Bipolaire Cours - Impression - MASSON

03/12/2015
Le transistor bipolaire
Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)
Edition 2015-2016
cole Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis

Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)
-Parcours des coles
d'ingnieurs
Polytech
(Peip)
1645 route
des Lucioles,
06410 BIOT
Pascal MASSON
Sommaire
I.
Historique
II.
Caractristiques du transistor
III.
Polarisation du transistor
IV.
Les fonctions logiques
V.
Amplification en classe A
VI.
Multivibrateur astable ABRAHAM BLOCH
VII.
Amplification en classe B
VIII. Amplificateur oprationnel

Pascal MASSON
-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)
I. Historique
I.1. Dfinition
Le transistor bipolaire est un composant lectronique utilis comme :
interrupteur command, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur
de signal
Pascal MASSON
03/12/2015
I. Historique
I.2. Histoire du transistor
1947 : John BARDEEN et Walter BRATTAIN inventent le
transistor contact (transistor) au laboratoire de physique
de la socit BELL (USA). Cette dcouverte est annonce en
juillet 1948.
Transistor
contact 1948
1948 : Herbert MATARE et Heinrich WELKER inventent

(indpendamment de BELL) aussi le transistor contact
en juin 1948 (en France). Ce transistor sera appel le
Transistron pour le distinguer de celui de BELL.
Transistron 1948
1948 : en janvier William SHOCKLEY invente le

transistor jonction (bipolaire) mais la technique de
fabrication ne sera maitrise quen 1951
Transistor
jonction 1948
Pascal MASSON
I. Historique
I.2. Histoire du transistor
Les
transistors
remplacent
les
contacteurs
lectromcaniques des centraux tlphoniques et

les tubes dans les calculateurs.
1953 calculateur
(93 transistors + 550 diodes)
1953
Sonotone
1010
premire
application
portative
du
transistor entant que sonotone.
Rgency TR-1
(4 transistors)
1954 : premire radio

transistors.
Pascal MASSON
I. Historique
I.3. Histoire des premiers circuits intgrs
1958 : Jack KILBY de Texas Instrument
prsente
le
premier
circuit
(oscillateur)
entirement intgr sur une plaque de semiconducteur.

1958 premier circuit intgr
1960 : production de la premire

mmoire
Flip
Flop
par
la
socit
Fairchild Semiconductor.
1960 Flip Flop en circuit intgr
1965 : partir du nombre de composants par circuit

intgr
fabriqu
depuis
1965,
Gordon
MOORE
(Fairchild Semiconductor) prdit que le nombre de

composants intgrs (par unit de surface) doublera
tous les 12 mois. Cette loi est toujours vraie !
Pascal MASSON
03/12/2015
II. Caractristiques du transistor

II.1. Dfinition dun transistor bipolaire
Le transistor bipolaire est cr en juxtaposant trois couches de semiconducteur dops N+, P puis N pour le transistor NPN (courant d un flux
dlectrons) ou dops P+, N puis P pour le transistor PNP (courant d un flux
de trous). Le niveau de dopage dcroit dun bout lautre de la structure.
Un faible courant de base, IB, permet de commander un courant de
collecteur, IC, bien plus important.
II.2. Reprsentation
collecteur
collecteur
metteur
collecteur
IC
VCE
base
VBE
IB N
P
N+
IC
base
IE
VBE
metteur
base
Pascal MASSON
Transistor NPN
IB P
N
P+
VCE
IE
metteur
Transistor PNP

II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Si la tension VBE est suffisante, la diode BE
(base metteur) est passante :
Courant de trous de B vers E.
Courant dlectrons de E vers B
qV
qV
I IS. exp BE ISt ISe . exp BE
kT
kT
Si le nombre dlectrons dans lmetteur et

100 fois plus grand que le nombre de trous
VBE
dans la base alors ISt << ISe.

N+
E
Pascal MASSON

On positionne prsent le collecteur dop N
La jonction BC est polarise en inverse :
augmentation du champs lectrique interne.

La longueur de la base est trs courte et les
lectrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
VBC
collecteur.
Les lectrons sont propulss dans le collecteur
pas le champ lectrique.
Si on modifie la tension VBC (dans une certaine
VBE
limite), le champ lectrique est toujours suffisant

pour propulser tous les lectrons :
N
Le courant de collecteur ne dpend pas de la

tension VBC mais uniquement de VBE.
Pascal MASSON
E
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Par convenance on pose : VT q ( 25.6 mV 300K)
kT
Les trois courants du transistor bipolaire sont :
IB : courant de trous de B vers E.
V
I B ISt . exp BE
VT
IC : courant dlectrons de E vers C
V
I C ISe . exp BE
IB
VT
B
IE : courant de trous de B vers E + courant
IC
N
dlectrons de E vers C
V
I E IS. exp BE I B IC
VT
Le rapport, , entre les courants IC et IB dpend entre
autres des niveaux de dopage de lmetteur et de la base

ainsi que de lpaisseur de la base : IC = .IB
Pascal MASSON
IE

Si la tension VBC augmente trop :
Le champ lectrique base collecteur diminue
IC
N
Les lectrons ne sont plus tous propulss

dans le collecteur mais une partie sort par la
base
Le courant IC tend devenir nul

