Anne scolaire

LYCEE MANGIN

Le transistor effet de champ

grille isole (MOSFET)

BTSSE 1

Quest ce quun transistor effet de champ grille isole (MOSFET)?

Les diffrences entre un transistor effet de champ grille isole est un transistor effet de champ sont les
suivantes :
- La grille est isole du canal par une couche doxyde de silicium, par consquent IG = 0A.
- il nexiste pas de canal semiconducteur en labsence de tension de commande ID = 0A si VGS = 0V.
On distingue deux types de transistors effet de champ :
- MOSFET canal N ( enrichissement ou appauvrissement)
- MOSFET canal P ( enrichissement ou appauvrissement).
Rem. : Le transistor le plus utilis est le MOSFET enrichissement (Canal N).
Conventions et rseaux de caractristiques :

R. Martinez

Fonstionnement et applications
En amplification dans la zone linaire. (Etage dentre des AIL).
En commutation de puissance (plusieurs dizaines de Watts jusqu des frquences de plusieurs milliers de
mgaHz).
Les portes logiques CMOS.
Trs utilis en lectronique numrique (mmoires, microprocesseurs, circuits logiques)

Avantages
Consommation faible
Pas de courant de polarisation de grille.
Trs Forte impdance dentre (env. 1015 )
Peu onreux.
Densit dintgration importante
(> 107 transistors par puce)

Inconvnients
Vitesse de commutation plus faible (sauf VMOS)
Dispersion des paramtres leve.
Fragilit au niveau de la grille, extrmement sensible
aux charges lectrostatiques qui peuvent provoquer le
clacage de la couche de silice.

Schma quivalent pour les petites variations autour du point de repos.

VGS

VDS

en petit signaux

gmVGS

Canal N

S
Avec gm =

I D
= 2k VGS V p
VGS

Paramtres dun transistor MOSFET

VGSS ou VGSmax : c'est la tension entre la grille du transistor, quivalent la base d'un bipolaire, et la source.
Il faut noter que pour un transistor MOS, le respect de ce paramtre est crucial, car autrement, on risque le
claquage du transistor.
VDSS ou VDSmax: c'est la tension drain source maximale avant destruction du composant.
IDSS : courant circulant entre le drain et la source: c'est le courant continu maximal qui peut circuler sans
destruction du composant. La plupart des datasheets de ces transistors dcrivent le courant max en pointe,
pendant une priode de temps trs court.
RDSon : c'est la rsistance srie entre le drain et la source, pour une tension VGS (grille source) donne. On
veillera ce que la puissance gnre dans cette rsistance soit dissipe par le botier du transistor: P=RI.
De quelques centaines dOhms pour les transistors dusage gnral, 5 10 Ohms pour la commutation.
VGSoff ou VGSth: tension de seuil du MOS.
gm : transconductance (de 0,1 10 mA/V)
Ciss : Capacit d'entre: capacit de grille, en cas d'ajout d'une rsistance de grille, on veillera ce que le filtre
RC passe bas ainsi cr, ne gne en rien quant au bon fonctionnement du circuit.
Coss : Capacit de sortie.

R. Martinez

R. Martinez