1

Université Mohammed V Electronique Analogique 2011/2012

Faculté des Sciences, Rabat, Agdal IEA SMP5

Exercice 1 :


  50   0,98
 1

Les résistances sont en k et les courants dans les équations sont en mA

a)

3,3I E  VBE  6  0
6  VBE
IE   1, 6 mA
3,3
I C   I E  I C  0,98 I E  1,568 mA

Maille de sortie :

3,3I E  VCE  4, 7 I C  20  0
VCE  3,3I E  4, 7 I C  20
 (3,3  4, 7 ) I E  20
 7, 6V

VBC  VBE  VCE  0, 7  7, 6  6,9V  0

VBC  0 , le transistor est effectivement en mode actif direct.

b) On suppose que le transistor est en mode actif normal, on a :

6  VBE  3,3I E  0
6  VBE
IE   1, 6 mA
3,3
I C   I E  I C  0,98 I E  1,568 mA

Calcul de VCE

10V  4, 7 I C  VCE  3,3I E  0

VCE  10V  (4, 7  3,3 ) I C
 2, 44V
 2

VB  6V
VC  10  4, 7 I C
 10  4, 7  1,568
 2, 63V

VCB  0 , le transistor est donc en saturation, la tension VEC  VECsat  0, 2V

VC  VE  0, 2  
  0,7  0, 2  5,5V
6 
VE

5,5  (10)
IC   0,957 mA
4, 7

I B  I E  I C  1, 6  0,957  0, 643 mA

c) On suppose que le transistor est en mode normal :

VEB  VE  0, 7 VB  0
0, 7
VE  3,3I E  I E   0, 21 mA
3,3
IC   I E  0  I B  0
VCB  VC  10  4, 7 I C  0

d)
10V 10V

100 k  3.3k 

I1 Ic
IB
( I1  I B ) V BE
10 k 

( I1  I c )
3.3k 

Loi des mailles :

3,3( I1  I C )  VBE  100 I1  10  0 103,3 I1  3,3I C  10  VBE

 
 IC  10
VBE  10( I1   )  0 10 I1   I C  VBE
 
 3

100  0,1(100  33 )VBE

I1   0,385 mA
33  1033
100  113,3VBE
IC   0, 077 mA
33  1033

Calcul de VCE

3,3( I1  I C )  VCE  3,3I C  10  0

VCE  3,3I1  6, 6 I C  10  7,198V

Exercice 2 :

1) A la sortie, on peut écrire :

 RE I E  VCE  RC I C  VCC  0
VCE  VCC  ( RE  RC ) I C
IC  I E

L’équation ci-dessus est l’équation de la droite de charge

iC

VCC A
RE  RC

I CQ Q
B
VCEQ VCC vCE

Le milieu de la droite de charge correspond au milieu du segment AB, le point de fonctionnement

étant au milieu, on en déduit :

VCC VCC
VCEQ  et I CQ 
2 2( RE  RC )
VCEQ  2,5V
5
I CQ   2, 08 mA
2(1  0, 2)

Le courant est donc I C égal à : I C  2, 08 mA

Le circuit de la figure 1 est équivalent à celui représenté ci-dessous :

 4

VCC

RC

I B RT

VBE

VT RE

R1
VT  VCC
R1  R2
RT
 RE I E  VBE  I C  VT  0

RT
VT  I C  VBE  RE I C

R1 RR I
VCC  1 2 C  VBE  RE I C
R1  R2 R1  R2 

Posons : a  R1  R2  11, 25k 

 I 
R1 VCC  R2 C   a (VBE  RE I C )
 
 I 
 a  R2  VCC  R2 C   a(VBE  RE I C )
 
0, 02 R2  5, 234 R2  43, 695  0
2

R2  8, 64k   R1  11, 25  8, 64  2, 6k 

2)

R1  2, 6k 
R2  8, 6k 

Lorsque le courant de saturation de la jonction BC est non nul, on peut écrire :

I C   I E  I CB 0
I C   I B  I CE 0
I CE 0  (   1) I CB 0

ICB 0 est le courant de saturation de la jonction base collecteur, l’émetteur en circuit ouvert.
 5

Maille d’entrée

 RE I E  VBE  RT I B  VT  0
I E  I C  I CB 0 (  1)

Soit :

I C  I CE 0
 RE ( I C  I CB 0 )  VBE  RT ( )  VT  0


I CE 0
D’autre part :  I CB 0

Donc :

IC
 RE ( I C  I CB 0 )  VBE  RT (  I CB 0 )  VT  0

VT  ( RE  RT ) I CB 0  VBE
IC 
R
RE  T


A la température T1 :

VBE 1  0, 7V , I CB 01  5  A

A la température T2  T1  T , T  20c

VBE  2mV .T  0, 04V

VBE 2  VBE1  VBE  0, 7  0, 04  0, 66V

Le courant ICB 0 double de valeur pour chaque augmentation de 10°c, on peut donc écrire :

I CB 02  4 I CB 01  20 A
I CB 0  20 A  5 A  15 A

En termes de facteurs de stabilisation, la variation du courant s’écrit :

I C I
I C  I CB 0  C VBE
I CB 0 VBE
   
SI SV

 est considéré constant.

