A.

Boudkhil Evaluation des Performances des Photodiodes PIN et APD 1

Evaluation des Performances des Photodiodes

PIN et APD dans une Chaîne de Communication
Optique à Haut Débit via Optisystem
Abdelhakim Boudkhil Asmaâ Ouzzani Belabbes Soudini
Département d’Electronique Département d’Electronique Département d’Electronique
Faculté de Technologie Faculté de Technologie Faculté de Technologie
Université de Sidi Bel abbés Université de Saïda Université de Sidi Bel abbés
Sidi Bel Abbés, Algérie Saïda, Algérie Sidi Bel Abbés, Algérie
boudkhil.abdelhakim@yahoo.fr asma.ouzzani@yahoo.fr sba_soudini@yahoo.fr

Résumé—Cet article étudie le photodétecteur à en comparant entre leurs différents types, spécialement entre la
semi-conducteurs qui joue un rôle très important à la
constitution du signal transmis à la réception dans la chaîne de
communication optique, en présentant une approche évaluative
et comparative entre les deux types de photodiode « PIN et à
avalanche APD » en termes de leurs paramètres essentiels de
fonctionnement manipulées dans un système de communication
optique à fibre optique et à haut débit simulé par le logiciel
Optisystem afin de caractériser ces photodiodes ainsi que la
chaîne de transmission étudiée.
Mots clés—communication optique ; simulation ;
photodétecteur à semi-conducteurs ; photodiode PIN ; photodiode
APD ; Optisystem.
I. INTRODUCTION
Aujourd’hui, le nouveau monde des télécommunications
représente un univers d’information colossal et très riche, dont
l’évolution est incroyablement rapide suite à l’essor et la
véritable explosion des différents systèmes de communication
qui connaissent une extension efficace de diversification de
services. L’application de l’optoélectronique dans ces systèmes
s'agit des méthodes permettant de véhiculer et de traiter les
signaux lumineux par des moyens purement optiques, cette
façon permettra de présenter de nombreux avantages par
rapport aux possibilités offertes par l'électronique, pour la
simple raison qu’il est relativement facile d'obtenir et de faire
se propager des impulsions lumineuses de durée très courte, de
l'ordre de la picoseconde, cette propriété pourrait se révéler
intéressante pour la réalisation des systèmes très rapides et plus
fiables ce qui a impliqué des changements radicaux dans
l’industrie des télécommunications [1].
Principalement, considéré comme composant fondamental
dans le module de réception pour la chaîne de communication
optique, la photodiode joue un rôle très important à convertir
les rayonnements optiques en signaux électriques plus facile à
exploiter, dans cet effet, plusieurs études sont développées
visent l’évaluation des photodiodes en termes de performance
photodiode PIN « Photodiode Intrinsic Negative » et la
photodiode à avalanche APD « Avalanche Photodiode »
disposées dans les différents systèmes optiques ce qui constitue
un sujet récent très important.
Dans ce cadre, U. Ibrahim [2] a évalué et comparé le
rendement entre la photodiode PIN et la photodiode à
avalanche APD dans une liaison optique utilisant le
multiplexage WDM « Wavelength Division Multiplexage », il a
montré que la capacité de transporter les données le long de 15
km peut atteindre jusqu'à 5 Gbit/s par utilisateur si la
photodiode APD est utilisée dans une direction avale au niveau
du récepteur.
En outre, P. Gopal [3] a comparé entre les performances
des deux photodiodes PIN et APD en présence de turbulence
atmosphérique dans un système satellitaire suivant les divers
positions de modulation en impulsions possibles où il a
constaté que les performances de la photodiode APD sont
meilleures que celles de la photodiode PIN.
Vue cette importance, nous nous intéressons donc à
l’évaluation des performances de ce composant
optoélectronique « photodétecteur à semi-conducteurs » par
une étude profonde en termes de ses paramètres de
fonctionnement fondamentaux en comparant entre la
photodiode PIN et APD en simulant une chaîne de
transmission optique fibrée à haut débit. Le présent travail
s’inscrit alors dans le cadre des communications optiques et se
divise principalement en :
 Premièrement, description du principe de
photodétection dans les semi-conducteurs, ensuite,
présentation des photodiodes PIN et APD en décrivant
leur structure, principe et paramètres de
fonctionnement.
 Deuxièmement, présentation avec interprétation des
résultats de simulation évaluée par le logiciel

