Faculté des Sciences et de la Technologie

DEPARTEMENT DES SCIENCES DE TECHNOLOGIE

LICENCE: Electronique
Semestre : 05
Matière: Technologie des composants électroniques 2

Chapitre02:
Composants actifs de puissance

Réalisé par Dr CHABANI-S-B

1
2
cathode
gâchette

cathode
anode

3
Le thyristor: dispositif à 4 couches SC dopées PNPN donc 3 jonctions PN. L
possède 3 électrodes (connexions externes) Anode A, cathode K, gâchette
G.

PNP

NPN

4
 Amorçage du thyristor
Le thyristor laisse passer le courant électrique dans un seul sens, de l’anode
à la cathode. Lorsque le thyristor est en polarisation directe, la création d'un
courant de gâchette (amorçage) permet de le rendre passant.
C’est donc une diode (un redresseur) commandée (Silicon Controlled
Rectifier (SCR).

5
Conditions d'amorçage :
En polarisation directe : VAK  0
Condition d'amorçage par tension de retournement
VAK > VB0 (BreakOver) sans impulsion ou courant de gâchette.

Condition d'amorçage par courant de gâchette

VAK > 0 et IG ≥IGT (IGT courant minimum pour amorcer le thyristor)

Conditions de blocage :
Rendre VAK ≤ 0 ou diminuer le courant anode en dessous du courant de maintient
IH (H: Holding)

En polarisation inverse :VAK ≤0;

Le thyristor est alors bloqué et aucun courant IA ne peut circuler.
Lorsque la tension inverse devient trop forte, elle produit un claquage
destructif du thyristor.
6
 7
Vak
Caractéristique IA = f (vAK)
Caractéristique IA = f (vAK)
Elle comprend trois grandes parties :
OA, tension négative, thyristor bloqué
OB, tension positive, thyristor bloqué, pas
d'impulsion sur la gâchette
OC, après l'envoi d'une impulsion alors
Que v est positive, le thyristor est passant

Voici la description plus précise des

différentes parties :
1 : Avalanche, ou tension de claquage
2 : Courant inverse
3 : Courant de fuite direct
4 : Tension d'amorçage
5 : Courant de maintien
6 : Courant de conduction

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 Thyristors

• C’est un semi-conducteur de type PNPN, à trois bornes : A(Anode), K (Cathode) et G (Gâchette)

Mécanisme d’amorçage et de blocage d’un thyristor :

• La commutation de l’état bloqué à l’état conducteur s’obtient par application à l’électrode de gâchette G, d’une impulsion de
tension (ou de courant) positive par rapport à la cathode.

•Les valeurs de l’intensité du courant et de la tension appliquées à la gâchette doivent être supérieures aux valeurs limites
indiquées par les constructeurs.

•Une fois le thyristor est conducteur, il se comporte comme une diode.

9
• Pour bloquer le thyristor, il faut appliquer à ces bornes une tension inverse de durée largement suffisante permettant
d’évacuer les charges stockées.

• Mais il ne s’éteint que lorsque le courant qui le traverse devient inférieur ou égal au courant dit de
maintien ou encore courant hypostatique IH
• (compris entre 20 et 300mA).

• Ce courant peut atteindre une valeur maximale de 1A.

• Souvent en courant alternatif la commutation ne pose pas de problème. La tension peut s’inverser aux bornes du
thyristor et le courant s’annule.

Le thyristor se bloque de lui même : c’est la commutation naturelle.

• En courant continu, il est impossible de bloquer le thyristor.

On a recours à un circuit annexe pour assurer la commutation ;

C’est la commutation forcée.

