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03/12/2015

Le transistor bipolaire
Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)
Edition 2015-2016

cole Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis


Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)
-Parcours des coles
d'ingnieurs
Polytech
(Peip)
Le transistor bipolaire
1645 route
des Lucioles,
06410 BIOT

Pascal MASSON

Sommaire
I.

Historique

II.

Caractristiques du transistor

III.

Polarisation du transistor

IV.

Les fonctions logiques

V.

Amplification en classe A

VI.

Multivibrateur astable ABRAHAM BLOCH

VII.

Amplification en classe B

VIII. Amplificateur oprationnel


Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

I. Historique
I.1. Dfinition
Le transistor bipolaire est un composant lectronique utilis comme :
interrupteur command, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur
de signal

Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

03/12/2015

I. Historique
I.2. Histoire du transistor
1947 : John BARDEEN et Walter BRATTAIN inventent le
transistor contact (transistor) au laboratoire de physique
de la socit BELL (USA). Cette dcouverte est annonce en
juillet 1948.

Transistor
contact 1948

1948 : Herbert MATARE et Heinrich WELKER inventent


(indpendamment de BELL) aussi le transistor contact
en juin 1948 (en France). Ce transistor sera appel le
Transistron pour le distinguer de celui de BELL.

Transistron 1948

1948 : en janvier William SHOCKLEY invente le


transistor jonction (bipolaire) mais la technique de
fabrication ne sera maitrise quen 1951
Transistor
jonction 1948
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

I. Historique
I.2. Histoire du transistor
Les

transistors

remplacent

les

contacteurs

lectromcaniques des centraux tlphoniques et


les tubes dans les calculateurs.
1953 calculateur
(93 transistors + 550 diodes)

1953

Sonotone
1010

premire

application

portative

du

transistor entant que sonotone.

Rgency TR-1
(4 transistors)

1954 : premire radio


transistors.

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Le transistor bipolaire

I. Historique
I.3. Histoire des premiers circuits intgrs
1958 : Jack KILBY de Texas Instrument
prsente

le

premier

circuit

(oscillateur)

entirement intgr sur une plaque de semiconducteur.


1958 premier circuit intgr

1960 : production de la premire


mmoire

Flip

Flop

par

la

socit

Fairchild Semiconductor.
1960 Flip Flop en circuit intgr

1965 : partir du nombre de composants par circuit


intgr

fabriqu

depuis

1965,

Gordon

MOORE

(Fairchild Semiconductor) prdit que le nombre de


composants intgrs (par unit de surface) doublera
tous les 12 mois. Cette loi est toujours vraie !
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Le transistor bipolaire

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II. Caractristiques du transistor


II.1. Dfinition dun transistor bipolaire
Le transistor bipolaire est cr en juxtaposant trois couches de semiconducteur dops N+, P puis N pour le transistor NPN (courant d un flux
dlectrons) ou dops P+, N puis P pour le transistor PNP (courant d un flux
de trous). Le niveau de dopage dcroit dun bout lautre de la structure.
Un faible courant de base, IB, permet de commander un courant de
collecteur, IC, bien plus important.

II.2. Reprsentation
collecteur

collecteur

metteur

collecteur

IC
VCE

base

VBE

IB N
P
N+

IC
base

IE

VBE

metteur
base
Pascal MASSON

Transistor NPN
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IB P
N
P+

VCE

IE

metteur
Transistor PNP
Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor


II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Si la tension VBE est suffisante, la diode BE
(base metteur) est passante :
Courant de trous de B vers E.
Courant dlectrons de E vers B
qV
qV
I IS. exp BE ISt ISe . exp BE
kT
kT

Si le nombre dlectrons dans lmetteur et


100 fois plus grand que le nombre de trous

VBE

dans la base alors ISt << ISe.


N+
E
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Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor


II.3. Fonctionnement du transistor NPN
On positionne prsent le collecteur dop N

La jonction BC est polarise en inverse :

augmentation du champs lectrique interne.


La longueur de la base est trs courte et les
lectrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-

VBC

collecteur.
Les lectrons sont propulss dans le collecteur
pas le champ lectrique.
Si on modifie la tension VBC (dans une certaine

VBE

limite), le champ lectrique est toujours suffisant


pour propulser tous les lectrons :
N

Le courant de collecteur ne dpend pas de la


tension VBC mais uniquement de VBE.
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E
Le transistor bipolaire

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II. Caractristiques du transistor


II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Par convenance on pose : VT q ( 25.6 mV 300K)
kT
Les trois courants du transistor bipolaire sont :
IB : courant de trous de B vers E.
V
I B ISt . exp BE
VT
IC : courant dlectrons de E vers C
V
I C ISe . exp BE
IB
VT
B
IE : courant de trous de B vers E + courant

IC
N

dlectrons de E vers C

V
I E IS. exp BE I B IC
VT
Le rapport, , entre les courants IC et IB dpend entre

autres des niveaux de dopage de lmetteur et de la base


ainsi que de lpaisseur de la base : IC = .IB
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-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

IE

Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor


II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Si la tension VBC augmente trop :