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Optisystem sur le système de communication optique
proposé afin d’analyser les performances des
photodiodes PIN et APD étudiées en vue de déterminer
de nouveaux perspectives sur les futurs axes de
transmission.
Bande de conduction Ec
Photon (h.v ≥ Eg)
Bande interdite Eg = Ec – Ev
Absorption
Absorption
Bande de valence Ev
Fig. 1. Principe de photodétection « Interaction optique-électrique ».
II. PHOTODETECTEURS A SEMI-CONDUCTEURS
A. Photodétection
La photodétection dans les semi-conducteurs [4, 5]
fonctionne sur le principe général de la création des paires
électron-trou sous l’action de la lumière. Lorsqu’un matériau
semi-conducteur est illuminé par des photons d’énergie
supérieure ou égale à son gap h.v ≥ Eg, les photons absorbés
portent les électrons de la bande de valence vers les états
excités situés dans la bande de conduction, où ils se comportent
comme des électrons libres capables de se déplacer sur de
longues distances à travers le réseaux cristallin sous l’influence
d’un champs électrique, où les deux catégories de porteurs (P
et N) générés sont alors recueillis sous forme de photocourant
Iph. Le nombre de paires électron-trou est égal au nombre de
photons absorbés. Les photodétecteurs à semi-conducteurs
convertissent directement les photons incidents en électrons,
ces électrons peuvent alors être soit éjectés soit libérés au sein
des matériaux semi-conducteurs grâce aux propriétés
photosensibles très importantes qu’ils offrent. En effet, les
photodétecteurs à base de semi-conducteurs représentent
l’avantage d'être très rapides à la conversion, faciles à exploiter
et résistants contre les bruits. Ceci a permis pratiquement de
développer les transmissions optiques à très longues distances,
dans cet effet, les systèmes de communications optiques
utilisent à leur extrémité réceptrice d’une façon particulière les
photodiodes PIN et APD. Fig. 1.
B. Photodiodes PIN et APD
Les photodiodes sont des photodétecteurs à semi-
conducteurs ayant deux électrodes et une caractéristique
électrique en symétrique [6]. Les photodiodes sont utilisées
dans les transmissions optiques fibrées pour leur rapidité et leur
grande sensibilité ; les structures les plus disposées pour
convertir les flux optiques en courants électriques sont les
photodiodes PIN et les photodiodes à avalanche APD :
 La photodiode PIN est constituée par trois zones : une
première dopée P, une deuxième zone intrinsèque i
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(zone d’absorption) et une troisième dopée N, d’où le
nom du composant. La largeur de la zone intrinsèque i
est optimisée afin de maximiser le rendement ηq, en
effet, il est préférable que cette zone soit large d’où
l’intérêt de la photodiode PIN. Pour augmenter encore
la sensibilité, une couche diélectrique antireflet est
placée sur la fenêtre du dispositif photodétecteur. Le
Electron libéré rayonnement est presque entièrement absorbé dans la
zone intrinsèque i, car, la majorité des photons est
absorbée. Le temps de réponse de la photodiode PIN
doit être très bref, il est limité par deux facteurs : la
capacité de jonction et le temps de transit, le temps de
Trou réponse est amélioré en augmentant la tension de
polarisation inverse, ce qui réduit la capacité et le
temps de transit [6, 7]. Fig. 2.
 Dans la photodiode à avalanche APD les électrons
créés dans la zone intrinsèque i sont multipliés par
l’effet d’avalanche afin que le rapport signal sur bruit
soit suffisamment important, l’idée d’utiliser ce
phénomène de multiplication interne a été soulevée
pour qu’un photon incident n’engendre plus un seul
photoélectron mais plusieurs, ceci pour augmenter la
puissance du signal électrique correspondant à la
puissance optique incidente donnée. En effet, la
photodiode à avalanche APD est une photodiode PIN
conçue à partir de la physique de l’ionisation par
impact pour obtenir la multiplication avec un gain
moyen. Le temps de réponse de la photodiode APD est
plus long par rapport à celui de photodiodes PIN, car,
un délai supplémentaire est dû au phénomène
d’ionisation [7, 8]. Fig. 3.
C. Paramètres de fonctionnement pricipaux
Parmi les principaux paramètres qui définissent un
photodétecteur à semi-conducteurs il existe [5, 9] :
 Coefficient de réponse Ri : Une grandeur
indépendante de la surface optique active du
composant photodétecteur liant le photocourant Iph à la
puissance lumineuse incidente Popt.
 I Ph = Ri .Popt 
 Rendement quantique ηq : Un paramètre très
important donné par la probabilité de création d’une
paire électron-trou par photon absorbé. Il est défini par
le rapport du nombre de paires de porteurs photocréées
et collectées au nombre de photons incidents. Il ne peut
être supérieur à 1 et croît avec l'épaisseur de la zone
absorbante. (e est la charge élémentaire de l’électron).
ηe Ι ph e
 ηq = = 
ηp Popt h.v
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 Coefficient d’absorption α : Le phénomène important  Réponse temporelle τ et bande passante BP : La

