Electronique Analogique 1

Par Evariste WEMBE TAFO
Electronique Analogique
Pr. Evariste WEMBE TAFO
Tél : 677452749
1
Electronique Analogique
OBJECTIF:
Nous examinons dans ce cours les principaux dispositifs électroniques permettant de traiter le signal issu
d'un capteur. Le transistor jouant un rôle prépondérant dans ce domaine, nous étudions les principaux
montages d'amplification de signaux à base du transistor, puis nous analysons leurs imperfections afin de
sensibiliser le concepteur aux erreurs de mesures. Enfin, les signaux issus de capteurs étant généralement
bruités, il est nécessaire d'utiliser des dispositifs de filtrage qui peuvent être de type passif ou actif,
analogique. Nous nous intéressons dans ce cours essentiellement aux filtres actifs analogiques exploitant
le transistor. Enfin nous étudions le cas des montages à rétroaction positive (mode non-linaire) utilisés
dans les processus de traitement, génération et conversion de signaux.
FICHE DE PROGRESSION
COURS ELEMENTS DU COURS Durée
Séance
Séance I-Diodes et applications CM :4h

No1 -Structure de l’atome TD :2h
-Edifices cristallins
-Conducteurs et Isolants
Séance -Semi-conducteurs CM :4h
No2 -Jonction PN TD :2h
II-Transistors bipolaire en régime statique
Séance -Notions Fondamentales CM :4h
No3 -Caractéristiques d’un transistor bipolaire TD :2h
Séance -Quelques circuits de polarisation des BJT CM :4h

No4 III-Transistor bipolaire en régime dynamique TD :2h
Séance -Circuits équivalents en AC et DC CM :4h

No5 -Schéma équivalent en petits signaux du BJT TD :2h
2
Sommaire
Eléments Fondamentaux d’Electronique et d’Electrotechnique
Chapitre 1 : Diodes et applications ……………………………………………………………………………….4
1.1 Structure de l’atome

1.2 Edifices cristallins
1.3 Conducteurs et Isolants
1.4 Les semi-conducteurs………………………………………………………………...
1.5 Les Jonctions PN……………………………..........................................
1.6 Diodes à Jonction……………………………………………………………………………………
1.7 Redressement………………………………………………………………………………..
1.8 Diode Zener
Chapitre 2 : Transistors bipolaire en régime statique ……………………………………………….22
2.1 Notions Fondamentales

2.2 Caractéristiques d’un transistor bipolaire
2.3 Quelques circuits de polarisation des transistors …………………………………………...
2.4 Stabilisation thermique…………………………………………………………………..
2.5 Gradient vertical adiabatique de température pour l'air humide………………………………...
2.6 Changements de phase de l’eau………………………………………........................................
Chapitre 3 : Transistor bipolaire en régime dynamique …………………………………………34
3.1 Circuits équivalents en alternatif et en continu

3.2 Schéma équivalent en petits signaux du BJT …………..……..…………………………………………
3.3 Calcul des circuits à transistor. …………..……..……………………..……………………………...
3.4 Autres montages amplificateurs à transistor …………………………………………………...
3.5 Montages collecteur commun et base commune d’un transistor bipolaire
3.6 Associations d’étages amplificateurs
Exercices et Corrigés
3
CHAPITRE 1 DIODES ET APPLICATIONS

1- STRUCTURE DE L’ATOME
Tous les corps purs, simples ou composes sont constitués par les édifices des atomes. On peut
représenter l’atome et un corps par un noyau autour duquel gravitent les électrons.
Electrons : particules de charges négatives
Noyau : -Protons : particules de charges positives
-Neutrons : particules neutres (sans charges)
Le nombre de protons est égal au nombre d’électrons d’où l’atome est dit électriquement neutre
car il contient autant de charge (-) que de charge (+).
-Si un atome perd un ou plusieurs électrons, il devient un ion positif appelé Cation.
-Si on lui donne des électrons supplémentaires, il devient un ion négatif ou Anion.
Les électrons qui orbitent autour du noyau se trouvent sur des couches concentriques désignées
par les lettres K, L, M … à partir du noyau.
Le nombre d’électrons par couches est limité par la loi 2n2 ou n est le numéro de la couche.
Exemple : K aura 2 e- (1ère couche) L aura 8 e-(2ème couche).
La couche la plus extrême ou dernière couche est appelée couche périphérique et les e- qui s’y trouvent
sont appelés : Electrons de valences.
4
Le nombre maximum d’électron sur une couche périphérique est de 8 sauf pour la couche K. Ce
sont les e- de valence qui permettent à l’atome d’un corps d’établir les liaisons avec d’autres atomes
(identiques ou différents).
Exemple de représentation
1-Atome de Bore : 5 électrons
Bore (B): Élément trivalent (3e sur la dernière couche) c'est-à-dire 3 e- de valence.
2-Atome de silicium : 14 électrons.
Silicium (Si) : Elément tétravalent (4 e- de valence)
-Le phosphore qui a 5 e- de valence est dit élément pentavalent

-Le Germanium (Ge, 32 e-) est un élément tétravalent.
Niveaux d’énergie
Les e- qui tournent autour du noyau possèdent les niveaux d’énergie bien déterminés. Plus
l’orbite d’un électron est éloignée, plus son niveau énergétique est grand. Si une énergie extérieure à
l’atome (chaleur, lumière) vient le bombarder, elle augmente l’énergie de l’électron et l’élève à un niveau
énergétique supérieur.
2-EDIFICES CRISTALLINS
Un atome de Si ou de Ge possède 4 e- de valence, pour être chimiquement stable, il devrait avoir

8 e- sur sa dernière couche lorsque les atomes de Si sont placés dans les conditions favorables. Chaque
atome se positionne lui-même être 4 autres atomes, chacun mettant en jeu ses 4 e- de valence pour
établir des liaisons dites de covalences qui les maintiennent ensemble, ou obtient alors une structure
solide bien ordonnée appelée Cristal.
Cristal de Silicium
5
3-CONDUCTEURS ET ISOLANTS
Un corps conducteur comporte beaucoup d’électrons libres et dans ce corps les bandes de valences et de
conductions sont très proches ou s’interpénètrent (chevauchent).
Exemple : Cuivre, Fer
Les corps isolants sont caractérisés par une bande de conduction vide, une bande de valence saturée, une
bande interdite très large. Dans ces corps, il est pratiquement difficile pour un électron de valence de
recevoir une énergie suffisante pour se libérer. On dit encore que la résistivité d’un isolant est très élevée.
Exemple : Diamant, Mica
4-LES SEMI-CONDUCTEURS
Il s’agit des corps dont les résistivités diminuent lorsque la température augmente. Isolant parfait
à de très basse température, ces corps deviennent de bons conducteurs en haute température. Par
ailleurs leur résistivité dépend éventuellement de leur état de pureté.
On distingue alors :
-Des semi-conducteurs intrinsèques : corps extrêmement purs.
Exemple : Cristal de Si ou de Ge
- Des semi-conducteurs extrinsèques : corps contenant des impuretés (atomes étrangers) même
à doses très faibles.
4-1 Semi-conducteurs intrinsèques
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Lorsqu’on considère un cristal de Ge ou de Si à la température de 0ok (-273oC), tous les e- de

valence sont fortement liés dans leur liaison covalente. On peut encore dire du point de vue énergétique
que la bande de valence est saturée, la bande de conduction vide. Le cristal se comporte alors comme un
parfait isolant à la température ambiante (25oC). Un apport d’énergie dû à l’agitation thermique permet
à certains e- de rompre leur liaison et de devenir ainsi libre de se déplacer dans le réseau cristallin. Un e-
qui quitte sa liaison laisse derrière lui un trou, on dit que l’agitation thermique a créé une paire e- libre
trou dans un semi-conducteur pur, on rend ainsi compte de la conduction par 2 types de porteur de
charge :
- Les e- libres, porteurs de charges (-)

