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1
MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
1

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Rsum
lre du dveloppement durable, la technologie photovoltaque a montr son potentiel signicatif
comme source dnergie renouvelable. Cette thse est centre sur lamlioration des performances et
du rendement dun systme photovoltaque travers lutilisation dun algorithme appropri pour la
commande de linterface de puissance. Lobjectif principal est de trouver un algorithme ou une loi
de commande ecace et optimale permettant dextraire le maximum de puissance disponible partir
du gnrateur photovoltaque (GPV). Ajoutons cel, ltude, la conception et la ralisation dune
unit regroupant un algorithme MPPT et la gestion de lnergie transmise la charge (batterie). Les
points essentiels traits dans cette tude sont : la modlisation dun systme photovoltaque, ltude
topologique de linterface de puissance, ltude dun algorithme de poursuite du point de puissance
maximale, la simulation dun convertisseur MPPT, la rgulation de la tension photovoltaque et enn
la conception et la ralisation dun convertisseur MPPT.
Dans cette investigation, lalgorithme Perturbation et Observation permettant la poursuite du
point de puissance maximale est amlior et le problme des maxima locaux dans la courbe de puissance du GPV survenant lors dun ombrage partiel du gnrateur est trait. Lamlioration principale
de lalgorithme permet dviter une mauvaise interprtation sur la localisation du MPP lors dun changement rapide des conditions climatiques. Les rsultats de la simulation montrent que lalgorithme
MPPT propos permet damliorer le rendement du systme photovoltaque de manire signicative.
Dans les systmes dalimentation photovoltaque, le GPV et le convertisseur commutation prsentent
des caractristiques non linaires et temps variants rendant le problme de la commande dicile. La
linarisation des modles mathmatiques permet de se ramener un problme de commande simple.
Deux approches de commande direntes sont utilises pour la rgulation de la tension photovoltaque.
La premire fait appel un rgulateur PID classique muni dune action anti-windup et la deuxime
est la commande par mode glissant CMG. Lapplication direct de la CMG pour la poursuite du MPP
sans faire appel un algorithme montre son ecacit. Finalement, la conception et la ralisation
dun convertisseur MPPT base dun microcontrleur visant une gestion nergtique optimale sont
dcrites.

Abstract
In the era of sustainable development, photovoltaic (PV) technology has shown signicant potential
as a renewable energy source. This thesis focuses on improving performance and eciency of a PV
system through the use of an appropriate algorithm for controlling the power interface. The main
objective is to nd an eective and optimal algorithm or control law for extracting the maximum
available power from the PV generator. Add to this, the study, design and implementation of a unit
composed of a MPPT algorithm and the management of the energy transmitted to the load (battery).
The main points addressed in this study are : the modeling of a PV system, the topological study of
the power interface, the study of maximum power point tracking (MPPT) algorithms, the simulation
of a MPPT converter, the PV voltage regulation and the design and implementation of a MPPT
converter.
In this investigation, the Perturb and Observe (P&O) MPPT algorithm is improved and the
problem of local maxima in the power curve of the PV generator occurring during partial shading
is processed. The main improvement of the algorithm avoids a misinterpretation of the location of
the MPP under rapidly changing climatic conditions. The simulation results show that the proposed
MPPT algorithm improves the performances and eciency of a PV system signicantly. In PV power
systems, the PV generator and the switch-mode power converter characteristics are nonlinear and time
variant making a dicult control problem. The linearization of the mathematical models allows to
boil down to a simple control problem. Two dierent control approaches are used to regulate the PV
voltage. The rst one uses a conventional PID controller with an anti-windup action and the second
one is the sliding mode control (SMC). The direct application of the SMC for the MPPT without
recourse to an algorithm shows its eciency. Finally, the design and implementation of a MPPT
converter based on a microcontroller for an optimal energy management are described.

ii

Table des matires


Table des matires

iii

Nomenclature

iv

Liste des Abrviations

vi

Introduction gnrale
0.1 Gnralits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.2 Motivation de la recherche et objectif du projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3 Prsentation du mmoire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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1 Lnergie Solaire et les Systmes Photovoltaques


1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2 Caractristiques du Rayonnement Solaire . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3 Les Dirents Types de Systmes Photovoltaques . . . . . . . . . . .
1.3.1 Alimentations lectriques faibles puissances . . . . . . . . . . .
1.3.2 Installations lectriques photovoltaques autonomes . . . . . . .
1.3.3 Installations ou centrales lectriques photovoltaques raccordes
1.3.4 Installations ou centrale lectriques photovoltaques hybride . .
1.4 Avantages et Inconvnients de lnergie Photovoltaque . . . . . . . .
1.5 Le Potentiel Solaire en Algrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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2 La Cellule Photovoltaque
2.1 Dnition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2 Historique et tat Actuel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3 Rappel sur les Proprits des Semi-Conducteurs . . . . . . . . .
2.3.1 Dopage du silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.2 Jonction P-N . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.4 Principe de Fonctionnement de la Cellule Photovoltaque . . .
2.5 Rendement Photovoltaque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6 Les Dirents Types de Cellules Photovoltaques . . . . . . . .
2.7 Description Thorique et Modlisation de la Cellule PV . . . .
2.7.1 Cellule PV idale - Modle simple . . . . . . . . . . . .
2.7.2 Cellule PV relle - Modle prcis . . . . . . . . . . . . .
2.8 Eets des Variations Climatiques sur la Cellule Photovoltaque
2.8.1 Variations de lnergie incidente . . . . . . . . . . . . . .
2.8.2 Variations de la temprature . . . . . . . . . . . . . . .
2.9 Simulation de la Cellule Photovoltaque . . . . . . . . . . . . .
2.10 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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3 Le Gnrateur Photovoltaque
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 Groupement de Cellules Photovoltaques . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.1 Groupement en srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.2 Groupement en parallle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.3 Groupement mixte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3 Caractrisation et Modlisation dun GPV . . . . . . . . . . . . . .
3.3.1 Caractristiques lectriques . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.2 Rendement dun GPV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.3 Modlisation dun GPV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3.4 Caractristique I/V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.4 Les Principes de Conversion dans les Systmes PV . . . . . . . . .
3.4.1 Couplage direct dun Gnrateur PV et une charge rsistive
3.4.2 Etage dadaptation entre un Gnrateur PV et une charge .
3.4.3 Convertisseur DC/DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.5 Simulation dun GPV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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4 Lunit de stockage
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Principe de Fonctionnement . . . . . . . . . . .
4.3 Caractristiques Techniques dune Batterie . .
4.4 Modlisation dune Batterie . . . . . . . . . . .
4.5 Exigences sur les Batteries Solaires . . . . . . .
4.6 Couplage Direct entre un GPV et une Batterie
4.7 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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5 Le Convertisseur MPPT
5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2 Principe de la Recherche du MPP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3 Etude du Fonctionnement du Convertisseur Statique (CS) . . . . . . . . .
5.3.1 Convertisseur dvolteur (Buck converter) . . . . . . . . . . . . . .
5.3.2 Rendement du convertisseur statique . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4 Simulation du Convertisseur Statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5 Classication des Commandes MPPT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.1 Classication des commandes MPPT selon le type de recherche . .
5.5.2 Classication des commandes MPPT selon les paramtres dentre
5.6 Critres de Qualit dune Commande MPPT . . . . . . . . . . . . . . . .
5.7 Rendements de la Chaine de Puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8 Les Algorithmes MPPT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.1 Algorithme de la tension constante (CV, Constant Voltage) . . . .
5.8.2 Algorithme du Courant constant (Constant Current) . . . . . . . .
5.8.3 Algorithme MPPT bas sur le modle . . . . . . . . . . . . . . . .
5.8.4 Algorithme Perturbation et Observation (P&O) . . . . . . . . . . .
5.8.5 Algorithme de lIncrmentation de la Conductance (IncCond) . . .
5.8.6 Autres mthodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.9 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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6 Simulation du Convertisseur MPPT


6.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.2 La boite Outils SimPowerSystems . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.3 Simulation de lAlgorithme Perturbation et Observation (P&O)
6.3.1 Fonctionnement sous des conditions climatiques stables
6.3.2 Performance sous un niveau de rayonnement variant . .
6.3.3 Performance sous un niveau de temprature variant . .
6.3.4 Performance lors de la variation de la charge . . . . . .
6.3.5 Performance lors dun ombrage partiel sur le GPV . . .
6.4 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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7 Etude de la Stabilit et de la Robustesse


7.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.2 Approximation Linaire des Caractristiques du GPV
7.3 Linarisation du Modle du Systme . . . . . . . . . .
7.3.1 Cas du convertisseur Buck . . . . . . . . . . . .
7.4 Analyses du Modle . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.4.1 Convertisseur Buck . . . . . . . . . . . . . . . .
7.5 Synthse du Rgulateur pour le Convertisseur Buck . .
7.5.1 Synthse dun rgulateur de type PID . . . . .
7.5.2 Synthse dune Commande par Mode Glissant
7.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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8 Conception et Ralisation dun Convertisseur MPPT


8.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2 Mthodologie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3 Conception dun Convertisseur MPPT . . . . . . . . . . .
8.3.1 Conception du convertisseur statique de type Buck
8.3.2 Conception de lunit de commande . . . . . . . .
8.3.3 Conception de lunit de mesure . . . . . . . . . .
8.4 Implementation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.4.1 Choix des composants . . . . . . . . . . . . . . . .
8.4.2 Prsentation du prototype . . . . . . . . . . . . . .
8.4.3 Programme de Commande . . . . . . . . . . . . .
8.5 Rgulation de la Tension Photovoltaque . . . . . . . . . .
8.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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135
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141
145
146

Conclusion Gnrale
8.7 Sommaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.9 Dicults et Perspectives : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

147
147
148
149

Bibliographie

149

Bibliographie

150

A Convertisseur Analogique Numrique


A.1 Squence de numrisation . . . . . . .
A.1.1 Temps dacquisition . . . . . .
A.1.2 Temps de conversion . . . . . .
A.2 Rsolution du CAN . . . . . . . . . . .

155
155
156
157
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B Module CCP en Mode PWM


158
B.1 Priode du PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
B.2 Rapport cyclique du PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
B.3 Gnration du signal PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159

vi

Nomenclature
Aef f
deq
fc
fs
FF
G
Gci
Gnom
G0
I
Ibat
Icell
ID
IL;moy
Iload
IM P P
Iph
Is
Isc
k
K
kaw
kp
k0
M'
n
P
Pin
Pmax
PM P P
Psol
q
Rload
Rout
Rp
rpv
Rs
R0
Sm
T
TC

Surface eective du panneau PV


Contrle quivalent
Frquence de coupure
Frquence de commutation
Facteur de Forme
Eclairement
Conductance instantane
Eclairement nominal
Eclairement pour les STC
Courant
Courant de la batterie
Courant dlivr par la cellule
Courant diode
Courant moyen passant traver linductance
Courant travers la charge
Courant au MPP
Photo courant
Courant de saturation
Courant de court circuit
Constante de Boltzmann
Gain
Coecient de compensation anti-windup
Gain de laction proportionnelle
Coecient de temprature de Iph
Marge de phase
Facteur didalit de la jonction
Puissance
Puissance fournie par le Soleil
Puissance maximale
Puissance au MPP
Puissance du rayonnement solaire
Charge lectrique lmentaire
Rsistance de la charge
Charge quivalente en sortie
Rsistance parallle
Rsistance dynamique
Rsistance srie
Rsistance interne de la batterie
Surface du module
Temprature
Temprature de fonctionnement de la cellule

vii

Ta
Ta;nom
Td
Ti
TN OCT
tof f
ton
ts;5%
Ts
T0
V
Vbat
Vcell
Vg
Vload
VM P P
Voc
Vth
1Gci
1iL
1M
1Q
1

 conv
M P P T
P V
 T otal



Temprature ambiante nominale


Temprature ambiante nominale
Constante de temps de laction drive
Constante de temps de laction intgrale
Temprature sous les conditions nominales
Temps ltat bloqu
Temps ltat passant
Temps dtablissement
Priode dchantillonnage
Temprature STC
Tension
Tension aux bornes de la batterie
Tension aux bornes de la cellule
Energie du band gap
Tension aux bornes de la charge
Tension au MPP
Tension de circuit ouvert
Tension thermique
Incrmentation de la conductance
Augmentation du courant iL
Marge de module
Charge emmagasine
Marge de retard
Rendement
Rendement du convertisseur
Rendement MPPT
Rendement maximum de la conversion
Rendement total de la chane de conversion
facteur damortissement
Retard

viii

Liste des Abrviations


AM
BO
BF
CAN
CMG
CMGD
CS
CV
DC/DC
GPV
IncCond
MIPS
MOSFET
MPP
MCC
MCD
NCC
NOCT
P&O
PI
PID
PF
PV
PWM
SSV
STC

Air Mass
Boucle Ouverte
Boucle Ferme
Convertisseur Analogique Numrique
Commande par Mode Glissant
Commande par Mode Glissant temps Discret
Convertisseur Statique
Constant Voltage (Tension Constante)
Continue/Continue
Gnrateur Photovoltaque
Incremental Conductance
(Conductance Incrmentale)
Million dInstruction Par Seconde
Mtal Oxide Silicon Field Eect Transistor
Maximum Power Point
Mode de Conduction Continue
Mode de Conduction Discontinue
Nouvelle Condition de Contrle
Nominal Operating Cell Temperature
Perturbation et Observation
Proportionnel Integral
Proportionnel Integral Drive
Point de Fonctionnement
Photovoltaque
Pulse Wilde Modulation
(Modulation Largeur dImpulsion)
Systmes Structure Variable
Standard Test Conditions
(Conditions de Test Standard)

ix

Introduction gnrale
0.1

Gnralits

Ces dernires dcennies, notre plante a connu un accroissement du tau dmission des gaz eet
de serre qui a t le rsultat de lavancement considrable de la technologie et de lindustrie. Ceci a eu
comme consquence nfaste, un bouleversement climatique et des catastrophes naturelles notables. Le
recours au dveloppement des nergies non polluantes est alors apparu comme lultime solution face
ce problme.
lre du dveloppement durable, lnergie photovoltaque connat une progression rapide en
raison de son potentiel signicatif comme source dnergie renouvelable. En eet, plus de 22 GW ont t
produite en 2010 contre 0.4 GW en 1998, soit une augmentation de 5500% selon lAgence Internationale
de lnergie (AIE). Cependant, le rendement de la conversion photovoltaque reste relativement faible.
Ceci prsuppose lutilisation et la mise en oeuvre de techniques permettant doptimiser le prot de
cette technologie en tirant le maximum de la puissance pouvant tre produite.
Les panneaux solaires ou photovoltaques sont llment de base de tout systme photovoltaque.
Ils sont constitus de cellules photosensibles relies entre elles. Chaque cellule convertit les rayons
provenant du Soleil en lectricit grce leet photovoltaque. Les panneaux photovoltaques ont
une caractristique lectrique spcique qui est donne par le fabricant sous forme de courbes. Ces
courbes reprsentent gnralement lvolution du courant et de la puissance par rapport la tension
du panneau. La caractristique lectrique du panneau est de nature non linaire et possde un point
particulier appel Point de Puissance Maximale (en anglais "Maximum Power Point" MPP). Ce
point est le point de fonctionnement optimal pour lequel le panneau opre sa puissance maximale.
Lnergie photovoltaque dpend fortement des conditions climatiques et de la localisation du site, ce
qui rend la position du MPP variable dans le temps et donc dicile situer.
Dans la plupart des systmes de production dnergie photovoltaque, on trouve une technique ou
un algorithme particulier nomm Maximum Power Point Tracking (MPPT) qui se traduit par,
poursuite du point de puissance maximale. Cette technique, comme son nom lindique, traque le MPP
dans le temps et permet de la sorte de tirer le maximum de puissance que le panneau est apte fournir.
Le MPPT vise amliorer et optimiser lexploitation des systmes photovoltaques. Il permet de
faire un gain qui peut atteindre 25% do son importance. Techniquement, le MPPT fait appel une
interface entre le panneau et la charge qui est gnralement un dispositif de conversion de puissance.
Lnergie solaire ntant pas disponible la nuit, il est ncessaire dquiper les systmes photovoltaques autonomes par des batteries daccumulateurs qui permettent de stocker lnergie et de la
restituer en temps voulu. Pour les systmes raccords au rseau de distribution lectrique, le stockage
de lnergie et bien videmment pas indispensable. La prsence des batteries exige lutilisation dune
unit ddie la gestion de lnergie. En eet, ces dernires possdent deux tensions critiques (tension
de surcharge et tension de dcharge profonde) qui doivent tre respectes sous pne dusure prmature
ou pire, leur dtrioration.

Lvolution continue de llectronique de puissance, plus particulirement les dispositifs de conversion de la puissance a permis de concevoir de nouveaux schmas plus sophistiqus et moins encombrants
amliorant par la mme occasion leur rendement. Cela a une inuence directe sur le rendement et le
cot global du systme photovoltaque dans son ensemble.

0.2

Motivation de la recherche et objectif du projet

Lobjectif principal de notre travail est de trouver et appliquer un algorithme ou une loi de commande ecace et optimale permettant dextraire le maximum de puissance disponible partir du
gnrateur photovoltaque (GPV). Ajoutons cela ltude et la ralisation dune unit regroupant
lalgorithme MPPT et la gestion de lnergie transmise du panneau photovoltaque la charge (batterie). Cette unit permettra damliorer la commande de linterface de puissance et aussi doptimiser
le transfert de lnergie dans un systme photovoltaque. Concrtement, lunit en question est un
convertisseur DC/DC command par un microcontrleur. Lutilisation des microcontrleurs programmables de plus en plus puissants et ecaces permet de concevoir facilement une telle unit rduisant
lencombrement du dispositif.
On se limitera dans notre investigation aux systmes dalimentations photovoltaques autonomes.
Le prototype sera conu pour un systme constitu dun panneau photovoltaque, dune batterie pour
le stockage dnergie et dune charge supplmentaire (une lampe par exemple). Pour ce systme, le
dveloppement de modles quivalents sera utile pour lanalyse et la simulation. Cette dernire sera
faite sous Matlab/Simulink en faisant appel une bibliothque de composants correspondants un
systme photovoltaque.
Deux tentatives de contribution lamlioration et loptimisation du dispositif seront abordes.
Premirement, lalgorithme choisi, en loccurrence lalgorithme Perturbation et Observation (Perturbe
and Observe, P&O), sera amlior. Deuximement, lapplication de lois de commande avances selon
deux approches direntes sera aborde pour aboutir une robustesse et des performances meilleures.
Ces deux approches sont :
- synthse dune commande dans le domaine frquentiel, reprsente par un rgulateur PID classique muni dune action anti-windup.
- synthse dune commande non linaire dans le domaine temporel, savoir, la Commande par
Mode Glissant (CMG).

0.3

Prsentation du mmoire

Notre thse est constitue de 8 chapitres. Le prsent chapitre donne une perspective gnrale sur
les systmes photovoltaques et dcrit lobjectif envisag ainsi que les contributions apportes.
Le premier chapitre donne des notions sur lnergie solaire et ses caractristiques, lnergie photovoltaque ainsi que les dirents types de systmes photovoltaques existants. Les avantages et les
inconvnients du photovoltaque sont cits et enn le potentiel solaire en Algrie est dcrit.
Le deuxime chapitre prsente la dnition et le principe de fonctionnement de la cellule photovoltaque, son rendement, les dirents types de cellules disponibles, la modlisation mathmatique de
la cellule, leet des variations climatiques et enn la simulation du comportement dune cellule sous
Matlab.
Le troisime chapitre est consacr lanalyse du panneau ou gnrateur photovoltaque (GPV).
Les dirents groupements possibles des cellules sont dcrits ainsi que la modlisation du gnrateur,
le principe de conversion dans les systmes photovoltaques et enn la simulation sous Simulink.
2

Le quatrime chapitre traite lunit de stockage, son principe de fonctionnement, ses caractristiques, sa modlisation, sa dirence avec une batterie classique et son couplage direct dans un systme
photovoltaque.
Le cinquime chapitre aborde la description du convertisseur MPPT qui est un convertisseur de
puissance (DC/DC), le principe de recherche du MPP, ltude du fonctionnement du convertisseur de
puissance, le dimensionnement du convertisseur, la classication des commandes MPPT et nalement
les dirents techniques ou algorithmes MPPT prsents dans la littrature.
Le sixime chapitre est ddi la simulation du convertisseur MPPT sous Simulink. Pour cela, la
bote outil SimPowerSystems intgre Simulink est utilise ainsi que la bibliothque de composants
conus dans les chapitres prcdents..
Le septime chapitre fait ltude de la stabilit et de la robustesse du systme photovoltaque. La
caractristique lectrique du GPV est approxime par un modle linaire. Le modle du convertisseur
de puissance est tabli puis analys. Deux approches pour la commande du convertisseur de puissance
sont tudies visant une rgulation robuste de la tension photovoltaque. La premire approche est
synthtise dans le domaine frquentiel et fait appel un correcteur PID classique muni dune action
anti-windup. La deuxime est de nature non linaire et est synthtise dans le domaine temporel, il
sagit de la Commande par Mode Glissant.
Le huitime chapitre expose les direntes tapes et la mthodologie suivie pour la conception
et la ralisation du convertisseur MPPT. Le choix des dirents composants ainsi que le langage de
programmation du microcontrleur sont justis et lorganigramme du programme global est exhib.

Chapitre 1

Lnergie Solaire et les Systmes


Photovoltaques
1.1

Introduction

Le Soleil est une grande sphre forme de gaz extrmement chauds. Il est constitu, par la masse,
de 75% dhydrogne, 23% dhlium et autres (2%). Les atomes dhydrogne sont transforms en hlium
par une raction de fusion thermonuclaire massive. La masse est alors transforme en nergie selon la
fameuse formule dEinstein, E = mc2 . Cette raction maintient la surface du Soleil une temprature
approximative de 5800E K.
Lnergie du Soleil est transmise sous forme de rayonnement dans lespace de manire uniforme
et dans toutes les directions. Lorsque lnergie a voyag 150 millions de kilomtres du Soleil vers la
Terre, sa densit extraterrestre totale diminue 1367 W=m2 . Cette valeur est connue sous le nom de
constante solaire [1][2].

Figure 1.1 : Distance Terre-Soleil


En une heure, la terre reoit susamment dnergie du soleil (1; 2 1 1017 W atts) pour combler ses
besoins pour presque une anne. Ce qui fait du soleil une source dnergie inpuisable. Les panneaux
solaires photovoltaques permettent de proter de cette nergie gratuite en la transformant en nergie
lectrique.

1.2

Caractristiques du Rayonnement Solaire

Lirradiance est la mesure de la densit de puissance de la lumire du soleil, elle est mesure en
W=m2 . Lirradiance est ainsi, une quantit instantane. La constante solaire correspond lirradiance
venant du soleil et reue par la terre au-dessus de latmosphre.
Lirradiation est la mesure de la densit dnergie de la lumire du soleil, elle est mesure en
kW H=m2 . Lirradiation est souvent exprime en heures de puissance crte, qui correspond la
4

dure en heures, un niveau dirradiance constant de 1kW=m2 , ncessaire pour produire lirradiation
quotidienne. Le nombre dheures de puissance crte est obtenu par intgration de lirradiance sur toutes
les heures de clart (gure 1.2). La connaissance de cette valeur permet de quantier rapidement les
possibilits oertes par le gnrateur solaire. Un module de 50W c fournira 150W hH dans un site
correspondant un ensoleillement de 3 heures de puissance crte [4][5][6].
Lirradiance et lirradiation dpendent de lemplacement, des conditions climatiques et de la priode
de lanne. Elles dpendent aussi de lombre des arbres et des btiments qui pourait exister et de
linclinaison de la surface.
Dans le cadre de lutilisation des panneaux photovoltaques, il serait utile de pouvoir dterminer
avec exactitude, la dure dinsolation un endroit particulier en un jour prcis.

Figure 1.2 : Heure de puissance crte

1.3
1.3.1

Les Dirents Types de Systmes Photovoltaques


Alimentations lectriques faibles puissances

Il sagit des alimentations lectriques faibles telles que les calculettes ou les chargeurs de piles.
Des modules photovoltaques (PV) peuvent faire fonctionner nimporte quel appareil aliment par des
piles.

1.3.2

Installations lectriques photovoltaques autonomes

En site isol, le champ photovoltaque (1) (gure 1.3) peut fournir directement lnergie lectrique
ncessaire pour faire fonctionner les rcepteurs (clairage et quipement domestique). Un systme de
rgulation (2) et une batterie (3) daccumulateurs permettent de stocker lnergie lectrique qui sera
ensuite utilis en labsence du Soleil. Les batteries sont utilises pour stocker lnergie lectrique sous
une forme chimique. Elles restituent lnergie lectrique au besoin selon ses caractristiques.
Le rgulateur de charge (2) a pour fonction principale de protger la batterie contre les surcharges
et les dcharges profondes. Il est un lment essentiel pour la dure de vie de la batterie. En site isol,
on peut aussi utiliser des rcepteurs fonctionnant en courant alternatif (6). Dans ce cas, linstallation
comprendra un onduleur (4). On peut citer quelques exemples de systmes autonomes, comme les
balises en mer, les lampadaires urbains, le pompage solaire et les maisons en sites isols.

Figure 1.3 : Schma typique dune installation photovoltaque autonome.


La majorit des populations lcart des rseaux lectriques vit dans des zones rurales, o limplantation de tels rseaux est dicile, pour des raisons daccs ou de moyens. Les systmes photovoltaques
constituent alors une option intressante, ils donnent aux populations un accs llectricit avec un
cot, une maintenance et des dicults de mise en oeuvre rduits.

1.3.3

Installations ou centrales lectriques photovoltaques raccordes au rseau

Un gnrateur photovoltaque connect au rseau na pas besoin de stockage dnergie et limine


donc le maillon le plus problmatique (et le plus cher) dune installation autonome. Cest en fait le
rseau dans son ensemble qui sert de rservoir dnergie.
Deux compteurs dnergie sont ncessaires : un compteur comptabilise lnergie achete au fournisseur dnergie et un autre compteur mesure lnergie renvoye sur le rseau lectrique lorsque la
production dpasse la consommation.
Un troisime compteur est ajout dans le cas o lnergie produite est injecte en intgralit dans
le rseau (compteur de non-consommation).

Figure 1.4 : Installation ou centrale lectrique photovoltaque raccorde au rseau

1.3.4

Installations ou centrale lectriques photovoltaques hybride

Il sagit de systmes qui regroupent des sources dnergie de nature direntes tels une installation
olienne, un gnrateur diesel ou une centrale de cognration en plus du gnrateur photovoltaque.
Ce type dinstallation est utilis lorsque le gnrateur photovoltaque seul ne couvre pas toute lnergie
requise.

1.4

Avantages et Inconvnients de lnergie Photovoltaque

Les principaux avantages de lnergie photovoltaque sont [1][2] :


- Sa gratuit.
- Pas de pollution.
- Sa abilit et la longue vie de linstallation.
- Sa structure xe.
- Son coup de maintenance bas.
- Sa exibilit (dimensionnement selon les besoins, modularit).
- Linstallation ne produit aucun bruit.
- Son potentiel illimit. 5% de la surface des dserts suraient pour alimenter la plante entire
Les inconvnients de lnergie photovoltaque sont :
- Le cot lev de linstallation.
- Le rendement relativement bas de leet photovoltaque.
- La puissance est rduite lorsque les conditions climatiques sont dfavorables (nuages).
- Le stockage de lnergie lectrique sous forme chimique (batterie) est ncessaire pour une installation autonome.
- Mme si llectricit produite par une installation photovoltaque est sans pollution, la fabrication,
linstallation et llimination des panneaux ont un impact sur lenvironnement.

1.5

Le Potentiel Solaire en Algrie

De par sa situation gographique, lAlgrie dispose dun des gisements solaires les plus levs au
monde. La dure dinsolation sur la quasi-totalit du territoire national dpasse les 2000 heures annuellement et peut atteindre les 3900 heures (hauts plateaux et Sahara). Lnergie reue quotidiennement
sur une surface horizontale de 1m2 est de lordre de 5KW h sur la majeure partie du territoire national,
soit prs de 1700KW h=m2 =an au nord et 2263kwh=m2 =an au sud du pays. Au Sahara, ce potentiel
peut constituer un facteur important de dveloppement durable sil est exploit de manire conomique. Le tableau suivant indique le taux densoleillement pour chaque rgion de lAlgrie [7][8][9].

Figure 1.5 : Potentiel solaire en Algrie.


Rgions
Supercie
Dure moyenne densoleillement (Heures=an)
Energie moyenne reue (KW h=m2 =an)

Rgions cotires
4%
2650
1700

Hauts plateaux
10%
3000
1900

Sahara
86%
3500
2650

Ce gisement solaire dpasse les 5 milliards de GWh/an.


Le volet de lnergie solaire le plus utilis dans notre pays est le solaire photovoltaque, les autres
volets solaire, thermique et thermodynamique, restent toujours au stade exprimental. Toutefois, la
complexit des procds de fabrication des modules photovoltaques et les rendements de production
faibles entranent des cots trs levs, ce qui freine son dveloppement.

1.6

Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons vu des notions sur lnergie solaire et ses caractristiques ainsi que
les dirents types de systmes dalimentations photovoltaques existants et enn le potentiel solaire
en Algrie.

Chapitre 2

La Cellule Photovoltaque
2.1

Dnition

Les cellules photovoltaques (photon : grain de lumire et volt : unit de tension) sont des composants lectroniques semiconducteurs (gnralement faites de silicium sous ses direntes formes).
Elles convertissent directement lnergie lumineuse en lectricit courant continu basse tension (eet
photovoltaque). Comme lnergie lumineuse est le soleil, on parle alors de cellules solaires.

2.2

Historique et tat Actuel

Figure 2.1 : Module RTC 3Wc de 1967 (40 cellules de 3cm de diamtre)
En plaant deux lectrodes mtalliques dans un liquide conducteur et en exposant lensemble
au rayonnement solaire, on peut mesurer une faible tension. Cest ainsi que fut dcouvert leet
photovoltaque en 1839 par le physicien franais Antoine BECQUEREL. Ce fut donc la premire fois
que lnergie solaire fut transforme en nergie lectrique. Dans les annes 1880, lamricain Charles
FRITTS mit au point les premires cellules solaires au slnium. Les investigations sur le silicium,
les tentatives pour lisoler, le purier, mettre en oeuvre ses proprits physiques, commencrent avant
1910. Einstein en expliqua les mcanismes en 1912, mais ce nest quentre 1930 et 1945 quun premier
procd industriel de purication par refroidissement progressif du silicium fondu fut mis au point.
En 1954, deux chercheurs des laboratoires amricains Bell, Darryl Chapin et Carl Fuller, annoncrent
au public que des cellules solaires base de silicium avaient t obtenues avec un rendement de 6%.
Bien que ces deux scientiques arrivrent par la suite fabriquer en laboratoire des cellules 15% de
rendement, ils rencontrrent des obstacles conomiques et les laboratoires Bell abandonnrent leurs
eorts de recherche pour diminuer les cots de fabrication [1].
Lnergie photovoltaque eut un regain dintrt dans les annes 1950 lors des premiers lancements
spatiaux de satellites (Vanguard I, 1958). Les crises conomiques des annes 1970 (ambe des prix
du ptrole, 1973) puis les accidents de centrales nuclaires tels ceux de Three Mile Island (USA, 1979)
ou de Tchernobyl (URSS, 1986) renforcrent lintrt envers les nergies renouvelables, en particulier lnergie photovoltaque qui simpose comme une des sources dnergies renouvelables les plus
prometteuses.
9

Deux types de technologie se partagent la quasi-totalit du march mondial : les photopiles couches
minces et les photopiles cristallines avec toujours le silicium comme matriau semi-conducteur. Les
photopiles couches minces utilisent en grande majorit le silicium amorphe hydrogn, les photopiles
cristallines utilisent le silicium monocristallin et polycristallin.
Actuellement, on peut citer quelques-uns des nouveaux axes de recherches dans le domaine de
lnergie photovoltaque tels que :
Lutilisation des nanotubes de carbone pour un meilleur rendement.
Le recours de nouveaux nano-matriaux pour une meilleure absorption des rayons du soleil.
La fabrication de cellules solaire exibles.

2.3

Rappel sur les Proprits des Semi-Conducteurs

Les semi-conducteurs sont des matriaux prsentant une conductivit lectrique intermdiaire entre
les mtaux et les isolants. Les semi-conducteurs sont primordiaux en lectronique, car ils orent la
possibilit de contrler, par divers moyens, aussi bien la quantit de courant lectrique susceptible de
les traverser que la direction que peut prendre ce courant [10].
Dans un semi-conducteur, un courant lectrique est favoris par deux types de porteurs : les
lectrons et les trous.
o La propagation par lintermdiaire dlectrons est similaire celle dun conducteur classique :
des atomes fortement ioniss passent leurs lectrons en excs le long du conducteur dun atome un
autre, depuis une zone ionise ngativement une autre moins ngativement ionise.
o La propagation par lintermdiaire de trous est dirente : ici, les charges lectriques voyagent
dune zone ionise positivement une autre ionise moins positivement par le mouvement dun trou
cr par labsence dun lectron dans une structure lectrique quasi pleine.
Le silicium pur est un semi-conducteur intrinsque. Les proprits dun semi-conducteur peuvent
tre contrles en le dopant avec des impurets. Un semi-conducteur prsentant plus dlectrons que de
trous est alors dit de type N, tandis quun semi-conducteur prsentant plus de trous que dlectrons
est dit de type P.

2.3.1

Dopage du silicium

Les atomes de Si ont quatre lectrons de valence, chacun tant li un atome Si voisin par une
liaison covalente.
Dopage de type N : Si un atome ayant cinq lectrons de valence (le phosphore (P), larsenic (As)
ou lantimoine (Sb)) est incorpor dans le rseau cristallin, alors cet atome prsentera quatre liaisons
covalentes et un lectron libre. Cet lectron faiblement li latome peut tre facilement excit vers la
bande de conduction. Dans ce genre de matriau, le nombre dlectrons dpasse le nombre de trous.
Dopage de type P : Si un atome trivalent (bore (Br)) est substitu un atome de silicium dans
le rseau cristallin, alors il manquera un lectron pour lune des quatre liaisons covalentes des atomes
de silicium adjacents et latome trivalent peut accepter un lectron pour complter cette quatrime
liaison, formant ainsi un trou. Quand le dopage est susant, le nombre de trous dpasse le nombre
dlectrons.

2.3.2

Jonction P-N

La jonction P-N est la base de la plupart des applications des semi-conducteurs. Elle est cre
par la mise en contact dun semi-conducteur de type P et dun semi-conducteur de type N (thoriquement). Dans la zone de contact, les lectrons libres du segment N pntrent dans le segment P
et se recombinent avec les trous. De mme, les trous du segments P pntrent dans le segment N et
10

se recombinent avec les lectrons. Ce phnomne est appel diusion. Il en rsulte, au niveau de la
transition des segments, lapparition dune zone exempte de charges mobiles appele Zone de transition (aussi nome Zone de Charge dEspace ou Zone dpuisement), o seuls demeurent les atomes
dimpurets xes (ions accepteurs dans le segment P, ions donneurs dans le segment N) et les atomes
de semi-conducteur neutres. Les charges constitues par les ions xes sont lorigine dun champ
lectrique E dans la zone de transition, et par la mme dune dirence de potentiel Vo (appele barrire de potentiel) aux bornes de cette zone. Cette zone possde une grande impdance. Le champ
lectrique E tend maintenir les porteurs majoritaires dans leurs rgions respectives et soppose ainsi
la cause qui lui donne naissance, ce qui conduit un tat dquilibre.

Figure 2.2 : Jonction P-N


Cependant, le champ lectrique E ninterdit pas le passage des porteurs minoritaires prsents dans
les segments de type P et N (courant de "saturation" Is ). Ce mouvement est toutefois quilibr par les
porteurs majoritaires qui possdent lnergie ncessaire au franchissement de la barrire de potentiel.

