Cmonat

- Introduction -
- Introduction 1. Des interconnexions optiques en microlectronique

Lvolution de la microlectronique Silicium suit, depuis de nombreuses annes, la loi de Moore : tous les 3 ans, les dimensions minimales des circuits sont rduites de 30% tandis que leurs performances doublent tous les 18 mois. A lhorizon 2005, des circuits intgrs de dimensions infrieures 0.1 m sont attendus. Ils devraient comprendre plusieurs dizaines de millions de transistors et travailler des frquences dhorloge de plusieurs GHz. Cependant, cette course la miniaturisation, sans apporter de vritables modifications technologiques, ne saurait se prolonger linfini. Plusieurs limites sont dores et dj prvisibles. En particulier, les interconnexions lectriques (intra-puce ou inter-puce) devraient constituer bientt un obstacle important, entravant cette progression. Les limitations se posent en termes de bande passante, de consommation et de densit dintgration. En effet, laugmentation de la taille du circuit risque de gnrer des problmes de synchronisation dhorloge, dont le signal correspondant est actuellement vhicul par des pistes mtalliques. La longueur accrue de ces liaisons risque de provoquer des dphasages entre les signaux amens en diffrents points de la puce. Des contraintes dencombrement (lies au pas sparant les pistes mtalliques et au nombre important de broches de sortie) risquent galement de survenir, et dinduire une limitation de la frquence dutilisation (effet de capacits parasites entre pistes trop proches). Pour rpondre ces problmes de rapidit et de compacit, les interconnexions optiques intgres apparaissent comme une voie alternative possible aux interconnexions mtalliques classiques. Grce loptique, la transmission de linformation entre les blocs lmentaires dune mme puce, ou entre des puces diffrentes, pourrait tre libre des problmes dinterfrences parasites. Une augmentation de la bande passante est galement attendue par ce biais. La distribution dune horloge trs stable, distribue par voie optique aux diffrents blocs synchrones dun circuit intgr (intra-puce), est envisageable. Enfin, le dveloppement dune microphotonique intgre devrait contribuer linterfaage puces/ fibres optiques tout en rapprochant les technologies de la microlectronique et des tlcommunications. A lheure actuelle, les solutions les plus proches dun dveloppement industriel, sont fondes sur lhybridation de VCSELs et de photodtecteurs, communiquant en espace libre ou par
- Introduction -
fibres optiques 850 ou 980 nm. Cependant, ces techniques restent applicables uniquement aux connexions inter-puces et souffrent encore de consommations excessives. Les solutions sappuyant sur loptique guide sont susceptibles doffrir une intgration optimale de fonctions lectroniques, optolectroniques et photoniques compatibles avec les technologies CMOS actuelles et futures. Grce lutilisation de microguides en silicium sur SOI et de cristaux photoniques, une rduction dun facteur 100 1000 des dimensions des circuits photoniques actuels est vise. Les longueurs donde envisages actuellement sont 1,3 ou 1,55 m, choix guid par le critre de transparence dans le silicium et lexploitation du savoir-faire des tlcoms.
2. Un des premiers besoins : des microsources photoniques intgrables sur Si

Un tel projet ncessite, dans un premier temps, la conception de briques lmentaires compatibles avec loptique guide sur SOI : des photodtecteurs, filtres, composants passifs ou guides dondes intgrs [Grillet 03] et des microsources photoniques intgres. Ces sources lumineuses doivent rpondre un certain nombre de contraintes. En particulier, elles doivent tre trs compactes (dimensions micromtriques), montrer une faible consommation (seuil <1mW) et fonctionner des frquences leves suprieures au GHz. Un couplage avec dautres composants optiques, comme par exemple des microguides, ou de faon plus gnrale, une compatibilit avec loptique guide planaire, sont galement dsirs. Les lasers actuels ne rpondent pas ces spcifications. Cest la raison pour laquelle nous nous proposons de dvelopper au LEOM un composant rpondant au cahier des charges impos.
En ralit, lintrt li la ralisation de circuits intgrs photoniques (CIP) dpasse largement le cadre prsent des interconnexions optiques. Le dveloppement de CIPs reprsente galement un enjeu considrable vis vis de la mise au point de circuits tout optique, capables deffectuer une application donne entirement par voie optique (domaine des tlcoms, WDM). En dfinitive, lobjectif de ce travail de thse consiste fabriquer des metteurs laser bas seuil trs compacts, oprant autour de 1.5 m, et possdant les caractristiques requises cites plus haut. Pour les atteindre, nous avons retenu, au LEOM, deux concepts : celui des botes quantiques pour la gnration des photons et celui des cristaux photoniques pour assurer leur
- Introduction -
confinement. La mise au point de ces composants exploite diffrentes technologies accessibles au LEOM comme : la croissance pitaxiale auto-organise dlots tridimensionnels pour laborer des botes quantiques de semiconducteurs III-V de la filire InP, les procds de micro-nanotechnologie usuels pour fabriquer, sur des htrostructures III-V, des microsources optiques base de cristaux photoniques bidimensionnels. Le premier chapitre justifiera le choix de ces deux types dobjets pour raliser le microlaser faible seuil vis. Lide initiale assez schmatique consistait profiter dun double confinement des porteurs et des photons respectivement dans des botes quantiques et des botes photoniques. Dune part, lintrt li lutilisation de structures confinement quantique dans un laser sera discut. Au del des avantages des botes quantiques idales, qui les rendent attractives pour les applications lasers, les limitations des botes quantiques relles, fabriques exprimentalement, seront prcises. Dautre part, lintrt li la ralisation de cristaux photoniques bidimensionnels en gomtrie de guide donde sera explicit. Nous verrons comment cet outil gnrique permet daboutir la ralisation de CIPs. En particulier, des microsources lumineuses de faibles dimensions peuvent tre fabriques, avec une configuration planaire et compatible avec dautres types de fonctionnalits optiques. A lissue de ce chapitre, les concepts proposs seront donc introduits et leurs limitations poses comme point de dpart leur dveloppement exprimental dans les chapitres qui suivent. Le chapitre 2 dfinira de manire plus quantitative la notion de seuil laser, question centrale de ce travail, en particulier dans une microsource de faibles dimensions contenant des botes quantiques inhomognes. De plus, une petite excursion vers leffet Purcell sera effectue. Nous expliciterons comment ce phnomne peut tre ou non pertinent dans le cadre de la fabrication du microlaser faible seuil dsir. Nous aborderons cette occasion la niche dapplications accessible au couple bote quantique/ microcavit qui dpasse largement le seul objectif de ralisation dun microlaser bas seuil. Dans le chapitre 3, des structures cristaux photoniques 2D reports sur SiO2/ Si, seront sondes par pompage optique, en exploitant un matriau actif de type puits quantiques. Il sagit, en utilisant ce matriau plus mature, dimplmenter les proprits spcifiques aux cristaux photoniques (bande interdite photonique et bandes plates) pour produire des microsources laser faible seuil. Lobjectif reste en effet de valider laptitude des cristaux
- Introduction -
photoniques 2D en termes de performances laser. Ces tests seront succds dune analyse, inspire de la ralit exprimentale (chauffement, phnomnes non radiatifs), visant dgager les sources de pertes dans le microlaser fabriqu. Diffrents moyens daction pour tendre vers une rduction du seuil laser seront mis en vidence. Les composants seront galement pousss en limite de fonctionnement (temprature ambiante et excitation quasi continue) pour tester leur robustesse lchauffement. Ces tudes pralables sont destines prparer lincorporation du matriau actif plus innovant et attractif que sont les botes quantiques. Le chapitre 4 traitera de la fabrication dlots quantiques InAs/InP(001) par croissance pitaxiale auto-organise. Nous verrons comment optimiser les conditions de croissance pour aboutir une structure dlots quantiques montrant des caractristiques prometteuses pour les applications laser. Une attention particulire sera notamment prte la densit et luniformit des lots fabriqus. Le maintien de la photoluminescence de la structure en temprature sera galement sond tandis que le degr de confinement quantique des porteurs dans ces objets sera valu. Une procdure dencapsulation spcifique des nanostructures, et la ralisation dempilements achveront ce travail doptimisation, pour faire en sorte que les structures rsultantes montrent un gain suffisant pour tre intgres avec succs dans un laser. Enfin, le chapitre 5 montrera laboutissement de lassociation envisage, savoir les cristaux photoniques du chapitre 3 et les lots quantiques optimiss du chapitre 4. Les caractrisations prliminaires de ces structures seront effectues temprature ambiante, pour tenter de dmontrer une opration laser. Les performances des composants obtenus seront galement compares celles mises en vidence avec des puits quantiques. Enfin, ce travail reste le fruit de collaborations prcieuses dont les partenaires principaux sont : le GES de Montpellier (M. Le Vassor dYerville, D. Cassagne et J. P. Albert), concernant la modlisation des structures cristaux photoniques par la mthode des ondes planes, le CEA/ LETI (E. Jalaguier, S. Pocas et B. Aspar) pour les aspects report sur SiO2/ Si des htrostructures III-V, le LPM/ INSA de Lyon (B. Salem et G. Bremond) pour la caractrisation spectroscopique des botes quantiques. Il sinscrit galement dans le sillage de deux thses effectues au LEOM, sur lpitaxie de botes quantiques par croissance auto-organise [Brault 00-1] dune part, et sur la ralisation de cristaux photoniques bidimensionnels [Pottier 01] dautre part.
- Chapitre 1 VERS UN MICROLASER FAIBLE SEUIL

INTRODUCTION ............................................................................................................................................ 5 I.1 Un brin dhistoire ...................................................................................................................................... 5 I.2 La question cruciale du seuil laser ............................................................................................................ 7 II. LE MATRIAU ACTIF DU LASER : INTERT DES STRUCTURES CONFINEMENT QUANTIQUE.......................... 9 II.1 Botes quantiques idales : Avantage dune quantification lectronique ................................................. 9 II.1.1. Discrtisation des niveaux dnergie ........................................................................................... 9 II.1.2. Gain plus lev .......................................................................................................................... 10 II.1.3. Transparence et courant de seuil rduits.................................................................................... 11 II.1.4. Stabilit en temprature renforce ............................................................................................. 11 II.1.5. Gain diffrentiel lev et aptitude au fonctionnement hautes frquences.................................. 12 II.2 Botes quantiques relles : limitations et enjeux de fabrication ............................................................. 13 II.2.1. La taille...................................................................................................................................... 13 II.2.2. Uniformit et dispersion ............................................................................................................ 14 II.2.3. Densit....................................................................................................................................... 16 II.2.4. Dfauts....................................................................................................................................... 16 II.2.5. Conclusion................................................................................................................................. 16 II.3 Quelques performances des lasers dots de botes quantiques .............................................................. 17 II.3.1. Gain modal ................................................................................................................................ 17 II.3.2. Courant de seuil......................................................................................................................... 18 a. Amlioration de linjection des porteurs dans les botes quantiques ................................................. 18 b. Empilements...................................................................................................................................... 19 c. Courants de seuil obtenus exprimentalement................................................................................... 19 II.3.3. Stabilit thermique..................................................................................................................... 20 II.3.4. Conclusion................................................................................................................................. 22 III. LE RSONATEUR DU LASER : INTERET DES CRISTAUX PHOTONIQUES ..................................................... 23 III.1 Quantification photonique par effet de microcavit.............................................................................. 23 III.1.1. Effet de rsonance dans une cavit : slectivit et facteur de qualit ........................................ 23 III.1.2. Enjeux de fabrication................................................................................................................. 24 III.1.3. Piges lumire de dimensions sub-micromtriques ................................................................ 25 III.2 Les cristaux photoniques : une solution pertinente ............................................................................... 26 III.2.1. Structure de bandes des photons dans un cristal photonique ..................................................... 26 III.2.2. Cristaux photoniques 2D en gomtrie de guide donde ........................................................... 27 III.2.3. Application aux microsources ................................................................................................... 28 III.3 Problmatique des rsonateurs cristaux photoniques 2D .................................................................. 30 III.3.1. Linfluence de la troisime direction (verticale)........................................................................ 30 a. La ligne de lumire ............................................................................................................................ 30 b. Le potentiel de fuites verticales ......................................................................................................... 31 III.3.2. La configuration verticale.......................................................................................................... 32 a. Les pertes verticales effectives .......................................................................................................... 32 b. Lapproche membrane ou sur substrat............................................................................................... 32 III.3.3. Dfauts par rapport lidalit .................................................................................................. 33 III.4 Intgration photonique .......................................................................................................................... 34 IV. CONCLUSION .......................................................................................................................................... 36 I.
- Chapitre 1 - Vers un microlaser faible seuil
- Chapitre 1 Vers un microlaser faible seuil

I.
INTRODUCTION
I.1 Un brin dhisto ire
Peu aprs linvention du laser Rubis et du laser gaz Hlium-Non, leffet laser dans un semi-conducteur a t dmontr en 1962. Le composant tait form dune simple jonction PN GaAs, tandis que des surfaces polies perpendiculaires la jonction fermaient la cavit rsonante et jouaient le rle de miroirs. La densit de courant injecte slevait quelques 10 kA/cm2. Le concept de diode laser, qui sest par la suite dvelopp, a permis la ralisation de composants de faibles dimensions, avec un haut rendement radiatif, une faible consommation de puissance, et une mission lumineuse intense et cohrente. En quarante ans, la remarquable progression des lasers semi-conducteur reste fortement corrle laugmentation de la compacit et la baisse du seuil laser, permises par lvolution des structures et des technologies (Figure 1.1).
Figure 1.1- Evolution du seuil laser dans les diodes lasers III-V classiques. Source [Alferov 01]
En particulier, un bond fut fait dans les annes 70 avec la mise au point de la double htrostructure (DH). Elle repose sur un empilement de couches semi-conductrices dont lindice de rfraction n et la largeur de bande interdite Eg sont ajusts. De cette faon, la zone active constitue un puits de potentiel pour les porteurs (Egbarrires > EgZone Active), tandis que les couches barrires adjacentes forment un guide donde optique (nbarrires < nZone
Active).
Une
concentration simultane des porteurs et de la lumire dans la zone active centrale est ainsi obtenue (Figure 1.2). La densit de courant de seuil slevait environ 500 A/cm2, pour des couches actives de 0,1 m dpaisseur. Lutilisation des lasers semi-conducteur dans la transmission des donnes par fibre optique date de cette poque.
(a)
(b)
Figure 1.2- Structure schmatique dun laser double htrostructure (a) et reprsentation de la structure de bandes pour les porteurs ainsi que le confinement du mode optique (b). Source [Yariv 96]
En 1974, les laboratoires amricains Bell montrent le confinement quantique des porteurs dans une couche active de seulement 10 nm dpaisseur et construisent en 1979 le premier laser semi-conducteur utilisant ce phnomne. Lobservation des effets quantiques requiert une technologie produisant des couches fines cohrentes avec des interfaces sans dfauts. Ces conditions furent justement satisfaites par des techniques comme lpitaxie par jets molculaires. Lavnement des lasers puits quantiques (htrostructure confinement spar SCH) a ouvert le champ des applications grand public actuelles (CD-ROM, DVD, imprimante laser), ainsi que celui des tlcommunications optiques. Ces nouveaux composants devaient apporter en effet une amplification de la lumire plus leve, une densit de courant de seuil plus basse (moins de 100 A/cm2) et une stabilit en temprature nettement amliore. Lutilisation de multipuits quantiques a permis de rduire encore les courants de seuil jusqu 40-50 A/cm2. En rsum, les lasers semi-conducteur ont connu un saut dans leurs performances grce au confinement accru des porteurs de charge et des photons dans le composant. Pousse lextrme, cette ide suggre de combiner des microcavits optiques et des botes quantiques, qui offrent un degr ultime de confinement, respectivement pour les photons et les porteurs. Ce concept devrait aboutir au dveloppement de microlasers trs compacts qui rejoignent les besoins de loptolectronique, voqus dans lintroduction.
I.2 La question cruciale du seuil laser

Un laser requiert fondamentalement deux lments (cf. Figure 1.3) : un matriau actif, ou amplificateur de photons : dans le cas de lasers semi-conducteur, le matriau gap direct est le sige de recombinaisons radiatives de paires lectron-trou, donnant lieu une mission de photons sur une certaine gamme dnergie contrle par la largeur de sa bande interdite. un rsonateur permettant le recyclage des photons : combinaison simple de deux miroirs, ou structure rsonnante plus complexe contenant le matriau actif prcdent, il pige la lumire dans lespace. Les photons mis se trouvent ainsi amplifis au cours de leurs multiples trajets aller-retour dans la structure laser selon certains modes optiques spcifiques. Une partie de ces photons est perdue hors de la structure via les miroirs et rcupre en sortie : cest le faisceau laser.
Rtroaction (amplification) Matriau actif (mission)
Figure 1.3- Reprsentation schmatique dun laser avec ses principaux constituants.
Pertes de photons hors cavit
Source dnergie externe
Lorsquun tel systme est port hors quilibre par une source dnergie externe (optique ou lectrique), il peut conduire des oscillations laser au del dun certain taux de pompage : le seuil laser. Sa dfinition et son expression seront explicites dans le chapitre 2. La question centrale de cette tude concerne ce paramtre cl du composant laser. Le seuil laser, directement responsable de la consommation du composant, constitue en effet une limitation importante en termes dintgration dans un circuit intgr photonique. Pour diminuer le seuil laser, il apparat plusieurs leviers au niveau des deux lments du laser.
q
Le matriau actif
Il sagit daugmenter son gain et son rendement radiatif afin quil mette davantage de photons pour un taux de pompe donn, une nergie fixe. La nature du matriau, notamment sa dimensionalit (existence dun confinement quantique dans une, deux ou trois directions),
et sa composition chimique (alliage ou contrainte ventuels, filire utilise), sont autant de paramtres qui peuvent modifier lefficacit dmission.
q
Le rsonateur
Il sagit daugmenter la dure de vie des photons dans la structure laser pour renforcer lefficacit du phnomne damplification photonique. Les pertes lumineuses hors de la structure, contrles par la qualit des miroirs qui cernent les photons, sont dterminantes. Par ailleurs, la taille du composant constitue en elle-mme un levier de labaissement du seuil, en plus de son intrt vident en termes de compacit du laser. En effet, le volume du laser est directement corrl la quantit de matriau actif inverser, ainsi qu la densit de modes. Un microlaser permettra donc, par rapport son homologue macroscopique, dune part de diminuer la contribution du seuil lie la transparence1, et dautre part de limiter les modes concurrents au mode laser.
Lobjet de ce chapitre est de montrer que les structures confinement quantique (puits, fils et botes quantiques) dune part, et les microcavits base de cristaux photoniques dautre part, peuvent tre utilises bon escient dans un laser, en remplissant les conditions dsires de compacit et de faible seuil. Elles peuvent respectivement assurer le rle de zone active (ZA) et de rsonateur, en tirant partie dun contrle spectral et spatial des porteurs et des photons. Ce premier chapitre mettra en vidence les particularits des structures quantiques en tant que matriau actif dun laser. Si ses qualits et sa matrise de fabrication continuent de faire du puits quantique (PQ) le matriau actif le plus rpandu dans les lasers semi-conducteurs, nous verrons quels atouts supplmentaires les botes quantiques (BQ) sont susceptibles doffrir. Jinsisterai nanmoins sur les limitations des BQ, ralisables par les moyens usuels de fabrication, qui rduisent, dans la pratique, leurs potentialits laser . Par ailleurs, lintrt li la ralisation de rsonateurs de dimensions micromtriques sera discut. En particulier, les structures cristaux photoniques bidimensionnels (CP 2D) planaires feront lobjet dun dveloppement dtaill. Le choix du rsonateur a des implications sur lintgrabilit du composant dans un circuit optique global. Ainsi, une configuration en mission planaire peut faciliter le couplage avec dautres composants dune mme puce. Nous verrons que les microsources CP 2D permettent justement de rpondre aux contraintes de loptique intgre, en remplissant les critres de compacit et dintgration. Les limitations de ces objets, lorigine de pertes optiques intrinsques, seront galement abordes.
1
La transparence est dfinie par le nombre de porteurs injecter dans le matriau afin quil soit amplificateur au lieu dtre absorbant (cf. section II.1.3)
II.
LE MATERIAU ACTIF DU LASER : INTERET DES STRUCTURES

A CONFINEMENT QUANTIQUE
II.1 Botes quantiques id ales : Avantage dune quantification lectronique

La modification de la densit dtat des porteurs dans les structures de basse dimensionalit constitue le fondement des performances des dispositifs micro et optolectroniques qui utilisent ces objets. Dans un composant laser, lallure de la densit dtats se rpercute en effet sur certaines caractristiques comme le gain du matriau, le courant de seuil et la stabilit thermique. Les amliorations obtenues avec un matriau de type PQ sont exacerbes dans le cas de BQ. II.1.1. Discrtisation des niveaux dnergie La haute densit datomes dans les semi-conducteurs est double tranchant. Dune part, elle permet lobtention de flux de porteurs levs travers le cristal qui profitent lefficacit des composants optolectroniques fabriqus. Dautre part, ces atomes trs proches sont soumis des interactions trs fortes lorigine dune structure de bandes lectronique. Les porteurs restent libres doccuper des tats pour des valeurs continues dnergie et dimpulsion [figure 1.4(a)].
(a)
(b)
(c)
(d)
Figure 1.4- Evolution de la densit dtats N(E) des porteurs en fonction de lnergie E avec la rduction du nombre de degrs de libert des porteurs : reprsentation des densits dtats associes respectivement un matriau massif (a), un puits quantique (b), un fil quantique (c) et une bote quantique (d). Source [Ledentsov 00]
Au contraire, dans les htrostructures de taille quantique (typiquement 10nm [Bimberg 99]), les porteurs, confins dans une rgion de lespace limite, voient leurs nergies accessibles quantifies. Le modle le plus simple de confinement (1D) est le puits quantique (PQ), rsultant de linsertion dune fine couche de semi-conducteur dans un matriau semiconducteur gap plus large. Les porteurs sont confins dans la zone plus petit gap. Leurs composantes d'nergie, associes la direction de confinement (perpendiculaire au plan des
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couches), sont discrtises. De plus, la position du premier niveau est dtermine par lpaisseur du PQ. Cette quantification reste cependant unidirectionnelle, et le porteur, libre de se dplacer dans le plan, a toujours accs une gamme dnergie, globalement continue [figure 1.4(b)]. Le degr ultime de la quantification est la localisation des porteurs dans les trois directions de lespace, via, par exemple, linclusion de petites rgions de semi-conducteurs entoures dun matriau gap plus large. Marquant une vritable rupture avec le modle classique de distribution continue de lnergie, ce genre datomes artificiels prsente idalement des niveaux dnergie discrets [figure 1.4(d)]. II.1.2. Gain plus lev Asada prdit en 1986 leffet du changement de la densit dtats sur le gain [Asada 86]. Le spectre de gain thorique est limage de la densit dtats, plus ou moins disperse, offerte aux porteurs. Une diminution de la dimensionalit du matriau (matriau massif puits quantique fils quantiques botes quantiques) conduit un profil de gain 300K plus troit et plus piqu, prsentant un maximum suprieur pour une densit de porteurs suffisante (Figure 1.5).
(e)
(a)
(b)
(c)
(d)
Figure 1.5- Remplissage de la structure de bandes lectronique (zone hachure) 300K dun matriau massif (a), dun puits quantique (b), dun fil quantique (c) et dune bote quantique (d). Les densits dtats associes sont superposes en traits pointills. Source [Frechengues 98]. Gains matriau correspondants calculs pour une densit de porteurs excits de 3.10 18 cm-3 (e) daprs [Asada 86].
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Le gain matriau maximum associ une population de BQ identiques dInGaAs/ InP2 est estim aux environs de 10 000/cm, soit presque 15 et 10 fois suprieur au gain respectivement dun matriau massif et dun PQ, 300K [cf. figure 1.5(e)].
II.1.3. Transparence et courant de seuil rduits Dans un semi-conducteur, la condition de transparence est atteinte, pour une nergie E, lorsque la population de paires lectron-trou mis en jeu dans cette transition E est inverse. Cela signifie que la probabilit pour les lectrons doccuper, dans la bande de conduction, la position haute de la transition devient gale celle doccuper la position basse de la transition, en bande de valence : labsorption et lmission stimule, issues des diverses recombinaisons de ces porteurs, se compensent exactement. Une telle situation est dcrite quantitativement par une sparation entre les quasi niveaux de Fermi gale lnergie de la transition photonique. Les BQ sont plus faciles inverser que les PQ et a fortiori quun matriau massif pour deux raisons : une densit dtats plus faible et discrtise. En effet, dune part, dans un matriau faible densit dtats3, les porteurs injects sont rpartis plus rapidement sur des tats hauts en nergie. Les quasi niveaux de Fermi traduisant le niveau de remplissage dans les bandes se sparent donc pour un taux de pompage plus faible. Dautre part, lorsque la densit dtats est continue, latteinte de la transparence une nergie E oblige peupler des niveaux voisins, ce qui repousse laccs la transparence. Puisque la transparence est souvent une contribution importante du seuil laser, la rduire conduit gnralement un abaissement du courant de seuil. Des lasers BQ courants de seuils trs faibles (<10A/cm2) sont prdits thoriquement [Bimberg 99]. II.1.4. Stabilit en temprature renforce La stabilit en temprature des proprits des structures quantiques a deux origines distinctes, produites par le confinement : la sparation des niveaux dnergie dune part, et la localisation spatiale des porteurs dautre part.
Les BQ identiques ont une densit gale 2,5.1011/cm2, avec une forme cubique de ct 10 nm et un largissement homogne estim 6 meV (temprature ambiante). 3 Mme sils sont distribus de faon continue, il existe une certaine dilution des tats via la courbure de bande. Ainsi, pour un puits quantique, la densit dtat, proportionnelle la masse effective des porteurs, affecte directement la condition dinversion de population. Les seuils laser sont naturellement plus faibles dans les systmes o la courbure de bandes est plus accentue.
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La continuit des tats dnergie dun laser semi-conducteur rend ses caractristiques, notamment son courant de seuil, trs sensibles la temprature. Puisque les porteurs ont accs un continuum dtats, leur distribution parmi ces tats peut changer facilement sous leffet, entre autres, des interactions avec les phonons (vibrations du rseau dorigine thermique). Pour un laser BQ, au contraire, la sparation large entre les niveaux dnergie discrets devrait garantir une certaine indpendance thermique.
Dans un matriau massif, lorsque la temprature est augmente, les porteurs acquirent une nergie qui les rend fortement mobiles et augmente la probabilit quils rencontrent des centres de recombinaison non radiative (RNR) comme des dfauts structuraux. Ces pertes de porteurs, dans une structure laser, induisent une augmentation du courant de seuil. Pour un PQ, leffet est partiellement rduit puisque la mobilit des porteurs est limite des dplacements latraux dans le plan4. Les BQ, lextrme, se comportent idalement comme des piges porteurs, localisant latralement les charges. Elles devraient donc procurer une relative immunit aux phnomnes non radiatifs parasites et par consquent, une stabilit accrue du seuil vis vis de la temprature. II.1.5. Gain diffrentiel lev et aptitude au fonctionnement hautes frquences
Pour la commutation des donnes optiques, des vitesses de transmission et de traitement des donnes leves sont souhaitables, avec des frquences de lordre du Ghz. La bande passante de modulation dun laser semi-conducteur est proportionnelle, en premire approximation, la racine carre du gain diffrentiel [Yariv 96]. Ce paramtre du laser dcrit lefficacit avec laquelle le composant voit son gain augmenter avec le nombre de porteurs injects. Dans un PQ transparent, les paires lectron-trou supplmentaires se rpartissent dans les bandes, en diluant le gain sur une gamme dnergie kT, au lieu de participer directement au gain du mode laser. Au contraire, toutes les paires lectron-trou supplmentaires apportes dans les BQ viennent gonfler les effectifs des seuls niveaux discrets accessibles, contribuant un renforcement du gain associ. Un laser BQ devrait donc montrer un gain diffrentiel suprieur aux analogues PQ, conduisant des frquences de modulations accessibles plus tendues. Ainsi, une bande de modulation suprieure 200 GHz a t prdite par Nakayama et Arakawa [Nakayama 96]. Par ailleurs, la forme non symtrique de la courbe de gain des matriaux semi-conducteur, et plus prcisment la variation de lnergie correspondant au maximum de cette courbe avec la
4
A basse temprature, les fluctuations de compositions ou dpaisseurs du puits suffisent localiser les porteurs.
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densit de porteurs N, engendre un largissement de la raie laser [Rosencher 98]. Le facteur daugmentation de largeur de raie est dfini, en fonction des indices rel (nR) et imaginaire n R (nIm) du matriau, par : = nIm N . Lindice rel est proportionnel la drive du N
coefficient dabsorption (relations de Kramers-Kronig). La courbe de gain, associe au niveau fondamental de BQ idales est symtrique par rapport son maximum et cette allure est conserve quelle que soit la densit de porteurs N. Il devrait donc sensuivre une variation nulle de lindice rel au niveau de ce pic. De ce fait, le facteur daugmentation de la largeur de raie devrait tre rduit5 [Ledentsov 97]. Pour les mmes raisons, les lasers BQ devraient galement bnficier dun chirp6 limit en application haute frquence. Ainsi, Saito et coll. ont observ, dans un laser BQ, une rduction dun ordre de grandeur du chirp, par rapport la valeur (0.2 nm) typique, mesure dans les lasers PQ, une frquence de modulation de ~1 GHz [Saito 00].
II.2 Botes quantiques re lles : limitations et enjeux de fabrication

Toutes ces prdictions ont aiguis lintrt de la communaut scientifique pour les BQ. Elles concernent cependant des objets idaux dont la perfection reste inaccessible aux technologies de fabrication usuelles. Le profit effectivement tir des BQ est donc conditionn par la capacit technologique produire des nanostructures suffisamment proches des
nanostructures idales. Les paragraphes qui suivent donnent un aperu des limitations des BQ relles (obtenues par exemple par croissance auto-organise) et de la rigueur de fabrication dsirable pour que les objets raliss montrent lessentiel des atouts voqus plus haut. II.2.1. La taille Lexistence de quantification dans les BQ exige certaines caractristiques de taille [Bimberg 99]. En effet, la dimension des objets quantiques joue directement sur la configuration des niveaux nergtiques dans la structure quantique (figure 1.6). La dimension la plus faible
En ralit, la contribution des niveaux excits peut causer une dissymtrie de la courbe de gain. Llargissement frquentiel produit reste cependant limit par rapport aux lasers puits quantiques [Ledentsov 97]. 6 Ce paramtre dfinit llargissement frquentiel, indsirable, de la raie laser lorsque le composant fonctionne avec un courant dexcitation modul.
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contrle essentiellement la position du premier niveau, tandis que la plus grande agit davantage sur lcart entre les niveaux dnergie.
Ec
E1 Eph1
Ec
E2<E1 Eph2< Eph1
Ev Botes de ct L1
Ev Botes de ct L2>L1
Figure 1.6- Influence de la taille des botes quantiques sur les positions des niveaux d'nergie (dans une direction). Lnergie associe la transition fondamentale est galement reprsente.
La limite infrieure de la taille de ces botes garantit la prsence dau moins un niveau lectronique dans la structure quantique7. Il existe galement une limite suprieure la taille de ces BQ produisant une sparation entre les niveaux dnergie comparable lnergie thermique (kT), pour saffranchir du peuplement indsirable des niveaux suprieurs induite par la temprature. A titre dexemple, dans le systme InAs/AlGaAs/GaAs, la taille des BQ doit tre comprise entre 4 nm et 12 nm 300K [Bimberg 99].
II.2.2. Uniformit et dispersion Tous les proprits structurales des lots fabriqus (en particulier par croissance autoorganise), comme la taille, la forme et la composition chimique sont victimes de fluctuations. Parmi eux, la distribution en taille des BQ reste sans doute un des obstacles principaux aux applications laser des BQ. Puisque les dimensions des BQ contrlent lnergie des porteurs quelles accueillent, limpact principal de la dispersion en taille est une dispersion en nergie (gaussienne). La densit dtats, troite pour une seule BQ8, slargit pour une population de BQ (largissement inhomogne) de faon plus ou moins accentue selon lampleur des inhomognits (figure 1.7). Parmi lensemble des BQ, seules celles qui sont accordes spectralement avec le mode
Cette taille critique Dmin est dfinie par lgalit entre loffset de bande de conduction Ec et la valeur
2
2 approximative du premier niveau prsent dans la bote : Ec * = h
2m e *
1 D min
. [Bimberg 99]
2
En ralit, il existe une largeur homogne individuelle pour chaque BQ mais qui reste faible en comparaison de llargissement inhomogne des collections de BQ souvent fabriques (cf chapitre 2, section IV.3.3).
15
laser sont rellement susceptibles dalimenter lmission dans ce mode. Le gain mis en jeu pour lmission laser se trouve donc affaibli par un nombre dmetteurs effectifs rduit.
Systme idal sans inhomognit Figure 1.7- Effet de la distribution en taille des botes quantiques sur la densit dtats globale dune population de botes quantiques. Systme rel
J. M. Grard a estim, par un calcul approximatif, la dispersion en taille autorise pour quune population de BQ puisse tre exploite avec succs dans un laser [Grard 95]. Il dfinit le critre duniformit requis pour quun ensemble de BQ soit en mesure de concurrencer un PQ. Soit BQ la largeur inhomogne dun systme rel de BQ. Dune part, les BQ exhiberont un gain diffrentiel dg/dn plus lev quun PQ condition que BQ<kT. Cette condition garantit une concentration de porteurs injects sur une gamme dnergie plus troite pour une population de BQ (caus par llargissement inhomogne) que pour un PQ (caus par llargissement dorigine thermique). Ce critre conduit une limitation de la fluctuation en taille des BQ gale 15% temprature ambiante. Dautre part, si lon considre une structure SCH miroirs clivs, leffet laser est atteint pour un gain modal de lordre de grandeur du gain modal satur dun PQ. Ce critre impose une nouvelle limite pour la dispersion en taille des BQ, gale

, o dsigne le taux de
couverture surfacique de la population de BQ. La dispersion en taille doit donc tre infrieure 5%, pour quun plan de BQ, avec un taux de couverture de lordre de 25%, procure un effet laser dans la structure SCH considre. Les meilleures valeurs de largeur mi-hauteur (LMH) du spectre de photoluminescence basse temprature (qui refltent BQ ) reportes sont de lordre de 20-25 meV [Grard 99-1 ; Nishi 99]. Cette largeur est reprsentative de fluctuations dun ensemble de BQ InAs/GaAs de 10 nm, de lordre de 1 nm (10%).
16
Enfin, mme pour un composant exploitant une BQ unique, une certaine uniformit des caractristiques des BQ est ncessaire pour garantir la reproductibilit des performances du composant.
II.2.3. Densit La densit peut compenser partiellement le problme soulev dun manque duniformit des BQ. Une augmentation de la densit peut en effet combler, dans une certaine mesure, une pnurie dmetteurs une nergie donne. Cet effet illustre linterdpendance des deux paramtres9. De plus, la densit de BQ, fortement lie au taux de couverture des BQ dans le plan, conditionne le recouvrement spatial du mode optique avec la zone active, i.e. le facteur de confinement optique . Plus que le gain matriau, cest le gain modal (gain matriau modul par le facteur ) qui dtermine le courant de seuil. Ce paramtre de confinement optique est de lordre du rapport du volume total de la zone active sur le volume total du guide donde optique. Une zone active de faibles dimensions, comme par exemple un ensemble de BQ en faible densit, est donc dsavantage, de ce point de vue, par rapport une couche paisse de matriau massif. II.2.4. Dfauts Parmi les obstacles lmission de lumire dans un semi-conducteur, les impurets et dfauts cristallins sont susceptibles de piger les porteurs et entraner leur recombinaison non radiative. Si les BQ permettent effectivement de limiter la diffusion des porteurs vers les dfauts dans le volume, les piges recombinants prsents linterface entre les BQ et les barrires doivent tre rduits. Il sagit donc de fabriquer des BQ dnues de dfauts structuraux avec des interfaces de bonne qualit, de faon renforcer le rendement radiatif.
II.2.5. Conclusion En dfinitive, lutilisation comme milieu amplificateur dhtrostructures puits ou botes quantiques dans un laser montre plusieurs avantages potentiels.
Toutefois, comme on le verra par la suite, dans le chapitre 2, lapport de bras inutiles nest pas neutre par rapport au seuil. Une densit de BQ leve ne compense donc pas de manire purement quivalente une forte dispersion en taille des BQ.
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Lajustement de la longueur donde dmission par le choix des dimensions
gomtriques (paisseur de PQ, hauteur de BQ) de la structure quantique. La rduction du seuil laser grce : une rduction de la densit dtats, facilitant laccs la transparence du matriau. une localisation spatiale des porteurs. La densit de porteurs, accumuls sur une
zone de faibles dimensions, est plus leve, et rduit donc galement le courant de transparence, tandis que le rendement radiatif est renforc par une sensibilit rduite aux RNR. Les BQ offrent thoriquement des avantages supplmentaires, comme un meilleur maintien en temprature, un courant de seuil encore plus faible ou un chirp rduit. Cependant, le couple (dispersion/ densit) dun plan de BQ conditionne considrablement les performances du composant laser BQ. Voyons quelles sont elles pratiquement.
II.3 Quelques performan ces des lasers dots de botes quantiques

La plupart des rsultats prsents ici sappuient sur des lasers ruban ou drivs, fabriqus partir de la filire mature GaAs. Certes, ces composants dots de BQ prsentent des atouts qui rejoignent les proprits avantageuses prdites thoriquement. Nanmoins, ils rencontrent certains cueils qui seront souligns dans les paragraphes suivants en mme temps que certaines solutions avances pour les surmonter. Les performances obtenues en termes de courant de seuil et stabilit thermique seront galement explicites. II.3.1. Gain modal Le gain modal maximum dun plan de BQ reste limit dans la pratique par diffrents facteurs. Tout dabord, la faible densit dtats du niveau fondamental, mise en avant comme le point cl des BQ, limite en contrepartie le gain optique accessible. A contrario, une transition sur un niveau excit, possdant un degr de dgnrescence suprieur, prsente un gain maximum plus lev. Ensuite, la forme pyramidale des BQ InAs/GaAs limite le recouvrement des fonctions donde des lectrons et des trous, affaiblissant la force doscillateur associe (surtout pour de petites BQ) [Asryan 01-1]. Si la rduction de ce paramtre allonge la dure de vie radiative rduisant avantageusement le courant de transparence, le gain maximum accessible pour le niveau fondamental sen trouve galement affaibli. Le taux de couverture partiel des BQ dans le plan, dj voqu, engendre un facteur de confinement optique, fonction de la densit de BQ, souvent faible, estim quelques 10-3 [Hatori 00 ; Ustinov 98-
18
1]. Ce facteur rduit fortement le gain modal. La densit de BQ dfinit le nombre dmetteurs total tandis que les fluctuations en taille dfinissent le nombre dmetteurs effectifs participant lamplification de lmission laser. Le gain optique diminue donc lorsque llargissement inhomogne des BQ augmente ou la densit (souvent infrieure 5.1010cm-2 pour le systme InAs/GaAs) diminue [Hatori 00]. Enfin, 300K, le gain modal sature une valeur gale 2030% de la grandeur accessible si les tats fondamentaux de toutes les BQ taient remplis [Matthews 02]. Les tats de la couche de mouillage et les niveaux suprieurs se remplissent avant que le niveau fondamental sature, rvlant un couplage temprature ambiante entre ces tats dnergie plus leve et ltat fondamental. Pour ces diffrentes raisons, le potentiel de gain modal associ un plan de BQ est restreint. Cela explique la faible valeur mesure, mme la saturation, souvent infrieure 10 cm-1 [Hatori 00 ; Matthews 02], i.e. bien en de du gain modal dun PQ (~100 cm-1). II.3.2. Courant de seuil Au faible gain modal de ltat fondamental, sajoutent dautres points qui handicapent laccs leffet laser. Dabord, la capture effective des porteurs par les BQ est abaisse par rapport une ZA possdant un taux de couverture planaire de 100% ; ici encore, une faible densit de BQ est pnalisante. Ensuite, les porteurs hors de la ZA subissent des RNR dans les barrires de hauteur finie qui limitent lefficacit de recombinaison radiative. Ces deux phnomnes engendrent temprature ambiante un courant de fuite qui augmente fortement le seuil laser. Des amliorations ont t apportes aux composants lasers pour compenser ces difficults. En particulier, un effort a t port sur la qualit structurale des barrires [Sellin 01] et un confinement latral de la structure laser base doxyde daluminium est parfois exploit [Kim 99]. a. Amlioration de linjection des porteurs dans les botes quantiques Le plan de BQ peut tre assist par des PQ auxiliaires ajouts de part et dautre et spars du plan de BQ par une barrire tunnel. Ces structures ont montr un renforcement de la collecte des porteurs dans les BQ, injects par effet tunnel partir des PQ [Chung 01, Groom 02]. Des structures de type dots in the well (DWELL) ont galement t mises en uvre avec succs, en insrant directement les BQ dans un PQ. Une augmentation de lefficacit de capture des porteurs est observe, grce la relaxation rapide des charges du PQ vers les BQ [Liu 99]. De plus, lutilisation de PQ InGaAs contraints permet daugmenter la densit de BQ par rapport la croissance directe sur des matriaux accords en maille avec GaAs. Le facteur de confinement optique estim sen trouve sensiblement amlior (0.03) [Eliseev 00]. Ces
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structures ont donn accs, avec un seul plan de BQ, un effet laser en continu et temprature ambiante [Huang 00]. Cependant, mme pour ces structures, le gain modal reste modeste, de lordre de 9-10 cm-1 [Lester 99] voire 7 cm-1 [Huang 00].
b. Empilements Le faible gain modal du niveau fondamental des BQ limite en pratique la dmonstration dun effet laser des structures dont les pertes optiques sont trs faibles et la quantit de BQ importante (cavits longues de plusieurs millimtres, miroirs de trs haute rflectivit) [Liu 99, Lester 99, cf. Annexe 1]. Pour une temprature leve et/ ou une longueur effective de cavit courte, la saturation du gain optique de la transition fondamentale conduit un saut de mode : leffet laser est port par une transition excite, et le seuil laser sen trouve augment [Eliseev 00, Fafard 99]. En effet, une lvation du taux de pertes requiert un gain plus fort pour soutenir leffet laser, que seuls les niveaux suprieurs sont capables de fournir, pour un courant dinjection suffisant. Il reste que lmission de ltat fondamental est la plus pertinente pour obtenir une opration laser trs faible seuil. Une solution pour augmenter le faible gain modal de cette transition consiste empiler des plans de BQ et profiter dune densit volumique de BQ plus leve. Dans une certaine mesure, le facteur de confinement optique vertical augmente linairement avec le nombre de couches. Les interfaces plus nombreuses ne semblent pas gnrer de pertes supplmentaires, rsultant en une augmentation quasi linaire du gain modal avec le nombre de plans. Le gain modal maximum de la transition fondamentale a t estim ~7 cm-1 par plan pour une structure 7 plans contre 11 cm-1 pour un seul plan de BQ [Smowton 01]. Typiquement un gain modal de 49 cm-1 exhib par une structure 7 plans peut gnrer un effet laser partir de la transition fondamentale, dans un rsonateur de 350 m de long, ferm par des miroirs de rflectivit gale 0.32. Lempilement de BQ a permis de rduire la densit de courant de seuil 300K [Ledentsov 97], et de raliser des lasers, malgr un niveau de pertes plus important (cf. Annexe 1). c. Courants de seuil obtenus exprimentalement Depuis le premier laser injection fond sur les BQ auto-organises, en 1994 (seuil 905 A/cm2 [Kirstaedter 94]), les performances ont t considrablement amliores [Ledentsov 00]. Ainsi, de trs faibles courants de seuil (~15-30 A/cm2) ont t atteints avec la structure DWELL [Liu 99, Lester 99, Stintz 00] ou dans des lasers ruban avec un confinement latral par un oxyde daluminium (10-20 A/cm2) [Park 00-2], ce mme en condition dexcitation continue et temprature ambiante (cf. Annexe 1).
20
Des lasers BQ dans le systme InAs/InP ont galement t dmontrs pour mettre des longueurs donde plus leves que la limite suprieure 1.3 m du systme InAs/GaAs [Nishi 98 ; Saito 01 , Wang 01]. Des records de longueurs donde suprieures 2 m ont t atteints [Rotter 03]. La densit de BQ est naturellement plus leve dans ce systme moins contraint (9.1010 cm-2 [Saito 01]). Il en rsulte un gain modal du niveau fondamental plus lev estim 20 cm-1 [Saito 01] ou 15 cm-1 [Wang 01] au lieu de ~10 cm-1 pour des BQ InAs/GaAs. Cependant, le systme InAs/ InP est pnalis par des fluctuations en taille plus difficiles rduire (LMH~75 meV 300 K pour [Saito 01]) que dans le systme InAs/GaAs. De plus, le confinement est souvent moins fort (problme de barrires adquates), et les pertes optiques internes encore leves (~10 cm-1 [Wang 01 ; Schwertberger 02]) cause des dfauts dinterface. Ces raisons expliquent que les seuils mis en vidence dans la filire InP moins mature soient finalement suprieurs aux valeurs (< 100 A/cm2) des lasers BQ dInAs/GaAs (cf. Annexe 1). Les lasers PQ de haute qualit prsentent des courants de seuil 300K au mieux de 4050 A/cm2. Cependant, les courants de seuil plus faibles dont se targuent les BQ font souvent appel des longueurs de cavit importantes ou des miroirs hautement rflchissants, qui rendent la comparaison directe entre laser PQ et BQ difficile. Certains groupes ont tudis les deux types de ZA dans des structures laser comparables. Il savre que les lasers BQ surpassent les lasers PQ en termes de courant de seuil pour les longues cavits [Klopf 00]. Un plan de BQ permet effectivement datteindre un seuil laser plus faible, tant que le gain requis au seuil est loin dimpliquer la saturation du niveau fondamental, i.e. lorsque les pertes compenser sont restreintes et le nombre de BQ suffisant. II.3.3. Stabilit thermique Le grand atout des lasers BQ devait tre la stabilit thermique de leur courant de seuil. Dans la pratique, cette insensiblit est relativiser car limite par divers phnomnes lis essentiellement au couplage thermique des porteurs, des BQ vers les couches priphriques de confinement optique [Asryan 01-2] : les tats dnergie suprieure des BQ (niveaux excits et tats de la couche de mouillage) se peuplent lorsque la temprature augmente [Matthews 02]. les porteurs sont excits thermiquement (mission thermoionique des porteurs hors de la ZA) dans les barrires de hauteur finie.
21
les recombinaisons non radiatives aux interfaces et labsorption par porteurs libres augmentent avec la temprature, alourdissant le courant de fuite du composant laser [Huffaker 98 ; Klopf 02]
Le courant dinjection doit donc tre augment pour maintenir leffet laser, en dpit dune rduction du gain et dune aggravation des pertes. Il sensuit une lvation du seuil laser Ith avec la temprature T [Kirstaedter 94], dont la dpendance est dcrite par lexpression : Ith=I0exp(T/T0). Une grande valeur de la temprature caractristique T0 est dsirable car significative dune relative insensibilit thermique. Plusieurs solutions ont t envisages pour augmenter T0. Premirement, leffet nfaste des RNR aggrav par la temprature peut tre limit par une meilleure qualit structurale des barrires [Ledenstov 97]. Ensuite, loffset des barrires peut tre augment en choisissant un matriau avec un large gap, pour former un puits de potentiel profond et dcoupler thermiquement les diffrents niveaux et les tats de la couche de mouillage [Schwertberger 02 ; Shchekin 00-2]. Ce meilleur confinement peut galement profiter lcart nergtique entre les niveaux, renforc jusqu 100 meV [Shchekin 00-2]. Enfin, le seuil est plus stable avec la temprature, lorsquil est proche de la transparence, i.e. lorsque le courant de seuil est loin de saturer les BQ [Park 00-1]. Il sagit donc de rduire le taux de pertes ou daugmenter le gain optique pour fonctionner loin de la saturation. Finalement, les meilleurs T0 dmontrs pour les lasers BQ dpassent parfois les meilleurs rsultats pour les lasers PQ10 temprature ambiante mais sont encore loin des valeurs infinies prdites. A basse temprature, les seuils de lasers BQ sont quasi indpendants dune lvation de la temprature : des T0 assez levs de 530K [Ledentsov 97] ou 700K [Park 00-1] ont t obtenus jusqu 70C. A temprature ambiante, les valeurs de T0 restent raisonnablement levs : 350K [Ustinov 97] et 270K [Shchekin 00-1 et 00-2]. Enfin, haute temprature, des valeurs de T0 de 125K [Yeh 00] jusqu 70C, ou 146K [Schfer 99] jusqu 143C sont accessibles avec des lasers BQ. La stabilit thermique entre 20C et 100C semble toutefois comparable pour un laser PQ et BQ [Klopf 00]. Un autre paramtre sensible la temprature est la longueur donde du laser. Le gap dun matriau semi-conducteur III-V diminue pour une lvation de temprature. Il sensuit une augmentation de la longueur donde du maximum de gain et du pic laser avec la temprature. Une relative stabilit thermique, dsirable, peut tre atteinte grce aux BQ [Wohlert 01 ; Klopf 02]. Un dcalage thermique rduit de la longueur donde laser a en effet t obtenu : un
10
Un record de T 0 (300K jusqu 75C) a toutefois t dmontr pour des lasers PQ de GaInAs sappuyant sur des barrires de type superrseaux dAlGaAs/GaAs pour le confinement des porteurs [Schfer 98] .
22
peu moins de 1 /K [Wohlert 01 ; Thomson 01] ou proche de 1.5 / K [Klopf 02] au lieu de ~3 / K pour un laser PQ, rvlant une certaine stabilit thermique du maximum de gain.
II.3.4. Conclusion Malgr les progrs raliss sur les BQ InAs/GaAs, les lasers BQ ont encore quelques difficults rivaliser avec des lasers PQ. Dabord, la grande qualit des htrostructures PQ actuelles en fait des concurrents srieux. Ensuite, les deux paramtres cls (densit et uniformit) des BQ limitent encore les performances des composants lasers : ils rduisent le gain modal disponible, rendant notamment lempilement de BQ invitable. Si les BQ nont jusquici pas su convaincre avec autant de force que les PQ, qui continuent largement dtre exploits dans la plupart des composants laser, des caractristiques satisfaisantes ont tout de mme t mises en vidence (stabilit thermique, faible courant de seuil dans certaines conditions, faible chirp en application haute frquence). De plus, lutilisation du systme InAs/InP, bien que moins mature, offre une alternative avantageuse au systme InAs/GaAs, pour laccs aux longueurs donde dmission tendues bien au del de 1.3 m.
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III.
LE RESONATEUR DU LASER : INTERET DES CRISTAUX

PHOTONIQUES
Si les objets assurant les fonctions lmentaires ncessaires aux circuits optiques existent dj, leurs dimensions et leur cot restent encore prohibitifs pour les applications de masse. Lobjectif est donc le dveloppement de circuits photoniques intgrant, sur une mme puce, des composants optiques varis de dimensions micromtriques. A cet gard, la fabrication dun microlaser compact, faible seuil et intgrable dans un circuit plus complexe reprsente un enjeu important.
III.1 Quantification photo nique par effet de microcavit