Le champ lectrique base collecteur diminue

IC
N

Les lectrons ne sont plus tous propulss


dans le collecteur mais une partie sort par la
base

Le courant IC tend devenir nul


B

On dit dans ce cas que le transistor est satur

IB

La tension VCE pour laquelle ce phnomne


apparat est note VCEsat.
N
E
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IE

Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor


II.3. Caractristiques IB(VBE) du transistor NPN
Pour dbloquer (rendre passant) le transistor NPN, il faut que la jonction
base-metteur soit polarise en direct avec une tension suprieure la tension
de seuil, VS, de cette diode : VBE > VS.
La caractristique IB(VBE) est celle de la diode base-metteur en ne
considrant que le courant de trou.
Ici le courant de trous est bien plus faible que le courant dlectrons.

collecteur

IC
VCE

base

VBE

IB N
P
N+

IB (A)
inverse

IE

metteur
Pascal MASSON

directe

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VS

VBE (V)

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II. Caractristiques du transistor


II.3. Caractristiques IB(VBE) du transistor PNP
Pour dbloquer (rendre passant) le transistor PNP, il faut que la jonction
base-metteur soit polarise en direct avec une tension suprieure (en valeur
absolue) la tension de seuil, VS, de cette diode soit : VBE < VS.
La caractristique IB(VBE) est celle de la diode base-metteur en ne
considrant que le courant des lectrons.
Ici le courant des lectrons est bien plus faible que le courant des trous.

collecteur

IB (A)

IC
IB P
N
P+

VCE

base

VBE

directe

IE

metteur
Pascal MASSON

inverse

VS

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

VBE (V)

Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor


II.3. Caractristiques IC(VCE) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarise en inverse, alors le courant dlectrons peut
traverser cette jonction.
Dans ce cas le courant IC est indpendant de VCE : rgime linaire (IC = .IB)
Si VCE = 0 alors aucun courant ne circule entre lmetteur et le collecteur
Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit la tension
VCEsat (sat pour saturation) : le courant IC nest pas proportionnel IB.
satur

Linaire

collecteur

VCE

base

VBE

IB3
IB2 > IB1
IB1

IE

metteur
Pascal MASSON

IB4

IC (A)

IC
IB N
P
N+

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VCEsat

VCE (V)

Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor


II.4. Bilan des caractristiques IB(VBE) et IC(VCE)
C

Bloqu : VBE < VS, IB = 0, IC = 0

IC
N

IB (A)

VS

VBE (V)

IB

IC (A)

N
0
Pascal MASSON

VCEsat

VCE (V)

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IE

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II. Caractristiques du transistor


II.4. Bilan des caractristiques IB(VBE) et IC(VCE)
C

Passant_Linaire : VBE > VS, IB > 0, IC = .IB

IC
N

IB (A)

VS

VBE (V)

IB

IC (A)

N
0
Pascal MASSON

VCEsat

VCE (V)

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IE

Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor


II.4. Bilan des caractristiques IB(VBE) et IC(VCE)
C

Passant_Satur : VBE > VS, IB > 0, IC < .IB, VCE < VCEsat

IC
N

IB (A)

VS

VBE (V)

IB

IC (A)

N
0
Pascal MASSON

VCEsat

VCE (V)

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IE

Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor


II.4. Bilan des caractristiques IB(VBE) et IC(VCE)
Si on dconnecte le collecteur, le courant de base correspond la somme des
trous et des lectrons (IB = h+ + e). La rsistance srie est de lordre de lohm

B
IB (A)

IB

h+ + e
VBE

e
h+

N
0
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VBE (V)

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E
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II. Caractristiques du transistor


II.4. Bilan des caractristiques IB(VBE) et IC(VCE)
En rgime linaire, le courant de base est constitu

uniquement de trous (IB = h+) donc la rsistance srie

IC
N

de la diode est beaucoup plus grande, de lordre du


kohm

B
IB (A)

IB

h+ + e
VBE

e
h+

N
0
Pascal MASSON

VBE (V)

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IE

Le transistor bipolaire

II. Caractristiques du transistor


II.4. Bilan des caractristiques IB(VBE) et IC(VCE)
En rgime satur, le courant de base est constitu

des trous et dune partie des lectrons (IB = h+ + .e)

IC
N

IB (A)

h+ + e

h+ + .e

IB

e
h+
N

0
Pascal MASSON

VBE (V)

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IE

Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
Dtermination de IB0 et IC0
La boucle dentre permet de dterminer la valeur de IB
I B0
E G R B.I B0 VS R S.I B0

E G VS
R B RS

VBE0 VS R S.I B0

VDD
RC

IB (A)

EG/RB

RB

IB0
0
Pascal MASSON

EG
VS VBE0

IB

IC

VBE

VCE

EG VBE (V)

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Le transistor bipolaire

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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
Dtermination de IB0 et IC0
On considre que le transistor est en rgime linaire

I C .I B

On peut donc rsumer le transistor trois lments :


En entre : VS et RS (donc la diode base-metteur)
En sortie: un gnrateur de courant IC = .IB

