o9/1072028 13:61 IV, Semi-conductours dopés - Claude Giménés Les cours de Claude Gimenés Electronique Semi-conducteurs IV. Semi-conducteurs dopés Semi-conducteurs de types N et P. Conduetibilité électrique, variation avec la température. Défauts de ré- seau. Mobilités. Durée de vie des porteurs minoritaires. Appendice : effet Hall 1. Semi-conducteur de type N Pour les applications pratiques, on utilise essentiellement les semi-conducteurs dopés, obtenus en ajoutant au matériau des impuretés bien choisies avec une concentration donnée, ‘Supposons que nous disposions du germanium Ge extrémement pur (moins de 1 atome étranger pour 10!” atomes de G, et ajoutons lui une impureté : des atomes d'antimoine Sb. Un atome Sb a un diamétre voisin de celui d'un atome Ge. II peut (=) facilement se substituer a lui dans le réseau d'un cristal de germa- nium. L’antimoine S}, posséde 5 électrons sur sa couche extérieure (Mendeleiev V), donc un électron de trop. Un atome Sb remplace un atome Ge, prétant 4 électrons a ses («) (>) («) voisins. Les 4 liaisons covalentes sont maintenues grace a 4 autres électrons fournis par les 4 atomes Ge voisins. Latome Sb libére un électron qui circulera dans le réseau et de- () («) () vient un ion Sb*. Latome Sb est un atome donneur. Lion $b* est fixé dans le réseau et ne contribue pas plus a la conductibilité que l'atome Ge quill a remplacé, mais I'électron quill a donné contribue a la conduetibilité. Aux faibles concentrations usuelles en impuretés (1 atome Sb pour 10° @ 10° atomes Ge), tous les atomes Sb sont ionisés en Sb*. Le nombre d’électrons ainsi donnés par l'antimoine dépasse de beaucoup le nombre d’électrons du germanium intrinséque et s'ajoute pratiquement a lui, La relation : np=n (n>n) ft) est encore valable. Les électrons sont maintenant porteurs majoritaires et les trous porteurs minoritaires. La conductibilité n'est plus : oi = em (Hn + Hp) — [2] mais =e (npn + Poy) Sent — (3) Elle est considérablement augmentée, car n >> nj. Cette augmentation étant due aux électrons (n > p), on a un semi-conducteur de type N. hitpsclaude-gimenes.felectronique'semi-conducteurskiv-sem=conducteurs-dopes wrosior2023 13:51 IV. Semi-conducteurs dopés - Claude Giménds Plagons-nous dans le modéle des bandes, L’ion Sb+ du don- nour se place au niveau donneur, un peu au-dessous du bas de Bande conduction la bande de conduction. Ee La position du niveau de Fermi s‘obtiendrait en partant du fait que le cristal semi-conducteur est électriquement neutre : By n=p+Na = Na (4) (Nz concentration des ions S,', pratiquement la méme que Bande valence celle des atomes Sy, D’aprés la statistique de Fermi > OK 300K n N. By Er xp(-=—*) 5] tain Ni Na kT LN, : nombre des places vacantes dans la bande de conduction par unité de volume. Ainsi, a la température ordinaire, le niveau de Fermi d'un semi-conducteur dopé N est au-dessus de celui de la méme substance & l'état pur (intrinséque). Si l'on abaisse la température, le niveau de Fermi s’élevera jus- qu’a étre situé un peu au dessus du niveau donneur, mais en dessous du bas de la bande de conduction. 2. Semi-conducteur de type P Introduisons dans du germanium pur une impureté l'indium I,, (Mendeleiev III). Latome diindium n'a que 3 électrons sur sa couche extérieure. II manque done un électron pour constituer autour de l'atome J, une («) couche de 8 électrons comme c’était le cas pour 'atome G, auquel il s'est substitué. Lafome F, pet emprut xt elecvon manque dune des cove fg Gg Jeg (2) ences voisines. II devient alors un ion négatif J, et il apparait un trou positif a Fendroit ot 'électron a été emprunté, Latome J, qui a accepté un électron provenant d'un atome de G, («) () («) est un atome accepteur. Les ions J, sont fixés dans le réseau et ne contribuent aucune- ment a la conductibilte, Soit N, le nombre des atomes accepteurs par centimatre cube. En négligeant les trous intrinséques éven- tuels en absence diimpureté acceptrice, p ~ N,,. Le nombre n d'électrons est donné encore par : cd "pM, (6) négligeable devant p. On a un semi-conducteur de type P (conduction par trous). Chez un semi-conducteur de type P, les trous sont porteurs majoritaires et les électrons porteurs minoritaires. Dans la théorie des bandes, les ions accepteurs sont sur un niveau accepteur peu situé au dessus de la bande de valence. Le niveau de Fermi