Université Cadi Ayyad Le 20 janvier 2015

Faculté des Sciences Semlalia

Département de Physique

Fillière SMP/S5
Contrôle d'Electronique Analogique
Durée 2heures

Les trois exercices sont i n d é p e n d a n t s .

Exercice I
L'amplificateur opérationnel du montage suivant est supposé idéal.

1. Exprimer V en fonction de Vi, V2 et les résistances.

s

2. Que devient cette expression si on prend R i = R3 et R2 = R4. Quel est alors le rôle de ce
montage

Exercice I I
On considère le montage à transistors de la figure ci-dessous. Les deux transistors sont
supposés identiques. Leur gain en courant p = 100
On donne R = 5 0 0 f i , R = l k Q , R =500 n , R = 2,5k Q, R=126k Q et Vcc = 15V.
2 3 4 5

-> V c c

RL

Etude statique
Les tensions de bases des transistors sont identiques : V B E I = V B E 2 = 0 , 6 V . On donne la
tension VCE2 = 7 V et on suppose négligeables les courants des bases devant tous les courants
des collecteurs.
1. Déterminer les points de fonctionnement des deux transistors : I c , IB2, IBI# Ici et V C E I .
2

2. Déduire la valeur de R i .
Etude dynamique
On suppose parfaits les liaisons par les condensateurs CL et le découplage par la capacité
C5. Par contre on désire étudier l'effet de la capacité C4. On notera par Z4 l'impédance
R4//(l/jC4Cû). Les p a r a m è t r e s du schéma dynamique des transistors sont : hu=0,5kQ, h i 2 = 0,
P=100 et h z = 0.
2

1. Donner le schéma dynamique faibles signaux du montage.

2. Etude du gain en tension
a. Déterminer une relation entre ibi et ib2
V s

b. Déterminer l'expression du gain en tension A = ==— V

c. En tenant compte de la valeur de hn, simplifier l'expression de A et la mettre V

(l + J — )
sous la forme A =A, <*>i
V

(l+J—)
(ù2

d. Donner les expressions de A , ©1 et co . A quoi correspond A .

0 2 0

e. Quelle est la nature de ce filtre et quelle ei^ sa fréquence de coupure.

3. Déterminer l'expression de l'impédance d'entrée du montage
4. Déterminer l'expression de l'impédance de sortie du montage.

Exercice III
Les amplificateurs du montage suivant sont supposés parfaits

Donner la (les] relation (s) entre VA, VB et V E

En utilisant le n œ u d A, déterminer une relation entre VA, V i et V s S 2

Donner la relation entre V et V et celle entre VB et V i -

E S 2 s

Ve

Déduire l'impédance d'entrée du montage Z e = - = - et conclure

A . -

2-
\>e&¿ + (fi
1 H k

G?
ta

/2i ^
 Université Cadi Ayyad Le 10 février 2015
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique

Fillière SMP/S5
Contrôle de Rattrapage d'Electronique Analogique
Durée 2heures

Exercice I
La chaîne directe d'un système à contre réaction est un amplificateur de
transmittance A (fonction de transfert]. La chaîne de retour est un quadripole de
transmittance p. On suppose que le quadripole ne charge pas l'amplificateur.
le h
w
i A 3

n%p Grouper l'amplificateur et le quadripôle pour réaliser une contre réaction

Sert* -jvc« ^V i _ érie.
p a r a t t è e s

2. Exprimer la fonction de transfert ACR du système en boucle fermée en fonction de

A et de p.
3. En plus de A , l'amplificateur est caractérisé par ses impédances d'entrée Ze et de
sortie Zs. Donner le schéma équivalent du montage en remplaçant l'amplificateur
par son schéma équivalent en fonction de A, Ze et Zs.
4. Déterminer les impédances d'entrée Z cR et de sortie Z CR du système en boucle
e S

fermée en fonction de Ze, Zs, A et p.

