Examen de Rattrapage PHY 345, Electronique Analogique, Durée :1H00

Exercice 1 : (3pts) L’étude concerne un circuit simulateur de capacité.

Ecrivez l’expression de l’impédance d’entrée du montage. - Interprétez ce résultat.

Exercice 2: (8pts) Soit le montage de la figure 2 ci-dessous où l'AOP est en fonctionnement linéaire.
1) Calculer le courant I en fonction de la tension continue V0.
2) À quelle condition ce courant est-il indépendant de la charge R?
3) Cette condition étant réalisée, quelle est la valeur maximale de la tension Vs?
4) Calculer la résistance d'entrée.

Figure 2
Exercice 3: (9pts)Les deux transistors sont identiques et caractérisés par leurs paramètres hybrides en émetteur
commun : h11E=r, h12E=0, h21E=β, h22E=0

Uo

RC

CB R3 C2

T'

R2

C1 T
Us

R1
Ue
RE CE

a) Sachant que les liaisons et découpages sont parfaits a la fréquence de travail, préciser le type de
montage des transistors T et T’.
Etablir le schéma équivalent de l’amplificateur pour les petits signaux.
b) Déterminer la résistance d’entrée Re2 du deuxième étage. Déterminer l’amplification en tension Av2
du deuxième étage.
c) Déterminer la résistance d’entrée Re1 du premier étage. Déterminer l’amplification en tension Av1 du
premier étage.
d) Etude de l’amplificateur. Déterminer l’amplification en tension Av.
 Correction
Exercice 1 (3pts)

Exercice 2(8pts)

1) Calcul du courant I en fonction de V0.

D’après le Théorème de Millman à l’entrée V+, on a :

or

D’où (2pts)
2) Condition pour laquelle I doit être indépendant de R

Il faut que ou (2 pts)

3) La valeur maximale de Vs quand la précédente condition est remplie

, Vs devient (2pts)
4) La valeur de la résistance d’entrée
 H(S)=H 0
( )( )
τDs 1 n
1+τ D s 1+τ i s
or on récupère Vs dans la question 1), puis on substitue

dans l’équation et l’on obtient : (2pts)

Exercice 3(9pts)
a) Le transistor T est un transistor Emetteur commun (1pt), Le transistor T’est un transistor Base
commune (1pt).
Schéma équivalent (2pts)
ib1 ib2

Bib1 Bib2

r Ve2 r
Ve1 R2 R1 RC Vs

ie2

N.B. Sur le schéma B=β et RC=RC

V e2
Re 2 =
ie 2 , V e 2 =−rib 2 , βi b1 =i e 2 , i e 2 =( 1+ β ) i b2
V e 2 −ri b 1 r
Re 2 = = Re 2 =
b) Résistance d’entrée du deuxième étage: −i e2 βi b1 d’ou 1+ β (1pts)
V
A V 2= s
Amplification du deuxième étage A : V e 2 or V e 2 =−rib 2 , V s =−RC βi b2
V2
βRC
A V 2=
D’ou r (1pts)
V e1
Re 2 = =R 2 // R 1 // r
c) Résistance d’entrée du premier étage : ie (1pts)
Pour calculer l’amplification du premier étage, il faut d’abord calculer sa résistance
dynamique qui correspond dans ce cas de figure à la résistance d’entrée du deuxième étage; d’où
le schéma équivalent suivant :
ie ib1

Bib1

r Re2
Ve1 R2 R1 Vs1

Vs1
A V 2=
Amplification du premier étage A V1: V e 1 or V s 1=−R e 2 βi b 1 , V e 2 =rib 1
−β
A V 1=
D’ou 1+ β (1pts)
d) Déterminons l’amplification en tension du montage A V : AV =AV1xA V2.
 − β2 R C
AV=
On a (1+ β )r (1pts)