TH3756

Intitulé
Modélisation et caractérisation électrique des

semiconducteurs organiques
A.Khelil Professeur (université d’Oran) Président
K.Benchouk Professeur (université d’Oran) Rapporteur
B.Kouskoussa Maitre des conférences A (université d’Oran) Co-Rapporteur
K.Driss Khodja Professeur (université d’Oran) Examinateur
T.Abachi Maitre des conférences A (L'ENS Kouba ALger) Examinateur

DEDICACE
Dédicace
Je dédie ce modeste travail

A mes très chers parents,
A Mes frères
A toute ma famille.
A tous mes collègues des études et mes amis partout.
A tous ceux qui ont sacrifié leur temps pour la science
et à tous ceux qui utilisent la science pour le bien et la
prospérité de l’humanité.
REMERCIMENT
Remerciement
Tout d’abord, merci pour le grand dieu qui ma donné le courage, la

volonté, et la patience de mener à terme ce présent travail.
Ce travail a été réalisé au sein du laboratoire de physique des couches

minces et matériaux pour électronique LPCM2E, département de physique, de
la faculté des sciences, de l’université d’Oran Es-Sénia.
Je tiens tout d’abord à remercier vivement monsieur K.Benchouk le

directeur de mon travail, pour avoir dirigé l’ensemble de mon travail, pour aide,
et conseils avisés, et la motivation qu’il a su m’insuffler tout au long de la
réalisation de la thèse.
Je remercie également mon Co-encadreur monsieur B.Kouskoussa,

auquel j’exprime ma gratitude pour son encouragement et ses conseils précieux.
Je remercie très sincèrement monsieur A.Khelil professeur à l’université

d’Oran Es-Sénia, pour m’avoir fait l’honneur d’accepter de présider le jury de
ce mémoire.
Mes remerciements les plus sincères sont également adressés à Monsieur

T.Abachi maitre de conférences A à L'ENS Kouba Alger, Monsieur K.Driss
Khodja professeur à l’université d’Oran pour avoir accepter de jugery mon
travail.
Je remercie également tous mes camarades et mes amis et tous ceux qui
ont contribué de prés ou de loin à la réalisation de ce travail, en particulier
Kadda et Atika, pour leur aide.
LISTE DES FIGURES
LISTE DES FIGURES
Figure I.1: Formation des orbitales moléculairesб et π. (à droite) par hybridation des
orbitales atomiques de deux atomes de carbone (à gauche).
Figure I.2: Formes résonnantes d’un système conjugué
Figure I.3: Diagramme de l’orbital moléculaire π. Evolution du diagramme des bandes en

fonction de la longueur de chaine.
Figure I.4: χ l’affinité

Schéma de bande d’énergie d’un semiconducteur organique avec
électronique, ф le travail de sortie et I p le potentiel d’ionisation.
Figure I.5: Analogie Inorganique/Organique.
Figure I.6: Distribution spectrale du spectre solaire.
Figure I.7: Principe de fonctionnement d’une cellule solaire.
Figure I.8: Cellule solaire à base de Si monocristallin.
Figure I.9: Cellule solaire à base de Si polycristallin.
Figure I.10: Cellule solaire à base de Si amorphe (a-Si)
Figure I.11: Absorption de la lumière et création d’excitons.
Figure I.12: Diffusion des excitons à l’interface donneur-accepteur.
Figure I.13: Transfert de charge à l’interface donneur-accepteur(gauche) et condition de

dissociation des excitons : E ex > I PD – A.
Figure I.14: Transport de charge dans les couches actives.
Figure I.15: Collection des charges aux électrodes.
Figure I.16: Structure d’une cellule de type Schottky (à gauche). Représentation des
niveaux d’énergie d’un contact ITO/organique/Al (à droite).
Figure I.17: Structure d’une cellule hétérojonction (à gauche). Représentation des niveaux
d’énergie d’un contact ITO/Donneur/Al (à droite)
Figure I.18: Structure d’une cellule solaire organique à hétérojonction en volume.

LISTE DES FIGURES
Figure I.19: caractéristique d’une cellule photovoltaïque organique dans le noir (a) et sous
illumination (b)
Figure II.1: L’ensemble d’évaporation sous vide
Figure II.2: Principe d’une installation de dépôt par pulvérisation.
Figure II.3: Schéma illustratif du dépôt par spin coating.
Figure II.4: Etapes de la technique spin coating.
Figure II.5: Schéma de diffraction de Bragg.
Figure II.6: Photo d’un diffractogramme.
Figure II.7: Photo de La microscopie électronique à balayage (MEB).
Figure II.8 : Principe du microscope électronique à balayage.
Figure II.9: Représentation schématique de l'interaction entre un faisceau d'électrons et la

surface d'un échantillon.
Figure II.10: Représentation schématique des profondeurs de pénétration pour les différents
modes de formation d’images (poire de diffusion).
Figure II.11: Principe de l’ellipsométrie.
Figure II.12: Schéma de principe d’un ellipsométrie.
Figure II.13: Ellipsomètre dans un laboratoire du LAAS à Toulouse.
Figure II.14: Représentation schématique de l’effet Hall dans un barreau semiconducteur.
Figure II.15: Echantillon en forme de disque plat dont les quatre contacts sont disposés de
manière symétrique et orthogonale.
Figure II.16: schéma simplifié de la caractéristique I-V
Figure. II.17: Simulateur solaire
Figure II.18: schéma simplifié de la caractéristique C-V
Figure III.1 :Schéma électrique d’une diode réelle.

LISTE DES FIGURES
Figure III.2 : Circuit électrique d’une jonction PN idéale sous illumination (a) connecté à une
résistance de charge et (b) son circuit équivalent
Figure III.3 : cas d’une jonction PN avec une résistance série (a), et résistance shunt et série
Figure III.4 : caractéristique I-V sous éclairement
Figure III.5: Schéma équivalent d’une modèle à une diode réelle sous éclairement.
Figure III.6: cellule solaire organique de type (TCO/Au/CuPc/C60/Alq3).
Figure III.7: Caractéristique I-V de la cellule solaire organique de type

(TCO/Au/CuPc/C60/Alq3)
Figure III.8: l’influence de facteur d’idéalité n sur la caractéristique I(V)
Figure III.9: la variation de courant I en fonction de facteur d’idéalité n
Figure III.10: l’influence de résistance série R s sur la caractéristique I(V)
Figure III.11: la variation de courant I en fonction de résistance série Rs
Figure III.12: l’influence de résistance parallèle R sh sur la caractéristique I(V)
Figure III.13: la variation de courant I en fonction de résistance parallèle R sh
Figure III.14: l’influence courant de saturation I s sur la caractéristique I(V)
Figure III.15: la variation de courant I en fonction de courant de saturation Is
Figure III.16: l’influence de photocourant Iph sur la caractéristique I(V).
Figure III.17: la variation de courant I en fonction de photocourant Iph .
Figure III.18: Résultat de simulation de modèle à une diode
Figure III.19: Schéma équivalent de Modèle à deux diodes.
Figure III.20: Les effets de facteurs d’idéalité sur la caractéristique I-V (n 1 =1, n2 = 1.9).
Figure III.22: Les effets de facteurs d’idéalité sur la caractéristique I-V (n 1 =1.4, n2 = 1).
Figure III.24: l’influence de résistance série R s sur la caractéristique I(V) de modèle à deux
diodes.
LISTE DES FIGURES
Figure III.25: résultat de simulation de modèle à deux diodes.
Figure III.26: Comparaison entre deux modèles a gauche (modèle deux diodes) a droite
modèle à une diode.
SOMMAIRE
Sommaire
INTRODUCTION GENERALLE 1
Chapitre I : cellules photovoltaïques organiques

I. INTRODUCTION 4
II.CONCEPTS DES SEMICONDUCTEURS ORGANIQUES 4
II.1.Historique 4
II.2.Molécule conjuguées 5
II.3. Caractère semiconducteur organique 6

II.4. Structure de bandes 6
II.5. Semiconducteur organique et inorganique 8
II.6.CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE 9
II.6.1. Principe de base de la conversion photovoltaïque 9
II.6.2. Nature de rayonnement solaire 9
II.6.3. Le spectre solaire 9
II.7. Pour quoi les semiconducteurs permettent la conversion photovoltaïque

11
II.8. CELLULES SOLAIRES INORGANIQUES 12
II.8.1. Principe de fonctionnement des cellules solaires inorganiques 12
II.8.2. Différents types des cellules solaires 13

II.8.2.1. Cellules monocristallines 14
II.8.2.2. Cellules polycristallines 14
II.8.2.3. Les cellules de silicium amorphe (a-Si) 15

II.8.3. Avantages des cellules solaires inorganiques 15
II.84. Inconvénients des cellules solaires inorganiques 16
II.9.CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES 16
SOMMAIRE
II.9.1 Historique 16
II.9.2. Principe de fonctionnement d’une cellule solaire organique 18
II.9.2.1. Absorption de la lumière 17

II.9.2.2. Diffusion des excitons 18
II.9.2.3. Séparation des charges 19
II.9.2.4. Transport des charges 20
II.9.2.5. Collection des charges 21
II.9.3. Structure des cellules photovoltaïques organiques 21
II.9.3.1. Structure monocouche 22
II.9.3.2. Structure bicouches 22
II.9.3.3. Structure hétérojonction en volume 24
II.9.4. Paramètres électriques des cellules solaires organiques 24
II.9.4.1.Courant de court-circuit I sc 25
II.9.4.2. Tension de circuit ouvert V oc 25
II.9.4.3. Facteur de forme FF 25
II.9.4.4. Rendement de conversion η 25
II.9.4.5. Rendement quantique externe 26
III. CONCLUSION 27
REFERENCE
Chapitre II : Méthode de fabrication et de caractérisation des

couches minces
I.INTRODUCTION 31
II.TECHNIQUE DE DEPOT DES COUCHES MINCES 31
II.2.1. Evaporation 32
II.2.2 Pulvérisation cathodique 33

SOMMAIRE
II.2.3 Spin coating 35
III. METHODE DE CARACTERISATION DES COUCHES MINCES 36
III.1. Caractérisation structurale et morphologique 36
III.1.1.Diffraction de rayons X (DRX) 36
III.1.2. Microscopie électronique à balayage (MEB) 39
III.2. Caractérisation optiques 42
III.2.1.Ellipsométrie 42
III.3.Caractérisation électriques 44
III.3.1 .La méthode de l’effet Hall 45
III.3.2. La méthode de Van Der Paw 47
III.3 3. Mesure de la caractéristique I-V 48
III.4. Mesure de la caractéristique capacité –tension C-V 52
IV.CONCLUSION 52
REFERENCE
Chapitre III : Modélisation électrique des cellules solaires

organiques
I.INTRODUCTION 55
II.MECANISME DE TRANSPORT 55
II.1. Cas de diode à l’obscurité 55
II.1.1. Mécanisme de diffusion diode idéale 55
II.1.2.Déviation du cas idéal 58
II.1.3. Courant de recombinaison 59
II.1.4. Effet tunnel bande à bande 60
II.1.5. Effet tunnel assisté par centre pièges 61

SOMMAIRE
II.2. Cas de la diode sous éclairement 63
II.2.1. Mécanisme de diffusion - diode idéale 63
II.2.2. Caractéristique I-V réelle d’une cellule photovoltaïque 64
III. MODELE ET CIRCUIT EQUIVALENT D’UNE CELLULE SOLAIRE

ORGANIQUE 67
III.1. Modèle à une diode 67
III.1.1. Effets des paramètres électriques d’une cellule solaire

organique 68
III. 1.1 .1 Effet du facteur d’idéalité n 69
III.1.1 .2 Effet de La résistance série R s 71
III.1.1 .3 Effet de la résistance parallèle Rsh 72
III.1.1 .4 Effet de courant de saturation I s 74
III.1.1.5 Effet de photocourant I ph 75
IV. Résultat de simulation de modèle à une diode 76
V. Modèle a deux diodes 77
V.1. Effets de facteur d’idéalité sur le modèle deux diodes 78
V.2. Effet de La résistance série R s dans le modèle à deux diodes 80
VI. Résultat de simulation de modèle à deux diodes 81
VII. Comparaison entre le modèle une diode et le modèle deux diodes 82
VIII. CONCLUSION 83
CONCLUSION GENERALE 86
REFERENCE
INTRODUCTION GENERALE
Actuellement, 85% des besoins énergétiques sont couverts par les combustibles
fossiles (charbon 23.5%, pétrole 34.8%, et gaz 21.1%), 13.8% à partir des énergies
renouvelables et 6.8% sont d’origine nucléaire. Dans la deuxième moitié du XXI
siècle, l’approvisionnement mondial deviendra critique, en particulier en ce qui
concerne le pétrole et le gaz.
D’autre part, les ressources fossiles sont principalement responsables de la
production de CO 2 libéré dans l’atmosphère, et du changement induit sur le climat. Il
en résulte les premières mesures de limitation des émissions qui ont été prises dans le
cadre du protocole de Kyoto, et qui visent l’objectif moyen d’une réduction de 5%
entre 2008 et 2012 par rapport aux émissions de 1990. Ces limites seront difficiles à
atteindre du fait de l’accroissement de la demande énergétique, notamment des pays
en émergence comme la Chine, l’Inde ou le Brésil, dont les principales réserves sont
constituées de charbon. En effet, la consommation moyenne actuelle d’un chinois ou
d’un indien est de l’ordre de 1MWh par an, alors que celles d’un américain et d’un
européen sont de 14MWh et 6MWh par an respectivement. Le problème des modes
de production d’énergie et leur répartition équitable est donc crucial pour l’humanité.
Dans ce garde, le développement durable implique une approche qui doit viser, en
même temps à :
-Réduire la consommation énergétique
-Développer les énergies non émettrices de CO 2 (énergies renouvelables ou

nucléaires).
-Capturer et stoker le CO 2 lors de l’utilisation des énergies fossiles.
-Accroitre l’efficacité énergétique.
Dans chacun de ces domaines, la recherche a un rôle clé à jouer afin de proposer
de nouvelles solutions et d’identifier les ruptures scientifiques et les verrous
technologiques. Par conséquent, il est nécessaire de procéder avec une approche
globale fondée sur un mix énergétique afin d’établir de nouvelles technologies qui
répondent aux critères d’efficacité économique d’acceptabilité sociale et de protection
de l’environnement.
1
Avantage du photovoltaïque
- Une haute fiabilité ; les modules sont garantis pendant 25 ans par la plus part des
constructeurs.
- Elle ne comporte pas de pièces mobiles, qui la rendent particulièrement appropriées
aux régions isolées. C’est la raison de son utilisation sur les engins spatiaux.
- Le caractère modulaire des panneaux photovoltaïques permet un montage simple et
adaptable à des besoins énergétiques divers. Les systèmes peuvent être dimensionnés
pour des applications de puissance allant du milliwatt ou Méga Watt.
- Leurs coûts de fonctionnement sont très faibles vu les entretiens réduits, et ils ne
nécessitent ni combustible, ni transport, ni personnel hautement spécialisé.
Généralement la maintenance est limitée à une ou deux visites annuelles effectuée par
un professionnel.
- La technologie photovoltaïque présente des qualités sur le plan écologique, car le
produit final est non polluant, silencieux, peu de déchet, pas de ligne électrique
supplémentaire et pas de nuisance sonore olfactive.
Inconvénients du photovoltaïque
-La fabrication du module photovoltaïque relève de la haute technologie et requiert