 6

RE  RT 0, 2  2, 6 || 8, 6
SI    9,98
R 2, 6 || 8, 6
RE  T 0, 2 
 100
1
SV   4,54mS
RT
RE 

I C  4,54  10 3  (0, 04)  9,98  15  0,33mA

Exercice 3 :

1 0V
I E1
9 .1 k 
5 .1 k 
V EB 1
I B1 IC 2
Q1
VC E 2
100k Q2
IB2
VB E 2
IE2
9 .1 k 
4 .3 k 
 I B 2  IC1

 1 0V

100 I B1  VEB1  9,1I E1  10  0

10  VEB1 10  0, 7
I C1    0,92mA
9,1 
100 9,1  1


4,3I E 2  VBE 2  9,1( I C1  I B 2 )  0

I E 2  IC 2
9,1I C1  VBE 2
IC 2   1, 748  1, 75mA
9,1
4,3 


VC1  10  4,3I E 2  VBE 2  10  4,3I C 2  VBE 2  1, 78V

VE1  10  9,1I E1  10  9,1 0,92  1, 628V
VEC1  1, 628  1, 78  3, 4V
 7

Calcul de VCE 2

10  4,3I E 2  VCE 2  5,1I E 2  10  0

VCE 2  20  (4,3  5,1) I C 2  3,56V

Calcul de VB1

100
Loi d’ohm : VB1  100 I B1  I C1  0,92V


Exercice 4 :

On considère le circuit amplificateur différentiel de la figure ci-dessous :

VCC,15V

R1 R2
300 300

Q1 Q2
V2
V1

I0
R4
Q3
+ I R
2k
Source de
VR 3 R3 R5
courant
- 1k

VC
C,
15
V

Données : et varient entre −5 et +5 . Q1, Q2 et Q3 sont des transistors bipolaires

identiques caractérisés par = 100, = 0.5 , = 0.2 .
 8

1°) Détermination

L’amplification du théorème de Thévenin nous permet d’avoir :

I0  50mA I0  50mA

R4 R4
Q3 Q3
I R
2k I 2k
R

VR 3 R3 R5 VR 3 R3 R5
1k 1k

VC
C,
15
V VCC, 15V VCC, 15V
I0  50mA

R4 // R5  RT
Q3
I0
2k

VR 3 R3 VCC R4
R4  R5
VCC, 15V
 I0

Loi des mailles :

− − − −
+
≅

+ − −
≅
50
15 100 2
− 0.5 −
= 3 3 Ω = 83.3Ω
50
 9

2°)

 On suppose que = =

Les transistors sont identiques et la configuration de l’ampli-différentiel est symétrique, on déduit

que

= = = 25
2

Le courant collecteur étant quasi égal au courant émetteur (( ≫ 1), on en déduit que :

= ≅ = 25
2

= = 50

Loi des mailles :

= = − = 15 − 0.3 × 25 = 7.5

Les potentiels des bases des transistors Q1 et Q2 sont nuls : = =0

= = =− = −0.5

= =0

Les transistors Q1 et Q2 opèrent dans la zone active ( > , > 0, < 0).

Le potentiel de l’émetteur du transistor est donné par :

=− + = −15 + 83.3 × 50 × 10 = −10.83

La loi des mailles à l’entrée du transistor Q3 permet d’écrire :

2 2 50 1
=− − = − × 15 − × = −10 − = −10.33
+ 3 3 100 3

La tension collecteur-base du transistor Q3 vaut = − = −10.33 + 0.5 = −9.83 <

0. Le transistor Q3 est dans la zone active.

Résumé :

Mode
Transistor
d’opération
Q1 0 −0.5 7.5 25 normal
Q2 0 −0.5 7.5 25 normal
Q3 10.33 −10.83 −0.5 50 normal
 10

 On suppose que =− , =

Si les deux transistors Q1 et Q2 opèrent en mode normal ou saturé, la loi des mailles conduira au
résultat suivant :

− + − + =0 , − =0 ( )

L’un /ou les deux transistors est bloqué.

o Supposons que Q1 est bloqué et Q2 est en mode actif direct

Le courant collecteur = >0 .

=− = −0.5

= −

= − = 15 − 300 × 50 × 10 =0

La tension collecteur-Emetteur du transistor Q2 est donc : = 0 + 0.5 = 0.5 >

=0

Loi des mailles :

= − , soit = − = −5 + 0.5 = −4.5 < 0

= − <0

La supposition concernant l’état des diodes est donc juste.

Le potentiel de l’émetteur du transistor est donné par :

=− + = −15 + 83.3 × 50 × 10 = −10.83

= = −0.5

La loi des mailles à l’entrée du transistor Q3 permet d’écrire :

2 2 50 1
=− − = − × 15 − × = −10 − = −10.33
+ 3 3 100 3

La tension collecteur-base du transistor Q3 vaut = − = −10.33 + 0.5 = −9.83 <

0. Le transistor Q3 est dans la zone active.
 11

Résumé :

Mode
Transistor
d’opération
Q1 −5 −0.5 15 0 bloqué
Q2 0 −0.5 0 50 normal
Q3 −10.33 −10.83 −0.5 50 normal

Un raisonnement similaire peut être utilisé pour le troisième cas.

Exercice 5 :

A- Interrupteur K à la position 1

Schéma en dynamique :

Le montage est un collecteur commun

Rg i h11e ib (   1)ib is
g

R1 || R2 RE RL
vg  ib
ve vs

Re Re1 Rs 1 Rs

Gain AV :

vs  ( RE || RL )(   1)ib
ve  h11eib  ( RE || RL )(   1)ib
( RE || RL )(   1)
AV 
h11e  ( RE || RL )(   1)
RE || RL  0,1k   AV  0,89

Gain Ai :

is RE
Diviseur de courant en sortie : 
(   1)ib RE  RL
 12

ib R1 || R2
Diviseur de tension à l’entrée : 
ig R1 || R2  h11e  ( RE || RL )(   1)

is R1 || R2 RE
Ai    (   1)  19, 6
ig R1 || R2  h11e  ( RE || RL )(   1) RE  RL

Résistance d’entrée :

Loi des mailles :

( RE || RL )(   1)ib  h11eib  ve  0
ve
Re1   h11e  ( RE || RL )(   1)  7,5k 
ib
Re  Re1 ||  R1 || R2   7,5 ||19  4,38k 

Résistance de sortie :

La résistance de sortie Rs est Rs  Rs1 || RE

Calculons Rs1 :

On élimine RE et RL , on éteint la source indépendante (ici vg ) et on alimente la sortie par un

générateur e f débitant un courant i f

ef
La résistance Rs1 est donc par définition : Rs1 
if

ib if
h11e

Rg R1 || R2  ib ef

Rs1

ib if

h11e   ib ef
Rg || ( R1 || R2 )
 13

i f  (   1)ib
e f    h11e  Rg || ( R1 || R2 )  ib
e f  h11e  Rg || ( R1 || R2 ) 
Rs1  
if (   1)
0, 6  (0, 6 ||19)
Rs1   23,17
51

Rs  Rs1 || RE  20, 7

B- Interrupteur k à la position 2 et la capacité C3 déconnectée :

VCC
Le circuit devient :
RC
80k 2k

R2

600 C1 ig C2
is
Rg RL
vg R1 200
ve
25k R 200
E Rs
Re

Schéma en dynamique :

Rg i R2 i  (   1)ib
ib
ig  ib
h11e
vg RL
R1 RC
vs
ve RE

Re Rs

Résistance d’entrée :

ve v
Re   ( e ) || R1
ig i
 14

Loi des nœuds au point B :

ve  vs
i  ib  (1)
R2

Loi des mailles (maille a) :

ve   h11e  (  1) RE  ib (2)

Loi d’ohm et loi des nœuds à la sortie :

vs  ( RL || RC ) (i  (   1)ib ) (3)

Le report des équations (2) et (3) dans l’équation (1) conduit à la relation suivante :

ve v ( R || R )  (   1)ve 
i  e  L C i  
h11e  RE (   1) R2 R2  h11e  RE (   1) 
 ( R || R )   1  (   1)( RL || RC )  1 
i 1  L C   ve  1    
 R2   h11e  RE (   1)  R2  R2 
ve h11e  RE (   1)
 R2  ( RL || RC ).
i R2  h11e  (   1)( RE  ( RL || RC ))

