Vous êtes sur la page 1sur 14

Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

Chapitre II
Amplificateurs à transistors en hautes fréquences

I - Transistors Bipolaires

Réponse d’un amplificateur en Très Basses Fréquences

 Influence de la capacité de découplage


Nous avons déjà étudié (chapitre I) l’influence de la capacité de découplage de
l’émetteur sur la courbe du gain en tension en supposant les liaisons parfaites (les capacités de
liaisons sont des court-circuits en dynamique). Cette étude a montré que la capacité n’est pas
complètement court-circuitée en très basses fréquences par suite le gain diminue. Nous
rappelons l’expression du gain et sa courbe en fonction de la fréquence (figure 1):

1 j
Vs 1 R eq  1 (  1)
Av   K , K , 1  et 2 
Ve  h11  R E (  1) R ECE h11C E
1 j
2
Av dB

+20dB/décade

(BP)

1 2 
Figure 1

 Influence des capacités de liaison sur le gain en tension

L’amplificateur est caractérisé par les grandeurs dynamiques Avo, Re et RS qui sont
constants dans la bande passante(BP). Ils sont déterminés avec l’hypothèse que les capacités
de liaisons et de découplage sont des court-circuits en dynamique. Dans ces conditions
l’amplificateur peut être représenté par le schéma équivalent utilisant ces paramètres
dynamiques (figure 2) et où les capacités de liaison ne sont plus des court-circuits.

Amplificateur
C1 C2

Rs
Rg
v’e ve Re Av0ve vs Ru
eg

Figure 2

1
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

Vs Vs Ve
Gain en tension du montage : A v  
Ve' Ve Ve'

j
Re Ve jR e C1 1 1
Ve  Ve'    , 1 
1 Ve' 1  jR e C1  R e C1
Re  1 j
jC1 1


j
Ru Vs jR u C 2  2
Vs  A vo V e   
V e 1  j(R u  R s )C 2  1  j 
1 '
Ru  Rs 
jC 2  3
1 1
2  et 3  , 3  2
R u C2 ( R u  R s )C 2

Donc
 
j j
1 2
Av  .
 
(1  j ) (1  j )
1 3

On donne l’allure des courbes du gain dans deux cas (figure 3) :

Av dB
Av dB

+20dB/décade +20dB/décade

(BP) (BP)

+40dB/décade +40dB/décade

3 2 1  3 1 2 
3 <2 <1 3 <1 <2
Figure 3
C’est un filtre passe haut de fréquence de coupure 1.

Conclusion :
Le fonctionnement du transistor est limité en très basses fréquences par les capacités
de liaison et de découplage ce qui implique une diminution du gain.

2
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

Schéma de Giacoletto
Le comportement d’un amplificateurs en basses fréquences dépend des capacités de
liaisons et de découplage, tandis que son comportement en hautes fréquences est lié aux
capacités parasites des éléments actifs ( transistors)
Les paramètres universels du transistors ne sont valables qu’en basses fréquences. Le
schéma du transistor en basses fréquences doit etre complété en ajoutant les condensateurs
internes, correspondant aux différentes jonctions, qui apparaissent en hautes fréquences.

Conclusion
Le modèle petits signaux BF du transistor n’est plus satisfaisant en HF. On utilise
alors le schéma équivalent de Giacoletto de la figure 4
rb’c

B rbb’ C ic
ib B’

Cb’c rce
vbe rb’e Cb’e ib=gmvb’e vce

Figure 4 E

Signification physique des éléments du modèle de Giacoletto


 Cb’e : c’est une capacité de diffusion analogue à la capacité de diffusion d’une diode
polarisée en direct (capacité de la jonction base/émetteur). Elle est proportionnelle au
courant qui traverse la jonction base émetteur. Sa valeur est de qq 10 pF.
 Cb’c : c’est une capacité de transition analogue à la capacité de transition d’une diode
polarisée en inverse (capacité de la jonction base/collecteur). Elle est proportionnelle à
la tension Vb’c et à l’aire S de la jonction. Sa valeur est de l’ordre de qq pF pour les
transistors de faible puissance jusqu'à qq 100pF pour les transistors de puissance.
 rbb’ : c’est la résistance de l’élément semi-conducteur entre l’électrode B et le point
interne B’ se trouvant à la limite de la jonction de l’émetteur. La base B', appelée
base intrinsèque, n'est pas accessible physiquement. Sa valeur est de qq 10.
 rb’e = h11 : résistance base/émetteur
 rce = 1/h22 : résistance collecteur/émetteur de qq10 à qq100 k.
 rb’c = résistance base/collecteur de qq MCette résistance est équivalente à un
circuit ouvert.
 gm = h21/h11=/rb’e : transconductance qq 100 mA/V
 = h21

On constate qu’à cause des capacités, les courants et tensions du transistor deviennent
complexes. Le coefficient d’amplification en courant  dépend alors de la fréquence.

Fréquence de coupure et fréquence de transition


Pour caractériser le fonctionnement à haute fréquence d'un transistor on utilise souvent
la fréquence de transition fT qui est définie comme la fréquence à laquelle l'amplitude du gain
en courant, sortie en court-circuit, est égale à 1.

3
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

 Gain en courant émetteur commun


Le gain en courant émetteur commun à sortie court-circuitée  dépend de la fréquence.
Le shéma équivalent qui permet de déterminer son expression est donné par la figure 5.

B rbb’ C ic
ib B’

Cb’c
vbe rb’e Cb’e ib’ rce

Figure 5 E

Les capacité Cb’c et Cb’e se trouvent en parallèle. La capacité totale est : CT=Cb’e+ Cb’c.

B rbb’ C ic
ib B’

vbe rbe CT ib’ =gmvb’e

E
Figure 6
1 rb ' e
v b ' e  i b (rb ' e // ) i b et i c  g m v b'e
jC T  1  jrb ' e C T 
ic g m rb ' e 0
 (j)   
i b 1  jrb ' e C T 
f
1 j
f
C’est l’expression d’un filtre passe-bas.

0  g m rb'e : gain statique ( = 0)


1
f  : fréquence de coupure à -3dB du gain en courant .
2rb 'e C T

 Gain en courant base commune


D’après la relation   on peut écrire :
 1
0
f
1 j
(j) f 0 0 0
(j)     
1  (j) 1  0 0  1  j
f
(0  1)(1  j
f
) 1 j
f
1 j
f f f (0  1) f
f
0
Avec : 0  et f   f  ( 0  1)
0  1

4
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

f  est la fréquence de coupure du gain en courant base commune.


Si fβ=1,5MHz et =49 alors fα=75MHz d’où l’intérêt d’utiliser le montage base
commune en HF

Fréquence de transition : fT
La fréquence de transition fT est définie comme la fréquence pour laquelle le gain en
courant ( ou ) est égal à 1. Au delà de cette fréquence le transistor devient un atténuateur.
Autrement dit, fT représente la fréquence maximale d’utilisation du transistor. Elle est
indiquée par tous les constructeurs des composants.
Le paramètre fT n’est autre que le produit gain bande passante.

Cette fréquence est donnée par: = =


On remarque que les produits gain-bande passante des deux montages sont quasiment
identiques et constants. Les schémas des figures 7 montrent les fréquences de coupure et de
transition.
On peut exprimer la fréquence de transition en fonction des différents éléments du
1 gm gm gm
circuit. On a: f T   0 .f   g m rb'e .  fT   
2rb'e C T 2C T 2(C b'e  C b'c ) 2C b'e

.
Figure 7

Théoème de Miller
On cherche les conditions d’équivalence des montages des figures 8 et 9 pour séparer
l’entrée de la sortie .

