Troisime anne CSA CSA 5 C COSP

LES DIODES RAPIDES EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

Jol REDOUTEY

LES DIODES RAPIDES EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

La plupart des circuits de conversion dnergie utiliss en lectronique de puissance font appel une ou plusieurs diodes. Dans les utilisations basse frquence, il nest gnralement pas ncessaire demployer des diodes rapides. Par contre dans les circuits moyenne ou haute frquence et dans la majorit des circuits transistoriss, lutilisation de diodes rapides est imprative. 1 - QUELQUES RAPPELS CONCERNANT LES DIODES. Un redresseur moderne est constitu dune jonction PN, ralise dans un matriau silicium. Cette jonction est monte dans un botier capable dune part dassurer la liaison lectrique avec le circuit extrieur, et dautre part, dvacuer les calories gnres dans le cristal. On peut raliser ainsi des diodes pouvant admettre des courants de quelques centaines de milliampres plusieurs centaines dampres et capables de bloquer des tensions jusqu quelques milliers de volts. Une diode de puissance est caractrise au premier ordre par la tension inverse quelle peut supporter en rgime rptitif VRRM et par sa chute de tension ltat passant VF. 1.1 TENSION INVERSE MAXIMALE Lorsquune diode est polarise en inverse, il stablit dans le matriau, un champ lectrique dont la valeur est maximale la jonction. Si lon augmente la tension inverse, le champ augmente et lorsquil atteint la valeur critique il se produit un effet davalanche qui peut conduire la destruction du composant. Le constructeur spcifie donc la tension dutilisation maximale VRRM une valeur infrieure la tension davalanche (fig.1). Lutilisateur devra veiller ce que la tension inverse applique la diode dans le circuit ne dpasse jamais la valeur spcifie.

Figure 1 - Caractristique tension - courant dune diode

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1.2 CHUTE DE TENSION DIRECTE

A ltat passant, la chute de tension dans une diode est due deux facteurs : la hauteur de la barrire de potentiel la somme des rsistances daccs la jonction

Le constructeur donne dans la notice une courbe dvolution de la chute de tension directe VF en fonction du courant dans la diode. Cette courbe donne une bonne prcision sur la chute de tension directe mais nest pas trs commode demploi pour le calcul des pertes de conduction. Pour cette raison, on prfre utiliser dans ce cas un schma quivalent de la diode constitu dune force contre lectromotrice Eo en srie avec une rsistance Ro (Fig.2). Dans ces conditions on peut crire: VF = Eo + RoIF ce qui permet une dtermination aise de la puissance dissipe dans la diode. Pd = Eo I F(AV) + Ro I F(RMS)2 I F(AV) = valeur moyenne du courant dans la diode. I F(RMS) = valeur efficace du courant dans la diode. Les paramtres Eo et Ro sont donns temprature de jonction leve (en gnral TJ =100C) de manire se rapprocher le plus possible des conditions dutilisation relles. On sait que les semiconducteurs sont trs sensibles la temprature. Le paramtre Eo prsente un coefficient de temprature ngatif alors que celui de Ro est positif. Compte tenu de limportance relative des deux termes, le coefficient de temprature de la chute de tension directe VF est ngatif. Ce rsultat est important pour la stabilit thermique des diodes dans les circuits (risque demballement thermique, mise en parallle dlicate...)

Figure 2 - Modlisation de la caractristique directe d'une diode

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2 - COMPORTEMENT DYNAMIQUE DES DIODES Dans la majorit des applications les diodes sont utilises en redressement ou en commutation, cest dire quelles sont alternativement rendues conductrices ou bloques. Il est donc important de connatre le comportement dune diode lors de ltablissement du courant (passage de ltat bloqu ltat conducteur) et du blocage (passage de ltat conducteur ltat bloqu). 2.1 COMMUTATION A LETABLISSEMENT DU COURANT. Lorsquon tablit un courant travers une diode initialement bloque, sa chute de tension natteint pas immdiatement sa valeur statique VF, mais passe par une valeur transitoire notablement plus leve (fig. 3). Ce phnomne, que l'on nomme recouvrement direct, peut au premier ordre, tre assimil un mcanisme daspect rsistif. Durant la priode dtablissement, les concentrations de porteurs minoritaires injects dans la zone centrale croissent. La rsistance apparente de cette zone, trs leve au dbut de la phase dtablissement dcrot donc avec le temps jusqu rejoindre la valeur statique. Il en rsulte la forme de la chute de tension directe indique sur le fig. 3.