B
On dit dans ce cas que le transistor est satur
IB
La tension VCE pour laquelle ce phnomne

apparat est note VCEsat.
N
E
Pascal MASSON
IE

II.3. Caractristiques IB(VBE) du transistor NPN
Pour dbloquer (rendre passant) le transistor NPN, il faut que la jonction
base-metteur soit polarise en direct avec une tension suprieure la tension
de seuil, VS, de cette diode : VBE > VS.
La caractristique IB(VBE) est celle de la diode base-metteur en ne
considrant que le courant de trou.
Ici le courant de trous est bien plus faible que le courant dlectrons.
collecteur
IC
VCE
base
VBE
IB N
P
N+
IB (A)
inverse
IE
metteur
Pascal MASSON
directe
VS
VBE (V)
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II.3. Caractristiques IB(VBE) du transistor PNP
Pour dbloquer (rendre passant) le transistor PNP, il faut que la jonction
base-metteur soit polarise en direct avec une tension suprieure (en valeur
absolue) la tension de seuil, VS, de cette diode soit : VBE < VS.
La caractristique IB(VBE) est celle de la diode base-metteur en ne
considrant que le courant des lectrons.
Ici le courant des lectrons est bien plus faible que le courant des trous.
collecteur
IB (A)
IC
IB P
N
P+
VCE
base
VBE
directe
IE
metteur
Pascal MASSON
inverse
VS
VBE (V)

II.3. Caractristiques IC(VCE) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarise en inverse, alors le courant dlectrons peut
traverser cette jonction.
Dans ce cas le courant IC est indpendant de VCE : rgime linaire (IC = .IB)
Si VCE = 0 alors aucun courant ne circule entre lmetteur et le collecteur
Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit la tension
VCEsat (sat pour saturation) : le courant IC nest pas proportionnel IB.
satur
Linaire
collecteur
VCE
base
VBE
IB3
IB2 > IB1
IB1
IE
metteur
Pascal MASSON
IB4
IC (A)
IC
IB N
P
N+
VCEsat
VCE (V)

II.4. Bilan des caractristiques IB(VBE) et IC(VCE)
C
Bloqu : VBE < VS, IB = 0, IC = 0
IC
N
IB (A)
VS
VBE (V)
IB
IC (A)
N
0
Pascal MASSON
VCEsat
VCE (V)
IE
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C
Passant_Linaire : VBE > VS, IB > 0, IC = .IB
IC
N
IB (A)
VS
VBE (V)
IB
IC (A)
N
0
Pascal MASSON
VCEsat
VCE (V)
IE

C
Passant_Satur : VBE > VS, IB > 0, IC < .IB, VCE < VCEsat
IC
N
IB (A)
VS
VBE (V)
IB
IC (A)
N
0
Pascal MASSON
VCEsat
VCE (V)
IE

Si on dconnecte le collecteur, le courant de base correspond la somme des
trous et des lectrons (IB = h+ + e). La rsistance srie est de lordre de lohm
B
IB (A)
IB
h+ + e
VBE
e
h+
N
0
Pascal MASSON
VBE (V)
E
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En rgime linaire, le courant de base est constitu
uniquement de trous (IB = h+) donc la rsistance srie
IC
N
de la diode est beaucoup plus grande, de lordre du

kohm
B
IB (A)
IB
h+ + e
VBE
e
h+
N
0
Pascal MASSON
VBE (V)
IE

En rgime satur, le courant de base est constitu
des trous et dune partie des lectrons (IB = h+ + .e)
IC
N
IB (A)
h+ + e
h+ + .e
IB
e
h+
N
0
Pascal MASSON
VBE (V)
IE
III. Polarisation du transistor

III.1. Polarisation simple
Dtermination de IB0 et IC0
La boucle dentre permet de dterminer la valeur de IB
I B0
E G R B.I B0 VS R S.I B0
E G VS
R B RS
VBE0 VS R S.I B0
VDD
RC
IB (A)
EG/RB
RB
IB0
0
Pascal MASSON
EG
VS VBE0
IB
IC
VBE
VCE
EG VBE (V)
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On considre que le transistor est en rgime linaire
I C .I B
On peut donc rsumer le transistor trois lments :

En entre : VS et RS (donc la diode base-metteur)
En sortie: un gnrateur de courant IC = .IB
VDD
RC
RB
EG
Pascal MASSON
IB
IC VCE
VBE
IC

