PROPRIETES ELECTRIQUES DES CONDUCTEURS

ET DES SEMI-CONDUCTEURS
RAPPELS THEORIQUES

l - Conducteurs - Isolants - Semi-conducteurs

On distingue plusieurs types de matriaux en fonction de leur rsistivit :

a) Les conducteurs <10-6 m

Une partie des lectrons possdent une nergie suffisante pour se librer presque totalement des forces
d'interaction avec le rseau. Ces lectrons libres sont les lectrons de conduction des mtaux. Leur niveau
d'nergie est situ dans la bande de conduction.

b) Les isolants >1010 m

Tous les lectrons sont fortement lis aux atomes du cristal. L'nergie ncessaire pour les librer est trs
leve en particulier devant l'nergie thermique ou lectrostatique qu'on peut fournir en levant la
temprature ou en appliquant un champ lectrique. Leur mobilit est nulle.
c) Les semi-conducteurs
Ils ont une rsistivit intermdiaire entre les conducteurs et les isolants et sont isolants au zro absolu.

La rsistivit d'un mtal peut tre de l'ordre de 10-12 m 1K (Kelvin) sans parler de la
supraconductivit o la rsistivit est rigoureusement nulle. La rsistivit d'un bon isolant peut atteindre 1020
m. On a donc un rapport de 1032 entre un trs bon conducteur et un trs bon isolant.

2 - Niveaux d'nergie d'un solide - Thorie des bandes

2-1) Ondes et particules

La thorie quantique associe chaque lectron une onde ayant pour vitesse de groupe la vitesse de cette
particule et ayant une longueur d'onde relie la quantit de mouvement p de la particule par la relation de
DE BROGLIE:

=h/p o h est la constante de Planck.

Chaque systme quantique est caractris par une fonction d'onde, solution de l'quation de Schrdinger.
Etudier un systme quantique quelconque se ramne rsoudre l'quation
2m
+ h [ E - V(x,y,z) ] (x,y,z) = 0

Dans le cas d'un atome isol, les solutions de l'quation de Schrdinger n'existent que pour une srie
discrte d'nergies E1, E2,...En.

2-2) Structure de bandes

Un atome d'un lment donn prsente donc des niveaux d'nergie bien dfinis auxquels on peut associer
des fonctions d'onde bien dfinies. I1 en est de mme dans un solide cristallin o les atomes sont arrangs
selon un rseau triplement priodique. Les lectrons occupent alors des niveaux d'nergie bien dfinis
correspondant des modes de propagation galement bien dfinis. Ces niveaux sont extrmement proches
les uns des autres et sont regroups en bandes appeles bandes d'nergie permise. Le nombre de niveaux par
bande est proportionnel au nombre d'atomes dans le cristal : environ 1022 atomes/cm3 pour un cristal de

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silicium. Les bandes d'nergie permise sont spares par des zones appeles bandes interdites o il n'y a pas
de niveau d'nergie permise.

Variation des niveaux d'nergie en Energie

fonction de la priode du rseau pour
Bandes permises
une range d'atomes d'hydrogne; on
notera la formation de bandes permises Etat quantique 2s
et de bandes interdites.
A mesure que les atomes se
Bande interdite
rapprochent, le couplage entre eux
augmente et les niveaux d'nergie se
dcomposent. Le problme est
Etat quantique 1s
analogue celui du couplage d'une
srie d'oscillateurs lectriques ou Bandes permises
mcaniques
. Priode du rseau

2-3) Conducteurs et isolants 0 K

Dans un solide 0 K, toutes les bandes d'nergie les plus basses sont remplies, sauf la dernire qui peut
tre partiellement remplie ou compltement remplie.

Lorsque cette bande est partiellement remplie, on a affaire un conducteur car si on applique un champ
lectrique, les lectrons qui ont l'nergie la plus leve peuvent acqurir une nergie supplmentaire en
occupant des niveaux d'nergie trs voisins disponibles.

Lorsque cette bande est remplie, on a affaire un isolant 0 K car l'application d'un champ lectrique ne
peut fournir assez d'nergie pour lui faire franchir la bande interdite afin d'atteindre les premiers niveaux
disponibles : les lectrons ne peuvent acqurir un mouvement collectif correspondant au passage du courant.
Dans ce cas, la dernire bande permise occupe est appele bande de valence.