des investissements d’un cout élevé.
-L’occupation de l’espace pour les installations de grandes dimensions.
-Le rendement réel de conversion d’un module est faible (la limite théorique pour une
cellule au silicium cristallin est de 28 %).
-Les générateurs photovoltaïques ne sont pas complétifs par rapport aux générateurs
diesel que pour des faibles demandes d’énergie en régions isolées.
-En fin, lorsque le stockage de l’énergie électrique sous forme chimique (batterie) est
nécessaire, le coût du générateur photovoltaïque est accru. La fiabilité et les
performances du système restent cependant équivalentes pour autant que la batterie et
les composants de régulations associées soient judicieusement choisis.
Cette thèse est intitulée « Modélisation et caractérisation électrique des

semiconducteurs organiques », ce travail sera composé de 3 chapitres. Le premier
chapitre est consacré aux propriétés et aux caractéristiques des semiconducteurs
organiques, en donnant un panorama sur les cellules solaires photovoltaïques, cette
partie essaie de faire le point sur le domaine du photovoltaïque organique.
2
Le deuxième chapitre se compose de deux parties. La première partie introduit les

méthodes de fabrication des couches minces, dans la deuxième partie nous décrivons
les différentes méthodes de caractérisation structurales, optiques, électriques.
Enfin dans le chapitre trois, la partie la plus importante de notre travail, on

détaillera la caractéristiques I-V des cellules solaires de type
(TCO /Au/CuPc/C 60 /Alq3), on modélisera les courants pour les différents
paramètres physiques telle que les résistances série et parallèle, le facteur
d’idéalité et les courants de saturation, par deux modèles de circuits électriques
équivalents, à une diode et à deux diodes.
Nous terminons par une conclusion qui résume le résultat de ces deux
modèles.
3
Chapitre I
Cellules Photovoltaïques
Organiques
CHAPITRE I CELLULES PHOTOVOLTAIQUES ORGANIQUES
I. INTRODUCTION
Dans la course aux énergies renouvelables les cellules solaires organiques font
actuellement l’objet d’une accélération considérable malgré que le silicium,
monocristallin, polycristallin ou amorphe, reste le matériau le plus utilisé pour la
fabrication des cellules photovoltaïques.
Les cellules solaires présentent de nombreux avantages, si aujourd’hui les

rendements obtenus avec les cellules organiques sont loin de concurrencer les cellules
solaires inorganiques, l’accélération des recherches et des innovations pourrait
rapidement rendre cette filière viable.
Dans ce chapitre d’introduction, nous détaillons les concepts des semiconducteurs

organiques, le principe de base de la conversion photovoltaïque, les différentes
cellules solaires inorganiques et organiques, les différentes structures des cellules
solaires, ainsi que les paramètres électriques.
II. Concepts des semiconducteurs organiques
II.1 : Historique
L’étude des propriétés des matériaux semiconducteurs organiques connait un

développent depuis une vingtaine d’années. On peut donner deux résonances
essentielles à cela. La première, triviale, est le nombre croissant des scientifiques
théoriciens et expérimentateurs. La deuxième est liées au fait que la chimie organique
et l’industrie de la microélectronique forment deux grands piliers de la technologie
moderne. Les matériaux organiques offrent plusieurs avantages : légèreté, flexibilité,
facilité de fabrication. En 1852 la fluorescence des matériaux organiques était révélée
par Stokes. La photoconductivité de l’anthracène solide a été découverte par
Pocchetino en 1906. De là on passe une date clé, 1963, quand Pope et al ont pu
démontrer l’électroluminescence dans des monocristaux d’anthracène [1].
L’évolution des semiconducteurs organiques est amorcée par la découverte du
polyacétylène vers la fin des années 1970 trois scientifiques (Heeger, Mac-Diarmid et
Shirakawa, prix Nobel de chimie en 2000) ont découvert qu’un polymère, le
polyacétylène, pouvait être rendu conducteur presque comme un métal, les films de
polyacétylène devenaient 109 fois plus conducteurs après une exposition à des
4
vapeurs d’iode, de chlore ou de brome qu’ils ne l’’étaient à l’origine. Cette découverte

a attiré l’intention de nombreux autres scientifiques sur le polyacétylène, puis
progressivement sur la polyaniline, le polypyrrole et le polythiophène, qui présent
l’avantage d’être chimiquement plus stable que le polyacétylène au contact de l’air.
Ils constituent aujourd’hui les polymères conducteurs les plus étudiés [2].
Les polymères conducteurs constituent un domaine de recherche et d’innovation
important au sein des nouvelles technologies. Ils sont utilisés à grande échelle dans de
nombreuses applications, peut être très variées. Pour les rendre encore plus attractifs
dans leurs domaines d’utilisation, il est nécessaire de trouver des moyens permettant
d’améliorer leurs domaines électriques à long terme. La clé de la conductivité de ces
polymères réside dans la présence de liaisons double conjuguées le long du squelette
du polymère. Toutefois, cette structure conjuguée n’est pas suffisante pour rendre un
polymère conducteur : il est aussi nécessaire d’introduire des porteurs de charge sous
la forme d’électrons ou de trous au sein du matériau. C’est ce que permet de faire le
dopage, qui consiste en une réaction d’oxydation où de réduction chimique [3].
II.2.Molécule conjuguées
Les électrons périphériques de deux atomes de carbones identiques forment des

liaisons covalentes qui s’obtiennent par superpositions des orbitales atomiques. Ces
électrons se déplacent alors sur des orbitales moléculaires communes aux deux
atomes. Les quatres électrons de valence de l’atome de carbone se répartissent entre
l’orbitale 2s et les trois orbitales 2p (px,py,pz). Une liaison б carbone-carbone nait de
la superposition d’une des trois orbitales atomiques hybrides sp2 de chaque carbone.
Quant aux orbitales p x des deux carbones, qui pointent perpendiculairement aux
autres orbitales hybrides sp, elles se chevauchent pour former une liaison π
délocalisé le long de la chaine.[4]
5
Figure I.1 : Formation des orbitales moléculaires б et π (à droite).par hybridation des

orbitales atomiques de deux atomes de carbone (à gauche) [5].
II.3. Caractère semiconducteur organique
L’énergie de séparation entre les liaisons π et π* étant plus petite que celle entre б
et б*. Notre attention sera donc portée sur l’étude des niveaux orbitales moléculaires π
et π*, dans les quelles sont distribuées énergétiquement les plus hautes orbitales
moléculaires occupées (HOMO) et les plus basses orbitales moléculaires inoccupées
(LUMO).
L’écart énergétique entre ces deux niveaux HOMO et LUMO confère le caractère
semiconducteur dans les matériaux organiques donc le caractère semiconducteur d’un
matériau organique est dû à la présence d’un système conjugué, c'est-à-dire à
l’alternance de liaisons simples et doubles [6].
Figure I.2 formes résonnantes d’un système conjugué
II.4. Structure de bandes
Dans un matériau organique chaque molécule est séparée des suivantes par un
niveau d’énergie. Ainsi, le chevauchement des niveaux d’énergie LUMO entre eux
d’une part, et les niveaux d’énergie HOMO entre eux d’autre part (figure I-3), sur
l’ensemble du squelette de la molécule laisse naitre la notion de bande. Tout se passe
6
comme si les porteurs appartenaient à une bande d’énergie et non pas à une seule
orbitale moléculaire [7].
Figure I.3 Diagramme de l’orbital moléculaire π. Evolution du diagramme des bandes en fonction
de la longueur de chaine [8].
La position par rapport au vide du niveau haut de la bande de valence (HOMO) de la

molécule correspond à l’énergie d’oxydation ou potentiel d’ionisation Ip . La position
du niveau LUMO, bas de la bande de conduction correspond à l’énergie nécessaire
pour que la molécule accepte un électron, c'est-à-dire, l’affinité électronique χ. Une
représentation simplifiée du schéma de bandes d’un semiconducteur organique est
donnée figure I-4.
Figure I-4 Schéma de bande d’énergie d’un semiconducteur organique avec χ l’affinité
électronique, ф le travail de sortie et I p le potentiel d’ionisation.
7
II.5 Semiconducteur organique et inorganique
Ainsi, une molécule organique semiconductrice possède des caractéristiques

analogues aux semiconducteurs inorganiques. Cependant ces derniers sont constitués
d’un ensemble ordonné d’atomes liés par des liaisons fortes permettant la
délocalisation des électrons ou des trous sur tout le cristal. Dans le cas des molécules
organiques, les liaisons au sein de la molécule sont fortes, mais entre les molécules,
les liaisons sont de type Van Der Waals. Le couplage qui en résulte entre orbitales de
molécules adjacentes est faible, impliquant un transport par saut entre molécule, et
donc de faibles mobilités comme observé dans les complexes moléculaires.
La figure I.5 résume l’origine de la formation des bandes électroniques dans un solide
moléculaire et un cristal inorganique. Dans le cas du semiconducteur inorganique, le
couplage entre les atomes ayant chacun des niveaux dégénérés conduit à des bandes
larges (entre5 et 10 eV) [9] dues à la délocalisation des électrons sur tout le cristal.
Dans les solides moléculaires, plus la distance intermoléculaire est grande, plus les
électrons de deux entités adjacentes interagissent faiblement et plus les bandes
HOMO et LUMO sont étroites (quelques centaines de meV).
Figure I.5 Analogie Inorganique/Organique
La physique du semiconducteur inorganique décrivant les processus de transport

de charges se base sur des théories adaptées à un solide cristallin et ne peuvent plus
s’appliquer telle qu’elle à l’électronique moléculaire [10].
8
II.6 Conversion photovoltaïque
II.6.1 Principe de base de la conversion photovoltaïque
II.6.2 Nature de rayonnement solaire
Le soleil, une immense sphère de gaz de 1,4 millions de kilomètres et une masse de
2× 1027 tonnes, se compose principalement d’hydrogène (78%), d’hélium (28%) et
2%d’autres atomes différents. Dans le centre du soleil, une sphère de 250000km de
rayon, la matière est comprimée au point de parvenir à une température de 15 millions
de degrés. Les atomes d’hydrogène entrent en collision et fusionnent pour former de
l’hélium. Au cours de cette réaction thermonucléaire, une partie de la masse du soleil
est transformée en énergie sous forme de photons et de neutrinos. Chaque seconde, le
soleil consomme 700 millions de tonnes d’hydrogène dans sa réaction de fusion
nucléaire et il produit une énorme quantité d’énergie égale à 386 milliards de
mégawatts (3,86 × 1026 W). Sous la forme de rayonnement électromagnétique, une
partie de cette énergie atteint la surface de la terre. Chaque jour, notre planète reçoit
une quantité d’énergie 15000 fois plus élevée que le besoin de toute l’humanité.
Comme les autres sources d’énergie renouvelables, l’énergie solaire est gratuite et
disponible partout sur la terre [11-12].
II.6.3 Le spectre solaire
L’énergie émise par le soleil, il est d’abord sous la forme de rayonnements

électromagnétiques dont l’ensemble forme le rayonnement solaire, qui constitue la
seule source externe notable d’énergie pour l’atmosphère. Ce rayonnement solaire se
propage à la vitesse de la lumière c, il lui faut donc, en moyenne, 499 secondes, soit 8
minutes et 19 secondes, pour atteindre notre atmosphère.
La théorie « corpusculaire » de Max Planck prévoit que tout rayonnement de
fréquence f peut être considéré comme un flux de photons dont l’énergie élémentaire
est directement proportionnelle à cette fréquence. De ce fait, ce sont les rayonnements
de courte longueur d’onde (ou de haute fréquence) qui sont les plus énergétiques. La
densité spectrale d’éclairement énergétique du rayonnement solaire hors de
l’atmosphère est représentée sur la figure I.6.
9
Figure I.6 Distribution spectrale du spectre solaire
On appelle masse d’air AMx, la perte d’énergie solaire du fait du l’absorption

atmosphérique.
La lumière peut être considérée sous forme d’ondes électromagnétiques de

longueur d’onde ou sous forme de photons, corpusculaires possédant une énergie E
liée à par la relation (I.1) :
Avec
h : Constante de Plank (J.s).

C : Vitesse de la lumière dans le vide (m.s-1)
µ : Fréquence (s-1)
λ : Longueur d’onde (m).
La notion de dualité onde ; corpuscule est importante pour comprendre les
phénomènes d’interaction entre un rayonnement et un matériau. L’absorption d’un
rayonnement dans un matériau s’explique en effet simplement par l’échange d’énergie
entre les atomes du matériau et les corpuscules de la lumière. Le coefficient
d’absorption α (en m-1) dépend de la longueur d’onde des photons incidents, ainsi que
du coefficient d’extraction k, selon la relation (I.2).
10
En général les faibles longueurs d’ondes (très énergétiques) sont donc plus
facilement absorbées. Cependant, le coefficient d’extraction d’un matériau varie
également avec la longueur d’onde, ce qui peut faire varier cette tendance. Le
phénomène d’absorption est d’écrit par la loi beer-lambert (I.3).
(I.3)
Avec
I 0 : Intensité de la lumière incidente (W).

I : Intensité de la lumière sortante (W).
x : Longueur du trajet optique (m).
Les photons les plus énergétiques sont donc absorbés en quasi-totalité à proximité
immédiate de la surface éclairée. En revanche, une partie des photons moins
énergétiques peut traverser une partie du matériau, voire sa totalité, sans être absorbé
[13].
II.7 Pour quoi les semiconducteurs permettent la conversion photovoltaïque ?
Les différentes natures des matériaux sont les métaux, les isolants et les
semiconducteurs, leurs interaction avec un rayonnement est différente pour chacun
[14].
 Pour un métal : tous les niveaux supérieurs à l’énergie de Fermi (E F ) sont

autorisés et libres à 0K. A température ambiante, la quasi-totalité de ces niveaux étant
inoccupées, toutes les longueurs d’onde peuvent donc être absorbées. Pourtant, cet
électron reviendra à son énergie initiale en un temps très bref (de 10-2 à 10-13 s),
l’énergie étant immédiatement transformée en chaleur. L’énergie apportée par le
rayonnement au métal est donc perdue sous la forme de phonons au travers d’un
processus appelé thermalisation de l’électron. Donc un métal absorbera le
rayonnement mais il ne sera pas possible d’utiliser l’énergie reçue par les électrons
autrement que sous forme thermique [14].
11
 Pour un isolant : le photon ne pourra interagir avec un électron que s’il peut
fournir à ce dernier une énergie supérieure à la largeur de la bande interdite (E g ) afin
qu’il atteigne les premiers niveaux autorisés et libres. Dans le cas d’un isolant, E g > 5-
6eV. Il faut donc que l’énergie des photons E ph soit égale au minimum 5-6eV soit
donc une longueur d’onde≤ λ250 nm. De fait, seule une infime partie du
rayonnement solaire ne peut être absorbé dans un isolant. Pour utiliser ces matériaux
pour la conversion photovoltaïque, il faudra leur adjoindre des colorants (cellules
hybrides).
 Pour un semiconducteur : la largeur de la bande interdite est plus faible que pour
les isolants, soit environ 0.6 à 2 ou 3eV. Comme dans le cas des isolants, pour que les
photons du spectre solaire puissent être absorbés, l’énergie du photon E ph doit être
supérieure à E g . exemple : pour le silicium, tous les photons d’énergie E ph > 1,12 eV
soit de longueur d’onde λ <1100 nm pourront fournir de l’énergie à un électron pour
l’amener de la bande de valence à la bande de conduction [15].
II.8 Cellules solaires inorganiques
Les cellules photovoltaïques ou photopiles sont des composants électroniques à

semiconducteur qui transforment directement la lumière solaire en électricité. Elles
sont réalisées à l’aide de matériaux semiconducteurs utilisés en tranches fines ou en
dépôts sur un substrat. Les matériaux les plus connus sont :
-Le silicium (Si)

-Le sulfure de cadmium (Cds)
-L’arséniure de gallium (As Ga)
-Le tellure de cadmium (Cd Te)
-Le germanium (Ge)
-Le phosphore d’indium (InP).
Toutefois, le matériau le plus couramment utilisé est le silicium pur obtenu à partir
de la silice (quartz ou sable) par transformations chimiques et métalliques.
II.8.1 Principe de fonctionnement des cellules solaires inorganiques
Une cellule photovoltaïque convertit une énergie radiative en énergie électrique.