Il faut prsent vrifier si le transistor est rellement en rgime linaire par
le calcul de VCE
VCE VDD R C .IC
VDD R C .IC VCE
Si VCE > VCEsat alors on confirme le rgime linaire et les calculs sont exacts
VDD
RC
IC
VDD/RC
RB
IB0
IC0
EG
0 VCEsatVCE0
Pascal MASSON
VDD
IB
IC
VCE
VBE
VCE

Si VCE < VCEsat le transistor est en rgime satur et lutilisation de la droite
de charge donne les vraies valeurs de IC0 et VCE0
Si on utilise pas la droite de charge, on impose VCE = VCEsat et on dtermine
la valeur de IC avec la boucle de sortie.
I C0
VDD R C .IC0 VCEsat
VDD VCEsat
RC
VDD
RC
IC
VDD/RC
IC0
RB
IB0
EG
0 VCEsatVCE0
Pascal MASSON
VDD
IB
IC
VBE
VCE
VCE
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Il faut aussi re-dterminer la vritable valeur du courant de base.
Les lectrons qui passent de lmetteur la base ne sont pas tous propulss
au collecteur et une partie sort par la base.
Les valeurs de VS et RS sont donc diffrentes
VDD
RC
IB (A)
EG/RB
RB
IC
IB
IB0
EG
0
VS VBE0
Pascal MASSON
VCE
VBE
EG VBE (V)

VDD
Variation de RB avec RC constant

RC
On part dune valeur de RB suffisamment grande

pour que le transistor soit en rgime linaire
RB
La droite de charge en sortie ne change pas

On diminue alors RB
EG
IC
IB
VCE
VBE
IC
IB (A)
VDD/RC
IB0
EG/RB
0
VS
Pascal MASSON
0 VCEsat
EG VBE (V)
VDD
VCE

VDD

RC

RB

On diminue alors RB
EG
IC
IB
VCE
VBE
IC
IB (A)
VDD/RC
IB0
EG/RB
0
Pascal MASSON
VS
EG VBE (V)
0 VCEsat
VDD
VCE
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VDD

RC

RB

On diminue alors RB
EG
IC
IB
VCE
VBE
IC
IB (A)
EG/RB
IB0
VDD/RC
VS
Pascal MASSON
IC0
0 VCEsat
EG VBE (V)
VDD
VCE

VDD
Variation de RC avec RB constant

RC
On part dune valeur de RC suffisamment faible

RB
La droite de charge en entre ne change pas

On augmente alors RC
EG
IC
IC
IB
VCE
VBE
VDD/RC
IB (A)
IB0
EG/RB
IB0
0
VS
Pascal MASSON
0 VCEsat
EG VBE (V)
VDD
VCE

VDD

RC

RB

EG
IC
IB
VCE
VBE
IC
IB (A)
VDD/RC
EG/RB
IB0
IB0
0
Pascal MASSON
VS
EG VBE (V)
0 VCEsat
VDD
VCE
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VDD

RC

RB

EG
IC
IB
VCE
VBE
IC
IB (A)
VDD/RC
EG/RB
IB0
IC0
IB0
0
VS
Pascal MASSON
EG VBE (V)
0 VCEsat
VDD
VCE

III.2. Pont de base
Les rsistances R1 et R2 forment un pont entre la base et VDD do le nom.
La dtermination de IB passe par celle de IP.
VDD
R1
IP + IB
IP
RC
IB
VCE
VBE
R2
Pascal MASSON

III.2. Pont de base
IB : approche simple
On considre que IP >>> IB.
Dans ce cas un simple pont diviseur de tension permet de connatre la valeur
de VBE et par suite la valeur de IB.
VBE
Puis on dtermine IB.
IB
VDD
R2
VDD
R1 R 2
VBE VS
RS
R1
IP + IB
IP
RC
IB
VBE
VCE
R2
Pascal MASSON
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III.2. Pont de base
IB : systme de 2 quations
On rsout un systme de deux quations qui correspond l criture de deux
mailles en entre
(1)
VBE R 2 .I P VS R S.I B
(2)
VDD R1.I P I B VBE R1.I P VS R1 R S I B
VDD
R1
On trouve
(2)
RC
IP + IB
IB
IP
IB
R2
Pascal MASSON
VCE
VBE
(1)

III.2. Pont de base
IB : Thvenin
On peut aussi transformer VDD, R1 et R2 en gnrateur de thvenin
VDD
RC
Rth
IB
VCE
VBE
Eth
Thvenin
Pascal MASSON

III.2. Pont de base
IB : Thvenin
On dbranche la base du transistor pour liminer le courant IB
Pour dterminer Rth, on liminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R1 // R2
R th
VDD
R1.R 2
R1 R 2
RC
On dtermine alors Eth avec un pont

diviseur de tension
E th
Rth
R2
VDD
R1 R 2
VCE
Eth
Pascal MASSON
Eth
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III.2. Pont de base
IB : Thvenin
On dbranche la base du transistor pour liminer le courant IB
Pour dterminer Rth, on liminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R1 // R2
R th
VDD
R1.R 2
R1 R 2
RC
On dtermine alors Eth avec un pont

diviseur de tension
E th
Rth
R2
VDD
R1 R 2
Do IB :
IB
VCE
Eth
E th VS
R th R S
Pascal MASSON
IB
VBE

