Caractristiques IB constant

Si, pour diffrentes valeurs du courant IB (fix par Eb et RB) on reprsente

les variations du courant IC et de la tension VBE en fonction de VCE, on obtient
les deux rseaux de caractristiques.
Les variations de VCE entranent les variations de Ic et de VBE.
Interprtation:
Pour un courant IB donn, le courant Ic est trs variable et croissant tant que
la tension VCE est infrieure une centaine de millivolts (0,3 0,4V). Au-del
de cette tension, IC varie peu : IC est pratiquement constant.
_ Pour IB > 0 et VCE suprieure une centaine de mV:
VBE = Cte (VBE= 0,6 0,7 V pour le silicium). On dit que la jonction B-E
est polarise en directe.
Pour une valeur fixe de IB, Ic est pratiquement constant et indpendant de
VCE:
= cste = b
I
Ic
B
On est dans la zone de fonctionnement linaire.
_ Pour VCE trs faible (VCE infrieure une centaine de mV):
On remarque que Ic < b.IB, pour une valeur donne de IB.
La jonction B-E est polarise en directe.
On est dans la zone de saturation.
_ Pour IB = 0, Ic = 0
VBE < 0,7 V La jonction B-E est bloque.
On est dans la zone de blocage.
Caractristiques VCE constante
La tension VCE tant constante, nous donnons IB (pris comme variable) une
suite de valeurs pour lesquelles nous relevons Ic et VBE. On obtient les deux
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rseaux de caractristiques dont l'allure est reprsente dans les
deuximes et troisimes quadrants de la figure 1.

_ La tension VCE influe peu sur la caractristique VBE = f(IB).

_ Les caractristiques IC = f(IB) sont des droites passant pratiquement par
l'origine. On retrouve bien la relation IC = b.IB caractristique du
fonctionnement linaire.
II.3 Relations fondamentales (rsum)
_ En fonctionnement linaire:
Le transistor est alors, le plus souvent, utilis dans un montage
amplificateur.
IC = b.IB avec b =
a
1-a = gain en courant en metteur commun
( a varie entre 0,99 et 0,995 donc b est de l'ordre de 100)
IE = IC + IB = IC + IC/b = IC (1 + 1/b) IC
VBE = 0,6 0,7 V (silicium)

_ Zone de saturation:
IC < b.IB
VCE = VCEsat
VCEsat est de lordre de 0,3 0,4V.
En pratique, on prendra donc VCEsat 0V.
VBE = 0,6 0,7 V (silicium)
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_ Zone de blocage: