LES CIRCUITS INTEGRES

Dans ce cours, nous n'introduirons que des notions essentielles concernant le

phnomne de l'intgration car le sujet est trop vaste et dpasserait rapidement les
limites de notre programme. Ce sera donc un cours proche de la vulgarisation. De
plus, tout tant en constante volution1, ce qu'on pourrait dire dans les dtails risque
tout moment de ne plus tre conforme la ralit. Pour se tenir au courant, le mieux
reste la lecture de revues spcialises dont quelques titres intressants vous sont
fournis en bibliographie.

I. DEFINITION:
Destin remplir une fonction dtermine, le circuit intgr est un ensemble de
composants lectroniques actifs et passifs groups et interconnects par construction mme.

II. CATEGORIES DE CIRCUITS INTEGRES:

Les circuits intgrs, du fait de leurs dimensions, ont incit la cration d'un
nouveau terme: la microlectronique.
Le schma suivant rsume cette nouvelle notion:

MICROELECTRONIQUE

Optolectronique
(afficheurs, LED,)

Composants
discrets (chips)
C.I. monolithiques

Bipolaires

MOS

CTD

C.I. hybrides

Couches
Minces

Couches
paisses

On peut voir qu'il y a deux grandes catgories de circuits intgrs: les C.I
hybrides et les C.I monolithiques.

Ce cours a t crit fin des annes 70 ( !)

34
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

1) Les circuits intgrs hybrides:

Ils ne mritent pas tout fait le nom de circuits intgrs comme le laisse
apparatre leur fabrication: ils sont conus sur un substrat isolant (verre ou
cramique ou autre) qui, par impression ou gravure, reoit des conducteurs et des
composants passifs. Les lments actifs, rduits leur plus simple expression (chips),
sont ensuite ajouts et souds (on dit qu'ils sont rapports ).
On distingue deux sortes de circuits hybrides:
- Les hybrides couches minces (moins de 10 m) raliss le plus souvent par
dpt sous vide et gravure.
- Les hybrides couches paisses (10 50 m) o les couches sont obtenues par
srigraphie. Avec cette technique, il est mme possible de raliser directement sur le
substrat des transistors, appels transistors TFT (Thin Film Transistors) ou
transistors couches minces.

2) Les circuits intgrs monolithiques:

Ce sont des lments lectroniques actifs et passifs raliss simultanment au
cours d'un mme processus de fabrication. Ils sont dits monolithiques car ils ne
comprennent l'intrieur du botier qu'un seul morceau de Silicium et c'est dans ce
morceau que sont raliss tous les composants du circuit.
Du point de vue technologique, on y trouve trois grandes subdivisions:
a) Les circuits transistors bipolaires tels les PNP et NPN classiques.
b) Les circuits transistors MOS (N-MOS, P-MOS ou C-MOS) et J- FET.
c) Les circuits transfert de charge CTD (de Charge Tranfert Devices) tels les
CCD (Charge Coupled Devices), les BBD (Bucket Brigade Devices), les SCT
(Surface Charge Transistor) et les CID (Charge Injection Devices). Ces lments
mritent une explication car nous ne les avons pas encore rencontrs.
- Les CCD (Charge Coupled Devices)
Ce terme se traduit par dispositif couplage de charges. Il est ralis dans un
substrat de Silicium de type N oxyd sur lequel sont dposes trois lectrodes
mtalliques (figure 1)
Dioxyde de Silicium
(SiO2)

E1

E2

E3

Silicium N
Figure 1
Supposons que les lectrodes E1 et E3 soient un potentiel ngatif de -5V et
que l'lectrode E2 soit au potentiel de -10V: les charges positives (minoritaires) du
substrat s'accumuleront sous E2 .
35
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

Appliquons maintenant une tension de -15 V E3 : la charge prsente sous E2

va tomber dans le puits qui vient de se crer et vient donc d'tre transfre.
Ainsi, une commande triphase convenable va permettre un fonctionnement
tel que celui que l'on vient de dcrire ce qui permet la ralisation de fonctions du type
mmoire ou registre dcalage par exemple (les CCD sont actuellement utiliss en
capteurs dans les camras vido).
On remarque l'extrme facilit de fabrication de ces dispositifs car on n'a fait
appel ni des diffusions ni des techniques d'isolation ni des procds de masquage
labors.
Evidemment, on voit mal comment ces composants peuvent travailler en rgime
linaire et c'est ce qui a conduit au dveloppement d'un autre type d'lments
transfert de charges, les BBD, de Bucket Brigade Devices , traduit approximativement par lments chapelets . Les BBD dont la fabrication ncessite une
diffusion supplmentaire sont aptes travailler en analogique et en numrique
jusqu' des frquences qui atteignent 10 MHz
Citons pour terminer que la famille des CTD regroupe aussi les SCT (Surface
Charged Transistors ou transistors charge de surface) et les CID (Charge Injection
Device ou dispositif injection de charge).
Une tude plus dtaille nous entranerait dans un cours de technologie qui
s'loigne du but que nous nous sommes fixs dans notre cours d'lectronique
gnrale.

III. INTERET DES CIRCUITS INTEGRES:

Pourquoi assiste-t-on cette course aux circuits intgrs ? Parce qu'ils prsentent
un grand nombre d'avantages dont:
- La compacit:
Une calculatrice de poche standard comprend une dizaine de milliers de
transistors (30 100.000) contenus sur un ou deux circuits intgrs (A titre de
comparaison, l'ENIAC, le premier ordinateur, qui remplissait beaucoup
moins de fonctions, occupait une pice immense et quelques annexes !)
- La fiabilit:
On sait que la cause la plus frquente des dfaillances est le dfaut des
soudures. L'intgration, en diminuant le nombre de connexions (donc le
nombre de soudures) rduit considrablement le taux de pannes.
- L'conomie:
Par exemple, un amplificateur oprationnel (ou un amplificateur de puissance)
coute en version intgre considrablement moins que le prix d'achat des
composants discrets qui le constituent. Ajoutons cela les conomies de main
d'oeuvre, de support et de chssis.
- La facilit d'utilisation:
Elle est vidente car la majorit des fonctions lec- troniques sont disponibles
et les mises au point de circuits hasardeuses ont pratiquement disparues.
- Une faible consommation:
Les consommations qui sont descendues jusqu' l'ordre du nA permettent la
ralisation d'appareils autonomes et trs pratiques
- Des performances leves
Ces performances sont dues la rduction des longueurs de connexion (car
n'oublions pas qu'en 1 nS, le courant lectrique parcourt 30 cm) ce qui entrane
l'augmentation de la vitesse de rponse des circuits (500 MHz et plus).
36
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

IV. LES FAMILLES DE CIRCUITS INTEGRES:

On divise les circuits lectroniques en deux grandes catgories: les circuits
numriques (ou logiques) et les circuits linaires (ou analogiques). Ils se
diffrentient par la manire dont ils traitent l'information:
- Les circuits numriques travaillent par tout ou rien (leurs signaux d'entre
et de sortie ne prennent que deux valeurs reprsentes conventionnellement par 0 et
1)
- Les circuits linaires prsentent un signal de sortie fonction des signaux
d'entre.(Cette fonction n'est videmment pas ncessairement du type y=ax+b mais on
les appelle quand mme circuits linaires). Ce type de circuit intgr est apparu un peu
plus tard que le premier, vers 1965.
Ces deux catgories se divisent aussi en familles. Bien que les frontires ne
soient pas toujours trs nettes, on pourra grossirement prsenter les subdivisions
suivantes:

1) Circuits intgrs logiques:

-Logique RTL (Resistor Transistor Logic)
-Logique DTL, DCTL, ... (Diode Transistor Logic)
-Logique TTL (Transistor Transistor Logic)
-Logique MOS(Metal On Silicon)
Les figures 2a et 2b montrent par exemple une porte NAND ralise dans
diffrentes logiques. Prcisons que les logiques RTL, DTL, DCTL, ... ne sont
pratiquement plus utilises. Ce sont les plus anciennes. Ajoutons que la logique TTL,
qui est en usage actuellement avec la logique MOS, prsente plusieurs versions
amliores et a induit une certaine volution (pour des questions de rapidit, on
prfre ne pas saturer les transistors de commutation) d'o la TTL Schottky (on y
utilise des transistors Schottky, c'est dire avec jonctions mtal-semi conducteur),
l'ECL (Emitter Coupled Logic), la IIL (Integrated Injection Logic), ... De mme que
la logique MOS, qui a permis le dveloppement des micro-processeurs, prsente aussi
plusieurs subdivisions (P-MOS, N-MOS, C-MOS, LOC-MOS, ...)
VCC
VCC

A
B
C

A
B
C

Porte NAND RTL

Porte NAND DTL

Figure 2a
Les logiques anciennes
37
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

Les portes MOS les plus courantes sont en technologie C-MOS:

VCC

VCC

+VDD

PMOS

entre

A
B
C

sortie
NMOS

-VSS
Inverseur CMOS

Porte NAND TTL

Figure 2b
Les logiques modernes
Il faut noter qu'il existe des technologies (par exemple celle appele BiMOS)
dans laquelle on intgre sur une mme puce des bipolaires et des MOS.

2) Circuits intgrs linaires:

Leur classement est peut-tre plus difficile mais on pourra toujours dire qu'il y a des
circuits intgrs:
- Amplificateurs oprationnels
- Alimentations stabilises
- Grand Public (pour radio-TV, montres, ...)
- Interfaces (commande de lignes, lecteurs de tores, ...)
- Divers (commande de thyristors, PLL, complexes, ...)

V. PROCESSUS DE FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES

La technologie planar pitaxiale est aujourd'hui gnralement adopte. La
structure typique d'un circuit intgr est schmatise dans la figure 3:
1
4
2

n+

N
5

4 (C)

5 (E)

3 (B)

n+

P
N

Substrat P
Figure 3
38

M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

n+

On y distingue les couches suivantes:

a- Le substrat du type P, d'une paisseur de 6 mils (1 mil vaut 25 m), obtenu
partir d'un lingot de Silicium de dopage dtermin (souvent la concentration de
donneurs est de l'ordre de 1,4 1015 atomes/cm avec une rsistivit typique de 10 cm). Ce lingot est d'une longueur de 10 in et d'un diamtre de 1 2 in2
b- La couche pitaxiale du type N dans laquelle seront fabriqus tous les
composants du circuit. Cette couche possde une paisseur de l'ordre de 1 mil (25
m).
c- La couche protectrice de Silice (dioxyde de Silicium) d'une paisseur de
l'ordre de 0,5 m obtenue par oxydation de la couche pitaxiale dans un four
1000C sous atmosphre d'Oxygne. Cette couche servira lors du processus de
fabrication, comme nous le verrons plus en dtail dans le point suivant.
d-La couche d'Aluminium utilise pour les connexions entre les diffrents
composants.
Du point de vue gomtrie, un circuit intgr standard peut tre fabriqu sur une
puce carre de Silicium de 50x50 mils. Ainsi, un substrat ( wafer ) de 1 in
pourra tre divis en 400 chips de surface 50x50 mils. Sachant qu'un transistor
occupe au maximum 50 mils, ( dans les circuits rcents, un transistor possde un ct
d'une largeur de l'ordre du dixime de micron) chaque circuit intgr est apte contenir
au moins 50 transistors (ou autres composants) et il y aura donc 50x400 =20.000
composants/in sur chaque wafer. Comme on met plusieurs wafers, on fabrique donc des
milliers de circuits intgrs simultanment ce qui explique leur faible prix de revient.
Le schma suivant (figure 4) rsume sous forme de film la
transistor NPN partant d'un substrat de Silicium P:

1. Substrat

masque

4. Dpt dun vernis

photosensible

d'un

3. Oxydation de la
surface

2. Dpt de la
couche pitaxiale

UV

fabrication

5. Masquage et
insolation

6. Dissolution du
vernis de protection

Note 2004 : le diamtre actuel des lingots atteint largement les 4 in

39
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

7. Elimination des
zones de SiO2

8. Elimination du
vernis

9. Diffusion de zones
P

Cette dernire diffusion sert constituer des caissons pour isoler le transistor des
autres lments (ce point sera dtaill un peu plus loin).
On considre maintenant llment central :

2. Photogravure et
fentre dans loxyde

1. Oxydation

3. Diffusion de la base
et roxydation

Zones n+

4. Photogravure et
ouverture de fentres

5.Diffusion des metteurs

Collecteur

Emetteur
Base

6.Ouverture de fentres
pour prise de connexion

7. Mtallisations
Figure 4
Film de la ralisation dun transistor NPN
40
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

Isolement des composants:

Il faudra remarquer que, sans prcautions, les composants d'un circuit intgr
seraient tous court-circuits entre eux. En effet, regardons les deux transistors de la
figure 5: le substrat du type P est conducteur et court-circuite donc les deux
collecteurs.
C

C B

E
N

P
Substrat P
Figure 5

On a alors dvelopp plusieurs mthodes d'isolement:

1) Par jonctions PN polarises en inverse (dans notre exemple, le substrat P
sera port un potentiel plus ngatif que celui des collecteurs)
2) Par caissons de dioxyde de Silicium intercals entre le substrat et les
collecteurs des transistors (figure 6). Cette mthode, trs utilise, a pour avantage de
rduire les courants de fuite et les capacits parasites collecteur-substrat. Ce procd
s'effectue selon les tapes suivantes:
a) Ouverture de canaux dans le Silicium N monocristallin
b) Oxydation (couche d'une paisseur de 1 5m de SiO2)
c) Dpt d'une couche de Silicium poly cristallin
d) La couche de Silicium monocristallin est rabote de faon crer des
zones N tout fait isoles.

(a)

(c)

(b)

(d)
Figure 6
Des techniques plus rcentes d'isolation par oxyde existent (procd
isoplanar dans lequel la couche d'oxyde est obtenue par dpt sous vide, etc...)
41
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

3) Par diverses mthodes propres aux fabricants (isolement dilectrique

connu sous le nom d'EPIC, isolement par air utilis sous le nom de V-ATE par
Raytheon, etc...)
Finition du circuit intgr:
- Mtallisation: c'est une opration (tape 7 prcdente) dans laquelle on
vapore un mtal (souvent l'Aluminium) l'endroit o on prvoit la prise des
contacts. Cette opration s'effectue aprs l'ouverture de fentres dans l'oxyde.
- Passivation (protection du Silicium par une couche d'oxyde afin qu'il ne soit
pas chimiquement actif)
- Dcoupe (certains circuits seront livrs ainsi: ce sont les chips )
- Soudure par thermo compression
- Contrles et mesures
Les contrles s'effectuent visuellement ( l'aide de loupes binoculaires)
- Mise en botier (les botiers sont divers: TO5, TO99, DIL, DIP, etc...)
Exemple de botiers:

DIP (Dual-In-Line), PDIP (PlasticDIP),

SDIP (Shrink DIP)

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)

VII. CLASSEMENT DES CIRCUITS INTEGRES

Du point de vue complexit, on classe les circuits intgrs en faisant intervenir
le nombre de transistors ou de portes logiques qu'ils contiennent. On distinguera ainsi:
- Les SSI, de Single Size Integration ou intgration petite chelle (moins
de 100 transistors ou 1 10 portes)
- Les MSI, de Medium Size Integration ou intgration moyenne chelle
(100 1000 transistors ou 10 100 portes).
- Les LSI, de Large Scale Integration ou intgration grande chelle (1000
10.000 transistors ou 100 1000 portes).
Au del, on parle de VLSI (Very Large Scale Integration), de ULSI (Ultra Large
Scale Integration) etc... puisque actuellement, on dpasse largement le million de
transistors dans un botier.
42
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

On a remarqu en fait que la densit d'intgration , depuis 1970, a toujours doubl

tous les 18 mois: Ainsi, le premier microprocesseur (INTEL 4004) regroupait 2300
transistors sur une puce de 7 mm de ct soit une densit de 5000 transistors/cm.
Au dbut des annes 1980, cette densit est passe 500.000 transistors/cm et
elle atteint maintenant3 plusieurs millions.
Il faut savoir que ce n'est pas le nombre de composants dans un circuit intgr
qui augmente son prix de revient, mais le nombre d'oprations ncessites par sa
fabrication. Il a donc intrt, les problmes thermiques mis part, augmenter au
maximum la densit d'intgration. Cette augmentation dpend des progrs de la
technique de la photogravure: en 1983, la gravure par rayons Ultra-Violets
permettait d'obtenir des motifs avec une largeur de 2 m. A la place des rayons UV, on
a utilis des faisceaux d'lectrons ou d'ions ,ce qui a permis d'obtenir des motifs de
largeur infrieur au micron. On utilise actuellement des rayons X qui permettraient
d'atteindre le domaine de quelques millimes de microns. On parle ainsi de nanolectronique.

VIII. EVOLUTION DES CIRCUITS AVEC L'INTEGRATION

Si votre curiosit vous a fait observer le schma lectrique interne d'un
quelconque circuit intgr, vous avez sans doute remarqu des diffrences certaines
avec les schmas classiques lments discrets. En effet, certaines contraintes lies
la fabrication des diffrents composants font qu'on n' intgre pas directement
n'importe quel schma.

1) Ralisation des composants passifs:

a) Les rsistances:
Il y a plusieurs types:
- Type base:
Elles sont fabriques lors des diffusions base des transistors.Le type P-base
est le plus courant. On obtient des valeurs de 100 30 k 20% prs. Cette
mdiocre prcision (due aux erreurs de gomtrie et de pilotage des masques)
fait qu'on ne devrait faire appel dans un circuit intgr qu' des valeurs
absolues relativement basses. Le fait que les rsistances soient fabriques
simultanment permet d'obtenir les mmes rsistances, avec moins de 1%
d'erreur et il est donc prfrable de faire appel des rapports de rsistances
plutt qu' des valeurs absolues.
-Type metteur:
Fabriques lors de la diffusion des metteurs, elles ont des valeurs infrieures
la centaine d'Ohms. C'est le type N qui est le plus employ.
-Type collecteur:
Ce type qui permettrait d'obtenir des valeurs leves est en fait peu employ.
Signalons qu'il existe des rsistances film mince, c'est dire des rsistances
obtenues par vaporation d'un mtal sur le substrat mais c'est une mthode qui
est exceptionnellement employe. Notons, en ce qui concerne les rsistances
diffuses, qu'une rsistance de valeur suprieure 10 k cote aussi cher que 5
6 transistors. Il faudra donc se rsigner travailler avec des faibles valeurs de
rsistances.

en 1996
43
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

b) Les condensateurs:
On peut raliser un condensateur de deux faons:
-Par intgration d'une diode bloque (on sera alors limit en valeur de capacit
30-60 pF)
-Par dification d'un vritable condensateur dont le dilectrique serait la Silice .
Dans ce cas, la capacit ne dpend que de la surface occupe mais cette
surface devient vite prohibitive et on ne dpasse en pratique pas la trentaine de
pF. D'ailleurs, au del de cette valeur, les condensateurs obtenus sont de
mauvaise qualit et d'un prix lev.

c) Les inductances:
Elles sont vites. Ce n'est que par exception, trs haute frquence, qu'on
trouvera des lignes accordes qui jouent ce rle.