2.4

Principe de Fonctionnement de la Cellule Photovoltaque

Une cellule photovoltaque (PV), aussi appele photopile, est la juxtaposition de deux semiconducteurs, lun dop P et lautre dop N. la jonction des deux couches se forme un champ
lectrique (rsultant du phnomne dcrit prcdemment). Ce champ lectrique existe mme si la
cellule est dans lobscurit. Sous un ensoleillement plus ou moins important, les photons ou grains
de lumire, venant avec une nergie susante entrent en collision avec les atomes du crystal (gure
2.3). Ils parviennent faire passer les lectrons de la bande de valence la bande de conduction du
matriau semi-conducteur, crant ainsi des paires dlectrons-trous. Ceux-ci, sous leet de la barrire
de potentiel, vont saccumuler sur chacune des faces extrieures des zones P et N [1][11].
Ainsi, une dirence de potentiel entre les deux face de la cellule est cre. Les grilles mtalliques
lavant et larrire de la cellule PV collectent les lectrons et les trous qui vont donc fournir un
circuit extrieur le courant lectrique produit [12]. Si le photon est trs nergtique, il ne peut tout de
mme extraire quun seul lectron. Lnergie excdentaire est perdue en chaleur.
La zone N est couverte par une grille mtallique qui sert de cathode, tandis quune plaque mtallique
(contact arrire) recouvre lautre face du cristal et joue le rle danode. Lpaisseur totale du cristal
est de lordre du millimtre.

11

Figure 2.3 : Collision entre un


photon et un atome

2.5

Figure 2.4 : Cellule photovoltaque

Rendement Photovoltaque

Le rendement photovoltaque est un facteur trs important pour les composants photovoltaques,
il se dnie comme tant le taux de conversion dnergie des cellules PV. Le rendement est aussi le
pourcentage de lnergie solaire qui est convertie en lectricit par lintermdiaire dune cellule solaire.
Il caractrise ces composants et dnit leur performance. Le rendement est fonction du type de semiconducteur utilis et est directement li au band gap. Pour le silicium cristallin, le rendement
thorique maximum est de 44 % . Le silicium nest pas le meilleur matriau, son band gap est
de 1.10 eV, celui de larsniure de gallium (GaAs) a un band gap quasi optimal de 1.4 eV. Le
rendement commercial des cellules monocristallines est de lordre de 12 17 % maximum.
Les principales pertes sont dues :
une absorption incomplte des photons,
les photons trs nergtiques voient la part dnergie suprieure perdue en chaleur,
la rexion optique la surface des cellules, cest la raison pour laquelle une couche anti-reet
(SiO2 , Al2 O3 ...) est dpose la surface des cellules,
la collecte des paires dlectrons trous nest pas optimum, certaines paires dlectrons trous se
recombinent avant datteindre la jonction.
la grille en face avant ne favorise pas la transmission optique maximale du rayonnement solaire.
Sa forme gomtrique est cependant trs optimise par les constructeurs. Chez certains la grille
est faite par laser pour en diminuer la surface.
pertes dues la rsistance srie (rsistance de contact des deux grilles)

2.6

Les Dirents Types de Cellules Photovoltaques

Les cellules photovoltaques sont constitues de semi-conducteurs base de silicium (Si), de germanium (Ge), de slnium (Se), de sulfure de cadmium (CdS), de tellurure de cadmium (CdTe) ou
darsniure de gallium (GaAs). Le silicium (gure 2.5) est actuellement le matriau le plus utilis pour
fabriquer les cellules photovoltaques, car il est trs abondant dans la nature. On le trouve dans la
nature sous forme de pierre de silice. La silice est un compos chimique (dioxyde de silicium) et un
minral de formule SiO2 . Il est le principal constituant des roches sdimentaires dtritiques (sables,
grs) [1].
Les dirents types de cellules PV existants sont :
- Cellule en silicium amorphe (rendement : 6 10%)
- Cellule en silicium monocristallin (rendement : 13 17%)
- Cellule en silicium polycristallin (rendement : 11 15%)
12

- Cellule Tandem
- Cellule en matriaux organiques (rendement : 3.6%)

Figure
2.5 :
Silicium
polycristallin

2.7
2.7.1

Figure 2.6 : Types de cellules photovoltaques. (a) silicium


monocristallin, (b) silicium polycristallin, (c) silicium
amorphe

Description Thorique et Modlisation de la Cellule PV


Cellule PV idale - Modle simple

Comme il a dj t mentionn, dans une cellule solaire illumine, il se cre des porteurs de charges
libres. Le nombre de ces porteurs de charge est proportionnel lintensit du rayonnement incident.
Il en est de mme pour le photo courant lintrieur de la cellule. Par consquent, une cellule PV
idale peut tre reprsente par le circuit lectrique quivalent illustr sur la gure 2.7. Ce circuit est
constitu dune diode qui reprsente la jonction P-N de la cellule, et dune source de courant constant
dont lamplitude du courant dpend de lintensit du rayonnement [13]. Une rsistance ajustable est
connecte la cellule en guise de charge. Lutilisation du circuit lectrique quivalent permet de
modliser les caractristiques ou le comportement de la cellule PV [1][2][12][14][15].

Figure 2.7 : Schma du circuit lectrique quivalent dune cellule solaire idale connecte une
charge.
avec :
Iph : photo-courant
ID : courant travers la diode
Iload : courant travers la charge

Vcell : tension aux bornes de la cellule


Icell : courant dlivr par la cellule
Vload : tension aux bornes de la charge

Le modle mathmatique dune cellule PV idale illumine est donn par (Loi de Kircho) :
 qVcell

Icell = Iph 0 ID = Iph 0 Is e nkT 0 1
(2.1)
13

avec :
Icell : courant fourni par la cellule [A]
Vcell : tension aux bornes de la cellule [V ]
q : charge lectrique lmentaire [1:6 1 10019 As]
k : constante de Boltzmann [8:65 1 1005 eV =K = 1:381 1 10023 J=K]
T : temprature absolue de la cellule [K]
Is : courant de saturation de la jonction non claire [A]
n : facteur didalit de la jonction
Le courant de saturation Is caractrise le phnomne de diusion des porteurs minoritaires dans
la zone de dpltion.
Lorsque les bornes du circuit sont court circuit (Rload = 0), la tension de sortie est nulle et, daprs
lquation 2.1, le courant fournit par la cellule est son maximum. Ce courant est appel courant de
court-circuit Isc (short-circuit)
Isc = Iph
(2.2)
Pour une charge inniment grande (circuit ouvert), le courant de sortie est nul et la tension aux
bornes de la cellule est maximale. Cette tension est appele tension de circuit ouvert Voc (opencircuit). A partir de lquation (2.1), on peut crire :




Iph
Iph
nkT
ln
+ 1 = Vth ln
+1
(2.3)
Voc =
q
Is
Is
Vth =

nkT
q

, est appele tension thermique.

Voc est dtermin par les proprits du semi-conducteur, car il dpend de Is qui lui-mme dpend
de la densit de courant de saturation du matriau utilis.
En pratique, la caractristique courant/tension (I = f (V )) de la cellule peut tre construite, point
par point, en utilisant une rsistance ajustable (gure 2.8) [1].

Figure 2.8 : Caractristique I/V dune cellule PV


Il existe un point particulier sur la courbe caractristique (I/V), pour lequel la puissance P = IV
fournie par la cellule est maximale (graphiquement indique par la surface dun rectangle). Ce point
est appel, Point de Puissance Maximum (en anglais Maximum Power Point, MPP). Ce point

14

est situ sur le coude de la courbe caractristique (I/V) (gure 2.9). Les valeurs des coordonnes de
ce point, VM P P et IM P P , peuvent tre estimes laide de Voc et Isc de la manire suivante [1][2] :
0:75 1 Voc  VM P P  0:9 1 Voc

(2.4)

0:85 1 Isc  IM P P  0:95 1 Isc

Figure 2.9 : Courbe de puissance et MPP dune cellule PV


Mathmatiquement, on obtient ce point de la faon suivante :
@P
@(IV )
@I
=
=I +V
=0
@V
@V
@V

(2.5)

F F appel Facteur de Forme, est donn par [1] :


FF =

VM P P 1 IM P P
Voc 1 Isc

(2.6)

il reprsente la mesure de la qualit de la cellule solaire. Ca valeur pour une cellule solaire cristalline
est entre 0.7 et 0.8. Il diminue avec laugmentation de la temprature de la cellule.
La puissance de sortie maximal de la cellule est donne par :
PM P P = VM P P 1 IM P P = Voc 1 Isc 1 F F

(2.7)

PM P P , Isc , Voc sont des paramtres spcis par le fabricant. Ces valeurs sont donnes pour un
ensoleillement, une temprature de fonctionnement et un air masse donn (AM1.5).
Le rendement de la cellule PV est donn par :
=

Voc 1 Isc 1 F F
Pin

(2.8)

avec Pin : puissance fournie par le soleil.

2.7.2

Cellule PV relle - Modle prcis

En ce qui concerne le comportement dune cellule solaire relle, deux rsistances parasites sont
prises en considration pour une description plus exacte [1][12][14][15].

15

Figure 2.10 : Schma du circuit lectrique quivalent dune cellule solaire relle connecte une
charge.
avec :
Rp rsistance parallle caractrisant le courant de fuite la surface de la cellule d la non idalit
de la jonction P-N et des impurets prs de la jonction.
Rs rsistance srie reprsentant les diverses rsistances de contact et la rsistance du semi-conducteur.
En pratique, la rsistance parallle Rp est trs importante (de lordre du mga Ohm) et la rsistance
srie Rs est trs faible (de lordre de quelques milli-ohms).
Avec un tel circuit lectrique quivalent, on peut crire :
VD
Rp

(2.9)

(2.10)

VD = Vcell + Rs Icell

(2.11)


 V +R I
s cell
cell
Icell = Iph 0 Is e(Vcell +Rs Icell )=Vth 0 1 0
Rp

(2.12)

Icell = Iph 0 ID 0


ID = Is e

do :

VD
Vth

01

Leet des rsistances Rs et Rp apparat sur la caractristique (I/V), comme le montrent les gures
suivantes [1][2] :

Figure 2.11 : Caractristique I/V pour direntes


valeures de Rs

16

Figure 2.12 : Caractristique I/V pour


direntes valeures de Rp

De grandes valeurs de Rs rduisent le courant de court circuit Isc , tandis que de petites valeurs de
Rp rduisent la tension de circuit ouvert Voc . La variation de ces rsistance aecte donc le facteur de
forme FF et aussi la puissance de sortie. En ngligeant leet de Rs et Rp , on obtient lquation 2.1.
Il existe un autre modle avec deux diodes en parallle. La deuxime diode reprsente alors le
phnomne de recombinaison des porteurs de charge au niveau de la zone de dpletion. Dans ce cas,
les facteurs didalit des diodes sont gaux 1 et 2 respectivement. Pour le modle avec une seule
diode, le facteur didalit est considr comme un paramtre variable qui prend ses valeurs entre 1 et
2 [12][13][14][16].
Gnralement, leet de la rsistance parallle du circuit lectrique quivalent est nglig, car son
inuence nest prpondrante que pour des niveaux dclairement trs bas. Il en dcoule un circuit
lectrique quivalent simpli comme le montre la gure ci-dessous [1][2][12].

Figure 2.13 : Schma du circuit lectrique quivalent simpli dune cellule PV relle.
Le courant dlivr par la cellule est alors donn par lexpression :


Icell = Iph 0 Is e(Vcell +Rs Icell )=Vth 0 1

(2.13)

et la tension ses bornes est donne par :

Vcell = 0Rs Icell + Vth ln

Iph 0 Icell + Is
Is

(2.14)

Pour une modlisation plus prcise de la cellule PV, linuence du niveau dclairement ainsi que
celle de la temprature doivent tre prises en compte.
En pratique, les paramtres de la cellule sont donns (par le fabricant) dans des conditions de test
standard (STC : Standard Test Conditions) ou nominales comme lindique le tableau suivant [17] :
Conditions Nominales
Eclairement Gnom = 800W=m2
Temprature ambiante Ta;nom = 20E C
Vitesse du vent : 1m=s

Conditions de Test Standard


Eclairement G0 = 1000W=m2
Temprature de la cellule T0 = 25E C

Sous les conditions de test standard, les paramtres mesurs sont :


- le courant de court-circuit Isc;0
- la tension de circuit ouvert Voc;0
- la puissance maximale Pmax;0 .
Sous les conditions nominales, la temprature de la cellule TN OCT (NOCT : Nominal Operating
Cell Temperature) est mentionne sur le catalogue du fabricant.
17

Le photo courant Iph est directement proportionnel lclairement. Si Isc;0 est donne sur le
catalogue en STC, alors le photocourant gnr pour nimporte quel autre valeur de G, est donn par :
Isc;0
1 G = C1 G
G0

Iph jT =
0

(2.15)

Le photo courant dpend aussi de la temprature, son expression est donne par [1][12][13][16] :
Iph = Iph jT 1 (1 + k0 (T 0 T0 ))

(2.16)

Isc jT 0 Isc;0

(2.17)

k0 =

T2 0 T0

avec k0 : coecient de temprature de Iph (habituellement donn par le fabricant sur le datasheet
en pourcentage de changement par degr celsius). T2 = 75E C
La temprature de fonctionnement de la cellule T C dpend de lclairement G et de la temprature
ambiante Ta , selon lquation empirique suivante [1][15][17] :
T C = Ta + C2 G
avec
C2 =

(2.18)

TN OCT 0 Ta;nom
Gnom

(2.19)

Si la temprature TN OCT nest pas connue, la constante C2 est approxime par 0:03E Cm2 =W . (en
pratique C2 varie entre 0.01 et 0.03E Cm2 =W )
La tension de circuit ouvert dpend de la temprature selon lexpression [1][17][19] :
0
1
Voc = Voc;0 + C3 T C 0 T0

(2.20)

o C3 = 02:3mV =E C

Le courant de saturation Is de la diode pour la temprature T0 , est donn par :


Is;0 = 0

Isc;0
V
=Vth;0
oc;0
e

(2.21)

1
01

Le courant de saturation dpend de la temprature. Sa valeur pour une temprature donne est
calcule par lquation suivante [12][13][16][19] :
Is = Is;0 1

T
T0

3

1e

qVg
nk

1
T

0 T1

(2.22)

o Vg est lnergie du band gap.


La rsistance srie Rs a un impact sur la pente de la courbe caractristique prs de la tension de
circuit ouvert Voc . La valeur de Rs est alors donne en valuant la pente dV
dI de la courbe I/V pour
V = Voc [12]. Lexpression de Rs est donne en drivant I et en rarrangeant en fonction de Rs :


I = Iph 0 Is e(V +Rs I)=Vth 0 1
(2.23)
dI = 0 0

Is
(dV + Rs dI) 1 e(V +Rs I)=Vth
Vth
18

(2.24)

C
1
dV CC
0
Rs = 0
dI CVoc;0 XV

(2.25)

XV =

oc;0
Is;0
1 e Vth;0
Vth;0

(2.26)

La rsistance srie peut aussi tre calcule en utilisant lexpression [16] :


Rs = Rs jT0 (1 + k3 (T 0 T0 ))

(2.27)

avec K3 coecient de temprature de la rsistance srie.

2.8
2.8.1

Eets des Variations Climatiques sur la Cellule Photovoltaque


Variations de lnergie incidente

La variation dnergie incidente (ensoleillement) entrane une variation du courant proportionnel


cette dernire et une variation de la tension relativement faible (gure 2.14). Ce phnomne physique
est intressant lors de la recharge de batteries [1].

Figure 2.14 Caractristique I/V pour dirents niveaux


de rayonnement

Figure 2.15 : Variations du courant


de court-circuit et de la tention de
circuit ouvert en fonction de
lirradiance

Le courant de court-circuit est directement proportionnel au rayonnement incident. Par contre, la


tension de circuit ouvert augmente rapidement pour de faibles niveaux dclairement, puis lentement
pour des niveaux plus levs (gure 2.15).

2.8.2

Variations de la temprature

Puisque lnergie du band gap dcroit avec laugmentation de la temprature, plus de photons
ont assez dnergie pour crer des pairs lectrons-trous. Par consquent, le courant de court circuit
augmente lgrement. Isc augmente denviron 0.07% /E K [20].
La tension de circuit ouvert Voc baisse avec la hausse de temprature. Cette baisse est aux alentours
de 0.4% /E K. La puissance chute de 0.5% /E K.

19

Figure 2.16 : Caractristique I/V pour direntes tempratures

2.9

Simulation de la Cellule Photovoltaque

Lutilisation du circuit lectrique quivalente permet de modliser les caractristiques de la cellule PV. Pour simuler le comportement de la cellule PV, nous avons utilis le logiciel MATLAB de
Mathworks.
Le modle que nous avons utilis pour simuler le comportement de la cellule PV est bas sur le
modle lectrique quivalent simpli reprsent sur la gure 2.14 et dont lexpression du courant
dlivr Icell est donne par


I = Iph 0 Is e(V +Rs I)=Vth 0 1
(2.28)

Cette quation est complexe, car sa solution en courant est rcursive. Pour la rsoudre, nous avons
utilis la mthode de Newton pour sa rapidit de convergence vers la solution. La mthode de Newton
est dcrite ci-dessous :
f (xn )
xn+1 = xn 0 0
(2.29)
f (xn )
avec f 0 (x) est la drive de la fonction, xn valeur actuelle et xn+1 valeur suivante.
En posant



f (I) = Iph 0 I 0 Is e(V +Rs I)=Vth 0 1 = 0

(2.30)

lexpression (2.29) peut scrire

In+1 = In 0

0
1
Iph 0 In 0 Is e(V +Rs In )=Vth 0 1
01 0

Is Rs (V +Rs In )=Vth
Vth e

(2.31)

La fonction que nous avons utilis sous MATLAB eectue le calcul pour 5 itrations pour assurer
la convergence de la solution. Les expressions (2.15) (2.26) ont t utilises pour une meilleure
prcision. Les rsultats de la simulation obtenus sont reprsents sur les gures ci-dessous.

20

Caractristique P/V d'une cellule PV

Caractristique I/V d'une cellule PV


4

1000 W/m
1000 W/m

3.5
800 W/m

1.5

2.5

Puissance (W)

Courant (A)

3
600 W/m

2
400 W/m
1.5
1

800 W/m
600 W/m

400 W/m
0.5

200 W/m

200 W/m

0.5
0

0.1

0.2

0.3
0.4
Tension (V)

0.5

0.6

Figure 2.17 : Caractristique I/V dune cellule


PV pour dirents niveaux de rayonnement.

0.1

0.2

0.3
0.4
Tension (V)

0.5

0.6

0.7

Figure 2.18 : Caractristique P/V dune cellule


PV pour dirents niveaux de rayonnement.

Caractristique I/V d'une cellule PV

Caractristique P/V d'une cellule PV


2

4
3.5
Courant (A)

2.5

Puissance (W)

0C
25C
50C
75C

0C
25C
50C
75C

1.5

2
1.5

0.5

1
0.5
0

0.1

0.2

0.3
0.4
Tension (V)

0.5

0.6

Figure 2.19 : Caractristique I/V dune cellule


PV pour direntes tempratures.

2.10

0.1

0.2

0.3
0.4
Tension (V)

0.5

0.6

0.7

Figure 2.20 : Caractristique P/V dune cellule


PV pour direntes tempratures.

Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons dcrit le principe de fonctionnement dune cellule photovoltaque au
silicium. Ensuite, nous avons dni son rendement et les dirents types de cellules existants. Pour la
modlisation mathmatique de la cellule, nous nous sommes bass sur le modle lectrique quivalent.
Nous avons aussi vu leet des changements climatiques sur lnergie produite par la cellule travers
des graphiques reprsentatifs. Pour simuler le comportement de la cellule photovoltaque, nous avons
fait appel au logiciel Matlab de Mathworks.

21

Chapitre 3

Le Gnrateur Photovoltaque
3.1

Introduction

La cellule solaire, de forme ronde ou carre est llment de base dun systme solaire. Un ensemble
de cellules forme un module solaire, dans un module les cellules sont relies lectriquement entre
elles et encapsules, donc protges des agents extrieurs. Plusieurs modules forment un panneau
solaire. Plusieurs panneaux forment un systme ou champ solaire, auxquels viennent sajouter
des protections, un rgulateur, un systme de stockage de lnergie (batterie) des appareils de contrle
et de mesure, un onduleur [11] ...
Le terme gnrateur photovoltaque GPV est utilis pour dsigner, selon lapplication considre, un module ou un panneau PV. Toutefois, il peut faire allusion au systme PV tout entier. Pour
la suite de ce document, on utilisera le terme GPV pour dsigner un module ou un panneau PV.
La gure ci-dessous, reprsente une cellule, un module et un panneau PV.

Figure 3.1 : Cellule, module et panneau PV.

3.2

Groupement de Cellules Photovoltaques

La puissance fournie par une seule cellule solaire tant trs faible, plusieurs cellules dont les caractristiques sont semblables doivent tre lectriquement associes et encapsules dans un plastique pour
former un GPV pratique [12]. Dans ce qui suit, dirents groupements possibles des cellules solaires
sont prsents, ainsi que les prcautions prendre pour contourner quelques alas.

3.2.1

Groupement en srie

Dans un groupement en srie, les cellules sont traverses par le mme courant. La caractristique
rsultante du groupement (gure 3.3) est obtenue par addition des tensions courant donn [1][2].

22

Figure 3.3 : Caractristique I/V dun


groupement en srie de cellules PV

Figure 3.2 : Groupement en srie de


cellules PV

Le groupement en srie des cellules prsente un eet indsirable lorsque le module est partiellement
lombre ou lorsque les cellules ne sont pas claires quitablement (clairement non homogne). Le
cas extrme a lieu dans les conditions de court-circuit.
Dans le cas o une cellule est compltement lombre (gure 3.4), elle ne produit aucun courant
et agit comme un circuit ouvert, ainsi aucun courant ne circule dans le circuit. a diode a tendance
tre inversement polarise par la tension fournie par les deux autres cellules. Cependant, il ny a pas
dissipation de puissance dans la cellule ombre, jusqu ce que la tension de claquage de sa diode soit
dpasse. Puisquil ny pas de courant circulant dans le circuit, la puissance de sortie dans ce cas est
nulle.

Figure 3.5 : Groupement en srie avec


diodes bypass. Une cellule est compltement
ombre

Figure 3.4 : Groupement en srie avec une


cellule compltement ombre

Une solution ce problme consiste brancher des diodes bypass en parallle avec chaque cellule
(gure 3.5).

23

Figure 3.6 : Caractristique I/V dun groupement en srie avec une cellule compltement lombre
On voit sur la gure 3.5 que, lorsque la troisime cellule est ombre, sa diode bypass est polarise en
direct et laisse donc passer le courant du circuit. La cellule ombre est court circuite. La caractristique
I/V, correspondant ce cas, est reprsente sur la gure 3.6. En conditions normales (sans ombre),
chaque diode bypass est polarise en inverse et chaque cellule gnre de la puissance.
Dans le cas o la troisime cellule est partiellement ombre, par exemple elle ne reoit que 20% du
rayonnement incident, alors elle peut fournir environ 20% de son courant en rgime normal. Bien que
les autres cellules puissent fournir 100% de leurs photocourant, le courant circulant dans le circuit sera
gal celui de la troisime cellule (gure 3.7). Le reste du courant produit par les autres cellules va
circuler dans leur propre diode. De plus, la diode de la troisime cellule est polarise en inverse par la
tension gnre par les deux autres cellules. Par consquent, une dissipation de puissance survient dans
la troisime cellule, qui devient rceptrice, provoquant son chauement. Une telle situation porte le
nom de "point chaud" (hot spot), un intolrable eet qui mne la dtrioration de la jonction p-n,
et donc la destruction de la cellule. Cependant, ceci peut arriver aussi dans le cas dun groupement
de cellules mal assorties (mismatching).

Figure 3.8 : Groupement en srie avec


diodes bypass. Une cellule est partiellement
ombre

Figure 3.7 : Groupement en srie avec une


cellule partiellement ombre

En utilisant la diode bypass, ce problme peut tre vit. Comme illustr sur la gure 3.8, une
fois que la troisime diode bypass conduit, le courant qui la traverse est gal la dirence entre le
courant du circuit et celui de la troisime cellule.
24

Figure 3.9 : Caractristique I/V dun groupement en


srie. Une cellule est partiellement ombre

Figure 3.10 : Caractristiques I/V dune


cellule PV ensoleille et dans lobscurit.

Toutes fois, une diode bypass pour chaque cellule est trop coteux. En pratique, suivant les pertes
de puissance permises, il est susant davoir une diode bypass pour chaque 10 ou 15 cellules (pour un
module de 36 cellules, 3 diodes sont requises).
Pour les cellules au Si, le nombre minimal de cellules en srie avec une cellule ombre pour atteindre
sa tension de claquage est compris entre 15 et 20. La gure 3.10 montre la tension de claquage dune
cellule PV illumine et dans lobscurit. Il est noter que les diodes bypass ne provoquent aucune
perte de puissance en fonctionnement normal
Le rle de la diode bypass est montr, traves la caractristique I/V de lensemble, sur la gure
suivante :

Figure 3.11 : Courbe de puissance lors dun ombrage partiel


Eet dun clairement non homogne sur la puissance
La courbe de puissance dun groupement en srie ainsi que celles des deux cellules, dans le cas
dun clairement non homogne, sont reprsentes sur la gure 3.12. On remarque que la puissance
maximale dun groupement en srie est infrieure celle de la cellule la mieux claire. Ceci est vrai
25

seulement lorsquil y a une grande dirence dclairement entre les cellules. On remarque aussi quil
y a deux maxima locaux, mais globalement il y a toujours un seul MPP [21].

Figure 3.12 : Courbes de puissance dun groupement de cellules en srie avec clairement non
homogne

3.2.2

Groupement en parallle

Les proprits du groupement en parallle des cellules sont duales de celles du groupement en
srie. Ainsi dans un groupement de cellules en parallle, la tension aux bornes de chaque cellules est
la mme. La caractristique rsultante du groupement est obtenue par addition des courants tension
donne [1].

Figure 3.13 : Groupement en parallle de cellules PV

Figure 3.14 : Caractristique I/V dun groupement en parallle


Comme pour le groupement en srie, le groupement en parallle des cellules prsente un eet non
souhaitable lorsque le module est partiellement lombre.

26

Figure 3.15 : Association parallle. Une cellule est compltement ombre


Dans le cas o une cellule est compltement lombre, elle ne produit pratiquement plus de courant.
Le cas extrme lieu dans les conditions de circuit ouvert (pas de charge connecte). La cellule ombre
devient alors rceptrice plutt que gnratrice. Elle est parcourue par le courant des autres cellules en
inverse sous une tension proche de Voc . Dans le cas o plusieurs cellules sont connectes en parallle,
la cellule dissipant une puissance trop importante serait dtruite. Pour viter ceci, il est indispensable
de connecter dans chaque branche une diode en srie, pour empcher le courant de traverser la cellule
dans le mauvais sens.
Un groupement parallle pur des cellules pour la construction dun module, nest gnralement pas
convenable, car un grand courant ncessite une section de cblage plus grande. En plus, une tension
basse ocasionne des pertes relativement leves. Pour ces raisons, un groupement en srie est plus
appropri.
Eet dun clairement non homogne sur la puissance
La gure 3.16 reprsente la courbe de puissance dun groupement en parallle ainsi que celles des
deux cellules dans le cas dun clairement non homogne. On remarque que les MPP des deux cellules
sont assez proche. Par consquent, la puissance maximale du groupement en parallle est trs proche
de la somme des puissances maximales des deux cellules.

Figure 3.16 : Courbes de puissance dun groupement de cellules en parallle avec clairement non
homogne

3.2.3

Groupement mixte

Les cellules solaires sont souvent branches en srie pour former des chanes ou modules. Plusieurs
modules sont connects en parallle pour former un panneau. Sur la gure 3.17, plusieurs congurations
sont prsentes (la gure 3.16 reprsente le symbole dune cellule ou dun module PV) [11].

27

Figure 3.17 : Symbole dun gnrateur PV.


Les diodes en noir sont des diodes bypass, dont nous avons dj vu lutilit. Les diodes en blanc
sont des diodes de blocage, elles sont branches en srie avec les modules. Ces diodes accomplissent
une fonction de blocage, elles permettent dviter le retour du courant dans les modules, empchant
ainsi les modules de devenir des charges. Ceci survient lorsquun module est sous lombre, lorsquil y
a un court-circuit ou lorsquun module est endommag. Dans les systmes qui intgrent des batteries,
des diodes de blocage entre les panneaux et les batteries sont utilises pour viter que ces dernires
ne se dchargent dans les panneaux pendant la nuit. Il est noter que la conguration du systme
(disposition physique des dirents constituants) a un impact sur ces performances [16].

Figure 3.18 : Groupement mixte de cellules PV

3.3
3.3.1

Caractrisation et Modlisation dun GPV


Caractristiques lectriques

La prdiction du comportement lectrique dun GPV est primordiale, car elle est la base de la
prdiction de lnergie qui sera dlivre. Ceci est une tape cruciale de la conception de nimporte quel
systme PV. Les donnes disponibles gnralement pour faire cette prdiction sont les informations
donnes par le fabricant du module ou panneau PV, lemplacement gographique et le climat local.
Comme pour la cellule PV, les caractristiques lectriques dun module donnes par le fabricant
correspondent aux dites, conditions de test standard (STC : Standard Test Conditions, ensoleillement 1000 W/m2 , AM 1.5, temprature 25E C). Dans ce qui suit, on utilisera lexposant * pour se
rfrer ces conditions. Les caractristiques lectrique se rsument gnralement par le courant de
3 , la tension de circuit ouvert V 3 et la puissance maximale P 3 . Une autre donne,
court-circuit Isc
oc
max
tout aussi importante, est la temprature de fonctionnement nominale de la cellule (NOCT : Nominal Operating Cell Temperature), qui est dnie comme tant la temprature atteinte par les cellules
lorsque le panneau est soumis une irradiance de 800W=m2 et une temprature ambiante de 20E C.

28

Le tableau suivant prsente un exemple de caractristiques lectriques dun module PV fabriqu


avec 72 cellules polycristallines en srie.
Caractristiques lectriques
Puissance maximale (Pmax )
Tension Pmax (Vmp )
Courant Pmax (Imp )
Tension de circuit ouvert (Voc )
Courant de court circuit (Isc )
Coecient de temprature de Isc
Coecient de temprature de Voc
Coecient de temprature de puissance
NOCT

3.3.2

150W
34:5V
4:35A
43:5V
4:75V
0:065 6 0:015% =E C
0160 6 20 mV =E C
00:5 6 0:05% =E C
47 6 2E C

Rendement dun GPV

Les paramtres caractrisant un module sont les mmes que ceux de la cellule individuelle. Nous
avons vu que lintensit du rayonnement solaire reu la surface de la terre est une valeur dpendante
de plusieurs facteurs en particulier de la latitude, de la saison et des conditions mtorologiques. La
puissance fournie par un GPV dpend aussi de ces paramtres. Les performances dun GPV dans la
ralit sont infrieures celles indiques dans les conditions standard de test STC.
En gnral, le rendement dun module PV, fourni par le fabricant, est donn dans les STC par la
relation :
=

Pmax
Sm

Psol

Impp Vmpp
Sm

Psol

(3.1)

avec : Pmax : Puissance maximale fournie par le module en STC.


Sm : Surface du module
Psol : Puissance du rayonnement solaire
En ralit, le rendement du module  est le rendement dune cellule  cellule diminu des pertes
dues aux connexions ( connexion ) des cellules entre elles, la transparence des matriaux dencapsulage
( encapsulation ) et ventuellement la chute de tension dans la diode de blocage ( diode ) lorsquil faut
protger le module contre une ventuelle dcharge nocturne de la batterie lorsque celle-ci existe. Il est
donn par :
 =  cellule 1  connexion 1  diode
(3.2)
titre dexemple, le rendement dun module compos de cellules au silicium polycristallin dun
rendement de 10% vaut approximativement 9.23%. La dirence de lordre de 0.77% est attribue aux
connexions, encapsulation et la diode de blocage. En gnral, le rendemant global, dni comme le
rapport de lnergie lectrique produite et de lnergie lumineuse incidente, varie en pratique de 10
17% selon le type de cellules.
Notons bien que dautres paramtres peuvent inuer sur le rendement des modules. Parmi ceux-ci,
on peut citer :
- Inclinaison du panneau : en fonction de divers angles dinclinaison compris entre lhorizontale
E
(0 ) et la verticale (90E ), le rendement de puissance est maximum lorsque le panneau est tourn vers
le ciel (Soleil au Znith), les rayons du soleil frappent perpendiculairement le panneau.
- Inuence de lombre : toutes les cellules sont en srie, il sut quune seule cellule sur 36 (3% de
la surface) soit place dans lombre pour que la baisse de puissance soit considrable.

29

3.3.3

Modlisation dun GPV

Nous avons vu que le modle mathmatique dune cellule PV est donn par :


V +IRs
V + IRs
Vth
I = Iph 0 Is e
01 0
Rp

(3.3)

Cette expression donne une reprsentation adquate du comportement intrinsque dune cellule
solaire au silicium typique. Nanmoins, elle ne peut tre utilise directement pour prdire le comportement du GPV, car quelques paramtres, Iph et Is en particulier, ne peuvent tre tablies partir
3 , V 3 et
des informations habituellement disponibles. Ces dernires sont restreintes aux valeurs de Isc
oc
3
Pmax qui sont toujours incluses dans le catalogue du fabricant.
Pour palier ce problme, des simplications peuvent tre faites en faisant les suppositions suivantes, qui sont gnralement valides pour les cellules au silicium [1] :
leet de la rsistance parallle est nglig,
le photo
courant
et le courant de court-circuit sont gaux,


V +IRs
exp
 1 pour toutes les conditions de fonctionnement.
Vth
Par consquent, lquation (3.3) devient :

I = Isc 0 Is e

V +IRs
Vth

(3.4)

et la tension de circuit ouvert est donne par :


Voc = Vth ln
do :
Finalement, on obtient :

Isc
Is

Voc
0V

Is = Isc 1 e

th




V 0 Voc + IRs
I = Isc 1 0 exp
Vth

(3.5)

(3.6)
(3.7)

Cette expression est trs pratique, car les paramtres droite sont facilement dtermins, ce qui
permet lapplication directe de cette dernire.
Nous avons vu que plusieurs cellules PV sont groupes pour constituer des modules ou des panneaux
PV. Ces derniers contiennent Np branches en parallle, chacune avec Ns cellules connectes en srie
(gure 3.19).

30

Figure 3.19 : Reprsentation dun module


photovoltaque

Figure 3.20 : Reprsentation dun


champ photovoltaque.

Le modle du panneau photovoltaque est obtenu en remplaant chaque cellule dans la gure 3.19
par le schma quivalent prsent dans la gure 2.13 (en considrant que les cellules sont semblables et
sont soumises aux mmes conditions). Dans le modle mathmatique du panneau PV, qui sera prsent
par la suite, les paramtres du panneau portent lindice "P" et les paramtres de la cellule PV, lindice
"C". Ainsi, le courant I P , gnr par le module PV, dans des conditions de fonctionnement arbitraires,
peut tre exprim par [1][11][15][17] :

 P

V 0 VocP + I P RsP
P
P
I = Isc 1 0 exp
(3.8)
C
Ns Vth
Lexpression du courant du panneau est une fonction implicite qui dpend :
P = N IC
du courant de court circuit du panneau : Isc
p sc
de la tension de fonctionnement vide du panneau : VocP = Ns VocC
Ns C
Rs
de la rsistance srie quivalente du panneau PV : RsP = N
p
C =
la tension thermique du semi-conducteur dune cellule PV : Vth

nkT C
q

Pour dlivrer des courants et des tensions adapts aux applications courantes, plusieurs panneaux
PV sont connects en srie et/ou en parallle (gure 3.20). Dans ce cas, le courant total gnr par la
conguration est donn par [15][17] :
Mp
X
I=
Ii
(3.9)
i=1

3.3.4

Caractristique I/V

Comme pour une cellule PV, la caractristique (I/V) dun GPV est non linaire (gure 3.21). Le
module PV produit une puissance un point appel point de fonctionnement qui appartient la
courbe caractristique. Les coordonnes de ce point sont la tension et le courant de fonctionnement.
De mme que pour la cellule, le MPP correspond au point de fonctionnement pour lequel le GPV
opre avec un maximum de rendement et de puissance [12].

31

Figure 3.21 : Caractristique I/V dun module


PV

Figure 3.22 : Courbe de puissance dun module


PV

La gure 3.22 prsente un exemple de la caractristique (P/V) et (I/V) dun module PV. Elle
illustre limportance de faire fonctionner le systme au MPP pour tirer le maximum de la puissance
disponible [12].

