Faculté des Sciences de Monastir

Laboratoire de Physique Quantique et Statistique

(LR18ES18)

Soutenance de Mastère

Oumayma BAATOUT

Etude des Mécanismes d’Auto-assemblages des Nanostructures par

Simulation numérique de la croissance épitaxiale : le cas de GaAs

Encadrée par :
 Mohamed-Ajmi BEN HAJ HAMMOUDA
Maitre de conférence (FSM )

Spécialité Physique Quantique

1
 Introduction

Nanostructures du GaAs

Plan Résultats et Discussions

Conclusion et perspectives

2
 Introduction

Plan

3
 Introduction
Croissance épitaxiale

Qu’est ce que l’épitaxie ?

L’épitaxie se réfère à la méthode de dépôt d'une seule monocouche cristalline sur un substrat.
La couche déposée est appelée « film épitaxial ».

 Types d’épitaxie :
 Homoépitaxie : le substrat et le matériau sont de même nature. (Si-Si)

Homoépitaxie

 Hétéroépitaxie : le substrat et le matériau sont de nature différente. (Ga-As)

Hétéroépitaxie
4
Introduction

Techniques d’épitaxies :
• Epitaxie en phase liquide ou LPE (Liquide Phase Epitaxy)

• Epitaxie en phase vapeur ou VPE (Vapor Phase Epitaxy)

• Epitaxie par jets moléculaires EJM appelée également MBE (Molecular

Beam Epitaxy)

 Facile à simuler

EJM  Précise

 Permet un contrôle de l’interface précis

5
 Introduction

Processus mises en jeu dans la croissance

e : Evaporation

a : Dépôt
d : Incorporation à un
ilot et diffusion sur
l’ilot La loi d’Arrhenius :
D = no exp(- Ed /kBT)

c : Rencontre avec un
autre atome

b : Diffusion Ed
E = Ed + n Ea +EES
n0 = 2kBT/h [Hz] Site A Site B 6
 Introduction
Instabilités de surfaces

Tout phénomène pouvant changer la morphologie d’une surface hors équilibre

Il existe diverses origines d’instabilités :

 Origine géométrique (le flux de dépôt est oblique).
 Origine cinétique (une anisotropie de diffusion en surface).
 Origine thermodynamique-élastiques (contraintes).

7
 Introduction

BARRIÈRE EHRLICH-SCHWOEBEL DIRECTE (ES) 

• Un adatome provenant de la terrasse supérieure cherchant à s’attacher à la marche, lors

du franchissement du bord de la marche, il prend une position défavorable ,cette
dernière se traduit pour le potentiel de diffusion par une barrière supplémentaire qui
empêche la diffusion intercouche d’où l’apparition du mode tridimensionnel 3D.

Marche

Barrière d’Ehrlich-Schwoebel directe (ES)

8
 Introduction
BARRIÈRE EHRLICH-SCHWOEBEL INVERSE (ESI) 

• Un adatome provenant d’une terrasse inférieure, située au voisinage d’une marche

ascendante peut facilement s’attacher au pied de cette marche puisque le nombre de
liaisons n’est pas modifié. Cet effet est connu par « la barrière Ehrlich Schwöbel
inverse ».

Marche

Barrière d’Ehrlich-Schwoebel inverse (ESi)

Ces barrières ne sont pas facilement justifiées physiquement.

9
 Introduction

Instabilité de mise en paquet (step-bunching)

Lors de la croissance d’une surface vicinale, les marches subissent un

avancement avec des vitesses différentes tout en conservant le parallélisme
entre elles. La nanostructuration formée est donc une structure en étages.

Macro-marches denses Vaste terrasse

Surface vicinale initiale parfaite Mise en paquets

10
 Introduction

Instabilité de méandrage (step meandering)

Elle résulte d’une ondulation spontanée du profil des bords des marches et
s’amplifie en fonction du temps de la croissance (où du nombre de couches
déposées) aboutissant à la formation des "buttes" dans la direction
perpendiculaire aux marches, séparés par des sillons.

Méandrage

11
 Introduction

Instabilité des îlots

Cet effet autorise l’affleurement de collines et de vallées sur ces surfaces . La taille et la
densité de ces ilots dépend principalement des conditions de croissance.