qui détermine le rendement du photodétecteur et réponse temporelle d’un photodétecteur τ est
l’absorption du matériau semi-conducteur qui est caractérisée par le temps nécessaire au photocourant
caractérisée par le coefficient d’absorption α qui pour montrer de 10% à 90% de celui-ci. La bande
dépend de la longueur d’onde λ et de l’énergie de gap passante est liée par la réponse temporelle par la
Eg. Alors, si l’énergie du photon h.v est supérieure au relation :
gap du semi-conducteur Eg il y a donc absorption, il
faut alors que la longueur d’onde λ soit inférieure à la BP = 12.π.τ (6)
longueur d'onde de coupure λc [9, 10].
 Gain g : correspond au nombre de porteurs détectés
dPabs  z  = Popt e
-α  λ .z par rapport au nombre de paires électron-trou
dz 
photogénérées.
Photons
I ph
Couche antireflet g= (7)
λ
p e.ηq . .Popt
=
i + Zone d’absorption h.c
𝐄
-
 Flux de photon Φ : qui est défini par le nombre de
n Substrat photons atteignant la surface active par unité de
temps à une longueur d’onde λ.

Fig. 2. Structure de la photodiode PIN. λ

Φ = Popt . (8)
h.c
Photon
n s Electrons
+
secondaires
III. SIMULATION ET INTERPRETATIONS
Zone de Nous avons choisi pour la simulation le logiciel Optisystem,
multiplication p
l’environnement interactif développé par Optiwave Systems Inc
(jonction abrupte)
i - Electrons qui permet de simuler, modéliser, analyser et concevoir tout
primaires module de système de communication optique sous forme de
p Substrat schéma de blocs. Nous avons simulé une chaîne de
transmission optique à haut débit [11], dont l’objectif est
La photodiode à avalanche APD est un raffinement de la photodiode PIN
d’étudier les performances des photodiodes PIN et APD
disposées comme récepteurs dans les systèmes des
Fig. 3. Structure de la photodiode APD. télécommunications optiques ; cette évaluation est basée sur la
mesure du signal détecté, du bruit de photodétection et du
 Sensibilité S : Un paramètre très important défini par rapport signal à bruit en termes des paramètres de
le rapport du photocourant Iph au flux énergétique reçu fonctionnement des photodétecteurs à semi-conducteurs
(ou puissance optique incidente Popt) [9, 10]. suivants : la puissance émise Pe, le débit D, la sensibilité S, le
courant d’obscurité IObs [12].
I ph λ
S  λ = en AW  Nous avons choisi d’attribuer au système étudié un débit
-1
= ηq
Popt 1,24 binaire égal à 2.5 Gbits/s en lui affectant au premier temps la
photodiode PIN et au second ordre la photodiode APD, et à
 Détectivité D et puissance équivalente de chaque fois bien sûr nous avons varié seulement l’un des
bruit NEP : La détectivité est aussi un paramètre très paramètres déjà cités. Fig. 4.
important défini par le rapport du coefficient de
réponse du photodétecteur Ri sur le courant de bruit Ib. Les résultats tirés sont respectivement représentés par les
La puissance équivalente de bruit NEP « Noise courbes des figures 5, 6, 7 et 8 comme suit :
Equivalent Power » est par définition la puissance  En termes de puissance d’entrée - S/B = f(Pe) : Nous
optique incidente pour la quelle il y a un rapport signal remarquons clairement que plus la puissance d’entrée
sur bruit égal à 1 (SNR = 1) c’est-à-dire un Pe augmente plus le signal détecté est meilleur en
photocourant Iph égal au courant de bruit Ib. En effet, revanche le bruit engendré reste relativement constant
elle est en relation inverse avec la détectivité. et faible par rapport au signal reçu. Nous constatons
que le rapport signal à bruit augmente avec la
Ri -1 puissance d’entrée.
D= = NEP (5)
Ib