3.4

Les Principes de Conversion dans les Systmes PV

Le gnrateur PV est le coeur dun systme PV. Cependant, pour une application pratique, dautres
lments sont ncessaires, par exemple pour le stockage de lnergie, pour la rgulation de la circulation du ux dnergie ou pour lalimentation du rseau alternatif. Ces composants supplmentaires
reprsentent une part considrable du cot, provoquent la rduction du rendement et inuencent
considrablement le comportement et les performances de tout le systme.

3.4.1

Couplage direct dun Gnrateur PV et une charge rsistive

Dans le cas o une charge rsistive est directement connecte une source linaire, les valeurs du
courant et de la tension pour chaque point de fonctionnement sont facilement calcules en utilisant la
loi dOhm. Par contre, lorsque la source est de nature non linaire, comme cest le cas pour le GPV, une
mthode graphique est ncessaire. Le point de fonctionnement est alors dtermin par lintersection
de la caractristique I/V du GPV et la courbe de la charge [1][2].

Figure 3.23 : Couplage direct dun GPV et une charge rsistive

32

La gure 3.24 montre les caractristiques I/V dun GPV et dune rsistance. Pour une charge
rsistive, la caractristique I/V est une droite de pente R1 . Par consquent, si la rsistance R est petite,
le point de fonctionnement est situ dans la rgion AB de la courbe. Le courant Ipv varie peu en
fonction de la tension et est presque gal au courant de court circuit. Le GPV se comporte comme un
gnrateur de courant. Dautres part, si la rsistance R est grande, le GPV fonctionne dans la rgion
CD. Dans cette zone, la tension du GPV varie peu en fonction du courant et est presque gale la
tension de circuit ouvert. Le GPV se comporte comme une source de tension. Dans la rgion BC sur
la courbe, le GPV ne peut tre caractris ni par une source de courant, ni par une source de tension.
Cest dans cette zone que se trouve le MPP pour des conditions atmosphriques xes. La valeur de
la rsistance correspondant ce point est note Ropt [15].

Figure 3.24 : Caractristique I/V


dun GPV et dune charge rsistive.

Figure 3.25 : Points de fonctionnement pour


dirents niveaux de rayonnement

Les courbes caractristiques dun GPV pour dirents niveaux de rayonnement, ainsi que celles de
deux charges rsistives sont reprsentes sur la gure 3.25. Lintersection des courbes indique le point
de fonctionnement (la temptrature est suppose constante). Il est clair que limpdance de la charge
impose les conditions de fonctionnement du GPV.
Pour la charge 2, la puissance transmise est optimale pour un niveau de rayonnement de 1000W/m2 ,
car le point de fonctionnement dans ce cas est trs proche du MPP. mesure que le niveau de
rayonnement baisse, le point de fonctionnement sloigne du MPP. La puissance transmise nest alors
plus optimale. La charge 2 est donc plus approprie pour des niveaux de rayonnement levs. Par
contre, la charge 1 est plus adapte pour de faibles niveaux de rayonnement. Dans les deux cas, il y a
pertes de puissance lors de la variation de lirradiation. On peut conclure que lors dun couplage direct
dun GPV et la charge, le point de fonctionnement concide rarement avec le MPP. Pour palier ce
problme, un tage dadaptation entre la source et la charge est ncessaire.

3.4.2

Etage dadaptation entre un Gnrateur PV et une charge

An dextraire, chaque instant, le maximum de puissance disponible aux bornes du GPV et de la


transfrer la charge, un tage dadaptation est utilis. Cet tage joue le rle dinterface entre les deux
lments. Il assure, travers une action de contrle, le transfert du maximum de puissance fournie
par le gnrateur.
Ladaptateur communment utilis en PV est un convertisseur statique (convertisseur de puissance
DC/DC). La structure de conversion est choisie en fonction de la charge alimenter. Elle peut tre
33

survoltrice ou dvoltrice. Si par exemple la charge est une batterie au plomb, ce sont ses plages de
tension de charge et de dcharge qui vont permettre dtablir la structure la plus adquate.

3.4.3

Convertisseur DC/DC

La gure 3.26 montre la reprsentation dun convertisseur DC/DC, qui peut tre utilis comme
interface entre la source et la charge [1].

Figure 3.26 : Convertisseur DC/DC


Le rle du convertisseur DC/DC (dans le cadre du PV) est de faire ladaptation entre la source
(GPV) et la charge pour un transfert de puissance maximal. Ceci est fait en maintenant le PF sur ou
assez proche du MPP pour nimporte quelles conditions de fonctionnement (rayonnement, temprature, caractristique de charge, etc.).
Contrairement au cas gnral o le convertisseur DC/DC est utilis pour rguler la tension de
sortie, ici cest plutt la tension dentre qui est rgule. La tension de rfrence (consigne) est alors
constante ou impose par un algorithme de commande.
Si les pertes internes PL du convertisseur sont ngligeables, alors les puissances dentre et de
sortie sont gales. Dans ce qui suit, le principe de fonctionnement de quelques types de convertisseurs
DC/DC est dcrit.
a) Convertisseur dvolteur (Buck converter)
Un convertisseur Buck, ou hacheur srie, est une alimentation dcoupage qui convertit une tension
continue en une autre tension continue de plus faible valeur. Ce type de convertisseur peut tre utilis
comme adaptateur source-charge, lorsque le point de fonctionnement en couplage direct est gauche
du MPP.

Figure 3.27 : Schma du circuit lectrique dun convertisseur Buck

34

Si le commutateur S1 est activ t0 , un courant circule dans le circuit, mais ne passe pas par
la diode D puisquelle est inversement polarise. Le courant iL naugmente pas immdiatement, mais
plutt linairement avec un taux daccroissement impos par linductance L [1][11].
diL
VP V 0 VLoad
=
dt
L

(3.10)

Pendant ce temps, linductance emmagasine de lnergie sous forme magntique. Si S1 est dsactiv aprs t = t1 , la charge est dconnecte de son alimentation. Le courant est toutefois maintenu
par lnergie stocke dans linductance L et circule travers la diode D appele  diode de roue
libre . Cette dernire permet dvacuer lnergie emmagasine dans linductance louverture du
commutateur sans crer de surtension. Selon lquation 3.10, le courant dcroit, puisque :
diL
VLoad
=0
dt
L

(3.11)

Figure 3.28 : Convertisseur Buck durant ltat on

Figure 3.29 : Convertisseur Buck durant ltat o

Figure 3.30 : Formes dondes des


tensions VP V et Vload dans le cas du
convertisseur Buck

Le condensateur C1 permet de rduire les piques du courant tir du GPV, de soutenir la tension
dalimentation VP V et dattnuer les bruits. Le commutateur S1 est activ et dsactiv avec une
frquence de commutation f = T1 . Comme lillustre la gure 3.30, la tension aux bornes de la charge
prsente une ondulation qui peut tre lisse par lajout dun condensateur C2 . Quoi quil en soit, la
valeur moyenne Vload est infrieure VP V . Dans le cas o la frquence est augmente, par exemple
jusquau kHz, linductance ncessaire peut tre rduite considrablement.
La tension aux bornes de la charge est donne par :
Vload =

ton
VP V = D 1 VP V
T
35

(3.12)

avec T = ton + tof f : est la priode de commutation.


D = tTon : est le rapport cyclique (0 < D < 1)
Grce cette quation, on peut voir que la tension de sortie varie linairement avec le rapport
cyclique D.
On cinsidre ici uniquement le comportement du circuit en mode de conduction continue (MCC).
Une tude plus approfondie sera faite dans le chapitre 5.
Il est noter que linterrupteur utilis est un dispositif semiconducteur en commutation. Gnralement, un transistor MOSFET est utilis pour son faible temps de commutation an de minimiser
les pertes de puissance.
b) Convertisseur survolteur (Boost converter)
Un convertisseur Boost, ou hacheur parallle, est une alimentation dcoupage qui convertit une
tension continue en une autre tension continue de plus forte valeur. Ce type de convertisseur peut tre
utilis comme adaptateur source-charge, lorsque le point de fonctionnement en couplage direct est
droite du MPP.

Figure 3.31 : Schma du circuit lectrique dun convertisseur Boost

Figure 3.32 : Convertisseur Boost durant ltat on


Si le commutateur S1 est dsactiv t0 et si la chute de tension aux bornes de la diode est nglige,
alors Vload est gale VP V .
Lorsque le commutateur est activ (gure 3.32), la tension de la charge chute immdiatement zro
si le condensateur C1 est omis. Le courant du circuit iL circule travers linductance L et augmente
suivant lquation [1] :
diL
VP V
=
(3.13)
dt
L
Lorsque S1 est dsactiv (gure 3.33), linductance se trouve en srie avec le gnrateur et sa f.e.m
sadditionne celle du gnrateur (eet survolteur). Le courant iL traversant linductance traverse

36

ensuite la diode D, le condensateur C1 et la charge. Il en rsulte un transfert de lnergie accumule


dans linductance vers le condensateur. Le courant dcrot ensuite progressivement, car Vload > VP V :
diL
VP V 0 Vload
=
dt
L

Figure 3.33 : Convertisseur Boost durant ltat o

(3.14)

Figure 3.34 : Formes dondes des


tensions VP V et Vload dans le cas du
convertisseur Boost

La forme donde de la tension de la charge est reprsente sur la gure 3.34. La diode D permet
dviter la dcharge du condensateur C1 , lorsque le commutateur est activ. Le condensateur est
suppos assez grand pour pouvoir lisser la tension de la charge.
La tension de la charge est donne par :
Vload =
avec D =

ton
T

T
tof f

VP V =

1
VP V
10D

(3.15)

: est le rapport cyclique (0 < D < 1)

On cinsidre ici uniquement le comportement du circuit en conduction continue.


c) Convertisseur Buck-Boost :
Un convertisseur Buck-Boost est une alimentation dcoupage qui convertit une tension continue
en une autre tension continue de plus faible ou plus grande valeur mais de polarit inverse.

Figure 3.35 : Schma du circuit lectrique dun convertisseur Buck-Boost


Durant ltat on, lnergie apporte par la source (gnrateur PV) est stocke dans linductance
L (gure 3.34). Lnergie stocke dans linductance L est livre ensuite la charge pendant ltat
o (Figure 3.35). En raison de la prsence de la diode D, le courant circule travers linductance
37

L seulement dans une direction durant les deux tats. Par consquent, Vload a une polarit oppose
VP V . Pour cette raison, ce circuit est aussi appel convertisseur inverseur. Les quations dcrivant ce
circuit peuvent tre obtenues de la mme manire quau paravant. Comme indiqu prcdemment, le
condensateur C1 soutient la tension dalimentation VP V , C2 lisse la tension de la charge. En conclusion,
lamplitude de Vload peut tre infrieure ou suprieure VP V suivant la valeur de ton et tof f [1] :
Vload = 0

ton
D
VP V = 0
VP V
tof f
10D

Figure 3.36 : Convertisseur Buck-Boost durant


ltat on

(3.16)

Figure 3.37 : Convertisseur Buck-Boost durant


ltat o

Dans les trois cas cits en haut, ladaptation entre la source et la charge est ralise en choisissant
des valeurs adquates du rapport cyclique.
Gnralement, pour les convertisseurs DC/DC, linterrupteur est command par un signal PWM
(Pulse Width Modulation) ou MLI (Modulation de Largeur dImpulsion). Un signal PWM est un
signal rectangulaire de frquence xe, mais dont le rapport cyclique D est variable. La valeur du
rapport cyclique permet de contrler la quantit dnergie transmise.
Il existe dautres types de convertisseur DC/DC plus complexes que ceux dcrits en haut. Le
tableau suivant donne une ide sur la complexit de chaque type de convertisseur [22].
Type
Fonction Interrupteur Diode Transformateur Complexit
Buck
Abaisseur
1
1
non
Faible
Boost
Elvateur
1
1
non
Faible
Buck-Boost
Abaisseur/
1
1
non
Faible
Elvateur
Flyback
Abaisseur/
1
1
oui
Moyenne
Elvateur
Half Forward Abaisseur/
1
1
oui
Moyenne
Elvateur
Push Pull
Abaisseur/
2
2
oui
Forte
Elvateur
Half Bridge
Abaisseur/
2
4
oui
Forte
Elvateur
Full Bridge
Abaisseur/
4
4
oui
Trs forte
Elvateur

38

Considrons lexemple suivant, qui reprsente un module PV et une charge rsistive sous dirents
niveaux densoleillement :

Figure 3.38 : Transformation du point de fonctionnement


En ce qui concerne la courbe correspondant un niveau de rayonnement de 200W=m2 , le point
de fonctionnement stablit assez loin du MPP et indique une puissance transmise P10 . (reprsente
par laire du rectangle). Toutefois, avec ce niveau de rayonnement, le module PV pourrait transmettre
plus de puissance (P1 reprsente par laire du rectangle blanc), sil tait exploit la tension du
MPP. Le convertisseur statique DC/DC permet daccomplir cette tche. Le courant et la tension en
entre de ce dernier correspondent alors aux valeurs du MPP. Autrement dit, limpdance dentre du
convertisseur concide avec les caractristiques optimales du GPV. Le PF est reprsent sur la gure
(indiqu par la che). Dans le cas idal sans pertes, les puissances dentre et de sortie sont gales.
Le gain de puissance avec le convertisseur est remarquable [1].
Pour des niveaux de rayonnement faibles, le convertisseur donne de bons rsultats. Par contre, pour
un rayonnement plus lev, lecacit du convertisseur nest plus ressentie. Le rsultat obtenu est plus
mauvais que si le convertisseur ntait pas utilis. Pour cette raison, une stratgie de commande est
ncessaire pour avoir des rsultats satisfaisants, quelles que soient les variations aectant le systme.
Dans le cadre du photovoltaque, lobjectif de la commande est de poursuivre le MPP. Ceci sera vu
en dtail dans le chapitre 5.

39

3.5

Simulation dun GPV

Comme pour la cellule PV, nous avons utilis le logiciel MATLAB pour simuler le comportement du
GPV. Le modle utilis pour simuler le comportement de la cellule PV peut tre exploit pour simuler
le comportement du GPV moyennant quelques modications. La fonction utilise sous MATLAB pour
la simulation, nous a permis dtablir une interface graphique (gure 3.39) permettant de visualiser
les variations des caractristiques I/V et P/V en fonction des changements climatiques.

Figure 3.39 : Interface graphique permettant de visualiser les variations des caractristiques
lectriques du GPV.
Nous avons tabli un autre modle de simulation sous Simulink en se basant sur le modle mathmatique dcrit par les quations (3.7) et (2.15) (2.22).
Simulink est un logiciel de simulation, qui fournit une interface graphique permettant de construire
des modles sous forme de diagrammes blocs. Il ore lavantage de construire des modles hirarchiss
qui orent la possibilit de voir le systme dirents niveaux. Simulink ore galement la possibilit de
construire des modles modulaires, qui ont lavantage dtre facilement relis entre eux an de simuler
un certain systme. Ces modles permettent galement aux concepteurs de systmes doptimiser la
taille des composants du systme PV.
Limplmentation sous Simulink du modle mathmatique du GPV est illustre sur la gure cidessous.

40

Figure 3.40 : Schma bloc du GPV sous Simulink


Lquation implicite (3.8) reprsentant le courant fourni par le GPV peut tre facilement rsolue
par le bloc "algebraic constraint".
Une autre fonctionnalit puissante de Simulink est la possibilit dutiliser un masque qui permet
de simplier lutilisation du modle par le remplacement de nombreuses botes de dialogue dans un
sous-systme avec une seule bote de dialogue. Au lieu dexiger de lutilisateur du modle ouvrir
chaque bloc et entrer les valeurs des paramtres, les valeurs des paramtres peuvent tre saisies sur le
masque et transmis aux blocs du sous-systme masqu. Le sous-systme est alors vu comme un bloc
ordinaire. Les gures ci-dessous reprsentent le bloc Simulink reprsentant le GPV et son masque.

Figure 3.41 : Bloc Simulink


reprsentant le GPV.

Figure 3.42 : Masque des


paramtres du GPV
avec
41

Port
G
Ta
Vp
Ip

Identication
ensoleillement (W=m2 )
temprature ambiante (E C)
tension du GPV (V )
courant du GPV (A)

Les paramtres saisir sur le masque du bloc GPV sont ceux donns sur le catalogue du panneau
3 , le
PV en STC. Ces paramtres sont la tension de circuit ouvert Voc3 , le courant de court-circuit Isc
nombre de cellules en parallle Np , le nombre de cellules en srie Ns et le coecient de temprature
de Isc ; k0 .
Le modle Simulink prcdent a pour sortie le courant du GPV. Il est bien adapt pour un branchement en parallle de plusieurs panneaux PV qui partagent la mme tension. Cependant, ce modle
peut tre utilis pour construire un autre modle qui a pour sortie la tension du GPV. Ce dernier est
bien adapt pour un branchement en srie de plusieurs panneaux PV qui partagent le mme courant.
Le schma bloc sous Simulink de ce modle est reprsent sur la gure 3.43.

Figure 3.43 : Bloc Simulink


reprsentant le GPV (sortie
tension)

Figure 3.44 : Schma bloc du GPV ayant pour


sortie la tension

Ce nouveau modle utilise le mme masque pour les paramtres que le modle prcdent.
An dobtenir les caractristiques I/V et P/V partir du modle tabli du GPV, nous avons
utilis les composants du package SimPowerSystems de Simulink. Ce dernier intgre les composant de
llectronique de puissance (rsistance, condensateur, inductance, diode...) ce qui facilite la simulation
dun systme donn. La gure 3.45 montre un systme permettant davoir les caractristiques du GPV.
Il sagit dune source de courant contrle en srie avec un bloc de mesure de courant et une rsistance
de 1A: Les rsultats sont prsents sur la gure 3.46 et 3.47. Les paramtres utiliss pour la simulation
sont :
Paramtres
Voc
Isc
Np
Ns
G
Ta

Valeurs
21.1V
3.8A
1
36
1000W=m2
25E C

42

Figure 3.45 : Systme permettant dobtenir les caractristiques du GPV


Caractristique I/V du GPV

Caractristique P/V du GPV

60
50
Puissance (W)

Courant (A)

40
30
20

1
10
0

10
15
Tension (V)

20

25

Figure 3.46 : Caractristique I/V du


GPV

3.6

10
15
Tension (V)

20

25

Figure 3.47 : Caractristique P/V du


GPV

Conclusion

Dans cette partie, nous avons abord lanalyse du gnrateur photovoltaque GPV et des dirents
groupements possibles des cellules. Nous avons ensuite expliqu le problme survenant lors dune nonhomognit de lclairement sur les cellules, dont la solution consiste ajouter une diode bypass.
Nous avons eectu la modlisation mathmatique du GPV qui est essentielle lanalyse, en se basant
le modle de la cellule. Par la suite, nous avons lucid le principe de conversion dans les systmes
photovoltaques faisant apparatre par la mme occasion, le problme de la non-adaptation de la
charge avec le GPV. Finalement, nous avons procd la simulation du GPV sous Matlab et nous
avons ralis une interface graphique an de montrer leet des changements climatiques sur lnergie
produite par le GPV.

43

Chapitre 4

Lunit de stockage
4.1

Introduction

Dans un systme photovoltaque, la puissance dlivre par le GPV est imprvisible et varie indpendamment de la demande. Ainsi, pour une installation PV autonome, lunit de stockage est requise
pour assurer un approvisionnement continu en nergie lectrique. Parmi les nombreuses technologies
de stockage, la batterie au plomb est la plus utilise dans les installations PV autonomes. Ce type de
batterie est connu pour son cot faible, son rendement (environ 85%), ses performances en temprature (fonctionnement en tempratures extrmes), sa longue vie et sa grande disponibilit. Dans ce qui
suit, certaines notions sur les batteries seront dnies [12][14][23].

4.2

Principe de Fonctionnement

Figure 4.1 : Cellule


lectrochimique de base

Figure 4.2 : Processus de dcharge dune batterie au


plomb

Toute batterie est un ensemble dlments ou de cellules lectrochimiques capable de stocker de


lnergie lectrique sous forme chimique, puis de la restituer partiellement par la suite, grce la
rversibilit des ractions mises en jeu. Ces ractions consistent en des oxydations et des rductions au
niveau des lectrodes, le courant circulant sous forme dions dans llectrolyte et sous forme dlectrons
dans le circuit raccord la batterie (gure 4.1). La capacit nergtique de la batterie (exprime en
Wattheures, Wh) dpend des quantits et de la nature des lments chimiques compris dans la cellule
[2][15][23].
Lanode est llectrode laquelle loxydation (perte dun ou plusieurs lectrons) se produit et
partir de laquelle les lectrons vont alimenter le circuit extrieur (la charge). La cathode est llectrode
44

laquelle se produit la rduction (gain dun ou plusieurs lectrons), les lectrons revenant de la charge
arrivent sur cette lectrode. En dcharge, lanode est la borne ngative de la batterie et la cathode
la borne positive. Par contre, en charge, llectrode ngative est la cathode et llectrode positive est
lanode, les lectrons circulant alors dans lautre sens.
Dans le cas dune batterie au plomb (gure 4.2), lanode est en plomb (P b), la cathode en oxyde de
plomb (P bO2 ) et llectrolyte utilis est lacide sulfurique dilu (H2 SO4 ). La gure montre le processus
de dcharge dune batterie au plomb [2][23].
Durant le processus de dcharge de la batterie, les lectrodes ragissent avec llectrolyte selon les
quations suivantes :
Electrode positive :
Raction primaire : P bO2 + 4H + + SO420 + 2e0 0! P bSO4 + 2H2 O
Raction secondaire : 21 O2 + 2H + + 2e0 0! H2 O
Electrode ngative :
Raction primaire : P b + SO420 0! P bSO4 + 2e0
Raction secondaire : H2 0! 2H + + 2e0
Cellule :
ech arg e
Raction primaire : P b + P bO2 + 2H2 SO4 Ad
ch arg e 2P bSO4 + 2H2 O
Raction secondaire : 21 O2 + H2 0! H2 O
Durant la dcharge, la concentration de lacide dans llectrolyte diminue, alors que durant la
recharge, leet inverse se produit.

4.3

Caractristiques Techniques dune Batterie

Les paramtres lectriques suivants sont gnralement employs pour caractriser une batterie
[15][23] :
- La tension nominale U dune batterie correspond au nombre dlments qui la constitue
multipli par 2,1V.
- La capacit nominale : qmax reprsente la quantit dnergie disponible est dire le nombre
maximal dampres-heures (Ah) qui peut tre extrait de la batterie, dans des conditions de dcharge
prdtermines. Les caractristiques des batteries sont souvent donnes pour des dcharges de 20, 100
ou 120 heures (C20, C100 ou C120) et pour une temprature de 25E C.
- Ltat de charge SOC (State of charge) est le rapport entre la capacit prsente et la capacit
nominale qmax : SOC = q=qmax , (0SOC1). Si SOC = 1, la batterie est totalement charge, si SOC
= 0, la batterie est totalement dcharge.
- Le rgime de charge (ou dcharge) est le paramtre qui rete le rapport entre la capacit
nominale dune batterie et le courant auquel celle-ci est charge (ou dcharge). Il est exprim en
heures. Par exemple, pour une batterie de 150 Ah dcharge 5 A, le rgime de dcharge est 30 h.
- La dure de vie est le nombre de cycles charge/dcharge que la batterie peut soutenir avant
de perdre 20% de sa capacit nominale.
Dans le cas de la dcharge dune batterie, la tension minimale acceptable est appele tension seuil
de dcharge. La baisse au dessous de cette tension est appele dcharge profonde, durant laquelle la
batterie peut tre endommage. Dans le cadre du photovoltaque, la tension seuil de dcharge pour
une batterie au plomb de 12V est de 11,7V.
Une batterie se dcharge lentement mme si on ne sen sert pas, ceci est appel lautodcharge.
Lautodcharge est d lquilibre des ractions aux lectrodes qui est dans le sens de la dcharge
(ltat de dcharge est themodynamiquement plus stable). Pour le cas dune batterie au Plomb, le
taux dautodcharge atteint 5% par mois pour des batteries neuves 25E C. Il augmente cependant
rapidement avec la temprature et quand la batterie vieillit : il peut atteindre 1% par jour en n de
vie.
45

Dans le cas o la batterie est abandonne durant une longue priode aprs une dcharge profonde, le
plomb du support et celui des plaques est converti en cristaux de sulfate de plomb. Ces cristaux peuvent
devenir importants et empcher leur reconversion en plomb ou en oxyde de plomb. Par consquent, la
batterie perd une partie de sa capacit de stockage. De plus, les cristaux peuvent altrer la structure des
plaques, causant une perte du matriau, des courts-circuits et des dommages physiques. En pratique,
la dcharge profonde doit tre vite.
En ce qui concerne la recharge dune batterie, une tension suprieure la tension nominale doit
tre applique. Cependant, cette tension ne doit pas dpasser une certaine valeur appele tension de
charge maximale qui correspond la tension dite de gazage. Au-dessus de cette tension (surcharge),
le courant de charge est dpens dans llectrolyse de leau donnant naissance de lhydrogne et de
loxygne et provocant lasschement de llectrolyte. Par consquent, le rendement de stockage de la
batterie sen trouve diminu. Pour une batterie de 12V, la tension de recharge est comprise entre 12V
et 14,4V.
Les batteries au plomb utilises dans un systme PV (batteries solaires) sont direntes de celles
utilises pour les automobiles (batteries de dmarrage). La gure 4.3 montre une comparaison entre
la structure des lectrodes utilises pour les batteries solaires et celle des batteries de dmarrage [2].

Figure 4.3 : Comparaison entre les lectrodes dune batterie solaire ( gauche) et ceux dune
batterie de dmarage ( droite)
Dans llectrolyte, les ions prs de la surface des lectrodes participent immdiatement une
raction chimique rsultant en une dirence de potentiel qui contribue la circulation du courant.
Une surface trs poreuse prsente une aire de raction plus grande, et par consquent un courant plus
grand. Pour cette raison, les batteries de dmarrage peuvent fournir de forts courants pour un court
moment.
Plusieurs batteries sont assembles en srie lorsque lon dsire disposer dune tension plus grande
que celle dune seule batterie, et en parallle, lorsque le courant requis dpasse la capacit dune seule
batterie.

4.4

Modlisation dune Batterie

Il existe dans la littrature une large varit de modles dune batterie[14][23][25][26]. Gnralement, ces modles reprsentent la batterie par un circuit lectrique quivalent compos de rsistances,
de capacits et autres lments de valeur xe ou variant avec des paramtres tels que ltat de charge
ou la temprature. Ces modles sont utiliss pour dterminer ltat de charge ou pour prdire la dure
de vie des batteries. La plupart des modles sont constitus de deux parties, lune dcrivant le modle
de capacit et lautre, le modle de tension de la batterie.
Le modle de la capacit reprsente sa variation en fonction du courant et de la temprature. Le
modle de la tension fournit lamplitude de la tension aux bornes de la batterie. Cette tension est
46

inuence par la profondeur de la charge et de la dcharge. Le modle de la tension doit tre capable
de prvoir que la tension de la batterie baisse lentement et linairement pendant la premire partie
de dcharge et rapidement la n, quand la batterie est presque vide (gure 4.4). Dans le cas de la
recharge, la tension augmente linairement pendant la premire partie et plus rapidement vers la n
de la charge.

Figure 4.4 : Evolution de la tension avec le temps,


durant la charge et la dcharge

Figure 4.5 : Modle lectrique simpli dune


batterie

Les dirents modles existant dans la littrature sont trs complexes et ont un nombre lev de
paramtres dterminer. Si on considre uniquement le fonctionnement de la batterie sur les parties
linaires (entre les points M et N), alors on peut utiliser le modle simpli reprsent sur la gure
4.5 [15].
Par convention, la batterie est vue comme un gnrateur. Le courant de charge est ngatif et celui
de dcharge est positif. Pour ce modle, linuence de la temprature est nglige, le modle de la
capacit est approch par le condensateur Cb et le modle de tension est obtenu en appliquant la loi
des mailles :
Vbat = E 0 R0 Ibat + VCb
(4.1)

La rsistance R0 reprsente la rsistance interne de la batterie, tandis que la source idale de tension
E en srie avec la capacit Cb modlise la partie linaire sur les courbes de charge et de dcharge.

4.5

Exigences sur les Batteries Solaires

La ncessit de la maintenance des batteries peut tre une limitation majeure pour les systmes
PV autonomes. Pour pouvoir tre utilises long terme, les batteries doivent respecter les exigences
suivantes [2] :
- un cot du kWh faible
- une dure de vie longue
- un rendement global lev
- une autodcharge trs faible
- un cot dentretien faible
- une facilit dinstallation et de fonctionnement
La temprature ambiante perturbe le fonctionnement de la batterie, surtout quand il fait froid car
les ractions chimiques vont tre ralenties. Une batterie a donc une capacit beaucoup plus faible
froid qu chaud. Les installations solaires en montagne doivent donc tenir compte de ce critre en
prvoyant une capacit plus importante.

47

4.6

Couplage Direct entre un GPV et une Batterie

La gure 4.6 illustre un couplage direct entre un GPV et une batterie. Une diode de blocage est
utilise pour empcher la batterie de se dcharger sur le GPV si la tension de ce dernier est infrieure
la tension de la batterie ou pendant la nuit [1][2].

Figure 4.6 : Couplage directe entre un GPV et


une batterie

Figure 4.7 : Caractristiques I/V dun GPV et


dune batterie

La courbe caractristique dune batterie idale peut tre reprsente par une ligne droite (source
de tension). Elle varie en fonction de ltat de charge sur une certaine plage de tension, par exemple
entre 11.7V et 14.4V dans le cas dune batterie au plomb dune tension nominale de 12V. La gure
4.7 reprsente les courbes caractristiques dun GPV ainsi que celle dune batterie pour trois niveaux
dclairement. On remarque que les trois points de fonctionnement sont loin du MPP. Dans ce cas, un
tage dadaptation est requis (en loccurrence un convertisseur buck) pour pouvoir tirer le maximum
de puissance que le GPV est apte fournir.

4.7

Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons examin lunit de stockage, son principe de fonctionnement, ses
caractristiques, sa modlisation, sa dirence avec une batterie classique et son couplage direct avec
un GPV.

48

Chapitre 5

Le Convertisseur MPPT
5.1

Introduction

La puissance dlivre par un GPV dpend fortement du niveau densoleillement, de la temprature


des cellules, de lombrage et aussi de la nature de la charge alimente. Elle est de ce fait trs imprvisible. Comme nous lavons dj vu dans les chapitres prcdents, la courbe caractristique de puissance
du GPV prsente un point de puissance maximale MPP (Maximum Power Point) correspondant
un certain point de fonctionnement de coordonnes VM P P pour la tension et IM P P pour le courant
(voir gure 5.1). Vu que la position du MPP dpend du niveau densoleillement et de la temprature
des cellules, elle nest jamais constante dans le temps. Un convertisseur MPPT (Maximum Power
Point Tracker) doit donc tre utilis an de suivre ces changements. Un convertisseur MPPT est un
systme de conversion de puissance muni dun algorithme de contrle appropri permettant dextraire
le maximum de puissance que le GPV peut fournir.
Les premires utilisations du MPPT remontent 1968 dans le cadre dapplications spatiales ayant
pour gnrateur lectrique des panneaux photovoltaques. Le dveloppement du MPPT a constitu un
thme techniquement attrayant, si bien que nalement, un grand nombre de procdures et techniques
ont t dvelopps. Elles varient en complexit, capteurs ncessaires, vitesse de convergence, cot,
ecacit, matriel pour la ralisation, etc.

Figure 5.1 Courbe caractristique de puissance dun GPV

5.2

Principe de la Recherche du MPP

La gure 5.2 reprsente le schma de principe dun convertisseur MPPT classique. La commande MPPT fait varier le rapport cyclique du convertisseur statique (CS), laide dun signal lectrique appropri, pour tirer le maximum de puissance que le GPV peut fournir. Lalgorithme MPPT
peut tre plus ou moins compliqu pour rechercher le MPP. En gnral, il est bas sur la variation du
rapport cyclique du CS en fonction de lvolution des paramtres dentre de ce dernier (I et V et par
49

consquent de la puissance du GPV) jusqu se placer sur le MPP. Plusieurs algorithmes sont prsents
dans la littrature, nous prsentons quelques-uns plus loin dans ce chapitre [27].

Figure 5.2 : Schma de principe du convertisseur MPPT

5.3

Etude du Fonctionnement du Convertisseur Statique (CS)

Le principe de fonctionnement du CS a dja t brivement prsent dans le chapitre prcdent.


Nanmoins, une tude plus approfondie est ncessaire pour bien comprendre les phnomnes et dterminer les direntes grandeurs lectriques qui entrent en jeu. Ceci est primordial pour mener bien
la phase de conception du convertisseur [1][26][34][36][37]. Dans ce qui suit, on se limitera ltude du
convertisseur statique de type Buck.

5.3.1

Convertisseur dvolteur (Buck converter)

Le schma de base du convertisseur est repris ci-dessous.

Figure 5.3 : Schma du circuit lectrique dun convertisseur buck


Le convertisseur peut fonctionner suivant deux modes de fonctionnements dpendant de sa capacit
de stockage dnergie, de la priode de commutation et de la charge. Ces deux modes sont :
Mode de Conduction Continue (MCC) : Dans ce cas, lnergie emmagasine dans linductance L est transfre partiellement. Le courant dans linductance ne sannule pas sur une priode de
commutation et est donc continu.
Mode de Conduction Discontinue (MCD) : Dans ce cas, lnergie emmagasine dans linductance L est transfre totalement. Le courant dans linductance sannule avant la n dune priode
de commutation. Le courant dans linductance est discontinu.

50

5.3.1.1 Mode de conduction continue


La gure 5.4 reprsente les formes dondes des principales grandeurs lectriques en MCC.

Figure 5.4 : Formes dondes des tensions et courants dans un convertisseur Buck en MCC
Laugmentation du courant iL durant ltat passant ton = DT est donne par (aire du rectangle
bleu) :
iLZ(DT )
ZDT
(VP V 0 Vload ) 1 DT
VL
dt =
(5.1)
1iL ;on =
diL =
L
L
0

iL (0)

De mme, la baisse du courant dans linductance durant ltat bloqu est donne par :

1iL ;of f =

iZ
L (T )

iL (DT )

diL =

ZT

VL
Vload 1 (T 0 DT )
dt = 0
L
L

(5.2)

DT

Si on considre que le convertisseur est en rgime permanent, lnergie stocke dans chaque composant est la mme au dbut et la n de chaque cycle de commutation. Par consquent, le courant
iL traversant linductance est le mme au dbut et la n de chaque cycle de commutation. Ce qui
peut scrire de la faon suivante :
1iL ;on + 1iL ;of f = 0 =) Vload = D 1 VP V

(5.3)

La tension de sortie varie donc linairement avec le rapport cyclique D. Le rapport cyclique tant
compris entre 0 et 1, la tension de sortie Vload est toujours infrieure celle dentre.

51

Si on considre que linductance, la diode et le commutateur sont idaux et quil n y a pas de perte
de puissance, alors les puissances moyennes lentre et la sortie du circuit sont gales [21][34][38].
VP V 1 IP V

=
=)

Vload 1 Iload = D 1 VP V 1 Iload


Iload =

(5.4)

IP V
D

Le courant traversant la diode de roue libre est donn par :


ID = (1 0 D) 1 Iload

(5.5)

a. Ondulation du courant iL et choix de L : Sur la gure 5.4, on voit que le courant traversant linductance L prsente une ondulation 1iL (londulation du courant est dnie comme tant la
dirence entre la valeur maximale et la valeur minimale du courant) qui est donne par [38][39] :
1iL = iL;max 0 iL;min =
=
avec f =

1
T

(VP V 0 Vload ) 1 D 1 T
L

(5.6)

VP V
Vload 1 (1 0 D)
=
1 (1 0 D) 1 D
L1f
L1f

, frquence de commutation.