III.1.1. Effet de rsonance dans une cavit : slectivit et facteur de qualit Une cavit optique peut changer de faon significative le comportement radiatif dun metteur plac en son sein (cf. chapitre 2, section IV.1). En particulier, son taux dmission spontane et sa rpartition spectrale peuvent tre modifis. Ce phnomne est dcrit par lintermdiaire dune densit effective de modes pour le champ optique (par unit de frquence et par unit de volume) : g(). Cette densit de modes g() du champ lectromagntique, qui prsente une variation en 2 dans lespace libre, se trouve rarrange (discrtise) dans une cavit ferme, en une srie de pics fins. Puisque, le taux de transitions radiatives est proportionnel g(), lmission spontane dun metteur plac dans un tel environnement devient nulle sauf en des frquences bien dfinies correspondant aux pics de rsonance. A ces frquences de rsonance, la densit de modes dans la cavit possde une valeur plus grande que dans lespace libre, par simple effet de conservation du nombre total de modes entre les deux situations. A titre dexemple, les modes lintrieur dune cavit Fabry-Prot unidimensionnelle forment une srie de pics troits spars par lintervalle frquentiel =c/L o L est la longueur de la cavit. Le spectre dmission dun metteur plac dans cette cavit est donc structur selon ces modes [Hwang 99]. La dpendance en L de lintervalle spectral entre deux modes de cavit voisins montre par ailleurs que le nombre de rsonances diminue avec les dimensions de la cavit. Cette tendance peut se gnraliser dans le cas dun confinement 3D, produit par une microcavit aux dimensions faibles dans les trois directions de lespace.
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Les paramtres cls de la cavit sont donc son volume, qui dfinit le nombre de modes offerts, et la slectivit ou largissement du mode, qui conditionne la valeur du pic de la densit dtats associe ce mode. La slectivit dune cavit est estime exprimentalement partir du spectre (photoluminescence par exemple), structur par la cavit, des metteurs qui y sont inclus. Elle est tablie par la notion de facteur de qualit Q. Ce paramtre possde plusieurs dfinitions quivalentes qui aident en apprhender la signification : Q =pic /largeur mi-hauteur et Q = * , o est la dure de vie du photon dans le mode. La premire dfinition relie Q llargissement spectral du mode. La deuxime traduit la dpendance de Q vis vis du nombre dallers-retours effectus par les photons dans la cavit. Autrement dit, Q nest rien dautre quun tmoin des pertes optiques du mode. Dune part, un composant laser devrait bnficier dune redistribution avantageuse de lmission spontane dans un mode et dun nombre rduit de conduits photoniques concurrents. Dautre part, si la slectivit du mode est renforce, le niveau de pertes plus bas associ devrait faciliter laccs leffet laser.
III.1.2. Enjeux de fabrication Toutefois il nest pas ais, dans la pratique, datteindre le couple idyllique faible volumefort Q . En effet, une rduction du volume de la cavit est bien souvent associe, cause des mthodes de fabrication, des facteurs de qualit dgrads. Les petites cavits, aux contours souvent dfinis par des appareillages fonctionnant en limite de rsolution se voient entaches de dfauts plus marqus. De plus, Q tant li au temps de vie des photons dans la cavit, la prsence de miroirs plus proches, induisant des rflexions plus frquentes, accrot la sensibilit des photons la qualit de ces miroirs. Ainsi, lutilisation de cavits plus grandes permet souvent daugmenter le facteur de qualit des modes, au dtriment dun nombre de modes plus lev. Il existe donc un compromis au niveau de la taille de la cavit. Une amlioration de la rflectivit des miroirs accrot le facteur de qualit sans modifier de faon significative le volume des modes. Cependant, son augmentation rduit la puissance lumineuse couple en sortie. Enfin, sil apparat, via la densit de modes, un fort intrt diminuer la taille des cavits pour atteindre un seuil laser potentiellement plus bas, fabriquer des microlasers compacts reste un but en soi pour atteindre les objectifs de loptique intgre.
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III.1.3. Piges lumire de dimensions sub-micromtriques Faisons dabord un tour dhorizon rapide des principales solutions technologiques disponibles pour raliser des microcavits ltat solide et aux longueurs donde optiques. Le tableau 1.1 prsente diffrents types de microcavits ralisables. Pour chaque solution voque, les principaux avantages et inconvnients sont souligns, ainsi que certaines caractristiques (facteur de qualit et volume de mode) dmontres exprimentalement.
Solution Caractristiques accessibles (Q,V) Microcavit planaire miroir de Bragg Micropilier miroirs de Bragg R>99.9% Configuration dmission -Emission verticale -Confinement 2D -Confinement 3D -Emission verticale -R>99.9% -Fabrication matrisable -Fabrication matrisable -Emission directive -couplage avec une fibre optique -R fort sur une gamme angulaire faible -Diminution de Q pour objets de faibles dimensions -Fuites latrales -Diamtre limit Avantages Inconvnients
Veff = 5*(/n)3 et Q=2000 [Grard 98]
Microsphre
Microdisque
Billes de diamtre typiquement 50m et Q~109 Veff~6*(/n)3 et Q=12000 [Gayral 01]
-Confinement 3D -Diagramme isotrope
-Q trs lev -Fabrication
-Confinement 3D -Compacit -Emission peu directive -Q lev
-Couplage/ extrieur -Couplage/ metteurs -Volume important -Extraction de lumire :-guide ncessaire pour couplage avec lextrieur -Ralisation -Insertion dmetteurs -Couplage / extrieur
Cavit CP 3D
[Lin 99]
-Confinement 3D
-Q potentiellement lev -V trs faible
Cavit CP 2D + guide donde
Veff~0.3*(/n)3 et Q~250 (H1) [Painter 99-1] Veff~50*(/n)3 et Q~1000 (H5) [Smith 99]
-Confinement 3D -Compacit -Emission peu directive -Intgration photonique et gnricit des CP -Couplage/ extrieur -Flexibilit de la gomtrie de cavit : ingnierie de modes
-Rduction du Q pour faible volume : compromis Q/ volume - couplage avec dautres fonctions possible
Tableau 1.1- Panorama de diffrentes solutions existant pour raliser une microcavit lchelle du micron. Certaines caractristiques exprimentales sont prcises.
Dans le contexte de la fabrication dun microlaser, avec un avenir souhaitable dans le domaine de loptolectronique, un critre essentiel est la possibilit dintgrer ce laser dans un circuit optique en configuration planaire (comme loptique guide classique ). Ainsi, bien que des microsphres en silice (dopes Er3+) aient permis la dmonstration dun effet laser
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avec un trs faible seuil (30 W) [Klitzing 99], leur intgration avec dautres dispositifs optolectroniques est loin dtre aise11. Le laser cavit verticale (VCSEL) utilisant un puits quantique insr entre 2 miroirs de Bragg, et bnficiant dune interaction renforce des lectrons et des photons, reste un composant cl dans les tlcommunications optiques. Cependant, son application, compte tenu de sa configuration, reste limite. De mme, les micropilliers mission verticale ne sont pas ddis une intgration dans un circuit photonique planaire. Finalement, seuls les microdisques et les microcavits CP 2D offrent une configuration leur permettant de rpondre de telles applications. La ralisation de microdisques, prsentant des modes (de galerie) trs faibles pertes, sest solde par la dmonstration de lasers performants. Un microdisque puits quantiques InGaAsP/InP, de seulement 2 m de diamtre, a donn lieu un effet laser en pompage lectrique, avec un seuil de seulement 10 A [Fujita 99]. Lopration laser a galement t dmontre en continu (cw) et temprature ambiante sur un composant de 3 m de diamtre (seuil 150 A) [Fujita 99]. Cependant, parce quil est construit partir dun outil gnrique permettant le contrle des photons dans des composants aux fonctionnalits trs diversifies (guidage de la lumire, routeur et dmultiplexeur en longueur donde etc[Dsires 01 ; Grillet 03]), le microlaser base de cristaux photoniques offre une richesse supplmentaire pour loptique intgre. En effet, lexploitation de la structure de bandes dun cristal photonique se dcline, comme nous allons le voir, selon une palette dutilisations multiples et varies. De plus, cet outil flexible offre de nombreux degrs de libert lors de la conception des microcavits, permettant de varier largement, en fonction des objectifs, la gomtrie, le mode de fonctionnement et la gamme spectrale dintrt.
III.2 Les cristaux photoniq ues : une solution pertinente

III.2.1. Structure de bandes des photons dans un cristal photonique Un cristal photonique est une structure dilectrique artificielle, ne en 1987 des travaux de Yablonovitch [Yablonovitch 87] et John [John 87], ralise par analogie avec une structure cristalline. Cest une modulation priodique forte de lindice de rfraction qui permet de manipuler les photons lchelle de la longueur donde, en jouant un rle analogue celui dun cristal semi-conducteur vis vis des lectrons. La priodicit peut tre dcline dans une, deux ou trois directions de lespace.
11
Cependant, pour dmontrer certains phnomnes physiques, ils peuvent devenir des outils incontestablement prcieux, permettant dassouvir la curiosit du physicien. Cest une question dapplication envisage...
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La relation de dispersion =f(k) des ondes optiques, linaire lorsque la propagation seffectue dans un matriau homogne et isotrope, prend une allure trs diffrente dans un cristal photonique, priodique lchelle de la longueur donde optique (~600 nm). Chacun des lments de la structure se comporte individuellement comme une source secondaire. La superposition et linteraction des ondes lumineuses ainsi diffractes produit des interfrences entre modes de mme vecteur donde k. Lorsquelles sont destructives, louverture dune bande interdite photonique (BIP) apparat, i.e. une gamme dnergies inaccessibles pour les photons quel que soit leur vecteur donde k. La figure 1.8 montre un exemple de diagramme de dispersion dun cristal photonique 2D, compos de trous dair dans une matrice semiconductrice, pour des composantes du vecteur donde k dans le plan variant le long des directions de haute symtrie ( vers K, K vers M, et M vers ).
Figure 1.8- Exemple de structure de bandes associe un cristal photonique 2D constitu de trous dair dans un semi-conducteur. La zone grise indique la position de la bande interdite photonique pour la polarisation TE. En insert, la structure du cristal photonique triangulaire est reprsente ainsi que le schma de la premire zone de Brillouin associe avec les points de haute symtrie (, K et M). Source Confined Photon Systems, Springer, 1999.
Les deux polarisations TE (champ magntique suivant laxe des trous) et TM (champ lectrique suivant laxe des trous) sont dcouples dans le cas 2D donnant lieu deux systmes de bandes indpendants. Le repliement du spectre, caus par la priodicit, met en vidence plus aisment lexistence dune bande interdite commune toutes les directions dans le plan, pour la polarisation TE.
III.2.2. Cristaux photoniques 2D en gomtrie de guide donde Seules des structures priodiques 3D sont mme douvrir des bandes interdites omnidirectionnelles, se traduisant par un confinement rellement 3D des photons [Okano 02]. Cependant, malgr des avances considrables [Lin 99 ; Noda 99 ; Notomi 00], leur fabrication aux longueurs donde optiques reste encore difficile. De plus, linsertion dun lment actif dans une telle structure, pour fabriquer une source de lumire, peut savrer dlicate. Une solution de mise en uvre plus aise, et en configuration planaire, sappuie sur
28
lutilisation de cristaux photoniques bidimensionnels dpaisseur finie (cf. figure 1.9). Il sagit schmatiquement de combiner le confinement vertical (1D) assur par un guide donde plan, avec le confinement latral dans ce plan, garanti par le rseau CP 2D [Villeneuve 98].
Indice plus faible Indice fort Indice plus faible
Figure 1.9- Combinaison dun cristal photonique 2D et dun guide donde plan. Le guide donde plan est ralis par un contraste dindice vertical.
Cette utilisation des CP 2D en gomtrie de guide donde a t propose par Krauss et al [Krauss 96]. La ralisation de cristaux photoniques dans une fine couche guidante substitue, aux ondes planes en configuration 2D, des modes guids dans la couche qui interagissent avec la structure. La gravure des motifs du cristal peut tre limite la profondeur du mode guid, rendant possible lutilisation des techniques de microstructuration des couches semiconductrices dveloppes pour la microlectronique.
III.2.3. Application aux microsources Une faon simple12 dobtenir un rsonateur dans un cristal photonique, est de rompre la priodicit du rseau (introduction de dfauts), et de produire ainsi des niveaux dnergie discrets supplmentaires dans la structure de bandes. De tels niveaux, sils sont localiss dans la BIP, conduisent un effet de pigeage de photons, i.e. un effet de cavit. Par exemple, des microcavits peuvent tre ralises avec des CP 2D en gomtrie de guide donde, constitus de trous dair dans une matrice de semi-conducteur (figure 1.9 prcdente). La priodicit du rseau peut tre triangulaire ou carre. Une zone dpourvue de trous, mnage au sein de la structure priodique, constitue une microcavit [Villeneuve 96]. En effet, pour certaines nergies, le cristal photonique se comporte comme un miroir et la lumire est rflchie par les bords de la cavit (figure 1.10).
12
Ce nest pas la seule : lexploitation des extrema de la structure de bandes en est une autre, utilise dans le chapitre 3.
29
Figure 1.10- Principe de fonctionnement dune microcavit CP 2D utilisant un dfaut (omission centrale de trous, ici de forme hexagonale). La lumire voit les ranges de trous bordant la cavit comme des miroirs pour certaines longueurs donde inclues dans la BIP.
Il existe de nombreux degrs de libert lors de la conception de microcavits base de cristaux photoniques 2D. En particulier, il est possible, pour un type de rseau choisi, dajuster le paramtre de maille et le facteur de remplissage surfacique (rapport surface dair/ surface totale). Ces paramtres influencent directement les proprits et lallure de la structure de bandes associe au CP 2D ralis (largeur et position de la bande interdite photonique par exemple), dterminant notamment la gamme de longueurs donde fonctionnelle. La gomtrie (forme, nature et taille) du dfaut formant la cavit, est, quant elle, directement responsable de la rpartition lectromagntique, nergie et nombre de modes admis dans la cavit. Au final, on peroit toute la richesse relative la ralisation de tels objets : trs schmatiquement, il est possible dajuster le facteur de qualit du mode, via la conception du CP 2D, et de contrler la distribution des modes pigs dans la cavit, via le dfaut choisi. Des guides peuvent galement tre fabriqus de cette faon, en omettant par exemple une ou plusieurs ranges entires de trous [Letartre 01]. Les premires dmonstrations exprimentales, aux longueurs donde optiques, ont t obtenues partir de microcavits hexagonales de 1 10 m bordes de CP 2D [Pottier 99 ; Smith 99 ; Benisty 99]. Une comparaison des caractrisations de PL effectues sur des rgions pourvues ou non de CP 2D confirme exprimentalement lexistence dune BIP aux alentours de 2 m, en prsence de trous dair priodiques [Pottier 99]. Lobservation dune srie de pics assez bien rsolus montre galement lexistence de modes de cavit dans la gamme dnergie concidant avec la BIP [Benisty 99 ; Lee 99-1]. Des facteurs de qualit suprieurs 1000 ont pu tre obtenus dans des cavits assez grandes, conduisant une estimation du coefficient de rflexion suprieure 90% [Smith 99]. La dmonstration dun effet laser est obtenue en 1999 avec ce type dobjet [Painter 99-1 ; Lee 99-2] en pompage optique puls.
30
III.3 Problmatique des r sonateurs cristaux photoniques 2D

Si les proprits des CP 2D en gomtrie de guide dondes sont globalement les mmes que celles dune structure 2D infinie, il existe quelques diffrences qui suffisent montrer la problmatique de leur utilisation. Ainsi, le diagramme de dispersion prsent figure 1.8 reste associ une structure parfaite en deux dimensions, i.e. avec une paisseur de trous suppose infinie. Lextension verticale, finie dans la pratique, entrane des pertes par rayonnement hors du plan qui limitent la rflectivit effective des miroirs [Rattier 01]. Cest sans doute le phnomne le plus critique des CP 2D en gomtrie de guide donde pour des applications de type source ou guidage. Ainsi, un mode confin dans une microcavit de ce type possde un facteur de qualit optique global qui peut se dcomposer principalement en deux termes (cf. figure 1.11). Le premier, Q//, est dtermin par le nombre de ranges de CP 2D qui bloquent latralement les fuites de photons travers le cristal. Il peut tre rduit dans la pratique par un nombre de ranges de CP 2D suffisant. Le deuxime, Q dcrit le phnomne de pertes cohrentes hors du plan [Vuckovic 01]. La section suivante a pour objet dapprhender ces pertes indsirables.
Fuites verticales (Q ) Guide plan cristal photonique Mode guid confin par le CP fuites latrales de photons (Q//)
Figure 1.11- Reprsentation schmatique des pertes associes aux modes de microcavits CP 2D en gomtrie de guide donde : le mode confin subit des pertes latralement dans le CP 2D (Q//) et verticalement (Q)
III.3.1. Linfluence de la troisime direction (verticale) a. La ligne de lumire La notion de ligne de lumire permet dapprhender simplement les pertes verticales produites par le confinement imparfait dans la direction verticale [Painter 99-2]. Il dcrit labsence de rflexion totale linterface guide donde/ SC barrire (substrat et superstrat) pour certaines constantes de propagation de londe EM dans le guide. La ligne de lumire est la relation de dispersion, dans le semi-conducteur environnant dindice nb, entre lnergie et le vecteur donde k// dune onde propagative dans un tel milieu : =k//*c/nb. Elle dfinit la frontire entre deux types de modes (figure 1.12): le continuum de modes rayonns (k//*c/ nb) qui ne sont pas entirement localiss dans le guide plan mais ont une extension non nulle dans le milieu dindice nb. Lensemble de
31
ces modes, qui perdent de lnergie dans le SC barrire au cours de leur propagation, se situe dans le cne de lumire . les modes guids (<k//*c/ nb) parfaitement confins dans le guide plan. Ils prsentent une composante verticale k purement imaginaire dans la couche dindice nb.
Radiation Modes modes rayonns Radiation modes

Ligne de lumire : pente c/nbarrire
z nb Guide n G nb (x, y)
mode rayonn
Modes guids ou localiss dans le plan
nb Guide nG nb (x, y)
/a
2/a
K//
mode guid
Figure 1.12- Reprsentation schmatique des modes en fonction de leur position par rapport la ligne de lumire : rayonns en dehors de la membrane (au dessus de la ligne de lumire) et confins dans le plan (sous la ligne de lumire). Laxe z est perpendiculaire la membrane dans le plan (x, y).
La ligne de lumire dcrit le phnomne de pertes hors du guide plan li lpaisseur finie du guide : elle existe mme en labsence de CP, pour des structures guidantes classiques. b. Le potentiel de fuites verticales La question suivante concerne lestimation, dans le cadre dune description bidimensionnelle, du facteur de qualit associ aux pertes cohrentes verticales dun mode guid dans une structure CP 2D. Un mode respectant la priodicit du systme se dcompose en une srie de Fourier, de composantes kn, dont quelques unes se situent au dessus de la ligne de lumire dfinie plus haut. Une telle analyse peut tre facilement produite partir dune simple cartographie 2D du mode, issue dun calcul FDTD (Finite Difference Time Domain) 2D. La contribution des composantes fuite, i.e. la proportion du mode au dessus de la ligne de lumire, donne une estimation du potentiel de fuites de ce mode, dcrit par le terme Q0 [Dsires 01]. Y. Dsires utilise une telle mthode pour apprhender les pertes verticales potentielles des modes guids dans un guide CP 2D, priodiques dans la direction de propagation. Cette description est extensible au cas de modes de cavit entirement confins. Leur dcomposition continue dans lespace des k nempche pas, en effet, de dfinir la fraction de ces modes au dessus de la ligne de lumire [Vuckovic 02-1].
32
III.3.2. La configuration verticale a. Les pertes verticales effectives Toutefois, la description bidimensionnelle prcdente ne suffit pas produire la valeur effective des pertes optiques cohrentes hors du plan (Q). Cette grandeur est finalement conditionne par la configuration verticale adopte, ainsi que la profondeur et le profil des trous constituant le CP 2D. Ces lments sont pris en compte par un facteur qui traduit la fraction de lumire effectivement perdue. Il est fonction [Dsires 01] : - de la diffraction de lumire par un motif qui dpend de la taille et de la forme du motif, ainsi que de la diffrence dindices b-G. - de la diffraction lie lpaisseur finie des trous, fonction de la profondeur des trous, du recouvrement vertical du mode avec le CP 2D, et de la diffrence dindices trous-b. Une dviation du profil des trous par rapport la verticale (trous coniques en profondeur) peut galement aggraver ces pertes hors du plan [Tanaka 03 ; Ferrini 03]. Les pertes optiques verticales et cohrentes relles, hors du guide donde plan, sont finalement dcrites par le facteur de qualit global Q = * Q0. La configuration verticale savre donc extrmement importante, puisque son choix dtermine la valeur de ces pertes cohrentes nfastes. b. Lapproche membrane ou sur substrat Deux approches principales sont couramment adoptes pour assurer le confinement de la lumire dans le plan de la couche guidante. La premire ide consiste utiliser un contraste dindice (n) faible verticalement, via linsertion dune couche semi-conductrice dans une matrice dindice peu diffrent [figure 1.13(a)]. Dans cette configuration, le mode guid, soumis un confinement faible linterface, conserve une extension verticale assez importante. Un tel profil requiert une profondeur de trous importante (suprieure lpaisseur de la couche guidante) pour garantir un recouvrement fort entre le champ lectromagntique du mode et les cristaux photoniques. Des calculs thoriques ont prdit quun tel design tait susceptible de minimiser les pertes optiques hors du plan [Bogaerts 01 ; Benisty 00 ; Lalanne 01], mais la contrainte de fabrication pesant sur la qualit de gravure est assez svre, en particulier concernant le profil des trous [Ferrini 03].
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Faible confinement vertical

Couche guidante SC1
Fort confinement
n~3 n~3-
vertical Couche guidante SC1

Couche de confinement (air, ou dilectrique)
(b)
n~3 n~1 2
Couche de confinement SC2

(a)
Figure 1.13- Configurations verticales possibles pour les CP 2D en gomtrie de guide d'onde : sur substrat (a) ou sur membrane (b). Le profil du champ confin verticalement est reprsent dans les deux cas (rouge).
La deuxime approche, adopte dans ce travail, est fonde sur lutilisation dun fort contraste dindice n, entre la couche guidante et les couches barrires [figure 1.13(b)]. Une telle configuration, de type membrane, souffrirait de pertes hors du plan svres, moins que des modes guids parfaitement confins, sous la ligne de lumire, ne soient exploits [Bogaerts 01]. Une telle gomtrie garantit un confinement optique efficace dans le plan qui se traduit par un volume modal rduit, et donc une localisation forte du champ au centre de la membrane, i.e. aux alentours de la zone active. Ce point est crucial pour le couplage entre lmission spontane et le mode guid, particulirement dsirable pour des applications de type microsources. De plus, puisque la membrane nest pas trs paisse, les contraintes technologiques sont moins exigeantes, rendant possible lutilisation de techniques de gravure usuelles (comme la RIE) : il sagit de percer des trous peu profonds, qui suffisent assurer un confinement optique efficace, avec une contrainte de facteur de forme moins svre. Le fort contraste n peut tre atteint par des designs varis, qui exploitent des transferts dhtrostructure sur des matriaux appropris faible indice (comme Al203 [Hwang 00-1] ou SiO2 [Monat 01]) ou simplement en suspendant la structure dans un gap dair [Painter 99-1 et 2].
III.3.3. Dfauts par rapport lidalit Les CP 2D sont souvent entachs dimperfections, apportes par le procd de fabrication. Elles donnent lieu des pertes de nature diffrente des pertes verticales cohrentes prcdentes. Ces pertes, au contraire incohrentes, sont induites par des non idalits dans la priodicit du rseau (dsordre) ou par la rugosit ventuelle des flancs (sil sagit de trous). Il sensuit des phnomnes de diffusion de lumire dans lespace libre et ventuellement un couplage des modes thoriquement sans pertes cohrentes (sous la ligne de lumire) avec des modes fuites (au dessus de la ligne de lumire) [Dsires 01 ;Grillet 03]. Au facteur de
34
qualit optique prcdent doit donc tre ajout un facteur Qnc associ ces pertes supplmentaires non cohrentes.
III.4 Intgration photoniq ue

Nous avons dj soulev, concernant le choix du type de microcavit, la question de lintgration dans un ensemble plus complexe, qui constitue un point non ngligeable du microlaser. Recueillir lmission dune source de dimensions micromtriques nest pas chose vidente. Si lmission issue des micropilliers ou des VCSEL fait preuve dun caractre directif, les microsources cristaux photoniques, prsentent un diagramme dmission a priori peu directif. Comment envisager dans ce cas la collection de lumire? En particulier, comment raliser un couplage avec dautres lments optiques comme des guides ?
Figure 1.14- Reprsentation schmatique dun couplage latral guide/ cavit. La figure MEB en insert montre la structure ralise exprimentalement. Source [Seassal 02]
Des effets de couplage latral (figure 1.14) entre des cavits et des guides cristaux photoniques ont dj t dmontrs [Grillet 03 ; Seassal 02, Smith 01]. Avec une sparation de seulement quelques ranges de CP 2D entre les deux objets, lextraction de certains modes guids, des longueurs donde correspondant aux modes de cavit, a t mise en vidence. Inversement, des fuites vers le guide ont t dtectes lorsque la cavit est directement excite. Cette configuration nest pas la seule envisageable. Un couplage vertical vanescent offre une alternative au couplage planaire prcdent. En effet, un mode guid dans un CP 2D possde une vanescence verticale non ngligeable, qui a dailleurs permis la visualisation de cartographie spatiale de mode de cavit en imagerie SNOM [Okamoto 03]. Le programme soutenu par la rgion Rhne-Alpes, MIPHOSI, vise ainsi la fabrication dun microlaser en InP, positionn la verticale dun guide donde silicium. Lobjectif est le transfert de
35
lumire par vanescence, de la microsource optique suprieure vers le guide donde infrieur, travers une couche de SiO2 (figure 1.15). Le problme de lalignement peut cependant, pour certains types de gomtrie de cavit, savrer dlicat.
Figure 1.15- Reprsentation schmatique du couplage vertical par vanescence envisag dans MIPHOSI. Le mode (profil rouge) est gnr dans la partie suprieure en III-V puis transfr (trajet orange) par vanescence dans le guide donde en CP2D sur silicium (couche infrieure), travers la couche de SiO 2.
Quelle que soit la configuration, le canal de couplage reprsente, du point de vue de la cavit, un conduit de pertes supplmentaires, qui rduit le facteur de qualit du mode. Lenjeu rside donc dans le compromis trouver, entre un couplage suffisant pour extraire la lumire efficacement et un couplage excessif, qui dgraderait le facteur de qualit du mode donc les performances du laser et notamment son seuil. Lintensit du couplage est dtermine, dans le premier cas, par le nombre de ranges entre la cavit et le guide [Lin 01], et dans le deuxime cas, par lpaisseur disolant sparant verticalement les deux composants. Le choix de la cavit peut galement favoriser ou non le couplage. Ainsi une cavit linique prsente des modes dont le profil est proche de la cartographie dun mode de guide. Le couplage guide/ cavit pourrait tre facilit par la meilleure adquation, ainsi obtenue, entre les deux modes mis en jeu. Enfin, le type de couplage choisi dpend de lobjectif vis. Le couplage planaire permet une intgration entre divers lments optiques fabriqus sur la mme couche de semi-conducteur. Le couplage vertical tablit davantage une communication entre un composant laser de la couche suprieure (couche active en III-V) et une couche infrieure, qui peut tre de nature diffrente. Cette seconde approche ouvre la voie de lintgration htrogne de composants actifs en III-V avec la microlectronique traditionnelle en silicium. De plus, le guidage dans le silicium, absorption nulle aux longueurs donde exploites, permet de bnficier de pertes liniques rduites.
36
IV.
CONCLUSION
Lutilisation de microcavits de faibles dimensions (qq microns) permet dastreindre, dans une certaine mesure, les photons occuper le mode dsir, par une re-direction slective de lmission spontane principalement vers ce mode. Des structures cristaux photoniques 2D en gomtrie de guide donde permettent de raliser des microcavits avec des miroirs de grande qualit, mme si les pertes dans la direction verticale reprsentent un point matriser lors de leur fabrication. Des microlasers faible seuil et compacts peuvent donc tre produits par cette technique. De plus, loutil gnrique des cristaux photoniques 2D planaires permet de fabriquer une varit de composants, aisment intgrables dans un circuit photonique dense et complexe. Par ailleurs, le choix de botes quantiques comme matriau actif du laser offre des avantages considrables comme, par exemple, un faible seuil laser (inversion facilite, rendement radiatif meilleur) et une sensibilit amoindrie aux effets thermiques. Toutefois, un cahier des charges assez contraignant rend lexploitation directe des botes quantiques trs dlicate. Notamment, cause du faible gain modal des botes quantiques, lopration laser faible seuil est accessible uniquement pour des structures dont le taux de pertes est faible. Ainsi, pour tester des cavits cristaux photoniques prsentant un taux de pertes initialement non optimis, lutilisation des botes quantiques peut savrer un vritable dfi. Cest la raison pour laquelle les cristaux photoniques seront exploits dans un premier temps avec des puits quantiques (chapitre 3). Le contrle et la comprhension des mcanismes de pertes dans ces composants permettront ensuite de les implmenter avec des lots quantiques (chapitre 5), qui auront fait lobjet dun travail doptimisation au LEOM (chapitre 4). Si les dmonstrations spares de lasers botes quantiques ou de lasers cristaux photoniques ont t ralises, lassociation de ces deux objets a t plus rarement tablie. Yoshie et coll. ont toutefois publi, au cours de lavance de nos travaux, des rsultats sur un laser cristaux photoniques et botes quantiques qui prsente un trs faible seuil [Yoshie 02]. Cette validation a permis de poursuivre de faon plus optimiste les tudes menes pour aboutir la combinaison envisage initialement, des cristaux photoniques et des botes quantiques.
- Chapitre 2 DISCUSSION AUTOUR DU SEUIL DUN MICROLASER
INTRODUCTION .......................................................................................................................................... 37 UNE DESCRIPTION SIMPLE DU SEUIL LASER ................................................................................................ 39 II.1 Modle simplifi ..................................................................................................................................... 39 II.1.1. Cas tudi .................................................................................................................................. 39 II.1.2. Paramtres ................................................................................................................................. 39 II.2 Equations de balance.............................................................................................................................. 41 II.2.1. Les photons................................................................................................................................ 41 II.2.2. Les excitons............................................................................................................................... 41 II.2.3. Etat stationnaire ......................................................................................................................... 42 II.3 Effet laser................................................................................................................................................ 43 II.3.1. Dfinition dun seuil laser ......................................................................................................... 43 II.3.2. Condition ncessaire pour lobtention dun effet laser .............................................................. 44 II.3.3. Un calcul de seuil approximatif................................................................................................. 46 III. AFFINEMENT DU MODELE ....................................................................................................................... 49 III.1 Limitations du modle ........................................................................................................................... 49 III.2 Cavit multimode................................................................................................................................... 51 III.3 Equations de balance dans le cas dun puits quantique........................................................................ 52 IV. INTRETS DE LA COMBINAISON BOTE QUANTIQUE/ MICROCAVIT......................................................... 54 IV.1 Effet Purcell........................................................................................................................................... 54 IV.2 La QED en microcavit semi-conductrice............................................................................................. 55 IV.2.1. La microcavit ........................................................................................................................... 55 IV.2.2. Lmetteur ................................................................................................................................. 56 IV.2.3. Dmonstrations exprimentales ltat solide .......................................................................... 56 IV.3 Limitations............................................................................................................................................. 57 IV.3.1. Effet de moyenne statistique...................................................................................................... 57 IV.3.2. Dsaccord Emetteur/ mode........................................................................................................ 58 IV.3.3. Elargissement de la raie dmission dune bote quantique................................................. 59 IV.4 Microlaser ............................................................................................................................................. 59 IV.4.1. Couplage de lmission spontane au mode laser : avec ou sans effet Purcell....................... 59 IV.4.2. Des lasers particuliers : laser sans seuil, laser ultime ........................................................... 61 IV.5 Autres applications de leffet Purcell .................................................................................................... 62 V. CONCLUSION.............................................................................................................................................. 63
I. II.
- Chapitre 2 - Discussion autour du seuil dun microlaser
37
- Chapitre 2 Discussion autour du seuil dun microlaser
I.
INTRODUCTION
Aprs avoir longuement dvelopp, dans le chapitre 1, lintrt dutiliser des cristaux photoniques et des botes quantiques pour raliser un microlaser faible seuil, nous apprhendons la question du seuil laser de manire plus quantitative. Dans ce but, des outils thoriques trs simples, partiellement repris dans le chapitre 3 et 5, seront mis en uvre. Dans le cadre dun systme dquations approximatives fondes sur un ensemble de BQ en microcavit monomode, les principaux lments intervenant dans la dfinition du seuil laser seront extraits, afin de mieux cerner les fondements de ce paramtre cl et den acqurir une certaine matrise. Par ailleurs, lengouement de la communaut scientifique autour des objets utiliss dans cette thse pour des applications dlectrodynamique quantique en cavit (QED), justifie un dtour du ct de leffet Purcell. Ce phnomne de renforcement du taux dmission dun metteur plac en microcavit est en effet susceptible a priori dtre exploit dans un laser. Nous expliciterons les diverses conditions requises pour observer dans la pratique ce phnomne. Le bnfice effectif vis vis du composant laser vis dans le cadre de cette thse sera alors valu.
Le but de ce chapitre est donc double. Tout dabord, il sagit dtudier la faisabilit de microlasers BQ, en termes daccs leffet laser. En particulier, le nombre de BQ ncessaire pour soutenir une amplification lumineuse par mission stimule sera mis en vidence. Ensuite, la question relative lexploitation de leffet Purcell dans le microlaser faible seuil vis sera dbattue.
38
Notations du modle simplifi (partie II) : Q : Facteur de qualit du mode 0 (s-1) : Frquence centrale du mode (s-1) : Largeur mi-hauteur spectrale associe au mode e (s-1) : Frquence centrale dmission dune BQ e (s-1) : Elargissement spectral homogne dune BQ N0 : Double du nombre de BQ total Nu : Double du nombre de BQ utiles Ni : Double du nombre de BQ inutiles n : Nombre de porteurs excits dans les BQ utiles p : Nombre de porteurs non excits dans les BQ utiles nB : Nombre de porteurs excits dans les barrires 1/p (s-1) : Taux de cration de porteurs excits dans les barrires sous laction de la pompe (1/p)u (s-1) : Partie utile de la pompe (1/p)i (s-1) : Partie inutile de la pompe (1/nr)InP (s-1) : Taux de recombinaisons non radiatives dans le matriau barrire, par exemple InP : Coefficient de capture de porteurs crs dans les barrires par les BQ N : Nombre de photons dans le mode de cavit 1/spont (s-1) : Taux dmission spontane des BQ utiles dans le mode de cavit 1/stim (s-1) : Taux dmission stimule dans le mode de cavit 1/nr (s-1) : Taux de recombinaisons non radiatives dans les BQ nmax : Nombre maximum de porteurs utiles excits, lorsque le nombre de photons est grand ntr : Nombre de porteurs utiles excits la transparence Ntr : Nombre de photons dans le mode de cavit la transparence nseuil : Nombre de porteurs utiles excits au seuil Nseuil : Nombre de photons dans le mode de cavit au seuil sp = * spont p=sp/p nr=sp/nr. ND (m-2): Densit de BQ surfacique np : Nombre de plans de BQ S (m2): Surface de cavit i (s-1) : Elargissement spectral inhomogne de la population de BQ : Coefficient de couplage de lmission spontane au mode laser (associ aux BQ utiles) : Facteur de recouvrement entre porteurs et photons du mode
39
II.
UNE DESCRIPTION SIMPLE DU SEUIL LASER
La description classique adopte dans cette partie est destine dgager les paramtres lmentaires qui ont une influence sur le seuil dun laser. Inutile de chercher ici une description raliste appuye sur une liste exhaustive des contributions au seuil laser. Certains points luds ici seront davantage abords au chapitre 3, lorsque le lien avec les mesures exprimentales sera tabli. Pour un traitement plus dtaill du fonctionnement dune diode laser, le lecteur pourra consulter certains ouvrages de rfrence comme [Yariv 96 ; Saleh 91 ; Rosencher 98 ; Coldren 95]. Nanmoins, ce modle correspond au microlaser que nous cherchons fabriquer : il suppose notamment une distribution inhomogne de BQ, en microcavit, pompes de faon non rsonante. Il sagit dtudier la faisabilit de ce type de composants, et de mettre en vidence certaines voies pour restreindre son seuil laser.
II.1 Modle simplifi

II.1.1. Cas tudi Le cas simple tudi est une distribution de botes quantiques (BQ) dans une microcavit monomode, les porteurs pouvant subir des recombinaisons non radiatives (RNR) dans les BQ et les barrires (par exemple dInP) qui les entourent. Concernant les recombinaisons radiatives, seule la transition fondamentale discrte des BQ est prise en compte. II.1.2. Paramtres Le mode de cavit est dfini par une nergie 0, un largissement spectral et un facteur de qualit Q=0/. Le nombre de photons dans ce mode lintrieur de la cavit est not N. Les botes quantiques sont un ensemble dispers en taille. Chacune possde une nergie de transition (e)i avec un certain largissement homogne e (hors cavit). Deux catgories de BQ sont distingues : celles qualifies d utiles , en rsonance avec le mode de cavit, i.e. susceptibles dmettre des photons dans ce mode, et les autres, qualifies d inutiles . Le nombre de porteurs excits (respectivement non excits) contenus dans les BQ utiles est not n (p). La capacit du rservoir dexcitons nest pas infinie : le nombre maximum de porteurs excitables est not N0 et correspond au double du nombre de BQ total (cf. figure 2.1). Cette capacit de remplissage est la somme de celles correspondant aux BQ utiles (Nu) et inutiles (Ni)
40
Nu : capacit maximum de porteurs utiles (double du nombre de BQ utiles)
Capacit totale de porteurs toutes botes confondues: N0
n excits
ni excits
Ni : capacit maximum de porteurs inutiles
p non excits
pi non excits
Figure 2.1- Reprsentation schmatique de la collection de BQ inhomognes : le rservoir dexcitons se rpartit entre BQ utiles et inutiles, chacune possdant des porteurs excits et non excits.
Le pompage externe cre un nombre de paires lectron-trou nB dans les barrires. Ces
porteurs ont plusieurs destinations possibles : BQ utiles, inutiles ou RNR dans les barrires. Deux fractions utile , (1/p)u, et inutile , (1/p)i, du pompage sont distingues, selon que la pompe nourrit, par lintermdiaire des porteurs excits dans les barrires, les BQ utiles ou non. dn B 1 1 1 = ( )u ( )i dt P p p
(1)
La question concernant la rpartition du pompage est en fait assez dlicate. En pratique, puisque la capacit daccueil des BQ nest pas infinie, la rpartition de la pompe est fortement conditionne par les tats de remplissage des BQ. Les porteurs se dirigeront vraisemblablement plus massivement vers les BQ vides rapidement. Comme ce taux de vidage varie selon que les BQ sont en accord ou non avec le mode, le remplissage sera, de mme, ingalement rparti. Si en faible injection, lhypothse de rpartition constante de la pompe peut rester valable (et grosso modo dtermine par le rapport entre le nombre de BQ utiles et inutiles), les phnomnes dmission stimule dans le mode laser, apparaissant en rgime de forte injection, vont dsexciter beaucoup plus rapidement les BQ utiles, qui sattireront par l lessentiel de la pompe. Par ailleurs, si la capacit des BQ utiles est insuffisante, des phnomnes de saturation peuvent galement rduire la fraction utile de la pompe. En toute rigueur, le terme (1/p)u nvolue donc pas linairement avec 1/p. La prise en compte de la capture des porteurs par les diffrentes BQ permet de poser : (
1
P
)u = * ( N u n) * nB pour la fraction utile de la pompe avec , le coefficient de
capture de porteurs, crs dans les barrires, par les BQ (utiles ou inutiles). Le deuxime
41
terme de pompe traduisant le flux de ces porteurs vers les BQ inutiles ou leur RNR dans les barrires peut scrire : ( 1
p
)i = * ( N i ni ) * nB + (
1
nr
) InP * nB
Finalement, lquation (1) devient : dn B 1 1 = * ( N u n) * n B * ( N i ni ) * n B ( ) InP * n B dt p nr (2)
II.2 Equations de balance

Les quations de balance dcrivent la variation du nombre de photons N et dexcitons utiles n dans la cavit. II.2.1. Les photons Les photons sont crs par mission spontane et stimule, partir des porteurs excits utiles dans la cavit, tandis quils sont consomms soit par absorption (des porteurs p non excits dans les BQ utiles), soit sous laction des pertes optiques hors de la cavit et lies Q. dN 1 1 1 = n* + n* p* N * dt spont stim stim (3)
La prsence dun seul mode dans la cavit implique que la dsexcitation radiative des porteurs produise un photon dans le mode considr et que les porteurs excits inutiles se dsexcitent non radiativement. 1/spont et 1/stim sont respectivement les taux dmission spontane et stimule dans le mode de cavit qui caractrisent la dsexcitation des porteurs excits. Dans ce cas simple, o il ny a quun seul mode, le lien entre les deux taux fait uniquement intervenir le nombre de photons N :
1
stim
1
spont
*N .
Lquation (3) scrit :
dN n p n = N *( ) + dt spont spont
(4)
II.2.2. Les excitons Les excitons sont tous, dune part, soumis leffet de pigeage par les dfauts, qui se traduit par des RNR. Dautre part, les excitons utiles interagissent avec les photons dans le cadre des phnomnes dmission et absorption.
42
La variation du nombre n de porteurs utiles excits peut donc scrire : dn n n p n 1 = N* + ( )u dt nr spont spont P Tous ces phnomnes peuvent tre schmatiss comme sur la figure 2.2. (5)
Pompe 1/p nB porteurs excits dans les barrires 1/p (1/p)u *(Nu-n) (1/p)i *(Ni-ni)
(1/nr)InP
n porteurs excits utiles N*1/spont
pi
ni porteurs excits inutiles
1/spont (Nu-n)*1/spont
N photons dans le mode lintrieur de cavit
1/nr 1/nr
Figure 2.2- Reprsentation schmatique du fonctionnement du laser monomode BQ modlis. Les pointills reprsentent le systme interne de la cavit et les flches les diffrents taux de vidage et remplissage entre les divers rservoirs du systme : photons, porteurs
II.2.3. Etat stationnaire Pour un taux de pompage donn, un rgime permanent stablit : les quantits nB, ni, n et N de porteurs excits et de photons ltat stationnaire sont alors lies aux quations (2), (4) et (5) drives temporelles nulles, c'est--dire :
43
0=
* ( N u n) * nB * ( N i ni ) * nB (
1
nr
) InP * nB (E)
0= N*
n p
spont
n
spont
N * n
spont
0 = N *
n p
spont
n
nr
+ * ( N u n ) * nB
La 2me quation
du systme (E) lie le nombre de photons N et dexcitons n utiles,
indpendamment du pompage et des autres variables du problme. En particulier, il sensuit la relation gnrale, aprs avoir remplac p par Nu-n : N * ( * spont + N u ) 2N + 1
n=
(6)
La figure 2.3 illustre graphiquement la relation (6). Lorsque le nombre de photons N est faible, la relation entre n et N est linaire. A linverse, le nombre de porteurs excits utiles, n, sature une valeur nmax=(spont*+Nu)/2 lorsque le nombre de photons N devient trs grand et que lmission stimule domine alors. Lexpression du gain net (mission stimule absorption) qui contrle dans ce cas la gnration de photons1 et sexprime
: le gain net devient gal aux pertes optiques2.
n
(n p) tend vers spont
(spont*+Nu)/2
Figure 2.3Courbe reprsentant la dpendance entre le nombre de porteurs excits n dans les BQ utiles et le nombre de photons N dans le mode de cavit.
II.3 Effet laser

II.3.1. Dfinition dun seuil laser La dfinition conventionnelle du seuil correspond au taux de pompage tel que le gain net du mode (mission stimule absorption) soit gal aux pertes optiques de la cavit. Cette
1 2
Lmission spontane devient ngligeable dans la boucle de gain, dans ce cas. On retrouve la dfinition classique du seuil, pour laquelle le gain et le nombre de porteurs restent pincs au del du seuil, avec une valeur de gain trs proche des pertes optiques.
44
dfinition nest en ralit pas rigoureuse, puisque le gain optique est toujours infrieur aux pertes cause de lmission spontane (dans le mode laser) qui sajoute au gain dans lquation (4). Elle impliquerait un nombre de porteurs excits au seuil gal la valeur maximum, normalement jamais atteinte, sauf lorsque le nombre de photons devient infiniment grand. Cette dfinition reste cependant valable dans le cas des lasers macroscopiques fort volume (>> 3 ), pour lesquels lmission spontane contribue trs peu au mode laser. En effet, puisquil existe alors typiquement des milliers de modes optiques accessibles, seule une fraction rduite du taux dmission spontane participe la gnration de photons dans un mode particulier. Pour des microcavits, la rduction du nombre de modes redirige une fraction non ngligeable de lmission spontane dans le mode dintrt. Plusieurs transitions (augmentation de la cohrence temporelle du champ optique, augmentation de lefficacit quantique), habituellement observes quand le seuil laser est franchi, ont lieu des niveaux de pompe infrieurs celui correspondant la dfinition conventionnelle macroscopique du seuil. Ces transitions se produisent lorsque lmission stimule commence dominer lmission spontane. Au del de ce point, lamplification linaire est remplace par une oscillation laser non linaire. Cette dfinition, associe aux changements des caractristiques physiques du systme, est plus approprie pour caractriser le seuil et reste valable pour une classe plus tendue de lasers (microscopiques comme macroscopiques3) que la dfinition classique. Cette grandeur est dsigne comme le seuil quantique, et correspond la valeur de pompe telle que le nombre de photons moyens dans le mode laser soit gal 1 [Bjrk 94]. II.3.2. Condition ncessaire pour lobtention dun effet laser Un certain nombre de conclusions simples peuvent tre avances sans expliciter plus avant les quations. Ainsi, les expressions de n et N pour le seuil (N=1) et la transparence (n=p) ont une validit assez gnrale car elles peuvent se dduire de lquation (6) sans aucune hypothse supplmentaire. Transparence : ntr = Nu 2 (7) et N tr = Nu 2 * spont * = Nu 2 sp (8)
si lon pose sp = * spont Seuil : n seuil =

3
spont * + N u 3
sp + N u 3
(9)
et N seuil = 1
(10)
Elle reste valable quelque soit la taille du laser mais dans le cas macroscopique, elle diffre peu de la dfinition conventionnelle de seuil.
45
Rappelons le nombre de porteurs excits maximum : nmax =
N u + sp 2
(11)
Selon que nmax<Nu (cest dire sp<Nu) ou non, le nombre de porteurs excits n sera pinc, en prsence dun nombre de photons N lev, une valeur infrieure ou gale la capacit maximum Nu des BQ utiles. Le cas o nmax<<Nu, est prfrable pour viter de saturer les BQ utiles, quelle que soit la valeur du taux de pompe.
Pour observer un effet laser, il faut ncessairement que nseuil<Nu, do la condition : Nu > sp 2 (ou N tr > 1 / 4 ) (12)
Cette condition impose un nombre de BQ utiles minimum pour lobtention dun effet laser, fonction des pertes de la cavit et du taux dmission spontane. Plus les pertes optiques sont faibles et les recombinaisons radiatives rapides, plus ce minimum peut tre abaiss. Inversement, les pertes optiques admises dans une microcavit laser sont limites par le nombre de BQ utiles disponibles dans la cavit. Illustrons ce propos par un exemple. Un mode de Q=1000 i.e. =2c/(*Q)~1012 s-1 =1.5 m, se traduit par llargissement spectral =*2/(2c)= /Q=1.5 nm. Pour spont~1 ns, on a donc sp~1000. Cela signifie que Nu doit tre suprieur 500 pour obtenir un effet laser. Pour une densit de BQ, ND, fixe, il existe une limite infrieure de taille de cavit S permettant un effet laser. En empilant les plans de BQ, le nombre de BQ utiles Nu peut tre augment taille de cavit fixe. Pour une densit surfacique ND de 500 m-2 (i.e. gale 5. 1010cm-2), le produit de la surface S (m2) et du nombre de plans nP doit tre suffisamment grand pour vrifier : S*n p * Nu 2 >1m . Le pourcentage Nu/N0 de BQ utiles est galement primordial et limitatif. Or, N0
le nombre de BQ utiles disponibles, parmi une population de BQ rpartie sur une gamme spectrale de ~100 nm, dans un mode de Q=1000, possdant une largeur spectrale de 1.5 nm, est loin dtre de 100%. Une surface S=15 m2 et np=6 plans de BQ par exemple vrifient la condition ncessaire pour obtenir leffet laser si le pourcentage de BQ utiles est suprieur 1%.

q
46
La comparaison entre seuil et transparence montre galement que si Ntr>1, cest dire
N u > 2 sp , le seuil est atteint avant linversion de population. Cela ncessite en particulier un trs grand nombre de BQ utiles (N0 grand et pourcentage de BQ utiles important). La figure 2.4 rsume graphiquement les diffrents cas susceptibles de se produire, en fonction de la valeur de Nu par rapport sp. Deux cas principaux sont envisager : sp 2 < N u < 2 sp : le seuil laser est atteint aprs que linversion de population ait eu lieu. sp 2 < N u < sp , les BQ utiles sont rapidement satures peine le seuil dpass.
De plus, si
N u > 2 sp : le seuil est atteint avant que le milieu actif ne soit invers.
Nu
nmax <Nu 2 Seuil<transp Seuil>transp CAS 1 CAS 2 1/2 Pas de laser
1
Figure 2.4- Diffrentes rgions de fonctionnement du laser en fonction du nombre de BQ utiles, Nu, et du produit entre le temps de vie radiatif des porteurs dans les BQ et le taux de pertes optiques de la cavit.
nmax =Nu
*spont
II.3.3. Un calcul de seuil approximatif Si la relation (12) garantit lobtention dun effet laser, elle se limite une rponse binaire quant loccurrence ou non dun effet laser mais ne dit rien sur la valeur du seuil associ. Nous avons vu que la rsolution des quations de balance (E) tait conditionne par la rpartition de la pompe entre les BQ utiles et inutiles. Une hypothse approximative qui permet de lever linterdpendance entre BQ utiles et inutiles est de considrer que le nombre de porteurs injects dans chaque type de BQ est proportionnel la quantit de BQ correspondante. Autrement dit, cela revient poser n n = i . En toute rigueur, cela nest Nu Ni
plus vrai lorsque lmission stimule vide beaucoup plus vite les BQ utiles, par rapport aux BQ inutiles. Cependant, pour dvelopper une expression de seuil, elle est satisfaisante. Cette hypothse permet dexprimer la fraction utile de la pompe sous la forme :
47
1 1 * ( N u n) 1 )u = * = * K u ( n) p P * ( N n) * (1 + N i ) + ( 1 ) p u nr InP Nu
(13)
Les RNR dans les barrires, le nombre de BQ inutiles et lventuelle saturation des BQ utiles sont trois lments qui rduisent la part utile de la pompe, Ku(n), donc reculent le seuil du laser. En introduisant cette expression de pompe utile dans la 3me quation de (E) et en remplaant n et N par leurs valeurs au seuil (9) et (10), le taux de pompe au seuil sexprime sous la forme : 2 * n seuil N u n 1 1 1 1 1 =[ + n seuil * ( + )] * = [ + seuil ] * p sp sp nr K u (n seuil ) nr K u (n seuil ) 3 + nr * (1 + puis, p = Nu ) sp ( 1 ) InP 2 N nr N u sp *[ * (1 + i )] + 3 Nu (14)
N 2 u 1 sp
(15)
avec p=sp/p et nr=sp/nr. Rduire le seuil donn par ces quations implique4 : de limiter le nombre de BQ inutiles, de rduire les RNR dans les barrires et daugmenter lefficacit de collection de porteurs dans les BQ, de rduire la proportion de RNR dans les BQ par rapport aux recombinaisons radiatives (augmenter le rendement radiatif) de rduire le nombre de porteurs excits requis au seuil. Cela permet galement de bnficier dune fraction utile de pompe importante. En effet, si le seuil est atteint bien avant la transparence, les BQ utiles seront trs loin dtre satures pour le taux de pompage au seuil. de rduire les pertes optiques. Le terme li aux pertes optiques () apparat dans lquation (14). Notons galement que la rduction des pertes optiques permet simultanment de diminuer le nombre de porteurs excits requis au seuil. Lintrt rduire les pertes optiques est donc double, du point de vue de labaissement du seuil. Enfin, linfluence du nombre de BQ total N0 sur le seuil est la somme de deux contributions. Il existe donc un optimum en N0 vis vis de la valeur de seuil produite. Dune part, augmenter N0 permet daugmenter la fraction utile de la pompe donne par (13). Le taux de
4
Ces diffrents leviers de rduction du seuil sont finalement assez intuitifs.
48
remplissage des BQ utiles, proportionnel (Nu-n), augmente en effet avec Nu donc N0. Dailleurs un nombre de BQ utiles minimum, i.e. juste gal sp/2 conduirait des seuils infinis puisque leffet laser impliquerait que toutes les BQ utiles soient satures. Dautre part, comme le nombre de porteurs au seuil augmente aussi avec N0, la pompe ncessaire pour atteindre le seuil, i.e. exciter cette quantit importante de porteurs, augmente galement. Par consquent, si laugmentation de N0 est bnfique dans un premier temps, la fraction utile de la pompe finit par saturer une valeur maximum lorsque N0 est suffisamment grand, laissant la deuxime contribution dominer la dpendance du seuil en N0. Loptimum de N0 qui produit une valeur de seuil minimum permet daugmenter suffisamment la fraction utile de la pompe (en rduisant le facteur dinversion des BQ utiles au seuil), sans trop lever le nombre de porteurs requis au seuil. Cette valeur optimum de N0 est rduite lorsque les RNR sont peu importantes. La figure 2.5 illustre cet effet de N0 sur le seuil. Elle montre en effet des caractristiques laser (Nombre de photons en fonction de la puissance dexcitation) traces partir du systme dquations (E) et de lexpression (13), pour un nombre de BQ total N0 croissant. En particulier, un recul du seuil est observ lorsque le nombre de BQ total est trop augment (courbe rouge).
Q=2000 (1/nr)InP=105 s-1 spont=10-9 s Rendement radiatif=0.2% Nu/N0=5%
Figure 2.5- Courbes caractristiques (nombre de photons dans la cavit vs. puissance dexcitation en mW) des lasers traces pour un nombre de BQ total N 0 variable : 26000 (bleu), 104000 (vert) et 286000 (rouge).
49
III.
AFFINEMENT DU MODELE
III.1 Limitations du mod le

Ce modle simplifi mrite quon en rappelle les limitations et approximations. Lquation (3) suppose que les diffrentes BQ utiles possdent le mme taux dmission
spontane en cavit, 1/spont. En particulier, le profil spectral du mode est suppos rectangulaire, de faon que les diffrentes BQ utiles, malgr un lger dsaccord spectral entre elles, voient la mme densit dtats photoniques. Les dsaccords spatiaux des diffrentes BQ utiles, en ralit localises en des points de la cavit o lintensit du champ lectrique est dissemblable, sont galement ngligs. La rpartition spatiale du mode non uniforme est donc oublie. De mme, le facteur de recouvrement spatial dans lpaisseur, entre le mode et le matriau actif nest pas pris en compte. Une autre faon de considrer le problme est de moyenner ces diffrences pour aboutir un taux dmission spontane moyen attribu toutes les BQ utiles. Les probabilits de capture dune BQ vide ou moiti pleine sont enfin considres identiques. La capture des porteurs par les BQ est prise en compte mais pas le phnomne inverse
dmission thermoonique des BQ vers les barrires. De faon gnrale, les effets thermiques ne sont pas introduits, alors que lchauffement des structures microlaser est souvent non ngligeable et engendre son propre lot de pertes (cf chapitre 3, section V.2.2). Les appellations BQ utiles/ inutiles classent les BQ, respectivement, dans deux
catgories bien distinctes : celles qui participent lactivit photonique, et celles qui ny participent pas. En particulier, les phnomnes dabsorption par les BQ inutiles sont ngliges. Les interactions entre BQ utiles et inutiles, comme les changes de porteurs entre BQ, sont tus galement. Les deux groupes sont considrs comme vritablement indpendants. Pourtant la limite entre BQ utile/ inutile nest pas toujours vidente tablir. Dans la pratique, deux cas extrmes peuvent se prsenter. Premier cas La largeur de la transition des BQ est ngligeable devant celle du mode (e<<), [figure 2.6(a)], autrement dit, le facteur de qualit du mode est relativement faible. La distinction BQ utile/ inutile est immdiate : le mode de cavit slectionne un certain nombre de BQ utiles parmi une distribution htrogne de BQ. Moins le mode est slectif, i.e. plus le taux de pertes optiques est lev, plus le nombre de BQ utiles est important. Une estimation de ce nombre de
50
BQ utiles peut tre, dans ce cas, fournie par le rapport de la largeur spectrale du mode sur la largeur inhomogne (i) des BQ, soit N u = * N 0 . Ce rapport comptabilise utiles les BQ i
j telles que (e)j est compris dans lintervalle de largeur autour de la frquence 0 du mode. Lintroduction de cette relation dans lquation (15) aboutit une expression de seuil indpendante de Q. En effet, un plus faible entrane une rduction du pourcentage de BQ utiles, disponibles pour nourrir lmission du mode laser, donc de la fraction utile de la pompe. Cette slection de BQ utiles par la largeur spectrale du mode supprime donc linfluence habituellement favorable (et voque plus haut) dun fort facteur de qualit sur le seuil du composant.
mode Densit dtats Botes utiles Distribution de BQ
Densit dtats
mode Distribution de BQ
(a)
(b)
Figure 2.6- Reprsentation schmatique de la distribution inhomogne de BQ et du mode de cavit (rouge) lorsque la largeur homogne des BQ individuelles est plus fine (a) ou plus large (b) que le mode.
Deuxime cas La largeur de la transition des BQ est suprieure celle du mode (e>>), [figure 2.6(b)], autrement dit, le facteur de qualit du mode est relativement fort. Ce cas nest pas rare, puisqu temprature ambiante, par exemple, les BQ peuvent montrer des largissements homognes suprieurs 10 nm (cf. section IV.3.3 de ce chapitre). Ainsi, mme pour des Q aussi faibles que 500 (~3 nm 1.5 m), llargissement du mode peut tre infrieur celui dune BQ. Dans ce cas, la distinction BQ utile/ inutile savre plus dlicate. Certaines BQ qualifies dinutiles avec la dfinition prcdente, i.e. dont la transition nest pas centre sur la frquence 0 du mode /2 prs, exhibent un spectre dmission suffisamment large pour quil existe un recouvrement non nul avec le mode. Ces BQ peuvent donc participer lmission dans le mode [Sugarawa 99 ; Sakamoto 00]. Une estimation du nombre de BQ utiles peut alors tre fournie par lexpression : Nu = e *N , i.e. par le nombre de BQ j telles i 0
51
que (e)j est compris dans lintervalle de largeur e autour de la frquence 0 du mode. Lintroduction de cette expression dans la formule de seuil conserve leffet bnfique de laugmentation de Q sur le seuil, voqu dans la section II.3.3.
III.2 Cavit multimode