VDD
RC

RB
EG

Pascal MASSON

IB

IC VCE

VBE

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IC

Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
Dtermination de IB0 et IC0
Il faut prsent vrifier si le transistor est rellement en rgime linaire par
le calcul de VCE
VCE VDD R C .IC

VDD R C .IC VCE

Si VCE > VCEsat alors on confirme le rgime linaire et les calculs sont exacts
VDD
RC

IC
VDD/RC
RB

IB0

IC0

EG
0 VCEsatVCE0
Pascal MASSON

VDD

IB

IC
VCE

VBE

VCE

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Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
Dtermination de IB0 et IC0
Si VCE < VCEsat le transistor est en rgime satur et lutilisation de la droite
de charge donne les vraies valeurs de IC0 et VCE0
Si on utilise pas la droite de charge, on impose VCE = VCEsat et on dtermine
la valeur de IC avec la boucle de sortie.
I C0

VDD R C .IC0 VCEsat

VDD VCEsat
RC

VDD
RC

IC
VDD/RC
IC0

RB

IB0
EG

0 VCEsatVCE0
Pascal MASSON

VDD

IB

IC

VBE

VCE

VCE

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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple
Dtermination de IB0 et IC0
Il faut aussi re-dterminer la vritable valeur du courant de base.
Les lectrons qui passent de lmetteur la base ne sont pas tous propulss
au collecteur et une partie sort par la base.
Les valeurs de VS et RS sont donc diffrentes
VDD
RC
IB (A)

EG/RB

RB

IC

IB

IB0
EG
0

VS VBE0

Pascal MASSON

VCE

VBE

EG VBE (V)

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Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple

VDD

Variation de RB avec RC constant


RC

On part dune valeur de RB suffisamment grande


pour que le transistor soit en rgime linaire
RB

La droite de charge en sortie ne change pas


On diminue alors RB

EG

IC

IB

VCE

VBE

IC
IB (A)

VDD/RC
IB0

EG/RB
0

VS

Pascal MASSON

0 VCEsat

EG VBE (V)

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

VDD

VCE

Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple

VDD

Variation de RB avec RC constant


RC

On part dune valeur de RB suffisamment grande


pour que le transistor soit en rgime linaire
RB

La droite de charge en sortie ne change pas


On diminue alors RB

EG

IC

IB

VCE

VBE

IC
IB (A)

VDD/RC

IB0

EG/RB

0
Pascal MASSON

VS

EG VBE (V)

0 VCEsat

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

VDD

VCE

Le transistor bipolaire

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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple

VDD

Variation de RB avec RC constant


RC

On part dune valeur de RB suffisamment grande


pour que le transistor soit en rgime linaire
RB

La droite de charge en sortie ne change pas


On diminue alors RB

EG

IC

IB

VCE

VBE

IC
IB (A)
EG/RB

IB0

VDD/RC

VS

Pascal MASSON

IC0

0 VCEsat

EG VBE (V)

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VDD

VCE

Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple

VDD

Variation de RC avec RB constant


RC

On part dune valeur de RC suffisamment faible


pour que le transistor soit en rgime linaire
RB

La droite de charge en entre ne change pas


On augmente alors RC

EG
IC

IC

IB

VCE

VBE
VDD/RC

IB (A)
IB0

EG/RB
IB0
0

VS

Pascal MASSON

0 VCEsat

EG VBE (V)

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

VDD

VCE

Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple

VDD

Variation de RC avec RB constant


RC

On part dune valeur de RC suffisamment faible


pour que le transistor soit en rgime linaire
RB

La droite de charge en entre ne change pas


On augmente alors RC

EG

IC

IB

VCE

VBE

IC
IB (A)

VDD/RC

EG/RB

IB0

IB0
0
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VS

EG VBE (V)

0 VCEsat

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VDD

VCE

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III. Polarisation du transistor


III.1. Polarisation simple

VDD

Variation de RC avec RB constant


RC

On part dune valeur de RC suffisamment faible


pour que le transistor soit en rgime linaire
RB

La droite de charge en entre ne change pas


On augmente alors RC

EG

IC

IB

VCE

VBE

IC
IB (A)
VDD/RC

EG/RB

IB0

IC0

IB0
0

VS

Pascal MASSON

EG VBE (V)

0 VCEsat

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VDD

VCE

Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
Les rsistances R1 et R2 forment un pont entre la base et VDD do le nom.
La dtermination de IB passe par celle de IP.

VDD
R1
IP + IB
IP

RC
IB
VCE

VBE

R2

Pascal MASSON

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Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
IB : approche simple
On considre que IP >>> IB.
Dans ce cas un simple pont diviseur de tension permet de connatre la valeur
de VBE et par suite la valeur de IB.
VBE

Puis on dtermine IB.