Exercice II
On considère le montage à transistors de la figure ci-dessous.
On donne R = 1 7 0 k Π, R =400Q, R =600 fi, p = 150 et Vcc = 15V.
B C E

C,
RB RC
ic
ÌB

v s

RE Ve

Point de fonctionnement
Déterminer le point de fonctionnement du transistor : IBO, Ico et VECO. Le courant
de base est supposé négligeable devant le courant du collecteur ( p » l ] . On prend VBE =
0,6V.
Etude en Basses Fréquences
On donne les p a r a m è t r e s hybrides en émetteur commun du transistor:
hu=500n, hiz = 0, P=150 et h 2 = 0. 2

1. Les condensateurs CL et CB sont des court-circuits aux fréquences d'utilisation.

Donner le schéma dynamique faibles signaux du montage.
2. Déterminer, en fonction des éléments du montage :
a. Le gain en tension à A =Vs/v v e

b. La résistance d'entré Re
c. La résistance de sortie Rs
d. Calculer les valeurs numériques de A , Re et R v s
-4 1
3. On suppose que I122 n'est pas nul et on prendra I122 = 0,5.10 Q
a. Ajouter I122 dans le schéma précédent et exprimer le courant du collecteur ic
en fonction de P, ib, ve, vs et I122.
b. Déterminer de nouveau les expressions du gain en tension A et de la v

résistance de sortie R s

c. Calculer les valeurs numériques de A et de R . Conclure

v s

Etude en haute fréquence

1. Donner le schéma Giacoletto du transistor monté en é m e t t e u r commun. Les

paramètres naturels sont : rbb', rb'e, (P ou g ), Cb'e et Cb'c On prend l / r =0.
m c e

2. Le gain en courant é m e t t e u r commun à sortie court-circuitée est donnée par:

*b / ce=0
V

a. Déterminer l'expression de p(jco) et la mettre sous la forme PQco) = Po

0 3
1 •
1+J —

b. Donner les expressions de Po et de (Op et leurs définitions.

c. La fréquence de transition COT est donnée par |p(joo )| = 1. Montrer que
T

œ T = Po°°p > (Po » 1)

3. Donner le schéma équivalent du montage en hautes fréquences.
V s

4. En prenant rbb = 0, donner l'expression du gain en tension A = =— en fonction des

v

Ve
éléments du montage.
5. Quelle est la fréquence de coupure de A . v
VcL zz- tslfe i- + Re p>T/s
 te

/Le
g
l í o / 4r +- ^ I ~*
V fie

, i r e - ^ ^ > — p / ¿ ^ - ^ //f

l/e

A . .
Université Cadi Ayyad Le 08 février 2016
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique

Fillière SMP/S5
Contrôle de Rattrapage d'Electronique Analogique
Durée 2 heures

Les trois exercices sont indépendants.

Exercice I

1. Rappeler le schéma équivalent en H F et en faibles signaux d'un transistor à effet de cham

monté en source commune. Le transistor est caractérisé par : Cgs, Cgd, r , r<i et la pente gm.
g s S

2. Le gain en courant source commune à sortie court-circuitée est définie par :

A - * *
1
-T
v
ds=0
Donner le schéma à Vd = 0 et déterminer l'expression de Ai(jco) en fonction des éléments d
S

A
transistor. Mettre cette expression sous la forme : A (jco) = -
i

1+7
fc
Aio et f sont des constantes à déterminer
c

3. Montrer l'expression de la fréquence de transition fr en supposant fr/f » 1

c

i
Exercice I I
On considère le montage amplicateur à transistor à effet de champ donné par le schéma ci-
dessous.

Régime statique
=
On désire fixer le point de fonctionnement à ID = 2mA et Vos 7 V .
On donne : I = 8 mA, Vp = -2 V et V D = 15V.
D S S D

a. Calculer la valeur de la tension Vos et déduire la valeur de la résistance Rs

f <,
V V
Rappel : I = IDSS 1 — •
D L T

V,
p )
b. Déterminer la valeur de la résistance RD
 2. Donner le schéma équivalent en dynamique et en HF du montage en supposant les liaisons par
Cj et C2 et le découplage par CD parfaits. L a résistance r g s est supposée de valeur infinie.
On donne : Cgs=28,64 pF, Cgd= lOpF, la pente g =l,8mA/V et on prend dans la suite
m

R =r =10Kn.
s d s

3. Déterminer, sans utiliser le théorème de Miller, l'expression du gain en tension

V s

A (jco) = = - en fonction des éléments du montage. On pose R e = Rs// rd et y = j C œ

v q S gs gs

Ve
(1 + J )
œ c
' 4. Mettre cette expression sous la forme : A (jco) = K v , K et co sont des constantes a
c
Kco
l +j

déterminer en fonction des éléments du montage. Donnez les valeurs numériques de K et de f c

(fréquence de coupure).
5. Donner le schéma du montage lorsque eg = 0 et déterminer l'expression de l'impédance de
sortie Z . s

Exercice III
* L'amplificateur opérationnel du filtre actif suivant est supposé idéal.