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En comparant entre la photodiode PIN et APD, nous
justifions que la photodiode APD est plus avantageuse
que la photodiode PIN pour les puissances faibles par
contre la photodiode PIN reste plus performante
toujours pour les puissances élevées au-delà de 0.7 W
[13]. Fig. 5.
Par la suite, nous avons choisi de travailler avec une
puissance d’entrée égale à 50 mW comprise dans l’intervalle
des puissances faibles, ceci justifie donc que pour tout se qui
suit les performances de la photodiode APD seront meilleures
que celles de la photodiode PIN en termes de rapport signal à
bruit.
 En termes de débit - S/B = f(D) : Nous avons varié le
débit d’entrée D de 100 Mbits/s jusqu’à 55 Gbits/s,
nous observons que plus le débit d’entrée augmente
plus le bruit de photodétection augmente et le signal
détecté diminue relativement. Nous constatons
qu’augmenter le débit binaire des données à envoyer
fait diminuer le rapport signal à bruit par conséquent
diminuer la performance de la transmission.
Nous pouvons constater aussi que si nous voulons
garder la bonne condition de fonctionnement pour le
système étudié, il faudrait ne pas dépasser les
25 Gbits/s, car, au dessus de cette valeur le rapport
signal à bruit commence à chuter ne devient plus
acceptable. Fig. 6.
 En termes de sensibilité - S/B = f (S) : Nous avons
varié la sensibilité S de 0.1 à 1 A/W, nous remarquons
Fig. 4. Modèle de Simulation : Chaîne de communication optique à haut débit étudiée « Pe = 50 mW, D = 10 Gbits/s, λ = 1552.52 nm, LFib = 50 Km,
S = 0.8 A/W, IObs = 5 nA, G APD = 3dB ».
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directement que plus la sensibilité augmente plus le
signal détecté augmente rapidement et le bruit de
photodétection se manifeste à des valeurs très basses
toujours ce qui implique que le rapport signal à bruit
devient plus meilleur également la performance de la
transmission.
Nous pouvons déduire que le rapport signal à bruit est
en bonne concordance avec la sensibilité de la
photodiode.
Nous pouvons constater aussi qu’à partir d’une valeur
de sensibilité égale à 0.3 A/W le rapport signal à bruit
commence à être convenable. Fig. 7.
 En termes de courant d’obscurité - S/B = f(IObs) :
Nous avons varié le courant d’obscurité IObs de 0 à
10000 nA. Nous observons spécifiquement que plus le
courant d’obscurité augmente et prend des valeurs plus
grandes le signal détecté, le bruit de photodétection et
le rapport signal à bruit restent toujours constants.
Nous constatons alors que le courant d’obscurité est
négligeable en mode photoconducteur, sa valeur donc
étant très faible pour être considérer au bruit généré
[5].
La photodiode APD reste plus performante que la
photodiode PIN pour la raison que nous ayons
considéré une puissance d’entrée notamment faible 50
mW. Fig. 8.
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Photodiodes PIN et APD - S/B = f(Pe)

-10
Signal PIN 74 S/B PIN
Signal APD S/B APD
-20 Bruit PIN
Bruit APD 72

Signal détecté (dB)- Bruit de photodétection (dB)

-30
70

-40

Rapport S/B (dB)

68

-50
66

-60
64

-70
62

-80 60

-90 58
200 400 600 800 1000 1200 1400 200 400 600 800 1000 1200 1400
Puissance d'entrée Pe (mW) Puissance d'entrée Pe (mW)

Fig. 5. Courbe représentant le rapport signal à bruit en termes de la puissance d’entrée pour les photodiodes PIN et APD - S/B = f (Pe).

Photodiodes PIN et APD - S/B = f(D)

-35 75

S/B PIN
-40 S/B APD

70
Signal détecté (dB) - Bruit de photodétection (dB)

-45

-50

65
-55
Rapport S/B (dB)

-60
60
-65

-70
55

-75

Signal PIN
-80
Signal APD 50
Bruit PIN
-85 Bruit APD

-90 45
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Débit D (Gbits/s) Débit D (Gbits/s)

Fig. 6. Courbe représentant le rapport signal à bruit en termes de débit pour les photodiodes PIN et APD - S/B = f (D).

Photodiodes PIN et APD - S/B = f(S)

-30 70

S/B PIN
-35 S/B APD

65
Signal détecté (dB) - Bruit de photodétection (dB)

-40

-45
60
Rapport S/B (dB)

-50

-55 Signal PIN 55

Signal APD
Bruit PIN
-60 Bruit APD

50
-65

-70
45

-75

-80 40
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Sensibilité S (A/W) Sensibilité S (A/W)

Fig. 7. Courbe représentant le rapport signal à bruit en termes de la sensibilité pour les photodiodes PIN et APD - S/B = f (S).