Actuellement, la majorité des cellules photovoltaïques industrielles est basé sur la
12
structure de la jonction pn (jonction entre des semiconducteurs de type p et de type

n).La figure 1.7 représente schématiquement le principe de fonctionnement de ces
cellules. Celui-ci est constitué de différents processus :
1-Absorption de photons par les semiconducteurs.
2-Séparation des électrons et des trous dans les semiconducteurs.
3-Circulation des électrons dans un sens et des trous dans l’autre par le champ
électronique à l’interface.
Figure I.7 Principe de fonctionnement d’une cellule solaire.
BV : Bande de valence.
BC : Bande de conduction
E F : Niveau de Fermi
II.8.2 Différents types des cellules solaires
La conversion photovoltaïque nécessite l’utilisation d’une couche

photoconductrice, dite couche absorbante, qui transforme le rayonnement lumineux
en paire électron-trou. Par la suite, ces porteurs créés sont collectés en réalisant une
jonction à la surface de cette couche absorbante. Cette jonction peut être soit une
homojonction, c’est le cas de la filière classique silicium, soit une hétérojonction ;
c’est-à-dire une jonction avec deux semiconducteurs différents, soit une jonction
Schottky ; c’est-à-dire un contact métal semiconducteur. Dans le marché industriel, il
existe quatre principaux types de cellules solaires : les cellules solaires
monocristallines, les cellules à couches minces et les cellules organiques.
13
II.8.2.1 Les cellules monocristallines
La cellule photovoltaïque monocristalline est la cellule de la première génération.

Cette cellule est composée d’un seul cristal divisé en deux couches. Les matériaux de
base pour de telles cellules sont d’énormes cristaux de silicium spécialement produits
à cet effet, d’une taille d’environ 10cm. Ces cristaux sont ensuite coupés en plaques
ultrafines, dopés et connectées. Les cellules monocristallines permettent d’obtenir de
hauts rendements, de l’ordre de 18% [16]. Le rendement théorique maximal pour de
cellules en silicium est de 40%, ce qui est dû au fait qu’une part du rayonnement
solaire, celui si situé dans le rouge et l’infrarouge, ne contient pas assez d’énergie
pour provoquer un effet photovoltaïque. Ces cellules soufrent néanmoins de deux
inconvénients : d’une part leur prix élevé, d’autre part une durée d’amortissement de
l’investissement en énergie élevée. Cette durée d’amortissement est le temps durant
lequel une cellule solaire doit produire de l’énergie pour rembourser l’énergie qui a
été nécessaire à sa production. Cette durée peut allez jusqu'à sept ans pour les cellules
monocristallines, cellules qui sont néanmoins tout à fait appropriées pour des
applications nécessitant de bonnes performances. La figure I.8 représente cellule
solaire à base de Si monocristallin.
Figure I.8 Cellule solaire à base de Si monocristallin.
II.8.2.2 Les cellules polycristallines
Elles ressemblent aux cellules monocristallines, mais elles sont composées d’une
agglomération de cristaux. Elles proviennent aussi du sciage de blocs de cristaux,
mais ces blocs sont coulés et sont dès lors hétérogènes. Le rendement des cellules
polycristallines, de l’ordre de 10 à 15%, est un peu plus bas, mais cela est composé
par un cout moindre la production de telles cellules nécessite moins d’énergie. La
figure I.9représente cellule solaire à base de polycristallin [17].
14
.
Figure I.9 Cellule solaire à base de Si polycristallin .
II.8.2.3 Les cellules de silicium amorphe (a-Si)
Ces cellules sont composées d’un support en verre en matière synthétoque sur
lequel est déposée une fine couche de silicium, processus ne nécessitant que très peu
d’énergie. Bien que le rendement de telles cellules soit plus bas que celui des cellules
cristallines, ce qui est dù à la faible mobilité des porteurs de charge au sein de ces
matériaux. Des cellules amorphes avec des rendements excédant les 8% ont été
réalisées[18]. Ce type de cellule trouve ses applications principales dans de petits
appareils tels les calculettes, les montres, etc.
Figure I.10 Cellule solaire à base de Si amorphe (a-Si)
II.8.3 Avantages des cellules solaires inorganiques [19]
-Semiconducteur intrinsèque.
-La meilleure efficacité .
-Excellente stabilité (longue durée de vie des cellules).
-Rendement des cellules commerciales = 17-20%
15
II.8.4 Inconvénients des cellules solaires inorganiques
-Gap : 1,1 eV inférieurs au gapidéal (1,5 eV) [15].
-Nécessité d’une grande pureté du silicium.
-Fabrication onéreuse.
II.9 Cellules solaires organiques
II.9.1 1 Historique
Le secteur photovoltaique organique remonte à 1959 lorsque Kallmann et Pope ont

découvert que l’anthracène pouvait être utilisé pour fabriquer une cellule solaire[11].
11Leur appareil produisit une photo-tension de seulement 0.2 V avec un rendement
très faible. En 1978, Merrit avait prévu que l’éfficacité du dispositif solaire organique
pourait dépasser 1%[20]. Mais cet objectif n’a été atteint qu’en 1986, lorsque Tang a
décrit les paramètes cellules solaires organiques bicouches avec un rendement de
conversion de 0,95% à base des molécules ( phtalocyanine de cuivre, donneur
d’électrons et un dérivé de pérylène tétracarboxylique, accepteur d’électrons) [14].
Cepondant, la recherche dans ce domaine ne s’est intensifiée qu’au début du vingt et
unième siècle. En 2001, les cellules solaires organiques à bases phtalocyanine de
cuivre et fullerène ont été décrites avec une efficacité de conversion de 3,6%[
17].Trois ans plus tard , les rendements ont atteint 4,2%[18]. En 2007,un rendement
6,5% a été revendiqué lors de la fabrication de cellules solaires tandem à base de
polymère[19]. En 2009, des chercheurs américains ont signalé des rendements
approchant 7% [21]. En Mai 2010, les meilleurs rendements sont de l’ordre de 8%.
Solarmer Energy Inc a communiqué un rendement de 7,9% pour les cellules à base
de polymères avec une surface de 0.1 cm2 fabriquée par la technique d’impression.
II.9.2 Principe de fonctionnement d’une cellule solaire organique
En géneral, une cellule solaire transforme la lumière du soleil en électricité à tavers

cinq grands étapes.
16
II.9.2.1 Absorption de la lumière

La première étape du processus est l’absorption de lumière dans un solide. Elle se
traduit par l’apport d’énergie aux électrons du niveau de l’orbitale HOMO du
matériau.
Figure I.11 Absorption de la lumière et création d’excitons
Si cette énergie est suffisante, elle permet de faire passer un électron de l’orbitale
HOMO vers l’orbitale LUMO. Cette transition vers le niveau de l’orbitale LUMO
entaine l’apparition d’un trou au niveau de l’orbitale HOMO et qui est lié à l’éctron
par l’interaction électrostatique. Ce couple « électron-trou », électroniquement neutre,
est appellée « exciton ». l’exciton peut être formé dans la couche du donneur (D) ou
de l’accepteur (A). Lafigure I.11 présente le cas d’un exciton formé dans le matériau
donneur. Cette étape est affectée par les propriétés de surface macroscopique et elle
est directement déterminée par la structure de bande du matériau. L’énergie minimale
requise est égale à la différence entre les énergies des niveaus des orbitales LUMO et
HOMO du matériau . Il a deux types d’exciton classées en fonction de leurs énergies
de liaison. Si les deux charges (électron et trou) sont localisées sur la même molécule
ou sur la même unité monomètre, l’énergie de liaison est grande et l’exciton est
appelé exciton de Frenkel. Dans ce cas, la distance entre l’électron et le trou est
typiquement de quelques angstroms. Ce type d’exciton est le plus souvent recontré
dans les matériaux organiques. Au contraire, si la distance entre deux charges
correspond à plusieurs unités monomètres (quelques dizaine d’angstroms). Leur
énergie de liaison est faible et l’exciton est appelé exciton de Wannier. Dans les
semiconducteurs inorganiques, la valeur de l’énergie de liaison de l’exciton est faible
(par exemple : 14,7 meV pour le silicium) et l’énergie thermique à température
17
ambiante est suffisante pour séparer les deux charges. Dans le cas des
semiconducteurs organiques, cette énergie est de l’ordre de plusieurs centaines de
meV et il en résulte une difficulté à dissocier des charges à température ambiante.
Dans ce cas, la présence d’un champ électrique local est requise pour surpasser
l’attraction coulombienne. En géneral, la durée de vie des excitons est de l’ordre de
quelques nanosecondes par exemple : 22ns pour le tris(8-hydroxyquinoline)
d’aluminium (Alq3) [22]. Si la dissociation n’a pas lieu, l’électron rejoint le niveau de
l’orbitale HOMO en cédant son énergie de manière radiative (photoluminescence) ou
non-radiative sous forme de chaleur [23].
II.9.2.2 Diffusion des excitons
Dans les semiconducteurs inorganiques, après la formation de l’exciton, il est

immédiatement dissocité en un électron et un trou non liés. En effet, la permittivité du
matériau étant élevée, l’énergie de liaison coulombienne entre les deux porteurs de
charges est faible et largement inférieure à l’énergie thermique à température
ambiante. Cette énergie de liaison faible se traduit d’ailleurs par une délocalisation
importante de l’exciton sur plusieurs unités cristallographique.
Le cas des matériaux organiques est plus complexe. Leur permittivité diélectrique
est généralement largement inférieure à celle des matériaux inorganiques. Ceci
entraine une dissociation de la paire électron-trou impropable, l’énergie thermique
(quelques meV) ne suffissant plus à briser l’énergie de liaison de l’exciton, comprise
entre 0,1 et 1,4eV[24]. La probabilité de recombinaison dans les matériaux organiques
est donc extrèmement importante[25].
Il faut donc que les excitons atteignent un site de dissociation si on veut espérer
séparer les porteurs de charges puis les collecter. Cette capacité à atteindre un site de
dissociation est caractérisée par la longueur de diffusion de l’exciton Ld .La distance
entre le lieude création d’un exciton et son lieu de dissociation ne dépasse pas Ld car
il y‘aurait alors recombinaison.
Cette grandeur varie d’un matériau à l’autre et est comprise entre 5 et 20 nm dans les
matériaux organiques [26-27].
18
Figure I.12 Diffusion des excitons à l’interface donneur-accepteur.
II.9.2.3 Séparation des charges
Pour la séparation des charges puisse avoir lieu, les excitons doivent rejoindre un
site ou le champ électrique est suffisamment élevé. Dans un dispositif utlilisant deux
matériaux de type donneur et accepteur, les excitons doivent être formés dans la zone
dit « zone active », suite au niveau de la jonction donneur-accepteur. Les excitons
générés au-delà de la distance L D se recombinent avant d’arriver à l’interface
donneur-accepteur. A l’interface donneur-accepteur, l’exciton subit une réaction de
dissociation, formant un trou et un électron respectivement dans la couche du donneur
et de l’accepteur (figure I.13).
Figure I.13 Transfert de charge à l’interface donneur-accepteur(gauche) et condition de dissociation

des excitons : E ex > I PD – χ A [28]
La force de cette dissociation est la différence d’énergie entre les orbitales

moléculaires du donneur et de l’accepteur. La figure I.13présente également les
conditions de dissociation des excitons à partir du diagramme énergétique des
matériaux utilisés dans des cellules solaires organiques. La figure I.13 présente le cas
19
où l’exciton est crée dans le matériau donneur. Cet exciton a une énergie E ex
inférieure à la différence entre les orbitales LUMO et HOMO du donneur d’une
valeur égale à l’énergie de liaison de l’exciton E Lex (figure I.13) :
E ex = E LUMO – E HOMO - E Lex
Après la dissociation, l’électron passe dans l’accepteur tandis que le trou reste dans
le donneur. L’énergie de l’ensemble [électron+trou ] dissocié est égale à la différence
entre les niveauxénergétiques de chaque charge, c’est-à-dire I pD - A (figure I.13).
Pour que la dissociation puisse avoir lieu, ce processus ne doit pas consommer
d’énergie, donc E ex doit être supérieure à I pD – χ A [29] un raisonement analogue
montre que la même condition prévaut pour les excitons générés dansla couche du
matériau accepteur. Pour une dissociation efficace, il est donc indispensable de
controler les niveaux énergétiques des matériaux. Cela peut être réalisé, dans certains
limites, par l’ingéniérie de structure moléculaire.
II.9.2.4 Transport des charges
Le transport des porteurs de charges jusqu’aux électrodes est assuré par le donneur
d’électrons pour les trous et par l’accepteur d’électrons[30]. défférencier ainsi les
matrices de transports permet d’éviter les phénomènes de recombinaison. Dans le cas
des diodes de type schottky, où un seul matériau sert de transporteur, ces phénomènes
de recombinaison sont extrèmement importants et entainent des performances
médiocres.
La mobilité des trous dans le matériau donneur d’électron et la mobilité des

électrons dans le matériau accepteur d’électron doivent être les plus grandes possibles
afin d’aasurer le transport des porteurs de charge au mieu. Elles doivent également
être proches afin d’assurer une bonne balance des charges. Une plus grande
organisation moléculaire est souvent facteur de bonne mobilité, mais les impurtés, en
jouant le role de piège ( centre de recombinaisons) peuvent aussi influer sur ces
valeurs de façon négative [31].Lafigure I.14 montre le mecanisme de transport de
charge dans les couches actives.
20
Figure I.14 Transport de charge dans les couches actives
II.9.2.5 Collection des charges
Une fois que les charges atteignent les électrodes, elles sont extraites et transférées
vers le circuit extérieur, l’électron est transféré à la cathode et le trou à l’anode (figure
I.15).
Figure I.15 Collection des charges aux électrodes.
L’anode est généralement un oxyde semiconducteur transparent (ITO), qui permet