1. Déterminer, en utilisant le théorème de Millman, les potentiels des nœuds D, B et A en

fonction de R, C, K et p = jœ. I l est obligatoire de donner les formes simplifiées des
expressions des potentiels VD> VB et v A

V s

2. Déduire l'expression de la fonction de transfert H(p) = = - et la mettre sous la forme

Kco
H(p) =
P +2Çco p + œ
0 c

3. Donner les expressions de œ et 0

4. Quelle est la nature de ce filtre

 i
n

fi ÍAJ>

M
LO

^¡ M
4—^ 3 _1

U i

r
f ¿ >-> H
 À . al % L
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Vi — K-f

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Université Cadi Ayyad Le 12 janvier 2016
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique

Fillière SMP/S5
Contrôle d'Electronique Analogique
Durée 2heures

Questions de cours
1. Compléter le schéma bloc ci-dessous pour obtenir un montage à contre réaction courant-
courant en mettant et en fléchant toutes les grandeurs électriques

2. L'amplificateur de la chaine directe A est caractérisé par ses impédances d'entrée Z et de e

ÉJrtie Z . Donner le schéma équivalent du montage en remplaçant l'amplificateur par son

s

schéma équivalent en fonction de A, Z et Z . e s

3. Démontrer, en justifiant les approximations utilisées, les expressions des impédances d'entrée
Z et de sortie Z du système en boucle fermée.
r e r s

4. L a fonction de transfert en boucle ouverte A dépend de co et représente un filtre passe bas de

4
gain statique Ao=10 et de bande passante BP=100 Hz. Démontrer les expressions du gain
statique et de la fréquence de coupure du système en boucle fermée et calculer leurs valeurs
sachant que P=0,1.
4
5. Le paramètre A en boucle ouverte a subi une distorsion de 100%: il passe de A= 10 à
3
A=5.10 , quelle est alors le pourcentage de la distorsion obtenue en boucle fermée sachant
que p=0,l.

Exercice I
On considère le montage constitué de deux étages à transistors bipolaires de lafigureci-
dessous. Les deux transistors sont supposés identiques.

•> V
ce
Ri Rc
lb2
Ci [
2 Ci
ibl
R E2

© V e
R 2

:
REI
Ru
 e r e m e
1. Indiquer le type du 1 étage et celui du 2 étage. Estimer, sans faire aucun calcul, la valeur
e m e
du gain en tension du 2 étage.

On suppose parfaits les liaisons par les condensateurs de liaison CL- Les paramètres du schéma
dynamique des transistors sont : h n , P et hn = I122 = 0.
2. Donner le schéma dynamique faibles signaux et en B F du montage.
3. Déterminer une relation entre ibi et ib2
v
4. Déterminer l'expression du gain en tension A = — v

5. Déterminer l'expression de l'impédance d'entrée du montage.

6. Déterminer l'expression de l'impédance de sortie du montage.

Exercice I I
L'amplificateur opérationnel du filtre actif suivant est supposé idéal. On donne R=l kQ et
C=0,lfiF
R
V\AA-

1. E n utilisant le théorème de Millman, donner les expressions des potentiels des nœuds
V , V
A B et V D

Vs

2. Déduire l'expression du gain en tension A v = =-

Pl
2
co
3. En posant p = jco, mettre l'expression de A sous la forme : A =
v — - - v

1+2 ^ + ^

4. Quelles sont les valeurs de co et de 0 Quel type de filtre s'agit-il?

5. Vérifier le type du filtre en donnant le schéma équivalent du montage en basses fréquences

(co —• 0) et en hautes fréquences (co —>oo) et en déduisant, dans les deux cas, le gain en
v
tension A = —
 if !
O i

-> <H^
—-*é~
SS A
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Université Cadi Ayyad Année universitaire: 2016-2017
Faculté des Sciences Semlalia - Marrakech
Département de Physique

SMP- S5 - Electronique Analogique

Examen de Rattrapage-Février 2017
Durée : 2heures

Exercice I : On considère le montage amplificateur à transistors de la figure ci-dessous.

Vcc

Vs

On pose : R = R E I + R E 2 , R B = R I / / R 2 -
E

On donne : R =5KQ, R=92Kft, V = 15V, R 2=2Kft et p=50.