- Les trous, porteurs de charges (+)
Le nombre d’e- libres est égal au nombre de trous : ne=nt
Si au cours de son déplacement aléatoire, un e- libre rencontre un trou, il tombe dedans et les 2
disparaissent, c’est le phénomène de recombinaison des porteurs de charges.
Le temps moyen qui s’écoule entre la création d’une paire d’e- libre trou et sa disparition est
appelé durée de vie de la paire.
4-2 Semi-conducteurs extrinsèques
Les semi-conducteurs dans lesquels on a introduit certaines impuretés (atomes étrangers) qui
modifient leur résistivité dans de grandes proportions, sont dits Extrinsèques. L’opération qui consiste à
introduire l’impureté souhaitée dans un cristal dur s’appelle le dopage.
Le dopage permet de rompre l’équilibre entre le nombre d’e- libre et les trous. Si à l’issu du dopage, le
nombre d’e- libre est supérieur au nombre de trou, on dira que le semi-conducteur est de type N à cause
de la charge de l’e-. Si au contraire le nombre de trou est supérieur, le semi-conducteur est du type P à
cause de la charge (+).
4-2-1 Semi-conducteur du type N
Pour obtenir un semi-conducteur du type N, on utilise comme impuretés les atomes pentavalents,
exemple : Phosphore (P), Arsenic (As), Antimoine (Sb).
L’atome de phosphore introduit dans un cristal de silicium par exemple, prend la place d’un atome de Si,
4 de 5 e- de valence, seraient engagés dans les liaisons covalentes, le 5e e- de valence est très peu lié à
l’atome de phosphore car sa dernière couche est déjà saturée à 8, il va par conséquent se libérer
contribuant ainsi à une augmentation du nombre d’e- libre, on dit que l’atome de phosphore est un atome
donneur puisque cet atome a perdu son e- , c'est-à-dire il devient un ion positif fixe.
Dans un semi-conducteur de type n, les e- libres sont appelés porteurs de charge majoritaire, tandis que
les trous (provenant de l’agitation thermique) sont des porteurs de charges minoritaires.
4-2-2 Semi-conducteur de type P
7
On utilise comme impureté les atomes trivalents, exemple Bore (B), Aluminium (Al). Chaque
atome de bore par exemple introduit dans un cristal pur de Si ou de Ge forme des liaisons de covalence
avec 3 atomes de Si ou de Ge, il lui manque alors un e- pour établir la 4e liaison d’où l’existence d’un trou.
Ce trou aura tendance à capter un e- voisin. Lorsqu’il le fait le trou apparaît ailleurs et l’atome de bore qui
a ainsi obtenir un e- supplémentaire devient un ion négatif fixe en définitive, il y a création de trou au
détriment des e-.
Dans un semi-conducteur de type P, les trous sont porteurs de charges majoritaires tandis que les e- libres
(dus à l’agitation thermique) sont des porteurs minoritaires.
L’atome de bore qui a permis la création d’un trou supplémentaire est appelé atome accepteur.
5-JONCTION PN
5-1 Jonction PN isolée
Il y a jonction lorsque dans un même cristal, une zone P et une zone N sont contigües (cote à cote)
et que l’on passe brusquement de l’une à l’autre.
Quand une région P et une région N sont placées l’une à la suite de l’autre, un phénomène de diffusion
de porteur de charge prend immédiatement naissance de part et d’autre de la jonction.
La diffusion est suivie par un phénomène de recombinaison de porteur de charge.
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Au voisinage de la jonction, il se crée une zone vide de porteur de charge qu’on appelle zone de déplétion
ou zone d’appauvrissement ou encore zone de charge d’espace.
Les ions positifs fixes et les ions négatifs fixes situés de part et d’autre de la jonction seront à l’origine d’un
champ électrique interne Ei qui nait dans cette zone.
Le sens de ce champ est tel que, il va s’opposer à toutes diffusions de porteurs de charge à travers la
jonction.
On associe au champ électrique interne, une d.d.p. appelée Potentiel de contact
5-2 Jonction PN polarisée
Polarisée une jonction revient à appliquer entre ces bornes une d.d.p. à l’aide d’une source de tension
externe.
a) Polarisation directe
Dans ce cas, la région P est reliée au pôle (+) de la source de tension et la région N au pôle (-)
Le champ électrique externe crée par la tension s’oppose au champ électrique interne Ei toute fois que la
d.d.p. appliquée en P et N reste inférieure à un certain seuil. Le champ électrique interne ou encore la
barrière de potentiel continue à s’opposer au déplacement des porteurs majoritaires à travers la jonction
d’où l’inexistence d’un courant électrique (i=0). Si le seuil est atteint, le champ électrique interne ne suffit
plus pour bloquer les porteurs majoritaires. Un courant électrique s’établit alors (i≠0).
On appelle caractéristique direct de la jonction, la courbe de variation du courant i en fonction de la

tension directe V appliquée entre ses bornes
Vs : tension seuil
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V
 qV   
Le courant i varie en fonction de V selon la relation suivante : i  i s  e nKT  1  ou i  i s  e nV T
 1
   
   
q : charge de l’électron : 1,6×10-19J/V
k : constante de Boltzmann : 1,38×10-23J/oK
n : constante 1<n<2
is : courant de saturation inverse
T : Température absolue (oK)
b) Polarisation inverse
En polarisation inverse le potentiel de la zone N est supérieur à celui de la zone P.
Les porteurs minoritaires de la zone P étant les électrons, ils vont favoriser la circulation du courant.
L’action de la source de tension externe renforce celle du champ électrique interne, ce qui a pour effet de repousser
plus les porteurs majoritaires vers les extrémités des 2 régions. Cependant, on observe un très faible courant à travers
la jonction, appelé courant de fuite, courant inverse ou courant de saturation inverse.
En effet, la tension inverse appliquée facilite le déplacement des porteurs minoritaires (dû à l’agitation thermique) qui
se trouvent de part et d’autre de la jonction. Ce courant d’intensité très faible ne peut varier qu’avec la température.
Si la tension inverse appliquée aux bornes de la jonction devient très importante, on assiste à une croissance très
brusque et important du courant inverse qui risque détruire la jonction, il s’agit du claquage de la jonction. 2
phénomènes peuvent être à l’origine de ce claquage inverse :
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-Effet zener
L’effet se produit dans les jonctions fortement dopées ayant une zone de transition très mince. Ce champ
électrique qui règne dans la jonction est assez élevé pour arracher les électrons de valence qui passent brutalement
dans la bande de conduction, la jonction devient un conducteur de résistance très faible.
-Effet d’avalanche
Il se produit pour toutes les jonctions à des tensions inverses nettement élevées, les porteurs minoritaires qui
traversent la jonction ont acquis une énergie cinétique telle que lorsqu’ils entrent en contact avec des atomes, ils
provoquent la rupture à leur tour suite au choc avec d’autres atomes. Les électrons ainsi libérés acquièrent à leur tour
une énergie cinétique suffisante pour provoquer la rupture de nouvelles liaisons. Ce phénomène devient ainsi cumulatif,
ce qui peut entrainer la destruction de tout le réseau cristallin.
6-LA DIODE A JONCTION
Lorsqu’on soumet la jonction aune d.d.p. on réalise une diode à jonction.
6-1 Courant inverse de la diode
La zone P est branchée au pôle négatif de la pile et celle de N au pôle positif, on dit que la diode est polarisée dans le
sens inverse.
E créé par U va s’ajouter à E0, ce qui augmente la barrière de protection et rend encore plus difficile le déplacement
des porteurs majoritaires.
Le courant qui passe dans la jonction n’est dû qu’au déplacement des porteurs minoritaires et il est très faible ; c’est le
courant inverse de la diode.
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6-2 Courant direct de la diode
La zone P est reliée au pôle positif de la pile et celle de N au pôle négatif, on dit que la diode est polarisée
dans un sens direct.
Le champ E s’oppose à E0 provoquant une diminution de la barrière, ce qui facilite le déplacement des porteurs
majoritaires ; c’est le courant direct de la diode, il est d’autant plus élevé que U est grand.
6-3 Caractéristique de la diode a jonction
Us : tension de seuil réelle : valeur de U en dessous de laquelle le courant est pratiquement nul
U0 : tension de seuil pratique : intersection de la partie rectiligne et l’axe des tensions.
6-4 Résistance de la diode
Pour U > 0, la résistance pratique dépend du point de fonctionnement. Mais dans la partie rectiligne de la
courbe caractéristique, elle est pratiquement constante et très faible (<1Ω) ; c’est la résistance directe.
U
Rd 
i
Si U < 0, i.e. -Vz < U < 0, la résistance est très élevée, c’est la résistance inverse (plusieurs centaines de MΩ).
On peut définir la diode idéale U0=0
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Pour la diode réelle, on peut aussi définir une caractéristique simplifiée par
U
Rd 
i
U ≤ U0 , i=0
U ≥ U0 , U = U0+Rdi ou i=G(U-Uo)
On a le schéma équivalent suivant
En pratique, Rd est très faible. On peut négliger U0, ce qui nous ramène a la caractéristique idéale.
7- REDRESSEMENT
7-1 Redressement a une alternance
e=E 2 sinωt
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-Pendant l’alternance positive, la diode est polarisée en direct.
Si on néglige U0 et Rd (cas de la diode idéale), on a UR=e, i=e/R
-Pendant l’alternance négative, la diode est polarisée en inverse, UR=0, i=0.
La valeur moyenne de UR(t) est
T
2 
1 1
U rmoy   E 2 sin  tdt  E 2 sin  d 
T 0
2 0
E 2
U rmoy   0 , 45 E

La tension inverse récurrente aux bornes de la diode est :
E 2  E m ( V Z )
7-2 Redressement deux alternances
a) Redressement avec point milieu
Alternance positive ; D2 bloquée et D1 passante UR=e
Alternance négative ; D1 bloquée et D2 passante UR=-e
14
T 
1 1 2E 2
U rmoy 
T 0 E 2 sin tdt  2 E
0
2 sin d 

 0,90 E
Tension inverse récurrente 2Em
b) Pont de Graetz
En alternance positive ; D1 et D3 passante et, D2 et D4 bloquées UR=e
En alternance négative ; D2 et D4 passante et, D1 et D3 bloquées UR=-e
Urmoy = 0,90E , tension inverse récurrente Em/2
7-3 Facteur de forme et taux d’ondulation
La tension redressée c’est Ur =Urmoy + Uond
U ond
Taux d’ondulation  
U rmoy
Ur
Facteur de forme F
U rmoy
T
1
 U  U ond dt  U rmoy  U ond
2 2 2
Ur  rmoy
T 0
F 1 2
2
Rappels
Soit un signal périodique à valeur moyenne non nulle, on peut donc l'écrire sous la forme :
y=<y> + ya
avec <y> la valeur moyenne du signal et ya représentant l'ondulation du signal et Ya étant sa
valeur efficace
Le taux d'ondulation est donné par la relation suivante :
15
Valeur efficace de l ondulation de la fonction

