Electronique Analogique Chap.

3: Les semi-conducteurs

Chapitre 3 :
LES SEMI-CONDUCTEURS

La recherche sur les matriaux semi-conducteurs a commence au dbut du 19me sicle. Au fil des annes
de nombreux semi-conducteurs ont t tudis. Parmi les plus clbres, nous trouvons le silicium Si et le
germanium Ge de la colonne IV du tableau priodique. Ces deux semi-conducteurs sont composs
d'atomes identiques, mais d'autres, comme l'arsniure de gallium GaAs (III-V) sont composs d'atome
d'lments diffrents : Ga (III) et As (V). La composition de semi-conducteurs permet d'accder des
proprits lectriques et optiques que n'ont pas les semi-conducteurs purs.
I. Rappel sur la structure atomique des isolants et des conducteurs :
1.1. Bandes d'nergie
Considrons un atome de silicium Si isol, les niveaux nergtiques de ses lectrons sont discrets (voir le
modle de Bohr pour l'hydrogne). Lorsque l'on rapproche de ce dernier un atome identique, les niveaux
nergtiques discrets de ses lectrons se scindent en deux sous l'interaction rciproque des deux atomes.
Plus gnralement, lorsque l'on approche N atomes, les niveaux nergtiques se scindent en N niveaux.
Ces N niveaux sont trs proches les uns des autres et si la valeur de N est grande, ce qui le cas pour un
cristal, ils forment une bande d'nergie continue.
A prsent considrons des atomes de silicium Si arrangs aux nuds d'un rseau priodique, mais avec
une maille trs grande de telle manire que les atomes puissent tre considrs comme isols. Les deux
niveaux les plus nergtiques sont reprs par E1 et E2. Rapprochons homothtiquement les atomes les
uns des autres, les tats nergtique lectronique se scindent et forment deux bandes continues appeles
bande de conduction BC et bande de valence BV.

Figure 1 : Formation des bandes d'nergie pour les lectrons d'atomes de Si

arrangs en mailles cristallines de type diamant
Pour les lectrons d'un cristal de silicium, on constate qu'il existe deux bandes continues d'nergie (BC et
BV) et que ces bandes sont spares par une bande interdite car d'nergie inaccessible aux lectrons. Cette
rgion interdite est appele gap et sa largeur Eg est caractristique du matriau. Notons que l'nergie
du bas de la bande de conduction est note EC et que celle du haut de la bande valence est note EV ainsi
nous avons l'galit Eg=EC-EV.

II. Isolant, Semi-Conducteur et Conducteur :

Les matriaux solides peuvent tre classs en trois groupes que sont les isolants, les semi-conducteurs et
les conducteurs. On considre comme isolants les matriaux de conductivit 10 8 S / cm (exemple :
diamant 10 14 S / cm ), comme semi-conducteurs les matriaux tels que 10 8 S / cm 10 3 S / cm
(Silicium 10 5 S / cm 10 3 S / cm et comme conducteurs les matriaux tels que 10 3 S / cm (argent
10 6 S / cm )
Les proprits lectriques d'un matriau sont fonction des populations lectroniques des diffrentes
bandes permises. La conduction lectrique rsulte du dplacement des lectrons l'intrieur de chaque
bande. Sous l'action du champ lectrique appliqu au matriau l'lectron acquiert une nergie cintique
dans le sens oppos au champ lectrique. Considrons prsent une bande d'nergie vide, il est vident de
par le fait qu'elle ne contient pas d'lectrons, elle ne participe pas la formation d'un courant lectrique. Il
en est de mme pour une bande pleine. En effet, un lectron ne peut se dplacer que sil existe une place

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libre (un trou) dans sa bande d'nergie. Ainsi, un matriau dont les bandes d'nergie sont vides ou pleines
est un isolant. Une telle configuration est obtenue pour des nergies de gap suprieures ~9eV, car pour
de telles nergies, l'agitation thermique 300K, ne peut pas faire passer les lectrons de la bande de
valence celle de conduction par cassure de liaisons lectronique. Les bandes d'nergie sont ainsi toutes
vides ou toutes pleines.

