Exercice1

On considère le circuit de la figure 1. Dans une première étape ve = 5V, On demande

1°) Donnez les expressions de vs et de vB dans les conditions suivantes :

•R1 = 10Ω ; R2 = 100KΩ et C= 1µF ; b) R1 = 100KΩ ; R2 = 10Ω et C= 1µF ;
•R1 = 100KΩ ; R2 = 100KΩ et C= 1µF
2°) Le signal ve est cette fois ci un signal carré unilatéral de fréquence f= 10 KHz d’amplitude
égale à E. On demande d’écrire les expressions des tensions vs et vB dans les conditions
suivantes pour un régime permanent établi : a) R1 = 10Ω ; R2 = 100KΩ et C= 1µF ; b) R1 =
100KΩ ; R2 = 10Ω et c) C= 1µF ; R1 = 50Ω ; R2 = 50Ω et C= 1µF. Représenter en fonction du
temps les signaux ve, vs, vB
C R1

ve vB R2 vS

Fig.1
Solution exercice 1
R1 = 10Ω ; R2 = 100KΩ et C= 1µF ;

vs = vB ; t

v s  v B  Ee R 2C

R1 = 100KΩ ; R2 = 10Ω et C= 1µF

vs = 0 ;
t

v B  Ee R 1C
R1 = 100KΩ ; R2 = 100KΩ et C= 1µF
t
vs = vB/2 ( R 1  R 2 )C
v B  Ee
;

a) R1 = 10Ω ; R2 = 100KΩ et C= 1µF

Pour T << R2C 𝐸
𝑣𝑆 = 𝑣𝐵 = 𝑣𝑒 − 𝑉𝑚𝑜𝑦 = 𝑣𝑒 −
2

vs = vB ;
b) R1 = 100KΩ ; R2 = 10Ω et C= 1µF

v B  ve  Vmoy ; T  R1C
vs = 0 ;

c) R1 = 50Ω ; R2 = 50Ω et C= 1µF (T=1ms et (R1+R2)C=0,1ms

(T/2)=5ms
−𝑡
𝐸𝑒 𝑅1 +𝑅2 𝐶 (𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒)
𝑣𝐵 = −𝑡
vs = vB/2 ;
𝑅1 +𝑅2 𝐶
−𝐸𝑒 (𝑑é𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒)
Exercice 2
Le circuit à étudier est représenté à la figure 2a. Dans un premier temps, la diode est considérée comme
étant idéale, R = 1K.

1°) On applique à l’entrée de ce circuit une tension de la forme triangulaire (figure 2b). Tracer sur le
même graphique les tensions de sortie Vs(t) et d’entrée Ve(t) et donner l’expression de Vs(t).
2°) Donner la représentation de la caractéristique de transfert Vs=f(Ve).
3°) la diode présente une tension de seuil égale à 0,7 Volts et sa résistance dynamique est nulle. On
demande destracer sur un même graphique Vs(t) et Ve(t) ainsi que l’exppression de Ve(t)
4°) Tracer la caractéristique de transfert Vs = f(Ve) et donner la valeur maximale de Vs et sa valeur
minimale.
Ve(t)
R 10V
V1=1V
Ve(t) D Vs(t) t
V2=3V 0

Figure.2a -10V
Figure.1b
Exercice 1 : 5 points
1°) Tracé de Ve(t) et Vs(t) et expression de Vs(t) pour une diode idéale
•Représentation
Ve > 2V  La diode est bloquée : Vs = Ve
Ve ≤ 2V  La diode conduit : Vs = 2V
•Expression de Vs(t)
Vst=Ve lorsque Ve>2V2V lorsque Ve ≤2V
Vs
2°) Caractéristique de transfert

Ve
2V
2V
Vs Ve
2V
 •Expression de Vs(t)
Vs=Ve lorsque Ve>1,3V1,3V lorsque Ve ≤1,3V

3°) Tracé de Ve(t) et Vs(t) et expression de Vs(t) pour une diode ayant un seuil égal à 0,7V.
•Représentation

