GEL4203 / GEL7041 Exercices Chapitre 6 A2010

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Chapitre 6 Dtection de lumire

Dtection thermique

Exercice 6.1
Un nouveau microbolomtre supraconducteur a t dvelopp. Il possde une dpendance
de la rsistance en fonction de la temprature, T , qui a t dtermine exprimentalement
entre 79 et 94 K :
R(T ) = 1 213 460 + 57 468,1 T 1015,11 T 2 + 7,919 720 T 3 0,022 993 2 T 4 .
a) Tracez la variation de la rsistance en fonction de la temprature.
b) Drivez une expression pour le coefficient de temprature, , dfini comme le taux de
variation relative de la rsistance. Tracez votre rsultat.
c) quelle temprature le dtecteur devrait-il tre opr ?
d) Sur quelle plage de temprature le dtecteur doit-il tre stabilis afin de maintenir une
rponse qui est toujours 95 % de la valeur maximale ?

Absorption de la lumire

Exercice 6.2
Une source monochromatique fournit un clairement de Io = 850 W/mm2 1,65 m.
Cette lumire illumine un substrat de germanium incidence normale. Labsorption du germanium est fournie la figure 6.2a, alors que la figure 6.2b indique son indice de rfraction.
a) Quel clairement existe une profondeur de 100 m dans le germanium ?
b) Quel serait lclairement cette profondeur si la longueur donde tait de 620 nm ?
c) Quel serait lclairement cette profondeur si la longueur donde tait de 2,5 m ?
d) Considrez que la lumire incidente correspond un faisceau gaussien dont lclairement
varie latralement selon :
2 2
I(r) = Io e2r /ro ,
o r est la distance par rapport au centre du faisceau et ro = 1 mm est relie au rayon
du faisceau. Quel serait la fraction de la puissance totale du faisceau mesure par un
dtecteur circulaire centr ayant 3 mm de diamtre (et une profondeur suffisante pour
absorber totalement la lumire) ?

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nergie des photons [eV]

5 4

0.9

0.8

0.7

1108

coefficient dabsorption [m-1]

Ge

In0.7Ga0.3As0.64P0.36

1107
In0.53Ga0.47As

Si
1106
GaAs
InP
1105

1104

1103

Figure 6.2a Coefficient dabsorption optique de diffrents matriaux semiconducteurs (selon Safa O. Kasap, Optoelectronics and photonics, Prentice Hall,
Upper Saddle River, 2001).

Figure 6.2b Indice de rfraction du germanium (selon Herbert R. Philipp

et E. A. Taft, Optical Constants of Germanium in the Region 1 to 10 eV ,
Physical Review 113(4), p. 10021005, fvrier 1959).

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Dtecteurs photoconductifs

Exercice 6.3

Un bloc de semi-conducteurs est clair de faon non uniforme, tel que montr la
figure 6.3a. La lumire nest absorbe par le semi-conducteur que dans une rgion de largeur
Io
? ? ? ? ? ? ? ? ?
x
?
z

semi-conducteur


Figure 6.3a Illumination dun bloc de semi-conducteur. Lclairage se fait

sur une rgion de largeur s.

s. Des porteurs de charge sont donc crs seulement dans cette rgion. Le variation spatiale
du taux de cration de porteurs de charge est illustre la figure 6.3b.
6GL (x)
GL,o

s/2

+s/2

x
-

Figure 6.3b Variation du taux de cration de porteurs selon la position.

Aucun champ lectrique externe nest appliqu. Il est suppos que GL (x) ne varie pas en
fonction de la profondeur, z, c.--d. que le coefficient dabsorption est faible par rapport la
profondeur totale du semi-conducteur.
a) Calculez la variation (en x) de la concentration dlectrons excdentaires dans le bloc de
semi-conducteur. Puisquaucun champ lectrique nest appliqu, alors le seul mcanisme
de transport de charge possible est la diffusion. Supposez que sa longueur est trs grande
et ngligez lattnuation de la lumire selon la profondeur du matriau.
b) Esquissez la variation de la concentration dlectrons excdentaires en fonction de x.
Interprtez votre rsultat.

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Exercice 6.4

Lquation de continuit tablie pour un dtecteur photoconductif en rgime dynamique

est :
n(z, t)
2 n(z, t) n(z, t)
= Dn
+ GL (z, t),

t
z 2
n
o n(z, t) reprsente la concentration de porteurs excdentaires, Dn est la constante de
diffusion, n est le temps de vie des porteurs excdentaires et GL (z, t) est le taux de gnration
de paires de porteurs de charge.
En rgime statique, la concentration de porteurs excdentaires devient :

2/3

n(z) =

i
()n h z/Ln
Io
()z
(1 R) 2
e

e
,
h
()L2n 1

o Io est lclairement nergtique incident sur le matriau, h est la constante de Planck,

est la frquence de la lumire, R est la rflectance de linterface air-matriau, () est le
coefficient dabsorption du matriau et Ln est la longueur de diffusion.
Afin dvaluer la rapidit de ce type de dtecteur, calculez le profil des porteurs excdentaires en considrant la dynamique. cette fin, considrez plutt la transforme de Fourier
de la concentration de porteurs, n(z, f ) et celle du taux de gnration de porteurs de charge,
GL (z, f ), et intgrez le rsultat en fonction de z.