= =
<y>
Le facteur de forme est donné par la relation suivante :
Valeur efficace de y Y
= =
Valeur moyenne de y < y >
La valeur efficace, appelée valeur RMS (Root Mean Square), est définie par la valeur Y de la
fonction y en étant la racine carrée de la valeur moyenne du carré de la fonction y(x) :
= ∫ [ ( )] ou = ∫ [ ( )]
si l’on passe dans le domaine des angles, on aura alors l'équivalence suivante :
= ∫ [ ( )]
La définition de la valeur moyenne provient directement de la définition mathématique:
Sur un intervalle [a,b], la valeur moyenne, notée <y>, d'une fonction y(x) de variable x est donnée par:
< >= ∫ ( )
Dans le cas particulier d'une fonction périodique et de période T, le résultat de la valeur moyenne est
indépendante de l'intervalle d'intégration à condition que celle-ci soit égale à T ou a un multiple de T:
1 1
< >= ( ) = ( )
Bien souvent ce n’est pas la variable temps qui est prise en compte, mais la variable angle par
l'intermédiaire d’un changement de variable définit par : ωt = θ et ωT=2π, ce qui donne :
1 1
< ≥ ( ) = ( )
2
7-4 Filtrage
A t=0, q=0
Pendant la charge (alternance positive)
16
E 2 dq de
ir  sin  iC  C  C  E 2 cos  U r  Ri r
R dt dt
La charge s’arrête lorsque i  ir  iC  0
E 2
i r   iC  sin  1  C  E 2 cos  1
R

tg  1   RC  (  )
2
Pendant la décharge, on a l’équation différentielle
dq q di
R   0  R r  ir  0
dt c dt
t 
 
RC RC 
 ir  Ae  Ae
A t=θ1/ω
1 

RC 
E 2 E 2  1
Ae  sin  1 A  sin  1e RC 
R R
  1 
 
 RC  
U r  Ri r  E 2 sin  1e
La conduction reprend à t2 lorsque
   
 2 1 
 RC  
E 2 sin  2  E 2 sin  1e
8- DIODE ZENER
8-1 Définition
17
La diode zener fonctionne en inverse dans la partie de la caractéristique U <-VZ, le courant

diminuant rapidement lorsque U diminue légèrement.
Le comportement de cette diode n’est intéressant qu’en polarisation inverse.
En adoptant le schéma ci-après
Il y a phénomène d’avalanche réversible toute fois que i < im.
Pour i > im, le phénomène est irréversible.
U
Pour U >VZ, la résistance de la diode est R d  et est très faible.
i
Pour 0 < i < IZ, la résistance varie avec le point de fonctionnement et peut atteindre plusieurs centaines
d’Ohm.
On a la diode zener idéale lorsque la caractéristique est :
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Caractéristique de la diode idéale
U = Vzo + Rd i
Schéma équivalent, diode réelle
8-2 Stabilisation par diode Zener
a) Diode idéale
Rp : résistance de protection pour limiter i dans la diode et la garder <im.
R
0 < U < VZ i=0 U  E
RP  R
I>0
U=VZ=Cte E=RPI+VZ VZ=Rir
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E  VZ VZ E  VZ V
i  I  ir     Z i
RP R RP R
V Z R  R P 
 E   RPi
R
V R  R P 
i  im  E  Z  R P im
R
b) Diode Zener réelle
b-1) Coefficient de régulation amont et rapport de stabilisation
Le coefficient de régulation amont est défini par :
 E 
A 
  U  R Cte
Le rapport de stabilisation est défini par A-1
On a E = RPI+U
U
U  Ri R  i R 
R
U  VZ 0
U  RZ i  VZ 0  i 
RZ
 U U  VZ 0 
I  i R  i  E  R p     U
R RZ 
 E  R R
   P  P 1
  U  R  Cte R RZ
 E  R R R 
   P  Z  Z  1 
  U  R  Cte RZ  R RP 
20
RP
En général, RZ << R et RZ << RP  A
RZ
Comme on veut réguler la tension de sortie, il convient qu’une forte variation de E provoque une faible variation de U,
donc A doit être très grand et A-1 très petit.
b-2) Coefficient de régulation aval
Il est défini par
 U 
   
 i
 R  E Cte
Une forte variation de iR (au travers de R) doit provoquer une faible variation de U, donc doit être le plus petit possible.
E U
E  RP I  U  I 
RP
U  VZ 0
U  RZ i  VZ 0  i 
RZ
E  u u  VZ 0 E VZ 0 R P  R Z
iR  I  i      U
RP RZ R P RZ RP RZ
 U  R P RZ
   
 iR  E Cte RP  RZ
RZ  RP    RZ
b-3) Comportement d’une diode Zener en courant alternatif
Diode idéale e=Emsinωt =Emsinθ
Em > VZ
-Alternance positive (polarisation inverse)
21
- U < VZ, i=0 donc
R Em R
U  eU  sin  t  U m sin  t
R  RP R  RP
U  V Z  U m sin   U m sin  1
t1  VZ 
pour    1   t1  1  Arc sin  
1 Um 
-U reste constant jusqu'à θ2=π-θ1, tel que sinθ2=sinθ1
- π-θ1 < θ < π, U=Umsin θ (U<VZ, i=0)
-π < θ < 2π, diode polarisée en direct U=0
22
CHAPITRE 2 TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME CONTINU

I-NOTIONS FONDAMENTALES
1-1 Structure d’un transistor bipolaire
La figure 1
La figure 1 représente un transistor NPN et PNP respectivement. La fonction de :
L’Emetteur fortement dopé est d’émettre ou d’injecter des électrons (des trous pour PNP) dans la Base.
La Base est légèrement dopée et très étroite, donc peu des électrons injectées (trous pour PNP) sont
piégés dans la base. La majorité des électrons (trous) réussissent à atteindre le Collecteur.
Le Collecteur est la plus large des 3 régions et son niveau de dopage est intermédiaire entre celui de
l’Emetteur et celui de la Base.
1-2 Effet transistor
En l’absence de polarisation, la diffusion des électrons libres à travers la jonction produit 2 couches
de déplétions ou couches d’appauvrissement présentant chacune une barrière de potentiel.
Figure 2 : couches de déplétion, barrière de déplétion.
Polarisons la diode Emetteur en direct et la diode Collecteur en inverse.
23
Les porteurs majoritaires (électrons) partent en grand nombre de l’Emetteur fortement dopé,
favorisés par la polarisation directe de la diode Emetteur. Ils pénètrent dans la Base qui par fabrication
est étroite et faiblement dopée.
Quelques-uns des électrons provenant de l’Emetteur y sont piégés et recombinés aux trous parce
que la Base est faiblement dopée. Les électrons piégés sont en faible nombre, la grande majorité des
électrons émis par l’Emetteur parviennent à travers la Base et sont attirés dans le Collecteur par une
tension inverse qui règne dans la jonction de Collecteur. On retrouve ainsi un grand courant au Collecteur
et un faible courant à la Base.
Dans la plupart des transistors, plus de 95% des électrons émis par l’Emetteur passent au
collecteur et moins de 5% sont piégés par les trous de la Base et passent au conducteur externe.
Remarque :
-Deux diodes discrets dos à dos ne font pas un transistor.
-L’effet transistor est le fait de partir d’un courant d’Emetteur pour obtenir un courant de Base
faible et un important courant de Collecteur.
1-3 Quelques constantes fondamentales des transistors.
a) Rapport αCC en courant continu
Dire que plus de 95% des électrons injectés atteignent le Collecteur revient à dire que le courant du
Collecteur est pratique celui de l’Emetteur.
IC
Le rapport αCC indique la proximité des 2 courants et par définition :  CC 
IE
Plus la Base est étroite et faiblement dopée, plus αCC est grand. De manière générale αCC > 95% et
dans beaucoup de transistors, αCC ≈ 0,99 ; c’est pourquoi on approxime αCC à 1 dans la plupart des
analyses.
b) Résistance de rétrécissement de la Base R’b
Comme 2 couches de déplétions pénètrent dans la Base, les trous de la Base sont confinés dans un canal
étroit du semi-conducteur P. La résistance de cet étroit canal est la résistance de rétrécissement de la
Base R’b.
24
L’augmentation de la tension de polarisation inverse du Collecteur diminue la largeur du canal P

et augmente R’b. Dans de rares cas, R’b atteint 1000 Ω mais se trouve le plus souvent entre 50 Ω et 150 Ω.
R’b est importante dans les circuits, mais en BF, elle a peu d’effet et on le néglige.
c) Tension de claquage BVBE, BVCE
Comme les 2 moities d’un transistor sont des diodes, l’application d’une tension inverse trop grande sur
l’une des diodes peut provoquer un claquage.
La tension basse de claquage de la diode Emetteur BVBE est comprise entre 5V et 30V.
La diode Collecteur étant moins dopée, sa tension de claquage BVCE est plus grande et comprise
entre 20V et 300V.
Pour avoir un effet transistor normal, la diode Collecteur doit être polarisée en inverse. Si VCB est
trop grand, la diode Collecteur entre en claquage et peut être endommagé. Il faut donc garder la tension
Collecteur inferieur à la tension limite BVCE spécifiée sur les fiches signalétiques des fabricants.
La diode Emetteur de certains transistors est parfois polarisée en inverse et dans ce cas la tension
inverse ne doit jamais dépasser la tension limite BVBE.
d) Gain βCC en courant continu
IC
Le gain βCC lie le courant collecteur au courant de Base d’un transistor, par définition :  CC 
IB
Moins de 50% des électrons injectés par l’Emetteur de presque tous les transistors se
recombinent avec les trous pour produire IB, par conséquent βCC > 1. De façon générale, 50 ≤ βCC ≤ 300.
Pour de rare cas βCC ≈ 1000.
Les fabricants désignent sur les fiches signalétiques βCC par hFE.
e) Relation entre αCC et βCC
Symbole du transistor
Loi des nœuds :
25
IE I
IE  IC  I B  1 B
IC IC
1 1
1
 CC  CC
 CC
 CC 
1   CC
II-CARACTERISTIQUES D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A JONCTION
Pour qu’un transistor fonctionne de façon linéaire, il faut que :
- La diode Emetteur soit polarisée en direct.