Figure 2 : Reprsentation des bandes d'nergie

Un semi-conducteur est un isolant pour une temprature de 0K. Cependant ce type de matriau ayant
une nergie de gap plus faible que l'isolant (~1eV), aura de par l'agitation thermique (T=300K), une bande
de conduction lgrement peuple d'lectrons et une bande de valence lgrement dpeuple. Sachant
que la conduction est proportionnelle au nombre d'lectrons pour une bande d'nergie presque vide et
qu'elle est proportionnelle au nombre de trous pour une bande presque pleine, on dduit que la
conduction d'un semi-conducteur peut tre qualifie de mauvaise.
Pour un conducteur, l'interpntration des bandes de valence et de conduction implique qu'il n'existe pas
d'nergie de gap. La bande de conduction est alors partiellement pleine (mme aux basses tempratures)
et ainsi la conduction du matriau est leve .
III. Semi-conducteurs intrinsques :
Un semi-conducteur intrinsque est un semi-conducteur non dop, c'est dire qu'il contient peu
d'impurets (atomes trangers) en comparaison avec la quantit de trous et d'lectrons gnrs
thermiquement.
n p ni AT 3 / 2 exp( E g / 2.KT )

Concentration intrinsque du silicium T= 300K : ni 1.451010 cm 3

A : constante du matriau EG : hauteur de bande interdite
K : constante de Boltzman 8.610 5 eV .K 1 T : temprature absolue en K

Figure 3 : Reprsentation schmatique des liaisons lectroniques

pour le semi-conducteur intrinsque (Si)
La figure 3 montre que pour un semi-conducteur intrinsque (sans impurets), chaque lectron de la
bande de conduction correspond un trou dans la bande de valence. De cette constatation, nous dduisons
que les densits d'lectrons et de trous sont identiques pour ce type de semi-conducteur : n p ni

IV. Semi-conducteurs extrinsques :

Un semi-conducteur extrinsque est un semi-conducteur intrinsque dop par des impurets spcifiques
lui confrant des proprits lectriques adaptes aux applications lectroniques (diodes, transistors, etc...)
et optolectroniques (metteurs et rcepteurs de lumire, etc...).

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4.1. Semi-conducteurs de type P

Un semi-conducteur type P est un semi-conducteur intrinsque (ex : silicium Si) dans lequel on a
introduit des impurets de type accepteurs (ex : Bohr B). Ces impurets sont ainsi appeles parce qu'elles
acceptent un lectron de la bande de conduction pour raliser une liaison avec le cristal semi-conducteur

La figure ci-dessus met en vidence qu'un semi-conducteur dop P une densit d'lectrons n plus faible
et une densit de trous p plus leve que le mme semi-conducteur pris dans sa configuration intrinsque.
On dit alors que les lectrons sont les porteurs minoritaires et les trous, les porteurs majoritaires.
Pour les semi-conducteurs extrinsques, la densit de dopant est toujours trs suprieure densit de
porteurs intrinsques NA>>ni. Dans le cas d'un type P, la densit de trous est donc proche de celle du
dopant accepteur NA. La relation tant toujours vrifie, nous obtenons pour les densits de porteurs :
n. ni2 / N A

4.2. Semi-conducteurs de type N

Un semi-conducteur type N est un semi-conducteur intrinsque (ex : silicium Si) dans lequel on a
introduit des impurets de type donneurs (ex : arsenic As). Ces impurets sont ainsi appeles parce
qu'elles donnent un lectron la bande de conduction pour raliser une liaison avec le cristal semi-
conducteur

La figure met en vidence qu'un semi-conducteur dop N a une densit d'lectrons n plus leve et une
densit de trous p plus faible que le mme semi-conducteur pris dans sa configuration intrinsque. On dit
alors que les lectrons sont les porteurs majoritaires et les trous, les porteurs minoritaires.
Par analogie avec les semi-conducteurs de type P et en notant ND la densit de donneurs, les densits de
porteurs pour un semi-conducteur de type N sont : p ni2 / N D

Rsum : types de semi-conducteurs

Nous savons maintenant distinguer trois types de semi-conducteurs : intrinsque, dop n et dop p.
Un semi-conducteur intrinsque est un trs mauvais conducteur : il a peu d'utilit en tant que tel. En
revanche, il sert pour base technologique lors de la fabrication des semi-conducteurs extrinsques.
Un semi-conducteur dop en revanche, possde des charges majoritaires en abondance : son comportement
peut tre apparent celui du mtal. Cependant, il existe deux types de semi-conducteur extrinsque : dop n
et dop p. Dans le premier cas la conduction est assure par des charges ngatives, dans le deuxime cas par
les charges positives.