En prsence de modes supplmentaires dans la cavit (continuum de modes de fuite ou modes de cavit), lmission spontane dun metteur se rpartit dans diffrents conduits photoniques. Un coefficient (<1) de couplage de lmission spontane au mode laser peut tre introduit pour en rendre compte. Il est dfini comme la fraction de lmission spontane totale capture par le mode dintrt : (1/spont)L/(1/spont)total. Le facteur dpend du recouvrement spectral et spatial du mode avec lmetteur. Dans les diffrentes quations, *1/spont doit tre substitu au seul facteur 1/spont. En particulier, (3) et (5) deviennent : dN n p n = N * ( * ) + * dt spont spont (16) (17) sp 2 * 1 . Ce critre de
n p et dn = n N * * n +(1) dt nr spont spont P u La condition (12) ncessaire pour obtenir un effet laser scrit : N u >
seuil, portant sur le nombre de BQ utiles, est plus svre. Un fort traduit une fraction de lmission spontane dans le mode trs importante et simultanment, une fraction 1- de lmission dans les autres modes, fortement rduite. Cette mission dtourne du mode dintrt est un facteur de pertes, donc daugmentation du seuil laser. Lidal est lexistence dun unique mode dans lequel seraient mis tous les photons, avec 1/spont = 1/L et =1, comme cela a t considr dans la partie II. La considration de modes supplmentaires change lgrement la signification de 1/spont qui devient le taux dmission spontane global dune BQ utile dans les diffrents modes accessibles. Pour un matriau actif largi de faon inhomogne comme une population de BQ dissemblables, la sparation effectue dans la partie II entre BQ utiles et inutiles, intgre en ralit un certain facteur de couplage de lmission spontane globale des diverses BQ au mode dintrt. Dans le cadre de cette description, des modes de cavit discrets supplmentaires, dautres nergies, ont une forte probabilit dimpliquer des BQ juges inutiles pour le mode dintrt, sans interaction avec les BQ utiles. En toute rigueur,
52
cependant, dans le cas o la largeur homogne dune BQ est non ngligeable devant celle du mode [cas e>, figure 2.6(b)], le spectre dmission des BQ utiles couvre une zone spectrale plus large que le seul mode optique dintrt. Des conduits photoniques additionnels (modes inclus dans la largeur spectrale e dune BQ, proches du mode dintrt, ou continuum de modes de fuite) restent donc accessibles aux BQ utiles. Le coefficient des quations (15) et (16) caractrise ainsi lefficacit du couplage de lmission spontane des BQ utiles au mode dintrt.
III.3 Equations de balance dans le cas dun puits quantique

Les quations de balance dans le cas dun matriau actif de type puits quantique sont assez bien dveloppes dans la littrature [Coldren 95]. Cest la raison pour laquelle, nous reprendrons ici le systme des quations de Langevin, couramment adoptes, en se bornant en expliciter les diffrences par rapport au cas tudi plus haut. Les quations de balance pour la densit de porteurs excits n (cm-3) dans le matriau actif et de photons N (cm-3) dans le mode dintrt scrivent dans ce cas : dN N = * Rst + * * Rsp dt P dn i * I n = Rst dt q * V
(E2) [Coldren 95]
Le gain net Rst (mission stimule absorption) et le taux dmission spontane Rsp apparaissaient dj dans les quations prcdentes du systme (E). Le facteur de recouvrement entre porteurs et photons est ici pris en compte. Il est de lordre du rapport entre le volume de matriau actif et le volume du mode (~ de cavit). Le facteur i dsigne le rendement quantique interne, i.e. la fraction des porteurs atteignant la zone active. Avec le courant I, le volume de cavit V et la charge lmentaire q, le terme i * I q *V
correspond au taux de pompe par unit de volume qui est inject dans la zone active. Le facteur est le coefficient de couplage de lmission spontane du matriau actif avec le mode dintrt. Il caractrise le taux dmission spontane global du PQ et non celui de BQ utiles , comme prcdemment. Il est donc vraisemblablement plus faible, puisque la largeur homogne dun PQ est plus leve que celle dune seule BQ. Cependant, tous les
53
porteurs excits dans le PQ sont potentiellement utiles . Par consquent, le facteur de couplage global de lmission spontane de la ZA au mode dintrt peut savrer plus lev pour un PQ que pour un ensemble inhomogne de BQ (cf. chapitre 5, partie IV). Enfin, les constantes de temps et p caractrisent respectivement les dures de vie associes aux porteurs n et aux photons N dans la cavit. Dans le cas des semi-conducteurs, le gain net Rst peut sexprimer sous la forme : vg*g*N, o g est le gain (cm-1) du matriau actif et vg la vitesse de groupe des photons. Le gain g est gal, en premire approximation, a*(n-ntr), o ntr est la densit de porteurs la transparence et a le gain diffrentiel (dg/dn). Dans la partie II, nous avions simplement exprim le gain en nous appuyant sur la proportionnalit, via le nombre de photons N, entre les taux dmission spontane et stimule dun metteur individuel dans le mode dintrt. Si le mode possde une largeur spectrale suffisamment faible, cette relation peut rester valable (Rst * Rsp). La dsexcitation des porteurs, n/ rsulte de la somme des termes A*n, B*n2 et C*n3, qui dsignent les recombinaisons radiatives Rsp (en B*n2) et non radiatives (A*n et C*n3) dans le semi-conducteur. Ces termes seront plus explicits dans le chapitre 3, section V.1.2, en particulier, les recombinaisons de surface (A*n) et les recombinaisons Auger (C*n3). En sappuyant sur ce modle, H.-R. Ryu et coll. ont trac des courbes thoriques de densits de photons N en fonction du courant I, avec les grandeurs physiques choisies pour le cas de PQ de GaInAsP (cf. figure 2.7).
Figure 2.7- Courbes thoriques de la densit de photons en fonction du courant I, obtenues partir du systme dquations (E2) pour deux valeurs du facteur de qualit Q. Le facteur dmission spontane est suppos gal 0.1 dans le calcul. Source [Ryu 03]
Laugmentation de Q apparat sans conteste rduire le seuil laser et augmenter le gain diffrentiel5.
Cela reste vrai dans une certaine mesure, car au del dune certaine valeur, dautres types de pertes dominent et empchent une rduction du seuil supplmentaire (cf. chapitre 3, section V.4).
54
IV.
INTERETS DE LA COMBINAISON BOITE QUANTIQUE/

MICROCAVITE
Lassociation BQ/ microcavit optique ne peut tre aborde sans parler de leffet Purcell ou des applications dlectrodynamique quantique en cavit (QED). En effet, si lobjectif de cette thse reste la ralisation dun microlaser faible seuil, la combinaison envisage est souvent prsente comme prometteuse pour la dmonstration de modes particuliers de couplage entre un metteur et une cavit. Mme si cette tude nest pas ddie la mise en vidence de tels phnomnes, quelques notions lmentaires seront prcises. De plus, nous verrons comment leffet Purcell peut tre ou non implment dans le cadre de la ralisation dun laser faible seuil vis dans ce travail.
IV.1 Effet Purcell

Leffet Purcell dsigne la capacit dune microcavit modifier le taux dmission spontane dun metteur plac en son sein, par le biais dinteractions renforces entre metteur et photons (notion aborde qualitativement dans le chapitre 1). Lmission spontane nest pas une proprit intrinsque de lmetteur mais rsulte de linteraction entre le diple atomique et le champ lectromagntique du vide. Le taux de transition radiative dun metteur dans un tat initial excit vers un tat final nergtique plus faible, dpend de la densit dtats photonique accessible, (), la frquence de transition e. En rgime de couplage faible, o lexcitation atomique est perdue de faon irrversible dans le champ, ce taux est exprim par la rgle dor de Fermi : 1 2 = ( e ) < < d . (r e ) > > [Grard 98] h2 avec d le diple associ lmetteur et (re) lintensit du champ lectrique du vide la
2
position re de lmetteur. Ainsi, en modifiant (e), lmission spontane peut tre renforce ou au contraire inhibe. Un moyen de faire varier (e) consiste utiliser une cavit optique qui rduit le nombre de modes permis, mais augmente la densit dtats locale dans les modes rsonants. Lmission spontane dans (respectivement en dehors de) la rsonance de cavit est alors amplifie (inhibe). Leffet Purcell fournit une estimation du potentiel maximum de la microcavit renforcer le taux dmission spontane dun metteur idal dans le mode de cavit. Prcisons cette idalit : v accord spectral entre lnergie de transition de lmetteur et le mode de cavit,
55
v largeur de la raie dmission ngligeable (mission quasi-monochromatique) par rapport la largeur du mode, v accord spatial entre la localisation de lmetteur et la position du ventre de champ lectrique (localisation du diple sur un ventre du champ lectrique stationnaire), v accord entre lorientation du diple metteur et la polarisation du champ E que ressent lmetteur (alignement diple / champ lectrique). Le taux dmission spontane 1/spont dun tel metteur dans le mode de cavit se trouve augment par rapport son taux dmission spontane 1/(spont)0 dans lespace libre, dun facteur Fp appel Facteur de Purcell. Dans ces conditions trs idales, Fp sexprime simplement : 3Q3 , avec Q le facteur de qualit du mode, la longueur donde de la 4 2V
transition optique dans la cavit et V le volume effectif du mode. Le facteur de Purcell de la cavit dcrit donc sa capacit coupler un metteur idal avec le champ lectromagntique (EM) du vide, via un renforcement local de lintensit du champ et de la densit effective de modes. Intuitivement, une microcavit concentre spectralement et spatialement un champ EM qui se trouvait dilu spatialement et spectralement dans lespace libre. Dune part, Q traduit une augmentation de la densit de modes, pique une certaine nergie : plus le mode est fin, plus son maximum en termes de densit dtats est lev. Lmetteur la ressent de faon effective sil est en accord spectral avec le mode et surtout sil possde une largeur homogne (hors couplage au champ) plus faible que le mode. Dautre part, V traduit un renforcement du champ EM lintrieur de la cavit. Un mode confin voit son nergie concentre dans la zone de confinement et lmetteur ressent cette augmentation locale sil est plac sur le maximum du champ.
IV.2 La QED en microcav it semi-conductrice

Leffet Purcell a t vrifi par des expriences pionnires dans les annes 1980 datomes en cavit. A ltat solide, lobservation de leffet Purcell est conditionne par deux choses : lexistence dune microcavit prsentant un rapport Q/V lev, et dun metteur aisment insrable dans cette microcavit, vrifiant du mieux possible les conditions idales prcdentes. IV.2.1. La microcavit Plusieurs approches, prsentes dans le chapitre 1 (section III.1.3), permettent de construire des microcavits semi-conducteur produisant un confinement, plus ou moins efficace, dans
56
les trois directions de lespace. Les diffrentes solutions envisages se distinguent par leur configuration, ainsi que les facteurs de qualit et volumes plus ou moins importants quelles produisent. Les microsphres en silice prsentent un fort facteur de Purcell (>7.104) grce leur trs fort Q (Q~109) et ce malgr un volume lev (V~1000*(/n)3). Les faibles volumes accessibles (V<30*(/n)3) grce aux micropiliers [Grard 98], microdisques [Grard 99-2] et cavits cristaux photoniques 2D (V~0.1*(/n)3 au minimum) [Yoshie 01-1 ; Vuckovic 03-1] permettent de bnficier de facteurs de Purcell encore levs (30-150) pour un Q plus modeste (1000-10000). La condition sur la largeur de raie de lmetteur sen trouve moins svre. En pratique, la largeur spectrale de lmetteur impose en effet la limite suprieure de Q de cavit dont il peut tirer profit.
IV.2.2. Lmetteur Depuis la prdiction de leffet Purcell en 1946 [Purcell 46], un dficit dmetteur appropri ltat solide a empch la mise en vidence du phnomne de renforcement de lmission spontane dans les microcavits semi-conductrices. Les metteurs ltat solide sont en effet souvent bien plus larges spectralement que les modes rsonants de cavit. Par ailleurs, des RNR importantes masquent fortement la modification intrinsque de la dure de vie des porteurs. Les BQ montrent plusieurs atouts. Dabord, grce leurs niveaux dnergie discrets , les BQ se comporteraient individuellement comme des metteurs de lumire quasi monochromatique avec une raie dmission troite. A priori sans dfauts, elles montrent une grande efficacit radiative renforce par leur aptitude piger les porteurs. De plus, linsertion de BQ dans des cavits semi-conductrices est aise et leur niveau dabsorption bas vite la dgradation de la qualit optique de la cavit.
IV.2.3. Dmonstrations exprimentales ltat solide Leffet Purcell a t observ ltat solide ds 1997 avec des BQ insres dans des micropiliers [Grard 98 ; Vuckovic 03-2 ; Solomon 01 ; Gayral 00] ou des microdisques [Kiraz 01 et 03 ; Gayral 00 et 01]. Les dmonstrations exprimentales sappuient souvent sur des techniques de PL rsolue en temps basse temprature (entre 6 et 50K). Le taux de dsexcitation des porteurs correspondant une BQ [Vuckovic 03-2 ; Solomon 01] ou quelques BQ [Grard 98 ; Gayral 01] couples de faon rsonante un mode de cavit est mesur. La valeur obtenue est plus leve dun facteur variant de 5 12 [Gayral 01] par rapport aux valeurs exhibes pour une (des) BQ hors rsonance. Puisque la dure de vie
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mesure reflte le temps de vie radiatif des porteurs pigs dans les BQ6, le raccourcissement indique un renforcement effectif du taux dmission spontane des BQ en rsonance avec le mode. Dautres techniques comme la saturation de lmission de PL en excitation continue peuvent rvler leffet Purcell : le seuil de saturation en puissance des BQ rsonantes est repouss par rapport celui des BQ non rsonantes [Grard 99-2 ; Happ 02]. Concernant les cavits cristaux photoniques, les dmonstrations de QED sont plus rares [Happ 02], alors quelles restent peut tre les meilleurs compromis en termes de volume et de Q. Dune part, les cavits cristaux photoniques sont les plus compactes. Dautre part, loptimisation fine de leur design peut conduire des Q>10 000. A contrario, les modes de galerie de microdisques prsentent des Q naturellement meilleurs, mais les volumes sont difficiles rduire sans dgrader le facteur de qualit. Certaines gomtries de cavits CP 2D ont mme t envisages numriquement et spcialement ddies ces applications QED. Elles combinent un mode fort Q (~45000) et faible volume (~0.8*(/n)3), tout en rendant possible le positionnement dune BQ dans la rgion fort champ lectrique [Vuckovic 03-1]. Exprimentalement, des facteurs de qualit plus modestes mais assez levs (3000-4000) ont t obtenus pour des volumes rduits (0.5*(/n)3 et 2.5*(/n)3) [Yoshie 01-1 et Reese 01-1], prdisant un facteur de Purcell suprieur 100 [Reese 01-1].
IV.3 Limitations
Lenthousiasme vis vis de leffet Purcell doit tre tempr par un certain nombre de restrictions conditionnant son observation ou de phnomnes (moyennage, positionnement, largissement de la raie dmission) qui en limitent lampleur. IV.3.1. Effet de moyenne statistique Le renforcement de lmission spontane observ exprimentalement est souvent bien plus faible que le facteur de Purcell de la cavit. Diffrentes raisons expliquent cet cart. Les mesures impliquent en effet, en fonction de la densit de BQ pitaxies, une ou plusieurs BQ en rsonance avec le mode dintrt. Les mesures impliquant plusieurs BQ convoluent les effets associs des BQ dissemblables, cause de la distribution spectrale et spatiale alatoire des BQ dans la cavit. Le taux dmission spontane dune BQ donne dans le mode de cavit dpend de son positionnement
6
Les conditions dexcitation et les comparaisons effectues garantissent que la dure de vie des porteurs mesure reflte le temps de vie radiatif en mission spontane
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et de sa longueur donde dmission, qui gouvernent respectivement, lamplitude du champ quelle ressent et la densit effectives de modes auxquels elle est couple. Le renforcement de lmission spontane estim dans ce cas est un effet collectif rsultant dune moyenne statistique entre les couplages ingaux des diverses BQ au mode de cavit. Lampleur de leffet Purcell observ se trouve donc rduit par diffrents facteurs, lis lorientation alatoire du diple, la moyenne spectrale et spatiale des (ds)accords des diverses BQ. Le taux global dmission spontane dune BQ combine galement lmission dans les modes de fuites, et lmission dans le mode de cavit, parfois dgnr. Cette description du renforcement de lmission spontane pour une collection dmetteurs inhomognes rend compte de lcart exprimental entre Fp et la valeur mesure (respectivement 32 et ~5 pour [Grard 98]) .
IV.3.2. Dsaccord Emetteur/ mode Le couplage du mode de cavit une unique BQ7 peut paratre idal pour viter ce moyennage, mais le renforcement de lmission spontane est galement affaibli si lmetteur nest pas localis au maximum du champ lectrique. Or, la concidence requise de la BQ avec la frquence du mode aussi bien quavec la position du ventre du mode ne sont pas aiss raliser. Des efforts mergent pour contrler la position et larrangement des BQ [Kiraz 03]. Idalement, certaines techniques pourraient permettre de positionner une BQ au maximum du champ de cavit, par le biais dune croissance slective des BQ, et lexploitation dun alignement prcis ( qq dizaines de nm prs) de la cavit fabrique ultrieurement. Par ailleurs, le recouvrement spectral est difficile atteindre cause du contrle peu prcis des nergies dmission des BQ et de rsonance de la cavit. La technique daccordabilit utilise, entre le mode de cavit et lnergie dmission dune BQ, en ajustant la temprature nest pas optimale. La plage de variation de lnergie de BQ ainsi produite est limite 3 meV entre 4 et 50K8. Lincertitude sur lnergie dmission de BQ, suprieure ce dcalage, ncessite dinclure plusieurs BQ dans la cavit pour augmenter la probabilit den obtenir une en rsonance avec le mode. En conclusion, dune part, lampleur du renforcement de lmission spontane reste limite pour une collection de BQ accordes plus ou moins bien au mode dintrt. Dautre part, laccord spectral et spatial dune seule BQ au mode de cavit peut savrer difficile raliser.
7 8
Cela peut tre obtenu en rduisant la densit de BQ lors de lpitaxie. ou 5 meV entre 8K et 77K mais la largeur homogne commence augmenter de 30 eV 300 eV.
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Il sensuit que les mises en vidence exprimentales de leffet Purcell exploitant une BQ unique montrent actuellement des facteurs de renforcement de lmission spontane du mme ordre de grandeur que les effets obtenus avec plusieurs BQ rsonantes (~5).
IV.3.3. Elargissement de la raie dmission dune bote quantique La condition de finesse de lmetteur reprsente une difficult fondamentale pour observer leffet Purcell, beaucoup plus difficile surmonter que les cueils prcdents. La largeur homogne de la transition de BQ est limite principalement par linteraction des porteurs avec les phonons, amplifie temprature ambiante, et par les interactions coulombiennes entre porteurs pigs, qui augmentent avec le taux dinjection. Ces phnomnes largissent la raie dmission dune BQ, bien au del de la limitation intrinsque associe la dure de vie radiative des porteurs dans la BQ. Pour repre, une BQ unique dInAs/GaAs possde une largeur mi-hauteur infrieure 30 eV basse temprature ( 8K et faible puissance dexcitation) [Gayral 00], permettant de bnficier de leffet Purcell pour des Q aussi levs que 10000. Cependant, temprature ambiante, llargissement se situe plutt autour de 510 meV [Matsuda 00] (voire plus en forte injection de porteurs), ce qui limite 100 le facteur de qualit dont une BQ peut tirer profit. Cela explique que leffet Purcell avec des BQ ait t observ par les diffrents groupes uniquement basse temprature.
IV.4 Microlaser
IV.4.1. Couplage de lmission spontane au mode laser : avec ou sans effet Purcell Le coefficient de couplage de lmission spontane au mode laser est sans doute lun des paramtres cl du composant puisque cest la fraction de lmission spontane destine allumer lmission stimule. Nous avons dj voqu lintrt laugmenter pour rduire le seuil laser. Dans les lasers semi-conducteur conventionnels, ce facteur est souvent trs faible (~10-5). Puisque sexprime comme le rapport (1/spont)L / (1/spont)total, leffet Purcell apparaissait demble prometteur pour augmenter par le biais du renforcement de (1/spont)L. Idalement, le facteur dun metteur bnficiant du facteur de Purcell Fp peut scrire
60
Fp/(Fp+1)9. En particulier, tend vers 1 pour des valeurs de Fp suffisamment grandes. Cependant, nous avons dj voqu les restrictions concernant le profit de leffet Purcell. En particulier, la faible finesse de lmetteur, pour bnficier du renforcement spectral de la densit de modes, est un critre difficile remplir temprature ambiante et dans un rgime de forte injection de porteurs. Ces conditions sont pourtant celles qui sont gnralement adoptes dans un laser. Le respect de ce critre ncessiterait dimplmenter de faibles Q (~100) non dsirables car associs des taux de pertes optiques levs qui augmenteraient le seuil laser. Quant au renforcement spatial, il est considrablement affaibli par la localisation alatoire des BQ, distribues sur les nuds et ventres du champ EM du mode10. Seul le positionnement de toutes les BQ sur un ventre du champ EM dans la direction verticale peut produire un effet de renforcement du taux dmission spontane [Grard 98 ; Seassal 00]. Par consquent, mme un puits quantique, bien positionn verticalement, en bnficie. Leffet Purcell ne devrait donc pas induire une rupture dans les performances des microlasers semiconducteur comparables aux progrs apparus avec lintroduction des PQ. En particulier, le laser vis dans cette thse ne devrait pas en tirer un profit exceptionnel. Si le facteur de Purcell permet daugmenter , en acclrant le taux dmission spontane dun metteur, il nen est pas une condition ncessaire. Lutilisation dune microcavit permet en effet, mme sans effet Purcell, daugmenter le facteur . Le taux dmission spontane dun metteur dans le mode dintrt reste de lordre de grandeur de celui dans lespace libre. Nanmoins, son mission spontane globale est redirige vers le mode laser par le biais de la rduction du nombre de modes et de linhibition des modes de fuite. Par exemple, si la largeur spectrale de lmetteur est infrieure lespacement entre deux modes adjacents de cavit, lmission spontane peut tre couple principalement un seul mode (fort associ ce mode). Cette condition, beaucoup moins svre que celles conditionnant lexploitation de leffet Purcell, dtermine une taille maximum de cavit qui produirait un intervalle spectral suffisant entre les diffrents modes. Une estimation trs grossire de est fournie par linverse du nombre de modes accessibles lmetteur (inclus dans sa gamme spectrale dmission), en considrant uniforme , la division de lmission spontane dans ces diffrents modes. Un coefficient de 10% est accessible dans des microsphres [Pelton 99] et
9
Ou de faon plus rigoureuse Fp/(gFp+3) avec g le degr de dgnrescence du mode et 3 pour la polarisation alatoire du diple metteur ainsi que le couplage aux modes de fuite qui rduit le renforcement du taux dmission spontane dans le mode concern. 10 Nous avons vu lintrt multiplier le nombre de BQ pour augmenter le gain et pouvoir ainsi compenser le taux de pertes de la cavit. Diffrentes BQ sont par consquent impliques dans le microlaser vis, qui produisent cet effet de moyenne statistique.
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jusqu 20% dans un microdisque de faible diamtre. Un facteur de 46% a galement t calcul pour un mode de H1 de Q~130 [Vuckovic 99]. Enfin, lever la dgnrescence des modes est bnfique pour augmenter le facteur dans un mode donn, chose que les microcavits CP 2D sont capables de produire sans dgrader le facteur de qualit optique. IV.4.2. Des lasers particuliers : laser sans seuil, laser ultime Si le facteur tend vers 1, toute lmission est canalise dans le mode laser, mme en rgime dmission spontane. La dfinition quantique de seuil, associe au changements des caractristiques physiques du systme, reste valable mme lorsque 1. Les transitions sont cependant plus lisses en fonction de la puissance de pompe. Le seuil devient flou tant et si bien que de tels lasers sont appels parfois laser sans seuil. Certes, les caractristiques dun laser o ~1, sont peu diffrentes selon que la puissance est juste au dessus ou au dessous du seuil. Cette dfinition continue cependant de sparer un rgime linaire de simple amplification, dun rgime non linaire deffet laser. Un laser vritablement sans seuil nexiste donc pas : la notion de seuil est difficile dfinir mais persiste. Une caractristique assez remarquable de ce type de laser sans seuil , est lexhibition possible dun effet laser sans inversion de population (cf. section II.3.2 prcdente). Alors que ce cas est impossible atteindre dans le cadre de la dfinition classique du seuil, le critre quantique lenglobe comme un simple cas particulier. Concrtement un tel cas ncessite un trs fort mais aussi un fort rendement radiatif [Bjrk 94]. Le recyclage de photons, dans un rgime damplification laser sans inversion du milieu actif, rend en effet plus svres les conditions de couplage de lmission spontane dans le mode laser et de restriction des RNR parasites. Le laser ultime est un peu diffrent : il exploite un metteur unique, comme une BQ, et un mode de cavit. Il peut tre ralis en faisant en sorte que la BQ profite de leffet Purcell [Vuckovic 02-2] ou non. Dans ce dernier cas, un laser ultime peut tre obtenu par exemple en usant dune microsphre, avec un fort Q et un coefficient de couplage de lordre de 10% [Pelton 99].
En conclusion, leffet Purcell avec des BQ de semi-conducteur III-V est limit aux applications basses temprature, ce qui est considrablement restrictif pour des applications laser. Au contraire, laugmentation de , offerte par un microlaser de petites dimensions, sans recours oblig leffet Purcell, apparat exploitable. Laccs leffet Purcell pour une BQ
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unique, bien que difficile atteindre, donne pourtant rver un laser dot dune seule BQ avec un trs faible seuil. Enfin, si la limitation la plus importante est la largeur de raie de lmetteur, lexploitation dune microcavit avec un Q modeste, mais un volume ultimement faible peut savrer la plus pertinente pour tirer le meilleur profit de leffet Purcell.
IV.5 Autres applications d e leffet Purcell

Leffet Purcell paraissait dans un premier temps capable damliorer les performances des composants classiques de loptolectronique comme les LED ou les lasers semi-conducteur. Cependant, la restriction lie au fonctionnement basse temprature montre un prix payer qui ternit demble le profit escompt, au dtriment de la comptitivit avec les composants existants (LED ou lasers). Les effets de QED sont plus prometteurs pour des applications plus originales comme des sources de lumire non classiques, pour lesquels aucun concurrent nexiste temprature ambiante. A 77K, la largeur encore faible de la raie dmission dune BQ (300 eV) permet de bnficier de leffet Purcell et ce, de faon moins contraignante qu 8K. Le raccourcissement de la dure de vie radiative des porteurs par effet Purcell peut produire une augmentation de la vitesse et du rendement du composant mettant des photons. Les applications LED haute frquence (>1 GHz) sont possibles. Lobtention de composants avec un facteur de couplage de lmission spontane proche de 1, accru par effet Purcell, (~0.8 dans [Solomon 01 et Pelton 02] ) permet galement denvisager des sources de lumire non classiques fort rendement. Lexploitation dune BQ unique dans une microcavit peut ainsi aboutir une source photon unique pour des applications de cryptographie quantique. Ce type de source doit tre capable dmettre des photons un un, indiscernables et des instants dtermins. En plus du renforcement du taux dmission spontane, leffet Purcell permet cet gard de concentrer les photons dans un mode spcifique de la microcavit. Lexploitation dun mode appropri produit une mission directive, donc facilement collecte, avec un taux de gnration de photons uniques lev11. Des sources compactes et monolithiques un photon ont t fabriques partir dune BQ unique insre dans un micropilier [Grard 01 ; Moreau 01 ; Vuckovic 03-2; Pelton 02].
11
Lefficacit de collection des photons en sortie peut tre rendue proche de 40% [Pelton 02 ; Vuckovic 03-2], i.e. une valeur bien plus leve que le facteur de collection (~10%) associ lmission isotrope dune BQ dans une matrice de semi-conducteur fort indice.
63
V.
CONCLUSION
Ce chapitre a mis en vidence, dun point de vue plus quantitatif que le prcdent, un certain nombre de notions concernant le microlaser vis, exploitant un matriau actif de type botes quantiques. La faisabilit dun laser botes quantiques de petites dimensions est envisageable. Il ncessite toutefois un nombre important de botes quantiques, impliquant une densit surfacique leve et la ralisation dempilements. Le nombre de botes quantiques dsaccordes au mode, nfastes pour latteinte du seuil laser, est galement rduire. En effet, dune part pour un nombre de botes quantiques total donn, un nombre croissant de botes quantiques inutiles rduit, de manire vidente, la quantit de botes quantiques utiles. Dautre part, mme nombre de botes quantiques utiles fix, une augmentation de la quantit de botes quantiques inutiles alourdit considrablement le seuil laser. La rduction de la dispersion en taille des botes quantiques constituera donc lun des objectifs majeurs poursuivre lors de leur fabrication. Nous avons galement observ lintrt augmenter le facteur de couplage de lmission spontane au mode laser, naturellement plus lev dans une microcavit que dans son analogue macroscopique. Enfin, il savre que leffet Purcell, souvent prsent comme un atout considrable des microcavits botes quantiques, ne peut pas tre pleinement exploit dans le laser botes quantiques recherch. En effet, les conditions de fonctionnement du laser vis (fonctionnement temprature ambiante, niveau dinjection lev) apparaissent incompatibles avec celles qui permettent aux botes quantiques de tirer profit dun fort effet Purcell. Les applications laser de ce phnomne concernent davantage la ralisation dun laser ultime trs faibles pertes et coupl une unique bote quantique bien positionne. Cet objectif nest pas celui qui est recherch ici : le taux de pertes est beaucoup plus lev et des techniques de croissance slective de botes quantiques ne font pas lobjet de ce travail de thse. Il sagit davantage dexploiter les atouts respectifs des cristaux photoniques et des botes quantiques auto-organises pour raliser un microlaser de faible seuil avec des caractristiques intressantes. Ce composant devrait tre compatible avec loptique guide planaire et tirer profit des avantages thoriques (stabilit thermique, ou largissement de raie plus rduit) escompts lorsque des botes quantiques sont utilises comme matriau actif. Pour autant, cette combinaison peut tre exploite, par ailleurs, dans dautres types dapplications plus originales, comme les sources photons uniques.
- Chapitre 3 MICROLASERS A CRISTAUX PHOTONIQUES 2D & PUITS QUANTIQUES

I. INTRODUCTION .......................................................................................................................................... 64 II. OBJECTIFS .................................................................................................................................................. 65 III. TECHNIQUES EXPRIMENTALES.............................................................................................................. 66 III.1 Croissance de lhtrostructure III-V et report sur Silicium............................................................. 66 III.2 Dfinition du cristal photonique par nanolithographie..................................................................... 67 III.3 Transfert du cristal photonique par gravure sche ........................................................................... 67 III.4 Caractrisation par PL diffracte ..................................................................................................... 68 IV. RSULTATS : DES MICROLASERS BASE DE CRISTAUX PHOTONIQUES 2D.............................................. 70 IV.1 Structures dtude ............................................................................................................................. 70 IV.1.1. Matriaux utiliss et choix de la zone active ............................................................................. 70 IV.1.2. Configuration optique................................................................................................................ 71 a. Guide donde vertical .................................................................................................................... 71 b. Cristal photonique 2D dans le plan................................................................................................ 71 IV.2 Les microcavits cristaux photoniques 2D..................................................................................... 72 IV.2.1. Etude en mission spontane..................................................................................................... 72 a. La cavit lementaire : le H1......................................................................................................... 73 b. Taille de cavit .............................................................................................................................. 74 c. Facteur de remplissage .................................................................................................................. 75 d. Forme de cavit ............................................................................................................................. 76 IV.2.2. Effet laser de H2 H5 ............................................................................................................... 77 IV.3 Utilisation des bandes plates : DFB 2D............................................................................................ 79 IV.4 Conclusion......................................................................................................................................... 83 V. ANALYSE EN VUE DUNE RDUCTION DE SEUIL LASER ............................................................................... 84 V.1 Mcanismes de pertes : de lexcitation leffet laser ....................................................................... 84 V.1.1. Pertes de photons dans les structures cristaux photoniques 2D .............................................. 84 V.1.2. Pertes de porteurs et efficacit radiative .................................................................................... 85 V.1.3. Schma rcapitulatif .................................................................................................................. 87 V.2 Importance des conditions opratoires ............................................................................................. 89 V.2.1. Diamtre du spot dexcitation.................................................................................................... 89 V.2.2. Le problme de lchauffement ................................................................................................. 90 a. Consquences de lchauffement .................................................................................................. 90 b. Le report sur SiO2 : une solution partielle contre lchauffement ................................................. 92 c. Limites de fonctionnement des lasers cristaux photoniques 2D reports sur SiO2 ..................... 94 V.3 Paramtres structuraux des composants cristaux photoniques permettant une rduction du seuil 95 V.3.1. Augmentation de lefficacit radiative r .................................................................................. 95 a. Choix de la zone active.................................................................................................................. 95 b. Les recombinaisons de surface : vers une passivation des surfaces .............................................. 96 V.3.2. Augmentation du couplage de lmission au mode laser ....................................................... 99 a. Accord spectral mode / zone active ............................................................................................... 99 b. La densit de modes .................................................................................................................... 101 V.3.3. Amlioration du facteur de qualit optique Q du mode........................................................... 102 a. Confinement vertical du mode optique........................................................................................ 102 b. Confinement du mode dans le plan ............................................................................................. 103 c. Interaction mode/ trous : effet du facteur de remplissage............................................................ 106 d. Le couple fort Q/ faible volume .................................................................................................. 108 Conclusion............................................................................................................................................... 109 V.4 Discussion sur limportance des diverses contributions de pertes dans le seuil laser .................... 110 V.5 Performances atteintes dans les microlasers cristaux photoniques 2D et puits quantiques ........ 111 VI. CONCLUSION ........................................................................................................................................ 113
- Chapitre 3 - Microlasers cristaux photoniques 2D & puits quantiques
64
- Chapitre 3 Microlasers cristaux photoniques 2D & puits quantiques

I. INTRODUCTION
Contrairement un milieu dispersif homogne, la priodicit du cristal photonique (CP), i.e. la variation ordonne de son indice dilectrique se traduit par un potentiel photonique qui modifie la courbe de dispersion des photons se propageant dans ce milieu. Il en rsulte une structure de bandes avec des singularits comme des bandes interdites photoniques ou des bandes faible courbure. Lobjet de ce chapitre est de montrer comment ces spcificits peuvent tre utilises efficacement pour contrler les proprits des photons et raliser des composants lasers trs compacts. Dans le chapitre 1, nous avons montr les nombreux avantages apports par lutilisation dune structure quantique dans un laser, et plus particulirement par les structures botes quantiques (BQ). Toutefois, les caractristiques que doivent prsenter les BQ pour en tirer le profit escompt thoriquement requirent une matrise de fabrication assez pousse et un critre duniformit assez svre (cf. chapitre 1 & 2). Les puits quantiques offrent une alternative plus mature. En particulier, le gain spectral produit par un plan de BQ est exprimentalement plus faible que celui offert par un puits quantique. Lutilisation des BQ est ainsi souvent rserve la fonction de sonde absorption limite. Les potentialits laser des structures cristaux photoniques sont donc sondes dans lensemble de ce chapitre, en utilisant essentiellement un matriau actif de type puits quantiques. La dmonstration fructueuse de microlasers CP, dans ce cadre, peut tre considre comme une validation intermdiaire avant lobtention dun laser CP et BQ prsente dans le chapitre 5. La fabrication dun microlaser faible seuil reste un objectif auquel la comprhension et la matrise des pertes permettront daccder. Dans ce but, la dmonstration exprimentale de microlasers CP 2D sera suivie dune rflexion autour des mcanismes de pertes qui contrlent le fonctionnement du laser. Ces processus de pertes ont t partiellement explicits dans le chapitre 2, de faon simplifie. Ils seront abords ici dun point de vue plus exprimental. Nous montrerons en particulier, comment diffrents leviers permettent de rduire qualitativement le seuil laser.
65
II.
OBJECTIFS
Les objectifs associs la fabrication des microlasers cristaux photoniques peuvent se dcliner en plusieurs points. Ces point sont mentionns de manire synthtique sur la feuille de route ci-dessous.
Stocker des photons dans des structures cristaux photoniques (CP) bidimensionnels (2D).
Dmarche :
q
Etudier les potentialits des CP 2D, en rgime spontan, vis vis de la structuration de lmission lumineuse : bande interdite photonique (BIP) et bandes plates.
Sonder les degrs de libert des rsonateurs ainsi fabriqus (priode, facteur de remplissage, forme).
Une dmarche thorique couple aux rsultats exprimentaux sera adopte pour lensemble de cette tude afin dapprhender le fonctionnement de ces composants.
Valider le concept des CP 2D pour fabriquer des microlasers.

Dmarche :
q
Montrer lexistence dmission stimule dans des structures CP 2D avec des multipuits quantiques, en pompage optique et temprature ambiante.
Etudier les performances de ces composants en limite de fonctionnement, lis en particulier, au phnomne dchauffement.
Tendre vers le faible seuil.

Dmarche :
q q q
Analyser les facteurs de pertes dans un laser CP 2D qui contribuent au seuil laser. Utiliser les paramtres structuraux des composants CP 2D pour rduire le seuil laser. Dterminer le(s) paramtre(s) le(s) plus critique(s) dans le seuil laser.
66
III.
TECHNIQUES EXPERIMENTALES
Le procd de fabrication utilis pour raliser les structures CP 2D a t largement dvelopp au LEOM dans le cadre de la thse de Pierre Pottier [Pottier 01 ; Pottier 99]. Les diffrentes tapes de ralisation ne seront donc pas dtailles dans ce chapitre. La nouveaut exploite dans ce travail de thse est essentiellement la procdure de report sur silicium, mise au point et effectue au CEA/ DTS/ LETI (dpartement des technologies Si).
III.1
Croissance de lhtrostructure III-V et report sur Silicium
Lhtrostructure est ralise par pitaxie par jets molculaires sur un substrat dInP 2 pouces. Une zone active est incluse au centre dune membrane en InP pitaxie sur une couche dInGaAs (500 nm) en accord de maille (L.M.). Cette htrostructure est reporte via un collage par adhsion molculaire sur un substrat silicium (LETI/ DTS) de faon obtenir lempilement prsent sur la figure 3.1.
InP
InGaAsLM Membrane InP incluant une zone active (ZA) SiO2 Si Interface de collage SiO2
Figure 3.1- Schma de lhtrostructure III-V pitaxie, aprs report sur silicium.
Ce report implique un collage hydrophile SiO2-SiO2. Les deux substrats sont donc pralablement recouverts dune couche de SiO2 PECVD : loxyde sur InP est stabilis 400C, et celui sur silicium 700C. Avant collage, les deux plaquettes sont prpares afin dliminer la contamination et obtenir une faible rugosit de surface (planarisation avec une RMS de 5-6). Les surfaces sont mises en contact puis laire colle se propage en vacuant lair progressivement. Les groupements OH hydrophiles, rsultant de ladsorption de H2O sur les surfaces en regard, donnent lieu des liaisons covalentes Si-O-Si. Un recuit final 200C des substrats InP/ Si colls permet daugmenter lnergie de collage. Enfin, le support initial est limin : le substrat dInP et la couche dInGaAs sont gravs successivement et slectivement en voie humide, par une solution respectivement base de HCl et FeCl3. La pr-structure sur laquelle les CP 2D seront usins est ainsi obtenue : elle est constitue dune membrane dInP, incluant la zone active, sur un support SiO2/ Si.
67
III.2
Dfinition du cristal photonique par nanolithographie
Les motifs circulaires du cristal photonique sont inscrits dans un premier temps sur un masque en rsine en insolant par faisceau dlectrons une couche de poly mthyle mthacrylate (PMMA) (cf. Figure 3.2). Le microscope lectronique balayage (MEB) utilis pour cette tape permet de dfinir des motifs aussi petits que 100 nm de diamtre. Les lectrons mis par un filament parcouru par un courant sont acclrs sous une tension de 25 kV, tandis quun systme de bobines permettent de dflchir le faisceau ainsi cr dans le plan. La rsolution est de lordre de 5-10 nm. Des effets de proximit existent : la taille finale des trous dpend du temps dexposition mais aussi du nombre et de la proximit des trous voisins (influence mutuelle). Il en rsulte parfois, dure dinsolation gale, une diffrence entre la taille des trous situs au centre ou en priphrie de la cavit. En pratique, un ajustement de la dose (charge reue par unit de surface) conduit une rduction de cet effet parasite. Il sensuit un balayage en facteur de remplissage (f) et finalement un panel de structures CP 2D exploitables avec des f variables.
PMMA SiO2 InP SiO2 Si ZA

Figure 3.2- Dfinition du masque de rsine par lithographie lectronique
III.3
Transfert du cristal photonique par gravure sche
La gravure sche a pour objectif douvrir des trous de petites dimensions dans un empilement complexe de matriaux dpaisseur totale denviron 0.5 m (cf. Figure 3.3). Le masque en rsine est transfr par gravure ionique ractive (RIE) dans un masque dur intermdiaire en SiO2 (~175 nm dpaisseur) puis dans la membrane III-V. Diffrents gaz sont adopts pour les diverses couches de la structure : CHF3 pour la silice, mlange CH4/H2 pour le III-V. Les pressions relativement basses utilises permettent dobtenir des trous aux flancs assez abrupts.
68
SiO2 InP SiO2 Si ZA

Figure 3.3- Gravure sche verticale des trous constituant le CP 2D travers lhtrostructure .
Le cristal photonique obtenu est constitu de trous dair percs dans une membrane III-V reposant sur un support SiO2/ Si. La configuration en membrane suspendue est galement accessible. Une tape supplmentaire de gravure partielle de la couche de silice, laide dune solution de BOE (HF tamponn) permet de suspendre la structure cristaux photoniques.
III.4
Caractrisation par PL diffracte
La caractrisation exprimentale est fonde sur la technique de photoluminescence (PL) diffracte, utilise couramment pour sonder des microcavits 2D base de cristaux photoniques [Benisty 99 ; Smith 01]. Un faisceau de lumire, mis par une diode laser de longueur donde ~780 nm avec une puissance de lordre du milliwatt, est focalis par un objectif de microscope douverture numrique 0.7 (G*50) ou 0.5 (G*20), sur lchantillon. La couche active est donc pompe dans une zone de diamtre proche de 1 ou 3 m, en fonction de lobjectif utilis. La PL gnre est principalement guide dans la membrane et les modes longitudinaux interagissent avec le cristal, en gnrant certains modes imposs par la structure CP 2D sonde. Une partie de la lumire est perdue par diffraction et par diffusion cause des imperfections technologiques. Les pertes sont collectes verticalement par lobjectif de microscope, sur une surface plus large que la zone excite, et dans un angle solide dtermin par louverture numrique choisie (cf. Figure 3.4). Elles sont enfin analyses par un monochromateur avec une rsolution de lordre de 1 nm. Le spectre rsultant est donc la combinaison du signal de PL mis directement par la zone active et des modes de la structure CP 2D. Le premier terme est inhib partiellement grce la configuration verticale adopte [Pottier 99].
69
Faisceau laser 780nm

Lame dichroque Objectif
Photodtecteur
Spectre de Pl
Figure 3.4- Reprsentation schmatique de la technique de caractrisation par PL diffracte avec utilisation dune sonde interne (matriau actif dans la membrane) mise en uvre pour tester une structure CP 2D.
Signal de PL diffract Zone active
Excitation locale
Le rgime de pompage est souvent puls pour limiter lchauffement des structures (cf. section V.2.2), tandis que toutes les mesures sont ralises temprature ambiante. La longueur donde dexcitation (780 nm) est assez proche de lnergie des barrires donc limite la thermalisation des porteurs, qui contribue usuellement lchauffement. La puissance de pompe effective (Peff) est dfinie comme la fraction rellement absorbe par lhtrostructure III-V (i.e. par les barrires). Elle est estime environ 30% de la puissance externe, atteignant la surface de lchantillon. Les diffrentes mesures de PL seront prsentes en fonction de la puissance effective au pic (pour une excitation pulse). Enfin, lefficacit quantique externe, externe, avec laquelle la PL est collecte hors de lchantillon, par rapport au nombre de photons absorbs par lchantillon, est relie divers facteurs : externe=i*r*coll [Boroditsky 00] i est lefficacit de capture (ou rendement quantique interne) i.e. la fraction de porteurs qui diffusent des barrires vers la zone active. r est lefficacit radiative i.e. la probabilit quune paire lectron-trou dans la zone active se recombine radiativement. Cest une caractristique cl du matriau. coll est lefficacit dextraction de lumire i.e. la fraction de photons gnrs par PL qui sont collects en dehors de lchantillon. Ce paramtre dpend de la gomtrie de lchantillon et de la rabsorption si r est grand.
70
IV.
RESULTATS : DES MICROLASERS A BASE DE CRISTAUX PHOTONIQUES 2D
Le but de cette partie est de montrer comment la lumire peut tre confine efficacement et ses proprits contrles via lutilisation de CP 2D en gomtrie de guide donde.
IV.1
Structures dtude
IV.1.1. Matriaux utiliss et choix de la zone active Les structures sont ralises partir de matriaux de la filire InP, choix motiv par laccs des longueurs donde dmission proches de 1.5 m, pour rpondre aux contraintes des applications communications optiques envisages. De plus, ces matriaux sont moins sujets aux recombinaisons non radiatives de surface que la filire GaAs. Plusieurs types de zones actives insres dans la membrane dInP ont t utilises dans cette tude, et sont prsentes dans le tableau 3.1. Caractristiques optiques ~1570 nm LMH~74 nm ~1490 nm LMH~70 nm ~1500 nm LMH~240 nm
Structure EP562 EP791 EP614
Zone active 3 puits quantiques d'In0.53Ga0.47As en accord de maille 4 puits quantiques d'InAs0.65P0.35 contraints (compression) 1 plan dlots quantiques d'InAs
Epaisseur dpose 3*100 4*50 6,2 Dimensions : L~100200 nm, l~20 nm, h~20
Tableau 3.1- Diffrents types de zones actives utilises et leurs caractristiques optiques (longueur donde et largeur mi hauteur (LMH) du spectre de PL) 300K.
Les multipuits quantiques (MPQ) exploits, In0.53Ga0.47As ou InAs0.65P0.35, montrent un spectre de photoluminescence assez troit associ un fort gain modal accessible. Ces MPQ restent donc dans un premier temps des structures actives bien adaptes pour tester les potentialits des CP 2D en termes de dispositifs laser. En effet un fort gain relche la contrainte sur le niveau de pertes acceptable pour la dmonstration dun effet laser. Les lots quantiques dInAs, ici non optimiss, montrent au contraire un spectre dmission beaucoup plus large sous leffet dune forte dispersion en taille. Ils restent utiles pour sonder les caractristiques optiques des cristaux photoniques sur une large gamme spectrale, donc pour la comprhension du fonctionnement de ces objets.
71
IV.1.2. Configuration optique Les microsources (CP et paisseur de la membrane) sont conues pour fonctionner dans la gamme spectrale de travail impose par lnergie dmission de la zone active. a. Guide donde vertical
Lpaisseur optique gale /2n (~250 nm 1.55 m) de la membrane assure le caractre verticalement monomode du guide donde planaire, suivant la polarisation TE (champ H perpendiculaire la membrane). La zone active est positionne au centre de cette membrane de faon maximiser le couplage de la lumire mise avec ce mode guid fondamental. Le profil du champ lectrique associ est en effet maximum au centre de la membrane. Le couplage avec les modes verticaux est quant lui fortement inhib. Deux types de configurations verticales sont envisageables (cf. section III. 3. 2 du chapitre 1). La solution retenue ici est un confinement fort sur membrane, dclin en deux gomtries : membrane sur SiO2 [figure 3.5(a)] ou membrane suspendue [figure 3.5(b)]. Le contraste dindice prcis sur la figure est donc lev : respectivement 1/3,2/1,45 et 1/3,2/1 entre la membrane et le matriau faible indice de part et dautre. La couche de SiO2 entre le Si et le III-V est suffisamment paisse (~800 nm) pour empcher un couplage important de lumire du III-V vers le Si.
Structure Cristal photonique Profondeur
Structure Cristal photonique
Profondeur
1,45
3,2
SiO2
3,2
Substrat Si
Membrane InP (~250nm) contenant une zone active
Substrat Si
Gap dair Membrane InP (~250nm) contenant une zone active
(a)
(b)
Figure 3.5- Configurations adoptes pour un fort confinement vertical : membrane reporte sur SiO 2 (a) et membrane suspendue (b). Les profils dindice verticaux sont reprsents pour chaque gomtrie.
b.
Cristal photonique 2D dans le plan
Les paramtres du rseau triangulaire de trous d'air constituant le CP 2D sont choisis pour permettre un fonctionnement aux alentours de 1.5 m. La priode du rseau est environ de 500-530 nm, tandis que le facteur de remplissage en air est sond entre 30% et 50% en variant le diamtre des trous.
72
Plusieurs implmentations des structures CP 2D sont envisageables pour contrler les proprits de la lumire. Le premier exemple propos sappuie sur la localisation de modes optiques dans des microcavits ralises par insertion de dfauts dans le rseau priodique (section IV.2). La deuxime ide, fondamentalement diffrente, consiste utiliser des zones de la structure de bandes dun cristal parfait o la courbure, donc la vitesse de groupe des photons associs, est trs faible (section IV.3). Ce deuxime type de structure est analogue aux lasers contre-raction distribue (DFB) 1D.
IV.2
Les microcavits cristaux photoniques 2D
Une solution (dj mentionne dans le chapitre 1) pour raliser simplement des microcavits CP 2D consiste exploiter les proprits de bande interdite photonique (BIP). Lomission de trous au sein dun rseau CP 2D mnage une rgion spatiale cerne de ranges de trous se comportant comme des miroirs pour la gamme spectrale dintrt. Des effets de rsonances induisent lapparition de modes dans la microcavit ainsi cre [Benisty 99 ; Villeneuve 96 ; Pottier 99 ; Lee 99-1; Smith 99]. Plusieurs paramtres permettent de contrler les proprits dune microcavit : la priode et le facteur de remplissage du CP 2D, responsables de la position spectrale des modes et de la BIP, la gomtrie de la cavit, essentiellement sa forme et sa taille, le nombre de ranges de CP 2D bordant la cavit dtermine la rflectivit des miroirs associs. Environ 8-9 ranges de CP 2D triangulaire suffisent en pratique pour saffranchir des fuites de lumire dans le plan travers la couronne CP [Vuckovic 01 ; Painter 99-2]. IV.2.1. Etude en mission spontane Parce quelles constituent un objet dtude simple, des microcavits hexagonales de type Hn (n correspondant au nombre de trous par ct omis), avec un diamtre variable entre 1 et quelques m, sont ralises et caractrises (exemple figure 3.6).
Figure 3.6- Micrographie MEB dune microcavit hexagonale H5 (5 trous manquants par ct) ralise.
73
Les structures tudies ici sont suspendues et la zone active est un plan dlots quantiques (EP614).
a.
La cavit lementaire : le H1
La structure H1 est la cavit la plus simple qui puisse tre imagine, puisquelle rsulte de lomission dun seul trou dans le rseau CP 2D. De nombreuses tudes ont t consacres son comportement [Vuckovic 01 ; Painter 99-2 ; Painter 01 ; Painter 00 ; Alvarado-Rodriguez 02 ; Monat 03-1 et 03-2 ; Reese 01-1] car elle offre un mode possdant un faible volume modal. Un fort Q associ ce mode tait galement espr. Son spectre de PL en mission spontane rvle lexistence de deux pics entre 1200 et 1600 nm [cf. plus loin Figure 3.8(a)]. La position spectrale de ces pics varie avec le facteur de remplissage f (cf. section IV.2.1.c). Les nergies des modes de cavit H1 ont t calcules par la mthode des ondes planes 3D (PWE) et une approche super cellule, par Marine Le Vassor dYerville au GES de Montpellier [Le Vassor dYerville 02]. Les rsultats de ces calculs sont compars aux frquences des modes exprimentaux en fonction du facteur de remplissage, sur la figure 3.7. La zone grise indique les limites de la BIP calcule tandis que les traits pointills horizontaux indiquent les limites du spectre de PL de la zone active.
a/
0,50 0.48 0.46 0.44 0,42 0.42 0,40 0.40 4442 0,38 0.38 0,36 0.36 0,34 0.34 0,32 0.32 0,30 0.30 0,28 0.28 25 30 35 40 45 50
a/Lambda
M2 M1
Mode M2 quadripolaire
55
Facteur de remplissage en air (%)
Mode M1 fondamental dipolaire
Figure 3.7- Modes dune cavit H1 en fonction du facteur de remplissage. Les rsultats dun calcul 3D ondes planes (traits pleins) sont superposs aux pics exprimentaux (carrs). Les cartographies du champ lectrique des deux premiers modes sont reprsents : le mode M1 dipolaire et M2 quadripolaire sont doublement dgnrs. Source GES et LEOM
Un accord raisonnable1 est obtenu entre les donnes thoriques et exprimentales. Les deux pics observs en PL peuvent donc tre identifis sans ambigut aux modes dipolaires et
1
Le dcalage systmatique des modes exprimentaux par rapport aux modes thoriques est attribu un manque de prcision dans la dtermination exprimentale 3% prs du facteur de remplissage. Cette imprcision sur f se rpercute en une imprcision sur lnergie des modes de lordre de 0.007.
74
quadripolaires dune cavit H1 dont les cartographies de champ lectrique sont prsentes sur la figure 3.7. Ces modes doublement dgnrs sont trs bien confins dans le dfaut H1 et possdent donc des volumes modaux faibles (~0.25*(/n)3 pour le mode dipolaire [Painter 992]). La contrepartie est le facteur de qualit mis en vidence. Il reste faible (~100) pour les deux types de modes et du mme ordre de grandeur que les valeurs releves par dautres groupes (Q~100 pour [Painter 00], 150-180 pour [Painter 01], Q~240 pour [Villeneuve 98] et Q~250 pour un H1 suspendu 4K, sond avec des BQ [Reese 01-1]). Cette constatation dcourage premire vue les espoirs dobtenir via un H1, une cavit possdant simultanment un faible volume modal doubl dun fort Q. b. Taille de cavit
Linfluence de la taille de cavit sur les caractristiques optiques et spectrales des structures CP 2D a t tudie, permettant de confirmer exprimentalement plusieurs intuitions. Premirement, la densit spectrale de modes augmente considrablement avec la taille de cavit (figure 3.8) puisque le nombre de configurations du champ lectromagntique admissibles est plus important dans une grande cavit.
4 3 2 1 0 1300 1400 1500 1600
Intensit de PL (u.a.)
Intensit PL (u.a.)
0.8
0.4
0.0 1300 1400 1500 1600
2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 1300 1400 1500 1600
Longueur d'onde (nm)

(a)
Longueur d'onde (nm) (b)
Longueur d'onde (nm) (c)
Figure 3.8- Spectres en mission spontane de microcavits H1 (a), H2 (b) et H5 (c) suspendues pour une zone active de type lots quantiques (ep614). Lmission de PL des lots quantiques InAs sur une zone non structure est galement reprsente (pointills). Les inserts montrent les micrographies MEB de chaque cavit.
La densit de modes est approximativement proportionnelle laire de la cavit (tableau 3.2). En ralit, la densit de modes dans une cavit H5 est vraisemblablement sous estime. Les modes sont tellement proches spectralement quils ne sont pas rsolus individuellement. Les larges pics de cavit visibles sur le spectre, rsultent donc recouvrement de modes trs proches [figure 3.8(c)].
75
Deuximement, une comparaison des facteurs de qualit (tableau 3.2) pour les diffrentes structures rvle des variations importantes des pertes optiques avec la taille de cavit : Q~100 pour H1 (~1 m) contre ~600 et plus de 1000 pour, respectivement, les meilleurs Q de H2 (~2 m) et H5 (~5 m)2. Cette observation confirme quune cavit plus large conduit un meilleur facteur de qualit optique, du fait que la dure sparant deux interactions entre les photons et les trous du CP 2D y est plus longue. Les pertes optiques globales seraient donc contrles dans ce cas3 par les interactions CP/ photons plus que par la rabsorption de la zone active [Monat 03-1]. De plus, le nombre de ranges tant important et constant pour les diffrentes structures Hn, les pertes optiques hors du plan (Q) peuvent tre crdites de la contribution essentielle des pertes releves ici.
Cavit Diamtre (m) Densit spectrale (m-1) Facteur de qualit Q
H1 ~1 ~6 ~100
H2 ~2 ~30 300 600
H5 ~5 >70 >1000
Tableau 3.2- Caractristiques spectrales de cavits Hn CP 2D en fonction de leur taille : densit spectrale moyenne en rgime dmission spontane et plus fort Q accessible (membrane reporte sur SiO 2/Si).
c.
Facteur de remplissage
La position spectrale des modes de cavit peut tre modifie par lintermdiaire du facteur de remplissage de la cavit [Painter 00 ; Monat 03-1]. Ce phnomne, dj observ pour H1, peut sapprhender simplement comme une variation de la taille effective de la cavit, induite par une modification du diamtre des trous bordant cette cavit (figure 3.9).
Figure 3.9- Micrographies MEB de cavits CP 2D de type H5 avec deux facteurs de remplissage diffrents.
Encore une fois, la rsolution limite du monochromateur empche de mesurer des Q>1000. Le Q du H5 est donc galement vraisemblablement sous estim.
76
Leffet dpend fortement de lordre n de la cavit Hn (cf. tableau 3.3). Le taux de variation moyen des modes avec f est plus faible dans les grandes cavits : compar la cavit H1, ce taux est deux et cinq fois plus bas respectivement pour une cavit H2 et une cavit H5. En effet, la variation relative de la taille effective de cavit est plus faible dans une cavit plus grande.
H1 ~7 nm/%
H2 ~3.5 nm/%
H5 ~1 nm/%
Tableau 3.3- Taux de variation moyen de la longueur donde des modes de cavits Hn CP 2D en fonction du facteur de remplissage f.
Dans une moindre mesure, ce taux peut galement varier, pour un type de cavit donn, dun mode lautre en fonction de la gomtrie du mode dans la cavit, i.e. la localisation spatiale de son champ EM par rapport aux trous constitutifs du CP 2D [Grillet 01]. Cet effet permet un contrle assez fin de la position en nergie des modes dune cavit Hn. Leffet du facteur de remplissage sur le facteur de qualit est moins vident [Monat 03-1] et semble minime sauf pour certains modes (cf. section V.3.3.c).
d.
Forme de cavit
Lhexagone nest pas forcment la gomtrie optimale. Ainsi, la dgradation de Q, observe lorsque lordre n de Hn est rduit, est-elle impose par la forme hexagonale de la cavit ou vritablement un effet li la rduction de ses dimensions? Des cavits triangulaires T2 (3 trous omis), de taille intermdiaire entre H1 et H2 ont t tudies pour lever cette incertitude. La figure 3.10(b) montre lvolution des modes en fonction du facteur de remplissage. Quatre types de modes, accessibles par un calcul FDTD 2D, sont confins dans la BIP dune cavit T2 : deux modes doublement dgnrs et deux modes non dgnrs. Ces modes sont identifiables sur un spectre de PL en mission spontane dune cavit T2 [figure 3.10(a)]. Une leve de dgnrescence est observe pour les modes doublement dgnrs, associe une diffrence de quelques nanomtres, mesure au MEB, de la priode du rseau CP 2D selon des directions diffrentes. Les facteurs de qualit accessibles pour les modes dun T2 report sur SiO2 schelonnent entre 100 et 500 selon le type de modes.
Le rgime dexcitation est faible et lutilisation dlots quantiques garantit une faible (re)absorption.