IB

VDD

R2
VDD
R1 R 2

VBE VS
RS

R1
IP + IB
IP

RC
IB
VBE

VCE

R2

Pascal MASSON

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III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
IB : systme de 2 quations
On rsout un systme de deux quations qui correspond l criture de deux
mailles en entre
(1)

VBE R 2 .I P VS R S.I B

(2)

VDD R1.I P I B VBE R1.I P VS R1 R S I B

VDD
R1

On trouve
(2)

RC

IP + IB

IB

IP

IB

R2

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VCE

VBE
(1)

Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
IB : Thvenin
On peut aussi transformer VDD, R1 et R2 en gnrateur de thvenin

VDD
RC
Rth

IB
VCE

VBE
Eth
Thvenin

Pascal MASSON

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Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
IB : Thvenin
On peut aussi transformer VDD, R1 et R2 en gnrateur de thvenin
On dbranche la base du transistor pour liminer le courant IB
Pour dterminer Rth, on liminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R1 // R2
R th

VDD

R1.R 2
R1 R 2

RC

On dtermine alors Eth avec un pont


diviseur de tension
E th

Rth

R2
VDD
R1 R 2

VCE
Eth

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Eth

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III. Polarisation du transistor


III.2. Pont de base
IB : Thvenin
On peut aussi transformer VDD, R1 et R2 en gnrateur de thvenin
On dbranche la base du transistor pour liminer le courant IB
Pour dterminer Rth, on liminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R1 // R2
R th

VDD

R1.R 2
R1 R 2

RC

On dtermine alors Eth avec un pont


diviseur de tension
E th

Rth

R2
VDD
R1 R 2

Do IB :
IB

VCE

Eth

E th VS
R th R S

Pascal MASSON

IB
VBE

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Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.3. Rsistance dmetteur
Dans la rsistance RE il passe le courant IE donc les courants IB et IC
La maille en entre s'crit :
E th R th .I B VS R S.I B R E .I B IC
E th R th .I B VS R S.I B R E .1 .I B

On trouve le courant IB
E th VS
IB
R th R S 1 .R E

VDD
Erreur classique :
oublie du

RC
Rth

Vu de lentre (donc de IB), la rsistance


RE est multiplie par (1+)
En fonction de la valeur de on peut
crire :
1 .R E .R E
Pascal MASSON

IB
VCE

VBE
Eth

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RE

Le transistor bipolaire

III. Polarisation du transistor


III.3. Rsistance dmetteur
La prsence de RE permet une rgulation thermique du transistor
En fonctionnement, le transistor chauffe cause de la circulation du courant
ce qui augmente la valeur du courant qui engendre une augmentation de la
temprature etc
En prsence de RE :

IB (A)

VDD

VE
T

IB

VS

VBE (V)

RC

VBE

Rth

IB

Si la prsence de RE nest pas suffisante, il

IB
VBE

Eth

RE

faut ajouter un radiateur sur le transistor.


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VCE
VE

Le transistor bipolaire

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IV. Les fonctions logiques


IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE VS 24 R.IC
On obtient alors la droite de charge :

IB4

R
E

0V

24 VCE

R
R

IC (A)

IC

24 V
6V

IC

R1

RB

VE

Pascal MASSON

IB

VCE = VS

VBE

VCE (V)

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Le transistor bipolaire

IV. Les fonctions logiques


IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE VS 24 R.IC
On obtient alors la droite de charge :

IC

24 VCE

R
R

On trace maintenant la caractristique VS(VE) de linverseur.

VS (V) A
24

IC (A)

IB4
IB3
IB2 > IB1
IB1

VCEsat

24 VE (V)
Pascal MASSON

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VCE (V)
Le transistor bipolaire

IV. Les fonctions logiques


IV.1. Linverseur
Table de vrit et symbole logique :
E

S=E

En pratique on dfinit un gabarit pour linverseur


VS (V)
24

VCEsat
24 VE (V)
Pascal MASSON

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Le transistor bipolaire

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IV. Les fonctions logiques


IV.2. La fonction NI (NON-OU, NOR)
24 V
6V
Schma lectrique dune porte NI :

IC
R2

E2

Pascal MASSON

S = E1+E2

IB

VCE = VS

VBE

0V

E1
E2

R1

E1

Table de vrit et symbole logique :

RB

E2

E1

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Le transistor bipolaire

IV. Les fonctions logiques


IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Schma logique le la mmoire :
Reset

Set

Table de vrit :
Q

Set Reset

Chronogramme :
Set 1
0

Reset 1
0

Q 1
0

Q 1
0
Pascal MASSON

t
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Le transistor bipolaire

IV. Les fonctions logiques


IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
Il existe un tat interdit avec Set = Reset = 1
Table de vrit :
Reset

Set

Set Reset

Chronogramme :
Set 1
0

Reset 1
0

Q 1
0

Q 1
0
Pascal MASSON

t
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Le transistor bipolaire

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IV. Les fonctions logiques


IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
Schma lectrique de cette mmoire :
24 V
6V
RB

RB

Set
R2
0V

Reset
Q

R1

R
Q

R2
R1

Symbole logique de la mmoire RS (bascule RS) :


Set

Reset
Q

Set

Reset

Mmoire de type RAM (Random Acces Memory) qui sapparente la SRAM


(Static) : linformation disparat si on teint lalimentation.
Si le pont de base consomme 1 A (sous 30 V) et que lon stocke 106 bits
alors la mmoire disperse au moins 30 W !
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

IV. Les fonctions logiques


IV.3. La fonction mmoire deux portes NI

1971 : 256-bit TTL RAM (Fairchild)

Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
Lamplificateur de classe A amplifie tout le signal dentre.
VDD

On travaille dans la partie

IC = .IB

linaire du transistor qui est


polaris en statique IB0 et IC0.