10
Principe du thyristor (régénération du courant d’amorçage)

anode

T1

gâchette

T2
+

cathode

11
Principe du thyristor (régénération du courant d’amorçage)
Anode

T1

T2 gâchette

cathode
Circuit équivalent du thyristor
12
Principe du thyristor (régénération du courant d’amorçage)

anode

T1

gâchette

T2
+

IB2

cathode
13
Principe du thyristor (phénomène de régénération

anode

IB1 T1
IC2 = 2.IB2

IC1

IC2
IC2=IE2

gâchette
T2
+
IB2 VG

cathode
14
Principe du thyristor (phénomène de régénération) Les composants de l’enpu
anode

T1
I’B1=2.1.IB1
= I’C2
I’C1

I’C2

I’B2= 1.IB1
gâchette
T2
+

cathode
15
Principe du thyristor (régénération du courant d’amorçage)

anode

T1

gâchette

T2
+

cathode

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Quelques Circuits de déclenchement

Amorçage par résistance

V0
ig

e()

VGK
e = VGK + V0 + RIGK A l’amorçage, e = VGT + V0 + RIGT
➢ Le Thyristor s’amorce lorsque e() atteint la valeur VGT + Vs + RIGT
qui est ≤ Emax (=  /2) quelque soit la valeur de R → 0≤  ≤ /2
➢ Par conséquent, La valeur de l‘angle d'amorçage dépend directement de la valeur de la résistance Rg ;
plus Rg augmente plus  se rapproche de /2 (90°)

17
 Amorçage par un circuit RC

e()

➢ Le condensateur C va se charger via la résistance Rg jusqu'à ce que la tension soit suffisante

pour amorcer la gâchette.
➢ En choisissant judicieusement Rg et C on pourra balayer toute la plage de constante de temps (Ƭ = Rg.C)
correspondant aux 180° () possibles

18
Blocage par commutation forcée „Schéma d’étude
Schéma d’étude

Étude Chronogrammes

19
20
21
 Thyristor ETO
Le thyristor ETO est un composant électronique utilisé en électronique de puissance ; il joue un rôle d'interrupteur
Abstract The emitter-turn- off thyristor (ETO) is a hybrid MOS-bipolar high power semiconductor device
with the advantages of GTO's high current/voltage
Le thyristor ETO (Emitter Turn-Off thyristor) est un composant électronique utilisé en électronique de puissance ; il joue
un rôle d'interrupteur
C'est un composant hybride, constitué d'un thyristor GTO (thyristor qui peut être bloqué par la
gâchette) mis en série avec un MOSFET.
Lorsque ON et OFF sont tous deux au niveau bas, le thyristor est bloqué et le Mosfet conducteur
(puisque sa grille est portée à un potentiel positif par OFF/).
Pour rendre le composant conducteur, il faut porter ON à un niveau haut (potentiel positif), ce qui
a pour effet d'injecter un courant dans la gâchette et par conséquent de démarrer la conduction
du thyristor. Une fois le thyristor amorcé, càd. conducteur, on peut ramener ON au niveau bas.
Pour bloquer le composant, on porte OFF au niveau haut, ce qui a pour effet de court-circuiter la Circuit équivalent de l'ETO
grille du thyristor à la masse ; comme OFF/ est désormais au niveau bas, la conduction du Mosfet
cesse, ce qui annule le courant dans le thyristor ; ce dernier se bloque par conséquent

22
 Thyristor MCT
Le MCT est un interrupteur de l'électronique de puissance, parmi les plus récents puisque
commercialisé depuis 1992.
Le MCT (sigle anglais : MOS Controlled Thyristor) est un interrupteur de l'électronique de puissance, parmi les plus
récents puisque commercialisé depuis 1992.
Le MCT est au thyristor GTO ce qu'est l'IGBT au transistor bipolaire : il associe les avantages du thyristor (faible chute de
tension à l'état passant) et ceux du MOSFET (faible puissance de commande)

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 Thyristor GTO
Le thyristor à extinction par la gâchette, est un interrupteur électronique utilisé dans les
systèmes de forte puissance de l'électronique de puissance.

Le thyristor à extinction par la gâchette (thyristor GTO ou plus simplement GTO, de l'anglais Gate Turn-Off Thyristor), est un
interrupteur électronique utilisé dans les systèmes de forte puissance de l'électronique de puissance.
Le HDGTO (Hard Driven GTO : GTO à commande dure), plus connu sous le nom de GCT (Gate-Commutated Thyristor)
ou IGCT (Integrated GCT), est une évolution «moderne» du GTO, donnant la possibilité un fonctionnement sans circuit d'aide
à la commutation.
Les applications usuelles du GTO sont les onduleurs, redresseurs et hacheurspour la vitesse variable et la conversion
d'énergie, mais également les FACTS.