La résistance d’entrée est donc :

 h11e  RE (   1) 
Re   ( R2  ( RC || RL ))  || R1
 h11e  (   1)( RE  ( RL || RC )) 
 0, 6  51 0, 2 
Re  (80  2 || 0, 2)   || 25
 0, 6  51 (0, 2  2 || 0, 2) 
 43,14k  || 25k 
 15,83k 

A partir de l’équation (3), on obtient le gain en tension AV en exprimant i et ib en fonction de ve :

v (   1)ve 
vs  ( RL || RC )  e  
 Re h11e  RE (   1) 
 1 (   1) 
AV  ( RL || RC )   
 Re h11e  RE (   1) 
 1 51 
 (2 || 0, 2)   
 15,83 0, 6  51 0, 2 
 0,847
 15

Gain en courant :

is vs / RL Re
Ai    Av
ig ve / Re RL
15,83
 ( 0,847)  67
0, 2

Résistance de sortie :

On éteint la source vg et on connecte à la place de la charge RL un générateur de tension idéal e f

qui débite un courant i f . La résistance de sortie vaut (voir figure ci-dessous) :

ef
Rs 
if
R2 if
ib
h11e  ib
ef
Rg R1 RC

RE

Rs1 Rs

La résistance de sortie est donnée par :

Rs  Rs1 || RC

Où Rs1 est définie par la relation suivante (cf. figure ci-dessous) :

eh
Rs1 
ih
 16

i  (   1)ib
i R2 ih
ib
h11e  ib
eh
Rg R1

RE

Rs1

Maille a :

( h11e  (   1) RE )ib   Rg || R1  i  0 (4)

Loi des nœuds au point C :

ih  (   1)ib  i (5)

Maille b :

 eh  R2 (i  ib )   Rg || R1  i  0 (6)

Manipulations algébrique des équations (4-6) :

Rg || R1
ib   i
h11e  (   1) RE

(   1)  R1 || Rg 
ih   i i
h11e  (   1) RE
h11e  (   1)( RE   R1 || Rg )
 i
h11e  (   1) RE

h11e  RE (   1)
i ih
h11e  (   1)( RE  ( R1 || Rg ))
( R1 || Rg )  h11e  RE (   1) 
Soit : ib     ih
h11e  RE (   1)  h11e  (   1)( RE  ( R1 || Rg )) 
( R1 || Rg )
ib  ih
h11e  (   1)( RE  ( R1 || Rg ))
 17

La relation (6) donne :

eh  ( R2  ( Rg || R1 ))i  R2ib
( R2  ( Rg || R1 ))(h11e  (   1) RE )  R2 ( R1 || Rg )
 ih
h11e  (   1)( RE  ( R1 || Rg ))

eh ( R2  ( Rg || R1 ))( h11e  (   1) RE )  R2 ( R1 || Rg )
Rs1  
ih h11e  (   1)( RE  ( R1 || Rg ))

Et : Rs  Rs1 || RC

(80  0, 6 || 25)(0, 6  51 0, 2)  80(0, 6 || 25)

Rs1   22,54k 
0, 6  51(0, 2  0, 6 || 25)

Rs  Rs1 || RC  22,54k  || 2k   1,837k 

VCC 18V
Exercice 6 :

On considère le montage amplificateur cascode de 6.8k RB1 1.8k RC

La figure ci-contre. IC2
I1
IB2
1°) Calcul du point de fonctionnement de chaque transistor Q2

5.6k RB2
Loi des mailles :
I2 IB1
Q1
+ + = (1)

RB3 I E1
= + (2) 4.7k
≅ ≅ = I3 1.1k RE
= , =
Loi des nœuds :

= + (3)
= + (4)

La combinaison des relations 2, 3 et 4 conduit au résultat suivant :

+ + + + + + + + =
2 1
+ + + + = − 1+ +

− 1+ +
=
2 1
+ + + +
 18

A.N.

6.8 5.6
18 − 0.7(1 + 4.7 + 4.7) 15.45 15.45
= = = = 3.77
2 1.1 1 1.1 1.66 + 1.34 + 1.1 4.1
6.8 200 + 4.7 + 5.6 200 + 4.7 + 1.1

On peut procéder d’une façon plus pratique pour estimer le courant en supposant les courants des
bases négligeables.

Diviseur de tension en entrée :

≅
+ +

+
=
+ +

= + ≅ +

−
≅
A.N. :
≅ 4.7 = 4.9
18 × (4.7 + 5.6)
= = 10.8
6.8 + 4.7 + 5.6

4.395 − 0.7
= = 3.8
1.1

Notons que l’erreur n’est pas très grande.