- La diode Collecteur soit polarisée en inverse.
- La tension aux bornes de la diode Collecteur soit inférieur à la tension de claquage.
Si ces conditions sont remplies, le transistor est un dispositif actif parce qu’il reçoit en entrée un signal,
l’amplifie et sort un signal plus grand.
2-1 Caractéristiques du Collecteur
On donne une valeur à VBB et cela fixe IB à une valeur IB1. On fait varier VCC et on relève les couples (VCE, IC)
en essayant de maintenir IB constant.
26
2-2 Caractéristiques de Base
La cellule Base-Emetteur d’un transistor est une diode. On s’attend à ce que la caractéristique
d’une jonction Base-Emetteur soit celle d’une diode. La différence est qu’à de hautes tensions du
Collecteur, celle-ci recueille quelques électrons supplémentaires, cela diminue le courant de Base. La
caractéristique de la plus grande tension VCE a un courant de Base légèrement inférieur pour une même
tension VBE.
Ce phénomène est connu sous le nom d’effet Early.
2-3 Caractéristiques du gain en courant
Le gain βCC d’un transistor aussi appelé gain en courant varie fortement. A température constante
βCC augmente jusqu'à un maximum lorsque le courant Collecteur augmente.
Si IC continue à augmenter, βCC diminue. βCC augmente également en fonction de la température

pour un courant de Collecteur IC donné.
2-4 Droite de charge en statique
On peut tracer la droite de charge sur les caractéristiques de Collecteur pour mieux voir le
fonctionnement du transistor et dans quelle région il fonctionne.
Soit le schéma
27
V CE  V CC  R C I C  0
V CC  V CE
IC 
RC
Cette relation est l’équation de la droite de charge statique
III- QUELQUES CIRCUITS DE POLARISATION DES TRANSISTORS
Dans les circuits numériques, le transistor fonctionne en interrupteur, dans les circuits linéaires
(Amplificateur, etc.…) il fonctionne en point de fonctionnement.
Dans ceux-ci, on s’arrange pour que le point de fonctionnement soit vers le milieu de la droite de
charge, pour que le signal utilisé ne sature, ni ne bloque le transistor.
3-1 Polarisation de Base
28
Schéma de base
V BB  V BE
On a V BE  R B I B  V BB  0  I B 
RB
Equation de la droite d’attaque statique
βCC variant beaucoup, stabiliser Q est difficile. On n’utilise pas ce montage dans les circuits linéaires, on
l’utilise plutôt dans les circuits numériques.
3-2 Polarisation par réaction d’émetteur
Il faut entendre par réaction, le fait qu’une grandeur de sortie (courant de Collecteur) fait varier
une grandeur d’entrée (courant de Base).
On essaie de compenser la variation de βCC par ce type de polarisation.
Schéma de base Schéma pratique
V CE  R E I E V CC  R C I C  0
I E  IC  I B  IC
V CC  V CE
IC 
RC  R E
Pour VCE= 0 (saturation) → ICsat = VCC /(RC+RE)
Pour IC=0 (blocage) → VCEbloc = VCC
Effet de βCC
IC
V CE  R E I E V CC  R C I C  0 , I C   CC I B  I B 
 CC
29
IC  IE
V CC  V BE
IC 
R
RE  B
 CC
Pour que IC ne dépende pas de βCC, il faut choisir RE très grand devant RB / βCC. Mais en le faisant, on sature
le transistor.
3-3 Polarisation par réaction de Collecteur (Polarisation automatique)
VCE  VCC  RC ( I C  I B )  0
I B  I C
VCC  V CE
IC 
RC
Effet de βCC
V BE  V CC  R C ( I C  I B )  R B I B  0
IC
I B  I C , I B 
 CC
V CC  V BE
IC 
R
RC  B
 CC
On ne peut jamais saturer le transistor car VBE ne peut être inférieur à 0,6V
VCC  0,7
IC 
RC , RB très petit
30
Remarque : pour que Q soit vers le milieu de la droite de charge, on choisit RB =βCCRC et dans ce cas :
VCC  V BE
IC 
2 RC
3-4 Polarisation par diviseur de tension
Elle est la plus utilisée en fonctionnement linéaire
Rth=R1//R2
V BE  R E I E V th  R th I B  0
IE  IC  IB  IC
IC
IB 
 CC
V th  V BE
IC  I E 
R
R E  th
 CC
Si RE ≥ 100Rth/βCC alors RE >> Rth/βCC
V th  V BE
IE 
RE est indépendant de βCC
Lorsque Rth ≤ 0,01βCCRE, on dit que le diviseur de tension est soutenu.
31
Si R1 et R2 sont très petits, on aboutit à d’autres problèmes. On utilise en général Rth ≤ 0,1βCCRE ou R2
≤ 0,1βCCRE.
La droite de charge pour ce montage
V CE  R E I E V CC  R C I C  0
V CC
I E  IC  I B  IC I Csat  VCEbloc  VCC
RC  R E
V CC  V CE
IC 
RC  R E
3-5 Polarisation Emetteur
Ce type de montage polarisé est utilisé lorsqu’il dispose d’une alimentation fractionnée.
V BE  R E I E V EE  R B I B  0
IE  IC  IB  IC
IC
IB 
 CC
V EE  V BE
IE 
R
RE  B
 CC
Si RE >>RB / βCC
V EE  V BE
IE 
RE
IV-STABILISATION THERMIQUE
32
Soit un transistor dont la valeur de repos du courant du Collecteur vaut IC. Désignons par ΔIC la variation
de l’intensité du courant sous l’effet d’une variation de température, cette variation de courant est
essentiellement due à une variation ΔICBO du courant inverse de jonction Collecteur-Base mais aussi à la
variation ΔVBE de la tension Base-Emetteur.
 I C  S  I CBO  S /  V BE
S et S/ sont appelés facteurs de stabilisation
 I C   I C 
S    S /   
  I CBO  V BE Cte   V BE  I CBO  Cte
La stabilisation est de plus en plus bonne lorsque ISI et IS/I diminuent.
ICBO : courant des porteurs minoritaires
IC=αCCIE IC=αCCIE +ICBO
IC=αCC(IC+IB) +ICBO
IC(1- αCC)= αCCIB+ICBO
 CC 1
IC  IB  I CBO
1   CC 1   CC
 CC 1
 CC   CC  1 
1   CC 1   CC
I C   CC I B  (  CC  1) I CBO
33
I C   CC I B  (  CC  1) I CBO  I C   CC  I B  (  CC  1)  I CBO
V BE  V BB  R B I B  V BE   R B  I B
→
 CC
IC    V BE  (  C C  1)  I C BO
RB
 CC
S   CC  1 S/  
RB
I C   CC I B  (  CC  1) I CBO  I C   CC  I B  (  CC  1)  I CBO
V BB  ( R E  R B ) I B  R E I C  V BE 0  ( R E  R B )  I B  R E  CC  I B   V BE
→
  CC
 CC  1 RB  RE
S  S/ 
 CC R E   CC 
1 1   RE
RB  R E  RB  RE 
34
CHAPITRE 3 TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME DYNAMIQUE

Une fois qu’on a polarisé un transistor, on peut attaquer l’entrée du circuit par un signal alternatif,
cela produit des fluctuations dans le courant de sortie, de même allure.
Lorsque l’amplitude du signal sinusoïdal est petite, le transistor n’utilise qu’une petite partie de
la droite de charge et le fonctionnement est linéaire. Si ce signal est trop grand, les fluctuations le long de
la droite de charge saturent ou bloque le transistor, l’amplification n’est plus linéaire.
Dans ce chapitre, nous allons nous intéresser aux amplificateurs linéaires.
I-CIRCUITS EQUIVALENTS EN ALTERNATIF ET EN CONTINU
Soit le circuit suivant
Dans ce circuit les sources continues établissent les courants et les tensions de repos et les sources
alternatives font fluctuer ces courants et ces tensions. La façon la plus simple d’analyser est de diviser
l’analyse en 2 parties :
-Une analyse en continu
-Une analyse en alternatif
Autrement dit, on peut utiliser le théorème de superposition pour analyser un tel circuit et les
amplificateurs en général.
Voici les étapes de l’application du théorème de superposition au circuit en transistor :
1- Annuler la source alternative, ce qui revient à court-circuiter une source de tension ou ouvrir une
source de courant.
2- Ouvrir tous les condensateurs.
Le circuit qui reste s’appelle circuit équivalent en continu. Il permet de calculer les courants continus
et les tensions continues.
Pour obtenir un circuit équivalent en alternatif, qui permettra de calculer les courants et tensions
alternatifs, on doit :
35
1- Annuler la source continue, ce qui correspond à court-circuiter une source de tension et ouvrir
une source de courant.
2- Court-circuiter tous les condensateurs de couplage et de découplage.
Circuit équivalent en alternatif Circuit équivalent en continu
Le courant total dans chaque branche du circuit sera égal à la somme des courants
continus et alternatifs dans cette branche.
iB = ib + IB
iC = ic + IC
iE = ie + IE
La tension totale aux bornes d’une branche est égale à la somme des tensions continues
et alternatives aux bornes de cette branche.
vCE = vce + VCE
II- SCHEMA EQUIVALENT EN PETITS SIGNAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