Z
i

Amplificateur Amplificateur
de gain de gain
ve A vs ≡ ve Z1 A Z2 vs

Figure 8 Figure 9

5
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

vs
v e (1  )
ve  vs ve ve Z
i    Z1 
Z Z Z (1  A )
vs
(1  )
De même ve
ve
v s (1  )
vs  ve vs vs Z ZA
i    Z2  
(1  ) (A  1)
Z Z Z 1
v A
(1  e )
vs
1
Si Z est l’impédance d’un condensateur : Z  alors :
jC
1 A C ( A  1)
Z1   C e  C (1  A ) et Z2   Cs 
jC (1  A ) jC ( A  1) A

Réponse en hautes fréquences du montage Emetteur Commun

Soit le montage d’un amplificateur monté en émetteur commun (figure 10).

VCC

RC C2
R1
C1
Rg

Ru
eg CE
R2 RE

Figure 10

En supposant les liaisons et le couplage parfaits et en utilisant le schéma de Giacoletto


pour le transistor, on obtient le schéma dynamique du montage (figure 11)

Rg rbb’ i is
B ib B’ ic

Cb’c
ve R1//R2 rb’e vb’e gmvb’e RC vs Ru
eg
Cb’e

Figure 11 E

6
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

En supposant négligeable le courant i, qui traverse la capacité C b’c, devant le courant


gmvb’e on peut écrire :
vs
v s  g m v b'e .R C // R u   g m .R eq , R eq  R C // R u
v b'e

En appliquant l’effet Miller le schéma de la figure 11 devient (figure 12) :

B rbb’ ic
Ib B’

ve Ce Req
R1//R2 rb’e vb’e gmvb’e Cs vs
Cb’e

Figure 12 E

C b ' c (1  g m R eq )
C e  C b ' c (1  g m R eq ) et Cs   C b'c
g m R eq
Gain en tension
1 rb ' e
On pose C T  C b ' e  C e et Z T  rb ' e // 
jC T  1  jrb ' e C T 
ZT 1 R eq
V b'e  V e et V s  g m .V b'e .R eq //  g m . V b'e
rbb '  Z T jC s  1  jR eq C s 
rb ' e
V b' e  Ve
rbb' .rb ' e
(rbb'  rb ' e )(1  j C T )
rbb'  rb ' e
Vs rb ' e R eq 1 1
Av    (g m )( )( )
Ve rbb '  rb ' e r .r 1  jR eq C s 
1 j bb ' b ' e
CT 
rbb '  rb ' e

rbb'  rb' e 1 1
f1   et f2 
2rbb' .rb' e C T 2(rbb' // rb' e )C T 2R eq C s

C’est un filtre passe bas de fréquence de coupure la plus petite fréquence entre f1 et f2.

Conclusion
Le fonctionnement d’un transistor est limité en très basses fréquences par les capacités
de liaison et de découplage et en hautes fréquences par les capacités parasites. L’amplificateur
à transistors est donc un filtre passe bande. Il est caractérisé par une bande passante (figure
suivante) : BP =c2 - c1.

7
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

Avmax

Effet des capacités Effet des capacités


de liaison et de parasites
découplage

c1 c2
II - Transistor à effet de champ

Le schéma équivalent du FET source commune en HF est obtenu en ajoutant deux


capacités de transition Cgs et Cgd au schéma BF comme montré par lafigure 13 :

ig id

vgs rgs Cgs Cgd gmvgs rds


vds

Figure 13 S

La résistance rds, parfois négligée, est de l’ordre des M. La capacité Cgs est de
l’ordre de quelques pF alors que Cds est de l’ordre de quelques dixièmes de pF.

Fréquence de Transition
Pour caractériser le fonctionnement à haute fréquence d'un transistor on utilise souvent
la fréquence de transition fT qui est définie comme la fréquence à laquelle l'amplitude du gain
en courant, sortie en court-circuit, devient égale à 1.
Le gain en courant source commune à sortie court-circuitée est définie par :
Id 
A i  
Ig  v
ds 0

En posant CT = (Cgs+Cgd), le schéma de la figure 13 devient :

id id

vgs rgs CT gmvgs rds

Figure 14 S

8
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

1 rgs
v gs  i g (rgs // ) i g et i d  g m v gs
jC T  1  jrgs C T 
i g m rgs A0
 A i (j)  d  
i g 1  jrgs C T  1  j f
fc
C’est l’expression d’un filtre passe-bas.