îlots

12
Introduction

LES MÉTHODES NUMÉRIQUES MONTE-CARLO

Ils sont basées sur un modèle heuristique, pouvant

déterminer les diverses propriétés du système étudié par
des tirages aléatoires aussi bien en équilibre qu’en dehors
de l’équilibre en explorant les différents états accessibles de
ce dernier et d’isoler les plus significatifs.

Monte Carlo
cinétique

13
Introduction
MONTE CARLO CINÉTIQUE KMC

 Principe ?

Cette méthode sert à décrire l’évolution cinétique temporelle des systèmes

hors de l’équilibre aux grandes échelles des particules 10 6 at . En particulier, à
élucider les différents processus mis en jeux hors équilibre. Elle est considérée
comme un outil de simulation fiable et prédictif dans des domaines variés en
particulier, dans la nanostructuration.

14
Introduction
MONTE CARLO CINÉTIQUE KMC

 Choix ?

• Adapté à l’EJM,
• Flexibilité par rapport au choix des évènements, orientation de la simulation
(ajout des mécanismes),
• Traitement d’un nombre assez grand des particules (par comparaison à la
DM ou l’ab-initio.
• Fiabilité : autorise une comparaison directe avec des mesures
expérimentales.

15
Introduction

MONTE CARLO CINÉTIQUE KMC

 Limite de la méthode ?

Performances des ordinateurs.

 Temps de simulation
Introduction des nouveaux mécanismes
( les interactions NNN,…).

 Données de simulations (barrières énergétiques).

 Imitation de l’expérience : certains processus microscopiques ne sont

pas pris en compte .

16
Introduction

MONTE CARLO CINÉTIQUE KMC

 Description du modèle :

 Modèles SOS : cubiques simples

 Matrice à deux dimensions Lx x Ly
 chaque site (i,j) est occupé par un seul atome
 Chaque atome est représenté par un cube de longueur a
 h(i,j) définie la hauteur d’un point par rapport à la surface
plane

17
 Nanostructures du GaAs

Plan

18
 Nanostructures du GaAs
Propriété
1- Pourquoi construire des nanostructures ? s uniques
i) Qu'elles nanostructures sont intéressants?
ii) Comment peuvent-ils être synthétisés?
iii) Comment peuvent-ils être introduits dans des matériaux?
iv) Comment les relations entre leurs structures et leurs compositions, leurs matrices et leurs interfaces
contrôlent-ils les propriétés des matériaux qui les incorporent?
Taille < 100
2- Promesses de la nanostructuration ? nm

• Concerne la majorité des matériaux, puisqu’une large partie des propriétés dépendent de leurs
fonctionnalités à l‘échelle nm.

• Offre des nouvelles propriétés (exp: la conductivité et la rigidité des nanotubes et l'émission de
fluorescence des boites quantiques de CdSe)

• Mélanger à la fois les comportements classiques et quantiques

• Suggère des nouvelles approches pour le « design » des matériaux.

19
 Nanostructures du GaAs
Top-down
3- Procédures de fabrications ? Auto-assemblage

Bottom-up

Modélisation
mathématique Comparaison
4- Notre démarche avec l’expérience
Simulation
Apport de la KMC
Simulation KMC
& Modélisation

 Comprendre les mécanismes d’Auto-assemblage

 Contrôler la cinétiques des nanostructures,
 Découvrir de nouvelles propriétés
 Prévoir des nouvelles applications 20
 Applications du GaAs

 Cellule photovoltaïque

 Composants optoélectroniques

 Diodes électroluminescentes

 Diodes laser

21
 Nanostructures du GaAs

Les techniques d’imagerie

 Microscope à Force atomique  Microscope à effet Tunnel (Scanning
(Atomic Force Microscopy) AFM Tunneling Microscopy) STM

Atomic force microscope (AFM) topography images of the

(a) binary and (b) ternary blend active layer coated atop ITO.

Large-scale STM and high-resolution topographies of the

Au(111) surface

Restent limitées vue l’impossibilité de traiter chaque endroit d’une

galette simultanément 22
Nanostructures du GaAs

Autoassemblage

Autoassemblage Autoassemblage
spontané dirigé

• Dispersés
• Peu contrôlables

23
 Nanostructures Expérience mm
Motivation du GaAs
Instabilities of GaAs(001) by Patterning Perturbation on Atomistic Processes

Evolution of Patterned GaAs(100) During MBE Growth

Tadayyon-Eslami, T., Kan, H.-C.,
Temperature Above and Below Roughening (TR ≈ 530°C) Calhoun, L. C., & Phaneuf, R. J. ,PRL,
97(12). (2006)

 Haute T : Micro-structures
amplification des

‘parfaites’ vs. (GT)

T = 600ºC > TR

Growth Thickness
(GT)
 Faible T : Crêtes autour des pores
T = 500ºC < TR

Changement du mode de mm  nm ?
croissance à TR ≈ 530°C

 E ES , Dominant à faible T ? 25
 Résultat exp. nm
Diminution des Dimensions des pores  nm (nm)

30 nm 60 nm
Caractéristiques du motif:
Surface initiale : Pit
T= 460ºC Profondeur: 30 nm
Largeur: 150 nm
Pas : 300 nm

T= 525ºC

Changement du mode de croissance

 ES dominant à faible T ?
barrière
E-S barrier (EES)
Impedes Atoms
Crossing Steps
T, F, EES
 Motif /Substrat  Dirigent l’auto-assemblage
from Above?

 Estimation de EES ?
Chuan-Fu, Hammouda et al., PRB (2012) 26
26
Plan Résultats et Discussions

27
Nanostructures du GaAs

Caractéristiques du motif:
surface initiale : Pit carré
Profondeur : 30a
Ea=0.3 eV
Largeur (LP) : 50a
Ed =1.2 eV Pas : 100a
EES= 0.1 eV

EESi=0 eV

Modèle du réseau carré de dimension 400 × 400

sites obtenu par une simulation kMC

Effet des paramètres de croissance?  

28
Résultats et Discussions
Effet recouvrement (épaisseur) à T =700 K
3 .0 0 n m

(a) (b) (c)

(d) (e) (f)

0 .0 0 n m
(a) 0ML ; (b) 1ML ; (c) 10ML ; (d) 50ML ; (e) 200ML ; (f) 500ML.

On travaillera au minimum après le dépôt de 500ML. 29

 Résultats et Discussions
Effet barrière Schwoebel à T=700K
(c)
 Estimation de EES ?

(a) (b) (c) (d)

(a) EES= 0.01 eV ; (b) EES= 0.1 eV ; (c) EES= 0.2 eV ; (d) EES= 0.5 eV.

Pour EES assez réduite

Disparition de la croissance des monticules tridimensionnels.
Pour EES élevée
Des nanostructures seulement pour une ES assez importante
30
supérieure à 0,1 eV .
Résultats et Discussions
Étude quantitative

Quasi-stabilisation de la morphologie des nanostructures (hauteur des ilots)

après environ 1000 ML.
Nous pouvons se limiter au dépôt de 1000ML pour le reste de cette
étude. 31
 Résultats et Discussions
(a) (b) (c)
6e7

Avant la 4e7

croissance 2e7
H0 H1 H1/H0=1

Z [ a .u .]
0

-2e7

-4e7

-6e7
0 50 100 150 200 250 300 350 400

X[nm]
(d) (e) (f)
Après la 8e7
6e7

croissance 4e7 H1/H0<1

Z [a .u .]
2e7
H1 H0
de 1000ML -2e7
0

à T= 735 K -4e7
-6e7

ES=0.1 eV -8e7
0 50 100 150 200 250 300 350 400

X[nm]
(g) (h) (i)
Pics satellites
3e7

Après la 2.5e7
2e7

croissance de 1.5e7
Z [a .u .]

1e7

1000ML 5e6
0

A T= 680 K -5e6
-1e7

ES=0.1 eV -1.5e7

0 50 100 150 200 250 300 350 400

X[nm]

Température affecte la périodicité des nanostructures.

32
 Résultats et Discussions
Effet de la dimension du motif 
(d) H1/H0 = 0.988 ≈1
1e8
8e7
6e7 LP PP

Z [ a .u .]
LP=20_PP=40 4e7
2e7
Pas=100a
0
-2e7
-4e7
-6e7
-8e7
0 50 100 150 200 250 300 350 400

X[nm]

H1/H0 = 0.569
3e7

LP=30_PP=35 2e7 H2/H0 =0.193

Z [ a .u .]
1e7

-1e7

-2e7
0 50 100 150 200 250 300 350 400

X[nm]

1.5e7
H1/H0 = 0.909 
(f) H2/H0 = 0.240 
LP=50_PP=25 1e7
Z [ a .u .]