Sachant que londulation du courant est maximale pour D = 0:5, on peut crire pour un courant
dondulation maximum dsir 1iL;max [21][34] :
L>

VP V
4 1 1iL;max 1 f

(5.7)

Le courant moyen passant traver linductance est gal au courant continu traversant la charge,
do :
Vload
(5.8)
IL;moy = Iload =
Rload
Londulation relative du courant de linductance est donne par :
1iL
(1 0 D)
=
1 Rload
IL;moy
L1f

(5.9)

La valeur maximum admissible pour 1iL rsulte dun compromis :


une valeur trop faible de 1iL conduit une valeur excessive de linductance L
une valeur trop leve de 1iL augmente la valeur maximale de courant que le commutateur S1
et la diode doivent supporter, le maximum correspond en outre au courant que S1 doit pouvoir
interrompre
une valeur trop leve de 1iL augmente aussi la largeur de la zone correspondant la conduction
discontinue
Le choix de la frquence de commutation f est crucial. Plus elle est grande, plus est petit le noyau
de linductance et plus sont importantes les pertes par commutation de la puissance.
b. Ondulation de la tension de sortie Vload , choix de C2 : Dans une installation PV, on rajoute
les condensateurs C1 et C2 pour que la tension de sortie Vload et le courant Iload se maintiennent des
valeurs constantes, mme pendant louverture de linterrupteur. Aussi, les composants du convertisseur
52

sont dimensionns pour que les tensions et courants lentre et la sortie prsentent de faibles
ondulations lors du passage de linterrupteur de la fermeture louverture et inversement.
Londulation de la tension de sortie peut tre estime en admettant que le courant traversant le
condensateur soit gal londulation du courant dans linductance. Autrement dit, on fait lhypothse
que londulation du courant traversant la charge Rload est nulle. Sur la gure 5.5 on peut voir que
pour chaque demi-priode de commutation, le condensateur emmagasine ou restitue une charge 1Q
(aire du triangle hachur) conduisant une variation de la tension ses bornes estime [38] :
1VC2

ou en valeur relative

1 1 1iL T
1iL
1Q
=
1 1
1 =
C2
C2 2
2
2
8 1 C2 1 f

Vload
VP V
1 (1 0 D) =
(1 0 D) 1 D
2
8 1 L 1 C2 1 f
8 1 L 1 C2 1 f 2
1VC2
(1 0 D)
=
VC2
8 1 L 1 C2 1 f 2

(5.10)

(5.11)

La relation (5.11) montre que londulation relative est indpendante de la charge [37].

Figure 5.5 : Ondulation de la tension de sortie


Londulation absolue maximale a lieu pour un rapport cyclique D = 0:5.
1VC2 ;max =

VP V
32 1 L 1 C2 1 f 2

(5.12)

par consquent, la valeur du condensateur C2 permettant davoir une ondulation infrieure


1VC2 ;max doit satisfaire [21] [34] :
C2 >

VP V
32 1 L 1 1VC2 ;max 1 f 2

(5.13)

Si la valeur de londulation du courant dans linductance 1iL est dtermine, alors la valeur de C2
peut tre tablie partir de lexpression (5.10) :
C2 >

1iL;max
8 1 1VC2 ;max 1 f

53

(5.14)

c. Ondulation de la tension dentre VP V , choix de C1 : Londulation de la tension dentre


peut tre elle aussi estime en admettant que le courant traversant le condensateur C1 soit gal
londulation du courant dans linductance. Autrement dit, on fait lhypothse que londulation du
courant dentre IP V est nulle.
Le courant circulant dans le condensateur C1 est donn par :
(5.15)

IC1 = IP V 0 IDS
o IDS : courant traversant le commutateur ltat on.

Figure 5.6 : Ondulation de la tension dentre


partir de la forme du courant IDS traversant le commutateur (gure 5.6) et la relation (5.15),
on peut dterminer la forme du courant IC1 dans le condensateur C1 .
Londulation 1VP V de la tension dentre se dduit de lquation direntielle rgissant la tension
et le courant dans le condensateur C1 . La forme de cette ondulation est reprsente sur la gure 5.6
et est donne par :
ZT
1
1VP V = VP V (T ) 0 VP V (DT ) =
IP V dt
(5.16)
C1
DT

do :
1VP V =

IP V
(1 0 D) T
C1

(5.17)

Londulation absolue maximale a lieu pour un rapport cyclique D = 0.


1VP Vmax =

IP V
T
C1

(5.18)

Par consquent, la valeur du condensateur C1 permettant davoir une ondulation infrieure


1VP Vmax doit satisfaire [21][34] :
IP V
(5.19)
C1 >
1VP Vmax 1 f
d. Analyse frquentielle : En analysant le circuit du convertisseur Buck, on remarque que linductance et le condensateur forment un ltre du 2eme ordre o la rsistance de la charge joue le rle
damortissement. La frquence de coupure du ltre est donne par :
fc =

2 1

1
p
L 1 C2

54

(5.20)

on obtient, laide de la relation (5.11), pour londulation relative de la tension


1VC2
2
=
1 (1 0 D) 1
V C2
2

fc
f

2

(5.21)

Cette relation montre que londulation relative de la tension peut tre minimise en xant la
frquence de coupure du ltre passe-bas une valeur trs infrieure la frquence de commutation f .
5.3.1.2 Limite entre la conduction continue et discontinue
Lorsque le courant travers linductance sannule juste au moment de la commutation, le courant
moyen dans la charge est gal la moiti de londulation 1iL . On se trouve alors la limite entre la
conduction continue et la conduction discontinue.

Figure 5.7 : Tension aux bornes de linductance et courant la traversant (limite entre MCC et
MCD)
Iload;lim =

1iL
VC2
=
1 (1 0 D)
2
21L1f

(5.22)

Le courant moyen maximum Iload;lim(max) dans la charge est obtenu lorsque D = 0. On peut donc
crire la relation
V C2
(5.23)
Iload;lim(max) =
21L1f

Si la frquence de commutation f et la rsistance de la charge R dsires sont tablies, alors il existe


une valeur minimale Lmin pour linductance qui assure le mode de conduction continue. Lexpression
(5.23) permet dcrire :
10D
Lmin =
1 Rload
(5.24)
21f

Si la valeur de linductance L et la rsistance de la charge R dsires sont tablies, alors il existe une
valeur minimale pour la frquence de commutation fmin qui assure le mode de conduction continue.
fmin =

10D
1 Rload
21L

(5.25)

Si la frquence de commutation f et la valeur de linductance L dsires sont tablies, alors il


existe une valeur minimale pour la rsistance de la charge Rload;min qui assure le mode de conduction
continue.
2f L
Rload;min =
(5.26)
10D
5.3.1.3 Mode de conduction discontinue
Dans le cas du mode de conduction discontinue, le courant travers linductance sannule pendant
lintervalle tof f . Les formes dondes des courants et tensions sont reprsentes sur la gure 5.8 [36].
55

Figure 5.8 : Forme dondes des tensions et courants en MCD


Dans ce cas, la tension de sortie est donne par :
Vload =

1
2L1Iload
D2 1VP V 1T

+1

(5.27)

On peut voir que lexpression de la tension de sortie est bien plus complique que celle obtenue en
MCC. En eet, la tension de sortie dpend non seulement de la tension dentre et du rapport cyclique
D, mais aussi de la valeur de linductance L, de la priode de commutaion T et du courant de sortie.
Par consquent, il est plus intressant de faire fonctionner le convertisseur en MCC.
Dans les deux modes, le convertisseur est caractris par un courant dentre discontinu, ce qui
implique une perturbation harmonique dans la source de puissance.
5.3.1.4. Fonction de Transfert
Le CS est un systme de nature non linaire. An de pouvoir appliquer les mthodes danalyse
spciques aux systmes linaires, il est utile dtablir la fonction de transfert du systme linaris au
tour dun point de fonctionnement. La fonction de transfert dteminer est exprime par :
G(s) =

biload (s)
b
d(s)

(5.28)

o laccent circonexe reprsente une petite variation de la grandeur considre autour du point
de fonctionnement.
Cette fonction de transfert sera obtenue travers lanalyse petits signaux du systme. Dans cette
analyse, les valeurs moyennes des signaux sont tablies et londulation due la commutation est
ignore.

56

Pour une frquence de commutation donne, le complmentaire du rapport cyclique est donn par :
d0 (t) = 1 0 d (t)

(5.29)

Dans ce qui suit, la modlisation dynamique du systme est dcrite. Pour cette approche, il est
suppos que le CS est en MCC. On considre que le CS est idal, les direntes pertes de puissance
sont ngliges.
La tension aux bornes de linductance et le courant travers le condensateur pour chaque tat du
commutateur (a : ferm, b : ouvert) sont donns par [21][34] :
a:

b:

vL (t) = vP V (t) 0 vload (t)


iC2 (t) = iL (t) 0 iload (t)

(5.30)

vL (t) = 0vload (t)


iC2 (t) = iL (t) 0 iload (t)

(5.31)

(5.32)

La valeur moyenne dun signal x(t) sur un intervalle T est exprime par :
1
hx (t)iT =
T

x ( ) d

t0T

La valeur moyenne de la tension aux bornes de linductance sur une priode de commutation est
donne par :
d hiL (t)iT
(5.33)
hvL (t)iT = L
dt
Sur une priode de commutation complte, on peut crire :
L

d hiL (t)iT
dt

= (hvP V (t)iT 0 hvload (t)iT ) d (t) 0 (hvload (t)iT ) d0 (t)

(5.34)

= hvP V (t)iT d (t) 0 hvload (t)iT


De mme, la valeur moyenne du courant travers le condensateur est donne par :
hiC2 (t)iT = C2

d hvload (t)iT
dt

(5.35)

Sur une priode de commutation complte, on peut crire :


C2

d hvload (t)iT
dt

= (hiL (t)iT 0 hiload (t)iT ) d (t) + (hiL (t)iT 0 hiload (t)iT ) d0 (t)

(5.36)

= hiL (t)iT 0 hiload (t)iT


Pour lanalyse petits signaux, chaque entit dpendant du temps est note par x (t) = X + x
b (t),
o X est la valeur du rgime permanent (composante DC, DC-component) et x
b (t) est une petite
variation autour du point de fonctionnement (composante AC du signal, AC-component en anglais).
Ce qui donne les expressions suivantes [34] :

57

hvL (t)iT

hvP V (t)iT

hvload (t)iT

hiL (t)iT
hiload (t)iT

o : jVL j  jb
vL (t)j

= VL + vbL (t)

= VP V + vbP V (t)

= Vload + vbload (t)


= IL + biL (t)

= Iload + biload (t)

(5.37)

o : jVP V j  jb
vP V (t)j

o : jVload j  jb
v
(t)j
C loadC
Cb
C
o : jIL j  CiL (t)C
C
C
C
C
o : jIload j  Cbiload (t)C

hd (t)i = D + db(t)
o : D  db(t)
A 0 B
d (t) = 1 0 hd (t)i = 1 0 D 0 db(t)
= D0 0 db(t)
o : D0  db(t)

Il est suppos que la composante AC est beaucoup plus petite en amplitude que la composante
DC. Pour cette raison, les expressions ci-dessus sont considres comme une linarisation des valeurs
moyennes des signaux. Si on remplace ces expressions dans lquation 5.34 et 5.36 on obtient :




d IL + biL (t)
L
= (VP V + vbP V (t)) D + db(t) 0 (Vload + vbload (t))
(5.38)
dt
 

d (Vload + vbload (t)) 
= IL + biL (t) 0 Iload + biload (t)
dt
Aprs rorganisation, on peut crire [21][34] :
!
dIL dbiL (t)
+
= DVP V 0 Vload + Db
L
v (t) + db(t) VP V 0 vbload (t) +
db(t) vbP V (t)
|
{z
} | PV
{z
}
|
{z
}
dt
dt
C2

DC

C2

AC

dVload db
vload (t)
+
dt
dt

1 er

ordre (linaire)

(5.40)

AC 2nd ordre (non linaire)

= IL 0 Iload + biL (t) 0 biload (t)


| {z }
|
{z
}
DC

(5.39)

(5.41)

AC 1 er ordre (linaire)

Puisquil a t suppos que la composante AC est beaucoup plus petite en amplitude que la
composante DC, il est clair que les termes AC de second ordre sont ngligeables. La drive des termes
DC est nulle, par consquent, les termes DC droite doivent tre nuls. Ce qui laisse uniquement les
termes AC de premier ordre :
L

dbiL (t)
= Db
vP V (t) + db(t) VP V 0 vbload (t)
dt

db
vload (t) b
= iL (t) 0 biload (t)
dt
En appliquant la transfome de Laplace, il vient :
C2

LsbiL (s) = Db
vP V (s) + db(s) VP V 0 vbload (s) = Db
vP V (s) + db(s) VP V 0 Rbiload (s)
C2 sb
vload (s)

=
()

RCsbiload (s) = biL (s) 0 biload (s)


biL (t) = (RC2 s + 1) biload (s)
58

(5.42)

(5.43)

(5.44)

(5.45)

Lquation 5.45 est substitue dans 5.44 :


Ls (RC2 s + 1) biload (s)

=
()
()

Db
vP V (s) + db(s) VP V 0 Rbiload (s)
0

(5.46)

1
RLC2 s2 + Ls + R biload (s) = Db
vP V (s) + db(s) VP V

biload (s) =

D
R

LC2 s2 +

L
Rs

+1

vbP V (s) +

VP V
R

LC2 s2 +

L
Rs

+1

db(s)

En utilisant le principe de superposition et en supposant que les changements de la tension dentre


sont trs petits, on peut tablir la fonction de transfert [21][34] :
C
VP V
biload (s) CC
R
=
(5.47)
C
2 + Ls + 1
b
C
LC
s
d (s) vb (s)=0
2
R
PV

titre informatif, la fonction de transfert vbvbload


= RvbiPload
est appele fonction de transfert daudio
PV
V
susceptibilit. Elle dcrit le comportement de la tension de sortie Vload par rapport une variation de
la tension dentre VP V :

5.3.2

Rendement du convertisseur statique

Dans ce qui a prcd, nous navons dcrit le fonctionnement des convertisseurs Buck et Boost
est pour cause, ces deux convertisseurs prsentent un meilleur rendement. En eet, il existe dautres
congurations de convertisseur, mais dont le rendement est plus faible. Le tableau donne une ide
sur le rendement de quelques convertisseurs connus. Lexpression du rendement du convertisseur est
donn part :
Pout
(5.48)
 conv =
P
Structure
Buck
Boost
Buck-Boost
Cuk
Flyback
Flyback

5.4

Rendement de conversion
93%
92%
92%
89%
78.1%
74%

Batterie
12V
24V
12-24V
12V
24V
12V

Simulation du Convertisseur Statique

Pour simuler le comportement du convertisseur statique, nous avons utilis Simulink et le package
SimPowerSystems vu prcdemment. Le modle de simulation du convertisseur Buck est illustr sur la
gure 5.9. Les composants utiliss dans ce modle sont idaux (chute de tension aux bornes de la diode
nulle, rsistance srie quivalente ESR de linductance et du condensateur nulles, pas de pertes par
commutation dans les semi-conducteurs ). Le bloc mesure du courant permet de visualiser le courant
travers linductance.

59

Figure 5.9 : Modle de simulation du convertisseur Buck


Ce modle est utilis comme sous-systme et fait appel un masque qui permet de faciliter la modication des paramtres du CS. La gure 5.10 prsente le systme permettant de simuler le comportement du CS. Linterrupteur est command par un signal rectangulaire de rapport cyclique D = 67%:

Figure 5.10 : Systme permettant la simulation du convertisseur Buck


Les rsultats de la simulation sont prsents ci-dessous. Les valeurs des composants du CS ont
t choisies selon la procdure dcrite prcdemment et dont les calculs sont tablis en dtail dans le
chapitre 8 (L = 120H, C = 55F; R = 1:8A).

7.5
Courant (A)

Courant(A)

10

0.5

1.5

1.62

1.63

1.64

1.65
-3

x 10
12.08
Tension (V)

Tension(V)

1.61

-3

20
15
10
5
0

6.5
6

2
x 10

12.06
12.04
12.02

0.5

1
temps(s)

1.5

2
x 10

-3

Figure 5.11 : Rsultats de la simulation du


convertisseur Buck

60

1.61

1.62
1.63
temps(s)

1.64

1.65
-3

x 10

Figure 5.12 : Zoom sur la rponse temporelle du


convertisseur Buck

En haut est reprsent le courant travers linductance et en bas la tension aux bornes de la
charge. Daprs lanalyse de la rponse temporelle, il apparat que :
- aprs un rgime transitoire (< 1ms), le rgime permanent est atteint. Ce rgime transitoire
correspond une dure de lordre de grandeur dune priode doscillation du circuit LC.
- la tension de sortie se stabilise la valeur de 12V .

5.5

Classication des Commandes MPPT

Il est possible de classier dune manire gnrale les commandes MPPT selon le type dimplmentation lectronique : analogique, numrique ou mixte. Il est cependant plus intressant de les classier
selon le type de recherche quelles eectuent et selon les paramtres dentre de la commande MPPT
[27].

5.5.1

Classication des commandes MPPT selon le type de recherche

a. MPPT Indirect
Ce type de commandes MPPT utilise le lien existant entre les variables mesures (Isc ou Voc ),
qui peuvent tre facilement dtermines, et la position approximative du MPP. Il compte aussi les
commandes se basant sur une estimation du point de fonctionnement du GPV ralise partir dun
modle paramtrique dni au pralable. Il existe aussi des commandes qui tablissent une poursuite
de la tension optimale en prenant en compte uniquement les variations de la temprature des cellules
donne par un capteur [1][40].
Ces commandes ont lavantage dtre simples raliser. Elles sont plutt destines des systmes
peu coteux et peu prcis devant fonctionner dans des zones gographiques o il y a peu de changements
climatiques.
b. MPPT Direct
Ce type de commande MPPT dtermine le point de fonctionnement optimal (MPP) partir des
courants, tensions ou puissances mesurs dans le systme. Il peut donc ragir des changements
imprvisibles du fonctionnement du GPV.
Gnralement, ces procdures sont bases sur un algorithme de recherche, avec lequel le maximum
de la courbe de puissance est dtermin sans interruption du fonctionnement. Pour cela, la tension
du point de fonctionnement est incrmente dans des intervalles rguliers. Si la puissance de sortie
est plus grande, alors la direction de recherche est maintenue pour ltape suivante, sinon elle sera
inverse. Le point de fonctionnement rel oscille alors autour du MPP. Ce principe de base peut tre
prserv par dautres algorithmes contre des erreurs dinterprtation. Ces erreurs peuvent survenir,
par exemple, cause dune mauvaise direction de recherche, rsultant dune hausse de puissance qui
est due une augmentation rapide du niveau de rayonnement.
La dtermination de la valeur de la puissance du gnrateur PV, indispensable pour la recherche
du MPP, ncessite la mesure de la tension et du courant du gnrateur, ainsi que la multiplication de
ces deux variables.
Dautres algorithmes se basent sur lintroduction de variations sinusodales en petit signal sur la
frquence de dcoupage du convertisseur pour comparer la composante alternative et la composante
continue de la tension du GPV et pour ainsi placer le point de fonctionnement du GPV le plus prs
possible du MPP.
Lavantage de ce type de commandes est leurs prcisions et leur rapidit de raction.
61

5.5.2

Classication des commandes MPPT selon les paramtres dentre

a. Commandes MPPT fonctionnant partir des paramtres dentre du CS


Ce type de commandes MPPT eectue une recherche du MPP selon lvolution de la puissance
fournie par le GPV. La commande ncessite alors la mesure du courant et de la tension en entre du
convertisseur [27].
Dautres types de commandes MPPT sont bases sur la rgulation du courant du GPV,
supposant que ce dernier soit une image proportionnelle la puissance. Ceci permet de sapprocher
le plus proche possible du courant optimal Iopt . Ce type de commande ayant besoin dun seul capteur
est plus facile mettre en oeuvre et a un cot bas.
b. Commandes MPPT fonctionnant partir des paramtres de sortie du convertisseur
Dans la littrature, il existe des algorithmes bass sur les paramtres de sortie du CS. En eet, ce
type utilise la tension et le courant de sortie du CS ou alors uniquement lun des deux. Les commandes
MPPT bases sur la maximisation du courant de sortie sont principalement utilises quand la charge
est une batterie.
Dans tous les systmes utilisant les paramtres de sortie, une approximation de Pmax est faite
travers le rendement du convertisseur. Plus ltage de conversion est bon, plus cette approximation est
valable. Par contre, tous les systmes avec un seul capteur sont imprcis. La plupart de ces systmes
ont t conus lorigine pour le spatial.

5.6

Critres de Qualit dune Commande MPPT

Pour savoir si un gain est apport par lutilisation dune commande MPPT dun type ou dun
autre, des critres de qualit sont utiliss. Dans un premier temps, la commande MPPT doit avoir un
niveau de simplicit important favorisant une faible consommation et un cot raisonnable. De plus,
concernant ses performances, la commande MPPT doit avoir un bon comportement en dynamique et
en statique pour assurer une adaptation rapide aux changements climatiques. Elle doit aussi pouvoir
piloter ltage dadaptation de telle sorte quen rgime statique, le point de fonctionnement du GPV
soit le plus prs possible du MPP dans nimporte quelle condition mtorologique ou tat de la charge
alimente. Aussi, la stabilit et la robustesse du systme doit tre assure.
En rsum, lutilisation dun type de commande MPPT par rapport une connexion directe doit
apporter un gain nergtique et conomique quantiable. Il est important de prciser quil nexiste
pas de standard international qui dnisse comment il faut mesurer les performances dune commande
MPPT.[27]

5.7

Rendements de la Chaine de Puissance

Figure 5.13 : Chaine lmentaire de conversion dnergie PV

62

Le rendement total de ltage dadaptation entre le GPV et la charge DC se compose de divers


types de rendements relis chaque partie de la chane.
Le rendement maximum de la conversion photons-lectrons du panneau solaire  P V est dni par :
P V =

Pmax
G 1 Aef f

(5.49)

o Pmax est le maximum de puissance potentiellement disponible la sortie du panneau, G est


lirradiance (W=m2 ) et Aef f est la surface eective du panneau PV.
La puissance P eectivement dlivre par un GPV dpend en plus de la commande utilise dans le
convertisseur. Le rendement du point de fonctionnement qui en dcoule est not  M P P T (Rendement
MPPT) permet de mesurer lecacit de la commande qui contrle le convertisseur statique an que
le module PV fournisse la puissance maximale [27].
M P P T =

P
Pmax

(5.50)

Enn, le rendement du convertisseur not  conv est dni par :


 conv =

Pout
P

(5.51)

avec Pout la puissance dlivre en sortie du convertisseur.


Le rendement total de la chane de conversion  T otal est donn par :
 T otal =  P V 1  M P P T 1  conv

5.8
Il

(5.52)

Les Algorithmes MPPT


existe dans la littrature plusieurs algorithmes MPPT. Les plus utiliss sont [12][16][43][44][51] :
Algorithme de la Tension Constante (CV, Constant Voltage)
Algorithme du Courant constant (Constant Current)
Perturbation et Observation (P&O, Perturb and Observe)
Conductance Incrmentale (IncCond, Incremental Conductance)

Les algorithmes P&O et IncCond font partie de la technique appele Hill Climbing (mont de
pente).

5.8.1

Algorithme de la tension constante (CV, Constant Voltage)

La relation linaire approximative (5.53) liant les tensions VM P P et Voc du GPV a donn lieu la
mthode dite de la Tension Constante (CV : Constant Voltage) [44][51] :
VM P P 
= k1 Voc

(5.53)

o k1 est une constante de proportionnalit. Puisque k1 dpend des caractristiques du panneau


utilis, il doit tre calcul lavance en dterminant empiriquement VM P P et Voc pour direntes
conditions atmosphriques. Daprs les rsultats de recherches, le facteur k1 est gnralement compris
entre 0.71 et 0.78. Une fois que k1 est dtermin, le VM P P peut tre calcul laide de lexpression
(5.53), avec Voc mesure priodiquement en ouvrant momentanment le convertisseur de puissance
(circuit ouvert). La tension VM P P est alors prise comme tension de fonctionnement pour un certain
temps, puis le cycle est rpt.
63

Le problme avec cet algorithme est la perte de la puissance disponible lors de la dconnection de
la charge du GPV. Aussi, le MPP nest pas toujours entre 71% et 78% de la tension Voc . Pour palier
ce problme, des cellules pilotes sont utilises pour obtenir Voc . Ces cellules doivent tre choisies avec
prcaution, an de reprsenter le plus dlement possible les caractristiques du GPV.
Une fois que la tension VM P P a t approxime, un contrle en boucle ferme sur le convertisseur
de puissance peut tre utilis pour atteindre asymptotiquement cette tension dsire.
Puisque lexpression est juste une approximation, le panneau nopre jamais au MPP. En plus,
dans le cas dombrage partiel, k1 nest plus valide. Mme si cette technique nest pas vraiment une
mthode MPPT, elle est facile et pas chre raliser.

5.8.2

Algorithme du Courant constant (Constant Current)

Cette technique provient du fait que, sous des conditions atmosphriques variables, le courant
IM P P est approximativement linairement li au courant Isc du GPV. Il a t montr que [44][51] :
IM P P 
= k2 Isc

(5.54)

avec k2 constante de proportionnalit. Comme pour la mthode CV, k2 est dtermine pour le GPV
utilis. La constante k2 est gnralement comprise entre 0.78 et 0.92. La mesure du courant Isc durant
le fonctionnement est problmatique. Un commutateur est gnralement ajout au convertisseur de
puissance pour court-circuiter le panneau et mesurer le courant Isc laide dun capteur de courant.
Ceci augmente le nombre de composants et donc le cot. La puissance de sortie est rduite lors de la
mesure du courant Isc . De plus, le MPP nest jamais atteint.

5.8.3

Algorithme MPPT bas sur le modle

Si les valeurs des paramtres du modle mathmatique du panneau sont connues, alors le courant
et la tension du panneau peuvent tre calculs partir des mesures de lensoleillement et de la temprature. La tension VM P P peut tre directement calcule et choisie comme tension de fonctionnement
du panneau. Un tel algorithme est appel Algorithme MPPT bas sur le modle.[16]
Bien quintressant, cet algorithme nest gnralement pas pratique, car les paramtres ne sont
pas connus avec certitudes et peuvent varier considrablement dun panneau un autre du mme
fabricant. De plus, le cot dun capteur de lumire prcis (pyranomtre), fait que cette mthode nest
pas ralisable.

5.8.4

Algorithme Perturbation et Observation (P&O)

La mthode P&O est gnralement la plus utilise en raison de sa simplicit et sa facilit de ralisation. Comme son nom lindique, cette mthode fonctionne en perturbant le systme et observant
limpact sur la puissance la sortie du GPV. Sur la gure 5.14, on voit que si la tension de fonctionnement est perturbe dans une direction donne et que la puissance augmente (dP=dV > 0), alors il est
clair que la perturbation a dplac le point de fonctionnement vers le MPP. Lalgorithme P&O continuera perturber la tension dans la mme direction. Par contre, si la puissance diminue (dP=dV < 0),
alors la perturbation a loign le point de fonctionnement du MPP. Lalgorithme inversera la direction
de la perturbation suivante. Cet algorithme est rsum sur le tableau 5.1 [16][51] et lorganigramme
de la gure 5.15 [11][12]. Lalgorithme peut tre reprsent mathmatiquement par lexpression :
!
C
dP CC
V (k) = V (k 0 1) + 1V 1 sign
(5.55)
dV CV =Vk01
64

Le processus est rpt priodiquement jusqu ce que le MPP soit atteint. Le systme oscille
alors autour du MPP, ce qui provoque des pertes de puissance. Loscillation peut tre minimise
en diminuant la taille de la perturbation. Cependant, une taille de perturbation trop petite ralentit
considrablement la poursuite du MPP. Il existe alors un compromis entre prcision et rapidit [51].

Figure 5.14 : Signe de dP/dV direntes positions de la courbe caractristique de puissance


Perturbation
positive
positive
ngative
ngative

Changement dans la Puissance


positif
ngatif
positif
ngatif

Perturbation suivante
positive
ngative
ngative
positive

Il est important de noter quavec lalgorithme P&O, la variable contrler peut tre soit la tension
soit le courant du GPV. Cependant, la variable idale qui caractrise le MPP est celle qui varie peu
lors dun changement climatique. Sur la gure 2.14, on voit bien que la variation du rayonnement
aecte davantage le courant que la tension photovoltaque. Par contre, la variation de la temprature
modie plus la tension du GPV. Nanmoins, la dynamique de la temprature est lente et varie sur
une plage rduite. Par consquent, il est prfrable de contrler la tension du GPV.
Un inconvnient de la mthode P&O est quelle peut chouer lors dun rapide changement des
conditions atmosphriques comme lillustre la gure 5.16 [12][15][18][51]. Commenant par un point
de fonctionnement A, si les les conditions climatiques restent constantes, une perturbation 1V dans
la tension V amnera le point de fonctionnement au point B, et le sens de la perturbation sera invers
cause de la diminution de la puissance. Par contre, si lclairement augmente et dplace la courbe
de puissance de P1 P2, sur un cycle du MPPT, le point de fonctionnement sera dplac de A vers
C. Cela reprsente une augmentation de la puissance, lalgorithme croit que ceci est le rsultat de sa
propre action et le sens de la perturbation restera le mme. Par consquent, le point de fonctionnement
sloigne du MPP et continuera sloigner si lclairement augmente (ou diminue) progressivement
[11]. Pour palier ce problme, on pourra ajouter le poids dun troisime point et le comparer aux
deux autres avant de prendre une dcision sur le sens de la perturbation [18]. Une autre solution serait
de diminuer le cycle du MPPT [51].

65

Dbut

Mesurer V(k), I(k)

oui
P(k) - P(k-1) = 0

non

oui

non

P(k) > P(k-1)

non

non

oui

V(k) > V(k-1)

Dcrmenter Vref

oui
V(k) > V(k-1)

Dcrmenter Vref

Incrmenter Vref

Incrmenter Vref

mise jour
V(k-1) = V(k)
I(k-1) = I(k)

Retour

Figure 5.15 : Organigramme de la mthode P&O

Figure 5.16 : Divergence de la mthode P&O


Deux capteurs sont gnralement ncessaires pour mesurer la tension et le courant partir desquels
la puissance est calcule. Parfois, le courant est estim partir de la tension mesure, liminant ainsi
le besoin du capteur de courant.
Il existe une variante de lalgorithme P&O qui utilise uniquement deux mesures, savoir le courant
et la tension en sortie du convertisseur. Le but est de maximiser la puissance en sortie. Le principe de
fonctionnement est alors le mme moyennant quelques changements. Bien que cette technique donne
de bons rsultats en simulation avec un convertisseur idal, il nest pas prouv en pratique que le MPP
est atteint [12].
Lutilisation dun microprocesseur est plus approprie pour la ralisation de la mthode P&O,
mme si des circuits analogiques peuvent tre utiliss [12][51].
66

5.8.5

Algorithme de lIncrmentation de la Conductance (IncCond)

Cette mthode est base sur le fait que la pente de la courbe caractristique de puissance du
panneau est nulle au MPP, positive gauche et ngative droite (gure 5.14) [12][16][51].
8
au MPP
< dP=dV = 0
dP=dV > 0
gauche du MPP
(5.56)
:
dP=dV < 0
droite du MPP
Puisque :

dP
1I
d(IV )
dI 
=
=I +V
=I +V
dV
dV
dV
1V
alors, lquation (5.56) peut tre crite comme suit :
8 1I
au MPP
< 1V = 0 VI
I
1I
> 0V
gauche du MPP
: 1V
1I
I
<
0
droite du MPP
1V
V

(5.57)

(5.58)

Le MPP peut donc tre poursuivi en comparant la conductance instantane (Gci = I=V ) lincrmentation de la conductance (1Gci = 1I=1V ), comme le montre lorganigramme de la gure
5.17. Vref est la tension de rfrence pour laquelle le panneau PV est forc fonctionner. Au MPP,
Vref = VM P P . Une fois que le MPP est atteint, le point de fonctionnement correspendant est maintenu,
moins quun changement dans 1I est not, indiquant un changement des conditions atmosphriques
et donc du MPP. Lalgorithme augmente ou diminue Vref pour suivre le nouveau MPP.
La taille de lincrment dtermine la rapidit de la poursuite du MPP. Une poursuite rapide peut
tre obtenue avec un incrment plus grand, mais le systme ne pourrait pas fonctionner exactement
au MPP et oscille autour de celui-ci. Il y a donc, comme pour la mthode P&O, un compromis entre
rapidit et prcision. Cette mthode peut tre amliore en amenant le point de fonctionnement prs
du MPP dans une premire tape, puis dutiliser lalgorithme IncCond pour suivre exactement le MPP
dans une deuxime tape.
Gnralement, le point de fonctionnement initial est rgl pour correspondre une charge rsistive
proportionnelle au rapport de la tension de circuit ouvert Voc sur le courant de court-circuit Isc . Ces
deux solutions assurent que le vrai MPP est poursuivi sil existe plusieurs maxima locaux.
Une manire moins vidente pour eectuer la mthode IncCond est dutiliser la conductance instantane et lincrmentation de la conductance pour gnrer un signal derreur [16][51].
e=

I
dI
+
V
dV

(5.59)

Daprs lquation (5.58), lerreur est nulle au MPP. Un rgulateur PI peut donc tre utilis pour
annuler cette erreur.
La mesure de la tension et du courant instantans du panneau PV ncessite deux capteurs. La
mthode IncCond se prte parfaitement la commande par microcontrleur, qui peut garder en
mmoire les valeurs prcdentes de la tension et du courant.

67

Dbut

Mesurer V(k), I(k)

V = V (k ) V (k 1)
I = I (k ) I (k 1)

oui

V = 0
non

oui

I+

I
V =0
V

I = 0
non

non

oui

I+

I
V >0
V

I > 0

oui

non

non
Incrmenter Vref

oui

Dcrmenter Vref

Dcrmenter Vref

Incrmenter Vref

mise jour
V(k-1) = V(k)
I(k-1) = I(k)

Retour

Figure 5.17 : Organigramme de le mthode IncCond

5.8.6

Autres mthodes

Il existe dans la littrature dautres algorithmes MPPT plus complexes qui font parfois appel
des techniques nouvelles. On peut citer :
- les algorithmes bass sur la logique oue [51][52][53][54].
- les algorithmes base de rseau de neurones [51].
- les algorithmes didentication en temps rel du MPP [57].
- Dans le cas o la charge est une batterie, il existe un algorithme qui vise maximiser uniquement
le courant de charge puisque la tension en sortie est constante. Cet algorithme fait ainsi appel un
seul capteur ce qui rduit considrablement le cot.
- lalgorithme de la capacit parasite (Parasitic Capacitance) [16].
- la mthode de loscillation force [14][43].

5.9

Conclusion

Dans ce cette partie, nous avons entam la partie la plus importante et la plus dlicate de cette
tude. Il sagit de la description du convertisseur MPPT qui est un convertisseur de puissance (DC/DC)
command par un algorithme MPPT. Nous avons expliqu le principe de recherche du MPP. Ensuite,

68

nous avons tudi de manire approfondie le fonctionnement dun convertisseur de type Buck aboutissant un modle mathmatique linaris (modle petits signaux). Aussi, nous avons dcrit le dimensionnement du convertisseur ainsi que la classication des commandes MPPT. Pour la simulation des
convertisseurs de puissance, nous avons fait appel la bote outil SimPowerSystems sous Simulink.
Enn, nous avons cit les algorithmes MPPT existants dans la littrature.

69

Chapitre 6

Simulation du Convertisseur MPPT


6.1

Introduction

La simulation est un outil puissant pour lvaluation des performances thoriques dun systme. En
eet, ce dernier peut tre test sous des conditions facilement contrlables et ses performances peuvent
tre aisment surveilles. La procdure de simulation lie les deux principales parties de la conception
dun systme, savoir, ltude thorique et la ralisation dun prototype. Vu que des changements dans
la conception peuvent facilement tre faits ltape de la simulation, il est possible dexprimenter
avec un large ensemble de variations des conditions de fonctionnement an daboutir une solution
optimale.
On sintresse dans notre travail uniquement aux mthodes MPPT numriques, car elles permettent
un meilleur contrle (plus exible) que les mthodes analogiques. Le challenge de la conception dun
contrleur MPPT numrique est linclusion dun dispositif temps discret dans un environnement
temps continu. Ceci rend dicile lobtention dune fonction de transfert pour une analyse conventionnelle de la stabilit du systme et des performances dynamiques.
Le logiciel MATLAB de MathWorks et son extension graphique associe SIMULINK, prsentent
la possibilit de simuler des systmes mixtes continus et discrets. Il est donc bien adapt pour mettre
en uvre, tester et valuer les systmes MPPT numriques.
Dans ce qui suit, la simulation dun convertisseur MPPT de type Buck est prsente. Elle est
ralise sous Simulink en utilisant les modles bloc conus prcdemment.