1ls 0.06mA dose 0.9
77
2 fois (c)
a/
0,40 0,38 1 fois (d) 0,36 0,34
a=534
Intensit PL (u.a.)
2 fois (a) 1 fois (b)
a b c d
0,32 0,30 0,28
0 1350
0,26
1400
1450
1500
1550
1600
30
35
40
45
50
55

(a)
Facteur de remplissage (%)
(b) Figure 3.10- Spectre en mission spontane (a) dune cavit T2 MPQ (ep791) et volution de ces modes, indics par a, b, c et d, en fonction du facteur de remplissage (b). La zone grise correspond aux bandes permises du CP 2D. Les diffrents croix et points correspondent aux modes de cavits T2 relevs exprimentalement pour, respectivement, une priode a du CP triangulaire de 530 nm et 500 nm.
En conclusion, bien que la forme soit diffrente, la cavit T2 reste un intermdiaire en termes de densit de modes, de volume modal et de facteur de qualit entre la cavit H1 et H2. La taille de la cavit apparat dterminer au premier ordre les proprits modales (densit de modes, Q) de la structure CP 2D pour des gomtries simples4. Le compromis fort Q/ faible volume est chercher ailleurs. IV.2.2. Effet laser de H2 H5 Les cavits Hn ont donn lieu des effets laser pour des structures reportes sur SiO2/ Si avec une zone active de type multipuits quantiques (EP791). Pour n compris entre 2 et 5, une mission stimule t obtenue sur des modes confins dans la BIP des diverses cavits, temprature ambiante et en pompage optique puls (rapport cyclique 15%, dure de pulse ~20 ns). Les figures 3.11 et 3.12 montrent les caractristiques des microlasers de taille extrme fabriqus : H5 et H2. Les seuils relevs sont proches de 0.25 mW de puissance effective pour les deux types de cavit, bien que la densit de modes et les facteurs de qualit accessibles soient diffrents. Le dcalage spectral rvl par le mode laser dans des cavits Hn de facteurs de remplissage variables, concide avec le dcalage spectral (consign dans le tableau 3.3) dun mode avec f en rgime dmission spontane. Cela suggre que leffet laser est souvent associ un mode fort Q donn, exploitant un gain modal lev [Monat 01].
4
La section V.3.3.d mentionnera comment la gomtrie de la cavit peut tre optimise pour augmenter le facteur de qualit des modes.
78
12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 1400
0.8 0.6 0.4 0.2 0.0
100
Intensit PL (u.a.)
Intensit PL
80 60 40 20 0
1524 Q~900
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8
0.0
1450 1500 1550 1600 Longueur d'onde (nm)

(a)
0.5 1.0 1.5 Puissance effective (m ) W

(b)
Figure 3.11- Caractristiques lasers dune cavit H5. Emission spontane et stimule faible et forte excitation (a) et courbe caractristique (I laser, Peff) du laser montrant lvolution de lintensit de PL du pic laser (1524 nm) en fonction de la puissance dexcitation effective (b).
0.40 10 8 6 4 2 0 -2 -4 -6 -8 -10
Intensit PL (u.a.)
0.35 0.30 0.25 0.20 0.15 0.25mW 0.10 0.05 0.00 1400 1450 1500 1550 ~2mW
L 1554
200
Intensit PL
150 100 50 0
Q~650
1600

(a)
0.0 0.5 1.0 1.5 Puissance effective (mW)

(b)
Figure 3.12- Caractristiques lasers dune cavit H2. Emission spontane et stimule faible et forte excitation (a) et courbe caractristique (I laser, Peff) du laser en fonction de la puissance effective (b) la longueur donde du laser (1554 nm).
Linfluence de la taille de cavit sur le seuil ou sur la pente de la courbe caractristique (Ilaser, Peff) du laser na pas pu tre clairement extraite de la comparaison entre les divers lasers Hn. En effet, les diffrentes tailles de cavit ont conduit des effets lasers avec des seuils et des intensits laser trs variables (cf. tableau 3.4). Type et diamtre de cavit H1 (1 m) H2 (2 m) H3 (3 m) H4 (4 m) H5 (5 m) Q mesur (report) 150 600 800/900 1000 1200 Gamme de seuils relevs pour diffrentes structures (Peff) Pas de laser 0,25 2,3 mW 0,59 1,7 mW 0,45 0,7 mW 0,25 1,3 mW
Tableau 3.4- Caractristiques releves pour les cavits Hn de taille variable, en termes de facteur de qualit et de seuil laser (ventuellement) mesurs.
79
Clarifier le lien entre les paramtres structuraux de ces objets et leur effet sur les caractristiques lasers sera lun des objectifs de la partie V. Une conclusion simple peut tre toutefois avance ce stade de ltude. Une zone active de type MPQ (ep791) est capable de soutenir un effet laser, dans le cas de cavits reportes sur SiO2, sur des modes confins prsentant un taux de pertes rduit. Un taux de pertes croissant peut tre associ aux diffrentes cavits Hn dans le sens dcroissant des Q mesurs. Pour une taille suffisante, suprieure ou gale la cavit H2, le taux de pertes est compens par le gain disponible du MPQ et donne lieu un effet laser. En de, le gain modal du MPQ sature avec la puissance dexcitation avant datteindre la grandeur gale au taux de pertes. Cest le cas dune cavit de type H1 et T25. La figure 3.13 montre une reprsentation schmatique assez simplifie qui reflte cette conclusion.
Gain modal MPQ
H1 H2 H3 H4 H5
Figure 3.13- Reprsentation schmatique de la courbe de gain dune zone active de type MPQ en fonction de la puissance de pompe. Les taux de pertes compenser pour les diffrents types de cavit sont reprsents en pointills.
Puissance de pompe
IV.3
Utilisation des bandes plates : DFB 2D
La deuxime implmentation des cristaux photoniques pour contrler les photons dans le plan est suggre par lobservation de la structure de bandes dun cristal photonique parfait et plus prcisment des points singuliers. Les rgions plates prs des points de haute symtrie, en bord de zone de Brillouin, constituent une seconde spcificit du diagramme de dispersion. Comme le mcanisme qui se produit dans un laser DFB 1D, leffet mis en jeu en 2D repose sur lutilisation dun mode de Bloch lent dans une structure CP. Sans cavit physique, le laser exploite laugmentation de la densit dtats optiques en bord de bande. Les structures ralises exprimentalement prsentent souvent une corrugation effective limite [Meier 99 ; Noda 01 ; Notomi 01]. Or un fort contraste dindice latral obtenu par exemple aprs gravure
5
Un effet laser a t finalement obtenu pour un H1 et un T2, mais dans des conditions particulires autres que celles prsentes ici : pour un mode accepteur dune cavit H1 (cf. section V.3.3.b) et uniquement aprs suspension de la cavit pour un T2, dans les limites dune puissance dexcitation faible (cf. section V.3.3.b).
80
de trous percs sur toute lpaisseur dune membrane III-V, permet datteindre de trs faibles vitesses de groupe [Ryu 02-1]. Des calculs ont montr que le renforcement de gain profitant aux modes augmente avec la dure de vie des photons (i.e. avec la rduction de la vitesse de groupe), donc avec le contraste d'indice [Nojima 01-1 et 01-2]. Le renforcement de la dure de vie des photons dans la zone active, grce aux CP 2D sur membrane, peut donc donner lieu un effet laser malgr un nombre rduit de priodes du CP [Ryu 02-1]. Un composant DFB 2D de petites dimensions peut tre ralis par ce biais. Des structures CP 2D triangulaire tendues sur 80*80 ranges de CP (soit 36 m*42 m) ont t fabriques (figure 3.14). Les membranes utilises sont reportes sur SiO2/ Si et incluent un MPQ comme zone active (ep791).
80 ranges de CP L~42m Figure 3.14- Micrographies MEB dune structure CP 2D triangulaire sans dfaut.
80 ranges de CP L~36m
A faible puissance dexcitation, le spectre de PL obtenu montre un pic fin et intense, superpos la PL mise directement par les MPQ, autour de 1465 nm (a/~0.362) avec un facteur de qualit autour de 800 [figure 3.15(a)]. La structure de bandes dun CP 2D triangulaire a t calcule au GES par la mthode des ondes planes 3D pour un facteur de remplissage similaire (f~0.55). Le bord de la bande de valence est clairement visible en a/~0.329 [figure 3.15(b)].
81
Le pic exprimental observ ne peut correspondre un mode de dfaut localis dans la BIP puisque le rseau CP 2D est parfait. Bien quil existe un dsaccord (~10%) entre la position spectrale calcule et exprimentale6, ce pic est vraisemblablement li aux tats de la bande de valence (BV) faible vitesse de groupe en K. En effet, la comparaison entre les spectres obtenus sur diffrentes structures a permis dattribuer cette mission au point critique associ au sommet de la BV (et non au point M par exemple). Dans cette rgion, la densit de modes optiques leve est responsable du renforcement de lmission spontane ainsi que de lallongement de la dure de vie des photons.
0.38 0.36
a/
100 0
4.0
0.34 150 100
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 1350 1400 1450
2.1mW
1 2 P (mW)
50 0 -50
0.8mW
1500 1550 1600
-100 -150 1650
(b) (a) Figure 3.15- Spectres de PL (a) faible et forte excitation (T ambiante et excitation pulse) et structure de bandes correspondante (b) calcule par la mthode des ondes planes 3D pour un CP 2D triangulaire de f~0.55. La position du bord de la bande de valence est souligne (pointills horizontaux). La courbe caractristique (Ilaser, Peff) du laser est montre en insert de la figure (a). Source GES et LEOM.
Comme le bord de la BV est situ en dessous du cne de lumire [rgion grise sur la figure 3.15(b)] les photons devraient tre thoriquement parfaitement confins dans la membrane CP 2D. Exprimentalement, la diffusion incohrente de lumire cause des imperfections technologiques, ainsi que les pertes par diffraction induites par le faible diamtre de la zone pompe (~3 m) limitent la valeur de Q. En effet, seule une structure CP 2D dextension latrale infinie peut dfinir un vecteur donde de Bloch k avec exactitude. La luminescence en bord de bande observe ici partir dune rgion CP 2D finie implique des composantes k autres que le seul point singulier dans la distribution en k du mode dtect. Si les composantes k proches du point singulier sont associes un trs fort Q, le facteur de qualit diminue pour les composantes qui sen cartent. Il sensuit une rduction du Q global produite par la
6
Lorigine de ce dsaccord est un peu ambigu. Plusieurs hypothses sont avances. Ainsi, le renforcement du gain optique (ou densit de porteurs) dans la zone pompe peut modifier lindice de rfraction senti par les modes gnrs exprimentalement, par rapport la valeur prise en compte dans le calcul. Le manque de prcision dans la mesure de la priode et le facteur de remplissage peut galement contribuer ce dsaccord.
Intensit de PL (u.a)
3.5
L (u.a.)
82
limitation de la taille effective (i.e. pompe) du CP 2D. A titre de comparaison, Ryu a mesur un Q de 2000 pour un diamtre de pompe un peu plus large de 6 m [Ryu 02-1]. Lorsque la puissance de pompe (excitation pulse) est augmente, un effet laser apparat [figure 3.15(a)] temprature ambiante. La puissance effective correspondant au seuil laser est proche de 1.5 mW. Une structure analogue mais de facteur de remplissage plus faible (f~0.45) montre les mmes caractristiques, dcales vers les plus faibles nergies (a/~0.335) en accord avec la structure de bandes calcule pour ce f (bord de BV en a/~0.308). Un effet laser est galement obtenu plus forte excitation avec cette structure et le seuil est proche de 1.1 mW. La variation relative, induite par la modification de f, de lnergie du pic observ exprimentalement (~8%) et de celle du bord de BV thorique (~7%) confirme la corrlation entre le mode et la BV. Un rseau CP 2D parfait offre donc la possibilit de gnrer un mode quasi-stationnaire vraisemblablement dlocalis dans le plan. Toutefois, la sensibilit dun tel mode aux fluctuations locales du facteur de remplissage [Monat 02] indique que la lumire reste localise dans une certaine mesure autour de la zone dexcitation. La lumire mise par un CP 2D parfait peut donc tre localise extrinsquement. De plus, elle est thoriquement plus directive quavec une cavit de type Hn, puisque associe une mission de photons dans le plan possdant un vecteur donde assez bien dfini, proche ici de la direction K. Une haute directivit et un contrle de la polarisation ont t obtenus en exploitant la faible courbure en pour des lasers mission par la surface [Noda 01 ; Meier 99 ; Notomi 01 ; Ryu 02-1], avec un trs faible seuil [Mouette 03].
83
IV.4
Conclusion
En conclusion, deux voies ont t dmontres pour confiner la lumire efficacement et obtenir un effet laser au moyen dun CP 2D sur membrane. Les caractristiques des deux types sont rsumes dans le tableau 3.5. Cavit Hn
Caractristique du CP 2D implmente/ localisation spectrale du mode mis en jeu Localisation spatiale de la lumire Directivit de lmission Q dmontrs BIP
Structure DFB
Points singuliers faible courbure (bande plate) Extrinsque : dans la zone dexcitation
Intrinsque : dans le dfaut de cavit
Seuil laser mesur (Peff)
Q>1000 qui augmente Q~800 (pour ~2-3 m) qui augmente avec la taille de Hn (pertes avec le nombre de ranges du CP 2D hors du plan) incluses dans la zone de pompe [Ryu 02-1] Faible ~0.25 mW Plus lev 1.1 mW
Tableau 3.5- Rsum des caractristiques des deux types de microlasers CP 2D tudis.
Une autre ide peut tre mentionne comme une sorte de combin des deux implmentations prcdentes. Elle repose sur les potentialits, vis vis de lmission de lumire, de guides dondes CP 2D (cavit ouverte dfaut linique). Dans le diagramme de dispersion dun guide monodfaut (une range manquante), il existe en effet des modes guids qui prsentent des faibles courbures, pour certaines composantes du vecteur donde dans la direction de propagation. Une telle structure allie un confinement par effet de BIP latralement dans la direction perpendiculaire au guide, et un ralentissement des photons dans la direction du guide pour ces modes guids particuliers, faible vitesse de groupe. Ces modes faible vitesse de groupe peuvent mme se situer sous la ligne de lumire, ce qui devrait leur confrer un fort Q [Dsires 01, Grillet 03]. Une structure exprimentale de ce type (microguide CP 2D) a t ralise dans le cadre de ce travail. Elle na cependant pas donn lieu une dmonstration laser fructueuse en raison de quelques problmes de conception/ fabrication. Elle reste tout de mme une voie prometteuse. Lquipe de Noda a dailleurs trs rcemment publi la dmonstration dun effet laser avec un faible seuil (0.69 mW), temprature ambiante, partir dun guide CP 2D monodfaut de ce type [Sugitatsu 03].
84
V.
ANALYSE EN VUE DUNE REDUCTION DE SEUIL LASER

V.1 Mcanismes de pertes : de lexcitation leffet laser
Pour matriser le seuil dun laser CP 2D, la comprhension des mcanismes de pertes entre lexcitation du matriau actif par la pompe externe et le phnomne damplification de photons, ou effet laser, est indispensable. Le point de vue adopt ici sattachera prendre en compte la ralit exprimentale, en reprenant nanmoins certains points dcrits dans les quations du chapitre 2. Lensemble des pertes peut tre dcoupl en deux contributions importantes : les pertes de porteurs excits et les pertes de photons (figure 3.16). Les pertes de porteurs dsignent les phnomnes qui dpensent des porteurs excits sans alimenter le mode laser. Les pertes optiques dtournent les photons prsents dans le mode hors de la boucle damplification. Ces deux contributions, communes tous les lasers, sont dtailles plus spcifiquement pour les microlasers CP 2D sur membrane dans la suite.
Pertes de porteurs
Porteurs excits recombins dans les barrires Porteurs excits recombins non radiativement Photons en dehors du mode laser
Pertes de photons
Photons rabsorbs
Photons perdus hors de la cavit
Pompe externe
Amplification de photons dans le mode laser

Capture des porteurs excits par la ZA Conversion porteurs excits photons Boucle de recyclage de photons dans le mode laser
Gnration de porteurs excits dans la barrire
Figure 3.16- Reprsentation schmatique de la chane donnant lieu un effet laser : du pompage de la zone active (ZA) lamplification de lumire dans un laser.
V.1.1. Pertes de photons dans les structures cristaux photoniques 2D Nous avons dj abord le phnomne de pertes optiques dans les cristaux photoniques bidimensionnels sur membrane dans le chapitre 1 (section III.3). Ce sont essentiellement :
q
Les fuites de photons. Elles peuvent tre dcrites par lintermdiaire dun facteur de qualit optique Qopt dcoupl en un Q, un Q// et un Qnc. Le premier terme traduit les pertes de photons cohrentes hors du plan associes lexistence de la ligne de lumire et la configuration verticale adopte (section III.3.1 et 2 ). Le deuxime terme traduit les
85
pertes de photons qui traversent latralement les miroirs CP 2D. Le dernier terme regroupe les pertes optiques non cohrentes produites par les non idalits du CP 2D (section III.3.3).
q
La (r)absorption de photons par le matriau actif, en particulier par sa rgion non transparente. Ces pertes peuvent tre dcrites par un facteur de qualit Qabs. Les photons absorbs gnrent des transitions interbandes ou intrabandes par porteurs libres [Saleh 91]. Les transitions interbandes crent des paires lectron-trou, qui peuvent donner lieu une mission radiative. Une transition intrabande conduit llvation en nergie des porteurs dans les bandes. Un phnomne de thermalisation sensuit en gnral, au cours duquel le porteur relaxe vers le bas de la bande en librant son nergie sous forme de chaleur. Ce deuxime type de transitions est favoris temprature et densit de porteurs levs.
Le facteur de qualit total Q intgre les valeurs de Qopt et Qabs [Alvarado Rodriguez 02]. Les conditions dexcitation et la zone active utilise peuvent modifier sa valeur. Ainsi, la transparence du matriau, le facteur de qualit global devrait reflter le facteur de qualit optique, intrinsque du mode de cavit.
q
Le facteur de recouvrement , du mode et de la zone active (chapitre 1, section II.2.3) ne constitue pas un vritable terme de pertes de photons. Nanmoins, il rappelle que la probabilit de couplage des photons du mode aux excitons nest pas unitaire. V.1.2. Pertes de porteurs et efficacit radiative
En amont du processus dmission, les porteurs excits, photognrs dans les barrires, nalimentent pas tous lmission du mode laser.
q
Tout dabord, une fraction de ces porteurs se recombine avant datteindre la zone active, fournissant lumire et chaleur. Le paramtre important est lefficacit de capture des porteurs (i) dans la zone active, dtermin par la configuration et la gomtrie du laser, mais galement par la nature de la zone active et des barrires, ainsi que leur qualit structurale.
Une partie des porteurs excits n, capturs par la zone active, sont perdus sous forme de recombinaisons non radiatives (RNR) qui dissipent lnergie sous forme de chaleur. Ces phnomnes peuvent revtir une importance considrable dans les CP 2D [Ryu 01-1 et Ryu 01-2]. Deux processus sont couramment identifis dans les semi-conducteurs.
86
1.
Les recombinaisons Auger sont dues linteraction entre porteurs : lnergie
rsultant de la recombinaison dun lectron et dun trou est cde un autre trou ou lectron sous forme dnergie cintique. Puisque le processus Auger implique 3 particules, le taux de recombinaisons associ scrit en fonction de la densit de porteurs7 n comme CAuger*n3. La constante CAuger diminue pour un matriau plus grand gap et une temprature plus faible8. Elle peut tre dtermine exprimentalement : par exemple, CAuger~10-29 10-28 cm6/s pour GaInAsP temprature ambiante [Coldren 95]. Une modification de la densit dtats des porteurs peut modifier ce facteur. Ainsi, des puits quantiques montrent un coefficient Auger rduit dun facteur 1,5 2 tandis que lajout dune contrainte peut restreindre encore plus cet effet [Coldren 95]. 2. Le deuxime processus implique des centres de RNR comme des dfauts ponctuels,
de surface et dinterface. Le taux de transitions associ ces recombinaisons suit une dpendance linaire, A*n, en fonction de la densit de porteurs n. Dune part, les recombinaisons de Schockley-Read-Hall font intervenir des impurets ou des dfauts dans la structure cristalline, qui produisent des tats localiss en nergie dans le gap. Ces impurets capturent temporairement un lectron de la bande de conduction avant de le relcher dans la bande de valence. Avec les procds de croissance actuels MBE ou MOCVD, la densit de dfauts et dimpurets est suffisamment faible (10.1015cm-3) pour rendre ce mcanisme ngligeable dans les applications laser [Coldren 95]. Cela est dautant plus vrai dans les CP 2D que dautres types de RNR dominent. En effet, des piges porteurs existent au niveau des surfaces et interfaces, et dans le cas spcifique des CP 2D, sur les flancs des trous. Le taux de recombinaison de surface est proportionnel la densit de porteurs, la constante A prs, qui sexprime A=as/V*S, o as est la surface expose lair, V le volume dlimit par la surface (volume de cavit dans le cas des Hn) et S la vitesse de recombinaison de surface. Limportance du phnomne augmente avec le ratio surface/ volume. Il est donc renforc lorsque les dimensions dune cavit Hn sont rduites, mais aussi, pour une gomtrie donne, lorsque les trous constituant le CP 2D sont largis (fort facteur de remplissage). La vitesse de recombinaison de surface S dpend de la nature la zone active (matriau et dimensionalit) [Boroditsky 00]. Dans le cas dInP massif, elle a t mesure infrieure 104 cm/s contre 4-6.105 cm/s pour GaAs [Coldren 95]. Enfin, ces RNR de surface sont
7
Dans les rgions actives non dopes dun laser, la neutralit de charge implique une galit des densits dlectrons et de trous. 8 Cette variation thermique est exponentielle pour des matriaux petit gap comme le quaternaire GaInAsP [Painter 99-2].
87
renforces temprature leve : la diffusion de porteurs dans le plan est plus importante donc les risques de rencontrer les dfauts de surface galement. De faon gnrale ces RNR parasites peuvent se n NR regrouper sous la forme :
R ( n) = C * n 3 + A * n =
o la dure de vie des porteurs NR dpend de la densit de
porteurs n et de la temprature. 1 R 1 1 + R NR
Lefficacit radiative r =
avec laquelle la zone active met des photons est un
paramtre cl du matriau. Puisque les recombinaisons radiatives spontanes ncessitent la prsence dune paire lectron-trou, le taux associ est proportionnel au produit de la densit dlectron et de trous, i.e. n2. Le taux global de recombinaisons radiatives sur lensemble de la gamme spectrale sexprime donc Rspont=B*n2 (cm-3.s-1) o B est le coefficient de recombinaison bimolculaire (cm3.s-1) caractristique du matriau. Le coefficient B augmente avec la largeur du gap et vaut 1,3.10-9 cm3.s-1 pour InP et 8,5.10-11 cm3.s-1 pour InAs [Rosencher 98].
q
Les modes de fuites (mission directe de lumire hors du plan) ou les autres modes de la structure CP 2D que le mode laser, accessibles aux metteurs, constituent des conduits qui privent le mode laser de photons participant au phnomne damplification. Ce mcanisme est pris en compte via le terme de couplage de lmission spontane au mode laser (cf. chapitre 2, section III.2). V.1.3. Schma rcapitulatif
Au final, ces diffrents mcanismes de pertes peuvent tre synthtiss comme sur la figure 3.17. Les diffrents conduits produisent de la lumire (dans ou en dehors du mode laser) ou de la chaleur transfre au rseau cristallin et responsable de lchauffement. Une diffrence fondamentale entre les deux types de pertes (porteurs et photons) rside dans le moyen exprimental daccder leur grandeur. Les pertes optiques sont quantifiables travers la mesure du facteur de qualit Q global du mode optique en mission spontane. Les pertes de porteurs, intermdiaires entre la pompe et les photons laser , apparaissent uniquement de faon indirecte dans nos structures, travers le recul du seuil laser9. Le premier est un terme de pertes optiques tandis que le deuxime est associ une rduction du
9
Certaines structures spcifiques permettent daccder une mesure de gain directement [Barjon 02].
88
gain disponible pour un taux de pompe donn. Il reste que ces deux types de pertes rduisent lefficacit du phnomne damplification laser, donc en particulier, augmentent le seuil laser.
Chaleur Lumire et chaleur Recombinaisons dans les barrires Emission thermoionique
Recombinaisons non radiatives Nature ZA Dfauts de surface T/ chauffement Densit de porteurs
Photons dans dautres modes
1-r
Pompe
Porteurs excits dans les barrires
i
ZA Gomtrie
Rservoir de porteurs dans la ZA
Emission spontane Emission stimule
1-
Densit de modes Configuration verticale Accord ZA/ mode T/ chauffement
Transitions interbandes Excitation T/ chauffement Nature ZA Mode / ZA
*g
Rservoir de photons dans le mode laser

1/Qabs
Absorption
1/Qopt Pertes de photons

hors cavit
Transitions intrabandes
1/Qnc
Non idalits du CP Photons diffuss
1/Q// 1/Q
Nb de ranges de CP Photons transmis travers le CP
Chaleur Pertes photons Pertes porteurs Boucle de gain Paramtres structuraux Paramtres opratoires
Confinement du mode Photons diffracts hors du plan
Figure 3.17- Schma rcapitulatif des diffrentes sources de pertes de porteurs (flches bleues) et de photons (flches rouges) dans une microsource CP 2D. Les paramtres influant sur chaque type de pertes sont indiqus : paramtres structuraux (bleu) et opratoires (rose).
La boucle de gain (*g) est galement reprsente en pointills sur la figure 3.17, avec g (ngatif ou positif) dsignant le taux net de crations de photons par mission stimule (cf chapitre 2, section III.3). En dessous du seuil laser, la boucle de gain gonfle essentiellement le rservoir de porteurs excits (boucle dabsorption) au dtriment du rservoir de photons. Lmission spontane est alors la voie principale de cration de photons. A linverse, largement au dessus du seuil (et de la transparence), la boucle de gain alimente principalement le rservoir de photons et gouverne lamplification laser. Pour atteindre le seuil laser, dune part, le nombre de photons dans le mode doit tre suffisamment renforc, essentiellement par mission spontane dans le mode. Dautre part, la pompe doit apporter un nombre de porteurs excits dans la zone active suffisant.
89
Les grandeurs essentielles de pertes, agissant sur le seuil des microlasers CP 2D, qui pourront tre modifies, sont lefficacit radiative r (section V.3.1), le facteur de couplage de lmission spontane au mode laser (section V.3.2) et le facteur de qualit du mode, plus particulirement Q (section V.3.3). Le schma de la figure 3.17 met galement en exergue les paramtres agissant sur ces diffrents conduits de pertes. La diversit de ces paramtres et leur contribution souvent multiple des niveaux divers de la chane suggre la difficult danalyse de leurs effets. Les parties suivantes auront toutefois pour objet de clarifier exprimentalement et qualitativement les actions respectives des divers leviers sur les pertes. Ils sont de deux types : structuraux ou opratoires (cf. figure 3.17). Les pertes recenses ont en effet une partie intrinsque lie lobjet dtude (section V.3), et une partie extrinsque lie la manire dtudier cet objet (section V.2).
V.2 Importance des conditions opratoires

Les conditions opratoires dans lesquelles les lasers sont tests ne sont pas neutres sur les caractristiques obtenues des composants. Ainsi, le diamtre du spot et la puissance dexcitation influent sur la rpartition et la densit de porteurs dans la structure, affectant particulirement les processus non radiatifs et labsorption. Dautre part, les caractristiques de pompage (temprature, rapport cyclique Rc) conditionnent lchauffement de la structure. V.2.1. Diamtre du spot dexcitation Dune part pour les lasers DFB, le problme de la taille du spot dexcitation est dterminant, puisque le diamtre dexcitation dfinit lextension spatiale de la rgion de CP 2D implique dans le laser. Un largissement du diamtre de pompe produit ainsi une augmentation du facteur de qualit du mode laser [Ryu 02-1]. Il existe donc une dimension optimale en termes de pertes. Dautre part, pour une microcavit Hn, le diamtre de la zone dexcitation dfinit lextension de la rgion transparente du matriau actif, en dehors de laquelle labsorption devient non ngligeable. Les dimensions latrales de la pompe doivent donc tre adaptes lextension du mode, de faon atteindre un certain accord spatial entre le mode et la taille de zone active transparente. Si le diamtre de pompe est trop faible, la rgion non pompe produira des pertes par absorption importantes. A linverse, une aire de pompage trop grande dilue spatialement la puissance dexcitation ; la puissance de pompe ncessaire pour atteindre une
90
densit dexcitation donne, donc le seuil laser, sen trouveront augments. Ainsi, un optimum doit exister. En gnral, le diamtre de pompe adopt pour les caractrisations de nos composants CP 2D est de lordre de 2-3 m. V.2.2. Le problme de lchauffement Le problme majeur associ aux CP 2D sur membrane est lchauffement induit par la puissance dexcitation et aggrav par la faible dissipation de chaleur hors de la structure [Pottier 01]. Cet effet peut augmenter la temprature jusqu plus de 110K au centre de la cavit [Lee 02-1]. Le but de cette partie est de mesurer limportance et les consquences de ce phnomne, le rduire et sonder les limites de fonctionnement des lasers CP 2D. a. Consquences de lchauffement
Les effets thermiques dans les lasers peuvent revtir plusieurs facettes [Mieyeville 01]. Tout dabord un chauffement produit un dcalage relatif entre le pic de gain et le mode laser. En effet, la longueur donde du pic de gain augmente plus rapidement avec la temprature, sous leffet de la variation thermique du gap que le mode [Lee 99-1]. Lchauffement saccompagne galement dune lvation de lnergie des porteurs dans les bandes, entranant la dpltion des niveaux mis en jeu dans la transition laser. Laugmentation relative des processus non radiatifs implique un affaissement de la courbe de gain. Ces divers effets expliquent lexistence dune temprature critique dutilisation pour un composant laser, au del de laquelle le seuil laser augmente fortement10, un saut de mode apparat ou mme leffet laser disparat. Dans les lasers de faibles dimensions comme ceux tudis ici, les effets thermiques induits par le seul chauffement du composant peuvent savrer problmatiques et ncessitent une attention et un soin particuliers.
q
La variation spectrale des modes : une mesure de lchauffement
La figure 3.18(a) montre le dcalage du mode fondamental dune cavit H1 vers les hautes longueurs donde, sous leffet dune augmentation de la puissance de pompage en continu. Ce phnomne rvle un chauffement de la structure excite. La variation thermique de la longueur donde du mode est lie essentiellement11 la variation de lindice n avec la temprature12 [Lee 02-1]. Typiquement dans un semi-conducteur, la variation thermique de
10 11
Le seuil montre une dpendance thermique exponentielle (cf. chapitre 1, section II.3.3) Leffet de lexpansion thermique du diamtre effectif de la cavit est ngligeable. 12 La variation thermique de lindice est lie la diminution du gap du matriau lorsque la temprature augmente. En effet, un changement de la temprature modifie les caractristiques dabsorption du matriau, auquel lindice de rfraction n du matriau est troitement li (relations de Kramers Kronig).
91
l'indice provoque une augmentation de la longueur donde des modes autour de 1.5 m de lordre de 0.1 nm par degr dchauffement. Lampleur du dcalage en longueur d'onde permet donc dapprcier lchauffement induit. Pour les conditions dexcitation continues de la figure 3.18(a), llvation de la longueur donde (16 nm) du mode fondamental dun H1 permet dvaluer lchauffement produit environ 160C pour une augmentation de la puissance entre 0.1 et 1.8 mW (soit ~ 90C/mW). Cette grandeur confirme le faible coulement de chaleur hors de la membrane. Lchauffement est accentu lorsque les trous du rseau CP 2D, creuss dans la membrane, ont un diamtre large. Les trous entravent en effet les changes thermiques [Pottier 01].
Longueur d'onde du mode (nm)
1440
82
Facteur de qualit
0.5 1.0 1.5 2.0
1435
80 78 76 74 72
1430
1425
1420 0.0
Puissance d'excitation continue (mW)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
(a) Figure 3.18- Effet de laugmentation de la puissance dexcitation continue sur le mode fondamental dune cavit H1 suspendue avec une zone active de type lots quantiques (ep614) : longueur donde du mode (a) et facteur de qualit (b) en fonction de la puissance dexcitation continue.
Puissance d'excitation continue (mW (b) )
Le facteur de qualit Q des modes

1 1 1 = + Q Qopt Q abs
Le facteur de qualit associ aux pertes de photons scrit :
. Le premier terme,
Qopt, est a priori indpendant des conditions opratoires pour un mode de cavit Hn. Par contre, labsorption par la zone active dpend fortement de la densit dexcitation et de lchauffement. Dans un premier temps, Qabs devrait augmenter, sous leffet de laccs progressif la transparence du matriau. Cependant, des rabsorptions intra-bandes se produisent lorsque la densit de porteurs libres augmente, i.e. pour une forte densit dexcitation et/ou haute temprature. Le renforcement de ces transitions intra-bandes en rgime dexcitation continu, qui implique un fort chauffement mme relativement faible puissance dexcitation, expliquent lobservation de la rduction du facteur de qualit global du mode sur la figure 3.18(b).
92
Ainsi, une augmentation de la densit dexcitation est usuellement associe un chauffement dans les composants CP 2D sur membrane qui peut saccompagner exprimentalement : - d'une baisse relative de lefficacit radiative sous leffet de RNR amplifies par des mcanismes thermiquement activs (recombinaisons Auger, RNR de surface) ou par une vaporation des porteurs hors de la zone active, - dun largissement des modes par renforcement des rabsorptions intra-bandes, - d'un dcalage des modes vers les hautes longueurs donde, impliquant ventuellement un dsaccord avec le maximum dmission de la zone active. Lchauffement sauto entretient puisquil favorise des mcanismes produisant de la chaleur (RNR et absorption intra-bandes). Plus le taux de pertes intrinsque du mode est lev (Qopt faible), plus le taux de pompe ncessaire pour atteindre le seuil laser est important. Or, le fort pompage requis saccompagne dun chauffement qui augmente le taux de pertes du mode et rduit lefficacit radiative (donc le gain en fonction de la pompe). Autrement dit, lchauffement empche datteindre leffet laser pour un taux de pertes optiques lev. b. Le report sur SiO2 : une solution partielle contre lchauffement
Une structure H5 a t caractrise, successivement dans la configuration reporte [Figures 3.19(a) et (c)] puis suspendue [Figures 3.19(b) et (d)], aprs limination de la couche de SiO2 sous-jacente. Lexcitation est pulse (Rc=15%, 20 ns), temprature ambiante La cavit H5 a t choisie en raison des modes fort Q quelle prsente, et qui facilitent laccs leffet laser. Le lger dcalage des modes (~10 nm) vers les plus faibles longueurs donde, observ aprs la suspension de la structure, est associ un indice moyen rsultant plus faible. La variation de la longueur donde du mode entre 0.2 et 0.6 mW est de 3 nm pour la cavit suspendue (7,2 nm/mW) contre une valeur difficilement quantifiable, infrieure 1 nm, pour la structure reporte (moins de 2 nm/mW). Ces taux de variation de la longueur donde rvlent des chauffements associs, respectivement de lordre de ~70K/mW et moins de 20K/mW. Une telle comparaison dmontre que la configuration suspendue est moins efficace pour dissiper la chaleur dans le composant. Le fort chauffement restreint le fonctionnement du microlaser suspendu des faibles puissances dexcitation. Alors que le composant report sur SiO2 montre un effet laser jusqu la puissance dexcitation maximum, 1.7 mW, une chute de lintensit de son analogue suspendu est observe peu aprs le seuil [figure 3.19(d)]. Dans la gamme de puissance commune 0.2-0.6 mW, le seuil laser apparat identique entre les deux structures. Cependant, la pente de la courbe caractristique (Ilaser, Peff) du laser est plus
93
importante au del du seuil pour la structure reporte, bnficiant dun chauffement plus rduit.
1.1
1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0
Intensit PL (u.a.)
0 -2
Intensit PL (u.a.)
1.7mW 1558.7 I=674
4 2
0.6mW 1602.9 I=22

0
0.2mW 1557.7 I=1.5

0
-4 -6 -8
0.15mW 1599.9 I=0.392
-2
-0.1
1350 1400 1450 1500 1550 1600 1650
1350 1400 1450 1500 1550 1600 1650

200 1558.0
(a)
50

1603.0 40 30 20 10 0 0.0 1602.5 1602.0 1601.5 1601.0 1600.5 1600.0 0.2 0.4 0.6 1599.5
(b)
Intensit PL (u.a.)
100
0 0.0 0.2 0.4 0.6
1557.5 0.8
Puissance effective (mW)
(c)
(d)
Figure 3.19- Rsultats exprimentaux sur une cavit H5 MPQ (ep562) reporte sur SiO 2/Si (a) et (c) (BOE 100) et suspendue (b) et (d) (BOE 500). Les figures (a) et (b) montrent les spectres en mission spontane et stimule correspondants, tandis que les courbes caractristiques (I laser, Peff) (points carrs) des lasers associs ainsi que la variation de la longueur donde du mode laser (croix) sont prsentes sur les figures (c) et (d).
Enfin, le mode laser nest pas le mme pour les deux configurations. Vraisemblablement, le dcalage de la courbe de gain sous leffet de lchauffement privilgie un mode laser plus haute longueur donde dans le cas suspendu. Le dcalage global des modes li une variation de lindice, de seulement 10 nm, ne suffit pas, en effet, expliquer lcart de 50 nm entre les deux modes laser. Linfluence de lchauffement sur le seuil laser est donc restreinte si le composant CP 2D est capable datteindre un rgime dmission stimule faible puissance, lorsque lchauffement est encore assez faible. Par contre, pour des puissances dexcitation suprieures, un fort chauffement devient critique, et peut conduire une disparition de leffet laser. A cet gard, le report sur SiO2 semble apporter une solution efficace en tirant partie dune meilleure dissipation thermique. Quelles sont les limites en termes de conditions de fonctionnement et dchauffement maximum que peut supporter ce type de composant ?
94
c.
Limites de fonctionnement des lasers cristaux photoniques 2D reports sur SiO2
Le choix du rgime de pompage (puls, continu) influe sur lampleur de lchauffement induit. Ainsi, il est plus difficile datteindre un effet laser avec une excitation continue ou quasi continue (pulses longs). Ceci explique que la plupart des groupes montrent un effet laser avec des structures CP 2D excites par des pulses courts de lordre de 10 ns et des rapports cycliques Rc de seulement quelques % [Lee 99-2 ; Park 01 ; Kim 02 ; Ryu 02-2 etc] ou basse temprature [Painter 99-1 ; Ryu 02-1]. Leffet laser en continu et temprature ambiante a t dmontr plus rarement et produit alors un seuil plus lev (~10 mW de puissance incidente) [Hwang 00-1 et 00-2]. Avec des cavits H5 MPQ reportes sur SiO2, leffet laser a t obtenu en quasi continu (Rc=50% et dure de pulse 100 ns) et temprature ambiante [figure 3.20(a)]. Le seuil est un peu plus lev : 0.6 mW au lieu de 0.27 mW obtenu pour un pompage avec Rc=15%, de mme priode. Par contre, la pente est tonnamment plus forte pour le pompage avec Rc=50%. Cet effet peut tre li un dcalage bnfique de la courbe de gain vers le rouge, induit par lchauffement, qui augmenterait le couplage de lmission au mode dintrt. La figure 3.20(b) confirme lchauffement plus important dans le cas dun pompage quasi continu. Le mode est demble dcal vers le rouge (quelques nanomtres) par rapport au pompage avec Rc=15% tandis que le taux de variation de sa longueur donde en fonction de la puissance dexcitation est six fois plus importante avec un pompage Rc=50% (2 nm/mW soit ~20K/mW), quavec un pompage Rc=15% (0.35 nm/mW soit ~3.5K/mW). Le report sur SiO2 limite lchauffement, mais ne lvite pas compltement pour une excitation quasicontinue.
50%- 100ns 15%- 20ns
1532 1531
150
50%- 100ns 15%- 20ns
Intensit (gain 100)
Longueur d'onde
100
2nm/mW
1530 1529
50
0.35nm/mW
1528 1527
0 0.5 1.0 1.5
(a) (b) Figure 3.20- Courbes caractristiques (Ilaser, Peff) (a) et longueur donde du mode associe (b) vs. la puissance dexcitation pour une cavit laser CP 2D H5 avec des MPQ (ep791). La cavit est teste en pompage puls avec un rapport cyclique de 15% (dure de pulse 20 ns, points carrs) et 50% (dure de pulse 100 ns, ronds).
Puissance effective (mW )
0.5
1.0
1.5
Puissance effective (mW )
95
Vis vis des problmes dchauffement, les lasers CP 2D reports sur SiO2 montrent donc une bonne robustesse en produisant un effet laser pour des rgimes de pompage quasi continu et temprature ambiante. Cependant, pour valuer les caractristiques intrinsques des composants, un pompage puls de rapport cyclique 15% avec une dure de pulse de 20 ns, a t adopt dans toute la suite de ltude. Ces conditions de test, associes lutilisation de structures reportes sur SiO2 savrent optimales pour limiter les effets nfastes de lchauffement. Il devient alors possible de tester linfluence des paramtres structuraux des microsources CP 2D sur les facteurs de pertes et donc le seuil laser.
V.3
Paramtres structuraux des composants cristaux photoniques permettant une rduction du seuil
V.3.1. Augmentation de lefficacit radiative r a. Choix de la zone active
La figure 3.21 montre la diffrence de seuil et de gain diffrentiel entre deux cavits laser H5 analogues reportes sur SiO2, mais incluant deux zones actives diffrentes (ep791 et ep562).
140 120 Intensit PL (gain 100) 100 80 60 40 20 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Puissance effective (m ) W 3.0 *10
ep791 (4 PQInAsP) ep562 (3 PQInGaAs)

Figure 3.21- Comparaison de lasers H5 reports sur SiO2/Si pour deux types de zones actives MPQ : 4 Puits quantiques InAsP (points triangulaires) et 3 Puits quantiques InGaAs (points carrs).
Lutilisation de 4 PQ InAsP contraints conduit un seuil sept fois plus faible que 3 PQ InGaAs accords sur InP. En plus dun nombre de puits plus lev (qui augmente lgrement ), la diffrence rside dans le rendement radiatif des PQ de type InAsP, plus lev que celui des PQ InGaAs. En effet une qualit des interfaces meilleure est usuellement produite par lpitaxie lors de la croissance de PQ InAsP. Exprimentalement, une tude de luminescence mene au LEOM a confirm ce phnomne : une diffrence dintensit de PL a t mesure
96
entre les deux matriaux, en faveur dInAsP. De plus, la contrainte en compression peut tre bnfique via une modification de la courbure des bandes qui permet datteindre plus rapidement la transparence, et renforce le gain diffrentiel [Coldren 95]. Tous ces effets, lorigine dun gain (pour un taux de pompe donn) plus important, ont permis de montrer une amplification laser avec des cavits aussi petites que H2, alors que la structure MPQ InGaAs avait uniquement dmontr un effet laser pour des grandes cavits H5 [Monat 01]. b. Les recombinaisons de surface : vers une passivation des surfaces
Les effets nfastes dune gravure sche de type RIE sont connus [Boroditsky 00] : des dommages superficiels produits sur les flancs de gravure augmentent la vitesse de recombinaison de surface. Les liaisons pendantes en surface soxydent lair et dgradent la luminescence sous leffet des centres de RNR ainsi crs. Un simple nettoyage dans le BOE permet de librer ces liaisons et rgnrer les surfaces mais le renforcement de luminescence associ nest pas permanent. Le greffage de thiols peut venir complter ces liaisons pendantes de faon plus durable, crant un effet de passivation [Duijs 01 ; Fafard 00 ; Adlkofer 00]. Les thiols sont des chanes carbones (longueur ~12 ici) termines par un groupement ractif polaire sulfure : CH3-CH-SH. Un dpt de monocouches auto assembles thiol denses et sans dfaut ncessite llimination complte de loxyde natif de surface, par une tape pralable de nettoyage base dacide. La formation de la fine couche isolante de thiols, dont les chanes sont lies entre elles par des liaisons de type Van der Waals, permet de supprimer toute oxydation/ rduction linterface. Au LEOM, un traitement chimique base de thiols a t appliqu sur les cavits CP 2D reportes sur SiO2. Ce traitement consiste en quelques tapes : Nettoyage de lchantillon 100 avec HF 20% Dpt en solution dhexadecane (en C16) thiols pendant environ 45 minutes. Les thiols sont dilus dans un solvant peu polaire comme lisopropanol (10 mmol/L). Rincage isopropanol Schage actone chaud. Voyons sur un exemple lefficacit de ce traitement chimique. Une cavit H2 MPQ (ep791) reporte sur SiO2 et non traite ne montre aucun signe deffet laser lorsque la puissance dexcitation est augmente [figure 3.22(a)]. La comparaison avec le spectre de PL de la mme cavit ayant subi le traitement prcit est tablie sur la figure 3.22(b).
97
Plusieurs diffrences sont observes. Tout dabord les modes se trouvent globalement dcals vers les plus faibles longueurs donde de ~25 nm aprs lapplication du traitement. Deux raisons peuvent expliquer ce dcalage. Dune part, la gravure HF est responsable dune attaque du SiO2 suprieur et sans doute partiellement de la silice sous-jacente la membrane. Dautre part, le diamtre des trous peut tre lgrement largi par lattaque chimique, rsultant en une lgre augmentation du facteur de remplissage.
1.6 mW 1 mW 0.6 mW 0.4 mW
Intensit PL (u.a.)
1.6 Aprs traitement 1572nm 1.4 0.2mW
1537nm
0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 -0.2
Intensit PL
1.2 1.0 0.8 0.6 Avant traitement 0.4 1.7mW 0.2 1525nm 1574nm
1 Q~600 0 1350
-0.4 -0.6 -0.8
1400
1450
1500
1550
1600
1650
(a)
0.0 1350
1400
1450
1500
1550
1600
-1.0 1650
(b) Figure 3.22- Spectres de PL dune cavit H2 MPQ (ep791) reporte sur SiO 2 pour diffrentes puissances dexcitation pulses (Rc=15%, 20 ns) (a). La figure (b) montre la comparaison entre le spectre de PL de cette cavit H2 avant (spectre du bas) et aprs un traitement chimique HF+thiols (spectre du haut).
Ensuite, la PL mise directement par la zone active, centre sur 1490 nm, se trouve inhibe aprs lapplication du traitement tandis que le facteur de qualit des modes semble assez proche entre les deux spectres. Enfin, alors que le mode vers 1574 nm ne montrait pas dmission stimule, un effet laser associ ce mode, dcal vers 1540 nm aprs le traitement, est obtenu [figure 3.23(a)]. Le seuil laser est proche de 0.3 mW tandis que la pente au del du seuil est assez forte, montrant une mission finale trs intense 1.7 mW [figure 3.23(b)]. Laugmentation lgre de la longueur donde du mode (2 nm) lorsque la puissance dexcitation est renforce de 0.7 mW 1.7 mW, rvle un lger chauffement de la membrane13 (~20K). Cet chauffement peut tre reli la sous gravure partielle de la membrane. Cependant, lobtention dun effet laser jusqu des puissances dexcitation leves montre que la membrane est loin dtre totalement suspendue (cf. section V.2.2.b). Certaines structures ont montr un chauffement beaucoup plus important (6-7 nm de dcalage des
13
Une lgre rduction de la longueur donde du mode est galement observe en rgime dmission spontane (Peff<0.4 mW). Elle peut tre relie aux effets non linaires de variation de lindice avec la densit de porteurs, en dessous du seuil [Coldren 95].
98
modes), signe dune suspension plus avance des cavits, empchant au final lobtention dun effet laser.
1 l.s.
0.9 0.8 2
Intensit PL (u.a.)
0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0
1.7mW
0
0.15mW
1400 1450 1500 1550 1600
-2
1350
1650