Dans le calcul en alternatif des amplificateurs linéaires, on transforme en son équivalent en petits
signaux.
Pour un montage en Emetteur commun par exemple, cet équivalent est :
Exemple d’application
Pour le circuit équivalent en alternatif ci-dessus, son équivalent en petits signaux est.
36
r : résistance dynamique du transistor

ρo : résistance de sortie du transistor en entrée à vide
μ : Coefficient de réaction interne
β: Gain en courant
v be  ri b   v ce
v ce
ic   ib 
 o
III-CALCUL DES CIRCUITS A TRANSISTOR
Nous venons de voir que si un montage a transistor fonctionne en régime sinusoïdal de
faible amplitude, toutes les grandeurs du système sont sinusoïdales. Il est possible de représenter
le transistor par son schéma équivalent petits signaux et de substituer ainsi à un raisonnement
graphique indispensable, un raisonnement mathématique qui utilise les lois générales des circuits
électroniques.
3-1 Définition
De façon générale, un amplificateur peut être assimilé à un quadripôle. Par convention les
courants seront toujours orientés entrant dans le quadripôle.
a) Amplificateur complexe
L’amplificateur travaillant en régime linéaire sinusoïdal, toutes les variations par rapport au repos
peuvent être représentées par leurs amplitudes complexes. On peut définir les amplifications
complexes :
-Amplification complexe en tension AV
C’est le rapport entre l’amplitude complexe de la variation de la tension de sortie et l’amplitude
Us
de la variation de la tension d’entrée : AV 
Ue
-Amplification complexe en courant A i
C’est le rapport entre l’amplitude complexe de la variation du courant de sortie et l’amplitude de
Is
la variation du courant d’entrée : Ai 
Ie
b) Impédance d’entrée, impédance de sortie
37
Par définition l’impédance complexe d’entrée est le rapport entre l’amplitude complexe de la
variation de la tension d’entrée et l’amplitude complexe de la variation du courant d’entrée :
Ue
Ze 
Ie
Le théorème de thévenin montre que tout système électrique vu entre 2 points est équivalent à
un générateur :
- De force électromotrice égale à la tension à vide entre les 2 points

- De la résistance interne égale à la résistance vue entre les 2 points lorsqu’on supprime tous
les générateurs autonomes.
Dans le cas d’un amplificateur ; ce théorème appliqué à la sortie montre que le système se comporte
comme
Un générateur de force électromotrice US0 (tension de sortie à vide IS=0) et d’impédance interne ZS.
Par définition ZS est appelée impédance de sortie de l’amplificateur.
c) Courbes de réponse
Les amplifications complexes sont généralement des fonctions de la pulsation. Pour traduire le
comportement du système en fonction de la pulsation, il convient de tracer l’ensemble des 2 courbes
représentatives des fonctions.
38
A  f 1 ( )......... ..... Courbe 1

Arg ( A )  f 2 ( )..... Courbe 2 .......... .......... .......... .......... .......... .. A  Ai .ou . AV
Si .......... .. A  AV
Us Us
A  
Ue Ue
U s 
Arg ( A )  Arg    Arg U
   Arg U 
s e
U e 
-La Courbe 1 est appelée courbe de module et elle représente le rapport des modules des amplitudes des
grandeurs de sortie et d’entrée, donc le rapport de leurs amplitudes.
-La Courbe 2 est appelée courbe de phase et elle représente la différence des arguments des amplitudes
complexes des grandeurs de sortie et d’entrée, donc leurs déphasages.
L’ensemble de ces 2 courbes est appelée Courbes de réponse ou diagramme de Bode de l’amplification.
Le module pouvant atteindre des valeurs très élevées, on convient d’introduire la notion de Gain (En
tension, en courant) définie de la manière suivante :
- Gain en tension GV ou Gain en courant GI

GV  20 log A V .......... ...unite : dB G i  20 log A i .......... ...unite : dB
La Courbe G=f(ω) est appelée la courbe de Gain.
La représentation dans le plan de Bode d’une fonction de transfert T (jω) consiste à tracer séparément en
fonction de la pulsation ω ou de la fréquence f, le module I T (jω) I et l’argument ψ(jω) en fonction de
log10(ω) (respectivement f). Ainsi, on définit :
-Décade : un décade correspond à un intervalle [fO , 10fO] ou [ωO , 10ωO]
-Octave : un octave correspond à un intervalle [fO , 2fO] ou [ωO , 2ωO]
Exemples des Courbes
39
La bande passante d’un amplificateur est l’ensemble des pulsations pour lesquelles :
Amax
 A  Amax ........ ou ........ G max  3 dB  G  G max
2
d) Rappels (sur les quadripôles)
De façon générale, la théorie des quadripôles peut s’avérer très utile pour l’analyse des amplificateurs à
transistor bipolaire. Nous allons nous intéresser dans un premier temps à un amplificateur à Emetteur
commun et rappeler quelques éléments de la théorie des quadripôles.
- Paramètres hybrides (pour un quadripôle)
40
Lorsque les grandeurs caractéristiques choisies sont la tension d’entrée et le courant de sortie, les
paramètres qui les lient au courant d’entrée et à la tension de sortie sont appelés paramètres hybrides
et sont notés hij. Les grandeurs caractéristiques sont alors solutions du système :
U e  h11 i e  h12 U s
i s  h21 i e  h22 U s
Les coefficients hij portent les noms suivant :
U e 
h11   

 ie  U S  0 : Impédance d’entrée en court-circuit
 is 
h 22   

U s  i e  0 : Admittance de sortie à vide
 is 
h 21   
 i e  U S  0 : Gain en courant en court-circuit
U e 
h12   

 U s  i e  0 : Coefficient de réaction interne à vide
On constate que le schéma équivalent issu des paramètres hybrides est en tout point semblable au
modèle du transistor en petit signaux.
1
r  h 11  h 22   h 21   h 12
,
 , ,,
Ce modèle en petits signaux au transistor est aussi appelé : Schéma hybride.
41
Ce schéma est appelé Schéma Universel
e) Exemples de calcul d’un amplificateur simple à transistor bipolaire
Considérons :
Equivalent en petits signaux
-Amplification
1-Amplification en courant
1
Zc is h 21

i s  h 21 i e  1
.......... ......... A i  
i e 1  h 22 Z c
h 22 
Zc
2-Amplification en tension
42
U s  Z c i s
U s  Z c Ai i e
i s  Ai i e U s
U e  h 11 i e  h 12 U s  .... i e 
U e  h 11 i e  h 12 U s Ai Z c
 U s    h11  Us  h 21 Z c
U e  h 11    h 12 U s    h 12 U s .......... ........ A V  
  Ai Z c 
 Ai Z c    U e h 11  Z c  h
-Impédances d’entrée et de sortie
1-Impédance d’entrée
U e  h 11 i e  h 12 A V U e
Ue U e  h 11 i e  h 12 U s
Ze  h 11
ie U s  AV U e Ue  ie
1  h 12 A V
U e h 11  Z c  h
Ze  
ie 1  h 22 Z c
2-Impédance de sortie
Par définition, l’impédance de sortie d’un montage à amplificateur est égale à l’impédance interne du
générateur de Thévenin vu entre les 2 bornes de sortie.
Pour calculer l’impédance de sortie, il suffit de calculer
U s 
 
 is 
  Eg 0
i s  h 21 i e  h 22 U s
h 12   h 12 h 21 
 
0  Z g  h 11 i e  h 12 U s  ....i e 
Z g  h 11
Us  .... i s  
 Z g  h 11
 h 22 U


s
Us z g  h 11
Zs  
is  h  h 22 Z g
Remarques
43
a)
Zs 0 Z e  h 11  r : impedance .d ' entree .en.court  circuit
h
Zs  Ze   ro : impedance .d ' entree .a.vide
h 22
b)
h 11
Z g  0 ..( commande .. en ..tension ) Z s    : impedance .de .sortie .en .court  circuit
h
1
Z g   ..( commande .. en .. courant ) Z s    o : impedance .de .sortie .a .vide
h 22
r 
Quel que soit le quadripôle : 
ro o
h 21  h 21 Z c 1
Ai  AV  Z e  h 11  r Zs   o
1  h 22 Z c h 11 (1  Z c h 22 ) h 22
IV- AMPLIFICATION EN PUISSANCE. Adaptation
4-1 Adaptation à la sortie
On se place dans les conditions ou les grandeurs sont réelles, petits signaux, basse fréquence.
h 21  h 21 R c
Ai  AV 
1  h 22 R c h11  R c  h
Ps  U seff  i seff PE  U Eeff  i Eeff
Ps U Seff  i Seff
AP  
PE U Eeff  i Eeff
AP = Amplification en puissance
U im i im
U ieff  i ieff 
2 2
U Sm  i Sm h 212 R C
AP   Ai AV 
U Em  i Em 1  h22 R C h11   hR C 
44
h 212
AP 
h
 h  h11 h 22  11  h 22  hR C
RC
Cette amplification est maximale pour une valeur de RC telle le dénominateur soit minimal, ie
h11 h11
 h 22  hR C  R CG    0
RC h 22  h
2
 h 21 
AP ( R CG )  A P max  
 h  h11 h 22 
 