A 0  g m rgs : gain statique ( = 0)


1
fc  : fréquence de coupure à -3dB du gain en courant.
2rgs C T
gm
La fréquence de transition est donnée par : f T  A 0 f c 
2(C gs  C gd )
Réponse en hautes fréquences du montage Source Commune

Soit le montage d’un amplificateur monté en source commune (figure 15).


VDD
RD C2
C1
Rg

Ru
eg CS
RG RS

Figure 15

Le schéma équivalent du transistor en source commune est représenté par la figure 16


suivante :
Rg ig i is d

rgs Cgs Cgd gmvgs rds RD Ru


eg RG

Figure 16 S
Par application du théorème de Miller à la capacité Cgd on peut simplifier le schéma
équivalent (figure 17):
Rg ig id is

eg ve RG rgs CT gmvgs RD Ru
Cs
rds

Figure 17 S
9
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

vs
 Gain en tension de l’amplificateur : A v 
ve
On pose R L  R u // rds // R D
1 R Lg m
On a : v e  v gs et v s  R L // .g m v gs   v gs
jCs  1  jR L Cs 

vs R Lg m R g 1
Av    L m , c 
v gs 1  jR L C gd   R L C gd
1 j
c
C’est un filtre passe bas de fréquence de coupure c

vs
 Gain en tension du montage: A vm 
eg
Par application du théorème de Thévenin le schéma de la figure 17 devient (figure 18)

Rth
vgs CT gmvg Cgd vs RL
eth
s

S
Figure 18

rgs // R G
e th  e g  Ke g et R th  R g // rgs // R G
R g  rgs // R G

On pose C T  C gs  C gd (1  g m R L )

On a
1 K
vgs  e th  eg
1  jR th CT  1  jR th CT 
v s v gs g m .K.R L A0
 A vm  .  
v gs e g (1  jR th C T )(1  jR L C s ) f f
(1  j )(1  j )
f1 f2
1 1
f1  et f2 
2R th C T 2R L C s

C’est un filtre passe bas de fréquence de coupure la plus petite fréquence entre f1 et f2.

Conclusion
Comme pour l’amplificateur à transistor Bipolaire, l’amplificateur à transistor à effet de
champs est caractérisé par une bande passante. Ses caractéristiques sont atténuées hors cette
bande passante.

10
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

III - ETUDE DE QUELQUES MONTAGES AMPLIFICATEURS

Couplage entre étages


Pour améliorer les caractéristiques d’un amplificateur, on associe souvent plusieurs
étages amplificateur, chaque étage jouant un rôle bien défini. Ainsi par exemple un étage EC
stabilisé (c’est à dire avec une résistance d’émetteur non totalement découplée) peut servir à
introduire un gain en tension moyen tout en limitant les distorsions non-linéaires. Plusieurs
étages EC peuvent être mis en ‘séries’ pour augmenter le gain total de l’amplificateur. Le
couplage entre étage EC peut être fait à travers des étages tampons (étages CC). L’étage de
sortie, devant fournir une puissance élevée, peut être un étage CC, et ainsi de suite….

Montage en cascade
Le gain en tension d'un amplificateur dépend de la charge. Pour améliorer les
performances d’un amplificateur on peut monter plusieurs étages en cascade : la sortie d'un
étage est donc raccordée à l'entrée de l'étage suivant (Figure 19)

Figure 19

Si on utilise les parametres caractéristiques (Av0, Ze et Zs) de chaque étage, le schéma


équivalent de l’amplificateur est donné par la figure suivante (Figure 20):

Rs1 Rs2

Rg
Re1 Av01ve vs1=ve Re2 Av02vs1 vv Ru
eg ve 2 s

Figure 20
Couplage capacitif
Le circuit de la figure 21 est constitué de 3
étages couplés par des condensateurs de liaison
CL. Les points de fonctionnement statiques des
différents étages sont indépendants. Les
condensateurs doivent être choisis de façon à ce
que dans la bande de fréquences d’utilisation de
l’amplificateur leurs impédances soit négligeables
devant les autres composants. En dynamique, les
condensateurs se comportent alors comme un
court-circuit. Mais on ne peut pas éviter la
fréquence de coupure basse introduite par leur
présence dans le circuit en très basses fréquences.
Figure 21