5e6
H3/H0 = 0.179
0

-5e6

-1e7
0 50 100 150 200 250 300 350 400

X[nm]

Dimension du motif Changement du mode de croissance.

Motif joue un rôle essentiel dans le développement des nanostructures.

33
Résultats et Discussions

100
725K 735K 750K
110
P r e m iè r e p o s itio n d e p ic d u s a te llite
710K
1,0
760K

0,8
710K 735K
(s u r fa c e à m o tifs )

725K

Ru 0,6

680K 695K
660K
0,4 700K
700K
660K 695K
680K
0,2 650K
600K
550K
0,0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2

Rayon de l'anneau sur une surface sans motif (Ru)

Augmentation de T Une série d’arrangement des

nanostructures périodiques
34
Plan
Conclusion et perspectives

35
 Conclusion ,
,
,
,

 Pré-structuration du substrat permet de diriger l’auto-assemblage des

nanostructures ; ces derniers sont contrôlés par les conditions de croissance.

 Mise en évidence de l’existence d’une barrière ES modérée, EES~0.1eV;

Une faible barrière de l’ordre de EES=0.01eV, parait non physique.

 Pour différents intervalles de température de croissance, des structures

périodiques de formes spécifiques se forment sur la surface de GaAs.
La forme, la dimension et l’évolution de ces structures d’un mode de
croissance vers un autre, sont une manifestation directe des processus
énergétiques opérants dans le système étudié.

 Compétition entre les caractéristiques du motif et les paramètres de croissance.

 Aider les expérimentateurs à choisir les paramètres de croissance optimales.

 Perspectives

Certains détails expérimentales n’ont pas été reproduites

 Modifier le motif
 Introduire les interactions NNN
 Ajuster les barrières énergétiques

L’Arsenic et le Galium ont des diffusivités différentes, facteur

qui n’a pas été pris en compte dans nos simulations

37
MERCI POUR VOTRE ATTENTION
 Méthode
Monte-Carlo cinétique (kMC)

Macroscopique
Durée explorée (s)

Microscopique
Milieu
1 - Continu (DF,…)
Mésoscopique
10-3 - Monte-Carlo
+106 at
10-6 - ~min

10-9 - DM
ab-initio ~105 at
10-12 - ~100 at ~ns
~ps
I I I I
10 -15
10 -9
10 -6
10 -3
1
Taille des systèmes simulés (m)

Fig.- Hiérarchie des différents modèles de simulations 39

Nanostructures du GaAs

Schéma des processus de fabrication de nano-motifs sur un substrat de GaAs (001)

par lithographie par faisceau d'électrons et techniques de gravure sur plasma

PMMA: Poly-Métaline Méta-Acrilate (résine)

40
Nanostructures du GaAs

Lithographie

Méthode expérimentale de pré-structuration

IL existe plusieurs techniques de lithographies tel que :
 Lithographie par faisceau d’ions focalisé
 Lithographie par faisceau électronique
 Lithographie optique,,,

41
Nanostructures du GaAs

Quoique la fabrication des nanostructures par lithographie paresse satisfaisante,

cependant elle possède divers limitations tel que

 la qualité optique
 le cout élevé
 L’absence du contrôle des dimensions et formes

42
Nanostructures du GaAs
RHEED
La diffraction des électrons de haute énergie en incidence rasante (reflection
high energy electron diffraction en anglais ou RHEED) est une technique
expérimentale permettant de déterminer la structure cristalline de la surface et
de contrôler in situ l'évolution d'une surface durant la croissance.

43
 Résultats
-Pour différents intervalles de température de croissance, des structures périodiques spécifiques ont
été manifestés sur la topographie de la surface de GaAs. La forme, la dimension et l’évolution de ces
structures d’un mode de croissance vers un autre, sont une manifestation directe des processus
énergétiques opérants dans le système étudié. Cette étude apporte aux expérimentateurs des
informations impressionnantes sur le choix favorable des paramètres de croissance d’un matériau
donné dans le but d’obtenir la forme des nanostructures désirée.