Figure 3 Commutation l'tablissement d'une diode Type BAX12 BYW 100 BYV88 BA 159 1N 4007
tension davalanche VFP

120V 200 V 1250V 1500 V > 1600 V

1,4V 1,5V
26V

Tfr 8 ns

l2ns
200 ns

38 V 42 V

400 ns 640 ns

Quelques ordres de grandeur de VFP et tfr pour diffrentes diodes. (Conditions de mesures : IF = 0,5A dIF/dt = 50A/S E = 50V)

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Le recouvrement direct peut tre caractris laide de deux paramtres : lamplitude VFP de la surtension aux bornes de la diode. la dure tfr du phnomne.

Ces paramtres sont trs dpendants des conditions extrieures. Ainsi, lamplitude VFP dpend essentiellement de la vitesse de variation du courant dIF/dt et de lamplitude de la source de tension qui gnre le courant (fig. 4). Lorsque la tension E du gnrateur est faible (infrieure 10 V) le VFP peut atteindre une valeur voisine de E et la vitesse de monte du courant dIF/dt est alors impose par la diode. Cest le cas le plus dfavorable. Si par contre la tension E est grande, cest le circuit qui impose le dIF/dt. Lamplitude VFP peut atteindre une valeur leve (plusieurs dizaines de volts) mais le phnomne est de plus courte dure.

Figure 4 Circuit permettant de mettre en vidence le phnomne de recouvrement direct (commutation ltablissement du courant). La commutation a ltablissement est assez peu sensible lamplitude du courant mais volue relativement vite avec la temprature (augmentation de lordre de 50 % de tfr et VFP pour une augmentation de l00C de la temprature de jonction). La surtension VFP est principalement lie lpaisseur de la zone centrale de la diode. De ce fait, les diodes haute tension (qui possdent une zone centrale paisse de manire pouvoir loger la charge despace) prsentent un VFP plus lev que les diodes basse tension. Pour des raisons technologiques, les diodes rapides au recouvrement inverse (blocage) possdent une zone centrale mince et de ce fait sont galement rapides ltablissement. 2.2 COMMUTATION AU BLOCAGE Lorsquon applique brusquement une tension inverse aux bornes dune diode en conduction (fig.5), on constate quelle ne se bloque pas instantanment. Il scoule en effet un certain temps avant quelle ne retrouve son pouvoir de blocage, cest le temps de recouvrement inverse trr. Durant la majeure partie de ce temps, la diode peut tre considre comme un court circuit en inverse. Ce phnomne est d la prsence dune certaine quantit de charges emmagasine dans la diode durant la conduction, cette charge appele charge stocke scrit : Q S = IF : dure de vie des porteurs minoritaires IF : courant direct traversant la diode.

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Figure 5 - Circuit permettant de mettre en vidence le phnomne de recouvrement inverse. Pendant la commutation une partie de ces charges disparat spontanment par recombinaison lintrieur du matriau. Lautre partie, appele charge recouvre QR est vacue par le courant inverse circulant dans la diode. Cest celle ci qui produit le courant inverse de recouvrement ainsi que toutes ses consquences. Si la vitesse de variation du courant dIF/dt pendant la commutation est extrmement grande, la recombinaison interne est ngligeable et la charge recouvre est trs voisine de la charge stocke. Le recouvrement inverse peut tre dcompos en deux phases. (fig. 6)

Figure 6 - Allures schmatises du courant et de la tension pendant le recouvrement. Lorsquon ferme linterrupteur K de la fig. 5, le courant direct sannule et il stablit un courant inverse IRR. La vitesse de variation du courant dIF/dt est impose par le commutateur K ou plus gnralement par le circuit extrieur. A linstant to le courant dans la diode change de sens. A linstant tl le courant inverse passe par son maximum IRM. A cet instant la majorit de la charge recouvre a t vacue et la diode commence retrouver son pouvoir de blocage. Pendant cette premire phase qui stend de to t1 la charge Q1 a t vacue.

