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Composants IGCT de haute puissance pour applications moyenne tension

Composants IGCT de haute puissance au silicium pour applications dans le secteur moyenne tension
Harold M. Stillman ABB Corporate Technology La conception dlments semiconducteurs pour la commutation des puissances de la gamme des mgawatts au niveau moyenne tension est une mission ardue. Lors des projets, les proprits naturelles des deux semiconducteurs disponibles en technique au silicium, savoir les thyristors GTO (Gate-Turn-Off) et les transistors IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors), impliquent des compromis qui augmentent les cots et la complexit des systmes de commande. Pour une exploitation fiable, les thyristors GTO nont pas seulement besoin de circuits priphriques complexes, mais prsentent aussi une frquence de commutation basse. Par ailleurs, les projeteurs de systmes conus en technique IGBT doivent dune part venir bout de problmes de pertes leves, et dautre part compenser le besoin lev de composants et lexigence dune disponibilit leve. La nouvelle technique des thyristors IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) dABB surmonte les inconvnients, tant des thyristors GTO que des transistors IGBT. Ces thyristors comprennent tous les circuits requis pour assurer la fiabilit des appareils et peuvent sutiliser sans difficult pour les missions de commutation dans la gamme des moyennes tensions. ABB fabrique des thyristors GTO et des transistors IGBT de haute puissance pour les applications o la fiabilit joue un rle prdominant. Leurs domaines dapplication rsident en particulier dans les moteurs dentranements industriels, les groupes de propulsion pour chemins de fer et navires, ainsi que dans les systmes de transport et de distribution dnergie lectrique. Ils sutilisent alors souvent aux niveaux de tension de 2,3 kV, 3,3 kV, 4,16 kV et 6,9 kV.

A laide de la technique IGCT, on peut construire des installations lectroniques de puissance plus compactes et de prix plus avantageux, par exemple des stations de convertisseurs pour installations CCHT ou des compensateurs statiques de puissance ractive.

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Dveloppement des composants de puissance au silicium ABB a investi en permanence dans le dveloppement et la production de thyristors GTO et au profit de la technologie des IGBT. Un accroissement permanent de la puissance de commutation des deux composants en a rsult . Au cours des dernires annes, un certain nombre dinnovations ont cr une plate-forme pour la conception et la fabrication dun commutateur de puissance au silicium qui dpasse le cadre des performances des GTO et IGBT. Sous sa dsignation IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor), cet appareil peut commuter plus rapidement, avec des pertes plus basses que celles des thyristors GTO et des transistors IGBT. Par surcrot, il possde des proprits qui permettent aux constructeurs dinstallations de rduire les dimensions et les cots des systmes moyenne tension, tout en augmentant simultanment leur efficacit et leur fiabilit.

De nombreuses applications des IGCT se trouvent dans la technique dentranement, par exemple pour cette pompe dalimentation.

Un commutateur de meilleur puissance Au cours des 30 annes depuis leur introduction, les composants de puissance au silicium sont devenus constamment plus complexes et plus efficaces. Les premiers thyristors ne pouvaient dclencher qu la fin dune priode. Sous ce rapport, un grand progrs fut fourni par le thyristor GTO qui peut commuter en chaque instant dune priode. Les transistors IGBT ont permis des frquences de commutation plus leves, mais leurs pertes actuelles de commutation ne sont admissibles qu de basses tensions. Pour tous ces semi-conducteurs de puissance, les chercheurs concentrrent essentiellement leurs efforts sur le processus de commutation lui-mme, de sorte quils ne se soucirent que peu des dpenses techniques impliques par les applications pratiques. Les thyristors GTO sont forms de milliers dlments de commutation individuels logs sur une pastille de silicium. Des pertes se produisent aux quatre tats de service (en, hors, enclenchement, dclenchement). Aux moyennes tensions, les pertes de conduction des thyristors GTO sont trs basses, tandis que leurs pertes stationnaires sont encore raisonnables. Pourtant, parce que le processus de
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commutation nest pas homogne, des circuits externes de protection contre les surtensions (snubbers) sont ncessaires pour lopration de commutation. Ces circuits de protection requirent plus de la moiti du volume de llment fini. Ils accaparent beaucoup de travail de conception et provoquent une grande partie des frais et des pertes. En revanche, les transistors IGBT ont des pertes ltat passant comparativement plus leves, mais ils commutent de manire homogne, cest-dire quils nont pas besoin de circuits de protection contre les surtensions. Ils ne sont toutefois pas encore disponibles pour tous les niveaux moyenne tension. Pour remdier cet inconvnient, les constructeurs doivent brancher en srie plusieurs transistors IGBT de tension de blocage plus basse, ce qui augmente normment la complexit et les pertes, avec la diminution de fiabilit correspondante. Cest ainsi quun redresseur construit pour travailler 4,16 kV ncessite pour chaque phase quatre transistors IGBT de 1,8 kV branchs en srie.