à la lumière de pénétrer dans les couches organiques, tandis que la cathode est
généralement une couche métallique (aluminium par exemple) déposée par
vaporisation. L’interface organique-électrode doit présenter un bon contact ohmique
pour assurer un transfert de charge efficace [32].
II.9.3 Structure des cellules photovoltaïques organiques
Afin d’améliorer la conversion photons-charges, différentes structures ont été

développées dans le passé. En effet, la génération des porteurs de charge ne dépend
pas uniquement de l’absorption mais aussi des mécanismes responsables de la
dissociation d’excitons.
21
Pour améliorer les performances des cellules solaires organiques, l’utilisation de

structure bicouches à jonction p-n ou d’hétérojonction en volume a constitué une
solution efficace.
II.9.3 .1 Structure monocouche
Appelée généralement structure Schottky, elle consiste en un film organique

déposé entre deux électrodes métalliques (figures I.16). L’oxyde d’indium et d’étain
(noté ITO pour Indium Tin Oxyde) est souvent utilisé pour l’anode et un métal avec
un travail de sortie plus faible que L’ITO tel que Al, Ca ou Mg pour la cathode. Le
choix des métaux est déterminant pour réaliser un contact ohmique d’un côté du
matériau organique et rectifiant de l’autre côté.
Les faibles performances obtenues avec la structure Schottky sont principalement
dues à la faible mobilité des porteurs de charge ainsi que à la forte interaction
électron-trou des matériaux organiques qui limite la séparation des charges [20].
Figure I.16 Structure d’une cellule de type Schottky (à gauche). Représentation des niveaux d’énergie
d’un contact ITO/organique/Al (à droite).
II.9.3 .2 Structure bicouches
Structure bicouches a été étudiée dés les années 1990 avec des rendement
inférieurs à 0.05% , appelée aussi structure hétérojonction ou pn, la structure bicouche
est composée de deux matériaux de natures différentes (donneur et accepteur
d’électrons) mis en contact entre deux électrodes figure I.17l’ITO est souvent utilisé
comme anode semi transparente car il présente, d’une part, une transparence de plus
de 85% dans le visible et, d’autre part un travail de sortie modéré pouvant permettre
22
l’établissement d’un contact ohmique avec certains matériaux transporteurs de trous.

La cathode est quant à elle plutôt constituée de métaux comme l’aluminium ou
l’argent qui permettent d’obtenir un contact ohmique avec certains matériaux type
n[36].
Figure I.17 Structure d’une cellule hétérojonction (a gauche). Représentation des niveaux
d’énergie d’un contact ITO/Donneur/Al (à droite)
Aujourd’hui, malgré les avancées publiées sur les propriétés optoélectroniques et
structurales des cellules organiques à hétérojonction p-n, leur rendement reste faible
par rapport à celui de leurs homologues inorganiques. Le facteur principal qui limite
ce rendement n’est pas encore bien défini. Certains auteurs l’attribuent aux faibles
longueurs de diffusion des exciton dans ces matériaux .dans ce cas, seule une faible
épaisseur proche de l‘interface organique/organique participe à la génération du
photocourant. D’autres auteurs ont considéré que les faibles valeurs des mobilités des
porteurs de charges sont responsables des recombinaisons avant leur collecte aux
électrodes. Un nouveau, type de cellule contenant le donneur et l’accepteur
(hétérojonction en volume) a donc été élaboré visant à diminuer la distance de
déplacement des porteurs pour atteindre l’électrode et par conséquent à limiter les
recombinaisons des porteurs. De plus l’augmentation de la surface de la jonction p-n
va améliorer les performances du dispositif [33].
23
II.9.3 .3 Structure hétérojonction en volume
Figure I.18 Structure d’une cellule solaire organique à hétérojonction en volume.
Appelée aussi structure réseau interpénétré, elle consiste en une couche composite
de donneur (D) et d’accepteur (A) déposée entre deux électrodes. Le principal
avantage de cette structure est que le mélange des deux matériaux (D et A) permet de
multiplier les zones interfaciales entre eux et de réduire ainsi les problèmes de pertes
par recombinaison des excitons photogénèses loin de l’interface.
Dans la structure à hétérojonction en volume, la multiplication des interfaces entre

le donneur et l’accepteur permet une dissociation des excitons dans l’ensemble du
volume de la couche active, alors que dans le cas des structure bicouches une seul
interface plane intervient entre le donneur et l’accepteur. L’intérêt majeur de
l’utilisation des mélanges est d’augmenter la surface de contact entre le donneur et
l’accepteur. L’utilisation d’un film mince composé d’un mélange donneur/accepteur
en volume a permis d’améliorer significativement les performances des cellules
photovoltaïques organiques[34].
II.9.4 Paramètres électriques des cellules solaires organiques
Il existe de nombreux paramètres qui permettent de caractériser une cellule solaire

organique. Ces paramètres sont appelés paramètres photovoltaïques et sont déduits de
la caractéristique I(V).
Les différents paramètres des cellules solaires organiques sont représentés sur la
figure I.19
24
Figure I.19 caractéristique d’une cellule photovoltaïque organique dans le noir et sous
illumination
II.9.4.1 Courant de court-circuit I sc
Il est obtenu en court-circuitant les bornes de la cellule (V = 0). I sc croit

linéairement avec l’intensité d’illumination de la cellule et dépend de la surface
éclairée, de la longueur d’onde du rayonnement de la mobilité des porteurs et de la
température.
II.9.4.2 Tension de circuit ouvert V oc
C’est la tension mesurée lorsque le courant qui circule dans la cellule est nul. Elle
dépend de la différence des travaux de sortie des électrodes ainsi que la différence
entre la LUMO de l’accepteur et la HOMO du donneur. Elle décroit avec la
température et varie peu avec l’intensité lumineuse.
II.9.4.3 Facteur de forme FF
Le nom facteur dérive de la représentation graphique. Il est défini par la relation

suivante :
Il est égal au rapport de la surface du rectangle P max (figure I.20) sur celle du rectangle
dont les cotés mesurent V oc et Isc .
II.9.4.4 Le rendement de conversion η
Il désigne le rendement des cellules solaires organiques en puissance. Il est défini

comme étant le rapport entre la puissance maximale délivrée par la cellule et la
puissance lumineuse incidente P in .
25
Ce rendement peut être amélioré en augmentant le facteur de forme, le courant de

court circuit et la tension à circuit ouvert.
II.9.4.5 Le rendement quantique externe EPCE
Ce rendement appelé aussi IPCE (incident photon to current conversion efficiency)

correspond au rapport entre le nombre d’électrons dans le circuit externe et le nombre
de photons incidents. Il ne prend pas en considération les photons transmis et
réfléchis. Il est défini comme suit :
Isc est la densité de court-circuit (A.cm-2), G est l’éclairement reçu par l’échantillon
(W.cm-2), λ est la longueur d’ondes monochromatique (nm), h est la constante de
Plank (J.s), C est la vitesse de la lumière (µm.s-1) et e est la charge électrique (Cb).
26
III. CONCLUSION
Les matériaux semiconducteurs organiques sont porteurs d’un potentiel de

développement important dans la recherche de modules photovoltaïques à coût
relativement bas pour la production d’électricité. Contrairement aux cellules
inorganiques.
Après la présentation théorique et bibliographique ci-dessus sur les

semiconducteurs organiques et les cellules solaires, nous exposerons dans le chapitre
suivant les méthodes de fabrication et caractérisation des couches minces.
27
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30
Chapitre II
Méthode de fabrication et de
caractérisation des couches
minces
CHAPITRE II METHODE DE FABRICATION ET DE CARACTERISATION DES
COUCHES MINCES
I.INTRODUTION
Une couche mince et un objet dont l’une des dimensions géométriques est très faible (de
quelque dizaine nanomètre à quelques micromètres). Cela explique un rôle essentiel des
interactions surfaciques dans l’établissement des propriétés physiques de ces objets.
D’ailleurs, c’est la raison principale pour laquelle les propriétés physiques des couches
minces différents de manière significative de celles des corps massiques.
L’aire totale de grains cristallins est supérieure à celle des deux faces d’une couche mince.
Par conséquent, généralement, l’effet de frontière de grains cristallins sur les propriétés d’une
couche mince prévaut sur celui de ses faces. Ainsi les propriétés d’une couche mince
dépendent essentiellement de sa morphologie interne [1].
La microstructure des couches minces est extrêmement sensible aux propriétés chimiques
et physiques de tout matériau mis en jeu lors de sa croissance, ainsi que des conditions
physiques de dépôt à chaque étape d’évolution de la couche mince. En particulier, les
propriétés d’une couche mince sont très sensibles à la nature du substrat, sur lequel elle se
situe. Cela explique, par exemple, pourquoi les couches d’un même matériau et d’une même
épaisseur peuvent présenter des propriétés physiques essentiellement différentes sur les
substrats de nature différente.
II. Technique de dépôt des couches minces
L’élaboration d’une couche mince est une étape décisive car les propriétés physiques du
matériau en dépendent. Suivant le mécanisme de la création des atomes et de l’interaction de
ces atomes avec le substrat, les méthodes de dépôt des couches minces peuvent être groupées
en deux familles [2] :
-Méthode physique PVD
-Méthode chimique CVD
31
COUCHES MINCES
Classe de
Principe Remarques
méthode
Les couches minces obtenues sont :

La couche mince est
obtenue par une réaction
- peu denses ;
chimique entre les produits
Dépôt Chimique - contaminées par des gaz résiduels de
gazeux en phase vapeur et
en phase Vapeur la réaction chimique
le substrat au moyen d'une
énergie d'activation, par
Avantage important : les contraintes
exemple thermique
internes sont, en générale, très faibles
La couche mince est

Les couches minces obtenues sont
Dépôt Physique obtenue par une
denses, non contaminées. Le processus
en phase Vapeur condensation du matériau
de dépôt est facile à contrôler.
de sa phase vapeur
Tableau II.1 Résumé sur les techniques de dépôt en couches minces.
L’énergie des atomes dans le cas d’un dépôt chimique est typiquement plus petite que celle
dans le cas du dépôt physique. Pour cette raison, les domaines d’application de ces techniques
sont différents : le dépôt chimique ne peut pas être utilisé pour fabriquer des couches
plasmoniques. En revanche, c’est le dépôt chimique, qui offre la meilleure qualité des couches
structurelles d’une structure micromécanique.
Il s’agit ici de décrire les techniques de fabrication des couches minces organiques pour
l’application photovoltaïques organiques, les méthodes sont : évaporation thermique, spin
coating, pulvérisation.
II.2.1.Evaporation
Cette technique consiste à chauffer sous vide le matériau que l’on veut déposer. Les
atomes des matériaux à évaporer reçoivent de l’énergie calorifique, c’est-à-dire que leur
énergie vibratoire dépasse l’énergie de liaison et provoque l’évaporation. Le matériau évaporé
est alors recueilli par condensation sur le substrat à recouvrir.
II-2.1.1 Description d’un ensemble d’évaporation sous vide :
Un appareillage d’évaporation sous vide comprend les éléments suivants :
1- Une chambre à vide
2- Un groupe de pompage
32
COUCHES MINCES
3- Une source d’évaporation
4- Substrat
Figure II.1 L’ensemble d’évaporation sous vide
II.2.2Pulvérisation cathodique
La pulvérisation cathodique est une méthode de dépôt de couche mince. Il s’agit d’une
technique qui autorise la synthèse de plusieurs matériaux à partir de la condensation d’une
vapeur métallique issue d’une source solide (cible) sur un substrat
33
COUCHES MINCES
II.2.2.1.Principe
Figure II.2 Principe d’une installation de dépôt par pulvérisation.
Cette technique consiste à éjecter des particules de la surface d’un solide par le
bombardement de cette surface avec des particules énergétiques, en général des ions argon.
En première approximation, ce processus mécanique ne dépend donc que de la qualité de
mouvement, cédée au moment du choc, de l’ion incident avec l’atome du solide bombardé
figure II.2 [3].
L’effet de pulvérisation est dû essentiellement au transfert de moment des ions incidents

aux atomes de la surface du matériau bombardé. L’arrachage d’atome se produira lorsque
l’énergie effectivement transférée dépassera l’énergie de liaison des atomes. Les paramètres
gouvernant le dépôt de couche mince par pulvérisation cathodique sont [4] :
-Les pressions résiduelles et de travail de l’enceinte.
-La composition des gaz résiduels.
-La puissance appliquée sur la cible.
-La tension de polarisation du porte substrat.
-La densité de courant.
-La géométrie de l’ensemble.
-Présence ou non des champs magnétiques.
34
COUCHES MINCES
Les ions peuvent provenir soit d’un plasma, soit directement d’une source d’ions. La
caractéristique la plus intéressante du procédé de dépôt par pulvérisation est son universalité.
Comme le matériau à déposer passe en phase vapeur à la suite d’un processus mécanique
(transfert d’énergie de l’ion incident vers l’atome de surface au moment de la collision).
La vitesse de dépôt dépend de nombreux facteurs comme la masse atomique du matériau
cible ou celle des ions incidents, ou bien encore de l’énergie de ces mêmes ions.il est difficile
de pulvériser les matériaux très volatiles ou en encore les solides organiques et les polymères
à cause de l’augmentation de température de la cible [5].
II.2.3 : Spin coating
La technique spin coating est parfaitement appropriée pour les substrats présentant une
symétrie de rotations. La solution versée se répond de façon uniforme sur l’échantillon grâce
aux forces de rotations. En effet cette force centrifuge à éloigner le liquide du centre car la
centrifugation permet de séparer dans une solution liquide des particules solides de densités
différentes.
Les centrifugeuses sont animées d’un mouvement circulaire très accéléré, si bien que
l’action de la pesanteur peut être négligée. Au lieu d’être en suspension verticale, les
particules s’animent d’un mouvement radial et horizontal (figureII. 3)[6] :
Figure II.3 Schéma illustratif du dépôt par spin coating.
Le dépôt des films minces par spin coating passe par différentes étapes (figure II.4)
35
COUCHES MINCES
Figure II.4 Etapes de la technique spin coating .
La première étape de cette technique consiste à déposer quelques goutes de la solution sur
la surface de l’échantillon, la seconde correspond à l’application d’une rotation provoquant
ainsi l’écoulement du liquide vers l’extérieur. Ensuite vient la troisième étape, ou la rotation
est constante. Elle consiste à éjecter l’excès de liquide et à diminuer l’épaisseur de la couche.
La dernière étape sert à évaporer les solvants les plus volatils ce qui accentue la diminution de
l’épaisseur [7].
III. Méthode de caractérisation des couches minces
L’identification des matériaux nécessite des moyens de caractérisation, nous citons dans ce
chapitre la caractérisation structurale, la caractérisation optique, la caractérisation électrique.
III.1. Caractérisation structurale et morphologique
III.1.1.Diffraction des rayons X (DRX)
La diffraction des rayons X est une méthode universellement utilisée pour identifier la
nature est la structure des matériaux solides.
L’état cristallin est caractérisé par la répartition tripériodique dans l’espace d’un motif
atomique. Cette répartition ordonnée constitue des plans parallèles et équidistantes que l’on
nomme plans réticulaires et sont identifiés par les indices de Miller (hkl). Ces indices
36
COUCHES MINCES
caractéristiques du cristal peuvent être calculés grâce à la diffraction des rayons X. lorsqu’un
faisceau de rayons X monochromatique est dirigé sur un matériau polycristallin, il est en
partie réfléchi par les plans atomiques de certains cristaux. Pour que la diffraction des photons
X soit mesurée, l’incidence du faisceau par rapport aux plans atomiques doit avoir lieu sous
un angle particulier. Il faut en effet que les ondes réfléchies soient en phase de sorte à
interférer de manière constructive, pour ensuite être mesure par le dicteur, comme il est
illustré sur la figure(II.6) [5].
Figure II.5 Schéma de diffraction de Bragg.
Les conditions nécessaires à cette interférence constructive sont données par la loi de
Bragg :
2d hkl sin θ = n λ (II.1)
Ou
λ: La longueur d’onde du rayonnement diffracté.

