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CARACTERISATION
STRUCTURALE, MORPHOLOGIQUE
ET ELECTRIQUE DES DIODES
ELECTROLUMINESCENTES A BASE
DINGAN
Prsent par :
AIT AZZI Ilyass
Soutenu le 07 /03/2017
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Table des matires
Introduction
Historique des LEDs
Chapitre 1 : ltat de lart dune diode lectroluminescente
I) La dfinition dune diode lectroluminescente
II) Principe de fonctionnement des LEDs
II-1) la jonction PN
a) Dopage de type N
b) Dopage de type P
c) La jonction PN
d) Les LEDs homojonction
e) Les LEDs htrojonction
III) Les diodes lectroluminescentes blanches
IV) Les diffrents types de LED
a) La LED dip
b) La LED SMD
c) La LED COB
d) La LED COB filament
V) La comparaison du LED avec les autres sources
conventionnelles
VI) Applications des LEDs
VII) Description de nitrure de gallium et indium (InGaN)
VIII) Les dfauts structuraux typiques de nitrures
a) La dislocation
b) La fissure
c) Les joints de grain
d) Les inclusions
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Chapitre 2 : les techniques de caractrisations
Introduction
I) Microscope optique
II) Microscope lectronique balayage (MEB)
a) Principe de fonctionnement
b) La qualit dimage MEB
III) Courant induit par faisceau dlectrons(EBIC)
a) Dfinition
b) Principe de fonctionnement
Chapitre 3 : rsultats exprimentaux
I) Introduction
II) La structure dune diode lectroluminescente
III) Une vision globale sur logiciel Casino 2 .48
IV) Simulation
a) Protocole de la simulation
b) La simulation de la premire zone
V) La description de diffrentes techniques de
caractrisations
Conclusion gnrale
Bibliographiques
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REMERCIEMENT
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Introduction
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Historique des LEDs
Sources :
[1] magazine La recherche Le Nobel de physique rcompense la dcouverte du LED bleue
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Chapitre 1 : ltat de lart dune diode
lectroluminescente
II)-1 La jonction PN :
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a) dopage de type N
Electron mobile
Le dopage introduit dans cette couche des atomes qui librent les lectrons
mobiles, on parle alors de la couche N car la charge mobile est ngative.
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b) dopage de type P
Trou mobile
bile
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datomes de bore charger ngativement donc ils sont lorigine de lapparition
dun champ de charge despace qui soppose au passage des porteurs
majoritaires.
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ZCE
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possibilits rsultent dans lapparition de deux bandes interdites de largeurs
diffrentes.
Figure I-5 : principe dhtrojonction simple, (a) reprsentation schmatique, (b) position
de bande dnergie, (c) polarisation en sens direct
Synthse RGB
OLED base polymre
IV)Les diffrents types de LED
Aujourdhui il existe plusieurs types des LED, on peut les distinguer selon la
performance et le mode de fonctionnement :
a) La LED dip (filaire)
Cest la plus ancienne, elle est utilise depuis 40 ans dans tous nos
appareilles lectronique elle est aussi la 1er LED dvelopp pour
lclairage, elle est encapsule dans une douille en matire
synthtique qui la protge des dommages.
Cette LED est trs peu couteuse, elle possde un angle
dclairage trs limite environ de 30 et une faible puissance
qui ne dpasse pas 50 lumen/Watt.
b) La LED SMD
Elle est utilise trs souvent dans lindustrie lectronique :
Colle en surface dun circuit.
Elle offrait un meilleur rendement jusqu lapparition
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Des LED COB, avec une efficacit de 80 lumen/Watt ainsi une
Angle dclairage environ de 140
c) La LED COB
Cest un assemblage des plusieurs chip lumineux (type LED SMD)
Dposs ct cte pour former une grosse LED.
Elle est considre ce jour la LED la plus performante du march :
Une fiabilit, un rendement plus lev, longvit,
Cette LED est produit une efficacit plus de 100 lumen/Watt, elle possde un
angle intermdiaire de 80 qui la rende parfaite au niveau dclairage
d) La LED COB filament
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VI)Application des LEDs
La rvolution rcente des diodes lectroluminescentes permet de marquer des
points dans de nombreux domaines tels que : lclairage l'intrieure ou
l'extrieur comme lclairage dcoratif ou fonctionnel, dans lindustrie
notamment lautomobile et dans laffichage et la signalisation.