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V. Phnomne de conduction dans les semi-conducteurs :

5.1. Densit de courant
Afin de dcrire le comportement d'un semi-conducteur hors quilibre thermodynamique (soumis une
tension extrieure), nous devons tudier les courants rsultants du dplacement des porteurs de charges
que sont les lectrons et les trous. Ce dplacement de charges se fait sous l'action d'une force dont l'origine
peut tre un champ lectrique ou un gradient de concentration de porteurs de charges. Dans le premier
cas, le courant est appel courant de conduction, dans le second il est appel courant de diffusion. Par
ailleurs, nous ne caractriserons pas directement le courant mais la densit de courant J, proportionnelle
ce dernier. La densit de courant se dfinie comme tant la quantit de charges qui traversent une unit de
surface par unit de temps.
Lorsque les trous et les lectrons baignent dans le champ lectrique cr par la mise sous tension de la
jonction, ils se dplacent et gnrent ainsi le courant de conduction :

L'expression de la densit de courant total de diffusion est donc: J c J nc J pc

O n et p sont les densits de porteurs, q=1,602.10-19C la charge d'un lectron, E le champ lectrique de la
jonction polarise et n et p les mobilits respectivement des lectrons et des trous.
D'autre part, lorsque les lectrons ou les trous ne sont pas distribus uniformment dans le semi-
conducteur, leur mouvement s'effectue dans un sens qui tend uniformiser leur distribution spatiale. Le
flux de porteurs et donc le courant de diffusion est proportionnel leur gradient de concentration :

O Dn et Dp sont les constantes de diffusion des deux types de porteurs.

La mobilit des lectrons tant plus leve que celle des trous, la relation d'Einstein montre que, pour un
mme gradient de concentration, le courant de diffusion des lectrons est plus grand que celui des trous.

Relation d'Einstein :

L'expression de la densit de courant total de diffusion est donc: J d J nd J pd

VI. JONCTION PN
Une jonction PN est la mise en contact entre un semi-conducteur type N et un
semi-conducteur type P issus d'un mme cristal. La diffrence des densits de
donneurs et d'accepteurs ND -NA passe brusquement d'une valeur ngative
pour la rgion P une valeur positive pour la rgion N. La loi de variation de
cette diffrence est donne par deux constantes pour une jonction dite
abrupte.

Il existe d'autres types de jonctions comme les jonctions exponentielles, linaires, etc.... Cependant l'tude
d'une jonction abrupte tant plus simple et de plus aisment gnralisable une jonction quelconque,
nous ntudierons que ce seul modle.
La figure permet de mieux comprendre l'effet du
rapprochement des deux semi-conducteurs sur le bilan
lectronique de la jonction. Nous observons ainsi qu'
proximit de la jonction les lectrons de conduction
excdentaires ct N passent ct P pour se recombiner avec
des trous. Ainsi, une charge d'espace statique ngative se cre
cot P et une charge d'espace statique positive se cre cot N.
Le lieu ou rside cette charge d'espace est appel zone de
charge d'espace ou zone de dpltion. En raison de la

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prsence, dans cette zone, d'un champ lectrique intense, la densit de porteurs libres dans cette rgion
est ngligeable l'quilibre thermodynamique. En outre les frontires entre la zone dpeuple et les zones
neutres de la jonction sont trs abruptes.