RC

IB

Le courant IB oscille autour de


IB0 et donc IC oscille autour de IC0

IC

VS
VCE = VS

VE = VBE

avec IC = .IB.

Sans signal dentre, lampli consomme IC0 : mauvais rendement (au


mieux 50 %).
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

16

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC

VDD
RB
EG

IB

VS

IC

VCE

VBE

EG (V)
EGmax
EG0
EGmin
t

IB (A)

IB (A)

IBmax

IBmax

IB0

IB0

IBmin
0

IBmin

VBE (V)

t
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC

VDD
RB
EG

IB

VS

IC

VCE

VBE

EG (V)
EGmax
EG0
EGmin
t

IB (A)

IB (A)

IBmax

IBmax

IB0

IB0

IBmin
0

IBmin

VBE (V)

IC (A)
ICmax

ICmax

IB0

IC0

ICmin

VCE (V)

Pascal MASSON

IC = .IB

IC0

IBmin

ICmin
0

IC (A)

IBmax

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC

VDD
RB
EG

IB

VS

IC

VCE

VBE

EG (V)
EGmax
EG0
EGmin
t

IC (A)

IBmax

ICmax

IB0

IC0
ICmin
0

IBmin

IC (A)
ICmax
IC0
ICmin
t

VCE (V)

t
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

17

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC

VDD
RB
EG

IB

IC

VCE

VBE

EG (V)

VS
EGmax
EG0
EGmin
IB (A)

IB (A)

IBmax
IB0
IBmin
0

IBmax
IB0

VBE (V)

t
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC

VDD
RB
EG

IB

VCE

VBE

EG (V)

VS

IC

EGmax
EG0
EGmin

IC (A)

IC (A)
IBmax

ICmax

ICmax
IC0
ICmin

IB0

IC0
0

VCE (V)

t
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC

VDD
RB
EG

IB

VBE

IC

VS
VCE

EG (V)
EGmax
EG0
EGmin
t

IB (A)
IBmax

IB (A)
IBmax

IB0
IBmin

IB0
IBmin

VBE (V)

t
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

18

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC

VDD
RB
EG

IB

VS

IC

EG0
EGmin

VCE

VBE

EG (V)
EGmax

t
IBmax

IC (A)
ICmax
IC0
ICmin

IC (A)

IB0
IBmin

VCE (V)

0
0

t
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
Les gains VC/EG et VR/EG correspondent aux filtres passe bas et pas haut
respectivement.
La frquence de coupure des deux filtres est : FC = 1/(2RC).
La notion de haute et basse frquences se reporte la valeur de FC

VC

C
EG

Pascal MASSON

VR

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
En basse frquence VC = EG et VR = 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de EG. Elle a le temps de se charger et de se dcharger

1.5

C
EG

VR

Tensions

VC

F = 0,2 FC

EG

1.0

VR

0.5

VC

0.0
-0.5
-1.0
-1.5
0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

Temps
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

19

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
En basse frquence VC = EG et VR = 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de EG. Elle a le temps de se charger et de se dcharger

1.5

C
R

EG

VR

Tensions

VC

F = 5.FC

EG

1.0

VR

0.5

VC

0.0
-0.5
-1.0
-1.5
0

0.00005

0.0001

0.00015

0.0002

0.00025

0.0003

0.00035

0.0004

Temps
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.3. Elments du montage
Les rsistances R1 et R2 constituent le pont de base : polarisation de la base
Le condensateur C ne laisse passer que les variations de Ve et non la
composante continue : vite de modifier la polarisation de la base.
CL est aussi un condensateur de

VDD

liaison qui permet la charge RL


(rsistance

dentre

du

R1

bloc

suivant) de ne pas modifier la

RC

CL

polarisation du transistor.
VBE
Ve

Pascal MASSON

Vs

R2

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

RL

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.4. Point de repos du montage
Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsquon ne considre que le rgime statique (ne dpend pas du temps).
C et CL se comportent comme des interrupteurs ouverts.
On calcul IB (ce qui donne immdiatement IC) en supposant que le transistor
est en rgime linaire
VDD

On dtermine alors la tension VCE


qui doit tre suprieure VCEsat

R1

RC

VBE

VCE

R2

Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

20

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
EG est prsent un signal alternatif damplitude suffisamment faible pour ne
pas bloquer et/ou saturer le transistor.
Cette fois, les frquences du signal EG sont suffisamment leves pour ne pas
permettre aux capacits C et CL de se charger ou de se dcharger. Elles se
comportent comme des interrupteurs ferms.
VDD
R1
Rg

RC

CL

C
VBE

Ve

EG

Pascal MASSON

Vs

R2

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

RL

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
Les variations de EG vont se propager le long du circuit, tre amplifie par le
transistor puis appliques la charge RL.
Les paramtres importants dun amplificateur sont : les rsistances dentre
et de sortie, le gain en tension et les frquences de coupure haute et basse
Calculer ces paramtres peut tre
long et on prfre utiliser le schma
petit

signal

simplification

qui

est

mathmatique

schma rel.

