SEMICONDUCTEURS

Dans un premier temps nous allons essayer de comprendre les différences essentielles
entre les matériaux conducteurs et les matériaux isolants. Nous montrerons que le
semiconducteur est en fait un isolant un peu particulier
I – Quelques rappels de physique atomique – Traitement classique

Représentation planétaire
et traitement classique: Equilibre des forces : mV2= e2
e- r 4πε0r
Noyau: charge >0
Electron: charge <0 Noyau Energie cinétique : EC=1mV2= e 0

2 8πε0r
V Energie potentielle : Ep = -eV
(V potentiel electrostatique à la distance r)
Ep = travail à fournir pour amener un
e2
E E =−
électron de l'infini à la distance r : p 4πε0r
e2
Ei L'energie totale est donc : Etot=EC+Ep=−
8πε0r
Energie
Pour extraire un électron il faut donc lui
d'ionisation
fournir de l'énergie.
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 100
 SEMICONDUCTEURS
I – Quelques rappels de physique atomique – Traitement classique

Avec le traitement classique du problème toutes les énergies sont possibles

jusqu'à Ei.
Il existe cependant un problème de taille : comme l'électron gravite il perd
de l'énergie et donc il doit s'effondrer sur le noyau au bout d'un certain temps.

Bohr : • l'électron ne peut prendre ou perdre que certaines quantité d'énergie nE

(n étant entier)
• un atome qui se trouve dans son état de plus faible énergie ne rayonne
pas (état fondamental)
• Si l'atome a été excité (au moyen d'une source d'énergie extérieure) il
retournera au niveau fondamental (se desexcitera) en émettant un photon
d'énergie E = hυ où h est la constante de Planck = 6.62 10-34 J/s et υ la
fréquence.
On définit ainsi des niveaux d’énergie, K, L, M, … sur lesquels on vient placer les
électrons, 2 sur le niveau K, 8 sur le niveau L, 18 sur le niveau M, etc…

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 101

 SEMICONDUCTEURS
II – Quelques rappels de physique atomique – Traitement quantique

Orbitales atomiques
On considère l'atome d'hydrogène. L'hamiltonien de l'électron dans son mouvement
autour du noyau s'écrit :

h2 2 r
H =− ∇ +V (r)
2m

Energie cinétique Energie potentielle dans le

champ Coulombien du noyau

L'équation aux valeurs propres s'écrit :

H ϕ = Eϕ
ϕ (Eq. de Schrodinger)
ϕ : orbitale atomique ("trajectoire")

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 102

 SEMICONDUCTEURS
II – Quelques rappels de physique atomique – Traitement quantique (suite)

z z z z

y y y y
x x x x
Orbitale s Orbitales p
Il existe bien sûr d'autres orbitales qu'il est impossible de représenter.
Ce sont les orbitales d au nombre de 5, les orbitales f au nombre de 7.
Chaque niveau principal (niveaux K, L, M,...) se décompose en ces différentes
orbitales.

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 103

 SEMICONDUCTEURS
II – Quelques rappels de physique atomique – Traitement quantique (suite)

Au maximum 2 électrons peuvent se placer sur une orbitale donnée (PAULI)

Notation de physique atomique :

H 1 électron 1s1
He 2 électrons 1s2
.
.
B 5 électrons 1s2 2s2 2p1
.
Si 14 électrons 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
etc …

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 104

 SEMICONDUCTEURS
II – Quelques rappels de physique atomique – Traitement quantique (suite)

Orbitales moléculaires

Formons par exemple une molécule d’hydrogène

H H

Niveaux profonds pas ou peu modifiés et apparition de niveaux moléculaires

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 105

 SEMICONDUCTEURS
II – Quelques rappels de physique atomique – Traitement quantique (suite)

Orbitales moléculaires (suite)

Dans le cas de l'hydrogène :
E2
orbitale antiliante
e- e-

H1 H2
E1
orbitale liante

Mise en commun des électrons périphériques (électrons de valence).