6.2

La boite Outils SimPowerSystems

SimPowerSystems est un ensemble de composants lectriques et mcaniques qui vient sajouter


la librairie de Simulink. Les composants ajouts sont la base des lments destins des simulations
de llectronique de puissance. SimPowerSystems repose sur lutilisation des ports lectriques au lieu
des signaux. Les ports lectriques traitent des courants et des tensions, et le schma obtenu est celui
dun circuit lectrique. Le compilateur de SimPowerSystems gnre le modle de lespace dtat du
circuit pendant la phase dinitialisation. Les simulations en utilisant SimPowerSystems peuvent tre
excutes une fois que le circuit lectrique est construit et se font comme dans nimporte quel autre
modle SimulinK [26][55].
An de raliser des modles avec SimPowerSystems, il est recommand dutiliser des solveurs
supportant les problmes de transition raide (sti en anglais). Ainsi, ode23tb et ode15s sont
les solveurs prconiss ce fait. Le solveur "ode23tb" est class comme moins prcis, mais converge
plus rapidement, alors que le solveur ode15s converge plus lentement, mais est class plus prcis.
70

Les problmes de raideurs interviennent lorsque la solution recherche varie lentement, alors que
des solutions proches varient plus rapidement. La mthode numrique doit employer des petits pas de
simulation pour converger vers des rsultats satisfaisants. Ceci implique que les solveurs "sti" ralisent
plus de calculs chaque pas et permettent de donner des rsultats contrairement aux autres solveurs
disponibles. Par ailleurs, la prcision des simulations peut tre ajuste grce la tolrance relative et
la tolrance absolue dans le menu des paramtres de simulation sous Simulink. Par consquent, la
rduction des valeurs des tolrances contribue laugmentation de la prcision, mais aussi le temps
de simulation. On peut aussi ajuster la taille minimale et maximale du pas de simulation.

6.3

Simulation de lAlgorithme Perturbation et Observation (P&O)

Nous avons ralis le modle de simulation de lalgorithme P&O (gure 6.1), en nous basant sur
lorganigramme illustr sur la gure 5.22.

Figure 6.1 : Modle SIMULINK de lalgorithme MPPT P&O


Les deux blocs "Transport Delay" sont utiliss pour retarder lentre par un laps de temps spci,
ce qui permet de calculer la variation de la puissance 1P (k) = P (k) 0 P (k 0 1) et la variation de
la tension 1V (k) = V (k) 0 V (k 0 1). Le bloc "Multiport Switch" permet de traiter les quatre cas
rsums sur le tableau 5.1. Le bloc "Constant pas" reprsente le pas de perturbation de la commande
MPPT. Le bloc "Saturation" assure que le raport cyclique D reste dans lintervalle [0,1]. Le bloc
"Zero-Order Hold" est un chantiollonneur bloqueur qui permet de maintenir la valeur du rapport
cyclique D constante sur un cycle du MPPT. Le bloc "IC (Initial Condition)" permet de spcier
le rapport cyclique initial. Enn, le bloc "Memory" garde en mmoire la valeur du rapport cyclique
pour le cycle prochain. Un masque de sous-systme est utilis pour faciliter le paramtrage (rapport
cyclique initial, perturbation et frquence du MPPT).
71

Figure 6.2 : Masque pour la saisie des paramtres de lalgorithme MPPT P&O
Le systme permettant de simuler le comportement du convertisseur MPPT est reprsent sur la
gure 6.3. Il fait appel aux blocs conus prcdemment.

Figure 6.3 : Systme permettant la simulation du comportement du convertisseur MPPT


Le bloc PWM gnre le signal PWM ncessaire la commande du commutateur. Sa description
est schmatise sur la gure 6.4.

Figure 6.4 : Modle SIMULINK pour la gnration du signal PWM


72

Dans ce qui suit, les paramtres du GPV qui seront utiliss pour la simulation sont donns sur le
tableau 8.1, les coordonnes du MPP sont (PM P P ; VM P P ; IM P P ) = (80; 16:75; 4:78). En ce qui concerne
les paramtres du CS, leurs valeurs sont :
L = 120H; C1 = 10F; C2 = 55F; R = 1:8A.
La fonction de transfert tablie dans la section 5.3.1.4 est utilise pour obtenir la rponse temporelle
en courant du CS. La gure ci-dessous reprsente la rponse indicielle du convertisseur pour un chelon
de 0.1. On remarque sur cette rponse que le temps dtablissement ts est infrieur 1ms. Le temps
dtablissement doit tre pris en compte par la commande MPPT. En eet, le cycle du MPPT doit
tre suprieur au temps dtablissement ts an que la mesure se fasse correctement (sur le rgime
stationnaire et pas sur le transitoire)[12]. Autrement dit, la commande MPPT doit tre moins rapide
que la dynamique du systme. Dun autre ct, lalgorithme utilis suppose que le systme est stable
durant chaque cycle. Enn, les travaux dans [14] montrent que le rendement de la commande MPPT
diminue dautant plus que la frquence du MPPT augmente. Ceci est d au fait que le cycle du MPPT
est trop rapide par rapport la dynamique du systme (le systme na pas susamment le temps pour
ragir).
Rponse indicielle
1.4
1.2

Courant (A)

1
0.8
0.6
0.4
0.2
0

0.5

1
Temps(s)

1.5

2
-3

x 10

Figure 6.5 : Rponse indicielle du systme pour un chelon de 0.1A


Le rapport cyclique initial choisi pour la simulation est de 0.3 (choix arbitraire) et la frquence du
MPPT a t xe 1kHz (cycle de 1ms). Le retard introduit par les blocs "Transport Delay" est gal
au cycle du MPPT et correspond aux instants de mesure.

6.3.1

Fonctionnement sous des conditions climatiques stables

Les conditions atmosphriques choisies pour la simulation dans cette partie correspondent aux
STC (un rayonnement de 1000W/m2 et une temprature ambiante de 25E C).
Lobjectif du convertisseur MPPT est de ramener le point de fonctionnement au MPP et faire une
adaptation entre la source et la charge. La tension dsire en sortie du CS est de 12V, ce qui correspond
la tension nominale dune batterie au plomb. Ici, la charge utilise est une rsistance dont la valeur
a t calcule de faon avoir une tension de 12V en sortie. Ceci ne reprsente pas le comportement
dune batterie, mais notre but ici est danalyser la poursuite du MPP. La charge rsistive permet une
premire tude du comportement du systme.

73

Les rsultats de la simulation sont reprsents sur les gures 6.6 et 6.7 pour un pas de perturbation
de 0.1 et sur les gures 6.8 et 6.9 pour un pas de perturbation de 0.02.
Puissance
100
80
60
40
20
0

0.005

0.01

0.015

0.01

0.015

Rapport cyclique
0.8
0.6
0.4
0.2
0

0.005
T emps(s)

Figure 6.6 : Puissance en sortie du CS (haut) et rapport cyclique (bas) pour un pas de
perturbation de 0.1.
Tension
14
12
10
8
6
4
2
0

0.005

0.01

0.015

0.01

0.015

Courant
7
6
5
4
3
2
1
0

0.005
Temps(s)

Figure 6.7 : Tension et courant en sortie du CS pour un pas de perturbation de 0.1

74

Puissance
80
60
40
20
0

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.03

0.035

0.04

Rapport cyclique
1
0.8
0.6
0.4
0.2

0.005

0.01

0.015

0.02
0.025
Temps(s)

Figure 6.8 : Puissance en sortie du CS (haut) et rapport cyclique (bas) pour un pas de
perturbation de 0.02
T ension
12
10
8
6
4
2
0

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.025

0.03

0.035

0.04

Courant
8

0.005

0.01

0.015

0.02
T emps (s)

Figure 6.9 : Tension et courant en sortie du CS pour un pas de perturbation de 0.02


On remarque que pour un pas de perturbation de 0.1, le point de fonctionnement atteint le MPP en
7ms contre 24ms pour un pas de perturbation de 0.02. La rponse est donc plus rapide dans le premier
cas. Par contre, lamplitude de loscillation autour du MPP est moins importante dans le deuxime
cas. Par consquent, la perte de puissance engendre est rduite. On peut dire que la rponse est plus
prcise dans le deuxime cas. Ceci met en vidence le compromis qui existe entre rapidit et prcision.
Nanmoins, un temps de 24ms reste susant pour notre application. Une fois le MPP atteint, le
rendement total moyen pour une perturbation de 0.1 et 0.02 est de 93.4% et 98.47% respectivement.
Sur la gure 6.11, on constate que la tension en sortie du CS est de 12V. Lobjectif est donc atteint.
Les gures 6.10 et 6.11 reprsentent la puissance, la tension et le courant lentre du convertisseur
(aux bornes du GPV) pour un pas de perturbation de 0.1. Les mmes grandeurs sont reprsentes sur
les gures 6.12 et 6.13 pour une perturbation de 0.02. On remarque que dans les deux cas, le point de
75

fonctionnement oscille autour du MPP (PM P P ; VM P P ; IM P P ) = (80; 16:75; 4:78). On remarque aussi
que le courant et la tension aux bornes du GPV ( lentre du CS) sont fortement bruite (perturbation
harmonique dans la source de puissance). Ceci est d la commutation de linterrupteur.
Puissance
80
70

Puissance (W)

60
50
40
30
20
10
0

0.005

0.01

0.015

Temps(s)

Figure 6.10 : Puissance du GPV pour un pas de perturbation de 0.1


Tension
30
20
10
0

0.005

0.01

0.015

0.01

0.015

Courant
6
4
2
0

0.005

Figure 6.11 : Tension et courant du GPV pour un pas de perturbation de 0.1


Puissance
80
70
60
50
40
30
20
10
0

0.005

0.01

0.015

0.02
0.025
Temps(s)

0.03

0.035

0.04

Figure 6.12 : Puissance du GPV pour un pas de perturbation de 0.02

76

Tension
30
20
10
0

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.02
0.025
Temps(s)

0.03

0.035

0.04

Courant
6
4
2
0

0.005

0.01

0.015

Figure 6.13 : Tension et courant du GPV pour un pas de perturbation de 0.02

6.3.2

Performance sous un niveau de rayonnement variant

a. Changement brusque du niveau de rayonnement


Les gures 6.15 montrent les rsultats de simulation pour un pas de perturbation de 0.1, lors dun
changement brusque et croissant du niveau de rayonnement. Ce changement est reprsent sur la gure
6.14. La temprature ambiante reste constante et est gale 25E C: Le temps de simulation choisi est
de 0.05, ce qui nest pas trs raliste, mais permet nanmoins une meilleure visibilit du rsultat. Le
comportement du systme pour une dure plus longue reste le mme.
Rayonnement (W/m)
1200

1000

800

600

400

200

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

Temps(s)

Figure 6.14 : Changement brusque du niveau de rayonnement

77

Puissance (W)
100
80
60
40
20
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.04

0.05

Rapport cyclique
0.8
0.6
0.4
0.2
0

0.01

0.02

0.03
Temps(s)

Figure 6.15 : Puissance en sortie du CS (haut) et rapport cyclique (bas) pour un pas de
perturbation de 0.1 lors dun changement brusque de lclairement
Puissance (W)
80
MPP
70
60
50
40
30
20
10
0

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025 0.03
Temps(s)

0.035

0.04

0.045

0.05

Figure 6.16 : Puissance du GPV pour un pas de perturbation de 0.1 lors dun changement brusque
de lclairement
Tension (V)
30
Tension MPP
20
10
0

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.045

0.05

0.025
0.03
Temps(s)

0.035

0.04

0.045

0.05

Courant (A)
6
Courant MPP
4
2
0

0.005

0.01

0.015

0.02

Figure 6.17 : Tension et courant du GPV pour un pas de perturbation de 0.1 lors dun changement
brusque de lclairement
78

On remarque que lalgorithme P&O prsente une mauvaise interprtation lors dun changement
brusque du niveau de rayonnement. En eet, linstant 0.02 et 0.031 le rapport cyclique est dcrment
au lieu dtre incrment. Lalgorithme interprte tort, que la diminution du rapport cyclique au
cycle prcdent a eu comme rsultat laugmentation de la puissance. Le point de fonctionnement est
dplac dans la mauvaise direction en sloignant du MPP. Cependant, vu que le cycle du MPPT
est assez court (1ms), et que lalgorithme reprend par la suite dans la bonne direction, la perte de
puissance engendre est minime. Cette perte est dautant plus petite que le pas de perturbation est
rduit.
Pour mieux analyser le comportement du systme lorsque la charge est une batterie, nous avons
mis au point un modle simpli dune batterie (gure 6.18). Le modle a t choisi simple, car la
dynamique dune batterie est beaucoup plus lente que celle du systme. Un masque facilite, l aussi,
le paramtrage.

Figure 6.18 : Modle SIMULINK simpli


dune batterie au plomb

Figure 6.19 : Masque pour le


paramtrage de la batterie

Le systme permettant la simulation est schmatis ci-dessous :

Figure 6.20 : Systme de simulation global


79

Les rsultats de la simulation pour un pas de perturbation de 0.1 sont donns sur les gures 6.21.
Puissance (W)
100

50

- 50

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.04

0.05

Rapport cyclique
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0

0.01

0.02

0.03
Temps(s)

Figure 6.21 : Puissance en sortie du CS et rapport cyclique pour un pas de perturbation de 0.1
Tension (V)
12.01

12.005

12

11.995

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.03

0.04

0.05

Courant (A)
10

-5
0

0.01

0.02
Temps(s)

Figure 6.22 : Tension et courant en sortie du CS pour un pas de perturbation de 0.1

80

Puissance
80

Puissance MPP

70
60
50
40
30
20
10
0

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025
0.03
Temps(s)

0.035

0.04

0.045

0.05

Figure 6.23 : Puissance du GPV pour un pas de perturbation de 0.1


Tension (V)
30
Tension MPP
20
10
0

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.045

0.05

0.025
0.03
Temps(s)

0.035

0.04

0.045

0.05

Courant (A)
6
Courant MPP
4
2
0

0.005

0.01

0.015

0.02

Figure 6.24 : Tension et courant du GPV pour un pas de perturbation de 0.1


On remarque ici qu linstant 0.031, se manifeste une mauvaise interprtation de lalgorithme qui
loigne le point de fonctionnement du MPP. La perte de puissance avoisine les 40W sur une dure de
1ms. Sur la gure 6.22, on voit que la tension de sortie du CS est maintenue 12V par la batterie.
Par contre, le courant de sortie varie en fonction du changement du niveau de rayonnement.
Ci-dessous sont prsents les rsultats de simulation pour une perturbation de 0.02.

81

Puissance (W)
100
80
60
40
20
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.04

0.05

Rapport cyclique
0.8
0.75
0.7
0.65

0.01

0.02

0.03
Temps(s)

Figure 6.25 : Puissance en sortie du CS et rapport cyclique pour un pas de perturbation de 0.02
Tension (V)
12.01

12.005

12

11.995

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.03

0.04

0.05

Courant (A)
10

-5
0

0.01

0.02
Temps(s)

Figure 6.26 : Tension et courant en sortie du CS pour un pas de perturbation de 0.02

82

Puissance (W)
90
Puissance MPP
80
70
60
50
40
30
20
10
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

Temps(s)

Figure 6.27 : Puissance du GPV pour un pas de perturbation de 0.02


Tension (V)
20
15
10
5
Tension MPP
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

Courant (A)
6

2
Courant MPP
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

Temps(s)

Figure 6.28 : Tension et courant du GPV pour un pas de perturbation de 0.02


Dans ce cas, lerreur dinterprtation ne se produit pas, car les moments de laugmentation de
lclairement, concident avec des instants o lalgorithme perturbe le point de fonctionnement dans la
bonne direction. Sur les gures 6.27 et 6.28 on voit bien que le MPP est poursuivi malgr la variation
de lclairement.
Les rsultats de simulation pour un changement brusque et dcroissant du niveau de rayonnement
sont similaires ceux quon vient de voir.
b. Changement progressif du niveau de rayonnement
Les gures ci-bas prsentent les rsultats de la simulation pour une perturbation de 0.01 lors dun
changement progressif croissant de lclairement (gure 6.29).

83

Rayonnement (W/m)
1200

1000

800

600

400

200

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

Temps(s)

Figure 6.29 : Changement progressif croissant du niveau de rayonnement


Puissance (W)
80
60
40
20
Puissance MPP
0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.08

0.1

Rapport cyclique
1
0.9
0.8
0.7

0.02

0.04

0.06
Temps(s)

Figure 6.30 : Puissance du GPV et rapport cyclique pour un pas de perturbation de 0.01 lors dun
changement progressif de lclairement

84

Tension (V)
30
Tension MPP
20

10

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

Courant (A)
6

2
Courant MPP
0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

Temps(s)

Figure 6.31 : Tension et courant du GPV pour un pas de perturbation de 0.01 lors dun
changement progressif de lclairement
On remarque sur les rsultats de la simulation que laugmentation progressive de lclairement
mne lalgorithme une mauvaise interprtation. En eet, mesure que lclairement augmente, le
point de fonctionnement sloigne du MPP. Vu que le MPPT est assez rapide, il arrive un certain
moment reprendre dans la bonne direction. Lalgorithme atteint alors le MPP, malheureusement il
continu perturber le systme dans cette mme direction, ce qui loigne encore une fois le point de
fonctionnement du MPP. Ce phnomne se reproduit tant que le niveau de rayonnement augmente et
ne sarrte quune fois que ce dernier devient stable (ce qui est peu probable en pratique). La perte de
puissance engendre par cette mauvaise interprtation nest pas trs grande, car le MPPT est assez
rapide. Nanmoins, lalgorithme peut tre amlior pour viter ce phnomne.
Burger [14][56] a propos une solution ce problme en introduisant une nouvelle condition dans
lalgorithme comme il sera expliqu dans ce qui suit. Sur la gure 6.30, on remarque que laugmentation
de lclairement est caractrise par laugmentation de la puissance deux fois au cours des deux derniers
cycles ou par le sens de perturbation qui reste le mme pour les deux dernires tapes. Une solution
au problme derreur dinterprtation serait dinverser la direction de perturbation lorsque ce cas
se produit. Pour cela, lalgorithme doit prendre en compte les variations de puissance 1P et de
tension 1V linstant (k 0 1) en plus de ceux de linstant (k) dj utilises. Lalgorithme amlior
utilise alors 4 variables, ce qui donne 16 cas possibles comme le montre le tableau ci-dessous (G
reprsente lensoleillement). La contribution de lamlioration sera note NCC pour Nouvelle Condition
de Contrle.

85

1V (k 0 1)
0
0
0
0
0
0
0
0
+
+
+
+
+
+
+
+

1P (k 0 1)
0
0
0
0
+
+
+
+
0
0
0
0
+
+
+
+

1V (k)
0
0
+
+
0
0
+
+
0
0
+
+
0
0
+
+

1P (k)
0
+
0
+
0
+
0
+
0
+
0
+
0
+
0
+

Description
invalide, V < Vmpp
invalide, (G %), NCC
G&
V < Vmpp
V ' Vmpp ou G &
V > Vmpp ou G & , NCC
V > Vmpp
G %; NCC
G&
V > Vmpp
invalide, V > Vmpp
invalide (G %), NCC
V < Vmpp
G %; NCC
V ' Vmpp ou G &
V < Vmpp ou G % , NCC

1V (k + 1)
+
+
0
+
+
+
0
0
+
0
0
0
+
+
0
0

Si laugmentation de la puissance est cause par la perturbation et non pas par laugmentation
de lclairement, lalgorithme P&O amlior provoque la diminution de la puissance pour un cycle
(mauvais sens de perturbation), mais reprend dans la bonne direction au cycle suivant.
Le diagramme bloc de lalgorithme P&O amlior est prsent sur la gure 6.32. Le modle est
utilis comme sous systme et un masque facilite le paramtrage.

Figure 6.32 : Modle SIMULINK de lalgorithme P&O amlior


Les rsultats de la simulation pour lalogrithme P&O amlior pour les mmes conditions de
fonctionnement quauparavant sont prsents ci-dessous.

86

Puissance (W)
80
60
40
20
0

Puissance MPP
0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.08

0.1

Rapport cyclique
0.8

0.75

0.7

0.65

0.02

0.04

0.06
Temps(s)

Figure 6.33 : Rsultat de la simulation de lalgorithme P&O amlior lors dun changement
progressif de lclairement (puissance du GPV et rapport cyclique)
Tension (V)
25
Tension MPP

20
15
10
5
0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

Courant (A)
6

2
Courant MPP
0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

Temps(s)

Figure 6.34 : Rsultat de la simulation de lalgorithme P&O amlior (tension et courant du GPV)
On remarque sur la gure 6.33 que lorsque laugmentation de la puissance est le rsultat de laugmentation de lclairement, linversion du sens de perturbation produite par lalgorithme P&O amlior provoque laugmentation de la puissance. Par consquent, le systme oscille autour du point
de fonctionnement prcdent jusqu ce que lensoleillement devient stable. linstant 0.66, le MPP
commence sloigner du point de fonctionnement, mais lalgorithme amlior detecte a et dplace
le point de fonctionnement dans la bonne direction. Lalgorithme P&O amlior donne un meilleur
rsultat que lalgorithme classique.

6.3.3

Performance sous un niveau de temprature variant

En plus du niveau de rayonnement G, un autre facteur qui inuence la caractristique du GPV


est la temprature T. Cependant, le gradient de cette variable est beaucoup plus petit que celui de
lclairement. La temprature dpend principalement de lclairement. Durant les priodes dombrage
o lorsque le ciel est couvert, la temprature baisse sensiblement.
87

Les rsultats de la simulation pour une temprature croissante (gure 6.35) en utilisant lalgorithme P&O classique sont donne ci-dessous. Le niveau de rayonnement reste constant (1000W=m2 ).
Ici, laugmentation de la temprature nest pas raliste puisquune telle variation ne peut se produire sur une aussi courte dure. Ce choix permet nanmoins dobtenir une rponse, reprsentant le
comportement du systme, assez visible.
Temprature (C)
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

Temps(s)

Figure 6.35 : Variation croissante de la temprature ambiante


Puissance (W)
80

70

60
Puissance MPP
50

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.08

0.1

Rapport cyclique
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
0.65
0

0.02

0.04

0.06
Temps(s)

Figure 6.36 : Puissance du GPV et rapport cyclique pour un pas de 0.01 lors de la variation de la
temprature
On remarque que le MPP est parfaitement poursuivi durant la variation de la temprature. On
ce qui concerne lalgorithme P&O amlior, les rsultats correspondant sont reprsents sur la gure
6.37.

88

Puissance (W)
80

70

60
Puissance MPP
50

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.08

0.1

Rapport cyclique
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
0.65
0

0.02

0.04

0.06
Temps(s)

Figure 6.37 : Rsultat de la simulation de lalgorithme P&O amlior - Puissance du GPV et


rapport cyclique pour un pas de 0.01 lors de la variation de la temprature
Lalgorithme amlior prend au dbut plus de temps pour atteindre le MPP. Une fois le MPP
atteint, le rsultat est identique quavec lalgorithme classique.

6.3.4

Performance lors de la variation de la charge

Pour tester le comportement du systme lors dune variation de la charge, nous avons utilis le
diagramme bloc de la gure 6.38. Une charge rsistive est ajoute linstant 0.02s. Les rsultats de la
simulation pour lalgorithme P&O sont donns ci-dessous.

Figure 6.38 : Systme pour la simulation de la variation de la charge

89

Puissance (W)
90
80
70
60
50
40
30

Puissance MPP
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.05

0.06

0.07

Rapport cy clique
0.8
0.75
0.7
0.65

0.01

0.02

0.03
0.04
Temps(s)

Figure 6.39 : Rsultat de la simulation correspondant lalgorithme P&O classique (puissance du


GPV et rapport cyclique)
Tension (V)
20
15
10
5
Tension MPP
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

Courant (A)
6
5
4
3
Courant MPP
2

0.01

0.02

0.03
0.04
Temps(s)

0.05

0.06

0.07

Figure 6.40 : Rsultat de la simulation correspondant lalgorithme P&O classique (tension et


courant du GPV)
Une fois que la charge a vari, on remarque que lalgorithme change la valeur du rapport cyclique
pour poursuivre le MPP. Les rsultats pour lalgorithme amlior sont donns sur les gures 6.41 et
6.42.

90

Puissance (W)
90
80
70
60
50
40
30

Puissance MPP
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.05

0.06

0.07

Rapport cyclique
0.8
0.75
0.7
0.65

0.01

0.02

0.03
0.04
Temps(s)

Figure 6.41 : Rsultat de la simulation correspondant lalgorithme P&O amlior (puissance du


GPV et rapport cyclique)
Tension (V)
20
15
10
5
Tension MPP
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

Courant (A)
6
5
4
3
Courant MPP
2

0.01

0.02

0.03
0.04
Temps(s)

0.05

0.06

0.07

Figure 6.42 : Rsultat de la simulation correspondant lalgorithme P&O amlior (tension et


courant du GPV)
On voit que lalgorithme amlior prend plus de temps pour rejoindre le MPP. En eet, il lui faut
5 fois plus de temps que lalgorithme classique. Ceci est d lamortissement de la rponse rsultant
de la nouvelle condition de contrle ajoute. Pour palier ce problme, on propose dutiliser un pas de
perturbation variable. Pour commencer, on utilisera 2 valeurs suivant lamplitude de la variation de
la puissance linstant (k). Si la variation de la puissance est infrieure un certain seuil, on utilisera
un pas de perturbation de 0.01. Dans le cas contraire, un pas de 0.05 sera utilis. Le schma bloc dun
tel algorithme est reprsent ci-dessous.

91

Figure 6.43 : Modle SIMULINK de lalgorithme P&O amlior pas de perturbation variable
Les rsultats de la simulation correspondants sont donns ci-bas.
Puissance (W)
90
80
70
60
50
40
30

Puissance MPP
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.05

0.06

0.07

Rapport cyclique
0.8
0.75
0.7
0.65

0.01

0.02

0.03
0.04
Temps(s)

Figure 6.44 : Rsultat de la simulation correspondant lalgorithme P&O amlior pas de


perturbation variable (puissance du GPV et rapport cyclique)

92

Tension (V)
20
15
10
5
Tension MPP
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

Courant (A)
6
5
4
3
Courant MPP
2

0.01

0.02

0.03
0.04
Temps(s)

0.05

0.06

0.07

Figure 6.45 : Rsultat de la simulation correspondant lalgorithme P&O amlior pas de


perturbation variable (tension et courant du GPV)
Daprs les rsultats de la simulation, il est claire que lalgorithme P&O amlior pas de perturbation variable donne de meilleurs rsultats. En eet, la poursuite du MPP est instantane dans ce
cas.

6.3.5

Performance lors dun ombrage partiel sur le GPV

Pour tester les performances de lalgorithme P&O amlior pas de perturbation variable lors
dun ombrage partiel sur le GPV, nous avons conu un modle sous Simulink permettant de simuler
le comportement du GPV dans une telle situation. Nous supposons ici que chaque cellule du GPV est
munie dune diode Bypass en parallle. Le modle fait appel un bloc "Embedded Matlab Function".
Le masque correspondant est reprsent ci-dessous.

Figure 6.46 : Interface de saisie des paramtres du panneau photovoltaque ombrag


Les caractristiques I/V et P/V du GPV utilis prcdemment dont 10 cellules sont ombres sont
reprsentes sur les gures 6.47 et 6.48 respectivement.

93

Caractristique P/V
60

50

40
Puissance (W)

Courant (A)

Caractristique I/V
6

30

20

10

10

15
T ension (V)

20

25

Figure 6.47 : Caractristique I/V du panneau dont


10 cellules sont ombrages

10

15
T ension (V)

20

Figure 6.48 : Caractristique P/V du panneau


dont 10 cellules sont ombrages

Sur la courbe P/V, on remarque quil y a deux maxima locaux, mais globalement il existe un seul
MPP dont les coordonnes sont (Vmpp ; Impp ; Pmpp ) = (12; 4:74; 56:86). Le diagramme bloc ci-dessous
permet de simuler le comportement du systme en cas dombrage partiel sur le GPV. Nous avons d
utiliser un bloc Lookup Table au lieu du bloc GPV ombr conu prcdemment, car Simulink
narrivait pas rsoudre une boucle algbrique que nous navons pas pu liminer. Les donnes utilises
par le bloc LUT ont t obtenu en utilisant le programme du bloc GPV ombr.

Figure 6.49 : Modle pour la simulation dun ombrage partiel du GPV


Les paramtres utiliss pour la simulation sont une frquence MPPT de 1kHz, un rapport cyclique
initial de 10% et un pas de perturbation de 0.01. Les rsultats sont reprsents sur les gures 6.50.et
6.51

94

25

Puissance (W)
20
15
10
5
0

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.03

0.035

0.04

Rapport cyclique
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1

0.005

0.01

0.015

0.02
0.025
Temps(s)

Figure 6.50 : Rsultat de la simulation lors dun ombrage partiel du GPV


Caractristique P/V
60
Caractristique P/V
Point de fonctionnement

50

Puissance (W)

40

30

20

10

10

15

20

25

Tension (V)

Figure 6.51 : Caractristique P/V et positionnement du point de fonctionnement sous linuence


de lalgorithme P&O amlior pas de perturbation variable lors dun ombrage partiel
On remarque que lalgorithme P&O amlior ne parvient pas trouver le MPP, puisquil reste
bloqu sur un maximum local (10W). Nous avons l aussi un autre inconvnient de lalgorithme P&O.
En eet, lalgorithme eectue une recherche locale, mais ne fait pas appel une vision globale.
La solution que nous proposons pour palier ce problme est de faire un balayage (sweeping) en
variant la valeur du rapport cyclique D de 0% 100% tout en sauvegardant la valeur maximale de la
puissance au passage. Cela permettra de dtecter le vrai MPP. Le schma bloc reprsent ci-dessous
permet de simuler cette mthode.

95

Figure 6.52 : Modle intgrant laction de balayage (sweeping)


Le bloc sweeping est dtaill sur la gure 6.63.

Figure 6.53 : Schma bloc de laction sweeping


Quand au bloc MPPT P&O , il a t adapt pour tre utilis avec le bloc sweeping (gure
6.54).

96

Figure 6.54 : Modle SIMULINK de lalgorithme P&O amlior adapt pour laction sweeping
Les rsultats de la simulation sont reprsents ci-bas.
Puissance (W)
60

40

20

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.02

0.025

Rapport cy clique
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0

0.005

0.01

0.015
Temps(s)

Figure 6.55 : Rsultat de simulation de laction sweeping

97

Caractristique P/V
60
Caractristique P/V
Point de fonctionnement

Puissance (W)

50
40
30
20
10
0

10

15

20

25

Tension (V)

Figure 6.56 : Positionnement du PF sur la caractristique P/V sous linuence de lalgorithme


P&O amlior + sweeping
Sur la gure 6.56, on voi que la mthode propose donne de bons rsultats. Eectivement, aprs
le balayage le vrai MPP est trouv.

6.4

Conclusion

Nous avons eectu dans ce chapitre la simulation du convertisseur MPPT sous Simulink en utilisant la bote outil SimPowerSystems. Ceci nous a permis de constituer une bibliothque de composants
correspondant un systme photovoltaque, intgrant les modles du GPV, du convertisseur de puissance, de lalgorithme MPPT Perturbation et Observation (Perturb & Observe) et de la charge ou
batterie. Nous avons mis en oeuvre, pour les dirents composants, un masque facilitant leur paramtrage. Nous avons dmontr lecacit de lalgorithme MPPT travers les rsultats de la simulation.
Pour cela, nous avons utilis une panoplie de tests pour mettre lalgorithme en preuve dans le cas de
conditions climatiques et une charge variables. Nous avons constat, travers les rsultats des tests
le dfaut principal de lalgorithme P&O qui est sa mauvaise interprtation de la localisation du MPP
lors dun changement brusque des conditions climatiques. Nous avons vu ensuite que lamlioration
de lalgorithme P&O a permis de passer outre ce problme. Aussi, nous avons parl du problme,
tout aussi raliste, de lombrage partiel du GPV et nous avons propos un modle qui a permis la
simulation dun tel phnomne. En eet, dans ce cas, plusieurs maxima locaux peuvent apparatre
induisant lalgorithme MPPT en erreur, menant de la sorte une perte de puissance non ngligeable.
La solution propose qui consiste faire un balayage sur toute la plage de la tension a permis de
remettre lalgorithme sur la bonne direction.

98

Chapitre 7

Etude de la Stabilit et de la
Robustesse
7.1

Introduction

Nous avons mentionn prcdemment quil tait dicile dobtenir un modle global pour dcrire
lalgorithme MPPT et le convertisseur statique en mme temps. Ceci rend impossible lanalyse conventionnelle de la stabilit du systme et des performances dynamiques. Nanmoins, il est possible dtablir
un modle dynamique sur une priode de commutation sans prendre en compte lalgorithme utilis.
Dans ce chapitre, nous allons tudier la stabilit et la robustesse du systme form par le GPV, le CS
et une batterie.

7.2

Approximation Linaire des Caractristiques du GPV

Comme il a t vu dans le chapitre 3, les caractristiques lectriques du GPV sont non linaires et
temps variant. Dans un circuit lectrique, la rsistance est dnie par le rapport de la tension aux
bornes dun lment sur le courant qui le traverse. Concernant le GPV, le rapport de la tension ses
bornes sur le courant le traversant varie avec la tension ou le courant. Le rapport dune variation de
la tension sur la variation du courant dnit ce quon appelle la rsistance dynamique qui reprsente
la pente de la courbe de la rsistance en un point. La rsistance dynamique du GPV est ngative,
bienque la rsistance statique soit dnie positive.[57]
Nous avons dj vu que lexpression de la tension du GPV (quation 3.8) est donne par :

 P

V 0 VocP + I P RsP
P
P
I = Isc 1 0 exp
C
Ns Vth

(7.1)

La drive de cette expression dnit la rsistance dynamique rpv du GPV qui est fonction de la
tension et du courant photovoltaques.
dV
rpv =
(7.2)
dI

 P
V 0 VocP + I P RsP
(7.3)
h = exp
C
Ns Vth
rpv =

P RP h
0Ns Vth 0 Isc
s
Ph
Isc

(7.4)

La rsistance dynamique dpend de la temprature et du rayonnement puisque les les termes qui la
dnissent dpendent eux mme de ces derniers. Par consquent, la rsistance dynamique possde des
99

caractristiques temps variant. Les gures 7.1 et 7.2 prsentent la courbe de la rsistance dynamique
du panneau dcrit au chapitre 6 pour direntes tempratures et dirents niveaux de rayonnement.
La rsistance dynamique peut tre approxime par lexpression 7.5, o vbpv et bipv reprsentent respectivement une petite variation de la tension et du courant photovoltaques.
rpv '

vbpv
bipv

(7.5)

Rsistance dynamique (Ohm)

Rsistance dynamique (Ohm)

- 20

- 40

- 60

- 80

T = 10C
T = 25C
T = 45C
MPP

- 100

- 120
14

16

18
Tension (V)

20

22

Figure 7.1 : Courbes de la rsistance dynamique


du GPV pour direntes temprature

- 20

- 40

- 60
G = 1000 W /m
G = 800 W /m
G = 400 W /m
MPP

- 80

- 100
14

16

18
Tension (V)

20

Figure 7.2 : Courbes de la rsistance dynamique


du GPV pour dirents niveaux de rayonnement

Dans les travaux de [57] pour simplier lanalyse, une approximation linaire par morceau de la
caractristique I/V du GPV a t utilise (gure 7.3). La courbe I/V est divise en 4 rgions selon la
valeur de la pente qui est proportionnelle la rsistance dynamique. Ces rgions sont : rgion source
de courant, rgion de puissance I, rgion de puissance II et rgion source de tension. La rsistance
dynamique en valeur absolue est petite dans la rgion source de tension et grande dans la rgion source
de courant.

Courbe I/V
MPP
1

courant normalis (A/A)

Rgion source de courant


0.8

Rgion de
Puissance II

Rgion de
Puissance I

0.6

Rgion
source
de tension

0.4

0.2

0.2

0.4
0.6
0.8
Tension normalise (V/V)

1.2

Figure 7.3 : Approximation linaire par morceau de la caractristique I/V du GPV


En gnral, le fonctionnement normal du MPPT dmarre de la rgion source de tension pour se
diriger ensuite vers les rgions de puissance et y rester en rgime stationnaire.
100

22

7.3

Linarisation du Modle du Systme

Dans ce qui suit la modlisation dynamique du systme en considrant la tension photovoltaque


Vpv comme sortie est dcrite. Les notations sont les mmes que dans la partie 5.3.1.4. On considre ici
que le CS fonctionne en MCC et que la charge est une batterie. Les pertes de puissance sont supposes
nulles et la chute de tension aux bornes de la diode est ngligeable.