n : L’indice de diffraction.
d hkl : La distance interéticulaire du plan cristallographie
θ:L’angle qui est mesuré à partir du plan.
37
COUCHES MINCES
Figure II.6 Photo d’un diffractogramme.(université de Mulhouse, France)
Le diffractogramme est un enregistrement de l’intensité diffractée en fonction de l’angle 2θ

formé avec le faisceau direct figure II.6. Le système est constitue d’un goniomètreθ -2θ
totalement automatisé et commandé par logiciel. Le mode d’enregistrement consiste à
mesurer l’intensité diffractée par un déplacement pas à pas de l’échantillon et du détecteur. En
d’autre terme un balayage de l’angle de diffraction est obtenu à l’aide du goniomètre où
l’échantillon effectue une rotation avec un mouvement uniforme de vitesse angulaireθ, tandis
que le détecteur avec sa fente réceptrice placée sur le point de focalisation, tourne autour de
l’échantillon avec une vitesse de 2θ [9].
L’analyse des spectres de rayons X permet d’obtenir des informations sur :

- Les phases cristallines (position des pics).
-La taille des cristallines ou le stress interne (largeur des pics à mi-hauteur).
-Les défauts d’empilement (forme des pics).
-L’orientation des cristallites (absence ou présence de refixions).
La taille moyenne des cristallites est calculée par formule de SCHRRER [10] :
(II.2)
38
COUCHES MINCES
Ou :
D : La taille moyenne des cristallites.
β: Largeur des pics à mi-hauteur.
θ : L’angle du pic de diffraction mesuré (rad).
λ: : La longueur d’onde de la radiation des rayons X utilisée (A0).
III.1.2.Microscopie électronique à balayage (MEB)
La microscopie électronique à balayage (MEB) est une technique traditionnellement

utilisée dans l’analyse des surfaces. Elle permet d’analyser la morphologie de la surface et la
composition chimique de la plupart des matériaux solides. Cette technique a la particularité
d’offrir une très grande profondeur de champ (plusieurs centaines de microns) et donne des
vues qualitatives des surfaces d’une grande utilité. En revanche, la mesure absolue des
dimensions dans le sens de la hauteur nécessite l’analyse d’une section de l’échantillon [11-
12]
Figure II.7Photo de la microscopie électronique à balayage (MEB) ,université d’Angers, France.
39
COUCHES MINCES
 Principe de la MEB
Le fonctionnement du microscope a balayage est basé sur l’émission d’électrons produits

par une cathode et la détection de signaux provenant de l’interaction de ces électrons avec
l’échantillon (électrons secondaires et rétrodiffusés).Un faisceau primaire d’électrons de
diamètre compris entre 5 et 20 nm et d’énergie allant de quelques keV à 50 KeV est focalisé
sur l’échantillon (sous vide). Ce faisceau est balayé sur la surface à étudier par un système de
déflexion (figure II.8) [13] :
Figure II.8 Principe du microscope électronique à balayage.
Les électrons émis par l’échantillon sont détectés par un scintillateur couplé à un
photomultiplicateur. Le signal obtenu est amplifié et sert à moduler l’intensité du faisceau
d’un oscilloscope dont le balayage est synchrone avec celui du faisceau primaire. A chaque
point de la zone balayée sur l’échantillon correspond donc un point sur l’écran de
visualisation. L’image est obtenue séquentiellement point par point en déplaçant le faisceau
d’électrons.
 Interactions du faisceau électronique avec l'échantillon [14]
Sous l'impact du faisceau d'électrons accélérés, des électrons rétrodiffusés et des électrons
secondaires émis par l'échantillon (Figure II.9) sont recueillis sélectivement par des détecteurs
40
COUCHES MINCES
qui transmettent un signal à un écran cathodique dont le balayage est synchronisé avec le
balayage de l'objet.
Figure II.9 Représentation schématique de l’interaction entre un faisceau d’électrons et la surface d’un
échantillon.
En pénétrant dans l'échantillon, le fin pinceau d'électrons diffuse peu et constitue un

volume d'interaction (poire de diffusion, figure II.10) dont la forme dépend principalement de
la tension d'accélération et du numéro atomique de l'échantillon. Dans ce volume, les
électrons et les rayonnements électromagnétiques produits sont utilisés pour former des
images ou pour effectuer des analyses physico-chimiques. Pour être détectés, les particules et
les rayonnements doivent pouvoir atteindre la surface de l'échantillon. La profondeur
maximale de détection, donc la résolution spatiale, dépend de l'énergie des rayonnements [15]
Figure II.10 Représentation schématique des profondeurs de pénétration pour les différents modes de formation
d’images (poire de diffusion) .
41
COUCHES MINCES
III.2.Caractérisation optique
Les méthodes optiques permettent de caractériser un grand nombre de paramètres. Elles

présentent l’avantage sur les méthodes électriques, d’être non destructives et ne pas exiger la
réalisation, toujours délicate, de contacts ohmiques. Elles exigent seulement un substrat
transparent dans la gamme de longueur d’onde.
III.2.1. Ellipsométrie
L’ellipsométrie est une technique optique d’analyse de surface basée sur la mesure du
changement de l’état de polarisation de la lumière lors d’une réflexion en incidence oblique
sur la surface plane de l’échantillon à analyser.
La détermination de ce changement permet d’obtenir les caractéristiques suivantes :
• L’épaisseur de l’échantillon « d ».
• Son indice de réfraction « n ».
• Son coefficient d’extinction « k ».
Figure II.11 Principe de l’ellipsométrie.
1-source de lumière
2-Polariseur et modulateur
3-Analyseur et démodulateur
4-détecteur
42
COUCHES MINCES
A-Faisceau polarisé linéairement
B-Faisceau polarisé elliptiquement.
Le principe de l’ellipsométrie, qui a été découvert il y a plus d’un siècle trouvé un essor
récent à l’utilisation des micro-ordinateurs et de la commande électronique de moteurs,
permettant l’automatisation et l’optimisation des mesures, ainsi que leur exploitation de plus
en plus complexe. Les points forts de l’ellipsométrie sont : son caractère non destructif, sa
large gamme de mesure (mesure d’épaisseur depuis une fraction de couche monoatomique
jusqu'à quelques micromètres), sa possibilité de contrôle in-situ permettant la mesure
d’épaisseur de couches pendant leur croissance en temps réel [5].
Le principe de la technique repose sur la mesure du changement de l’état de polarisation
d’un faisceau lumineux après réflexion sur une surface. De ce fait, la mesure physique en
ellipsométrie concerne deux paramètres :
-L’état de polarisation de la lumière.
-L’intensité du rayonnement réfléchi.
Les paramètres physiques propres à l’échantillon, entre autre l’épaisseur, les indices
optiques et la rugosité, sont obtenus d’une manière indirecte en faisant appel à différents
modèles traitant des interactions onde-matière.
Φ
Une onde plane rencontre la surface de l’échantillon avec un angle d’incidence 0, une
partie de cette onde est transmise ou absorbée et une partie est réfléchie par la surface. Le
champ électrique incident E i présente deux composantes E pi et E si respectivement parallèle et
perpendiculaire en plan d’incidence figure II.12 [17] .
Figure II.12 Schéma de principe d’un ellipsométrie.
43
COUCHES MINCES
Après réflexion sur la surface de l’échantillon à analyser, ces composantes changent et

agissant sur chacune d’elles. Ces coefficients sont définis comme suit :
-Le coefficient de réflexion de l’échantillon pour une polarisation parallèle au plan

d’incidence :
Rp = = (II.3)
- le coefficient de réflexion de l’échantillon pour une polarisation perpendiculaire au plan

d’incidence :
Rs= = (II.4)
Les deux coefficients r p et r s ont des valeurs complexes. Leurs modules et

représentent la modification apportée à l’amplitude de la composante du champ, et leurs
phases δ p et δ s , le retard introduit par la réflexion.
Lors de leur recombinaison les composantes p et s résulteront en un faisceau polarisé
elliptiquement.
Figure II.13 Ellipsométrie dans un laboratoire du LAAS à Toulouse.
II.3.Caractérisation électriques
La caractéristique électrique des matériaux semiconducteurs tels que la résistivité, la

concentration et la mobilité des porteurs libres peuvent être déterminées à partir de technique
44
COUCHES MINCES
simple. Pour mesurer la résistivité il suffit d’appliquer la loi d’ohm à un échantillon parcourus
par un courant, pour déterminer la concentration et la mobilité des porteurs libres.
La caractérisation de courant-tension est une technique qui permet de renseigner sur la

réponse électrique d’un échantillon donné, elle permet aussi de remonter à la résistance du
matériau et donc de calculer sa résistivité et sa conductivité.
Le principe est simple, une tension électrique est appliquée entre deux ou quatre points de
l’échantillon, le champ électrique induit va orienter les porteurs de charges créant un courant
électrique mesurable, et variant en fonction de la tension appliquée.
III.3.1.La méthode de l’effet Hall
L’effet Hall est un phénomène bien connu dans le domaine de l’électromagnétisme du

matériau. Il porte le nom de son découvreur en 1879 l’américain Edwin Hall.
III.3.1.1. Principe de l’effet Hall
Considérons un bareau semiconducteur uniformément dopé comme celui présenté sur la

figure II.14 dans le système de coordonnées indiqué. Un courant électrique positif I traverse le
barreau de la gauche vers la droite. Un champ magnétique uniforme B z vertical et
perpendiculaire au bareau est alors appliqué : il en résulte l’apparition d’une force
électromagnétique F B = - e B z V x (force de Lorentz )où e est la charge électronique et V x la
vitesse de dérive des porteurs. Cette force génère un déplacement d’électrons, il apparait une
concentration de charge négatives sur l’un des cotés du barreau ainsi qu’un déficit de charges
négatives du coté opposé. Cette distribution de charge donne naissance à un champ électrique
E y . ce dernier est lui-même responsable d’une force électrique qui agit sur les électrons :
F E = - e E y (force de Coulomb).la migration des charges s’arrète lorsque l’équilibre est
atteint, c’est-à-dire quand la somme des deux forces est nulle (deuxième loi de Newton) [18].
On obtient alors :
Ey = - Bz V x (II.5)
45
COUCHES MINCES
Figure II.14 Représentation schématique de l’effet Hall dans un barreau semiconducteur.
Il règne alors entre les faces opposées du barreau une tesion : V H = E y . W appelée tension de
Hall. Dés lors, à partir de l’équation (II.7), on obtient : V H = E y = - B z V x . W et comme la
vitesse des électronsest directement liée au courant électrique I x , par la relation : Ix =e.N.S.V x
où N est le nombre de porteurs de charge par m3 et S la section du barreau (S = W.d), on peut
alors déduire l’équation suivante :
VH = - (II.6)
La tension de Hall V H étant proportionnelle à la fois au courant électrique I x au champ

magnétique B z et à l’épaisseur du barreau qu’on introduit un coefficient R H appelé coefficient
de Hall tel que :
RH = - (II.7)
Ce résultat est remarquable car il permet de déterminer une grandeur microscopique(nombre

de porteurs de charge) à partir d’une macroscopique (tension de Hall). Selon le type de
porteurs de charge la tension de Hall mesurée sera positive ou négative, ainsi on peut
déterminer le type de dopage du matériau étudié.
On a : R H = - pour une conduction par électron :dopage de type n.
RH = - pour une conduction par trous :dopage de type p.
46
COUCHES MINCES
III.3.2. La méthode de Van Der Paw
Van Der Paw était un physicien hollandais qui, en 1957, mit au point une nouvelle
technique de mesure de résistivité. Sa méthode avait l’avantage de permettre la détermination
de la résistivité d’échantillons de forme arbitraire pour autant que leur épaisseur soit connue et
uniforme.
II.3.2.1.Principe de Van Der Paw
J.L.Van Der Paw propose une nouvelle méthode dans le cas d’échantillons plats de forme
quelconque. Prenons un échantillon de forme quelconque, d’épaisseur d et de résistivitéρ (en
Ω/cm). Sur les bords de cet échantillon quatre contacts A,B,C et D de très petite taille sont
réalisés. On définit la résistance R AB,CD comme étant la différence de potentiel V D -V C
mesurée entre les contacts D et C par unité de courant à travers les contacts A et B et de façon
similaire la résistance R BC,DA . A partir de ces définitions, Van Der Paw a démontré dans ces
travaux la relation suivante [19]:
+ =1 (II .8)
La solution de cette équation est donnée par la relation :
. (II.9)
Étant un facteur de forme directement lié à la répartition des contacts
Ces relations sont donc valables dans le cas d’un échantillon de forme quelconque dont les
contacts de petite taille sont disposés sur les bords. Toutefois, ces expressions se simplifient
significativement si la géométrie de l’échantillon et si la position des contacts sont
symétriques comme par exemple sur la figure II.15.
47
COUCHES MINCES
Figure II.15 Echantillon en forme de disque plat dont les quatre contacts sont disposés de manière symétrique
et orthogonale.
On a alors R AB,CD = R BC ,DA = R et un facteur de forme égal à 1.ainsi l’équation (II.11) se

simplifie et la résistivité de l’échantillon est obtenue à partir de la relation :
= R (II.10)
Lorsque l’épaisseur n’est pas connue, on accède à la résistance carré de l’échantillon par la
relation :
Rs = (II.11)
Alors la résistance de l’échantillon R est uniquement fonction de la résistance et de

l’épaisseur de la couche.
II.3.3 Mesure de la caractéristique I-V
Le principe de mesure de caractérisation courant-tension consiste à appliquer une tension

consiste à appliquer une tension continue et croissante à l’échantillon et à mesurer l’évolution
de l’intensité du courant traversant la structure et la tension aux borne de cette couche. Cette
intensité est mesuré à l’aide d’un électromètre KEITHLEY 2000 (ou 217) équipé d’une sortie
IEEE qui permet de le piloter par ordinateur. la tension aux bornes de l’échantillon est
également mesurée par le même type électromètre représenté par voltmètre. la tension
continue est délivrée par un générateur haute tension de type LAMBDA IEEE 488
programmable (modèle LLS6060) permettant d’obtenir une tension maximale de 60 volts.
48
COUCHES MINCES
On réalise deux de mesures, une mesure ou l’échantillon est placé à l’obscurité et une autre
où l’échantillon est placé sous éclairement. Les mesures I-V sous éclairement ont été
effectuées à l’aide d’un simulateur solaire
Figure.16 : schéma de mesure de caractéristique courant-tension
Le principe de mesure est basé sur le montage classique suivant (figure II.16)
Figure II.17 schéma simplifié de la caractéristique I-V
49
COUCHES MINCES
II-3-4 Mesure de la caractéristique capacité- tension C-V
La mesure de la variation de la capacité C de la barrière en fonction de la tension inverse V

nous permet d’aboutir à la détermination de deux paramètres importants, à savoir la
concentration en donneurs par unité par unité de volume N D et la tension de diffusion V d
caractérisant la barrière de potentiel vue du semiconducteur.
Description du banc de mesures
Tout d’abord on site le matériel de l’expérience
• Source d’énergie avec potentiomètre numérique : source de tension qu’est

appliqué a la diode qui possède un afficheur numérique qui affiche les valeurs
de tension.
• Capacimètre : C’est un appareille ou on fait les mesures capacitifs.
• Table traçante : Elle sert à tracer les variations de la capacité mesurée par le
capacimètre en fonction de la tension appliquée.
• Capacités à air : Se sont des capacités qu’on connaît leurs valeurs
• Diodes : C’est l’échantillon qu’elle fait l’objet de l’étude.
Dans la cage de faraday on branche l’échantillon (une diode) a une tension, la tension
applique au deux bord de la diode c’est une tension inverse (la diode est polarisée en inverse)
et elle est contrôlée avec un potentiomètre numérique. D’autre part la diode dans la cage de
faraday est reliée avec le capacimètre pour mesurer les variations de la capacité de la diode en
fonction du potentiel appliqué. Mais pour avoir la courbe de la capacité en fonction du
potentiel appliqué en relier le capacimètre à une table traçante ou nu ordinateur. Maintenant
on est prêt à commencer l’expérience.
50
COUCHES MINCES
Figure II.18 schéma simplifié de la caractéristique C-V
51
COUCHES MINCES
VI.CONCLUSION
Au début de ce chapitre nous avons présentés les techniques de fabrication, des couches
minces en suite on a exposé les méthodes de caractérisation, ainsi que les caractérisations
structurale et morphologie, optique et électrique.
52
COUCHES MINCES
REFERENCE
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[2]: Professeur A.Khelil, cour de technologie,université Es-Sénia, Oran.2008/2009.
[3]: Abdel Hakim Mahdjoub, cour de master1,physique, université Larbi Ben M’hidi-Oum
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C-N.system, ,J.de physique IV.C3.P,155-162, 1993.
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Ouzou, 2011.
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Paris.
[9]: AssiaBouraiou , thèse de doctorat, physique énergétique, Université de Mentouri

Constantine, 2009.
[10]: Johan Verstraete, thèse de doctorat, science pour l’ingénieur,université Haute

Alsace.2005.
[11]: J.Faerber, Microscopie électronique à balayage, institut de physique et de chimie de

matériaux de Strasbourg,2004.
[12]: J.P.Péré, la microscopie technique d’étude en biologie, collection, 128 édition Nathan,
Paris 1994.
[13]: A.Duval, A.Bouquillon, « la microscopie électronique à balayage », document de

formation du laboratoire de recherche des musées de France, 1993.
[14]: Fatima-Zohra Mammeri, thèse de magister, métallurgie, Université de Mentouri

Constantine, 2006.
53
COUCHES MINCES
[15]: J.Faerber, Microscopie électronique à balayage, institut de physique et de chimie de

matériaux de Strasbourg,2004.
[16]: Jounluk, cour : « microscope électronique à balayage»,Université d’Oran Es-

Sénia,2010.
[17]: AbderrazzaqBenatmane,thèse de doctorat, instrumentation et Microélectronique,

Université Louis Pasteur Strasbourg, 2002.
[18]: Vy YAM, Sylvie RETAILLEAU, Eric CASSAN, Université Paris-Sud-11,bàtiment

220 de L’UFR des sciences, 91-405, Orsay Cédex.
[19]: Van Der Paw, L.J, A Method of measuring Specific Resistivity and Hall Effect of
Discs or arbitrary scapes. Philips ResPepts, 13-p :1-9,1958.
54
Chapitre III
Modélisation Electrique des
Cellules Solaires
Organiques
CHAPITRE III MODELISATION ELECTRIQUE DES CELLULES SOLAIRES ORGANIQUES
I. INTRODUCTION
La modélisation des cellules solaires passe nécessairement par un choix judicieux

des circuits électriques équivalent, en prenant plus ou moins de nombreux modèles
mathématiques sont développés pour représenter un comportement fortement non
linéaire, résultant de celui des jonctions semiconductrices qui sont à la base de leurs
réalisations. Ces modèles se différencient entre eux par les procédures mathématiques
et le nombre de paramètres intervenant dans le calcul de la tension et du courant de la
cellule solaire,
Dans ce chapitre on va présenter deux modèles d’une cellule solaire organique:
 Modèle à une diode.
 Modèle à deux diodes.
II. Mécanismes de transport
Les mécanismes de transport de charge dans une homojonction sont

étroitement liés aux propriétés et caractéristiques de la structure [1] telles que les
épaisseurs des couches du matériau semiconducteur, les dopages respectifs des deux
zones, la température et la nature même du matériau. Ces mécanismes peuvent avoir
lieu simultanément ou séparément selon la gamme des tensions extérieures appliquées
au composant. Dans ce qui suit, nous décrirons brièvement quelques mécanismes de
transport de charges, généralement observés, dans un dispositif à homojonction.
II.1.Cas de diode à l’obscurité
II.1.1. Mécanisme de diffusion diode idéale
La caractéristique idéale courant-tension est basée sur les quatre approximations

suivantes :
 Le profil de dopage est abrupt à l’interface.

 Le semi-conducteur est non dégénéré
 La polarisation de la jonction correspond aux conditions de faible injection (la
densité de porteurs minoritaires injectés est petite devant la concentration de porteurs
majoritaires).
 Il n’y a pas de courant de génération dans la zone de charge d’espace (les
concentrations d’électrons et de trous sont constantes).
55
Il s’agit d’un courant de porteurs minoritaires, trous de la région qui diffusent vers
la région et électrons de la région qui diffusent vers la région .
Dans les conditions de faible injection (faibles polarisations extérieures) et dans le
cas d’un régime stationnaire la résolution des équations de continuité
pour les électrons et les trous, fournit pour le courant de diffusion dont les
expressions sont [2] :
(III.1)
: Densité de courant d’électrons

: Densité de courant de trous.
: Coefficient de diffusion des électrons dans la région .

: Coefficient de diffusion des trous dans la région
: Epaisseur de la zone neutre, coté

: Epaisseur de la zone neutre, coté
: Longueur de diffusion des électrons dans la région

: Longueur de diffusion des trous dans la région
: Densité intrinsèque du matériau

: Tension extérieure appliquée.
: Constante de Boltzmann : Température

: Dopage dans la région , : Dopage dans la région
Les longueurs de diffusion et peuvent être calculées à partir des équations
suivantes :
(III.2)
56
Où les constantes et représentent respectivement les durées de vie des électrons

et des trous dans les régions neutres et . Ces deux quantités sont liées aux mobilités
des porteurs et par la relation d’Einstein (cas des semiconducteurs non
dégénérés).
(III.3)
Le courant de diffusion total est donné par la somme , soit :
(III.4)
C’est l’équation d’une diode idéale, appelée également l’équation de Shockley.

Selon les propriétés physiques du matériau utilisé et les dimensions du dispositif,
deux cas se présentent :
On rappelle que :
(III.5)
 Diode courte :
et
Dans le cas où les longueurs de diffusion et sont supérieures aux largeurs de

zones neutres et les densités de courant d’électrons et de trous
se simplifient et deviennent :
(III.6)
57
Le courant totale de diffusion de la jonction est la somme des deux courants

et et est donné par :
(III.7)
Cette équation présente diverge pour des zones et trop courtes lorsque la
polarisation inverse devient importante [3].
 Diode longue
et
Si les longueurs de diffusion et sont inférieures aux largeurs des zones

neutres et , les densités de courant d’électrons et de trous seront
données par :
(III.8)
Et aussi pour ce car le courant totale de diffusion de la jonction c’est la

somme des deux courants et est donné par[3-4-5-6]
(III.9)
II.1.2.Déviation du cas idéal
Les caractéristiques courant-tension des jonctions sont souvent différentes du

cas idéal. Plusieurs effets participent à cette déviation:
 L’effet de surface
 La génération et la recombinaison de porteurs dans la zone de charge d’espace
 L’approximation de faible injection n’est plus valide même à relativement basse
tension de polarisation
 L’effet de résistance de série
 L’effet de claquage de la jonction sous une polarisation inverse importante.
58
Sous polarisation directe, les processus de génération recombinaison principaux sont

liés aux processus de captures des porteurs. Nous observons donc en plus du courant
de diffusion, un courant de recombinaison, qui peut être localisé à la surface ou dans
le volume du dispositif.
II.1.3. Courant de recombinaison
Les surfaces libres aux alentours des jonctions comportent généralement des
densités de pièges et de centres recombinants, beaucoup plus élevées qu’en volume,
du fait de la rupture du réseau et de l’adsorption d’impuretés en surface.
Les porteurs minoritaires injectés à la périphérie d’une jonction sont confinés
près de la surface et diffusent superficiellement jusqu’à se recombiner avec l’un des
centres qui y sont présents.
La zone de charge d’espace peut être le siège de mécanismes de génération
thermique et de recombinaison des porteurs de charges. Sous polarisation
extérieure , le taux de recombinaison est donné par la loi de Shockley-Read
[1,7] :
(III.10)
où représente la durée de vie de génération recombinaison.
Dans le cas d’une polarisation directe, la largeur de zone de charge d’espace

diminue et les quantités et ne sont pas négligeables devant la densité intrinsèque
du matériau .
Le taux de recombinaison étant positif, le courant est un courant de recombinaison.
Pour des tensions appliquées suffisamment importantes , la densité de
courant de recombinaison sera donnée par [1] :
– –
(III.11)
où et désignent les frontière de la zone de charge d’espace et

l’épaisseur de la zone de charge d’espace sous polarisation inverse.
59
Dans le cas d’une polarisation inverse et en négligeant cette fois les

densités de porteurs et devant la densité intrinsèque , le taux de recombinaison
devient négatif et la zone de charge d’espace devient le siège d’un mécanisme de
génération. La densité de courant s’écrit :
– – (III.12)
II.1.4. Effet tunnel bande à bande
Ce mécanisme apparaît à fortes polarisations inverses [8].C’est-à-dire l’application

d’un champ électrique intense favorise le passage des électrons à travers les barrières
d’énergie par effet tunnel [6-9]. Les porteurs qui traversent directement la barrière
énergétique sont responsables du courant tunnel bande a bande. En supposant une
interface de bonne qualité et des dopages importants dans les deux régions de
l’homojonction, la densité de courant tunnel
: Masse effective des électrons.bande à bande est donnée par l’expression
[10,11] :
(III.13)
, qui est le champ électrique maximum à la jonction, est donné par :
(III.14)
: Masse effective tunnel est donné par :
(III.15)
: Masse effective des trous légers.

: Energie de bande interdite du matériau
: Constante réduite de Planck.
60
II.1.5.Effet tunnel assisté par centre pièges
A forte polarisation et en présence de pièges, on peut observer un courant tunnel

assisté par piège dépendant de la densité de ces pièges et de leur énergie .La
barrière énergétique tunnel effective est inférieure au gap , ce qui fait que la
probabilité de passage est plus grande que pour le mécanisme tunnel bande a
bande[5].
La substitution de l’équation dans l’expression et de à donne
l’expression d’un tel courant, tenant compte de [5]:
(III.16)
Dans le but de mettre en évidence la dépendance en tension de cette
expression peut se mettre sous la forme :
(III.17)
Avec :
(III.18)
A l’exception de quelques matériaux dont la technologie est bien maîtrisée, tel que le
Silicium, les composants peuvent présenter des défauts liés soit à la croissance ou le
dépôt des couches, soit aux procédés de fabrication (gravure chimique, lithographie,
métallisation).
Ces défauts causent des écarts par rapport aux variations exponentielles décrites
précédemment. Ces écarts peuvent aussi apparaître lorsque plusieurs phénomènes de
conduction ont lieu simultanément ou à des intervalles de tensions différents. Une
représentation en double exponentielle avec un terme de fuite peut être utilisée pour
expliquer les caractéristiques réelle courant-tension [6,12,13] :
61
(III.19)
Il est difficile d’ajuster les paramètres vue la complexité de cette

équation phénoménologique (transcendante). Afin de tirer ces paramètres de transport
plusieurs méthodes d’extraction de ces paramètres existent, on peut citer :
 La méthode classique
 La méthode de Norde
 La méthode de Werner
 La méthode de Ranuarez
Cette dernière loi résulte du schéma électrique de la diode réelle figure qui
suppose celle-ci équivalente à une diode idéale en série avec la résistance et en
parallèle avec la résistance , la tension étant appliquée aux bornes de
l’ensemble
Figure III.1 Schéma électrique d’une diode réelle.
Dans la littérature, on trouve le plus souvent la formulation suivante :
(III.20)
Où est le coefficient d’idéalité compris entre et [7].
Dans le cas où est voisin de l’unité, le mécanisme de diffusion l’emporte. Par

contre si est voisin de , il s’agit de la recombinaison des porteurs.
L’équation donne :
62
(III.21)
Où W représente la fonction de Lambert définie par
II.2. Cas de la diode sous éclairement
II.2.1. Mécanisme de diffusion - diode idéale
La jonction pn sous éclairement peut être schématisée par un générateur de courant