VDD

une
R1

du
Rg

RC

CL

C
VBE

EG

Pascal MASSON

Ve

Vs

R2

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

RL

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
Pour pouvoir utiliser le schma petit signal il faut que tous les lments
aient un comportement linaire.
Dans ce schma, cest le transistor qui est non linaire et, par exemple, les
variations de VBE doivent tre suffisamment faibles pour considrer un seul VS
et surtout un seul RS.
VDD
R1
Rg

RC

VBE
EG

Pascal MASSON

Ve

CL

Vs

R2

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

RL

Le transistor bipolaire

21

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
Pour construire ce schma, on ne conserve que les lments (rsistances,
tensions, fils et on ne conserve que les variations de tension et de courant.
EG(t) = EG0 + eg(t) donc on ne conserve que eg(t)
La variation de VDD est nulle, vdd(t) = 0, et il en va de mme pour la masse
donc vmasse(t) = 0
Donc dun point de vu alternatif, les fils VDD et masse sont identiques.
Une

tension

continue

est

quivalente un court circuit

V1(t) = V10 + v1(t)


VS
V2(t) = V20 + v2(t) = V1(t) VS
V20 = V10 VS

donc

Pascal MASSON

v2(t) = v1(t)

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal

VDD

R1
Rg

CL

Ve

EG

RC

.IB

Vs

RL

R2

VDD / masse
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
Il faut aussi ajouter deux lments parasites donns par la matrice hybride
du transistor.
ib

v be hie.i b h re .v ce

ic
bipolaire

vbe

ic hfe .i b h oe.v ce

vce

Dans ce cours, nous ngligerons toujours la tension hre.vce (par rapport


hie.ib) et en fonction des cas nous ngligerons aussi la rsistance 1/hoe devant
les rsistances branches en parallle.
Rg

eg

ib

RB

vbe

C
hie
hre.vce

hfe.ib

1/hoe

ic

vce

RC

RL

VDD / masse
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

22

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.5. Schma en petit signal
Les 4 paramtres sont obtenus partir du point de polarisation.
IC (A)

VCE0

hfe

hoe

IC0

IB0 0

IB (A)

VCE (V)

VCE0

Dtermination de hie
v
V
h ie be
BE
i b v 0
I B V V
CE
CE 0
ce
Dtermination de hfe
i
h fe c

i b v 0
ce

VBE0
VBE (V)

hie

Dtermination de hoe
i
h oe c
v ce i 0

hre

Les paramtres h
dpendent du point
de repos (ou point
de polarisation)

Pascal MASSON

Dtermination de hoe
v
h re be
v ce i 0
b

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.6. Paramtres : rsistances et gains
V
Impdance dentre :
R e in
i in

Re
Rg

vin

eg

ib

iin
RB

vbe

C
hie

hfe.ib

ic

vce

RC

RL

E
VDD / masse
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.6. Paramtres : rsistances et gains
Pour limpdance de sortie, on court-circuite eg donc ib devient nul ainsi que
hfe.ib et il reste :

Rs

Vout

i out

Rs

Rg

eg

ib

RB

vbe

C
hie

hfe.ib

ic

vce

iout
RC vout

E
VDD / masse
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

23

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.6. Paramtres : rsistances et gains
Le gain en tension correspond au rapport entre la tension applique la
charge (RL) et la tension applique par le gnrateur :

AV

Vout Vce

Vin
Vbe

Sans charge (i.e. RL ), le gain en tension devient le gain vide :

A V0 A V

R L

Rg

ib

iin
vin

eg

RB

vbe

ic

C
hie

hfe.ib

vce

RC vout

RL

E
VDD / masse
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.6. Paramtres : rsistances et gains
Pour le gain composite , il faut considrer eg et non vin :

A VG

Vce

eg

Rg

vin

eg

ib

iin
RB

vbe

ic

C
hie

hfe.ib

vce

RC vout

RL

E
VDD / masse
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.7. Capacit C dentre
Si la frquence du signal EG est trop faible, la capacit C a le temps de se
charger et de se dcharger et la tension VBE ne varie pas.
La variation de tension de EG se retrouve intgralement aux bornes de la
capacit
Il

est

ncessaire

de

VDD

connaitre la frquence de
coupure du filtre pour

R1

ajuster correctement la
valeur de

C et

Rg

ainsi

laisser passer le signal


amplifier

Pascal MASSON

RC

VBE
EG

Ve

CL

Vs

R2

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

RL

Le transistor bipolaire

24

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.7. Capacit C dentre
On ajoute la capacit dans le schma petit signal et on dterminer le gain de
PH
lamplificateur

A VC

Vout Vbe Vce


Re
1
H

AV
A
AV
R C V

Vin
Vin Vbe R 1
1 j e
1 j 0
e
jC

On voit clairement apparatre la fonction dun filtre passe haut dont la


frquence de coupure est :