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La charge Q2 est vacue pendant la deuxime phase qui stend de t1 t2. Elle est en gnral faible et se localise dans la partie de la zone centrale qui nest pas occupe par la charge despace. Pendant cette phase la vitesse de remonte du courant de recouvrement dIR/dt ne dpend donc que de la diode et de la tension inverse r-applique. Elle sera dautant plus grande que la charge Q2 sera faible et lamplitude maximale IRM grande. On distinguera deux types de diodes selon lallure de remonte du courant de recouvrement (fig. 7). les diodes remonte brutale (snap off) les diodes remonte progressive (soft recovery)

Figure 7 - Caractristiques compares dune diode remonte brutale (haut) et progressive (bas). Dans les convertisseurs on vitera lutilisation de diodes snap off qui sont gnratrices de parasites difficiles matriser (problmes de CEM). 3 - LES DIODES RAPIDES. On appelle diode rapide, une diode prsentant un phnomne de recouvrement rduit par rapport une diode ordinaire. Autrement dit, une diode rapide est une diode blocage rapide. Cependant pour des raisons technologiques, la plupart des diodes rapides au blocage le sont galement ltablissement. On caractrise la rapidit dune diode laide des paramtres suivants : La charge recouvre QR qui dpend essentiellement de la charge stocke et de la vitesse de dcroissance du courant dIF/dt. Le temps de recouvrement inverse trr qui reprsente la dure du phnomne. Il dpend beaucoup des conditions extrieures. Lamplitude maximale du courant de recouvrement IRM Ces paramtres sont videmment dpendants du circuit dans lequel on les mesure. Le seul paramtre physique indpendant du circuit est la charge stocke qui nous lavons vu sexprime par : Q S = IF C'est sur la dure de vie des porteurs minoritaires que le constructeur va jouer pour raliser des diodes rapides. En effet, en diminuant la dure de vie, on diminue la charge stocke et lon augmente la vitesse de recombinaison. Il en rsulte une forte diminution de la charge recouvre.

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Dans les notices de diodes rapides, les constructeurs spcifient les trois paramtres principaux QR, trr et IRM mais surtout ils donnent des courbes dvolution de ces paramtres en fonction du courant direct IF, de la vitesse de dcroissance dIF/dt et de la temprature. Ces informations permettent un calcul relativement prcis des contraintes subies par la diode et appliques aux autres composants du circuit. Le tableau de la figure 8 donne un ordre de grandeur des paramtres principaux pour des diodes de mme calibre mais de rapidits diffrentes. Type BYW88 BYX66 BYX61 BYT12 BYW81 Catgorie Ordinaire Semi rapide rapide Ultra rapide Ultra rapide VRRM (V) 1200 1000 600 400 200 diF/dt = 60A/s IRM (A) Trr (ns) 34 1200 16 450 10 1 1 250 50 50 diF/dt =150A/s QR (C) IRM (A) Trr (ns) 14,4 48 600 4 25 320 1,4 0,045 0,04 16 2,6 2 180 35 35

QR (C) 20,4 3,6 1,3 0,025 0,025

Figure 8 - Tableau comparatif de la rapidit de quelques diodes de mme calibre en courant mais de technologies diffrentes. Conditions de mesure: IF = 10A VR = 100V Tj = 25C 4 - COMPORTEMENT DES DIODES RAPIDES DANS LES CIRCUITS Selon la fonction remplie dans un circuit et donc selon lenvironnement, une diode rapide peut avoir un comportement diffrent. Dans la pratique on doit considrer deux applications importantes : Les applications de type redressement. Les applications de type roue libre. Ces deux cas sont assez diffrents et selon quil sagit de lun ou de lautre type, les critres de choix de la diode la mieux adapte, ne sont pas les mmes. 4.1 LES DIODES RAPIDES UTILISEES EN REDRESSEMENT Cest le cas gnral des diodes de sortie des alimentations dcoupage. Le fonctionnement de la diode dans ce cas peut se ramener celui du schma quivalent de la fig. 9.

Figure 9 - Schma quivalent dun circuit de type redresseur. Ce circuit se caractrise par la prsence dune inductance L en srie avec la diode. Lorsquon ferme linterrupteur K, le courant dans la diode dcrot avec une pente dIF/dt =-VR/L impose par linductance en srie avec la diode. Page 8 sur 11

Dans la pratique cette inductance reprsente la somme de linductance de fuite des transformateurs, de linductance parasite du cblage, etc. La premire phase T1 du recouvrement inverse est tout fait classique (fig. 10), le courant de recouvrement inverse augmente et atteint son maximum IRM .La pente dIF/dt du courant sannule et la tension aux bornes de la diode est gale la tension VR de la source. Durant la seconde phase T2, la diode impose la vitesse de remonte dIR/dt. Il en rsulte une surtension V = L dIR/dt qui prend naissance dans linductance L et sajoute la tension VR. La diode est alors soumise une tension inverse, VRM =VR + V qui dans certains cas peut dpasser la tension maximale VRRM de la diode et mme atteindre la tension davalanche. On devra donc veiller nutiliser dans ce type de circuit que des diodes rapides recouvrement progressif (Soft recovery).