7.3.1

Cas du convertisseur Buck

La tension aux bornes de linductance et le courant travers le condensateur dentre C1 pour


chaque tat du commutateur (a : ferm, b : ouvert) sont donns par :
8
diL
>
>
>
< L dt = vpv 0 Vbat
a:
(7.6)
>
>
dv
pv
> C
:
= ipv 0 iL
1
dt
8
diL
>
>
>
< L dt = 0Vbat

(7.7)
>
>
dv
pv
>
: C1
= ipv
dt
En utilisant la mthode de la valeur moyenne, on obtient les quations non linaires dcrivant le
systme sur une priode de commutation (modle moyen) :
b:

8
diL
>
>
>
< L dt = Dvpv 0 Vbat

(7.8)

>
>
>
: C dvpv = i 0 Di
pv
1
L
dt

Lanalyse petits signaux du systme (vu dans la partie 5.3.1.4) permet dobtenir un modle linaris
dont la reprsentation dans lespace dtat est :
2
3
2
3
Vpv
D




0
L
L
b
biL
d
7b
5 iL + 6
=4
(7.9)
5d
4
vbpv
dt vbpv
1
IL
0 CD1
0
rpv C1
C1
y=

0 1

biL
vbpv

(7.10)

o rpv est la rsistance dynamique. vbpv , bipv et db reprsentent respectivement une petite variation
autour dun point de fonctionnement de la tension photovoltaque, du courant photovoltaque et du
rapport cyclique.
La fonction de transfert du systme qui en dcoule est donne par :
I

GBuck (s) =

DVpv

L
vbpv (s)
C1 s + LC1
=
D2
s2 0 rpv1C1 s + LC
db0 (s)
1

o D0 = 1 0 D; db0 reprsente une petite variation de d0


101

(7.11)

En analysant le modle mathmatique du convertisseur Buck, on remarque quil y a 4 paramtres


temps variant, savoir, la rsistance dynamique, le rapport cyclique, la tension photovoltaque et le
courant travers linductance.
La fonction de transfert reprsentant le systme peut tre crite sous la forme dun second ordre
avec zro gauche o K est le gain,  est le facteur damortissement, ! n est la pulsation propre et  :
GBuck (s) =

K (s +  )
s2 + 2! n s + ! 2n

avec :
K=

IL
C1

(7.13)

D
LC1

(7.14)

!n = p
=0

1
2rpv C1 ! n

=

7.4

(7.12)

(7.15)

DVpv
LIL

(7.16)

Analyses du Modle

Dans ce qui suit, les modles mathmatiques tablis plus haut seront utiliss pour une analyse du
comportement du systme en terme de stabilit, de performances et de robustesse.

7.4.1

Convertisseur Buck

Les valeurs des paramtres du CS utilises pour lanalyse sont celles calcules au chapitre 6 (C1 =
660F; C2 = 100F; L = 120H). En considrant les 4 rgions voques prcdemment, on obtient 4
modles selon la position du point de fonctionnement. Les valeurs des variables Vpv ; D; IL et rpv pour
chaque rgion sont donnes sur les tableaux x pour un niveau de rayonnement de 1000W=m2 et une
temprature de 25E C.
Point de fonctionnement/ Variable
Rgion source de tension
Rgion de puissance II
Rgion de puissance I
Rgion source de courant

Vpv
20
16.5
15
13

D
0.60
0.73
0.8
0.92

IL
3.96
6.66
6.33
5.57

rpv
-0.2
-0.64
-1.95
-9.83

La rponse frquentielle pour chaque rgion de fonctionnement est reprsente sur la gure 7.4.

102

Bode Diagram

Magnitude (dB)

50

0
Rgion source de tension
Rgion de puissance II
Rgion de puissance I
Rgion source de courant
- 50
45

Phase (deg)

0
- 45
- 90
- 135
- 180
10

10

10
10
Frequency (rad/sec)

10

10

Figure 7.4 : Rponse frquentielle du systme selon la rgion de fonctionnement


On remarque que le systme prsente un mode souple dans la rgion de puissance I et la rgion
source de courant.
La marge de phase ainsi que le facteur damortissement pour chaque cas sont donns sur le tableau
suivant.
Point de fonctionnement
Rgion source de tension
Rgion de puissance II
Rgion de puissance I
Rgion source de courant

Marge de phase 'm


58:8E
53:8E
46E
39:2E

Facteur damortissement 
1:79
0:46
0:14
0:024

Il est clair que la position du PF parmis les 4 rgions considres, aecte sensiblement les performances du systme. Le systme ne prsente pas doscillations ni de dpassement en rgion de source
de tension. Il est moyennement amorti en rgion de puissance II , peu amorti en rgion de puissance
I et trs peu amorti en rgion source de courant. La marge de phase indique que le systme est stable
bien quelle est insusante dans la rgion de source de courant. Le systme en BO est stable sur les
4 rgions, car le systme ne prsente pas de ple instable.
Les rsultats de la simulation en utilisant le modle linaris sont reprsents ci-dessous. Les
gures illustrent le transitoire de la rponse indicielle en BO dans les rgions de puissance pour un un
changement de 2% du rapport cyclique.

103

17.2
15.6
17.1
15.5

Tension Vpv (V)

Tension Vpv (V)

17

16.9

16.8

15.4

15.3
15.2

16.7
15.1
16.6
15
16.5
0.015

0.016

0.017

0.018

0.019
0.02
Temps (s)

0.021

0.022

0.023

0.02

Figure 7.5 : Rponse du systme dans la rgion


de puissance II

0.022

0.024

0.026
0.028
Temps (s)

0.03

0.032

0.034

Figure 7.6 : Rponse du systme dans la rgion


de puissance I

On voit que dans la rgion de puissance II la rponse est moyennement amortie. Tandis quen rgion
de puissance I, elle est peu amortie. Le temps dtablissement sen trouve alors aect. Or, comme
nous lavons vu auparavant, le temps dtablissement est une donne importante pour lalgorithme
MPPT. De plus, les oscillations observes engendrent une perte de la puissance produite par le GPV,
ce qui nest pas souhaitable.
Pour conclure, on peut dire que la robustesse en stabilit de notre systme est naturellement
assure, alors que la robustesse en performances ne lest pas..

7.5

Synthse du Rgulateur pour le Convertisseur Buck

An dliminer les oscillations nfastes de la rponse de notre systme, il est ncessaire de synthtiser une commande bien approprie. Pour tre couronne de succs, la conception de cette commande
doit prendre en compte les limitations principales rencontres. En eet, les caractristiques du systme temps variant et la rponse peu amortie du systme sont les majeurs problmes prendre en
considration.
La gure ci-dessous illustre la boucle de commande globale qui regroupe lalgorithme MPPT et le
rgulateur qui sera synthtis dans cette partie. Lalgorithme fournit la tension de rfrence Vref qui
reprsente une poursuite du MPP. Le rgulateur se contente dassurer la poursuite de la tension Vref
en respectant les conditions dun cahier de charges.

104

Figure 7.7 : Boucle de commande globale

7.5.1

Synthse dun rgulateur de type PID

Introduction
Le rgulateur Proportionnel-Integral-Drive (PID) est le rgulateur le plus utilis dans lindustrie,
il permet de contrler un grand nombre de procds. Il trs utilis en lectronique de puissance bienque
de nouvelles techniques de commande sont proposes pour des applications industrielles. Il existe
plusieurs mthodes pour la synthse dun rgulateur PID. On peut citer des mthodes pratiques qui
utilisent des mesures exprimentales telles que la mthode de Ziegler-Nichols ou la mthode de P.
Naslin. Cependant, pour de meilleures performances, il est prfrable dutiliser des mthodes bases
sur le modle telles que les mthodes de synthse dans le domaine frquentiel. La combinaison des trois
actions proportionnelle, intgrale et drive orent gnralement assez de exibilit pour concevoir un
rgulateur linaire menant la stabilit de la boucle ferme et la satisfaction des performances
requises.
Lors de la synthse dun rgulateur, la robustesse est sans doute le paramtre le plus important
et dlicat. On dit quun systme est robuste si la rgulation fonctionne toujours mme si le modle
change un peu (modle incertain). Un rgulateur doit tre capable dassurer sa tche mme avec ces
changements an de sadapter des usages non prvus. La variation du modle de notre systme selon
la rgion o se situe le PF peut tre considre comme une incertitude paramtrique du modle lors
de la synthse du rgulateur [59][60][61].

Synthse du rgulateur
Lexpression de la fonction de transfert du rgulateur PID peut avoir la forme :


1
R (s) = Kp (1 + Td s) 1 +
Ti s
Kp
=
(1 + Td s) (1 + Ti s)
Ti s

(7.17)

o Kp est le gain de 
laction proportionnelle,
Ti la constante de temps de laction intgrale et Td

1
1
celle de laction drive. Ti 6 Td

Pour assurer la causalit du systme, on utilisera une approximation du drivateur en remplaant


Td s
avec Tf  Td .
Td s par 1+T
fs

105

Pour synthtiser le rgulateur, nous devons choisir un modle nominal. Les autres modles seront
considrs comme des modles perturbs. tant donn que notre systme fonctionnera dans la rgion
de puissance en rgime tablit (en supposons que les conditions atmosphriques ne varient pas), on
choisira comme modle nominal, le modle correspendant la rgion de puissance I, car il prsente
des caractristiques plus dfavorable.
Le cahier des charges que nous nous sommes impos est :
- Une erreur statique nulle.
- Un temps dtablissement infrieur 3ms.
- Un dpassement infrieur 10%.
Le rgulateur PID possde une action intgrale, ce qui est susant pour annuler lerreur statique.
La pulsation propre dun second ordre est donne par lexpression (sans zro) :


q
1
!0 = 0
ln 0:05 1 0  2
ts;5%

(7.18)

Ce qui donne ! 0 = 1:46 1 103 rd=s:pour ts;5% = 3ms. Pour avoir un temps dtablissement infrieur
3ms il faut imposer une pulsation de coupure au-del de cette valeur. Pour tre assez loin de la
rsonnance, on choisira une frquence de coupure de 2 1 104 rd=s:
Daprs labaque dun systme du 2nd ordre, D% = f () paramtr en marge de phase M ', nous
pouvons dire quimposer un dpassement infrieur 10% exige une marge de phase suprieure 75E
et un amortissement suprieur 0:85.
La fonction de transfert du modle utilis possde un zro gauche. tant donn que leet majeur
dun zro gauche est daugmenter le dpassement, le rgulateur devra ajouter plus de phase pour
satisfaire lexigence sur ce critre. Par consquent, la marge de phase du systme corrig doit tre
suprieure 90E . Lapport de phase se fait par laction drive du rgulateur (1 + Td s). La phase du
modle nominal pour ! = 2 1 104 rd=s vaut 0132E . Aprs plusieurs essais, il a fallu ajouter plus de 80E
par laction drive pour aboutir un dpassement infrieur 10%. La valeur de Td peut tre calcule
par :
1
0
1
= 2:5 1 103
(7.19)
arctan 2 1 104 2 Td ' 83 =) Td = 4 1 1004 =)
Td
Pour ne pas perturber ce rglage, on choisit
On prend T1i = 2:103 soit Ti = :0:5 1 1003 :

1
Ti

infrieur dune dcade la pulsation de coupure.

Pour ne pas altrer la marge de phase obtenue, nous avons choisi une valeur de Td =

1
51104

An davoir un gain unit la frquence de coupure dsire, le gain Kp doit tre calcul.
C
C
C Kp
C
C
C
= 1 =) Kp ' 0:20
C jTi ! (1 + jTd !) (1 + jTi !) Gn (j!)C
!=21104

(7.20)

Finalement, la fonction de transfert du rgulateur est donne par :


R (s) =

4:288s2 + 1:878 1 104 s + 2:042 1 107


s2 + 5 1 104

(7.21)

Le trac de Nyquist de la boucle ouverte corrige est donn sur la gure 7.8. Pour les 4 rgions de
fonctionnement, la marge de phase est suprieure 100E et la marge de gain est innie. Le trac de
Nyquist illustre graphiquement le degr de stabilit du systme corrig. On voit aussi sur la gure, la
plus courte distance au point critique (reprsent par le cercle) qui reprsente la marge de module. La
106

marge de module minimale correspondant la rgion source de courant vaut 0.7. Son expression est
donne par :
1M = min fj1 + Gn (j!) R (j!)jg
8!
(7.22)
Nyquist Diagram

1
0.8
0.6

Imaginary Axis

0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
Rgion source de tension

- 0.8

Rgion de puissance II
Rgion de puissance I

-1

Rgion source de courant


-2

- 1.5

-1
Real Axis

- 0.5

Figure 7.8 : Trac de Nyquist de la boucle ouverte corrige


Rgion de puissance II
18

20.5

17.5

Tension Vpv (V)

Tension Vpv (V)

Rgion source de tension


21

20

19.5

19

0.015 0.016 0.017 0.018 0.019


Temps (s)

17

16.5

16

0.02

14.5

16

14

15.5

15

14.5

0.015 0.016 0.017 0.018 0.019


Temps (s)

0.02

Rgion source de courant

16.5

Tension Vpv (V)

Tension Vpv (V)

Rgion de puissance I

0.015 0.016 0.017 0.018 0.019


Temps (s)

0.02

13.5

13

12.5

0.015 0.016 0.017 0.018 0.019


Temps (s)

0.02

Figure 7.9 : Rponse du systme corrig dans chaque rgion


Les ples de la BO dans les 4 rgions sont tous partie relle ngative. Ainsi, la robustesse en
stabilit de la BO est assure.
107

Le rsultat de la simulation pour un rayonnement de 1000W=m2 et une temprature de 25E C en


utilisant le modle linaris est reprsent sur la gure 7.9. Le temps dtablissement est infrieur
3ms et le dpassement infrieur 10%. Le cahier de charges est donc respect. On peut dire que le
rgulateur PID assure la robustesse en performances de la BO corrige.
Discrtisation du rgulateur
Pour pouvoir implanter le rgulateur PID dans un microcontrleur, il est ncessaire de le discrtiser.
Lutilisation dun microcontrleur introduit un retard parasite qui est d au temps de conversion des
grandeurs physiques continues en numrique (chantillonnage), qui est gnralement de T2s , avec Ts
priode dchantillonnage, et au temps de calcul. Un retard pur a un eet dphaseur. La perte de
phase peut tre estime pour une frquence ! par 1' = 0! , o  reprsente le retard. Lors de
la commande du CS, la variable commander peut tre mise jour seulement au dbut du cycle de
commutation suivant. Si la frquence dchantillonnage est choisie gale la frquence de commutation
du CS, alors le retard peut tre considr gal une priode de commutation, en loccurrence 10s
(frquence de commutation de 100kHz) [59][62][63].
Le choix de la frquence dchantillonnage est crucial. En eet, la frquence choisie doit respecter
le thorme de Shannon qui nonce que la frquence dchantillonnage dun signal doit tre gale ou
suprieure au double de la frquence maximale contenue dans ce signal. Si ce thorme nest pas vri,
des distorsions du spectre du signal chantillonn par repliement spectral seront provoques, ce qui
se traduit par une perte dinformation du signal. En pratique, la frquence dchantillonnage fs est
choisie telle que : 5fc < f < 10fc avec fc frquence de coupure du processus commander. Pour
notre systme, nous avons choisi une frquence dchantillonnage gale la frquence de commutation
du CS [64].
An de prendre en compte le retard introduit par lutilisation dun microcontrleur dans ltude
de la stabilit, on utilise lapproximation de Pad du premier ordre.
e0 s 

2 0 s
2 + s

(7.23)

Cette approximation possde un zro droite, par consquent, le systme obtenu est dphasage
non minimal.
La marge de retard qui reprsente le retard parasite maximum acceptable pour ne pas altrer le
degr de stabilit du systme peut tre calcule par [59] :


1'
1 = min
avec 1' marge de phase en ! exprime en rd.
(7.24)
!
Ce qui donne dans notre cas 1 = 95:1s correspendant la rgion de puissance I.
Le trac de Nyquist de la BO corrige en ajoutant leet du retard valant 10s est reprsent
ci-bas..

108

Nyquist Diagram

Rgion source de tension


Rgion de puissance II
Rgion de puissance I
Rgion source de courant

4
3

Imaginary Axis

2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-4

- 3.5

-3

- 2.5

-2
- 1.5
Real Axis

-1

- 0.5

0.5

Figure 7.10 : Trac de Nyquist de la BO corrige en considrant leet du retard


Les marges de stabilit sont reprsentes sur le tableau ci-dessous.
Point de fonctionnement
Rgion source de tension
Rgion de puissance II
Rgion de puissance I
Rgion source de courant

Marge de phase 'm


107E
104E
98:3E
91:8E

Marge de gain (dB)


19
14:7
15:1
16:1

La marge de module est suprieure 1 sur les 4 rgions. Le systme corrig garde de bonnes marges
de stabilit aprs lajout du retard.
Pour obtenir un rgulateur discret, quivalent au rgulateur continu synthtis prcdemment, on
utilise la transformation bilinaire de Tustin dont lexpression est [63] :
s=

2 z01
Ts z + 1

(7.25)

o s est la variable complexe, z la variable discrte et Ts la priode dchantillonnage.


La fonction de transfert du rgulateur PID discret (transforme en z) pour une frquence dchantillonnage de 100kHz est donne par :
R (z) =

3:506 0 6:859z 01 + 3:355z 02


1 0 1:6z 01 + 0:6z 02

(7.26)

Le trac de Bode de lapproximation discrte et celui du rgulateur continu sont reprsent cidessous. Il est clair que lapproximation de Tustin donne un rsultat satisfaisant pour la frquence
dchantillonnage choisie.

109

Bode Diagram
40
Rgulateur continu

Magnitude (dB)

30

Approximation T ustin

20
10
0
- 10
90

Phase (deg)

45

- 45

- 90
1

10

10

10
10
Frequency (rad/sec)

10

10

Figure 7.11 : Trac de Bode de lapproximation discrte et du rgulateur continu

Leet Windup
La boucle de rgulation de notre systme est schmatise sur la gure 7.12. La prsence du bloc
saturation sexplique par le fait que le rapport cyclique, qui constitue la variable de commande, prend
ses valeurs entre 0% et 100%.

Vref

Rgulateur
PID

dr

Vpv
Processus

Figure 7.12 : Boucle de rgulation faisant apparatre la saturation


Pour un systme qui possde des conditions de fonctionnements avec de larges variations, il se
pourrait que la variable de commande atteigne ses limites. Dans ce cas, la BF est brise et le systme
fonctionne comme une BO, car la commande restera bloque (un certain moment) indpendamment
de la sortie du systme. Si un rgulateur avec une action intgrale est utilis, alors lerreur continuera
tre intgre et persiste plus longtemps. Cela veut dire que le terme intgral peut devenir trs important
et il stocke un excs dnergie. Il est alors ncessaire que lerreur ait un signe oppos durant une longue
dure, le temps de dpenser lexcs dnergie stoque, avant que les choses retournent la normale.
Ce phnomne porte le nom deet Windup (emballement) qui se manifeste par un dpassement
important, des oscillations amorties et un transitoire assez long dans la rponse du systme. Leet
Windup apparat aussi lors du dmarrage du systme, lors de la prsence de grandes perturbations ou
lors dun mal fonctionnement de lquipement [67][60][82].

110

Lors des simulations que nous avons eectu, en utilisant un modle tablit sous Simulink (modle
non linaire), pour tester le rgulateur PID synthtis prcdement, nous avons remarqu un dpassement important au dmarrage du systme comme le montre la gure 7.14. Nous avons constat aussi
que, dans le cas o la tension de rfrence fait des sauts de plus de 3V, le dpassement ne satisfait
pas le cahier des charges. Ceci est d la commande qui sen trouve sature lors du dmarrage ainsi
que lors dun changement important de la tension de rfrence, autrement dit, leet windup. Pour
palier ce problme, la solution que nous proposons est illustre sur la gure ci-dessous o kaw est le
coecient de compensation anti-windup qui devient actif lorsque dr (k) 0 d (k) 6= 0 (saturation de la
commande). Les rsultats de la simulation montrent lecacit de lanti-windup.

Vref

e
_

dr

Rgulateur
PID

Vpv
Processus

Kaw

Figure 7.13 : Boucle de rgulation avec action anti-windup


Dmarrage
22
avec anti- windup
sans anti- windup

20
18

Tension Vpv (V)

16
14
12
10
8
6
4
2
0

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

Temps (s)

Figure 7.14 : Rponse du systme corrig avec et sans action anti-windup lors du dmarrage du
systme

111

Dmarrage
20
avec anti- windup
sans anti- windup

19.5
19

Tension Vpv (V)

18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
0.009

0.01

0.011

0.012

0.013 0.014
Temps (s)

0.015

0.016

0.017

0.018

Figure 7.15 : Rponse du systme corrig avec et sans action anti-windup lors dun saut de la
tension de 3V
Le rgulateur PID discret peut tre crit sous la forme :
R (z) =

b0 + b1 z 01 + b2 z 02
db0r (z)
=
E (z)
1 + a1 z 01 + a2 z 02

(7.27)

o db0r est la variable de contrle petits signaux , E est lerreur entre la consigne et le signal mesur
(e = Vref 0 Vpv (k)) et ai ; bi des coecients constants.
Il peut aussi tre reprsent par lquation aux dirences :

db0r (k) = 0a1 db0r (k 0 1) 0 a2 db0r (k 0 2) + b0 e (k) + b1 e (k 0 1) + b2 e (k 0 2)

(7.28)

e (k) = e (k) 0 kaw 1d (k)

(7.29)

Pour implanter lalgorithme anti-windup, il sut dutiliser lexpression suivante lorsquune saturation de la commande se produit :

o 1d (k) = dr (k) 0 d (k)

112

Organigramme de la rgulation
Lorganigramme de la rgulation est reprsent sur la gure 7.16.
Boucle de
Rgulation

Lire V bat

e = V ref ? V pv k

v
v
v
d r k = ?a 1 d r k ? 1 ? a 2 d r k ? 2 + b 0 ek + b 1 ek ? 1 + b 2 ek ? 2

v
d r k > 1

ou
v
d r k < 0

oui

ek = ek ? k aw Adk

non
Mise jour donnes

v
v
d r k ? 2 = d r k ? 1
v
v
d r k ? 1 = d r k
ek ? 2 = ek ? 1
ek ? 1 = ek

Fin boucle

Figure 7.16 : Boucle de rgulation de la tension photovoltaque Vpv


Evaluation
Lecacit de la commande synthtise prcdemment est dmontre travers les rsultats de la
simulation que nous avons eectu. La gure 7.17 illustre les performances de la commande sous un
niveau de rayonnement bas de 400W/m2 et une temprature de 10E C, ce qui reprsente des conditions
de fonctionnement dfavorable, car dans ce cas le systme devient trs oscillatoire. Les rsultats de la
simulation montrent la stabilit du systme sur les 4 rgions de fonctionnement. titre comparatif,
la gure 7.18 reprsente le comportement du systme en labsence du rgulateur PID. On distingue
bien la nature oscillatoire du systme dans ce cas. Lire Vbat

113

Tension Vpv (V)

Rgion source de tension

Rgion de puissance II

20

18

19.5

17.5

19

17

18.5

16.5

18

0.015

0.02

0.025

16

Tension Vpv (V)

Rgion de puissance I
14.5

16

14

15.5

13.5

15

13

0,012

0.02

0.025

Rgion source de courant

16.5

14.5

0.015

0,017
Temps (s)

0,022

12.5

0,012

0,017
Temps (s)

0,022

Figure 7.17 : Performances de la commande sous un niveau de rayonnement de 400W/m2 et une


temprature de 10E C
20
19
18

Tension Vpv (V)

17
16
15
14
13
12
11
10

0.01

0.015

0.02

0.025
0.03
Temps (s)

0.035

0.04

0.045

Figure 7.18 : Rponse du systme sans correction


La majeure perturbation dont est sujet le systme et qui prsente une dynamique rapide est la variation du niveau de lclairement. En eet, le passage rapide de nuages cause de telles variations. Pour
illustrer leet dune telle perturbation, la gure 7.19 montre la performance du systme rgul lorsque
lclairement varie de 1000W/m2 500W/m2 puis inversement. On peut dire que la perturbation est
bien rejete.

114

Rayonnement (W/m)
Tension Vpv (V)

1200
1000
800
600
400
0.01

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0.022

0.012

0.014

0.016

0.018

0.02

0.022

0.012

0.014

0.016
Temp (s)

0.018

0.02

0.022

17

16.5

16
0.01
Courant Ipv (A)

2
0.01

Figure 7.19 : Performances du systme rgul lorsque lclairement varie de 1000W/m2 500W/m2
et inversement.

7.5.2

Synthse dune Commande par Mode Glissant

Introduction
Les convertisseurs commutation reprsentent une classe particulire des systmes structure
variable, SSV. Ses derniers sont par dnition des systmes non linaires discrets qui changent de
structure ou qui paraissent comme dirents systmes non linaires continus selon ltat du sytme
[81]. Par consquent, ces convertisseurs peuvent tirer partie des techniques de commande non linaires
dveloppes pour cette classe de systmes. En eet, les convertisseurs de puissance tant dots, par
essence, dun dispositif de commutation, il est facile de concevoir une loi de commande discontinue.
La Commande par Mode Glissant, CMG (Sliding Mode Control, SMC) apparue en union sovitique
pendant les annes 60, qui provient de la thorie des SSV, permet daccomplir cette tche. Cette
commande aboutit la stabilit mme en prsence de grandes variations de lalimentation ou de la
charge, une bonne rponse dynamique et une implmentation simple. [72][73][74]
Il existe dans la littrature un grand nombre de travaux traitant lapplication de la CMG la
rgulation des convertisseurs commutations. Ces travaux ont montr que la CMG a fait ses preuves
et donne de trs bons rsultats en terme de stabilit et de robustesse. Aussi, lavantage principal de la
CMG est son insensibilit aux variations paramtriques (incertitudes du modle) et aux perturbations
externes. Pour cette raison, nous avons dcid de lutiliser dans le cadre de notre tude.[72][73]
La CMG est une commande qui commute entre deux ou plusieurs lois de commande direntes
en fonction de certains critres. Le critre de commutation est une surface de glissement divisant
lespace dtat en deux (pour une commande monovariable, ou pour chaque composante du vecteur
dtat pour une commande multivariable). Les lois de commande dans chaque demi-espace sont des
constantes ou des fontions continues (gnralement linaires). Elles sont dnies de manire forcer
le systme atteindre un voisinage de la surface de glissement et y rester. Par consquent, les deux
composants de base dune telle commande sont : la surface de glissement et la loi de commande.
Une CMG typique a deux modes de fonctionnement. Le premier est appel mode de convergence, o
ltat du systme converge vers la surface de glissement en un temps ni. Durant ce mode, le systme
115

reste sensible aux variations de paramtres. Le deuxime mode est appel mode de glissement, o
ltat du systme est conn dans la surface de glissement. Durant ce mode, le comportement du
systme ne dpend plus du systme dorigine ni des perturbations, mais est entirement dtermin
par le choix de la surface de glissement. Cependant, la discontinuit de la commande engendre des
oscillations de frquence leve une fois le rgime glissant atteint. Ce phnomne, connu sous le nom
de broutement ou chattering en anglais, est le plus grand dfaut de la CMG [75]. Le chattering
peut poser des problmes tels que lexcitation des dynamiques hautes frquences ngliges au moment
de la modlisation (qui peuvent dgrader la performance du systme et mme mener linstabilit), la
rduction de la prcision, la cration dondes lectromagntiques nfastes ou autres ondes amplies
par le systme. [72][74]
Synthse de la CMG
Dans la partie prcdente, le modle moyen du convertisseur Buck a t tabli. Si on pose x =
[IL Vpv ]T , alors le systme peut scrire sous la forme :
8
dx1
>
Vbat
>
=D
>
L x2 0 L
<
dt
(7.30)
>
>
dx
2
>
:
= Rpv1C1 x2 0 CD1 x1
dt
avec Rpv =

Vpv
Ipv

: charge quivalente connecte au GPV.

Lexpression 7.30 peut tre crite sous la forme dun systme non linaire temps invariant.
x_ = f (x) + g (x) d + H
avec : 0
f (x) = @

0
x2
Rpv C1

A, g (x) = @

x2
L

0 Cx11

A, H = @

Vbat
L

(7.31)

1
A

Nous avons dj vu que la caractristique P/V dun GPV pour dirents niveaux de rayonnement
a lallure reprsente sur la gure 7.5.2 (T = 25E C). Nous avons vu aussi que le MPP est caractris
par lexpression :
@Ppv
@(Vpv Ipv )
@Ipv
=
=
Vpv + Ipv = 0
(7.32)
@Vpv
@Vpv
@Vpv
Cette expression peut tre choisie comme surface de glissement pour la CMG. Lexpression cidessous est appele fonction de commutation.
 (x) =

@Ppv
@Vpv

116

(7.33)

Figure 7.20 : Partitionnement de la caractristique P/V du GPV selon le signe de la fonction de


commutation
Sur la gure ci-dessus, la caractristique P/V du GPV est divise en deux rgions selon le signe
de la fonction de commutation :
Rgion 1 0!  > 0
Rgion 2 0!  < 0
En analysant le lien entre ltat du commutateur S et la position du point de fonctionnement sur
la gure 7.20, on est amen faire le choix de la loi de commande suivant :

0
>0
D=
(7.34)
1
<0
qui peut scrire aussi :

1
(1 0 sign ())
(7.35)
2
Ceci sexplique par le fait que si le point de fonctionnement PF est dans la rgion 1, la commande
doit le dplacer droite vers la surface de glissement et donc vers le MPP (accroissement de la tension
Vpv ). Ceci nest possible que si D = 0. En revanche, si le PF se trouve dans la rgion 2, la commande
doit le dplacer gauche (dcroissement de la tension Vpv ). Ceci nest possible que si D = 1.
D=

Il est noter quici le rapport cyclique ne prend que deux tats discrets {0,1} selon la position
souhaite du commutateur. Par consquent, il nest pas ncessaire dutiliser un signal pwm.
Nous avons vu auparavant que lexpression du courant photovoltaque est donne par :



Vpv 0 Voc + Ipv Rs
Ipv = Isc 1 0 exp
Ns Vth
Si on nglige leet de la rsistance Rs , il vient :



Vpv 0 Voc
Ipv = Isc 1 0 exp
Ns Vth

117

(7.36)

(7.37)

La fonction de commutation est donne par :


@Ipv
Vpv + Ipv
@Vpv





Vpv 0 Voc
Vpv 0 Voc
Isc
= 0
Vpv + Isc 1 0 exp
exp
Ns Vth
Ns Vth
Ns Vth




Vpv 0 Voc
Isc
= 0
+ Isc
Vpv + Isc exp
Ns Vth
Ns Vth

 (x) =

(7.38)

Lexpression du contrle quivalent deq ; propos par Filippov [76], est obtenue partir de la
condition :
:

(x)

=)
=)

(7.39)

0




@(x) T :
@(x) T
d(x)
=
x =
(f (x) + g (x) deq + H) = 0
(x) =
dt
@x
@x




Vpv
Vpv 0 Voc :
Isc
x2 = 0
0
+2
exp
Ns Vth
Ns Vth
Ns Vth
:

=)

x2 = 0

=)

deq =

Ipv
x2
=
Rpv x1
IL

avec IL 6= 0

Cette expression peut tre interprte comme la loi de commande continue qui maintiendrait la
:
trajectoire de ltat du systme sur la surface de glissement (c..d  = 0) si les dynamiques taient
connues avec prcision.[75][74]
En substituant cette expression dans (7.30), on obtient
:

x1 =

1 x22 Vbat
+
LRpv x1
L

(7.40)

Cette quation dcrit la dynamique du systme sous linuence de la CMG. Il est important de
noter que lordre du systme sen trouve rduit lors de lapplication de cette commande.
Nanmoins, la commande quivalente nest ecace quune fois que la trajectoire de ltat du
systme a atteint la surface de glissement (mode glissant). Un algorithme de commande explicite doit
tre formul pour amener la trajectoire sur la surface de glissement pendant le mode de convergence.
Une des approches de conception dune CMG utilise pour un systme dynamique porte le nom
dapproche de la loi datteinte ou loi de ralliement (reaching law en anglais)[81]. Dans cette approche,
la dynamique de la fonction de commutation est directement exprime par :
:

 = 0Qf () 0 Ksign()

(7.41)

o Q et K sont des constantes positives dans le cas monovariable (matrices dnies positives dans
le cas multivariable), f () et choisie tel que f () 1  > 0 , 8 6= 0
On peut citer quelques exemples de loi datteinte comme :
- loi datteinte taux constant :
:
 = 0Ksign()

118

(7.42)

- loi datteinte taux constant plus proportionnel :


:

 = 0Q 0 Ksign()
- loi datteinte puissance :

 = 0Q jjB

0<B<1

(7.43)
(7.44)

La loi de commande par MG peut alors tre exprime par lexpression ci-bas si la premire loi est
choisie :
d = deq 0 Ksign ()
(7.45)
avec : sign(:) est la fontion signe, K est une constante positive qui reprsente le gain de la commande
discontinue.

a. Condition dexistence du mode glissant La condition dexistence du mode glissant est lattractivit de la surface de commutation (x) = 0: Elle est dmontre laide du thorme de Lyapunov
[76][77].
Soit la fonction de Lyapunov quadratique candidate suivante : V (x) = 12 (x)2 > 0 (dnie
positive)
Pour que la surface (x) = 0 soit attractive sur tout le domaine de fonctionnement, il sut que la
drive par rapport au temps de V soit ngative (condition susante appele condition dattractivit
ou datteignabilit) :
:

V (x) = (x)(x) < 0 8 (x) 6= 0


:

(x) = 0




Vpv
Vpv 0 Voc dVpv
Isc
+2
exp
Ns Vth
Ns Vth
Ns Vth
dt

(7.46)
(7.47)

Pour  (x) > 0 :


Dans ce cas, le PF est dans la rgion 1 et la commande D = 0. Cela signie que la tension Vpv est
croissante donc :
dVpv
>0
(7.48)
dt
En remplaant dans lexpression 7.47, il vient :
:

(x) < 0
do

(x)(x) < 0

(7.49)
(7.50)

Pour  (x) < 0 :


Dans ce cas, le PF est dans la rgion 2 et la commande D = 1. Cela signie que la tension Vpv est
dcroissante donc :
dVpv
<0
(7.51)
dt
En remplaant dans lexpression 7.47, il vient :
:

(x) > 0
do

(x)(x) < 0
On conclut que le systme est asymptotiquement stable.

119

(7.52)
(7.53)

En pratique, un systme ne peut commuter une frquence innie. Par consquent, une bande
hystrsis doit tre utilise autour de la surface de glissement an de pouvoir xer la frquence de
commutation une valeur dsire. Lorsque le systme se trouve dans la rgion o il est dit en mode
quasi glissant ou mode pseudo-glissant. Dans ce cas, on parle de commande par mode quasi glissant
(CMQG). La frquence de commutation peut tre estime par [72][74] :
f=

0 +
fN
1
1 fN
=
+
0
1t1 + 1t2
1 fN 0 fN

(7.54)

avec : fN = (x)

Figure 7.21 : Bande hystrsis autour de la surface de glissement


b. Rsultats de la simulation La gure 7.23 prsente le schma bloc sous Simulink permettant
la simulation de la CMG.

Figure 7.22 : Schma bloc sous Simulink reprsentant la CMG

Figure 7.23 : Schma bloc sous Simulink du systme global de simulation de la CMG
120

Les rsultats de la simulation pour un niveau de rayonnement constant de 1000W/m2 et une


temprature de 25E C sont prsents ci-dessous.

20

80

15

Tension (V)

90

70

Puissance (W)

60

10
5
0

50

5
x 10

40

-3

5.4
Courant (A)

30
20
10
0

Temps (s)

5
4.8
4.6

5
x 10

5.2

-3

Temps (s)

Figure 7.24 : Rsultat de la simulation de la


CMG en terme de puissance du GPV

5
x 10

-3

Figure 7.25 : Rsultat de la simulation de la


CMG en terme de tension et courant du GPV

On remarque sur la gure 7.24 que la CMG est trs rapide puisque le MPP est atteint en 2.2ms.

Tension (V)

12.01

120

100

12.005

12

5
x 10

-3

10
60
Courant (A)

Puissance (W)

11.995
80

40

20
-5
0
0

3
Temps (s)

3
Temps (s)

5
x 10

-3

Figure 7.26 : Rsultat de la simulation de la


CMG en terme de puissance sur la sortie du CS

5
x 10

-3

Figure 7.27 : Rsultat de la simulation de la


CMG en terme de tension et courant sur la
sortie du CS

Sur les gures ci-dessus, on voi quil y a un retard de la rponse du systme sur la sortie. Ceci est
d au mode de convergence de la CMG pendant lequel linterrupteur reste ouvert (D = 0).

121

6
1
d : loi CMG
deq : commande quivalente

0.9

Fonction de commutation

0.8

Commande d

0.7
0.6
0.5
0.4

0.3
0

0.2
0.1
0

-1
0
0

Temps (s)

x 10

3
Temps (s)

5
-3

Figure 7.28 : CMG et commande quivalente

5
x 10

-3

Figure 7.29 : Trac de la fonction de


commutation

La gure 7.28 reprsente la loi CMG ainsi que la commande quivalente. On remarque que la
commande quivalente nest pas valable lorsque ltat du systme na pas encore atteint la surface de
glissement.
Sur la gure 7.29, on voi que la surface de glissement est atteinte aprs 2.2ms.
Changement brusque de lclairement

Rayonnement

1000
800
600
400

0.002

0.004

0.002

0.004

0.006

0.008

0.01

0.006

0.008

0.01

Puissance (W)

80
60
40
20
0

Temps (s)

Figure 7.30 : Rponse du systme sous CMG lors dun changement brusque de lclairement
La rponse du systme pour des changements brusques de lclairement est reprsente sur la gure
7.30. Lclairement est initialement gale 500W/m2 , augmente 1000W/m2 aprs 6ms puis diminue
800W/m2 linstant 8ms. Il est clair que la CMG positionne instantanment le PF sur le MPP.

122

Changement progressif de lclairement

Rayonnement

800
700
600
500
400

0.1

0.2

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.3

0.4

0.5

Puissance (W)

60

40

20

Temps (s)

Figure 7.31 : Rponse du systme sous CMG lors dun changement progressif de lclairement
On remarque sur la gure 7.31 que la CMG parvient poursuivre le MPP instantanment lors
dun changement progressif du rayonnement. Nanmoins, lorsque le niveau de rayonnement est faible,
il apparat un phnomne indsirable comme le montre la gure 7.32. En eet, dans ce cas spcial,
on remarque une mauvaise interprtation de la CMG qui loigne le PF du MPP jusqu ce que la
commande entre en mode de convergence. La commande parvient alors atteindre le MPP puis une
mauvaise interprtation survient encore une fois. Ce comportement est d au fait que la dynamique
du systme pour un niveau de rayonnement faible est plus lente par rapport au tau de changement
progressif de lclairement. Ce phnomne se rpte tant que le niveau de rayonnement reste faible.

Rayonnement (W/m)

400

350

300

250

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.01

0.02

0.03
0.04
Temps (s)

0.05

0.06

0.07

Puissance (W)

30
28
26
24
22
20

Figure 7.32 : Rponse du systme sous CMG pour un rayonnement faible faisant apparatre une
mauvaise interprtation de la commande
Synthse de la CMG utilisant un algorithme MPPT
Dans cette partie, nous nous intressons la synthse dune CMG qui utilise une tension de
rfrence fournie par un algorithme MPPT comme objectif de la poursuite. Cette approche est dautant
123

plus utile lorsquon veut appliquer la commande sur un systme discret (utilisation de microcontrleur)
comme nous le verrons plus loin.
(7.55)

 2 (x) = x2 0 Vref

La tension Vref est fournie par un algorithme MPPT (P&O par exemple).
La loi de commande pour ce cas est dcrite par :

1
2 > 0
D=
0
2 < 0

(7.56)

En eet, si  2 > 0 alors le PF est droite de la tension Vref , la commande doit le dplacer vers la
gauche. Ceci nest possible que si D = 1. Par contre, si  2 < 0 alors le PF est gauche de la tension
Vref , la commande doit le dplacer vers la droite. Ceci nest ralisable que si D = 0.
a. Condition dexistence du mode glissant Soit la fonction de Lyapunov quadratique candidate
suivante : V (x) = 21  2 (x)2 > 0 (dnie positive)
La condition dattractivit est donne par :
:

V (x) =  2 (x) 2 (x) < 0 8  2 (x) 6= 0


:

 2 (x) =

x2 =

dVpv
dt

(7.57)

(7.58)

Pour  2 (x) > 0 :


Dans ce cas, le PF est droite de la tension Vref et la commande D = 1. Cela mne le PF vers la
gauche impliquant la dcroissance de la tension Vpv :
dVpv
< 0 =)
dt
do

 2 (x) < 0

(7.59)

(7.60)

 2 (x) 2 (x) < 0

Pour  2 (x) < 0 :


Dans ce cas, le PF est gauche de la tension Vref et la commande D = 0. Cela mne le PF vers
la droite impliquant la croissance de la tension Vpv :
dVpv
> 0 =)
dt
do

 2 (x) > 0

(7.61)

(7.62)

 2 (x) 2 (x) < 0


On conclut que le systme est asymptotiquement stable.

Lexpression du contrle quivalent deq ; propos par Filippov, est obtenue partir de la condition :
:

 2 (x)

0 =)

x2 = 0

=)

deq =

Ipv
x2
=
Rpv x1
IL

124

(7.63)
avec IL 6= 0

b. Rsultats de la simulation

Rayonnement (W/m)

800
700
600
500
0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Temps (s)

0.04

0.05

0.06

Puissance (W)

80

60

40

20

Figure 7.33 : Rsultat de la simulation de la CMG utilisant un algorithme MPPT pour un


changement brusque du rayonnement
La gure 7.33 montre le rsultat de la simulation pour un changement brusque du rayonnement.
Dans ce cas, nous avons utilis lalgorithme P&O amlior dvelopp dans le chapitre prcdent avec
une frquence MPPT de 1kHz et un pas de perturbation de 0.4V. La commande russi poursuivre
le MPP sans dicults.

Rayonnement (W/m)

600

550

500

450

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.01

0.02

0.03
0.04
Temps (s)

0.05

0.06

0.07

Puissance (W)

50
45
40
35
30

Figure 7.34 : Rsultat de la simulation de la CMG utilisant un algorithme MPPT pour un


changement progressif du rayonnement
Le rsultat de la simulation pour un changement progressif est reprsent ci-dessus. On voit que
la commande parvient suivre le MPP. On distingue aussi loscillation autour du MPP caractrisant
lalgorithme utilis.
Limitation du courant de linductance
Lorsque la rponse du systme est rapide comme nous lavons vu auparavant, il sen suit un
dpassement important au niveau du courant de linductance. Ceci peut ne pas tre tolr par les
125

composants du convertisseur, car cela provoque la saturation du noyau de linductance avec comme
consquence un pique de courant important. Ce courant peut dpasser la valeur maximale permise pour
le commutateur, ce qui provoquerait sa dtrioration. Il convient alors dintroduire la commande
une protection prvenant que le courant de linductance natteigne des valeurs dangereuses. Cette
proprit peut tre facilement incorpore la CMG.[72][74]
Considrons le systme dont le vecteur dtat est x = [IL Vpv
dcrivant ce systme en MCC sont donnes par :
8
dx1
Vbat
>
>
=D
>
L x2 0 L
>
dt
>
>
>
>
<
dx2
= Rpv1C1 x2 0 CD1 x1
> dt
>
>
>
>
>
>
>
: dx3 = 1 x1 0 1 x3
C2
C2 Rout
dt
avec Rout =

Vout
Iout

VC2 ]T . Les quations dynamiques

(7.64)

la charge quivalente en sortie

An de limiter le courant qui traverse linductance, il convient de forcer le PF rester sur la droite
dquation (7.65) si une valeur maximale IL;max du courant est dpasse.
(7.65)

x3 = Rout IL;max
La fonction de commutation globale se compose alors de deux parties :



8 
x2 0Voc
Isc
>
0
+ Isc
pour iL < IL;max
exp
x
+
I
>
2
sc
Ns Vth
Ns Vth
<
 (x) =

>
>
:

x3
IL;max 0
Rout

(7.66)

pour iL > IL;max

Il est noter que, dans ce cas, la mesure ou lestimation par un observateur dtat sont ncessaires
pour obtenir le courant dans linductance.

15

Courant (A)

10
5
0
-5
0

5
x 10

-3

Puissance (W)

80
60
40
20
0

3
Temps (s)

5
x 10

-3

Figure 7.35 : Rsultat de la simulation pour un courant dinductance maximal de 10A

126

Les rsultats de la simulation sont donns sur la gure 7.35 pour un courant dinductance maximal
iL;max = 10A.
Commande par mode glissant temps discret
De nos jours, la ralisation de la commande dans la pratique fait de plus en plus appel aux microprocesseurs et aux microconrleurs. Dans ce cas, linformation sur le systme (la mesure) nest
disponible qu des instants discrets t = kTs , (o k est un entier et Ts est la priode dchantillonnage)
et la commande ne peut tre mise jour qu ses instants. Pour cette raison, limplmentation numrique de la CMG dans un systme exhibe des proprits direntes de celles vues dans le cas continu
[75] [81] [78]. On parle alors de Commande par Mode Glissant temps Discret (CMGD).
Linsensibilit du systme command vis avis des perturbations et des incertitudes sen trouve rduite.
Cependant, la CMGD assure un certain degr de robustesse, mesur le plus souvent en terme damplitude de loscillation de la variable rguler [79]. La principale dirence entre une CMG et une
CMGD est le fait que la deuxime se base sur un modle discret du systme [80].
Comme pour le cas continu, la procdure pour la synthse de la CMGD est compose de deux
tapes :
- Choisir la fonction de commutation (k).
- tablir une loi de commande qui mne le systme vers la surface de glissement et assure que la
trajectoire du systme reste assez proche de la surface de glissement.
Pour obtenir le modle discret du systme, on fait appel au dveloppement en sries de Taylor. On
note par (k) une variable linstant t = kTs , o Ts est la priode dchantillonnage. Le dveloppement
en sries de Taylor est donn par [84] :
C
:
(7.67)
x (k + 1) = x (k) + x (t)Ct=kTs Ts + O1 (Ts )
avec O1 (Ts ) le reste des termes dordre suprieur (n > 2). On ngligera par la suite ce terme.
Lapplication de cette expression donne le systme discrtis suivant :
8
d(k)Ts
Vbat Ts
>
< x1 (k) + L x2 (k) 0 L
x (k + 1) =


>
d(k)Ts
: 1 + Ts
Rpv C1 x2 (k) 0 C1 x1 (k)

(7.68)

La fonction de commutation que nous avons choisi dutiliser est :


 (k) = x2 (k) 0 Vref (k)

(7.69)

avec Vref tension de rfrence fournie par lalgorithme MPPT.


An dobtenir une loi de commande non linaire discrte permettant datteindre la surface de
glissement en un temps ni, on utilise une loi datteinte. Nous avons choisi une loi datteinte linaire
(linear reachin law) (propos par Hui et Spurgeon) [80] dont lexpression est :
 (k + 1) =  (k)

avec 0 6  < 1

(7.70)

En substituant cette expression dans 7.69, on obtient :


 (k + 1) = x2 (k + 1) 0 Vref (k + 1)


Ts
d (k) Ts
=
1+
x2 (k) 0
x1 (k) 0 Vref (k + 1)
Rpv C1
C1
=  (k)
127

(7.71)

do la loi de commande :


x2 (k) C1 Vref (k + 1) C1   (k)
C1
1
d (k) =
+
0
0
Ts
Rpv x1 (k)
Ts
x1 (k)
Ts x1 (k)

(7.72)

a. Existence du mode glissant temps discret La condition dexistence du mode glissant


temps discret a t propose par Sarpturk et al (1987) [80]. Elle est donne par :
j (k + 1)j < j (k)j

(7.73)

Cette condition peut tre crite sous la forme :


[ (k + 1) 0  (k)] sign ( (k)) < 0

(7.74)

[ (k + 1) +  (k)] sign ( (k)) > 0

condition 1 :
pour  (k) > 0 :
<1
 (k) > 0

=)

 (k) <  (k)

=)

 (k + 1) 0  (k) < 0

=)

 (k) >  (k)

=)

 (k + 1) 0  (k) > 0

(7.75)

pour  (k) < 0 :


<1
 (k) < 0

(7.76)

do :
Condition 2 :
pour  (k) > 0 :

[ (k + 1) 0  (k)] sign ( (k)) < 0

>0
 (k) > 0

=)

 (k) > 0

=)

 (k + 1) +  (k) >  (k) > 0

=)

 (k + 1) +  (k) > 0

=)

 (k) 6 0

=)

 (k + 1) +  (k) 6  (k) < 0

=)

 (k + 1) +  (k) < 0

(7.77)

(7.78)

pour  (k) < 0 :


>0
 (k) < 0

(7.79)

do :
[ (k + 1) +  (k)] sign ( (k)) > 0

(7.80)

j (k + 1)j < j (k)j

(7.81)

nalement :
Lexistence du mode glissant temps discret est prouve.

128

b. Rsultats de la simulation : Le rsultat de la simulation pour une frquence dchantillonnage


fs = 100kHz et  = 0:9 sont donns ci-dessous. La tension de rfrence est gale 17V au dpart,
augmente 18V aprs 3ms, puis diminue 17V linstant 4ms. On voit que la CMGD parvient
poursuivre la tension de rfrence avec un temps dtablissement infrieur 0.5ms. On remarque aussi
que lerreur statique nest pas nulle et est gale 0.01. Il est important de prciser que pour une
frquence dchantillonnage infrieure 100kHz (frquence de commutation), la CMGD na pas donn
de bons rsultats.
20
19.5

Vref
Vpv

19

Tension (V)

18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15

1.5

2.5

3
Temps (s)

3.5

4.5

5
x 10

-3

Figure 7.36 : Rsultat de la simulation de la CMGD pour une frquence dchantillonnage de


100kHz

7.6

Conclusion

Nous avons consacr ce chapitre ltude de la stabilit et de la robustesse du systme photovoltaque. Nous avons vu que la caractristique lectrique du GPV peut tre approxime par un modle
linaire pour faciliter lanalyse. Nous avons tabli puis analys le modle linaris du convertisseur
de puissance. Nous avons aussi montr par le biais de la simulation, que les caractristiques de la
rponse dynamique du systme dpendaient fortement de la localisation du point de fonctionnement,
ce qui a indiqu de la non-robustesse du systme. Nous avons ensuite tudi deux approches pour
la rgulation de la tension photovoltaque, visant une robustesse et des performances meilleures. La
premire approche a t synthtise dans le domaine frquentiel et fait appel un rgulateur PID
classique muni dune action anti-windup. La deuxime, de nature non linaire a t synthtise dans
le domaine temporel, il sagit de la Commande par Mode Glissant (CMG). Le rgulateur PID muni
de laction anti-windup a permis davoir une robustesse et des performances meilleures que le systme
sans rgulation. Il a t discrtis an dtre implant dans un microcontrleur. Cependant, la CMG
a donn de meilleurs rsultats que le rgulateur PID. Lapplication de la CMG temps discret a t
considre pour une ventuelle implantation dans un microcontrleur. Elle a oert aussi la possibilit
de limiter facilement le courant travers linductance. Dans ce chapitre, nous avons vu que la CMG
est capable de poursuivre le MPP sans faire appel un algorithme quelconque ; faisant delle une
technique MPPT distingue. Nanmoins, nous navons pas pu la discrtiser cause de la complexit
de la commande quivalente.

129

Chapitre 8

Conception et Ralisation dun


Convertisseur MPPT
8.1

Introduction

Figure 8.1 : Systme reprsentant un GPV muni dun convertisseur MPPT


Dans ce chapitre, la conception et la ralisation dun convertisseur MPPT sera dcrite. Il sagit
dun convertisseur dvolteur (Buck). Nous avons choisi de concevoir et raliser un convertisseur MPPT
numrique, car il prsente certains avantages par rapport un systme analogique. On peut citer
quelques avantages comme [12][16] :
- Nombre de composants rduit, donc un encombrement, un cot et un poids moindres.[85]
- Une puissance de consommation de la carte de commande trs faible.
- Une conception et un contrle simples.
- Robustesse vis--vis des perturbations.
- Souplesse dutilisation : les paramtres de rglage et la structure de la loi de commande sont
modis par programmation plutt que par modication du cblage avec un rgulateur analogique.
- Possibilit damliorer lalgorithme utilis, par consquent, optimiser les performances du convertisseur.
- Possibilit dimplmenter dirents algorithmes, donc une maximisation dans lutilisation du
dispositif.
- Possibilit dutiliser facilement des algorithmes complexes.
- Facilit de modication de lalgorithme si dautres sources dnergie renouvelables sont utilises
(systmes hybrides).
- Possibilit dexaminer lexistence de plusieurs maxima locaux sur la courbe de puissance du GPV
qui peuvent apparatre lors dun ombrage partiel du module.

130

Cependant, limplmentation de type numrique prsente aussi des inconvnients [64][68] :


- Erreur due au bruit de quantication.
- Le temps de calcul des algorithmes implants peut avoir de linuence sur la dynamique du
systme (retard).
- Les limitations du convertisseur analogique-numrique.
- La technologie numrique est plus lente que lanalogique, puisque quelle manipule des grandeurs
discrtes et quanties.
Le systme GPV muni dun convertisseur MPPT est reprsent sur la gure 8.1.

8.2

Mthodologie

Le systme GPV muni dun convertisseur MPPT est reprsent par le diagramme de la gure 8.2.
La commande MPPT se compose dune unit de mesure et dune unit de commande.

Figure 8.2 : Diagramme reprsentant le GPV et le convertisseur MPPT


La mthodologie suivie pour la conception du convertisseur MPPT est la suivante :
- Constitution du cahier des charges.
- Conception et dimensionnement du convertisseur statique (Inductance, condensateur, interrupteur).
- Conception et dimensionnement de lunit de commande.
- Conception et dimensionnement de lunit de mesure.
- Choix des composants.
- Ralisation dun prototype.

131

8.3

Conception dun Convertisseur MPPT

8.3.1

Conception du convertisseur statique de type Buck

Le schma du convertisseur Buck est repris ci-dessous (gure 8.3).

Figure 8.3 : Schma du convertisseur Buck aliment par un GPV


Les caractristiques techniques du GPV utilis sont donnes sur le tableau ci-dessous. Il sagit dun
module de 36 cellules de silicium polycristallin en srie, dune puissance maximale de 80W.
Nombre de cellules
Tension de circuit ouvert (Voc )
Courant de court circuit (Isc )
Tension du MPP (Vmpp )
Courant du MPP (Impp )
Puissance maximale (Pmpp )

36 en srie
21.6V
5.16A
16.75V
4.78A
80W

Nous avons choisi une batterie au plomb de 12V nominale comme charge. Le rle du convertisseur
est alors dabaisser la tension Vmpp pour avoir une tension plus adapte du cot de la charge. An de
dterminer les valeurs des dirents lments du convertisseur, il est ncessaire de choisir un point de
fonctionnement xe, en loccurrence, le MPP. Ceci nous amne tablir la valeur initiale du rapport
cyclique D. partir de lquation [5.3], on peut crire :
D=

12
Vload
=
= 0:716
VP V
16:75

(8.1)

La rsistance quivalente Req est donne par :


Req =

2
Vload
122
=
= 1:8A
P
80

(8.2)

Cahier des charges


Le cahier des charges que nous nous sommes impos est le suivant :
- Ondulation du courant dans linductance L : 1iL = 400mA
- Ondulation de la tension aux bornes du condensateur C2 : 1Vc2 = 10mV
- Ondulation de la tension aux bornes du condensateur C1 : 1Vc1 = 100mV
- Frquence de commutation : f = 100kHz
Le choix dune frquence de commutation de 100kHz t motiv par les raisons suivantes :
- Plus la frquence de commutation est grande, moins est grande la taille des composants ractifs
utiliss (capacits et inductance). Autrement dit, la densit de puissance est plus leve.
- Le retard de la sortie par rapport lentre qui est d au temps de commutation est faible (10s).
132

Dtermination des valeurs de L, C1 et C2 :


Le choix des lments se fait en considrant que le convertisseur est en MCC. Dans le chapitre
prcdent, nous avons vu les expressions permettant de dterminer les valeurs de linductance L et
de la capacit du condensateur C2 . An de respecter la condition sur londulation du courant de
linductance impose par le cahier des charges, linductance doit tre suprieure une certaine valeur
donne par lexpression (5.7).
L>

VP V
16:75
=) L >
=) L > 104:688H
4 1 1iL;max 1 f
4 1 0:4 1 105

(8.3)

1iL
0:4
=) C2 >
=) C2 > 50F
8 1 1VC;max 1 f
8 1 1002 1 105

(8.4)

En pratique, la valeur de linductance choisie doit tre au moins 20% suprieur que la valeur
calcule en thorie. Par consquent, la valeur de linductance quon utilisera sera de L = 120H
Pour respecter la condition sur londulation de la tension de sortie, la capacit du condensateur
C2 doit vrier lexpression (5.14). :
C2 >

En ajoutant une tolrance de 20% sur la valeur de la capacit, on obtient C2 = 60F . La valeur
que nous utiliserons est 100F .
Pour avoir londulation de la tension dentre voulue, la capacit du condensateur C1 doit vrier
lexpression (5.19) :
C1 >

IP V
1VP Vmax 1 f

=) C1 >

4:78
=) C1 > 478F
1001 :105

(8.5)

En ajoutant l aussi une tolrance de 20% sur la valeur de la capacit, on obtient C1 = 573:6F .
On utilisera deux condensateurs en parallle dune valeur de 330F:
Lexpression (5.20) reprsente la frquence de coupure du ltre du 2eme ordre form par linductance
et le condensateur :
1
p
fc =
= 2165:67Hz
(8.6)
2 1 L 1 C2

La frquence de coupure est trs infrieure la frquence de commutation, ce qui respecte la


condition vue au paragraphe (5.3.1.1.c).
La valeur minimale de linductance Lmin qui assure le MCC est donne par lexpression (5.24) :
Lmin =

(1 0 0:694)
10D
1 Rload =
1 1:8 = 2:754H
21f
2 1 105

(8.7)

Type dinterrupteur
Linterrupteur que nous avons choisi dutiliser est un transistor eet de champ grille mtaloxyde de canal N (N-MOSFET). Les N-MOSFETs, contrairement aux P-MOSFETs, ont lavantage
davoir une rsistance ltat on trs petite, ce qui rduit les pertes par conduction. De plus, ltat
bloqu, ils se comportent comme un circuit ouvert. Les MOSFETs assurent aussi une bonne isolation
de la partie commande de la partie puissance.

8.3.2

Conception de lunit de commande

Lunit de commande est lunit de logique et de dcisions. Son rle est deectuer la mesure des
direntes grandeurs requises par lalgorithme utilis, faire les calculs correspondants et commander
linterrupteur du CS. En pratique, tout ceci peut tre accompli par lutilisation dun microcontrleur. Notre choix sest port sur les microcontrleurs PIC (Peripheral Interface Controller, contrleur
133

dinterface priphrique) de MICROCHIP, plus particulirement la famille MidRange, pour leur


disponibilit et leur facilit dutilisation.
Les grandeurs mesurer sont au nombre de trois :
- la tension et le courant en entre du CS (grandeurs en sortie du GPV, la tension Vpv et le courant
Ipv ) ncessaire lalgorithme MPPT.
- la tension en sortie du CS ncessaire la gestion de lenergie de la batterie ou de la charge.
La mesure de ces grandeurs ne peut tre faite directement par le microcontrleur pour des raisons
qui seront dcrites par la suite, do la ncessit de considrer une unit de mesure.
Une grande majorit des microcontrleurs PIC sont capables de gnrer un signal PWM. Nanmoins, ce signal ne peut tre directement utilis pour commander les N-MOSFET que nous avons
choisi dutiliser, car le courant dbit par le microcontrleur (40mA) nest pas susant pour assurer
leur ouverture et fermeture, la grille du MOSFET tant capacitive. Un dispositif ddi, un Driver
de MOSFET , doit tre utilis pour eectuer cette tche. Ce dispositif est apte fournir un courant
susant la grille du MOSFET pour le commander. De plus, il permet de rduire le temps de propagation et dassurer un signal propre prvoyant un dcalage du temps de mont et de descente sur le
signal qui commande le MOSFET. Gnralement, le driver de MOSFET fait appel une pompe de
charge interne complte par un tage damorage (bootstrap) pour accomplir sa tche.

8.3.3

Conception de lunit de mesure

a. Mesure de la tension
La mesure de la tension est ncessaire au calcul de la puissance produite par le GPV. Les microcontrleurs PIC de la famille MidRange sont capables de mesurer une tension, car ils sont dots dun
convertisseur analogique numrique. Cependant, la tension mesurer pour notre application dpasse
le seuil de tolrance du PIC qui est de 5V. Une tension suprieure 5V risque de dtruire le PIC.
Pour viter cela, il convient dutiliser un diviseur de tension qui abaissera la tension mesurer vers le
seuil de tolrence du PIC.
b. Mesure du courant
Les microcontroleurs PIC ne sont pas capables de mesurer un courant. Une mthode indirecte
doit tre utilise pour accomplir cette tche. Il existe plusieurs mthodes permettant de mesurer un
courant, on peut citer :
- Mesure laide de la rsistance RDS(on) du MOSFET.
- Mesure utilisant un ltre aux bornes de linductance.
- Mesure par dtection magntique - capteur eet Hall.
- Mesure laide dune rsistance de mesure srie.
Les inconvnients de ces mthodes sont :
- Rsistance du MOSFET : cette mthode nest pas approprie pour notre application en raison de
la haute frquence de commutation du MOSFET. En eet, le courant travers RDS peut tre mesur
uniquement lorsque le MOSFET est ltat on .
- Filtre aux bornes de linductance : cette mthode permet une mesure proportionnelle du courant
avec peu de puissance dissipe. Cependant, elle est imprcise.
- Capteur eet Hall : cette mthode nest pas envisageable en raison de son cot, de la puissance
consomme pour le fonctionnement et de la caractristique du courant quon doit mesurer. Cette
mthode est plus destine pour la mesure de courants alternatifs.
Nous avons choisi dutiliser la mthode de la rsistance de mesure srie pour sa simplicit et son
cot faible. Cette mthode consiste utiliser une rsistance relativement petite (quelques miliohm).
134

La tension aux bornes de la rsistance est alors proportionnelle au courant qui la traverse, rendant
possible la mesure du courant. Linconvnient de cette mthode, est quelle prsente une perte de
puissance dans la rsistance, ce qui rduit le rendement du CS. De plus, pour avoir une mesure exacte
du courant, la tension aux bornes de la rsistance devrait tre de 100mV environ plein charge. Un
amplicateur doit ensuite tre utilis an de ramener la tension mesure aux bornes de la rsistance
la plage 0-5V correspondant lentre du microcontrleur.

8.4

Implementation

Pour ltape de la ralisation, nous avons choisi une conguration particulire du convertisseur
Buck, savoir, un convertisseur Buck synchrone ( gure 8.4). Dans cette version, la diode de
roue libre D est remplace par un second interrupteur S2 . Les deux interrupteurs fonctionent alors
de manire synchrone. Cette modication permet daugmenter le rendement du convertisseur, car la
chute de tension aux bornes dun interrupteur est plus faible que celle aux bornes dune diode. Il
est galement possible daugmenter encore le rendement en gardant la diode en parallle du second
interrupteur S2 . La diode permet alors dassurer le transfert dnergie lors de la courte priode o les
interrupteurs sont ouverts [86].

Figure 8.4 : Schma lectrique du convertiseur Buck synchrone


Le prototype raliser peut tre reprsent par un schma synoptique constitu de trois blocs de
base comme le montre la gure 8.5.

Figure 8.5 : Schma synoptique du prototype raliser

8.4.1

Choix des composants

Bloc de Puissance
Choix du transistor MOSFET
Plusieurs paramtres doivent tre pris en considration lors du choix du MOSFET :
- Rsistance ltat passant RDS(on)
135

- Tension drain-source maximale VDS(max) .


- Tension de seuil minimale VT H(min) .
- Charge total de la grille Qg
Nous avons choisi le MOSFET IRFZ44N dInternational Rectier pour sa disponibilit. Ce MOSFET sera utilis pour les deux interrupteurs haut et bas. Ses caractristiques principales sont :
- Rsistance ltat on : RDS(on) = 17:5mA:
- Tension drain-source maximale : VDS(max) = 55V:
- Tension de seuil minimale : VT H(min) = 2V:
- Courant Drain continu maximal 25E C : ID = 49A:
- Charge total de la grille : Qg = 63nC
- Temps de monte : tr = 60ns
- Temps de chute : tf = 45ns
Choix du Driver de MOSFET
Le Driver de MOSFET que nous avons slectionn est le LT1158 de Linear Technology [39]. Ce
driver a t choisi car il est ddi la commande dun convertisseur Buck synchrone (entre autres
utilisation). Il a t choisi aussi pour sa haute frquence de commutation (100kHz), sa basse consommation de courant, son unique alimentation et sa basse impdance durant les deux tats "on" et "o".
Son pic de courant de sortie lev (500mA) est largement susant pour commander le MOSFET. La
tension dalimentation du Driver stend sur une plage de 5V 30V. Le temps de retard pour la mont
et la descente sont de 130ns et 120ns respectivement. La gure 8.6 montre la disposition des broches
du LT1158.

Figure 8.6 : Broches du LT1158

Figure 8.7 : Schma dune application typique du LT1158

La gure 8.7 montre une application typique du Driver. Le LT1158 pilote les MOSFETs haut et bas
(pin 14,15 et 8,9 respectivement) suivant le signal PWM gnr par le microcontrleur (pin 6). Ainsi,
un seul signal est ncessaire pour commander les deux FETs. Le driver assure leur synchronisation
et vite davoir les deux FETs passant en mme temps, ce qui provoquerait un court-circuit. La
diode et le condensateur de 0.1F font partie du circuit damorage qui gnre la tension ncessaire
la commande du MOSFET haut. En eet, lorsquun N-MOSFET est utilis comme interrupteur
haut, la tension applique sa grille doit tre suprieur de 10V par rapport la tension sa source.
Dautre part, une pompe de charge intgre est actionne en cas de besoin dactiver le MOSFET haut
continuellement. Les tensions grille-source sont internement limites 14.5V lors dun fonctionnement
des tensions dalimentation plus leve.
136

Choix de la Diode de blocage


La diode utiliser doit tre de faible seuil ltat passant pour minimiser les pertes de puissance
par conduction et de faible temps de commutation. Une diode Schottky de puissance savre plus
satisfaisante. En outre, cette diode doit supporter un courant moyen direct de 10A et une tension
inverse de plus de 20V.
Choix de la Diode en parallle avec le MOSFET bas
Cette diode assure la continuit du courant inductif pendant labsence du courant fourni par la
source. Gnralement, on utilise une diode rapide (type Schottky) cause de la frquence leve de
commutation. Cette catgorie des diodes prsente une chute de tension directe faible (lordre de 0.4V).
Bloc de Commande
Choix du microcontrleur
On ce qui concerne le choix du microcontrleur, nous avons opt pour le microcontrleur PIC
de Microchip, plus particulirement, la famille Middle-Range (milieu de gamme) qui utilise des
instructions sur 14 bits [87][88][89]. Pour notre application, le microcontrleur adquat doit satisfaire
les conditions suivantes :
- 3 entres congures en convertisseurs analogiques numriques CAN.
- 1 sortie PWM.
- une mmoire de programme de taille susante.
Le PIC16F876A remplit parfaitement ces conditions. La gure 8.8 montre la disposition de ses
broches. Ses caractristiques principales sont [90] :
- Une mmoire de programme (ash) de 8K(mots de 14bits).
- Une mmoire de donnes (RAM) de 368 Bytes.
- Une mmoire de donnes (EEPROM) de 256 Bytes.
- Ports dentre/sortie : 3 (Ports A, B et C).
- 3 Timers (Timer0, Timer1 et Timer2).
- 2 modules pour PWM avec une rsolution de 10 bits (CCPx).
- Module de conversion Analogique/Numrique CAN de 10bits : 5 canaux.
- Jeux dinstructions :35 instructions.
- Frquence de fonctionnement : 20MHz.
- Boitier : PDIP 28 pins.
Technologie CMOS :
- Technologie ash haute vitesse.
- Large tension de fonctionnement (de 2V 5.5V).
- Basse consommation de puissance.

Figure 8.8 : Broches du 16F876A


137

Le circuit minimal pour faire fonctionner le PIC est reprsent sur la gure ci-dessous (gure 8.9).
C1
U2
15p

X2

9
10

CRYSTAL

C2
+5V

2
3
4
5
6
7

15p

R1

10k

OSC1/CLKIN
OSC2/CLKOUT

RB0/INT
RB1
RB2
RB3/PGM
RB4
RB5
RB6/PGC
RB7/PGD

RA0/AN0
RA1/AN1
RA2/AN2/VREF-/CVREF
RA3/AN3/VREF+
RA4/T0CKI/C1OUT
RA5/AN4/SS/C2OUT
RC0/T1OSO/T1CKI
MCLR/Vpp/THV
RC1/T1OSI/CCP2
RC2/CCP1
RC3/SCK/SCL
RC4/SDI/SDA
RC5/SDO
RC6/TX/CK
RC7/RX/DT

21
22
23
24
25
26
27
28
11
12
13
14
15
16
17
18

PIC16F876A
VDD = +5V
VSS = GND

Figure 8.9 : Circuit minimal pour le fonctionnement correcte du PIC


Choix des composants pour la mesure de la tension
Nous avons vu que pour la mesure des tensions, on doit recourir un diviseur de tension pour tre
dans la gamme de tolrance du PIC.
Pour tre en scurit, on choisit 3V comme valeur maximale ct PIC. Pour obtenir la valeur des
rsistances ncessaires, on utilise la relation :
Vpv;max
R1 + R2
=
VP IC
R2

(8.8)

avec Vpv;max = 23V (tension de circuit ouvert pour une temprature de 0E C), VP IC = 3V:
On obtient :
R1 = 6:67R2

(8.9)

Il sut alors de choisir R1 = 1kA et R2 = 6:8kA


Choix de lamplicateur
Un amplicateur est ncessaire dans le circuit pour amplier la tension relative au courant du GPV
mesur. Cependant, il ne faut pas dpasser le seuil tolrable par le microcontrleur (+5V). Notre choix
sest port sur le LM358N dont la disposition des broches est donne ci-bas. La rsistance de mesure
que nous utiliserons est de 0:11A

Figure 8.10 : Broches du LM358N


Le gain de lamplicateur direntiel peut tre x en congurant les rsistances externes. Pour
cela, en se xe une tension en sortie de 3V. Sachant que le courant maximal dbit par le GPV est
138

de 5A, la tension aux bornes de la rsistance de mesure sera au maximum de 0.55V. Le gain de
lamplicateur est donc de 5.45. Il sut de choisir des rsistances de 1kA et 5:7kA.
Achage des donnes
Pour lachage des direntes grandeurs mesures et dautres informations utiles, nous avons utilis
un acheur cristaux liquides (LCD, Liquid Crystal Display) 2 lignes. Un circuit intgr spcialis
est charg de la gestion du module. Il remplit une double fonction : dune part, il commande lachage
et de lautre, se charge de la communication avec lextrieur. Pour communiquer avec lacheur, nous
avons utilis le mode 4 bits. Dans ce mode, seuls les 4 bits de poids fort (D4 D7) de lacheur
sont utiliss pour transmettre les donnes et les lires. Les 4 bits de poids faible (D0 D3) sont alors
connects la masse, on a donc besoin hors alimentation de sept ls pour commander lacheur. Les
donnes sont crites squentiellement les quatre bits de poids fort suivi des quatre bits de poids faible.
Le tableau ci-dessous prsente les direntes broches de lacheur.
Broche
1
2
3
4
5
6
7..14
15
16

Nom
Vss
Vdd
Vee
RS
R/W
E
D0..D7
A
K

Fonction
Masse
Alimentation positive +5V
Rglage du contraste de lacheur
Selection du registre (Register Select)
Lecture ou criture (Read/Write)
Entre de validation (Enable) active sur front descendant
Bus de donnes bidirectionnel 3 tats
Anode rtroclairage (+5V)
Cathode rtroclairage (masse)

Bloc dAlimentation
An de fournir la tension ncessaire au fonctionnement du Driver de MOSFET, de lamplicateur
et du microconrleur, un rgulateur de tension doit tre utilis. Nous avons slectionn le rgulateur
KA78R05 de Fairchild. Le rgulateur est utilis pour abaisser la tension prise partir de la batterie
aux 5V requises. La tension maximale accpte son entre est de 35V et le courant que peut fournir
le rgulateur est de 1A, ce qui est susant pour notre application.

8.4.2

Prsentation du prototype

Le schma de la gure 8.11, reprsentant le prototype raliser, a t fait sous le logiciel de CAO
lectronique Proteus (Isis) conue par Labcenter Electronics qui permet de dessiner des schmas
lectroniques, de les simuler et de raliser le circuit imprim correspondant. Dans cette partie, nous
allons aborder la prsentation du prototype quon veut raliser. La gure 8.12 reprsente le prototype
qui a t ralis au laboratoire dautomatique.
Le convertisseur statique Buck synchrone est form par linductance L1 , des condensateurs en
entre C1 et C2 , du condensateur en sortie C3 , des MOSFETs synchrones Q1 et Q2 (IRFZ44N), du
MOSFET Q3 (IRFZ44N) et du transistor NPN Q4 (PN2222A) pour grer la connexion de la charge,
de la diode de recouvrement rapide D3 , utilise pour soutenir la circulation du courant lorsque le
MOSFET bas est satur et de la diode de blocage D2 pour empcher le courant de la batterie de
circuler dans le circuit pendant la nuit.

139

Entre : Panneau solaire

B1
1
2

Q1

BORNIER2

R9

+Vbat

IRFZ44N

C1

C2

330uF

330uF

D2

B3

B2
1

R1
+5V

1k

BORNIER2

BORNIER2

Q2
IRFZ44N

R11

120uH

0.22

R6

Charge

Batterie 12V

L1

0.22

C3

D3

R7

100uF

6.8k

1k2
8

C18

R12

1k

R5

C10

1k

LM358N

100

D1

0.1u

5k7

1N4148
1

VLT

16

2
4

0.1uF

IRFZ44N

R2

R4
C6

Q3

100nF

U3

R3
BOOST DR
2
10

V+
V+

C13

C4

10uF

0.1uF

T GATE DR
T GATE FB
T SOURCE

INPUT

4
5

SENSESENSE+

ENABLE
FAULT

GND

5k7

BIAS

B GATE DR
B GATE FB

C14

C12

R13
6.8k

0.1uF

BOOST

15
14
13

Q4

R8
R14

12
11

1k

BC547

C11

1k2

0.1uF

9
8
LT1158CN

0.01uF

LCD1
LM016L

C7
47uF

VI

Vdis

VO

330

100n

C8

C17

100n

47uF

LED1
LED-RED

+5V

9
10

R15
10k

C5
0.1uF

TITLE:

DATE:

Maximum Power Point Tracker

18/11/11
PAGE:

Boukli-Hacene Omar

+5V

15pF

U4

U4_VDD

BY:

C15

CRYSTAL

GND

C9

X1

REV:

1/1

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

15pF

RS
RW
E

C16
R16

7
8
9
10
11
12
13
14

U2

4
5
6

+5V
KA78R05

VSS
VDD
VEE

VALIM = VLT = +VBAT


VALIM

1
2
3

140

Figure 8.11 : Schma du prototype raliser

U1:A

U4_VSS

2
3
4
5
6
7
1

OSC1/CLKIN
OSC2/CLKOUT

RB0/INT
RB1
RB2
RB3/PGM
RB4
RB5
RB6/PGC
RB7/PGD

RA0/AN0
RA1/AN1
RA2/AN2/VREF-/CVREF
RA3/AN3/VREF+
RA4/T0CKI/C1OUT
RA5/AN4/SS/C2OUT
RC0/T1OSO/T1CKI
MCLR/Vpp/THV
RC1/T1OSI/CCP2
RC2/CCP1
RC3/SCK/SCL
RC4/SDI/SDA
RC5/SDO
RC6/TX/CK
RC7/RX/DT
PIC16F876A
VDD=+5V
VSS=GND

21
22
23
24
25
26
27
28
11
12
13
14
15
16
17
18

R19

LED2
Indicateur de fonctionnement
du software

330
LED-GREEN

R18

LED3
Batterie faible

330
LED-YELLOW

R17

LED4
Batterie charge

330
LED-RED

Figure 8.12 : Prototype du convertisseur MPPT ralis.


Le driver de MOSFET, LT1158 commande le MOSFET haut laide des PIN 14 et 15 et le
MOSFET bas par les PIN 8 et 9. Le microcontrleur PIC commande le LT1158 travers la PIN 4 qui
permet de lactiver ou le dsactiver et travers la PIN 6 qui reoit le signal PWM.
Le microcontrleur PIC16F876A est cadenc 20Mhz par le biais dun quartz. Il est aliment en 5V
que fournit le rgulateur de tension KA78R05. Les PIN 2 (RA0), 3 (RA1) et 4 (RA2) sont congures
en convertisseur analogique numrique (CAN). La PIN 2 (RA0) est relie la sortie de lamplicateur
LM358N pour la mesure du courant du GPV, la PIN 3 (RA1) reoit le signal arrivant du diviseur de
tension pour la mesure de la tension du GPV et la PIN RA2 arrive du diviseur de tension pour la
mesure de la tension de la batterie. La PIN 14 (RC3) est destine activer ou dsactiver le driver de
MOSFET. La PIN 13 (RC2) fournit le signal PWM pour la commande du driver et par consquent des
MOSFETs. Le PIC utilise 3 LED sur les PIN 16 (RC5),17 (RC6) et 18 (RC7) pour indiquer ltat du
dispositif et de la batterie. La PIN 15 (RC4), quant elle, est utilise pour commander le MOSFET
Q3 via le transistor Q4 . On se qui concerne lacheur LCD, les donnes sont transmises par le PIC
via les PIN 25 (RB4) 28 (RB7) et la commande se fait travers les PIN 21(RB0) 23 (RB2).
Pour une bonne comprhension du du fonctionnement du prototype, il est utile de dcrire le
fonctionnement du module CAN (Annexe A) et du module CCP congur en mode PWM (Annexe
B).

8.4.3

Programme de Commande

Pour tablir le programme de la commande et de la gestion de lenergie de notre prototype, nous


avons choisi dutiliser la programmation en C. Le langage C est un langage de haut niveau incomprhensible par le Microcontrleur. Pour traduire le programme en langage machine (mots binaires),
on fait appel un compilateur. Le compilateur que nous avons utilis est "CCS C Compiler" de
"Custom Computer Services Incorporated ".

141

Lutilisation de la programmation en C prsente de multiples avantages [94][95][96][98] :


- Universalit du langage.
- Lisibilit : le C est plus facile comprendre que lassembleur.
- Rapidit de dveloppement : le temps ncessaire pour le dveloppement dun programme est 5
fois moindre quen assembleur.
- Les compilateurs produisent un code qui est assez proche dun code en assembleur manuellement
fait en terme de taille et de performance.
- Portabilit : le programme peut tre facilement remani pour un microcontrleur dirent.
- Disponibilit dune bibliothque de fonctions tendue qui couvre une grande partie des besoins
en programmation des mirocontrleurs.
- Facilit et rapidit dadaptation des algorithmes dj dvelopps.
Le wizard (magicien) quore le compilateur de CCS est fort utile, il permet sans faire de calcul
de congurer directement le PIC.
La gure 8.13 reprsente lorganigramme du programme implanter dans le Microcontrleur.
Le programme commence par une initialisation. Cette tape soccupe de linitialisation :
- des variables utiliser.
- du rapport cyclique.
- de ltat des LED.
- de ltat du driver de MOSFET.
- de ltat du MOSFET de connexion de la charge.
- du convertisseur A/N ( initialisation des ports, conguration en convertisseur 10bits).
- du module CCP (conguration des registres et initialisation des ports, conguration en mode
PWM).
- des ports pour lacheur LCD.
et aussi de lactivation de linterruption du Timer1.
La lecture dun courant ou dune tension se fait par le biais dune fonction "read_avg" qui :
- soccupe de choisir le canal convertir.
- fait un moyennage sur 10 chantillons.
Le programme eectue ensuite un test sur la tension de la batterie pour vrier si elle na pas atteint
le seuil de dcharge complte. Si cest le cas, la LED jaune est allume et la charge est dconnecte
du systme et le restera jusqu ce que la tension de la batterie atteint la tension Vb_on (nous avons
choisi 13V). La LED jaune sera alors teinte. La variable "load_on" est utilise pour indiquer ltat
de connexion de la charge. Un autre test est fait sur la tension, l encore, pour viter une ventuelle
surcharge. Si le test est positif, la LED rouge est allume, sinon elle sera teinte.

142

Dbut

Initialisation

Lire Vbat

oui

Dconnecter charge
load_on = false
Allumer LED jaune

Vbat < Vb_discharged


&& load_on
non

oui

Connecter charge
load_on = True
Etteindre LED jaune

Vbat > Vb_on


&& !load_on
Dsactiver Interruption
du Timer1

non

D% = 100%
oui

Vbat > Vb_charged

Dlai 20ms

non
Etteindre LED Rouge
D% -= 1
Allumer LED rouge

Lire Vpv_100 et
Ipv_100
Algorithme
MPPT

Calculer Ppv_100
seconds > 60
&& !charged

oui

Calculer le Gain de
puissance G

non
D% += Delta

Activer Interruption
du Timer1

Afficher Ppv, Vpv


Ipv et G

Dlai 100ms

Figure 8.13 : Organigramme du programme implanter dans le Microcontrleur.


Lalgorithme MPPT vu au chapitre 5 rentre alors en jeu sil n y a pas de surcharge. Cette tape
soccupe de :
- la lecture du courant et tension du GPV.
- la mise en oeuvre de lalgorithme MPPT.
- la mise jour des variables pour le prochain cycle.
Toutes les 60 secondes environ, et condition que la batterie ne soit pas charge, on connecte
directement le GPV la batterie (D% = 100%), an de calculer le gain de puissance apport par
143

lalgorithme MPPT utilis. Pour cela, la lecture du courant (Ipv_100) et tension (Vpv_100) du GPV
est eectue. Pour le comptage des secondes, on fait appel linterruption de dbordement du Timer1
qui se produit chaque 104ms comme le montre lorganigramme de la gure 8.13. Le calcul de cette
dure se fait en appliquant la relation :
T = 4 1 TOSC 1 Prdiviseur 1 (65536 0 T M R1)

(8.10)

Le rapport cyclique est ensuite appliqu laide dune fonction qui adapte la valeur du rapport
cyclique.
Lachage des direntes grandeurs se fait sur lacheur LCD 4 fois par seconde. Un dlai de
100ms est enn impos avant le cycle suivant.
Pour la gestion de lnergie de la batterie, nous avons utilis un algorithme simple destin la
protger de la surcharge et de la dcharge profonde. Un algorithme plus sophistiqu peut tre mis en
oeuvre an doptimiser cette gestion. Ceci ntant pas lobjectif de notre projet, nous avons prfr
garder lalgorithme choisi.
Interruption
Timer 1

non

Interrupt_counter++ >
one_second

oui
Interrupt_counter = 0
seconds++

Fin Interruption

Figure 8.14 : Organigramme de linterruption du dbordement du Timer 1.


Pour implanter le programme dans le microcontrleur, plus particulirement le chier Hex, nous
avons ralis un programmateur de PIC (JDM programmer) dont le schma est donn sur la gure
8.15. Ct software, nous avons utilis le logiciel WinPic800 pour communiquer avec le programmateur.

144

CONN-D9F

J1

LED1

LED-GREEN

BC547BP

Q1
+5V

4k7

R3

47k

2k2
1k

100n

C6
9

MCLR_

TBLOCK-I5

VPP

330p

C5

RB7 DATA

11
12
13
14
15
16
17
18

9
10

1
MCLR_

U5
2

BORNIER2

PIC16F876A
VDD=+5V
VSS=GND

RB0/INT
RB1
RB2
RB3/PGM
RB4
RB5
RB6/PGC
RB7/PGD

VI
1

OSC1/CLKIN
OSC2/CLKOUT

KA78R05

GND

Vdis

VO

U3
4

VI
1

B1

2
3
4
5
6
7

+5V
1N4733A

D1

RA0/AN0
RA1/AN1
RA2/AN2/VREF-/CVREF
RA3/AN3/VREF+
RA4/T0CKI/C1OUT
RA5/AN4/SS/C2OUT
RC0/T1OSO/T1CKI
MCLR/Vpp/THV
RC1/T1OSI/CCP2
RC2/CCP1
RC3/SCK/SCL
RC4/SDI/SDA
RC5/SDO
RC6/TX/CK
RC7/RX/DT

21
22
23
24
25
26
27
28

RB6_
RB7_

LED-RED
47u

RB7_

LED2
C7

47u

560R

LED-RED

C8

R8

LED3

RB6_

100n
GND

KA78R08

2
VO
Vdis

J2

U2:C

4093
VDD=+5V
VSS=GND

12

RB6 CLK

11

U2:D

4093
VDD=+5V
VSS=GND

13

U2:A

4093
VDD=+5V
VSS=GND

10

+13V

R5

R7

BC557AP

Q2

11
12
10
9

R6

100k

R4

1u

C2
4

C2+

T1IN
R1OUT
T2IN
R2OUT

C1+

10u

C9

MAX232
VCC=+5V
5

C2-

VS+
VS-

2
6

14
13
7
8
T1OUT
R1IN
T2OUT
R2IN

U1
C1-

3
1u
1

100k

15k

R2

1u

C3

R1

1
6
2
7
3
8
4
9
5
1u

C4
+5V

C1
5
4093
VDD=+5V
VSS=GND
2k2

R9
+13V

U4
4

+5V

U2:B
4
+5V

C10

1
2
3
4
5

Figure 8.15 : Schma lectrique du programmateur de PIC

8.5

Rgulation de la Tension Photovoltaque

En ce qui concerne la rgulation de la tension photovoltaque VP V dont ltude a t faite au


chapitre 7, le microcontrleur PIC 16f876A ne peut tre utilis, car pour ce dernier, le temps de
conversion du CAN dpasse la priode dchantillonnage que nous avions choisi (fs = 100kHz). La
solution consiste alors utiliser un microcontrleur plus performant ddi au traitement scientique
en loccurrence un DSP (Digital Signal Processor). Un DSP est un processeur dont larchitecture est
optimise pour eectuer des calculs complexes en un coup dhorloge. La fonction principale utilise dans
le DSP est la fonction multiply-accumulate (MAC), qui est une multiplication suivie dune addition
et dun stockage du rsultat (fonction trs utilise dans les calculs dasservissement et de ltrage).
Microchip propose deux familles dnommes Digital Signal Controler (dsPIC30F et dsPIC33F),
qui sont des microcontrleurs avec des capacits de calcul renforces et des priphriques de conver145

sion analogique-numrique. Le composant que nous avons slectionner pour notre application est le
dsPIC33FJ16GS502 de MICROCHIP. Ses caractristiques principales sont [99] :
- Architecture Harvard modie.
- Architecture du jeu dinstruction optimis pour le compilateur C avec des modes dadressage
exible et ecace.
- 83 instructions de base.
- 24-bit instructions, 16-bit data.
- 16 kByte de mmoire FLASH (Programme).
- 2 kBytes de SRAM (Data).
- Capacit de calcul jusqu 40 MIPs ( 3.0-3.6V).
- Oscillateur interne et boucle verrouillage de phase (PLL) avec une horloge de 120MHz.
- 35 sources dinterruption.
- 3 Timers 16 bits.
- 4 sorties PWM avec une rsolution de 16 bits .
- Module de Conversion Analogique/Numrique CAN de 10 bits : 8 canaux avec 6 chantillonneurs
bloqueurs (tau dchantillonage de 4 Msps).
- Botier : SPDIP 28 pins.
Technologie CMOS :
- Technologie ash haute vitesse.
- Tension dalimentation 3.3V (610%).
- Consommation de puissance basse.
Deux caractristiques principales font la dirence avec le composant prcdent pour notre application. Il sagit de la capacit de calcul qui est de 40 MIPs (Millions dInstructions Par seconde) pour le
dsPIC33FJ16GS502 contre 5 MIPs pour le 16f876A, le nombre de signaux pouvant tre convertis la
fois (CAN) grce la prsence de 6 chantillonneurs bloqueurs indpendants et le temps de conversion.
En eet le temps de conversion minimum dun bit (TAD ) est de 35:8ns pour le dsPIC33FJ16GS502
et 1:6s pour le 16F876A, soit dix fois plus rapide. Le tableau ci-dessous donne un rcapitulatif sur
le temps de numrisation pour les deux composants. Il est claire que le dsPIC33FJ16GS502 est bien
plus performant [99] [100][90] .
Temps dacquisition (TACQ )
ou dchantillonnage (TSAM P )
Temps de conversion (TCON V )
Total

dsPIC33FJ16GS502
2TAD

PIC16F876A
19:2s

14TAD
0:573s

14TAD
41:6s

Malheureusement, nous navons pas pu nous procurer le dsPIC33FJ16GS502, ce qui nous a empch
dapprofondir linvestigation ce niveau.

8.6

Conclusion

Dans ce dernier chapitre, nous avons prsent les direntes tapes et la mthodologie suivie pour
la conception et la ralisation du convertisseur MPPT. Nous avons ensuite fait le choix des dirents
composants et nous avons montr lorganigramme de la commande. Malheureusement, nous navons
pas pu appliquer les deux approches de rgulation de la tension photovoltaque vues dans le chapitre
prcdent, car le microcontrleur choisi ntait pas assez puissant.

146

Conclusion Gnrale
8.7

Sommaire

Cette tude a t centre sur lamlioration des performances et du rendement dun systme photovoltaque. Lobjectif principal tait de trouver un algorithme ecace et optimal permettant dextraire
le maximum de puissance disponible partir du gnrateur photovoltaque.
Dans le premier chapitre, des notions sur lnergie solaire et ses caractristiques ont t annonces
ainsi que les dirents types de systmes photovoltaques existants et le potentiel solaire en Algrie.
Dans le second chapitre, le principe de fonctionnement dune cellule photovoltaque au silicium
a t dcrit. Son rendement et les dirents types de cellules existantes ont t ensuite dnis. La
modlisation mathmatique de la cellule tait base sur le modle lectrique quivalent. Leet des
changements climatiques a aussi t rvl travers des graphiques reprsentatifs. Le logiciel Matlab
a t utilis pour simuler le comportement de la cellule photovoltaque.
Concernant le troisime chapitre, lanalyse du gnrateur photovoltaque GPV et des dirents
groupements possibles des cellules a t aborde. Le problme survenant lors dune non-homognit
de lclairement sur les cellules a t expliqu et la solution qui consiste ajouter une diode bypass
a t cite. La modlisation mathmatique du GPV essentielle cette tude a t faite en se basant
sur le modle de la cellule. Par la suite, le principe de conversion dans les systmes photovoltaques
a t expliqu faisant apparatre par la mme occasion, lventuel problme de la non-adaptation de
la charge avec le GPV. En eet, ce problme est trs courant dans les systmes photovoltaques. La
simulation du comportement du GPV a aussi t faite sous Matlab et une interface graphique a t
dveloppe an de montrer leet des changements climatiques sur lnergie produite par le GPV.
Le quatrime chapitre a fait ltude de lunit de stockage (batterie), son principe de fonctionnement, ses caractristiques, sa modlisation, sa dirence avec une batterie classique et son couplage
direct avec un GPV.
Le cinquime chapitre a entam la partie la plus importante et la plus dlicate de cette thse.
Eectivement, la description du convertisseur MPPT qui est un convertisseur de puissance (DC/DC)
command par un algorithme MPPT a t faite. Aussi, le principe de recherche du MPP a t lucid.
Ltude du fonctionnement dun convertisseur de puissance de type Buck a t traite de manire
approfondie aboutissant un modle mathmatique linaris (modle petits signaux). Le dimensionnement du convertisseur a t expos ainsi que la classication des commandes MPPT. La bote outil
SimPowerSystems sous Simulink a permis aisment de constituer les modles de simulation des convertisseurs. Dans la dernire partie, les algorithmes MPPT les plus rpondus existants dans la littrature
ont t prsents.
Le sixime chapitre a t ddi la simulation du convertisseur MPPT sous Simulink en utilisant la
bote outil SimPowerSystems. Ceci a permis de constituer une bibliothque de composants relatifs un
systme photovoltaque, intgrant les modles du GPV, du convertisseur de puissance, de lalgorithme
MPPT Perturbation et Observation (Perturb & Observe) et de la charge ou batterie. Les dirents
147

composants ont tous t dots dun masque facilitant leur paramtrage. Lecacit de lalgorithme
MPPT a t dmontre travers les rsultats de la simulation. Une panoplie de tests a t utilise
pour mettre lalgorithme en preuve dans le cas de conditions climatiques et une charge variables.
Les rsultats des tests ont alors exhib le dfaut principal de lalgorithme P&O qui est sa mauvaise
interprtation de la localisation du MPP lors dun changement brusque des conditions climatiques.
Lamlioration de lalgorithme P&O a permis de passer outre ce problme. Le problme, tout aussi
raliste, de lombrage partiel du GPV a t mis en vidence grce au modle propos qui a permis
la simulation dun tel phnomne. En eet, dans ce cas, plusieurs maxima locaux peuvent apparatre
induisant lalgorithme MPPT en erreur et menant de la sorte une perte de puissance non ngligeable.
La solution propose qui consiste faire un balayage sur toute la plage de la tension a permis de
remettre lalgorithme sur la bonne direction, assez proche du vrai MPP.
Le septime chapitre a t consacr ltude de la stabilit et de la robustesse du systme photovoltaque. La caractristique lectrique du GPV a t approxime par un modle linaire (approximation
par morceau) pour faciliter lanalyse. Le modle linaris du convertisseur de puissance a t tabli
puis analys. Il a t montr, par le biais de la simulation, que les caractristiques de la rponse
dynamique du systme dpend fortement de la localisation du point de fonctionnement. Ceci a indiqu la non-robustesse du systme. Deux approches pour la rgulation de la tension photovoltaque,
visant une robustesse et des performances meilleures, ont t tudies. La premire approche a t
synthtise dans le domaine frquentiel et fait appel un rgulateur PID classique muni dune action
anti-windup. La deuxime, de nature non linaire a t synthtise dans le domaine temporel, il sagit
de la Commande par Mode Glissant (CMG). Le rgulateur PID muni de laction anti-windup a permis
davoir une robustesse et des performances meilleures que le systme sans rgulation. Il a t discrtis
an dtre implant dans un microcontrleur. Cependant, la CMG a donn de meilleurs rsultats que
le rgulateur PID. Lapplication de la CMG temps discret a t considre pour une ventuelle implantation dans un microcontrleur. Elle a oert aussi la possibilit de limiter facilement le courant
travers linductance. Dans ce chapitre, il a t montr que la CMG est capable de poursuivre le MPP
sans faire appel un algorithme quelconque faisant delle une technique MPPT distingue. Nanmoins,
il na pas t possible de la discrtiser.
Dans le chapitre huit, les direntes tapes et la mthodologie suivie pour la conception et la
ralisation du convertisseur MPPT ont t exposes. Le choix des dirents composants a ensuite t
justi et lorganigramme de la commande a t exhib. Il na pas t possible dappliquer les deux
approches de rgulation de la tension photovoltaque, car le microcontrleur choisi ntait pas adapt.

8.8

Conclusion

Lobjectif de cette thse est damliorer les performances et le rendement dun systme photovoltaque en faisant appel un algorithme spcique. La modlisation de tout le systme photovoltaque
tudi est tablie facilitant son analyse. Linterface de puissance reprsente par un convertisseur
commutation est profondment tudie.
Lalgorithme de poursuite du point de puissance maximale utilis, appel "Perturbation et Observation" est amlior pour passer outre ses dfauts et minimiser toute ventuelle perte de puissance.
Lecacit de lalgorithme amlior est dmontre travers les rsultats de la simulation faite sous
Simulink. La simulation fait appel une bibliothque de composants reprsentant chaque lment du
systme photovoltaque. Aussi, le problme de la non-homognit de lclairement est trait aboutissant une solution ecace qui est valide par la simulation. Cette tude prsente galement lapplication de deux approches de commande distinctes pour la rgulation de la tension photovoltaque.
Cette rgulation permet de minimiser la perte de puissance travers le convertisseur amliorant ainsi
le rendement global. La premire approche fait appel un rgulateur PID classique muni dune action
anti-windup. La deuxime approche est la commande par mode glissant qui une commande de nature
148

non linaire. Les deux approches donnent des rsultats satisfaisants en simulation avec un avantage effectif pour la deuxime. Finalement, les direntes tapes et la mthodologie suivie pour la conception
et la ralisation du convertisseur MPPT de type Buck command par le microcontrleur PIC16F876A
sont exposes.

8.9

Dicults et Perspectives :

Les principales dicults que nous avons encourues durant notre recherche taient au premier lieu
au niveau de la simulation sous Simulink o il a t dicile de contourner les cas de boucles algbriques
non rsolues. En deuxime lieu, nous avons pein trouver les composants adquats pour la ralisation
de notre prototype.
Nous estimons que ce travail peut tre enrichi par plus de recherches et investigations sur les points
suivants :
- Dans cette tude, les pertes dans les dirents composants de linterface de puissance nont pas
t prises en compte. Une tude plus rigoureuse peut tre faite pour montrer linuence de ces pertes
sur le rendement du systme.
- Les bruits de mesure et les perturbations doivent aussi tre pris en compte et un ltre peut tre
ralis.
- Lestimation des pertes dans les dirents composants peut tre faite.
- Une fonction de poursuite de la trajectoire du soleil peut tre intgre au systme de commande.
- Dvelopper ltude pour les systmes photovoltaques raccords aux rseaux de distribution lectrique ou comportant un onduleur.
- Lamlioration de lalgorithme Perturbation et Observation peut intgrer une autre approche
comme la logique oue.
- Limplantation des lois de commande pour la rgulation de la tension photovoltaque tudies
dans un DSP.

149

Bibliographie
[1] Antonio Luque and Steven Hegedus,"Handbook of Photovoltaic Science and Engineering", John
Wiley & Sons Ltd, 2003
[2] F. Kininger, "Photovoltaic Systems Technology", University of Kassel, 2003
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[4] R.A. Messenger, J. Ventre, "Photovoltaic Systems Engineering (Second Edition)", CRC Press,
2004
[5] Tom Markvart & Luis Castaner, "Handbook of Photovoltaics : Fundamentals ans Applications",
ELSEVIER, 2003
[6] F.A. Farret, M. Godoy Simoes, "Integration of Alternative Sources of Energy", John Wiley &
Sons Ltd, 2006
[7] http ://www.sonelgaz.dz
[8] Ministre de lnergie et des Mines, "Guide des nergies Renouvelables", dition 2007
[9] Brahimi (MEM), "Situation des nergies renouvelables en Algrie". Confrence sur la matrise
de lnergie et de lenvironnement dans un contexte dconomie de marche, 2001, Htel Sheraton,
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[10] http ://fr.wikipedia.org/wiki/Semi_conducteur
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154

Annexe A

Convertisseur Analogique Numrique


Le module de conversion Analogique/Numrique (CAN) du PIC 16F876A possde 5 canaux dentre (AN0 AN4). La conversion dun signal analogique sur un des canaux donne comme rsultat un
nombre numrique sur 10 bits. Le module A/N a deux tensions de rfrence maximale et minimale qui
peuvent tre choisie par programme parmi les tensions VDD et VSS, ou RA2 (Vref-) et RA3 (Vref+)
[91][90][92][93].

Figure A.1 : Schma bloc du Convertisseur Analogique Numrique CAN

A.1

Squence de numrisation

Le PIC dispose dun chantillonneur bloqueur intgr constitu dun commutateur SS et dun
condensateur de maintien CHOLD de 120 pF (gure A.2). En premier temps, il connecte la broche sur
laquelle se trouve la tension numriser au condensateur qui va se charger via une rsistance interne
RSS jusqu la tension applique, ensuite la broche est dconnecte du condensateur qui sera ensuite
connect au convertisseur A/N [90][93].

155

Figure A.2 : Modle dune entre analogique


Pendant le temps de conversion, le commutateur SS est maintenu ouvert, la capacit bloque la
tension une valeur constante. la n de la conversion, SS se ferme, la tension aux bornes du
condensateur rejoint la tension analogique dentre au bout dun temps dacquisition qui dpend de
la constante de temps RC, R tant la somme des rsistances : Ric (rsistance dinterconnexion), Rss
(sampling switch resistor) et Rs (rsistance de la source de tension). La valeur de Rs ne doit pas
dpasser 10 kA, la valeur Ric est gale 1 kA, la valeur de Rss dpend de la tension dalimentation,
elle est de lordre de 7 kA pour Vdd =5V et de 5 kA pour Vdd = 6V.

A.1.1

Temps dacquisition

Cest le temps ncessaire pour que le condensateur interne atteigne une tension proche de la tension
convertir incrment par le temps de raction des circuits internes, et un temps qui dpend de la
temprature [90].
TACQ = TAM P + TC + TCOEF
(A.1)

TC

= 0CHOLD 1 (RIC + RSS + RS ) 1 log (1=2047)

(A.2)

= 0120pF 1 (1kA + 7kA + 10kA) 1 log (1=2047)


= 16:47s

TCOEF = (T emperature 0 25E C) (0:05s=E C)

(A.3)

TACQ = 19:2s

(A.4)

Pour notre application, on a :

avec :
TACQ : Temps dacquisition total.
TAM P : Temps de raction des circuits typiquement de 2s.
TC : Temps de charge du condensateur.
TCOEF : Temps qui dpend de la temprature du pic, ce coecient est typiquement de 0,05 s=E C
Temperature : Temprature du processeur

156

A.1.2

Temps de conversion

Une fois la tension du condensateur atteint la valeur de la tension numriser le convertisseur


procde la conversion. Le temps de conversion dun bit est not TAN tel que [90] :
TAN = TOSC : 1 prdiviseur

(A.5)

avec prdiviseur gal 2, 4, 8, 16, 32 ou 64. Si on utilise un oscillateur RC interne TAN vaut entre
2 et 6s
Pour une conversion A/N correct, le temps TAN doit tre ajust pour quil soit au minimum de
1; 6s .Puisque notre PIC16F876A est cadenc 20Mhz, on peut choisir le prdiviseur 32.
Avant le dmarrage eectif de la conversion, le PIC ncessite un temps TAN au dbut et la n
de la conversion. Donc, le temps total de conversion est de 12 1 TAN soit dans le meilleur des cas :
TCON V = 12 1 TAN = 12 1 1:6s = 19:2s

(A.6)

On note aussi quun temps quivalent 2TAN est ncessaire avant de pouvoir eectuer une nouvelle
conversion.
En rsum :
1 La charge du condensateur interne ncessite le temps TACQ
1 La conversion ncessite le temps 12TAN .
1 On doit attendre 2TAN avant de pouvoir recommencer une autre conversion.

A.2

Rsolution du CAN

La rsolution dune mesure ou dun CAN est la plus ne variation du signal qui peut tre mesure
ou dtecte. Elle est calcule par [90] :
Vresolution =

Vgamme
2n 0 1

(A.7)

avec n : nombres de bits du CAN, Vgamme gamme de tolrence du PIC (5V).


Pour notre cas, la rsolution de la mesure de la tension est :
Vresolution;tension =
Nous avons multipli par

R1 +R2
R2

5
R1 + R2
1
= 38mV
1023
R2

(A.8)

en raison de la prsence du diviseur de tension.

La rsolution de la mesure du courant est :


Iresolution;courant =

5
1
5
1
1
=
1
' 8mA
1023 Av 1 Rmesure
1023 5:7 1 0:11

avec Av : gain de lamplicateur, Rmesure : rsistance de mesure du courant.

157

(A.9)

Annexe B

Module CCP en Mode PWM


Le PIC16F876A dispose de deux modules CCP1 et CCP2. Ces deux modules sont fortement lis
aux timers 1, timers2 et au CAN. Ils sont strictement identiques, except la possibilit pour le module
CCP2 de dmarrer automatiquement la conversion A/N. Ces deux modules CCP sont capables de
gnrer un signal PWM dune priode Tpwm (xe) et dun rapport cyclique variable. La rsolution
peut aller jusqu 10 bits [90].
Le module CCP peut tre congur en mode PWM par linitialisation des registres TRISC, PR2,
CCPxCON, CCPRxL T2CON. Le bit TRISC<x> doit tre mis 0 pour congurer la PIN CCPx en
sortie. La gure B.1 montre le schma bloc simpli du module CCP en mode PWM.

Figure B.1 : Schma bloc simpli du module CCP en mode PWM

B.1

Priode du PWM

La priode du signal PWM est dtermine par le contenu du registre priode du Timer2 (PR2).
Elle peut tre calcule par :
Tpwm = [(P R2) + 1] 1 4 1 TOSC 1 Prdiviseur de TMR2

o TOSC est la priode du signal dhorloge du PIC.


do :
Tpwm
01
P R2 =
4 1 TOSC 1 Prdiviseur de TMR2

158

(B.1)

(B.2)

Ce qui donne pour notre cas :


P R2 =

1005
0 1 = 49
4 1 5 1 1008 1 1

(B.3)

Il est noter que le postdiviseur du Timer2 nest pas utilis pour la dtermination de la frquence
du signal PWM.

B.2

Rapport cyclique du PWM

Le rapport cyclique est dtermin en crivant dans le registre CCPR1L et dans les bist CCP1CON<5 :4>.
Le registre CCPR1L contient les 8 bits de poids fort (MSbs) et le registre CCP1CON<5 :4> les 2 bits de
poids faible (LSbs). La valeur sur 10 bits est reprsente par CCPR1L :CCP1CON<5 :4>. La relation
suivante est utilise pour calculer la valeur mettre dans le registre CCP R1L : CCP 1CON < 5 : 4 >
pour obtenir le rapport cyclique voulu :
Tpwm;on = CCP R1L : CCP 1CON < 5 : 4 > 1TOSC 1 Prdiviseur de TMR2

(B.4)

avec Tpwm;on est le temps Ton pendant lequel le signal PWM est gal 1.
Les quations (B.1) et (B.4) permettent alors dcrire :
D% =
avec D% =

Tpwm;on
Tpwm

CCP R1L : CCP 1CON < 5 : 4 >


4 1 [(P R2) + 1]

(B.5)

rapport cycle en pourcentage.

Pour notre cas par exemple, pour avoir D% = 100%, il faut mettre la valeur 200 dans CCP R1L :
CCP 1CON < 5 : 4 > : Cette valeur est donc la maximale mttre dans le registre CCP R1L :
CCP 1CON < 5 : 4 > :

B.3

Gnration du signal PWM

Le module CCP gnre le signal PWM en association avec le Timer2 de la faon suivante : Si on
suppose que le signal PWM vaut au dbut du comptage 0 [90] :
- Le Timer2 est incrment par lhorloge interne FOSC =4: Quand il arrive la valeur PR2, TMR2
passe 0 et CCPx passe 1 (sauf si rapport cyclique = 0%).
- Chargement de la valeur du registre CCPR1L dans le registre CCPR1H.
- Quand Timer2 arrive la seconde valeur de consigne (TON ), CCPx passe 0.
- Au cycle suivant, le mme processus se rpte.

Figure B.2 : Sortie PWM


159

En rsum pour congurer le module CCP en mode PWM, nous devons suivre les tapes suivantes :
- Dnir la priode Tpwm en crivant dans le registre PR2.
- Dnir le rapport cyclique en crivant dans le registre CCPRxL et les bits CCPxCON<5 :4>.
- Initialiser le registre TRISC (bit 1, 2 =0) pour congurer la broche CCPx en sortie.
- Dnir la valeur du prdiviseur du TMR2 et lancer le Timer2 en crivant dans T2CON
- Conguration du registre CCPxCON pour travailler en mode PWM.
La rsolution maximale (en bits) pour une frquence PWM donne est exprime par la formule
suivante :


log FFOSC
pwm
Resolution =
(B.6)
log (2)
Pour notre cas, cela donne une rsolution de 7.64 bits, ce qui donne en terme de rsolution du
rapport cyclique de 0:5%:Pour augmenter la rsolution, il est impratif de diminuer la frquence du
signal PWM.

160

1234526
123456728928AB73CDD7E7F2896372327FC3C72DCCBC39722ECF6A2CF2DC7F732F2CEE72C967284AF7672
67FC9B73372772572727F6A7296234EA3C6CF2872D76C6EF727289267F87E7F2849F25E72DCCBC39722
6B7623493CF2849F23C6E72DD6CD6A2DC96232CEEF87287234F7672872D9F72 4C!72D6FD3272872
6C9B7629F23C6E72C929F723C2872CEEF87277272CDE372D76E7F2847"6672372E"E9E2872D9F72
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