I ph (courant proportionnel à la lumière incidente) en parallèle avec la diode délivrant
un courant (obscurité).
Le courant total est donné par l’équation suivante :
(III.22)
Nous obtenons ainsi le circuit équivalent d’une cellule solaire idéale, présenté
figure III.2.
Figure III.2 Circuit électrique d’une jonction PN idéale sous illumination (a) connecté à une
résistance de charge et (b) son circuit équivalent
Lorsque la jonction est reliée à une résistance de charge , le passage du courant à

travers fait apparaitre une chute de tension (en circuit ouvert, et
).
L’orientation du courant vers produit une tension induisant une
polarisation directe à travers la jonction si bien que le courant i est de sens opposé à
.
63
D’un autre point de vue, nous pouvons considérer que la direction du photocourant
dans la résistance de charge induit une tension à travers la jonction qui génère un
courant direct dans la direction opposée à , si bien que globalement nous
n’observons pas le courant entier , mais seulement la quantité:
(III.23)
II.2.2. Caractéristique I-V réelle d’une cellule photovoltaïque
Lorsque les résistances de contacts (résistivité des électrodes et des interfaces

métal-matériaux organiques) et les pertes ohmiques (dues à la résistivité des couches
organiques) génèrent une résistance non négligeable par rapport à la résistance de
charge, nous devons associer au schéma équivalent une résistance série .
Si on note la tension à travers la jonction, la tension à travers la cellule est

réduite à :
(III.24)
Dans le premier quadrant nous avons :
(III.25)
64
De plus, lorsque des courants de fuite apparaissent à travers la cellule, nous pouvons
prendre en compte cette nouvelle composante en insérant une résistance parallèle
[14, 15].Lorsque cette résistance devient très grande , ces courants
de fuite deviennent négligeables I p . Nous obtenons ainsi :
(III.26)
Déjà que dans le cas d’une cellule idéale nous ne trouvions pas le courant total
mais seulement . Dans le cas réel cette réduction est bien prononcée,
ceci est dû à la résistance shunt qui introduit un courant de fuite et qui est
donné par la relationsuivante :
I= – Iph + Ip (III.27)
Alors que dans le cas idéal on a et , ces résistances donnent dans

le cas réel une évaluation des imperfections de la diode : en considérant que
présente une valeur faible et que , nous pouvons estimer les valeurs de
et à partir de la différenciation de l’expression déduite de la deuxième loi de
Kirchhoff (loi des nœuds) :
(III.28)
Nous déduisant:
(III.29)
où le terme et sachant que pour la tension est
égale à la tension de circuit-ouvert très grande devant le terme .
De la même manière, nous trouvons :
(III.30)
65
Nous avons aussi
(III.31)
Les pentes de la caractéristique sous illumination, calculées en (circuit

ouvert) et (court circuit) donnent respectivement les valeurs inverses des
résistances série et shunt .
Courant I
I-V
pente = R-1
S
Voc
0 Tension V
pente = R-1
sh
Icc
III.4 Caractéristique sous illumination
Généralement les photopiles sont équivalentes à un circuit simple comportant une

seule diode, en parallèle avec une résistance et une résistance en série.
(III.32)
(III.33)
Avec
66
III. Modèle et circuit équivalent d’une cellule solaire organique
III.1.Modèle à une diode
Ce modèle est le plus courant est utilisé par de nombreux auteurs pour obtenir des
valeurs de certains paramètres de la caractéristiques courant-tension d’une cellule
solaire par des méthodes d’approximation [16].
Les propriétés de la jonction pn et la réaction du semiconducteur au rayonnement
mènent au schéma du circuit équivalent idéal simplifie d’une cellule photovoltaïque
représenté sur la figure III.5. Le modèle à une diode sous éclairement est caractérisé
par son schéma électrique équivalent qui se compose d’une source de courant qui
modélise la con version du flux lumineux en énergie électrique, une résistance shunt
et une conséquence de l’état le long de la périphérie de la surface de la cellule, une
résistance série R s représentant les diverses résistances de contact et de connexions,
une diode en parallèle qui modélise jonction pn.
Figure III.5 Schéma équivalent d’une modèle à une diode réelle sous éclairement.
Le courant généré par le modèle à une diode est donné par loi de Kirchhoff :
I = I ph – Id –Ish (III.34)
(III.35)
I : courant fourni par la cellule

V : Tension à la borne de la cellule
I ph : photocourant, proportionnel à l’irradiance ф, avec correction selon T
I s : Courant de saturation de la diode, dépendant de la température T.
67
R s : Résistance série.
R sh : Résistance shunt (ou parallèle).
q : Charge de l’électron = 1,602.10-19 Coulomb.
K : Constante de Boltzmann =1,38.10-23 J /K.
n : Facteur de d’idéalité de la diode.
T : Température effective de la cellule [Kelvin].
Il faut noter que ces deux résistances sont liées à la technologie d’élaboration des
électrodes. Il faut minimiser R s de telle sorte que R sh soit très important et le
photocourant I ph varie avec l’irradiance, il est déterminé par rapport à des valeurs
données aux conditions de référence.
III.1.1. Effets des paramètres électriques d’une cellule solaire organique
Dans ce chapitre on présente la modélisation électrique des couches minces

organiques d’une cellule solaire de type (TCO/Au/CuPc/C60/Alq3/Al)[3], on utilise le
programme de Mathematica 5, pour simuler les deux modèles (une diode et deux
diodes en parallèle). Les résultats obtenus seront confrontés avec des données
expérimentales la caractérisation électrique I(V) a donné des paramètres tel que le
facteur d’idéalité n, la résistance parallèle R sh , la résistance série R s , le photocourant
I ph , le courant de saturation Is .
Les couches organiques d’une cellule solaire de type

(TCO/Au/CuPc/C60/Alq3/Al) élaborés a LAMP laboratoire à l’université de Nantes.
Les dépôts des feuilles ont été effectués sur des substrats de verre sodé. Les substrats
de verre de dimensions 2.5 × 1 cm2, utilisée pour les différentes caractérisations,
découpés à partir De lames de 2.5 × 7.5 cm2 de dimensions.
Les dépôts des films organiques sur les substrats a été couvertes par une couche
mince de sélénium amorphe, afin d’empêche la contamination d’air [4].
la figure (III.6 ) illustre de la structure de la cellule solaire organique de référence de

type (TCO/Au/CuPc/C60/Alq3/Al).
68
Figure III.6 cellule solaire organique de type (TCO/Au/CuPc/C60/Alq3/Al)[10]
0,0020
Expérience
0,0015
0,0010
I (A)
0,0005
0,0000
-0,0005
0,40 0,45 0,50 0,55 0,60 0,65 0,70 0,75 0,80

V (V)
Figure III.7 Caractéristique I-V de la cellule solaire organique de type

(TCO/Au/CuPc/C60/Alq3/Al)[10]
III. 1.1 .1Effet du facteur d’idéalité n.
Nous savons que la valeur du facteur d’idéalité n est comprise entre deux valeurs 1
et 2.Les équations des courants de diffusion et de génération recombinaison, données
dans les paragraphes III.1.1 et III.1.3, montrent que le paramètre n prend la valeur 1
dans le cas de la diffusion et la valeur 2 dans le cas d’un mécanisme de génération
recombinaison [7]. Le coefficient d’idéalité n doit être déterminé avec précision afin
d’avoir une information sur le processus de conduction dans le dispositif à jonction.
Le facteur d’idéalité n d’une cellule solaire est définit par la relation suivante :
q(V − IRS )
n=
 IR + I PH RSh + I S RSh + IRS − V 
KT Log  Sh 
 I S RSh  (III.36)
69
Nous savons que le facteur d’idéalité n prend une seule valeur pour chaque
dispositif (pour chaque jonction), mais l’équation (III 36) donne le facteur d’idéalité n
en fonction des deux variables I et V. la résolution de l’équation (III.32) donne l’un
des deux variables en fonction de l’autre dans notre résolution nous donnons V en
fonction I par l’équation suivante [14].

R I  Rsh (I + I s − I ph ) 

V = ( Rs + Rsh ) I + Rsh ( Iph + I S ) + nu t w sh s exp  

 nu t  nu t 
(III.37)
2,0x10-3
1,5x10-3
1,0x10-3 n=4
5,0x10-4 n=1
I (A)
0,0 n=1
n=1,4
-5,0x10-4 n=2
n=3
-1,0x10-3 n=4
-0,2 -0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
V(V)
Figure III.8 l’influence de facteur d’idéalité n sur la caractéristique I(V)
Nous utilisons l’équation (III.37) qui donne les variations de V en fonction I pour
différentes valeurs de n. On remarque dans la figure III.8 que le facteur d’idéalité n a
un effet très important sur la caractéristique courant-tension I-V.
Le courant I d’une cellule solaire est donné par la relation suivante : [17]
I Ph IS I Ph 1
I =− + − + F (V ) (III.38-a)
R R   RS
1 − S 1 − S R P 1 − R S 
RP RP  R
 P 
Avec
B(V ) I S R P RS
F (V ) = W [− ]u (III-38-b)
(R P − R S ) n u T T
 V V RS − I Ph R P RS + I S RP RS 
B(V ) = Exp  + 
 n uT (RP − RS )n uT  (III-38-c)
70
Généralement le facteur d’idéalité n ne dépasse pas 2, le schéma de la figure (III.9)

présente l’influence de facteur d’idéalité n sur le courant I
On observe que la courbe de courant I en fonction de facteur d’idéalité n, a une

variation linéaire dans l’intervalle 1< n < 2, par contre pour n > 2 cette dernière
presque constante.
1,188142857x10-4
1,188071429x10-4
1,188000000x10-4
Le courant(A)
1,187928571x10-4
1,187857143x10-4
1,187785714x10-4
1,187714286x10-4
-0,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

Le facteur d'idéalité (n)
Figure III.9 la variation de courant I en fonction de facteur d’idéalité n
III.1.1 .2 Effet de La résistance série R s
La valeur de R s est gouvernée par la mobilité des porteurs de charges et dépend de

la résistivité de chaque constituant ainsi que de la résistance liée aux interfaces. R s
augmente aussi avec une longue distance de parcours des charges c'est-à-dire avec
l’épaisseur de matériau traversé. Une résistance en série trop élevée implique une
diminution de la valeur du courant de court circuit [18].
La résistance série R s d’une cellule solaire est définit par la relation suivante :
 ( )
RS =
V RSh
− (I + I S + I PH ) + n K T W  I S q RSh Exp  qRSh I + I S + I PH  
I I Iq  n KT  nKT 
(III.39)
71
0,0020
Rs=130Ω
Rs=200Ω
0,0015 Rs=10Ω
Rs=60Ω
0,0010 Rs=150Ω
I (A) 0,0005
0,0000
-0,0005
-0,0010
-0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
V (V)
Figure III.10 l’influence de résistance série R s sur la caractéristique I(V)
La figure (III.11) illustre la variation de courant I en fonction de la résistance

série R s .
-0,000827
-0,000828
-0,000829
Le courant(A)
-0,000830
-0,000831
-0,000832
-0,000833
-0,000834
-0,000835 0 50 100 150 200

La résistance série (Rs)
Figure III.11 la variation de courant I en fonction de résistance série Rs
III.1.1 .3 Effet de la résistance parallèle R sh
La résistance shunt R sh est due à la recombinaison des porteurs de charges près des
sites de dissociations et permet de prendre en compte les courants de fuites au niveau
des électrodes. Une résistance de shunt trop faible implique une diminution de la
tension de circuit ouvert.
La résistance parallèle R sh d’une cellule solaire est définit par la relation suivante :
72
V − IRS
RSh =
 q(V − RS I ) 
I + I S (1 − Exp   ) + I ph
 nKT  (III.40)
0,0020 Rsh=1000Ω
Rsh=10000Ω
0,0015
Rsh=20000Ω
0,0010 Rsh= 30000Ω
Rsh= 50000Ω
I (A)
0,0005
0,0000
-0,0005
-0,0010
-0,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0

V (V)
Figure III.12 l’influence de résistance parallèle R sh sur la caractéristique I(V)
L’influence de la résistance parallèle est comme l’influence de résistance série mais cette
fois est pour les faibles polarisations.
la figure (III.13) illustre la variation de courant I en fonction de la résistance parallèle

R sh . Le courant I est constant pour R sh >5000Ω.
0,000
-0,002
-0,004
Le courant(A)
-0,006
-0,008
-0,010
-0,012
0 5000 10000 15000 20000

Larésistance paralèlle (Rsh)
Figure III.13 la variation de courant I en fonction de résistance parallèle R sh
73
III.1.1 .4Effet de courant de saturation I s
Le courant de saturation I s c’est le courant de porteurs minoritaires qui l’emporte,

ce courant est un courant de diffusion. Ce courant, généralement faible, reste constant
sur la gamme de tensions inverse.
L’équation de courant de saturation I s d’une cellule solaire est aussi déterminé en

fonction de courant-tension I-V est donné par la relation suivante :
(III.41)
2,0x10-3
Is=3*10-9A
1,5x10-3 Is=3*10-8A
Is=3*10-6A
1,0x10-3 Is=3*10-5A
Is=3*10-4A
5,0x10-4
I (A)
0,0
-5,0x10-4
-1,0x10-3
-0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
V(V)
Figure III.14 l’influence courant de saturation I s sur la caractéristique I(V)
Dans la figure III.14représente les effets de courant de saturation I s sur la

caractéristique courant-tension I-V. cette variation est confirmée par la figure III.15.
En effet le courant I varie linéairement avec le courant de saturation I s .
74
0,35
0,30
0,25
Le courant (A)
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30
Le courant de saturation (Is)
Figure III.15 la variation de courant I en fonction de courant de saturation Is
III.1.1.5 Effet de photocourant I ph
Le photocourant produit un courant résultant de la dissociation des excitons, ce

courant ne tient pas compte des recombinaisons des charges.
Le photocourant varie avec l’éclairement, il déterminé par rapport à des valeurs

données aux conditions de référence.[19]
L’équation de photocourant d’une cellule solaire est aussi déterminée en fonction

de courant-tension I-V et est donnée par la relation suivante :
(III.42)
0,0020
Iph=4*10-5A
Iph=2.33*10-5A
0,0015 Iph=8.29*10-5A
Iph=8.29*10-6A
0,0010 Iph=8.29*10-7A
I(A)
0,0005
0,0000
-0,0005
-0,0010
-18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2

V(V)
Figure III.16 l’influence de photocourant I ph sur la caractéristique I(V)
75
La figure III.16 représente la caractéristique courant-tension I-V en fonction de

photocourant I ph varie entre (4*10-5A à 8.29*10-7A), on remarque la tension V max ne
varie que très peu en fonction de photocourant contrairement au courant I, qui
augmente fortement avec l’augmentation de photocourant I ph .
Ce comportement est vérifié par la figure III.17, en effet nous remarquons

clairement la dépendance de la courbe de courant I en fonction de photocourant Iph , le
courant I varie linéairement avec I ph .
0,08
0,06
Le courant (A)
0,04
0,02
0,00
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08

Le photocourant (Iph)
Figure III.17 la variation de courant I en fonction de photocourant I ph .
IV. Résultat de simulation de modèle à une diode
Pour les cellules solaires comportant SnO 2 comme anode sous éclairement, les
caractéristiques I-V sont illustrées dans les figures III.7 et III .18.
0,0020
Expérimentale
Simulation
0,0015
0,0010
Modèle à une diode

I (A)
0,0005
0,0000
-0,0005
-0,0010
-0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
V (V)
Figure III.18 résultat de simulation de modèle à une diode
76
On a varié les autres paramètres, tel que la résistance série R s , la résistance

parallèle R sh , le courant de saturation I s , et nous avons trouvé :
n=2
R sh =880000 Ω
R s =159 Ω,
I s =1*10-7 A,
I ph =8.29*10-4A.
La valeur n= 2, veut dire que on a un seule mécanisme de transport, or la réalité

physique veut que, les deux mécanismes de transport coexistent, de plus la valeur de
la résistance série est trop élevée d’où le choix du modèle de deux diodes.
V. Modèle a deux diodes
Une cellule solaire organique est représenté par son schéma électrique équivalent
(Figure III.19) qui en plus deux diodes en parallèles se compose d’une source de
courant modélisent le flux lumineux, les pertes sont modélisé par deux résistances,
une résistance shunt R sh , une résistance série R s [20,21].
Figure III.19Schéma équivalent de Modèle à deux diodes.
Le courant généré par le module est donné par la loi de Kirchhoff :

I = I ph – (Id1 + Id2 ) - I sh (III.43)
Avec :
(III.44)
(III.45)
77
(III.46)
V.1.Effets de facteur d’idéalité n sur le modèle deux diodes
Dans ce paragraphe on étudie les effets des facteurs d’idéalités n1 etn2 sur la
caractéristique courant-tension I-V d’une cellule solaire organique de type
(TCO /Au/CuPc/C60/Alq3/Al).
Comme pour le premier modèle, l’expression de la tension V en fonction du

courant I est donnée par la relation suivante.
A(V ) (I S 1 + I S 2 )RSh
V = IRS + IRSh − I Ph RPh − I S 1 RSh − I S 2 RSh − W [ ] uT
uT
(III-47)
Avec
IRSh − I Sh RSh − I S 1 RSh − I S 2 RSh

A(V ) = Exp[ ]
uT
Après plusieurs tentatives de simulations représentées dans les figures III.20-III.23.

on a remarqué, que pour n 1 =1, n 2 = 1.4, la courbe fitée est plus proche de la courbe
expérimentale.
0,0020
Expérimentale
0,0015 Simulation
0,0010
I (A)
0,0005
0,0000
-0,0005
-0,0010
-0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2

V(V)
Figure III.20 Les effets de facteurs d’idéalité sur la caractéristique I-V (n 1 =1, n2 = 1.9)
78
0,0020
EXpérimentale
Simulation
0,0015
0,0010
I (A)
0,0005
0,0000
-0,0005
-0,0010
-0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

V (V)
Figure III.21 Les effets de facteurs d’idéalité sur la caractéristique I-V (n 1 =1, n2 = 1.2)
0,0020
Expérimentale
Simulation
0,0015
0,0010
I (A)
0,0005
0,0000
-0,0005
-0,0010
-0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

V (V)
Figure III.22 Les effets de facteurs d’idéalité sur la caractéristique I-V (n 1 =1.4, n2 = 1)
0,0020
experimentale
0,0015 simulation
0,0010
I (A)
0,0005
0,0000
-0,0005
-0,0010
-0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2

V (V)
Figure III.23Les effets de facteurs d’idéalité sur la caractéristique I-V (n 1 =2,

n2 = 1.7)
79
D’après l’étude de variation de facteur d’idéalité n sur la caractérisation courant –

tension I-V d’une cellule solaire organique de type (TCO/Au/CuPc/C60/Alq3/Al) a
figures III.20-III.23, on a remarqué, pour n 2 =1et n 1 =1.4,la courbe de caractérisation
courant-tension I-V, est plus proche de la courbe expérimentale. Figure III.22.
V.2. Effet de La résistance série R s dans le modèle à deux diodes
Dans le modèle à deux diodes nous remarquons aussi que la résistance serie R s
influe de la même façon sur la caractéristique courant-tension I-V pour le modèle à
une diode. La résistance série R s agit sur la pente de la courbe de caractérisation
courant-tension d’une cellule solaire.
0,0020
RS=130Ω
RS=60Ω
0,0015 Rs=1OOΩ
Rs=200Ω
0,0010
I (A)
0,0005
0,0000
-0,0005
-0,0010
-0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
V (V)
Figure III.24 l’influence de résistance série R s sur la caractéristique I(V) de modèle à deux diodes.
L’étude des effets de la résistance série R s sur la caractéristique courant-tension

dans le modèle à deux diodes est présenté dans la figure III.24. A partir de ce résultat
on remarque Rs=60 Ω est confondu avec la courbe expérimentale.
80
VI.3. Résultat de simulation de deux diodes en parallèles
Le résultat expérimental et la simulation du modèle à deux diodes sont représentés

sur la figure (III.25). Nous remarquons un très bon accord entre la caractérisation
expérimentale et celle simulé où le facteur d’idéalité n est de l’ordre (n 2 = 1.4, n 1 =
1.9) pour modèle à deux diodes.
0,0020
Expérimentale
Simulation
0,0015
0,0010
Modèle à deux diodes
0,0005
I(A)
0,0000
-0,0005
-0,0010
-0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

V (V)
Figure III.25 résultat de simulation de modèle à deux diodes
81
VII. Comparaison entre le modèle à une diode et le modèle à deux diodes
0,0020 0,0020
Expérimentale Expérimentale
Simulation Simulation
0,0015 0,0015
0,0010 0,0010
Modèle à deux diodes
0,0005
Modèle à une diode
I (A)
I(A)
0,0005
0,0000 0,0000
-0,0005 -0,0005
-0,0010 -0,0010
-0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
V (V) V (V)
Figure III.26 Comparaison entre deux modèles a gauche (modèle deux diodes) à droite modèle à une
diode
La comparaison entre les deux modèles présenté précédemment et illustré dans

la figure III.26, nous a permis de trouver des résultats proche des valeurs de la
théorie ; le tableau III-1 regroupe les valeurs trouvé par les deux modèles.
Paramètres Facteur Résistance Résistance Courant de Photocourant

électriques d’idéalité série shunt saturation(Ampère) (Ampère)
(sans (ohm) (ohm)
unite)
Modèle à une 2 159 88.000 1*10-7 8.29*10-4
diode
Modèle à deux n 1 = 1.9 60 20000 I s1 =3*10-6 8.29*10-4
diodes n 2 = 1.4 I s2 =2.5*10-6
Tableau III.1 Comparaison entre les deux modèles
82
VIII.CONCLUSION
Le modèle à deux diodes de la caractéristique courant-tension I-V de la cellule solaire

organique de type (TCO/Au/CuPc/C60/Alq3) est le modèle le plus adapté pour corriger
le facteur d’idéalité n. Avec le modèle à une seule diode ou on a trouvé n=2 qui
traduit un seul mécanisme de transport (le cas de génération), tandis que le deuxième
modèle à deux diodes on a trouvé (n 1 =1.9, et n 2 =1.4) réalise les deux mécanismes de
transport à savoir la diffusion et la recombinaison.
83
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thèse de magister, université USTO, Oran, 2008.
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model parameters of solar cells from the explicit analytic solutions of their
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électriques et détermination des paramètres de la caractéristiques I-V d’un
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396, 2005.
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2009.
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Mentouri Constantine, 2009.
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Congress, Montréal, Aout 2002.
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Application au générateur photovoltaïque’, thèse de doctorat, France, Ecole
centrale de Lile , Décembre 2004.
85
CONCLUSION GENERALE
CONCLUSION GENERALE
L‘objectif de ce travail de recherche, est d’étudier les effets des paramètres

électriques sur la caractéristique I(V) des cellules solaires organiques de type
(TCO /Au/CuPc/C 60 /Alq3). Deux modèles ont été utilisés pour faire la simulation.
A cet effet, nous avons utilisé des programmes de modélisations qui utilisent un
logiciel de calcul « Mathematica 5 », comme un outil de simulation.
La mesure de la caractéristique courant-tension de notre cellule, permet de voir

l’influence des paramètres électriques sur la courbe I(V), et voir aussi la technique de
correction de facteur d’idéalité n.
Le premier modèle utilisé se compose d’une seule diode en série avec une
résistance R s et en parallèle avec une résistance parallèle R sh . Avec ce modèle on
arrive à des valeurs de résistance série environ 159Ω et du facteur d’idéalité égale à
2. Ces valeurs seront corrigées avec le deuxième modèle qui propose une deuxième
diode en parallèle avec la première. En effet avec cette dernière simulation on arrive à
des valeurs satisfaisantes de R s et n.
En perspective on propose des mesures C(V) pour déterminer d’autres paramètres

électriques qui nous permettront de mieux comprendre le phénomène de conduction
des cellules solaires organiques.
86
Résumé
Dans ce travail on présente la modélisation électrique des couches organiques
d’une cellule solaire de type (TCO/Au/CuPc/C60/Alq3/Al), on utilise le programme
de Mathematica 5, pour simuler les deux modèles (une diode et deux diodes en
parallèle). Les résultats obtenus seront confrontés avec des données expérimentales la
caractérisation électrique I(V) a donné des paramètres tel que le facteur d’idéalité n, la
résistance parallèle Rsh, la résistance série Rs, le photocourant Iph, le courant de
saturation Is. Notre travail consiste à étudier l’effet de chaque paramètre de manière
indépendant sur la caractéristique courant-tension I(V) du notre cellule solaire
organique vu que l’étude initiale et d’extraire ces paramètres à partir des données I(V)
expérimentaux, et corriger la valeur de facteur d’idéalité n puis faire une comparaison
entre les deux modèles.

Le deuxième chapitre se compose de deux parties. La première partie introduit

les méthodes de fabrication des couches minces, dans la deuxième partie nous
décrivons les différentes méthodes de caractérisation structurales, optiques,
électriques.
Enfin dans le chapitre trois, c’est la partie la plus importante de notre travail,
on détaillera la caractéristiques I-V des cellules solaires de type
(TCO /Au/CuPc/C 60 /Alq3), on modélisera les courants pour les différents
Nous terminons par une conclusion qui résume le résultat de deux modèles de
circuit équivalent d’une cellule solaire organique.
Mots clé : Cellule solaire organique, Caractérisation électrique I(V), paramètres

électriques. Modèle à une diode, modèle à deux diodes.
Résumé
Dans ce travail on présente la modélisation électrique des couches organiques
d’une cellule solaire de type (TCO/Au/CuPc/C60/Alq3/Al), on utilise le programme
de Mathematica 5, pour simuler les deux modèles (une diode et deux diodes en
parallèle). Les résultats obtenus seront confrontés avec des données expérimentales la
caractérisation électrique I(V) a donné des paramètres tel que le facteur d’idéalité n, la
résistance parallèle Rsh, la résistance série Rs, le photocourant Iph, le courant de
saturation Is. Notre travail consiste à étudier l’effet de chaque paramètre de manière
indépendant sur la caractéristique courant-tension I(V) du notre cellule solaire
organique vu que l’étude initiale et d’extraire ces paramètres à partir des données I(V)
expérimentaux, et corriger la valeur de facteur d’idéalité n puis faire une comparaison
entre les deux modèles.

Le deuxième chapitre se compose de deux parties. La première partie introduit

les méthodes de fabrication des couches minces, dans la deuxième partie nous
décrivons les différentes méthodes de caractérisation structurales, optiques,
électriques.
Enfin dans le chapitre trois, c’est la partie la plus importante de notre travail,
on détaillera la caractéristiques I-V des cellules solaires de type
(TCO /Au/CuPc/C60/Alq3), on modélisera les courants pour les différents
Nous terminons par une conclusion qui résume le résultat de deux modèles de
circuit équivalent d’une cellule solaire organique.
Mots clé :
Cellule solaire organique; Caractérisation électrique I(V); Paramètres électriques;

Facteur d’idéalité n; Résistance série Rs; Résistance parallèle Rsh; Courant de
saturation Is; Photocourant Iph; Modèle à une diode; Modèle à deux diodes.

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Intitulé

Modélisation et caractérisation électrique des

A.Khelil Professeur (université d’Oran) Président

K.Benchouk Professeur (université d’Oran) Rapporteur

B.Kouskoussa Maitre des conférences A (université d’Oran) Co-Rapporteur

K.Driss Khodja Professeur (université d’Oran) Examinateur

T.Abachi Maitre des conférences A (L'ENS Kouba ALger) Examinateur

Je dédie ce modeste travail

Tout d’abord, merci pour le grand dieu qui ma donné le courage, la

Ce travail a été réalisé au sein du laboratoire de physique des couches

Je tiens tout d’abord à remercier vivement monsieur K.Benchouk le

Je remercie également mon Co-encadreur monsieur B.Kouskoussa,

Je remercie très sincèrement monsieur A.Khelil professeur à l’université

Mes remerciements les plus sincères sont également adressés à Monsieur

LISTE DES FIGURES

Figure I.2: Formes résonnantes d’un système conjugué

Figure I.3: Diagramme de l’orbital moléculaire π. Evolution du diagramme des bandes en

Figure I.4: χ l’affinité

Figure I.5: Analogie Inorganique/Organique.

Figure I.6: Distribution spectrale du spectre solaire.

Figure I.7: Principe de fonctionnement d’une cellule solaire.

Figure I.8: Cellule solaire à base de Si monocristallin.

Figure I.9: Cellule solaire à base de Si polycristallin.

Figure I.10: Cellule solaire à base de Si amorphe (a-Si)

Figure I.11: Absorption de la lumière et création d’excitons.

Figure I.12: Diffusion des excitons à l’interface donneur-accepteur.

Figure I.13: Transfert de charge à l’interface donneur-accepteur(gauche) et condition de

Figure I.14: Transport de charge dans les couches actives.

Figure I.15: Collection des charges aux électrodes.

Figure I.18: Structure d’une cellule solaire organique à hétérojonction en volume.

Figure II.1: L’ensemble d’évaporation sous vide

Figure II.2: Principe d’une installation de dépôt par pulvérisation.

Figure II.3: Schéma illustratif du dépôt par spin coating.

Figure II.4: Etapes de la technique spin coating.

Figure II.5: Schéma de diffraction de Bragg.

Figure II.6: Photo d’un diffractogramme.

Figure II.7: Photo de La microscopie électronique à balayage (MEB).

Figure II.8 : Principe du microscope électronique à balayage.

Figure II.9: Représentation schématique de l'interaction entre un faisceau d'électrons et la

Figure II.11: Principe de l’ellipsométrie.

Figure II.12: Schéma de principe d’un ellipsométrie.

Figure II.13: Ellipsomètre dans un laboratoire du LAAS à Toulouse.

Figure II.14: Représentation schématique de l’effet Hall dans un barreau semiconducteur.

Figure II.16: schéma simplifié de la caractéristique I-V

Figure. II.17: Simulateur solaire

Figure II.18: schéma simplifié de la caractéristique C-V

Figure III.1 :Schéma électrique d’une diode réelle.

Figure III.4 : caractéristique I-V sous éclairement

Figure III.6: cellule solaire organique de type (TCO/Au/CuPc/C60/Alq3).

Figure III.7: Caractéristique I-V de la cellule solaire organique de type

Figure III.8: l’influence de facteur d’idéalité n sur la caractéristique I(V)

Figure III.9: la variation de courant I en fonction de facteur d’idéalité n

Figure III.10: l’influence de résistance série R s sur la caractéristique I(V)

Figure III.11: la variation de courant I en fonction de résistance série Rs

Figure III.12: l’influence de résistance parallèle R sh sur la caractéristique I(V)

Figure III.13: la variation de courant I en fonction de résistance parallèle R sh

Figure III.14: l’influence courant de saturation I s sur la caractéristique I(V)

Figure III.15: la variation de courant I en fonction de courant de saturation Is

Figure III.16: l’influence de photocourant Iph sur la caractéristique I(V).

Figure III.17: la variation de courant I en fonction de photocourant Iph .

Figure III.18: Résultat de simulation de modèle à une diode

Figure III.19: Schéma équivalent de Modèle à deux diodes.

Figure III.25: résultat de simulation de modèle à deux diodes.

Chapitre I : cellules photovoltaïques organiques