme
de toits photovoltaque connects aux rseaux (figure 14), plutt
que sous la forme de centrales lectriques (figure 15).

Centrale de Tolde
Puissance fournie : 1 MW

Centrale de Californie
Puissance fournie : 8 MW

Figure 15 Exemples de production dlectricit photovoltaque

centralise
Balise

2.2 Installations cumules : forte

prdominance de la production
dlectricit connecte au rseau

Scurit

Figure 12 Exemples dapplications du photovoltaque en site isol

Si le photovoltaque veut reprsenter un jour une part significative de la production dlectricit en Europe, celle-ci devra se faire,
linstar de la rvolution de la micro-informatique, partir dune multitude de producteurs - consommateurs privs diffus, mais relis
aux rseaux existants, plutt que par des centrales solaires de grandes tailles. En effet, le photovoltaque est avant tout une source
nergtique dcentralise et disponible la porte de chacun.

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LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE ___________________________________________________________________________________________________________

Selon les estimations les plus rcentes de lAgence internationale

de lnergie (AIE) [2], la moiti de la puissance effectivement installe est produite au Japon (1 200 MWc), un tiers en Allemagne
(800 MWc), 15 % aux tats-Unis (350 MWc), et le reste par les autres
pays du monde, dont la France (20 MWc). La position de lHexagone
sexplique par le retard pris dans le secteur du connect au
rseau du fait de lengagement prolong dans la voie des applications en sites isols.
Le centre nvralgique de la production mondiale de modules photovoltaques se situe dornavant dans la rgion dOsaka, avec les
socits du silicium cristallin Sharp, Kyocera, Sanyo, Mitsubishi et la
socit du silicium amorphe Kaneka. Les capacits de production
sont considrables [18] : le leader mondial Sharp a produit prs de
500 MWc en 2005, Kyocera 160 MW et Q-cell en Allemagne 200 MW.
Ce dernier annonce un doublement de la production pour 2006.
Notre producteur national Photowatt rtrograde sans cesse dans le
classement, faute de march en France. Il est actuellement aux alentours de la 10e place, au coude coude avec une entreprise tawanaise et chinoise.
Dans le domaine des grandes centrales photovoltaques, les
tats-Unis dmarrrent les premiers ds les annes 1985 avec de
centrales de 1 6 MWc, en Californie. Ils ont t suivis par lItalie et
par lEspagne avec laide de la Communaut Europenne. Une douzaine de centrales de 100 kW 3 MWc ont t connectes au rseau
europen au cours des 10 dernires annes. La premire centrale
franaise de 100 kW a t inaugure en mai 2005, Chambry.

/kWh

1,0
900 h/a:
0,60 /kWh
0,8
1800 h/a:
0,30 /kWh
0,6

0,4

0,2

0
1990

2000

2010

2020

2030

2040
Annes

Cot de l'lectricit
Photovoltaque

2.3 Adaptation du produit au march

Du rseau en pointe
Du rseau de base

La production industrielle annuelle mondiale de modules photovoltaques a t de plus de 1 600 MWc en 2005. Elle est sur le bon
chemin avec une progression de la production mondiale de modules qui devrait rester, selon lassociation europenne des industries
photovoltaques (EPIA) [19], sur la pente des 30 % par an jusquen
2015, puis passer un rythme un peu moins soutenu de 25 % par an.
Avec ces estimations, nous devrions atteindre une production de
modules PV en 2030 de 300 GWc par an, cest--dire lquivalent en
puissance de 300 racteurs nuclaires de 1 000 MW et de
36 racteurs au moins en production dnergie sur lanne (environ
1 000 heures de fonctionnement par an pour le PV et plus de 8 000 h
pour le nuclaire).
En ce qui concerne le cot du kWh produit, il est estim, pour
lanne 2000, entre 30 centimes deuro pour lEurope du Sud et
60 centimes pour lEurope du Nord [20]. On nest plus trs loin de
lintersection avec le cot plafond du kWh de pointe pour lEurope
du Sud, et dici 2020 pour lEurope du Nord. Pour tre comptitif
avec le cot du kWh nuclaire 3 centimes deuros, il faudra attendre les annes 2030-2040 (figure 16).

3. Perspectives davenir
du photovoltaque
Afin de rester comptitifs dans les vingt ans venir, les matriaux
base de silicium cristallin voluent sans cesse (pour plus de dtail
se rfrer louvrage [21]) vers :
soit des substrats de plus en plus minces ou obtenus par coule continue ;
soit des films minces de Si cristalliss sur des substrats trangers ou transfrs par pelage sur un verre ou un plastique.
Pour lhorizon 2025, la plupart des experts entrevoient une perce
significative de la production industrielle des films minces. Il
sensuivra un largissement de la gamme des produits PV, avec