FC
Rg

iin
vin

eg

ib

RB

1
2R eC

vbe

2F
ic

C
hie

hfe.ib

RC vout

vce

RL

E
VDD / masse
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.7. Capacit C dentre
Si F < FC alors le condensateur se comporte comme un interrupteur ouvert et
le signal nest pas amplifi

VDD
R1
Rg

RC

CL

C
VBE

Ve

EG

Pascal MASSON

Vs

RL

R2

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.7. Capacit C dentre
Si F < FC alors le condensateur se comporte comme un interrupteur ouvert et
le signal nest pas amplifi
Si F > FC alors le condensateur se comporte comme un court-circuit et le
signal est amplifi
VDD
R1

RC

CL

Rg
VBE
EG

Pascal MASSON

Ve

R2

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Vs

RL

Le transistor bipolaire

25

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.7. Capacit C dentre
La voix humaine (et les autres sons) est constitue dune somme de
sinusodes damplitudes et frquences diffrentes :

Signal

Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.7. Capacit C dentre
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) :
A(db)
20

20
40
Signal
1
Pascal MASSON

103

109 F (Hz)

106

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Rsistance dmetteur
Si le transistor chauffe il risque de semballer thermiquement et dtre
dtruit.
La rsistance RE vite lemballement thermique du transistor :
T

IB

VE

VBE

IB
VDD

R1
C

RC

CL

IP
VBE

Vin

Pascal MASSON

R2

RE

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

VE

Vout

RL

Le transistor bipolaire

26

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.8. Rsistance dmetteur
Gain en tension :

v
A VE out
v in

Le gain a diminu avec lintroduction de la rsistance RE.

A VE 100

300
30
1000

Rg

A VE 100

ib

RB

eg

300
9.9
1000 201 100
ic

C
hie

hfe.ib

vin

RC

RL

vout

E
RE

Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Rsistance dmetteur
Pour revenir la valeur initiale du gain (i.e. AV), on ajoute une capacit CE
en parallle de RE. Cette capacit agit comme un passe bas.
Si la frquence est basse, CE agit comme un circuit ouvert, sinon elle est
quivalente un court-circuit.
VDD
R1
C

RC

VBE
Vin

Pascal MASSON

R2

CL

IP
CE

RE

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

VE

RL

Vout

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Rsistance dmetteur
Il est ncessaire de dterminer la frquence de transition entre court-circuit
et circuit ouvert.
Pour cela, on reprsente le schma en petit signal en faisant apparatre la
capacit CE.

Rg

ib

RB

eg

C
hie

vin
RE
Pascal MASSON

hfe.ib
E

CE

ic

RC

RL

vout

ve

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

27

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.8. Rsistance dmetteur
Pour dterminer la frquence de coupure du filtre, on commence par dfinir
1
1
limpdance quivalent RE // CE :

jCE
ZEq R E
On dtermine alors le gain :

AE

ve

v in

Rg

ib

RB

eg

hie

vin

hfe.ib

RC

CE

RL

vout

E
RE

Pascal MASSON

ic

ve

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Rsistance dmetteur
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) :
A(db)
20

20
40
Signal
1

103

Pascal MASSON

109 F (Hz)

106

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Rsistance dmetteur
Le gain de lamplificateur scrit :

v
A VCE out
v in

Rg

RC // R L
RC // R L

RE
RE
RS 1
jCE
jCER E 1
R S 1
1
RE
jCE
ib

RB

eg

C
hie

vin
RE
Pascal MASSON

hfe.ib
E

CE

ic

RC

RL

vout

ve

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

28

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.8. Rsistance dmetteur
Le gain de lamplificateur scrit :

v
RC // R L
A VCE out
v in
RS 1 R E

jCE

1
jCERE 1
R ERS
1
RS 1 R E
FCE
FCE

Il existe 2 frquences de coupure

FCE

RS R E 1
2RSR ECE

1
2R ECE

et

FCE '

et

R // R L
A VCE C
RS

On retrouve aussi les 2 gains

A VCE 0

Pascal MASSON

RC // R L
R S R E

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.8. Rsistance dmetteur
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) avec la rsistance RE
devient :
A(db)
CE

20

R // RC

20 log . L
RS

20
CE

R L // RC

20 log .

RS 1 R E

40
Signal
FCE

FCE

Pascal MASSON

103

109 F (Hz)

106

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.9. Frquences de coupure hautes
La variation de la tension vbc implique une variation de la longueur de la
zone de charge despace (ZCE) de la diode Base-Collecteur
La variation de la ZCE correspond une variation de charge et donc la diode
est quivalente une capacit note CBC.
Cette capacit fait un pont entre lentre et la sortie ce qui complique le
calcul du gain en tension

Rg

eg

ib

RB

vbe

C
CBC
hie

hfe.ib

ic

vce

RC

RL

E
Pascal MASSON

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

Le transistor bipolaire

29

03/12/2015

V. Amplification classe A
V.9. Frquences de coupure hautes
Nous considrons la capacit entre la base et le collecteur : CBE
Elle peut tre ramene en entre et en sortie du transistor avec le thorme
de MILLER :
Z1