Un système de transmission flexible en courant alternatif, plus connu sous

l'acronyme anglais de FACTS (pour Flexible Alternating Current Transmission
System) est un équipement d'électronique de puissance d'appoint utilisé pour
contrôler la répartition des charges dans le réseau en améliorant ainsi la capacité Symboles usuels du GTO
de transit et en réduisant les pertes, pour contrôler la tension en un point ou
assurer la stabilité dynamique des réseaux de transmission d'électricité et des
groupes de productions qui y sont connectés. Il peut également filtrer certaines
harmoniques et donc améliorer la qualité de l'électricité 24
 Fonctionnement
le GTO est un composant électronique dont la mise en conduction et le blocage sont commandés. Il fait partie des interrupteurs
commandés de l'électronique de puissance pour les applications concernant les fortes tensions (quelques kV) et les forts
courants (quelques kA). Son usage est fonctionnellement comparable à celui d'un transistor utilisé en commutation. Il est
d'ailleurs directement en concurrence avec l'IGBT pour ces applications.

Mise en conduction
Pour mettre en conduction un GTO, il faut injecter un courant de quelques ampères dans la gâchette. Comme un thyristor et au
contraire de un transistor, sa mise en conduction s'auto-verrouille, il ne possède par conséquent pas de zone de fonctionnement
linéaire.
Toujours comme un thyristor, le GTO se bloque si le courant d'anode s'annule. C'est pourquoi, dans la majorité des applications,
on maintient le courant de gâchette pendant toute la phase de conduction désirée.

Blocage
Pour bloquer un GTO, il faut détourner la quasi-totalité du courant d'anode dans la gâchette, afin d'annuler le courant de
base du transistor côté cathode et de bloquer ce dernier. L'électronique de commande de gâchette doit par conséquent être
capable d'absorber quelques centaines à quelques milliers d'ampères selon le calibre du GTO.
Une fois la séquence de blocage démarrée (par application d'une tension négative sur la gâchette), il ne faut en aucun cas
l'arrêter avant qu'elle ne soit entièrement terminée (risque de casse du composant). Il y a par conséquent un temps minimal
de blocage (typiquement 100µs), ce qui est l'une des limitations en fréquence de commutation du GTO.
25
 Circuits d'aide à la commutation

Un GTO «classique» est limité :

•en vitesse de croissance du courant à la mise en conduction (dI/dt typique : 300A/µs),
•en vitesse de croissance de la tension au blocage (dV/dt typique : 400V/µs),
•et comme tout composant, en tension crête instantanée (valeur selon le calibre).
Pour respecter ces contraintes, on aura le plus souvent besoin :
•d'un circuit inductif en série,
•d'un circuit capacitif en parallèle,
•d'un circuit d'écrêtage de la tension en parallèle.
Ceci a le plus souvent pour conséquence d'augmenter les pertes globales du dispositif. Néanmoins, il est envisageable
de concevoir des schémas à récupération d'énergie pour perfectionner le rendement.
Le HDGTO peut supporter des dV/dt énormément plus importants et peut par conséquent fonctionner sans le circuit
capacitif

26
Schéma équivalent du GTO
 Structure

Le GTO est structurellement semblable à un thyristor, par conséquent pourvu de 3 électrodes :

l'anode A
la cathode K
l'électrode de commande nommée gâchette G.
Il se compose de quatre couches dopées alternativement P, N, P, N.
La différence principale avec un thyristor est que la gâchette est fortement interdigitée, c'est-à-dire divisée en un réseau de
mini-gâchettes distribuées sur toute la puce, pour permettre une extraction uniforme du courant lors du blocage.