Aprs la mise en contact des deux semi-conducteurs de dopage diffrent, une barrire de potentiel pour
les trous et les lectrons est constitue. En effet, la double couche de charges ngatives cot P et positives
cot N, cre un champ lectrique dirig de N vers P qui empche la diffusion et maintient la sparation des
trous cot P et des lectrons cot N. Par ailleurs cause de cette double couche, le potentiel lectrostatique
varie brusquement dans la zone de la jonction et la d.d.p. Vd, appele tension de diffusion, atteint des
valeurs non ngligeables (ex : 0,8V pour le silicium).
La hauteur de la barrire de potentiel Vd et la largeur W0 de la Z.C.E qui stend principalement du ct le
moins dop sont telle que :
N .N KT 2 0 Si 1 1
Vd U T ln A 2 D o U T 25mV 25C W0 Vd (1)
ni q q N A ND
Lanode et la cathode tant la masse, la jonction est en court-circuit et son courant doit tre nul.
En effet la jonction est traverse par deux courants opposs qui sannulent :
Le courant de saturation I S qui correspond aux porteurs
minoritaires des zones N (les trous) et P (les lectrons) qui se
prsentent en bordure de la Z.C.E. et qui sont alors entrans par le
champ lectrique E0 respectivement dans les zones P et N.
Le courant ayant pour origine les porteurs libres majoritaires de N
et de P, trs voisins de la Z.C.E., et dont lnergie suffisante pour
sauter la hauteur de barrire Vd .
Vd
La population de ces porteurs, proportionnelle exp( ) conduit un courant de la forme :
UT
V V
I 0 exp( d ) .Le courant total tant nul, il vient : I S I 0 exp( d )
UT UT
Lors de l'aboutement de deux semi-conducteurs de types diffrents, l'absence de toute source d'nergie
extrieure, les lectrons surabondants de la partie n ont tendance migrer vers la partie p : c'est le
phnomne de la diffusion. Les lectrons du ct n arrivs vers le ct p se recombinent avec les trous,
majoritaires du ct p, et restent ainsi fixs dans la partie p proximit de l'interface (fig. 4). Un
phnomne inverse se produit avec les trous de la partie p. Le ct n se charge donc positivement, et le
ct p ngativement : un champ lectrique se cre au niveau de l'interface. Ce champ s'oppose la
migration des charges majoritaires, en les repoussant de l'interface. Ainsi, la diffusion s'arrte _a partir
d'une certaine profondeur de pntration des charges. Il existe donc, l'quilibre thermodynamique
(courant total nul) ,un champ lectrique et donc une diffrence de potentiel entre la partie n et la partie p
(dite potentiel de jonction) ; celle-ci est de l'ordre de 0,7 V pour les diodes silicium, 0,3 V pour le
germanium.
La zone de l'interface (dans laquelle existe le champ) ne contient pas de charges libres. En effet, dans cette
zone, par exemple, du ct n, les trous venus de la zone p ont t recombins avec les lectrons, de sorte
lier les deux charges libres. Cette zone s'appelle zone de charge d'espace , zone de transition .
Ainsi, la zone de charge d'espace, se trouvant proximit de l'interface entre les semiconducteurs, ne
contient pas de charges libres.

Fig.4 : Jonction PN l'quilibre. Les charges majoritaires sont reprsentes en grand.

Le courant de diffusion montr par les flches est neutralis par le champ lectrique E
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6.1. Jonction polarise en inverse :

Si maintenant on applique une tension positive ct n et ngative ct p (dite tension inverse), la jonction
se bloque davantage : les lectrons du ct n sont attirs vers la borne positive de la source ; ils dsertent
l'interface PN. Un phnomne symtrique se produit ct p avec les trous. La zone de charge d'espace
s'tend, les charges majoritaires ne peuvent pas traverser la jonction, la diode est dite bloque (figure).
Cependant, le champ E agit galement sur les charges minoritaires : les trous de la zone n sont attirs vers
la zone p et les lectrons de la zone p vers la zone n. Ce dplacement des charges produit un courant.
Nanmoins, on sait que la concentration des charges minoritaires dans un semi-conducteur dop est trs
faible. Ainsi, le courant des charges minoritaires, appel courant de saturation est de l'ordre de pA
( 10 12 A ). L'intensit de ce courant ne dpend pas de la tension inverse; la valeur ne dpend que de la
temprature et des paramtres technologiques de la diode. Ainsi, le courant d'une jonction PN est quasi
nul.

Fig. 5 : Jonction bloque : la zone de charge d'espace est plus large que dans une diode l'tat
dquilibre ; les porteurs majoritaires ne peuvent pas franchir le barrire de potentiel.
Un trs faible courant IS (dit de saturation) est gnr par le dplacement des charges minoritaires .
Capacit de transition
La jonction PN est constitue de deux charges opposes immobiles (ions N a ct P, ions N d du ct N).
Elle se comporte donc comme un condensateur dont la Z.C.E. est le dilectrique et les rgions N et P les
lectrodes. La capacit correspondante est nomme capacit de transition :
S
CT 0 Si avec S aire de la jonction et W paisseur de la Z.C.E. On peut aussi crire :
W
CT 0
CT o CT 0 CT pour Vinv 0V .
1 Vinv / Vd
Cette capacit qui dpend de la temprature a des valeurs typiques comprises ente 1 et 200 pF.
6.2. Jonction polarise en direct :
En revanche, lorsque l'on applique une tension directe, c'est--dire une tension positive du ct p et
ngative du ct n, pourvu que cette tension soit suprieure la barrire de potentiel prsente
l'quilibre, le champ lectrique ne retient plus le courant de diffusion, les lectrons injects du ct n
franchissent l'interface np et terminent leur course soit en se recombinant avec des trous, soit l'anode
(l'lectrode positive) : le courant circule, jonction est dite passante .
Le courant de la jonction, que l'on dfinit positif lorsqu'il coule du ct p vers le ct n, est donn par
UD
l'expression suivante : I D I S exp 1
UT