8%
37% 21%
34%
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a) La dislocation
Figure I-7 : (a) dislocation de type coin, (b) dislocation de type vis
Figure I-8: relaxation plastique de la contrainte dun matriau peu contraint par la cration
b) La fissure
Est un dfaut ou une discontinuit brutale apparue ou apparaissant dans
un matriau sous l'effet de contraintes internes ou externes, o la matire est
spare sur une certaine surface. Tant que les forces de contraintes ne sont pas
libres, elle entrane une grande concentration de contrainte son fond.
c) Les joints de grain
Un joint de grain correspond une frontire entre deux cristaux possdant des
orientations diffrentes. Ce type de dfaut est trs peu probable dans les couches
dposes par pitaxie.
d) Les inclusions
Prcipit ou changement de phase cristalline dans la zone du Rseau.
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Chapitre 2 : les techniques de caractrisation
Introduction
Nous avons vu dans le chapitre dernier les dfauts structuraux notamment dans
les nitrures dlments III, dans ce chapitre nous allons dcrire les diffrentes
techniques qui permettent dtudier et analyser les dfauts structuraux dun
matriau afin davoir une meilleure qualit.
I)Microscope optique
Cest un instrument optique qui permet dagrandir et de visualiser les images
dobjet de petites dimension invisible pour nos yeux.
Il est plus souvent utilis dans le domaine de la physique des matriaux pour
examiner la structure dun alliage.
Le microscope optique est constitu de deux lentilles convergentes :
Le premier groupe de lentilles, dirig vers lobjet examiner,
constitue lobjectif. Il donne une image relle, inverse et agrandie
de lobjet.
Le deuxime groupe de lentilles, dirig vers lil de lobservateur,
est appel loculaire il fonctionne comme une simple loupe, on
obtient alors une image dfinitive virtuelle, plus ou moins fortement
grossie et renverse de lobjet initial.
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dpasser 0,1. Cette limite dpend de la diffraction de lumire selon la formule
dAbbel :
=
2
d : la limite de rsolution
: la langueur donde dillumination
: demi-angle du cne de lumire maximum accessible.
Pour saffranchir des limites du microscope optique, on utilise un autre type de
microscope appel microscope lectronique balayage (MEB).
Figure II-2 : exemple dimage MEB des nanostructures dInGaN sur GaN
L
Figure II-3 : Principe de grandissement dune image par MEB
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a) Le principe de fonctionnement
La base de fonctionnement dun MEB est la dtection des signaux mergents
dune zone proche de la surface de lchantillon sous limpact dun faisceau de-.
Figure II-4 : les diffrents signaux mis lors linteraction du faisceau des lectrons avec lchantillon
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Les rayons X
leve
La tension
dacclration La distance de travail : la
distance entre la lentille
Faible
finale et la surface de
lchantillon
Faible
Basse Meilleur
rsolution Faible Bonne
contraste de
profondeur rsolution
surface
de champ
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III) Courant induit par faisceau dlectrons (EBIC)
a) Dfinition
EBIC une technique qui permet dtudier les corrlations entre les proprits
lectroniques et ainsi les dfauts structuraux dun semi-conducteur. La mesure
de cette technique a t principalement effectue lintrieur dun MEB
b) Principe de fonctionnement
Lorsquun faisceau dlectrons frappe un semi-conducteur, on peut avoir une
cration de pairs lectrons-trous, ce dernier va diffuser dans la rgion dont
laquelle le champ lectrique va sintgrer. Du coup les lectrons et les trous vont
se sparer et le courant va circuler. Cette technique permet de mesurer le courant
qui circule dans un circuit externe.
I) Introduction
Dans ce chapitre nous allons prsenter les principaux rsultats exprimentaux.
On prsentera dabord la structure complte de la diode lectroluminescente
tudie. Ensuite, on prsentera la simulation des interactions lectrons-matire
par le logiciel Casino, un outil trs pratique pour dterminer la Zone de Charge
despace dans notre structure PIN. Enfin nous prsentons la corrlation entre les
diffrentes techniques de caractrisation et les difficults rencontres les
utilises.
II) La structure dune diode lectroluminescente
P-Pad
Priode X5
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Ce programme de Monte Carlo utilise diffrents modles pour simuler
l'interaction des lectrons avec un matire. Pour l'instant, les versions 2 de
CASINO produisent les signaux suivants : coefficient rtrodiffus et rayons X.
