Infineon F3L200R12W2H3 - B11 DS v03 - 00 EN

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
EasyPACKModulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC
EasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC
VCES = 1200V
IC nom = 100A / ICRM = 200A
TypischeAnwendungen
3-Level-Applikationen
Motorantriebe
SolarAnwendungen
USV-Systeme
TypicalApplications
3-Level-Applications
MotorDrives
SolarApplications
UPSSystems
ElektrischeEigenschaften
HighSpeedIGBTH3
NiedrigeSchaltverluste
Tvjop=150C
ElectricalFeatures
HighSpeedIGBTH3
LowSwitchingLosses
Tvjop=150C
MechanischeEigenschaften
PressFITVerbindungstechnik
RoHSkonform
MechanicalFeatures
PressFITContactTechnology
RoHScompliant
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
1200
V
ICN
200
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100C, Tvj max = 175C
IC nom
100
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
400
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Ptot
600
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
VCE sat
typ.
max.
1,55
1,70
1,75
1,75
V
V
V
5,80
6,45
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
1,60
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25C
RGint
3,8
Eingangskapazitt
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
11,5
nF
Rckwirkungskapazitt
Reversetransfercapacitance
Cres
0,70
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V

VGE = 15 V
RGon = 1,1
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V

VGE = 15 V
RGon = 1,1
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Abschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V

VGE = 15 V
RGoff = 1,1
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V

VGE = 15 V
RGoff = 1,1
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH

Tvj = 25C
VGE = 15 V, di/dt = 3700 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGon = 1,1
Tvj = 150C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,05
0,14
0,155
0,16
s
s
s
0,025
0,03
0,03
s
s
s
0,32
0,40
0,42
s
s
s
0,03
0,055
0,06
s
s
s
Eon
1,20
2,00
2,25
mJ
mJ
mJ
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH

Tvj = 25C
VGE = 15 V, du/dt = 2700 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGoff = 1,1
Tvj = 150C
Eoff
3,50
5,30
5,90
mJ
mJ
mJ
Kurzschluverhalten
SCdata
VGE 15 V, VCC = 800 V

VCEmax = VCES -LsCE di/dt
ISC
800
Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
tP 10 s, Tvj = 150C
td on
tr
td off
tf
RthJC
0,20
0,25 K/W
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
0,20
-40
K/W
150
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25C
VRRM
650
V
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
IFN
125
A
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
IF
100
A
IFRM
250
A
It
1450
1400
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
It-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C
min.
As
As
typ.
max.
1,70
VF
1,55
1,50
1,45
IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C

VR = 400 V
Tvj = 125C
VGE = -15 V
Tvj = 150C
IRM
90,0
100
100
A
A
A
Sperrverzgerungsladung
Recoveredcharge

VR = 400 V
Tvj = 125C
VGE = -15 V
Tvj = 150C
Qr
3,25
5,90
6,40
C
C
C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy

VR = 400 V
Tvj = 125C
VGE = -15 V
Tvj = 150C
Erec
0,95
1,55
1,65
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
0,55
0,65 K/W
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proDiode/perdiode
RthCH
0,60
K/W
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Rckstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
3
-40
150
V
V
V
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25C
VCES
650
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
IC nom
100
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
200
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Ptot
250
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
VCE sat
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
5,80
6,45
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
1,00
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25C
RGint
2,0
Eingangskapazitt
Inputcapacitance
Cies
6,20
nF
Rckwirkungskapazitt
Reversetransfercapacitance
Cres
0,19
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V

VGE = 15 V
RGon = 3,3
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V

VGE = 15 V
RGon = 3,3
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Abschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V

VGE = 15 V
RGoff = 3,3
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V

VGE = 15 V
RGoff = 3,3
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH

Tvj = 25C
VGE = 15 V, di/dt = 3800 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGon = 3,3
Tvj = 150C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
4,95
0,055
0,06
0,065
s
s
s
0,025
0,03
0,03
s
s
s
0,25
0,27
0,28
s
s
s
0,035
0,05
0,06
s
s
s
Eon
1,85
2,80
3,30
mJ
mJ
mJ
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH

Tvj = 25C
VGE = 15 V, du/dt = 4600 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGoff = 3,3
Tvj = 150C
Eoff
3,10
4,10
4,60
mJ
mJ
mJ
Kurzschluverhalten
SCdata
VGE 15 V, VCC = 360 V

VCEmax = VCES -LsCE di/dt
ISC
700
500
A
A
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,50
0,60 K/W
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proIGBT/perIGBT
RthCH
0,50
K/W
Tvj op
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
4
tP 8 s, Tvj = 25C
tP 6 s, Tvj = 150C
td on
tr
td off
tf
-40
150
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
It-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C
1200
V
IF
75
A
IFRM
150
A
It
1050
985
min.
As
As
typ.
max.
2,15
VF
1,65
1,65
1,65
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
IRM
120
140
150
A
A
A
IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/s (Tvj=150C)

VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Qr
8,50
17,0
19,0
C
C
C
IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/s (Tvj=150C)

VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Erec
2,85
5,70
6,30
mJ
mJ
mJ
RthJC
0,55
0,60 K/W
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proDiode/perdiode
RthCH
0,50
K/W
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
Rckstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/s (Tvj=150C)

VR = 400 V
VGE = -15 V
Sperrverzgerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
proDiode/perdiode
-40
V
V
V
150
Modul/Module
Isolations-Prfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
VISOL
CTI
min.
Modulstreuinduktivitt
Strayinductancemodule
LsCE
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft fr mech. Bef. pro Feder

mountig force per clamp
40
Gewicht
Weight
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
5
kV
2,5
typ.
max.
14
36
nH
125
80
N
g
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100C, R100 = 493
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
R25
R/R
5,00
-5
P25
AngabengemgltigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
6
k
5
20,0
mW
F3L200R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch)
IC=f(VCE)
Tvj=150C
200
200
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
160
160
140
140
120
120
100
80
60
60
40
40
20
20
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
bertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
11
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
180
Eon, Tvj = 125C

Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C
10
9
160
140
7
E [mJ]
120
100
80
6
5
4
60
40
20
0
0,0
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=15V,RGon=1.1,RGoff=1.1,VCE=400V
200
IC [A]
100
80
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
180
IC [A]
IC [A]
180
8
9
VGE [V]
10
11
12
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
7
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200

IC [A]
F3L200R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=15V,IC=100A,VCE=400V
TransienterWrmewiderstandIGBT,T1/T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4
ZthJH=f(t)
1
Eon, Tvj = 125C
Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C
ZthJH : IGBT
6
0,1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
5
4
3
0,01
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,012 0,044 0,032 0,312
i[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1
0
5
6
RG []
0,001
0,001
10
SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=1.1,Tvj=150C
0,01
0,1
t [s]
10
DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)
250
200
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
180
200
160
140
120
IF [A]
IC [A]
150
100
100
80
60
50
40
20
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
1400
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
F3L200R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.1,VCE=400V
Erec=f(RG)
IF=100A,VCE=400V
2,6
2,0
Erec, Tvj = 125C
Erec, Tvj = 150C
2,4
Erec, Tvj = 125C

Erec, Tvj = 150C
1,8
2,2
1,6
1,8
1,4
1,6
1,2
1,4
E [mJ]
E [mJ]
2,0
1,2
1,0
1,0
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
20
40
60
80
0,0
100 120 140 160 180 200

IF [A]
TransienterWrmewiderstandDiode,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJH=f(t)
5
6
RG []
10
AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
200
ZthJH : Diode
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
180
160
140
IC [A]
ZthJH [K/W]
120
100
80
0,1
60
40
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,035 0,149 0,311 0,655
i[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
20
0
10
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
9
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
F3L200R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)
IC=f(VCE)
Tvj=150C
bertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
200
200
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
180
160
140
140
120
120
IC [A]
IC [A]
160
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0,0
0,5
1,0
1,5
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
180
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=15V,RGon=3.3,RGoff=3.3,VCE=400V
8
9
VGE [V]
10
11
12
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=15V,IC=100A,VCE=400V
10
24
Eon, Tvj = 125C
Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C
9
8
Eon, Tvj = 125C

Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C
22
20
18
16
14
E [mJ]
E [mJ]
6
5
12
10
6
2
1
0
2
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200

IC [A]
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
10
12
15 18
RG []
21
24
27
30
F3L200R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
TransienterWrmewiderstandIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJH=f(t)
SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=3.3,Tvj=150C
10
220
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
200
180
160
1
IC [A]
ZthJH [K/W]
140
120
100
80
0,1
60
40
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,03
0,11 0,08 0,78
i[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
20
0
10
DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)
300
400 500
VCE [V]
600
700
800
Erec, Tvj = 125C

Erec, Tvj = 150C
9
8
105
90
6
E [mJ]
IF [A]
200
10
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C
120
75
60
45
30
15
100
Erec=f(IF)
RGon=3.3,VCE=400V
150
135
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
11
15
30
45
60
75 90
IF [A]
105 120 135 150
F3L200R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
Erec=f(RG)
IF=75A,VCE=400V
TransienterWrmewiderstandDiode,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJH=f(t)
10
Erec, Tvj = 125C
Erec, Tvj = 150C
ZthJH : Diode
6
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
5
4
3
0,1
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,042 0,093 0,387 0,528
i[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1
0
12
15 18
RG []
21
24
27
0,01
0,001
30
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[]
10000
1000
100
20
40
60
80
100
TC [C]
120
140
160
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
12
0,01
0,1
t [s]
10
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
13
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfrtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfrIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstndigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfrdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglicheGewhrleistungbernehmen.Eine
solcheGewhrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfrdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsbernommen.DieAngabenindengltigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbentigen,dieberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfrSiezustndigenVertriebsbroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FrInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenknnteunserProduktgesundheitsgefhrdendeSubstanzenenthalten.BeiRckfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfrSiezustndigenVertriebsbroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefhrdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfrdieseFlle
-diegemeinsameDurchfhrungeinesRisiko-undQualittsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualittssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinfhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhngigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlichenderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
approvedby:AKDA
revision:3.0
14

Infineon F3L200R12W2H3 - B11 DS v03 - 00 EN

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

TC = 100C, Tvj max = 175C

TC = 25C, Tvj max = 175C

IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C

VGE = -15 V ... +15 V

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C

IC = 100 A, VCE = 400 V

IC = 100 A, VCE = 400 V

IC = 100 A, VCE = 400 V

IC = 100 A, VCE = 400 V

IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH

IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH

VGE 15 V, VCC = 800 V

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C

IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C

IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C

IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C

TC = 100C, Tvj max = 175C

TC = 25C, Tvj max = 175C

IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C

VGE = -15 V ... +15 V

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C

IC = 100 A, VCE = 400 V

IC = 100 A, VCE = 400 V

IC = 100 A, VCE = 400 V

IC = 100 A, VCE = 400 V

IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH

IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH

VGE 15 V, VCC = 360 V

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C

IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/s (Tvj=150C)

IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/s (Tvj=150C)

IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/s (Tvj=150C)

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Anpresskraft fr mech. Bef. pro Feder

TC = 100C, R100 = 493

R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]

R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]

R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]

Eon, Tvj = 125C

100 120 140 160 180 200

Erec, Tvj = 125C

100 120 140 160 180 200

Eon, Tvj = 125C

100 120 140 160 180 200

Erec, Tvj = 125C

105 120 135 150

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