L c c E

= =
Le point de fonctionnement Q du transistor est définie par : Ic=lmA, V C E 5 V et V B E 0 , 7 V .
Étude statique
1. Donner le schéma en statique de l'amplificateur.
2. Calculer la résistance R E I sachant que Rc= 5KX2.
3. On prend RB = 58 K Q . Calculer les valeurs des résistances R\ et R2.
Étude dynamique en Basses Fréquences
En régime variable des petits signaux aux basses fréquences, le transistor est caractérisé par se
paramètres hybrides : hn=l,25 K O , hi =0, h21=P et r = l/h 2 =50KÛ.
2 0 2

Les impédances des condensateurs sont négligeables à la fréquence de travail.

4. Etablir le schéma dynamique faibles signaux du montage. Quel est le type du montage ( E C , C C 01
B C ) ? Préciser le rôle des capacités C i , C2, C3 et C E .
v
5. Déterminer le gain en tension en charge A = — v

6. Déterminer la résistance d'entré Re en charge.

A h
7. En déduire le gain en courant A j = —
*e
8. Donner le schéma du montage pour calculer la résistance de sortie Rs puis déterminer son expressioi
et calculer sa valeur.
Exercice I I :
On considère le montage de la figure ci-dessous montrant un amplificateur à transistor à effet de champ dom
= =
les paramètres sont : lDss 6mA ; Vp= - 6V et la résistance rd 50 kfl. s

=
On donne : V D + 2 0 V
D

Vi et v sont les tensions d'entrée et de sortie.

0

SMP-S5-Electronique Analogique Page \

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Faculté des Sciences Semlalia - Marrakech
Département de Physique

Etude statique : 20 V
1- Identifier le type et le montage du transistor
2- Donner le schéma en statique du montage,
(flécher correctement tensions et courants)
3- Rappeler l'équation de Shockley (équation de o—^
la caractéristique) entre ID et Vos
4- Déterminer le courant de repos ID en
résolvant une équation du second degré dont Vi
il ne faut retenir que la solution adéquate.
5- E n déduire la tension de repos Vos et le /////
paramètre g du transistor avec son unité.
m

Etude dynamique en Basses Fréquences:

1- Les impédances des condensateurs sont négligeables à la fréquence de travail.
Donner le schéma équivalent de l'amplificateur petits signaux en basses fréquences, sachant que le
J F E T est modélisé par sa transconductance g et sa résistance rd .
m S

2- E n utilisant l'équivalence Norton-Thé venin puis

Thévenin-Norton montrer que le schéma en
dynamique en sortie peut être équivalent à celui
de la figure ci-contre faisant apparaître un Vo
paramètre g ' et une nouvelle résistance r'd .
m S

3- Calculer le gain en tension du montage Av=Vo/Vi

en fonction de g ' et r'ds-
m

4- Faire l'application numérique pour g ' , r'ds et A .

m v

5- Déterminer la résistance de sortie Rs du montage. Faire l'application numérique.

Exercice I I I :

Les amplificateurs du montage suivant sont supposés parfaits :

R
Il >

1. Exprimer V i en fonction de I i , V en fonction de I et V c en fonction de I3.

2 2

2. Déterminer l'expression de la tension de sortie Vs en fonction de V i et V , 2

3. En déduire le rôle de ce montage.

SMP-S5-Electronlque Analogique Page z

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Faculté des Sciences Semlalia - Marrakech
Département de Physique

Exercice I I : ( 8 points)
Etude statique :
1- Identifier le type et le montage du transistor
J F E T Canal N
Drain Commun D C " -
2- Donner le schéma en statique du montage (flécher correctement tensions et courants)

3- Rappeler l'équation de Shockley (équation de la caractéristique) entre ID et Vos

ID ~ IDSS (1 y )
4- Déterminer le courant de repos ID en résolvant une équation du second degré dont il ne faut
retenir que la solution adéquate.