Technologie
Les GTO, comme les gros thyristors, sont réalisés sous la forme de grandes puces monolithiques
en forme de disque (jusqu'à 125 ou alors 150 mm de diamètre).
Ils sont le plus souvent encapsulés dans des boîtiers en céramique, qui doivent être pressés entre
deux dissipateurs thermiques, lesquels assurent aussi les contacts électriques d'anode et de
cathode (en anglais : press-pack). Ces boîtiers ont une faible résistance thermique, et sont bien
adaptés au refroidissement à l'eau. Ils se prêtent aussi particulièrement bien à la construction de
piles de composants en série
GTO en boîtier press-
pack (calibre 1600A)

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 Gammes et usages
On trouve les GTO et les GCT en trois «type
•les GTO symétriques ≈ xam-kaV( snes xued sel snad noisnet emêm al tnetroppus Vka-max);
•les GTO asymétriques ertê tneuqésnoc rap tneviod te ,kaV snes el snad euq noisnet al tnetroppus en ,stnaruoc sulp sel ,
; )erbil euor ed edoid( elèllarap-tina edoid enu ceva sésiltiu
•les GTO à conduction inverse : sialgna( reverse-conducting GTO-euor ed edoid al tnod seuqirtémysa OTG sed tiaf ne tnos ,)
.ecup emêm al rus eérgétni tse erbil
Les GTO asymétriques sont utilisés dans les onduleurs de tension, de la même façon que les IGBT. Les GTO symétriques peuvent
être utilisés dans les onduleurs de courant, les contacteurs statiques, etc.
Actuellement il n'existe plus sur le marché que trois gammes de tension – 2500V, 4500V et 6000V –, pour
des courants commutables d'environ 600A jusqu'à 6000A

Principaux fabricants

ABB [1]
Dynex [2]
Mitsubishi Electric [3]
Poseico [4]
Powerex [5]
28
 Triac

Le Triac est un composant électronique équivalent à la mise en parallèle de deux thyristors montés tête-bêche

Composant de même structure électronique qu'un thyristor, mais conçu pour conduire le courant dans les deux sens
Le Triac est un composant électronique équivalent à la mise en parallèle de deux thyristors montés tête-bêche (l'anode de l'un
serait reliée à la cathodede l'autre, les gâchettes respectives étant, par exemple, commandées simultanément).
Fonctionnement
Une fois enclenché par une impulsion sur la gâchette, le triac laisse passer le courant jusqu'au moment
où ce courant redevient inférieur à un seuil critique (courant de maintien). De par cette structure, le
triac est utilisé pour contrôler le passage des deux alternances d'un courant alternatif (tandis que le
thyristor ne conduit que pendant une alternance).

Applications
•Variateur de lumière, gradateur
•Contacteur statique
•Clignoteur Symbole
•Programmateu électronique du
triac

29
 Diac
Un diac (à l'origine un sigle pour le terme anglais DIode for Alternative Current1) est un composant
électronique à amorçage (bidirectionnel) par la tension à
ses bornes. Bien qu'il ressemble physiquement à une diode zener, sa constitution et son fonctionnement sont
très différents.
Sa principale application est la commande d'allumage de triacs1.

Description
le diac est composé comme un thyristor d'une triple jonction PNPN (la gachette est absente). Représentation
Les extrémités sont plus fortement dopées. L'amorçage se produit lorsque les zones de symbolique
diffusion des jonctions extrêmes tendent à se rencontrer sous l'effet de l'application d'un Diac
d'une différence de potentiel.
La mise en parallèle (tête-bêche) des deux circuits permet le fonctionnement bidirectionnel