La tension entre les bases vaut :

− = + = = 5.9

La tension est obtenue à partir de la relation :

− + + ≅
≅ − + −
 19

= 0.7 − 10.8 + 18 − 1.8 × 3.8 = 1.06

Paramètres petits signaux :

= = , ≅

Schémas équivalents en dynamique du transistor :

dynamique ib
C C
B
B
r ib
E

C
B
ib ib

re r /

E
2°)
Schéma en dynamique :
Etage base
Etage émetteur commune

B1 ib1 C1 E2 ib2 C2
+ ib2 + +

vi Rp r1 ib1 r2 vo1 Rc vo

- - -
E1 B1
Ro
Ri Rp  RB3 // RB2

désigne la résistance d’entrée et la résistance de sortie.

 20

26
= = = = , = =
26 26
= = = 6.8Ω
3.8
= 1.36 Ω
Gain en tension de l’étage EC :

= −
≫ 1 entraîne ≅

≅= − ≅ −1

Gain en tension de l’étage base commune:

−
= = =
−

Gain de l’amplificateur Cascode :

= = =−
.
A.N. =− × 10 ≅ −265
.

Résistance d’entrée

= = = (2.55||1.36) = 887Ω

Le symbole || désigne la mise en parallèle.

Résistance de sortie :

Schéma pour le calcul de

i b1 ib2 is
ib2
vi Rp r1 ib1 r2 vo1 Rc vo vs

Rp  RB3 // RB2
 21

La résistance de sortie est définie par : = /

Il est clair que = 0, ce qui entraîne = 0. Le circuit ci-dessus se réduit à celui représenté ci-
dessous :

is
= = 1.8 Ω

Rc vo vs

4°)
L’amplificateur de la figure 5 peut donc être représenté par le circuit équivalent suivant :

Ro

vi Ri Avv i

désigne le gain à vide de l’amplificateur (pas de charge).

En connectant la charge = 10 Ω, on obtient le schéma :
io
ii Ro

Ri Avv i RL
vi

=− /( + )
= /

Gain en courant :

= =− /( + )
A.N. :

0.887
= 265 × ≅ 20
1.8 + 10
 22

Exercice 7 :

1° ) Etude en statique

Le schéma statique de l’amplificateur est représenté ci-dessous :

18V VCC

75 RC
IE1

IB1 IC2
Q1

RB Q2
2M IC1 IB2
IE2

Le transistor est du type PNP et le transistor du type NPN. Remarquez les sens des courants
pour chaque type du transistor.

Loi des mailles :

+ + ( + )=

Compte tenu du fait que ≫1 ≫ 2, on peut réécrire la relation ci-dessus sous la forme
suivante :

+ + ( + )≅

= , + + ( + )≅

Soit :

+ + ≅

−
≅
+

= =

−
= =
+
 23

Remarquons que = . Le courant traversant la résistance vaut :

= + ≅ + ≅

A. N. :

18 − 0.7
= = 4.45
2 Ω + 140 × 180 × 75Ω
= = = 140 × 4.45 = 0.623
= = 180 × 0.623 = 112

= , = , = , =

Loi des mailles :

= −

A.N. = 18 − 75 × 0.112 = 9.6

2°)
Paramètres petits signaux des transistors :

26
≅

26
≅

Le paramètre hybride , du transistor étant égal à .

3°) Schéma en dynamique :

18V VCC

75 RC

Q1 v
o
vi r1 i
b1
RB Q2
2M 1ib1

vi R r2 RC v
2ib2 i
B o
ib 2
c

Ri Ro
 24

En éliminant les sources de courant, on peut remplacer le schéma ci-dessus par le schéma
équivalent :

r1 i
b1

v
o
+ +
vi R RC (
B 1 2 1 1)

- -

Ri r1

v
o
+ +
vi R R C  1 2
B

- -

Ri

Gain en tension et résistance d’entrée :

Diviseur de tension :

=
+

= ||( + )
Résistance de sortie :

Schéma à adopter pour le calcul :

r1 ib 1 is
1ib1
vs
RB r2 RC
ib 2 2ib2

r1 ib 1 is
1ib1
vs
r2 RC
ib 2 2ib2
 25

= + −( + 1)

= − −( + 1)

≅ + = 1/

La résistance de sortie vaut donc :

= ||( )≅

Remarque :

Le gain en courant de l’amplificateur en court-circuit est de l’ordre de (fort gain en courant) (à

démontrer).
Le gain en tension est proche de l’unité (semblable à celui du montage collecteur commun).
Notons que l’amplificateur admet une très faible résistance de sortie.