-
Vos -RSID

GS \2

R 2
2 R

DSS0r 7/2^D
p + (2IDSS
P
3
~Tr 1)^D ^DSS ®
55.10 /^-7 6/ +6-10- =0 3
+
=

5 9 D

A= 44, 56
I i=0,44mA et I =12,97mA
D D2

La solution est :

I = 0,84mA
D

SMP-S5-Electronique Analogique Page 1

 5- E n déduire la tension de repos Vos et le paramètre g du transistor avec son unité.
m

=
VQS -RSID

V G S =-2,77V

gm = 0,23ms

Etude dynamique en Basses Fréquences:

1- Les impédances des condensateurs sont négligeables à la fréquence de travail.
Donner le schéma équivalent de l'amplificateur petits signaux en basses fréquences, sachant que le
J F E T est — - ^ i s é par sa transconductance g et sa résistance rd .
m S

r
nVgs M ds

• Ko

2- E n utilisant l'équivalence Norton-Thé venin puis Thé venin-Norton montrer que le

schéma en dynamique en sortie peut être équivalent à celui de la figure ci-contre
faisant apparaître un paramètre g ' et une nouvelle résistance r'd .
m S

Norton-Thévenin :

5 Rth

(D E * R S
Vo

RD

Rth-fds
=
Eth Tds.gm-Vgs

Thévenin-Norton

IN

SMP-S5-Electronique Analogique Page

 R N ~ RD+fds
r
\h dsSm
g»

om , n

r* =r +R
dl D

3- Calculer le gain en tension du montage Av=Vo/Vj en fonction de g ' et r'd - m S

r
V =(Rs//rds')-gm'.Vg
0 S

=
Vgs Vi-V 0

v,. \+{R llr )g

s ds n

4- Faire l'application numérique pour g ' , r'd et A . m S v

g' =0,215 ms
m

r'd =53,3 kQ,

S

A = 0,4
v

5- Déterminer la résistance de sortie Rs du montage. Faire l'application numérique.

"gs v
8 m gi
V n

V V
/ = -2- + _ £ g v
0 m 8S
R. r* *

i - =— +— + —
v„0 R,s r'cb

Z =R llr ll^
s s ds

Sm

Z = l,S6KQ s

SMP-S5-Electronique Analogique
 V =RiI
c 3 0,5

2. Déterminer l'expression de la tension de sortie V s en fonction de V i et V 2 ,

I =I +Ii
4 3

R 2 Rx Rl

3. En déduire le rôle de ce montage.

C'est un Soustracteur °> 5

SMP-S5-Electronique Analogique Page A

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Université Cadi Ayyad Le 18 janvier 2018
Faculté des Sciences Semlalia

Fillière SMP/S5
Contrôle d'Electronique Analogique
Durée 2heures

Questions de cours (4Pts):

1) Rappelez le théorème de Miller.

2) Donner le schéma équivalent «petits signaux» d'un transistor bipolaire en H.F.
3) Donner le schéma équivalent en source commune d'un T . E . C en B . F .
4) Pour un transistor bipolaire, rappeler la définition des gains en courant a et p, donner la
relation qui existe entre eux.

Exercice I (9 Pts) :
On considère le montage amplificateur de la figure 1. Le transistor possède un gain en
courant: p = 100. On donne: Ri=0,5 kQ, R = l kQ, R i=0,3 kQ, R 2=0,3 kQ, R = 1 kQ
c E E L

e t V = 15V.
c c

• V c c

ii Cs
Rc Figure 1

Ri

RL
R El
Ci R 2

R 2 E
c 2

A-Étude statique
La tension base-émetteur du transistor est: VBEO= 0,6V. On donne la tension VCEO =7V
et on néglige le courant de base devant le courant du collecteur.
1. Donner le schéma en statique de l'amplificateur.
2. Déterminer le courant Ico, en déduire le courant IBO.
3. Calculer le courant h , en déduire la valeur de la résistance R2.

B-Étude dynamique
On suppose parfaites les liaisons par les condensateurs C et C . Par contre on désiree S

étudier l'effet des capacités C i et C2. On notera ZE l'impédance Z E =RE2//(1/JC2Û)) et ZB

l'impédance ZB = R I / / R 2 / / ( 1 / J C K O ) . Les p a r a m è t r e s du schéma dynamique du
transistor sont: h n = l kQ, h i 2 = 0, p=100 et h 2 = 0 Q" .
2
1

1. Quel est le type du montage (EC, CC ou BC)?

 2. Donner le schéma dynamique faibles signaux du montage en BF.
3. Déterminer le gain en tension en charge A v = —

4. Déterminer l'impédance d'entrée du montage Z e

5. En déduire le gain en courant Aj = y

6. Déterminer l'impédance de sortie Z . s

7. Maintenant, si on suppose que le découplage par les capacités C i et C2 est

parfait, quel sera le gain en tension A , conclure.
v

Exercice II (7 Pts) :

Soit le filtre représenté Figure 2 et pour lequel R = 100 Q, C = 10 \iF, R i = 1 kfì,

R2 = 9 kl2. On suppose que l'amplificateur opérationnel est parfait.

R D

r Ri
Ri
Figure 2

1. Indiquer si l'amplificateur opérationnel fonctionne en régime linéaire et justifier

votre réponse.
2. Quelle est la nature du filtre ? Justifier.
3. Déterminer, en utilisant le théorème de Millman, les potentiels des n œ u d s B et D
en fonction des paramètres du montage.
4. Déduire l'expression de la fonction de transfert H(p)= avec p=jœ.

5. Quelle est l'impédance d'entrée du montage?

6. Est ce que R L a une influence sur le gain en tension?
7. Quelle est la fréquence de coupure de ce filtre ? Quelle est son gain dans la bande
passante ?
8. Tracer le diagramme asymptotique de Bode (module et phase) de ce filtre.

N.B: Le diagramme de Bode, portant nom et prénom, doit être rendu avec votre
copie!
Université Cadi Ayyad Le 18 janvier 2018
Faculté des Sciences Semlalia

Fillière SMP/S5
Correction Contrôle d'Electronique Analogique

Questions de cours (C J)

Avec Zi = Z/(l-A) et Z = Z.A/(A-1)

2

2)

1
1—
B k J5»L B' C
!' •
V»

T
* P= i / i , a = i / i
c B c E et a = p /(p+1)

Exercice I : (9pts)
A-Étude statique (2.5ptsi
 )n a : = 0.6V, V o = 7V CE

V = c c R c I c > < V c e o +(Rei + R e 2 ) I c o donc I o= ÇVcc C - V C eo)/( R c + R e i + R e i ) = 5 mA

c=> Ibo=Ico/P= 50 nA.

Ir= [ V C C - ( V b e T ^ e i ^ R e i ) Ico )]/Ri = 22,8 mA

(ou bien I,= (R Ico + VcBO>Rt^iRcIco + c V eo - V eo)/Ri=

C B 22,8 mA)
h= I l -Ibo = 22,75 mA

V = Rili +
c c R2I2 donc R = ( V c - R J i 2 C Yh = 158,24 Q

B-Étude dynamique L J)
1. (s j J X ) l e type du montage est BC

le E

(fi + %
REI
Rc Ri
^11
ÎO
1'

Z E
Z B

Le gain en tension en charge Ay = —

On a v =-pi
s b (RC//RL) et v = - i ( h u + Z ) donc
e b B Av= p (RC//RL) /(hu + Z ) B

4 . ( ^ T ~ ^ ) L'impédance d'entrée du montage Z . e

+ z
On a i = 1" - p i r ^ v è T t i ^ H ^ g X + J . Y ^ / C n i i b )
e

d'où ie/ve = l / ( R i + Z ) + p / C h i T ^ r z ^ r ^ h m e * Z = (R i
E e e E +ZE) //((hu + Z )/ B p;

En déduire le gain en courant Ai : On note R' = R c / / R L

T7 i; ç e 1 1 pR ( R E i + Z^Chn + Z e V P
_ _ — A z — —
(R E 1 + Z ) + (h
E n + Z )/PB

(REI + ZE)
¿1 = "
K t P(R E 1 + Z ) + (h E n + Z ) B

6. L'impédance de sortie Z : s

Par définïihion Z = — ) s . On a v = - ( h n + Z ) ib donc v = 0 --> h = 0

e B e
l s /
\ v =0
E

donc Z=
s R = 1 kil
c
 Découplage par les capacités C i et C est parfait --> ZE=0 etZB =0.
2

~^>~Sônc~^ Av= P R' /hn Ç>T\^JU^-Ol-X.

Exercice I I (7pts) :

1. l^s)
Par hypothèserFalïïpTTnTateaaiiopér^^ est idéal: /'= l = 0 et V -V~ = e = 0.+ +

La présence de la rétroaction (négative) implique que l'Ampli Op (ou le montage)

fonctionne en régime linéaire.