Constitution d'un Diac

30
sap tiudnoc en comme on peut le voir sur sa caractéristique courant/tension, le diac
sap tse'n )V 32 tnemelarénég( etnasiffus leitnetop ed ecneréffid enu'uq tnat tnaruoc el
te )egaçroma( noitcudnoc ne ertne caid el ,tnietta liues ec siof enU .senrob ses à eéuqilppa
ed seniazid seuqleuq tnemelarénég( esrevart el muminim tnaruoc nu'uq tnat etser y
.tnaruoc el eriudnoc ed essec te ecromaséd es caid el ,àçed nE .)serèpmaorcim
Le diac rap nucahc sédnammoc srotsiryht xued ed ésopmoc egatnom nu à tnelaviuqé tse
edèssop elèdom eC .ehcêb-etêt sétnom te elaédi edoid enu ceva eires ne renez edoid enu
.notialumis ne selbasiltiu caid ud sehcorp sèrt seuqtisirétcarac sed
Les caractéristiques normalisées du diac sont également proches des petits
voyants néons (dont les seuils sont de l'ordre de 80 à 300V)
Le diac présente des fuites intrinsèques de quelques microampères à l'état non passant.
Caractéristique idéale
Sa barrière de potentiel à l'état passant est comparable à un thyristor (1,2 V) et
courant/tension d'un
son coefficient de température est négatif comme la plupart des semiconducteurs
DIAC
Le diac supporte également comme le thyristor et le triac des pointes de courant
répétitives assez élevées (plusieurs ampères).
Les diacs courants présentent une dissymétrie de seuil typique d'environ 10 % (3 à 4 V)
qui peut être gênante dans certaines applications, notamment pour la commande de
charges inductives. (risques de magnétisation ou de saturation)
Le diac est également sensible à la vitesse de croissance du potentiel appliqué à ses
bornes (dV/dt) et s'amorcer avant son seuil (au-delà de 10 à 20 V/µS).
Circuit équivalent
31
 Applications
En raison de sa caractéristique courant tension symétrique le diac est idéal pour la commande en courant alternatif. Il est
essentiellement utilisé pour la commande en quatre quadrants des triac dans la réalisation de variateurs simples (ou gradateurs)
pour éclairages ou petits moteurs en courant alternatif.
Le montage le plus courant utilise un déphaseur composé d'une résistance ajustable (potentiomètre) et d'un condensateur avec
lequel on commande via le diac un triac selon un angle variable.
Une application moins connue du diac est l'oscillateur à relaxation. Ce montage qui permet de générer un signal « en dents de
scie » ou des impulsions de courant cycliques, utilise un simple réseau résistance-capacité en série et un diac.
Ce type d'oscillateur était jadis réalisé en utilisant un néon et est, actuellement, couramment réalisé avec un transistor
unijonction dont le seuil de déclenchement est beaucoup plus faible

32
Principe du variateur à diac Signaux de sortie Oscillateur à relaxation à diac
Utilisation du thyristor

•Commander la vitesse des moteurs à courant continu et des moteurs à courant alternatif.

•Commande alarme.

•Régler la température.

•Réglage de l'éclairage des lampes.

33
 Transistor unijonction
Un transistor unijonction (souvent appelé UJT, d'après le sigle anglais "UniJonction Transistor") est une sorte de transistor qui
n'est composé que d'une seule jonction.
Appelé aussi "diode à double base", le transistor unijonction est un transistor bipolaire un peu particulier, qui possède trois
connexions mais une seule jonction (d'où son nom). Ses trois électrodes sont nommées E (émetteur), B1 (base 1) et B2 (base 2).
L'UJT est principalement utilisé pour la réalisation d'oscillateurs (à relaxation, pour être précis), car il possède la particularité
d'offrir une résistance négative dans une partie de sa courbe de caractéristiques. Un transistor unijonction peut être assimilé à
une diode associée à un diviseur de tension.

Symbole de l'UJT.

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Amorçage par impulsion
(transistor UJT –oscillateur de relaxtion)

Structure

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Fonctionnement
• VA= rb1/(rb1+rb2).VBB = ƞ. VBB
(ƞ rapport intrinsèque de l'UJT [0,45; 0,8] ).

• rbb=rb1+rb2 (résistance inter base [3 KΩ ;

10 KΩ]).

▪ VA= rb1/(rbb). VBB = ƞ. VBB

▪ VE<VA: la diode D est polarisée en inverse; L'UJT bloqué ; laisse passer un courant de fuite IE0.