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Photodiodes PIN et APD - S/B = f(Iobs)

-30 65

-35
64.5

Signal détecté (dB) - Bruit de photodétection (dB)

-40
64
-45

63.5

Rapport S/B (dB)

-50 Signal PIN
Signal APD S/B PIN
Bruit PIN S/B APD
-55 Bruit APD 63

-60
62.5

-65
62
-70

61.5
-75

-80 61
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Courant d'obscurité Iobs (A) x 10
-5 Courant d'obscurité Iobs (A) x 10
-5

Fig. 8. Courbe représentant le rapport signal à bruit en termes du courant d’obscuruté pour les photodiodes PIN et APD - S/B = f (IObs).

IV. CONCLUSION schemes in atmospheric turbulence,’’ Communications and Network

Journal, Scientific Research, September 2013.
Ce travail avait pour but principal d’étudier les photodiodes [4] M. Voos, H. J. Drouhin, B. Drévillon, ‘’Semi-conducteurs et
PIN et APD en mesurant le rapport signal à bruit en fonction composants’’, Programme d’approfondissement physique, Inovation
des paramètres fondamentaux de fonctionnement des technologique, Electrical engineering, Ecole polytechnique, Palaiseau,
photodétecteurs à semi-conducteurs, ceci nous a ramené à pp. 7-44, Paris, 2001.
conclure que ces paramètres constituent de tout temps un [5] D. Decoster, J. Harari, ‘’Détecteurs optoélectroniques,’’ Hermès-
facteur majeur à l’évaluation des performances des science, pp. 17-20 pp. 26-28, Paris, 2002.
photodiodes PIN et APD mettant leur choix judicieux sur la [6] D. Courjon, ‘’Photodiode characteristics and applications,’’ OSI
Optoelectronics, 2009.
qualité de transmission pour les différents systèmes de
[7] C. Boisrobert, Z. Toffano, ‘’Cours de DESS et DEA d’optique et
communication optique qui jouent un rôle très important dans optoélectronique,’’ Université de Nantes, 2001.
le nouveau monde des télécommunications, car, aujourd’hui,
[8] K. Hinton, T. Stephen, ‘’Modeling high-speed optical transmission
nous ne pouvons pas parler des systèmes de systems,’’ IEEE journal on selected areas in communication, Vol 11,
télécommunications sans parler des systèmes de Issue 3, pp. 380-392, April 1993.
communication optique qui connaissent une grande application [9] E. Cassan, ‘’Une introduction aux télécommunications optiques par la
dans l’univers des transmissions offrant plusieurs avantages tel simulation de systèmes simples,’’ Journal sur l’enseignement des
que la grande rapidité et la capacité des débits transportés pour sciences et technologies de l’information et des systèmes, EDP Sciences,
de très grandes distances avec un maximum de fiabilité. Vol 2, Juin 2003.
[10] S. O. KASAP, ‘’Optoelectronics and photonics‘’, Prentice Hall, Upper
V. REFERENCES Saddle River, 2001.
[11] A. Boudkhil, A. Ouzzani, B. Soudini, "Introduction aux communications
[1] H. Brahimi, ‘‘Etude en bruit de systèmes optiques hyperfréquences.
optiques par la simulation d’une chaîne de transmission optique à haut
Modélisation, caractérisation et application à la métrologie en bruit de
débit via Optisystem avec comparaison des fenêtres optiques”,
phase et à la génération de fréquence,’’ Thèse de doctorat, Spécialité
International Journal of Computer Networks and Communications
Micro-ondes, Electromagnétisme et Optoélectronique, Université de
Security, Vol 3, Issue 2, pp 53-62, Février 2015.
Paul Sabatier, Toulouse III, 2010.
[2] U. Ibrahim, H. Abbas, R. Faizan and S. F. Shaukat, ‘‘Performance [12] A. Boudkhil, A. Ouzzani, B. Soudini, ‘’Communication optique – Bruit
evaluation of photoreceivers in WDM passive optical networks,’’ 6th de photodétection", Edition Universitaire Européenne, Sarrebruck, 2015.
IEEE International Conference on Engineering Technologies, [13] J. P. Gouy, ‘’Etude comparative de la photodiode PIN, de la photodiode
Islamabad, October 2010. à avalanche et du photoconducteur sur matériaux IIIV‘’, Thèse de
[3] P. Gopal , V. K. Jain and S. Kar, ‘‘Performance comparison of PIN doctorat, Spécialité Electronique, Université de Lille Flandres Artois,
and APD based FSO satellite systems for various pulse modulation 1989.

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