Ve
Vs Vs
1,3V

4°) Caractéristique de transfert

1,3V Ve
1, 3V
Exercice 3
Le circuit à étudier est représenté par la figure 3. On donne à cet effet E = 20V, RC =1K. VBE=0,6V. On
suppose que le courant qui circule à travers R1 est élevé par rapport à IB
1°) Ecrire l’équation de la droite de charge statique et donner sa représentation.
2°) Déterminer le courant collecteur dans les cas suivants : VCE = E
1V et VCE =17V ainsi que les valeurs des résistances R1 et R2. On
donne (R1+R2)=10K. Quel est le régime de fonctionnement du
transistor. Vérifier que le courant de base IB est faible devant le RC
courant I1 qui circule à travers R1. R1
3°) Déterminer le point de fonctionnement que l'on doit choisir pour
C1 C
obtenir en régime dynamique, une excursion maximale de la tension B C2
de sortie sans écrêtage.
4°) Donner le schéma équivalent en dynamique et calculer le gain E vS RL
en tension de cet amplificateur. ve R2
5°) Une résistance RE est insérée entre l’émetteur du transistor et la
masse. On demande de calculer dans ces conditions le gain en Figure.3
tension. Que peut-on conclure sur l’effet de RE en régime
dynamique. Expliquer.
On donne h11 = 1K, h21 = 200, h12 = 0 et h22 = 0, RE =200,
RL=100K
Exercice 2 (9 points)
1°) Equation de la droite de charge statique et représentation.
𝐸−𝑉𝐶𝐸
E = RCIC +VCE 𝐼𝐶 =
𝑅𝐶

2°) Détermination du courant collecteur pour VCE = 1V et VCE = 17V, les IC

valeurs des résistances R1 et R2, régime de fonctionnement et vérification
que IB << I1. 20 mA
𝐸−𝑉𝐶𝐸
•Courant collecteur: 𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
VCE = 1V, IC = 19 mA ; VCE = 17V, IC = 3 mA 10 mA
Valeur des résistances R1 et R2.
Lorsqu’on néglige le courant IB devant le courant I1 qui circule à travers la
VCE
résistance R1, on aura :
𝐸 𝐸𝑅2 E=20V
𝐼1 = = 𝟐𝒎𝑨 𝑉𝐵 = = 𝑉𝐵𝐸 4V 8V 12V 16V
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
R2 = 0,3 K, R2 = 9,7 K ;
Régime de fonctionnement et vérification que IB << I1.
VCE = 1V, IC = 19 mA (proche de la saturation); VCE = 17V, IC = 3 mA Le courant de base maximum est IB =
(proche du blocage). ICmax/ = 0,1mA. On constate bien
que : I >> I .
3°) Point de fonctionnement à choisir pour avoir une excursion maximale en sortie sans écrêtage.
IC = 10 mA et VCE = 10V 4°) Schéma équivalent et gain en tension.

Schéma équivalent
B C
𝑽𝒔 𝒉21 𝑹𝑪 𝑹𝑳 𝒉21 𝑹𝑪
=− ≅− = −200
𝑽𝒆 𝒉11 𝑹𝑪 + 𝑹𝑳 𝒉11
Ve R2 R1 h11
1/h22 RC RL VS
h21ib
E
B C
5°) Schéma équivalent et gain en tension
lorsqu’on insère une résistance RE est insérée Ve R2 R1 h11 RL VS
h21ib RC
entre l’émetteur et la masse.
𝑽𝒔 𝒉21 𝑹𝑪 𝑹𝑳 E
=−
𝑽𝒆 𝒉11 + 𝑹𝑬 (1 + 𝒉21 )] 𝑹𝑪 + 𝑹𝑳
𝒉21 𝑹𝑪
RE
≅− = −5
𝒉11 + 𝑹𝑬 1 + 𝒉21

RE permet de stabiliser le point de fonctionnement mais réduit considérablement le gain en tension