III.3. Rsistance dmetteur
Dans la rsistance RE il passe le courant IE donc les courants IB et IC
La maille en entre s'crit :
E th R th .I B VS R S.I B R E .I B IC
E th R th .I B VS R S.I B R E .1 .I B
On trouve le courant IB
E th VS
IB
R th R S 1 .R E
VDD
Erreur classique :
oublie du
RC
Rth
Vu de lentre (donc de IB), la rsistance

RE est multiplie par (1+)
En fonction de la valeur de on peut
crire :
1 .R E .R E
Pascal MASSON
IB
VCE
VBE
Eth
RE

III.3. Rsistance dmetteur
La prsence de RE permet une rgulation thermique du transistor
En fonctionnement, le transistor chauffe cause de la circulation du courant
ce qui augmente la valeur du courant qui engendre une augmentation de la
temprature etc
En prsence de RE :
IB (A)
VDD
VE
T
IB
VS
VBE (V)
RC
VBE
Rth
IB
Si la prsence de RE nest pas suffisante, il
IB
VBE
Eth
RE
faut ajouter un radiateur sur le transistor.

Pascal MASSON
VCE
VE
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IV. Les fonctions logiques

IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE VS 24 R.IC
On obtient alors la droite de charge :
IB4
R
E
0V
24 VCE
R
R
IC (A)
IC
24 V
6V
IC
R1
RB
VE
Pascal MASSON
IB
VCE = VS
VBE
VCE (V)

IV.1. Linverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE VS 24 R.IC
On obtient alors la droite de charge :
IC
24 VCE
R
R
On trace maintenant la caractristique VS(VE) de linverseur.
VS (V) A
24
IC (A)
IB4
IB3
IB2 > IB1
IB1
VCEsat
24 VE (V)
Pascal MASSON
VCE (V)

IV.1. Linverseur
Table de vrit et symbole logique :
E
S=E
En pratique on dfinit un gabarit pour linverseur

VS (V)
24
VCEsat
24 VE (V)
Pascal MASSON
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IV.2. La fonction NI (NON-OU, NOR)
24 V
6V
Schma lectrique dune porte NI :
IC
R2
E2
Pascal MASSON
S = E1+E2
IB
VCE = VS
VBE
0V
E1
E2
R1
E1
Table de vrit et symbole logique :
RB
E2
E1

IV.3. La fonction mmoire deux portes NI
Le but est de stocker linformation 1 ou 0.
Schma logique le la mmoire :
Reset
Set
Table de vrit :
Q
Set Reset
Chronogramme :
Set 1
0
Reset 1
0
Q 1
0
Q 1
0
Pascal MASSON
t

Il existe un tat interdit avec Set = Reset = 1
Table de vrit :
Reset
Set
Set Reset
Chronogramme :
Set 1
0
Reset 1
0
Q 1
0
Q 1
0
Pascal MASSON
t
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Schma lectrique de cette mmoire :
24 V
6V
RB
RB
Set
R2
0V
Reset
Q
R1
R
Q
R2
R1
Symbole logique de la mmoire RS (bascule RS) :

Set
Reset
Q
Set
Reset
Mmoire de type RAM (Random Acces Memory) qui sapparente la SRAM

(Static) : linformation disparat si on teint lalimentation.
Si le pont de base consomme 1 A (sous 30 V) et que lon stocke 106 bits
alors la mmoire disperse au moins 30 W !
Pascal MASSON

1971 : 256-bit TTL RAM (Fairchild)
Pascal MASSON
V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
Lamplificateur de classe A amplifie tout le signal dentre.
VDD
On travaille dans la partie
IC = .IB
linaire du transistor qui est

polaris en statique IB0 et IC0.
RC
IB
Le courant IB oscille autour de

IB0 et donc IC oscille autour de IC0
IC
VS
VCE = VS
VE = VBE
avec IC = .IB.
Sans signal dentre, lampli consomme IC0 : mauvais rendement (au