2) Evolution des circuits avec l'intgration:

Nous savons que les circuits de polarisation classiques en composants
discrets (figure 7a ) font un grand usage de condensateurs (ou de selfs) pour la liaison
et les dcouplages. Comme nous venons de le voir, ces lments ne peuvent pas tre
intgrs et il a donc t ncessaire de concevoir d'autres mthodes de polarisation qui
d'ailleurs, sont apparues trs efficaces.
VCC

VCC

(a)

(b)
Figure 7

Polariser un transistor, c'est, comme nous l'avons dj vu, fixer son point moyen
de repos. On y arrive en fixant son courant de base ou,comme le fait le circuit
de la figure 6b , sa tension base-metteur:
La tension base de T' est fixe par la tension de dchet de la diode constitue
par T. Le courant qui traverse T' reste constant dans une large gamme de
tempratures car T et T' peuvent tre identiques et, de plus, tant trs voisins l'un
de l'autre, ils seront soumis aux mmes drives. Un autre exemple est indiqu
dans la figure 8 mais d'autres systmes de polarisation , dits valeur optimale, donc
plus labors, existent et sont trs employs.

44
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION

VCC
R2

R1

R4

T
R3

V
R1
, on a s = CC
2
2
Pour polariser T au milieu de la droite de
charge, on fixe des rapports de rsistances.
Avec R3=R2 et si R4 =

Figure 8

IX. CONCLUSION
L'apparition des circuits intgrs a rvolutionn l'lectronique et, par voie de
consquence, toute la technique actuelle. Les recherches restent soutenues en suivant
principalement trois directions4:
- Une premire qui vise la ralisation de circuits ultra-rapides et qui a conduit
l'utilisation d'un matriau autre que le Silicium, l'Arseniure de Gallium car les
lectrons possdent dans ce cas une mobilit 4 6 fois plus leve.
- Une seconde qui tente la ralisation volumique de circuits: les circuits seraient
empils les uns sur les autres dans une pastille unique mais le problme des
interconnexions verticales est assez ardu, en plus des problmes thermiques ( car
n'oublions pas que tous les lments en fonctionnement s'chauffent)
- Une troisime, assez curieuse, est la biologie: l'ide est de raliser des lments
bistables partir de molcules organiques. On espre ainsi diviser par 100 les
dimensions et les cots sans affronter les problmes d'chauffement des
composants. Plusieurs laboratoires dans le monde s'intressent cet axe. Sans
prjuger de l'aboutissement de ces recherches, il semble bien que la quasi-totalit
des circuits lectroniques soient dans l'avenir raliss par intgration. Dores et
dj, la majorit des grands utilisateurs de l'lectronique font appel l'ASIC
(Application Specific Integrated Circuit ou circuit intgr spcifique une
application), qui est une technologie qui permet de raliser la demande n'importe
quel circuit, mme en VLSI et sans pour cela prvoir ncessairement une grande
srie .
Nous assistons donc bien une vritable rvolution et il faudra bien, dfaut
d'tre acteur, tre spectateur attentif.

Note de 2005 : Une quipe de scientifiques spcialiss en information quantique et en nanofabrication, pilote par
les Drs Pawel Hawrylak et Andy Sachrajda, est parvenue fabriquer le prototype d'un semi-conducteur un spin partir
d'un point quantique. Il s'agit d'une ralisation majeure, car l'lectronique, science qui repose sur la charge des lectrons, a
presque atteint sa limite technologique. C'est pourquoi les chercheurs du monde entier essaient d'exploiter les proprits
quantiques de l'lectron, en l'occurrence son spin. Le prototype mis au point au CNRC illustre comment pourrait fonctionner
un transistor un spin.Le nouveau semi-conducteur fait appel la science quantique. Le point quantique est un atome
artificiel. Ces points se comportent comme un quantum, dont on peut prvoir et modifier la charge. En reliant les points
quantiques un rservoir au spin polaris par des galleries d'exploration latrales, les chercheurs s'assurent que les
lectrons qui entrent dans le rservoir ou en sortent ont leur spin align vers le haut ou le bas, si bien que le point quantique
se retrouve sous basse ou haute tension. En contrlant la charge et le spin de l'lectron, on paverait la voie une forme
transistorise du calcul quantique, o l'unit de manipulation quantique, ou qubit, consisterait en un tat de spin prcis. (voir
la suite sur le site http://www.nrc-cnrc.gc.ca/highlights/spintronic_f.html)
45
M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale

2 Partie: L'AMPLIFICATION