-Notion d’amplification e transfert en puissance
Soit un générateur de f.é.m. egeff, de résistance interne Rg et de charge R.
2 2
 e geff  e geff
2
PU  Ri geff R   
RR   Rg 
2
 g 
  R 
 R 
Pour PU maximale ↔
2
Rg e geff
 R  R  Ro  R g PU max 
R 4 Rg
Lorsque P=Pumax, on parle d’adaptation (R est adaptée au générateur)
45
Si on remplace R par l’entrée de l’Amplificateur, on appelle amplification de transfert Apt ; le quotient de
la puissance de sortie PS par la puissance maximale P=Pumax que peut fournie le générateur a l’entrée du
montage ;
Ps
A Pt 
PU max
Soit Ze=Re , l’impédance d’entrée réelle de l’amplificateur. La puissance PE fournie à l’entrée est égale à :
2
 e geff 
PE  R i 2
 R 
e geff R R 
 e g 
2
e geff PE 4 R g Re
PU max  
4Rg PU max R e  R g 2
Ps
PE 
AP APt 4 R g Re
 ... 
PU max 
Ps Pt AP Re  R g 2
A Pt
Entrée adaptée (Re=Rg) :
A Pt h11
1 APt  AP max .... pour .... R C  R 0 
AP h22  h
h11  h
Si .... R C  R C 0 ....,... RC  RCO   rrO
h22
L’amplification de transfert sera maximale et sera égale à l’amplification de puissance maximale lorsque :
RC  RCO   O ....,.... R g  rrO
Avec ces deux conditions, on dit que le montage est adapté à l’entrée et à la sortie.
IV- AUTRES MONTAGES AMPLIFICATEURS A TRANSISTOR
4-1 Montage à résistance d’Emetteur
46
L’étude de la réalisation thermique a montré que l’utilisation d’une résistance d’émetteur permettait de
diminuer considérablement les facteurs de stabilisation vis-à-vis de ICBO et VBE.
L’introduction de cette résistance modifie (diminue)
Influence de RE sur les performances de l’amplificateur
h11  r ,... h 21   ,... h12  0 ,... h 22  0

iC
iC   ib ... d ' ou ... Ai  
ib
U s   R C iC   R C  ib Us  RC 

U e  ri b  R E ib   ib  Ue r  R E (1   )
 RC
r AVo
AV  AV 
  1   1
1  RE 1  RE
 r   r 
R E  0 .... AV  AV 0 ,.... R  0 .... AV  AV 0
47
Pour pallier à cet inconvénient, il est nécessaire de trouver un système qui permet une bonne
stabilisation en température et dont l’influence soit négligeable en régime variable. Cet élément est un
condensateur appelé capacité de découplage et placer en parallèle sur la résistance RE.
4-2 Calcul de la capacité de découplage
En régime variable pour diminuer au maximum l’influence de RE, il est nécessaire que l’impédance de la
capacité soit négligeable devant RE.
Si ωo est la pulsation minimale de spectre eg(t)
RE RE
ZE  ZE 
1  jR E C E  0 1  R E2 C E2  02
1 1
Si ...  R E ..... ou ..encore ... R E C E  0  1 ......... Z E 
C E 0 C E 0
D’où le schéma équivalent
U e  V be  V eM
U e  V be
V eM  V be
 1 rC 
i b  r i b .......... ... E 0  1
jC  0  1
Cette dernière condition est générale difficile à réaliser car réaliser des capacités élevées aux basses
fréquences est couteux.
4-3 Influence de la capacité de découplage sur la réponse en fréquence
48
U s AVo AV 0 AV 0 1  jR E C E 
AV    
U e   1  1 RE  RE jR E C E 
1  Z E 1    1  (   1) 1
 r  r  1  jR E C E  r R
 1  (   1) E
r

1 j
1 1
AV  
R 
1  (   1) E 1  j
r 2
2  R 
   2 ,..le.radical  ..soit .. 1  (   1) E  A V   AV 0
1  r 
Le découplage est dit parfait.
 AV 0
  1 ,..le.radical  1,.. A V    AV/ 0   AV 0
R
1  (   1) E
r
Il y a diminution de l’amplification pour les fréquences basses : le couplage est inexistant.
V-MONTAGES COLLECTEUR COMMUN ET BASE COMMUNE D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE
V   i  i  V 
h11 E   be  h 22 E   s  h 21 E   c  h12 E   be 
 i e  Vce  0  V ce  ib  0  ib  Vce  0  V ce  ib  0
6-1 Paramètres du montage, collecteur commun
49
V   i 
h11 C   be  h 22 C   s 
 i e  Vce  0  V ce  ib  0
i  V 
h 21C   c  h12 C   be 
 ib  Vce  0  V ce  ib  0
Vbc  h11C ib  h12 CVec

ie  h21C ib  h22 CVec
Pour déterminer ces paramètres, 2 méthodes sont possibles :
-Le calcul algébrique
-L’application directe de la formule
Vbe  h11 E ib  h12 EVce

ic  h21 E ib  h22 EVce
ic  ib  ie  0
Vbe  Vec  Vcb  Vbe  Vbc  Vce
Pour obtenir les paramètres du collecteur commun, il suffit d’éliminer ic et Vbe et d’exprimer vbc et ic en
fonction de ib et vec.
or ...ie   ib  ic
Vbc  h11 E ib  ( h12 E  1)Vce
 ie  ( h21 E  1)ib  h22 EVce
Vbc  h11 E ib  (1  h12 E )Vec
50
Vbc  h11C ib  h12 CVec

ie  h21C ib  h22 CVec
h11C  h11 E h12 C  1  h12 E h21C   ( h21 E  1) h22 C  h22 E
6-2 Paramètres du montage base commune
V   i  i  V 
h11 B   eb  h 22 C   c  h 21 B   c  h12 b   eb 
 i e  Vcb  0  V cb  ie  0  ie  Vcb  0  V cb  ie  0
Veb  h11 B ie  h12 BVcb

ic  h21 B ie  h22 BVcb
La détermination des paramètres ici peut se faire soit par calcul algébrique, soit par application de la
définition.
Appliquons la définition et supposons que h12E=0
Les paramètres h11B et h21B sont obtenus lorsque la sortie est un court-circuit.
51
veb
ib  
h11 E
i e   i b  h21 E  i b  h22 E v eb
 h 1 
i e   21 E  h22 E  veb
 h11 E 
Sortie en court-circuit
ie 
h21 E  1  h11 E  h22 E i
 ib  ic  ie c
h21 E  h11 E  h22 E
h11 E h21 E  h11 E  h22 E

h11 B  h21 B 
( h21 E  1)  h11 E  h22 E ( h21 E  1)  h11 E  h22 E
Les paramètres h12B et h22B sont obtenus lorsque l’entrée est à vide.
v eb  h11 E  ic
 1 h 
v cb   h11 E   21 E   ic
 h22 E h22 E 
h11 E  h22 E h22 E

h12 B  h22 B 
( h21 E  1)  h11 E  h22 E ( h21 E  1)  h11 E  h22 E
avec ...... h21 B  1
h11 E h11 E  h22 E h22 E

h11 B  h21 B   1 h12 B  h22 B 
h21 E h21 E h21 E
52
VII- ASSOCIATIONS D’ETAGES AMPLIFICATEURS
Il arrive souvent qu’un étage a un seul transistor s’avère insuffisant pour atteindre le but
souhaité :
- Soit parce que son amplification est insuffisante ;

- Soit parce que sa résistance d’entrée s’adapte mal à la résistance de sortie de l’étage
précédent ;
- Soit parce que sa résistance de sortie s’adapte mal à la résistance de l’étage suivant.
On a alors une association de deux, ou plusieurs étages judicieusement choisis.
7-1 Emetteur Commun-Emetteur Commun
Cette association s’utilise lorsque l’amplification d’un seul étage s’avère insuffisante.
La liaison entre les deux étages peut être :
- Soit capacitive si on souhaite régler les polarisations des transistors indépendamment d’une
de l’autre.
- Soit continue, la polarisation du second étage est alors assurée par la tension moyenne de
collecteur du premier étage.
7-2 Collecteur Commun-Emetteur Commun
Cette association s’utilise dans les cas où l’étage précédent à une résistance de sortie beaucoup
plus élevée que la résistance d’entrée de l’Emetteur commun.
L’étage Collecteur commun assure l’adaptation et l’Emetteur commun fournit le Gain.
7-3 Emetteur Commun-Collecteur Commun
Ce type d’association s’emploie lorsque la charge à alimenter par le signal amplifié à une
résistance très faible par rapport à la résistance de sortie d’un étage émetteur commun. Là encore, le
53
Collecteur commun assure le rôle d’adaptation alors que le gain en tension est uniquement due à
l’Emetteur commun.
7-4 Configuration Darlington
On dit que deux transistors se trouvent montés en Darlington lorsque le courant d’Emetteur de l’un passe
par l’espace Base-Emetteur de l’autre.
L’intérêt est qu’ils se comportent comme un seul transistor dont l’amplification de courant β serait égale
au produit β1*β2 des transistors du montage.
Exercices et corrigés
Exercice 1
Figure 1
Calculer UO si: a) UE=+15V b) UE=+3V c) UE= 0V d) UE= -10V en donnant l’état de chaque diode
(bloquée ou passante), figure 1. La tension seuil est supposée 0,6V et sa résistance dynamique r =10Ω.
Exercice 2: Polarisation d’un transistor bipolaire