mieux 50 %).
Pascal MASSON
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RC
VDD
RB
EG
IB
VS
IC
VCE
VBE
EG (V)
EGmax
EG0
EGmin
t
IB (A)
IB (A)
IBmax
IBmax
IB0
IB0
IBmin
0
IBmin
VBE (V)
t
Pascal MASSON
RC
VDD
RB
EG
IB
VS
IC
VCE
VBE
EG (V)
EGmax
EG0
EGmin
t
IB (A)
IB (A)
IBmax
IBmax
IB0
IB0
IBmin
0
IBmin
VBE (V)
IC (A)
ICmax
ICmax
IB0
IC0
ICmin
VCE (V)
Pascal MASSON
IC = .IB
IC0
IBmin
ICmin
0
IC (A)
IBmax
RC
VDD
RB
EG
IB
VS
IC
VCE
VBE
EG (V)
EGmax
EG0
EGmin
t
IC (A)
IBmax
ICmax
IB0
IC0
ICmin
0
IBmin
IC (A)
ICmax
IC0
ICmin
t
VCE (V)
t
Pascal MASSON
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RC
VDD
RB
EG
IB
IC
VCE
VBE
EG (V)
VS
EGmax
EG0
EGmin
IB (A)
IB (A)
IBmax
IB0
IBmin
0
IBmax
IB0
VBE (V)
t
Pascal MASSON
RC
VDD
RB
EG
IB
VCE
VBE
EG (V)
VS
IC
EGmax
EG0
EGmin
IC (A)
IC (A)
IBmax
ICmax
ICmax
IC0
ICmin
IB0
IC0
0
VCE (V)
t
Pascal MASSON
RC
VDD
RB
EG
IB
VBE
IC
VS
VCE
EG (V)
EGmax
EG0
EGmin
t
IB (A)
IBmax
IB (A)
IBmax
IB0
IBmin
IB0
IBmin
VBE (V)
t
Pascal MASSON
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RC
VDD
RB
EG
IB
VS
IC
EG0
EGmin
VCE
VBE
EG (V)
EGmax
t
IBmax
IC (A)
ICmax
IC0
ICmin
IC (A)
IB0
IBmin
VCE (V)
0
0
t
Pascal MASSON
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
Les gains VC/EG et VR/EG correspondent aux filtres passe bas et pas haut
respectivement.
La frquence de coupure des deux filtres est : FC = 1/(2RC).
La notion de haute et basse frquences se reporte la valeur de FC
VC
C
EG
Pascal MASSON
VR
En basse frquence VC = EG et VR = 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de EG. Elle a le temps de se charger et de se dcharger
1.5
C
EG
VR
Tensions
VC
F = 0,2 FC
EG
1.0
VR
0.5
VC
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
0
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
Temps
Pascal MASSON
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En basse frquence VC = EG et VR = 0 : la capacit absorbe toutes les
variations de EG. Elle a le temps de se charger et de se dcharger
1.5
C
R
EG
VR
Tensions
VC
F = 5.FC
EG
1.0
VR
0.5
VC
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
0
0.00005
0.0001
0.00015
0.0002
0.00025
0.0003
0.00035
0.0004
Temps
Pascal MASSON
V.3. Elments du montage
Les rsistances R1 et R2 constituent le pont de base : polarisation de la base
Le condensateur C ne laisse passer que les variations de Ve et non la
composante continue : vite de modifier la polarisation de la base.
CL est aussi un condensateur de
VDD
liaison qui permet la charge RL

(rsistance
dentre
du
R1
bloc
suivant) de ne pas modifier la
RC
CL
polarisation du transistor.
VBE
Ve
Pascal MASSON
Vs
R2
RL
V.4. Point de repos du montage
Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsquon ne considre que le rgime statique (ne dpend pas du temps).
C et CL se comportent comme des interrupteurs ouverts.
On calcul IB (ce qui donne immdiatement IC) en supposant que le transistor
est en rgime linaire
VDD
On dtermine alors la tension VCE

qui doit tre suprieure VCEsat
R1
RC
VBE
VCE
R2
Pascal MASSON
20
03/12/2015
V.5. Schma en petit signal
EG est prsent un signal alternatif damplitude suffisamment faible pour ne
pas bloquer et/ou saturer le transistor.
Cette fois, les frquences du signal EG sont suffisamment leves pour ne pas
permettre aux capacits C et CL de se charger ou de se dcharger. Elles se
comportent comme des interrupteurs ferms.
VDD
R1
Rg
RC
CL
C
VBE
Ve
EG
Pascal MASSON
Vs
R2
RL
Les variations de EG vont se propager le long du circuit, tre amplifie par le
transistor puis appliques la charge RL.
Les paramtres importants dun amplificateur sont : les rsistances dentre
et de sortie, le gain en tension et les frquences de coupure haute et basse
Calculer ces paramtres peut tre
long et on prfre utiliser le schma
petit
signal
simplification
qui
est
mathmatique
schma rel.
VDD
une
R1
du
Rg
RC
CL
C
VBE
EG
Pascal MASSON
Ve
Vs
R2
RL
Pour pouvoir utiliser le schma petit signal il faut que tous les lments
aient un comportement linaire.
Dans ce schma, cest le transistor qui est non linaire et, par exemple, les
variations de VBE doivent tre suffisamment faibles pour considrer un seul VS
et surtout un seul RS.
VDD
R1
Rg
RC
VBE
EG
Pascal MASSON
Ve
CL
Vs
R2
RL
21
03/12/2015
Pour construire ce schma, on ne conserve que les lments (rsistances,
tensions, fils et on ne conserve que les variations de tension et de courant.
EG(t) = EG0 + eg(t) donc on ne conserve que eg(t)
La variation de VDD est nulle, vdd(t) = 0, et il en va de mme pour la masse
donc vmasse(t) = 0
Donc dun point de vu alternatif, les fils VDD et masse sont identiques.
Une
tension
continue
est
quivalente un court circuit
V1(t) = V10 + v1(t)