(a)
1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0.0
(nm)
1545.0 1544.5 1544.0 1543.5 1543.0 1542.5 1542.0 1541.5
0.5
1.0
1.5
(b) Figure 3.23- Spectre en mission spontane et stimule (a) de la cavit H2 MPQ aprs un traitement HF+thiols. La courbe caractristique (I laser, Peff) du laser (carrs noirs) et lvolution de la longueur donde du mode laser (ronds rouges) en fonction de la puissance de pompe sont prsents pour un pompage puls temprature ambiante (b).
Le dcalage spectral des modes induit par le traitement place le mode dintrt plus proche du maximum dmission de la zone active (vers 1490 nm), bnfique au couplage de lmission spontane ce mode (cf section V.3.2 a). Pour attribuer en toute rigueur lobtention dun effet laser la seule augmentation de lefficacit radiative, une cavit H2 non traite, avec un facteur de remplissage plus lev que celui de la structure figure 3.22(a), est tudie. La figure 3.24 montre le spectre de PL correspondant : les pics occupent une position spectrale analogue ceux de la figure 3.23. Malgr cela, aucun phnomne dmission stimule nest obtenu forte puissance.
3
Intensit PL (u.a.)
1.6mW 1mW 0.6mW
Figure 3.24- Spectres de PL dune cavit H2 MPQ reporte sur SiO2 non passive, pour diffrentes puissances dexcitation pulse temprature ambiante.
0 1350
1400
1450
1500
1550
1600
1650
Longueur d'onde (nm) En conclusion, un traitement chimique adapt permet de rduire les RNR de surface, grce la passivation des flancs des trous constituant le CP 2D. Lefficacit radiative sen trouve
99
nettement amliore, conduisant lobtention dun effet laser sur des structures qui navaient pas donn signe dmission stimule au pralable14. Cependant, la dure de la gravure HF ncessaire reste optimiser pour viter une sous gravure partielle parasite, nfaste vis vis de lchauffement du composant. Dautres ides existent en termes de traitement de surface. Les trous du CP 2D peuvent tre remplis par une silice bien adapte la passivation mais la procdure de dpt doit tre dveloppe pour atteindre un remplissage homogne. Si lmission spontane globale a t renforce avec succs, il reste exploiter son couplage effectif avec le mode laser travers le facteur . V.3.2. Augmentation du couplage de lmission au mode laser a. Accord spectral mode / zone active
Le facteur de remplissage est un outil trs utile pour modifier lnergie des modes de cavit CP 2D (cf. section IV.2.1.c) et peut tre mis profit pour rduire le seuil laser.
0.5
f=0.43
0.4 0.06mW 0.3 0.2 0.1 0.0 -0.1
300 250 200 150 100 50 0
Intensit de PL
f~0.43 =1530nm
(a)
f=0.37
0.2mW
f~0.37 =1554nm f~0.35 =1558nm
Intensit de PL
0.1
I*10
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Puissance de pompe effective (mW)

0.0
4
(b)
f=0.35
(d)
Intensit de PL
3 2 1 0
0.5mW
Figure 3.25- Spectres de cavits H2 reportes sur SiO2 en mission spontane, pour des facteurs de remplissage de 0.43 (a), 0.37 (b) et 0.35(c). Courbes caractristiques (Ilaser, Peff) associes ces lasers sous un pompage optique puls temprature ambiante (d).
1400 1450 1500 1550 1600
1300
1350
(c)
14
Le mode laser est ici un mode confin dans la BIP parmi les LQ modes (cf. section V.3.3.b) et non un mode HQ fort Q, habituellement impliqu dans leffet laser dun H2.
100
Les figures 3.25(a), (b) et (c) montrent les spectres en mission spontane, associs des cavits H2 reportes sur SiO2 MPQ (ep791). Les modes de la cavit sont dcals vers les plus faibles longueurs donde mesure que f varie de 0.35 (c) 0.43 (a). Le spectre de PL de la zone active (superpos en pointills au spectre de la cavit sur ces mmes figures) prsente un maximum dmission vers 1490 nm. Ainsi, au fur et mesure que f augmente, les modes fort Q, ct hautes longueurs donde (vers 1530-1560 nm), se rapprochent du maximum dmission. Or, le dsaccord entre la longueur donde du pic dmission spontane et la longueur donde du mode rduit fortement le facteur de couplage de lmission spontane au mode laser [Fujita 99]. La figure 3.25(d) montre leffet conjoint sur le seuil laser : il diminue de 1.7 mW 0.25 mW lorsque f augmente de 0.35 0.43, i.e. pour un dcalage du mode laser de 28 nm (1558 nm 1530 nm) vers le maximum dmission du MPQ. La pente de la courbe caractristique (Ilaser, Peff) au del du seuil est galement plus intense lorsque le mode est mieux plac, pour f=0.43. Le gain qui gouverne lamplification lumineuse au del du seuil profite donc galement de ce dcalage du mode. Par ailleurs, la figure 3.26 montre pour diffrents laser de type H4, le seuil obtenu en fonction de la position du mode laser (dtermin par le f de la cavit) par rapport au maximum dmission de la zone active. Deux familles de laser (croix et carrs) sont reprsentes exploitant chacune un mode spcifique de H4. Comme pour H2, le seuil laser dcrot fortement lorsque le dsaccord du mode avec le maximum dmission de la zone active est rduit, i.e. pour un couplage plus efficace de lmission spontane au mode laser15.
2.00 1.75 1.50 1.25 1.00 0.75 0.50 0.25 0 10 20 30 40 50 60 70
seuil effectif (mW)
Figure 3.26- Evolution du seuil laser pour une cavit H4 reporte sur SiO2 MPQ (ep791) en fonction de lintervalle spectral entre la longueur donde du mode laser et celle du maximum dmission de la zone active (ZA). Deux familles de cavits H4 fonctionnant sur des modes laser diffrents sont reprsentes (points carrs et croix).
Dsaccord mode/ ZA (nm)

15
Cette tendance la rduction du seuil est obtenue lorsque le facteur de remplissage augmente : la dgradation de Q souvent escompte pour un diamtre des trous plus large ne semble donc pas intervenir ici de faon ngative.
101
Si cet effet de dcalage des modes avec f existe aussi pour les lasers DFB 2D, leffet est moins bnfique sur le seuil laser. Bien quune augmentation de f entre 0.45 et 0.55 induise un dcalage du mode de BV vers le maximum dmission de la zone active (cf section IV.3), une augmentation du seuil de 1.1 mW 1.5 mW est conjointement observe. Dans une structure DFB, uniquement constitue dun rseau de trous sans dfauts, une augmentation de f implique un accroissement important du ratio surface (associe aux flancs des trous) /volume. Le bnfice li au meilleur accord mode/ zone active est donc sans doute largement compens dans ce cas par une rduction du taux de cration de photons (moins de matire) et une augmentation des RNR de surface. Cet effet ngatif est limit dans les cavits Hn, constitues dune large zone dpourvue de trous. En effet, le ratio surface/ volume, dterminant le taux de RNR de surface, varie beaucoup moins avec le facteur de remplissage que pour les structures DFB. En conclusion, une amlioration de laccord spectral entre le mode et lmission de la zone active conduit une rduction du seuil laser, notamment grce un renforcement du couplage de lmission spontane au mode laser. Le facteur de remplissage est un paramtre de la structure permettant dans une certaine mesure daccder une adaptation optimale . b. La densit de modes
Comme nous lavons dj voqu, la prsence de modes, autres que le mode laser, affaiblit le facteur de couplage de lmission spontane dans le mode laser. Le levier le plus important pour faire varier la densit de modes est la taille de cavit Hn (cf. section IV.2.1.b). Or, aucune tendance monotone du seuil laser en fonction de la taille de cavit na t rvle par les rsultats de la section IV. La rduction de la densit de modes entre H2 et H5 saccompagne dans ces structures dune dgradation du facteur de qualit des modes qui peut expliquer labsence dune rduction du seuil, lorsque la taille de cavit est rduite. De plus, la proximit des trous dans les cavits plus petites peut diminuer lefficacit radiative (RNR de surface plus importantes cause du ratio surface/ volume plus lev). A ces effets sajoute linfluence de lextension du mode. Variant avec la taille de cavit, les dimensions latrales du mode doivent en effet affecter laccs la transparence du matriau, donc le seuil laser. Les lasers H2 et H5 ont ainsi montr les seuils laser les plus faibles tandis que ceux exhibs par des cavits intermdiaires comme H3 et H4 sont plus levs. Il doit exister un compromis entre le facteur de qualit, le nombre de modes et leur extension dans le plan ainsi que lefficacit radiative.
102
V.3.3. Amlioration du facteur de qualit optique Q du mode Jusquici, une rduction du seuil laser a pu tre observe en tirant profit dune augmentation du taux de cration de photons, via r et , dans le mode laser. Le facteur de qualit optique Q du mode constitue le deuxime levier pour restreindre le seuil laser. Puisque les pertes hors du plan semble dominer les pertes optiques globales dans les structures CP 2D (cf. section IV.2.1.b), les paragraphes suivants discuteront principalement de sa matrise. a. Confinement vertical du mode optique
Leffet du contraste dindice vertical sur les pertes optiques hors du plan (Q) a dj t abord dans le 1er chapitre (cf. section III.3.2.b), concernant le choix dune configuration sur membrane ou sur substrat. Ici, le dbat oppose deux configurations fort contraste dindice de type membrane : suspendue ou reporte. Des mesures de PL sont effectues sur la mme cavit H2 MPQ, reporte sur SiO2 puis suspendue aprs une sous gravure supplmentaire, pour dterminer les facteurs de qualit associs chaque type de configuration. Les cavits H2 offrent lavantage dune faible densit de modes, qui savrent par consquent plus aisment identifiables. Une comparaison des spectres de PL (figure 3.27) montre un dcalage global de 20 nm aprs la suspension, associ un indice moyen plus faible dans la configuration suspendue.
membrane sans cavit suspendu b' report / SiO2
2 a' 1607nm Q~350
3.5 Intensit de PL (u.a.) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0
f'
1600
a'
c'
a 1627nm Q~250 1640 20nm
S i0 S i
1620
e'
e d'
cb d
1450
1500 1550 1600 Longueur d'onde (nm)
1650
Figure 3.27- Spectres dmission spontane pour une cavit H2 MPQ (ep562) reporte sur SiO 2 (noir) ou suspendue (rouge). Des pertes additionnelles dans le cas report sont galement schmatises.
Les modes spcifiques de la cavit H2 sont indics entre a et f (a et f) pour la configuration reporte (suspendue). Les facteurs de qualit mesurs en excitation continue sont globalement plus levs dans le cas suspendu. Ainsi, le mode a (1620 nm) prsente un Q de 250 dans la
103
configuration reporte alors que le mme mode dans la configuration suspendue a (1607 nm) tmoigne dun Q autour de 350, soit ~30% plus lev16. En rgime dmission spontane, faible pompage (donc faible chauffement), le facteur de qualit de la configuration reporte est donc limit par des pertes optiques supplmentaires. En particulier, des fuites de photons (incluses dans Q) travers la couche de silice infrieure non perce peuvent se produire (cf. figure 3.27). Plus prcisment, la portion de la distribution spectrale du mode selon des vecteurs k situs au dessus de la ligne de lumire est responsable de pertes hors du plan [Vuckovic 02-1]. Or, dans le cas dun support SiO2, la pente de la ligne de lumire (c/nb) est plus faible, ce qui devrait accentuer le poids de ces contributions nfastes, dans le cas report par rapport au cas suspendu. Cependant, si la configuration suspendue est bnfique vis vis du facteur de qualit du mode optique, lchauffement de ce type de structures, lorsque le pompage est intensifi, savre problmatique (cf. section V.2.2.b). En sinspirant de ces observations, le facteur de qualit pourrait toutefois tre augment, en gravant les trous plus profondment [Jacquin 00] ou en remplissant les trous avec du SiO2. Cette seconde solution permettrait dabaisser globalement lnergie de la structure de bandes du CP 2D, donc de rduire linfluence des modes pertes, au dessus de la ligne de lumire [Geremia 02]. b. Confinement du mode dans le plan
Le lien entre les pertes optiques et la position du mode par rapport la ligne de lumire a dj t voqu plusieurs reprises. De manire gnrale, plus les composantes k places au dessus de la ligne de lumire ont un poids important, plus les pertes optiques du mode associ sont leves. Cette distribution dans lespace des k est fortement lie la cartographie spatiale du mode. Leffet du confinement latral du mode sur le facteur de qualit optique Q a t relev.
q
La taille de la cavit est un premier paramtre intrinsque qui dtermine la localisation
spatiale du champ dans le dfaut, donc sa dlocalisation dans lespace des k. Plus le volume du mode impos par la taille de la cavit est grand, plus son Q est important (section IV.2.1.b). A titre dexemple, des Q~1100 et 1400 ont t mesurs pour les pertes optiques intrinsques (T=4K et zone active constitue de BQ) de grandes cavits H4 et H5 [Reese 012].
16
Remarquons le double effet de la suspension : une augmentation du Q observe ici et leffet positif sur la rduction des RNR de surface, donc augmentation de la luminescence, aprs la gravure.

q
104
Pour une cavit donne, les modes ne possdent pas tous la mme distribution dans
lespace des k. Les modes de plus faible nergie ont a priori un avantage naturel, puisque pour une mme extension du mode dans lespace des k, la fraction des composantes k au dessus de la ligne de lumire augmente avec lnergie du mode. Cet effet a t mesur pour diffrents types de cavits (H2, T2 et H1). Ainsi, dans le cas dune cavit H2, une distinction en termes de Q est frappante entre les pics de plus faible nergie (Q~700), et les pics plus hauts en nergie (Q~300), rvls par un spectre de PL comme celui de la figure 3.28(a). Un calcul PWE 3D permet dattribuer ces pics respectivement des modes centrs dans la BIP (LQ modes) ou des modes de faible nergie (HQ modes), trs proches de la bande de valence [figure 3.28(b)].
0.2
0.05mA
f=0.37 Intensit de PL
0.2mW 0.1
Modes HQ
0.42 0.40 0.38 0.36 0.34 0.32 0.30 0.28 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55
+3g +3u +2g
a/
LQ modes
+2u +1g
0.0 1300 1350 1400 1450 1500 1550 1600
HQ modes
+3g
Longueur d'onde3(nm) 3 g g
Air filling factor

(b) Figure 3.28- Spectre de PL dune cavit H2 en mission spontane (a). Modes de H2 en fonction du facteur de remplissage (b). Les pics exprimentaux (points) et les calculs ondes planes 2D avec correction de la dispersion modale (lignes) sont compars. Les courbes issues du calcul 2D ont subi une translation de 10% vers les nergies plus leves, les rendant plus proches des rsultats dun calcul plus raliste en 3D. Les cartographies magntiques du champ sont prsentes pour le mode HQ de plus haute nergie, doublement dgnr. (a)
Ces modes fort Q sont dailleurs le plus souvent ceux qui soutiennent un effet laser (cf. section IV.2.2 et V.3.2.a). Leurs cartographies prsentes sur la figure 3.28 attestent de la persistance dun fort confinement malgr la position spectrale de ces modes en bord de BIP. Le fort Q intrinsque de ce type de modes a t mesur environ 4000, 4K et pour une zone active peu absorbante [Reese 01-1]. De mme, dans une cavit T2, les plages de variation de Q, mesurs pour les diffrents modes, ne sont pas identiques (cf. tableau 3.6). Le tableau 3.6 rappelle galement les diffrences entre la configuration reporte et suspendue, confirmant nouveau lamlioration du facteur de qualit des modes aprs la suspension de la structure. Encore une fois, les modes de plus faible nergie (c et d) montrent lavantage en termes de pertes optiques, plus faibles.
105
Modes de T2 Mode a (2*) Mode b (1*) Mode c (2*) Mode d (1*)
Reporte 75-200 150-275 150-450 250-500
Suspendue 100-250 200-600 300-500 500-1000
Tableau 3.6- Facteurs de qualit mesurs pour les modes de cavits T2, dans la configuration reporte et suspendue. Les modes sont indics a, b, c et d, par ordre dnergies dcroissantes et leur degr de dgnrescence est indiqu.
En exploitant le mode de plus basse nergie, qui montre en mission spontane (et en suspendue) un Q plus lev (~1000) que les autres modes (entre 100 et 600 en fonction des modes), une cavit T2 suspendue a dmontr un effet laser. La configuration suspendue limite toutefois, comme dj observ, laccs leffet laser sur une gamme de puissance rduite, cause de lchauffement.
1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 6
0.6mW
1550.7 I=56
4 2
200
0
150
d 1547.7
I=0.5
-2 -4 -6 -8
100
0.2mW
a
1350
50
50
100
150
200
250
b
1400 1450 1500 1550
(b) (a)
1300
1600
Figure 3.29- Spectres de PL dune cavit T2 MPQ (ep791) suspendue, en mission spontane et stimule, pour un pompage puls temprature ambiante (a). La figure (b) montre la cartographie du mode laser calcule en FDTD 2D.
Enfin, si le mode dipolaire du H1 na pas montr dmission stimule dans les conditions de la partie IV, des modes accepteurs situs prs de la bande de valence, plus faible nergie, ont gnr une amplification laser [Monat 03-2]. Daprs Painter et coll. ces modes sont issus dun puits de potentiel cr par une augmentation linaire de 10% (de la priphrie vers les centre) du rayon des trous cernant le dfaut du H1 [Painter 01 et 00]. Bien quune telle variation nait pas t mesure sur nos cavits H1, la faible courbure de la bande de valence peut suffire expliquer lapparition de modes fort Q, ds quun faible puits de potentiel est intrinsquement ou extrinsquement (diamtre de la zone dexcitation) cr. Une lgre modification suffit en effet piger des photons dj quasiment immobiles . Ces modes accepteurs sont assez dlocaliss spatialement (volume effectif entre 2.2 et 1.5*(/n)3 [Painter 01]) et rsultent dune combinaison de modes de Bloch du bord de la BV (au point K). Par
106
rapport aux deux modes centrs dans la BIP (dipolaire et quadripolaire de volume effectif ~0.3*(/n)3 [Painter 01]), ces modes particuliers, visibles sur le spectre de la figure 3.30, prsentent un Q plus lev (Q~650). Cette supriorit en Q permet ces modes de soutenir un effet laser [Painter 01], mme lorsquils sont trs dcals du maximum dmission de la zone active, comme sur la figure 3.30. Yoshie et coll. ont galement observ ce type de modes dans des H1, mais en bord de bande de conduction. Ils mesurent des Q proches de 2000 avec une zone active peu absorbante [Yoshie 01-2]
a/
3.5
0.4 0.39 0.38 0.37 0.36 0.35 0.34 0.33 0.32
6 4 2
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5
f=0.45 2.2mW
L=1583nm
F mode
0 -2
0.64mW
A modes
-4
Figure 3.30- Effet laser dans une cavit H1 sur des modes accepteurs (A) en pompage puls temprature ambiante. Le mode fondamental dipolaire (F) est galement visible. La PL directement mise par la zone active de type MPQ (ep791) est superpose en pointills.
-6 0.0 1300 1350 1400 1450 1500 1550 1600 1650
(nm)
Un lien assez troit est donc rvl entre le facteur de qualit et le volume du mode. Tandis que les modes dipolaires montrent des faibles Q associs un faible volume, les modes accepteurs possdent un fort Q doubl dun grand volume. En conclusion, limportance du confinement vertical mais aussi latral dun mode conditionnent fortement la valeur de son facteur de qualit. De faon gnrale, rduire les contributions en vecteur donde au dessus de la ligne de lumire permet de rduire les pertes hors du plan. Plusieurs effets tendent vers cet objectif : rduire lindice du matriau autour de la membrane, augmenter lextension spatiale latrale du mode (i.e. limiter son extension dans lespace des k) ou rduire son nergie. c. Interaction mode/ trous : effet du facteur de remplissage
Si linteraction des modes avec les trous est incontestable concernant la position en nergie des modes, leffet du facteur de remplissage f sur leur facteur de qualit est beaucoup moins vident. Ainsi, dans le cas dune cavit H1, le facteur de qualit fluctue autour de 100, sans tendance claire avec f [Monat 03-1]. Dans certains cas, pourtant, une corrlation exprimentale entre Q et f peut tre tablie.
107
En sondant des cavits T2 de facteur de remplissage variable, la longueur donde des modes change mais galement leur facteur de qualit Q. La faible densit de modes (cf. section IV.2.1.d) permet didentifier les diffrents modes sans ambigut. Des mesures de Q sont donc extraites, en fonction de la longueur donde du mode considr ainsi que du facteur de remplissage spcifique de la cavit. Les figures 3.31(a) et (b) montrent le rsultat de ces mesures pour un mode non dgnr observ dans des cavit T2 suspendues.
500 450 400 350 300 250 200 150 100 1400 1450 1500 1550 1600
500 450 400 350 300 250 200 150 100 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
Facteur de remplissage (b) (a) Figure 3.31- Evolution du facteur de qualit Q du mode b (deuxime dans le sens des nergies dcroissantes) de cavit T2 pour deux familles de cavits (a=530 nm, croix et a=510 nm, carrs) en fonction de la longueur donde du mode (a) et du facteur de remplissage (b). Sur la figure (a) le trait vertical en pointills reprsente la longueur donde du maximum dmission de la zone active, identique pour les deux familles de cavits.
Longueur d'onde du mode (nm)
Une dgradation de Q est releve sous leffet de la rduction de la longueur donde [figure 3.31(a)] et pour un facteur de remplissage croissant [figure 3.31(b)]. Or, la rduction de la longueur donde saccompagne dune augmentation des pertes par absorption. La corrlation entre le facteur de qualit et le facteur de remplissage suggre par la figure 3.31(b) ne peut donc tre clairement tablie tant que lvolution conjointe de labsorption peut tre galement accuse de la baisse du Q. La comparaison de lvolution de Q pour deux familles de cavit incluant la mme zone active, centre en 1490 nm, enrichit la rflexion. La premire famille (croix) est associe une priode a~530 nm, et la deuxime (points carrs) une priode a~510 nm. La figure 3.31(a) indique des Q diffrents lorsque le mode occupe, pour les deux familles, la mme position spectrale , reprsentative dun taux dabsorption donn. A linverse, les mmes Q sont mesurs lorsque les modes rsultent, pour les deux familles, de deux cavits prsentant le mme facteur de remplissage [figure 3.31(b)]. Le Q du mode est donc ici davantage corrl f qu labsorption. Laugmentation du diamtre des trous saccompagne en effet intuitivement dune augmentation des pertes optiques. Elle peut tre cause par une lvation de lnergie des bandes (modes et CP 2D), impliquant une
108
contribution plus importante des composantes pertes (au dessus de la ligne de lumire) dans la distribution en k des modes. Cependant, lampleur de ce phnomne dpend fortement du mode lui mme et de son interaction avec les trous. Un mode haut en nergie, comme le mode impliqu dans la figure 3.31, possde a priori un recouvrement du champ EM important dans les trous, lorigine dun taux de pertes sensible aux variations de f. Au final, lexemple reste cependant assez isol ; en particulier, la corrlation prcdente napparat pas pour des modes de T2 dnergie plus faible. Linfluence de f sur les pertes est en effet souvent masque par dautres facteurs de pertes fluctuant pour les diffrentes cavits sondes, comme labsorption ou la qualit des CP 2D fabriqus [Monat 03-1].
d.
Le couple fort Q/ faible volume
Laugmentation de Q couramment observe au dtriment du volume modal nest pas une fatalit. Puisquun mode dont la distribution spectrale est moins tendue au dessus de la ligne de lumire montre un Q plus lev, certains groupes ont conu des microcavits dans ce sens. La gomtrie du dfaut est optimise afin que le mode associ soit localis spatialement, ce, pour une contribution minimum des modes de Bloch pertes dans sa dcomposition spectrale [Vuckovic 02-1]. Le problme peut tre rsolu de faon inverse, en calculant la fonction dilectrique spatiale permettant dobtenir un tel mode [Geremia 02]. Une cavit H1 modifie dans ce but peut produire un mode trs fort Q (estim par le calcul ~10 000) et possdant un volume trs faible de ~0.1*(/n)3 [Vuckovic 01]. La conception fait appel une gomtrie relativement sophistique : la taille de certain trous, dont le trou central, est rduite tandis quune ligne de trous ellipsodaux de part et dautre du dfaut (dislocation de bord fractionne) brise la symtrie du CP 2D... La ralisation exprimentale correspondante a mis en vidence une augmentation effective du facteur de qualit du mode dipolaire jusqu 2800 pour un volume de mode estim ~0.43*(/n)3 [Yoshie 01-1]. Le facteur de qualit lev reste cependant limit par rapport au calcul thorique, par la prcision de fabrication. La haute sensibilit du Q des modes de H1 des petites distorsions de la gomtrie locale du CP 2D reste en effet double tranchant : elle offre un outil puissant doptimisation mais peut limiter technologiquement laccs au meilleur Q mis en vidence par le calcul. Une ingnierie de modes peut donc tre mise profit pour augmenter le facteur de qualit dun mode sans sacrifier son volume. Les solutions pour atteindre (petit volume/ fort Q) sont apportes cependant au dtriment dune simplicit de fabrication.
109
Conclusion En rsum les trois paramtres modifiables, et profitables au seuil laser des composants CP 2D qui ont t tudis sont le facteur de qualit optique du mode, son couplage lmission spontane , et lefficacit radiative r de la structure. Lefficacit radiative et de faon plus gnrale le gain optique, peuvent tre augments par le choix dune zone active de type MPQ de bonne qualit. Un traitement chimique de surface, post usinage, des CP 2D peut tre galement effectu pour diminuer la contribution des RNR dans les recombinaisons globales de porteurs. Le couplage de lmission spontane au mode laser peut tre amlior en ajustant la position spectrale du mode dintrt, par rapport celle du pic dmission de la zone active, par le biais du facteur de remplissage. Enfin, le facteur de qualit pour un mode donn peut tre rendu plus lev par une configuration verticale un peu diffrente (suspension, remplissage des trous) ou une localisation moins tendue du champ EM dans lespace des k (dlocalisation spatiale du mode, nergie du mode assez faible ou gomtrie du dfaut optimise). Certaines ides comme le remplissage des trous par du SiO2 pourraient procurer simultanment une adaptation du confinement vertical (rduction des pertes optiques) et ventuellement un effet de passivation des centres non radiatifs de surface. Le tableau 3.7 rsume les structures laser obtenues pour les diffrentes configurations (suspendue et reporte) et en fonction de lventuel traitement chimique subi (passivation). Les cases non remplies correspondent des traitements non effectus car la structure prsentait dj un effet laser faible seuil en report (DFB ou Hn de grande taille).
Structure Reporte H1 Effet laser pour un mode dlocalis (0.5 mW) T2 Pas deffet laser H2 Effet laser (0.25 mW) Effet laser sur un mode plus localis dans la BIP (0.3 mW) Effet laser mais chauffement (0.3 mW) H3-H5 Effet laser (0.25 mW) DFB Effet Laser (1.1 mW)
Passive chimiquement Suspendue Effet laser mais chauffement (0.25 mW)
Tableau 3.7- Rcapitulatif des structures laser obtenues avec des MPQ InAsP/ InP (ep791) en fonction des configurations (suspendue et reporte) ou du traitement subi (passivation chimique). Les puissances effectives associes aux meilleurs seuils laser mesurs temprature ambiante et pour des pompages pulss (Rc=15%, 20 ns) sont galement indiques.
110
En dfinitive, par rapport aux missions laser prsentes dans la partie IV pour des structures reportes sur SiO2/ Si, MPQ InAsP/ InP, plusieurs actions ont permis de faciliter lobtention dun effet laser. Dune part, une suspension de la structure permet daugmenter le facteur de qualit des modes. Dautre part, un traitement chimique de surface permet de rduire les RNR. Ces deux effets (parfois concomitants, dans le cas de la sous gravure base de HF pour suspendre la structure) ont permis dtendre lobtention de leffet laser des structures CP 2D qui navaient pas montr de caractristiques dmission stimule (T2, H2 sur des modes de plus haute nergie) dans les conditions de la partie IV. Toutefois, la suspension de la structure nest pas la meilleure solution car elle reste responsable dun chauffement important du microlaser. Certes, leffet laser peut tre alors atteint plus facilement, mais sa dmonstration reste limite dans une gamme de faibles puissances dexcitation. La cavit T2 uniquement passive na pas t teste en raison de la suspension parasite qui na pu tre vite lors du traitement, faute doptimisation pralable du temps de gravure. Au final, toutes les gomtries testes ont montr un effet laser temprature ambiante.
V.4
Discussion sur limportance des diverses contributions de pertes dans le seuil laser
Il nest cependant pas ais de distinguer, a priori, quel(s) processus de pertes apporte(nt) la contribution essentielle dans le seuil dun microlaser CP 2D pomp optiquement. Le groupe du KAIST sest pench sur ce problme dans le cas de microlasers monodfaut CP 2D carr et MPQ InGaAsP [Ryu 03]. Ils argumentent leur rflexion en sappuyant sur la rsolution des quations de balance dun laser ltat stationnaire (cf. section III.3 du chapitre 2). Ils stonnent en effet du fort seuil de leurs composants alors que le volume de mode est trs faible et lefficacit de couplage au mode est importante. Dans leur analyse, Ryu et coll. incriminent principalement deux types de pertes : labsorption importante dans la rgion CP 2D qui constitue les miroirs. Elle oblige adopter une surface de pompe 30 fois plus tendue (~3.5 m de diamtre) que laire de la cavit monodfaut (autour de 0.7 m de diamtre) pour atteindre la transparence. Ceci entrane une augmentation de la puissance de pompe pour atteindre leffet laser. les pertes de porteurs dues aux RNR de surface. Ils calculent que pour la densit de porteurs requise au seuil, les pertes non radiatives (essentiellement dues aux RNR de surface) reprsentent 70-80% du taux de recombinaisons des porteurs. En dautres termes,
111
lefficacit radiative est rduite en dessous de 20%. Si les RNR (surface et Auger) taient supprimes, le seuil serait rduit dun facteur 5. Ces contributions expliquent leurs rsultats exprimentaux, associs deux type de lasers CP 2D, impliquant deux modes (dipolaire et quadripolaire) de facteur de qualit diffrents (>2000 ou 400). En effet, un facteur ~10 multiplicatif du facteur de qualit du mode mis en jeu dans le laser ne produit pas une rduction significative du seuil laser mesur, peine abaiss de 20% (0.2 mW de puissance absorbe contre 0.25 mW). Pour des facteurs de qualit suprieurs 5000, les calculs montrent labsence deffet sur le seuil laser, les pertes tant alors principalement domines par les RNR aux interfaces. Dans les composants laser CP 2D, il semble donc que les pertes majoritaires soient essentiellement les RNR de surface et les pertes par absorption hors de la cavit. Cette explication rejoindrait dailleurs la forte baisse du seuil observe dans la section V.3.1.b, aprs voir passiv la surface. Des caractrisations de microlasers CP 2D effectues des tempratures variables, par le groupe de Lee, ont galement fait apparatre un doublement du seuil laser, lorsque la temprature de substrat est augmente de 20C 50C [Lee 02-1]. Cela confirme galement lide dune forte contribution des RNR dans le seuil. Ces remarques renforcent la pertinence dutilisation des BQ comme matriau actif. En effet, nous avons vu dans le chapitre 1 que les BQ devraient permettre, idalement, de localiser les porteurs et donc restreindre leur diffusion vers les centres de RNR. De plus, elles pourraient rduire les pertes par absorption produites dans la rgion miroir, et donc diminuer le courant de transparence. Yoshie et coll. ont ainsi montr un effet laser partir de deux et quatre cavits H1 couples prsentant un volume rduit doubl dun fort Q (de 700 1300) avec, pour la premire fois, des BQ InAs/GaAs comme matriau actif. Comme attendu, le seuil obtenu est faible (0.120 mW pour Rc=2.8%, 20 ns) [Yoshie 02].
V.5
Performances atteintes dans les microlasers cristaux photoniques 2D et puits quantiques
Depuis 1999, de nombreuses dmonstrations exprimentales de microlasers exploitant des modes de dfauts gnrs dans la BIP ont t publies [Hwang 00-1 et 00-2 ; Monat 01 ; Painter 99-1 et 99-3 ; Park 01]. Cependant, la rduction simultane de la taille du composant et de son seuil laser pour atteindre les objectifs imposs par la microphotonique intgre implique un compromis. Comme le facteur de qualit des microcavits CP 2D
112
augmente usuellement avec leur taille, de nombreux groupes ont montr une opration laser temprature ambiante, avec des cavits aussi larges que 3 m [Lee 02-2], 4 m [Hwang 00-1] ou 10 m [Hwang 00-2]. Les forts Q mis en jeu dans ces grandes cavits ont permis de dmontrer leffet laser des tempratures suprieures 20C [Lee 02-1] et parfois en pompage continu [Hwang 00-2]. Lchauffement est en effet vraisemblablement plus limit dans ces grandes structures. Cependant, les seuils exhibs en puissance incidente (au pic) schelonnent souvent entre 3 mW et 10 mW. De plus, la haute densit de modes disperse la capacit dmission de la zone active dans des conduits photoniques multiples. Paralllement, leffet laser sur des petites cavits H1 a t dmontr assez tt basse temprature [Painter 99-1] ou avec un pompage puls svre pour limiter le fort chauffement (Rc=0.4% et 10 ns) [Painter 99-3]. Rcemment, plusieurs groupes se sont focaliss sur des designs de cavit plus complexes (cf section V.3.3.d) pour produire des modes de faible volume et fort Q [Park 01 ; Loncar 02]. Ces efforts nont pas t vains puisque les seuil exhibs sont faibles (entre 0.214 mW [Loncar 02] et 0.3 mW [Park 01] de puissance incidente au pic) mais ces rsultats sont encore obtenus avec des contraintes de pompage svres (Rc=1%, 10 ns). De plus, comme une petite dviation de la gomtrie optimum est extrmement critique, ces designs ncessitent un ajustement technologique et une matrise de leur fabrication assez drastique. Des cavits monodfaut faible volume (0.1*(/n)3) dans un rseau CP 2D carr ont galement montr rcemment de bonnes performances laser [Ryu 022], avec de faibles seuils (0.8 mW de puissance incidente au pic pour Rc=0.5%, 10 ns). Le mode quadripolaire non dgnr exploit prsente un Q exprimental suprieur 2000.
Les rsultats que nous avons obtenus et prsents dans ce chapitre ne font pas appel une ingnierie de mode sophistique. Des gomtries simples du rseau triangulaire (hexagones et triangles) ont t exploites en faisant apparatre leurs potentialits pour des applications laser temprature ambiante. Avec des grandes cavits (H5, de 5 m de large) mais aussi des structures plus petites (H2 et T2, moins de 1.7 m de large), nous avons dmontr un effet laser avec un seuil aussi faible que 0.75 mW de puissance incidente au pic, proche des plus faibles valeurs obtenues par les autres groupes. Il reste que les conditions dexcitation souvent diffrentes adoptes par les divers laboratoires rendent la comparaison directe assez difficile. En particulier, les seuils que nous avons mesurs ont t obtenus avec des conditions de pompage sappuyant sur un rapport cyclique Rc (Rc=15%, 20 ns) plus lev que la plupart des autres groupes.
113
VI.
CONCLUSION
Ce chapitre a permis de valider la ralisation de composants laser cristaux photoniques 2D, avec dans un premier temps des multi-puits quantiques, en exploitant des microcavits (BIP) ou un phnomne de contre raction distribue (bandes plates). Lchauffement de ces composants trs compacts joue cependant un rle considrable, et peut tre extrmement pnalisant vis vis de lobtention dun effet laser. Le report sur SiO2 des membranes de semiconducteur III-V a permis justement de bnficier dune meilleure dissipation thermique. Les seuils laser obtenus temprature ambiante restent assez faibles (0.25 mW de puissance absorbe), et montrent une robustesse prouve lchauffement. Une tude qualitative des diffrentes sources de pertes a t mene, et certaines voies pour rduire le seuil laser ont t mises en vidence. Elles portent sur lefficacit radiative et le gain du matriau actif utilis, le couplage de lmission spontane au mode laser, ou encore le facteur de qualit optique du mode impliqu dans le laser. En particulier, les pertes non radiatives sur les flancs des trous ou linterface semiconducteur/ barrire apparaissent comme un facteur dterminant dans la valeur mesure du seuil laser. A cet gard, un traitement de passivation de surface sest avr bnfique, entranant une rduction du seuil laser. Vis vis du composant microlaser faible seuil, ces points (chauffement, recombinaisons non radiatives) ne sont donc pas ngliger, bien quils restent souvent en marge dune course au facteur de qualit mene par de nombreux groupes. Si cette amlioration du facteur de qualit est loin dtre un objectif drisoire, elle ne montrera pleinement son effet dans les composants laser, que lorsque les autres facteurs rgissant le seuil auront t bien matriss. Lintrt substituer des botes quantiques aux puits quantiques dans les microsources cristaux photoniques 2D apparat renforc par limportance que pourraient revtir les recombinaisons non radiatives dans ces structures. Nanmoins, les lots quantiques fabriqus cette fin ne seront rellement efficaces que sils se comportent comme de vritables botes porteurs. Les caractristiques requises dans ce sens seront rappeles dans le chapitre 4, et le travail doptimisation de la croissance des botes quantiques sera dvelopp autour de cet objectif.
- Chapitre 4 ILOTS QUANTIQUES DInAs/InP PAR CROISSANCE EPITAXIALE AUTO-ORGANISEE - FABRICATION ET PROPRIETES
I. INTRODUCTION ........................................................................................................................................ 114 II. OBJECTIFS ................................................................................................................................................ 115 III. PROCD DE FABRICATION : LA CROISSANCE AUTO-ORGANISE .......................................................... 116 III.1 Objectifs .......................................................................................................................................... 116 III.2 Principe de la croissance auto-organise ....................................................................................... 116 III.3 Intrt des semiconducteurs III-V et du systme InAs/InP .............................................................. 118 III.3.1. Les semiconducteurs III-V ...................................................................................................... 118 III.3.2. Spcificits du systme InAs/InP ............................................................................................ 119 IV. TECHNIQUES EXPRIMENTALES............................................................................................................ 121 IV.1 Fabrication & suivi : Epitaxie par jets molculaires et diffraction RHEED................................... 121 IV.2 Caractrisation................................................................................................................................ 121 IV.2.1. Caractrisation morphologique................................................................................................ 121 a. La microscopie lectronique en transmission (TEM).................................................................. 121 b. La microscopie force atomique (AFM) .................................................................................... 121 IV.2.2. Caractrisation optique ............................................................................................................ 122 a. La photoluminescence (PL)......................................................................................................... 122 b. Autres caractrisations optiques : PLE & PL rsolue en temps................................................... 123 V. PREMIRE OPTIMISATION : LES PARAMTRES DE CROISSANCE ................................................................. 124 V.1 Structures tudies .......................................................................................................................... 124 V.2 Rsultat typique : la fluctuation de monocouche............................................................................. 125 V.3 Influence des paramtres de croissance.......................................................................................... 126 V.3.1. Temprature de croissance ...................................................................................................... 127 V.3.2. Pression dArsenic................................................................................................................... 129 V.3.3. Epaisseur dInAs dpose........................................................................................................ 129 V.3.4. Couple critique : (Tc, rapport V/III) ........................................................................................ 131 V.3.5. Echanges As/P ......................................................................................................................... 132 V.3.6. Conclusion sur les conditions de croissance............................................................................ 134 V.4 Une combinaison pertinente : les btonnets quantiques ................................................................. 134 V.4.1. Caractrisation optique : une signature de confinement quantique ......................................... 135 V.4.2. Morphologie ............................................................................................................................ 138 V.4.3. Etude la PL en temprature ..................................................................................................... 140 V.4.4. Calcul des niveaux dnergie dans les lots quantiques ........................................................... 141 V.5 Conclusion....................................................................................................................................... 142 VI. OPTIMISATION A DES FINS COMPOSANT .......................................................................................... 144 VI.1 Vers un contrle de la forme des lots InAs/InP .............................................................................. 144 VI.1.1. Importance des effets cintiques dans le systme InAs/InP .................................................... 144 VI.1.2. Utilisation de substrats dsorients.......................................................................................... 145 VI.2 Mise profit dune encapsulation des lots en double cap ........................................................ 147 VI.2.1. Principe du double cap ...................................................................................................... 147 VI.2.2. Erosion des lots & contrle de la longueur donde dmission .............................................. 148 VI.2.3. Caractrisations optiques......................................................................................................... 151 VI.3 Empilements .................................................................................................................................... 152 VI.3.1. Vers lauto-organisation verticale............................................................................................ 152 VI.3.2. Epaisseur despaceur dInP ..................................................................................................... 153 VI.3.3. Structures empiles en double cap ..................................................................................... 155 VII. CONCLUSION ........................................................................................................................................ 159
- Chapitre 4 - Croissance auto-organise dlots quantiques InAs/InP
114
- Chapitre 4 Ilots quantiques dInAs/InP par croissance pitaxiale auto-organise - fabrication et proprits
I. INTRODUCTION
Lutilisation de puits quantiques InAsP/InP a permis deffectuer un saut quantitatif dans les performances des lasers cristaux photoniques (cf. chapitre 3), par rapport aux puits quantiques GaInAs/InP. Une augmentation de lefficacit quantique, par le biais dune limitation des recombinaisons non radiatives (RNR) est une des raisons qui expliquent cette amlioration. Si les RNR reprsentent vritablement le facteur limitant du seuil laser des composants cristaux photoniques, lutilisation de botes quantiques (BQ) apparat pertinente. En plus dautres avantages escompts (stabilit thermique, faible chirp), voqus dans le chapitre 1, la localisation spatiale laquelle les porteurs sont soumis dans les botes quantiques pourrait en effet procurer une immunit partielle aux RNR. Dans la pratique, cependant, les potentialits thoriques intrinsques des BQ (en particulier des BQ auto-organises) sont limites par une densit faible et surtout une dispersion en taille leve. Ces deux caractristiques, pour des BQ standard , conduisent gnralement un gain modal plus faible que celui dun puits quantique, susceptible de rendre plus difficile laccs une mission laser. Les lots quantiques (IQ) InAs/InP(001) raliss au LEOM par croissance auto-organise pourraient apporter une solution au problme de la densit, en offrant de forts taux de recouvrement planaire. Par contre, le faible dsaccord de maille de ce systme constitue un obstacle la rduction de la dispersion en taille, plus ardu surmonter. Ce chapitre a pour objet de montrer comment une optimisation des conditions de croissance a permis de fabriquer des IQ InAs/InP(001) mettant autour de 1.5 m, avec des proprits qui devraient permettre denvisager leur insertion dans un laser CP 2D. La mise en vidence des caractristiques de ces IQ a t le fruit de collaborations diverses avec des laboratoires nationaux : Le LPM-INSA de Lyon (B. Salem, T. Benyattou et G. Bremond) pour ltude spectroscopique, Le LPMC-INSA de Toulouse (X. Marie) pour la dynamique des porteurs, Le LENS-INSA de Rennes (P. Miska, J. Even) pour le calcul de la structure lectronique, Le LENAC DPM-Lyon I (O. Marty) pour les proprits structurales.
115
II.
OBJECTIFS
Les nombreux avantages intrinsques des BQ, discuts dans le 1er chapitre, voient leur existence conditionne par le respect de divers critres. Ltude mene dans ce chapitre sur la fabrication de BQ par croissance auto-organise aura donc pour objectif la production dobjets vrifiant ces conditions.
Il sagit de raliser des nanostructures avec une signature de confinement quantique 3D.
Dmarche :
q
Fabriquer des nanostructures, limites verticalement par des interfaces abruptes, qui offrent un confinement important et dans les trois directions de lespace.
Mettre en vidence lexistence de niveaux excits pour attester du caractre de basse dimensionalit des objets fabriqus.
Montrer une bonne tenue en temprature des proprits optiques et un confinement individuel des porteurs dans les nanostructures. Les fonctions donde des porteurs ne doivent pas tre dlocalises dans lensemble des nanostructures mais rester confines individuellement dans chaque BQ.
La valeur absolue du gain doit tre renforce par le biais dun nombre dmetteurs lev
avec une forte efficacit radiative. Dmarche :
q q q q
Atteindre une densit leve de BQ dans le plan. Raliser des empilements pour augmenter le nombre total de BQ. Fabriquer des BQ cohrentes et dpourvues de dfauts. Soigner la qualit des interfaces pour limiter la prsence de RNR.
La valeur relative (spectrale) du gain est galement maximiser des fins dutilisation
dans un laser. Les metteurs devront en effet tre conforms au mode optique laser du composant. Cela signifie que le nombre de BQ utiles , i.e. qui participeront lmission de lumire, doit tre lev par rapport au nombre dmetteurs inutiles (cf. chapitre 2). Dmarche :
q
Rduire la dispersion en taille pour aboutir un spectre de gain plus troit en nergie.
116
III.
PROCEDE DE FABRICATION : LA CROISSANCE AUTOORGANISEE
III.1
Objectifs
Concrtement, le challenge exprimental consiste raliser, de faon reproductible, des nanostructures possdant essentiellement les caractristiques suivantes : - une petite taille, de lordre de 10 nm (soit quelques 10 000 atomes). - une uniformit satisfaisante des dimensions (d/d = 5%) pour lensemble des objets. - un facteur de remplissage volumique lev pour un taux de capture des porteurs important. - une qualit structurale satisfaisante : matriau cohrent et sans dfaut. Pour fabriquer de tels objets, des techniques varies ont t envisages, fondes sur lutilisation de lithographie et de gravure ou de limplantation par faisceau dions, suivies dune reprise de croissance sur les chantillons structurs. Cependant, outre le problme de rsolution limite pour les technologies conventionnelles, les dommages ou impurets introduits au niveau des surfaces et interfaces par ce type de mthode conduisent des recombinaisons non radiatives importantes. La croissance auto-organise induite par une contrainte offre une alternative qui permet de fabriquer des lots quantiques cohrents et sans dfauts structuraux.
III.2
Principe de la croissance auto-organise
La fabrication de nanostructures auto organises utilise un effet longtemps considr indsirable par les pitaxieurs. Il sagit du mode de croissance tridimensionnel (3D) dun matriau contraint, dit de Stranski-Krastanov , induit par un dsaccord de maille avec le substrat. Des lots 3D sont ainsi forms spontanment. Les premiers atomes dposs sarrangent pour constituer une couche contrainte 2D, dite de mouillage [figure 4.1(a)]. Au del dune certaine paisseur critique (de lordre de quelques monocouches atomiques), les atomes tendent constituer des lots 3D la surface de cette premire couche planaire [figure 4.1(b)]. La formation de ces lots est dirige par une relaxation lastique partielle de la contrainte latralement et au sommet des lots. Elle seffectue, contrairement la relaxation plastique,
117
sans dveloppement de dislocations, souvent nfastes pour les performances des composants raliss. La relaxation partielle de la contrainte, qui abaisse lnergie de volume de la couche, a lieu cependant au dtriment dune augmentation de sa surface libre, due la formation des lots 3D. La transition 2D/3D du mode de croissance est donc le fruit dune balance entre lnergie de surface et lnergie de volume de la couche. Elle intervient lorsque le gain en nergie de volume devient suprieur au cot en nergie de surface de la couche.
Compression latrale du rseau
Relaxation lastique de la contrainte
(b) Figure 4.1- Schma reprsentatif de la croissance dune couche contrainte sur un substrat dsaccord en maille avant (a) et aprs la transition 2D/3D (b). Source [Eberl 97]
(a)
La formation dlots quantiques ainsi initie par une tape de nuclation est succde dune priode de croissance durant laquelle la matire est collecte par les lots principalement par diffusion de surface des adatomes. Chaque lot induit cependant une force rpulsive sa priphrie qui empche la formation dun autre lot proximit [Ponchet 95] et freine plus ou moins lincorporation de nouveaux adatomes. Cette force rpulsive est issue des champs de dformation prsents en bord dlot et dans le substrat plac sous et entre les lots. Ils sont dautant plus forts que le volume de llot est grand. Ces champs de dformation poussent donc les adatomes nourrir prfrentiellement les petits lots comparativement aux grands. Une homognisation relative de leur taille est ainsi naturellement observe : cest le phnomne dauto-organisation. Il existerait donc un arrangement dlots de mme forme et de mme taille, optimal en termes de stabilit et de rduction de lnergie totale du systme considr.
118
III.3
Intrt des semiconducteurs III-V et du systme InAs/InP
III.3.1. Les semiconducteurs III-V Le gap indirect du silicium rend trs difficile la fabrication de sources de lumire intgres partir de ce matriau. De plus, lefficacit radiative dhtrostructures base de silicium cristallin est fortement limite par labsence de barrires lectroniques garantissant le maintien du confinement spatial des porteurs temprature ambiante. Les meilleurs rendements de luminescence dmontres ce jour sont de lordre de 1% pour du Si poreux. Au contraire, les semiconducteur III-V apparaissent plus adapts lmission de lumire, grce leur gap direct et leur fort rendement radiatif. De plus, la fabrication dhtrojonctions prsentant des tats confins en bande de conduction et en bande de valence est possible. Enfin, la maturit des technologies III-V pour les tlcoms et le savoir faire dvelopp en pitaxie de ces matriaux rendent leur utilisation largement rpandue dans les composants optolectroniques. Les semiconducteurs III-V cristallisent dans la structure cubique Zinc-Blende. La figure 4.2 donne lnergie de bande interdite en fonction du paramtre de maille pour les matriaux composs III-V binaires (points) et ternaires (lignes). Chaque filire, identifie sur le diagramme, regroupe les matriaux qui peuvent tre pitaxis en accord de maille sur un substrat donn. Le compos binaire InAs a un paramtre de maille suprieur ceux d'InP et de GaAs, et sa faible nergie de bande interdite permet un confinement important des porteurs. Les systmes InAs/InP et InAs/GaAs sont donc des candidats intressants pour la ralisation de structures lots quantiques.
GaAs InP InAs
Paramtre de maille () 5.6533 5.8688 6.0584
Gap 300K (eV) 1.43 1.3 0.35
Figure 4.2- "Carte du ciel" des diffrents semiconducteurs III-V. En abscisse le paramtre de maille et en ordonne la largeur de bande interdite. Le tableau prcise ces valeurs 300K pour GaAs, InP et InAs
119
III.3.2. Spcificits du systme InAs/InP Jusqu prsent, lessentiel des travaux a port sur le systme InAs/GaAs, prsentant un dsaccord de maille lev de 7%. Ce systme fortement contraint conduit un dveloppement prcoce dlots 3D, mais reste limit aux longueurs donde infrieures ou gales 1.3 m. Le systme InAs/InP bnficie dun dsaccord de maille plus faible (a/a = 3.2%), qui permet de raliser des lots cohrents plus gros ouvrant laccs une gamme de longueurs donde plus leve, en particulier 1.3-1.5 m. De plus, les recombinaisons non radiatives sont usuellement moins importantes dans la filire InP que GaAs. Enfin, la masse effective des porteurs, infrieure dans le systme moins contraint InAs/InP par rapport InAs/GaAs, devrait conduire lobtention de nanostructures quantiques prsentant des niveaux dnergie plus carts [Fafard 96]. La stabilit thermique des composants devrait sen trouver amliore. Les avantages cits pour le systme InAs/InP sont partiellement compenss par un mcanisme de formation plus complexe induit par le faible dsaccord de maille. La formation des botes quantiques reste dirige par la rduction de la valeur de lnergie totale du systme (couche contrainte + substrat) : nergies de contrainte, de surface et interface. La contrainte induite par le dsaccord de maille joue un rle majeur [Koo 01 ; Wang 02]. Cependant, sa faible valeur dans le systme InAs/InP offre la possibilit dautres phnomnes de sexprimer davantage dans ltat final des lots forms. La rduction des nergies de surface et interface pse de manire non ngligeable dans la balance nergtique, tandis que la relaxation chimique (effets dalliage) peut compliquer fortement le mcanisme de formation des BQ. Ainsi, par exemple, la nature et morphologie du buffer ont une influence importante. Le buffer est la couche initiale (support) sur laquelle est pitaxie la couche contrainte. Plusieurs matriaux en accord de maille sur InP, donc prsentant le mme dsaccord de maille avec InAs, ont t utiliss comme buffer de la croissance des lots dInAs : AlInAs, GaInAs [Ustinov 98-2 ; Brault 98], AlGaInAs [Li 02] InGaAsP [Jeong 01] et InP [Brault 99]. La morphologie de surface du buffer, anisotrope et lisse (InP, GaInAs) ou rugueuse et dmixe (AlInAs) affecte directement la formation et la morphologie finale des nanostructures. Des phnomnes comme la sgrgation dIndium la surface du buffer (AlInAs) peuvent gnrer des centres de nuclation agissant comme de vritables prcurseurs de la croissance des lots [Brault 98]. La reconstruction de surface de la couche dInAs peut aussi agir sur la forme des lots [Brault 02]. Un mode de relaxation chimique, via des effets dalliage, entre par ailleurs en comptition avec la transition 2D/3D classique pour relaxer la contrainte [Brault 98]. Les effets dalliage sont guids par la propension la dmixion des ternaires mis en jeu (InAsP,
120
GaInAs ou AlInAs) : la cration dun alliage interfacial entre le buffer et la couche contrainte permet de rduire lnergie totale du systme1. Ce type de ractions chimiques peut dtriorer la qualit des interfaces par la formation non intentionnelle dun alliage. Enfin, les effets cintiques, plus ou moins lisss dans un systme fortement contraint qui impose la forme finale des IQ, peuvent influencer davantage la morphologie des IQ forms partir dun systme faiblement contraint. Tous ces phnomnes spcifiques au systme InAs/InP y rendent la fabrication et lautoorganisation de botes quantiques assez dlicate. Nous avons men une tude sur la croissance dlots quantiques InAs/InP(100) en Epitaxie par Jets Molculaires Sources Solides, en utilisant un buffer dInP. Nous prsentons dans ce chapitre comment, malgr les difficults soulignes, des conditions de croissance adquates peuvent conduire la fabrication dlots denses et relativement uniformes.
Surtout lorsque lenthalpie de mlange de lalliage est faible, la relaxation chimique nest pas ngligeable. Si la contrainte est faible, elle peut alors mme devenir le mcanisme dominant pour relaxer la contrainte.
121
IV.
IV.1
TECHNIQUES EXPERIMENTALES
Fabrication & suivi : Epitaxie par jets molculaires et diffraction RHEED
Les lots InAs/InP(001) sont fabriqus par pitaxie par jets molculaires sources solides (EJMSS). Le suivi de la croissance se fait par caractrisation in situ par diffraction dlectrons de haute nergie en incidence rasante (RHEED). Les dtails de la technique de croissance adapte aux matriaux III-V ainsi que la technique danalyse sont donns en Annexe 2 (I et II) Le RHEED constitue un outil danalyse de surface trs prcieux en cours de croissance car il permet de dtecter la transition 2D/3D du mode de croissance dune couche contrainte dInAs pitaxie sur un substrat dInP. Il nous indique en temps rel la formation effective dlots.
IV.2
Caractrisation
IV.2.1. Caractrisation morphologique a. La microscopie lectronique en transmission (TEM)
Des images TEM ont t effectues au LENAC (O. Marty) en vue plane ou en coupe transverse. Elles donnent accs aux caractristiques morphologiques et structurales des nanostructures fabriques. Ces images, dont les rsolutions peuvent atteindre lchelle atomique sont obtenues partir dlectrons trs nergtiques traversant lchantillon pralablement aminci. Elles fournissent des indications trs prcises sur la forme et taille des lots, mais aussi une ide de la composition chimique par une analyse des contrastes visibles. Cette technique, dont la prparation des chantillons reste toutefois assez dlicate, ne requiert en contrepartie aucune procdure de croissance spcifique, contrairement lAFM. Elle permet en particulier dimager des nanostructures encapsules, dont la caractrisation optique est galement accessible, rendant possible la corrlation directe morphologique/ optique. b. La microscopie force atomique (AFM)
La microscopie force atomique est beaucoup moins lourde dutilisation que la microscopie lectronique en transmission (cf. Annexe 2.III). Elle permet de visualiser la topographie des nanostructures pitaxies. Toutefois, la ncessit dobserver, par cette technique dimagerie de surface, des lots non encapsuls conduit refroidir les lots pitaxis sans protection pralable par une couche suprieure dInP. Une procdure de refroidissement spcifique a t
122
mise au point au LEOM pour geler la morphologie des lots non caps (cf. Annexe 2.II). Les caractristiques gomtriques dlots encapsuls peuvent donc tre observes indirectement par lAFM en utilisant cette prcaution. La hauteur mise en vidence par AFM sera interprte avec une certaine prudence, compte tenu de la rsolution et les limites de cette technique (cf. Annexe 2.II). IV.2.2. Caractrisation optique a. La photoluminescence (PL)
Un spectre de photoluminescence montre les caractristiques dmission lumineuse dune population dlots quantiques encapsuls i.e. enferms dans une matrice de gap suprieur. Lappareillage utilis au LEOM est le mme que pour la caractrisation des cristaux photonique. La diode laser AlGaAs excitatrice met vers ~780 nm et gnre des paires lectron-trou dans les barrires dInP. Ces porteurs, capturs par les nanostructures, se recombinent radiativement en produisant un signal lumineux collect puis analys spectralement par un monochromateur et un dtecteur InGaAs tendu. Lutilisation dun objectif douverture numrique 0.5 (*20) cre une excitation lumineuse sur une zone large de 3 m, contenant typiquement quelques centaines dlots. De nombreuses mesures de PL ont galement t effectues au LPM-INSA de Lyon dans le cadre de la thse de B. Salem. Le LPM est muni dun banc de caractrisation disposant de deux sources dexcitation : un laser Argon (ions Ar+, =514.5 nm) produit une excitation dans les barrires et un laser YAG (=1064 nm) permet dexciter directement les lots quantiques [Salem 02]. Le diamtre du spot dexcitation est de lordre de 100 (YAG) 200 m (Ar). La position spectrale du pic de photoluminescence reflte directement la taille des lots et est essentiellement gouverne par la dimension la plus faible2. Ainsi la taille moyenne, grande ou petite de ces lots, peut tre dduite de la longueur donde moyenne du spectre, respectivement leve ou faible. La largeur mi-hauteur du spectre traduit par ailleurs la dispersion en taille de la population dlots sonde. Les mesures de PL peuvent tre effectues dans la gamme de temprature 8K-300K. Les spectres obtenus basse temprature sont reprsentatifs de la statistique de distribution en taille des nanostructures : une corrlation peut tre tablie avec la distribution inhomogne des nergies associes ces objets [Frchengues 97 ; Carlsson 98]. En effet, la statistique de capture des porteurs par les diffrents lots est peu prs quiprobable et lutilisation dune
2
La dimension la plus faible pour les lots InAs/InP est la hauteur.
123
temprature basse limite la redistribution des porteurs entre les diffrentes nanostructures, par vaporation/ diffusion. Lintensit intgre du spectre de PL reflte donc, dans ces conditions, la densit de nanostructures. Un abaissement de la temprature entrane galement, par rapport aux mesures temprature ambiante, un dcalage gnral de lmission vers les faibles longueurs donde. Cet effet est li la variation du gap du matriau avec la temprature3. La puissance dexcitation constitue un deuxime paramtre variable de lanalyse qui peut fournir des indications pertinentes dans le cas de structures de basse dimensionalit. En particulier, la saturation de certains pics de photoluminescence peut tre observe au profit dautres pics en rgime de forte excitation cause du remplissage des bandes dans les structures quantiques [Mu 01]. b. Autres caractrisations optiques : PLE & PL rsolue en temps
Des mesures dexcitation de photoluminescence (PLE) ou de photoluminescence rsolues en temps ont galement t mises en uvre sur les nanostructures fabriques, au LPM lINSA de Lyon (B. Salem) et au LPMC lINSA de Toulouse, sous la direction de Xavier Marie [Salem 02]. A linverse de la PL simple, la PLE produit un spectre de photoluminescence fonction de lnergie dexcitation et pour une nergie de dtection fixe. Une lampe tungstne quartz produit une source dnergie accordable, de puissance assez faible de lordre du W. Le spectre obtenu peut prsenter des augmentations ponctuelles de lintensit de PL recueillie une longueur donde donne, pour certaines nergies dexcitation. Ces valeurs particulires de lexcitation sont corrles des transitions particulires (excitation en rsonance avec dventuels tats excits par exemple) de la structure de bandes du matriau. La PL rsolue en temps produit un spectre de photoluminescence en fonction du temps, pour une excitation pulse (~750 nm) permettant la relaxation des lots et une volution temporelle de leur mission. La puissance dexcitation est assez importante et comparable celle de la PL, de lordre de 100 mW. Elle donne accs aux temps caractristiques de la dynamique des porteurs dans les lots : le temps de monte traduit la capture des porteurs par les nanostructures, tandis que le temps de dclin de la photoluminescence reflte la dure de vie des porteurs dans les lots.
3
La loi de Varshni empirique traduit laugmentation du gap dun matriau lorsque la temprature diminue. Elle
scrit :
E g (T ) = E g (0 K ) * T 2 /( + T ) . Elle est lie la dilatation thermique du rseau et linteraction
avec les phonons. Les paramtres et qui rgissent cette formule dpendent de la nature du matriau.
124
V.
PREMIERE OPTIMISATION : LES PARAMETRES DE