2.
C'est^u^fHtcepasse bas car:
+
En BF la cal^iteeSt-un circuit ouvert, donc v = v et v = v R i / ( R i + R 2 ) donc :
e s

Av=(l + R /R )
2 2

+
En HF la capacité est un>6Qurt-circuit et donc v = 0 --> v = 0 s

et Av = 0
3
-CL~?
V =VB
D

V D = ( 0 / Z + V e / R 5 Q V ^ c + l / R ) = ( V e / R ) / (R + Z ) / Z . R ) = ( V e Z ) / ( Z c + R) donc
c C c c

VD= V e / ( 1 +j RC 00) et

'Ri)
V = R i V s / ( R +Ri)
B 2

4.
Déduire l'expression de la fonction de transfert H(p)= = , avec p=jco.

Comme V =V doïic D B V e / ( 1 +j RC u>) = R i V s / ( R + R i ) et 2

H(co) = A / ( 1 +j w / w ) avec A= ( R + R i ) / R i et w = 1/RC.

c 2 c

L'impédance d'entrée du montage est = R + 1 / j C U)

6. C* - —jt§ •
R L n'a pas d'influence s u r le gain en tension.

le gain dans la B . P est A= (R2 + R i ) / R i = 10 et la f r é q u e n c e de coure

est fc = 1/(2TTRC) = 159Hz

•> Diagrammes de Bode

 Module

20dB

5dB

4
J Cl

2 3
10 159Hz 10
Phase

-90°

CD
Université Cadi Ayyad Le 8 Février 2018
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique

Fillière SMP/S5
Contrôle de rattrappage d'Electronique Analogique
Durée 2heures

Exercice I (8Pts): On étudie le montage amplificateur à transistor à effet de champ

donné par le schéma ci-dessous (Figure 1). On considère que les capacités Ci, C2 et CG
ont des impédances très grandes. On tiendra compte dans le schéma équivalent du
transistor à effet de champ de la résistance ras-
v D t
Figure 1 Rr c 2

Ri
C G RG
V e Rs

1. Quel est le type de ce montage ?

2. Donnez le schéma dynamique, faibles signaux, du montage en Basse Fréquence.
3. Donnez l'expression de V en fonction de V .
s gs

v s
4. Déterminez le gain en tension en charge: A v = —
Ve

5. Déterminez l'impédance d'entré du montage Z . e

i s
6. En déduire le gain en courant: Ai = 7- l
e

7. Quel est le gain en tension du montage: A v m = —

8. Déterminez l'impédance de sortie Z . s

9. Donner le schéma dynamique faibles signaux du montage en Haute Fréquence.

Exercice II (5 Pts): Soit le filtre actif utilisant un amplificateur opérationnel idéal représenté
par la Figure 2. Sa courbe de Bode du gain est donnée par la Figure 3.
C 2

Figure 2

Ve(t)
V (t)
s
 GmaxdB

Figure 3
20 dB/décade

OdB.

1. Quelle est la nature de ce filtre ?

£
2. Déterminez l'expression de la fonction de transfert G(jco) = ^

3. E n notant CÛI=1/R CI, co =l/R2C et

2 2 2 o ^ l / R i C i , déterminez la relation qui existe
entre Ci et C puis entre Ri et R .
2 2

4. Calculez le gain maximum G M A X en dB.

Exercice III ( 7 Pts): On considère le schéma de la Figure 4.

1. Quelle est la nature de la contre réaction ?

2. Si on ne considère que la chaine directe seule sans contre réaction (système en
boucle ouverte), quelle est l'amplification à vide Ao
3. Si on considère la chaine de retour seule, déterminez la fonction de transfert Bo.
4. Pour le système avec contre réaction (en boucle f e r m é ) , déterminez :
a. l'amplification du montage A , r

b. l'impédance d'entrée Z , e r

c. l'impédance de sortie Z . sr
Université Cadi Ayyad Le 18 janvier 2018
Faculté des Sciences Semlalia

Fillière SMP/S5
Correction Contrôle de rattrapage d'Electronique Analogique

Exercice I : ( p t s )

1) £ pts) r Grille commune

2) £ pts) r
ds i d s

i gmVgs i d i s

( — * .
\
W
1
à
•

) \ gs
Vds RD Ru

V
1 r

3) £ . .s) On a :

V = - (RD//RU) i = -R
s d L Id = -RL(gm V s + ids) = ~ RL (g m V + (V +V J/r
g GS s g ds )
avec : R¿ = R¡//R[/.
r xv Y ± V y X V y /r
s ' ¿ s ' ' ds L &m %s L ss ds
K- = - RL [( g + Vr*m + RL m %
4) { )ts) Comme, V = - v^ donc on a :
e 5