▪ VE>VA+ v0: l'UJT entre en conduction ; rb1 diminue IE croit rapidement VA décroît et atteint une
valeur minimale V (tension de vallée). Rb1 resistance négative
v
VP = VA + V0 = nVBB + V0 ( VP: tension de pique)
36
Caractéristique

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1. C se charge via R; Vc = VE croit , le courant de IE = 0 ( partie OP)
2. Vc = Vp , IE augment brusquement (partie PN).
3. C se décharge brusquement dans la résistance Rb1 via la jonction EB1 produisant une
impulsion qui amorce le thyristor partie NV).
4. Dès que Vc = Vv (saut de V à Q) , l'UJT se bloque et le condensateur recommence à se
charger jusqu'à atteindre à Vp. 38
 le transistor à effet de champ (TEC ou FET)

Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif
semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ
électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un
matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux
domaines d'applications, tels que l'électronique numérique.

39
Un transistor à effet de champ est un composant à trois broches : la Grille, le Drain et la Source.
On considère que la commande du transistor se fait par l'application d'une tension VGS négative dans le cas d'un type P, positive
dans le cas d'un type N.
Les caractéristiques de sortie sont liées au rapport tension/courant admissible entre le drain et la source, représenté par une
résistance équivalente RDSon lorsque le transistor est passant

Classification
JFET
Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor ou transistor à effet de champ à jonction) présente une grille reliée au
substrat. Dans le cas d'un canal dopé N, le substrat et la grille sont fortement dopés P+ et physiquement reliés au canal. Le drain
et la
source sont des îlots très fortement dopés N+ dans le canal, de part et d'autre de la grille. Dans le cas d'un canal dopé P, les
dopages
de chaque partie sont inversés, ainsi que les tensions de fonctionnement.

40
41
 Transistors à effet de Champ de puissance :
MOSFET
MOSFET

Un transistor de type MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor) présente une grille métallique
électriquement
isolée du substrat par un diélectrique de type SiO2.
•Le Mos est commandé par une tension appliquée à la grille.

•La vitesse de commutation est supérieure à celle d’un bipolaire (presque 10 fois), on peut commuter des fréquences
proches de 200kHz.

•Les temps de la montée et de la descente sont réduits. Les pertes en commutation sont plus faibles.

•Par contre les pertes en conduction sont comparables à un Bipolaire pour les basses tensions et croissent pour les
42
grandes tensions. Elles deviennent énormes pour des tensions importante (au-delà de 1kV).
Transistors à effet de Champ de puissance : MOSFET
Depletion-Mode MOSFET

Enhancement-Mode
MOSFET

43
44
CMOS

45
MOSFET H-Bridge

46
TRANSISTOR BIPOLAIRE à GRILLE ISOLEE (IGBT)

L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est un transistor bipolaire à porte isolée. Il associe le
MOS et le Bipolaire. Il cumule les avantages des transistors bipolaires (tensions et courants élevés) et
ceux des transistors MOSFET (rapidité des commutations, énergie de commande faible) sans en éliminer
totalement les inconvénients
L'IGBT présente l'inconvénient d'un blocage moins rapide que le MOSFET, ce qui limite sa fréquence de commutation
à quelques dizaines de kHz.

47
48
La place de l'IGBT parmi les autres semi-
conducteurs de puissance
Thyristor Thyristor Transistor IGBT GTO
rapide bipolaire

Tension 6000V 1500V 1400V 1200V 4500V

Courant 5000A 1500A 500A 400A 3000A

Fréquence 1kHz 3kHz 5kHz 20kHz 1kHz

49
Choix d’un composant :

• Le choix d’un composant fait apparaître plusieurs aspects :

• Les caractéristiques de la commande,

• Les conditions de protection,

• Le coût qui doit comprendre le circuit de refroidissement, la complexité de

circuit, les composants passifs associés, l’encombrement,…

50
 Choix d’un composant :
• Pour les basses fréquences le choix par ordre préférentiel:
• Thyristors classique ou le GTO
• Le bipolaire ou le Darlinton,
• Le MOS.

• Pour les fréquences élevées, alors on procède aux choix préférentiels suivants :
• Le MOS,
• Le bipolaire ou le Darlinton,
• Thyristor classique, GTO.

51
Fin

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