Ampère

Unité Mixte de Recherche CNRS

Génie Électrique, Électromagnétisme, Automatique, Microbiologie environnementale et Applications

État de l'art SiC, composants,

performances, technologies et
perspectives à moyen terme
Dominique PLANSON

AMPERE - CNRS – UMR n°5005

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 1 1

 Plan de l’exposé…

Besoins de composants Composants SiC

plus performants…
État de l’art mondial
Généralités sur les unipolaires,
composants grands gap bipolaires
• Pourquoi des composants grand gap ?
Réalisation
• Propriétés des matériaux grand gap Modélisation et
convertisseur composants spécifiques
• Performances statiques théoriques :
diode JBS limiteur
transistor JFET onduleur monolithique
haute tension
convertisseur

Conclusion et perspectives

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 2 2

 Vers des composants plus performants…
Voiture
Voiture plus
plus électrique
électrique
Electronique haute température Powertrain
confort,
(réacteurs, freins, moteurs) sécurité
Réponses à des contraintes sévères
(volume, poids)

Avion
Avion plus
plus électrique
électrique
Réduction
Réductiontaille
tailleconvertisseurs
convertisseurs

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 3 3

 Vers des composants plus performants…
Demain : sources d’énergie délocalisées
Aujourd’hui avec de nombreuses interconnexions et unités de
gestion
Production

Hydroélectrique

Transmission

Maison
Photovoltaïque
Distribution

Cogénération
Industrie

Immeuble Micro-centrale
Eolien cogénération

Conception de composants haute tension

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 4 4
 Intérêt des matériaux grand gap

z Pourquoi des matériaux grand gap ?

Matériaux intéressants pour leur propriétés électroniques et
thermiques :
- fonctionnement sur une large gamme de température
- champs électriques critiques élevés,
- vitesse de saturation des électrons élevée
- grande conductivité thermique

z Applications :
- Composants fonctionnant à haute température
- Composants HF
- Composants de puissance
- Environnements sévères

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 5 5

 Les matériaux grand gap :
propriétés électroniques et thermiques
Semiconducteurs Semiconducteurs à grand gap
« classiques »
Si GaAs 3C – SiC 6H – SiC 4H – SiC GaN Diamant
Bande interdite 1,12 1,4 2,3 2,9 3,2 3,39 5,6
Eg (eV)
Mobilité des électrons 1 450 8 500 1000 415 950 2000 4000
2 -1 -1
µn (cm .V .s )
Mobilité des trous 450 400 45 90 115 350 3800
2 -1 -1
µp (cm .V .s )
Champ électrique critique 3.10
5
4.10
5
2.10
6
2,5.10
6
3.10
6
5.10
6
10
7
-1
EC (V.cm )
Vitesse de saturation 10
7
2.10
7
2,5.10
7
2.10
7
2.10
7
2.10
7
3.10
7
-1
vsat (cm.s )
Conductivité thermique 1,3 0,54 5 5 5 1,3 20
λ (W.cm .K )
-1 -1

Température d’utilisation maximale 125 150 500 500 500 650 700
Tmax (°C)
Constante diélectrique 11,7 12,9 9,6 9,7 10 8,9 5,7
11 -1
SFM 10 (W.s ) 2,9 8,1 80,8 48,8 123,5 141 15179
Ratio / silicium 1 2,8 27,8 16,8 42,6 48,6 5234
11 -1
JFM 10 (V.s ) 4,77 12,7 79,5 79,5 95,5 159 477
Ratio / silicium 1 2,7 16,7 16,7 20 33 100

Grand Gap

Ec ni µ≅ λ≅

Composants haute tension, faibles pertes et travaillant à haute température

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 6 6
 Avantages du SiC pour EP

Simplification des circuits

Haute (réduction taille, simplification commande)
Tension
(1-50 kV)
Convertisseurs plus petits, avec
Densité de moins de pertes,
Haute composants passifs plus petits
courant élevée
fréquence
(>1kA/cm2)

Systèmes refroidissement
Haute Température (>250°C) plus petits

Carbure
de
Silicium
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 7 7
 Performances statiques théoriques des
différents matériaux

Si SiC
2500
2000

GaN 1500

Temperature (K)
1200 °C

1000 1000 °C

4H-SiC
6H-SiC
3C-SiC
2H-GaN
400 °C
500 3C-GaN 300 °C
SOI : Si
80V 220°C IGBT : diamond
1.2 kV 175°C IGBT : 200 °C
6 kV 125°C
1 2 3 4 5
10 10 10 10 10

Ron.S théorique en fonction de la tenue Vbr (V)

en tension pour Si, SiC, GaN et Température d’emballement thermique en fonction
diamant de la tenue en tension théorique
W. Saito et. al. “Theoretical limit estimation of
lateral wide band-gap semiconductor power-
switching device” Solid State Electronics, Vol.
48, 2004, pp. 1555-1562
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 8 8
 Structure cristallographique du SiC

Silicium + Carbone

a = 3.08 Å
C-Si = 1.89 Å

• plus de 120 polytypes de SiC (dependant de la séquence d’empilement)

• seuls quelques un sont commercialisés : SiC-6H, SiC-4H, SiC-3C
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 9 9
 Etat de l’art mondial des composants SiC

Diode Schottky 50
25ºC
200

40 100ºC 160

Diode Schottky 3300 V/20 A

200ºC

JA (A.cm )
300ºC
30 120

IA (A)
Ron-spe = 2.3 mΩ.cm2
20 80

-2
P. Brosselard et al. “High voltage SiC JBS performances versus 10 40
Schottky diodes”,
2007 WASMPE workshop 0 0
0 2 4 6 8 10
VAK (V)
Diode JBS 10 kV/20 A (@VF<4 V)
Résistance différentielle 100 mΩ @ 25°C et 450 mΩ @ 200°C

Vue en coupe de la diode 16 puces de 1.5 cm2

sur wafer 3"

Brett A. Hull et. al. “1.5 cm2 4H-SiC 10 kV/20 Amp Junction Barrier Schottky Rectifiers”,
Paper We-3B-2, Conf. ICSCRM’07 – Otsu - Japon
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 10 10
 Etat de l’art mondial des composants SiC

Diode bipolaire haute tension

Diode 19 200 V Etat passant
Von = 7.5 V @ Jon = 100 A/cm²
Y. Sugawara et al. “12- 19kV 4H-SIC pin Diodes with Low Power Loss”,
Proceedings of International Symposium of Power Semiconductors Devices & ICs,
2001, Osaka, pp.41-44
Cependant : légère dérive du
VON (Stacking Faults ! )
Diode 4500 V/180A 20
before stress
20h stress at 25ºC
20h stress at 125ºC
15 20h stress at 225ºC

IA (A)
10
-2
400 A.cm
5

0
0 1 2 3 4 5 6 7
VAK (V)

6 diodes 180 A (a) et 12 diodes 100 A (b)

Electroluminescence

Brett A. Hull et. al. “A 180 Amp/4.5 kV 4H-SiC PiN Diode for High
Current Power Modules”, P. Brosselard et. al. “3.3 kV-10A 4H-SiC
Proceedings of International Symposium of Power PiN diodes” Paper We-, Conf.
ICSCRM’07 – Otsu - Japon
Semiconductors Devices & ICs, 2006, Naples.
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 11 11
 Etat de l’art mondial des composants SiC
100

Transistor MOSFET 90

80
25°C
150°C

1200V/67A (@25°C)
70

Drain Current (A)

60

50

Ron-spe = 11.5 mΩ.cm² 40

30
200 W/cm 2
Fiabilité de l'oxyde ! 20

10
S.-H. Ryu et al. « Critical Issues on 4H-SiC 0
Power DMOSFETs », ECSCRM, 2008, Barcelone 0 1 2 3 4 5 6 7 8
100 mm
Drain Voltage (V)

Transistor Bipolaire 1200 V/15A (@VCE=2V)

Résistance spécifique différentielle 22 mΩ/cm2 @ 25°C

H.-S. Lee et. al. “1200 V 4H-SiC BJTs with a common emitter current gain of 60 and low on-resistance”,
Paper Mo-2B-3, Conf. ICSCRM’07 – Otsu – Japon
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 12 12
 Etat de l’art mondial des composants SiC

Thyristor 1700 V/100 A (@VAK<4 V)

0 0°C
2
Emission de lumière
A.K. Agarwal et al. “The First Demonstration of the 1 cm x bleue en direct
1 cm SiC Thyristor Chip”, Proceedings of International Mise en
Symposium of Power Semiconductors Devices & ICs, 2005 conduction

IGBT type-n 13 kV/4 A (@VF<5 V)

Résistance spécifique différentielle 22 mΩ/cm2 @ 25°C

Mrinal K. Das et. al. "A 13 kV 4H-SiC n-channel IGBT with Low Rdiff,on and Fast Switching“
Paper Mo-2B-5, Conf. ICSCRM’07 – Otsu – Japon
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 13 13
 Etat de l’art mondial des composants SiC

Transistor JFET : 600V-1200V

Handicap : Normally-on
Solutions : montage cascode (SICED 2003)
Redéfinition d’un driver
(AMPERE)
Vue en coupe JFET : V3
3 versions développées par SICED
V1 : technique implantation
V2 : technique épitaxie
V3 : V2 + diode interne

Semisouth : technique implantation

Vue en coupe JFET : Semisouth

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 14 14
 Côté technologie des composants SiC

SiC : Amélioration qualité des couches

Réduction de la densité de Meilleure homégénéité des
micropores couches épitaxiées
Bâti épitaxie 6 wafers de 100 mm,
Pour du matériau 6.5 kV (We-1A-2)

Evolution du diamètre des substrats

(Recherche et Développement)
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 15 15
 Côté technologie des composants SiC

Résultats de gravure du SiC

Masque aluminium
1994
Sélectivité grande
Profondeur de gravure importante
Sur-gravure

Masque oxyde
Contrôle de l’angle de gravure
Masque Ti/Ni
1997
Profondeur > 10 µm
Angle θ vs S
80

70
2006
60
angle θ [°]

50

40
Influence
du débit O2
30 10 µm
1 2 3 4 5 6
sélectivité

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 16 16

 Côté technologie des composants SiC

Étapes technologiques spécifiques

• Croissance substrat, épitaxie…
• Recuit post-implantation
• Recuit des contacts ohmiques
• Oxydation

Implantation ionique Photographie de la chambre chaude

• forte énergie pour jonction profonde du four de recuit post-implantation
• Encapsulation pendant le recuit post-implantation (Tmax = 1800°C)
2 MeV 3,5 MeV
Photos AFM
1e+19 a) 14 +
Total dose: 1.91x10 N .cm -2
1e+19 b) Total dose: 3.3x1014 N+.cm-2

Rugosité RMS :
N concentration (ion.cm -3)

N concentration (ion.cm -3)

1e+18 1e+18

1e+17 1e+17

1e+16 1e+16
14.4 nm 0.5 nm
1e+15 1e+15
Sum Sum
SIMS SIMS

1e+14
0 500 1000 1500 2000
1e+14 1.0µm 1.0µm
0 500 1000 1500 2000 2500
Depth (nm) Depth (nm)
5 × 5 µm2 AFM image for 1.75×1015 Al.cm-2 implanted 5 × 5 µm2 AFM image for 1.75×1015 Al.cm-2 implanted
sample after 1800°C/30 min annealed without C-cap sample after 1800°C/30 min annealed with C-cap

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 17 17

 Composants spécifiques labo…
Limiteur de courant
Caractéristique idéale
En cas de défaut “court-circuit”

Principe
Photo du composant Caractérisation électrique
Principe de fonctionnement

D. Tournier et. al. “Composant de protection série en SiC 450A de forte densité de puissance”,
Accepté oral à EPF’08
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 18 18
 Composants spécifiques labo…
Convertisseur intégré

Appareils nomades :
- protection
- taille alimentation
- détection source/récepteur

Conception d’un bras onduleur monolithique

+E
VDD
D
G n OUT
Source Isolation
S
p galvanique Source - VSS

OUT
G D n Drain - VDD Drain
Grille Grille Grille Grille
p
S

VSS
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 19 19
 Composants spécifiques labo…
Onduleur monolithique
Conception 600V/5A
+E
Simulation TCAD
7
D D D
G n G n n 6
commande G
pol_p source grille drain pol_n source grille drain
p p p
Vgs=0 V
S S S 5

4 Vgs=-1 V

Ids (A)
G D n D n D n n-JFET
3
p-JFET
G G Vgs=-4 V
commande
p p p
S S
2
S

1 Vgs=-8 V
charge Vgs=-12 V
0
0 4 8 12 16 20 200 400 600 800 1000
charge charge Vds (V)

Réalisation : 8 niveaux de masque

grille
source

5 mm

drain
grille
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 20 20
 Des moyens de conception…
Logiciel à éléments finis de dispositifs à semi-conducteur
Équations 1992
Dopage (type, profil)
maillage Contacts, conditions Simulation 1D
ε∇ ²ψ = q ( p − n + N − N )
+
D
−
A
de polarisation, et aux (Atlas)
limites
∂n 1 r r 1994
= ∇ Jn −U Simulation 2D
∂t q (Medici)
∂p 1r r
= ∇ J p +U 1998
∂t q Simulation
∂T r r
ρc p
∂t
(
= H + ∇ λ(T)∇T ) electro-thermique
(Dessis)

2001
Grandeurs internes Simulation 2D
Grandeurs (+ circuit)
externes Champ, potentiel,
porteurs, 2007
I(V), C(V) Migration vers
température...
Sentaurus
(3D possible)

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 21 21

 Composants spécifiques labo…
Composants haute
tension
Diode 6 kV Tenue en tension
1x10-4

Métal 2 : 1x10-5
Al Passivation 2 : SiO2 (PECVD) 3,8 µm
Métal 1 : 1x10-6
Ni/Al Passivation 1 : SiO2 (oxydation)
Anode 1019 cm-3 NJTE 1013 cm-2 1x10-7

Courant [A]
1x10-8

Epi N- 8×1014 cm-3, 60 µm

1x10-9

1x10-10
Substrat N+ 5×1018 cm-3

Métal cathode : Ti/Ni 10-11

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000

Tension [V]
-7
1,5 341 4,0x10
Thyristor IG = 9 mA pendant 0,55 µs
-7
3,0x10
12
Qit = -3 10 cm
12
Qit = -2 10 cm
-2

-2

Janode [A.cm ]
1,0 227
Ianode [A]

N+ 1019 P+ 1019 N+ 1019

Ianode [A]
-7
2,0x10 device n°1
Gâchette N- 5×1017 cm-3
device n°2 }
Hmesa 6 µm
0,5 114
-7

-2
NJTE NJTE 1,0x10
Drift P- 1×1015 cm-3 > 150 µm

+ 17 -3
0,0 0 0,0
Tampon P 5×10 cm 0 5 10 15 0 1000 2000 3000 4000
Substrat N+ 3×1018 cm-3 UAC [V]
UAK [V]

P. Brosselard et. al. “A 3.5 kV thyristor in 4H-SiC with a JTE periphery”, ECSCRM’04
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 22 22
 Composants commerciaux

Diodes Schottky

• diodes Schottky disponibles en 2005

– 300 V (10 et 20 A), 600 V (1A, 4A, 6A, 10A et 20A) et
1200 V (5A, 10A et 20A)

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 23 23

 Modélisation
Diode Schottky IDT16S60C (16A-600V) INFINEON
Direct Inverse
Mesures 1x10-4
225°C
80 25°C
70 1x10-5

60
225°C 10-6 25°C
50
10-7

IR [A]
40
IF [A]

25°C T=225°C
30 50°C 10-8 T=200°C
100°C T=150°C
20 150°C T=100°C
10-9 T=50°C
200°C
10 225°C T=25°C
10-10
0 0 100 200 300 400 500 600
0 1 2 3 4 5
VR [V]
VF [V]

Modèle 50
Mesure T=27°C T=27°C
1x10-5

Mesure T=125°C T=125°C T=225°C

40 Mesure T=200°C 1x10-6
Simul T=27°C T=200°C T=200°C
Simul T=125°C
Simul T=200°C
1x10-7
30
T=150°C Mesure T=225°C
Idiode [A]

Mesure T=200°C
1x10-8

IR [A]
Mesure T=150°C
T=100°C Mesure T=100°C
20
-9 Mesure T=27°C
1x10 Simul T=225°C
T=27°C Simul T=200°C
10 Simul T=150°C
1x10-10 Simul T=100°C
Simul T=27°C

0 10-11
0 1 2 3 4 0 100 200 300 400 500 600
Vdiode [V] VR [V]

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 24 24

 Modélisation

JFET-SiC : Commercialisation par INFINEON en 2009

Les composants disponibles aujourd'hui (SiCED)

2004: SiCED
JFET, cascode

2A, 1800V
(version 1)
5A, 1500V
(version 2)
2006: SiCED – SiC JFET
1200V – 15A – 200 mΩ
2007: SiCED – SiC JFET (version 3)
1200V – 50A – 50 mΩ (version 4)
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 25 25
 Modélisation

Caractérisation de JFET-SiC

°C
25°C 2 2 5
Version 3 : 1200V/15A
45 25
V GS =0V VGS=0V
40
V GS =-2V VGS=-2V
20 VGS=-4V
35 V GS =-4V
V GS =-6V VGS=-6V
30 V GS =-8V VGS=-8V
15 VGS=-10V
25 V GS =-10V
VGS=-12V

IDS(A)
V GS =-12V
IDS(A)

20 V GS =-14V VGS=-14V
10 VGS=-16V
V GS =-16V
15 V GS =-18V VGS=-18V
V GS =-20V VGS=-20V
10 5
V GS =-22V VGS=-22V
5

0 0
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27

V DS(V) VDS(V)

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 26 26

 Modélisation
Modélisation de JFET-SiC (V2)
statique Dynamique (ouverture)
Modèle à 2 canaux

R. Mousa et. al. “Modeling and High Temperature Characterization of SiC-JFET”,

Published in PESC’08
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 27 27
 Convertisseur

Onduleur triphasé haute température (200°C)

Transistors JFET (V2)

Bloc chauffant

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 28 28

 Convertisseur
Onduleur haute température (200°C)
Driver spécifique Forme d’onde

-30V
300V

2A

Gestion des temps morts

Gestion des protections Pertes : qq W à 50 kHz

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 29 29

 Caractérisation et Modélisation
Haute Température : BJT-SiC
Composant NPN 1200V / 6A

taille puce 2.4x2.4 mm2

gain en fonction de T°C
Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 30 30
 Conclusion

• Conception de composants originaux pour

applications particulières
• Réalisation et suivi de fabrication avec plateformes
SiC lyonnaise et centres technologiques
• Caractérisation et modélisation des composants
(Statique, Dynamique)
• Conception de convertisseurs hybrides et
monolithiques haute température

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 31 31

 Perspectives…

• Onduleur haute température (300°C)

• Intégration : Convertisseur monolithique (600 V)

(ANR 2006 : JFET-SB)

• Électronique de commande haute température

(ANR 2006 : CO-THT)

• Composants très haute tension (10 – 15 kV)

(ANR Blanc 2009 : VHVD-SiC + SiC-HT2)

Presentation GREPES // Bruxelles, le 19 mars 2009 32 32