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 106

 SEMICONDUCTEURS
II – Quelques rappels de physique atomique – Traitement quantique (suite)

Orbitales moléculaires (suite)

0 Idéalisé

Prenons un cas plus compliqué, celui p antiliante

d'une molécule constituée, par exemple,
de deux atomes de carbone, et regardons
ce qui se passe lorsque l'on rapproche les
deux atomes.
p liante
Le carbone à la structure électronique :
1s2 2s2 2p2 (4 électrons de valence). s antiliante

s liante

1/d 1/d
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 107
 SEMICONDUCTEURS
III – Le cristal

Considérons maintenant un cristal. C'est un arrangement périodique d'atomes dans

les trois directions de l'espace.

Cubique diamant
Exemple d'un cristal
cubique simple : Peut être le cas du carbone

Vecteur de translation t = na + mb + lc (n, m, l entiers)

CRYSTAL

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 108

 SEMICONDUCTEURS
III – Le cristal (suite)
Soit N le nombre d'atomes, il y a alors 4N électrons (de valence) à placer

METAL
0
Bande partiellement
p antiliants pleine
3N

s antiliants
N

3N Bande permise vide =

p liants bande de conduction
BC
Eg Bande interdite
s liants
N BV Bande permise pleine=
1 2 1/d bande de valence

ISOLANT

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 109

 SEMICONDUCTEURS
III – Le cristal (suite)

Dans le cas 1 il s’agit d’un métal. Les états vides et les états pleins se jouxtant il est très
facile d'ioniser les atomes

Le cas 2 est le cas d’un isolant. A T = 0K aucun électron ne peut se déplacer puisque
tous les niveaux permis sont occupés. Pour pouvoir conduire il faut amener des
électrons dans la bande permise vide (la bande de conduction). Pour ce faire il faut
fournir au système une énergie supérieure à Eg. Comme nous allons le voir dans la suite
la température, T, peut, via la statistique de FERMI-DIRAC, jouer ce rôle.
Statistique de FERMI-DIRAC
Si on a dN places disponibles dans un intervalle d'énergie compris entre E et E + dE, le
nombre dn d'électrons qui occupent effectivement ces places à la température T (K) est
donné par :
f(E)= dn = 1E−E
dN 1 e kT F

+
où EF est l'énergie du niveau de Fermi et k la constante de Boltzmann = 1.38 10-23 J/K
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 110
Fermi-Dirac
SEMICONDUCTEURS
III – Le cristal (suite)

Statistique de FERMI-DIRAC (suite)

f(E) T = 0K

f(E) a l'allure suivante :

T > 0K
Cette statistique permet de comprendre
comment on peut avoir de la conduction dans le EF E
cas d’un isolant
E E
BC
EF EF
BV

f(E) f(E)
METAL ISOLANT
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 111
 SEMICONDUCTEURS
IV – Qu’est-ce qu’un semiconducteur ?

BC à température ambiante (Ta) kT ≈ 1/40 eV = 25

meV
Eg ISOLANT Eg > 200 kT
SEMICONDUCTEUR Eg < 100 kT
BV
Exemples : Matériau Eg (eV)

SiO2 7
Semiconducteur intrinsèque :
Il n'y a pas d'atomes d'impuretes. Il n'y aura Si 1.12
conduction que si la température est suffisante pour
que la statistique de Fermi-Dirac ait une "queue" Ge 0.75
dans la bande de conduction. GaAs 1.48
D'autre part le matériau est toujours neutre
électriquement puisque le nombre d'ions est
toujours égal au nombre d'électrons.

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 112

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 113
 Le Silicium

Réduction par du charbon

Traitement par acide chlorhydrique

Poussière de silicium fondue

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 114

 SEMICONDUCTEURS
V – Conduction dans un semiconducteur intrinsèque

Tirage

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 115

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 116
 SEMICONDUCTEURS
V – Conduction dans un semiconducteur intrinsèque

Découpe

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 117

 SEMICONDUCTEURS
V – Conduction dans un semiconducteur intrinsèque

Et polissage !

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 118

 SEMICONDUCTEURS
V – Conduction dans un semiconducteur intrinsèque

Sans champ extérieur appliqué : Considérons un semiconducteur (par exemple le Si) à

une température ≥ Ta. Des électrons sont donc dans la bande de conduction (et un
même nombre d'atomes ionisés dans la bande de valence) grâce à la statistique de
Fermi-Dirac.
BC En l'absence de champ extérieur on a
Electrons - - - - - - - - - - - un mouvement désordonné des
Eg électrons (mouvement brownien)
Ions +++++++++++ Que se passe-t-il avec les ions ?
BV

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 119

 SEMICONDUCTEURS
V – Conduction dans un semiconducteur intrinsèque (suite)

Un atome ionisé capture

l'électron d'un atome voisin.
Donc la lacune passe de l'atome
qui a capturé l'électron à
l'atome qui a cédé un électron.
On a donc un mouvement
apparent des lacunes (que l'on
appelle trous) qui est lui aussi
désordonné.

Animation

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 120

 SEMICONDUCTEURS
V – Conduction dans un semiconducteur intrinsèque

Avec un champ extérieur appliqué : Que se passe-t-il ?

Les trous (au nombre de p) se déplacent dans le

E sens du champ electrique avec une mobilité µp.
- - - - - -
Si Les électrons (au nombre de n) se deplacent en
+++++++ sens inverse du champ avec une mobilité µn.

r r µn > µp
v=µE
VCC
La conductivité γ est donnée par:
+ - γ=e(nµn+pµp)

Pour un semiconducteur intrinsèque n = p = ni et : γ=eni(µn+µp)

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 121

 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque

Qu’est-ce qu’un semiconducteur extrinsèque ?

n III IV V Le semiconducteur extrinsèque est un

semiconducteur dans lequel on introduit une
2 B C N
impureté. C'est ce que l'on appelle le dopage
3 Al Si P
du semiconducteur.
4 Ga Ge As
5 In Sn Sb Dans le cas du silicium, l'impureté peut être :
6 Te Pb Bi • trivalente (colonne III)
ns2np ns2np2 ns2np3 • pentavalente (colonne V)
Colonnes III, IV et V de la
table périodique des éléments
Il existe différents moyens pour introduire cette impureté dans le cristal
• au cours de la croissance du monocristal (tirage)
• par diffusion
• par implantation
• par croissance épitaxique
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 122
 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque

Méthodes de dopage

Au cours du tirage
du monocristal
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 123
 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque

Méthodes de dopage
Dépôt de la substance contenant le dopant
ou recuit sous atmosphère dopante

T1 T2 T3

Diffusion FOUR
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 124
 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque

Méthodes de dopage

Implantation ionique
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 125
 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque

Méthodes de dopage SiH4,

SiCl4,
B2H6,
SiH3,
PH3…
T
10-4 Torr<Pgaz<1 atm

Si B
Epitaxie
Ultravide
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 126
 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque

Le dopage par diffusion

La diffusion s'appuie sur le déplacement des atomes par agitation thermique. Si
l'on augmente la température, les impuretés migrent lentement au travers du
cristal. La vitesse de migration dépend aussi de la nature du matériau; dans
l'oxyde de silicium, elle est beaucoup plus faible que dans le silicium pur. Une fois
les motifs en oxyde de silicium constitués, le disque est porté à une température
de 1 000 °C, sous atmosphère de phosphore. Les impuretés pénètrent dans le
silicium. Lorsqu'on juge la concentration d'impuretés suffisante, le disque est
retiré, et la diffusion cesse. Mais à chaque réchauffement, la diffusion
recommence, ce qui peut fausser la nature du circuit.

Pour mieux le maîtriser, ce processus est scindé: on choisit la température de façon

à fixer la solubilité du dopant dans le silicium, ce qui revient à contrôler la quantité
de dopant introduite. Le paramètre température est ensuite modifié pour favoriser
la diffusion à une profondeur précise.

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 127

 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque

Le dopage par implantation ionique

Dans la seconde méthode, l'implantation ionique, on opère à température
ambiante. Les atomes des impuretés, d'abord ionisés puis accélérés grâce à un
champ électrique, pénètrent dans le disque. Les composants sont créés en
protégeant les zones par photomasque ou par un oxyde de silicium, qui oppose
une résistance majeure à la pénétration par bombardement. Cette méthode
présente aussi des inconvénients: les ions accélérés, en traversant le cristal,
désorganisent tout ce qui se trouve sur leur parcours. Pour rétablir le réseau
cristallin, une opération de recuit est nécessaire, mais une diffusion thermique se
produit alors. Il faut dans ce cas aussi optimiser les deux phases pour obtenir le
meilleur résultat possible.
L'association de la diffusion et de l'implantation ionique
Une troisième méthode, de plus en plus utilisée, combine les deux précédentes.
L'implantation ionique se fait par bombardement, et la pénétration par
diffusion. Le niveau de concentration et de pénétration des impuretés est ainsi
mieux contrôlé.

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 128

 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque
Dopage de type N
On introduit dans le semiconducteur une impureté pentavalente.
Les dopants de type n utilisés dans la technologie du silicium sont:
•Phosphore
•Arsenic
•Antimoine (dans une moindre mesure)
Ces matériaux sont aussi appelés donneurs (il vont donner un électron)
Electron quasi libre
BC
- - - - - - - - - - - - -
EF
++ +++ ++ ++
Eg qques meV

+ + + +
Pas de trous mobiles autres que les thermiques
BV
Electrons majoritaires, trous minoritaires
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 129
 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque
Dopage de type P
On introduit dans le semiconducteur une impureté trivalente.
Le dopant de type p le plus couramment utilisé dans la technologie du silicium est le
Bore (B). Ces matériaux sont aussi appelés accepteurs (il vont prendre un électron)

Il manque un électron =
une charge >0 en excès BC
- - - -

qques meV
+ Eg
- - - - - - - - -
EF
+++++++++++++
BV

Pas d'électrons mobiles autres que les thermiques

FERMI
Trous majoritaires et électrons minoritaires
Carrier conc.
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 130
 SEMICONDUCTEURS
VI – Conduction dans un semiconducteur extrinsèque
Conductivité d’un semiconducteur extrinsèque

Considérons un semiconducteur intrinsèque. On a donc :

ni = n = p
Supposons que l'on dope le matériau avec une impureté donneuse (un élément de la
colonne V, par exemple P).
Soit Nd ce nombre de donneurs.
Comme Nd >>ni (cas général), alors n ≈ Nd
La loi d'action de masse nous dit que: n.p = ni2

Donc : =
p= n2
i
Nd
La conductivité γ = e(nµn + pµp)
est donc dominée par les électrons et vaut : γn=eNdµn
Le même raisonnement tient pour un matériau dopé p, c'est a dire que : γp=eNaµp
où Na est la concentration d'atomes accepteurs

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 131

 SEMICONDUCTEURS

VII – Durée de vie des porteurs

Soit un semiconducteur avec une certaine

d'électrons
Nombre

concentration de trous, p0 et d'électrons n0 à une

température T.
Supposons que l'on injecte des électrons dans ce
semiconducteur. Ces électrons vont avoir
tendance à se recombiner avec les trous de
no manière à revenir à la concentration d'équilibre
n0. L'évolution de la quantité d'électrons, n,
Temps s'écrit sous la forme :
−t
n=n0(1+b.e τ)
où t est la durée de vie de l'électron

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 132

 SEMICONDUCTEURS
VIII – Longueur de diffusion des porteurs

Injectons dans un cristal dont la concentration de trous est p0 et celle d'électrons de n0,
une certaine quantité n d'électrons. Donc localement (à l'endroit où l'on a injecté les
charges) la concentration en électrons est largement supérieure à n0. Les électrons vont
donc diffuser dans le cristal afin de diminuer le gradient de concentration.
La concentration n(x) à une distance x de la zone d'injection est alors donnée par :

−x
n(x)=n0+(n−n0)e L

où L est une fonction de µ et de τ.

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 133

PN junction PN
equilibrium
SEMICONDUCTEURS fab

BC BC
IX – La jonction PN à l’équilibre - - - -- -- - - --- --
+ + ++ ++ + + EF
-- - - -- - -
E0 = - grad V0 EF
+ + + + + + + ++ + + + + +
V0 = barrière de potentiel BV BV
(≈ 0.6 eV pour Si à Ta)
Les électrons de la zone n diffusent Trous ∆x ---> 0 Electrons
majoritaires majoritaires
vers la zone p et les trous de la zone p
Mécanisme de diffusion
diffusent vers la zone n. Il y a donc
formation d'une charge d'espace
constituée donc par les ions donneurs
- +
positifs dans la zone n et les ions
accepteurs négatifs dans la zone p. Du
zone de charge
fait de la présence de ces ions de part W0
d'espace
et d'autre de la jonction il existe un Bas - - -
de BC
champ E0 qui tend à ramener les eV 0
- - - - - - - - - - -
charges. E
F
+++++++++++
L'équilibre est atteint lorsque le
Haut
courant du au champ E0, i1, est égal au + + + de BV
courant de diffusion, i2. PN junction
E0
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 134 Equi-2
 SEMICONDUCTEURS
IX – La jonction PN à l’équilibre

Nous allons essayer de calculer ce courant de diffusion, i2. Pour ce faire nous allons
reconsidérer la statistique de FD.

La statistique de Fermi-Dirac (FD)est une statistique quantique. C’est à dire que les
particules sont indiscernables et en d’autres termes que les particules de même nature ne
sont pas numérotables. D’autre part il y a le principe d’exclusion de Pauli qui empêche
de placer plus d’une particule dans un état donné d’énergie.

Soit la statistique FD : f(E)= dn = 1E−E

dN 1 e kT F

+
Lorsque le nombre de particules est petit devant le nombre de places disponibles, c’est à
E−EF − E−EF
dire que dn<<dN, alors e kT >>1 et l’équation ci-dessus devient : f(E)=e kT

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 135

 SEMICONDUCTEURS
IX – La jonction PN à l’équilibre (suite)

Ce qui précède est équivalent à la statistique de Boltzmann que l’on peut écrire sous la

forme plus générale : dn =e−∆kTE qui est classique (particules discernables) et qui
dN
va nous servir à définir le courant de diffusion recherché.

−eV0
Si V0 est la barrière de potentiel entre les zones n et p, alors on peut écrire : n=n e 0 kT

−eV0
Ce qui peut aussi se traduire par : i=i e 0 kT =i2=is ce courant est appelé courant de

saturation.

FERMI
BOLTZMAN
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 136
 SEMICONDUCTEURS
X – La jonction PN polarisée

CAS 1 Si (p) Si (n)

W>W0 V
Charge d'espace
Bas - - - 1 - +
de BC 2 + -
e(V+V0)
-
+++++ ++++++ - - - - - - - - - - -

E0 +
Eappl + + + Haut
de BV
Etot

Courant de fuite de minoritaires

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 137

 SEMICONDUCTEURS
X – La jonction PN polarisée (suite)

CAS 2

W <W0 zone de charge

d'espace
Bas - - - - - - - - - - - - - -
de BC
+ - e(V0-V)

+++++ ++++++ Haut

+ + + de BV
E0

Eappl
Etot

PN
Bias(2)
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 138
 SEMICONDUCTEURS
X – La jonction PN polarisée (suite)
CAS 1; V négatif sur région p
e(V0+V)
− − eV
kT KT
Le courant de diffusion est donné par : i
diff
=i0e =ise
− eV
Le courant inverse (ou bloquant) est donné par : kT
ii=idiff −is=is(e −1)
CAS 2; V positif sur région p
e(V0−V) eV
−
Le courant de diffusion est donné par : idiff =i 0 e kT =i e s kT
eV
Le courant direct (ou passant) est donné par : id=idiff −is=is(e −1)
kT

eV
Plus généralement on peut écrire: i=is(e kT −1)
avec la convention suivante : polarisation directe ---> V > 0 et i > 0.

A température ambiante (RT) kT/e vaut 1/40 eV soit ~ 25 meV

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 139

 SEMICONDUCTEURS
X – La jonction PN polarisée (suite)

Approximations :

Polarisation directe (V>0) :

Si V assez grand (> tension de seuil ~0.6 V pour Si)

eV eV
e >>1
kT =i e
i= s kT

Polarisation inverse (V<0) :

eV
e <<1
kT i=−is

PN
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 140 Bias(2)
 SEMICONDUCTEURS
X – La jonction PN polarisée

Tension de rupture
Deux effets :

• Effet d'avalanche : L'énergie cinétique des porteurs minoritaires devient

supérieure au gap du Si. Il y a alors création de paires électrons-trous qui elles-mêmes
créent d'autres paires électrons-trous. Cet effet peut se manifester à partir de tensions
inverses de 6V.

• Effet Zener : Si les zones n et p sont fortement dopées la zone de déplétion

devient très étroite. Par conséquent le champ électrique devient très fort. S'il est
supérieur à ≈ 300.000 V.cm on peut extraire les électrons de valence. C'est ce que l'on
appelle la rupture Zener. Cet effet se produit en général avant l'effet d'avalanche.

Ex: Si W ≈ 1000 Å le phénomène Zener se produira dès 3 à 4 V.

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 141

 SEMICONDUCTEURS
XI – Capacités de la jonction PN W
- +
Diode polarisée en inverse - +
P - + N

Ct=εsS
- +
Capacité de transition - +
W - +

Cette capacité vaut quelques dizaines de pF. Elle dépend de V car elle dépend de W
Diode polarisée en direct
Electrons de n vers p, trous de p vers n

Charges séparées spatialement Effet capacitif Capacité de diffusion Cd.

Cd = f(ττ1, τ2, I). Elle peut être de l'ordre de 1000 pF.

rd C t ou Cd
Le schéma équivalent de la diode est donc :

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 142

 SEMICONDUCTEURS
XII – Les approximations de la diode

Diode idéale :

Diode réelle :
rd

rd

+ - 0.7 V

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 143

 SEMICONDUCTEURS
XIII – Utilisation des diodes

•Différents types de redressement

•Redressement mono-alternance
Tension inverse : VM
VR
~ R VR
VMcosωt
temps
•Redressement bi-alternance
(transformateur à point milieu)
D1
VR
VM R L
L
~
VM temps

D2 Tension inverse : 2VM

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 144

 SEMICONDUCTEURS
XIII – Utilisation des diodes (suite)

•Redressement bi-alternance
(Redresseur à pont de Graetz)

D1 D2 VR
L
RL
~

D3 D4 temps

Tension inverse : VM

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 145

 SEMICONDUCTEURS
XIII – Utilisation des diodes (suite)

•Principe du filtrage

~ R C
VRL

Taux d'ondulation
∞
RL =∞ La tension filtrée oscille entre deux
RL≠∞ valeurs Umax et Umin.

temps L'ondulation est :∆U=Umax−Umin

2
La valeur moyenne est : U= Umax+Umin
2
Le taux d'ondulation est donné par : ∆U= Umax−Umin%
U Umax+Umin
11/09/01 Cours d ’électronique analogique 146
 SEMICONDUCTEURS
XIII – Utilisation des diodes (suite)

• Multiplicateurs de tension
V0

~ 2V0 Si RL grand alors VR = 2V0

L
V0 sin ω t

RL
• Diodes particulières
•diodes de commutation
•diodes HF (capacité faible) ex: diodes à pointe
•diodes à capacité variable (Varicap) Ct croit avec V

•diodes Zener

•photodiodes: ionisation des porteurs dans la base par des photons incidents

11/09/01 Cours d ’électronique analogique 147