CROISSANCE
V.1
Structures tudies
Les structures ralises pour ces tudes sont constitues typiquement dune fine couche contrainte dInAs, de quelques monocouches (MC) dpaisseur, entre deux barrires dInP [figure 4.3(b)]. Les conditions de croissance (temprature, vitesse de croissance, pression dAs) de la couche dInAs diffrent de celles adoptes pour les barrires dInP (cf. Tableau 4.1). Les valeurs sont prsentes dans le tableau titre indicatif, et leur dtermination prcise fera lobjet de la section V.3. Par ailleurs, des lots dInAs sont galement fabriqus [figure 4.3(a)] pour des conditions de croissance analogues, mais sans couche cap dInP pour permettre limagerie de surface par AFM en adoptant la procdure de refroidissement mise au point avec commutation des flux As/P (cf Annexe 2.II).
Couche d'InAs en compression InP barrire Substrat dInP
(a) (b)
Couche cap dInP
Figure 4.3- Schma des structures lots quantiques InAs/InP ralises sans couche cap pour lAFM (a) et avec cap (b)
Matriau InP buffer 2000 InAs lots quantiques ~10 InP cap 400 InP cap 2600
Vitesse 1 m/h 0.25 m/h 0.25 m/h 1 m/h
Temprature de croissance 480C 500-520C 500-520C480C 480C
Pression dlment V P P=10-5 T P As=2.10-6 T PP=4.10-6 T P P=10-5 T
Tableau 4.1- Conditions de croissance typiquement adoptes pour une structure lots quantiques.
Enfin, la prsence de deux lments V dans le systme InAs/InP conduit suivre une procdure de commutation assez prcise des flux dlments V, illustre par le diagramme figure 4.4. Des interruptions sont donc effectues avant et aprs la croissance des lots. Les diffrents temps de maintien de la surface dInP sous As, tm(As), avant la croissance de la couche dInAs, ou de recuit sous arsenic, tR(As), puis sous phosphore, tR(P), postrieurs la
125
croissance des nanostructures peuvent affecter la morphologie finale des lots fabriqus. Des changes As/P peuvent en effet survenir, accompagns de transferts de matire importants en surface (cf section V.3.5).
Temps de croissance effective dInAs
Flux dAs
Flux de P
Flux dIn
tm(P)
tm(As)
tR(As)
tR(P)
Figure 4.4- Diagramme temporel de croissance dInAs avec indication de fermeture (position basse) ou douverture (position haute) des diffrents flux dlments.
V.2
Rsultat typique : la fluctuation de monocouche
La ralisation de nanostructures quantiques 3D, i.e. prsentant un effet de confinement des porteurs dans les trois directions, associ la prsence de niveaux excits, ne sobtient pas sans effort. Couramment, les nanostructures fabriques sans optimisation des conditions de croissance ont des hauteurs trs disperses et variant par fluctuation de monocouches.
10
0.00012 0.00010 0.00008 0.00006 0.00004 0.00002 0.00000
P=0.02mW
1 0.1 0.01 1E-3 1E-4 1E-5
200mW
20mW
2mW 0.2mW
0.8
0.9
1.0 1.1 Energie (eV)
1.2
1E-6
0.02mW
1E-7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
(a)
Energie (eV)
(b) Figure 4.5- (a) Spectre de PL multi-composantes basse temprature pour un chantillon dInAs/InP(001) montrant un comportement de type fluctuation de monocouches . (b) Evolution en fonction de la puissance dexcitation. Source LPM-INSA Lyon.
Le spectre de photoluminescence correspondant est form de plusieurs pics associs ces diffrentes hauteur des nanostructures, variant par nombre entier de monocouches [cf. figure
126
4.5(a)]. Chaque pic se trouve lui mme largi par leffet de la distribution des tailles latrales dune famille dlots de mme hauteur. De nombreux spectres de ce type ont t rapports dans le cadre des tudes du systme InAs/InP [Carlin 92 ; Mendona 98 ; Brault 99 ; Gonzalez 00 ; Salem 01 ; Alen 01]. Lindication de ce comportement particulier est tablie usuellement en corrlant la position des pics avec lnergie de transition fondamentale calcule pour des puits quantiques dpaisseur variant par nombre entier de monocouches [Poole 02]. Cela signifie que les nanostructures fabriques sont assimilables des lots de faible hauteur mais trs larges, confinant les porteurs verticalement mais non latralement. La photoluminescence de telles structures en fonction de la puissance dexcitation ne montre aucun effet de saturation [figure 4.5(b)], qui attesterait dune nature diffrente entre les diverses composantes (niveaux fondamental et excits, par exemple). De telles structures offrent, outre un mauvais confinement quantique, loign du comportement de BQ vis, une largeur mi-hauteur (LMH) du spectre de PL leve, indsirable pour les applications laser. Les valeurs schelonnent souvent entre 100 et 150 meV 300K [Salem 01 ; Alen 01 ; Gonzalez 00].
V.3
Influence des paramtres de croissance
La ralisation dhtrostructures prsentant de fortes densits dlots quantiques InAs/InP, avec une distribution en taille troite est difficile atteindre. En plus des effets thermodynamiques, la formation des nanostructures est limite ou accentue par des facteurs cintiques comme la diffusion de surface des adatomes. La morphologie de surface du buffer mais aussi les paramtres de croissance adopts peuvent acclrer ou ralentir cette cintique. Dans le systme InAs/InP, diverses combinaisons des conditions de croissance conduisent une grande varit de spectres de PL et les effets des diffrents paramtres (Tc, PAs) ne sont pas indpendants [Rudra 94]. Sans dresser un tableau exhaustif de ces influences conjointes, nous nous sommes attachs, ici, rduire la dispersion en taille des lots dInAs/InP(001) (donc la LMH du spectre de PL associ) tout en visant une longueur donde dmission proche de 1.5 m 300K. Les paramtres de croissance des lots ainsi que la procdure de fabrication des interfaces sont optimiss dans ce sens. Linfluence des paramtres de croissance a t partiellement sonde par Julien Brault [Brault 00-1].
127
V.3.1. Temprature de croissance La figure 4.6(a) montre la dpendance de la transition 2D/3D du mode de croissance dune couche dInAs/InP(001), mesure par RHEED, en fonction de la temprature de croissance. Lpaisseur critique H3D est rduite de faon significative de 16 (5.3 MC) 5 (1.7 MC), entre 480C et 530C. Dans cette gamme de tempratures leves, la faible paisseur critique rend possible la fabrication dlots InAs petits, susceptibles dmettre autour de 1.5 m 300K. En effet, la fabrication dlots suppose une paisseur dpose suprieure lpaisseur critique, par exemple H3D+2 [figure 4.6(b)]. Lutilisation dune haute temprature requiert alors une paisseur dInAs plus faible, conduisant des lots de taille rduite exhibant une longueur donde dmission plus courte. Leffet observable sur la largeur mi hauteur (LMH) 300K du spectre de PL semble moins avantageux puisquun lger largissement est observ haute temprature [figure 4.6(b)]. Cependant, il ne peut tre expliqu par le seul effet de la temprature puisque dautres paramtres comme la pression effective dAs en surface, ou lpaisseur dInAs dpose varient simultanment sur la figure 4.6(b).
2000 1900 200
16 H3D (RHEED) () 14 12 10 8 6 4 440 450 460 470 480 490 500 510 520 530 540
eInAs= H3D+ 2
180 160 140
300K (nm)
LMH(meV)
1800 1700 1600 1500 440
120 100 460 480 500 520 80
Tc (C)
Tc (C)
(a)
(b)
Figure 4.6- Epaisseur critique de la transition 2D/3D (H 3D) du mode de croissance dInAs/InP(001) en fonction de la temprature de croissance (a). Influence sur la longueur donde et la largeur mi-hauteur (LMH) du spectre de PL 300K, pour des lots correspondant une paisseur dInAs dpose variable et gale H 3D+2 (PAs=4.10-6 T) (b). Source [Brault 00-1].
Nous avons compar les proprits dlots fabriqus des tempratures de croissance variables autour de la valeur intressante de 520C, les autres paramtres de croissance (PAs et eInAs dpose) tant identiques et garantissant une transition 2D/3D du mode de croissance. Dune part, laugmentation de la temprature entre 510 et 530C conduit une augmentation de la longueur donde du pic du spectre de PL 300K, i.e. une augmentation de la taille moyenne des lots [Figure 4.7(a) et (b)]. Une temprature leve peut en effet activer la formation des nanostructures via une augmentation de la mobilit de surface des adatomes
128
[Rudra 94]. La valeur plus basse de lpaisseur critique H3D haute temprature rejoint ce raisonnement. Dautre part, une augmentation de la temprature de croissance entrane une augmentation de la LMH du spectre de PL, trs lgre (quelques meV) entre 510C et 520C et beaucoup plus importante (~30 meV) entre 520C et 530C. Par ailleurs, le spectre de PL obtenu pour une temprature de 530C montre une faible intensit [figure 4.7(a)], caractristique dun dbut vraisemblable de relaxation plastique.
1.5
1 0.95 0.9 0.85 0.8 PL 300 K eInAs=11
Energie (eV)
0.75
0.7
0.65
Intensit PL (u.a.)
I*10
1.0
PAs=2.10 T 510C 520C 530C
-6
0.5
1740 1720 1700 1680 1660 1640 1620 1600 1580 1560 1540
120 110 100 90 80 70 510 515 520 525 530 60
0.0 1200
1400
1600
1800
2000
Temprature de croissance (C)

(b)
(a) Figure 4.7- Effet de la temprature de croissance sur la PL dlots InAs/InP 300K (e InAs=11 et PAs=2.10-6 T, vc~0.2 m/h). Spectres de PL (a) et variations associes de lnergie moyenne et de la largeur mi hauteur (LMH) des spectres (b)
En ralit, une augmentation de la temprature saccompagne dune conjoncture complexe de mcanismes qui peuvent tre signals. La pression effective darsenic en surface est rduite haute temprature et peut devenir limitante dans la formation des lots (par exemple 530C) [Madhukar 94]. Des ractions dchanges P/As (cf. section V.3.5) exacerbs forte temprature de croissance [Carlsson 98 ; Zhuang 00], peuvent produire un excs de matire dans les lots, et jouer donc un rle important dans la variation de taille des nanostructures avec la temprature. La composition de lexcs de matire form, srement partiellement InAsP peut paralllement modifier lnergie de confinement des porteurs dans les lots [Carlsson 98] de mme que la prsence ventuelle dun alliage InAsP aux interfaces InAs/InP4. La comptition entre ces diffrentes contributions peut expliquer une variation souvent non monotone et parfois difficilement interprtable des proprits optiques des lots avec la temprature de croissance.
Un offset infrieur entre llot et la barrire conduit une rduction de lnergie du niveau associ dans la BQ [Ustinov 98-2]
LMH (meV)
300K (nm)
129
Toutefois, une temprature de croissance de 510-520C apparat ici favorable la fabrication dlots dInAs/InP cohrents et relativement uniformes, bnficiant dune transition 2D/3D assez prcoce. V.3.2. Pression dArsenic Dans la gamme intressante de temprature (510-520C), linfluence de la pression darsenic sur les proprits optiques 300K des lots dInAs/InP(001) a t tudie. La figure 4.8 montre quune diminution de la pression darsenic conduit une rduction de la longueur donde ainsi que de la LMH5. Cette influence peut se comprendre en termes de cintique de surface. Une pression leve limite vraisemblablement la diffusion de surface des adatomes dIn, ncessaire lhomognisation de la taille des lots. Une rduction de cette pression peut donc favoriser les mcanismes duniformisation des lots. Toutefois, ce paramtre ne peut tre diminu de faon drastique : une dficience en As semble constituer un facteur limitant, susceptible dempcher le passage 3D de la croissance dInAs [Rudra 94]. Cette tendance nous a conduit adopter une pression dAs limite 2.10-6 T (rapport V/III~12) qui garantit encore une transition 2D/3D du mode de croissance 520C.
2.2 2.1 2.0
eInAs=9 Tc=520C
120
Figure 4.8- Longueur donde dmission ( Imax) et largeur mi hauteur (LMH) du spectre de PL 300K en fonction de la pression dAs pendant la croissance dlots InAs/InP(001). Source [Brault 00-1]
LMH (meV)
300 (m)
1.9 1.8 1.7 1.6 1.5 1.4 2 4

-6
100
80
60 6 8
PAs 10 Torr
V.3.3. Epaisseur dInAs dpose Lpaisseur dInAs dpose a t varie pour une temprature de croissance et une pression dAs fixes 520C et 2.10-6 T : son influence sur les proprits optiques des lots dInAs/InP(001) 300K a donc t sonde. La figure 4.9(a) montre quune augmentation de
5
Cet effet est rvl 520C mais ne possde pas un caractre gnral, car dpendant de la temprature [Rudra 94].
130
lpaisseur dpose conduit une lvation de la longueur donde dmission, rvlant ainsi un grossissement des lots [Jeong 01]. Une rduction notable de la LMH est galement visible. En effet, laugmentation de lpaisseur dpose conduit un allongement du temps de croissance, i.e. de la maturation des lots, sans doute responsable dune meilleure uniformisation finale de leurs tailles. La comparaison des spectres de PL 8K pour trois paisseurs dposes diffrentes, de 6.2 , 9 et 12 , permet dapprofondir ce phnomne [Figure 4.9(b)]. Outre un grossissement des lots, une augmentation de lpaisseur dpose conduit une rduction du nombre de composantes, leur rapprochement ainsi que la prdominance en intensit dun pic sur les autres. Ces observations traduisent effectivement un mcanisme duniformisation des lots6. Lintensit intgre, assez comparable pour les 3 chantillons, ne semble pas rvler de variation de densit des lots fabriqus.
1.65 100 80 60 40 1.50 20

5.0x1011 3.5x10
12

1700 1600 1500 1400 1300 1200 12 9 6.2
1.60
3.0x10
12
T=8K P=200mW
LMH (meV)
300 (m)
2.5x1012 2.0x10 1.5x10 1.0x10

12
1.55
12
12
1.45
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.0
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
eInAs (nm)
Energie (eV)
(a)
(b)
Figure 4.9- (a) Longueur donde dmission ( Imax) et largeur mi hauteur (LMH) du spectre de PL 300K, dlots InAs/InP(001), en fonction de lpaisseur InAs dpose pour (Tc, P As)=(520C, 2.10-6 T). (b) Comparaison des spectres de PL 8K pour trois paisseurs dInAs dposes, 6.2 , 9 et 12 .
Lpaisseur dInAs ne peut toutefois tre augmente indfiniment. Dabord, de manire vidente, la relaxation lastique ne suffirait pas relaxer la contrainte emmagasine dans une couche dInAs trop paisse, rendant invitable lapparition de dislocations. Ensuite, plusieurs groupes ont montr quune paisseur largement suprieure H3D tait nfaste vis vis de larrangement et de luniformit des lots [Fafard 96 ; Lebouch 97 ; Li 98]. Linteraction entre les nanostructures via un champ de contrainte rpulsif dans les directions latrales contribue lauto-organisation tant que la distance entre les lots, rduite pour une forte paisseur dpose, nest pas trop faible [Li 98 ; Carlsson 98 ; Ponchet 95].
6
Mme pour les structures fluctuation de MC, lcart en nergie diminue lorsque les paisseurs augmentent, do un rapprochement des composantes et une rduction de la LMH globale du spectre [Poole 01]
131
Lebouch et coll. dcrivent lobservation dune succession de rgimes lors du recuit des lots InAs/InP sous As [Lebouch 97]. Ces tapes clarifient les mcanismes, a priori proches, intervenant pendant la croissance des lots. Dabord une tape de nuclation produit des petits lots dont la densit augmente jusqu atteindre un maximum, contrl par les effets de rpulsion entre lots. Ltape suivante, de croissance, saccompagne dune rduction de la densit et dune augmentation de la taille des nanostructures. Elles se regroupent de faon rgulire via la consommation de la couche de mouillage, en restant homognes en taille. Un phnomne de coalescence alatoire se produit ensuite qui dgrade nettement luniformit. [Gutirrez 01] a montr lexistence de plusieurs rgimes pendant la croissance dlots dInAs/InP en suivant lvolution du RHEED : formation des facettes puis rduction de laire suprieure. Laugmentation de lpaisseur semble ainsi favorable dans une certaine mesure lhomognisation, en dpassant ltape de nuclation distribuant alatoirement les BQ. V.3.4. Couple critique : (Tc, rapport V/III) Le caractre critique des conditions de croissance finalement adoptes mrite dtre soulign. Des combinaisons de paramtres lgrement diffrents sont compares en termes doccurrence de la transition 2D/3D du mode de croissance dans le tableau 4.2. Ces combinaisons sappuient sur des temps de croissance dInAs identiques (17 secondes), les mmes pressions quivalentes de flux (PEF) darsenic (PEF=2.10-6 T) et tempratures de croissance (510C). Les diffrences portent uniquement sur la vitesse de croissance, i.e. le flux dIn, et donc sur le rapport V/III lgrement modifi entre les 4 chantillons. Vitesse de croissance 0.21 m/h 0.23 m/h 0.24 m/h 0.25 m/h V/III 12.8 11.5 11.2 10.8 Transition 2D/3D Oui Oui Oui Non
Tableau 4.2- Influence du rapport V/III sur lexistence dune transition 2D/3D
Si une vitesse de croissance infrieure 0.24 m/h garantit une transition 2D/3D du mode de croissance (observ sur le diagramme RHEED pendant la croissance), une vitesse peine suprieure, de 0.25 m/h, ne permet plus la formation dlots 3D. Labsence de signal de PL recueilli pour ce dernier chantillon indique la mauvaise qualit de la croissance, et vraisemblablement lapparition de dislocations. Ainsi, il semble quun rapport V/III>11 soit ncessaire pour assurer le passage 3D de la croissance 510C. Ce rapport varie avec la
132
temprature de croissance puisque la pression effective darsenic en surface montre une dpendance thermique (dsorption thermique de As). Cette comparaison souligne nouveau linterdpendance des paramtres de croissance et le caractre critique des conditions de croissance finalement adoptes. V.3.5. Echanges As/P Dans le systme InAs/InP, des changes entre lments V se produisent et peuvent affecter la composition et la morphologie finales des nanostructures. Dune part, il est possible de former des lots quantiques par simple effet des changes P/As, lors du maintien dune surface dInP sous flux dAs [Tabata 94 ; Wang 98 ;Yang 01]. Le processus dincorporation dAs la surface dInP consomme quelques monocouches dInP et ralentit au fur et mesure que lpaisseur de la couche dchange augmente (alliage InAsP de composition variable en profondeur) [Walther 00]. Dautre part, pour une dposition directe dInAs sur InP, ces changes existent galement et sont lorigine dun excs de matire composant les lots par rapport la quantit dInAs dpose. Dans un premier temps, il semble vident que ces changes se produisent aux interfaces InAs/InP pendant le maintien dInP sous As (tm(As) et le recuit des lots dInAs sous P (tr(P). En ralit, ces changes As/P semblent perdurer galement tout au long de la croissance des lots [Brault 99] puisque lexcs de matire augmente avec lpaisseur dInAs dpose [Yoon 99]. La couche de mouillage 2D, consomme lors du dveloppement des lots, rend possible les changes P/As au niveau de la couche dInP infrieure. Lintensit de ces changes, donc lexcs de matire produit, sont accrus par une temprature et un rapport de flux V/III levs [Zhuang 00 ; Yoon 99]. Un tel mcanisme accentu par la dsorption de phosphore haute temprature permet de relaxer le fort tat de contrainte existant par exemple en priphrie des lots. Ces phnomnes suggrent une composition au moins partielle des lots en InAsP [Carlsson 98]. En effet, lexistence de ces changes peut sapprhender en termes de relaxation chimique de la contrainte, favorable pour InAs/InP puisque le cot nergtique de cration de lalliage pseudo binaire (InAs)x(InP)1-x est faible [Brault 98]. La procdure de croissance des interfaces InAs/InP adopte a pour but de rduire ces changes As/P, exacerbs par la temprature de croissance relativement haute retenue ici. Une attention particulire a t porte leffet du phosphore sur les lots, pendant le recuit et lencapsulation [Figure 4.10].

PP=2.10-6 T PP=4.10 T PP=10 T
-5 -6
133
1.0
eInAs=18 Tc=480C PAs=4.10-6 T
IPL 300K (u.a)
0.8 0.6 0.4 0.2 0.0
tR(P)=20 s tR(P)=0 s
IPL 300K (u.a.)
0.8 eInAs=9 0.7 PAs="2.10-6 T" 0.6 Tc=520C 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 1200 1400 1600
1400
1600
(nm)
1800
2000
2200
1800
(nm)
(a) (b)
Figure 4.10- Spectres de PL 300K dlots InAs/InP(001) pour un temps de recuit des lots sous phosphore variable (a) et pour des pressions variables de phosphore de lInP cap dpos 0.25 m/h (b)
Les spectres de PL de deux chantillons, ayant ou non subi un recuit des lots sous phosphore sont compars sur la figure 4.10(a). Les lots soumis au flux de phosphore prsentent une longueur donde moyenne plus faible denviron 100 nm. Cette observation suggre une rduction de la taille des lots soumis une pression de phosphore (P). [Walther 00] a observ jusqu la disparition de nanostructures InAs maintenues sous P. De plus laugmentation de de la LMH associe du spectre de PL (de 200 nm 280 nm) montre que lrosion induite par le recuit sous P augmente la dispersion en taille des lots. Si, dans un premier temps, Frchengues et coll. ont avanc la possibilit dun contrle de la longueur donde dmission par cette procdure de recuit sous P dlots InAs/InP(113)B, ils ont observ cette dgradation conjointe de luniformit des nanostructures [Frchengues 99-1 et 99-2]. Ce phnomne a t attribu la formation dun alliage InAsP non uniforme la surface des lots, qui dgradait par ailleurs la tenue en temprature de la PL de ces lots. Enfin, linfluence de la pression de P du cap dInP montre que les changes As/P persistent pendant le dbut de lencapsulation 0.25 m/h [figure 4.10(b)]. Lmission des nanostructures 300K est fortement affecte par ce paramtre. Un choix intermdiaire de PP=4.10-6 T (V/III~25) semble optimal en termes de dispersion en taille des lots forms. Au final, les diffrents temps de maintien et recuit de la surface sous flux dlment V (cf figure 4.4) que nous avons retenus sont prsents dans le tableau 4.3. tm(P) de InP 10 minutes tm(As) de InP 10 secondes tr(As) de InAs 10 secondes tr(P) de InP 1 seconde
Tableau 4.3- Rcapitulatif des temps choisis pour les commutations des lments V.
134
Le maintien de 10 min de la surface dInP sous P est ncessaire la monte en temprature du buffer dInP de 480C jusqu la temprature de croissance des lots. La reconstruction [2*4], observe durant cette tape, atteste de la qualit de la surface dInP. Le temps de maintien dInP sous As, avant la croissance des lots, est limit 10 s pour viter une dgradation excessive de la surface du buffer, rvle par la disparition de la reconstruction [2*4]. Le recuit de 10 s sous As des lots permet une maturation des lots, visible au RHEED par lintermdiaire du grossissement des tches de Bragg et des chevrons caractristiques dun dveloppement des facettes des nanostructures. Ce temps de recuit est toutefois limit pour viter lapparition de dislocations [Marchand 97 ; Wang 98 ; Poole 01] nfastes lintensit de PL des nanostructures [Brault 99 ; Berhane 01]. Enfin, le recuit sous P avant la croissance de lInP cap est limite au maximum (1 s) pour viter lrosion inhomogne des lots. V.3.6. Conclusion sur les conditions de croissance Une bonne uniformit des lots auto-organiss InAs/InP(001) peut finalement tre atteinte en tirant avantage de plusieurs facteurs thermodynamiques et cintiques. 1. Une temprature de croissance leve (510-520C) et une rduction de la pression darsenic (2.10-6 T) contribuent lauto-organisation, en favorisant la diffusion de surface des adatomes. 2. Un dpt prolong dInAs (12 = 4 MC) au del de la transition 2D/3D augmente la contrainte emmagasine et profite luniformit des lots. 3. Une rduction des changes As/P, et en particulier de lexposition nfaste des lots un flux de phosphore (1s), permet de limiter laccentuation des inhomognits des lots.
V.4
Une combinaison pertinente : les btonnets quantiques
Les spcificits du systme InAs/InP conduisent une dispersion en taille des lots dInAs/InP habituellement leve. La largeur mi-hauteur du spectre de PL, limage de la dispersion en taille, est souvent dans la gamme 70-120 meV sur InP(001) [Rudra 94 ; Marchand 97 ; Wang 98 ; Zhuang 00 ; Gonzalez 00 ; Salem 01 ; Alen 01 ; Yang 02] comme sur InP(113)B [Frchengues 99-1 et 99-2], et plus rarement autour de 50 meV [Carlsson 98 ; Mu 01]. Des valeurs de seulement 20-50 meV sont au contraire couramment mesures sur les lots InAs/GaAs [Grard 99-1 ; Nishi 99 ; Mukhametzhanov 99].
135
Une structure un plan dlots quantiques InAs/InP(001) (ep859) a t pitaxie en sappuyant sur les conditions de croissance optimises dans ltude prcdente. Nous dressons ici un panorama des rsultats de caractrisation (optiques et structurales) des nanostructures ainsi fabriques. Lessentiel des caractrisations optiques prsentes ici ont t effectues au LPM, lINSA de Lyon [Salem 03]. V.4.1. Caractrisation optique : une signature de confinement quantique Le spectre de PL 300K, figure 4.11(a), montre une longueur donde dmission proche de 1.5 m, avec une LMH de 68 meV. Le spectre 8K, figure 4.11(b), donne des informations supplmentaires : en particulier les diffrentes composantes visibles 300K sont mieux rsolues 8K. Ces composantes peuvent tre dcrites comme des gaussiennes de ~25 meV de LMH, dsignes (a), (b), (c) et (d). Les carts nergtiques sont peu prs constants et de valeur proche de 30-40 meV. Ils ne sont donc pas corrls aux calculs de transitions dune structure fluctuation de MC qui produisent des carts croissants de 35 meV (entre 8 et 7 MC) 67 meV (entre 6 et 5 MC) pour des hauteurs dlots mettant ces nergies [Poole 02]. Longueur d'onde (nm)
1600
1.5x10
12

1700 1600 1500 1400
1500
1400
1300
2
T=300K
11
(b) T=8K (a) P=475W/cm
4.0x10
P=475W/cm2 ~1.5m LMH~68meV
1.0x1012
2.0x10
11
5.0x1011
(c) (d)
0.0
0.0
0.70
0.75
0.80 0.85 Energie (eV) (a)
0.90
0.95
0.75
0.80
0.85 0.90 0.95 Energie (eV) (b)
1.00
Figure 4.11 : Spectres de PL de la structure EP859 300K (a) et 8K (b), forte excitation continue de puissance 150 mW (Laser Ar, 514.5 nm) Source LPM INSA Lyon
Un paulement ct basse nergie, avec un largissement important, est galement observ vers 0.82 eV. Il a t attribu un pic de dfaut, compte tenu de labsence de variation, en fonction de la puissance dexcitation, de son intensit relative par rapport aux autres pics : mme basse puissance, il conserve la forme dun paulement sans jamais dominer le
136
spectre7. Ce pic pourrait tre produit par des dfauts de croissance, comme des lacunes de phosphore, dans lInP proche des lots, pitaxi haute temprature (510/520C). Le comportement des autres pics en fonction de la puissance dexcitation (figure 4.12) montre une saturation relative du pic (a) par rapport aux pics (b), (c), et (d), plus haute nergie. Cet effet non observ pour un chantillon fluctuation de MC suggre une nature diffrentes entre les composantes. Cest un premier indice de lexistence de niveaux excits dans les lots quantiques [Fafard 96 ; Mu 01]. Un largissement visible des composantes forte puissance est li au raccourcissement de la dure de vie des porteurs nombreux, en prsence dinteractions coulombiennes fortes [Mu 01]. Ces 3 pics haute nergie pourraient donc tre issus de niveaux excits, relatifs au niveau fondamental associ au pic (a). Cependant, un doute subsiste car ces supposs tats excits sont observs mme en rgime de faible excitation8. Cette attribution est confirme par des mesures de PLE et de PL rsolue en temps.
2.0x1012
Intensit de PL normalise
1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0
T = 8K
0.64 W/cm2 640 W/cm

2
T=8K Edetection=0.844eV (a)
(b) (2) (1) (3)
1.0x1012
5.0x1011
(c) (d)
0.0
0.0
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
Energie (eV)
Energie (eV)
Figure 4.12- Spectre de PL 8K en fonction de la Figure 4.13- Spectre dexcitation de PL (PLE) 8K puissance dexcitation (laser Ar) avec lintensit pour une nergie de dtection fixe sur le pic (a). normalise sur le pic (a) 0.84 eV. Source LPM- Source LPM-INSA Lyon. INSA Lyon.
Le spectre de PLE, figure 4.13, avec une dtection fixe sur le pic (a) (0.844 eV) rvle sans ambigut trois pics dabsorption (1), (2) et (3). Ces 3 pics peuvent tre attribus des niveaux excits relatifs ltat fondamental associ au pic (a). Malgr un lger dcalage en nergie de quelques meV, les pics (1) (2) et (3) de PLE peuvent tre corrls aux pics (b) (c)
7
Plusieurs arguments renforcent cette hypothse : la constante de temps associe ce pic reste trs leve (~1s), ce qui est peu vraisemblable pour un niveau de BQ moins que la population associe soit particulirement peu nombreuse. Les rsultats de PLE fournissent une rplique de la PLE effectue sur le pic (a), ce qui serait peu probable si cet tat tait rellement associ au niveau fondamental dune population prsentant une hauteur diffrente de celle lie au pic (a). 8 Lexistence dun dopage n non intentionnel des barrires dInP est lhypothse avance pour expliquer le remplissage des niveaux excits des lots mme avec une faible puissance dexcitation.
Intensit de PLE (u.a.)
2100 W/cm2
1.5x1012
5.0x10-9
137
et (d) mis en vidence en PL. Lexplication la plus vraisemblable concernant ce dcalage fait appel la diffrence entre les densits dexcitation, beaucoup plus forte pour la PL que pour la PLE. Les interactions coulombiennes existant entre porteurs nombreux peuvent rduire lnergie de transition de quelques meV pour la mesure de PL par rapport la PLE. Ce dcalage peut tre galement li au caractre non totalement discret des tats dnergie dans les lots allongs (cf. section V.4.2). Des mesures de PL rsolue en temps confirment encore la nature diffrente entre les 4 pics travers lobservation de la dynamique de recombinaison des porteurs (cf. figure 4.14). Les courbes de PL exponentielles en fonction du temps montrent des temps de dcroissance beaucoup plus courts (459 ps, 126 ps et 54 ps) pour les niveaux dnergie levs, par rapport au premier niveau (1.34 ns).
Etat fondamental (=1349 ps) 1er niveau (=459 ps) 2 niveau (=126 ps) 3 niveau (=54 ps)
1 0.1
Intensit (u.a.)
0.01
Figure 4.14- Profils temporels de lintensit de luminescence des lots quantiques InAs/InP(001) 10K (excitation pulse non rsonante la longueur donde 780 nm et puissance 100 mW). Source LPMC-INSA Toulouse.
1E-3 1E-4
500
Temps (ps)
1000
1500
2000
Des botes quantiques InAs/InP(113)B analyses par la mme technique montraient galement des diffrences de temps de relaxation entre les niveaux fondamental et excits [Hinooda 99]. La dcroissance plus rapide des niveaux excits est vraisemblablement lie une relaxation des porteurs vers ltat fondamental. Au contraire, Jeong et coll. ayant observ, pour une population dlots, un temps de dcroissance identique (~4 ns) sur toute la plage de PL sonde, en avaient conclu que chaque nergie tait associe lmission individuelle issue de BQ indpendantes [Jeong 01]. Le spectre multi-composantes de PL 8K, figure 4.11(b), peut donc tre interprt comme lassociation de pics relatifs un niveau fondamental et trois niveaux excits. La dispersion en taille des lots quantiques dInAs serait donc reflte par la LMH du seul pic fondamental (a), soit environ 22 meV. Cette valeur trs faible indique une trs bonne homognit en taille des lots dInAs fabriqus, qui se trouve confirme par ltude des proprits structurales.
138
V.4.2. Morphologie Les images TEM (en vue plane et coupe transverse) et AFM fournissent des informations sur la morphologie de ces lots dInAs/InP(001). Ils apparaissent comme des lots allongs, apparents des btonnets quantiques, parallles la direction [1-10] [Figures 4.15(a) et (b)]. La largeur est de lordre de 22 1.2 nm, assez peu disperse, et la longueur, moins bien dfinie, se situe entre 50 et 100 nm. Limage TEM en coupe transverse montre que ces lots possdent une forme de pyramide tronque de hauteur proche de 2.4 nm [Figure 4.15(c)]. La figure 4.15(d) en montre une reprsentation schmatique. La dispersion sur la hauteur reste difficile estimer : elle semble quasiment identique pour les diffrentes nanostructures. Cette observation semble confirmer la prsence dune seule famille dlots de mme hauteur, comme le suggraient les mesures de spectroscopie optique prcdentes.
0.5m*0.5m
[1-10]
[ 1 0] [1 1 0] [0 0 1]
(b) (a)
200 [110]
(d)
Facette (114)
(c)
Figure 4.15- Morphologie des lots InAs/InP(001) en imagerie AFM (a), TEM (source LENAC-Univ. Lyon 1) en vue plane (b) et coupe transverse (c), et reprsentation schmatique des btonnets quantiques dInAs/InP(001) (d).
Une telle uniformit en taille est vraisemblablement lie la capacit du systme InAs/InP former des lots plats. Grce un rapport de forme assez faible, les niveaux dnergie des lots sont essentiellement gouverns par la hauteur. Tandis que les niveaux dnergie des lots InAs/GaAs, plus isotropes, varient de faon continue avec leurs dimensions, les lots InAs/InP montrent demble une fluctuation discrte associe la variation par nombre entier de MC
139
de leur hauteur. Le contrle de la hauteur un nombre de MC fix, sous des conditions de croissance optimises, permet datteindre la distribution en nergie trs troite observe. La couverture surfacique des btonnets dInAs/InP est trs leve, ~90%, et ces lots trs proches, voire jointifs, offrent une forte densit, de lordre de 5.1010cm-2. De nombreux groupes ont observ une morphologie allonge selon [1-10] pour les lots dInAs/InP(001), avec un buffer dInP [Gonzalez 00 ; Walther 00 ; Alen 01 ; Mu 01 ; Yang 02] ou autre que InP [Li 99-1 et 99-2 ; Brault 02]. Lexplication la plus vraisemblable trouve son origine dans lanisotropie de surface du buffer. Si les directions orthogonales du cristal sont quivalentes dans le volume dun compos III-V, la situation est diffrente en surface, en raison de la prsence des reconstructions de surface (cf Annexe 2.I). La surface dInP prsente une reconstruction de surface [2*4] dans les conditions de croissance adoptes. Cet tat de surface montre un ordre longue distance avec des grandes terrasses lisses (rugosit infrieure 1MC [Yang 01]) et des bords de marche parallles [1-10] [LaBella 00 ; Brault 98]. Cette anisotropie est responsable dune diffusion de surface plus importante des adatomes dindium suivant la direction [1-10]9. La reconstruction de surface [2*4] observe pendant la croissance des lots, avant la transition 2D/3D, peut aussi engendrer une forme anisotrope de ces lots. Garcia et coll ont dailleurs observ que cette reconstruction de surface [2*4] induisait une anisotropie de la contrainte dans les 2 directions orthogonales lors de la formation dlots dInAs/InP [Garcia 01] 10. Des lots allongs induisant une relaxation de la contrainte dans une seule direction sont donc forms suivant laxe de diffusion privilgie. La forme anisotrope des lots est corrler aux rsultats de mesure en polarisation de PL [Salem 01]. Une intensit plus forte est recueillie dans la direction de polarisation parallle lallongement des btonnets (degr de polarisation ~ 30%). Cependant, le caractre jointif des btonnets rvl par les images prcdentes suggre un risque de couplage par effet tunnel, mission thermoonique ou connectivit partielle travers la couche de diffusion [Walther 00]. De plus, la forme allonge des lots soulve la question relative lefficacit de la localisation des porteurs. Une attention particulire sera donc prte au maintien de la PL en fonction de la temprature pour rpondre ces interrogations.
Les bords de marche parallles [1-10], de type A, do sortent les liaisons pendantes cationiques, sont moins ractives avec lindium, que les bords de marche parallles [110], de type B, do sortent les liaisons pendantes anioniques. Les marches de type A augmentent donc la propension former des lots allongs dans le systme InAs/InP(001) comme dans la plupart des systmes III-V. 10 Ce phnomne est li la distorsion des liaisons As-In le long de [110] et larrangement des dimres As-As le long de [1-10].
140
V.4.3. Etude la PL en temprature Energie et composantes La figure 4.16(a) permet de sonder la tenue de la PL avec la temprature, entre 8K et 300K, pour une puissance dexcitation assez leve. Lnergie du spectre varie de ~60 meV, de faon analogue pour chacun des pics, entre 8K et 300K, prsentant donc un dcalage moyen relativement faible de 0.2 meV/K. Ce dcalage est infrieur celui du gap dInAs massif, proche de 0.29 meV/K ou dun PQ InAs/InP, 0.27 meV/K [Salem 03]. Du point de vue du composant, cette faible variation permet de bnficier dun spectre de gain optique moins sensible la temprature.
Laser Ar
8K 130K
1x1012
220K 300K
0
0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00 Energie (eV) (a)
(b)
Figure 4.16- Evolution du spectre de PL avec la temprature pour une excitation non rsonante (a) et intensits de PL intgres en fonction de la temprature pour une excitation quasi-rsonante (QR : laser YAG) ou non rsonante (NR : laser Ar) (b). Source LPM-INSA Lyon.
Le dcalage en longueur donde de la PL avec la temprature savre souvent lev lorsquil est produit par une redistribution des porteurs parmi une population de BQ trs inhomognes et/ ou fortement couples. Ainsi, une structure fluctuation de monocouches montre souvent une augmentation relative de lintensit des composantes de faible nergie, au dtriment des composantes de haute nergie avec la temprature. Cet effet, qui modifie la forme du spectre, est d au remplissage des gros lots puits de potentiel profond par les porteurs schappant des petits lots [Alen 01]. Ce phnomne de relaxation des porteurs des petits vers les gros lots temprature ambiante a lieu galement dans des nanostructures mal isoles les unes des autres [Paki 99 ; Li 00]. Synonyme dun couplage entre les nanostructures, ce comportement traduit labsence de localisation des porteurs.
141
A linverse, lallure du spectre figure 4.16(a) conserve quelle que soit la temprature, semble indiquer, avec le faible dcalage relev, labsence des phnomnes de couplage indsirables entre les lots11. Toutefois, les composantes slargissent lgrement haute temprature, diminuant la rsolution des pics et traduisant une lgre sensibilit aux effets thermiques (couplage aux phonons). Intensit La PL 300K reste assez intense et ne prsente quun rapport 2 (49%), en intensit intgre, par rapport la luminescence 8K. Au del de 75K, lintensit intgre de PL diminue. Cette dcroissance est due la dissociation des excitons et lchappement des paires lectron-trou en dehors des lots qui se recombinent non radiativement dans la barrire [Alen 01]. Un crasement plus rapide avec la temprature des composantes de plus haute nergie, facilit par un confinement priori moins important des porteurs associs, nest pas clairement observe sur la figure 4.16(a). La stabilit de 49% reste remarquable et de lordre de la meilleure tenue en temprature releve dans la littrature pour InAs/InP [Yang 02]. Cette grandeur est souvent infrieure : 20% [Jeong 01], 10% [Alen 01] ou 5% [Gonzalez 00]. Enfin, elle reste largement suprieure au rapport de 1% mis en vidence dans le systme InAs/GaAs [Xu 96], pnalis par un confinement moins important des niveaux dnergie. La tenue en temprature est encore meilleure (90%) lorsque lexcitation est effectue avec un laser YAG, directement dans les lots [cf. Figure 4.16(b)]. Cette diffrence semble confirmer la mauvaise qualit des barrires dInP pitaxies haute temprature. Ces observations indiquent donc un confinement important des porteurs dans les btonnets quantiques dInAs/InP et une localisation spatiale efficace, malgr un cart assez faible entre les niveaux dnergie (30 meV) et la forme allonge de ces lots.
V.4.4. Calcul des niveaux dnergie dans les lots quantiques La structure lectronique des btonnets quantiques InAs/InP(001) a t dtermine (cf. Annexe 3) partir dun modle thorique simplifi par P. Miska et J. Even du LENS-INSA de Rennes [Miska 03]. Les 4 transitions optiques interprtes prcdemment comme un niveau fondamental et 3 niveaux excits, sont corrles aux transitions calcules partir de ce modle. Ce calcul permet didentifier lorigine des niveaux excits : ils seraient issus de
11
Cette constatation est cohrente avec lidentification des diffrentes composantes comme un niveau fondamental et 3 niveaux excits.
142
transitions entre trous et lectrons confins dans le sens de la longueur des nanostructures. Les dispersions sur la largeur et la longueur seraient quant elles responsables de llargissement inhomogne des diffrentes composantes. Lcart entre les niveaux excits, proche de 30 meV, est beaucoup plus faible que la valeur de 80 meV mise en vidence sur InAs/InP(113)B [Hinooda 99]. Les dimensions des lots fabriqus sur InP(113)B sont en effet plus faibles (diamtre~32 nm) que celles des btonnets allongs (L~50-100 nm) sur InP(001). Le rayon de Bohr12 peut atteindre 60 80 nm pour InAs. Si un rgime de confinement est donc possible dans les lots dInAs/InP(001), un vecteur donde k non discret persiste sans doute dans le sens de la longueur. Les minibandes associes devraient tout de mme rester troites puisque la longueur des lots est proche du rayon de Bohr des excitons. Les btonnets prsentent donc vraisemblablement un comportement mi-chemin entre celui de fils et de botes quantiques.
V.5
Conclusion
Des progrs ont t raliss sur la qualit des lots InAs/InP(001) fabriqus en respectant certaines rgles relatives lauto-organisation. Dune part, les conditions de croissance ont permis de se rapprocher de lquilibre thermodynamique et dacclrer la transition 2D/3D du mode de croissance. Dautre part, la propension du systme InAs/InP fabriquer des lots plats a t mise profit. Un plan dlots quantiques InAs/InP fabriqu partir de conditions de croissance adquates montre une mission vers 1.5 m 300K sur une gamme dnergie assez troite. La faible dispersion en taille associe peut tre corrle une population dlots de mme hauteur, dont les carts morphologiques ne seraient relatifs quaux dispersions, moins pnalisantes, sur les largeurs et longueurs. La dmonstration de lexistence de niveaux excits, exprimentale et thorique, atteste de la basse dimensionalit de ces objets, bien quils sapparentent des btonnets allongs. Enfin, un confinement efficace des porteurs dans ces lots est dmontr par la forte tenue en temprature de la PL et une mission relativement peu sensible la temprature.
12
Le rayon de Bohr dpend de la masse effective de lexciton et des constantes dilectriques du matriau.
143
Il reste toutefois un certain nombre de points traiter pour atteindre les objectifs initiaux :
q
la fabrication dlots plus isotropes, offrant un meilleur confinement dans les trois directions de lespace. Cela permettrait daugmenter lcart de 30 meV entre les niveaux dnergie pour renforcer linsensibilit thermique des proprits optiques des lots.
la rduction des dfauts aux interfaces pour augmenter lefficacit radiative. En particulier, la qualit des barrires dInP reste amliorer.
laugmentation de la densit volumique dlots quantiques avec la ralisation dempilements.
144
VI.
OPTIMISATION A DES FINS COMPOSANT
VI.1
Vers un contrle de la forme des lots InAs/InP
VI.1.1. Importance des effets cintiques dans le systme InAs/InP La fabrication dlots quantiques de forme allonge tels que prsents sur la figure 4.15 est elle incontournable dans le systme InAs/InP(001) ? Alors que le systme InAs/GaAs conduit une population dlots assez isotropes, les morphologies des lots fabriqus sur InP sont varies : des botes, des btonnets ou mme des fils ont t recenss [Gonzalez 00 ; Li 01 ; Brault 02]. Cette souplesse spcifique au systme InAs/InP provient sans doute de son faible dsaccord de maille. Dans les deux cas, la formation des lots est dirige au premier ordre par la balance nergie de surface/ nergie de volume, dtermine par le systme et son dsaccord de maille. Toutefois, la cintique de diffusion de surface peut sexprimer de manire significative dans le cas dun systme faiblement contraint comme InAs/InP, alors que son effet reste liss par labaissement important de lnergie rclam dans un systme forte contrainte comme InAs/GaAs. Les effets cintiques induits notamment par la morphologie de surface du buffer ont dj t souligns comme responsables de la formation des btonnets allongs, prsents dans la section prcdente. La forme des lots semble en effet partiellement relie aux marches et aux reconstructions de surface du front de croissance. Des paramtres extrinsques comme lorientation du substrat, la nature du buffer ou les conditions de croissance adoptes peuvent modifier fortement cette cintique de surface, donc finalement la forme des lots fabriqus. Deux niveaux daction ont ainsi t mis en vidence au LEOM, dans le cas dun buffer AlInAs, pour rendre les lots dInAs plus isotropes [Brault 02] : (a) Favoriser une reconstruction de surface [2*1] de lInAs pendant ltape 2D de la croissance, comme dj observ par [Yang 01]. Cette reconstruction dpend de la temprature de croissance et du rapport V/III adopts, qui imposent le taux de recouvrement effectif dAs en surface. Ainsi, une reconstruction de surface [2*4] pendant la croissance 2D de lInAs, correspondant 75% de recouvrement de la surface en As, peut tre remplace par une reconstruction [2*1] temprature de croissance plus leve. Cette reconstruction est associe une surface moins anisotrope [LaBella 00] qui favorise la formation dlots plus isotropes.
145
(b) Une prparation de spcifique de la surface dAlInAs avant la croissance des lots. Un traitement adquat peut modifier la surface du buffer et modifier son anisotropie en gnrant, par exemple, une dmixion dalliage [Mendona 98]. La corrugation induite peut agir sur la nuclation et la croissance des lots ainsi que sur la cintique de surface pour favoriser la fabrication dlots plus isotropes. Nous avons expriment ces deux ides, fructueuses pour les lots dInAs/AlInAs, au cas des lots dInAs/InP pour rduire leur allongement. Tout dabord, reprenant lide (a), des conditions de croissance diffrentes ont t adoptes pour altrer la reconstruction de surface de la couche dInAs pendant ltape 2D de la croissance. Comme dans le cas dAlInAs, une temprature de croissance des lots leve (520C) conduit une reconstruction [2*1] de lInAs, au lieu dune reconstruction [2*4] observe vers 500-510C. Cependant, sur InP, cette diffrence na pas donn lieu des morphologies finales diffrentes. Si une reconstruction [2*4] laisse escompter une morphologie anisotrope des lots, linverse, lobservation dune [2*1] ne conduit pas obligatoirement des lots isotropes. Deuximement, InP nest pas un ternaire et son anisotropie de surface ne peut tre modifie via de la dmixion dalliage comme pour AlInAs (ide (b). Une prparation alternative de la surface dInP, comme un maintien sous As haute temprature (520C), ne conduit pas rendre les lots dInAs plus isotropes. Les modifications apportes nont donc pas contr la tendance cintique du systme InAs/InP(001) produire des lots allongs selon [1-10].
VI.1.2. Utilisation de substrats dsorients La cintique de surface est fortement affecte par le type de marches (A ou B) mises en jeu et leur densit respectives. La distribution des marches peut tre modifie par les reconstructions de surface ou la morphologie du buffer, mais de faon apparemment insuffisante pour changer la forme des lots InAs/InP. Elle peut galement tre change en utilisant des substrats vicinaux. Ces substrats rsultent dune dsorientation du plan de coupe par rapport au plan (001) adopt pour un substrat nominal. Deux paramtres caractrisent un substrat vicinal : le choix du plan de coupe et linclinaison associe. Nous avons expriment deux types de substrats dsorients. Des susbstrats 2F, dsorients de 2 selon la direction [110], favorisent la prsence de marches de type A, parallles [1-10]. Des substrats 2B, dsorients de 2
146
selon la direction [100] favorisent les deux types de marches A et B, parallles [1-10] et [110]. Les diffrences essentielles entre substrats vicinaux et nominal rsident dans la taille, forme et rpartition des lots fabriqus [Mendona 98]. Les images AFM de la figure 4.17 montrent la morphologie des lots fabriqus avec les mmes conditions de croissance sur les trois types de substrats. Des lots de forme filaire, plus allongs que sur nominal, sont favoriss sur des substrats 2F tandis que des lots plus isotropes sont obtenus sur des substrats 2B. Les images AFM sont corrles des mesures de polarisation de PL qui confirment les diffrences morphologiques releves [Salem 01].
(a)
(b)
(c)
Figure 4.17- Images AFM dlots InAs/InP(001) fabriqus sur substrat 2F (a), nominal (b) et 2B (c).
Une mthode plus radicale pour changer la forme des lots consiste utiliser des substrats de haut indice. Le profil microscopique de la surface peut ainsi tre modifi, et par consquent lnergie de reconstruction de la surface, les marches et le factage mais aussi les cintiques dadsorption, migration et dsorption. Comme ces caractristiques dterminent les mcanismes de relaxation de la contrainte, lutilisation de substrats de haut indice permet de changer la taille, forme et arrangement des lots [Li 99-3]. InP(113)B fournit par exemple un concurrent InP(001) frquemment utilis. Le mcanisme de formation des nanostructures sur InP(113)B sappuie sur une nergie de surface diffrente. La barrire dnergie lie la transition 2D/3D surmonter pour crer un lot stable dfinit un volume critique de formation de ce dernier. Dune part, lnergie de surface de InP(113)B est plus grande que celle dInP(001). Dautre part, les facettes des lots forms sur de tels substrat ont galement une nergie plus basse. Il en rsulte un cot en nergie de surface li la formation dun lot infrieur sur (113)B par rapport (001). InP(113)B conduit ainsi la formation dlots plus
147
petits et plus isotropes que sur InP(001), avec une densit galement leve (5.1010 cm-2) [Frchengues 99-1 et 99-2]. Enfin, si des lots isotropes sont avantageux en termes de sparation de leurs niveaux dnergie, la rduction de la dispersion en nergie savre dlicat. En effet, des fluctuations sur des dimensions faibles sont responsables de variations plus leves des nergies des lots associs. Ainsi, la population dlots plus isotropes fabriqus sur 2B montre une LMH de PL caractristique de la dispersion en taille, systmatiquement plus leve que la population dlots obtenus dans les mmes conditions sur nominal ou 2F [Salem 01]. Cest la raison pour laquelle nous avons davantage exploit les btonnets quantiques fabriqus sur nominal.
VI.2
Mise profit dune encapsulation des lots en double cap
La procdure dencapsulation adopte jusqu prsent seffectue pratiquement sans interruption de croissance aprs lpitaxie des lots dInAs. Mme si la temprature est rapidement diminue de 520/510C 480C pendant la croissance du cap dInP, la barrire se trouve partiellement fabrique temprature leve. Les mesures de PL (paulement basse T et tenue en T) ont rvl linfluence ngative de la couche dInP ainsi fabrique. VI.2.1. Principe du double cap Une procdure de croissance un peu diffrente a t mise au point. Cette technique est inspire de la mthode double cap exploite sur InAs/InP(113)B par lquipe de lINSA de Rennes [Paranthoen 01]. Elle a t galement exprimente dans le systme InAs/GaAs par le biais de lindium flush technique [Wasilewski 99, Fafard 99]. Le principe illustr sur la figure 4.18 sappuie sur une encapsulation en deux tapes : les lots dInAs sont recouverts par un premier cap dInP (cap n1) de faible paisseur (b) un recuit sous phosphore est effectu pendant 2 minutes durant lesquelles des changes As/P ont lieu. Les plus gros lots non protgs par le cap fin dInP sont rods (c). Le deuxime cap dInP (cap n2) est alors dpos pour encapsuler dfinitivement les lots (d). Le mcanisme est en ralit sans doute plus complexe. Outre le recuit sous P, la croissance du cap dInP est susceptible daffecter les proprits et la forme des lots. Ainsi, une redistribution de matire ds le dbut de lencapsulation est probable et suffisante pour initier un rarrangement des lots [Wasilewski 99]. Avec une forte mobilit des lments III et une
148
croissance du cap trs lente, lencapsulation pourrait mme suffire pour modifier progressivement les lots, sans recours un recuit supplmentaire.
Figure 4.18- Mcanismes schmatiques intervenant au cours des diffrentes tapes du procd de croissance en double cap : croissance dlots InAs (a), dpt dune fine couche dInP (b), recuit sous P (c), croissance du deuxime cap dInP (d). Source [Paranthoen 01]
Cette procdure prsente certains avantages pour la croissance des lots InAs/InP(001) : Lajustement de lpaisseur du premier cap dInP devrait garantir le contrle de la dimension finale des lots, donc de la longueur donde dmission associe. Un phnomne dhomognisation est galement escompt par ce biais. Le recuit de 2 minutes, suffisant pour rduire la temprature de croissance, devrait permettre de limiter la croissance dInP haute temprature au seul cap n1 trs fin. Cependant, la procdure pche par le principe mme qui sous tend son intrt. Si les changes As/P pendant le recuit conduisent un aplanissement de la surface, bnfique lhomognisation des lots, la formation de 2 MC dInAsP linterface InAs/InP est galement estime exprimentalement [Paranthoen 01]. Du point de vue de la localisation des porteurs, leffet est sans doute ngatif puisque des interfaces moins abruptes sont fabriques. Le confinement temprature ambiante pourrait tre moins bon mais compens par leffet positif de la rduction des dfauts dans lInP fabriqu plus basse temprature. VI.2.2. Erosion des lots & contrle de la longueur donde dmission La procdure double cap a t adapte pour tenir compte des spcificits du systme InAs/InP(001). En particulier, le caractre plat des lots nous a pouss choisir des paisseurs de cap n1 assez faibles, entre 10 et 18 . Les conditions de croissance dInP sont communes aux caps n1 et n2 : la vitesse de croissance est identique celle des lots et la pression de phosphore est de 4.10-6 T, conserve galement pour le recuit intermdiaire de 2 min sous P.
149
12
0.9
Energie (eV)
0.8
0.7
Intensit PL (u.a.)
10 8 6 4 2
T=300K vc~0.25 m/h

cap n1 18 12 (300K) 1651 nm 1617 nm 1568 nm LMH 58 meV 61 meV 61 meV
0 1200
1400
1600
1800
2000

Figure 4.19- Spectres de PL 300K des lots InAs/InP(001) fabriqus en simple cap (noir) ou en double cap avec un cap 1 de 18 (bleu) ou 12 (rouge).
La figure 4.19 montre leffet du double cap sur la PL 300K des lots InAs/InP(001) fabriqus avec les conditions de croissance mises au point prcdemment (510C, PAs=2.10-6 T, eInAs~12 et vc~0.25 m/h). Par rapport au simple cap (noir), la rduction de la longueur donde moyenne indique leffet drosion des lots par une encapsulation en double cap. La persistance de la PL des lots fabriqus en double cap met en vidence le rle de protection du cap n1, puisquun recuit de 2 minutes des lots sous phosphore suffit dtruire les lots dInAs. De plus, les intensits de PL 300K sont quivalentes : linterface moins abrupte ne semble pas affecter le rendement de la PL temprature ambiante. La longueur donde finale des lots diminue galement avec lpaisseur du cap n1, suggrant la possibilit dun contrle de lnergie avec cette mthode. La plage de variation de cette paisseur reste toutefois restreinte : trop paisse, elle naurait aucune influence sur la taille des lots, et trop fine, elle ne les protgerait plus du tout. En de dune certaine paisseur, la rduction de la longueur donde des lots fait place une dgradation de luniformit. Ainsi, la figure 4.20 montre que des caps dInP de 9.8 et 8.6 conduisent des nergies dmission des lots trs proches. Il doit vraisemblablement exister une paisseur de cap n1 optimale qui conserve luniformit des lots : dans notre cas, elle est proche de lpaisseur nominale dInAs dpose. Dautre part, linitiation du rarrangement de la matire ds lencapsulation explique le fait que la procdure double cap ne soit pas indpendante de la vitesse de croissance
150
adopte13. Ainsi, vers 0.25 m/h, ces changes ninduisent pas de dgradation de la LMH (figure 4.19) tandis qu une vitesse lgrement plus faible, de ~0.2 m/h, la LMH est lgrement suprieure (~70 meV) celle du plan dlots simple cap (63 meV), pour des paramtres de croissance identiques par ailleurs (T=510C, PAs=2.10-6 T, eInAs ~12 ) (cf. figure 4.20)14.
Energie (eV)
1 0.9 0.8 0.7
Intensit PL normalise
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 1000
T=300K vc~0.2 m/h
Cap n1 (300K) 1624 nm 11.5 1603 nm 9.8 1555 nm 8.6 1560 nm
LMH 63 meV 71 meV 68 meV 69 meV
1200
1400
1600
1800
2000

Figure 4.20 : Spectres de PL des lots InAs/InP(001) fabriqus en simple cap (noir pointills) ou en double cap avec un cap n1 de 11.5 (rouge), 9.8 (bleu) et 8.6 (vert).
Pour un contrle de la longueur donde sur une gamme tendue, nous avons opt pour la variation du couple (eInAs, ecap n1), en supposant que pour chaque eInAs dpose, il existait une paisseur de cap n1 adapte, conduisant une dispersion en taille faible (cf. Tableau 4.4). eInAs 13 13 11 11 Cap n1 11 9.6 (300K) 1627 nm 1583 nm 1547 nm 1521 nm LMH 60 meV 60 meV 65 meV 62 meV
Tableau 4.4- Couples (eInAs, ecap n1) adopts pour contrler la longueur donde dmission sans dgrader luniformit des lots (vitesse de croissance : ~0.25 m/h)
Cette matrise de la longueur donde reprsente un point particulirement intressant. En effet, le contrle de lnergie dmission des lots pendant leur formation, partir des paramtres de croissance (eInAs, Tc, PAs) sest avr relativement complexe compte tenu de leur interdpendance et des effets dalliage. Surtout, leur niveau daction saccompagne gnralement dun effet conjoint souvent ngatif sur la dispersion en taille des lots forms.
13
La temprature et la vitesse de croissance du cap dInP ont galement une influence vraisemblable dans la procdure double cap, par le biais de lintensit des changes As/P. 14 On peut penser que cette diffrence nest pas seulement un effet de vc, mais aussi du rapport de flux V/III.
151
La procdure double cap offre donc une alternative avantageuse. Associe lajustement de lpaisseur dInAs dpose, elle permet un contrle optimal de la longueur donde sur une plage relativement large, en conservant luniformit des lots.
VI.2.3. Caractrisations optiques Un plan dlots InAs/InP(001) est fabriqu par la procdure double cap (eInAs=13 , ecap n1 =13 ) pour viser une mission proche de 1.5 m (ep1069). Son spectre de PL 8K est compar celui du plan dlots (EP859) tudi dans la section prcdente, en simple cap (figure 4.21).
4.0x10
9
1600
1500
1400
1300
1600

1500 1400
1300
3.5x109
Intensit PL (u.a.)
3.0x109 2.5x109 2.0x109 1.5x109 1.0x109 5.0x108 0.0
T=8K Laser Ar P=0.28mW
4x1012
3x1012
T=8K Laser Ar P=280 mW
2x1012
1x1012
0.75
0.80
Energie (eV)
(a)
0.85
0.90
0.95
1.00
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
Energie (eV)
(b) Figure 4.21- Spectres de PL 8K faible (a) et forte excitation (b) pour un plan dlots InAs/InP(001) simple cap (noir) et double cap (rouge).
Tout dabord, lobservation des spectres faible [Figure 4.21(a)] ou forte excitation [Figure 4.21(b)] indique que le plan dlots double cap (DC), prsente un comportement analogue la structure simple cap (SC). En particulier, plusieurs composantes bien rsolues sont visibles et la composante de faible nergie sature forte puissance au profit des composantes dnergie plus leve. Ces lments suggrent, comme pour la structure SC, la prsence de niveaux excits pour le plan dlots DC, confirm par des mesures de PLE supplmentaires. La signature de confinement quantique semble donc conserve par la procdure. La comparaison directe des spectres SC et DC montre des LMH analogues [Figure 4.21(a)]. Pourtant lintrt de cette procdure, telle quelle est souvent prsente, rside dans luniformisation des lots. Une rduction de la LMH assez importante a t observe par ses adeptes : de 67 38 meV pour les lots InAs/GaAs [Wasilewski 99] et de 70 50 meV pour les lots dInAs/InP(113)B [Paranthoen 01]. Le bnfice avr de lhomognisation des lots dans ces deux systmes repose essentiellement sur la modification de la forme des lots.
152
Initialement dmes ou lentilles, les lots modifis par cette mthode dencapsulation prsentent une forme finalement plate. La procdure semble affecter essentiellement la hauteur et moins les dimensions latrales. Or, dans le systme InAs/InP(001), la hauteur des lots, naturellement plats, est fixe par un nombre entier de monocouches. Cela explique que le bnfice du double cap associ la modification de la forme se trouve assez rduit dans ce systme. Sur la figure 4.21(a), les diffrents niveaux sont peu prs superposables mis part lpaulement faible nergie pour les lots SC. Cette composante qui avait t attribue un pic de dfaut, semble donc annihile par la procdure DC, suggrant une amlioration de la qualit de la barrire. En conclusion, la procdure DC permet : la conservation des proprits dj satisfaisantes des lots SC : uniformit, confinement quantique des porteurs, rendement de PL lev malgr des interfaces sans doute moins abruptes, un contrle de lnergie dmission en ajustant le couple (eInAs, ecap n1), la disparition de certains dfauts prsents dans la barrire InP. Enfin, la procdure DC apparat prometteuse pour la ralisation de structures empiles qui prsentent un nombre de plans dlots et donc de barrires plus importants.
VI.3
Empilements
VI.3.1. Vers lauto-organisation verticale Aprs avoir recouvert les lots contraints dune couche de matriau barrire, un nouveau plan dlots peut tre initi. La rptition dun tel cycle de dposition rsulte alors en une structure tridimensionnelle dlots quantiques. De tels empilements de nanostructures ont t raliss et tudis par diffrents groupes dans le systme InAs/InP avec des espaceurs dInP [Alen 02 ; Gutirrez 03 ; Mu 02] ou dun autre alliage [Brault 00-2 ; Wu 00 ; Li 00]. Deux types dempilements peuvent tre distingus, en fonction de lpaisseur despaceur, faible (<10 nm) ou forte (>10 nm), sparant les diffrents plans. Lapprciation faible ou forte relative lpaisseur de lespaceur entre les plans dpend bien entendu de la contrainte et du dsaccord de maille mis en jeu dans le systme de matriaux utilis. Dans le systme InAs/InP, la valeur de cette frontire est assez faible, en raison de la dissipation rapide des effets du champ de dformation dans la direction verticale.
153
Dans le premier cas, lorsque la couche despaceur est mince, les lots des plans successifs montrent une tendance sauto-organiser verticalement induisant gnralement une rduction de la dispersion en taille des lots. De tels empilements ont ainsi permis damliorer la distribution en taille des lots et de contrler leur arrangement spatial. Le mcanisme mis en jeu est laction ( travers lespaceur) du champ de contrainte induit par les lots enterrs du plan infrieur au plan suprieur. Ce champ de contrainte gnre des sites prfrentiels de nuclation des lots dans le plan suprieur dInAs, qui correspondent des minima locaux du dsaccord de maille entre lespaceur et la couche dInAs. Il sagit souvent des points situs la verticale des sommets des lots enterrs. Pour les lots symtriques, ces sites concident avec les centres des lots enterrs, de sorte quune croissance verticale en corrlation est alors gnre [Guttirrez 03]. Un espaceur mince (5 nm) permet galement de bnficier, par cette voie, dun phnomne de filtrage des dimensions finales des lots, garantissant une meilleure uniformit de lensemble des lots contenus dans le rseau 3D [Alen 02 ; Gutirrez 03]. Cependant, si un espaceur fin permet de bnficier dun phnomne dauto-organisation verticale relativement efficace, il donne souvent lieu un couplage lectronique entre les lots verticalement proches. Ceux-ci se comportent alors globalement comme des fils orients suivant la direction de croissance. Ce comportement nest pas dsirable dans le cadre de lapplication laser BQ souhaite ici. Par consquent, on cherchera sen affranchir. Au contraire de ces mcanismes, un espaceur plus pais (~13 nm) produit une famille dlots inhomognes et dont les positions ne sont pas corrles verticalement [Alen 02]. De plus, une augmentation progressive de la taille des lots de plan en plan a t souvent observe, qui largit considrablement le spectre de PL par rapport la structure simple plan. Il reste que ces structures nengendrent pas de couplage lectronique indsirable entre les lots des diffrents plans. VI.3.2. Epaisseur despaceur dInP Ltude des structures empiles mene ici reste assez succincte. La premire tude concerne linfluence de lpaisseur despaceur dInP entre les plans dlots successifs. La comparaison des spectres de PL 10K [figure 4.22(a)] ou des caractristiques de PL releves 300K [figure 4.22(b)] montre plusieurs tendances. Tout dabord, une faible paisseur despaceur (5 nm) se traduit par une augmentation de la longueur donde moyenne (rduction de lnergie) caractristique dun couplage vertical entre les lots. Le spectre correspondant est galement lgrement largi. Un filtrage des dimensions des lots de plan en plan, comme cela avait pu
154
tre observ par ailleurs [Gutierrez 03], napparat donc pas ici. Ensuite, un espacement plus grand entre les plans se traduit par une rduction (augmentation) de la longueur donde (nergie) dmission, qui se rapproche de celle caractrisant la structure un plan. Contrairement nos attentes, la longueur donde de la structure 5 plans fortement espacs (25 nm), est infrieure celle de la structure un plan [Figure 4.22(b)]. En labsence de couplage entre les diffrents plans, un spectre de PL analogue la structure simple plan tait plutt escompt. La diffrence de procdure dencapsulation, entirement effectue haute temprature (510C) pour les structures empiles, pourrait expliquer cet cart. Le procd dencapsulation lui-mme affecte en effet la structure des lots [Wasilewski 99]. Labsence dimage TEM empche toutefois de vrifier cette hypothse. Enfin, quelle que soit lpaisseur despaceur adopte, la largeur mi-hauteur (LMH) du spectre de PL des structures 5 plans savre suprieure la LMH du spectre dun seul plan dlots quantiques [Figure 4.22(b)]. Toutefois, en espaant suffisamment les plans, cette augmentation peut tre limite.
1700
1600
(nm)
1500
1400
1300
1.0
0.8
1640 1620 1600 1580 1560 0 5 10 15 20 25
75 70 65 60
0.6
0.4
0.2
Epaisseur d'espaceur en nm
0.0
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
(b) (a) Figure 4.22- Spectres de PL (a) 9K des structures empiles 5 plans dlots dInAs/InP pour des paisseurs despaceur de 5 nm (rouge), 15 nm (vert) et 25 nm (bleu). La structure rfrence un plan est reprsente en noir. Source LPM-INSA Lyon. (b) Courbes prsentant la longueur donde dmission au pic et la largeur mi-hauteur (LMH) du spectre de PL 300K en fonction de lpaisseur despaceur.
Energie (eV)
Le comportement de ces diffrentes structures empiles a galement t tudi en fonction de la temprature. Lvolution globale de leur spectre de PL, lorsque la temprature est augmente, semble indpendante de lpaisseur despaceur (cf. tableau 4.5). En particulier, le maintien de la PL en temprature est identique pour les trois structures empiles, de lordre de 30%, et correspond une valeur infrieure celle obtenue pour la structure 1 plan (50% cf. section V.4.3). Le dcalage de la longueur donde avec la temprature, de 0.23 meV/K, reste
LMH (meV)
1 plan spacer=5 nm spacer=15 nm spacer=25 nm
1700 1680 1660
empils T=9K
T=300K
85 80
155
du mme ordre de grandeur que celui exhib par la structure 1 plan, i.e. lgrement infrieure la variation thermique du gap. De plus, la LMH du spectre de PL nest pas rduite lorsque la temprature augmente (cf. tableau 4.5). Ces deux observations montrent quaucune composante du spectre (associe par exemple un plan particulier dlots) ne prdomine plus haute temprature. En dautres termes, cela signifie que les diffrents plans sont relativement bien isols lectroniquement les uns des autres [Li 00]. La structure faible paisseur despaceur (5 nm) montre nanmoins un dcalage plus faible, difficile interprter.
Spacer InP IPL(300K)/ I PL(15K) IPL(300K)/ I PL(15K) (pic) Epic/ T LMH 300K LMH 15K
5 nm (SC) 31% 20% -0.15 meV/K 89 meV 57 meV
15 nm (SC) 30% 18% -0.22 meV/K 76 meV 53 meV
25 nm (SC) 33% 22% -0.23 meV/K 74 meV 53 meV
Tableau 4.5- Caractristiques de PL pour des structures empiles 5 plans dIQ InAs/ InP/ InP(001) en fonction de lpaisseur de spacer, en simple cap (SC) : rapport de lintensit intgre de PL entre 15K et 300K, rapport de lintensit de PL au pic entre 15K et 300K, variation de lnergie du pic avec la temprature et largeurs mi-hauteur (LMH) des spectres de PL 300K et 15K.
Dans lobjectif de raliser un composant laser exploitant une structure active avec un fort gain, la maximisation du nombre dlots quantiques constitue un point important. Aussi, puisque lpaisseur de la structure contenant la zone active est limite 250 nm (membrane dpaisseur demi onde, cf chapitre 3 section IV.1.2.a), il sagit de rduire au maximum lespacement entre plans, afin daugmenter le nombre total de plans donc dlots. Toutefois, une paisseur aussi faible que 5 nm ne savre pas favorable en termes de comportement (couplage vertical) et de LMH (plus leve que les autres). Dans un souci de compromis entre nombre de plans et inhomognits des nanostructures, nous avons retenu une paisseur despaceur dInP gale 15 nm, suffisante pour garantir une isolation entre les lots des diffrents plans [Jeong 01].
VI.3.3. Structures empiles en double cap Les structures empiles prcdentes ont t ralises en faisant crotre successivement des plans dlots dInAs (conditions de croissance : Tc=510C, eInAs= 1.2 nm, PAs=2.10-6 T ) spars par des espaceurs dInP pitaxis haute temprature (510C). Cela pourrait expliquer la rduction de lintensit intgre de PL entre 15K et 300K, qui apparat plus forte
156
que celle de la structure simple plan de btonnets quantiques tudie dans la partie V.4. Lencapsulation double cap dans les structures empiles offre donc potentiellement deux avantages. Dune part, le contrle de la hauteur des lots par le biais de lpaisseur du cap n1 dInP permettrait de contrer la tendance naturelle, couramment observe15, de laugmentation de la hauteur des lots de plan en plan [Mu 02]. Ce phnomne se traduit en effet par une augmentation indsirable de la longueur donde moyenne associe aux diffrents plans et donc de la LMH globale du spectre exhib par les 5 plans. Wasilewski et coll. ont ainsi obtenu une uniformisation des lots dInAs/GaAs, en appliquant une procdure dencapsulation en double cap , qui supprimait cet effet [Wasilewski 99]. Dautre part, lencapsulation double cap permet de rduire la temprature de lchantillon pendant ltape de recuit, et donc de faire crotre les espaceurs dInP majoritairement 480C. Ce deuxime effet permettrait, comme cela a dj t voqu dans la section VI.2, de limiter la gnration de dfauts dans lInP proche des lots dInAs. Une telle structure empile, avec des espaceurs dInP de 15 nm dpaisseur, est caractrise par PL. La comparaison des spectres 300K associs aux deux couples (1 plan, 5 plans) pour les structures simple cap (SC) ou double cap (DC) (figure 4.23) permet davancer plusieurs remarques.
T=300 K 1 plan 5 plans/ 15 nm
12
Intensit PL (u.a.)
10 8 6 4 2 0 1200 1400 1600 1800 2000
DC SC
LMH (300K) 1 plan 5 plans
DC 61 meV 66 meV
SC 58 meV 76 meV

Figure 4.23- Spectres de PL 300K pour des structures en double cap (DC, rouge) et simple cap (SC, noir). Pour chaque type de structure SC et DC, un spectre correspondant 1 plan (pointills) et 5 plans (trait plein) espacs de 15 nm dInP sont reprsents. Les valeurs des largeurs mi-hauteur (LMH) associes sont prcises.
Llargissement de la PL caus par la multiplication du nombre de plans est suprieur pour les structures SC (58 76 meV), par rapport aux structures DC (61 66 meV). Lencapsulation
157
DC semble donc limiter la dispersion en taille des lots entre les diffrents plans, induite par lempilement. Ensuite, linverse de la structure empile SC, lintensit du pic de PL augmente avec le nombre de plans, lorsquils sont raliss en DC. Lobtention dun rendement radiatif suprieur pour la structure empile DC, par rapport son homologue SC, est ainsi suggre. Ltude de la PL en fonction de la temprature confirme ce dernier point (cf. figure 4.24).
1.00E+012
Intensite de PL (u.a.)
EP1107 P= 280 mW
ep1113
7.00E+012
P=280 mW
6.00E+012 5.00E+012 4.00E+012 3.00E+012
15 K
8.00E+011
SC
150 K
14 K
DC
150 K
6.00E+011
4.00E+011
230 K
2.00E+012
230 K
2.00E+011
300 K
1.00E+012 0.00E+000
0.00E+000
300 K 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95
0.70
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
Energie (eV)
Energie (eV)
(a) (b) Figure 4.24- Spectres de PL diffrentes tempratures entre 15K et 300K pour des structures empiles 5 plans dlots dInAs/InP en simple cap (a) et double cap (b). Source LPM-Insa Lyon.
Alors que le rapport des intensits intgres entre 300K et 15K tait de lordre de 30% pour les structures empiles SC, il est de ~ 45% pour la structure empile DC, proche du rapport prouv par la structure 1 plan de btonnets quantiques (cf. tableau 4.6).
Spacer InP IPL(300K)/ I PL(15K) IPL(300K)/ I PL(15K) (pic) Epic/ T
15 nm (SC) 30% 18% -0.22 meV/K
15 nm (DC) 44% 27% -0.22 meV/K
Tableau 4.6- Caractristiques de PL en fonction de la temprature pour les structures empiles 5 plans dIQ InAs/InP/InP(001) spares par 15 nm dInP en simple (SC) ou double (DC) cap : rapport de lintensit intgre de PL entre 15K et 300K, rapport de lintensit de PL au pic entre 15K et 300K et variation de lnergie du pic avec la temprature.
En conclusion, ladoption dune paisseur despaceur de 15 nm, couple une encapsulation en double cap permet de fabriquer des htrostructures avec un nombre total dlots important. De telles structures montrent, de plus, un fort rendement radiatif et une forte tenue
15
Mme si cette tendance nest pas observe ici, de nombreux groupes sappuyant sur des images TEM en coupe transverse de structures empiles ont montr ce phnomne de grossissement des lots de plan en plan.
158
de la PL avec la temprature. Elles suscitent donc un fort espoir quant leur aptitude gnrer de lmission stimule dans un microlaser temprature ambiante.
Cependant, un certain nombre dinterrogations relatives ces structures empiles restent en suspens, qui mriteraient des caractrisations supplmentaires. Ainsi, des caractrisations structurales (comme le TEM) permettraient dapprcier la morphologie et les dimensions de ces lots empils, et dvaluer linfluence de lempilement sur lventuelle organisation verticale des lots dInAs spars par 15 nm dInP. Dautre part, des caractrisations optiques supplmentaires permettraient destimer la structure lectronique des lots empils, ventuellement diffrente dune structure un plan dlots. En effet, les diffrentes composantes du spectre de PL des structures empiles prsentes plus haut ne peuvent pas, ce niveau dinterprtation, tre attribues rigoureusement des niveaux excits. Toutefois, on peut supposer que les proprits de la structure un plan (signature de confinement quantique par exemple) sont conserves dans un empilement dlots quantiques non coupls (lectroniquement) verticalement. De plus, ladoption de la procdure dencapsulation double cap devrait limiter fortement les drives des caractristiques (hauteurs dlots par exemple) des divers plans dlots. Ces raisons justifient lhypothse, effectue dans le chapitre 5, que la composante du spectre de PL, ct faibles longueurs donde, soit attribue un niveau excit.
159
VII.
CONCLUSION
Ltude mene sur la fabrication dlots quantiques dInAs/InP(001) par croissance autoorganise en EJM nous a permis doptimiser leurs conditions de croissance. Des nanostructures aux proprits attractives pour des applications laser ont ainsi t obtenues. Les lots fabriqus prsentent une signature de confinement quantique. Le phnomne de localisation des porteurs associ profite la forte tenue en temprature des proprits optiques. La densit de ces lots est leve dans le plan et leurs dfauts structuraux ainsi que dans leur voisinage sont limits. Associs la ralisation dempilement, la valeur du gain devrait tre renforce. Enfin, la dispersion en taille rduite de ces lots permet denvisager un maximum dmetteurs accords spectralement au mode optique de la cavit dans laquelle ils pourront tre insrs avantageusement. La matrise de leur nergie dmission par la procdure dencapsulation en double cap constitue galement un point particulirement intressant pour leur utilisation dans un laser. En termes de perspectives, il reste que la croissance auto-organise conduit une distribution alatoire des lots dans le plan. Or, certains composants (metteurs photon unique, transistor blocage de coulomb etc) ncessitent le positionnement dune ou plusieurs BQ des endroits dtermins. Si lauto-organisation semble se heurter une limite intrinsque, la croissance organise de BQ pourrait produire des lots plus homognes et dont la position serait mieux contrle. La combinaison de techniques de lithographie/ gravure avec linclusion dune couche contrainte ( stressor ) peut produire une surface structure dont la contrainte se trouve module latralement. Certaines ralisations de ce type, pour InAs/GaAs [Lee 00 ; Lee 02-3] et pour InAs/InP [Williams 01], se sont avres prometteuses. Une reprise dpitaxie sur de telles structures a conduit une croissance slective des BQ sur les msas dfinis. Ceux-ci constituent en effet des sites nergtiquement favorables la nuclation dlots, grce lajout artificiel de contrainte. Les dommages induits par la gravure semblent limits aprs la reprise en pitaxie [Lee 00]. Enfin, dans des conditions idales et des tailles de mesas faibles, un lot par mesa peut tre obtenu idalement [Lee 02-3].
- Chapitre 5 MICROLASERS A CRISTAUX PHOTONIQUES 2D & ILOTS QUANTIQUES
I. INTRODUCTION ........................................................................................................................................ 160 II. STRUCTURES RALISES .......................................................................................................................... 161 III. RSULTATS .......................................................................................................................................... 163 III.1 Microlasers Hn dots de multi-plans dlots quantiques ................................................................. 163 III.1.1. Microlasers H5 6 plans dIQ................................................................................................. 163 III.1.2. Microlaser H2 6 plans dIQ .................................................................................................. 164 III.1.3. Microlaser H5 5 plans dIQ .................................................................................................. 164 III.1.4. Conclusion & reprise du modle simplifi du chapitre 2 ........................................................ 165 III.2 Etude comparative en fonction de la nature du matriau actif ....................................................... 168 III.2.1. Microlasers H5 : puits, fils ou btonnets quantiques ? ............................................................ 168 III.2.2. Microlasers H2 : puits et btonnets quantiques ....................................................................... 170 IV. ANALYSE ............................................................................................................................................. 171 V. CONCLUSION............................................................................................................................................ 174
- Chapitre 5 - Microlasers cristaux photoniques 2D & lots quantiques
160
- Chapitre 5 Microlasers cristaux photoniques 2D & lots quantiques

I. INTRODUCTION
Le chapitre 3 a valid lutilisation des cristaux photoniques (CP) 2D reports sur SiO2/ Si pour la ralisation de microlasers, dots dun faible seuil et relativement robustes vis vis de lchauffement. Les multipuits quantiques utiliss pour ces tests constituent un matriau actif bien adapt, fort gain et dont la fabrication reste bien matrise. Lanalyse du fonctionnement dun laser CP 2D a fait cependant apparatre que les recombinaisons non radiatives de surface constituent une contribution essentielle du seuil laser. A cet gard, les botes quantiques pourraient apporter une solution avantageuse, en plus des proprits gnrales voques dans le chapitre 1 (stabilit en temprature, rduction du chirp et gain diffrentiel plus important). Par ailleurs, le chapitre 4 a montr quune optimisation de la croissance dlots quantiques dInAs/InP auto-organiss permet dobtenir des nanostructures prsentant une faible dispersion en taille et de bonnes caractristiques optiques (faible largissement inhomogne, maintien en temprature ). Des empilements de tels lots quantiques ont t raliss avec succs et offrent un rendement radiatif assez lev. Nous prsentons ici les rsultats issus de lassociation entre les lots quantiques dInAs/InP optimiss et les microcavits cristaux photoniques 2D. Ce chapitre constitue le point de jonction (tardif) entre deux tudes qui furent longtemps menes en parallle lors de ce travail de thse. La combinaison lots quantiques/ cristaux photoniques 2D sera ainsi valide pour la ralisation de microsources lasers. Les caractristiques de ces composants seront values, et leurs performances compares avec celles des microlasers multipuits quantiques tudis dans le chapitre 3. Enfin, des lments dexplication seront proposs pour interprter les rsultats de cette comparaison.
161
II.
STRUCTURES REALISEES
Les structures CP 2D ont t ralises suivant la mme mthode de fabrication que celle prsente dans le chapitre 3. La configuration verticale est la mme, obtenue aprs un report sur silicium [cf. figure 3.5(a)], et les structures ont uniquement t testes dans la configuration membrane/ SiO2/ Si. Lpaisseur de la membrane reste gale /2n (~250 nm) et seule sa constitution, en particulier la nature de la zone active au centre de la membrane, change. Le tableau 5.1 rsume les caractristiques des diffrents types de matriaux actifs lots quantiques (IQ) utiliss dans ce chapitre. Entre les trois structures, le nombre de plans dIQ (5 ou 6), ainsi que leur forme, varient. Lutilisation dun substrat nominal (ep1211 et ep1227) conduit en effet la formation dlots de type btonnets, comme ceux largement tudis dans le chapitre 4. Au contraire, lutilisation dun substrat dsorient de type 2F (ep1234) favorise la croissance dlots filaires (cf. section VI.1.2 du chapitre 4).
Structure (et substrat InP utilis) Ep1211 (nominal) Ep1234 (2F) Ep1227 (nominal) Nb de plans dIlots quantiques (IQ) InAs 6 plans 6 plans 5 plans Conditions de croissance des IQ InAs Tc=510C, PAs=2.10-6 T, vc=0.23 m/h, eInAs=1,1 nm Double cap Epaisseur dInP entre les plans 15 nm 15 nm 20 nm Caractristiques optiques 300K
=1530 nm, LMH=110 nm =1520 nm, LMH=120 nm =1500 nm, LMH=140 nm
Tableau 5.1- Diffrents types de zones actives utilises et leurs caractristiques optiques (longueur donde du pic de PL et largeur mi hauteur (LMH) du spectre de PL) 300K.
Lpaisseur despaceur dInP dans les empilements dIQ est de 15 nm ou 20 nm, en fonction du nombre de plans contenus dans la membrane. Elle reste suffisante pour viter un couplage lectronique vertical des nanostructures. Enfin, tous les plans dIQ sont raliss dans les conditions de croissance optimales mises en vidence dans le chapitre 4 et en adoptant la procdure double cap . Une rduction de la temprature de croissance (510480C) a t effectue aprs la croissance de chaque plan dIQ afin de limiter lpaisseur dInP, de mauvaise qualit, pitaxi haute temprature (cf section VI.3.3). Ces structures prsentent une longueur donde dmission voisine de 1520-1530 nm, avec des largeurs mi-hauteur (LMH) assez faibles, compares celle de la structure ep614 non optimise (240 nm), utilise dans le chapitre 3. La structure puits quantiques (PQ) servant de rfrence est ep791 (cf tableau 3.1) 4 PQ dInAsP contraints. Elle avait donn lieu aux
162
meilleurs rsultats de caractrisation des structures CP 2D sondes dans le chapitre 3. La figure 5.1 montre la comparaison des spectres de PL 300K des structures IQ ep1211 et ep1234F avec cette structure PQ. Pour cette dernire, la longueur donde est un peu plus basse, proche de 1500 nm, et la LMH du spectre de PL est plus faible : ~70 nm.
Intensit PL (u.a.)
ep791 ep1211 ep1234F
Figure 5.1- Comparaison des spectres de PL 300K des diffrentes zones actives : puits quantiques (ep791), et lots quantiques (ep1211 et ep1234F). Les spectres ont t raliss dans les mmes conditions, sur des rgions non processes des diffrentes membranes reportes sur silicium.
1300 1350 1400 1450 1500 1550 1600 1650

Une diffrence en termes dintensit du pic de PL et de LMH apparat en faveur des PQ, mais lordre de grandeur reste le mme, contrairement dautres structures IQ non optimises.
Par ailleurs, lobservation des spectres de PL associs aux plans dIQ (ep1211 et ep1234F) montre lexistence de deux composantes principales. Pour la structure ep1211, elles sont situes vers 1470 nm et 1530 nm. Deux hypothses peuvent tre faites. Dune part, il peut sagir de lmission provenant de plans dIQ mettant des longueurs donde diffrentes. Cependant, pourquoi lmission gnre par les 6 plans dIQ se rpartirait-elle principalement selon ces deux composantes ? De plus, lencapsulation double cap adopte vite a priori une drive ventuelle des dimensions des IQ de plan en plan. Dautre part, ces deux composantes pourraient tre issues de niveaux fondamental (1530 nm) et excit (1470 nm). Lcart (~50 nm) concide avec lintervalle spectral mesur entre niveaux excits et fondamental pour la structure 1 plan tudie dans le chapitre 4 (section V.4). Par consquent, cette deuxime hypothse sera retenue dans la suite du chapitre, et la composante vers 1470 nm sera attribue un niveau excit dIQ. La composante vers 1530 nm, relative au niveau fondamental associ, prsente une LMH, caractristique de la dispersion en taille des IQ de lordre de 90 nm (~100 nm pour ep1227). Sur de telles htrostructures, des CP 2D triangulaires sont raliss, avec une priode proche de 500 nm et un facteur de remplissage compris entre 30 et 50%. Les microcavits usines sont des Hn de diamtre gal 2 et 5 m, respectivement H2 et H5.
163
III.
RESULTATS
Les rsultats prsents ici sont issus de caractrisation par PL diffracte temprature ambiante, dont le principe est prsent dans le chapitre 3, section III.4. Le pompage optique est puls pour limiter lchauffement, avec un rapport cyclique Rc de 15%, et une dure de pulse denviron 20 ns (section V.2.2 du chapitre 3).
III.1
Microlasers Hn dots de multi-plans dlots quantiques
III.1.1. Microlasers H5 6 plans dIQ Des microcavits H5 ont donn lieu un effet laser avec une zone active comprenant 6 plans dIQ (ep1211). Les caractristiques sont prsentes sur la figure 5.2. Les seuils laser relevs pour diffrentes structures H5 se situent entre 0.6 mW [plus faible seuil obtenu, cf. figure 5.2(a)] et 1 mW de puissance effective [figure 5.2(b)].
ILaser (u.a.) 200 150 1537 nm 2 100 50 Peff 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
1.7 mW
ILaser (u.a.) 400 1494 nm 300 200 100 Peff 0 0.5 1.0 1.5 2.0
1.7 mW
IPL (u.a.)
IPL (u.a.)
0.3 mW
0.3 mW
-2
-5
1350
1400
1450 (a)
1500
1550
1600
1300
1350
1400
1450
(b)
1500
1550
1600
Figure 5.2- Caractristiques de microlasers H5 6 plans dIQ (ep1211) pour une priode de CP 2D de 510 nm (a) et 530 nm (b). Les courbes caractristiques de lintensit du pic laser (I laser) en fonction de la puissance effective (Peff) en mW sont ajoutes en insert.
La pente de la courbe caractristique (ILaser, Peff) au del du seuil est assez leve. Toutefois, la figure 5.2(a) montre la persistance dun deuxime mode plus haute longueur donde, qui rduit vraisemblablement le gain diffrentiel accessible. A linverse, la courbe de la figure 5.2(b), associe un composant qui prsente un seul mode laser, montre un gain diffrentiel suprieur.
164
La longueur donde de lmission laser de la figure 5.2(a), 1537 nm, est proche de la longueur donde du maximum dmission de la structure IQ seule (1re composante centre sur 1530 nm). Cela suggre que lmission stimule est procure par la transition fondamentale des IQ. III.1.2. Microlaser H2 6 plans dIQ Un effet laser est galement mis en vidence pour une cavit H2 de dimensions plus faibles. Les caractristiques dune des meilleures structures H2, parmi les diverses cavits sondes, sont prsentes sur la figure 5.3. Le seuil laser, de 0.9 mW, est lgrement plus lev que celui de la structure H5 prcdente, tandis que la pente de la courbe caractristique (Ilaser, Peff), au del du seuil, est deux fois moins leve. Ici encore, la longueur donde du laser, 1539 nm, suggre une opration laser porte par la transition fondamentale des IQ. Un effet laser bimodal , visible sur la figure 5.3, peut galement tre soulign. Il indique la difficult injecter des photons dans un seul mode. Cet aspect sera discut plus en dtails dans la partie IV.
ILaser (u.a.) 60 1539 nm
1.7 mW
6 4
40 20
Peff 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
2 0
IPL (u.a.)
Q~1000
0.3 mW -2
-4 -6
Figure 5.3- Caractristiques dun microlaser H2 6 plans dIQ (ep1211). Les spectres en missions spontane et stimule sont prsents. La courbe caractristique de lintensit du pic laser (Ilaser) en fonction de la puissance effective (Peff) en mW est ajoute en insert.
1350
1400
1450
1500
1550
1600
III.1.3. Microlaser H5 5 plans dIQ Si les rsultats prcdents mettent en uvre six plans dIQ, un phnomne dmission stimule est galement visible lorsque le nombre de plans est rduit cinq (ep1227). Les caractristiques dune cavit H5, dote de cette zone active, sont prsentes sur la figure 5.4. Le seuil laser, 0.9 mW, est lgrement plus lev que celui du microlaser H5 prcdent 6 plans dIQ, tandis que la pente de la courbe caractristique (Ilaser, Peff) est deux fois plus faible. De plus, cette courbe caractristique montre un dbut de saturation de lintensit de PL forte
165
puissance dexcitation. Enfin, la longueur donde du laser, 1454 nm, suggre que leffet laser est soutenu par un niveau excit.
ILaser (u.a.) 50 40 1454 nm 30 20 10 Peff 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
1.7 mW
IPL (u.a.)
0.7 mW
-2
Figure 5.4- Spectres en missions spontane et stimule dun microlaser H5 pour une zone active constitue de 5 plans dIQ (ep1227). La courbe caractristique de lintensit du pic laser (ILaser) en fonction de la puissance effective (Peff) en mW est ajoute en insert.
-4
-6
1300
1350
1400
1450
1500
1550
1600

III.1.4. Conclusion & reprise du modle simplifi du chapitre 2 Les caractristiques (seuil et pente de la courbe (Ilaser, Peff) au del du seuil) de ces diffrentes structures lasers sont rsumes dans le tableau 5.2. Certes, les diffrences de seuil laser ne sont pas trs marques. Cependant, la statistique des caractristiques mesures sur les diverses structures sondes confirme la tendance illustre par ces valeurs : le seuil (la pente) est abaiss (augmente) lorsque le nombre dIQ dans la cavit est augment. Il apparat donc un intrt accrotre le nombre dIQ dans le composant, en augmentant le nombre de plans empils ou en exploitant une cavit de plus grande taille. H5 (6 plans IQ) 0.6 mW 150 u.a./mW H2 (6 plans IQ) 0.9 mW 75 u.a./mW H5 (5 plans IQ) 0.9 mW 80 u.a./mW
Seuil laser (Peff) Pente au del du seuil
Tableau 5.2- Rcapitulatif des caractristiques des lasers CP 2D et IQ tests 300K, en puls (Rc=15%, dure de pulse ~20 ns).
Cette conclusion rejoint dailleurs celles du chapitre 2. Une microcavit doit disposer dun nombre important dmetteurs (accords au mode) pour dmontrer un effet laser.
Toutefois, la comparaison brute de ces valeurs reste dlicate. En effet, des modes diffrents sont impliqus dans les diverses structures laser tandis que leur mission stimule est issue de transitions dIQ sur des niveaux ventuellement diffrents (fondamental ou excit).
166
Entre les deux cavits H5, prsentant la mme rpartition de modes, le nombre dIQ peut tre rendu directement responsable de la diffrence de seuil mesure. De plus, lobtention dun effet laser sur un niveau excit avec les 5 plans dIQ semble confirmer une pnurie dIQ dans la cavit, empchant de gnrer une amplification laser partir du niveau fondamental. Concernant la comparaison des cavits H2 et H5, elles diffrent par leur nombre de modes (donc facteur de couplage lmission spontane), leur facteur de qualit, et leur nombre dIQ. La rduction du seuil entre la cavit H2 et H5 peut donc sexpliquer par laugmentation du facteur de qualit du mode, ou par laugmentation du nombre dIQ dans la cavit. Dans tous les cas, laugmentation du nombre de modes dans une cavit H5, donc rduction du couplage de lmission spontane ne suffit pas compenser la baisse du seuil induite par les effets prcdents. Le modle trs simplifi du chapitre 2 permet dintgrer les diffrences releves entre les trois types de structures, en termes de nombre de modes, facteur de qualit et nombre dIQ. Pour faire le lien avec ce modle, la densit surfacique dIQ est estime 750 /m2, et le pourcentage dIQ utiles est valu, de faon trs approximative, comme le rapport de llargissement homogne dun IQ (~15 nm 300K) et de llargissement inhomogne de lensemble des IQ (~90 nm pour la structure 6 plans et 100 nm pour la structure 5 plans). En effet, 300K et pour les modes haut facteur de qualit (>1000) mis en jeu dans les cavits laser H2 et H5, la largeur homogne dun IQ est bien suprieure la largeur spectrale du mode, do cette estimation du pourcentage dIQ utiles (cf. chapitre 2, section III.1). La dure de vie radiative spont est estime environ 1 ns. Le couplage de lmission spontane des IQ utiles au mode dintrt est considr trs approximativement comme gal 0.1 pour une cavit H5 forte densit de modes, et 0.75 pour une cavit H2, faible densit de modes. Cette approximation tient compte du nombre de modes inclus dans un intervalle de largeur spectrale concidant avec llargissement homogne dun IQ. Nous avions montr quil existait un nombre de BQ minimum, ncessaires lobtention dun effet laser (chapitre 2, section II.3.2). Le tableau 5.3 rsume les valeurs correspondant au nombre dIQ utiles disponibles dans les trois structures sondes (H5 5 et 6 plans dIQ, et H2 6 plans), ainsi que le nombre de BQ utiles thoriquement ncessaire pour obtenir leffet laser. Bien que trs simplifis, ces calculs montrent que les trois structures sont capables de soutenir un effet laser (Nu>Numin). Toutefois, la condition plus svre (Nu>*sp), ncessaire pour viter la saturation rapide des IQ impliqus dans leffet laser montre que la structure H5 5 plans dIQ est plus limite que les autres. Cette conclusion rejoindrait lobservation dun effet laser avec cette structure, partir dun niveau excit.
167
Surface Nombre total dlots dans la cavit Nu : nombre dlots utiles (%) Q sp=spont* Numin=sp/2 sp/ (/Nu)
H5/ 6 plans ~ 18 m2 81 000
H2/ 6 plans ~3 m2 14 000
H5/ 5 plans ~18 m2 68 000
14 000 (~17%) ~1500 0.1 ~840 4200 8400 (60%)
2 400 (~17%) ~1000 0.75 ~1260 840 1700 (70%)
10 000 (~15%) ~1500 0.1 ~840 4200 8400 (85%)
Tableau 5.3- Estimation des diffrents termes du modle simplifi du chapitre 2, pour les cas exprimentaux envisags ici, savoir une cavit H5 6 plans dIQ, une cavit H2 6 plans dIQ et une cavit H5 5 plans dIQ.
Lestimation thorique du seuil avec le modle du chapitre 2 nest pas trs pertinente dans la mesure o un certain nombre de paramtres du modle (taux de RNR dans lInP, facteurs rels, rendement radiatif) ne sont pas connus exprimentalement avec exactitude. Toutefois, des courbes caractristiques (nombre de photons versus la puissance dexcitation) issues du modle simplifi pour les cavits H5 et H2 exploitant la mme htrostructure 6 plans dIQ peuvent tre traces, comme sur la figure 5.5. Les seuils produits sont du mme ordre de grandeur. De plus, la comparaison des allures de ces courbes montre sans ambigut que le gain diffrentiel (au del du seuil laser), moins sensible aux diffrents paramtres incertains, est plus important dans le cas dune cavit H5, dot dun nombre plus important dIQ (cf. figure 5.5). Cette tendance nest dailleurs pas compense par la forte diffrence de facteurs de couplage de lmission spontane, en faveur de H2, considre dans ces tracs. De plus, les valeurs de Q assez proches, prises en compte pour les cavits H2 et H5, permet daffecter laugmentation du gain diffrentiel vritablement au nombre dIQ plus grand1.
Les courbes exprimentales [figure 5.5 (b)] reprsentent la variation de lintensit de PL, proportionnelle au nombre de photons dans la cavit. Cependant, le facteur de proportionnalit dpend du Q du mode. La petite diffrence incluse dans le calcul entre les deux cavits H5 (Q=1500) et H2 (Q=1000) devrait donc lgrement rduire la diffrence de pentes des courbes de la figure 5.5 (a), si elles taient exprimes en intensit de PL.

Nombre de photons dans la cavit
168
200
Intensit PL (u.a.)
H2 (1539 nm) H5 (1537 nm)
150
100
50
0 1 2 3 4 5 6
Pexc (mW) (a)
Puissance incidente (mW)

(b)
Figure 5.5- Courbes caractristiques de laser calcules (a) partir du modle simplifi du chapitre 2, pour une cavit H5 (rouge) et H2 (bleu) possdant les caractristiques indiques dans le tableau 5.3. Les courbes exprimentales obtenues pour les cavits laser H2 (bleu) et H5 (rouge) sont galement illustres (b). Le nombre de plans dIQ est 6 pour toutes ces courbes. Le calcul considre galement un rendement radiatif de 0.2%, et une dure de vie non radiative dans lInP de 0,5.10 -5s.
En conclusion, des structures empiles dIQ optimises ont permis la dmonstration dun effet laser temprature ambiante sur des cavits CP 2D de 2 et 5 m de diamtre. Ces structures actives prsentent donc un gain suffisant pour compenser les pertes optiques des microcavits CP 2D. La tendance mise en vidence est une amlioration des performances lorsque le nombre total dIQ est augment dans la cavit (6 plans au lieu de 5, et cavit H5 au lieu de H2). Yoshie et coll. avaient dailleurs observ ce phnomne dans le cas de cavits H1 couples fonctionnant avec des BQ dInAs/GaAs. Une augmentation de la surface de la cavit, en couplant plusieurs H1, tait ncessaire afin de fournir un nombre de BQ suffisant pour exhiber un effet laser [Yoshie 02]. Une cavit H1 seule navait en effet pas produit dmission laser. Maintenant que lassociation IQ/CP 2D est valide pour raliser un microlaser, il sagit de mettre en vidence les avantages ventuels apports par rapport lutilisation dautres milieux metteurs, comme les puits quantiques. Une comparaison de leurs caractristiques respectives a t effectue dans ce sens.
III.2
Etude comparative en fonction de la nature du matriau actif
III.2.1. Microlasers H5 : puits, fils ou btonnets quantiques ? A titre de comparaison, des microlasers H5 ont t tests dans les mmes conditions pour trois types de zones actives diffrentes : 6 plans de btonnets quantiques (ep1211, exploite dans la
169
section prcdente), 6 plans de fils quantiques (ep1234) et 4 puits quantiques (ep791). Les paramtres des cristaux photoniques des cavits sondes sont similaires : priode ~500 nm et facteurs de remplissage assez proches, de lordre de 0.4. Les spectres en missions spontane et stimule ainsi que les courbes caractristiques (Ilaser, Peff) associes aux diffrents pics lasers sont prsents sur la figure 5.6 pour les trois structures actives.
Btonnets quantiques
ILaser (u.a.) 200 1537 nm 150 2 100 50 Peff 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
2
Fils quantiques
ILaser (u.a.) 150 1534 nm 100 50 1 Peff 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
Puits quantiques
ILaser (u.a.) 800 600 1531 nm 0.5 400 200 Peff 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
1.7 mW
1.7 mW
1.7 mW
IPL (u.a.)
IPL (u.a.)
IPL (u.a.)
0.3 mW
0.1 mW
0.3 mW
-2
-2
0.0
1350
1400
1450
1500
1550
1600
1350
1400
1450
1500
1550
1600
1350
1400
1450
1500
1550
1600
(b) (c) (a) Figure 5.6- Spectres en missions spontane et stimule pour une excitation pulse (Rc=15%, 20 ns) temprature ambiante de microlasers H5 avec une zone active de type btonnets quantiques (ep1211) (a), fils quantiques (ep1234) (b) et puits quantiques (ep791) (c). Les courbes caractristiques de lintensit du pic laser (Ilaser) en fonction de la puissance effective (Peff) en mW sont ajoutes en insert.
Puissance effective au seuil Pente au del du seuil
Btonnets quantiques 0.6 mW 150 u.a./mW
Fils quantiques 0.4 mW 130 u.a./mW
Puits quantiques 0.3 mW 490 u.a./mW
Tableau 5.4- Comparaison des seuils lasers et pente de la courbe caractristique (I laser, Peff) pour des lasers H5 avec des zones actives diffrentes (6 plans de btonnets quantiques, 6 plans de fils quantiques ou 4 puits quantiques)
Les pics lasers sont assez proches en longueur donde. Pour autant, la densit de modes leve empche daffirmer que le mode impliqu dans leffet laser est identique pour les trois types de zones actives. Il apparat des diffrences en termes de seuil laser et de pente de la courbe (Ilaser, Peff) au del du seuil : ces valeurs sont rpertories dans le tableau 5.3. La structure puits quantiques conserve lavantage vis vis des valeurs de seuil, faible, et de gain diffrentiel, lev. Le seuil de la structure btonnets quantiques est deux fois plus haut que celui mis en vidence avec les puits quantiques. Par contre, la structure fils quantiques montre un seuil qui reste assez proche du faible seuil obtenu avec les puits. La pente de la courbe (Ilaser, Peff) est, quant elle, quatre fois plus leve pour le H5 puits quantiques que celle de ses homologues btonnets quantiques et fils quantiques, ces derniers napportant pas damlioration sur le gain diffrentiel.
170
III.2.2. Microlasers H2 : puits et btonnets quantiques La figure 5.7 permet dtablir une comparaison dans le cas dun microlaser plus petit (H2), entre la structure btonnets quantiques (ep1211) et puits quantiques (ep791). La faible densit de modes permet leur identification : le mode, prs de la bande de valence (cf. chapitre 3, section V.3.3.b), est impliqu dans les deux microlasers de zones actives diffrentes. La dgnrescence de ce mode est ici leve.
Btonnets quantiques
ILaser (u.a.) 60 1539 nm
Puits quantiques ILaser (u.a.) 1200 1534nm
1.7 mW
40 20
1.7 mW
4 2
800 400
Peff 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
Peff 0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
IPL (u.a.)
IPL (u.a.)
Q~1000
0.3 mW -2
-4 -6
0.07 mW
Q~1000
1350
1400
1450
1500
1550
1600
-2
1350
1400
1450 (b)
1500
1550
1600

(a)
Figure 5.7- Spectres en missions spontane et stimule pour une excitation pulse (Rc=15%, 20 ns) temprature ambiante de microlasers H2 avec une zone active de type btonnets quantiques (ep1211) (a) et puits quantiques (ep791) (b). Les courbes caractristiques de lintensit du pic laser (I laser) en fonction de la puissance effective (P eff) en mW sont ajoutes en insert.
Malgr des facteurs de qualit semblables (~1000) des modes, situs tous deux vers 1530 nm, les diffrences sont plus frappantes que dans le cas dune cavit H5. Le seuil laser est plus faible dun rapport 4 en faveur de la structure puits quantiques, par rapport la structure btonnets quantiques. La pente de la courbe caractristique au del du seuil donne galement lavantage la structure puits quantiques, avec un cart bien plus marqu que dans le cas des microcavits lasers H5. Les pertes optiques suprieures et le nombre dIQ rduit dans ces cavits H2 plus petites, peuvent expliquer cet cart plus franc. En conclusion, les multipuits quantiques, plus matures, montrent ici des performances laser meilleures que les lots quantiques, et lcart semble renforc lorsque les dimensions des cavits sont rduites de 5 2 m de diamtre. La structure fils quantiques pourrait reprsenter un intermdiaire entre les btonnets quantiques et les puits quantiques, concernant le seuil laser accessible.
171
IV.
ANALYSE
Lobjectif premier de ce travail, savoir la ralisation de microlasers CP 2D et IQ a t atteint. Toutefois, les attentes des composants IQ ont t quelque peu dues par ces caractrisations prliminaires : le seuil laser et la pente de la courbe caractristique (ILaser, Peff) restent un peu moins satisfaisantes que les valeurs obtenues pour des lasers puits quantiques (PQ). De plus, la robustesse du composant lchauffement en excitation quasi continue a t teste et napparat pas amliore. Des tests supplmentaires (caractrisation en temprature pour mesurer la stabilit du courant de seuil, test en modulation dexcitation frquence leve) pourraient complter ces caractristiques mises en vidence tardivement dans le cadre de cette tude. Elles montreraient peut tre certains atouts des composants IQ qui napparaissent pas ici. En revisitant le schma du chapitre 3 (section V.1.3) sur les divers mcanismes de pertes intervenant dans un microlaser CP 2D, certaines diffrences entre les puits quantiques et les lots quantiques peuvent tre extraites bon escient. Elles apportent ds prsent des lments dexplication concernant la supriorit releve dans la section prcdente en termes de seuil laser et de gain diffrentiel des PQ par rapport aux IQ. Tout dabord, lefficacit quantique i caractrisant la capture des porteurs excits des
barrires vers la zone active est a priori moins leve pour la structure IQ, cause dun taux de couverture planaire plus faible, que pour les PQ. De mme, le facteur de confinement optique , qui intervient dans lexpression du gain optique, est vraisemblablement plus faible dans la zone active comprenant des IQ. En effet, la hauteur des lots tant infrieure lpaisseur dun puits quantique, il en est de mme du facteur vertical. Les hautes densits dIQ, dans le plan (5.1010cm-2) et verticalement (6 plans au lieu de 4 plans de PQ), devraient toutefois modrer ces deux handicaps. Ensuite lefficacit radiative r est a priori amliore par lutilisation dIQ, puisque que
les porteurs, pigs localement, sont senss bnficier dune certaine immunit vis vis des processus non radiatifs comme les recombinaisons de surface. Cependant, lexistence de dfauts dans les barrires dInP partiellement pitaxies haute temprature (cf chapitre 4), apporte un conduit de pertes non radiatives qui nexiste pas dans le cas dune structure PQ, pitaxie plus basse temprature (480C). Cet effet peut compenser partiellement le bnfice escompt sur r. La procdure dencapsulation double cap exploite a nanmoins prouv que ces dfauts dans lInP pouvaient tre limits. Finalement, la longueur donde de
172
1530 nm, (correspondant leffet laser de la figure 5.6 pour les trois types de zones actives), les intensits de PL sextraites de la figure 5.1 sont identiques pour les PQ et les IQ. Elles suggrent que les diffrences defficacit radiative ne sont pas trop exacerbes. Enfin, le couplage de lmission spontane au mode laser est vraisemblablement
rduit pour le systme IQ par rapport aux PQ. Premirement, malgr loptimisation de la structure, le systme IQ montre une largeur mihauteur du spectre de PL plus leve que celle des PQ (cf. figure 5.1). Cela signifie que lefficacit dmission de photons est encore dilue sur une plage spectrale plus large avec les IQ quavec les PQ. Cet effet est toutefois rduit si la largeur mi-hauteur comparer pour la structure IQ est celle de la composante identifie comme le niveau fondamental des IQ, soit 90 nm (ep1211) et 100 nm (ep1227). Deuximement, les IQ sont apparues relativement bien isoles spatialement les unes des autres, daprs certaines mesures (maintien en temprature de la PL, faible variation de lnergie du pic avec la temprature) effectues sur un plan dIQ optimiss dans le chapitre 4. En labsence dun couplage lectronique, les IQ se comportent schmatiquement comme des metteurs indpendants fonctionnant chacun sa longueur donde dmission propre. Chaque lot accord un mode particulier, qui peut diffrer du mode laser, constitue donc une fuite pour le rservoir de porteurs excits qui concurrence lmission dans le mode laser. Cela peut expliquer le recul du seuil laser. Dailleurs, la persistance de nombreux modes avant le seuil laser, et parfois aprs, (cf. Figures 5.2 et 5.3) indique la difficult injecter efficacement des photons slectivement dans le mode dintrt, cest dire des porteurs dans les lots utiles impliqus dans leffet laser. De plus, le gain des IQ inutiles continue daugmenter au del de latteinte du seuil laser dans le mode [Harris 98]. Ainsi, leffet laser monomode est-il vraisemblablement plus difficile obtenir avec une zone active de type IQ quavec des PQ (cf. Figure 5.7). Le fait que plusieurs modes exhibent simultanment un phnomne dmission stimule peut dailleurs expliquer la valeur plus faible de la pente au del du seuil laser, dans le cas des IQ. En ralit, un phnomne dmission collectif de tous les IQ dans un mme mode est envisageable si llargissement homogne dun IQ est comparable llargissement inhomogne de lensemble des IQ. Ainsi, temprature ambiante, lorsque llargissement homogne des IQ est lev, la population dIQ peut exhiber un comportement collectif et alimenter lmission dun mme mode [Sakamoto 00 ; Sugarawa 99]. Dans ce cas-l, les IQ dcals par rapport au mode laser requirent cependant un nombre de porteurs excits plus lev [Grundmann 00]. Lexistence dun fort largissement homogne peut donc contrer dans
173
une certaine mesure la tendance au comportement individuel indpendant des diffrents lots. Dans notre cas, la comparaison montre cependant un largissement inhomogne (~50 meV 300K) plus de 5 fois suprieur llargissement homogne (5-10 meV 300K) dun seul IQ. Leffet laser doit donc impliquer un nombre dIQ plus lev que les seuls IQ accords spectralement au mode dintrt. Cependant, il reste un certain nombre dmetteurs qui ne nourrissent vraisemblablement pas le mode laser. Cest la raison pour laquelle une fraction utile dIQ de lordre de 15% a t considre dans les calculs de la section III.1.4. Une rduction de la densit de modes de cavit devrait amliorer le facteur pour le mode laser, en limitant le nombre de modes concurrents. En effet, la forte densit de modes du H5 peut produire une dizaine de modes sur un intervalle spectral de largeur concidant avec llargissement homogne dun seul IQ. Cependant, la rduction bnfique du nombre de modes dans une cavit H2 par rapport une cavit H5 saccompagne, comme nous lavons dj mentionn dans la section III.1.4, dune rduction du nombre total dIQ dans la microcavit. Cet effet semble conditionner au final les valeurs de seuil et de gain diffrentiel mesurs pour une cavit H2, par rapport celles dune cavit plus grande.
En conclusion, les diffrents spectres dmission proviennent plutt dmetteurs disperss relativement indpendants pour les IQ, alors que les PQ et dans une moindre mesure les FQ, produisent un effet dmission plus collectif . Une densit dtats discrtise , avantageuse sous certains aspects, reprsente ici plutt un point ngatif. Pour en profiter pleinement, les IQ devraient montrer un largissement inhomogne de leurs proprits encore plus faible. Enfin, pour des composants taux de pertes optiques infrieur, la contribution de la transparence peut dominer et rendre les BQ plus avantageuses que les puits quantiques en termes de seuil laser [Klopf 00]. Une augmentation du facteur de qualit du mode exploit pourrait tre avantageuse, en rduisant le facteur dinversion des IQ requis au seuil. Loin de la saturation de ses metteurs, la stabilit en temprature est notamment augmente [Park 00-1]. La validit des conclusions issue de cette comparaison reste donc limite un type de composant particulier avec un taux de pertes donn et un certain nombre dIQ. Il nest pas exclu quune augmentation du nombre de plans dans la structure (H2 par exemple) produise une rduction du seuil.
174
V.
CONCLUSION
En conclusion, des htrostructures plusieurs plans dlots quantiques optimises dans le chapitre 4 ont dmontr la capacit soutenir un effet laser dans des microcavits CP 2D, de 2 et 5 m de large, pompes optiquement temprature ambiante. Cependant, malgr de nombreux avantages escompts (chapitre 1), ces composants laser dots dlots quantiques montrent des performances prliminaires moins satisfaisantes que leurs homologues puits quantiques, en termes de seuil laser et gain diffrentiel. Pour dfinir totalement les aptitudes laser des lots quantiques, il reste tester la stabilit en temprature de leur courant de seuil (en contrlant de faon prcise la temprature du composant lors du test) et leurs applications haute frquence. Des caractrisations sous une frquence de modulation leve devraient montrer en effet des largeurs de raie laser (chirp) thoriquement rduites. Par ailleurs, les composants DFB fort facteur de remplissage montrent un rapport surface sur volume assez lev, susceptible daggraver lampleur des recombinaisons non radiatives de surface. Des metteurs de type lots quantiques pourraient apparatre avantageuses dans ce type de composants. Enfin, les diffrents leviers de rduction du seuil mis en vidence dans le chapitre 3 (en particulier la passivation de surface) pourraient tre exploits, de manire fructueuse, dans les structures lots quantiques.
La mise en vidence dun effet laser constitue nanmoins un certain aboutissement de ces travaux. Il reste que ce point final encourageant peut augurer des rsultats meilleurs, exhibs dans le futur avec ce type de composants laser. Enfin, lavenir du mariage des cristaux photoniques et des botes quantiques ne sarrte pas l, puisquil peut profiter dautres types dapplications plus originales, qui dpassent largement lobjectif de cette thse.
- Conclusion & perspectives -
175
- Conclusions & perspectives Le dveloppement de circuits optiques et plus particulirement de microsources laser de faible consommation reprsente un enjeu considrable. Lobjectif de ce travail tait de montrer quil tait possible de fabriquer des composants metteurs efficaces, rpondant aux diverses spcifications imposes (bas seuil, haute densit dintgration, bande passante large, configuration compatible avec loptique guide, et mission haute longueur donde, suprieure 1.5 m), en combinant deux types dobjets : cristaux photoniques 2D et botes quantiques de la filire InP. Le chapitre 1 sest attach justifier les moyens retenus pour atteindre lobjectif de ce travail, savoir le couplage de botes quantiques et de cristaux photoniques 2D pour raliser un microlaser faible seuil. Les avantages respectifs des deux types dobjets, destins confiner les porteurs (botes quantiques ) et les photons (cristaux photoniques 2D), ont t souligns. Les botes quantiques offrent lavantage dune densit dtats discrte , confrant leurs proprits dmission une relative insensibilit thermique, un faible chirp et un gain potentiellement fort. Un certain nombre de points, en particulier leur forte dispersion en taille, restent cependant matriser. Les cristaux photoniques 2D apparaissent de leur ct comme un outil gnrique et flexible offrant la possibilit de produire des composants optiques aux fonctionnalits diverses, en particulier des microsources compactes et compatibles avec un circuit optique intgr. Le chapitre 2 a explicit de faon plus quantitative le fonctionnement dun microlaser botes quantiques. Le modle trs simplifi dvelopp a mis en vidence la ncessit dexploiter un nombre important de botes quantiques dans le composant. Il a galement montr quil tait impratif de rduire les inhomognits de ces metteurs, pour amliorer les caractristiques du laser (seuil, gain diffrentiel). Si les microcavits et botes quantiques sont souvent associes leffet Purcell, son bnfice dans le cadre du composant laser vis, fonctionnant temprature ambiante, apparat fortement restreint. Les deux volets exprimentaux, relatifs la fabrication de la micro-source vise, ont t dvelopps dans les chapitres 3 et 4 : savoir respectivement, les ralisations du rsonateur cristaux photoniques 2D et de la zone active botes quantiques. Ainsi, le chapitre 3 a montr comment implmenter les cristaux photoniques 2D sur des membranes reportes sur SiO2/Si afin de raliser diffrents types de microsources par des procds de micro-nanotechnologie usuels. Des microcavits exploitant des modes de dfaut
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dans la bande interdite photonique, ou des lasers contre raction distribue, ont t raliss avec succs et tests en utilisant des multipuits quantiques, matriau actif mature fort gain. Une analyse des mcanismes de pertes a fait apparatre plusieurs voies de rduction du seuil laser. Divers phnomnes peuvent en effet fortement affecter le seuil de ces lasers. Les paramtres des objets cristaux photoniques 2D (facteur de remplissage, gomtrie du dfaut, configuration verticale, passivation de surface) peuvent tre ajusts pour minimiser ces multiples contributions. Par ailleurs, lchauffement nfaste du microlaser a pu tre rduit grce la configuration reporte sur SiO2/ Si. Nous avons ainsi ralis des microlasers monochromatiques avec des seuils aussi faibles que 0.25 mW de puissance effective, fonctionnant en pompage optique temprature ambiante. Cependant, lanalyse du seuil laser suggre une contribution essentielle des recombinaisons non radiatives de surface, qui pourraient tre rduites en substituant des botes quantiques aux puits quantiques. Dans le chapitre 4, nous avons montr la possibilit dlaborer, par croissance pitaxiale autoorganise, des lots quantiques dInAs/InP(001) qui prsentent un certain nombre des caractristiques requises pour constituer un matriau actif prometteur dans un microlaser. Loptimisation des conditions de croissance a permis de fabriquer des nanostructures, apparentes des btonnets quantiques, montrant une signature de confinement quantique (existence de niveaux excits), une forte densit (5-10.1010 cm-2) et une dispersion en taille rduite. Une procdure dencapsulation spcifique a permis de limiter la prsence de dfauts aux interfaces. Des htrostructures multiplans de btonnets quantiques mettant autour de 1.5 m et montrant un bon rendement de luminescence, doubl dun maintien des caractristiques dmission satisfaisant avec la temprature, ont t ainsi fabriques. Ces validations intermdiaires, dans un premier temps indpendantes, ont permis daboutir la ralisation vise dun microlaser cristaux photoniques 2D, dot de multi-plans dlots quantiques. Des htrostructures 5 et 6 plans de btonnets quantiques optimises dans ltude prcdente ont gnr un effet laser dans des microcavits cristaux photoniques 2D de 2 et 5 m de diamtre. Leffet laser temprature ambiante, induit par un pompage optique, exhibe un seuil laser de 0.6 mW de puissance effective. Ses caractristiques prliminaires (seuil, gain diffrentiel) ont t compares avec celles des meilleurs concurrents puits quantiques, et restent encore infrieures. Cependant, ces rsultats encourageants terminent ce travail sur une note positive et optimiste.
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Dans le futur plus ou moins long terme, un certain nombre daspects restent dvelopper. Plusieurs perspectives peuvent donc tre nonces, montrant un caractre plus ou moins prospectif. Tout dabord, le pompage lectrique et le couplage de ce type de microlasers avec des
guides donde reprsentent les prochaines tapes vers la ralisation dun circuit optique intgr fonctionnant par voie lectrique (tudes en cours). Le collage molculaire dhtrostructures III-V sur SiO2/ Si, exploit dans cette thse, est un premier pas vers le couplage entre des microlasers faible seuil et des microguides en silicium, i.e. lhybridation entre la microlectronique Si et loptolectronique III-V. La structuration verticale du champ EM, via le positionnement dun rseau cristal
photonique 2D sur un empilement multicouches comme un miroir de Bragg, est galement une voie prometteuse pour exploiter une ingnierie de modes selon les trois directions. Ce procd peut permettre de contrler davantage les pertes optiques ou la directivit dmission, dont souffrent, par exemple, les petites microcavits cristaux photoniques 2D de type H1. Lajustement de la position verticale du cristal photonique 2D permet galement de sparer spatialement rseau de trous et zone active, limitant ainsi linfluence nfaste des recombinaisons non radiatives de surface. Enfin, en exploitant des cavits plus paisses, et non prcisment dpaisseur demi-onde, la restriction du nombre de couches actives peut tre partiellement leve, et les contraintes pesant sur le pompage lectrique envisag, amoindries. La fabrication par croissance auto-organise a permis de produire spontanment des
botes quantiques assez homognes, denses et cohrentes. Cependant, lexploitation de cette voie a peut-tre atteint ses limites lgard de la distribution en taille des botes quantiques ainsi fabriques. Or, cette caractristique constitue une des limitations essentielles des botes quantiques. De nouvelles voies de fabrication, exploitant des procds de croissance localise de botes quantiques sont envisages dans ce sens pour amliorer leur organisation. Ainsi, les potentialits de la pointe dun microscope STM ont t tudies pour gnrer des sites de nuclation prfrentiels, exploitables pour lorganisation des botes quantiques. Cette tude a fait lobjet dune thse mene au LEOM par J. Kapsa, en parallle ce travail [Kapsa 03]. La matrise du positionnement et des caractristiques des botes quantiques produirait alors une rupture avec le procd de croissance auto-organise naturelle . Cela permettrait, par exemple, de concevoir des composants partir de microcavits exploitant un nombre rduit de botes quantiques, places des endroits bien prcis. Le couplage des metteurs avec un mode de cavit pourrait tre alors optimis.
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Llargissement de la courbe de gain sous leffet des disparits dimensionnelles entre
botes quantiques a foncirement terni lavantage apport par une courbe de gain thorique pique dune seule bote. Cependant, mme sans leffet de cette distribution inhomogne des botes quantiques, llargissement homogne temprature ambiante dune seule bote, de 5 10 meV cause du couplage des porteurs avec les phonons, est seulement trois quatre fois infrieure celui dun puits quantique (25 meV 300K). Cela explique que la rvolution des lasers suscite par lapparition des botes quantiques, prdite par Arakawa et coll. en 1982, nait pas rellement eu lieu. Les tudes menes sur les botes quantiques ont nanmoins rvl un certain nombre datouts. A basse temprature, ce type dobjet, le plus proche ltat solide dun atome, peut tre exploit dans des composants fonctionnalit originale. Au lieu de chercher remplacer les puits quantiques par des botes quantiques, ces dernires pourraient avantageusement trouver leurs propres niches dapplication qui mettraient en relief leurs proprits spcifiques qui les diffrencient des puits quantiques. Ainsi les botes quantiques pourraient tre exploites dans des composants tirant directement profit de leur gain inhomogne, comme des lasers ou amplificateurs fonctionnant sur une large gamme de longueurs donde. La faible absorption dun plan de botes quantiques peut galement tre utilise comme absorbant saturable pour des applications WDM. Enfin, lexploitation de leffet Purcell pour la ralisation de sources un photon est rendue possible par la densit dtats troite dune bote quantique unique basse temprature. Dautres applications des cristaux photoniques 2D restent porte de main. Les cristaux
photoniques 2D peuvent tre utiliss par exemple pour mettre en vidence et exacerber des effets doptique non linaire du 3me ordre. De tels phnomnes peuvent tre exploits pour une accordabilit en longueur donde, dorigine autre que mcanique. La reconfiguration tout optique des circuits intgrs photoniques apparat alors envisageable. La mise en vidence deffets physiques comme llectrodynamique quantique en cavit,
aborde dans le chapitre 2, est galement possible avec les cristaux photoniques 2D. Ils peuvent tre en effet utiliss comme une plate-forme exprimentale capable de gnrer un champ EM bien prcis. Les proprits dmission dun metteur de type bote quantique ou autre (atome, molcule), ainsi que leur interaction avec un mode optique contrl, peuvent tre sondes par ce biais.
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ANNEXES
- Annexe 1 - Lasers botes quantiques..................................................................................................................II - Annexe 2 - Techniques dlaboration et caractrisation dlots quantiques ........................................................ VI I. Lpitaxie par jets molculaires................................................................................................................. VI I.1 Principe gnral................................................................................................................................. VI I.2 Avantages & inconvnients............................................................................................................... VI I.3 Cas des matriaux III-V....................................................................................................................VII I.4 Particularits du bti riber 2300 utilis : EJM sources solides.......................................................VII I.5 Morphologie de surface : les differents types de marche ................................................................. IX II. La caractrisation in situ par diffraction dlectrons de haute nergie en incidence rasante (RHEED) .... XI II.1 Principe ............................................................................................................................................. XI II.2 Informations dduites du rheed ......................................................................................................... XI III. Microscopie force atomique (afm) .................................................................................................. XIII III.1 Principe .......................................................................................................................................... XIII III.2 Application aux lots quantiques .................................................................................................... XIV - Annexe 3 - Calcul des niveaux dnergie dans les BQ InAs/ InP(001) ........................................................... XIX
- Annexes -
II
- Annexe 1 Lasers botes quantiques

La figure A1.1 illustre lvolution des courants de seuil laser ( temprature ambiante) permise par le dveloppement dhtrostructures puits quantiques puis botes quantiques (BQ). Il fait en particulier apparatre le record dtenu par un laser BQ.
Figure A1.1- Evolution du courant de seuil dans les lasers corrle au dveloppement des htrostructures : double htrostructure (DHS), puis laser puits quantiques (QW) et lasers botes quantiques (QD). daprs [Ledentsov 00]
Cependant, la comparaison directe des seuils laser entre les diffrentes structures est rendue difficile par la varit des paramtres qui varient dune structure lautre et modifient la valeur de seuil. La prudence est donc de mise face aux chiffres annoncs. Le tableau A1.1 indique divers exemples parmi les meilleurs courants de seuil relevs pour les lasers BQ dIn(Ga)As/GaAs. Ces chiffres sont infrieurs 100A/cm2 et les grandeurs qui les conditionnent sont prcises : paramtres dexcitation (temprature, puls ou continu) et de la structure (dimensions de la cavit, rflectivit des miroirs et nombre de plans de BQ utiliss).
Ref Dimensions Ledentsov 97 Harris 98 2mm*15m Wasilewski 99 Liu 99 * Lester 99 * Hatori 00 2mm
Rmiroirs
100m*7.8mm 0.32 100m*3.94m 0.32 m 300m*4m
Nb plans seuil 10 60A/cm2 10 44A/cm2 20A/cm2 7 91A/cm2 13A/cm2 1 26A/cm2 (200mA) 1 3 83A/cm2 13mA
Conditions 300K 300K 77K 294K 77K Puls 0.5%, 300ns, 20C Puls 0.5%, 300ns, 20C Cw, 25C
- Annexes -
III
Park 00-1
11m*1.17mm HR 5m*1.17mm
Park 00-2
870m*5m HR >99% 1.13mm*11m Shchekin 00-1 5.5mm*49m 0.32 Shchekin 00-2 800m*2m 1.2mm*13m 5.3mm*39m Eliseev 00 * 100m*7.8mm Stintz 00 * 100m*7.8mm Klopf 00 100m*5mm Huang 00 * Groom 02 * 9.2mm*20m 5.6mm*20m 3mm*15m HR 0.32 HR HR 0.32
1 1 2 2
1 1 1 1 7
5.2A/cm2 7A/cm2 23A/cm2 28A/cm2 (1.2mA) 19A/cm2 43A/cm2 35A/cm2 78A/cm2 26A/cm2 40A/cm2 16A/cm2 43A/cm2 (332mA) 54A/cm2
Cw, 140K Cw, 200K 300K Cw, 300K Puls, 298K Cw, Tamb
T amb Puls, 20C Puls, Tambiante 32.5A/cm2 (60mA) Cw, Tamb 43.5A/cm2 (40mA) 47A/cm2 300K
Tableau A1.1- Rcapitulatif des valeurs de seuil, parmi les meilleurs obtenus, dans des structures lasers BQ In(Ga)As/ GaAs. Les conditions associes sont prcises et une toile est ajoute pour signaler les lasers possdant une structure de type DWELL, faisant appel un puits quantique auxiliaire.
Le tableau A1.2 donne galement des valeurs de seuil mais obtenues pour des composants laser BQ de la filire InP. Les seuils sont globalement plus levs que dans le systme prcdent. Ref Ustinov 98-1 Ustinov 98-2 Nishi 98 Wohlert 01 Wang 01 * Saito 01 Dimensions 100m*240m 1.25mm*100m 2.8mm*20m 60m*500m 0.32 HR 0.32 0.32 HR Rmiroirs Nb plans 4 facettes 3 clives 3 7 5 1 5 5 4 5 seuil 108A/cm2 64A/cm2 540A/cm2 (300mA) 200A/cm2 1kA/cm2 410A/cm2 380A/cm2 660A/cm2 49A/cm2 900A/cm2 473A/cm2 Conditions 77K Puls, 77K Puls, 77K Puls 77K Puls 300K Puls T amb Puls ; 77K Puls, 20C
4mm*100m 2mm*50m 2.2mm*50m Alen 02 2mm*150m Schwertberger 02 1mm*40m Ukhanov 02 * 1.68mm*5m
Tableau A1.2- Rcapitulatif des valeurs de seuil, parmi les meilleurs obtenus, dans des structures lasers BQ de la filire InP. Les conditions associes sont prcises et une toile est ajoute pour signaler les lasers possdant une structure de type DWELL, faisant appel un puits quantique auxiliaire.
Notons que les fortes rflectivits pour abaisser le seuil laser rduisent en contrepartie la puissance de sortie obtenue. Cela justifie les efforts raliss pour augmenter le gain modal (empilement par exemple) afin dobtenir un effet laser avec des miroirs clivs (R=0.32).
- Annexes -
IV
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- Annexes -
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- Annexes -
VI
- Annexe 2 Techniques dlaboration et caractrisation dlots quantiques

I.
I.1
LEPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES

Principe gnral
L'pitaxie consiste faire crotre une couche monocristalline sur un substrat lui-mme monocristallin, selon une orientation dfinie par ce substrat. La couche pitaxie possde en gnral le mme paramtre de maille que le substrat. L'pitaxie par jets molculaires (EJM) a t dveloppe au dbut des annes 1970 par les laboratoires Bell (A.Cho et J.Arthur). La croissance est obtenue en projetant directement et simultanment sur le substrat, dans une enceinte place sous ultra vide (pression rsiduelle de 10-10 10-11 Torr), les atomes ou molcules des lments constitutifs de la couche dsire. Les flux proviennent de la sublimation ou de lvaporation des lments correspondants, solides ou liquides, contenus dans des creusets chauffs individuellement par effet Joule. Le substrat est port une temprature assurant les mcanismes lmentaires ncessaires la croissance pitaxiale (adsorption, diffusion, incorporation). La croissance est stoppe de faon instantane, en interposant un cache sur le trajet des lments en direction du substrat.
I.2

Avantages & inconvnients
Les principaux avantages de cette technique de croissance sont les suivants : Laccs des vitesses de croissance faibles entre 0.1 et 1 m/h, i.e. environ 0.1 1 MC/ s (monocouche molculaire, 3 pour InP) pour les matriaux semiconducteurs usuels. Une temprature de substrat faible permettant de limiter la diffusion ltat solide aux interfaces entre les diffrentes couches pitaxies. Une interruption rapide des flux garantissant la ralisation d'interfaces abruptes (de lordre dune monocouche). La caractrisation in situ des couches par RHEED (cf. Annexe 2, section II) permise par lenvironnement ultra vide. Elle prsente cependant quelques inconvnients comme :
- Annexes -
VII
Le manque de souplesse dutilisation de lappareil, li lenvironnement ultra vide de lenceinte dpitaxie. Le manque dhomognit latrale des couches li la forme des flux atomiques ou molculaires.
I.3
Cas des matriaux III-V
L'pitaxie par jets molculaires des matriaux semiconducteurs III-V est fonde sur la mthode des trois tempratures propose par K.Gnter en 1958. La temprature du substrat Ts est comprise entre la temprature d'vaporation des lments III, TIII et la temprature de sublimation des lments V, Tv : TIII>Ts>Tv. Ainsi, dune part, les atomes d'lments III se condensent sur le substrat avec un taux de r-vaporation quasiment nul. Dautre part, les atomes d'lments V, envoys en excs, compltent la couche en garantissant la stoechiomtrie : seuls les atomes susceptibles de former une liaison avec des lments III, prsents sur la surface, ne dsorbent pas. L'paisseur des couches et la vitesse de croissance sont donc directement imposs par les flux des lments III.
I.4
Particularits du bti riber 2300 utilis : EJM sources solides
Avant la croissance proprement dite, les flux des lments constitutifs de la couche pitaxier sont mesurs et fixs par les tempratures des cellules (lments III) ou louverture des vannes (lments V). La dtermination de ces flux permet le contrle de la vitesse de croissance et ventuellement de la composition des alliages. Le racteur dpitaxie RIBER 2300 utilis ici est muni de sources solides pour les lments V.
q
Les flux dlments III, indium et gallium, sont des flux atomiques. Ils sont obtenus par vaporation des lments correspondants, contenus ltat fondu dans des creusets chauffs par un filament. Un thermocouple individuel plac larrire du creuset, mesure et permet de rguler la temprature de la cellule, proportionnelle au flux de llment III correspondant. Lobturation de chaque cellule est assure par un cache individuel.
Les flux dlments V, phosphore et arsenic sont issus de cellules munies de craqueur et vanne. Elles se composent dune charge, contenant la source premire ltat solide (As ou P blanc) vapore par chauffage lectrique. Le craqueur, chauff par un filament (800900C), assure ensuite le fractionnement des molcules As4 et P4 en As2 et P2. Les flux de dimres dlments V sont envoys sur la surface et se dissocient en crant des liaisons chimiques avec les lments III. Les molcules en excs dsorbent de la surface
- Annexes -
VIII
(mcanismes prsents figure A2.1). Le contrle des flux dlments V, outre le rglage de la temprature de la cellule dvaporation, est assur par louverture dune vanne.
dsorption (V)
(III)
Figure A2.1- Mcanismes mis en jeu au cours de la croissance
flux adsorption diffusion incorporation
Le racteur RIBER 2300 [cf. Figure A2.2(a)] est muni de chambres dintroduction, de dgazage et de transfert permettant le transport des chantillons sans dtruire lambiance ultra vide de l'enceinte dlaboration. Pendant la croissance, l'chantillon est situ au centre du bti, au point de convergence des flux atomiques ou molculaires [cf. Figure A2.2(b)]. Il est coll avec de lIndium sur un porte-substrat (molybloc), mis en rotation de manire obtenir une bonne homognit en composition des couches. La temprature du substrat, aux alentours de 500C, est contrle par un thermocouple en contact avec l'arrire du porte substrat et par un pyromtre optique visant la surface de l'chantillon.
(b) (a)
Figure A2.2- Racteur d'pitaxie RIBER 2300 (a) et schma de disposition des cellules dans le racteur (b)
- Annexes -
IX
I.5
Morphologie de surface : les differents types de marche
Une surface relle, mme de trs bonne qualit, comporte toujours une densit de marches non ngligeable, rparties alatoirement sur la surface. Elles sont dues partiellement une coupe imparfaite du substrat initial, mais aussi aux mcanismes de croissance spcifiques de lpitaxie par jets molculaires et la nature de la couche pitaxie. Leur orientation dpend du rseau cristallin. Pour une structure zinc-blende et une surface (001) dun compos III-V, ces marches sont orientes selon [110] et [1-10]. Par convention, la direction [110] ([1-10]) correspond lalignement des liaisons pendantes des lments III (V). Une surface en cours de croissance est donc constitue dlots bidimensionnels dont les bords de marches et les crans de marches, reprsentant des sites prfrentiels dincorporation, sont orientes selon [110] ou [1-10]. Ces marches se distinguent par la nature des liaisons pendantes qui en mergent (figure A2.3). Les marches parallles [1-10] ([110]) prsentent des liaisons pendantes dlments III (V) et sont appeles marches A (B). Cette diffrence entrane une non quivalence des deux types de marches. En particulier, il existe une forte anisotropie vis vis de la diffusion de surface des adatomes dlments III le long de ces 2 types de marches. La diffusion des adatomes dlments III est beaucoup plus rapide le long des marches A (liaisons pendantes III) que le long des marches B (liaisons pendantes V).
Type A
[001]
lment III
[1-10]
[001] [1-10]
[110]
[110]
Type B
[001]
lment V [110]
[1-10]
Figure A2.3- Reprsentation schmatique des deux types de marche A et B, parallles respectivement [1-10] et [110]. La nature des liaisons pendantes est indique dans chaque cas.
- Annexes -
Il rsulte de ce mcanisme une anisotropie du front de croissance, dirige par lnergie de formation des marches et les sites de nuclation prfrentiels. Cette anisotropie peut tre renforce par une reconstruction de surface (2*4) gnralement observe dans des conditions dpitaxie standard (stabilisation lments V ) La reconstruction (2*4) est en effet le fruit dune organisation priodique en surface des dimres dlments V, aligns suivant [1-10]. Cet arrangement, signe dun ordre longue distance, privilgie la prsence des marches parallles la direction [1-10].
- Annexes -
XI
II.
LA CARACTERISATION IN SITU PAR DIFFRACTION DELECTRONS DE HAUTE ENERGIE EN INCIDENCE RASANTE (RHEED)
II.1 Principe
Le RHEED est compos d'un canon lectrons et d'un cran fluorescent qui permet la caractrisation in situ des couches pitaxies. Le diagramme de diffraction RHEED fournit, tout instant, une image dans l'espace rciproque du rseau cristallin de (et proche de) la surface. Il donne des informations quantitatives (paramtre de maille, reconstruction de surface) et qualitatives (rugosit, morphologie) sur la couche en cours de croissance. Un faisceau d'lectrons de haute nergie (10 30 keV) est mis par un filament de tungstne et rflchi sur la surface en incidence rasante. Les lectrons sont diffuss lastiquement par le cristal sur une profondeur d'une dizaine d'angstrms. Leurs interfrences donnent lieu au diagramme de diffraction de la surface, visualis sur un cran fluorescent. La tche centrale correspond au faisceau purement rflchi (faisceau spculaire) et des raies ou des tches de diffraction supplmentaires indiquent la morphologie de la surface (cf Figure A2.4).
Figure A2.4- Reprsentation schmatique de la diffraction RHEED
II.2
Informations dduites du rheed
La reconstruction de surface Les liaisons atomiques non satisfaites du dernier plan atomique, dites liaisons pendantes, se traduisent par un cot nergtique de la surface associe. Pour minimiser ce cot en nergie, les atomes de surface se rarrangent en formant des dimres dont le rseau priodique diffre
- Annexes -
XII
de lorganisation dans le volume. Une reconstruction [nxm] correspond une maille du rseau de surface de priode n suivant [1-10] (observe suivant [110]) et m suivant [110] (observe suivant [1-10]) pour une surface oriente [001]. Ces entiers n et m sont suprieurs 1, traduisant une priode n et m fois plus grande que dans le volume. Sa faible profondeur de pntration rend le faisceau RHEED sensible la surface, permettant l'observation prcise de ces reconstructions de surface. La supermaille [nm] se traduit en effet par l'apparition de raies supplmentaires entre les raies principales, sur le diagramme de diffraction. Les reconstructions de la surface (001) de l'InP varient en fonction de la temprature et des pressions en lments V et III [LaBella 00]. Les reconstructions [2x1] ou [2x4] sont habituellement observes dans les conditions de croissance que nous avons adoptes. La morphologie des couches Le diagramme de diffraction d'une surface pitaxie de bonne qualit (faible rugosit) est un rseau de lignes parallles (ou raies de diffraction). Dans le cas d'une couche fortement rugueuse ou dont le mode de croissance est tridimensionnel (3D), le faisceau lectronique traverse les asprits de la surface : un rseau de tches de Bragg est alors observ, correspondant au diagramme de diffraction par transmission du matriau (diffraction en volume). Deux diagrammes de RHEED caractristiques d'une couche 2D et d'une couche 3D sont prsents sur la figure A2.5. Enfin, l'apparition de raies dvies en forme de "V" (chevrons) traduit la formation de facettes sur la surface. La diffraction RHEED permet donc de dtecter la transition 2D-3D du mode de croissance d'une couche contrainte dInAs, pitaxie sur un substrat dInP [Gutirrez 01].
(a)
(b)
Figure A2.5- Diagrammes RHEED pour une surface 2D avec tche spculaire et raies de diffraction (a) et pour une surface 3D avec des tches de diffraction (b) Source Grandjean 94
- Annexes -
XIII
III.
MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE (AFM)

Principe
III.1
Invente en 1986, la microscopie en champ proche force atomique AFM (atomic force microscopy) repose sur linteraction entre une pointe et une surface, fonction de la distance existant entre les deux objets. Le mode contact utilise le rgime de force rpulsive courte distance, avec un contact solide/ solide entre la pointe et la surface.
Diodes de dtection A B
Diode laser
Microlevier et pointe Echantillon Systme de retour permettant l'asservissement vertical de la pointe z x y Le tube pizo lectrique. Il dplace l'chantillon sous la pointe pour balayer la surface. Il sert aussi conserver une distance pointe-surface constante
Acquisition des images : cote z enregistre pour chaque picsel de l'image
PC
Figure A2.6- Schma de principe du microscope force atomique
Le schma de principe d'un microscope force atomique est donn Figure A2.6. Le dispositif est constitu de diffrents lments.
q
Une pointe fixe, monte sur un microlevier sonde la surface. Une variation de la distance pointe-surface se traduit par un flchissement du microlevier, sous laction de la force entre la pointe et la surface.
Un systme de dtection, compos dune diode laser et de quatre photodiodes de dtection, enregistre le flchissement du microlevier au cours du balayage. Cette mesure
- Annexes -
XIV
est obtenue par lintermdiaire de la diffrence des intensits lumineuses reues par les quatre photodiodes aprs rflexion du faisceau laser sur le microlevier.
q
Un tube cramique pizo-lectrique permet le dplacement de l'chantillon quil supporte, sous la pointe de mesure.
Limage est obtenue en maintenant constante, par une boucle dasservissement, la force existant entre la pointe et la surface, dont lintensit est traduite par la dflexion du microlevier. Les variations de la morphologie de surface entranent une variation de langle lextrmit du levier, enregistre par le systme de dtection. En retour, le signal envoy au piezolectrique fix sous lchantillon force son mouvement vertical de faon corriger la distance pointe-chantillon et retrouver la dflexion initiale du levier [cf. Figure A2.7(a)]. Enfin, l'acquisition des images est informatise. En chaque point de l'image, le dplacement du microlevier est enregistr ainsi que le signal correctif envoy vers le tube pizo-lectrique. Limage est ainsi construite point par point au cours dun balayage ligne par ligne suivant x ou y [cf. Figure A2.7(b)].
Figure A2.7- (a) mesure de la cote z au point N de l'image, dplacement de l'chantillon au point N+1, correction en z : z = zn+1 - zn : on se retrouve en situation (b) balayage de la surface de l'chantillon par la pointe. En chaque point, le microscope rpte les tapes , et
III.2
Application aux lots quantiques
LAFM peut tre avantageusement utilise pour imager des nanostructures. Outre des informations morphologiques, cette technique apporte des informations statistiques sur la taille des lots fabriqus puisquelle permet de sonder des zones de quelques centaines d'angstrms quelques m de ct.
- Annexes -
XV
Procdure de refroidissement mise au point pour lAFM dlots quantiques LAFM est rserve la caractrisation des lots non encapsuls. Le refroidissement des lots pitaxis des fins dimagerie AFM a donc lieu en labsence de protection par une couche dInP suprieure. Cette tape semble saccompagner dune modification de la forme des lots dans le systme InAs/InP(001). Lvolution post croissance des lots pendant le refroidissement empche donc dobtenir une image reprsentative des nanostructures enterres qui sont exploites dans les composants. Certains groupes se sont intresss ce handicap de lAFM et ont cherch saffranchir de cette volution post croissance des lots refroidis. Un cap fin dInP (1-2 MC) au dessus des lots peut tre mis profit, sil pouse bien la forme des lots. La morphologie relle des lots est toutefois lgrement gomme par cette technique [Mendona 98]. Le cap suprieur protgeant des lots enterrs peut tre grav slectivement aprs lpitaxie de la structure, mais ce procd entrane une rosion partielle des lots en mme temps quune rugosit de surface importante [Frchengues 97]. [Gutirrez 02] a montr lexistence de transferts de matire importants pendant lvolution post croissance des lots non caps, lis des changes As/P. Un refroidissement sous phosphore conduit une destruction rapide des lots, faisant place une ondulation de surface en InP. Inversement, un refroidissement sous As conduit un excs dInAs par rapport la quantit totale dpose, sous leffet dun transfert de matire vers le sommet des lots. La forte modification de leur morphologie trahit un effet de coalescence1. Laction simultane de la surpression dlment V et du champ de contrainte induit par les lots en surface peuvent donc modifier largement la morphologie des nanostructures durant la descente en temprature. Au LEOM, nous avons exploit la possibilit de tels changes As/P en surface pour limiter au maximum lvolution parasite des lots pendant leur refroidissement. Deux chantillons identiques mais ayant subi des procdures de refroidissement diffrentes sont compars en imagerie AFM. Lun est refroidi jusqu 300C sous flux dAs (a) tandis que lautre est refroidi pendant 1min sous flux dAs puis sous flux de P (b). Le refroidissement (a) sous le seul flux darsenic conduit lobtention de gros lots, de dimensions moyennes h 80 et 500 , relativement isols les uns des autres en surface [cf. figure A2.8(a)]. Au contraire, pour la procdure (b) exploitant une commutation des flux dAs/P, des lots de forme filaire, trs fins (l 20 nm) et de hauteur voisine de 10 sont observs [cf. Figure A2.8(b)]. Un refroidissement sous flux dAs des lots non caps semble donc conduire leur coalescence, rejoignant les observations de Gutierrez. Une image TEM
Finalement, le refroidissement sous une pression rsiduelle de 10-8 T semble tre la procdure affectant le moins la morphologie des lots, grce une fine couche doxyde en surface qui pouse le profil des lots.
1
- Annexes -
XVI
effectue sur des lots encapsuls (non modifis pendant le refroidissement) confirme cette hypothse, en montrant des nanostructures de morphologie proche de celle obtenue en imagerie AFM avec la procdure de commutation As/P.
[1-10]
[1-10]
(a)
(b)
80 58nm
160nm
(c)
7
(d)
20nm
10
(e) (f)
Figure A2.8- Images AFM pour des lots d'InAs/ InP(001) refroidis sans commutation (a) et avec une commutation As/P 1minute (b). (c) et (e) correspondent aux profils suivant [1-10] et [110] associs (a). (d) et (f) sont les profils analogues associs (b).
Le refroidissement partiel sous phosphore permet donc de geler la morphologie des lots non caps, permettant dobserver indirectement, par AFM, les caractristiques gomtriques dlots encapsuls. Linstant de la commutation As/P pendant le refroidissement a t
- Annexes -
XVII
optimis : trop tt, elle engendre une destruction des lots et trop tard, un effet de coalescence. Les diffrentes images AFM prsentes dans ce manuscript ont t ralises avec une commutation As/P effectue environ 30 secondes (~450C) aprs le dbut du refroidissement. Rsolution et limites La rsolution physique de lAFM est de lordre de grandeur du disque de contact entre la pointe et la surface. Elle est proche de quelques nm et dpend du profil de la surface. La rsolution a galement une origine numrique, li lenregistrement de limage en pixels : pour une image de 1 m de ct, la distance entre deux points est de 39 avec 256 points par ligne. Un artefact possible de lAFM est llargissement parasite des objets imags, si leurs dimensions sont du mme ordre de grandeur que celles de la pointe [Brault 00]. La hauteur des lots quantiques imags par AFM peut tre gomme artificiellement par une pointe insuffisamment effile pour atteindre le fond des interstices entre les nanostructures. Aussi, la hauteur des nanostructures rvle par lAFM sera telle interprte avec prcaution. Si la rsolution limite de la pointe peut empcher la mise en vidence de la hauteur relle d'lots trop proches, une erreur supplmentaire peut tre cause par la procdure de commutation As/P prcdemment voque, qui ne prserve pas totalement les lots dune rosion partielle. De plus, lencapsulation elle-mme affecte partiellement la forme finale des lots [Frchengues 97, Frchengues 99]. Des changes dlment V sont suceptibles de se produire pendant la croissance du cap suprieur, conduisant une morphologie un peu diffrente (hauteur plus faible) pour rduire lnergie totale du systme. Les lots seraient galement mieux spars aprs encapsulation [Walther 00]. Rfrences
[Brault 00] Julien Brault, Croissance auto-organise de fils et botes quantiques dInAs/InP(001) pour composants optolectroniques , thse de doctorat, Ecole Centrale de Lyon (2000). [Frchengues 97] S. Frchengues, V. Drouot, B. Lambert, D. Lemoine, S. Loualiche, A. Le Corre, and H. LHaridon, Direct correlation of structural and optical properties of InAs self assembled dots deposited on InP (100) , Applied Physics Letters 71, 2818 (1997). [Frchengues 99] S. Frchengues, N. Bertru, V. Drouot, B. Lambert, S. Robinet, S. Loualiche, D. Lacombe, and A. Ponchet, wavelength tuning of InAs quantum dots grown on (311)B InP , Applied Physics Letters 74, 3356 (1999). [Gutirrez 01] H. R. Gutirrez, M. A. Cotta, and M. M. G. de Carvalho, Facetting evolution during self assembling of InAs/InP quantum wires , Applied Physics Letters 79, 3854 (2001) [Gutirrez 02] H. R. Gutierrez, M. A. Cotta, J. R. R. Bortoleto, and M. M. G. de Carvalho, Role of group V exchange on the shape and size of InAs/ InP self assembled nanostructures , Journal of Applied Physics 92, 7523 (2002). [Grandjean 94] N. Grandjean, Phnomnes de surface en croissance pitaxiale fortement contrainte de (In,Ga)As/GaAs : relaxation lastique, transition 2D/3D, effet surfactant, Thse de doctorat (1994). [LaBella 00] V. P. LaBella, Z. Ding, D. W. Bullock, C. Emery and P. M. Thibado, Reflection highenergy electron diffraction and scanning tunneling microscopy study of InP(001) surface reconstructions , J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1492 (2000)
- Annexes -
XVIII
[Mendona 98] C. A. C. Mendona, E. Laureto, M. J. S. Brasil, M. A. Cotta, M. M. G. Carvalho, and E. A. Meneses, On the optical properties of InAs/ InP systems : the role of two-dimensional structures and three-dimensional islands Applied Physics Letters 72, 1015 (1998). [Walther 00] C. Walther, W. Hoerstel, H. Niehus, J. Erxmeyer, W. T. Masselink, Growth, structural, and electrical investigation of self-assembled InAs quantum wires on (001) InP Journal of Crystal Growth 209, 572 (2000)
- Annexes -
XIX
- Annexe 3 Calcul des niveaux dnergie dans les BQ InAs/ InP(001)

La structure lectronique des btonnets quantiques InAs/InP(001) a t dtermine partir dun modle thorique simplifi incluant les effets de la contrainte par Patrice Miska et J. Even de lINSA de Rennes [Miska 03 ; Miska 02-1 et 02-2]. Il sappuie sur la rsolution de lquation de Schrdinger par la mthode des lments finis. Forme et dimensions utilises dans le modle : La forme considre pour le calcul est une pyramide tronque, section trapzodale, allonge selon [1-10] et dont les dimensions sont prcises figure A3.1 (a).
458meV
BC HH
1.424eV
502meV
InAs InP
(a)
(b)
Figure A3.1- Forme et dimensions des btonnets quantiques InAs/ InP(001) considrs pour le calcul thorique des niveaux dnergie (a) et nergies de confinement calcules pour ce systme contraint (b)
Le faible rapport daspect des lots (plats) a conduit faire deux hypothses : La dformation dans les nanostructures est modlise en la considrant quivalente celle dune couche fine prsentant une interface cohrente : les contraintes sont constantes et homognes dans les lots. Les bandes de trous lourds et trous lgers sont bien spares et la dispersion non parabolique de la masse effective (due un mlange de bandes de trous lourds et lgers) peut tre nglige. Les seules transitions considres sont celles entre la bande de conduction et la bande de trous lourds. Calcul des masses effectives Les masses effectives, ainsi que les potentiels de confinement des lectrons et des trous, sont calculs 0K, partir dun modle Hamiltonien 8*8 kp contraint (figure A3.1(b)). LInAs massif sur InP(001) est suppos en contrainte purement biaxiale.
- Annexes -
XX
Rsolution de lHamiltonien aux valeurs propres Les fonctions et valeurs propres sont calcules pour lHamiltonien non contraint une bande dans lequel sont introduites les grandeurs prcdentes. Le systme est discrtis par la mthode des lments finis sur un espace rduit grce aux considrations de symtrie. Les fonctions donde pour les lectrons et les trous confins dans les lots sont calcules. Les rgles de slection imposes par les symtries limitent le nombre de transitions permises. Elles doivent impliquer des niveaux dnergie dlectrons et de trous, dont les fonctions donde obissent aux mmes symtries. En mme temps que les nergies de transition, les intgrales de recouvrement entre les deux fonctions donde (lectron et trou) mises en jeu dans la transition sont calcules. La force doscillateur associe chaque transition est proportionnelle au carr de cette intgrale de recouvrement. Or, la force doscillateur est lie la probabilit doccurrence de la transition concerne. Ce calcul met donc en vidence les transitions les plus probables au nombre de 4 dans une gamme dnergie limite 1 eV. Ces transitions mettent en jeu les fonctions dondes possdant le mme nombre de nuds et ventres pour les lectrons et les trous (intgrale de recouvrement maximum) indiques figure A3.2(a).
(a)
(b)
Figure A3.2- Forme des fonctions donde mises en jeu dans les 4 transitions les plus probables (a) et spectre dabsorption calcul partir de ces 4 transitions (b) Source LENS- INSA Rennes
En considrant une densit de btonnets quantiques de 7.1010 cm-2, et un largissement inhomogne de 22 meV 8K, le spectre dabsorption en fonction de lnergie est trac [figure A3.2(b)]. Il sappuie sur lnergie des 4 transitions majeures et leur force doscillateur. Un petit dsaccord existe au niveau des intensits de chaque transition prdite par le calcul par rapport au spectre exprimental. Cependant, en tenant compte des incertitudes relatives la composition et la rpartition de la contrainte dans les lots, laccord avec les observations exprimentales est relativement bon (cf. tableau A3.1).
- Annexes -
XXI
Conditions
PL 8K forte excitation cw PLE 8K dtection 0.844eV Calcul
1re transition
0.844 eV
2me transition
0.872 eV 0.879 eV
3me transition
0.906 eV 0.914 eV 0.9 eV
4me transition
0.944 eV 0.954 eV 0.949 eV
0.848 eV
0.867 eV
Tableau A3.1- Comparaison des nergies de transition obtenues exprimentalement et par le calcul.
Les diffrentes transitions observes exprimentalement sont donc identifies comme issues de recombinaisons entre lectrons et trous possdant des fonctions donde analogues (nombre et disposition des ventres et nuds). Elles se distinguent par le nombre de nuds dans le sens de la longueur. Rfrences
[Miska 02-1] P. Miska, C. Paranthoen, J. Even , N. Bertru, A. Lecorre and O. Dehaese, Experimental and theoretical study of electronic energy levels in InAs quantum dots grown on (001) and (113)B InP substrates Journ. of Phys. : Condens. Matter 14, 12301 (2002) [Miska 02-2] P. Miska, C. Paranthoen, J. Even, O. Dehaese, H. Folliot, N. Bertru, and S. Loualiche, M. Senes, X. Marie, Optical spectroscopy and modelling of double cap grown InAs/InP quantum dots with long wavelength emission Semicond. Scie and Technol. 17, L63 (2002) [Miska 03] P. Miska, Thse de doctorat, INSA de Rennes (2003).

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Pertes de photons hors cavit

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LE MATERIAU ACTIF DU LASER : INTERET DES STRUCTURES

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LE RESONATEUR DU LASER : INTERET DES CRISTAUX

III.1 Quantification photo nique par effet de microcavit

- Chapitre 1 - Vers un microlaser faible seuil

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Veff = 5*(/n)3 et Q=2000 [Grard 98]

Billes de diamtre typiquement 50m et Q~109 Veff~6*(/n)3 et Q=12000 [Gayral 01]

-Confinement 3D -Diagramme isotrope

-Q trs lev -Fabrication

-Confinement 3D -Compacit -Emission peu directive -Q lev

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Cavit CP 2D + guide donde

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Indice plus faible Indice fort Indice plus faible

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III.3 Problmatique des r sonateurs cristaux photoniques 2D

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Radiation Modes modes rayonns Radiation modes

Modes guids ou localiss dans le plan

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Faible confinement vertical

vertical Couche guidante SC1

Couche de confinement SC2

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III.4 Intgration photoniq ue