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Cours 2

DIODE

TABLE DES MATIRES


2. LA DIODE

2-1

2.1 Les semiconducteurs.

2-1

2.2 La jonction PN.

2-2

2.3 La diode.
2.3.1 Schma et construction.
2.3.2 Polarisation en direct.
2.3.3 Polarisation en inverse
2.3.4 Caractristiques des diodes.

2-3
2-3
2-3
2-4
2-4

2.4 Types de diodes.


2.4.1 Diodes redresseuses.
2.4.2 Diode lectroluminescente (Del).

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2-5
2-6

2. La Diode
2.1 Les semiconducteurs.
Un semiconducteur, comme son nom lindique, n'est pas assez conducteur pour tre
utilis comme conducteur et ni assez isolant pour re utilis comme isolant. C'est pour
cela qu'on le nomme semiconducteur.
Le matriel semiconducteur le plus rpandu est le silicium. On le retrouve sous la forme
de cristaux. Dans un solide, les atomes se rejoignent pour former des cristaux. Les liens
qui les retiennent sont dits convolents: le mme lectron est partag par deux noyaux. Un
atome de silicium a, sur sa dernire couche quatre lectrons, cest--dire quil est
ttravalent: il serait bien content d'en avoir huit. C'est pourquoi il s'associe avec quatre
autres atomes l'aide des liens covalents. La Figure 2-1 schmatise lexplication.

Figure 2-1: Cristal de silicium et liens covalents.

Le silicium comme tel est trs rsistant. l'tat pur, il n'est gure utile. On modifie la
rsistance des semiconducteurs en introduisant des impurets convenables dans leur
structure cristalline. On dit que le semiconducteur est dop. Ceci est ralis en
introduisant des atomes ayant des lectrons en plus, ou en moins, sur leur dernire
couche. Par exemple, l'arsenic, le phosphore et lantimoine en ont cinq, donc un de trop.
Le bore, le gallium et lindium en ont trois; il en manque un. Les trois premiers sont
pentavalents et les trois derniers, trivalents. Le niveau habituel de dopage va dun
atome dimpuret par 106 108 atomes de silicium.
L'addition d'un lment pentavalent cre un surplus d'lectron. Les liens tant tous
complts, les lectrons en trop peuvent se promener d'un atome l'autre. Ce type de
dopage produit un matriel semi-conducteur de type N.
L'addition d'un lment trivalent cre un manque d'lectrons qu'on appelle trous. Un
lectron manquant dans la structure cristalline laisse une place libre o un lectron peut
venir se placer en provenant du lien voisin, laissant alors un trou o il tait. Le courant
lectrique est appel un courant de trous, les trous semblant se dplacer. Ce type de
dopage produit un matriel de type P.
Les lectrons libres dans un matriel de type N et les trous dans un matriel de type P sont
appels les porteurs majoritaires du courant lectrique.

La Diode

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lectron en
surplus

trou

Type N

Type P

lment pentavalent

lment trivalent

Figure 2-2: Types de matriau semiconducteur

2.2 La jonction PN.


Que se passe-t-il lorsqu'on runit un matriel P avec un N? On obtient une jonction PN.

Figure 2-3

la Figure 2-3 de gauche, on vient juste de juxtaposer les deux matriaux lun ct de
l'autre. la Figure 2-3 de droite, par effet de diffusion, les lectrons du ct N traversent
du ct P et remplissent les trous. Les atomes du ct P, ayant besoin d'lectrons pour
complter leurs liens covalents les prennent. Ces atomes, tant videmment prs de la
jonction, deviennent des ions ngatifs cause de l'lectron de trop dans leur structure. De
l'autre ct, c'est--dire du ct N, les atomes ayant un lectron de trop pour complter
leurs liaisons covalentes perdent cet lectron et deviennent des ions positifs. On a alors
autour de la jonction lapparition de ce qu'on appelle un diple. Ce processus va se
continuer jusqu' ce que le champ lectrique cr par le diple soit assez puissant pour
empcher d'autres lectrons de traverser la jonction; on aura alors l'quilibre. Cet
quilibre se fait jusqu environ 0,7V.
Ainsi, les lectrons qui taient des porteurs majoritaires du ct N vont vers le ct P en
liminant ainsi aussi les trous du ct P. On a alors une zone dpourvue de porteurs
majoritaires. On appelle cette zone la zone de dpltion. Le champ lectrique provenant
du diple cre une diffrence de potentiel appele barrire de potentiel. Cette barrire de
potentiel vaut 0,7 volts pour le silicium.

Zone de dpltion

Figure 2-4: Zone de dpltion autour de la jonction PN

La Diode

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2.3 La diode.
2.3.1 Schma et construction.
Une diode a comme symbole celui de la Figure 2-5. La flche indique le sens que peut
prendre le courant conventionnel en direct. La Figure 2-5 reprsente galement la
construction d'une diode. Elle est la juxtaposition de matriaux semiconducteurs de types
N et P auxquels on a raccord des broches. Une diode ne laisse passer le courant que dans
un seul sens.

A: anode
B: cathode

Figure 2-5

2.3.2 Polarisation en direct.

I conventionnel

Figure 2-6: Polarisation en direct.

Tout le matriel est conducteur, autant du ct P que du ct N, sauf dans la zone de


dpltion o il n'y a pas de porteurs majoritaires. Le champ lectrique caus par la pile va
s'opposer celui du diple et, par surcrot, l'annuler.
Les lectrons entrent du ct N et pntrent ensuite dans la zone de dpltion comme
lectrons libres en annulant les ions positifs. Ceux qui quittent, du ct P, laissent des
trous qui atteignent la zone de dpltion annulant les ions ngatifs. la jonction, les

La Diode

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lectrons du ct N tombent dans les trous du ct P et atteignent la sortie du bloc P par


courant de trous. La zone de dpltion n'existe donc plus et toute la diode est conductrice.

2.3.3 Polarisation en inverse


P

ARRET

.
Figure 2-7

Le champ lectrique caus par la source s'additionne celui du diple. La zone de


dpltion s'paissit jusqu' ce que son potentiel soit gal celui de la source. La zone de
dpltion n'tant pas conductrice, la diode est bloque, c'est--dire plus un courant ne la
traverse.

2.3.4 Caractristiques des diodes.


En direct.
Pour qu'une diode conduise, une tension minimale d'environ 0,7 volts est requise afin de
vaincre la barrire de potentiel de la jonction. C'est pourquoi on mesure toujours 0.7
volt aux bornes d'une diode en direct. De plus, une diode a une rsistance interne appele
rsistance extrinsque ou en anglais bulk.
Une diode possde aussi des caractristiques maximales ne pas dpasser, tels le courant
et la tension maximale en direct. Ce sont les cas o la diode schauffe et brle.
En inverse.
En inverse, une diode se comporte comme un circuit ouvert. Cependant rien n'tant
parfait, un lger courant de fuite est cr la surface du cristal. La surface du cristal est
constitue de liens covalents non-complts et celle-ci se comporte comme un matriel de
type P en ayant une petite conductivit.
Aussi, comme en direct, un point maximal ne doit pas tre franchi: c'est le point
d'avalanche. Une diode ne peut endurer qu'une certaine valeur de voltage en inverse. Si ce
voltage est atteint, le courant augmente rapidement et la diode se dtruit.

La Diode

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Courbes ID VS UD.
ID
IFmax

URmax
UD

0,7V

en inverse

UFmax

en direct

Figure 2-8: Courbe ID (UD).

2.3.5 Droite de charge statique :

2.4 Types de diodes.


2.4.1 Diodes redresseuses.
Un circuit redresseur transforme une tension alternative en une tension pulse C.C.
D1
RL
Gen.

Figure 2-9: Circuit redresseur de base

D1, dans la Figure 2-9, ne laissera passer que le


courant caus par l'alternance positive du gnrateur
C.A. On retrouve, dans ce circuit, les formes d'ondes
de la Figure 2-10.

e max.

eGn

Lors de l'alternance positive du gnrateur C.A., la


diode se trouvant polarise en direct laisse passer un
courant dans la charge (RL).

e max. - VD

eRL

0,7V

en direct

UD
-es max = PIV

Figure 2-10

La Diode

en inverse

La valeur de la tension maximale aux bornes de RL


sera la tension crte du gnrateur moins la barrire
de potentiel de 0,7 V de la jonction de la diode. Tout
le temps que dure l'alternance positive du gnrateur,
la diode est en direct et chute 0,7 V. Lors de
l'alternance ngative, la diode se trouve en inverse,
bloque et agit comme un circuit ouvert rcoltant toute
la tension du gnrateur CA ses bornes et aucun
courant ne traverse RL.

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2.4.2 Diode lectroluminescente (Del). LED


Symbole.

forme
frquente

A
K
Figure 2-11: Diode lectroluminescente.

Le semiconducteur utilis pour la fabrication dune Del est larsniure de gallium ou le


phosphore de gallium. Elle fonctionne basse tension et une faible consommation. Prs
de la jonction, lorsque les lectrons tombent dans les trous, c'est--dire descendent de
niveau d'nergie, ils mettent de l'nergie, une partie en chaleur, une partie en lumire.
Dans le cas de la Del, c'est le deuxime cas qui est exploit.
On retrouve la Del dans les applications dites optolectroniques comme par exemple un
tmoin lumineux ou un affichage numrique.
Caractristiques.
La Del est utilise en direct:
I Del

U Del

-3V
2V
en inverse

en direct

Figure 2-12: Courbe typique d'une Del.

Calcul du branchement: R = ?
Idel = IR = 20mA
R

UR = 9V - 2V = 7V

9V

R = 7V / 20mA = 350 (360 standard)


Figure 2-13

La Diode

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