GELE5223 Chapitre 7 :

Circuits intégrés

Gabriel Cormier, Ph.D., ing.

Université de Moncton

Automne 2010

Gabriel Cormier (UdeM) GELE5223 Chapitre 7 Automne 2010 1 / 41

 Introduction

Contenu

Contenu
Circuits intégrés hyperfréquences
Éléments de circuit : inductances, capacitances, résistances.
Transistors (MESFET)

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 Introduction

Circuit intégré hyperfréquences

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 Introduction

Éléments passifs

Ligne de transmission : ligne microruban et coplanaire

Inductance : Boucle ou spirale
Capacitance : interdigital ou MIM (Metal-Insulator-Metal)
Résistance : GaAs ou métal

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 Introduction

Éléments passifs

Tous les éléments passifs ont des impédances parasites. Ce sont des
résistances, capacitances ou inductances non désirées qui affectent la
performance des éléments.
On verra les circuits équivalents des éléments passifs, et comment
approximer la valeur des parasites.

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 Ligne microruban

Ligne microruban (microstrip)

y On peut approximer l’inductance et

la capacitance de la ligne par :

h Z0 √
L= e [H/m]
√c
r w e
x C= [F/m]
cZ0

GND
z
Ceci permet aussi d’approximer l’inductance et la capacitance parasites de
d’autres éléments dont la forme est simple.

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 Ligne microruban

Ligne microruban : limites

Il y a 2 limites d’utilisation : largeur maximale de la ligne et épaisseur

maximale du substrat.
Selon l’épaisseur du substrat, il y a couplage avec un mode TM
(mode de surface) si la fréquence est trop élevée :
r
c 2
fs = tan−1 (r )
2πh r − 1
Selon la largeur du conducteur, il y a couplage avec un mode TE
(mode transversal) si la fréquence est trop élevée :
c 1
ft = √
2 r (w + 0.4h)

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 Inductance

Inductance à boucle

w L’inductance est (approximativement) :

a
ln 8πa


w −2
L = 12.57a [nH]
1 + 5.2a
où a est le rayon moyen (en cm) et w est
la largeur du conducteur (en cm).

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 Inductance

Inductance à boucle : circuit équivalent

L La capacitance parasite est :

C = πaC

C C La fréquence de résonance est :

1
fres = √
2π 0.5LC

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 Inductance

Inductance à boucle : exemple

Soit une inductance à boucle où a = 200µm et w = 10µm. Calculer

l’inductance et la fréquence de résonance, si le substrat a 100µm
d’épaisseur, en GaAs.

8πa


ln −2 w C = πaC = 59.66 fF
L = 12.57a = 0.96 nH
1 + 5.2a 1
r + 1 r − 1 1 fres = √ = 29.74 GHz
e = + p = 7.49 2π 0.5LC
2 2 1 + 12h/w
 
60 8h w
Z0 = √ ln + = 96.07Ω
e w 4h
√
e
C= = 94.96 pF/m
cZ0

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 Inductance

Inductance à boucle : exemple

j1

j0.5 j2

j0.2 j5

1 GHz 30 GHz

0
0.2 0.5 1 2 5

−j0.2 −j5
40 GHz

−j0.5 −j2

−j1

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 Inductance

Inductance spirale

Quelques paramètres :
N est le nombre de tours
p = s + w (en µm)
S est donné par :
Si
S = Si + N (s + w)
s
w

L’inductance est (approximativement) :

"   #
8N 2 S 1 Np 2
   
S Np
L= ln + 0.726 + 0.178 + [nH]
10000 Np S 8 S

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 Inductance

Inductance spirale : circuit équivalent

Cp La capacitance parasite est :

C = 4SC 0

Rs Ls où C 0 est la capacitance par unité calculée

si le conducteur a une largeur de N (s + w).

La fréquence de résonance est :

C C
1
fres = p
2π L(Cp + 0.5Ca )
La capacitance parallèle est :
 w  w 2 
Cp = e (4S + p) 13.1654 + 6.2438 − 0.3188 [fF]
s s

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 Condensateurs

Condensateurs

Deux types de condensateurs :

Interdigital : utilisé pour des faibles valeurs ayant une grande
précision. On s’en sert pour C < 1pF.
MIM : Metal-Insulator-Metal, plus grande valeur, mais moins précis
lors de la fabrication. Peut être utilisé jusqu’à 10pF environ. La
tolérance est typiquement ±5%.

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 Condensateurs

Condensateur interdigital

La capacitance est (approximativement) :

w

s e × 10−3 K(k)
C= (n − 1)l [pF]
l 18π K(k 0 )

où  
2 wπ
k = tan
4(w + s)
et n est le nombre de doigts.

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 Condensateurs

Condensateur interdigital : circuit équivalent

R C La capacitance parasite est :

L
√ 
e w
Ca = 0.00111 − 0.034 l [pF]
Ca Ca Z0 h

L est calculé en supposant que le

condensateur est un conducteur de
La fréquence de résonance est : largeur n(s + w).
s   R est :
1 1 2 1 4 Rs l
fres = − R=
2π L Ca C 3 nw

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 Condensateurs

Condensateur MIM

La capacitance est :
l
r 0 wl
C=
w d

Le circuit équivalent est le même que

le condensateur interdigital. Il faut
d juste calculer R selon :
Diélectrique
(Si3 N4 )
Rs l
R=
w

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 Résistances

Résistances

Il y a 2 méthodes principales pour fabriquer des résistances :

Dans le substrat : on dope une partie du substrat en GaAs pour en
faire une résistance.
Nichrome (NiCr) : on utilise un métal pour produire la résistance.
Donne une plus petite résistance que celle au GaAs, mais est plus
stable à long terme.

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 Résistances

Résistances

La résistance est :
ρl 2ρc
R= +
wt w
où t est l’épaisseur du métal, et ρc est la
w l résistivité du contact entre la résistance et
le conducteur.

Les résistances ont généralement une

épaisseur fixe. On combine le rapport
ρ/t = R
Contact
l 2ρc
R = R +
w w

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 Résistances

Résistances

Propriété GaAs NiCr

Résistivité (R ) 300 − 400Ω/ 10 − 100Ω/
Précision ±5% ±10%
Stabilité Faible Bonne

Tension maximale : à cause d’effets non-linéaires, la tension est limitée à

75mV/µm de longueur sur des résistances GaAs.

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 Diode Schottky

Diode Schottky

Créée par une barrière métal-semiconducteur. Le semiconducteur est

dopé n.
Le comportement est semblable à une diode normale (jonction pn).
La diode Schottky est beaucoup plus rapide que la diode pn.
Sur du silicium, la tension seuil est de 0.3 à 0.5V. Sur du GaAs, c’est
environ 0.7V.

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 Diode Schottky

Diode Schottky

Le courant est :
 v 
ID = I0 e nvT − 1

où I0 est le courant de saturation, n est

l’exponentiel de la courbe caractéristique
(n = 1 − 1.2), et vT est la tension
thermique, 25mV à 290K.

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 MESFET

MESFET

Le MESFET est le transistor le plus utilisé dans les circuits intégrés

hyperfréquences.
Le fonctionnement est similaire à celui du MOSFET ; la différence
principale est le mécanisme qui cause la saturation. La saturation de
vitesse des électrons est le phénomène principal de saturation.
Il n’existe que des transistors de type n.

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 MESFET

MESFET

La structure de base du MESFET est très semblable à celle du MOSFET.

G
S D

métal
n
n+ n+

Substrat GaAs

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 MESFET

MESFET

La jonction métal-semiconducteur à la grille crée une zone appauvrie. Avec

VDS > 0, un courant circule.

G
S D

métal
n
n+ n+

Substrat GaAs

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 MESFET

MESFET

Pour bloquer le courant, il faut appliquer VGS < 0, afin d’augmenter la

hauteur de la zone appauvrie.

G
S D
VGS < 0

métal
n
n+ n+

Substrat GaAs

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 MESFET

MESFET

Avec 0 < VDS < 0.4V environ, un courant circule de façon linéaire. Si
VDS > 0.4V, les électrons atteignent leur vitesse de saturation.

G
S D

métal
n
n+ n+

Substrat GaAs

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 MESFET

MESFET

Parce que le drain est plus positif que la source, la zone appauvrie est plus
large du côté du drain.