11
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

Le premier et le dernier étage sont des étages CC, alors que celui du milieu est un étage
EC. L’étage CC d’entrée introduit une impédance d’entrée élevée de l’amplificateur et l’étage
CC de sortie assure une impédance de sortie faible. Le gain en tension de l’ampli est
essentiellement dû à l’étage EC.
En dynamique, les différents étages sont couplés. Le gain en tension de l’ensemble n’est
généralement pas égal au produit des gains en circuit ouvert de chaque étage. Chaque étage
est chargé par l’impédance d’entrée de l’étage suivant.
Néanmoins, dans ce cas précis, le gain sur charge des différents étages ne diffèrent que
peu de leur gain en circuit ouvert. En effet l’impédance d’entrée de l’étage EC est bien plus
élevée que l’impédance de sortie du 1er étage CC et l’impédance de sortie de l’étage EC est
bien plus faible que l’impédance d’entrée du deuxième étage CC.

Couplage direct
Dans ce cas, les étages ne sont pas
découplés en statique, ce qui rend plus complexe
la conception du montage. L’avantage du Figure 17
couplage direct est évidemment l’absence de
fréquence de coupure basse et par conséquent, la
possibilité d’amplifier des tensions continues. 0,7V
Le circuit de la figure 22 est constitué de 4
0,7V
étages: deux étages CC et deux étages EC. Les
deux premiers étages CC constituent un
« amplificateur Darlington ».
Le gain en tension des deux premiers étages
vaut 1 (en première approximation). Le premier
étage EC est assez proche d’une configuration
« circuit ouvert (à vide) », puisque l’impédance
d’entrée du 4ième étage vaut 2400*β~240kΩ
(β=100) et l’impédance de sortie du 3ième étage Figure 22
vaut 27kΩ. D’où un gain de 400 pour l’ensemble
en circuit ouvert.
L’impédance d’entrée de l’amplificateur est égale à Ze du premier étage chargé par
l’impédance d’entrée du second. En tenant compte des relations trouvés pour un étage CC, on
peut en déduire que Ze vaut approximativement 50MΩ (.5K). Zs du montage est égale à
celle de l’étage EC, soit RC=24kΩ

Analyse statique
En statique, (vg=0) les jonctions EB des deux transistors (PNP) T1et T2 sont polarisées
en directe par la tension d’alimentation VCC. Par ailleurs, les tension EC sont VCE2  1.4V
T

T1
VCE  0.7V , on peut conclure que les transistors T1 et T2 sont en mode actif. On en déduit
IE 2
les courants IE2 et IE1 . I E 2  5.7mA et I E1 
 T2
Le potentiel à la base de T3 vaut à peu près 1.4V, ce qui suffit pour polariser en directe
la jonction BE du transistor (NPN) T3.
T T T
On peut en déduire le courant émetteur de T3  VE 3  0.7V  IC3  I E3  1mA ainsi
que le potentiel collecteur de T3  VCE3  2.3V (en supposant le courant de base T4
T

négligeable). Pour T4  VE 4  2.3V  IC4  I E4  1mA  VCE4  3.6V  T4 en mode actif


T T T T

12
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

Etages à transistor compound


Certains montages amplificateurs à deux étages en
cascade sont réalisés sous forme intégrée. Le circuit
intégré peut être considéré comme un seul transistor
bipolaire à jonctions équivalent; d'où l'appellation
«transistor compound», «composite» ou « composé ». La
figure 23 représente un circuit intégré à transistor. Ces
circuits renforcent les propriétés des différents montages
à transistor bipolaire. En conception intégrée, ces
transistors compound servent souvent d'étages dans un
amplificateur en cascade Figure 23

Montage Darlington
Un amplificateur Darlington est constitué de deux étages
C.C. montés en cascade comme le montre la figure 24. D’où le
gain en tension de 1. L’impédance d’entrée est celle du premier
étage CC ayant comme « résistance d’émetteur » l’impédance
d’entrée du second étage.
Le courant d’entrée du Darlington Ie = Ib (T2) est
beaucoup plus faible que dans le cas d’un émetteur suiveur
(collecteur commun) à un seul transistor. Les résistances de
polarisation (R1 et R2) peuvent donc prendre des valeurs plus
élevées (tout en respectant la condition Ib<10 IR2).
Gain en tension  Av  1
Figure 24
Impédance d’entrée du Darlington :
Ze  Z'e // R1 // R 2 et Z'e  2  ZTe1  2  1  R E  1
T
i TE1 i TE1 i b1 i TE1 i TE2
Gain en courant : Ai     1  2
i Tb2 i Tb1 i Tb2 i Tb1 i Tb2
h11T2
T  h11T1
Impédance de sortie du Darlington : Z  Z s 2  h11 1
T
2 h T2
s   2 11
1 1 1 2
I E1 VT  1 VT ( h11 ) 2
I E 2  I B1   ( h11 )1   
1 I E1 IE 2 2
On peut considérer le Darlington comme un « super-transistor » bipolaire. Il
est disponible sous forme de composant intégré et il est souvent utilisé comme étage
d’isolement entre étages ou comme amplificateurs de puissance.

Montage cascode (configuration EC-BC)


RC
Le schéma en dynamique du montage cascode R1
est représenté à la figure 25. Le transistor T1 est monté
en EC, le transistor T2 en BC. On admet que les T2
résistances de polarisation de la base ont des valeurs
très grandes et les courants qui les traversent sont RB R2 C
négligeables. Ce montage permet un grand gain en
tension sur une gamme de fréquence plus large que T1
celle d'un étage EC.
Figure 25

13
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook


Chapitre II : Amplificateurs à transistors en HF Electronique Analogique

Le schéma de la figure 26 représente le schéma équivalent en dynamique du montage.


ib2
ib1

ve RB h111 ib1 h112 RC vs


ib2

Figure 26
ve
On a i b1  et 1ib1 = ic1 = - ie2; si 2 >>1 le gain en courant de l'étage BC est égale à 1.
h11
i
1ib1 = ic1 = (2 +1)ib2 ≈ 2ib2= ic2  le gain en courant A I  b1  1
ic2
v  1R C
La tension vs= -ic2RC  le gain en tension A V  s 
ve ( h 11 )1

Cette équation du gain est celle d'un étage EC chargé par une résistance RC. Mais dans
le montage cascode la résistance de charge de l'étage à émetteur commun est l’impédance
d'entrée Ze de l'étage BC qui très faible. La meilleure performance en haute fréquence du
montage cascode est due à cette petite résistance de charge sur l'étage à émetteur commun
VCC
Etage Emetteur suiveur
RC
R
C’est un montage simple (figure 27) dont le but
1
est d’abaisser l’impédance de sortie d’une source. Il peut
par exemple être connecté à un étage émetteur commun
Le 1er étage assure un gain en tension élevé, le R2 RE2
ème
2 une faible impédance de sortie RE1
Figure 27
Générateur de courant
Le montage est composé d’un transistor et d’une diode VCC
Zener de tension Zener VZ (Figure 28). La résistance R est une
résistance de protection de la diode. RC représente la charge R RC
VBM = VZ , VBM = VBE +VEM  VEM = VBM - VBE = REIE
VBE ≈0,6V  VEM = VZ – 0,6 = REIE  Figure 28
V  0,6
IE  Z  IC RE
RE IE
Donc le courant IC est indépendant de la charge
VCC
Miroir de courant (Figure 29)
VCC RC Ru
VCC= (RC + RE1).I1  I1   cte
R C  R E1 Figure 29
VBE1 = RE1.I1 et VBE2 = RE2.I2 I2
I1
Or VBE1 = VBE2  RE1.I1 = RE2.I2
R
Donc I 2  E 2 I1 Si on prend RE1 = RE2 alors I2 = I1 RE1 RE
R E1
2

14
Filière SMP-S5

exosup.com page facebook