IV) La simulation
a) Protocole de simulation
Les tapes ncessaires et les paramtres ajustables dans logiciel de monte
Carlo casino 2.48 sont
La dfinition de lchantillon (le nom de llment, la composition
chimique, la densit et le numro atomique
La dtermination de nombres des lectrons utiliss dans la simulation
Lindication de la valeur de tension dacclration souhaitant utiliser
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Avec ce logiciel on va faire une simulation de cinq zones au structure PIN dune
LED celle qui est indique au dbut du chapitre mais nous allons faire un focus
la premire zone aprs le principe se rpte pour les autres.
b) La simulation de la premire zone
Dans notre simulation par logiciel casino en appliquant une dfrente tension
dacclration du 3 kev au 25 kev avec un pas de deux et en utilisant aussi un
nombre dlectron environ de 2000 avec un temps entre Back Ups 5mim
3kev 7kev
11kev 13kev
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17kev 25kev
Parcours
1/3
Pour assurer la position de la zone charge despace, il faut tenir compte autre
simulation avec la technique EBIC, le protocole de cette simulation consiste
mettre les pointes sur les cellules de lchantillon afin de dterminer les
caractristiques lectriques (courant-tension), cette technique a t effectue
lintrieure de MEB
Malheureusement nous navons pas fait cette simulation, parce quon a cass
les pointes et une vis, et nous avons demand une autre mais lopration va
prendre beaucoup du temps environ de 3 semaines
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V) La description de diffrentes techniques de caractrisation
Contact
P-GaN
Ni /Au P-Pad Mesa N-GaN
a b
P-GaN P-GaN
P-Pad P-Pad
N-GaN
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Mesa
Contact Ni/Au
Conclusion gnrale
Aujourdhui les LED sont des sources lumineuses le plus applicable pour
lclairage gnral, elles reprsentent un potentiel important pour la lumire du
futur, elles peuvent remplacer les sources lumineuses conventionnelles et rduire
le taux de la consommation dlectricit et grces ses avantages indispensables
(une longue dure de vie, une fiabilit et une efficacit trs leve).
Dans le cadre de notre travail, nous avons commenc par un tat de lart o nous
avons prsent les points forts de cette technologie tels que (la dfinition le
principe de fonctionnement, la jonction PN, et les diffrents types de LEDs ainsi
lmission de la lumire blanche) nous avons rserv une partie de notre travail
sur la dfinition de lalliage InGaN qui reprsente lheure actuel un matriau
promoteur dans le domaine de la recherche des SC pour loptolectronique,
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On a parl aussi sur les dfauts structuraux dlment nitrure qui les limitent la
performance des cellules LEDs
Nous avons ensuite expliqu de manire brivement les diffrentes techniques de
caractrisation tels que le microscope optique et MEB ainsi EBIC qui permettent
danalyser et tudier les dfauts structuraux pour le but davoir une meilleure
qualit de matriau
Le dernier chapitre est consacr la partie exprimentale o nous avons retrouv
la structure dune diode lectroluminescente et nous avons expliqu le protocole
de la simulation de Monte Carlo par logiciel casino, ensuite nous avons dcrit la
structure et la morphologie de notre chantillon
Malgr les difficults que nous avons rencontr propos de la simulation par la
technique EBIC nous avons russi dterminer les caractristique
morphologique, structurales et lectriques dune LED.
Bibliographiques
[1] Bouaraba Fazia, Mmoire de magister Etude dune LED base
dInGaN pour lmission la lumire blanche ,2012
[2] Elektro-Material (EM) la technologie LED-le savoir-faire thorique et
pratique ,2015
[3] Cnrs, Diodes lectroluminescentes blanches pour lclairage , 2006
[4] Frderic de coulon, Marc Juffer introduction llectrotechnique : trait
dlectricit volume I pages 183 ,184, Edition 1996
[5] www.leds-boutique.fr les diffrents types de LED ,2016
[6] Youssef El Gmili Etude et caractrisations par cathodoluminescence de
couches minces dInGaN pour le photovoltaque , pages 45 ,46 2013
[7] Taha Ayari EBIC investigation of a GaN-based PIN structure ,2014
[8] Nicolas Thierry-Jebali caractrisation et modlisation physique de
contacts entre phases mtalliques et nitrure de gallium semi-conducteur ,2011
[9] Vanessa Gorge caractrisation de matriaux et teste de composantes des
cellules solaire base des nitrures des lments III-V ,2012
[10] www.leclairage.fr comparaison LED fluorescence
[11] www.gel.usherbrooke.ca, What is casino
[12] Matthieu Combe, journaliste scientifique Les LED remplaceront-
elles les halognes en 2016 ? ,2015
[13] techniques ingnieur Pacte LED : des LED plus performantes que
les halognes ,2012
[14] www.sonelec-musique.com LED, Watt, Lux , 2016
29
[15] www.openclassrooms.com llectronique de zro : jonction PN
30