se trouverait d’une maniére analogue a la précédente par : hitpsclaude-gimenes.felectronique'semi-conducteurskiv-sem=conducteurs-dopes anoaitorzo23 13:51 IV, Semi-conductours dopés - Claude Giménds exp ( y= Fe Ps) (7 kT Bande conduction Ala température ordinaire d'un semi-conducteur intrinséque. En agissant sur la tempé- rature, il descend jusqu’a étre placé un peu en dessous du niveau accepteur mais au-dessus du haut de la bande de valence. il est situé au dessous de celui Niveau accepteur Avec un taux d'impureté élevé, le niveau de Fermi se trouve dans la bande de conduction (atomes d'impureté donneur) ou de valence (atomes accepteurs). Le semi-conducteur est dit dégénéré, avec une conductibilité comparable a celle Bande valence OK 300 K d'un métal 3. Conductibilité électrique. Variation avec la température ‘Supposons que nous mesurions la conduetiblité d'un cristal de type N en élevant progressivement sa tempé- rature & partir du zéro absolu. On distingue trois domaines de variation 3.1. Domaine 1 A partir de 0 K, les électrons des atomes donneurs vont gagner pro-_log(a) gressivement assez d’énergie cinétique quand la température s'éléve pour passer du niveau donneur jusqu’a la bande de conduction. C'est (3) la conductiblité & basse température due au impuretés 2) o=2 bp ay Elle croft avec T’, car le nombre d'électrons n dans la bande de conduction croit, grace aux atomes donneurs. 0 ar 3.2. Domaine 2 Lorsque tous les atomes donneurs ont fourni leur électron a la bande de conduction, leurs possibilités sont épuisées. Le nombre d’électrons de cette bande reste pratiquement constant, énergie thermique ( Ey, = k T/2) étant insuffisante pour permettre un saut d’électrons a partir de la bande de valence. La conductibilité ne reste cependant pas constante, car, dans la relation T= N by n = Ny reste bien constant, mais j1, diminue (souvent comme T'—*/?). C'est la conductibilité extrinséque. La région (2) est appelée région de saturation. 3.3. Domaine 3 Si la température est suffisamment élevée, les électrons possédent une énergie cinétique thermique suffi sante pour passer de la bande de valence a la bande de conduction, On retrouve la conductibilité intrinséque (comme en absence de donneurs) T= 2 Hn + P Hp = Mi (Hn + Hp) hitpsfclaude-gimenes.frelecroniquelsemi-conducteursiv-semconducteurs-dopes, anoaitorzo23 13:51 IV, Semi-conductours dopés - Claude Giménés Le méme raisonnement est transposable a un semi-conducteur de type P. 4. Défauts de réseau Les impuretés apportent donc une irrégularité au réseau cristallin : la substitution d'un ions S;~ ou Ty Ala place d'un atome G,. UW existe encore plusieurs sortes de défauts qui modifient les mobilités et abrégent les durées de vie des por- teurs minoritaires 4.1. Principaux défauts Défaut de Frenkel Si un atome A du réseau est déplacé de sa position normale en un noeud, il se produit deux défauts simultanés + une lacune au naeud (ou! manque A) ; + un atome intersttiel 4 un endroit, autre qu'un naeud (oti se trouve A) Défaut de Schottky Si 'atome A disparait du réseau, par exemple en diffusant vers lextériour du cristal, il se produit une lacune au noeud doit A est part Dislocation Cas d'un plan réticulaire en surnombre : dislocation en aréte. Des plans réticulaires avec une autre direction que les autres : dislocation en vis. 4.2. Commentaires Les défauts de Schottky ou de Frenkel augmentent la conductiblité ionique aux températures élevées, les la- cunes facilitant le passage des électrons. Les dislocations, brisant des covalences, créent des piéges (trous, ou électrons supplémentaires) qui peuvent capturer les porteurs minoritaires et en réduisent la vie moyenne. 5. Mobilités Dans un semi-conducteur, dopé ou non, la conductibilité o dépend des mobilités y1,, et s1, des porteurs de charge o =e (Np +P Hy) exploitation de deux phénomenes physiques différents a permis de mesurer séparément la mobilité des porteurs de charge majoritaires et celles des porteurs minoritaires. 