Amlioration de la puissance de commutation P des thyristors GTO et IGBT

Les thyristors GTO peuve nt tre fabriqus conomiquement pour la plupart des niveaux moyenne tension. On peut prvoir que dans un avenir rapproch, des IGBT seront disponibles pour 3,3 et 4,5 kV. Ils simplifieront vrai dire la conception des circuits moyenne tension, mais on sait dj aujourdhui quils prsenteront des pertes leves. Pour surmonter ces pertes et pour agir contre la formation de chaleur qui en dcoule, les transistors IGBT devront prsenter une plus grande surface de silicium, ce qui augmentera leurs cots. Le composant de puissance idal devrait commuter comme un IGBT et conduire le courant comme un GTO. Il devrait rduire les frais de fabrication et fournir le rendement lev des thyristors GTO. Ce sont l exactement les proprits prsentes par le thyristor IGCT (tableau 1).

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Tableau 1: La technique IGCT allie les avantages des thyristors GTO et IGBT
Avantages des GTO Technique de commutation livrable pour la plupart faibles pertes ltat passant Avantages des IGBT frquence de commutation leve faibles pertes de commutation pas de circuits de protection commande de gchette intgre plus petit nombre de composant tension plus basse appropri au branchement en srie et parallle en cas de tension basse Avantages des IGCT frquence de commutation leve faibles pertes de commutation et ltat passant pas de circuits de protection livrable pour la plupart des tensions moyennes sret contre les dfaillances fiabilit prouve diode et gchette intgres pour diminuer le nombre de composants appropri au branchement en srie et parallle permet la construction dappareils modulaires compacts

Commutation de puissance

sret contre les dfaillances graves

Equipements

fiabilit prouve compacit

configuration modulaire

Le secret de la technique IGCT Dans la technique IGCT, plusieurs innovations ont t ncessaires pour que les nombreux milliers de structures de commutation individuelles dun thyristor GTO modifi puissent commuter rapidement et simultanment. En outre, les faibles pertes ltat passant et au blocage propres aux thyristors sont maintenues. Lune des principales innovations rside dans une nouvelle couche tampon, par laquelle les pertes ltat passant et la commutation ont pu tre rduites dun facteur 2 2,5. Par cette couche, le profil de dopage optimal dun thyristor GTO et celui dune diode deviennent pratiquement identiques. Jusquici, lassociation dune diode et dun thyristor GTO avait provoqu une forte diminution des performances de la diode en question. Bien que lide dune couche tampon soit presque aussi vieille que le thyristor GTO lui-mme, elle na jamais t ralise pour les raisons suivantes. Pour rduire les pertes de commutation, la charge prsente ltat passant de lappareil doit tre limine aussi rapidement que possible au dclenchement. Dans un thyristor GTO de conception conventionnelle, cette mission est remplie par des points chauds qui fournissent un cheminement dcoulement aux lectrons. La combinaison de courts-circuits danode et dune couche tampon aboutit pourtant des courants dallumage et de maintien extrmement levs. Ce problme a t rsolu par la suppression des courts-circuits danode. En revanche, lanode a t rendue transparente, cest--dire quelle est permable aux lectrons. Il en rsulte une rduction des courants dallumage de presque un ordre de grandeur par rapport aux thyristors GTO sans tampon.