L’étude porte sur diverses topologies permettant de polariser un transistor bipolaire avec un
courant de collecteur donné et se placer sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les
54
caractéristiques de sortie. Le transistor est de type 2N1711 (β typique = 150 ).
Déterminez les résistances au sein des topologies suivantes, pour un courant ICo = 10mA et en prenant
VBEo ≅ 0.6 V.
1. Polarisation simple (figure 1).
2. Polarisation par résistance entre collecteur et base (figure 2).
3. Polarisation avec résistance d’émetteur (figure 3).
4. Polarisation avec résistance d’émetteur et pont de base (figure 4).
Exercice 3
Etant donné le montage amplificateur à résistance d’émetteur figure 1, le transistor est

caractérisé par ses paramètres hybrides en émetteur commun :
h11E=r ; h12E=0 ; h21E=β ; h22E=1/ρ0
Déterminer les paramètres hybrides du quadripôle d’entrée (E ; E’) et de sortie (S ; S’)
a) Si h22E=0
b) Si h22E ≠0
Application numérique : r= 1kΩ ; β=149 ; ρ0=10 kΩ ; RC=1 kΩ ; RE=100Ω
Reponses: b) H11≈16 kΩ; H12≈10-2; H21=148; H22=1, 1.10-3S
Uo
RC
iS
S
iE
E
Us
Ue
RE
S'
E'
55
Figure 1
Exercice 4
Etant donne un montage émetteur commun, stabilisé en température figure 2, le transistor est
caractérisé par ses paramètres hybrides en émetteur commun:
h11E=r ; h12E=0 ; h21E=β ; h22E=1/ρ0
a) Etablir le schéma équivalent du montage en régime de variations. On supposera le découplage

parfait à la pulsation de travail.
b) En déduire l’amplification en tension Av=Us/Ue, la résistance d’entrée Re=Ue/Ie et la résistance

de sortie Rs=Us/Is pour une attaque en tension (Rg=0).
c) Application numérique : r= 1kΩ ; β=150 ; ρ0=4 kΩ ; RC=1 kΩ ; RB=200kΩ
Réponses : c) Av=-120 ; Re=1kΩ ; RS=800Ω
RC
RB
iS
iE Uo
Us
Ue
RE CE
Figure 2
Exercice 5
Etant donné un montage base commune figure 3, le transistor est caractérisé par ses paramètres
hybrides en base commune :
h11B=rB ; h12B=0 ; h21B=-1 ; h22E=1/ρ0B
a) Etablir le schéma équivalent du montage en régime de variation. On supposera le découplage parfait
à la pulsation de travail.
b) En déduire l’amplification en tension Av=Us/Ue, la résistance d’entrée Re=Ue/Ie et la résistance de
sortie Rs=Us/Is pour une commande en tension (Rg=0)
c) Application numérique : rB= 10; ρ0B=500kΩ ; RC=1 kΩ ; RE=195Ω
Réponses : c) Av=100 ; Re=9,5Ω ; RS=1kΩ
56
RC
RB CB
iS
Uo
iE Us
RE
Ue
Figure 3
Exercice 6
Etant donné un montage collecteur commun figure 4, le transistor est caractérisé par ses
paramètres hybrides en émetteur commun :
h11E=r ; h12E=0 ; h21E=β ; h22E=1/ρ0
a) Déterminer les paramètres hybrides du quadripôle d’entrée (E ; E’) et de sortie (S ; S’)
b) En déduire l’ampliation en tension Av=Us/Ue, la résistance d’entrée Re=Ue/Ie et la résistance de sortie
Rs=Us/Is pour une attaque en tension (Rg=0)
c) Application numérique : r= 1 kΩ; β=149 ; ρ0=4kΩ ; RE=1 kΩ ; RB=200kΩ
Réponses : c) Av≈0,99 ; Re≈76kΩ ; RS≈6,6Ω
RB
E iE Uo
iS S
Ue Us
RE
E' S'
Figure 4
Exercice 7
Soit le montage de la figure 5a. Le transistor est caractérisé par ses paramètres hybrides en
émetteur commun :
h11E=r; h12E=0; h21E=β; h22E=0
a) Etablir le schéma équivalent du montage en régime de variations.
b) Calculer l’amplification complexe Av=Us/Ue. On négligera 1 devant β.
Quelle est la limite Avmax de Av lorsque la pulsation ω tend vers l’infini ?
C) On place en série avec Rc une cellule (R ; C) figure 4b.
57
RC
RB
iS
iE Uo
Us
Ue
RE CE
Figure5a
R
C
RO
RC
Uo
Us
Ue
RE CE
Figure 5b
Calculer les éléments R et C pour que Av=-Avmax quelle que soit la pulsation.
Réponses : b) Avmax=s.RC
c) R=s.RE.RC ; C=CE/s.RC
Exercice 8 Soit l’Amplificateur de la figure ci-dessous. Le transistor est caractérisé par leurs paramètres
hydrides en émetteur commun : h11E=r, h12E=0, h21E=β, h22E=0
a) Etablir le schéma équivalent du montage en régime de variations.
b) Calculer l’amplification complexe en tension Av= Vs/Ve et mettre sous la forme :

  
 1  j 
  1 
H  Ho
  
 1  j 
  2  On négligera 1 devant β
Donner la fréquence de coupure pour ω1<ω2 et que devient cette fréquence quand ω1>ω2
Tracer soigneusement le diagramme de Bode pour ω1<ω2
58
Exercice 9
Uo
RC
CB R3 C2
T'
R2
C1 T
Us
R1
Ue
RE CE
Les deux transistors sont identiques et caractérisés par leurs paramètres hybrides en émetteur commun :
h11E=r, h12E=0, h21E=β, h22E=0
a) Sachant que les liaisons et découpages sont parfaits à la fréquence de travail, préciser le type de
montage des transistors T et T’.
Etablir le schéma équivalent de l’amplificateur pour les petits signaux.
b) Déterminer la résistance d’entrée Re2 du deuxième étage. Déterminer l’amplification en tension
Av2 du deuxième étage.
c) Déterminer la résistance d’entrée Re1 du premier étage. Déterminer l’amplification en tension
Av1 du deuxième étage.
d) Etude de l’amplificateur. Déterminer l’amplification en tension Av.
Exercice 10
Soit l’Amplificateur à deux étages de la figure ci-dessous. Les deux transistors sont identiques et
caractérises par leurs paramètres hydrides en émetteur commun : h11E=r, h12E=0, h21E=β, h22E=ρ-1
R’ et R’’, très grandes, n’interviendront pas dans les calculs.
c) Domaine des fréquences moyennes. Les liaisons et les découplages peuvent être considères comme
parfaits.
Etablir le schéma équivalent du montage pour les petits signaux. Calculer l’amplification en courant Ai0=
Is/Ie.
59
d) Domaine des fréquences basses. Etablir le schéma équivalent du montage. Calculer l’amplification
complexe en courant Ai= Is/Ie et mettre sous la forme :
Ai=Ai0/ [1-jf0/f], en tenant compte de la capacité C. On supposera le découplage parfait.
- Déterminer la fréquence de coupure à 3 dB du gain en courant. Tracer le soigneusement le
diagramme de Bode. On tracera les asymptotes et le gain G (dB) =20 log Ai en fonction de log f/fc.
- Donner l’expression de C0 à placer en série avec R pour Ai=Ai0 et h22E=0
R R' Is
R'
C
+ Vcc
Ie
R'' -
Re Ce
R''
Exercice 11
Soit l’amplificateur a deux étages de la figure ci-dessous. Les deux transistors sont identiques et
caractérisés par leurs paramètres hybrides en émetteur commun : h11E=r, h12E=0, h21E=β, h22E=0
Pour les applications numériques, on donne les valeurs suivantes : RC=1kΩ ; r =1kΩ ; β=150 ;
C=0,5µF; C’=1µF ; Rg=50Ω ; Ru=50Ω
R’ et R’’, très grandes, n’interviendront pas dans les calculs.
Uo
RC
RC
R'
C C'
R'
Rg C''
Ru Us
Eg
R'' R''
Ue
a) Domaine des fréquences moyennes. Les liaisons sont parfaites

Etablir le schéma équivalent du montage.
Déterminer l’amplification en tension Av2 du deuxième étage.
Déterminer la résistance d’entrée Re2 du deuxième étage.
En déduire la résistance de charge dynamique Ru, du premier étage.
Déterminer l’amplification en tension Av1 du premier étage.
En déduire l’amplification en tension Av0 du montage.
b) Domaine des fréquences basses. Etablir le schéma équivalent du montage.
Déterminer l’amplification complexe en tension Av2’ du deuxième étage.
60
Déterminer l’amplification en tension Av1’ du premier étage.

En déduire l’amplification complexe en tension Av0’ du montage et la fréquence de coupure à 3 dB du
gain en tension.
L’ensemble est commande par un générateur lié par une capacité C’’=1µF. Déterminer l’amplification
composite complexe A’=Us/Eg
Corrigés
Exercice 1
a) UE=+15V D1 conduit et D2 bloquée, UE=5+0,6+(r+10K)I
I=(15-5-0,6)/(r+10K) d’où U0=5+0,6+rI
b) UE=+3V D1 et D2 sont bloquées, U0=3V
c) UE= 0V D1 et D2 sont bloquées, U0=0
d) UE= -10V D1 bloquée et D2 conduit UE=0,6+(r+10K)I