Bande de conduction

Eg Bande interdite

Bande de valence

Conducteur Isolant
Structure de bande dun conducteur et dun isolant 0K

3 - Effet de la temprature - Statistique de Fermi-Dirac

3-1) Isolants et semiconducteurs

Considrons un cristal ayant une bande de valence pleine et une bande de conduction vide 0 K.
Elevons ce cristal la temprature ambiante (300 K). Soit Eg l'cart d'nergie entre la bande de valence et la
bande de conduction :

a) Si Eg >> kT, le cristal est isolant, pratiquement aucun lectron ne peut migrer sous l'effet de l'agitation
thermique de la bande de valence la bande de conduction.

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 b) Si Eg est du mme ordre de grandeur que kT, le cristal est un semiconducteur intrinsque. Sous
l'action de l'agitation thermique, des lectrons migrent dans la bande de conduction et il se forme des trous
dans la bande de valence.
Reprsentation schmatique dun
cristal semi-conducteur intrinsque
a) 0K
b) la temprature ambiante

Sous l'action d'un champ lectrique, les lectrons situs dans le bas de la bande de conduction et les trous
situs dans le haut de la bande de valence peuvent acqurir un mouvement collectif : le solide devient
conducteur.
3-2) Statistique de Fermi-Dirac
Le nombre d'tats occups dans l'inervalle {E, E + dE} est
dn = f(E).g(E).dE
o g(E) est la densit d'tats disponibles et f(E) est la fonction de Fermi-Dirac qui rgit la probabilit
d'occupation des niveaux
1
f(E) =
1 + e( E - Ef)/kT

Ef est appel niveau de Fermi et dpend de la nature et de la temprature du solide et ventuellement des
impurets de dopage.

Structure de bande dun semi-conducteur intrinsque

4 - Conduction par lectrons et par trous

Dans les semi-conducteurs, il existe deux types de conduction: la conduction par lectrons et la
conduction par trous. Dans un cristal semi-conducteur intrinsque, certaines liaisons entre atomes se cassent.
L'lectron est alors libre de se dplacer dans le cristal. Sur l'emplacement de la liaison rompue on dit qu'il y a
un trou. Pour chaque liaison rompue, il y a formation d'une paire lectron-trou. Sous l'effet du champ
lectrique les lectrons (charge -e) se dplacent dans le sens inverse du champ, les trous (charge +e) se
dplacent dans le sens du champ.

5 - Diffrents types de semiconducteurs

5-1) Semiconducteurs intrinsques

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 Ce sont des semi-conducteurs trs purs et trs bien cristalliss (prsentant un rseau cristallin
parfaitement priodique) et ayant un taux d'impurets trs faible ( moins de 1 atome d'impuret pour 1013
atomes de l'lment semi-conducteur). Ils se comportent comme des isolants trs basse temprature et leur
conductivit augmente avec la temprature.
5-2) Semiconducteurs extrinsques
Lorsqu'on dope un semi-conducteur avec des atomes d'impurets convenablement choisies, on modifie
de faon remarquable les proprits de conductivit. Si par exemple on ajoute dans un cristal de silicium 1
atome de bore pour 105 atomes de silicium, on multiplie sa conductivit par 1000.
type n
Les atomes de silicium ou de germanium cristallisent dans une structure o chaque atome est reli 4
atomes voisins par des liaisons covalentes impliquant 2 lectrons pour chaque liaison. Si on introduit un atome
ayant 5 lectrons de valence (phosphore, arsenic ou antimoine), cet atome prend la place d'un atome du
cristal : 4 des lectrons de l'impuret participeront aux 4 liaisons avec les 4 atomes voisins du cristal, le 5me
lectron restera clibataire. A cet atome d'impuret est associ un niveau d'nergie appel niveau donneur
qui se situe juste en dessous de la bande de conduction. L'cart entre ce niveau et la bande de conduction
tant faible, un lectron d'un niveau donneur peut facilement passer dans la bande de conduction sous l'action
de l'agitation thermique et augmenter la conductivit lectrique. A temprature ambiante, presque toutes les
impurets sont ionises et la conductivit devient une conductivit de type n lorsqu'on augmente le dopage.
type p
Si on introduit un atome d'impuret trivalent (bore, aluminium ou gallium), cet atome en se plaant dans le
rseau ne peut saturer que 3 liaisons sur 4. Il manque donc une liaison par atome d'impuret auquel
correspond un niveau d'nergie situ juste au dessus de la bande de valence. Ce niveau est appel niveau
accepteur. Au zro absolu, ces niveaux accepteurs sont vides ; lorsqu'on augmente la temprature, ils
peuvent tre occups par des lectrons provenant de la bande de valence. Les niveaux libres de cette
dernire engendrent des trous et la conductivit devient de type p lorsqu'on augmente le dopage.