VS
V2(t) = V20 + v2(t) = V1(t) VS
V20 = V10 VS
donc
Pascal MASSON
v2(t) = v1(t)
VDD
R1
Rg
CL
Ve
EG
RC
.IB
Vs
RL
R2
VDD / masse
Pascal MASSON
Il faut aussi ajouter deux lments parasites donns par la matrice hybride
du transistor.
ib
v be hie.i b h re .v ce
ic
bipolaire
vbe
ic hfe .i b h oe.v ce
vce
Dans ce cours, nous ngligerons toujours la tension hre.vce (par rapport

hie.ib) et en fonction des cas nous ngligerons aussi la rsistance 1/hoe devant
les rsistances branches en parallle.
Rg
eg
ib
RB
vbe
C
hie
hre.vce
hfe.ib
1/hoe
ic
vce
RC
RL
VDD / masse
Pascal MASSON
22
03/12/2015
Les 4 paramtres sont obtenus partir du point de polarisation.
IC (A)
VCE0
hfe
hoe
IC0
IB0 0
IB (A)
VCE (V)
VCE0
Dtermination de hie
v
V
h ie be
BE
i b v 0
I B V V
CE
CE 0
ce
Dtermination de hfe
i
h fe c
i b v 0
ce
VBE0
VBE (V)
hie
Dtermination de hoe
i
h oe c
v ce i 0
hre
Les paramtres h
dpendent du point
de repos (ou point
de polarisation)
Pascal MASSON
Dtermination de hoe
v
h re be
v ce i 0
b
V.6. Paramtres : rsistances et gains
V
Impdance dentre :
R e in
i in
Re
Rg
vin
eg
ib
iin
RB
vbe
C
hie
hfe.ib
ic
vce
RC
RL
E
VDD / masse
Pascal MASSON
Pour limpdance de sortie, on court-circuite eg donc ib devient nul ainsi que
hfe.ib et il reste :
Rs
Vout
i out
Rs
Rg
eg
ib
RB
vbe
C
hie
hfe.ib
ic
vce
iout
RC vout
E
VDD / masse
Pascal MASSON
23
03/12/2015
Le gain en tension correspond au rapport entre la tension applique la
charge (RL) et la tension applique par le gnrateur :
AV
Vout Vce
Vin
Vbe
Sans charge (i.e. RL ), le gain en tension devient le gain vide :
A V0 A V
R L
Rg
ib
iin
vin
eg
RB
vbe
ic
C
hie
hfe.ib
vce
RC vout
RL
E
VDD / masse
Pascal MASSON
Pour le gain composite , il faut considrer eg et non vin :
A VG
Vce
eg
Rg
vin
eg
ib
iin
RB
vbe
ic
C
hie
hfe.ib
vce
RC vout
RL
E
VDD / masse
Pascal MASSON
V.7. Capacit C dentre
Si la frquence du signal EG est trop faible, la capacit C a le temps de se
charger et de se dcharger et la tension VBE ne varie pas.
La variation de tension de EG se retrouve intgralement aux bornes de la
capacit
Il
est
ncessaire
de
VDD
connaitre la frquence de
coupure du filtre pour
R1
ajuster correctement la
valeur de
C et
Rg
ainsi
laisser passer le signal

amplifier
Pascal MASSON
RC
VBE
EG
Ve
CL
Vs
R2
RL
24
03/12/2015
On ajoute la capacit dans le schma petit signal et on dterminer le gain de
PH
lamplificateur
A VC
Vout Vbe Vce

Re
1
H
AV
A
AV
R C V
Vin
Vin Vbe R 1
1 j e
1 j 0
e
jC
On voit clairement apparatre la fonction dun filtre passe haut dont la

frquence de coupure est :
FC
Rg
iin
vin
eg
ib
RB
1
2R eC
vbe
2F
ic
C
hie
hfe.ib
RC vout
vce
RL
E
VDD / masse
Pascal MASSON
Si F < FC alors le condensateur se comporte comme un interrupteur ouvert et
le signal nest pas amplifi
VDD
R1
Rg
RC
CL
C
VBE
Ve
EG
Pascal MASSON
Vs
RL
R2
Si F < FC alors le condensateur se comporte comme un interrupteur ouvert et
le signal nest pas amplifi
Si F > FC alors le condensateur se comporte comme un court-circuit et le
signal est amplifi
VDD
R1
RC
CL
Rg
VBE
EG
Pascal MASSON
Ve
R2
Vs
RL
25
03/12/2015
La voix humaine (et les autres sons) est constitue dune somme de
sinusodes damplitudes et frquences diffrentes :
Signal
Pascal MASSON
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) :
A(db)
20
20
40
Signal
1
Pascal MASSON
103
109 F (Hz)
106
V.8. Rsistance dmetteur
Si le transistor chauffe il risque de semballer thermiquement et dtre
dtruit.
La rsistance RE vite lemballement thermique du transistor :
T
IB
VE
VBE
IB
VDD
R1
C
RC
CL
IP
VBE
Vin
Pascal MASSON
R2
RE
VE
Vout
RL
26
03/12/2015
Gain en tension :
v
A VE out
v in
Le gain a diminu avec lintroduction de la rsistance RE.
A VE 100
300
30
1000
Rg
A VE 100
ib
RB
eg
300
9.9
1000 201 100
ic
C
hie
hfe.ib
vin
RC
RL
vout
E
RE
Pascal MASSON
Pour revenir la valeur initiale du gain (i.e. AV), on ajoute une capacit CE
en parallle de RE. Cette capacit agit comme un passe bas.
Si la frquence est basse, CE agit comme un circuit ouvert, sinon elle est
quivalente un court-circuit.
VDD
R1
C
RC
VBE
Vin
Pascal MASSON
R2
CL
IP
CE
RE
VE
RL
Vout
Il est ncessaire de dterminer la frquence de transition entre court-circuit
et circuit ouvert.
Pour cela, on reprsente le schma en petit signal en faisant apparatre la
capacit CE.
Rg
ib
RB
eg
C
hie
vin
RE
Pascal MASSON
hfe.ib
E
CE
ic
RC
RL
vout
ve
27
03/12/2015
Pour dterminer la frquence de coupure du filtre, on commence par dfinir
1
1
limpdance quivalent RE // CE :
jCE
ZEq R E
On dtermine alors le gain :
AE
ve
v in
Rg
ib
RB
eg
hie
vin
hfe.ib
RC
CE
RL
vout
E
RE
Pascal MASSON
ic
ve
A(db)
20
20
40
Signal
1
103
Pascal MASSON
109 F (Hz)
106
Le gain de lamplificateur scrit :
v
A VCE out
v in
Rg
RC // R L
RC // R L

RE
RE
RS 1
jCE
jCER E 1
R S 1
1
RE
jCE
ib
RB
eg
C
hie
vin
RE
Pascal MASSON
hfe.ib
E
CE
ic
RC
RL
vout
ve
28
03/12/2015
Le gain de lamplificateur scrit :
v
RC // R L
A VCE out
v in
RS 1 R E
jCE
1
jCERE 1
R ERS
1
RS 1 R E
FCE
FCE
Il existe 2 frquences de coupure
FCE
RS R E 1
2RSR ECE
1
2R ECE
et
FCE '
et
R // R L
A VCE C
RS
On retrouve aussi les 2 gains
A VCE 0
Pascal MASSON
RC // R L
R S R E
Diagramme de bode en amplitude (chelle semi-log) avec la rsistance RE
devient :
A(db)
CE
20
R // RC
20 log . L
RS
20
CE
R L // RC
20 log .
RS 1 R E
40
Signal
FCE
FCE
Pascal MASSON
103
109 F (Hz)
106
V.9. Frquences de coupure hautes
La variation de la tension vbc implique une variation de la longueur de la
zone de charge despace (ZCE) de la diode Base-Collecteur
La variation de la ZCE correspond une variation de charge et donc la diode
est quivalente une capacit note CBC.
Cette capacit fait un pont entre lentre et la sortie ce qui complique le
calcul du gain en tension
Rg
eg
ib
RB
vbe
C
CBC
hie
hfe.ib
ic
vce
RC
RL
E
Pascal MASSON
29
03/12/2015
Nous considrons la capacit entre la base et le collecteur : CBE
Elle peut tre ramene en entre et en sortie du transistor avec le thorme
de MILLER :
Z1
1
1
1
.
j.C BC1. j.C BC . 1 A V
CBC1 CBC 1 AV CBC
Z2
AV
1
1
.
j.C BC2 . j.C BC . 1 A V
C BC2 C BC
1 AV
C BC
AV
Rg
RB
eg
Pascal MASSON
hie
CBC1
hfe.ib
RC
CBC2
RL
Re // CBC1
v
h
Gain composite : A VG _ CBC ce fe . R eq // CBC2
eg
h ie
Rg R e // CBC1
AVG
R eq .R e
v
h
1
1
.
.
soit A VG _ CBC ce fe .
eg
h ie Rg R e 1 jCBC1 Rg // R e 1 jCBC2R eq
Gain aux frquences moyennes
Il existe deux frquences de coupure hautes avec FHF1 << FHF2 :
Frquence de
1
1
coupure haute FHF1
FHF
FHF2
2C BE1 R g // R e
2C BE2 R eq
de lampli
Rg
Req
RB
eg
Pascal MASSON
CBC1
hie
hfe.ib
CBC2
RC
RL
A(db)
h
R eq .R e
20 log fe .
h ie R g R e
20
20 db/dec
20
40
40 db/dec
Signal
1
Pascal MASSON
103
FHF1 106
FHF2
109 F (Hz)
30
03/12/2015
VI. Multivibrateur astable Abraham BLOCH

VI.1. Prsentation
VDD
Circuit dont le schma sapparente

celui de la mmoire RS et qui fournit
un signal carr.
t0
V
VDD
VBE1
0
0.6 V
t
VCE2
VDD
VBE2
0
t
0.6 V
t
CE1
RC1
C1
C2
T1
Pascal MASSON
R2
R1
RC2
T2
VII. Amplification classe B

VII.1. Dfinition et principe de fonctionnement
Lamplificateur de classe B namplifie que la
VDD
moiti du signal dentre.

Il cre beaucoup de distorsion mais a un
RC
rendement bien meilleur que le classe A avec

en thorie 78.5 %.
IB
Le point de repos se situe la limite du
IC (A)
IC (A)
IBmax
ICmax
Pascal MASSON
VCE = VS
VE = VBE
blocage du transistor
IC0
0
VS
IC
IB0
VCE (V)
ICmax
IC0

VII.2. Amplificateur push-pull
VDD
Les deux transistors ont le mme gain .

Amplificateur de puissance et non de tension
NPN
IL
Si VE = 0, les deux transistors sont bloqus

et VS = 0.
VE
Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en
PNP
rgime linaire et le PNP est bloqu :

VS = VE 0.6.
Si VE < 0.6 V, le transistor PNP est en
rgime linaire et le NPN est bloqu.
VS = VE + 0.6.
Distorsion pour les faibles valeurs de VE.
RL VS
VDD
VS (V) VE (V)
0.6
0
0.6
Saturation de VS si |VE| > VDD.

Pascal MASSON
31
03/12/2015

VDD

NPN
IL

et VS = 0.
VE
RL VS
PNP
VDD
VS = VE 0.6.
VS = VE + 0.6.
Pascal MASSON
VS (V)
VDD
0.6
0
0.6
VDD

VDD

NPN
IL

et VS = 0.
VE

VDD
VS = VE 0.6.
VS (V)
VDD

VS = VE + 0.6.
RL VS
PNP
VDD 0.6
VDD VE (V)
0.6

Pascal MASSON

VDD

Afin dviter la distorsion du signal, on place
un pont de base avec deux diodes polarises
en directe (et passantes).
0.6 V
NPN
IL
VE
PNP
Lamplificateur push-pull est utilis comme

tage de sortie des gnrateurs de fonction et
RL VS
des amplificateurs audio.

VDD
VS (V)
VDD
VDD 0.6
0.6
Pascal MASSON
VDD VE (V)
32

Bipolaire Cours - Impression - MASSON

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cole Polytechnique Universitaire de Nice Sophia-Antipolis

Les fonctions logiques

Multivibrateur astable ABRAHAM BLOCH

VIII. Amplificateur oprationnel

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

1948 : Herbert MATARE et Heinrich WELKER inventent

1948 : en janvier William SHOCKLEY invente le

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

lectromcaniques des centraux tlphoniques et

transistor entant que sonotone.

1954 : premire radio

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

entirement intgr sur une plaque de semiconducteur.

1960 : production de la premire

1965 : partir du nombre de composants par circuit

(Fairchild Semiconductor) prdit que le nombre de

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

II. Caractristiques du transistor

II. Caractristiques du transistor

Si le nombre dlectrons dans lmetteur et

dans la base alors ISt << ISe.

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II. Caractristiques du transistor

La jonction BC est polarise en inverse :

augmentation du champs lectrique interne.

limite), le champ lectrique est toujours suffisant

Le courant de collecteur ne dpend pas de la

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

II. Caractristiques du transistor

autres des niveaux de dopage de lmetteur et de la base

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

II. Caractristiques du transistor

Le champ lectrique base collecteur diminue

Les lectrons ne sont plus tous propulss

Le courant IC tend devenir nul

On dit dans ce cas que le transistor est satur

La tension VCE pour laquelle ce phnomne

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

II. Caractristiques du transistor

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II. Caractristiques du transistor

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II. Caractristiques du transistor

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II. Caractristiques du transistor

Bloqu : VBE < VS, IB = 0, IC = 0

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

II. Caractristiques du transistor

Passant_Linaire : VBE > VS, IB > 0, IC = .IB

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

II. Caractristiques du transistor

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

II. Caractristiques du transistor

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

II. Caractristiques du transistor

uniquement de trous (IB = h+) donc la rsistance srie

de la diode est beaucoup plus grande, de lordre du

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

II. Caractristiques du transistor

des trous et dune partie des lectrons (IB = h+ + .e)

-Parcours des coles d'ingnieurs Polytech (Peip)

III. Polarisation du transistor