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Figure 16 volution prvisible du prix du kWh PV jusquen 2040

selon ltude dEPIA pour PV Track [19]

lmergence de nouveaux concepts de cellules base de matriaux

polymres ou de colorants. Actuellement, ces dernires prsentent
respectivement des rendements en laboratoire de 3 10 %, avec
encore des problmes de stabilit.
linverse, dautres experts, dont le professeur T. Saitoh pionnier
du silicium cristallin au Japon, prsentent la filire base de silicium cristallin comme ternelle . Le dveloppement des billes de
silicium, de 0,6 mm de diamtre imprimes sur un substrat souple
daluminium (St SSP de Photowatt Int., Canada), ainsi que les
potentialits des matriaux nano- ou micro-cristallins sont des bons
exemples des capacits du silicium rebondir ds lmergence de
technologies concurrentes.
Le march mondial est en plein essor et le cumul des installations
devient important. Au point que la part de llectricit photovoltaque dans la production mondiale sort du bruit de fond : 0,03 % de la
production mondiale en 2005. La part dlectricit produite en sites
isols dune part (habitat isol, pompage de leau, balises maritimes, relais tlphoniques) et en sites connects au rseau dautre
part (centrales et surtout toits photovoltaques) ne cessent de crotre. lhorizon 2020, le photovoltaque pourrait reprsenter prs de
1 % de la consommation mondiale dlectricit et plus de 14 %
lhorizon 2040. Sa part devrait galement dpasser les prvisions de
production dlectricit dorigine nuclaire.
On peut donc esprer que le photovoltaque participera dune
faon non ngligeable la rduction des gaz effet de serre
(figure 17). Rappelons que la convention des Nations-Unis sur les
changements climatiques imposera pour les pays industrialiss,
pour le milieu de ce sicle, une rduction par quatre des missions
de CO2.

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LECTRICIT PHOTOVOLTAQUE

54%

19%

26%

20%

38%

TWh

40 000

30 000

20 000

10 000

0
2001

2010

2020

2040

2030
Annes

Hydrolect.

Petite Hydro.

Biomase

Eolienne

Gothermie

Solaire therm.

Energ. marine

Energ. fossiles

PV

Figure 17 volution prvisible de la part des EnR (et du PV en jaune) selon une tude dEUREC [20]

Rfrences bibliographiques
[1]

GOETZBERGER (A.), LUTHER (J.) et WILLEKE

(G.). Proc. 12th Intl PVSEC Conf, Jeju,
Korea, p. 5 (2001).

[2]

World Energy Outlook. IEA Annual Report

(2005&2006).

[3]

WEIDHAUS (D.), SCHINDLBECK (E.) et

HESSE (K.). Trichlorosilane based silicon
feedstock for the photovoltaic industry. Silicon for the Chemical Industry VII. Norway
Eds. (2004).

[4]

[8]

[9]
[10]
[11]

GREEN (M.A.), WANG (A.), ZHENG (G.F.),

ZHANG (Z.), WENHAM (S.R.), ZHAO (J.), SHI
(Z.) et HONSBERG (C.B.). Proc. 12th EC
PVSEC Amsterdam, p. 776 (1994).

[12]

[5]

AUTHIER (B.H.). German Patent (DOS),

No. 25 0883 (1975).

[13]

[6]

FALLY (J.), GUIGNOT (D.) et GOEFFRON (L.).

Proc. 7th EC PV SEC, Sevilla, p. 754 (1986).

[7]

KANEKO (K.), MISAWA (T.) et TABATA (K.).

Proc. 21rst IEEE PVSC Kissimmee, p. 674
(1981).

[14]
[15]

ROHATGI (A.), YELUNDUR (V.), JEONG (J.),

RISTOW (A.) et EBONG (A.). 10th Workshop
on crystalline Silicon Solar Cell Materials and
Process (CO), p. 12 (August 2000).
MULLER (J.C.) et MARTINUZZI (S.). Journal
of Material Research V 13, 2721-2731 (1998).
RAVI (K.V.) et al. Proc. 11th IEEE PVSC
Scottsdale (Arizona), p. 280 (1975).
TAGUCHI (M.) et al. HIT Cells-High Efficiency crystalline Si cells with Novel Structure. Prog. Photovolt : Res. Appl., 8, 503
(2000).
GUILLEMOLES (J.F.) et al. ADEME-CNRS
Annual Seminar on PV materials and processes. Sophia-Antipolis, p. 45 (2003).
OREGAN (B.) et GRTZEL. A low cost, high
efficiency solar cell based on dye-sensitized
colloidal TiO2 films. Nature, 353 (1991).
MARTI et al. Sol. E. mat. Sol. C 43, p. 203
(1996).
Spectra Lab. PV Solar Energy Conversion.
Proc. 3rd World Conf., Osaka (Japan) (2003).

[16]

SHAHEEN (S.E.), BRABEC (C.J.), SARICIFTCI

(N.S.), PADINGER (F.), FROMHERZ (T.) et
HUMMELEN (J.-C.). Appl. Phys. Lett. 78,
841-843 (2001).

[17]

VRCEK (V.), SLAOUI (A.) et MULLER (J.-C.).

Silicon nanocrystals as light converter for
solar cells, Thin-Solid-Films. 451-452, 384-388
(2004).

[18]

La Lettre du Solaire. CYTHELIA (Avril 05).

[19]

Prsentation de ltude du Groupe PV

Track avec les industriels dEPIA A Vision
for PV Technology up to 2030 and beyond
EC Meeting: Future Vision of PV, Brussels, 28
Sept. (2004).

[20]

tude prospective effectue par

Agency. BE-1040 Bruxelles (2004).

[21]

MULLER (J.-C.) et SIFFERT (P.). Silicon for

Photovoltaics, in Silicon : Evolution and
Future of a Technology, Eds by P. Siffert &
E. Krimmel, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, pp. 73-92 (2004).

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est strictement interdite. Editions T.I.

Eurec

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