La mise en évidence l’existence d’une barrière ES modérée, de l’ordre de EES~0.1eV, en bon

accord avec les prédictions précédentes [Tadayyon2006, Kan2004-2006]. Cette barrière
reproduit, au moins qualitativement, la nature transitoire de l’instabilité observée
expérimentalement sur GaAs. Ce dernier étant préstructuré avec des trous (`pits`) carrés et
isotropes. Une faible barrière de l’ordre de EES=0.01eV, parait non physique puisqu’une telle
valeur conduit à l’obtention de nanostructures non ordonnées .
- Ainsi, cette étude a mis fin aux divergences des estimations
présentées par différents chercheurs concernant la valeur de cette
barrière. En effet, certains d’entre eux ont mis en doute l’existence
même de cette barrière ou, à la limite, sa très faible magnitude. De
plus, nos résultats montrent que pour une barrière ES assez large
(EES≈0.2eV), le motif joue un rôle essentiel dans le développement
des nanostructures sur GaAs. Ceci pouvait avoir un potentiel
important pour nombreuses applications excitantes qui pourraient
être explorées dans un futur travail.
- Pour une barrière Ehrlich-Schwoebel suffisamment large, la pré-
structuration du substrat pourrait être utilisée pour diriger
l’auto-assemblage des monticules ; ceci est assuré par le
contrôle de la température de croissance, ouvrant de
nombreuses futures applications potentielles.
Introduction

Epitaxie par jets moléculaires EJM

(cas de la croissance des films GaAs)

Flux d’atomes

Ga

As
Ga
As

Substrat

Croissance couche par couche

45
Introduction

Modes de croissance

46
Introduction Choix des paramètres
initiaux (E1 , E2 , Ed , T,
F…)
Ensemble des évènements {ei}
réparties en classes {Ci}
Probabilités Pi =0i exp(-Ei
/kBT)
Tirage d’un nombre
Choix de
aléatoire w entre 0 et 1
l’évènement

Dépôt Diffusion

Choix de l’atome
Choix du site de diffusant
déposition

Choix du direction de
Exécution du diffusion
dépôt

Exécution de la diffusion

Mise à jour des nombres des

voisins des différents sites
atomiques
47
A A

3 3
Résultats ,

-Pour différents intervalles de température de croissance, des structures périodiques spécifiques ont
été manifestés sur la topographie de la surface de GaAs. La forme, la dimension et l’évolution de ces
structures d’un mode de croissance vers un autre, sont une manifestation directe des processus
La mise en évidence l’existence d’une barrière ES modérée, de l’ordre de EES~0.1eV, en bon
énergétiques opérants dans le système étudié. Cette étude apporte aux expérimentateurs des
accord avec les
informations prédictions sur
impressionnantes précédentes [Tadayyon2006,
le choix favorable Kan2004-2006].
des paramètres Cette
de croissance d’un barrière
matériau
reproduit,
donné au dans moins
le qualitativement,
but d’obtenir lala nature
forme transitoire
des de l’instabilité
nanostructures observée
désirée.
expérimentalement sur GaAs. Ce dernier étant préstructuré avec des trous (`pits`) carrés et
isotropes. Une faible barrière de l’ordre de EES=0.01eV, parait non physique puisqu’une telle
valeur conduit à l’obtention de nanostructures non ordonnées .

- Ainsi, cette étude a mis fin aux divergences des estimations présentées par différents
chercheurs concernant la valeur de cette barrière. En effet, certains d’entre eux ont mis en doute
l’existence même de cette barrière ou, à la limite, sa très faible magnitude. De plus, nos résultats
montrent que pour une barrière ES assez large (EES≈0.2eV), le motif joue un rôle essentiel dans
le développement des nanostructures sur GaAs. Ceci pouvait avoir un potentiel important pour
nombreuses applications excitantes qui pourraient être explorées dans un futur travail.

- Pour une barrière Ehrlich-Schwoebel suffisamment large, la pré-structuration du substrat

pourrait être utilisée pour diriger l’auto-assemblage des monticules ; ceci est assuré par
le contrôle de la température de croissance, ouvrant de nombreuses futures applications
potentielles.