5.1. Premier phénoméne ‘Supposons un échantillon semi-conducteur de type P sous forme de barreau. De la mesure de la résistance, on déduit 7, puis p de celle de I'effet Hall : p pp ~ 5.2. Deuxiéme phénoméne hitpsfclaude-gimenes.frelecroniquelsemi-conducteursiv-semconducteurs-dopes, anoaitorzo23 13:51 IV, Semi-conductours dopés - Claude Giménés La mesure de la mobilité des porteurs de charge minoritaires (ici j2,,, mobilité des électrons) peut s'effectuer selon plusieurs méthodes dont celle qui suit. Dans un barreau du semi-conducteur P, on injecte soit par un éclair lumineux, soit par une électrode auxi- liaire, des électrons pendant un temps trés court, On a établi au préalable un champ électrique constant E et ‘on mesure le temps t mis par le paquet d’électrons injecté pour se déplacer d'une distance d dans le barreau. Mesure par impulsions a l'oscillographe cathodique (at) _v in "EB 6. Durée de vie des porteurs minoritaires Considérons un semi-conducteur de type N : concentration n d’électrons et p de trous. Donnons & cetle concentration p un accroissement Apy Cette valeur initiale va diminuer rapidement par recombinaison de trous en exces avec des électrons jusqu’a ce que léquilibre soit rétabli Aun instant donné t, on n’a plus qu'un excés Ap qui décroit exponentiellement t Ap = Ap exp ( - =) 3] Tp Tp : durée de vie des porteurs minoritaires (ici des trous). En général, 7) est trés petit, de Vordre de la micro- seconde voire 10~* s. On définirait de méme une durée de vie 7, dans un semi-conducteur de type P. La mesure de la durée de vie des porteurs minoritaires s'effectue par plusieurs méthodes + Une méthode consiste & mesurer, en fonction de la distance dans le barreau, l'affaiblissement de I'im- pulsion recueillie dans une mesure de mobilié par injection de porteurs minoritaires, + Une autre méthode consiste & moduler la résistance d'un barreau par un flux lumineux dont 'intensité varie en forme de créneaux rectangulaires. La résistance est diminuée par injections de porteurs mino- ritaires sous l'action de la lumiére. Elle reprend sa valeur d’obscurité avec une constante de temps qui donne 7. Remarques Le barreau doit tre assez long (plusieurs millimétres) pour que les recombinaisons électrons-trous en sur- face n’apportent pas d'erreur trop grande. Tous les défauts de réseau, en particulier les impuretés, réduisent la durée de vie des porteurs minoritaires. 7. Appendice : effet Hall, théorie simplifiée effet Hall est un phénomne qui permet de connaitre le signe des porteurs de charge, donc d’identifier un semi-conducteur : type N ou type P. Combing & des mesures de conductibilité, il permet de mesurer la concentration de porteurs et leur mobilité. > Dans un parallélépipade trés allongé et trés mince, conducteur, un champ électrique E produit un courant > de densité J. > La conductibilté ¢ telle que J = o E est: o=Nen (al hitpsfclaude-gimenes.frelecroniquelsemi-conducteursiv-semconducteurs-dopes, sroaitorzo23 13:51 IV, Semi-conductours dopés - Claude Giménés es charge + mobilité i; | Z A N’: nombre / cm? de porteurs de charge (supposés pro- Visoirement d'un seul type) ussite J “< ; Les lignes de courant sont paralléies la longueur du oma Je Iv yo parallélépipéde et les équipotentielles leur sont B normales. + Introduisons un champ d‘induction magnétique B per- pendiculaire au plan de la bande. Les porteurs de charge sont soumis @ une force qui incurve les lignes de courant. rs e(E+VAB) [b] Des charges s‘accumulent sur les parois normales & Oy jusqu'a ce que le champ électrique qu’elles eréent s, compense l'action déviatrice du champ B Cet équilibre est atteint quand (champ de Hall) 1B, avec~ En éliminant v, : * B, y= Ja Id) Si J ou B varient, R = Z B fe] doit rester constant, constante que l'on appelle constante de Hall Cette théorie prévoit que 1 ret Ne fl Le signe de R indique le signe de la charge e : négatif (électrons) et positif(trous). ‘Sa mesure donne la concentration NV des porteurs de charge En comparant les relations (a) et (b), on obtient pour la la mobilité px w=Ro (9) donc grace a une mesure du coefficient de Hall et une mesure de conductibilité Vd Ro TB hl] Remarque Langle @ (de ordre de quelques degrés) entre les surfaces équipotenticlles ot Or sous laction do B est ap- pelé angle de Hall. ‘On montre que : hitpsfclaude-gimenes.frelecroniquelsemi-conducteursiv-semconducteurs-dopes, aroaitorzo23 13:51 IV, Semi-conductours dopés - Claude Giménés 7: temps moyen séparant deux collisions d'un porteur de charge avec le réseau ‘m* : masse effective d'un porteur Actualisé le 2015-10-09 © 2013 - 2023 Claude Gimen’s =a 1 Contact Alo hitpsfclaude-gimenes.frelecroniquelsemi-conducteursiv-semconducteurs-dopes, am