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Une autre innovation importante se situe au niveau de la commande de la gchette. Les GTO et les autres thyristors sont des dispositifs quatre couches (npnp). Ce faisant, leur caractristique ne prsente que deux points stables, savoir En et Hors. Chaque tat intermdiaire est instable et provoque des courants de fuite. Cette instabilit propre est encore aggrave par des dfauts de fabrication. Cela a conduit au mythe que les GTO ne peuvent pas tre utiliss sans circuit de protection contre les surtensions (snubber). En fait, le GTO ne doit tre rduit un lment pnp stable, cest--dire comme un transistor, que pour quelques microsecondes critiques pendant le processus darrt de conduction. Pour neutraliser la cathode pendant ce processus, la polarisation de la jonction np de la cathode doit tre inverse, avant que la tension stablisse la jonction principale. Cela exige la commutation du courant de pleine charge de la cathode (n) vers la gchette (p) en lespace denviron une microseconde. Grce au dveloppement dun botier de faible inductance, on peut atteindre une valeur de 4000 A/s avec une unit de gchette de 20 V. Ce faisant, les courants de fuite sont compltement limins. Le comportement de dclenchement et la gamme de fonctionnement fiable ressemblent alors ceux dun transistor (par ex. dun IGBT). En outre, les GTO peuvent prsent commuter immdiatement, sans provoquer les pleurs qui avaient requis autrefois toute lingniosit des concepteurs pour la ralisation de circuits en srie. Association des semi-conducteurs de puissance et des expriences acquises par la conception de circuits La technique IGCT est le rsultat dune collaboration intensive entre le dpartement de dveloppement de composants lectroniques dABB Semiconductors AG et des groupes de dveloppement donduleurs courant fort dABB Industrie AG. En fait, ce fut le dveloppement simultan du silicium de puissance, du botier et des circuits complmentaires requis pour les applications industrielles, qui permit de raliser la combinaison unique en son genre des proprits des IGCT. La technique IGCT englobe lappareil de commutation de puissance (GTC) et le circuit de commande (diode de roue libre et la commande de la gchette) dans un composant intgr. Parce que lassociation et lintgration des composants seffectuent sur quatre niveaux, les perfectionnements sont possibles simultanment dans quatre domaines interdpendants: faibles pertes de commutation et ltat passant dans la gamme des moyennes tensions, circuits plus simples pour la commande des semi-conducteurs de puissance, cots plus bas du systme de puissance, scurit dexploitation et fiabilit accrues. Par loffre de modules de commutation prconus et prfabriqus, la technique IGCT fournit aux projeteurs dquipements moyenne tension la possibilit de dvelopper leurs produits plus rapidement.

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a Vue en coupe dun thyristor GTO ( gauche), dune diode (au centre) et dun GCT ( droite). On constate que la couche metteur et tampon transparente du GCT permet une couche de base n plus mince. Ce faisant, il est possible dintgrer la diode de roue libre dans la mme structure. En relation avec un botier et un circuit de commande de gchette de faible inductance, il est possible de renoncer un circuit de protection contre les surtensions.

b Vue en coupe dune cellule individuelle dun IGBT ( gauche) et dune diode ( droite). Un circuit intgr IGBT complet est form dun grand nombre de telles cellules monolithiques. La technique MOS limite la grandeur des circuits int2 grs IGBT env. 12 cm , de sorte que plusieurs circuits doivent tre branchs en parallle. Etant donn que les semiconducteurs IGBT natteignent pas encore les valeurs de tension de blocage des GCT, ils doivent tre branchs en srie pour obtenir la tension de blocage requise par les diffrentes applications.

Comparaison du IGBT et du GCT, dans lequel le commutateur de puissance et la diode de roue libre sont installs sur la mme pastille de silicium. Le GCT est considrablement plus simple que lIGBT.

Avantages de la technique IGCT moyenne tension Pertes de commutation basses Lavantage de la commutation pertes plus faibles rside dans le fait que les constructeurs peuvent choisir la frquence de commutation qui convient le mieux lapplication spcifique. Dans le cas des semi-conducteurs de puissance de construction ancienne, la frquence de commutation lintensit nominale tait limite 250 Hz. La technique IGCT permet de travailler une frquence jusqu quatre fois plus leve. Par exemple, un constructeur de systmes dentranement moteurs peut choisir une frquence de commutation plus leve, pour atteindre un meilleur rendement de son systme. Dautre part, il est possible damliorer le rendement dinstallations donduleurs et de diminuer leurs pertes en choisissant une frquence de commutation plus basse pour un IGCT. Rduction des circuits auxiliaires Les caractristiques uniques en leur genre du GCT au niveau des appareils permettent une exploitation sans circuits de protection contre les surtensions, ce qui fournit des avantages importants. Les installations donduleurs quipes de circuits
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de protection contre les surtensions sont grandes et coteuses, tandis que les mmes installations sans circuits de protection ne prsentent pas seulement des pertes plus faibles, mais sont aussi plus compactes et possdent moins de composants. La fiabilit est donc accrue.

Gate commutated thyristor (GCT)

Le thyristor GCT et la diode sont intgrs sur la mme pastille. Par suite de la conception de lanode, la charge lectrique peut pntrer et sortir rapidement du GCT. La faible paisseur de la pastille de silicium limite la charge accumule et permet de placer la diode et le commutateur de puissance sur le mme disque. Une pastille de silicium plus mince procure des pertes plus basses ltat passant. Tous les lments commutent en mme temps. On peut renoncer un circuit de protection contre les surtensions. b GCT log dans un botier Un botier faible inductance assure une pntration et une sortie rapide des courants de charge et de commande de gchette dans le GCT. Le botier Presspack assure la libert de mouvement et prvient les dfaillances par fatigue, galement par suite de sollicitations thermiques alternantes de plusieurs dcades. Le botier Presspack rsiste aux sollicitations thermiques et accrot la fiabilit. c Commande de gchette intgre

Le circuit de commande de gchette de faible inductance prend soin ce que les courants de commande pntrent et quittent rapidement le GCT. Le circuit de commande de gchette localis et hautement intgr rduit linductance de fuite. La construction compacte simplifie la conception des installations.

Pour la construction en couches des composants et lintgration des lments, la technique IGCT offre quatre niveaux (voir a, b et c, ainsi que la figure 6b). Les constructeurs dappareils peuvent utiliser chaque niveau comme point de dpart. Si on choisit une pile IGCT prte lemploi, une grande partie du temps requis par le projet des circuits de puissance et des systmes mcaniques peut tre conomise.

La conception dinstallations ralises en technique IGCT est aussi simplifie par lintgration des diodes roue libre dans la structure GCT. Cela est rendu possible par lpaisseur plus faible de la pastille de silicium GCT (qui provoque aussi la commutation pertes plus basses) qui permet la fabrication dune diode efficace sur la mme pastille.

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Composants et systmes prix plus avantageux Par la mise en uvre de la technique IGCT, les frais des convertisseurs servant la commande et la rgulation de courant fort peuvent tre rduits de 30 % et davantage. Diffrents facteurs y contribuent. Les GCT peuvent tre fabriqus en faisant appel des procds de production de GTO existants. Etant donn que ces procds sont parfaitement matriss et que les quipements disponibles peuvent tre utiliss, les frais de fabrication des GCT correspondent ceux des thyristors GTO. En comparaison des IGBT, les thyristors GCT sont moins sensibles aux fluctuations du procd, cest--dire que celles-ci nexercent aucune influence sur le comportement de dclenchement. Le rendement de la fabrication est donc amlior et les frais sont rduits. En outre, la simulation des GCT est plus simple, ce qui se traduit par des frais plus bas et des temps de dveloppement de systmes plus courts. Par la technique GCT, le nombre de composants des circuits de puissance est rduit de jusqu 50 %. Cela provient du fait que les diodes sont intgres dans le thyristor GCT et de manire gnrale, par la rduction des cblages due la forte intgration des lments. Dautres rductions de frais sont possibles par la frquence dexploitation plus leve qui permet de choisir certains composants plus petits. En complment, la puissance requise par le circuit de commande de la gchette est beaucoup plus basse, ce qui permet lutilisation de composants meilleur march. Les quipements conus en technique IGCT atteignent des rendements plus levs que ceux accessibles par dautres techniques. Les pertes dans les circuits de puissance et dans les circuits auxiliaires correspondants sont plus basses. Les dispositifs de refroidissement en deviennent plus compacts, ce qui se manifeste une fois de plus par une rduction des cots. Fiabilit et disponibilit Dans le contexte gnral, les frais dinstallations de commande et de rgulation de puissance sont bas par rapport aux frais causs par la dfaillance de procds industriels. La disponibilit de ces composants et systmes est donc dimportance prdominante. La technique IGCT a t dveloppe spcialement pour les applications dans le domaine moyenne tension. Elle fournit une fiabilit maximale par ses caractristiques suivantes: Commutation homogne Technique dempilage robuste, analogue celle des thyristors (pas de cblages) Circuits de commande de gchette simplifis Nombre plus petit de composants

Ce dernier point diminue aussi les frais des stocks de pices de rechange. En complment, dans un cas de dfaillance trs improbable, la configuration modulaire de la technique IGCT simplifie et acclre le remplacement dun composant de puissance, de sorte que les diffrents procds industriels ne sont pas interrompus, ou seulement brivement.

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Applications de la technique IGCT Lors de lutilisation dun thyristor IGCT, le principal avantage rside dans son aptitude de dclencher en 2 microsecondes et dtre passant comme un thyristor. Cest pourquoi la technique IGCT permet de raliser des installations donduleurs dont les pertes natteignent que la moiti de celles des autres techniques. Grce aux IGCT, on peut construire des configurations de circuits dune puissance nominale atteignant 100 MW. Autrefois, de telles puissances exigeaient le montage en srie de nombreux composants au silicium. Les quipements moyenne tension construits avec la nouvelle technique se distinguent en outre par leur fiabilit trs leve. Pour la premire fois, la technique au silicium a pu tre adapte aux applications moyenne tension de haute puissance. A prsent, il est possible de construire des systmes de commande et de rgulation plus fiables, plus compacts et de prix plus avantageux, par exemple:
Convertisseurs de frquence pour alimentations ferroviaires Couplages de rseaux Compensateurs de courant ractif pour la rgulation du facteur de puissance Entranements moyenne tension pour tensions de rseau jusqu 6,9 kVeff Entranements de pompes et de ventilateurs pour lindustrie chimique et ptrochimique Entranements principaux lectriques de navires Alimentations en courant ferroviaire sans transformateurs Entranements de locomotives lectriques Convertisseurs de frquence pour chauffage inductif Disjoncteurs statiques

Convertisseur thyristors GTO

Convertisseur thyristors IGCT avec les caractristiques suivantes: Les lments IGCT se montent facile-ment en configuration compacte. La structure permet le remplacement rapide des IGCT dans le cas improbable dune dfaillance.

Comparaison dun convertisseur thyristors GTO et dun convertisseur thyristors IGCT de mme puissance et de mme tension. La technique IGCT permet une configuration beaucoup plus simple, ce qui se rpercute sur les cots et procure une fiabilit plus leve.

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La technique IGCT est disponible ABB est le fournisseur leader de composants et de systmes lectroniques de puissance. Cette position de pointe est illustre de manire exemplaire par les innovations techniques rendues possibles par la technique IGCT. Mme aux puissances les plus leves, les installations ralises avec cette technique se distinguent par leurs cots plus bas et leur fiabilit leve. A prsent, les constructeurs dinstallations lectronique de puissance du domaine moyenne tension peuvent choisir entre trois technologies de composants de puissance au silicium, savoir les thyristors GTO, IGBT et IGCT. La technique IGCT sutilise de prfrence dans les cas o une construction compacte, un rendement lev, un dveloppement rapide et une fiabilit prouve sont dterminants.
Bibliographie [1] Grning H. et al.: High Power hard driven GTO module for 4.5 kV / 3 kA snubberless operation. PCIM Conference 2123 mai 1996, Nuremberg [2] Grning H.; Zuckerberger, A.: Hard drive of high power GTOs: better switching capability obtained through improved gate units. IEEE Paper 0-7803-3544-9/96. Adresse de lauteur Harold M. Stillman ABB Corporate Technology ABB Asea Brown Boveri SA Case postale 8131 CH-8050 Zurich Tlfax: +41 (0) 1 317 79 68 E-mail: hal.stillman@abbzh.mail.abb.com

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