V = + R l(g
s L m + l/r )/(l ds +R L /r J V e ==>
Av = + R L f(g m + l/r )/(J
ds +R L /r )]
ds

5) l . ts) Z = V/i .
e e On a : i = V - i = V/R
e d s -i et aussi i = - V/R
d d L - - (V/R[) . Av

==> i/v e = 1/R S + A/R L et finalement :

Z = R //[(1
e s + R /r )/(g L ds m + l/r )J ds

6)£1 pts) Ai = (i/VJ.(V/VJ. (V/Q = (-1/Ru) . A . Z v e

= (-1/Ru) . R f(g + l/r )/(l + R /r )J. R f(l + R /r J/(g

L m ds L ds s L d m + l/r )]/[R +
ds s

(1 + Ri /r )/ ( g + l/rfc)] après simplification on obtient:

ds m
7) { pts) On a : V —Z /(Z e e e + r ) e et donc A
g g vm = (V / VJ . (V /
s e on obtient

alors:

Avm =+ R . f(g L m + l/r )/(l ds + R /r )]. L ds Z /(Z

e e + r) g =+ R . [(g L m + l/r )/(l ds +

RL/r JJ. d R .(l+

s RL/r J/[R (gd S m + l/r )+(l+R /r JJ.fl/Ze
ds L d +rg]

En remplaçant le dernier terme par son expression et simplification on obtient:

A vm =+ R Ugm L + VrJ/ {Rs-d + RL/r J+ d r [R*(g

g m + l/r )+(l+R /r JJ}
ds L d

rds
8)_t. pts) Zs= Vs / is ) e g = 0 ,e = 0 ===>
g *ds
--4-

gmVgs id is

1
1
\

R s
1 \ Vds Ru
RD
\ gs

\ 1
\ r
i"
r
avec R'= r //R g s

On a : V = - R' i et I , = i" +i ==> i = V/R

gs d d s D - V /R', g d'autre part on a:
V f ï - V
s f s( î ~gm Vgs) ~ Vgs~
ds ds gs d d
r
etdonc V =r (-Vgs/R'-g V )-V ==>V
s ds m gs gs gs = -Vs/(l+g r m ds + r /R ) ds (**)
A partir de (**) on en déduit que:
4 / V = l/Rp + l/(l+g r
s m ds + r /R ')=> ds

Zs= R //% 1+ g D m r + r /R ')

ds ds

9)£l ^pts)

-4-

i h gmVgs id i s

e
. — 1 —LA. J_J ÉÊ
\
• i
Rs^
c
Vds RD Ru
) t i— C
gd

<--fJ V f
Exercice I I : ( pts)

1 ) [f, ^pts) Filtre passe bande

2) i pts) H ((A)) = -Z /Zi 2 avec Z^R t + l/jC^ et Z = R /(l

2 2 + jC x RjW ) et

donc on obtient:

H(œ) = -jdR 2 œ/[(l +jd R&J (1 +jC 2 R w )]

2

= - (j (Jû/ 0)!)/ 0) ) (1 +jw/

2 co )3

3)£'pts) D'après la figure 3, on a:

f, =100Hz co =200n
1

f =1000Hz
2
=> œ =2000n
2

f =2000Hz
3
aj =42000n
3

Donc 1/R C,=2 200n, 1/R C =

2 2 2000n et 1/R^ 4000n

On trouve : R = 20.R
2 1 et C!=10.C-

4) {> >pts) Le gain maximum est situé (approximativement au milieu de la BP) mais
=
on accepte le résultat obtenu soit pour f—f 2 soit pour f f3 •
A A A
P o u r / = / on a: //H// 2=
2 (f2/fl) 2/[l+(f2/f2) 2)*(l+(f2/f3)*2)]= 40

et donc //H//=6, 32 ou bien //H// dB =1,6 dB

Exercice III : ( pts)

A ) tension /tension ou bien sortie parallèle _ entrée série. < ^jjy**

2) . A = Vs/V = H
0 i£>
3) £ B = Vf/V$=R /(R +R )
0 2 1 2 ,~y>

4) X ~ Pts) a) Ar =AQ/(1+ A B ) 0 0 = LU/[1+ \x R /(Ri+R )]

2 2

i .pts) b)Entrée série: Zer = Ze(l+A B )= 0 0 Ze(l+H R^fRi+Rj)

i pts) c) sortie parallèle : Zsr = Zs/(1+ A B )= 0 0 Zs/(1+ H R /(R +R ))

2 i 2