Exercice 6.5

Un concept intressant a t propos afin de permettre de maximiser le rendement quantique pour un photodtecteur dinfrarouge. Il est prsent la figure 6.5a. Ce dtecteur
est premirement compos dune couche semi-rflchissante, de rflectance R, suivie ensuite
dun matriau semi-conducteur dabsorptance 1 1A, et le tout tant termin par une couche
parfaitement rflchissante. Supposez que les paisseurs des couches de contact transparentes
et de la couche semi-rflchissante sont ngligeables. Supposez que lpaisseur de la couche
semi-conductrice est un multiple de la longueur donde.
a) Prouvez que la fraction de lclairement absorb par le matriau semi-conducteur est
donne par lexpression suivante :
(1 R) (1 A2 )
Ia
= 
2 .
Ii
1A R
b) Quelle valeur de rflectance permet de maximiser labsorption totale du photodtecteur ? Quelle est cette absorption optimale ?
c) Expliquer qualitativement comment varierait le fraction de lumire absorbe en fonction
de la longueur donde.
Pierre Tremblay 2002, 2010
1. Labsorptance est dfinie comme le rapport de la puissance absorbe sur la puissance incidente.

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radiation incidente

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radiation
partiellement
rflchie

R
couche mtallique (rflection partielle)

connection
lectrique

contact transparent

couche active infrarouge

contact transparent

R=1

couche mtallique (rflexion totale)

connection
lectrique

Figure 6.5a Diagramme dun photodtecteur dinfrarouge.

Exercice 6.6

Vous devez concevoir un photoconducteur en utilisant un film de sulfure de cadmium

(CdS) de 5 m dpaisseur. Les caractristiques du CdS sont fournies au tableau 6.6a.
Tableau 6.6a Paramtres du sulfure de cadmium (CdS) 300 K. La masse
des lectrons au repos est m0 .

paramtre
bande interdite
mobilit des lectrons
mobilit des trous
masse effective des lectrons
masse effective des trous
permittivit relative

symbole
Eg
n
p
mn
mp
r

valeur
2,42 eV
250 cm2 / (V s)
15 cm2 / (V s)
0,2m0
0,7m0
8,9

Le matriau est dop avec une concentration de donneurs de 1014 cm3 . Supposez que les
temps de vie des porteurs sont n = p = 1 s.
La rsistance de noirceur (en labsence de lumire) doit tre de 10 MW.
a) Sachant que le composant doit occuper une superficie carre de 0,5 cm 0,5 cm, quelle
forme doit avoir le photoconducteur ? Dessinez-le et spcifiez-en les dimensions importantes. Vous pouvez utiliser un patron repli ou en zigzag, tel quillustr la figure 6.6a.
Utilisez le mieux possible la surface afin de maximiser la collection de photons.
b) Ngligeant la diffusion des porteurs, quel changement de rsistance serait caus par un
taux de cration de porteurs de 1021 paires/ (cm3 s) ?

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Figure 6.6a Exemple dune structure en zigzag utilise comme photoconducteur. La structure prsente, pour fins dillustration, possde 5 branches.

Dtecteurs photovoltaques
Exercice 6.7

Une diode p+ n en silicium a une section de 1 mm2 . La capacit de jonction a t mesure

300 K, elle est :
1
= 5 108 (2,5 4V ),
C2
o la capacit, C, est en F et la tension, V , est en V. Calculez le potentiel de jonction et la
largeur de la zone de dpltion ( V = 0). Quelles sont les concentrations de dopants dans
la diode ?

Exercice 6.8

Une photodiode en arsniure de gallium possde des dopages de 51013 1/cm3 accepteurs
et de 6 1015 1/cm3 donneurs. Sa section est de 1 mm2 et elle fonctionne 300 K. Le temps
de vie des lectrons minoritaires est de 10 ns, alors que celui des trous minoritaires est de
100 ns.
a) Quelle est la tension de jonction de cette diode ?
b) Quelle variation relative de capacit de jonction serait cause par un changement de
tension de polarisation inverse de 2 V 11 V ?
c) Considrant un taux de gnration de porteurs uniforme dans la diode, quelle variation
relative de photocourant serait cause par un changement de tension de polarisation
inverse de 2 V 11 V ?

Exercice 6.9

Considrez une jonction pn en silicium polarise en inverse avec une tension de 1 V

une temprature de 300 K. La jonction est telle quillustre la figure 6.9a, c.--d. que la

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lumire est incidente en direction +z sur un plan perpendiculaire la jonction. La jonction

est donc dans le plan yz. Considrez limpact de la diffusion.
photons

?
?
?

?
?
x

-y

Vb

u
?
z

Figure 6.9a Dtecteur photovoltaque polaris. Les lignes tiretes reprsentent la rgion de dpltion. La source de tension montre une polarisation
inverse V = Vb .

La photodiode a les proprits suivantes :

longueur de la diode : `x = 1 cm ;
largeur de la diode : `y = 0,5 cm ;
paisseur de la diode : `z = 1 mm ;
dopage, matriau p : Na = 3 1017 cm3 ;
dopage, matriau n : Nd = 1017 cm3 ;
coefficient de diffusion des lectrons : Dn = 12 cm2 /s ;
coefficient de diffusion des trous : Dp = 8 cm2 /s ;
temps de vie des lectrons minoritaires : n = 100 ns ;
temps de vie des trous minoritaires : p = 100 ns ;
coefficient dabsorption optique : = 1000 cm1 ;
clairement incident : Io = 10 W/cm2 ;
nergie des photons : h = 1,7 eV ; et
indice de rfraction : n = 3,68.
Calculez le photocourant dans la diode.

BA