Figure 10 - Formes donde du courant et de la tension dune diode dans un circuit de type redresseur On dmontre que dans ce circuit les pertes de commutation au recouvrement peuvent scrire: PC = QR VR f QR : charge recouvre. VR : tension inverse r-applique. f : frquence de commutation. En rsum, lorsquune diode rapide doit tre utilise dans une fonction de redressement, les critres principaux du choix de la rapidit sont : Une rapidit suffisante pour assurer des pertes faibles (donc une faible charge recouvre QR ) Une remonte progressive du courant de recouvrement (donc un dIR/dt faible).

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4.2 LES DIODES RAPIDES UTILISEES EN ROUE LIBRE Cest le cas des diodes de roue libre dans les hacheurs. Le fonctionnement peut se ramener au circuit quivalent de la fig. 11. Si linterrupteur K est ferm, la diode est bloque et vice versa. Lorsque lon ferme linterrupteur K, le courant qui traversait la diode dcrot avec une vitesse dIF/dt qui est impose par le commutateur. A linstant t0 (fig. 12), le courant sannule dans la diode et le courant circulant dans la charge passe intgralement par le commutateur K. Entre t0 et t2 un courant inverse circule dans la diode jusqu vacuation totale de la charge recouvre QR. A linstant t1 le courant de recouvrement inverse passe par son maximum IRM.

Figure 11 - Schma quivalent dun circuit de type roue libre (hacheur). On remarquera que la tension inverse applique la diode ne dpasse thoriquement pas la tension de la source. (En ralit, il y a toujours une petite surtension due la prsence de linductance du cblage). Les pertes de commutation dans la diode nont lieu que durant la remonte du courant de recouvrement et lon a : PC = Q2 VR f Q2 : charge recouvre pendant la remonte du courant de recouvrement. VR : tension de la source dalimentation. f : frquence de dcoupage. En gnral, Q2 est faible devant Q1 et si la diode est suffisamment rapide, ses pertes de commutation sont ngligeables dans ce cas. Il est important de noter que lintgralit du courant de recouvrement traverse linterrupteur K et la source, ce qui a deux consquences immdiates : une surcharge en courant de linterrupteur la commutation la fermeture. une baisse de rendement de lquipement puisquune certaine puissance supplmentaire est perdue.

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Figure 12 - Formes donde des courants et tension de la diode et de l'interrupteur dans le circuit hacheur de la figure 11. En rsum, lorsquune diode rapide est utilise en roue libre, le principal critre de choix est la rapidit. On devra slectionner la diode la plus rapide compatible avec les autres paramtres du circuit. 5 - CONCLUSION. On attache souvent peu dimportance au choix des diodes dans les circuits. Cest un tort, car un mauvais choix de diode peut avoir des consquences dsastreuses: surcharge de composants, mauvais rendement, fonctionnement perturb... Les phnomnes qui apparaissent ltablissement du courant sont souvent mal connus. En particulier, lorsquune diode est mise en conduction partir dune source basse tension, sa rponse est telle que bien souvent c'est la diode elle mme qui impose la vitesse de monte du courant. Ceci explique par exemple, pourquoi on doit toujours utiliser des diodes rapides ltablissement dans les commandes de base des transistors de puissance bipolaires. Au blocage, le phnomne de recouvrement inverse peut avoir des consquences graves dans certains circuits. Par exemple, dans les hacheurs transistor, si la diode de roue libre nest pas suffisamment rapide, le transistor est fortement surcharg la commutation la fermeture. Autre exemple, dans une alimentation dcoupage de type Forward, si lon nutilise pas une diode recouvrement progressif en redressement secondaire, on risque de gnrer des surtensions et des parasites difficiles filtrer, sans compter une possible dgradation de la diode si la surtension gnre dans linductance de fuite du transformateur atteint la tension davalanche. Ces quelques exemples montrent limportance du choix de la diode rapide adapte chaque fonction.

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