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Rapport de Stage M1

CARACTERISATION
STRUCTURALE, MORPHOLOGIQUE
ET ELECTRIQUE DES DIODES
ELECTROLUMINESCENTES A BASE
DINGAN

Prsent par :
AIT AZZI Ilyass

Soutenu le 07 /03/2017

Sous la direction de : - Dr EL GMILI Youssef

- Dr Jean Paul Salvestrini

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Table des matires
Introduction
Historique des LEDs
Chapitre 1 : ltat de lart dune diode lectroluminescente
I) La dfinition dune diode lectroluminescente
II) Principe de fonctionnement des LEDs
II-1) la jonction PN
a) Dopage de type N
b) Dopage de type P
c) La jonction PN
d) Les LEDs homojonction
e) Les LEDs htrojonction
III) Les diodes lectroluminescentes blanches
IV) Les diffrents types de LED
a) La LED dip
b) La LED SMD
c) La LED COB
d) La LED COB filament
V) La comparaison du LED avec les autres sources
conventionnelles
VI) Applications des LEDs
VII) Description de nitrure de gallium et indium (InGaN)
VIII) Les dfauts structuraux typiques de nitrures
a) La dislocation
b) La fissure
c) Les joints de grain
d) Les inclusions

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Chapitre 2 : les techniques de caractrisations
Introduction
I) Microscope optique
II) Microscope lectronique balayage (MEB)
a) Principe de fonctionnement
b) La qualit dimage MEB
III) Courant induit par faisceau dlectrons(EBIC)
a) Dfinition
b) Principe de fonctionnement
Chapitre 3 : rsultats exprimentaux
I) Introduction
II) La structure dune diode lectroluminescente
III) Une vision globale sur logiciel Casino 2 .48
IV) Simulation
a) Protocole de la simulation
b) La simulation de la premire zone
V) La description de diffrentes techniques de
caractrisations

Conclusion gnrale

Bibliographiques

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REMERCIEMENT

Je tiens remercier monsieur Jean-Paul Salvestrini qui ma accepte


de faire ce stage au sien de laboratoire UMI 2958 Gorgia tech-CNRS,
je voudrais dire merci toutes lquipe de ce laboratoire

Je souhaite remercier galement monsieur Youssef El Gmili qui ma


encadr et ma suivi durant ce stage il a galement t toujours
disponible pour rpondre mes questions et qui ma beaucoup aid
comprendre les techniques utilises dans ce stage

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Introduction

Dans notre plante, lclairage est un lment essentiel lactivit conomique,


il reprsente 25% de la consommation totale de lnergie lectrique. Cependant,
cette dernire est souvent produite par des centrales thermiques polluantes qui
menacent la vie des tres vivants.
Aujourdhui, lclairage par source ltat solide est considr une parmi les
nouvelles sources de lumire qui permettent de rduire la fois : la
consommation lectrique et ainsi la production de gaz leffet de serre.
Cette nouvelle source consiste a utilis les composantes semi-conducteur
classique de loptolectronique, ce stade linvestissement dans le domaine des
diodes lectroluminescentes (abrg en LED en anglais) est devenu le sujet le plus
promoteur lheure actuelle, grce ses avantages (une longue dure de vie
ainsi leurs fiabilits et une efficacit trs leve).
Le premier chapitre de mon travail fait le point sur la dfinition dune diode
lectroluminescente, son principe de fonctionnement et ltat de lart des LEDs
ainsi que ltude de dfauts structuraux typiques de nitrures
Dans le deuxime chapitre, on se focalise sur les diffrentes techniques de
caractrisation morphologique, structurale et lectrique que jai menes toute
au long de ce stage pour analyser mes chantillons.

Le troisime chapitre jexpose les principaux rsultats exprimentaux et la


conclusion de mon travail de stage.

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Historique des LEDs

1907 : la dcouverte de LED (la 1ere mission de la lumire par un


cristal semi-conducteur a t observe par le capitaine henry
joseph [1]
1954 : la 1ere utilisation des matriaux des groupes III-V dans la
jonction PN
1961 : lmission de la lumire infrarouge par un semi-conducteur
(GaAs) lorsquil est travers par un courant lectrique
1962 : la naissance de la diode lectroluminescente mettant
dans le rouge (une jonction fait par alliage GaAs et GaP)
1972 : linnovation de la diode lectroluminescente jaune par
George Craford [2]
1990 : linnovation de LED bleu par le DR Shuji Nakamura [3]
2000 : la dcouverte de la lumire blanche

Sources :
[1] magazine La recherche Le Nobel de physique rcompense la dcouverte du LED bleue

[2] Technique ingnieur Diodes lectroluminescentes LED pour l'clairage

[3] site : www.led-fr.net historique des leds

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Chapitre 1 : ltat de lart dune diode
lectroluminescente

I) La dfinition dune diode lectroluminescente

Une diode lectroluminescente (LED en anglais) est un composant lectronique


issu de la technologie des semi-conducteurs, elle met la lumire lorsquun
courant le travers. Cette lumire est quasi monochromatique a une longueur
donde dpend du semi-conducteur utilis.
lheure actuelle, lexistence des LED reprsente une rvolution au point de vue
conomique et nergtique, grce ses avantages (une dure de vie largement
suprieure jusqu 40000 h sur le march, une efficacit nergtique plus
importante celle des autres aux sources, leur fiabilit, un fort potentiel de
dveloppement). Elles sont souvent appliques dans les domaines dclairage,
signalisation, llectronique mobile, les crans et le secteur automobile.

Figure 1 : image dune LED

II) Principe de fonctionnement des LED


Les diodes lectroluminescentes ont une structure de jonction P-N,
Cest--dire un assemblage de deux couches semi-conductrices lun dop N
(lectrons majoritaires) et lautre dop P (trous majoritaires).

II)-1 La jonction PN :
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a) dopage de type N

Le dopage N permet introduire dans un cristal de semi-conducteur des lments


appartenant la colonne V de tableau priodique comme (lAzote, Le Phosphore
et lArsenic) qui possdent 5 lectrons sur leur couche priphrique, on appelle
ces lments des dopants N.
Lorsquon mit en contact un dopant N et un cristal de semi-conducteur supposant
le silicium, ce dernier admet 4 lectrons sa couche de valence du coup il est
facile raliser des liaisons avec le dopant N qui possde plus lectrons
priphriques que le silicium, lun de ces lectrons ne participe pas aux liaisons et
donc libre de se dplacer

Electron mobile

Figure I-1 : schma de dopage N avec Phosphore

Le dopage introduit dans cette couche des atomes qui librent les lectrons
mobiles, on parle alors de la couche N car la charge mobile est ngative.

8
b) dopage de type P

Le dopage de type P consiste introduire dans un cristal semi-conducteur


des lments appartenant la colonne III de tableau priodique comme (Le Bore,
lAluminium ou Le Gallium) qui possdent 3 lectrons sur leur couche
priphrique, on appelle ces lments des dopant P.
De mme faon que le dopage N, cette fois le dopant P supposant le Bore possde
moins des lectrons dans sa couche priphrique que le silicium du coup il lui
manque un lectron pour la ralisation des liaisons

Trou mobile
bile

Figure I- 2 : schma de dopage P avec Bore


Le bore va capter un lectron, donc cet lectron laisse derrire lui un trou
dlectron qui est mobile et de charge positive
Le dopage introduit dans cette couche des atomes qui permettent de librer des
trous mobiles, on parle de couche P (la charge positive).
c) La jonction PN

Maintenant lorsquon met on contact le SC dop P et le SC dop N, les lectrons


diffusent vers la zone P et les trous vers la Zone N, les lectrons et les trous
sannulent ce phnomne produit une zone non neutre lectriquement datomes
de phosphore charger positivement et une zone non neutre lectriquement

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datomes de bore charger ngativement donc ils sont lorigine de lapparition
dun champ de charge despace qui soppose au passage des porteurs
majoritaires.

Zone charge despace

Figure I-3 : les diffrentes tapes de la jonction P-N

Source : Universit de Nice-Sophia Antipolis

Lorsquon applique la jonction P-N une tension de polarisation directe ,le


courant lectrique de diffusion des porteurs majoritaires augmente ,du coup on
aura une croissance des porteurs minoritaires dans chaque zone, donc la
recombinaison radiative lectrons-trous ne sera plus ngligeable et les photons
vont produits par la jonction (lmission de la lumire )

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ZCE

Figure I-4 : principe de fonctionnement dune


LED
Dans cette section nous allons parler de deux types de LEDs ayant deux structures
diffrentes la premire dite homojonction et lautre htrojonction ou
htrostructure.
Les LED double htrojonction sont les plus efficaces ,elles permettent une zone
de recombinaison bien dfinie et donc une grande radiance, on trouve cependant
des LED simple homojonction et simple htrojonction , mais ces deux LED
reprsentent une faible efficacit malgr le faible cot.
d)Les LEDs homojonction
En gnral elles sont ralises partir de deux zones de mme nature, mais avec
un dopage diffrent pour former une jonction P-N les LEDs sont fabriques dans
la zone P, le fait que la luminescence est trs importante dans cette zone qui se
traduit par la prsence dun plus grand nombre des lectrons minoritaires dans
la zone p que les trous dans la zone N.

e)Les LEDs hterojonction


Cette fois les LEDs sont ralises partir dun assemblage de deux blocs
chimiquement diffrents, la diffrence de ces blocs donne de possibilits
remarquables pour la conception de dispositifs lectroluminescente, ces

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possibilits rsultent dans lapparition de deux bandes interdites de largeurs
diffrentes.

Figure I-5 : principe dhtrojonction simple, (a) reprsentation schmatique, (b) position
de bande dnergie, (c) polarisation en sens direct

La discontinuit de la largeur de la bande interdite la jonction permet un


confinement des porteurs de charges linterface, lorsque la jonction est
polarise en direct le taux de recombinaison augmente cette action conduite
lmission de photons (production de la lumire)

III)Les diodes lectroluminescentes blanches


Lmission de la lumire blanche reste un enjeu majeur parce quil nexiste pas
lheure actuelle un semi-conducteur permettant lui seul dmettre cette
lumire. La LED blanche a un spectre polychromatique qui est compos dun
mlange de diffrentes longueurs donde.

Les mthodes pour obtenir la lumire blanche

Il y a diffrentes faons de produire la lumire blanche ,la premire consiste


utiliser des LED qui mettent les couleurs primaires rouge vert bleu ,le mlange
de ces trois couleurs donne la naissance de la lumire blanche, cette LED est
appele LED multicouches, la deuxime consiste utiliser les LEDs bleu avec une
couche jaune trs fine de phosphore cette technique est appele LED base
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phosphore, la 3e mthode permet dmettre la lumire blanche partir des
composantes organiques cest pour cette raison elles ont appeles des LEDs
organiques ou OLED , elles font passer le courant entre deux couches organiques
ultrafines et le principe de cette mthode est diffrent que celle les LED
inorganiques qui mettent un rayonnement ponctuel , elles sont fabriques
partir de deux couches organiques places entre deux lectrodes de grandes
surfaces et chimiquement diffrentes , lorsque les trous sont injects par lanode
et les lectrons par la cathode il y a un dplacement des charges au sien de semi-
conducteur base polymre pour le but de se recombiner et donne lieu une
naissance de la lumire.

Synthse RGB
OLED base polymre
IV)Les diffrents types de LED
Aujourdhui il existe plusieurs types des LED, on peut les distinguer selon la
performance et le mode de fonctionnement :
a) La LED dip (filaire)
Cest la plus ancienne, elle est utilise depuis 40 ans dans tous nos
appareilles lectronique elle est aussi la 1er LED dvelopp pour
lclairage, elle est encapsule dans une douille en matire
synthtique qui la protge des dommages.
Cette LED est trs peu couteuse, elle possde un angle
dclairage trs limite environ de 30 et une faible puissance
qui ne dpasse pas 50 lumen/Watt.

b) La LED SMD
Elle est utilise trs souvent dans lindustrie lectronique :
Colle en surface dun circuit.
Elle offrait un meilleur rendement jusqu lapparition

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Des LED COB, avec une efficacit de 80 lumen/Watt ainsi une
Angle dclairage environ de 140

c) La LED COB
Cest un assemblage des plusieurs chip lumineux (type LED SMD)
Dposs ct cte pour former une grosse LED.
Elle est considre ce jour la LED la plus performante du march :
Une fiabilit, un rendement plus lev, longvit,
Cette LED est produit une efficacit plus de 100 lumen/Watt, elle possde un
angle intermdiaire de 80 qui la rende parfaite au niveau dclairage
d) La LED COB filament

Cest la dernire gnration des LED lheure actuelle, elle


a le mme principe que celui du LED COB, mais avec un filament.
Sa connexion au circuit imprim se fait par l'intermdiaire
dun substrat de verre. Ses avantages sont les mmes que
la LED COB (le meilleur rendement du march actuellement,
fiabilit, stabilit ainsi une rsistivit aux variations de tension),
elle possde un angle intermdiaire de 360 (cest la seule possder cette
caractristique).

V)La comparaison du LED avec les sources conventionnelles


La comparaison des sources lumineuses est une question particulirement
dactualit depuis le dveloppement de la technique des LED au march
dclairage.
Selon les statistiques de lassociation franaise de lclairage (AFE), les LED ont
battu les records en 2016 avec une intensit lumineuse (lumens) de 120000 lm et
une efficacit suprieure 150 lm/ Watt ainsi une grande dure de vie gale
50000h. Le tableau ci-dessous reprsente les paramtres de dfrentes sources
de la lumire en 2016.

Source de la lumire. Efficacit lumineuse La dure de vie (heure)


(lm/Watt
LED en puissance < 150 50000 h
Ampoule incandescente 11 19 10000 h
Lampe dhalogne 20 30 4000 h
Tube de fluorescence 100 12000 h

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VI)Application des LEDs
La rvolution rcente des diodes lectroluminescentes permet de marquer des
points dans de nombreux domaines tels que : lclairage l'intrieure ou
l'extrieur comme lclairage dcoratif ou fonctionnel, dans lindustrie
notamment lautomobile et dans laffichage et la signalisation.

8%
37% 21%

34%

Telephone /ordinadeur TV eclairage automobile

Figure I-6: les applications de LED

VII) Description du nitrure de gallium et dindium (InGaN)


Dans ce paragraphe on jette la lumire sur les matriaux III-V de tableau
priodique notamment le matriau nitrure de gallium et dindium (InGaN) qui
reprsente aujourdhui un matriau promoteur dans le domaine de la recherche
des SC pour l'optolectronique.
LInGaN est un alliage entre le nitrure dindium (InN) et le nitrure de gallium
(GaN), il a un gap dnergie trs large, il fut tudi dans le premier temps pour
des applications optolectroniques, en particulier pour les diodes
lectroluminescentes.

VIII) Dfauts structuraux typiques de nitrures


Pour obtenir une meilleure qualit structurale des alliages base nitrure, il est
important de comprendre lorigine des dfauts qui limitent leur performance. Les
dfauts structuraux dans les nitrures sont gnralement en grande densit peu
prs de 1018 3 .
Il existe plusieurs types de dfauts dans un cristal tels que :

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a) La dislocation

Correspond la discontinuit dans la structure cristalline, il en existe 3 types :


coin, vis et mixte. Cette dernire comporte une composante de vis et coin.

Figure I-7 : (a) dislocation de type coin, (b) dislocation de type vis

Elles proviennent gnralement de la relaxation plastique dun matriau sous


contrainte.

Figure I-8: relaxation plastique de la contrainte dun matriau peu contraint par la cration

de dfauts structuraux (dislocation)

b) La fissure
Est un dfaut ou une discontinuit brutale apparue ou apparaissant dans
un matriau sous l'effet de contraintes internes ou externes, o la matire est
spare sur une certaine surface. Tant que les forces de contraintes ne sont pas
libres, elle entrane une grande concentration de contrainte son fond.
c) Les joints de grain
Un joint de grain correspond une frontire entre deux cristaux possdant des
orientations diffrentes. Ce type de dfaut est trs peu probable dans les couches
dposes par pitaxie.
d) Les inclusions
Prcipit ou changement de phase cristalline dans la zone du Rseau.

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Chapitre 2 : les techniques de caractrisation
Introduction
Nous avons vu dans le chapitre dernier les dfauts structuraux notamment dans
les nitrures dlments III, dans ce chapitre nous allons dcrire les diffrentes
techniques qui permettent dtudier et analyser les dfauts structuraux dun
matriau afin davoir une meilleure qualit.

I)Microscope optique
Cest un instrument optique qui permet dagrandir et de visualiser les images
dobjet de petites dimension invisible pour nos yeux.
Il est plus souvent utilis dans le domaine de la physique des matriaux pour
examiner la structure dun alliage.
Le microscope optique est constitu de deux lentilles convergentes :
Le premier groupe de lentilles, dirig vers lobjet examiner,
constitue lobjectif. Il donne une image relle, inverse et agrandie
de lobjet.
Le deuxime groupe de lentilles, dirig vers lil de lobservateur,
est appel loculaire il fonctionne comme une simple loupe, on
obtient alors une image dfinitive virtuelle, plus ou moins fortement
grossie et renverse de lobjet initial.

Figure II-1 : microscope optique

Grce au microscope optique on peut obtenir diffrents types de grossissement


(X10 X50 X100), mais avec une rsolution qui reste trs limit o on ne peut pas

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dpasser 0,1. Cette limite dpend de la diffraction de lumire selon la formule
dAbbel :

=
2
d : la limite de rsolution
: la langueur donde dillumination
: demi-angle du cne de lumire maximum accessible.
Pour saffranchir des limites du microscope optique, on utilise un autre type de
microscope appel microscope lectronique balayage (MEB).

II)Microscope lectronique balayage (MEB)


Le MEB utilise un faisceau des lectrons pour balayer la surface dun chantillon
souhaitant analyser. Il donne une image qualitative avec une rsolution qui peut
aller jusqu 1nm et un grossissement de 900 000 fois

Figure II-2 : exemple dimage MEB des nanostructures dInGaN sur GaN

Balayage (Y) Balayage (X)

L
Figure II-3 : Principe de grandissement dune image par MEB

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a) Le principe de fonctionnement
La base de fonctionnement dun MEB est la dtection des signaux mergents
dune zone proche de la surface de lchantillon sous limpact dun faisceau de-.

Figure II-4 : les diffrents signaux mis lors linteraction du faisceau des lectrons avec lchantillon

Les rayonnements et particules produits lors de linteraction des lectrons


primaires avec un chantillon donnent des informations sur le matriau :
Les lectrons secondaires SE2
Se sont les lectrons les moins lis du cortge
lectronique de latome et qui sont arrachs par
le faisceau dlectrons primaire par interaction
inlastique.
Ils permettent dobtenir des informations
Sur la topologie dchantillon (une image
haute rsolution)
Les lectrons rtrodiffuss
Ils sont issus de linteraction lastique du faisceau
Dlectron primaire avec les noyaux des atomes
du matriau.
Ils permettent de mesurer lhomognit chimique
dchantillon et une analyse quantitative

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Les rayons X

Lorsquun atome est bombard par un lectron primaire,


un lectron dune couche profonde peut tre ject et latome
devient en tat excit, le retour ltat fondamental
met une nergie sous la forme de Photons X.
Ils permettent dobtenir des informations sur la nature
chimique dchantillon
Les lectrons Auger
Mme principe que les rayons X
Ils permettent dobtenir des informations sur la
composition de lchantillon et notamment sur
les liaisons chimiques.
b) La qualit dimage MEB
Pour obtenir une bonne qualit dimage de la morphologie de surface, il faut
tenir en compte les deux paramtres :la tension dacclration et la distance
de travail
Mauvais Grande
contraste de Mauvaise
profondeur
Haute surface rsolution
de champ
Rsolution
leve

leve
La tension
dacclration La distance de travail : la
distance entre la lentille
Faible
finale et la surface de
lchantillon

Faible

Basse Meilleur
rsolution Faible Bonne
contraste de
profondeur rsolution
surface
de champ

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III) Courant induit par faisceau dlectrons (EBIC)

a) Dfinition

EBIC une technique qui permet dtudier les corrlations entre les proprits
lectroniques et ainsi les dfauts structuraux dun semi-conducteur. La mesure
de cette technique a t principalement effectue lintrieur dun MEB

On utilise lEBIC pour dterminer un certain nombre de proprits physiques lies


aux performances de transport des lectrons dans le matriau tel que la longueur
de diffusion, le temps de vie des porteurs et la vitesse de recombinaison de
surface

b) Principe de fonctionnement
Lorsquun faisceau dlectrons frappe un semi-conducteur, on peut avoir une
cration de pairs lectrons-trous, ce dernier va diffuser dans la rgion dont
laquelle le champ lectrique va sintgrer. Du coup les lectrons et les trous vont
se sparer et le courant va circuler. Cette technique permet de mesurer le courant
qui circule dans un circuit externe.

Figure II- 6 : principe de fonctionnement dEBIC


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Chapitre 3 : rsultats exprimentaux

I) Introduction
Dans ce chapitre nous allons prsenter les principaux rsultats exprimentaux.
On prsentera dabord la structure complte de la diode lectroluminescente
tudie. Ensuite, on prsentera la simulation des interactions lectrons-matire
par le logiciel Casino, un outil trs pratique pour dterminer la Zone de Charge
despace dans notre structure PIN. Enfin nous prsentons la corrlation entre les
diffrentes techniques de caractrisation et les difficults rencontres les
utilises.
II) La structure dune diode lectroluminescente

P-Pad

Priode X5

Figure III-1 : structure dune LED


III) Une vision globale sur logiciel casino

Cest dun programme de Monte Carlo permettant destimer la position de la


charge despace, partir de linteraction dun lectron avec matire.
il est conu pour simuler une grande quantit de trajectoires d'lectrons dans la
matire. Ainsi, il est possible de prdire thoriquement les signaux observs dans
le MEB.

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Ce programme de Monte Carlo utilise diffrents modles pour simuler
l'interaction des lectrons avec un matire. Pour l'instant, les versions 2 de
CASINO produisent les signaux suivants : coefficient rtrodiffus et rayons X.

Figure II-2 : la simulation Monte Carlo (logiciel casino)

Ce programme peut galement tre utilis efficacement pour toute la tension


acclre trouve sur un microscope lectronique balayage mission de
champ (0,1 30 KeV)

IV) La simulation
a) Protocole de simulation
Les tapes ncessaires et les paramtres ajustables dans logiciel de monte
Carlo casino 2.48 sont
La dfinition de lchantillon (le nom de llment, la composition
chimique, la densit et le numro atomique
La dtermination de nombres des lectrons utiliss dans la simulation
Lindication de la valeur de tension dacclration souhaitant utiliser

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Avec ce logiciel on va faire une simulation de cinq zones au structure PIN dune
LED celle qui est indique au dbut du chapitre mais nous allons faire un focus
la premire zone aprs le principe se rpte pour les autres.
b) La simulation de la premire zone

Dans notre simulation par logiciel casino en appliquant une dfrente tension
dacclration du 3 kev au 25 kev avec un pas de deux et en utilisant aussi un
nombre dlectron environ de 2000 avec un temps entre Back Ups 5mim

Les figures suivantes prsentent lvolution du volume dinteraction lectron-


matire :

3kev 7kev

11kev 13kev

24
17kev 25kev

On remarque partir les figures quand on augmente la tension dacclration au


fur et mesure on augmente le volume de linteraction lectron matire donc on
peut aller au-del de 2000 nm avec une tension dacclration de 25, ce qui
permet davoir une meilleure rsolution dune part et dautre part pour estimer
la zone charge despace,
Nous savons que lors de linteraction lectron matire, lnergie des lectrons
est devenue maximale quand on passe 1/3 de la parcours (trajectoire des
lectrons) donc pour dterminer la zone charge despace il faut multiplier le
volume par 1 /3.

Parcours
1/3
Pour assurer la position de la zone charge despace, il faut tenir compte autre
simulation avec la technique EBIC, le protocole de cette simulation consiste
mettre les pointes sur les cellules de lchantillon afin de dterminer les
caractristiques lectriques (courant-tension), cette technique a t effectue
lintrieure de MEB
Malheureusement nous navons pas fait cette simulation, parce quon a cass
les pointes et une vis, et nous avons demand une autre mais lopration va
prendre beaucoup du temps environ de 3 semaines

25
V) La description de diffrentes techniques de caractrisation

Dans les chapitres prcdents Nous avons discut les techniques de


caractrisation et leurs principes de fonctionnement, ces techniques permettent
de dterminer les dfauts structuraux dun matriau afin davoir une bonne
qualit.
Durant ce stage nous avons intress la partie exprimentale dont laquelle
nous avons dcrit les diffrentes techniques de caractrisation dun chantillon
de LEDs

Figure III-3 : image de notre chantillon

Au premier lieu on a fait une caractrisation de cet chantillon par le microscope


optique dont lequel on a visualis de manir globale la nature de notre
chantillon et nous avons utilis diffrents grossissements (X10 et X50 X100)

Contact
P-GaN
Ni /Au P-Pad Mesa N-GaN

a b

Figure III-4 : image microscope optique (a) X10 et (b) X50


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Mme si avec ces grossissements le microscope optique ne peut pas dpasser
0,1 donc il reste trs limit au niveau de la rsolution
Notre travail ne sarrte pas ce point-l, nous avons utilis autre technique de
caractrisation : appele MEB (Microscope lectronique balayage, il permet
datteindre une rsolution de lordre de quelques dizaines de nm, donc on peut
visualiser la taille de dfaut
La description de lchantillon par le MEB

P-GaN P-GaN

P-Pad P-Pad

N-GaN

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Mesa
Contact Ni/Au

On observe la distribution de dfauts dans tout la surface de lchantillon, nous


avons tout dabord observ cette distribution dans le P-GaN, N-GaN, Mesa
contact Ni/Au et P-Pad afin destimer la densit de dfauts ces zones.
Nous avons remarqu partir dune analyse complte sur les figure que les P-
GaN et N-GaN ainsi le Mesa ont le mme type de dfauts (des taches blanches,
des petits trous) avec une surface on peut dire lisse par contre le P-Pad et le
contact Ni/Au ont une grande densit de dfauts avec une morphologie de
surface accident et des grands trous

Conclusion gnrale

Aujourdhui les LED sont des sources lumineuses le plus applicable pour
lclairage gnral, elles reprsentent un potentiel important pour la lumire du
futur, elles peuvent remplacer les sources lumineuses conventionnelles et rduire
le taux de la consommation dlectricit et grces ses avantages indispensables
(une longue dure de vie, une fiabilit et une efficacit trs leve).
Dans le cadre de notre travail, nous avons commenc par un tat de lart o nous
avons prsent les points forts de cette technologie tels que (la dfinition le
principe de fonctionnement, la jonction PN, et les diffrents types de LEDs ainsi
lmission de la lumire blanche) nous avons rserv une partie de notre travail
sur la dfinition de lalliage InGaN qui reprsente lheure actuel un matriau
promoteur dans le domaine de la recherche des SC pour loptolectronique,

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On a parl aussi sur les dfauts structuraux dlment nitrure qui les limitent la
performance des cellules LEDs
Nous avons ensuite expliqu de manire brivement les diffrentes techniques de
caractrisation tels que le microscope optique et MEB ainsi EBIC qui permettent
danalyser et tudier les dfauts structuraux pour le but davoir une meilleure
qualit de matriau
Le dernier chapitre est consacr la partie exprimentale o nous avons retrouv
la structure dune diode lectroluminescente et nous avons expliqu le protocole
de la simulation de Monte Carlo par logiciel casino, ensuite nous avons dcrit la
structure et la morphologie de notre chantillon
Malgr les difficults que nous avons rencontr propos de la simulation par la
technique EBIC nous avons russi dterminer les caractristique
morphologique, structurales et lectriques dune LED.

Bibliographiques
[1] Bouaraba Fazia, Mmoire de magister Etude dune LED base
dInGaN pour lmission la lumire blanche ,2012
[2] Elektro-Material (EM) la technologie LED-le savoir-faire thorique et
pratique ,2015
[3] Cnrs, Diodes lectroluminescentes blanches pour lclairage , 2006
[4] Frderic de coulon, Marc Juffer introduction llectrotechnique : trait
dlectricit volume I pages 183 ,184, Edition 1996
[5] www.leds-boutique.fr les diffrents types de LED ,2016
[6] Youssef El Gmili Etude et caractrisations par cathodoluminescence de
couches minces dInGaN pour le photovoltaque , pages 45 ,46 2013
[7] Taha Ayari EBIC investigation of a GaN-based PIN structure ,2014
[8] Nicolas Thierry-Jebali caractrisation et modlisation physique de
contacts entre phases mtalliques et nitrure de gallium semi-conducteur ,2011
[9] Vanessa Gorge caractrisation de matriaux et teste de composantes des
cellules solaire base des nitrures des lments III-V ,2012
[10] www.leclairage.fr comparaison LED fluorescence
[11] www.gel.usherbrooke.ca, What is casino
[12] Matthieu Combe, journaliste scientifique Les LED remplaceront-
elles les halognes en 2016 ? ,2015
[13] techniques ingnieur Pacte LED : des LED plus performantes que
les halognes ,2012
[14] www.sonelec-musique.com LED, Watt, Lux , 2016

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[15] www.openclassrooms.com llectronique de zro : jonction PN

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