Fig . 6 : Jonction polarise en directe : la zone de charge d'espace est plus petite qu ltat d'quilibre,
le champ de la jonction n'est plus suffisant pour neutraliser la diffusion des porteurs majoritaires.
Un courant ID gnr par un dplacement des charges majoritaires apparat. Le courant IS
(pas reprsent), gnr par les charges minoritaires, existe toujours, mais il est ngligeable devant
le courant ID des charges majoritaires.

I S est le courant de saturation qui dpend des paramtres des semi-conducteurs composant la jonction et
de la temprature. U D est la tension applique la jonction : elle est positive pour une jonction polaris en
directe (i.e. le potentiel du ct p suprieur au potentiel du ct n).

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Capacit de diffusion :
Le phnomne de recombinaison locale de part et dautre de la Z.C.E. n'est pas instantan. En effet les
lectrons passs dans l'anode recombinent avec les trous prsents aprs un certain temps moyen p :
dure de vie des trous (ordre de la nanoseconde). De mme du ct de la cathode, on dfinit n dure de
vie des lectrons. Il y a donc toujours, de part et d'autre de la Z.C.E., une charge positive dans la cathode et
une charge ngative dans l'anode, compose de porteurs non recombins. Ceci est quivalent la prsence
d'une capacit dite capacit de diffusion C D proportionnelle au courant direct I A de la jonction.
6.3. Caractristique courant-tension :
Nous pouvons prsent tracer la courbe courant-tension pour une jonction PN en tenant compte des
particularits des polarisations inverse et directe donnes dans les paragraphes prcdents. Cette courbe
montre l'existence d'une quasi tension d'offset Voff dans le cas ou la rsistance ohmique des semi-
conducteurs est faible.
En polarisation directe, le "coude" de la caractristique dune diode relle correspond au moment o la
barrire de potentiel de est quasiment totalement "contre" par le champ extrieur: les porteurs
majoritaires peuvent passer et le courant augmente brutalement
Polarisation inverse donne naissance un courant de fuite, ses origines sont:
- rares porteurs majoritaires ayant assez dnergie pour franchir la barrire de potentiel.
- porteurs minoritaires des rgions P et N (peu nombreux)
- paires lectron/trou gnres dans la jonction
Phnomne dAvalanche et de Zener
En polarisation inverse, il existe quand mme des charges qui traversent la jonction: c'est l'origine du
courant de fuite. On sait que ces charges n'ont pas un parcours en ligne droite mais entrent constamment
en collision avec des atomes du cristal. Or ces charges sont d'autant plus acclres que la tension inverse
est leve.
L'avalanche rsulte de collisions trop violentes, selon deux mcanismes:
- dans un premier temps, les collisions ont tendance chauffer les atomes du cristal, ce qui peut
dj mener la destruction de la jonction
- si la tension inverse est encore plus importante (en pratique, lorsqu'on atteint un champ de
20kV/mm dans la jonction), un lectron acclr peut arracher un lectron de valence un
atome, ce qui cre une paire lectron/trou. Ce nouvel lectron va tre lui aussi fortement
acclr par le champ lectrique et entrer en collision avec d'autres atomes pour crer son
tour de nouvelles paires lectron/trou. On assiste donc un effet boule de neige qui conduit
rapidement une augmentation importante du courant inverse de la jonction.
La jonction n'est pas capable de supporter l'chauffement d au passage de ce courant dans le silicium.
Un autre phnomne li un champ lectrique intense conduit la mme situation : effet Zener.
Ici le champ lectrique lev exerce une force suffisante pour extraire des lectrons de leurs liaisons de
covalence crant alors des paires lectron-trou qui augmentent aussi le courant inverse.

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