G
S D

métal
n
n+ n+

Substrat GaAs

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 MESFET

MESFET

On peut maintenant définir les termes qui vont définir les équations de
fonctionnement du MESFET. Il y a aussi Wg , la largeur de la grille.

G
S D
Lg
X
métal

h d
n+ n+

Substrat GaAs

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 MESFET

Circuit équivalent
Lg Rg Cgd Rd
G D
+
Cgs v
−
gm0 v g0 C0

Ri

Rs

Ls

S
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 MESFET

MESFET : équations

d : épaisseur de la zone appauvrie Cgc : capacitance grille-canal

  12 WG LG

X 2d

2(VB0 − VGS ) Cgc = 1+ −
d= d 2LG LG + 2X
dN

X : longueur de la zone d’extension Cgd : capacitance grille-drain

  21 2WG
2 Cgd =
X= (VB0 + VDG ) 1 + 2X/LG
qN (VB0 − VGS )
Ri : résistance intrinsèque
gm0 : transconductance
νsat LG
νsat WG Ri =
gm0 = µm ICH
d
La tension VB0 représente la chute de tension due à la zone d (0.8V).

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 MESFET

MESFET : équations

Courant dans le canal :

ICH ≈ ID = qN νsat (h − d)WG

Les résistances RS , RD et RG sont typiquement de l’ordre de 2 à 3Ω.

Ces équations ne sont valides que pour un transistor en saturation.

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 MESFET

MESFET : courbe I-V typique

MESFET sur GaAs, 4×20µm

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 MESFET

MESFET : figure de bruit

La figure minimale de bruit est obtenu selon :

 1
Cgc RS + RG 2
Fmin = 1 + 2ω
gm0 Ri

Cette équation varie selon le courant de polarisation, puisque Ri

dépend de ICH .

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 MESFET

MESFET

La fréquence de transition est :

gm0
fT =
2π(Cgc + Cgd )

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 MESFET

MESFET : topologie

Un MESFET a typiquement plus d’une grille, source et drain.

Si la grille est trop longue, il existe un délai entre le début de la grille
et la fin de la grille.
Topologie standard :

Drain

Grille
WG LG
Source

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 MESFET

MESFET : topologie

FET à 4 doigts : réduit la résistance et le délai.

Source

Grille Drain

Source

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 MESFET

MESFET : topologie

Un FET avec m doigts de longueur WG0 se comporte de la même

façon qu’un FET ayant un seul doigt de longueur mWG0 .
La résistance de grille est :
ρWG
Rg =
3m2 tLg

où ρ est la conductivité du métal de la grille, et t est l’épaisseur de la

grille (typiquement 1.5µm).
La résistance de grille à DC est 3 fois plus élevée que la résistance
donnée ci-haut.

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 MESFET

Processus de fabrication : limites

Chaque manufacturier de circuits intégrés a ses propres limites de

fabrication.
Il peut y avoir une grande différence entre les paramètres des
différents manufacturiers.
De plus, lors de la fabrication, certains paramètres peuvent varier.
Ex : 10% de variation sur la valeur d’un condensateur.
Plus un procédé est précis, plus il est dispendieux.

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 MESFET

Processus de fabrication

Élément Limite Limite de dimension Valeur de design

Résistance GaAs 75mV/µm de longueur L > 3µm, W > 4µm 250Ω/
Résistance NiCr 0.2mA/µm de largeur L > 6µm, W > 5µm 40Ω/
Capacitance MIM 15V 10µm × 10µm (min) 400pF/mm2
SiN
Capacitance MIM 15V 10µm × 10µm (min) 50pF/mm2
SiN+SiO2
Inductance spirale 6mA/µm de largeur 5µm < w < 15µm
3mA/µm pour métal2 5µm < s < 15µm
Ligne de transmis- 6mA/µm de largeur w > 3µm 0.03Ω/
sion
FET 0 < Vds < 5V m < 10,
−1.2 < Vgs < 0.6V 10µm < Wu < 50µm

Exemple de procédé de fabrication.

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 Conclusion

Conclusion

Les points clés de ce chapitre sont :

Calcul des éléments passifs : résistances, inductances, capacitances.
Calcul des parasites.
Principes de base du fonctionnement des MESFET.

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