Bande de conduction
Ed
niveau donneur Eg niveau accepteur
Ea
Bande de valence
t ype n t ype p
silicium dop au phosphore silicium dop au galium
Situation des 2 types de semi-conducteurs au zro absolu

6 - Interaction entre lumire et semiconducteur

Les proprits optiques des semi-conducteurs font intervenir non seulement la rpartition des tats
d'nergie (niveaux discrets ou bandes) permis pour les lectrons, mais galement les divers processus par
lesquels les lectrons peuvent changer de niveaux d'nergie. On distingue des transitions radiatives dans
lesquels l'nergie gagne (ou perdue) par un lectron est amene (ou emporte) sous forme de rayonnement
donnant lieu a une absorption (ou mission) de photon, et des transitions non radiatives dans lesquels l'nergie
est change avec le rseau cristallin sous forme de phonons (quantum de vibration du rseau), ou avec
d'autres porteurs libres.

La cration d'une paire lectron-trou dans un semi-conducteur peut tre obtenue en clairant le matriau
avec une lumire de longueur d'onde suffisamment courte. L'nergie des photons doit tre h
> Eg

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 hC
D'o < E
g
Les semi-conducteurs utiliss pour l'lectronique des circuits sont le germanium et le silicium dont les
bandes interdites ont pour largeur respective 0,7 et 1,1 eV. Ils sont trs utiliss pour faire des dtecteurs mais
on ne sait pas en faire des metteurs bon rendement (qui de toute manire mettent dans l'infrarouge).

L'adjonction d'aluminium ou de phosphore dans les drivs de l'arsniure de galium (AsGa), permet
d'augmenter la largeur de la bande interdite et de faire des metteurs dans le visible.
On appelle lectroluminescence les procds qui permettent d'obtenir l'excitation du semi-conducteur
directement partir d'un signal lectrique, par exemple en injectant directement des porteurs minoritaires au
moyen d'une jonction PN polarise dans le sens direct.
Les photo-dtecteurs semi-conducteurs sont principalement les photoconducteurs qui exploitent
l'augmentation de conductivit lectrique sous clairement et les photodiodes jonction PN fonctionnant soit
en photopile sans adjonction de polarisation externe, soit en photodiode polarise en inverse, la mesure du
courant de saturation permettant une mesure de l'clairement. Les capteurs thermiques, quant eux, sont
bass sur la transformation du rayonnement reu en chaleur dans un corps absorbant, cette chaleur tant
transfre un dispositif dou de proprits thermolectriques (thermopiles par exemple).
La sensibilit d'un photo-dtecteur s'exprime en diverses units selon le phnomne utilis. Pour une
photodiode polarise en inverse, la sensibilit s'exprime en ampres par unit d'entre ; pour les dtecteurs
photovoltaques ou les photopiles, elle est exprime en volt par unit d'entre. L'unit d'entre peut tre une
unit d'nergie ou une unit de flux (W, W.m-2, lx).
La sensibilit des photo-dtecteurs dpend gnralement de la longueur d'onde, sauf pour les capteurs
thermiques qui ont une courbe de rponse relativement plate. Comme l'mission des sources utilises pour
clairer les photo-dtecteurs dpend aussi de la longueur d'onde, la mesure de la sensibilit implique la plupart
du temps une double srie de mesures.
Un paramtre de transfert intressant est le rendement quantique qui a l'avantage de ne pas dpendre en
gnral de la gomtrie d'un dtecteur. Il s'exprime en lectrons traversant le circuit de mesure par photon
incident sur la surface sensible.

Bibliographie
Kittel Introduction la physique du solide
Lyon-Caen Diodes et transistors en commutation
Goudet-Reuleau Les semi-conducteurs
Vapaille Les semi-conducteurs
Kirev Les semi-conducteurs
Guillein Electronique tome 2

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