TD 1, 2023-2024

Exercice 1 : Considérons deux diodes idéales D1 et D2 qui participent au

montage ci-dessous dans lequel α, variable, est compris entre 0 et 1.

1- Déterminer la caractéristique de transfert V=f(U)

2- A quelle condition a-t-on une réponse V=f(U) linéaire ?
3- Tracer le graphe représentatif lorsque U varie de -15V à +15V

Exercice 2 : On considère le circuit suivant, D1 et D2 sont deux diodes au silicium

(UO=0,7V) de résistance interne ro.

Déterminer la fonction de transfert Vs=f(Ve),

Exercice 3

Figure 1
Calculer UO si: a) UE=+15V b) UE=+3V c) UE= 0V d) UE= -10V en donnant
l’état de chaque diode (bloquée ou passante), figure 1. La tension seuil est
supposée 0,6V et sa résistance dynamique r =10Ω.

Exercice 4: Dans le circuit suivant, la tension seuil de la diode est 0,7 Volts et sa
résistance dynamique est nulle.

Etudier ce circuit et tracer la tension de sortie Vs(t) sur le même graphe que
Ve(t).

-Tracer la caractéristique de transfert Vs=f(Ve).

-Donner la valeur maximale de Vs et sa valeur minimale

-Pour quelles valeurs de Ve la diode est-elle passante

Exercice 5:Tracer la fonction de transfert Vy =f(Vx)

Exercice 6
Exercice 7

Exercice 8
Exercice 9
L’étude porte sur le comportement du montage de la figure ci-dessous en fonction de
la température.

Le transistor, de type 2N1711 ( βtypique = 150 ), possède les caractéristiques constructeur

Ptot (TA ≤ 25 °C) max = 0.8 W , TJmax = 200 °C , RthJA = 220 °C/W , RthJB = 58 °C/W
Stabilité en température
1. Dans le cas général, écrivez IC = [β(T),VBE(T),ICBO(T)] .
2. Déduisez les facteurs de stabilité
SI = ∂IC /∂ICBO , SV = ∂IC /∂VBE , Sβ = ∂IC/ ∂β.
3. Evaluez dans le cas du montage dIC /dT et dVCE /dT sachant que, pour le silicium, le
fabricant indique dVBE /dT ≅ −2.5 mV/°C , dβ/(βdT) ≅ 0.5 %/°C , dICBO /(ICBO dT) ≅ 11 %/°C et
ICBO = 1nA à 25°C .
Même question pour les figures suivantes sauf la figure 4