I=(15-0,6)/(r+10K) d’où U0=-(0,6+rI)
Exercice 2 Le point de repos étant placé sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les
caractéristiques de sortie, la tension VCEo= VCC / 2 = 10V
1. Polarisation simple
2. Polarisation par résistance entre collecteur et base
3. Polarisation avec résistance d’émetteur
61
4. Polarisation avec résistance d’émetteur et pont de base
Exercice 3
Schéma équivalent
− − ( + ) (1)
⎧
⎪
− + − ( + ) (2)
⎨
⎪ = + (3)
⎩
( )
De (2), on tire = (4)
(4) dans (1)
62
= + + + = +
De (3), on tire = − (5)
(5) dans (2)
= 1+ + + = +
D’où finalement
= + +
= 1+ +
Cas ’où ℎ = → 0
Alors
= + (1 + )
=0
Exercice 4
a) Schéma équivalent
b)
63
b-1) Calcul de =
= , = 0 , D’où = −( // )
= = ( )
b-2) Calcul de =
b-3) Calcul de =
Pour calculer la résistance de sortie, on court-circuite l’entrée d’où Ib=0
Le schéma équivalent devient
Exercice 5
64
b) Calcul de l’Amplificateur en tension, la résistance de sortie et la résistance de sortie
=− (1)
⎧
⎪
− − (2)
⎨
⎪ = + (3)
⎩
=− + (4)
(4) dans (2) = + +
Or IS=0
= = ( )
La résistance d’entrée
= → = =
Pour calculer la résistance de sortie RS, on a une attaque en tension Ie=0
= → = =
Exercice 6
a) Schéma équivalent et paramètres hybrides
= +
= +
- Pour US=0
On a − − =0 → = + → 1+ =
65
= =
=0 → ( − )− =0
Par ailleurs: + + =0 → =−
+ + =0
( )
= =−
- Pour =0
Nous avons =
= =
= 0 , on a + + = 0 or = − −
Par ailleurs : =− ( + )
= + +
= = + +
b) En déduire l’amplification en tension, la résistance d’entrée et la résistance de sortie.
Pour l’amplificateur IS=0
=− ; = +
D’où = =−
-Calcul de la résistance d’entrée RE
66
Sortie à vide : IS=0
=− ; = +
D’où = =−
-Résistance de sortie
UE=0
0= +
= +
D’où = =
Exercice 7
b) Calcul de l’Amplification complexe
= +( // )( + 1) (1)
= (2)
=− (3)
IS=0, (3) et (2) dans (1) avec ( // )=
( )
On obtient =− ( )
Pour → ∞ , | |=
c) Schéma équivalent
67
= + ( // ) = +
( )
=− ( )
; =0 → = =
⇒ = → ∞ , =
Exercice 8
b) Calcul de l’Amplification complexe
=− =0
= + (1 + ) = + + (1 + ) ≫1
1+
− (1 + )
= =
+ + + ( + )
− 1+
= ∙
+ + ( + )
1+
+ +
− 1 + ( + )
= , = , =
+ ( + ) ( + )
d) -Fréquence de coupure
Hmax s’obtient lorsqu’on fait tendre ω soit vers 0 ou soit vers ∞
68
= lorsque ω tend vers ∞
= lorsque ω tend vers 0
-Lorsque ω1 <ω2 = la fréquence de
coupure s’obtient lorsque ( ) =

√
1+
=
√2
1+
Après développement on obtient = = −2 ou
= = −2
-Lorsque ω1 >ω2 = la fréquence de

coupure s’obtient lorsque ( ) =
√
1+
=
√2
1+
Après développement on obtient
= = ou = =
-Traçons le diagramme de Bode pour ω1 < ω2
(1 + )
=
(1 + )
- Module
= 20 + 10 log 1 + − 10 log 1 +
G = G 0 + G1 + G 2
69
= 10 log 1 +
-Si ω < < ω1 G1= 0
-Si ω >>ω1 G1= 20log ω – 20log ω1
= −10 log 1 +
-Si ω < < ω2 G2= 0
-Si ω >>ω2 G2= - 20log ω + 20log ω2
-Argument
= − = +
-Si ω < < ω1 φ1= 0
-Si ω >>ω1 φ1= 90o
=−
-Si ω < < ω2 φ2= 0
-Si ω >>ω2 φ2= -90o
-Courbe de G et de φ
70
Exercice 9
N.B. Sur le schéma B=β et RC=RC
Ve2
Re2 
ie 2 , V e 2   ri b 2
,  ib 1  i e 2 , i e 2  (1   ) i b 2
Ve2  ri b 1 r
Re2   Re2 
b) Résistance d’entrée du deuxième étage:  ie 2  ib1 d’ou 1 
Vs
AV 2 
Amplification du deuxième étage A V2: V e 2 or V e 2   ri b 2 , V s   R C  i b 2
 RC
AV 2 
D’ou r
V e1
Re2   R 2 // R 1 // r
c) Résistance d’entrée du premier étage : ie
Pour calculer l’amplification du premier étage, il faut d’abord calculer sa résistance dynamique qui
correspond dans ce cas de figure à la résistance d’entrée du deuxième étage; d’où le schéma équivalent
suivant :
V s1
AV 2 
Amplification du premier étage A V1: V e 1 or V s 1   R e 2  ib 1 , V e 2  ri b 1
 
AV 1 
D’ou 1 
d) Déterminons l’amplification en tension du montage A V : AV =AV1xA V2.
71
  2 RC
AV 1 
On a (1   ) r
Exercice 10
On considère le montage ci-dessus :
a) Schéma équivalent petit signaux
RP=R’//R’’
En tenant compte le fait que R’ et R’’ sont très grandes, on peut considérer Rp infini ; le schéma devient
alors :
Calcul de =
=
=− (Diviseur d’intensité ; le signe (-) à cause du sens de ib2 par rapport à βib1)
⇒ =− ⇒ = =−
b) Schéma équivalent (domaine basse fréquence)
La capacité C ne peut plus être considérée totalement comme un court-circuit
72
- Calcul de l’amplification complexe =
Posons = + = − ; on a alors
=
=− (Diviseur d’intensité ; le signe (-) à cause du sens de ib2 par rapport à βib1)
⇒ =− = − =
( )
Si on pose =( )
, on a alors
= = = avec = =− et = ( )
- Fréquence de coupure à 3dB du gain en courant (fC)
| |
= 20 | ̅ | = 20 = 20 | ̅ | − 20 1+
1+
= 20 | ̅ | − 10log(1 + )
fc est obtenu pour Gi = Gimax -3dB, il est claire que = 20 | ̅ | obtenu dans ce cas lorsque f tend
vers ∞
On a donc 20 | ̅ | − 20 log 1 + = 20 | ̅ |−3
1+ =2
1
= =
2 ( + )
- La valeur de la capacité à placer en série avec R pour que
73
1
= +
On a alors
= =− on remplace R par ZO dans le calcul de Ai ci- dessus
=
− =−
1
( + ) = ( + − )
D’où =
74

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Séance I-Diodes et applications CM :4h

Séance -Quelques circuits de polarisation des BJT CM :4h

Séance -Circuits équivalents en AC et DC CM :4h

1.1 Structure de l’atome

Chapitre 2 : Transistors bipolaire en régime statique ……………………………………………….22

2.1 Notions Fondamentales

Chapitre 3 : Transistor bipolaire en régime dynamique …………………………………………34

3.1 Circuits équivalents en alternatif et en continu

CHAPITRE 1 DIODES ET APPLICATIONS

Electrons : particules de charges négatives

Noyau : -Protons : particules de charges positives

-Neutrons : particules neutres (sans charges)

Exemple : K aura 2 e- (1ère couche) L aura 8 e-(2ème couche).

1-Atome de Bore : 5 électrons

2-Atome de silicium : 14 électrons.

Silicium (Si) : Elément tétravalent (4 e- de valence)

-Le phosphore qui a 5 e- de valence est dit élément pentavalent

Un atome de Si ou de Ge possède 4 e- de valence, pour être chimiquement stable, il devrait avoir

Exemple : Cuivre, Fer

Exemple : Diamant, Mica

4-1 Semi-conducteurs intrinsèques

Lorsqu’on considère un cristal de Ge ou de Si à la température de 0ok (-273oC), tous les e- de

- Les e- libres, porteurs de charges (-)

Le nombre d’e- libres est égal au nombre de trous : ne=nt

4-2 Semi-conducteurs extrinsèques

4-2-1 Semi-conducteur du type N

4-2-2 Semi-conducteur de type P

5-1 Jonction PN isolée

La diffusion est suivie par un phénomène de recombinaison de porteur de charge.

On associe au champ électrique interne, une d.d.p. appelée Potentiel de contact

5-2 Jonction PN polarisée

On appelle caractéristique direct de la jonction, la courbe de variation du courant i en fonction de la

k : constante de Boltzmann : 1,38×10-23J/oK

is : courant de saturation inverse

T : Température absolue (oK)

En polarisation inverse le potentiel de la zone N est supérieur à celui de la zone P.

6-LA DIODE A JONCTION

Lorsqu’on soumet la jonction aune d.d.p. on réalise une diode à jonction.

6-1 Courant inverse de la diode

6-2 Courant direct de la diode

6-3 Caractéristique de la diode a jonction

U0 : tension de seuil pratique : intersection de la partie rectiligne et l’axe des tensions.

6-4 Résistance de la diode

On peut définir la diode idéale U0=0

On a le schéma équivalent suivant

7-1 Redressement a une alternance

-Pendant l’alternance positive, la diode est polarisée en direct.

Si on néglige U0 et Rd (cas de la diode idéale), on a UR=e, i=e/R

-Pendant l’alternance négative, la diode est polarisée en inverse, UR=0, i=0.

La valeur moyenne de UR(t) est

La tension inverse récurrente aux bornes de la diode est :

7-2 Redressement deux alternances

a) Redressement avec point milieu

Alternance positive ; D2 bloquée et D1 passante UR=e

Alternance négative ; D1 bloquée et D2 passante UR=-e

Tension inverse récurrente 2Em

En alternance positive ; D1 et D3 passante et, D2 et D4 bloquées UR=e

En alternance négative ; D2 et D4 passante et, D1 et D3 bloquées UR=-e

Urmoy = 0,90E , tension inverse récurrente Em/2

7-3 Facteur de forme et taux d’ondulation

La tension redressée c’est Ur =Urmoy + Uond

Valeur efficace de l ondulation de la fonction

La définition de la valeur moyenne provient directement de la définition mathématique: