Les transistors bipolaires

Le transistor bipolaire est un composant électronique utilisé comme :

interrupteur commandé, amplificateur, stabilisateur de tension,
modulateur de signal …

Transistor à
jonction 1948

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Les transistors bipolaires
 Histoire du transistor
 1947 : John BARDEEN et Walter BRATTAIN inventent le
transistor à contact (transistor) au laboratoire de physique de la
société BELL (USA). Cette découverte est annoncée en juillet 1948.
 Transistron 1948 : Herbert MATARE et Heinrich WELKER
inventent (indépendamment de BELL) aussi le transistor à contact
en juin 1948 (en France). Ce transistor sera appelé le Transistron
pour le distinguer de celui de BELL.
 Transistor à contact 1948 : en janvier William SHOCKLEY invente
le transistor à jonction (bipolaire) mais la technique de fabrication
ne sera maitrisée qu’en 1951

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 Les transistors bipolaires
 Le transistor bipolaire est créé en juxtaposant trois couches de
semiconducteur: - dopés N, P puis N pour le transistor NPN (courant dû à
un flux d’électrons)
- dopés P, N puis P pour le transistor PNP (courant dû à un flux de trous). Le
niveau de dopage décroit d’un bout à l’autre de la structure.
 Un faible courant de base, IB, permet de commander un courant de
collecteur, IC, bien plus important.
 Présentation :Symboles, tensions et courants

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Les transistors bipolaires
L'émetteur est repéré par la flèche qui symbolise le sens
réel du courant .
Loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire :
IE = I C + I B

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Fonctionnement d’un transistor
Modes de polarisation du transistor bipolaire
La structure du transistor en deux jonctions successives
conduit à quatre types de polarisation :
 Jonction émetteur-base en direct, jonction collecteur-
base en inverse : mode de fonctionnement dit normal
 Jonction émetteur-base en inverse, jonction collecteur-
base en direct : mode de fonctionnement dit inversé
 Jonction émetteur-base et collecteur-base en inverse :
mode de fonctionnement bloqué
 Jonctions émetteur-base et collecteur-base en direct :
mode de fonctionnement saturé

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 Fonctionnement d’un transistor
 Le transistor NPN polarisé
Remarques : La base est faiblement dopée La base est très fine
0 < V1 < Vseuil de la jonction PN La jonction BE est polarisée
en directe mais n'est pas passante ⇒ IB = 0 .
Il faut V2 > V1 pour polariser correctement
le transistor.
⇒ la jonction BC est polarisée en
inverse, ⇒ IC = courant inverse = ICEo ≈ 0.

V1 V2

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 Fonctionnement d’un transistor

L’effet transistor
 La jonction émetteur-base est polarisée en direct : il y a donc
diffusion d’électrons majoritaires de l’émetteur vers la base
et diffusion de trous majoritaires de la base vers l’émetteur.
 Les électrons de l’émetteur arrivant dans la base y deviennent
porteurs minoritaires. Certains d’entre eux vont se combiner aux
trous majoritaires de la base. Ceux qui échappent aux
recombinaisons, arrivant au voisinage de la jonction
collecteur-base, sont accélérés par le champ interne et
propulsés dans le collecteur.
 Pour qu’un nombre maximal d’électrons émis par l’émetteur soit
collecté par le collecteur, il faut et il suffit que le nombre de
recombinaisons soit le plus faible possible.

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Fonctionnement d’un transistor
 Cette condition sera remplie si :
La base est très mince et la surface de jonction collecteur-
base importante (l’électron arrivera très vite à proximité
de la jonction collecteur-base)
La base est très faiblement dopée et l’émetteur fortement
dopé (les électrons émis en grand nombre auront peu de
chances de rencontrer un trou de la base).
Ces particularités de structures étant réalisées, le pourcentage de
recombinaisons est très faible et l’ensemble des électrons
émis est collecté presque intégralement .Ce phénomène,
appelé effet transistor peut être résumé par le schéma ci-
dessous :

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Fonctionnement d’un transistor

L’effet transistor
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 Fonctionnement d’un transistor
Ces relations constituent les relations fondamentales qui traduisent
l'effet transistor. Elles expriment la proportionnalité entre les courants
Ic et IE ainsi que la possibilité de contrôler le courant Ic à l'aide de la
quantité d'électrons injectés dans la base.

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Caractéristiques électriques d’un transistor .
Nous allons étudier les caractéristiques des transistors NPN. Celles des
transistors PNP sont les mêmes . Les transistors NPN sont plus répandus
car ils ont de meilleures performances que les PNP (la conductibilité du
silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en
tension).
Montages de base
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte
commune à l'entrée et à la sortie du montage, il y a 3 manières
fondamentales de procéder : - la patte commune est l'émetteur : on parle
de montage émetteur commun . L'entrée est la base et la sortie le
collecteur. La patte commune est la base : on parle de montage base
commune . L'entrée est l'émetteur et la sortie le collecteur. La patte
commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun .
L'entrée est la base et la sortie l'émetteur.

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Réseau de caractéristiques (montage émetteur
commun)
 Schéma de mesure des caractéristiques

IC

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Réseau de caractéristiques (montage émetteur
commun)
 Caractéristique d'entrée.
 La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la
relation IB = f (VBE) à VCE = cte. En fait, le circuit d'entrée est
la jonction base émetteur du transistor, soit une diode à
jonction .
 Cette caractéristique va dépendre très peu de la tension
collecteur émetteur : On la donne en général pour une seule
valeur de VCE. La courbe est la suivante :

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Réseau de caractéristiques (montage émetteur
commun)
 Caractéristique de sortie.
 La caractéristique de sortie du transistor est définie par la
relation IC = f (VCE) à IB = cte. En pratique, on donne un
réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs de IB.

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Réseau de caractéristiques (montage émetteur
commun)
Caractéristique de transfert.
 La caractéristique de transfert est définie par la relation IC = f (IB) à VCE
= cte.
 La caractéristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un
générateur de courant commandé par un courant. Si on considère le
courant de fuite ICEO, la caractéristique ne passe pas par l'origine, car IC
= ICEO pour IB = 0.
 Le gain β du transistor va varier grandement
en fonction du type de transistor :
5 à 10 pour des transistors de grosse puissance,
30 à 80 pour des transistors
de moyenne puissance,
et de 100 à 500 pour des transistors de signal

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Réseau de caractéristiques (montage émetteur
commun)

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 Limites d'utilisation d’un transistor bipolaire

 Le transistor pourra fonctionner sans être détérioré à l'intérieur d'un

domaine d'utilisation bien déterminé. Ce domaine sera limité par trois
paramètres :
 - le courant collecteur maxi ICMax. Le dépassement n'est pas
immédiatement destructif, mais le gain en courant va chuter fortement,
ce qui rend le transistor peu intéressant dans cette zone.
 - la tension de claquage VCEMax : au delà de cette tension, le courant de
collecteur croît très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du
transistor.
 - la puissance maximale que peut supporter le transistor, et qui va être
représentée par une hyperbole sur le graphique, car on a la relation :
PTMAX=VCE*IC ⟾ IC=PTMAX/VCE
 Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du transistor est
donc interdite

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