1
1
1

.
j.C BC1. j.C BC . 1 A V

CBC1 CBC 1 AV CBC

Z2

AV
1
1

.
j.C BC2 . j.C BC . 1 A V

C BC2 C BC

1 AV
C BC
AV

Rg

RB

eg

Pascal MASSON

hie

CBC1

hfe.ib

RC

CBC2

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

RL

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.9. Frquences de coupure hautes
Re // CBC1
v
h
Gain composite : A VG _ CBC ce fe . R eq // CBC2
eg
h ie
Rg R e // CBC1

AVG

R eq .R e
v
h
1
1
.
.
soit A VG _ CBC ce fe .
eg
h ie Rg R e 1 jCBC1 Rg // R e 1 jCBC2R eq
Gain aux frquences moyennes
Il existe deux frquences de coupure hautes avec FHF1 << FHF2 :
Frquence de
1
1
coupure haute FHF1
FHF
FHF2
2C BE1 R g // R e
2C BE2 R eq
de lampli
Rg
Req

RB

eg

Pascal MASSON

CBC1

hie

hfe.ib

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

CBC2

RC

RL

Le transistor bipolaire

V. Amplification classe A
V.9. Frquences de coupure hautes
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) :
A(db)
h
R eq .R e
20 log fe .
h ie R g R e

20

20 db/dec

20
40

40 db/dec
Signal
1

Pascal MASSON

103

FHF1 106

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

FHF2

109 F (Hz)

Le transistor bipolaire

30

03/12/2015

VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH


VI.1. Prsentation

VDD

Circuit dont le schma sapparente


celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
t0
V

VDD

VBE1
0

0.6 V
t

VCE2

VDD

VBE2
0

t
0.6 V
t

CE1

RC1

C1

C2

T1

Pascal MASSON

R2
R1

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

RC2

T2

Le transistor bipolaire

VII. Amplification classe B


VII.1. Dfinition et principe de fonctionnement
Lamplificateur de classe B namplifie que la

VDD

moiti du signal dentre.


Il cre beaucoup de distorsion mais a un

RC

rendement bien meilleur que le classe A avec


en thorie 78.5 %.

IB

Le point de repos se situe la limite du

IC (A)

IC (A)

IBmax

ICmax

Pascal MASSON

VCE = VS

VE = VBE

blocage du transistor

IC0
0

VS

IC

IB0
VCE (V)

ICmax
IC0

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Le transistor bipolaire

VII. Amplification classe B


VII.2. Amplificateur push-pull

VDD

Les deux transistors ont le mme gain .


Amplificateur de puissance et non de tension

NPN
IL

Si VE = 0, les deux transistors sont bloqus


et VS = 0.

VE

Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en

PNP

rgime linaire et le PNP est bloqu :


VS = VE 0.6.
Si VE < 0.6 V, le transistor PNP est en
rgime linaire et le NPN est bloqu.
VS = VE + 0.6.
Distorsion pour les faibles valeurs de VE.

RL VS

VDD
VS (V) VE (V)

0.6
0

0.6

Saturation de VS si |VE| > VDD.


Pascal MASSON

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Le transistor bipolaire

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03/12/2015

VII. Amplification classe B


VII.2. Amplificateur push-pull

VDD

Les deux transistors ont le mme gain .


Amplificateur de puissance et non de tension

NPN
IL

Si VE = 0, les deux transistors sont bloqus


et VS = 0.

VE

Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en

RL VS

PNP

rgime linaire et le PNP est bloqu :

VDD

VS = VE 0.6.
Si VE < 0.6 V, le transistor PNP est en
rgime linaire et le NPN est bloqu.
VS = VE + 0.6.
Distorsion pour les faibles valeurs de VE.
Saturation de VS si |VE| > VDD.
Pascal MASSON

VS (V)

VDD
0.6
0

0.6
VDD

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Le transistor bipolaire

VII. Amplification classe B


VII.2. Amplificateur push-pull

VDD

Les deux transistors ont le mme gain .


Amplificateur de puissance et non de tension

NPN
IL

Si VE = 0, les deux transistors sont bloqus


et VS = 0.

VE

Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en


rgime linaire et le PNP est bloqu :

VDD

VS = VE 0.6.

VS (V)

Si VE < 0.6 V, le transistor PNP est en

VDD

rgime linaire et le NPN est bloqu.


VS = VE + 0.6.

RL VS

PNP

VDD 0.6
VDD VE (V)

0.6

Distorsion pour les faibles valeurs de VE.


Saturation de VS si |VE| > VDD.
Pascal MASSON

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Le transistor bipolaire

VII. Amplification classe B


VDD

VII.2. Amplificateur push-pull


Afin dviter la distorsion du signal, on place
un pont de base avec deux diodes polarises
en directe (et passantes).

0.6 V

NPN
IL

VE

PNP

Lamplificateur push-pull est utilis comme


tage de sortie des gnrateurs de fonction et

RL VS

des amplificateurs audio.


VDD

VS (V)

VDD
VDD 0.6
0.6

Pascal MASSON

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VDD VE (V)

Le transistor bipolaire

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